JP2002067000A - Metal nanowire and metal nanoparticle - Google Patents

Metal nanowire and metal nanoparticle

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JP2002067000A JP2000259414A JP2000259414A JP2002067000A JP 2002067000 A JP2002067000 A JP 2002067000A JP 2000259414 A JP2000259414 A JP 2000259414A JP 2000259414 A JP2000259414 A JP 2000259414A JP 2002067000 A JP2002067000 A JP 2002067000A
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彰 大久保
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide metal nanowire and metal nanoparticles, and a manufacturing method thereof without using a mold or fine processing technique. SOLUTION: A method for manufacturing nanowire and/or nanoparticles consists of irradiating with an electron beam on metal nanowire supported by a carrier at one end thereof and a metal ion carrier.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、金属ナノワイヤ
ー、金属ナノパーティクル及びそれらの製造法に関す
る。
[0001] The present invention relates to metal nanowires, metal nanoparticles, and a method for producing them.

【0002】[0002]

【従来の技術】金属ナノワイヤーは、電子デバイス材料
やカーボンナノチューブのテンプレートとして使用され
ることが知られている。従来、金属ナノワイヤーは、カ
ーボンナノチューブ内、シリカの細溝内、フィルム上で
製造されるため、必然的に、カーボンナノチューブ、シ
リカ、フィルムを鋳型とした形態のナノワイヤーしか製
造できなかった。例えば、AgNO3を含有するEtO
H−H2O溶液中に、ナノスケールの溝を有するシリカ
の粉末を懸濁、撹拌し、熱処理をすることにより銀ナノ
ワイヤーが得られるが、このワイヤーの形態はシリカの
有する溝の形態に依存していた。また、微細加工技術を
利用した金ナノワイヤーも知られているが、ナノ単位の
金を加工するには加工条件の設定が難しく、本発明のよ
うに容易にナノワイヤーを製造することが困難である。
2. Description of the Related Art Metal nanowires are known to be used as materials for electronic devices and as templates for carbon nanotubes. Conventionally, metal nanowires have been manufactured in carbon nanotubes, in narrow grooves of silica, and on films, so that only nanowires in the form of carbon nanotubes, silica, and films as templates can be inevitably manufactured. For example, EtO containing AgNO 3
During H-H 2 O solution, suspended silica powder having a groove nanoscale, stirred, and silver nanowires can be obtained by the heat treatment, the form of the wire in the form of a groove having a silica Was dependent. Also, gold nanowires utilizing microfabrication technology are known, but it is difficult to set the processing conditions to process nanometer gold, and it is difficult to manufacture nanowires easily as in the present invention. is there.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、鋳型または
微細加工技術を使用することなく、金属ナノワイヤー、
金属ナノパーティクル及びそれらの製造法を提供するこ
とを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides metal nanowires, without using molds or microfabrication techniques.
An object of the present invention is to provide metal nanoparticles and a method for producing the same.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記従来技
術の問題点に鑑み鋭意検討を重ねた結果、金属イオン担
持体に電子線を照射することにより、鋳型を必要とする
ことなく、金属ナノワイヤー及び金属ナノパーティクル
が得られることを見出した。
The present inventor has made intensive studies in view of the above-mentioned problems of the prior art. As a result, the metal ion carrier is irradiated with an electron beam, thereby eliminating the need for a mold. It has been found that metal nanowires and metal nanoparticles can be obtained.

【0005】すなわち、本発明は、以下の金属ナノワイ
ヤー、金属ナノパーティクル及びそれらの製造法を提供
するものである。 項1.一端が担持体で支持された金属ナノワイヤー。 項2.金属ナノワイヤーが銀ナノワイヤーである項1に
記載のナノワイヤー。 項3.金属イオン担持体に電子線を照射する、金属ナノ
ワイヤー及び/又は金属ナノパーティクルの製造法。 項4.銀イオン担持体に電子線を照射して銀ナノワイヤ
ー及び/又は銀ナノパーティクルを製造する項3に記載
の製造法。 項5.銀イオン担持体が、一般式〔1〕: AgaceSifgh 〔1〕 [Bは、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、
銅、亜鉛、水素およびアンモニウムから選ばれる少なく
とも1種であり、Dは、3〜5価の金属イオンになりう
る金属元素のうちから選択される少なくとも1種であ
る。また式中の添字は、0<a、0≦c、1<a+c≦
4、1≦e≦2、0≦f≦3、0≦g<3、10≦h≦
15を満たす数である。]で示される化合物である項4
に記載の製造法。
That is, the present invention provides the following metal nanowires, metal nanoparticles, and a method for producing them. Item 1. Metal nanowires with one end supported by a carrier. Item 2. Item 2. The nanowire according to item 1, wherein the metal nanowire is a silver nanowire. Item 3. A method for producing metal nanowires and / or metal nanoparticles by irradiating a metal ion carrier with an electron beam. Item 4. Item 4. The production method according to Item 3, wherein the silver ion carrier is irradiated with an electron beam to produce silver nanowires and / or silver nanoparticles. Item 5. Silver ion carrier has the general formula (1): Ag a B c D e Si f P g O h [1] [B is an alkali metal element, an alkaline earth metal element,
It is at least one selected from copper, zinc, hydrogen and ammonium, and D is at least one selected from metal elements that can be trivalent to pentavalent metal ions. The subscripts in the formula are 0 <a, 0 ≦ c, 1 <a + c ≦
4, 1 ≦ e ≦ 2, 0 ≦ f ≦ 3, 0 ≦ g <3, 10 ≦ h ≦
It is a number that satisfies 15. Item 4 which is a compound represented by the formula:
Production method described in 1.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明では、金属イオン担持体に
電子線を照射することにより、金属ナノワイヤー及び金
属ナノパーティクルを製造する。その作用機序は、金属
イオン担持体に担持された金属イオンが電子線の照射に
より還元されて金属になり、その金属が担持体から外界
に出て伸長することによって、金属ナノワイヤー及び/
又は金属ナノパーティクルが生成するものと推測される
が、本発明はこの推測に限定されるものではない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, metal nanowires and metal nanoparticles are produced by irradiating a metal ion carrier with an electron beam. The mechanism of action is that the metal ions supported on the metal ion carrier are reduced by irradiation with an electron beam to become a metal, and the metal extends from the carrier to the outside world and extends, so that the metal nanowires and / or
Alternatively, it is presumed that metal nanoparticles are generated, but the present invention is not limited to this presumption.

【0007】金属ナノワイヤーの金属としては、特に制
限されないが、銀、パラジウム、ニッケル、金等が挙げ
られる。
The metal of the metal nanowire is not particularly restricted but includes silver, palladium, nickel, gold and the like.

【0008】本発明の金属ナノワイヤーは、一端が担持
体によって支持されたナノワイヤーである。電子線照射
によりナノワイヤーが伸長する際に、ナノワイヤーが担
持体に接触することがあるが、この接触は前記「支持さ
れた」に該当しない。
[0008] The metal nanowire of the present invention is a nanowire one end of which is supported by a carrier. When the nanowires are extended by electron beam irradiation, the nanowires may come into contact with the carrier, but this contact does not correspond to the above-mentioned “supported”.

【0009】本発明の金属ナノワイヤーは、適当な分離
方法によって、ワイヤー部分と担持体部分とに分離され
得る。分離方法としては、例えば、比重を利用する方法
(遠心分離等)、振動を与えるなどの物理的な分離方法
などが挙げられる。
[0009] The metal nanowire of the present invention can be separated into a wire portion and a carrier portion by an appropriate separation method. Examples of the separation method include a method using specific gravity (such as centrifugal separation) and a physical separation method such as applying vibration.

【0010】金属ナノワイヤーの形状は、電子線の照射
強度、照射角度、金属イオン担持体の形状(細孔構造、
結晶構造等)や組成を適宜組み合わせることにより制御
可能である。
The shape of the metal nanowire depends on the irradiation intensity, irradiation angle, and shape of the metal ion carrier (pore structure,
It can be controlled by appropriately combining the crystal structure) and the composition.

【0011】また、金属イオン担持体とは、金属イオン
を担体に担持させたものをいう。
The metal ion carrier refers to a metal ion carried on a carrier.

【0012】担持の形態は、吸着、イオン交換等などが
あり、必要に応じて、担持体合成時に予め金属イオンを
担持させてもよい。
There are various forms of loading, such as adsorption and ion exchange. If necessary, metal ions may be loaded in advance during the synthesis of the support.

【0013】担持体は、電子線の照射により金属がワイ
ヤーやパーティクルとして成長する際に、ワイヤーやパ
ーティクルの支持体としての役割を果たすものである。
担持体としては、例えば、NASICON型構造を有す
る化合物などが挙げられる。
The support serves as a support for the wires and particles when the metal grows as wires and particles by irradiation with the electron beam.
Examples of the carrier include a compound having a NASICON-type structure.

【0014】好ましい金属イオン担持体は、銀イオン担
持体、パラジウムイオン担持体、ニッケルイオン担持
体、金イオン担持体等である。さらに好ましいのは、一
般式〔1〕: AgaceSifgh 〔1〕 [Bは、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、
銅、亜鉛、水素およびアンモニウムから選ばれる少なく
とも1種であり、Dは、3〜5価の金属イオンになりう
る金属元素のうちから選択される少なくとも1種であ
る。また式中の添字は、0<a、0≦c、1<a+c≦
4、1≦e≦2、0≦f≦3、0≦g<3、10≦h≦
15を満たす数である。]で示される化合物等である。
Preferred metal ion carriers are a silver ion carrier, a palladium ion carrier, a nickel ion carrier, a gold ion carrier and the like. Further preferred are formula (1): Ag a B c D e Si f P g O h [1] [B is an alkali metal element, an alkaline earth metal element,
It is at least one selected from copper, zinc, hydrogen and ammonium, and D is at least one selected from metal elements that can be trivalent to pentavalent metal ions. The subscripts in the formula are 0 <a, 0 ≦ c, 1 <a + c ≦
4, 1 ≦ e ≦ 2, 0 ≦ f ≦ 3, 0 ≦ g <3, 10 ≦ h ≦
It is a number that satisfies 15. And the like.

【0015】上記一般式〔1〕において、0<aであ
る。好ましいaは、一般式〔1〕で示される化合物中の
Agの含有率が0.36モル%以上となる値である。
In the general formula [1], 0 <a. Preferred a is a value at which the Ag content in the compound represented by the general formula [1] is 0.36 mol% or more.

【0016】上記一般式〔1〕において、Bは、アルカ
リ金属元素、アルカリ土類金属元素、銅、亜鉛、水素お
よびアンモニウムから選ばれる少なくとも1種である。
例えば、リチウム、ナトリウムおよびカリウム等のアル
カリ金属元素、マグネシウムまたはカルシウム等のアル
カリ土類金属元素、銅、亜鉛がある。これらの中では、
化合物の安定性および安価に入手できる点から、銅、亜
鉛、リチウム、ナトリウム、カリウム、水素およびアン
モニウムが好ましい。
In the general formula [1], B is at least one selected from an alkali metal element, an alkaline earth metal element, copper, zinc, hydrogen and ammonium.
For example, there are alkali metal elements such as lithium, sodium and potassium, alkaline earth metal elements such as magnesium or calcium, copper, and zinc. Among these,
Copper, zinc, lithium, sodium, potassium, hydrogen and ammonium are preferred in view of the stability of the compound and availability at low cost.

【0017】上記一般式〔1〕において、1<a+c≦
4であるが、好ましくは1.5≦a+c≦4であり、よ
り好ましくは2≦a+c≦4である。
In the general formula [1], 1 <a + c ≦
4, preferably 1.5 ≦ a + c ≦ 4, more preferably 2 ≦ a + c ≦ 4.

【0018】上記一般式〔1〕において、Dは、3〜5
価の金属イオンになりうる金属元素からなる群から選択
される少なくとも1種の金属元素であり、2種以上の金
属元素を使用するときは、各金属元素の合計量がe(1
≦e≦2)となるよう適宜組み合わせて使用することが
できる。3価金属元素としてはクロム、アルミニウム、
鉄等が、4価金属元素としてはチタン、ジルコニウム、
ゲルマニウム、錫、ハフニウム等が、5価金属元素とし
てはニオブ、タンタル等が挙げられる。好ましい具体例
には、アルミニウム、ジルコニウム、チタン、錫、ニオ
ブ等が挙げられ、化合物の安全性を考慮すると、鉄、ジ
ルコニウムまたはチタンが特に好ましい。
In the above general formula [1], D is 3 to 5
At least one metal element selected from the group consisting of metal elements that can be a multivalent metal ion. When two or more metal elements are used, the total amount of each metal element is e (1
.Ltoreq.e.ltoreq.2). Chromium, aluminum, and trivalent metal elements
Iron and the like are tetravalent metal elements such as titanium, zirconium,
Germanium, tin, hafnium and the like, and pentavalent metal elements include niobium and tantalum. Preferred specific examples include aluminum, zirconium, titanium, tin, niobium and the like, and in view of the safety of the compound, iron, zirconium or titanium is particularly preferred.

【0019】上記一般式〔1〕において、1≦e≦2で
あるが、好ましくはe=2である。
In the general formula [1], 1 ≦ e ≦ 2, preferably e = 2.

【0020】上記一般式〔1〕において、0≦f≦3で
あるが、好ましくは0.5≦f≦3であり、より好まし
くは1≦f≦2.5である。
In the general formula [1], 0 ≦ f ≦ 3, preferably 0.5 ≦ f ≦ 3, and more preferably 1 ≦ f ≦ 2.5.

【0021】上記一般式〔1〕において、0≦g<3で
あるが、好ましくは0<g≦2.5であり、より好まし
くは0.5≦g≦2である。
In the general formula [1], 0 ≦ g <3, preferably 0 <g ≦ 2.5, and more preferably 0.5 ≦ g ≦ 2.

【0022】上記一般式〔1〕において、hは、他のA
g、B、D、SiおよびPの量に応じて適宜決まる。好
ましくは10≦h≦15であり、より好ましくは11≦
h≦13である。
In the above general formula [1], h is other A
It is appropriately determined according to the amounts of g, B, D, Si and P. Preferably 10 ≦ h ≦ 15, more preferably 11 ≦ h
h ≦ 13.

【0023】電子線を供給するものとしては、金属イオ
ン担持体に電子を供給できるものであれば特に制限され
ない。例としては、電子銃が挙げられる。電子銃として
は、熱電子銃、電界放射型電子銃をはじめとして種々の
型の電子銃が使用できる。好ましいのは、熱電子銃及び
電界放射型電子銃である。
The device for supplying the electron beam is not particularly limited as long as it can supply electrons to the metal ion carrier. An example is an electron gun. As the electron gun, various types of electron guns including a thermoelectron gun and a field emission electron gun can be used. Preferred are thermionic and field emission electron guns.

【0024】電子線は、電子銃から放射された後、必要
に応じて、電子レンズ、偏向電極又は偏向電磁石、エネ
ルギーをそろえるための速度選別器を通過させたのちに
標的に衝突させる。加速電圧は、真空度にも左右される
が、1kV以上である。好ましくは5kV以上であり、
さらに好ましくは30〜300kVである。また、真空
度は、加速電圧にも左右されるが、1×10-4Pa以上
である。好ましくは1×10-6〜5×10-5Paであ
り、さらに好ましくは1×10-6〜2×10-5Paであ
る。
After being emitted from the electron gun, the electron beam passes through an electron lens, a deflecting electrode or a deflecting electromagnet, and a velocity selector for aligning energy as necessary, and then strikes the target. The acceleration voltage depends on the degree of vacuum, but is 1 kV or more. Preferably 5 kV or more,
More preferably, it is 30 to 300 kV. Further, the degree of vacuum is 1 × 10 −4 Pa or more, though it depends on the acceleration voltage. It is preferably 1 × 10 −6 to 5 × 10 −5 Pa, and more preferably 1 × 10 −6 to 2 × 10 −5 Pa.

【0025】電子線を標的に衝突させるための装置とし
ては、電子顕微鏡、X線マイクロアナライザー(EPM
A)、光電子分光装置(ESCA)、サイクロトロンな
どが使用できる。好ましくは、電子顕微鏡である。これ
らの装置を使用する場合にも上述の加速電圧及び真空度
が適用されることが好ましい。電子顕微鏡としては、透
過型電子顕微鏡(TEM)、走査型電子顕微鏡(SE
M)、走査型透過電子顕微鏡(STEM)などが使用で
きる。好ましいのは、透過型電子顕微鏡である。
As an apparatus for causing an electron beam to collide with a target, an electron microscope, an X-ray microanalyzer (EPM)
A), photoelectron spectroscopy (ESCA), cyclotron, etc. can be used. Preferably, it is an electron microscope. It is preferable that the acceleration voltage and the degree of vacuum described above be applied also when using these devices. Examples of the electron microscope include a transmission electron microscope (TEM) and a scanning electron microscope (SE).
M) and a scanning transmission electron microscope (STEM). Preferred is a transmission electron microscope.

【0026】電子線を照射された金属イオン担持体は、
表面に亀裂を生じ、その亀裂から金属ナノワイヤー及び
/又は金属ナノパーティクルが伸長する。電子線の照射
条件や金属イオン担持体の組成等を調節することによ
り、金属ナノワイヤーと金属ナノパーティクルの両者を
同時に製造することもできるし、別々に製造することも
できる。例えば、銀イオン担持体に電子線を照射した場
合、銀イオン担持体中に含まれる銀イオン含有量が0.
36モル%以上だと銀ナノワイヤーの製造に有利であ
り、0.36モル%未満だと銀ナノパーティクルの製造
に有利となる。
The metal ion carrier irradiated with the electron beam is
A crack is formed on the surface, and the metal nanowires and / or metal nanoparticles extend from the crack. By adjusting the irradiation conditions of the electron beam, the composition of the metal ion carrier, and the like, both the metal nanowires and the metal nanoparticles can be manufactured simultaneously or separately. For example, when the silver ion carrier is irradiated with an electron beam, the silver ion content contained in the silver ion carrier is 0.1.
When it is at least 36 mol%, it is advantageous for the production of silver nanowires, and when it is less than 0.36 mol%, it is advantageous for the production of silver nanoparticles.

【0027】本発明の金属ナノワイヤーのアスペクト比
は、10以上であり、好ましくは、100〜10000
0である。
The aspect ratio of the metal nanowire of the present invention is 10 or more, preferably 100 to 10,000.
0.

【0028】本発明の金属ナノワイヤーの直径は、2〜
500nm、好ましくは5〜50nmである。また、金
属ナノワイヤーの長さは、金属イオン担持体中に含まれ
る金属イオンの含有量及び電子線を照射する条件(照射
時間、加速電圧、真空度等)により調整可能である。好
ましくは、20nm〜1mm、さらに好ましくは50n
m〜0.5mmである。
The diameter of the metal nanowire of the present invention is 2 to
It is 500 nm, preferably 5 to 50 nm. Further, the length of the metal nanowire can be adjusted by the content of the metal ion contained in the metal ion carrier and the conditions for irradiating the electron beam (irradiation time, acceleration voltage, degree of vacuum, etc.). Preferably 20 nm to 1 mm, more preferably 50 n
m to 0.5 mm.

【0029】本発明の金属ナノパーティクルの粒径は、
2〜100nm、好ましくは5〜80nmである。
The particle size of the metal nanoparticles of the present invention is:
It is 2 to 100 nm, preferably 5 to 80 nm.

【0030】本発明の金属ナノワイヤー及び金属ナノパ
ーティクルは、その大きな表面積、電気伝導率及び熱伝
導率を利用することにより、様々な分野で使用できる。
例えば、電子デバイス材料、触媒、カーボンナノチュー
ブのテンプレート、合金材料、などに使用できる。好ま
しくは、触媒、電子デバイス材料などに使用できる。
The metal nanowires and metal nanoparticles of the present invention can be used in various fields by utilizing their large surface area, electrical conductivity and thermal conductivity.
For example, it can be used for electronic device materials, catalysts, carbon nanotube templates, alloy materials, and the like. Preferably, it can be used for catalysts, electronic device materials, and the like.

【0031】上記一般式〔1〕で示される化合物を合成
する方法には、固相法、湿式法および水熱法等があり、
特に限定されるものではないが、例えば以下のようにし
て容易に得ることができる。
The method for synthesizing the compound represented by the general formula [1] includes a solid phase method, a wet method and a hydrothermal method.
Although not particularly limited, it can be easily obtained, for example, as follows.

【0032】固相法により合成する場合、アルカリ金属
元素またはアルカリ土類金属元素を含有する化合物、ケ
イ素を含有する化合物、3〜5価の金属イオンになりう
る金属元素を含有する化合物およびリン酸を含有する化
合物を適当な混合比で混合し、これを1000〜130
0℃で焼成することにより、下記一般式〔2〕で示され
る化合物を製造する。
When synthesized by the solid phase method, a compound containing an alkali metal element or an alkaline earth metal element, a compound containing silicon, a compound containing a metal element which can be a trivalent to pentavalent metal ion, and phosphoric acid Are mixed at an appropriate mixing ratio, and this is mixed with 1000 to 130.
By baking at 0 ° C., a compound represented by the following general formula [2] is produced.

【0033】 B’a+ceSifgh 〔2〕 [B’は、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元
素からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、D、
a、c、e、f、gおよびhは、上記のとおりであ
る。] 固相法による上記一般式〔2〕の化合物の製造におい
て、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素を含
有する化合物としては、アルカリ金属またはアルカリ土
類金属炭酸塩、炭酸水素塩、水酸化物、硝酸塩、窒化物
等が例示される。好ましくは炭酸塩、炭酸水素塩および
硝酸塩であり、より好ましいのは炭酸ナトリウム、炭酸
カリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム等の炭酸
塩類、および硝酸ナトリウムである。
[0033] B 'a + c D e Si f P g O h [2] [B' is at least one selected from the group consisting of alkali metal elements and alkaline earth metal elements, D,
a, c, e, f, g and h are as described above. In the production of the compound of the above general formula [2] by the solid phase method, the compound containing an alkali metal element or an alkaline earth metal element includes alkali metal or alkaline earth metal carbonate, hydrogen carbonate, hydroxide , Nitrates, nitrides and the like. Preferred are carbonates, bicarbonates and nitrates, and more preferred are carbonates such as sodium carbonate, potassium carbonate, calcium carbonate and magnesium carbonate, and sodium nitrate.

【0034】固相法による上記一般式〔2〕の化合物の
製造において、ケイ素を含有する化合物としては、二酸
化ケイ素、ケイ酸塩等が例示される。好ましくは二酸化
ケイ素、ケイ酸ナトリウム、コロイダルシリカであり、
より好ましくは二酸化ケイ素である。
In the production of the compound of the above general formula [2] by the solid phase method, examples of the silicon-containing compound include silicon dioxide and silicate. Preferably silicon dioxide, sodium silicate, colloidal silica,
More preferred is silicon dioxide.

【0035】固相法による上記一般式〔2〕の化合物の
製造において、3〜5価の金属イオンになりうる金属元
素を含有する化合物としては、3〜5価の金属酸化物、
金属水酸化物、炭酸塩等が例示される。好ましくは酸化
ジルコニウム、酸化チタン、酸化錫、含水酸化ジルコニ
ウム、含水酸化チタン、酸化ニオブ、酸化クロム、硝酸
クロム、酸化アルミニウム等であり、より好ましくは酸
化ジルコニウム、酸化チタンである。
In the production of the compound of the general formula [2] by the solid phase method, the compound containing a metal element which can be a trivalent to pentavalent metal ion includes a trivalent to pentavalent metal oxide,
Examples thereof include metal hydroxides and carbonates. Preferred are zirconium oxide, titanium oxide, tin oxide, hydrous zirconium oxide, hydrous titanium oxide, niobium oxide, chromium oxide, chromium nitrate, aluminum oxide and the like, and more preferably zirconium oxide and titanium oxide.

【0036】固相法による上記一般式〔2〕の化合物の
製造において、リン酸を含有する化合物としては、リン
酸塩、リン酸水素塩等が例示される。好ましくはリン酸
ナトリウム、リン酸ジルコニウム、リン酸チタン、リン
酸カリウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素カリウ
ム、リン酸水素アンモニウム等であり、より好ましくは
リン酸ナトリウム、リン酸ジルコニウム、リン酸チタ
ン、リン酸水素アンモニウムである。
In the production of the compound of the above general formula [2] by the solid phase method, examples of the compound containing phosphoric acid include phosphate, hydrogen phosphate and the like. Preferred are sodium phosphate, zirconium phosphate, titanium phosphate, potassium phosphate, sodium hydrogen phosphate, potassium hydrogen phosphate, ammonium hydrogen phosphate, etc., and more preferably sodium phosphate, zirconium phosphate, titanium phosphate , Ammonium hydrogen phosphate.

【0037】湿式法により合成する場合は、アルカリ金
属元素またはアルカリ土類金属元素を含有する化合物、
ケイ素を含有する化合物、3〜5価の金属イオンになり
うる金属元素を含有する化合物およびリン酸を含有する
化合物を適当な混合比で混合し、混合物と水を耐圧容器
に封入し、好ましくは300℃にて10〜30時間、好
ましくは20時間水熱条件下で反応させることにより上
記一般式〔2〕で示される化合物を得ることができる。
When the compound is synthesized by a wet method, a compound containing an alkali metal element or an alkaline earth metal element,
A compound containing silicon, a compound containing a metal element that can be a trivalent to pentavalent metal ion, and a compound containing phosphoric acid are mixed at an appropriate mixing ratio, and the mixture and water are sealed in a pressure-resistant container. The compound represented by the above general formula [2] can be obtained by reacting at 300 ° C under hydrothermal conditions for 10 to 30 hours, preferably 20 hours.

【0038】湿式法による上記一般式〔2〕の化合物の
製造において、アルカリ金属元素またはアルカリ土類金
属元素を含有する化合物としては、アルカリ金属または
アルカリ土類金属水酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩、硝酸
塩等が例示される。好ましくは炭酸塩および硝酸塩であ
り、より好ましいのはケイ酸ナトリウム、炭酸ナトリウ
ム、硝酸ナトリウム、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウ
ム等である。
In the production of the compound of the above general formula [2] by a wet method, the compound containing an alkali metal element or an alkaline earth metal element may be an alkali metal or alkaline earth metal hydroxide, carbonate, hydrogen carbonate or the like. Salts, nitrates and the like are exemplified. Preferred are carbonates and nitrates, and more preferred are sodium silicate, sodium carbonate, sodium nitrate, magnesium nitrate, calcium nitrate and the like.

【0039】湿式法による上記一般式〔2〕の化合物の
製造において、ケイ素を含有する化合物としては、ケイ
酸塩類、二酸化ケイ素等が例示される。好ましくはケイ
酸ナトリウム、コロイダルシリカであり、より好ましく
はケイ酸ナトリウムである。
In the production of the compound of the above general formula [2] by the wet method, examples of the silicon-containing compound include silicates, silicon dioxide and the like. Preferred are sodium silicate and colloidal silica, and more preferred is sodium silicate.

【0040】湿式法による上記一般式〔2〕の化合物の
製造において、3〜5価の金属イオンになりうる金属元
素を含有する化合物としては、3〜5価の金属塩類、リ
ン酸塩類、塩化物、硝酸塩等が例示される。好ましくは
リン酸ジルコニウム、オキシ塩化ジルコニウム、塩化チ
タン、塩化アルミニウム、硝酸アルミニウム、塩化錫、
塩化タンタル等であり、より好ましくはα型−リン酸ジ
ルコニウム、オキシ塩化ジルコニウム、塩化チタンであ
る。
In the production of the compound of the above general formula [2] by the wet method, the compound containing a metal element which can be a trivalent to pentavalent metal ion includes trivalent to pentavalent metal salts, phosphates, chlorides and the like. Substances, nitrates and the like. Preferably zirconium phosphate, zirconium oxychloride, titanium chloride, aluminum chloride, aluminum nitrate, tin chloride,
Tantalum chloride and the like, and more preferably α-type zirconium phosphate, zirconium oxychloride and titanium chloride.

【0041】湿式法による上記一般式〔2〕の化合物の
製造において、リン酸を含有する化合物としては、リン
酸、リン酸塩類、リン酸水素塩等が例示される。好まし
くはリン酸ジルコニウム、リン酸チタン、リン酸ナトリ
ウムであり、より好ましくはリン酸ジルコニウム、リン
酸ナトリウムである。
In the production of the compound of the above general formula [2] by the wet method, examples of the compound containing phosphoric acid include phosphoric acid, phosphates, hydrogen phosphate and the like. Preferred are zirconium phosphate, titanium phosphate and sodium phosphate, and more preferred are zirconium phosphate and sodium phosphate.

【0042】固相法、湿式法等による上記一般式〔2〕
の化合物の製造において、これら化合物の混合比は、目
的とする一般式〔2〕の化合物に従い適宜選択される。
例えば、固相法において、炭酸ナトリウム(Na2CO3)、
二酸化ケイ素(SiO2)、酸化ジルコニウム(ZrO2)およ
びα型−リン酸ジルコニウム(Zr(HPO4)2・H2O)を、
1.25:1.5:1.25:0.75のモル比となる
よう混合し、これを1000〜1300℃で焼成するこ
とにより、好ましくは室温から徐々に加温し1000〜
1300℃で焼成することにより、下記一般式〔3〕の
化合物を得ることができる。
The above general formula [2] obtained by a solid phase method, a wet method, etc.
In the production of the compound of formula (I), the mixing ratio of these compounds is appropriately selected according to the desired compound of general formula [2].
For example, in the solid-phase method, sodium carbonate (Na 2 CO 3 ),
Silicon dioxide (SiO 2 ), zirconium oxide (ZrO 2 ) and α-type zirconium phosphate (Zr (HPO 4 ) 2 .H 2 O)
The mixture is mixed at a molar ratio of 1.25: 1.5: 1.25: 0.75, and the mixture is calcined at 1000 to 1300 ° C., preferably gradually heated from room temperature to 1000 to 1000
By firing at 1300 ° C., a compound of the following general formula [3] can be obtained.

【0043】 Na2.5Zr2Si1.51.512 〔3〕 固相法、湿式法等により得られた一般式〔2〕で示され
る化合物を、室温〜100℃の温度条件下、所定の酸濃
度、例えば0.1〜3Nに調整した酸性溶液で、例えば
2〜7日間処理し、プロトン型化合物とした後、続いて
所定の銀イオン濃度、例えば0.1〜3Nに調整した銀
イオン含有水溶液に例えば2〜7日間浸漬して、イオン
交換することにより、一般式〔1〕で示される化合物を
得ることができる。この際用いる酸性溶液としては、塩
酸、硝酸等が挙げられ、より好ましくは塩酸が挙げられ
る。また、銀イオン含有水溶液としては硝酸銀水溶液が
好適である。
Na 2.5 Zr 2 Si 1.5 P 1.5 O 12 [3] A compound represented by the general formula [2] obtained by a solid phase method, a wet method, or the like is converted into a compound having a predetermined acidity at room temperature to 100 ° C. After treating with an acidic solution adjusted to a concentration of, for example, 0.1 to 3 N, for example, for 2 to 7 days to obtain a proton-type compound, subsequently, containing silver ions adjusted to a predetermined silver ion concentration, for example, 0.1 to 3 N The compound represented by the general formula [1] can be obtained by immersing in, for example, an aqueous solution for 2 to 7 days and performing ion exchange. Examples of the acidic solution used at this time include hydrochloric acid and nitric acid, and more preferably hydrochloric acid. As the silver ion-containing aqueous solution, an aqueous silver nitrate solution is preferable.

【0044】また、固相法、湿式法、水熱法等により得
られた一般式〔2〕で示される化合物の酸性溶液処理を
省略し、当該化合物を銀イオン含有水溶液に浸漬するこ
とによっても一般式〔1〕で示される化合物を得ること
ができる。
Alternatively, the acidic solution treatment of the compound represented by the general formula [2] obtained by a solid phase method, a wet method, a hydrothermal method or the like is omitted, and the compound is immersed in an aqueous solution containing silver ions. The compound represented by the general formula [1] can be obtained.

【0045】さらに、上記プロトン型化合物を所定の銅
イオン濃度、例えば0.1〜3N程度に調整した銅イオ
ン含有水溶液に添加し、1〜10時間程度撹拌すること
で銅イオンを担持した後、引き続き0.01〜3N程度
に調整した銀イオン含有水溶液中で1〜10時間程度撹
拌処理することで、銀・銅型の一般式〔1〕で示される
化合物を得ることができる。この際用いる銅イオン含有
水溶液としては、硝酸銅、塩化銅等が上げられ、銀イオ
ン含有水溶液としては硝酸銀水溶液が好適である。
Further, the above-mentioned proton type compound is added to a copper ion-containing aqueous solution adjusted to a predetermined copper ion concentration, for example, about 0.1 to 3 N, and stirred for about 1 to 10 hours to carry copper ions. Subsequently, a silver-copper compound represented by the general formula [1] can be obtained by stirring for about 1 to 10 hours in a silver ion-containing aqueous solution adjusted to about 0.01 to 3 N. Copper nitrate, copper chloride and the like are used as the aqueous solution containing copper ions used at this time, and an aqueous silver nitrate solution is preferable as the aqueous solution containing silver ions.

【0046】本手法は、銀イオン含有水溶液、亜鉛イオ
ン含有水溶液、鉄イオン含有水溶液等を適宜用いること
により、亜鉛型、銀・亜鉛型、鉄型または銀・鉄型の一
般式〔1〕で示される化合物を調整する際にも適用が可
能であり、この際用いる亜鉛イオン含有水溶液として
は、塩化亜鉛、硝酸亜鉛、硫酸亜鉛等が挙げられ、鉄イ
オン含有水溶液としては、硝酸鉄、塩化第二鉄等が挙げ
られる。
In this method, an aqueous solution containing silver ions, an aqueous solution containing zinc ions, an aqueous solution containing iron ions, or the like is appropriately used to obtain a zinc-type, silver-zinc-type, iron-type or silver-iron-type general formula [1]. It is also applicable when preparing the compound shown, zinc chloride, zinc nitrate, zinc sulfate and the like are used as the zinc ion-containing aqueous solution used in this case, and iron nitrate, zinc chloride And ferrous iron.

【0047】[0047]

【発明の効果】金属イオン担持体に電子線を照射するこ
とにより、鋳型または微細加工技術を用いずに、金属ナ
ノワイヤー及び/又は金属ナノパーティクルを製造する
ことが可能となる。
By irradiating the metal ion carrier with an electron beam, it becomes possible to produce metal nanowires and / or metal nanoparticles without using a template or a fine processing technique.

【0048】[0048]

【実施例】製造例1 Ag2.3 Na0.2 Zr2 Si1.51.512 の製造 0.288mol/lのリン酸水素二ナトリウム(Na2HPO4)水溶
液中に、オキシ塩化ジルコニウム(ZrOCl2・8H2O)と、
ケイ酸ナトリウム(Na2O・3SiO2)及び水酸化ナトリウ
ム(NaOH)混合液とを、Zr:Si:P=2:1.5:
1.5となるモル比で同時滴下を行い、生じた反応物を
水洗、乾燥させた後、1200℃で焼成することによ
り、Na2.5 Zr2 Si1.51.512で表されるナト
リウム型の試料(以下、NCC-Naと称する)を得た。
EXAMPLES Production Example 1 Ag 2.3 Na 0.2 Zr 2 Si 1.5 P 1.5 O 12 during manufacture 0.288 mol / l disodium hydrogen phosphate (Na 2 HPO 4) solution of zirconium oxychloride (ZrOCl 2 · 8H 2 O) and
A mixture of sodium silicate (Na 2 O.3SiO 2 ) and sodium hydroxide (NaOH) was mixed with Zr: Si: P = 2: 1.5:
Simultaneous dropping was carried out at a molar ratio of 1.5, the resulting reaction product was washed with water, dried, and then calcined at 1200 ° C. to form a sodium-type sodium represented by Na 2.5 Zr 2 Si 1.5 P 1.5 O 12 . A sample (hereinafter, referred to as NCC-Na) was obtained.

【0049】得られたNCC-Naを塩酸で処理し、プロトン
化を行った。即ち、3gのNCC-Naと1000mlの1N−HCl
とを混合し、室温で3時間撹拌した。撹拌後、ろ過、洗
浄、乾燥により、H2.5 Zr2 Si1.51.512で表
されるプロトン型の試料(以下、NCC-Hと称する)を得
た。
The obtained NCC-Na was treated with hydrochloric acid to perform protonation. That is, 3 g of NCC-Na and 1000 ml of 1N-HCl
And stirred at room temperature for 3 hours. After stirring, filtration, washing, drying, proton type of the sample represented by H 2.5 Zr 2 Si 1.5 P 1.5 O 12 ( hereinafter, referred to as NCC-H) was obtained.

【0050】得られたNCC-Hの3.0gを、0.1Nの硝酸
銀溶液300mlに添加し、室温で3時間撹拌した。撹拌
後、ろ過、洗浄、乾燥により、Ag2.3 Na0.2 Zr2
Si1.51.512で表される銀型の試料を得た。銀イ
オンは、原子吸光分光光度法により定量し、銀イオンの
初期濃度とイオン交換後の平衡濃度との差から、担持体
1g当たりの銀イオン交換量として算出した。
3.0 g of the obtained NCC-H was added to 300 ml of a 0.1 N silver nitrate solution, and the mixture was stirred at room temperature for 3 hours. After stirring, the mixture was filtered, washed and dried to obtain Ag 2.3 Na 0.2 Zr 2
A silver sample represented by Si 1.5 P 1.5 O 12 was obtained. Silver ion was quantified by atomic absorption spectrophotometry, and was calculated as the amount of silver ion exchanged per gram of the support from the difference between the initial concentration of silver ion and the equilibrium concentration after ion exchange.

【0051】製造例2 実施例1と同様にして、NCC-H(H2.5 Zr2 Si1.5
1.512で表されるプロトン型の試料)を得た。
Production Example 2 In the same manner as in Example 1, NCC-H (H 2.5 Zr 2 Si 1.5
A proton type sample represented by P 1.5 O 12 ) was obtained.

【0052】2gのNCC-Hを0.2Mの硝酸銅水溶液200ml中
に添加し、室温で3時間撹拌した後、1.0μmメンブラ
ンフィルターを用いて、ろ過、水洗、乾燥を経て、銅担
持試料を調製した。
2 g of NCC-H was added to 200 ml of a 0.2 M aqueous solution of copper nitrate, stirred at room temperature for 3 hours, filtered, washed with water and dried using a 1.0 μm membrane filter to prepare a copper-carrying sample. did.

【0053】続いて、銅担持試料1.9gを0.01Nの硝酸銀
水溶液200ml中に添加し、室温で30分間撹拌した後、
1.0μmメンブランフィルターを用いて、ろ過、水洗、
乾燥を経て、Ag0.587 Cu0.1411.772 Zr2 Si
1.51.512で表される銀・銅型の試料を得た。
Subsequently, 1.9 g of a copper-carrying sample was added to 200 ml of a 0.01 N silver nitrate aqueous solution, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes.
Using a 1.0μm membrane filter, filtration, washing with water,
After drying, Ag 0.587 Cu 0.141 H 1.772 Zr 2 Si
A silver / copper type sample represented by 1.5 P 1.5 O 12 was obtained.

【0054】製造例3 実施例1と同様にして、NCC-H(H2.5 Zr2 Si1.5
1.512で表されるプロトン型の試料)を得た。
Production Example 3 In the same manner as in Example 1, NCC-H (H 2.5 Zr 2 Si 1.5
A proton type sample represented by P 1.5 O 12 ) was obtained.

【0055】2gのNCC-Hを0.2Mの塩化第二鉄水溶液200
ml中に添加し、室温で3時間撹拌した後、1.0μmメン
ブランフィルターを用いて、ろ過、水洗、乾燥を経て、
鉄担持試料を調製した。
2 g of NCC-H was added to a 0.2 M ferric chloride aqueous solution 200
After stirring for 3 hours at room temperature, the mixture was filtered, washed with water and dried using a 1.0 μm membrane filter.
An iron-carrying sample was prepared.

【0056】続いて、鉄担持試料1.9gを0.01Nの硝酸銀
水溶液200ml中に添加し、室温で30分間撹拌した後、
1.0μmメンブランフィルターを用いて、ろ過、水洗、
乾燥を経て、Ag0.688 Fe1.2760.536 Zr2 Si
1.51.512で表される銀・鉄型の試料を得た。
Subsequently, 1.9 g of an iron-carrying sample was added to 200 ml of a 0.01 N silver nitrate aqueous solution, and the mixture was stirred at room temperature for 30 minutes.
Using a 1.0μm membrane filter, filtration, washing with water,
After drying, Ag 0.688 Fe 1.276 H 0.536 Zr 2 Si
A silver / iron type sample represented by 1.5 P 1.5 O 12 was obtained.

【0057】実施例1 透過型電子顕微鏡を用いて、製造例1で得られた銀型の
試料(Ag含有量:3.20mmol/g)に、下記の
条件で電子線を照射し、銀ナノワイヤーを得た(図
1)。得られた銀ナノワイヤーの直径は約50nm、長
さは約10μmであった。 加速電圧:300kV 真空度:1〜3×10-5Pa 照射時間:約10秒 実施例2 実施例1で得られた銀ナノワイヤー部分及び担持体部分
の定量分析を行った。定量分析には、透過型電子顕微鏡
に取り付けられたエネルギー分散型X線分光器を用い
た。定量分析の結果、銀ナノワイヤー中のAg含有量は
99.35モル%であり、担持体中のAg含有量は6.
69モル%であった。
Example 1 Using a transmission electron microscope, the silver-type sample (Ag content: 3.20 mmol / g) obtained in Production Example 1 was irradiated with an electron beam under the following conditions to obtain a silver nano sample. A wire was obtained (FIG. 1). The diameter of the obtained silver nanowire was about 50 nm, and the length was about 10 μm. Acceleration voltage: 300 kV Degree of vacuum: 1-3 × 10 -5 Pa Irradiation time: about 10 seconds Example 2 The quantitative analysis of the silver nanowire portion and the carrier portion obtained in Example 1 was performed. For the quantitative analysis, an energy dispersive X-ray spectrometer attached to a transmission electron microscope was used. As a result of the quantitative analysis, the Ag content in the silver nanowires was 99.35 mol%, and the Ag content in the carrier was 6.
It was 69 mol%.

【0058】実施例3 走査型電子顕微鏡を用いて、製造例1で得られた銀型の
試料(Ag含有量:3.20mmol/g)に、下記の
条件で電子線を照射し、銀ナノワイヤーを得た(図
2)。得られた銀ナノワイヤーの直径は約10nm、長
さは約1μmであった。 加速電圧:5kV 真空度:1×10-5Pa 照射時間:約30秒 実施例4 走査型電子顕微鏡を用いて、製造例で得られた銀型の化
合物(Ag含有量:3.20mmol/g)に、下記の
条件で電子線を照射し、銀ナノワイヤー及び銀ナノパー
ティクルを得た(図3及び図4)。得られた銀ナノワイ
ヤーの直径は約40nm、長さは約50μmであった。
また、得られた銀ナノパーティクルの粒径は5〜80n
mであった。 加速電圧:30kV 真空度:1×10-5Pa 照射時間:約30秒
Example 3 Using a scanning electron microscope, the silver type sample (Ag content: 3.20 mmol / g) obtained in Production Example 1 was irradiated with an electron beam under the following conditions, A wire was obtained (FIG. 2). The diameter of the obtained silver nanowire was about 10 nm, and the length was about 1 μm. Acceleration voltage: 5 kV Degree of vacuum: 1 × 10 −5 Pa Irradiation time: about 30 seconds Example 4 Using a scanning electron microscope, the silver-type compound obtained in Production Example (Ag content: 3.20 mmol / g) ) Was irradiated with an electron beam under the following conditions to obtain silver nanowires and silver nanoparticles (FIGS. 3 and 4). The diameter of the obtained silver nanowire was about 40 nm, and the length was about 50 μm.
The particle size of the obtained silver nanoparticles is 5 to 80 n.
m. Acceleration voltage: 30 kV Degree of vacuum: 1 × 10 −5 Pa Irradiation time: about 30 seconds

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例1で得られた銀ナノワイヤー及び担持体
を示す電子顕微鏡写真である。
FIG. 1 is an electron micrograph showing a silver nanowire and a carrier obtained in Example 1.

【図2】実施例3で得られた銀ナノワイヤー及び担持体
を示す電子顕微鏡写真である。
FIG. 2 is an electron micrograph showing a silver nanowire and a carrier obtained in Example 3.

【図3】実施例4で得られた銀ナノワイヤー及び担持体
を示す電子顕微鏡写真である。
FIG. 3 is an electron micrograph showing a silver nanowire and a carrier obtained in Example 4.

【図4】実施例4で得られた銀ナノパーティクル及び担
持体を示す電子顕微鏡写真である。
FIG. 4 is an electron micrograph showing silver nanoparticles and a carrier obtained in Example 4.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 猪飼 修 香川県高松市林町2217番14号 工業技術院 四国工業技術研究所内 (72)発明者 大井 健太 香川県高松市林町2217番14号 工業技術院 四国工業技術研究所内 (72)発明者 大久保 彰 徳島県鳴門市瀬戸町明神字丸山85−1 富 田製薬株式会社総合研究所内 (72)発明者 橋本 望 徳島県鳴門市瀬戸町明神字丸山85−1 富 田製薬株式会社総合研究所内 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Osamu Inokai 2217-14 Hayashi-cho, Takamatsu-shi, Kagawa Prefecture Industrial Science Institute Shikoku Institute of Industrial Technology (72) Inventor Kenta Oi 22217-14 Hayashi-cho, Takamatsu-shi, Kagawa Kogyo (72) Inventor Akira Okubo 85-1 Maruyama, Setocho, Naruto-shi, Tokushima Pref.Tomita Pharmaceutical Co., Ltd. (72) Nozomi Hashimoto Maruyama, Setocho, Naruto-shi, Tokushima Pref. 85-1 Tomita Pharmaceutical Co., Ltd.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一端が担持体で支持された金属ナノワイヤ
ー。
1. A metal nanowire having one end supported by a support.
【請求項2】金属ナノワイヤーが銀ナノワイヤーである
請求項1に記載のナノワイヤー。
2. The nanowire according to claim 1, wherein the metal nanowire is a silver nanowire.
【請求項3】金属イオン担持体に電子線を照射する、金
属ナノワイヤー及び/又は金属ナノパーティクルの製造
法。
3. A method for producing metal nanowires and / or metal nanoparticles by irradiating a metal ion carrier with an electron beam.
【請求項4】銀イオン担持体に電子線を照射して銀ナノ
ワイヤー及び/又は銀ナノパーティクルを製造する請求
項3に記載の製造法。
4. The method according to claim 3, wherein the silver ion carrier is irradiated with an electron beam to produce silver nanowires and / or silver nanoparticles.
【請求項5】銀イオン担持体が、一般式〔1〕: AgaceSifgh 〔1〕 [Bは、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素、
銅、亜鉛、水素およびアンモニウムから選ばれる少なく
とも1種であり、Dは、3〜5価の金属イオンになりう
る金属元素のうちから選択される少なくとも1種であ
る。また式中の添字は、0<a、0≦c、1<a+c≦
4、1≦e≦2、0≦f≦3、0≦g<3、10≦h≦
15を満たす数である。]で示される化合物である請求
項4に記載の製造法。
5. The silver ion carrier has the general formula (1): Ag a B c D e Si f P g O h [1] [B is an alkali metal element, an alkaline earth metal element,
It is at least one selected from copper, zinc, hydrogen and ammonium, and D is at least one selected from metal elements that can be trivalent to pentavalent metal ions. The subscripts in the formula are 0 <a, 0 ≦ c, 1 <a + c ≦
4, 1 ≦ e ≦ 2, 0 ≦ f ≦ 3, 0 ≦ g <3, 10 ≦ h ≦
It is a number that satisfies 15. The method according to claim 4, which is a compound represented by the formula:
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