JP2002057946A - 固体撮像素子の出力回路 - Google Patents

固体撮像素子の出力回路

Info

Publication number
JP2002057946A
JP2002057946A JP2000239316A JP2000239316A JP2002057946A JP 2002057946 A JP2002057946 A JP 2002057946A JP 2000239316 A JP2000239316 A JP 2000239316A JP 2000239316 A JP2000239316 A JP 2000239316A JP 2002057946 A JP2002057946 A JP 2002057946A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output circuit
solid
circuit
state imaging
imaging device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000239316A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Yoshida
宏之 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2000239316A priority Critical patent/JP2002057946A/ja
Publication of JP2002057946A publication Critical patent/JP2002057946A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 固体撮像素子の出力回路において、高利得、
高周波数特性および高耐圧性を確保しつつも、チップサ
イズの小型化等に容易に対応可能にする。 【解決手段】 少なくとも1段のソースフォロワ回路
1,2,…,nを具備する固体撮像素子の出力回路にお
いて、負荷トランジスタ12のソース電極の電位をその
ドレイン電極にフィードバックさせるフィードバックト
ランジスタ13を設けることで、負荷トランジスタ12
へのゲートバイアス用の内蔵回路を不要にするととも
に、その負荷トランジスタ12におけるゲート−ドレイ
ン間の電圧緩和を図る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子が得
た信号電荷を電圧信号に変換して出力するための固体撮
像素子の出力回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、CCD固体撮像素子では、信号
電荷を電圧信号に変換しこれを増幅して出力する出力回
路が不可欠である。このような出力回路としては、複数
段のソースフォロワ回路を具備し、水平CCDから転送
されてくる信号電荷をフローティング・ディフュージョ
ン・アンプ(FDA)で電圧信号に変換した後に、これ
をソースフォロワ回路によってインピーダンス変換して
出力信号とすることで、その周波数特性および入出力利
得をバランス良く確保したものが知られている。
【0003】その一例としては、例えば図2に示すよう
に、高い入出力利得と周波数特性を獲得するために、n
(nは2以上の整数)段のソースフォロワ回路を縦列接
続したものがある。この出力回路では、各段のソースフ
ォロワ回路が、それぞれ、信号出力を駆動するドライブ
トランジスタ11と、定電流を制御するロード(負荷)
トランジスタ12とから構成されている。各ドライブト
ランジスタ11のドレイン電極11aには、回路電源V
DDが接続されている。また、各ロードトランジスタ1
2のソース電極12aは、接地抵抗R1を介してGND
(接地部)に接地されている。
【0004】そして、この出力回路では、初段のドライ
ブトランジスタ11のゲート電極11bに入力される電
圧信号VINを、2〜n段目を経て、n段目のドライブ
トランジスタのソース電極から出力することで、その電
圧信号VINに対するインピーダンス変換を行って、出
力信号VOUTとして出力するようになっている。
【0005】ただし、上述した構成の出力回路におい
て、各段のロードトランジスタ12のゲート電極12b
には、目標とする回路特性から定まる任意の固定DCバ
イアスの印可が必要になる。そのため、この出力回路で
は、各ロードトランジスタ12のゲート電極12bに専
用のDCバイアス生成回路VGGが接続しており、その
DCバイアス生成回路VGGが生成したDCバイアスを
各ロードトランジスタ12のゲート電極12bに印可す
るようになっている。なお、このDCバイアス生成回路
VGGをはじめとする出力回路の構成要素は、全て、C
CD固体撮像素子と共に、同一チップに内蔵されてい
る。
【0006】また、出力回路の他の例としては、例えば
図3に示すようなものもある。この出力回路も、n段の
ソースフォロワ回路を縦列接続したものであるが、上述
した図2の場合とは異なり、各ロードトランジスタ12
のゲート電極12bがGND(0V)へ短絡している。
これにより、この出力回路では、各ロードトランジスタ
12のゲートバイアスが必要であっても、専用のDCバ
イアス生成回路VGGを不要にしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、CC
D固体撮像素子に対しては、その小型化が強く求められ
ている。また、これに伴い、その出力回路に対しては、
撮像部光学系の小型化による出力電圧の低下(感度の低
下)への対応や、多画素化による信号出力の高速化への
対応が必要となっており、更なる高入出力利得、高周波
数特性化が求められている。
【0008】しかしながら、これらの要求に応えようと
した場合に、上述した従来における固体撮像素子の出力
回路では、いずれのものも以下に述べるような難点があ
る。
【0009】例えば、図2に示した出力回路では、高入
出力利得、高周波数特性化の実現のために、チップ内に
DCバイアス生成回路VGGを設ける必要がある。その
ため、近年のCCD固体撮像素子を用いたアプリケーシ
ョン(カメラシステム等)の小型化傾向に伴って光学系
のシュリンク(縮小化)が進む中で、チップサイズの小
型化を図る上での大きな障害、すなわち小型化を妨げる
大きな要因の一つとなってしまう。また、DCバイアス
生成回路VGGを別途設ける必要があることから、その
DCバイアス生成回路VGG自体にばらつき成分が生じ
てしまうおそれがある。この場合には、そのばらつき成
分が出力回路にそのまま影響するため、結果として出力
回路自体の特性ばらつきを増大させる要因になってしま
う。
【0010】一方、図3に示した出力回路では、DCバ
イアス生成回路VGGが不要なことから、チップサイズ
小型化の妨げとなったり、出力回路の特性ばらつきの増
大を招いたりすることはない。ところが、高入出力利
得、高周波数特性化を実現するためには、高電源電圧化
が必要になったり、入力側から見て初段のドライブトラ
ンジスタ11のシュリンクやゲート絶縁膜の薄膜化等を
施したりする必要がある。したがって、この場合には、
ロードトランジスタ12のドレイン電極12cの電位が
必然的に高い値となってしまう。つまり、ロードトラン
ジスタ12のゲート−ドレイン間(図3中の12b−1
2c間)における電圧が非常に高くなってしまい、ドレ
インとの耐圧が確保できなくなることから、電気的に耐
用できないという問題が生じる可能性がある。
【0011】そこで、本発明は、高利得、高周波数特性
および高耐圧性を確保しつつも、ロードトランジスタの
ゲートにDCバイアスを引加するための内蔵回路を不要
にすることで、チップサイズの小型化等に容易に対応す
ることが可能な固体撮像素子の出力回路を提供すること
を目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するための案出された固体撮像素子の出力回路であ
る。すなわち、少なくとも1段のソースフォロワ回路を
具備する固体撮像素子の出力回路において、前記ソース
フォロワ回路を構成する負荷トランジスタのドレイン電
極にその負荷トランジスタのソース電極の電位をフィー
ドバックさせるフィードバックトランジスタを設けたこ
とを特徴とするものである。
【0013】上記構成の固体撮像素子の出力回路によれ
ば、フィードバックトランジスタが負荷トランジスタ
(すなわちロードトランジスタ)のソース電極の電位を
そのドレイン電極にフィードバックさせることから、フ
ィードバックトランジスタおよび負荷トランジスタによ
って定電流回路が構成されることになる。したがって、
出力回路の全体的な入出力特性には大きな影響を及ぼす
ことなく、負荷トランジスタのドレイン電極の電位を低
下させることができる。つまり、例えば負荷トランジス
タへのゲートバイアス用のDC生成回路を廃して、その
負荷トランジスタへのゲートを接地した場合であって
も、その負荷トランジスタのゲート−ドレイン間の電圧
は緩和され、電気的耐圧不良を引き起こすことがない。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明に係る
固体撮象素子の出力回路について説明する。図1は、本
発明に係る固体撮象素子の出力回路の要部の概略構成例
を示す回路図である。なお、図中において、従来のもの
(図2,図3参照)と同一の構成要素については、同一
の符号を与えている。
【0015】図1に示すように、本実施形態における固
体撮象素子の出力回路も、従来のものと同様に(図2,
図3参照)、n段のソースフォロワ回路1,2,…,n
が縦列接続されたものである。
【0016】各段のソースフォロワ回路1,2,…,n
は、それぞれ、信号出力を駆動するドライブトランジス
タ11と、定電流を制御するロード(負荷)トランジス
タ12とを備えている。そして、各ドライブトランジス
タ11のドレイン電極11aには回路電源VDDが接続
されており、各ロードトランジスタ12のソース電極1
2aは接地抵抗R1を介してGNDに接地されている。
【0017】また、各ロードトランジスタ12は、それ
ぞれのゲート電極12bがGND(0V)へ短絡してい
る。これにより、本実施形態の出力回路では、各ロード
トランジスタ12のゲートバイアスが必要であっても、
従来のような専用のDCバイアス生成回路VGGを不要
にしている。
【0018】ただし、本実施形態の出力回路では、従来
のものとは大きく異なり、各段のソースフォロワ回路
1,2,…,nが、ドライブトランジスタ11およびロ
ードトランジスタ12に加えて、フィードバックトラン
ジスタ13をも備えて構成されている。
【0019】フィードバックトランジスタ13は、ドラ
イブトランジスタ11のソース電極11cと、ロードト
ランジスタ12のドレイン電極12cとの間に位置す
る、チャネルポテンシャルが適正値に設定されたトラン
ジスタである。
【0020】また、フィードバックトランジスタ13
は、そのゲート電極13aが、それぞれ対応するロード
トランジスタ12のソース電極12aと短絡しており、
これによってそのソース電極12aの電位を各ロードト
ランジスタ12のドレイン電極12cにフィードバック
させるようになっている。
【0021】このように構成された出力回路では、各フ
ィードバックトランジスタ13が各ロードトランジスタ
12のソース電極12aの電位をそのドレイン電極12
cにフィードバックさせていることから、これらフィー
ドバックトランジスタ13およびロードトランジスタ1
2によって定電流回路が構成されることになる。つま
り、ロードトランジスタ12のソース電極12aの電位
は、ある定まったDCレベルとなっているが、これをフ
ィードバックトランジスタ13のゲート電極13aと短
絡させることによって、フィードバックトランジスタ1
3およびロードトランジスタ12は、定電流回路とな
る。
【0022】したがって、各段のソースフォロワ回路
1,2,…,nにおけるソース抵抗として定電流回路が
用いられることから、出力回路の全体的な入出力特性に
は大きな影響を及ぼすことなく、ロードトランジスタ1
2のドレイン電極12cの電位を低下させることができ
る。つまり、ロードトランジスタ12のゲート−ドレイ
ン間(図中の12b−12c間)における電圧が非常に
高くなってしまうことがないので、従来のような電気的
に耐用できなくなるという問題を回避し得るようにな
る。
【0023】これにより、この出力回路では、初段のド
ライブトランジスタ11のゲート電極11bに入力され
た電圧信号VINを、2〜n段目のソースフォロワ回路
2,…,nを経て、n段目のドライブトランジスタのソ
ース電極から出力信号VOUTとして出力して、その電
圧信号VINに対するインピーダンス変換を行うが、そ
のインピーダンス変換を高利得、高周波数特性および高
耐圧性を確保しつつ行うことができるようになる。
【0024】以上のように、本実施形態の出力回路で
は、各ロードトランジスタ12のゲートバイアスが必要
であっても、各ロードトランジスタ12のゲート電極1
2bをGNDへ短絡しているので、従来のような専用の
DCバイアス生成回路VGGが不要となり、出力信号の
高入出力利得、高周波数特性化を実現しつつ、チップサ
イズの小型化に貢献できるようになる。
【0025】また、本実施形態の出力回路では、DCバ
イアス生成回路VGGが不要なことから、そのばらつき
成分の影響を受けてしまうことが無くなり、結果として
CCD固体撮像素子自体の信号入出力特性のばらつきを
抑えられるようになる。
【0026】しかも、本実施形態の出力回路では、各ロ
ードトランジスタ12のゲート電極12bをGNDへ短
絡して、DCバイアス生成回路VGGを不要にした場合
であっても、フィードバックトランジスタ13によるフ
ィードバック作用により、ロードトランジスタ12のゲ
ート−ドレイン間(図中の12b−12c間)の電圧が
緩和されるので、ゲート−ドレイン間の耐圧を確保する
ことでき、従来のように電気的耐圧不良を引き起こすと
いった問題が生じることもない。
【0027】これらのことから、本実施形態の出力回路
を用いれば、高利得、高周波数特性および高耐圧性を確
保しつつも、チップサイズ小型化等への対応が容易とな
るので、近年におけるCCD固体撮像素子の撮像部光学
系の小型化に伴う出力電圧の低下(感度の低下)対策や
多画素化に伴う信号出力の高速化への対応に非常に好適
なものとなる。
【0028】なお、本実施形態では、出力回路が複数段
のソースフォロワ回路1,2,…,nを具備する場合を
例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるもの
ではない。すなわち、少なくとも1段のソースフォロワ
回路を具備する出力回路であれば、本発明を適用するこ
とが考えられる。
【0029】また、本実施形態では、複数段のソースフ
ォロワ回路1,2,…,nの全てがフィードバックトラ
ンジスタ13を備えて構成される場合について説明した
が、例えば一部のソースフォロワ回路のみにフィードバ
ックトランジスタ13を設けても良く、その場合であっ
ても、高利得、高周波数特性および高耐圧性を確保しつ
つ、チップサイズの小型化等を容易にすることが可能で
ある。
【0030】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明における
固体撮像素子の出力回路は、フィードバックトランジス
タが負荷トランジスタのソース電極の電位をそのドレイ
ン電極にフィードバックさせることから、出力回路の全
体的な入出力特性には大きな影響を及ぼすことなく、負
荷トランジスタのドレイン電極の電位を低下させること
ができる。したがって、例えば負荷トランジスタへのゲ
ートバイアス用のDC生成回路を廃して、その負荷トラ
ンジスタへのゲートを接地した場合であっても、その負
荷トランジスタのゲート−ドレイン間の電圧は緩和さ
れ、電気的耐圧不良を引き起こすことがなくなるので、
高利得、高周波数特性および高耐圧性を確保しつつも、
チップサイズの小型化およびCCD固体撮像素子自体の
信号入出力特性ばらつきの抑制が可能になるという効果
を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る固体撮象素子の出力回路の要部の
概略構成例を示す回路図である。
【図2】従来における固体撮象素子の出力回路の要部の
概略構成例を示す回路図である。
【図3】従来における固体撮象素子の出力回路の要部の
概略構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
1,2,n…ソースフォロワ回路、11…ドライブトラ
ンジスタ、12…ロード(負荷)トランジスタ、13…
フィードバックトランジスタ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも1段のソースフォロワ回路を
    具備する固体撮像素子の出力回路において、 前記ソースフォロワ回路を構成する負荷トランジスタの
    ドレイン電極に当該負荷トランジスタのソース電極の電
    位をフィードバックさせるフィードバックトランジスタ
    を設けたことを特徴とする固体撮像素子の出力回路。
JP2000239316A 2000-08-08 2000-08-08 固体撮像素子の出力回路 Pending JP2002057946A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000239316A JP2002057946A (ja) 2000-08-08 2000-08-08 固体撮像素子の出力回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000239316A JP2002057946A (ja) 2000-08-08 2000-08-08 固体撮像素子の出力回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002057946A true JP2002057946A (ja) 2002-02-22

Family

ID=18730873

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000239316A Pending JP2002057946A (ja) 2000-08-08 2000-08-08 固体撮像素子の出力回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002057946A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008271159A (ja) 固体撮像装置
US9635298B2 (en) Comparator circuit, imaging apparatus using the same, and method of controlling comparator circuit
US8379124B2 (en) Solid-state imaging apparatus with switched capacitors
US20130235240A1 (en) Imaging device, imaging system, and driving method of imaging device
JP2575964B2 (ja) 固体撮像装置
US7605853B2 (en) Solid-state image sensing device and camera
US20060038903A1 (en) Semiconductor device and camera using same
US20070159557A1 (en) Semiconductor integrated circuit
JP2008079072A (ja) 固体撮像素子のcds回路
KR100296451B1 (ko) 개선된이득을가지는소오스팔로워회로및그것을이용한고체촬상장치의출력회로
JP3452444B2 (ja) ドライバ回路
JP2008124229A (ja) 固体撮像素子
KR100279294B1 (ko) 개선된 이득을 가지는 소오스 팔로워 회로 및그것을 이용한 고체 촬상 장치의 출력 회로
JPH10136266A (ja) 固体撮像装置
US7274224B2 (en) Semiconductor device and camera using same
US7488998B2 (en) Solid-state imaging apparatus
US6731336B1 (en) Solid-state imaging apparatus with self-compensating voltage supply circuit
JP2002057946A (ja) 固体撮像素子の出力回路
JP2007028192A (ja) 固体撮像素子のcds回路
JP3384045B2 (ja) シンクチップクランプ/同期分離回路
JP6733540B2 (ja) 半導体集積回路および撮像装置
JP4055683B2 (ja) 固体撮像素子
US20070090273A1 (en) High performance charge detection amplifier for CCD image sensors
JP4797600B2 (ja) 固体撮像素子の出力バッファ回路およびこれを用いた固体撮像装置
JPH11234567A (ja) Ccd固体撮像素子の出力回路