JP2002060540A - Waste treatment system - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、使用済み冷蔵庫を
分解、解体する際に発生する断熱材ウレタン、発泡剤フ
ロンおよび冷媒フロンを、無害化すると共に有価な燃料
ガスに変換する廃棄物処理システムに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a waste treatment system for detoxifying urethane, a foaming agent Freon and a refrigerant Freon generated when a used refrigerator is disassembled and disassembled and converting it into valuable fuel gas. About.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、使用済み冷蔵庫を分解する際に発
生する断熱材ウレタンについては、これを再利用あるい
はリサイクルする手段はなく、埋め立て処分されるのみ
であった。2. Description of the Related Art Conventionally, there is no means for reusing or recycling urethane, which is generated when a used refrigerator is disassembled, and is merely disposed of in landfill.
【０００３】さらに、使用済み冷蔵庫のリサイクル処理
の際に回収される断熱材の発泡フロンや冷媒フロンは、
オゾン層を破壊する有害物質であり、これを無害化する
技術の確立が求められている。[0003] Furthermore, foamed chlorofluorocarbon and refrigerant chlorofluorocarbon, which are collected during the recycling process of used refrigerators, are:
It is a harmful substance that destroys the ozone layer, and there is a need to establish a technology for rendering it harmless.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本件発明者は、断熱材
ウレタンとフロンに対し、リサイクルと無害化の双方を
実現できるシステムとして、熱分解・ガス改質システム
を利用することを検討してきた。SUMMARY OF THE INVENTION The present inventors have studied the use of a pyrolysis / gas reforming system as a system capable of realizing both recycling and detoxification of urethane and chlorofluorocarbon.
【０００５】フロンを熱分解する過程で必然的に発生す
る塩化水素は、高温で金属材料を腐食させる有害物質で
ある。従って、使用済み冷蔵庫から回収した断熱材ウレ
タン及びフロンを処理する熱分解・ガス改質システムで
は、この塩化水素に対する防食処置を講ずる必要があ
る。[0005] Hydrogen chloride inevitably generated in the process of pyrolyzing chlorofluorocarbon is a harmful substance that corrodes metallic materials at high temperatures. Therefore, in a thermal decomposition / gas reforming system for treating urethane and chlorofluorocarbon collected from a used refrigerator, it is necessary to take anticorrosion measures against this hydrogen chloride.
【０００６】この防食措置としては、金属材料を耐ＨＣ
ｌ高合金とすることが一般的である。合金成分として
は、（Ｃｒ＋Ｎｉ＋Ｍｏ）が４０％以上であるＳＵＳ３
０９、ＳＵＳ３１０あるいはＨＡＳＴＥＬＯＹ−Ｃ系統
の材料が使用され得る。[0006] As this anticorrosion measure, a metal material is made resistant to HC.
It is common to use a high alloy. As an alloy component, SUS3 having (Cr + Ni + Mo) of 40% or more
09, SUS310 or Hastelloy-C type materials can be used.
【０００７】ところが、これらの耐ＨＣｌ高合金は極め
て高価である。また、その製造性にも問題がある。従っ
て、結果的に、耐ＨＣｌ高合金の使用範囲には自ずと制
限が生じている。However, these high HCl resistant alloys are extremely expensive. There is also a problem in its manufacturability. Therefore, as a result, the range of use of the HCl resistant high alloy is naturally limited.
【０００８】本発明は、このような事情を考慮してなさ
れたものであり、断熱材ウレタン及びフロンを分解処理
する際に発生する塩化水素による金属材料の高温腐食を
抑制することができる、安価で信頼性の高い廃棄物処理
システムを提供することを目的としている。The present invention has been made in view of such circumstances, and is capable of suppressing high-temperature corrosion of a metal material due to hydrogen chloride generated during decomposition treatment of urethane and chlorofluorocarbon. And to provide a highly reliable waste treatment system.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、フロンで発泡
された断熱材ウレタンを熱分解する熱分解装置と、熱分
解装置に接続され、熱分解された断熱材ウレタンと冷媒
フロンとが導入されるガス改質装置と、ガス改質装置の
出口近傍のガス分圧を制御する分圧制御装置と、を備
え、分圧制御装置は、酸素分圧を極低レベルに制御する
ようになっていることを特徴とする廃棄物処理システム
である。According to the present invention, there is provided a thermal decomposition apparatus for thermally decomposing a heat insulating urethane foamed with chlorofluorocarbon, and a thermal decomposition urethane and a refrigerant chlorofluorocarbon connected to the thermal decomposition apparatus. And a partial pressure control device for controlling a partial pressure of gas near the outlet of the gas reformer. The partial pressure control device controls the oxygen partial pressure to an extremely low level. It is a waste disposal system characterized by the following.
【００１０】ＨＣｌによる金属の高温腐食反応は、例え
ば金属が鉄の場合、 ４ＨＣｌ ＋Ｏ2 ＝２Ｃｌ2＋２Ｈ2Ｏ …（１） ２Ｃｌ2＋２Ｆｅ ＝２ＦｅＣｌ2 …（２） で、（１）＋（２）より ４ＨＣｌ＋２Ｆｅ＋Ｏ2＝２ＦｅＣｌ2＋２Ｈ2Ｏ …（３） として記述できる。従って、本発明によれば、ガス改質
装置における酸素分圧が抑制されていることにより、金
属材料のＨＣｌ腐食を効果的に防止することができる。The high-temperature corrosion reaction of a metal by HCl is, for example, when the metal is iron, 4HCl + O 2 = 2Cl 2 + 2H 2 O (1) 2Cl 2 + 2Fe = 2FeCl 2 (2) where (1) + (2) ) Can be described as: 4HCl + 2Fe + O 2 = 2FeCl 2 + 2H 2 O (3) Therefore, according to the present invention, since the oxygen partial pressure in the gas reformer is suppressed, HCl corrosion of the metal material can be effectively prevented.
【００１１】ここで、本件発明者は、鉄よりもＯ2との
親和力が高い要素（例えばＨ2やＣＨ 4等）を添加するこ
とにより、鉄の腐食を防止することができることを知見
した。すなわち、Ｏ2の分解反応が４ＨＣｌ＋２Ｆｅ＋
Ｏ2＋２Ｈ2＝２Ｆｅ＋４ＨＣｌ＋２Ｈ2Ｏ等となるた
め、鉄の腐食が防止され得るのである。従って、本発明
において、熱分解によってＯ2との親和力が高い要素
（例えばＨ2やＣＨ4等）を発生させ得る有機化合物（例
えばプラスチック類）を、熱分解装置に投入することが
より有効である。Here, the present inventor has proposed that OTwoWith
Elements with high affinity (eg HTwoAnd CH FourEtc.)
Found that iron corrosion can be prevented by
did. That is, OTwoDecomposition reaction of 4HCl + 2Fe +
OTwo+ 2HTwo= 2Fe + 4HCl + 2HTwoO etc.
Therefore, corrosion of iron can be prevented. Therefore, the present invention
In the thermal decompositionTwoElements with high affinity with
(Eg HTwoAnd CHFourOrganic compounds that can generate
For example, plastics)
More effective.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１３】図１は、本発明の廃棄物処理システムの第
１の実施の形態を示す概略図である。図１に示すよう
に、本実施の形態の廃棄物処理システム１０は、フロン
で発泡された断熱材ウレタンを熱分解する熱分解ドラム
１１を備えている。熱分解ドラム１１には、熱分解され
た断熱材ウレタンと冷媒フロンとが導入されるガス改質
器１２が接続されている。FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment of the waste treatment system of the present invention. As shown in FIG. 1, a waste treatment system 10 of the present embodiment includes a pyrolysis drum 11 that pyrolyzes a heat insulating urethane foamed with chlorofluorocarbon. The pyrolysis drum 11 is connected to a gas reformer 12 into which the thermally decomposed insulating urethane and refrigerant Freon are introduced.
【００１４】ガス改質器１２には、ガス改質器１２の出
口近傍のガス分圧を制御する分圧制御装置１３が設けら
れている。この場合、分圧制御装置１３は、ガス改質器
１２の出口近傍の酸素分圧を極低レベル、より詳細に
は、ガス改質器１２の温度が９００℃〜１２００℃の範
囲において酸素分圧を３％以下、に制御するようになっ
ている。The gas reformer 12 is provided with a partial pressure control device 13 for controlling the gas partial pressure near the outlet of the gas reformer 12. In this case, the partial pressure control device 13 adjusts the oxygen partial pressure near the outlet of the gas reformer 12 to an extremely low level, more specifically, when the temperature of the gas reformer 12 is in the range of 900 ° C. to 1200 ° C. The pressure is controlled to 3% or less.
【００１５】その他、ガス改質器１２は、熱交換器１
５、バグフィルタ１６、スクラバ１７を順に介してガス
エンジン１８に接続されている。スクラバ１７は、水処
理装置１９にも接続されている。In addition, the gas reformer 12 includes the heat exchanger 1
5, the bag filter 16 and the scrubber 17 are connected to the gas engine 18 in this order. The scrubber 17 is also connected to a water treatment device 19.
【００１６】次に、以上のような構成よりなる本実施の
形態の作用について説明する。Next, the operation of the present embodiment having the above configuration will be described.
【００１７】例えば使用済み冷蔵庫を解体してリサイク
ルする際に発生する、フロンで発泡された断熱材ウレタ
ン（以後ウレタンと呼ぶ）が、熱分解ドラム１１に投入
されて熱分解される。For example, a urethane foam (hereinafter referred to as urethane), which is generated when the used refrigerator is disassembled and disassembled, is introduced into the thermal decomposition drum 11 and thermally decomposed.
【００１８】熱分解されたウレタンと、冷媒フロン（こ
れも使用済み冷蔵庫を解体してリサイクルする際に発生
する）とが、ガス改質器１２に投入される。The thermally decomposed urethane and refrigerant Freon (also generated when the used refrigerator is disassembled and recycled) are charged into the gas reformer 12.
【００１９】ここで、発泡剤フロンおよび冷媒フロンが
ガス改質器１２内で分解される過程で必然的に生じる塩
化水素によるシステム機器構成金属材料の高温腐食を防
止すべく、ガス改質器１２の出口ガス中の酸素分圧を極
力低い値（温度９００℃〜１２００℃で３％以下）に保
持するように分圧制御装置１３が作動する。Here, in order to prevent high-temperature corrosion of metallic materials constituting system equipment due to hydrogen chloride inevitably generated in the process of decomposing the blowing agent Freon and refrigerant Freon in the gas reformer 12, the gas reformer 12 The partial pressure control device 13 is operated so as to keep the oxygen partial pressure in the outlet gas at a value as low as possible (3% or less at a temperature of 900 ° C. to 1200 ° C.).
【００２０】ガス改質器１２にて発生する塩化水素は、
酸素と共存することにより金属材料に対し過酷な高温腐
食を生じさせ得るが、本実施の形態のように酸素分圧を
極力低い値に維持することによって、金属材料に対する
高温腐食を防止することができる。The hydrogen chloride generated in the gas reformer 12 is
Severe high-temperature corrosion can be caused on the metal material by coexisting with oxygen, but it is possible to prevent high-temperature corrosion on the metal material by maintaining the oxygen partial pressure as low as possible as in the present embodiment. it can.
【００２１】なお、本実施の形態において開示する「ガ
ス改質器１２の温度が９００℃〜１２００℃の範囲にお
いて酸素分圧を３％以下」という数値範囲は、各種実験
結果から導出したより好適な範囲である。It is to be noted that the numerical range disclosed in the present embodiment that the oxygen partial pressure is 3% or less when the temperature of the gas reformer 12 is in the range of 900 ° C. to 1200 ° C. is more preferable as derived from various experimental results. Range.
【００２２】次に、図２を用いて、本発明の廃棄物処理
システムの第２の実施の形態について説明する。図２
は、本実施の形態の廃棄物処理システム１０の構成概略
図である。Next, a waste disposal system according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
1 is a schematic configuration diagram of a waste treatment system 10 according to the present embodiment.
【００２３】図２に示すように、本実施の形態の廃棄物
処理システム１０では、分圧制御装置１３が、ガス改質
器１２の温度が９００℃〜１２００℃の範囲において、
酸素分圧を３％以下に制御すると共に一酸化炭素分圧を
５％以上に制御するようになっている。As shown in FIG. 2, in the waste treatment system 10 according to the present embodiment, the partial pressure control device 13 controls the temperature of the gas reformer 12 in the range of 900 ° C. to 1200 ° C.
The oxygen partial pressure is controlled to 3% or less and the carbon monoxide partial pressure is controlled to 5% or more.
【００２４】その他については、図１に示す第１の実施
の形態の廃棄物処理システムと略同様である。第２の実
施の形態において、図１に示す第１の実施の形態と同一
の部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。The rest is substantially the same as the waste treatment system of the first embodiment shown in FIG. In the second embodiment, the same parts as those in the first embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.
【００２５】本実施の形態によれば、金属材料に対する
高温ＨＣｌ腐食をより効果的に防止することができる。According to the present embodiment, high-temperature HCl corrosion of a metal material can be more effectively prevented.
【００２６】本実施の形態において開示する「ガス改質
器１２の温度が９００℃〜１２００℃の範囲において、
酸素分圧を３％以下かつ一酸化炭素分圧を５％以上」と
いう数値範囲は、各種実験結果から導出したより好適な
範囲である。In the present embodiment, “when the temperature of the gas reformer 12 is in the range of 900 ° C. to 1200 ° C.,
The numerical range "the oxygen partial pressure is 3% or less and the carbon monoxide partial pressure is 5% or more" is a more preferable range derived from various experimental results.
【００２７】次に、図３を用いて、本発明の廃棄物処理
システムの第３の実施の形態について説明する。図３
は、本実施の形態の廃棄物処理システム１０の構成概略
図である。Next, a waste disposal system according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
1 is a schematic configuration diagram of a waste treatment system 10 according to the present embodiment.
【００２８】図３に示すように、本実施の形態の廃棄物
処理システム１０では、分圧制御装置１３が、ガス改質
器１２の温度が９００℃〜１２００℃の範囲において、
酸素分圧を３％以下に制御すると共に水素分圧を５％以
上に制御するようになっている。As shown in FIG. 3, in the waste treatment system 10 according to the present embodiment, the partial pressure control device 13 controls the temperature of the gas reformer 12 in the range of 900 ° C. to 1200 ° C.
The oxygen partial pressure is controlled to 3% or less and the hydrogen partial pressure is controlled to 5% or more.
【００２９】その他については、図１に示す第１の実施
の形態の廃棄物処理システムと略同様である。第３の実
施の形態において、図１に示す第１の実施の形態と同一
の部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。The rest is substantially the same as the waste treatment system of the first embodiment shown in FIG. In the third embodiment, the same parts as those in the first embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.
【００３０】本実施の形態によれば、金属材料に対する
高温ＨＣｌ腐食をより効果的に防止することができる。According to the present embodiment, high-temperature HCl corrosion of a metal material can be more effectively prevented.
【００３１】本実施の形態において開示する「ガス改質
器１２の温度が９００℃〜１２００℃の範囲において、
酸素分圧を３％以下かつ水素分圧を５％以上」という数
値範囲は、各種実験結果から導出したより好適な範囲で
ある。When the temperature of the gas reformer 12 is in the range of 900 ° C. to 1200 ° C.
The numerical range "the oxygen partial pressure is 3% or less and the hydrogen partial pressure is 5% or more" is a more preferable range derived from various experimental results.
【００３２】次に、図４を用いて、本発明の廃棄物処理
システムの第４の実施の形態について説明する。図４
は、本実施の形態の廃棄物処理システム１０の構成概略
図である。Next, a waste treatment system according to a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
1 is a schematic configuration diagram of a waste treatment system 10 according to the present embodiment.
【００３３】図４に示すように、本実施の形態の廃棄物
処理システム１０では、分圧制御装置１３が、ガス改質
器１２の温度が９００℃〜１２００℃の範囲において、
酸素分圧を３％以下に制御すると共にメタン分圧を０．
５％以上に制御するようになっている。As shown in FIG. 4, in the waste treatment system 10 of the present embodiment, the partial pressure control device 13 controls the temperature of the gas reformer 12 in the range of 900 ° C. to 1200 ° C.
The oxygen partial pressure is controlled to 3% or less and the methane partial pressure is set to 0.1%.
The control is set to 5% or more.
【００３４】その他については、図１に示す第１の実施
の形態の廃棄物処理システムと略同様である。第４の実
施の形態において、図１に示す第１の実施の形態と同一
の部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。The rest is substantially the same as the waste treatment system of the first embodiment shown in FIG. In the fourth embodiment, the same parts as those in the first embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.
【００３５】本実施の形態によれば、金属材料に対する
高温ＨＣｌ腐食をより効果的に防止することができる。According to the present embodiment, high-temperature HCl corrosion of a metal material can be more effectively prevented.
【００３６】本実施の形態において開示する「ガス改質
器１２の温度が９００℃〜１２００℃の範囲において、
酸素分圧を３％以下かつメタン分圧を０．５％以上」と
いう数値範囲は、各種実験結果から導出したより好適な
範囲である。When the temperature of the gas reformer 12 is in the range of 900 ° C. to 1200 ° C.
The numerical range "the oxygen partial pressure is 3% or less and the methane partial pressure is 0.5% or more" is a more preferable range derived from various experimental results.
【００３７】次に、図５を用いて、本発明の廃棄物処理
システムの第５の実施の形態について説明する。図５
は、本実施の形態の廃棄物処理システム１０の構成概略
図である。Next, a fifth embodiment of the waste disposal system of the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
1 is a schematic configuration diagram of a waste treatment system 10 according to the present embodiment.
【００３８】図５に示すように、本実施の形態の廃棄物
処理システム１０では、分圧制御装置１３が、ガス改質
器１２の温度が９００℃〜１２００℃の範囲において、
酸素分圧を３％以下に制御すると共に一酸化炭素分圧を
５％以上、かつ、水素分圧を５％以上に制御するように
なっている。As shown in FIG. 5, in the waste treatment system 10 of the present embodiment, the partial pressure control device 13 controls the temperature of the gas reformer 12 in the range of 900 ° C. to 1200 ° C.
The oxygen partial pressure is controlled to 3% or less, the carbon monoxide partial pressure is controlled to 5% or more, and the hydrogen partial pressure is controlled to 5% or more.
【００３９】その他については、図１に示す第１の実施
の形態の廃棄物処理システムと略同様である。第５の実
施の形態において、図１に示す第１の実施の形態と同一
の部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。The rest is substantially the same as the waste treatment system of the first embodiment shown in FIG. In the fifth embodiment, the same portions as those in the first embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.
【００４０】本実施の形態によれば、金属材料に対する
高温ＨＣｌ腐食をより効果的に防止することができる。According to the present embodiment, high-temperature HCl corrosion of a metal material can be more effectively prevented.
【００４１】本実施の形態において開示する「ガス改質
器１２の温度が９００℃〜１２００℃の範囲において、
酸素分圧を３％以下かつ一酸化炭素分圧を５％以上かつ
水素分圧を５％以上」という数値範囲は、各種実験結果
から導出したより好適な範囲である。In the present embodiment, “when the temperature of the gas reformer 12 is in the range of 900 ° C. to 1200 ° C.,
The numerical ranges of “the oxygen partial pressure is 3% or less, the carbon monoxide partial pressure is 5% or more, and the hydrogen partial pressure is 5% or more” are more preferable ranges derived from various experimental results.
【００４２】次に、図６を用いて、本発明の廃棄物処理
システムの第５の実施の形態について説明する。図６
は、本実施の形態の廃棄物処理システム１０の構成概略
図である。Next, a fifth embodiment of the waste disposal system of the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
1 is a schematic configuration diagram of a waste treatment system 10 according to the present embodiment.
【００４３】図６に示すように、本実施の形態の廃棄物
処理システム１０では、分圧制御装置１３が、ガス改質
器１２の温度が９００℃〜１２００℃の範囲において、
酸素分圧を３％以下に制御すると共に一酸化炭素分圧を
５％以上、かつ、水素分圧を５％以上、かつ、メタン分
圧を０．５％以上に制御するようになっている。As shown in FIG. 6, in the waste treatment system 10 of the present embodiment, the partial pressure control device 13 controls the temperature of the gas reformer 12 in the range of 900 ° C. to 1200 ° C.
The oxygen partial pressure is controlled to 3% or less, the carbon monoxide partial pressure is controlled to 5% or more, the hydrogen partial pressure is controlled to 5% or more, and the methane partial pressure is controlled to 0.5% or more. .
【００４４】その他については、図１に示す第１の実施
の形態の廃棄物処理システムと略同様である。第６の実
施の形態において、図１に示す第１の実施の形態と同一
の部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。The rest is substantially the same as the waste treatment system of the first embodiment shown in FIG. In the sixth embodiment, the same parts as those in the first embodiment shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.
【００４５】本実施の形態によれば、金属材料に対する
高温ＨＣｌ腐食をより効果的に防止することができる。According to the present embodiment, high-temperature HCl corrosion of a metal material can be more effectively prevented.
【００４６】本実施の形態において開示する「ガス改質
器１２の温度が９００℃〜１２００℃の範囲において、
酸素分圧を３％以下かつ一酸化炭素分圧を５％以上かつ
水素分圧を５％以上かつメタン分圧を０．５％以上」と
いう数値範囲は、各種実験結果から導出したより好適な
範囲である。When the temperature of the gas reformer 12 is in the range of 900 ° C. to 1200 ° C.
The numerical ranges of "the oxygen partial pressure is 3% or less, the carbon monoxide partial pressure is 5% or more, the hydrogen partial pressure is 5% or more, and the methane partial pressure is 0.5% or more" are more suitable as derived from various experimental results. Range.
【００４７】次に、図７を用いて、本発明の廃棄物処理
システムの第５の実施の形態について説明する。図７
は、本実施の形態の廃棄物処理システム１０の構成概略
図である。Next, a fifth embodiment of the waste disposal system of the present invention will be described with reference to FIG. FIG.
1 is a schematic configuration diagram of a waste treatment system 10 according to the present embodiment.
【００４８】図７に示すように、本実施の形態の廃棄物
処理システム１０では、分圧制御装置１３が、熱分解に
よってＯ2との親和力が高い要素（例えばＨ2やＣＨ
4等）を発生させ得る有機化合物を熱分解ドラム１１に
投入する投入装置１３ａを有している。As shown in FIG. 7, in the waste treatment system 10 according to the present embodiment, the partial pressure control device 13 uses an element (eg, H 2 or CH 2) having a high affinity for O 2 by thermal decomposition.
4 ) is supplied to the pyrolysis drum 11 with an input device 13a.
【００４９】その他については、図６に示す第６の実施
の形態の廃棄物処理システムと略同様である。第７の実
施の形態において、図６に示す第６の実施の形態と同一
の部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。The rest is substantially the same as the waste treatment system of the sixth embodiment shown in FIG. In the seventh embodiment, the same portions as those in the sixth embodiment shown in FIG. 6 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted.
【００５０】本実施の形態によれば、金属材料に対する
高温ＨＣｌ腐食をより効果的に防止することができる。According to the present embodiment, high-temperature HCl corrosion of a metal material can be more effectively prevented.
【００５１】熱分解ドラム１１に投入される有機化合物
としては、プラスチック類、特には、使用済み家電品等
を解体する際に発生するプラスチック類、を用いること
が好ましい。As the organic compound to be put into the thermal decomposition drum 11, it is preferable to use plastics, particularly plastics generated when dismantling used home electric appliances and the like.
【００５２】[0052]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ガス改
質装置における酸素分圧が抑制されていることにより、
金属材料のＨＣｌ腐食を効果的に防止することができ
る。As described above, according to the present invention, since the oxygen partial pressure in the gas reformer is suppressed,
HCl corrosion of a metal material can be effectively prevented.
【図１】本発明の第１の実施の形態による廃棄物処理シ
ステムを示す構成概略図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a waste treatment system according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施の形態による廃棄物処理シ
ステムを示す構成概略図。FIG. 2 is a schematic configuration diagram illustrating a waste treatment system according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第３の実施の形態による廃棄物処理シ
ステムを示す構成概略図。FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing a waste treatment system according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第４の実施の形態による廃棄物処理シ
ステムを示す構成概略図。FIG. 4 is a schematic configuration diagram showing a waste treatment system according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第５の実施の形態による廃棄物処理シ
ステムを示す構成概略図。FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing a waste treatment system according to a fifth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第６の実施の形態による廃棄物処理シ
ステムを示す構成概略図。FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing a waste disposal system according to a sixth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第７の実施の形態による廃棄物処理シ
ステムを示す構成概略図。FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing a waste treatment system according to a seventh embodiment of the present invention.
１０ 廃棄物処理システム １１ 熱分解ドラム １２ ガス改質器 １３ 分圧制御装置 １３ａ 投入装置 １５ 熱交換器 １６ バグフィルタ １７ スクラバ １８ ガスエンジン １９ 水処理装置 Reference Signs List 10 waste treatment system 11 pyrolysis drum 12 gas reformer 13 partial pressure control device 13a charging device 15 heat exchanger 16 bag filter 17 scrubber 18 gas engine 19 water treatment device
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉 川 潤 神奈川県横浜市鶴見区末広町２丁目４番地 株式会社東芝京浜事業所内 (72)発明者 小 林 政 徳 神奈川県横浜市鶴見区末広町２丁目４番地 株式会社東芝京浜事業所内 (72)発明者 中 込 秀 樹 神奈川県横浜市鶴見区末広町２丁目４番地 株式会社東芝京浜事業所内 Ｆターム(参考） 4F301 AA29 AB03 CA02 CA09 CA26 CA52 CA71 4H006 AA05 AC13 BC10 BE30 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Jun Yoshikawa 2-4, Suehirocho, Tsurumi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside Keihin Works, Toshiba Corporation (72) Inventor Masanori Kobayashi Suehiro-cho, Tsurumi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2-4, Toshiba Keihin Works Co., Ltd. (72) Inventor Hideki Nakagome 2-4, Suehirocho, Tsurumi-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture F-Terms, Toshiba Keihin Works 4F301 AA29 AB03 CA02 CA09 CA26 CA52 CA71 4H006 AA05 AC13 BC10 BE30
Claims (9)
解する熱分解装置と、 熱分解装置に接続され、熱分解された断熱材ウレタンと
冷媒フロンとが導入されるガス改質装置と、 ガス改質装置の出口近傍のガス分圧を制御する分圧制御
装置と、を備え、 分圧制御装置は、酸素分圧を極低レベルに制御するよう
になっていることを特徴とする廃棄物処理システム。1. A pyrolyzer for thermally decomposing insulating urethane foamed with chlorofluorocarbon, a gas reformer connected to the pyrolyzer and introducing the thermally decomposed insulating urethane and refrigerant freon, A partial pressure control device that controls a gas partial pressure near an outlet of the gas reforming device, wherein the partial pressure control device controls the oxygen partial pressure to an extremely low level. Object processing system.
００℃〜１２００℃の範囲において、酸素分圧を３％以
下に制御するようになっていることを特徴とする請求項
１に記載の廃棄物処理システム。2. The partial pressure control device, wherein the temperature of the gas reformer is 9
The waste treatment system according to claim 1, wherein the oxygen partial pressure is controlled to 3% or less in the range of 00C to 1200C.
００℃〜１２００℃の範囲において、一酸化炭素分圧が
５％以上であるように制御するようになっていることを
特徴とする請求項２に記載の廃棄物処理システム。3. The partial pressure control device, wherein the temperature of the gas reformer is 9
The waste treatment system according to claim 2, wherein the carbon monoxide partial pressure is controlled to be 5% or more in the range of 00C to 1200C.
００℃〜１２００℃の範囲において、水素分圧が５％以
上であるように制御するようになっていることを特徴と
する請求項２に記載の廃棄物処理システム。4. The partial pressure control device, wherein the temperature of the gas reformer is 9
The waste treatment system according to claim 2, wherein the hydrogen partial pressure is controlled to be 5% or more in the range of 00C to 1200C.
００℃〜１２００℃の範囲において、メタン分圧が０．
５％以上であるように制御するようになっていることを
特徴とする請求項２に記載の廃棄物処理システム。5. The partial pressure control device, wherein the temperature of the gas reformer is 9
In the range of 00 ° C to 1200 ° C, the methane partial pressure is 0.1
The waste disposal system according to claim 2, wherein the control is performed so as to be 5% or more.
００℃〜１２００℃の範囲において、一酸化炭素分圧が
５％以上、かつ、水素分圧が５％以上であるように制御
するようになっていることを特徴とする請求項２に記載
の廃棄物処理システム。6. The partial pressure control device, wherein the temperature of the gas reformer is 9
3. The method according to claim 2, wherein the control is performed such that the partial pressure of carbon monoxide is 5% or more and the partial pressure of hydrogen is 5% or more in the range of 00 ° C. to 1200 ° C. Waste treatment system.
００℃〜１２００℃の範囲において、一酸化炭素分圧が
５％以上、かつ、水素分圧が５％以上、かつ、メタン分
圧が０．５％以上であるように制御するようになってい
ることを特徴とする請求項２に記載の廃棄物処理システ
ム。7. The partial pressure control device, wherein the temperature of the gas reformer is 9
In the range of 00 ° C. to 1200 ° C., control is performed so that the carbon monoxide partial pressure is 5% or more, the hydrogen partial pressure is 5% or more, and the methane partial pressure is 0.5% or more. The waste disposal system according to claim 2, wherein
を投入する投入装置を有していることを特徴とする請求
項１乃至７のいずれかに記載の廃棄物処理システム。8. The waste treatment system according to claim 1, wherein the partial pressure control device has a charging device for charging an organic compound to the thermal decomposition device.
いる方法であって、 熱分解装置によって、フロンで発泡された断熱材ウレタ
ンを熱分解する工程と、 熱分解された断熱材ウレタンと冷媒フロンとをガス改質
装置に導入する工程と、 分圧制御装置によって、ガス改質装置の出口近傍の酸素
分圧を極低レベルに制御する工程と、を備えたことを特
徴とする方法。9. A method using the waste treatment system according to claim 1, wherein a thermal decomposition apparatus thermally decomposes the insulating urethane foamed with chlorofluorocarbon, and the thermally decomposed insulating urethane. Introducing a refrigerant to the gas reformer, and controlling the partial pressure of oxygen near the outlet of the gas reformer to an extremely low level by a partial pressure controller. .
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