JP2002059272A - セラミック粉末層を介在させたＡｌ複合材及びその製造方法 - Google Patents
セラミック粉末層を介在させたＡｌ複合材及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002059272A JP2002059272A JP2000243601A JP2000243601A JP2002059272A JP 2002059272 A JP2002059272 A JP 2002059272A JP 2000243601 A JP2000243601 A JP 2000243601A JP 2000243601 A JP2000243601 A JP 2000243601A JP 2002059272 A JP2002059272 A JP 2002059272A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- composite material
- brazing
- ceramic powder
- powder layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 緻密な表面を有し、加工硬化を生じさせない
Ａｌ複合材を得る。 【解決手段】 第１Ａｌ板１２とこの第１Ａｌ板１２と
同形同大の第２Ａｌ板１３との間にＳｉＣ又はＡｌＮか
らなるセラミック粉末層１１を介在させて第１及び第２
Ａｌ板がロウ材により接合されたセラミック粉末層を介
在させたＡｌ複合材。その製造方法は、第１Ａｌ板と第
１ロウ材とＳｉＣ又はＡｌＮからなるセラミック粉末層
と第２ロウ材と第１Ａｌ板と同形同大の第２Ａｌ板とを
この順に配置して積層体を形成し、第１及び第２Ａｌ板
の融点未満であって第１及び第２ロウ材の溶融温度以上
の温度で０．０５〜０．５ＭＰａの圧力下、積層体を真
空中又は不活性ガス雰囲気中で加圧して第１及び第２ロ
ウ材を溶融させることにより第１Ａｌ板と第２Ａｌ板と
を接合する。第１及び第２Ａｌ板の各Ａｌ純度は９９．
９８重量％以上であり、ロウ材はＡｌ−Ｓｉ系又はＡｌ
−Ｇｅ系である。
Ａｌ複合材を得る。 【解決手段】 第１Ａｌ板１２とこの第１Ａｌ板１２と
同形同大の第２Ａｌ板１３との間にＳｉＣ又はＡｌＮか
らなるセラミック粉末層１１を介在させて第１及び第２
Ａｌ板がロウ材により接合されたセラミック粉末層を介
在させたＡｌ複合材。その製造方法は、第１Ａｌ板と第
１ロウ材とＳｉＣ又はＡｌＮからなるセラミック粉末層
と第２ロウ材と第１Ａｌ板と同形同大の第２Ａｌ板とを
この順に配置して積層体を形成し、第１及び第２Ａｌ板
の融点未満であって第１及び第２ロウ材の溶融温度以上
の温度で０．０５〜０．５ＭＰａの圧力下、積層体を真
空中又は不活性ガス雰囲気中で加圧して第１及び第２ロ
ウ材を溶融させることにより第１Ａｌ板と第２Ａｌ板と
を接合する。第１及び第２Ａｌ板の各Ａｌ純度は９９．
９８重量％以上であり、ロウ材はＡｌ−Ｓｉ系又はＡｌ
−Ｇｅ系である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック回路基
板とＡｌヒートシンクの間に設けられこれらの熱膨張係
数の差に基づく熱衝撃の緩衝材として用いられるか、或
いはセラミック基板の凹部に収容されたＳｉチップ回路
を封止する蓋材として用いられるＡｌ複合材に関するも
のである。
板とＡｌヒートシンクの間に設けられこれらの熱膨張係
数の差に基づく熱衝撃の緩衝材として用いられるか、或
いはセラミック基板の凹部に収容されたＳｉチップ回路
を封止する蓋材として用いられるＡｌ複合材に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、図５に示すように、セラミック回
路基板３とＡｌヒートシンク２を積層したパワーモジュ
ール１が知られており、セラミック回路基板３はセラミ
ック基板３ａの両面に第１及び第２Ａｌ板３ｂ，３ｃを
接合することにより作られる。このセラミック回路基板
３の第２Ａｌ板３ｃはエッチングにより所定のパターン
の回路となり、一点鎖線で示す半導体チップ等４が搭載
される。このセラミック回路基板３の第１Ａｌ板３ｂは
緩衝材６を介してＡｌ系合金板からなるＡｌヒートシン
ク２の上面に接合される。この従来のパワーモジュール
１では、半導体チップ等４が発した熱は第２Ａｌ板３
ｃ、セラミック基板３ａ、第１Ａｌ板３ｂ及び緩衝材６
を介してＡｌヒートシンク２に伝達し、そのＡｌヒート
シンク２からその熱を放散するようになっている。
路基板３とＡｌヒートシンク２を積層したパワーモジュ
ール１が知られており、セラミック回路基板３はセラミ
ック基板３ａの両面に第１及び第２Ａｌ板３ｂ，３ｃを
接合することにより作られる。このセラミック回路基板
３の第２Ａｌ板３ｃはエッチングにより所定のパターン
の回路となり、一点鎖線で示す半導体チップ等４が搭載
される。このセラミック回路基板３の第１Ａｌ板３ｂは
緩衝材６を介してＡｌ系合金板からなるＡｌヒートシン
ク２の上面に接合される。この従来のパワーモジュール
１では、半導体チップ等４が発した熱は第２Ａｌ板３
ｃ、セラミック基板３ａ、第１Ａｌ板３ｂ及び緩衝材６
を介してＡｌヒートシンク２に伝達し、そのＡｌヒート
シンク２からその熱を放散するようになっている。
【０００３】緩衝材６は、半導体チップ等の発熱及び非
発熱によりセラミック基板の温度が高温と低温との間で
繰返し変化することにより、セラミック回路基板とＡｌ
ヒートシンクの熱膨張率の相違に基づく熱応力を吸収し
てその接合部分における剥離を防止するものであり、セ
ラミック回路基板とＡｌヒートシンクの中間の熱膨張率
を有することが必要とされる。従来この中間の熱膨張率
を有する緩衝板としてＳｉＣを分散させたＡｌ複合材か
らなる板材が用いられている。このＡｌ複合材は、純度
が８５〜９５％の溶融ＡｌにＳｉＣ粉末を混入させ、こ
の溶融Ａｌを圧延することによりＡｌ中にＳｉＣを分散
させるか、或いはＳｉＣの焼成前の粉体を加圧した状態
で、この粉体間の隙間にＡｌ合金を流込むことにより作
られる。また、このＡｌ複合材の他の用途として、セラ
ミック基板の凹部に収容されたＳｉチップ回路を封止す
る蓋材として用いられることも知られている。このＳｉ
チップ回路を封止する蓋材として用いられる複合材にあ
っては、いわゆるピンホールのない緻密なものであるこ
とが要求され、嫌気的性質を有するＳｉチップ回路を収
容するセラミック基板の凹部にエア又は湿気が入り込ま
ないようにすることが要求される。
発熱によりセラミック基板の温度が高温と低温との間で
繰返し変化することにより、セラミック回路基板とＡｌ
ヒートシンクの熱膨張率の相違に基づく熱応力を吸収し
てその接合部分における剥離を防止するものであり、セ
ラミック回路基板とＡｌヒートシンクの中間の熱膨張率
を有することが必要とされる。従来この中間の熱膨張率
を有する緩衝板としてＳｉＣを分散させたＡｌ複合材か
らなる板材が用いられている。このＡｌ複合材は、純度
が８５〜９５％の溶融ＡｌにＳｉＣ粉末を混入させ、こ
の溶融Ａｌを圧延することによりＡｌ中にＳｉＣを分散
させるか、或いはＳｉＣの焼成前の粉体を加圧した状態
で、この粉体間の隙間にＡｌ合金を流込むことにより作
られる。また、このＡｌ複合材の他の用途として、セラ
ミック基板の凹部に収容されたＳｉチップ回路を封止す
る蓋材として用いられることも知られている。このＳｉ
チップ回路を封止する蓋材として用いられる複合材にあ
っては、いわゆるピンホールのない緻密なものであるこ
とが要求され、嫌気的性質を有するＳｉチップ回路を収
容するセラミック基板の凹部にエア又は湿気が入り込ま
ないようにすることが要求される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来のＡ
ｌ複合材は、Ａｌ純度が８５〜９５％と比較的低いた
め、比較的大きな熱膨張率を有するヒートシンクに接合
すると、繰り返して加えられる応力によりＡｌ複合材か
らなる板材の表面が加工硬化を起こして緩衝材としての
機能が劣り、その接合部分におけるセラミック回路基板
とＡｌヒートシンクが剥離する不具合がある。また、こ
のようなパワーモジュールの緩衝材として使用されるＡ
ｌ複合材にあっては、セラミック回路基板とＡｌヒート
シンクの間に設けられるものである以上その熱抵抗は可
能な限り小さいことが好ましい。
ｌ複合材は、Ａｌ純度が８５〜９５％と比較的低いた
め、比較的大きな熱膨張率を有するヒートシンクに接合
すると、繰り返して加えられる応力によりＡｌ複合材か
らなる板材の表面が加工硬化を起こして緩衝材としての
機能が劣り、その接合部分におけるセラミック回路基板
とＡｌヒートシンクが剥離する不具合がある。また、こ
のようなパワーモジュールの緩衝材として使用されるＡ
ｌ複合材にあっては、セラミック回路基板とＡｌヒート
シンクの間に設けられるものである以上その熱抵抗は可
能な限り小さいことが好ましい。
【０００５】また、ＳｉＣ粉末を混入させた溶融Ａｌを
圧延するか、或いは加圧粉体間の隙間にＡｌ合金を流込
むことによりＡｌ中にＳｉＣを分散させた上記従来のＡ
ｌ複合材は、圧延の際又はＡｌ合金を流込む際にその圧
延又は流し込みが不十分であるとその緻密性が失われ、
いわゆるピンホールを生じさせるおそれもある。このた
め、Ｓｉチップ回路を封止する蓋材としてこの従来のＡ
ｌ複合材を用いると、Ｓｉチップ回路を収容するセラミ
ック基板の凹部にエア又は湿気が入り込むおそれもあっ
た。本発明の目的は、緻密な表面を有するＡｌ複合材及
びその製造方法を提供することにある。本発明の別の目
的は、加工硬化を起こし難いＡｌ複合材及びその製造方
法を提供することにある。
圧延するか、或いは加圧粉体間の隙間にＡｌ合金を流込
むことによりＡｌ中にＳｉＣを分散させた上記従来のＡ
ｌ複合材は、圧延の際又はＡｌ合金を流込む際にその圧
延又は流し込みが不十分であるとその緻密性が失われ、
いわゆるピンホールを生じさせるおそれもある。このた
め、Ｓｉチップ回路を封止する蓋材としてこの従来のＡ
ｌ複合材を用いると、Ｓｉチップ回路を収容するセラミ
ック基板の凹部にエア又は湿気が入り込むおそれもあっ
た。本発明の目的は、緻密な表面を有するＡｌ複合材及
びその製造方法を提供することにある。本発明の別の目
的は、加工硬化を起こし難いＡｌ複合材及びその製造方
法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１及び図２に示すように、第１Ａｌ板１２とこの第１
Ａｌ板１２と同形同大の第２Ａｌ板１３との間にＳｉＣ
又はＡｌＮからなるセラミック粉末層１１を介在させて
第１及び第２Ａｌ板１２，１３がロウ材１４，１６によ
り接合されたセラミック粉末層を介在させたＡｌ複合材
である。請求項４に係る発明は、図２に示すように、第
１Ａｌ板１２と第１ロウ材１４とＳｉＣ又はＡｌＮから
なるセラミック粉末層１１と第２ロウ材１６と第１Ａｌ
板１２と同形同大の第２Ａｌ板１３とをこの順に配置し
て積層体１８を形成する工程と、第１及び第２Ａｌ板１
２，１３の融点未満であって第１及び第２ロウ材１４，
１６の溶融温度以上の温度で０．０５〜０．５ＭＰａの
圧力下、積層体１８を真空中又は不活性ガス雰囲気中で
加圧して第１及び第２ロウ材１４，１６を溶融させるこ
とにより第１Ａｌ板１２と第２Ａｌ板１３とを接合する
工程とを含むセラミック粉末層を介在させたＡｌ複合材
の製造方法である。請求項１にかかるＡｌ複合材１０及
び請求項４にかかる方法により得られたＡｌ複合材１０
は、圧延して形成された第１及び第２Ａｌ板１２，１３
を表面に有し、この第１及び第２Ａｌ板１２，１３はそ
れ自体が緻密なものである。従って、セラミック粉末層
１１を介在させてこれら第１及び第２Ａｌ板１２，１３
を接合することにより緻密な表面を有するＡｌ複合材を
得ることができる。
図１及び図２に示すように、第１Ａｌ板１２とこの第１
Ａｌ板１２と同形同大の第２Ａｌ板１３との間にＳｉＣ
又はＡｌＮからなるセラミック粉末層１１を介在させて
第１及び第２Ａｌ板１２，１３がロウ材１４，１６によ
り接合されたセラミック粉末層を介在させたＡｌ複合材
である。請求項４に係る発明は、図２に示すように、第
１Ａｌ板１２と第１ロウ材１４とＳｉＣ又はＡｌＮから
なるセラミック粉末層１１と第２ロウ材１６と第１Ａｌ
板１２と同形同大の第２Ａｌ板１３とをこの順に配置し
て積層体１８を形成する工程と、第１及び第２Ａｌ板１
２，１３の融点未満であって第１及び第２ロウ材１４，
１６の溶融温度以上の温度で０．０５〜０．５ＭＰａの
圧力下、積層体１８を真空中又は不活性ガス雰囲気中で
加圧して第１及び第２ロウ材１４，１６を溶融させるこ
とにより第１Ａｌ板１２と第２Ａｌ板１３とを接合する
工程とを含むセラミック粉末層を介在させたＡｌ複合材
の製造方法である。請求項１にかかるＡｌ複合材１０及
び請求項４にかかる方法により得られたＡｌ複合材１０
は、圧延して形成された第１及び第２Ａｌ板１２，１３
を表面に有し、この第１及び第２Ａｌ板１２，１３はそ
れ自体が緻密なものである。従って、セラミック粉末層
１１を介在させてこれら第１及び第２Ａｌ板１２，１３
を接合することにより緻密な表面を有するＡｌ複合材を
得ることができる。
【０００７】請求項２に係る発明は、請求項１に係る発
明であって、第１Ａｌ板１２及び第２Ａｌ板１３の各Ａ
ｌ純度が９９．９８重量％以上であるＡｌ複合材であ
る。請求項５に係る発明は、請求項４に係る発明であっ
て、第１Ａｌ板１２及び第２Ａｌ板１３の各Ａｌ純度が
９９．９８重量％以上である製造方法である。Ａｌ純度
が９９．９８重量％以上のＡｌ板は比較的加工硬化を起
こし難いものである。従って、請求項２にかかるＡｌ複
合材１０及び請求項５にかかる方法により得られたＡｌ
複合材１０は加工硬化を起こし難いものになり、このＡ
ｌ複合材をセラミック回路基板とＡｌヒートシンクの間
の熱衝撃の緩衝材として用いれば、緩衝材としての応力
吸収機能の低下を抑制でき、パワーモジュールの熱サイ
クル寿命を比較的長く維持することができる。
明であって、第１Ａｌ板１２及び第２Ａｌ板１３の各Ａ
ｌ純度が９９．９８重量％以上であるＡｌ複合材であ
る。請求項５に係る発明は、請求項４に係る発明であっ
て、第１Ａｌ板１２及び第２Ａｌ板１３の各Ａｌ純度が
９９．９８重量％以上である製造方法である。Ａｌ純度
が９９．９８重量％以上のＡｌ板は比較的加工硬化を起
こし難いものである。従って、請求項２にかかるＡｌ複
合材１０及び請求項５にかかる方法により得られたＡｌ
複合材１０は加工硬化を起こし難いものになり、このＡ
ｌ複合材をセラミック回路基板とＡｌヒートシンクの間
の熱衝撃の緩衝材として用いれば、緩衝材としての応力
吸収機能の低下を抑制でき、パワーモジュールの熱サイ
クル寿命を比較的長く維持することができる。
【０００８】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
係る発明であって、ロウ材１４，１６がＡｌ−Ｓｉ系ロ
ウ材又はＡｌ−Ｇｅ系ロウ材であるＡｌ複合材である。
請求項６に係る発明は、請求項４又は５に係る発明であ
って、第１及び第２ロウ材１４，１６がそれぞれＡｌ−
Ｓｉ系ロウ材又はＡｌ−Ｇｅ系ロウ材である製造方法で
ある。Ａｌ−Ｓｉ系ロウ材又はＡｌ−Ｇｅ系ロウ材は比
較的熱伝導率が高いものであり、熱伝導率の比較的高い
第１及び第２Ａｌ板１２，１３とＳｉＣ又はＡｌＮから
なるセラミック粉末をこれらのロウ材で接合することに
より、熱伝導率の比較的高いＡｌ複合材１０を得ること
ができる。一方、Ａｌ−Ｓｉ系ロウ材又はＡｌ−Ｇｅ系
ロウ材で接合することにより、第１及び第２Ａｌ板１
２，１３とＳｉＣ又はＡｌＮからなるセラミック粉末の
間に金属間化合物が生成されることを防止して、機械的
強度が低下することを回避することができる。
係る発明であって、ロウ材１４，１６がＡｌ−Ｓｉ系ロ
ウ材又はＡｌ−Ｇｅ系ロウ材であるＡｌ複合材である。
請求項６に係る発明は、請求項４又は５に係る発明であ
って、第１及び第２ロウ材１４，１６がそれぞれＡｌ−
Ｓｉ系ロウ材又はＡｌ−Ｇｅ系ロウ材である製造方法で
ある。Ａｌ−Ｓｉ系ロウ材又はＡｌ−Ｇｅ系ロウ材は比
較的熱伝導率が高いものであり、熱伝導率の比較的高い
第１及び第２Ａｌ板１２，１３とＳｉＣ又はＡｌＮから
なるセラミック粉末をこれらのロウ材で接合することに
より、熱伝導率の比較的高いＡｌ複合材１０を得ること
ができる。一方、Ａｌ−Ｓｉ系ロウ材又はＡｌ−Ｇｅ系
ロウ材で接合することにより、第１及び第２Ａｌ板１
２，１３とＳｉＣ又はＡｌＮからなるセラミック粉末の
間に金属間化合物が生成されることを防止して、機械的
強度が低下することを回避することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態について
説明する。図１に本発明のＡｌ複合材１０を示す。本発
明のＡｌ複合材１０はセラミック粉末層１１を介在させ
たものであって、第１Ａｌ板１２とこの第１Ａｌ板１２
と同形同大の第２Ａｌ板１３との間にＳｉＣ又はＡｌＮ
からなるセラミック粉末層１１を介在させてその第１及
び第２Ａｌ板１２，１３がロウ材１４，１６（図２）に
より接合されたものである。第１Ａｌ板１２及び第２Ａ
ｌ板１３はＡｌ純度が９９．９８重量％以上であって、
厚さが０．１〜１．０ｍｍであるものが使用される。ロ
ウ材１４，１６は厚さが１０〜５００μｍのＡｌ−Ｓｉ
系ロウ材又はＡｌ−Ｇｅ系ロウ材が使用される。
説明する。図１に本発明のＡｌ複合材１０を示す。本発
明のＡｌ複合材１０はセラミック粉末層１１を介在させ
たものであって、第１Ａｌ板１２とこの第１Ａｌ板１２
と同形同大の第２Ａｌ板１３との間にＳｉＣ又はＡｌＮ
からなるセラミック粉末層１１を介在させてその第１及
び第２Ａｌ板１２，１３がロウ材１４，１６（図２）に
より接合されたものである。第１Ａｌ板１２及び第２Ａ
ｌ板１３はＡｌ純度が９９．９８重量％以上であって、
厚さが０．１〜１．０ｍｍであるものが使用される。ロ
ウ材１４，１６は厚さが１０〜５００μｍのＡｌ−Ｓｉ
系ロウ材又はＡｌ−Ｇｅ系ロウ材が使用される。
【００１０】図２に示すように、このＡｌ複合材１０の
製造方法は、カーボンからなる基台１７ａの水平な上面
に、Ａｌ純度が９９．９８重量％以上の第１Ａｌ板１２
と、Ａｌ−Ｓｉ系ロウ材又はＡｌ−Ｇｅ系ロウ材からな
る第１ロウ材１４をこの順序に配置する。基台１７ａ上
には、第１Ａｌ板１２及び第１ロウ材１４を包囲するカ
ーボンからなる枠部材１７ｂが配置され、その後、この
第１ロウ材１４の上にＳｉＣ又はＡｌＮからなるセラミ
ック粉末を０．１〜３．０ｍｍの範囲で均等厚さに敷き
詰めてセラミック粉末層１１が形成される。その後この
セラミック粉末層１１の上にＡｌ−Ｓｉ系ロウ材又はＡ
ｌ−Ｇｅ系ロウ材からなる第２ロウ材１６と、第１Ａｌ
板１２と同形同大の第２Ａｌ板１３とをこの順に更に配
置し、第１Ａｌ板１２と第１ロウ材１４とセラミック粉
末層１１と第２ロウ材１６と第２Ａｌ板１３がこの順に
配置された第１積層体１８を基台１７ａ上に形成する。
製造方法は、カーボンからなる基台１７ａの水平な上面
に、Ａｌ純度が９９．９８重量％以上の第１Ａｌ板１２
と、Ａｌ−Ｓｉ系ロウ材又はＡｌ−Ｇｅ系ロウ材からな
る第１ロウ材１４をこの順序に配置する。基台１７ａ上
には、第１Ａｌ板１２及び第１ロウ材１４を包囲するカ
ーボンからなる枠部材１７ｂが配置され、その後、この
第１ロウ材１４の上にＳｉＣ又はＡｌＮからなるセラミ
ック粉末を０．１〜３．０ｍｍの範囲で均等厚さに敷き
詰めてセラミック粉末層１１が形成される。その後この
セラミック粉末層１１の上にＡｌ−Ｓｉ系ロウ材又はＡ
ｌ−Ｇｅ系ロウ材からなる第２ロウ材１６と、第１Ａｌ
板１２と同形同大の第２Ａｌ板１３とをこの順に更に配
置し、第１Ａｌ板１２と第１ロウ材１４とセラミック粉
末層１１と第２ロウ材１６と第２Ａｌ板１３がこの順に
配置された第１積層体１８を基台１７ａ上に形成する。
【００１１】次に、この第１積層体１８を基台１７ａと
ともに図示しない減圧加熱槽に配置し押し型１９の水平
な下面を第２Ａｌ板１３の上面に当接させる。そして第
１積層体１８周囲の雰囲気を第１及び第２Ａｌ板１２，
１３の融点未満であって第１及び第２ロウ材１４，１６
の溶融温度以上の温度に調整し、押し型１９で第１積層
体１８に０．０５〜０．５ＭＰａの圧力を加える。この
状態で減圧加熱槽内部を真空にするか、或いはその内部
に不活性ガスを充填する。このように第１積層体１８を
真空中又は不活性ガス雰囲気中で加圧して第１及び第２
ロウ材１６を溶融させることにより第１Ａｌ板１２と第
２Ａｌ板１３とを接合する。第１Ａｌ板１２と第２Ａｌ
板１３とが接合した後に、押し型１９を外し減圧加熱槽
から取り出して基台１７ａ上から取り外すことにより、
図１に示すセラミック粉末層１１を介在させたＡｌ複合
材１０を得る。
ともに図示しない減圧加熱槽に配置し押し型１９の水平
な下面を第２Ａｌ板１３の上面に当接させる。そして第
１積層体１８周囲の雰囲気を第１及び第２Ａｌ板１２，
１３の融点未満であって第１及び第２ロウ材１４，１６
の溶融温度以上の温度に調整し、押し型１９で第１積層
体１８に０．０５〜０．５ＭＰａの圧力を加える。この
状態で減圧加熱槽内部を真空にするか、或いはその内部
に不活性ガスを充填する。このように第１積層体１８を
真空中又は不活性ガス雰囲気中で加圧して第１及び第２
ロウ材１６を溶融させることにより第１Ａｌ板１２と第
２Ａｌ板１３とを接合する。第１Ａｌ板１２と第２Ａｌ
板１３とが接合した後に、押し型１９を外し減圧加熱槽
から取り出して基台１７ａ上から取り外すことにより、
図１に示すセラミック粉末層１１を介在させたＡｌ複合
材１０を得る。
【００１２】図３にこのＡｌ複合材１０からなる板材
を、セラミック基板２１の凹部２１ａに収容されたＳｉ
チップ回路２２を封止する蓋材として用いる例を示す。
このＡｌ複合材からなる蓋材１０は凹部２１ａを覆うよ
うにその凹部２１ａ周囲のセラミック基板２１表面には
んだ付け又はロウ材により接合され、セラミック基板２
１の凹部２１ａには嫌気性のＳｉチップ回路２２が設け
れられる。このＳｉチップ回路２２はエア及び湿気を嫌
うため、凹部２１ａには不活性ガスが充填される。ここ
で、本発明のＡｌ複合材１０は、表面に純度の高い圧延
して形成された第１及び第２Ａｌ板１２，１３を有し、
この第１及び第２Ａｌ板１２，１３はそれ自体が緻密な
ものである。従って、セラミック粉末層１１を介在させ
てこれら第１及び第２Ａｌ板１２，１３を接合されたＡ
ｌ複合材は緻密な表面を有し、外気に存在するエア及び
湿気がその蓋板１０を通過して凹部２１ａの内部に侵入
することを有効に防止することができる。その一方、蓋
材であるＡｌ複合材１０は、熱伝導率の比較的高い第１
及び第２Ａｌ板１２，１３とＳｉＣ又はＡｌＮからなる
セラミック粉末を使用しているので、Ｓｉチップ２２が
発する熱はこのＡｌ複合材１０に伝導して効率よく外部
に放散することができる。また、このＡｌ複合材１０の
熱膨張係数はセラミックスとＡｌの中間の値となり、セ
ラミック基板２１と熱膨張係数が近似しているため、使
用温度が変化する温度サイクルに起因する熱応力を緩和
することもできる。
を、セラミック基板２１の凹部２１ａに収容されたＳｉ
チップ回路２２を封止する蓋材として用いる例を示す。
このＡｌ複合材からなる蓋材１０は凹部２１ａを覆うよ
うにその凹部２１ａ周囲のセラミック基板２１表面には
んだ付け又はロウ材により接合され、セラミック基板２
１の凹部２１ａには嫌気性のＳｉチップ回路２２が設け
れられる。このＳｉチップ回路２２はエア及び湿気を嫌
うため、凹部２１ａには不活性ガスが充填される。ここ
で、本発明のＡｌ複合材１０は、表面に純度の高い圧延
して形成された第１及び第２Ａｌ板１２，１３を有し、
この第１及び第２Ａｌ板１２，１３はそれ自体が緻密な
ものである。従って、セラミック粉末層１１を介在させ
てこれら第１及び第２Ａｌ板１２，１３を接合されたＡ
ｌ複合材は緻密な表面を有し、外気に存在するエア及び
湿気がその蓋板１０を通過して凹部２１ａの内部に侵入
することを有効に防止することができる。その一方、蓋
材であるＡｌ複合材１０は、熱伝導率の比較的高い第１
及び第２Ａｌ板１２，１３とＳｉＣ又はＡｌＮからなる
セラミック粉末を使用しているので、Ｓｉチップ２２が
発する熱はこのＡｌ複合材１０に伝導して効率よく外部
に放散することができる。また、このＡｌ複合材１０の
熱膨張係数はセラミックスとＡｌの中間の値となり、セ
ラミック基板２１と熱膨張係数が近似しているため、使
用温度が変化する温度サイクルに起因する熱応力を緩和
することもできる。
【００１３】図４にこのＡｌ複合材１０からなる板材
を、セラミック回路基板３１とＡｌヒートシンク３２の
間の熱衝撃の緩衝材として用いたパワーモジュール３０
を示す。Ａｌヒートシンク３２はＡｌ系合金からなる板
材であり、セラミック回路基板３１はセラミック基板３
１ａとこのセラミック基板３１ａの両面にロウ接された
第１及び第２Ａｌ板３１ｂ，３１ｃとを備える。セラミ
ック回路基板３１は、Ａｌヒートシンク３２にＡｌ複合
材１０を介してロウ接される。即ち、Ａｌヒートシンク
３２の上にロウ材（図示せず）と本発明のＡｌ複合材１
０をこの順序で積層し、更にロウ材とセラミック回路基
板３１をこの順序で重ねる。この状態で、これらに荷重
０．０１〜０．２５ＭＰａを加え、真空中で５７７〜６
５０℃に加熱してロウ材を溶融させ、その後冷却してそ
のロウ材を固化させることによりこれらをロウ接する。
を、セラミック回路基板３１とＡｌヒートシンク３２の
間の熱衝撃の緩衝材として用いたパワーモジュール３０
を示す。Ａｌヒートシンク３２はＡｌ系合金からなる板
材であり、セラミック回路基板３１はセラミック基板３
１ａとこのセラミック基板３１ａの両面にロウ接された
第１及び第２Ａｌ板３１ｂ，３１ｃとを備える。セラミ
ック回路基板３１は、Ａｌヒートシンク３２にＡｌ複合
材１０を介してロウ接される。即ち、Ａｌヒートシンク
３２の上にロウ材（図示せず）と本発明のＡｌ複合材１
０をこの順序で積層し、更にロウ材とセラミック回路基
板３１をこの順序で重ねる。この状態で、これらに荷重
０．０１〜０．２５ＭＰａを加え、真空中で５７７〜６
５０℃に加熱してロウ材を溶融させ、その後冷却してそ
のロウ材を固化させることによりこれらをロウ接する。
【００１４】本発明のＡｌ複合材１０は、熱伝導率の比
較的高いＳｉＣ又はＡｌＮからなるセラミック粉末を介
して熱伝導率の比較的高い第１及び第２Ａｌ板１２，１
３を接合しているので、図４におけるパワーモジュール
３０では、セラミック回路基板３１に搭載された半導体
チップ等３３が発した熱はセラミック回路基板３１から
このＡｌ複合材からなる緩衝材１０を介してＡｌヒート
シンク３２に伝達し、そのＡｌヒートシンク３２からそ
の熱を有効に放散することができる。また、このＡｌ複
合材１０の熱膨張係数はセラミックスとＡｌの中間の値
となり、熱膨張率の相違により接合時及び温度サイクル
時に生じる熱応力を比較的低くすることができる。
較的高いＳｉＣ又はＡｌＮからなるセラミック粉末を介
して熱伝導率の比較的高い第１及び第２Ａｌ板１２，１
３を接合しているので、図４におけるパワーモジュール
３０では、セラミック回路基板３１に搭載された半導体
チップ等３３が発した熱はセラミック回路基板３１から
このＡｌ複合材からなる緩衝材１０を介してＡｌヒート
シンク３２に伝達し、そのＡｌヒートシンク３２からそ
の熱を有効に放散することができる。また、このＡｌ複
合材１０の熱膨張係数はセラミックスとＡｌの中間の値
となり、熱膨張率の相違により接合時及び温度サイクル
時に生じる熱応力を比較的低くすることができる。
【００１５】更に、第１Ａｌ板１２及び第２Ａｌ板１３
の各Ａｌ純度は９９．９８重量％以上であり、比較的加
工硬化を起こし難いものである。従って、加工硬化を起
こし難い第１及び第２Ａｌ板１２，１３が直接セラミッ
ク回路基板３１及びＡｌヒートシンク３２に直接ロウ付
けされるため、半導体チップ等１６の発熱及び非発熱に
よりセラミック回路基板３１の温度が高温と低温との間
で繰返し変化してもそれらのＡｌ板１２，１３が繰り返
し作用する熱応力により加工硬化を起こすことはなく、
温度サイクルに起因する応力を吸収する機能の低下を抑
制して、パワーモジュール３０の熱サイクル寿命を更に
長く維持することができる。
の各Ａｌ純度は９９．９８重量％以上であり、比較的加
工硬化を起こし難いものである。従って、加工硬化を起
こし難い第１及び第２Ａｌ板１２，１３が直接セラミッ
ク回路基板３１及びＡｌヒートシンク３２に直接ロウ付
けされるため、半導体チップ等１６の発熱及び非発熱に
よりセラミック回路基板３１の温度が高温と低温との間
で繰返し変化してもそれらのＡｌ板１２，１３が繰り返
し作用する熱応力により加工硬化を起こすことはなく、
温度サイクルに起因する応力を吸収する機能の低下を抑
制して、パワーモジュール３０の熱サイクル寿命を更に
長く維持することができる。
【００１６】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。 ＜実施例１＞図２に示すように、基台１７ａであるカー
ボン板の上に厚さ５０ｍｍ枠部材１７ｂを重ね、その枠
１７ｂの内側に９９．９８重量％以上の純度の厚さ０．
４ｍｍの第１Ａｌ板１２と厚さ０．７ｍｍのＡｌが８８
％のＡｌ−Ｓｉ系第１ロウ材箔１４を起き、その上にＳ
ｉＣを３ｇ均等厚さに敷き詰めてセラミック粉末層１１
を形成した。その後その枠１７ｂの内側に厚さ０．７ｍ
ｍのＡｌが８８％のＡｌ−Ｓｉ系第２ロウ材箔１６と９
９．９８重量％以上の純度の厚さ０．４ｍｍの第２Ａｌ
板１３とを起いて、押し型１９でそれらに０．０５〜
０．５ＭＰａの圧力を加え、真空中又はアルゴン雰囲気
中６２０℃〜６５０℃に加熱してこれらをロウ接し縦、
横及び厚さがそれぞれ５０ｍｍ、５０ｍｍ及び２ｍｍの
Ａｌ複合材を得た。このＡｌ複合材を実施例１とした。 ＜実施例２＞第１ロウ材箔１２の上に敷き詰めたものが
ＡｌＮであることを除いて実施例１と同一の手順により
実施例一と同形同大のＡｌ複合材を得た。このＡｌ複合
材を実施例２とした。
説明する。 ＜実施例１＞図２に示すように、基台１７ａであるカー
ボン板の上に厚さ５０ｍｍ枠部材１７ｂを重ね、その枠
１７ｂの内側に９９．９８重量％以上の純度の厚さ０．
４ｍｍの第１Ａｌ板１２と厚さ０．７ｍｍのＡｌが８８
％のＡｌ−Ｓｉ系第１ロウ材箔１４を起き、その上にＳ
ｉＣを３ｇ均等厚さに敷き詰めてセラミック粉末層１１
を形成した。その後その枠１７ｂの内側に厚さ０．７ｍ
ｍのＡｌが８８％のＡｌ−Ｓｉ系第２ロウ材箔１６と９
９．９８重量％以上の純度の厚さ０．４ｍｍの第２Ａｌ
板１３とを起いて、押し型１９でそれらに０．０５〜
０．５ＭＰａの圧力を加え、真空中又はアルゴン雰囲気
中６２０℃〜６５０℃に加熱してこれらをロウ接し縦、
横及び厚さがそれぞれ５０ｍｍ、５０ｍｍ及び２ｍｍの
Ａｌ複合材を得た。このＡｌ複合材を実施例１とした。 ＜実施例２＞第１ロウ材箔１２の上に敷き詰めたものが
ＡｌＮであることを除いて実施例１と同一の手順により
実施例一と同形同大のＡｌ複合材を得た。このＡｌ複合
材を実施例２とした。
【００１７】＜比較例１＞純度が８８％の溶融ＡｌにＳ
ｉＣ粉末を混入させ、この溶融Ａｌを圧延することによ
りＡｌ中にＳｉＣを分散させたＡｌ複合材を得た。この
Ａｌ複合材を比較例１とした。 ＜比較試験及び評価＞縦、横及び厚さがそれぞれ５０ｍ
ｍ、５０ｍｍ及び０．６３５ｍｍのセラミック回路基板
と、縦、横及び厚さがそれぞれ５０ｍｍ、５０ｍｍ及び
１０ｍｍのＡｌ系合金板からなるＡｌヒートシンクを複
数枚それぞれ用意した。ここでセラミック回路基板はＡ
ｌＮからなるセラミック基板の両面にＡｌ板を接合した
ものを使用した。
ｉＣ粉末を混入させ、この溶融Ａｌを圧延することによ
りＡｌ中にＳｉＣを分散させたＡｌ複合材を得た。この
Ａｌ複合材を比較例１とした。 ＜比較試験及び評価＞縦、横及び厚さがそれぞれ５０ｍ
ｍ、５０ｍｍ及び０．６３５ｍｍのセラミック回路基板
と、縦、横及び厚さがそれぞれ５０ｍｍ、５０ｍｍ及び
１０ｍｍのＡｌ系合金板からなるＡｌヒートシンクを複
数枚それぞれ用意した。ここでセラミック回路基板はＡ
ｌＮからなるセラミック基板の両面にＡｌ板を接合した
ものを使用した。
【００１８】実施例１，実施例２及び比較例１おけるＡ
ｌ複合材を介してこれらのセラミック回路基板をＡｌヒ
ートシンク１１にそれぞれロウ接してパワーモジュール
を得た。これらそれぞれのパワーモジュールを冷熱衝撃
試験器にて−４０℃３０分〜１２５℃３０分を１サイク
ルとする温度サイクルを付加した。温度サイクルを１０
０回付加した時点で、Ａｌ複合材とセラミック回路基板
３１又はＡｌ複合材とＡｌヒートシンク１１の間の剥離
の有無を観察し、剥離が確認されない場合には更に温度
サイクルを１００回付加した。これを繰り返して剥離が
確認されるまでの温度サイクル回数を温度サイクル寿命
として測定した。なお、剥離の有無は拡大鏡により確認
することにより行った。
ｌ複合材を介してこれらのセラミック回路基板をＡｌヒ
ートシンク１１にそれぞれロウ接してパワーモジュール
を得た。これらそれぞれのパワーモジュールを冷熱衝撃
試験器にて−４０℃３０分〜１２５℃３０分を１サイク
ルとする温度サイクルを付加した。温度サイクルを１０
０回付加した時点で、Ａｌ複合材とセラミック回路基板
３１又はＡｌ複合材とＡｌヒートシンク１１の間の剥離
の有無を観察し、剥離が確認されない場合には更に温度
サイクルを１００回付加した。これを繰り返して剥離が
確認されるまでの温度サイクル回数を温度サイクル寿命
として測定した。なお、剥離の有無は拡大鏡により確認
することにより行った。
【００１９】この結果、実施例１のＡｌ複合材を有する
パワーモジュールでは３０００回、実施例２のＡｌ複合
材を有するパワーモジュールでは３０００回、比較１の
Ａｌ複合材を有するパワーモジュールでは５００回でそ
れぞれ剥離を確認できた。この結果から明らかなよう
に、実施例１及び２におけるＡｌ複合材を介装させたパ
ワーモジュールは、比較例１におけるＡｌ複合材を介装
させたパワーモジュールと比較して比較的長い間剥離を
生じさせることがなかった。これは、比較例１のＡｌ複
合材が加工硬化したことに起因するものと考えられる。
パワーモジュールでは３０００回、実施例２のＡｌ複合
材を有するパワーモジュールでは３０００回、比較１の
Ａｌ複合材を有するパワーモジュールでは５００回でそ
れぞれ剥離を確認できた。この結果から明らかなよう
に、実施例１及び２におけるＡｌ複合材を介装させたパ
ワーモジュールは、比較例１におけるＡｌ複合材を介装
させたパワーモジュールと比較して比較的長い間剥離を
生じさせることがなかった。これは、比較例１のＡｌ複
合材が加工硬化したことに起因するものと考えられる。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明では、第１Ａ
ｌ板とこの第１Ａｌ板と同形同大の第２Ａｌ板との間に
ＳｉＣ又はＡｌＮからなるセラミック粉末層を介在させ
て第１及び第２Ａｌ板をロウ材により接合するので、緻
密な表面を有するＡｌ複合材を得ることができる。ま
た、第１Ａｌ板及び第２Ａｌ板として比較的加工硬化の
起こし難いＡｌ純度が９９．９８重量％以上のものを使
用することにより、比較的加工硬化の起こし難いＡｌ複
合材を得ることができる。この結果、このＡｌ複合材を
セラミック回路基板とＡｌヒートシンクの間の熱衝撃の
緩衝材として用いることによりパワーモジュールの熱サ
イクル寿命を比較的長く維持することができる。更に、
ロウ材としてＡｌ−Ｓｉ系ロウ材又はＡｌ−Ｇｅ系ロウ
材を使用すれば、熱伝導率の比較的高いＡｌ複合材を得
ることもできる。
ｌ板とこの第１Ａｌ板と同形同大の第２Ａｌ板との間に
ＳｉＣ又はＡｌＮからなるセラミック粉末層を介在させ
て第１及び第２Ａｌ板をロウ材により接合するので、緻
密な表面を有するＡｌ複合材を得ることができる。ま
た、第１Ａｌ板及び第２Ａｌ板として比較的加工硬化の
起こし難いＡｌ純度が９９．９８重量％以上のものを使
用することにより、比較的加工硬化の起こし難いＡｌ複
合材を得ることができる。この結果、このＡｌ複合材を
セラミック回路基板とＡｌヒートシンクの間の熱衝撃の
緩衝材として用いることによりパワーモジュールの熱サ
イクル寿命を比較的長く維持することができる。更に、
ロウ材としてＡｌ−Ｓｉ系ロウ材又はＡｌ−Ｇｅ系ロウ
材を使用すれば、熱伝導率の比較的高いＡｌ複合材を得
ることもできる。
【図１】本発明のＡｌ複合材の構成を示す縦断面図。
【図２】そのＡｌ複合材の製造方法を示す概念図。
【図３】そのＡｌ複合材をＳｉチップ回路を封止する蓋
材として用いた縦断面図。
材として用いた縦断面図。
【図４】そのＡｌ複合材をセラミック回路基板とＡｌヒ
ートシンクの間の熱衝撃の緩衝材として用いたパワーモ
ジュールの縦断面図。
ートシンクの間の熱衝撃の緩衝材として用いたパワーモ
ジュールの縦断面図。
【図５】従来のＡｌ複合材を緩衝材として用いた図４に
対応する縦断面図。
対応する縦断面図。
１０ Ａｌ複合材 １１ セラミック粉末層 １２ 第１Ａｌ板 １３ 第２Ａｌ板 １４ 第１ロウ材 １６ 第２ロウ材 １８ 積層体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/373 Ｂ２３Ｋ 103:10 // Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｈ０１Ｌ 23/36 Ｄ 103:10 Ｍ (72)発明者 久保 和明 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内 (72)発明者 島村 正一 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4E067 AA05 AB06 AB10 AD04 BA01 BB02 DB01 DB03 DC03 DC06 EA04 EB11 EC03 5F036 AA01 BA23 BB21 BD03 BD14
Claims (6)
- 【請求項１】 第１Ａｌ板(12)とこの第１Ａｌ板(12)と
同形同大の第２Ａｌ板(13)との間にＳｉＣ又はＡｌＮか
らなるセラミック粉末層(11)を介在させて前記第１及び
第２Ａｌ板(12,13)がロウ材(14,16)により接合されたセ
ラミック粉末層を介在させたＡｌ複合材。 - 【請求項２】 第１Ａｌ板(12)及び第２Ａｌ板(13)の各
Ａｌ純度が９９．９８重量％以上である請求項１記載の
Ａｌ複合材。 - 【請求項３】 ロウ材(14,16)がＡｌ−Ｓｉ系ロウ材又
はＡｌ−Ｇｅ系ロウ材である請求項１又は２記載のＡｌ
複合材。 - 【請求項４】 第１Ａｌ板(12)と第１ロウ材(14)とＳｉ
Ｃ又はＡｌＮからなるセラミック粉末層(11)と第２ロウ
材(16)と前記第１Ａｌ板(12)と同形同大の第２Ａｌ板(1
3)とをこの順に配置して積層体(18)を形成する工程と、 前記第１及び第２Ａｌ板(12,13)の融点未満であって前
記第１及び第２ロウ材(14,16)の溶融温度以上の温度で
０．０５〜０．５ＭＰａの圧力下、前記積層体(18)を真
空中又は不活性ガス雰囲気中で加圧して前記第１及び第
２ロウ材(14,16)を溶融させることにより前記第１Ａｌ
板(12)と前記第２Ａｌ板(13)とを接合する工程とを含む
セラミック粉末層を介在させたＡｌ複合材の製造方法。 - 【請求項５】 第１Ａｌ板(12)及び第２Ａｌ板(13)の各
Ａｌ純度が９９．９８重量％以上である請求項４記載の
製造方法。 - 【請求項６】 第１及び第２ロウ材(14,16)がそれぞれ
Ａｌ−Ｓｉ系ロウ材又はＡｌ−Ｇｅ系ロウ材である請求
項４又は５記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000243601A JP4556307B2 (ja) | 2000-08-11 | 2000-08-11 | パワーモジュール及びパワーモジュール用緩衝材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000243601A JP4556307B2 (ja) | 2000-08-11 | 2000-08-11 | パワーモジュール及びパワーモジュール用緩衝材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002059272A true JP2002059272A (ja) | 2002-02-26 |
| JP4556307B2 JP4556307B2 (ja) | 2010-10-06 |
Family
ID=18734422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000243601A Expired - Lifetime JP4556307B2 (ja) | 2000-08-11 | 2000-08-11 | パワーモジュール及びパワーモジュール用緩衝材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4556307B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009116439A1 (ja) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板 |
| CN105499736A (zh) * | 2016-01-13 | 2016-04-20 | 合肥工业大学 | 一种电子封装用高体积分数SiCp/Al复合材料基板表面金属化及钎焊方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102554449B (zh) * | 2012-02-15 | 2013-11-06 | 哈尔滨工业大学 | 连接碳纤维增强铝基复合材料与金属的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63225585A (ja) * | 1987-03-14 | 1988-09-20 | 東京工業大学長 | セラミックスと金属との接合体及びその接合法 |
| JPH0268448U (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-24 | ||
| JPH10270596A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付セラミック回路基板 |
-
2000
- 2000-08-11 JP JP2000243601A patent/JP4556307B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63225585A (ja) * | 1987-03-14 | 1988-09-20 | 東京工業大学長 | セラミックスと金属との接合体及びその接合法 |
| JPH0268448U (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-24 | ||
| JPH10270596A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Mitsubishi Materials Corp | ヒートシンク付セラミック回路基板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009116439A1 (ja) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びその製造方法、並びに、ヒートシンク付パワーモジュール、パワーモジュール用基板 |
| CN101971329B (zh) * | 2008-03-17 | 2012-11-21 | 三菱综合材料株式会社 | 带散热片的功率模块用基板及其制造方法、以及带散热片的功率模块、功率模块用基板 |
| CN105499736A (zh) * | 2016-01-13 | 2016-04-20 | 合肥工业大学 | 一种电子封装用高体积分数SiCp/Al复合材料基板表面金属化及钎焊方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4556307B2 (ja) | 2010-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4756200B2 (ja) | 金属セラミックス回路基板 | |
| JP3180677B2 (ja) | ヒートシンク付セラミック回路基板 | |
| WO2006100769A1 (ja) | 金属基板−炭素基金属複合材料構造体および該構造体の製造方法 | |
| JPH10270596A (ja) | ヒートシンク付セラミック回路基板 | |
| JP5759902B2 (ja) | 積層材およびその製造方法 | |
| JP5829403B2 (ja) | 放熱用絶縁基板及びその製造方法 | |
| JP2017183716A (ja) | ヒートシンク付絶縁回路基板の製造方法、及び、ヒートシンク付絶縁回路基板 | |
| JP4104253B2 (ja) | 基板一体型構造体 | |
| TWI737894B (zh) | 附有散熱片絕緣電路基板之製造方法 | |
| JP2014143351A (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
| JP7151583B2 (ja) | ヒートシンク付き絶縁回路基板 | |
| CN110325310A (zh) | 接合体的制造方法、绝缘电路基板的制造方法及自带散热片的绝缘电路基板的制造方法 | |
| JP2002059272A (ja) | セラミック粉末層を介在させたＡｌ複合材及びその製造方法 | |
| TWI780113B (zh) | 陶瓷／鋁－碳化矽複合材料接合體之製造方法、及附散熱塊之功率模組用基板之製造方法 | |
| JP2004022964A (ja) | Ａｌ−ＳｉＣ系複合体およびそれを用いた放熱部品、半導体モジュール装置 | |
| JP3871599B2 (ja) | 構造物 | |
| JP6769169B2 (ja) | セラミックス基板とアルミニウム含浸炭化珪素多孔質体との接合体の製造方法 | |
| JP6102271B2 (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
| JP3797823B2 (ja) | 回路基板複合体 | |
| JP2002299532A (ja) | Ａｌ−ＳｉＣ系複合体および放熱部品 | |
| JP4862196B2 (ja) | 金属セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JPH0748180A (ja) | セラミックス−金属接合体 | |
| JP2018032731A (ja) | ヒートシンク付パワーモジュール用基板、及びヒートシンク付パワーモジュール用基板の製造方法 | |
| JP2001217364A (ja) | Ａｌ−ＳｉＣ複合体 | |
| JP4052557B2 (ja) | 窒化アルミニウム−複合材料−アルミニウム接合体からなる半導体素子用放熱基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060331 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090728 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090924 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100316 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100517 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100629 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100712 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4556307 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130730 Year of fee payment: 3 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |