JP2002071989A - Method for manufacturing optical waveguide device and optical waveguide device - Google Patents

Method for manufacturing optical waveguide device and optical waveguide device

Info

Publication number
JP2002071989A
JP2002071989A JP2000253249A JP2000253249A JP2002071989A JP 2002071989 A JP2002071989 A JP 2002071989A JP 2000253249 A JP2000253249 A JP 2000253249A JP 2000253249 A JP2000253249 A JP 2000253249A JP 2002071989 A JP2002071989 A JP 2002071989A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical waveguide
waveguide device
thickness
manufacturing
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000253249A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002071989A5 (en
Inventor
Madoka Kondo
円華 近藤
Yasuhiro Kuwana
保宏 桑名
Toru Takahashi
亨 高橋
Masatoshi Yamaguchi
正利 山口
Toshihiro Kuroda
敏裕 黒田
Hiroshi Masuda
宏 増田
Nobuo Miyadera
信生 宮寺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Priority to JP2000253249A priority Critical patent/JP2002071989A/en
Publication of JP2002071989A publication Critical patent/JP2002071989A/en
Publication of JP2002071989A5 publication Critical patent/JP2002071989A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a resin optical waveguide device having a branched part and hardly produces air bubbles in the branched part, and to provide an optical waveguide device. SOLUTION: The method of manufacturing an optical waveguide device has the following processes. The processes are a first process of forming a first resin film on a substrate having a lower clad layer, a second process of patterning the first resin film into a core layer in the form of an optical waveguide, a third process of applying a solution of a second resin material to cover the core layer to form the film of the material solution so that the thickness of the film after dried from the upper face of the lower clad layer is 3.5 to 10 times the thickness of the core layer, and a fourth process of removing the second resin film so that the thickness of the second resin film from the upper face of the lower clad layer is <3.5 times the thickness of the core layer and that the remaining second resin film acts as the upper clad layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路デバイス
の製造方法及びそれにより得られる光導波路デバイスに
関し、特に、上部クラッドが樹脂製の光導波路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical waveguide device and an optical waveguide device obtained by the method, and more particularly to an optical waveguide having an upper clad made of resin.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年のパソコンやインターネットの普及
に伴い、情報伝送需要が急激に増大している。このた
め、伝送速度の速い光伝送を、パソコン等の末端の情報
処理装置まで普及させることが望まれている。これを実
現するには、光インターコネクション用に、高性能な光
導波路を、安価かつ大量に製造する必要がある。
2. Description of the Related Art With the spread of personal computers and the Internet in recent years, the demand for information transmission has rapidly increased. For this reason, it is desired that optical transmission with a high transmission speed be spread to terminal information processing devices such as personal computers. To achieve this, it is necessary to manufacture high-performance optical waveguides for optical interconnection at low cost and in large quantities.

【0003】光導波路の材料としては、ガラスや半導体
材料等の無機材料と、樹脂が知られている。無機材料に
より光導波路を製造する場合には、真空蒸着装置やスパ
ッタ装置等の成膜装置により無機材料膜を成膜し、これ
を所望の導波路形状にエッチングすることにより製造す
る方法が用いられる。しかしながら、真空蒸着装置やス
パッタ装置は、真空排気設備が必要であるため、装置が
大型で高価である。また、真空排気工程が必要であるた
め工程が複雑になる。これに対し、樹脂によって光導波
路を製造する場合には、成膜工程を、塗布と加熱により
大気圧中で行うことができるため、装置および工程が簡
単であるという利点がある。
As materials for optical waveguides, inorganic materials such as glass and semiconductor materials and resins are known. When an optical waveguide is manufactured from an inorganic material, a method is used in which an inorganic material film is formed by a film forming apparatus such as a vacuum evaporation apparatus or a sputtering apparatus, and the inorganic film is etched into a desired waveguide shape. . However, the vacuum evaporation apparatus and the sputtering apparatus require large-scale evacuation equipment, and are therefore large and expensive. In addition, since the evacuation step is required, the step becomes complicated. On the other hand, when an optical waveguide is manufactured using a resin, the film forming process can be performed at atmospheric pressure by coating and heating, and thus there is an advantage that the apparatus and the process are simple.

【0004】また、光導波路ならびにクラッド層を構成
する樹脂としては、種々のものが知られているが、ガラ
ス転移温度(Tg)が高く、耐熱性に優れるポリイミド
が特に期待されている。ポリイミドにより光導波路およ
びクラッド層を形成した場合、長期信頼性が期待でき、
半田付けにも耐えることができる。
Various resins are known as resins constituting the optical waveguide and the cladding layer. Polyimides having a high glass transition temperature (Tg) and excellent heat resistance are particularly expected. When the optical waveguide and cladding layer are formed of polyimide, long-term reliability can be expected,
It can withstand soldering.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上述のように、樹脂に
より光導波路およびクラッド層を製造することにより、
簡単な製造工程で光導波路を製造することができるが、
Y分岐の光導波路の分岐部分のように、2以上の光導波
路の間隔が非常に狭い部分では、光導波路と上部クラッ
ド層との境界や上部クラッド層の内部に気泡が生じるこ
とがある。このように気泡が生じると、光導波路の伝搬
効率に悪影響を及ぼす。
As described above, by manufacturing an optical waveguide and a cladding layer with a resin,
Although an optical waveguide can be manufactured by a simple manufacturing process,
In a portion where the distance between two or more optical waveguides is very small, such as a branch portion of a Y-branch optical waveguide, bubbles may be generated at the boundary between the optical waveguide and the upper cladding layer or inside the upper cladding layer. When such bubbles are generated, the propagation efficiency of the optical waveguide is adversely affected.

【0006】本発明は、分岐部を有する樹脂製光導波路
であって、分岐部に気泡を生じにくい樹脂製光導波路デ
バイスの製造方法及びそれにより得られる光導波路デバ
イスを提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a resin optical waveguide device having a branch portion, which is less likely to generate bubbles at the branch portion, and an optical waveguide device obtained by the method. .

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明によれば、以下のような光導波路が提供され
る。すなわち、下部クラッド層を備えた基板上に、第1
の樹脂膜を形成する第1の工程と、前記第1の樹脂膜
を、光導波路形状にコア層をパターニングする第2の工
程と、前記コア層を覆うように第2の樹脂の材料溶液を
乾燥後において下部クラッド層の上面からコア層の厚み
の3.5〜10倍となるように前記材料溶液の膜を形成
する第3の工程、前記第2の樹脂膜を下部クラッド層の
上面からコア層の厚みの3.5倍未満となるように除去
し第2の樹脂膜を上部クラッド層とする第4の工程とを
有することを特徴とする光導波路デバイスの製造方法が
提供される。
In order to achieve the above object, according to the present invention, the following optical waveguide is provided. That is, the first substrate is provided on the substrate having the lower cladding layer.
A first step of forming the first resin film, a second step of patterning the first resin film into a core layer in an optical waveguide shape, and a material solution of a second resin so as to cover the core layer. A third step of forming a film of the material solution so as to have a thickness of 3.5 to 10 times the thickness of the core layer from the upper surface of the lower clad layer after drying, A fourth step of removing the core layer so that the thickness is less than 3.5 times the thickness of the core layer and using the second resin film as an upper clad layer.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態について、
図面を用いて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described.
This will be described with reference to the drawings.

【0009】光導波路デバイス100の構成を図1、図
2を用いて説明する。光導波路デバイス100は、シリ
コンウエハ基板1の上に、光導波路積層体10を備え、
光導波路積層体10が配置されていない領域に電極部7
等が配置された構成である。
The configuration of the optical waveguide device 100 will be described with reference to FIGS. The optical waveguide device 100 includes an optical waveguide laminate 10 on a silicon wafer substrate 1,
The electrode portion 7 is formed in a region where the optical waveguide laminate 10 is not arranged.
Etc. are arranged.

【0010】光導波路積層体10は、シリコンウエハ基
板1の上に配置された下部クラッド層3と、その上に搭
載されたY分岐形状のリッジ型光導波路4と、光導波路
4を埋め込む上部クラッド層5と保護層9とを含んでい
る。
The optical waveguide laminate 10 comprises a lower cladding layer 3 disposed on a silicon wafer substrate 1, a Y-branched ridge type optical waveguide 4 mounted thereon, and an upper cladding layer in which the optical waveguide 4 is embedded. It includes a layer 5 and a protective layer 9.

【0011】下部クラッド層3および上部クラッド層5
は、いずれも、日立化成工業株式会社製OPI−N10
05(商品名)を用いて形成したポリイミド膜からな
る。下部クラッド層3の膜厚は、約6μm、上部クラッ
ド層5の膜厚は、下部クラッド層3の表面から約12μ
mである。光導波路4は、日立化成工業株式会社製OP
I−N3205(商品名)を用いて形成したポリイミド
膜からなり、その膜厚は約6μmであり、光導波路4の
幅は約6μmである。保護層9は、日立化成デュポンマ
イクロシステムズ株式会社製PIX−6400(商品
名)を用いて形成したポリイミド膜であり、その膜厚
は、光導波路4から離れた端部の部分で約5μmであ
る。電極部7は、発光素子や受光素子を搭載するための
電極である。
Lower clad layer 3 and upper clad layer 5
Are all OPI-N10 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
05 (trade name). The thickness of the lower cladding layer 3 is about 6 μm, and the thickness of the upper cladding layer 5 is about 12 μm from the surface of the lower cladding layer 3.
m. The optical waveguide 4 is an OP manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
It is made of a polyimide film formed using IN-N3205 (trade name), the thickness is about 6 μm, and the width of the optical waveguide 4 is about 6 μm. The protective layer 9 is a polyimide film formed using PIX-6400 (trade name) manufactured by Hitachi Chemical DuPont Microsystems Co., Ltd. The film thickness is about 5 μm at an end portion away from the optical waveguide 4. . The electrode unit 7 is an electrode for mounting a light emitting element and a light receiving element.

【0012】図1、2、5に示す光導波路4は、光導波
路4aと、光導波路4aを2方向に分岐した光導波路4
b、4cからなるY分岐の光導波路を示す。光導波路4
aの幅は約6μmである。
The optical waveguide 4 shown in FIGS. 1, 2 and 5 is an optical waveguide 4a and an optical waveguide 4 which is obtained by branching the optical waveguide 4a in two directions.
5 shows a Y-branch optical waveguide composed of b and 4c. Optical waveguide 4
The width of a is about 6 μm.

【0013】つぎに、本実施の形態の光導波路デバイス
の製造方法について、図1(1)〜(9)を用いて説明
する。まず、Si基板1の上面(図1(1))全体に、
前述のOPI−N1005をスピン塗布して材料溶液膜
を形成する。その後、乾燥器で100℃で30分、次い
で、200℃で30分加熱することにより溶媒を蒸発さ
せ、続けて370℃で60分加熱することにより硬化さ
せ、下部クラッド層3を形成する(図1(2))。
Next, a method of manufacturing the optical waveguide device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. First, the entire upper surface (FIG. 1 (1)) of the Si substrate 1 is
The aforementioned OPI-N1005 is spin-coated to form a material solution film. Thereafter, the solvent is evaporated by heating at 100 ° C. for 30 minutes and then at 200 ° C. for 30 minutes, and then cured by heating at 370 ° C. for 60 minutes to form the lower cladding layer 3 (FIG. 1 (2)).

【0014】この下部クラッド層3の上に、前述のOP
I−N3205をスピン塗布して材料溶液膜を形成す
る。その後、乾燥器で100℃で30分、次いで、20
0℃で30分加熱することにより溶媒を蒸発させ、続け
て350℃で60分加熱することにより硬化を行い、光
導波路4となるポリイミド膜を形成する。このポリイミ
ド層の上にレジストをスピン塗布し、乾燥後、水銀ラン
プで露光、現像することにより、レジストパターン層を
形成する。このレジストパターン層は、前述のポリイミ
ド膜をY分岐の光導波路4の形状に加工するためのマス
クとして用いられる(図1(4))。このレジストパタ
ーン層をマスクとして、前述のポリイミド層を酸素でリ
アクティブイオンエッチング(O2−R1E)すること
により、分岐型の光導波路4を得ることができる(図1
(5))。その後、レジストパターン層を剥離する(図
1(6))。
On the lower cladding layer 3, the above-mentioned OP
A material solution film is formed by spin coating I-N3205. Then, it was dried at 100 ° C. for 30 minutes,
The solvent is evaporated by heating at 0 ° C. for 30 minutes, and then cured by heating at 350 ° C. for 60 minutes to form a polyimide film to be the optical waveguide 4. A resist is spin-coated on the polyimide layer, dried, exposed to a mercury lamp, and developed to form a resist pattern layer. This resist pattern layer is used as a mask for processing the aforementioned polyimide film into the shape of the Y-branch optical waveguide 4 (FIG. 1 (4)). Using the resist pattern layer as a mask, the above-mentioned polyimide layer is reactive ion-etched (O 2 -R1E) with oxygen to obtain a branched optical waveguide 4 (FIG. 1).
(5)). Thereafter, the resist pattern layer is peeled off (FIG. 1 (6)).

【0015】つぎに、光導波路4および下部クラッド層
3を覆うように、第2の樹脂の材料溶液としてOPI−
N1005をスピン塗布する。このとき、第2の樹脂の
材料溶液を乾燥後において下部クラッド層の上面からコ
ア層の厚みの3.5〜10倍となるように前記材料溶液
の膜を形成する。第2の樹脂の材料溶液を乾燥後におい
て下部クラッド層の上面からコア層の厚みの3.5〜8
倍が好ましく、4〜6倍がさらに好ましい。3.5倍未
満では気泡の除去効果に乏しく、10倍を超えると、そ
の後の工程で行う第2の樹脂膜の除去の工程で時間がか
かるようになる。その後、乾燥器で100℃で30分、
次いで、200℃で30分加熱して材料溶液膜の溶媒を
蒸発させ、350℃で60分加熱することによりポリイ
ミド膜の第2の樹脂膜を形成する(図2(7))。
Next, an OPI-based material solution of the second resin is formed so as to cover the optical waveguide 4 and the lower clad layer 3.
N1005 is spin-coated. At this time, a film of the material solution is formed such that the thickness of the material solution from the upper surface of the lower clad layer becomes 3.5 to 10 times the thickness of the core layer after the material solution of the second resin is dried. After drying the material solution of the second resin, the thickness of the core layer is 3.5 to 8 from the upper surface of the lower clad layer.
Preferably, it is twice, more preferably four to six times. If it is less than 3.5 times, the effect of removing bubbles is poor, and if it exceeds 10 times, it takes time in the subsequent step of removing the second resin film in the subsequent step. Then, 30 minutes at 100 ℃ in a dryer,
Next, the material solution film is heated at 200 ° C. for 30 minutes to evaporate the solvent, and heated at 350 ° C. for 60 minutes to form a second resin film of a polyimide film (FIG. 2 (7)).

【0016】さらに、ポリイミド膜の第2の樹脂膜を下
部クラッド層の上面からコア層の厚みの3.5倍未満と
なるように除去し第2の樹脂膜を上部クラッド層5とす
る。
Further, the second resin film of the polyimide film is removed from the upper surface of the lower clad layer so as to be less than 3.5 times the thickness of the core layer, and the second resin film is used as the upper clad layer 5.

【0017】第2の樹脂膜をコア層の厚みの3.5倍未
満となるように除去する手段がドライエッチングである
と好ましく、ドライエッチングには、プラズマエッチン
グ、反応性イオンエッチング、反応性スパッタエッチン
グ、イオンビームエッチング等が挙げられ、異方性エッ
チングが可能なことから反応性イオンエッチングが好ま
しい。これらは、ガス組成、圧力、温度、周波数、出力
などが制御因子であり、目的に適した条件で行う。
The means for removing the second resin film so as to have a thickness of less than 3.5 times the thickness of the core layer is preferably dry etching. The dry etching includes plasma etching, reactive ion etching, and reactive sputtering. Etching, ion beam etching and the like are mentioned, and reactive ion etching is preferable because anisotropic etching is possible. These are controlled under conditions suitable for the purpose, such as gas composition, pressure, temperature, frequency, and output, as control factors.

【0018】第2の樹脂膜をコア層の厚みの3.5倍未
満となるように除去する手段が研磨剤を用いても好まし
い。研磨剤には、コロイダルシリカ、炭酸バリウム、酸
化鉄、炭酸カルシウム、シリカ、酸化セリウム、ダイヤ
モンド等を用い、機械的研磨やメカノケミカル研磨を利
用して行う。この方法は表面が均一に研磨されるので好
ましいが、研磨傷が付かないようにする。
The means for removing the second resin film so as to have a thickness of less than 3.5 times the thickness of the core layer may preferably use an abrasive. As the abrasive, colloidal silica, barium carbonate, iron oxide, calcium carbonate, silica, cerium oxide, diamond, or the like is used, and mechanical polishing or mechanochemical polishing is used. Although this method is preferable because the surface is uniformly polished, it is preferable to prevent polishing scratches.

【0019】第2の樹脂膜をコア層の厚みの3.5倍未
満となるように除去する手段がウエットエッチングを用
いても好ましい。ウエットエッチングは、液相を用い、
化学反応を利用したエッチングである。フツ化水素のよ
うな酸、水酸化アルカリ、エチレンジアミンのようなア
ルカリ、過マンガン酸カリウムのような酸化剤が用いら
れ、浸漬、流水、スプレー、ジェット、電解などの方法
で用いられ、液組成、pH、粘度、温度、攪拌条件、処
理時間、処理済み面積等が制御因子となる。本発明で
は、ポリイミド樹脂を用いているので、水酸化カリウ
ム、水酸化ナトリウム水溶液、ヒドラジンとイソプロピ
ルアルコール混合液、エチレンジアミンとピロカテコー
ル混合水溶液などを加温して用いることができる。
The means for removing the second resin film so as to have a thickness of less than 3.5 times the thickness of the core layer may preferably employ wet etching. Wet etching uses a liquid phase,
This is etching using a chemical reaction. Acids such as hydrogen fluoride, alkali hydroxides, alkalis such as ethylenediamine, oxidizing agents such as potassium permanganate are used, immersion, running water, spray, jet, electrolysis, etc. Control factors include pH, viscosity, temperature, stirring conditions, treatment time, treated area, and the like. In the present invention, since a polyimide resin is used, potassium hydroxide, sodium hydroxide aqueous solution, hydrazine and isopropyl alcohol mixed solution, ethylenediamine and pyrocatechol mixed aqueous solution, and the like can be used after being heated.

【0020】さらに、上部クラッド層5の上面に、PI
X−6400をスピン塗布し、乾燥器で100℃で30
分、200℃で30分加熱して溶媒を蒸発させ、続け
て、350℃で60分加熱して、上面がほぼ平坦な厚さ
5μmのポリイミド膜の保護層9を得る。
Further, on the upper surface of the upper cladding layer 5, a PI
X-6400 is spin-coated and dried in a dryer at 100 ° C. for 30 minutes.
After heating at 200 ° C. for 30 minutes to evaporate the solvent, and subsequently heating at 350 ° C. for 60 minutes, a protective layer 9 of a 5 μm thick polyimide film having a substantially flat upper surface is obtained.

【0021】つぎに、保護層9、上部クラッド層5、光
導波路4、下部クラッド層3の積層膜に対してダイシン
グにより膜厚方向に切り込みを入れ、電極部の領域に形
成されている保護層9から下部クラッド層3までを、基
板1上から剥がして除去する。これにより、光導波路積
層体10は図2に示した形状の一部となり、基板1上の
電極部7の領域では、電極部7とSi基板1が露出され
る。
Next, the laminated film of the protective layer 9, the upper clad layer 5, the optical waveguide 4, and the lower clad layer 3 is cut in the thickness direction by dicing to form a protective layer formed in the region of the electrode portion. 9 to the lower cladding layer 3 are peeled off from the substrate 1 and removed. Thereby, the optical waveguide laminate 10 becomes a part of the shape shown in FIG. 2, and in the region of the electrode portion 7 on the substrate 1, the electrode portion 7 and the Si substrate 1 are exposed.

【0022】露出された電極には、所望の形状の金属合
金層を形成しても良い。その後、ウエハ状の基板1をダ
イシングにより切り出し、側面を研磨して光導波路デバ
イス100を完成させる。
A metal alloy layer having a desired shape may be formed on the exposed electrode. Thereafter, the wafer-shaped substrate 1 is cut out by dicing, and the side surface is polished to complete the optical waveguide device 100.

【0023】このような製造方法で製造した光導波路デ
バイス100の光導波路4の分岐部を顕微鏡観察し、光
導波路4bと光導波路4c(図5参照)との間隙に気泡
が含まれているかどうかを検査した。この時、コア層を
覆うように第2の樹脂の材料溶液を乾燥後において下部
クラッド層の上面からコア層の厚みを基準に膜の厚みを
変化させた。その結果、図4に示すように、気泡の含ま
れていない光導波路デバイスの気泡良品率は(1枚のウ
エハ基板上に多数の光導波路を形成し、その中でY分岐
部に気泡が発生していない光導波路の百分率)、下部ク
ラッド層の上面に形成する第2の樹脂膜の厚みにより変
化し、厚みの厚いほど良い結果を示した。第2の樹脂膜
の厚みは、コア層の厚みの3.5〜10倍、より好まし
くは、4〜6倍に形成すると、約60%以上の気泡の発
生が無い光導波路を製造することができる。
The branch portion of the optical waveguide 4 of the optical waveguide device 100 manufactured by such a manufacturing method is observed with a microscope, and it is determined whether or not bubbles are contained in the gap between the optical waveguide 4b and the optical waveguide 4c (see FIG. 5). Was inspected. At this time, after drying the material solution of the second resin so as to cover the core layer, the thickness of the film was changed from the upper surface of the lower clad layer based on the thickness of the core layer. As a result, as shown in FIG. 4, the non-bubble optical waveguide device has a non-defective bubble rate (a large number of optical waveguides are formed on one wafer substrate, and bubbles are generated in the Y branch portion therein). The percentage varies with the percentage of the optical waveguide not formed) and the thickness of the second resin film formed on the upper surface of the lower clad layer. The thicker the thickness, the better the result. When the thickness of the second resin film is 3.5 to 10 times, more preferably 4 to 6 times the thickness of the core layer, it is possible to manufacture an optical waveguide free from bubbles of about 60% or more. it can.

【0024】図5に示すように、気泡51は、分岐部の
根元52から約50μm先までの部分で主に生じてお
り、これは、光導波路4bと光導波路4cの間隙が、分
岐部の根元52で行き止まりになっているため、上部ク
ラッド層5の材料溶液が十分に入り込めず、埋め込みが
不完全になったためであると推測される。
As shown in FIG. 5, the bubble 51 mainly occurs in a portion from the root 52 of the branch portion to about 50 μm ahead, and the gap between the optical waveguide 4b and the optical waveguide 4c is It is presumed that the dead end at the root 52 caused the material solution of the upper cladding layer 5 not to sufficiently enter and the embedding became incomplete.

【0025】また、本実施の形態の光導波路デバイス
は、下部クラッド層3から保護層9まで全ての層をポリ
イミドで形成しているため、Tgが高く、耐熱性にすぐ
れている。よって、本実施の形態の光導波路デバイス
は、高温になっても伝搬特性を維持できる。また、ポリ
イミドは、半田付け等の高温工程にも耐えることができ
るため、光導波路デバイスの上にさらに別の光導波路デ
バイスや電気回路素子や受発光素子をはんだ付けするこ
とも可能である。
Further, the optical waveguide device of the present embodiment has a high Tg and excellent heat resistance because all layers from the lower cladding layer 3 to the protective layer 9 are formed of polyimide. Therefore, the optical waveguide device of the present embodiment can maintain the propagation characteristics even at a high temperature. Further, since polyimide can withstand a high-temperature process such as soldering, it is possible to solder another optical waveguide device, an electric circuit element, or a light emitting / receiving element on the optical waveguide device.

【0026】また、上述の実施の形態では、ポリイミド
膜により下部クラッド層3から保護層9までの各層を形
成しているが、保護層9は、樹脂に限らず、例えばSi
2等の無機材料により形成することもできる。無機膜
として保護層9を形成する場合には、保護層9をCVD
法、蒸着法などの公知の成膜方法により形成することが
できる。また、SOGのように溶液塗布法によっても形
成することができる。
In the above-described embodiment, the layers from the lower cladding layer 3 to the protective layer 9 are formed by a polyimide film.
It can also be formed of an inorganic material such as O 2 . When the protective layer 9 is formed as an inorganic film, the protective layer 9 is formed by CVD.
It can be formed by a known film formation method such as a deposition method or a vapor deposition method. Also, it can be formed by a solution coating method like SOG.

【0027】(実施の形態2)つぎに、本発明の第2の
実施の形態の光導波路デバイスの製造方法について説明
する。第2の実施の形態では、上部クラッド層5の材料
溶液を塗布する際のぬれ性を向上させることにより気泡
を低減するものである。
(Embodiment 2) Next, a method of manufacturing an optical waveguide device according to a second embodiment of the present invention will be described. In the second embodiment, bubbles are reduced by improving the wettability when applying the material solution of the upper cladding layer 5.

【0028】本実施の形態で製造する光導波路デバイス
の構成は、第1の実施の形態の光導波路デバイス100
と同じ構成および同じ材質であるので、構成の説明は省
略する。本実施の形態の光導波路デバイスの製造方法に
ついて説明する。図1(1)〜図1(6)の工程によ
り、第1の実施の形態と同様に、基板1上に光導波路4
を形成する。
The configuration of the optical waveguide device manufactured in this embodiment is the same as that of the optical waveguide device 100 of the first embodiment.
Since the same configuration and the same material are used, the description of the configuration is omitted. A method for manufacturing the optical waveguide device according to the present embodiment will be described. 1 (1) to 1 (6), the optical waveguide 4 is formed on the substrate 1 in the same manner as in the first embodiment.
To form

【0029】つぎに、本実施の形態では、上部クラッド
層5を形成する工程の前に、上部クラッド層5の材料溶
液に対するぬれ性を向上させるための処理を、下部クラ
ッド層3の上面と光導波路4の側面および上面に対して
行う。この処理は、下部クラッド層3の上面と光導波路
4の側面を含む上面に対して、上部クラッド層5の材料
溶液に用いられる溶媒もしくは、表面張力を低下させる
溶剤を塗布する処理である。ここでは、上部クラッド層
5の材料溶液に用いられる溶媒のN,N−ジメチルアセ
トアミドを塗布する。塗布の方法は、スピン塗布法や、
ディップ法(溶媒中に浸す)、ホイラー法(溶媒の霧を
吹く)等を用いることができる。また、塗布に代えて、
溶媒の蒸気を満たした容器内に基板1を配置することに
より、溶媒蒸気を基板1の処理すべき面に付着させる方
法を用いることもできる。なお、容器内に蒸気を満たす
ために、溶媒の蒸気圧を考慮して、必要であれば容器内
を減圧するかもしくは溶媒を加熱する手法をとることが
できる。
Next, in the present embodiment, before the step of forming the upper cladding layer 5, a process for improving the wettability of the upper cladding layer 5 with respect to the material solution is performed on the upper surface of the lower cladding layer 3 and the light guide. This is performed on the side surface and the upper surface of the wave path 4. This process is a process of applying a solvent used for a material solution of the upper cladding layer 5 or a solvent for lowering the surface tension to the upper surface including the upper surface of the lower cladding layer 3 and the side surfaces of the optical waveguide 4. Here, N, N-dimethylacetamide as a solvent used for the material solution of the upper cladding layer 5 is applied. The application method is spin coating,
A dip method (immersion in a solvent), a Wheeler method (spray of a solvent), or the like can be used. Also, instead of coating,
By disposing the substrate 1 in a container filled with the solvent vapor, a method of attaching the solvent vapor to the surface of the substrate 1 to be processed can be used. In addition, in order to fill the vapor in the container, a method of reducing the pressure in the container or heating the solvent can be used, if necessary, in consideration of the vapor pressure of the solvent.

【0030】このように溶媒を塗布または溶媒蒸気で処
理した光導波路4および下部クラッド層3が溶媒で濡れ
た状態のまま、上部クラッド層5の材料溶液のOPI−
N1005をスピン塗布する。これにより、上部クラッ
ド層5の材料溶液は、光導波路4を覆い、下部クラッド
層3の隅々まで濡れ広がる。よって、光導波路4の分岐
部の光導波路4bと光導波路4cとの間隙まで、OPI
−N1005により埋め込むことができる。また、ぬれ
性が高いため、気泡を巻き込みにくい。その後、乾燥器
で100℃で30分、次いで、200℃で30分加熱し
て材料溶液膜の溶媒を蒸発させ、350℃で60分加熱
することによりポリイミド膜の上部クラッド層5を形成
する(図1(7))。
While the optical waveguide 4 and the lower clad layer 3 coated with the solvent or treated with the solvent vapor are kept wet with the solvent, the OPI-
N1005 is spin-coated. As a result, the material solution of the upper cladding layer 5 covers the optical waveguide 4 and spreads to all corners of the lower cladding layer 3. Therefore, the OPI is provided up to the gap between the optical waveguide 4b and the optical waveguide 4c at the branch portion of the optical waveguide 4.
-N1005 can be embedded. In addition, since the wettability is high, bubbles are hardly entrained. Thereafter, the solvent of the material solution film is evaporated by heating at 100 ° C. for 30 minutes and then at 200 ° C. for 30 minutes, and heated at 350 ° C. for 60 minutes to form the upper clad layer 5 of the polyimide film ( FIG. 1 (7)).

【0031】以降の工程は、第1の実施の形態の製造方
法と同様にして光導波路デバイスを完成させる。
Subsequent steps complete the optical waveguide device in the same manner as in the manufacturing method of the first embodiment.

【0032】本実施の形態では、下部クラッド層3およ
び光導波路4の上面のぬれ性を改善する処理を行ってか
ら上部クラッド層5の材料溶液を塗布しているため、Y
分岐の光導波路4の分岐部で埋め込み不全が発生しにく
く、かつ、材料溶液が濡れ広がる際に気泡を巻き込みに
くい。これにより、上部クラッド層5に気泡が生じるの
を低減することができる。
In the present embodiment, the material solution of the upper cladding layer 5 is applied after the treatment for improving the wettability of the upper surfaces of the lower cladding layer 3 and the optical waveguide 4 is performed.
Embedding failure is less likely to occur at the branch portion of the branched optical waveguide 4, and bubbles are less likely to be involved when the material solution spreads. Thereby, generation of bubbles in the upper cladding layer 5 can be reduced.

【0033】なお、上述のぬれ性改善の工程では、前述
の溶媒で、光導波路4および下部クラッド層3の上面が
濡れた状態のまま、上部クラッド層5の材料溶液を塗布
しているが、溶媒を一旦乾燥させてから上部クラッド層
5の材料溶液を塗布する工程にすることもできる。乾燥
させた場合にも、発明者らの実験によれば、ぬれ性が改
善されていた。これは、溶媒で一旦濡れることにより、
光導波路4および下部クラッド層3を構成するポリイミ
ド膜の表面層に何らかの変化が生じたためであると推測
される。
In the above-described wettability improving step, the material solution of the upper cladding layer 5 is applied with the above-mentioned solvent while the upper surfaces of the optical waveguide 4 and the lower cladding layer 3 are wet. After the solvent is once dried, a step of applying the material solution of the upper clad layer 5 may be performed. Even when dried, wettability was improved according to experiments performed by the inventors. This is because once wet with the solvent,
It is presumed that some change occurred in the surface layer of the polyimide film constituting the optical waveguide 4 and the lower cladding layer 3.

【0034】本実施の形態の光導波路デバイスの製造方
法においても、光導波路4の分岐部の気泡を低減するこ
とができるため、光学特性の優れたY分岐型光導波路デ
バイス100を樹脂膜によって容易に製造することがで
きる。
Also in the method of manufacturing the optical waveguide device of the present embodiment, since the bubbles at the branch portion of the optical waveguide 4 can be reduced, the Y-branch type optical waveguide device 100 having excellent optical characteristics can be easily formed by a resin film. Can be manufactured.

【0035】なお、ぬれ性改善のための処理で用いる溶
媒もしくは表面張力低下溶剤としては、上述の溶媒に限
られるものではなく、他の溶媒や溶剤を用いることがで
きる。例えば、N−メチルピロリドンを用いることがで
きる。
The solvent used in the treatment for improving the wettability or the solvent for lowering the surface tension is not limited to the above-mentioned solvents, and other solvents and solvents can be used. For example, N-methylpyrrolidone can be used.

【0036】本発明の第2の実施の形態で行った結果を
表1に示した。コア層を覆うように第2の樹脂の材料溶
液を乾燥後において下部クラッド層の上面からコア層の
厚みの3.9倍とし、コア層を覆う前に、N,N−ジメ
チルアセトアミドをスピン塗布した場合、蒸気を満たし
静置した場合、蒸気を満たし減圧した場合について処理
を行い、気泡良品率を顕微鏡を用いて調べた。
Table 1 shows the results obtained in the second embodiment of the present invention. After drying the material solution of the second resin so as to cover the core layer, the thickness of the core layer is set to 3.9 times from the upper surface of the lower cladding layer, and N, N-dimethylacetamide is spin-coated before covering the core layer. The treatment was performed for the case where the sample was filled with steam, the case where the sample was allowed to stand still, and the case where the sample was filled with steam and the pressure was reduced.

【0037】[0037]

【表1】 [Table 1]

【0038】表1に示したように、処理した場合、気泡
の発生は少なくなる。図3に光導波路のコア層を形成
し、このコア層を覆うように第2の樹脂の材料溶液を乾
燥後において下部クラッド層の上面からコア層の厚みの
2〜3.4倍となるように前記材料溶液の膜を形成する
従来の方法とコア層を覆うように第2の樹脂の材料溶液
を乾燥後において下部クラッド層の上面からコア層の厚
みの3.5〜10倍となるように前記材料溶液の膜を形
成する本発明の方法を示した。本発明では、上部クラッ
ド層を厚く形成し、それを下部クラッド層の上面からコ
ア層の厚みの3.5倍未満となるように除去するので、
上部クラッド層の上面が、より平滑となる。RIEの場
合、従来法のコア層の上面と端部で3〜4μmの高さの
差があったが、本発明では、1〜1.5μmと1/3以
下になった。このため、保護層や上部クラッド層の表面
が平滑でさらに多層化する際に有利で、保護層の厚みを
薄くできる効果がある。そのため、本発明では、下部ク
ラッド層の下面から上部クラッド層の上面の高さの最大
値と最小値の差がコア層厚みの30%以下であるように
するのが好ましい。
As shown in Table 1, when treated, the generation of bubbles is reduced. After forming the core layer of the optical waveguide in FIG. 3 and drying the material solution of the second resin so as to cover this core layer, the thickness of the core layer becomes 2 to 3.4 times the thickness of the core layer from the upper surface of the lower clad layer. In the conventional method of forming a film of the material solution described above, after drying the material solution of the second resin so as to cover the core layer, the thickness becomes 3.5 to 10 times the thickness of the core layer from the upper surface of the lower clad layer. The method of the present invention for forming a film of the material solution is shown in FIG. In the present invention, since the upper clad layer is formed thick and is removed from the upper surface of the lower clad layer so as to be less than 3.5 times the thickness of the core layer.
The upper surface of the upper cladding layer becomes smoother. In the case of RIE, there was a difference in height of 3 to 4 μm between the upper surface and the end of the core layer in the conventional method, but in the present invention, the difference was 1/3 to 1 μm or less. For this reason, the surface of the protective layer and the upper clad layer is smooth, which is advantageous when the structure is further multilayered, and has the effect of reducing the thickness of the protective layer. Therefore, in the present invention, it is preferable that the difference between the maximum value and the minimum value of the height from the lower surface of the lower clad layer to the upper surface of the upper clad layer is 30% or less of the core layer thickness.

【0039】光導波路のコア層を覆うクラッド層は、コ
ア層の厚みの2倍程度あれば十分な伝搬効率を示すので
第2の樹脂膜をコア層の厚みの2〜3.5倍未満となる
ように除去するのが好ましい。
The cladding layer covering the core layer of the optical waveguide exhibits sufficient propagation efficiency if it is about twice the thickness of the core layer. Therefore, the second resin film is formed to have a thickness of 2 to less than 3.5 times the thickness of the core layer. It is preferable to remove them.

【0040】また、上述の実施の形態では、Y分岐型の
光導波路の分岐部の気泡を低減するための構成および製
造方法を示したが、上記構成および製造方法は、Y分岐
に限らず、微細構造を有する光導波路の微細構造部分を
製造する際に適用することができる。例えば、3以上に
分岐する光導波路や、2以上の光導波路が微小な間隔で
近接する部分を有する方向性結合器や、2以上の光導波
路が交叉する光スイッチ等を樹脂により製造する際に適
用することができる。
Further, in the above-described embodiment, the configuration and the manufacturing method for reducing the bubbles at the branch portion of the Y-branch type optical waveguide have been described, but the configuration and the manufacturing method are not limited to the Y-branch. The present invention can be applied when manufacturing a fine structure portion of an optical waveguide having a fine structure. For example, when a resin is used to manufacture an optical waveguide branched into three or more, a directional coupler having a portion where two or more optical waveguides come close to each other at a minute interval, an optical switch in which two or more optical waveguides cross, or the like. Can be applied.

【0041】[0041]

【発明の効果】上述してきたように、本発明によれば、
分岐部を有する樹脂製光導波路であって、分岐部に気泡
を生じにくい樹脂製光導波路を提供することができる。
As described above, according to the present invention,
It is possible to provide a resin optical waveguide having a branch portion, wherein the resin optical waveguide hardly generates bubbles at the branch portion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(1)〜(9)は、本発明の第1の実施の形態
の光導波路デバイスを製造する工程を模式的に示した断
面図である。
FIGS. 1 (1) to 1 (9) are cross-sectional views schematically showing steps of manufacturing an optical waveguide device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の光導波路デバイスの製造方法で得られ
た光導波路デバイスを模式的示した断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an optical waveguide device obtained by a method of manufacturing an optical waveguide device according to the present invention.

【図3】本発明の光導波路デバイスの製造方法(b)を
従来法(a)と比較して示した断面模式図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a method (b) for manufacturing an optical waveguide device of the present invention in comparison with a conventional method (a).

【図4】第2の樹脂の材料溶液を乾燥後において下部ク
ラッド層の上面からコア層の厚みに対して変化させて形
成させたときの気泡良品率を示すグラフである。
FIG. 4 is a graph showing a non-defective rate of bubbles when a material solution of a second resin is formed by changing the thickness of a core layer from the upper surface of a lower clad layer after drying.

【図5】光導波路デバイスの光導波路4の分岐部の形状
を示す拡大上面図である。
FIG. 5 is an enlarged top view showing a shape of a branch portion of the optical waveguide 4 of the optical waveguide device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1・・・シリコン基板 3・・・下部クラッド層 4・・・光導波路 5・・・上部クラッド層 6・・・マスク 7・・・電極部 9・・・保護層 10・・・光導波路積層体 51・・・気泡 52・・・分岐部の根元 100・・・光導波路デバイス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Silicon substrate 3 ... Lower cladding layer 4 ... Optical waveguide 5 ... Upper cladding layer 6 ... Mask 7 ... Electrode part 9 ... Protective layer 10 ... Optical waveguide lamination Body 51: Bubbles 52: Root of branch 100: Optical waveguide device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 正利 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 黒田 敏裕 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 増田 宏 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 (72)発明者 宮寺 信生 茨城県つくば市和台48 日立化成工業株式 会社総合研究所内 Fターム(参考) 2H047 KA04 PA01 PA21 PA24 PA28 TA00  ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Masatoshi Yamaguchi 48 Wadai, Tsukuba, Ibaraki Prefecture Within Hitachi Chemical Co., Ltd. In-house (72) Inventor Hiroshi Masuda 48 Wadai, Tsukuba, Ibaraki Pref.Hitachi Chemical Industry Co., Ltd. 2H047 KA04 PA01 PA21 PA24 PA28 TA00

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下部クラッド層を備えた基板上に、第1
の樹脂膜を形成する第1の工程と、 前記第1の樹脂膜を、光導波路形状にコア層をパターニ
ングする第2の工程と、 前記コア層を覆うように第2の樹脂の材料溶液を乾燥後
において下部クラッド層の上面からコア層の厚みの3.
5〜10倍となるように前記材料溶液の膜を形成する第
3の工程、 前記第2の樹脂膜を下部クラッド層の上面からコア層の
厚みの3.5倍未満となるように除去し第2の樹脂膜を
上部クラッド層とする第4の工程とを有することを特徴
とする光導波路デバイスの製造方法。
1. A method according to claim 1, further comprising the steps of:
A first step of forming a resin film, a second step of patterning the first resin film into a core layer in an optical waveguide shape, and a material solution of a second resin so as to cover the core layer. After the drying, the thickness of the core layer from the upper surface of the lower cladding layer to 3.
A third step of forming a film of the material solution so as to have a thickness of 5 to 10 times, and removing the second resin film from the upper surface of the lower clad layer so as to be less than 3.5 times the thickness of the core layer And a fourth step of using the second resin film as an upper cladding layer.
【請求項2】 第2の工程と第3の工程の間にコア層と
下部クラッド層の上面に、ぬれ性を向上させるための溶
剤を付着させる工程を有する請求項1に記載の光導波路
デバイスの製造方法。
2. The optical waveguide device according to claim 1, further comprising a step of attaching a solvent for improving wettability to the upper surfaces of the core layer and the lower clad layer between the second step and the third step. Manufacturing method.
【請求項3】 請求項2に記載の光導波路デバイスの製
造方法において、溶剤が第2の樹脂膜に含まれる溶媒を
含むこと特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
3. The method for manufacturing an optical waveguide device according to claim 2, wherein the solvent includes a solvent contained in the second resin film.
【請求項4】 請求項2に記載の光導波路デバイスの製
造方法において、前記溶剤を付着させるために、前記溶
剤を前記上面に塗布する方法、もしくは前記溶剤の蒸気
に前記上面を触れされる方法を用いることを特徴とする
光導波路デバイスの製造方法。
4. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 2, wherein the solvent is applied to the upper surface to attach the solvent, or the upper surface is exposed to vapor of the solvent. A method for manufacturing an optical waveguide device, comprising using:
【請求項5】 請求項2に記載の光導波路デバイスの製
造方法において、前記溶剤を前記上面を付着させた後、
乾燥させずに前記第3の工程を行うことを特徴とする光
導波路デバイスの製造方法。
5. The method for manufacturing an optical waveguide device according to claim 2, wherein the solvent is attached to the upper surface,
A method of manufacturing an optical waveguide device, wherein the third step is performed without drying.
【請求項6】 第2の樹脂膜をコア層の厚みの3.5倍
未満となるように除去する手段がドライエッチングを用
いる請求項1に記載の光導波路デバイスの製造方法。
6. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 1, wherein the means for removing the second resin film so as to have a thickness less than 3.5 times the thickness of the core layer uses dry etching.
【請求項7】 ドライエッチングが反応性イオンエッチ
ングである請求項6に記載の光導波路デバイスの製造方
法。
7. The method for manufacturing an optical waveguide device according to claim 6, wherein the dry etching is reactive ion etching.
【請求項8】 第2の樹脂膜をコア層の厚みの3.5倍
未満となるように除去する手段が研磨剤を用いる請求項
1に記載の光導波路デバイスの製造方法。
8. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 1, wherein the means for removing the second resin film so as to have a thickness less than 3.5 times the thickness of the core layer uses an abrasive.
【請求項9】 第2の樹脂膜をコア層の厚みの3.5倍
未満となるように除去する手段がウエットエッチングを
用いる請求項1に記載の光導波路デバイスの製造方法。
9. The method according to claim 1, wherein the means for removing the second resin film so as to have a thickness of less than 3.5 times the thickness of the core layer uses wet etching.
【請求項10】 第2の樹脂膜をコア層の厚みの2〜
3.5倍未満となるように除去する請求項1に記載の光
導波路デバイスの製造方法。
10. The method according to claim 1, wherein the second resin film has a thickness of 2 to 2 core layers.
2. The method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 1, wherein the removal is performed so as to be less than 3.5 times.
【請求項11】 第4の工程の後に、更に上部クラッド
層の上面に保護層を形成する第5の工程を有する請求項
1に記載の光導波路デバイスの製造方法。
11. The method according to claim 1, further comprising a fifth step of forming a protective layer on the upper surface of the upper clad layer after the fourth step.
【請求項12】 請求項1ないし請求項11のいずれか
に記載の光導波路デバイスの製造方法により得られる光
導波路デバイス。
12. An optical waveguide device obtained by the method of manufacturing an optical waveguide device according to claim 1.
【請求項13】 下部クラッド層の下面から上部クラッ
ド層の上面の高さの最大値と最小値の差がコア層厚みの
30%以下である請求項12に記載の光導波路デバイ
ス。
13. The optical waveguide device according to claim 12, wherein the difference between the maximum value and the minimum value of the height from the lower surface of the lower cladding layer to the upper surface of the upper cladding layer is 30% or less of the core layer thickness.
【請求項14】 第2の樹脂膜がフッ素化ポリイミド樹
脂である請求項12または請求項13に記載の光導波路
デバイス。
14. The optical waveguide device according to claim 12, wherein the second resin film is a fluorinated polyimide resin.
JP2000253249A 2000-08-24 2000-08-24 Method for manufacturing optical waveguide device and optical waveguide device Pending JP2002071989A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000253249A JP2002071989A (en) 2000-08-24 2000-08-24 Method for manufacturing optical waveguide device and optical waveguide device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000253249A JP2002071989A (en) 2000-08-24 2000-08-24 Method for manufacturing optical waveguide device and optical waveguide device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002071989A true JP2002071989A (en) 2002-03-12
JP2002071989A5 JP2002071989A5 (en) 2007-10-11

Family

ID=18742369

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000253249A Pending JP2002071989A (en) 2000-08-24 2000-08-24 Method for manufacturing optical waveguide device and optical waveguide device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002071989A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003056371A1 (en) * 2001-12-26 2003-07-10 Hitachi Chemical Co.,Ltd. Method for manufacturing optical waveguide device and optical waveguide device
WO2003058306A1 (en) * 2001-12-28 2003-07-17 Hitachi Chemical Co.,Ltd. Polymer optical waveguide film

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003056371A1 (en) * 2001-12-26 2003-07-10 Hitachi Chemical Co.,Ltd. Method for manufacturing optical waveguide device and optical waveguide device
US7200313B2 (en) 2001-12-26 2007-04-03 Hitachi Chemical Co., Ltd. Method for the preparation of optical waveguide devices and optical waveguide devices
WO2003058306A1 (en) * 2001-12-28 2003-07-17 Hitachi Chemical Co.,Ltd. Polymer optical waveguide film
US7162134B2 (en) 2001-12-28 2007-01-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. Polymeric optical waveguide film
US7373064B2 (en) 2001-12-28 2008-05-13 Hitachi Chemical Co., Ltd. Polymeric optical waveguide film

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8202785B2 (en) Surface treatment for molecular bonding
US6229949B1 (en) Polymer optical waveguide, optical integrated circuit, optical module and optical communication apparatus
JPH0792337A (en) Polymer core optical waveguide and its production
KR20120129993A (en) Plasma-polymerized polymer coating
JP2000077518A (en) Physical insulating process of substrate base-board region
JP3937439B2 (en) Optical waveguide device manufacturing method and optical waveguide device
EP2599578B1 (en) Laser processing method for fabricating a through hole
JP2002071989A (en) Method for manufacturing optical waveguide device and optical waveguide device
JP4640878B2 (en) Method of manufacturing circuit board using low dielectric constant resin insulating layer and method of manufacturing thin film multilayer circuit film using low dielectric constant resin insulating layer
JP2007128105A (en) Method for preparation of optical waveguide devices and optical waveguide devices
JP2008155314A (en) Method for manufacturing mems device
JP2001074949A (en) Optical waveguide made of resin with protective layer, its production and optical parts
JP2002022993A (en) Method for manufacturing optical waveguide device
JP4449075B2 (en) Optical waveguide and method for manufacturing the same
JP4895320B2 (en) Manufacturing method of optical waveguide device
JP2006194919A (en) Optical waveguide forming method, optical waveguide, optical circuit substrate, and electronic equipment
JP2002258088A (en) Method of forming high molecular optical waveguide on printed wiring board
JP3690648B2 (en) Optical waveguide substrate
JP3559528B2 (en) Opto-electric circuit board
JP2009069807A (en) Method for manufacturing optical waveguide, and method for manufacturing package board
JP2002022991A (en) Optical waveguide device and method for manufacturing the same
JP4310795B2 (en) RESIN OPTICAL WAVEGUIDE PROVIDED WITH FLATTING LAYER, ITS MANUFACTURING METHOD, AND OPTICAL COMPONENT
JP4085423B2 (en) Manufacturing method of optical waveguide device
JP2001235643A (en) Opto-electric circuit board
JP2010122350A (en) Method for manufacturing optical waveguide

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070824

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070824

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20070824

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20070824

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090709

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090721

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091207