JP2002055226A - Polarizing element and method for manufacturing the same - Google Patents

Polarizing element and method for manufacturing the same

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JP2002055226A
JP2002055226A JP2000238829A JP2000238829A JP2002055226A JP 2002055226 A JP2002055226 A JP 2002055226A JP 2000238829 A JP2000238829 A JP 2000238829A JP 2000238829 A JP2000238829 A JP 2000238829A JP 2002055226 A JP2002055226 A JP 2002055226A
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base film
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Mitsuhiro Kawazu
光宏 河津
Hiroaki Yamamoto
博章 山本
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Nippon Sheet Glass Co Ltd
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Nippon Sheet Glass Co Ltd
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    • G02B5/3058Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polarizing element having the improved adhesibility at a low cost and additionally enabling to manufacture a large area polarizing element and a method for manufacture the same. SOLUTION: A substrate film 12 containing at least a kind of compound selected from a group of compounds A and/or B for a substrate film raw material as a main component is formed on a reference surface 11a of a glass substrate 11. A metal dispersion film 13 is formed on the substrate film 12 by coating it with a coating liquid containing at least a kind of compound of an element selected from a metal compound and a group of raw materials of a metal dispersion film coating liquid as a main component. Subsequently fine metal particles 14 with anisotropy in shape are selectively deposited on a film boundary surface 16 between the substrate film 12 and the metal dispersion film 13 by heat or electromagnetic wave irradiation treatment. Thereby the adhesibility and wear resistance of the substrate film 12 and the metal dispersion film 13 are improved and at the same time, the large area polarizing element becomes manufacturable at a low cost.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信、光記録、
光センサー等に使用される偏光素子及びその製造方法に
関するものである。さらに具体的にいえば、透明基板上
の下地膜と金属分散膜との膜界面に、金属微粒子を選択
的に析出させた偏光素子及びその製造方法に関するもの
である。
The present invention relates to optical communication, optical recording,
The present invention relates to a polarizing element used for an optical sensor and the like and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a polarizing element in which metal fine particles are selectively deposited on a film interface between a base film and a metal dispersion film on a transparent substrate, and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、真空蒸着やスパッタリング等の薄
膜形成プロセスを用いてガラス等の基板上に、金属層と
誘電体層とを交互に複数積層し、次いで、基板の軟化点
以上の温度で基板を引き延ばし、金属層を引き延ばし方
向に配向された不連続の島状金属粒子層に変形させるこ
とにより、偏光特性を発現させた偏光素子およびその製
造方法が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a plurality of metal layers and dielectric layers are alternately laminated on a substrate such as glass by using a thin film forming process such as vacuum deposition or sputtering, and then, at a temperature higher than the softening point of the substrate. 2. Description of the Related Art There is known a polarizing element in which polarization characteristics are developed by stretching a substrate and deforming a metal layer into a discontinuous island-like metal particle layer oriented in the stretching direction, and a method of manufacturing the same.

【0003】また、上記薄膜形成プロセスを用いて、誘
電体薄膜と金属薄膜とを交互に数百層にわたって積層さ
せて偏光特性を発現させた多層膜積層型の偏光素子が知
られている。
Further, there is known a multi-layer laminated type polarizing element in which a dielectric thin film and a metal thin film are alternately laminated over several hundred layers by using the above-mentioned thin film forming process to exhibit polarization characteristics.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記金属層と
誘電体層とからなる交互積層膜を加熱延伸することによ
り偏光特性を発現させた偏光素子においては、基板を引
き延ばして金属粒子層を形成する工程を必要とするた
め、加熱延伸後の交互積層膜表面に変形や面荒れなどが
生じ、偏光特性を低下させたり、散乱などによる損失の
増加を引き起こしたりするという問題があった。また、
誘電体薄膜と金属薄膜とを交互に多層積層させた多層膜
積層型の偏光素子においては、金属薄膜と誘電体薄膜と
の密着性が悪いため、多層膜間での剥離が生じやすいと
いう問題があった。さらに、多層膜積層型偏光子を作製
する場合は、真空蒸着やスパッタリング等の薄膜形成プ
ロセスを用いてガラス等の基板上に金属層を形成する必
要があり、低コスト化に不向きであるという問題があっ
た。
However, in a polarizing element in which polarization characteristics are developed by heating and stretching an alternately laminated film composed of the metal layer and the dielectric layer, the substrate is elongated to form a metal particle layer. Therefore, there is a problem that deformation and surface roughness are generated on the surface of the alternately laminated film after the heat stretching, thereby deteriorating the polarization characteristics and increasing the loss due to scattering and the like. Also,
In a multilayer laminated polarizing element in which a dielectric thin film and a metal thin film are alternately laminated, a problem that peeling between the multilayer films easily occurs due to poor adhesion between the metal thin film and the dielectric thin film. there were. Furthermore, when producing a multilayer laminated polarizer, it is necessary to form a metal layer on a substrate such as glass using a thin film forming process such as vacuum evaporation or sputtering, which is not suitable for cost reduction. was there.

【0005】加えて、従来技術を用いて実用に供される
偏光素子は、いずれも小面積であり、用途が限られる問
題があった。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、低コストで密着性を向上させ、
加えて大面積の偏光素子の作製を可能とする偏光素子及
びその製造方法を提供することにある。
[0005] In addition, the polarizing elements that are put into practical use using the prior art have a small area, and there is a problem that the applications are limited. The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to improve adhesion at low cost,
In addition, another object of the present invention is to provide a polarizing element capable of manufacturing a polarizing element having a large area and a manufacturing method thereof.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、請求項1に記載の発明は、透明基板上に、金属微
粒子を引きつける作用をもつ成分を含有する下地膜を形
成し、その下地膜上に、金属イオンを含有する塗布液を
塗布して金属分散膜を形成した後、前記下地膜と金属分
散膜との膜界面に、金属微粒子を選択的に析出させるこ
とを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, the invention according to claim 1 is to form a base film containing a component having an action of attracting metal fine particles on a transparent substrate. After forming a metal dispersion film by applying a coating solution containing metal ions on the base film, selectively depositing metal fine particles at a film interface between the base film and the metal dispersion film. .

【0007】請求項2に記載の発明は、透明基板上に、
酸化チタン、酸化セリウム、酸化スズ、酸化ビスマス、
酸化コバルト、酸化銅、酸化アルミニウム、酸化マグネ
シウム、酸化マンガン、酸化クロム、酸化インジウム、
酸化バナジウム、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化亜鉛、酸
化タングステン、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化
バリウム、酸化イッテルビウム、酸化ニオブ、酸化モリ
ブデン、酸化イットリウム、酸化ルテニウム、酸化ゲル
マニウム、酸化鉛、酸化ホウ素からなる群(以下、この
群を下地膜原料化合物群Aとする)から選択される少な
くとも1種の化合物を主成分として含有する下地膜を形
成し、その下地膜上に金属化合物と、珪素、ジルコニウ
ム、チタン、セリウム、スズ、ビスマス、コバルト、
銅、アルミニウム、マグネシウム、マンガン、クロム、
インジウム、バナジウム、鉄、ニッケル、亜鉛、タング
ステン、タンタル、ハフニウム、バリウム、イッテルビ
ウム、ニオブ、モリブデン、イットリウム、ルテニウ
ム、ゲルマニウム、鉛、ホウ素からなる群(以下、この
群を金属分散膜塗布液原料群とする)から選ばれる少な
くとも1種の元素の化合物と、を主成分として含有する
塗布液を塗布して金属分散膜を形成した後、熱処理また
は電磁波照射を施すことにより、前記下地膜と金属分散
膜との膜界面に、金属微粒子を選択的に析出させること
を特徴とする。
[0007] According to a second aspect of the present invention, on a transparent substrate,
Titanium oxide, cerium oxide, tin oxide, bismuth oxide,
Cobalt oxide, copper oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, manganese oxide, chromium oxide, indium oxide,
Group consisting of vanadium oxide, iron oxide, nickel oxide, zinc oxide, tungsten oxide, tantalum oxide, hafnium oxide, barium oxide, ytterbium oxide, niobium oxide, molybdenum oxide, yttrium oxide, ruthenium oxide, germanium oxide, lead oxide, and boron oxide (Hereinafter, this group is referred to as “base film raw material compound group A”). A base film containing at least one compound selected from the group consisting of a metal compound, silicon, zirconium, and titanium is formed on the base film. , Cerium, tin, bismuth, cobalt,
Copper, aluminum, magnesium, manganese, chromium,
A group consisting of indium, vanadium, iron, nickel, zinc, tungsten, tantalum, hafnium, barium, ytterbium, niobium, molybdenum, yttrium, ruthenium, germanium, lead, and boron. A) a coating liquid containing at least one compound selected from the group consisting of a base material and a metal dispersion film by applying a heat treatment or an electromagnetic wave irradiation to form a metal dispersion film. Metal fine particles are selectively deposited at the film interface with the above.

【0008】請求項3に記載の発明は、請求項1または
請求項2に記載の偏光素子の製造方法において、前記下
地膜は、酸化珪素、酸化ジルコニウムからなる群(以
下、この群を下地膜原料化合物群Bとする)から選択さ
れる少なくとも1種の化合物を含有することを特徴とす
る。
According to a third aspect of the present invention, in the method of manufacturing a polarizing element according to the first or second aspect, the base film is a group consisting of silicon oxide and zirconium oxide (hereinafter, this group is referred to as a base film). (Hereinafter referred to as “raw material compound group B”).

【0009】請求項4に記載の発明は、請求項1から請
求項3のいずれかに記載の偏光素子の製造方法におい
て、前記下地膜は、質量%で表して、前記下地膜原料化
合物群Aから選択される少なくとも1種の化合物を2〜
100質量%、前記下地膜原料化合物群Bから選択され
る少なくとも1種の化合物を0〜98質量%以下、含有
することを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a polarizing element according to any one of the first to third aspects, the base film raw material compound group A is represented by mass%. At least one compound selected from the group consisting of
It is characterized by containing 100% by mass and 0 to 98% by mass or less of at least one compound selected from the base film raw material compound group B.

【0010】請求項5に記載の発明は、請求項1から請
求項4のいずれかに記載の偏光素子の製造方法におい
て、前記金属分散膜の原料となる塗布液は、固形物とな
ったときの質量%で表して、金属を0.2〜50質量
%、酸化珪素、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化セ
リウム、酸化スズ、酸化ビスマス、酸化コバルト、酸化
銅、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化マンガ
ン、酸化クロム、酸化インジウム、酸化バナジウム、酸
化鉄、酸化ニッケル、酸化亜鉛、酸化タングステン、酸
化タンタル、酸化ハフニウム、酸化バリウム、酸化イッ
テルビウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化イット
リウム、酸化ルテニウム、酸化ゲルマニウム、酸化鉛、
酸化ホウ素からなる群(以下、この群を金属分散膜原料
化合物群とする)から選択される少なくとも1種の化合
物を50〜99.8質量%、含有することを特徴とす
る。
According to a fifth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a polarizing element according to any one of the first to fourth aspects, the coating liquid as a raw material of the metal dispersion film becomes a solid. 0.2% to 50% by mass of a metal, silicon oxide, zirconium oxide, titanium oxide, cerium oxide, tin oxide, bismuth oxide, cobalt oxide, copper oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, manganese oxide; Chromium oxide, indium oxide, vanadium oxide, iron oxide, nickel oxide, zinc oxide, tungsten oxide, tantalum oxide, hafnium oxide, barium oxide, ytterbium oxide, niobium oxide, molybdenum oxide, yttrium oxide, ruthenium oxide, germanium oxide, lead oxide ,
It is characterized by containing 50 to 99.8% by mass of at least one compound selected from the group consisting of boron oxide (hereinafter, this group is referred to as a metal dispersion film raw material compound group).

【0011】請求項6に記載の発明は、請求項1から請
求項5のいずれかに記載の製造方法により製造された偏
光素子を特徴とする。 <作用>本発明の偏光素子及びその製造方法において、
下地膜と金属分散膜との膜界面に、金属微粒子が析出さ
れる現象は、着色膜被覆ガラス板を作製するゾルゲル法
により説明される。すなわち、ゾルゲル法において、マ
トリックスであるシリカの膜の中に金微粒子が分散され
た着色膜被覆ガラス板を得る場合、例えば、J.Sol
‐Gel.Sci.Techn.1,305〜312
(1994)においては、ゾルの乾燥過程において金微
粒子の成長過程とマトリックスの収縮過程とが同時に起
こるため、シリカマトリックスの網目構造が急激に収縮
し、金微粒子が膜外へはじき出される現象がある。すな
わち、本発明においては、例えば、この現象のような金
属化合物を含むゾルの硬化過程における金属微粒子の析
出挙動に着目して、下地膜と金属分散膜との膜界面に、
金属微粒子を析出させようとしたものである。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a polarizing element manufactured by the method according to any one of the first to fifth aspects. <Operation> In the polarizing element and the method of manufacturing the same according to the present invention,
The phenomenon that metal fine particles are deposited at the film interface between the underlayer film and the metal dispersion film is explained by a sol-gel method for producing a glass plate coated with a colored film. That is, when a colored film-coated glass plate in which fine gold particles are dispersed in a silica film serving as a matrix is obtained by the sol-gel method, for example, J. Am. Sol
-Gel. Sci. Techn. 1,305-312
In (1994), since the growth process of the gold fine particles and the contraction process of the matrix occur simultaneously in the drying process of the sol, there is a phenomenon that the network structure of the silica matrix is rapidly contracted, and the gold fine particles are repelled out of the film. That is, in the present invention, for example, paying attention to the deposition behavior of metal fine particles in the curing process of a sol containing a metal compound such as this phenomenon, at the film interface between the base film and the metal dispersion film,
It is intended to precipitate metal fine particles.

【0012】また、下地膜と金属分散膜との膜界面に、
金属微粒子が選択的に析出される理由は、金属分散膜中
の金属と下地膜との間における相互作用(例えば静電的
作用など)により、金属分散膜中の金属が引きつけら
れ、ゾルが硬化する前に金属微粒子が膜界面に集まるた
めと推定される。従って、本発明においてはこのような
現象と、前述したゾルゲル法において説明される金属化
合物を含むゾルの硬化過程における金属微粒子の析出挙
動と、を組み合わせることにより、下地膜と金属分散膜
との膜界面に選択的に金属微粒子を偏析させるという特
異な現象を生じさせたものである。
Further, at the film interface between the underlayer film and the metal dispersion film,
The reason that the metal fine particles are selectively deposited is that the metal in the metal dispersion film is attracted by the interaction between the metal in the metal dispersion film and the underlying film (for example, electrostatic action), and the sol is cured. It is presumed that the metal fine particles gather at the film interface before the formation. Therefore, in the present invention, by combining such a phenomenon and the precipitation behavior of metal fine particles in the curing process of the sol containing the metal compound described in the sol-gel method described above, the film of the base film and the metal dispersion film is formed. This is a unique phenomenon in which metal fine particles are selectively segregated at the interface.

【0013】以下、下地膜の組成について説明する。前
記、下地膜原料化合物群Aに含まれる物質は、金属化合
物を含有する塗布液が熱処理、あるいは電磁波照射を施
され還元されるときに、金属微粒子を引きつける作用
と、下地膜と金属分散膜との密着性を上げる作用とを発
揮する。そのため、この群から選択された1種以上の化
合物の組成比を調節することにより、金属微粒子が下地
膜界面に析出する挙動、具体的には、析出する金属微粒
子の粒子径を制御することができる。
Hereinafter, the composition of the underlayer will be described. The substance contained in the base film raw material compound group A has a function of attracting metal fine particles when the coating solution containing the metal compound is subjected to heat treatment or electromagnetic wave irradiation and is reduced, and the base film and the metal dispersion film It has the effect of increasing the adhesion of Therefore, by adjusting the composition ratio of one or more compounds selected from this group, it is possible to control the behavior of the metal fine particles to precipitate at the interface of the base film, specifically, to control the particle diameter of the precipitated metal fine particles. it can.

【0014】この群に含まれる物質のうち、酸化チタ
ン、酸化セリウム、酸化スズ、酸化ビスマスは金属微粒
子を引きつける作用が大きく好適に用いられる。前記下
地膜原料化合物群Aに含まれる物質の含有量は、下地膜
が焼成されたときのそれぞれ酸化チタン(TiO2)、
酸化セリウム(CeO2)、酸化スズ(SnO2)、酸化
ビスマス(Bi23)、酸化コバルト(CoO)、酸化
銅(CuO)、酸化アルミニウム(Al23)、酸化マ
グネシウム(MgO)、酸化マンガン(MnO2)、酸
化クロム(Cr23)、酸化インジウム(In23)、
酸化バナジウム(V25)、酸化鉄(Fe23)、酸化
ニッケル(NiO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化タング
ステン(WO2)、酸化タンタル(Ta23)、酸化ハ
フニウム(HfO2)、酸化バリウム(BaO)、酸化
イッテルビウム(Yb23)、酸化ニオブ(Nb
2)、酸化モリブデン(MoO2)、酸化イットリウム
(Y23)、酸化ルテニウム(RuO2)、酸化ゲルマ
ニウム(GeO2)、酸化鉛(PbO)、酸化ホウ素
(B23)に換算した質量%で表して、2〜100質量
%が好ましく、より好ましくは5〜100質量%であ
る。これらの含有量が2%未満であると、金属微粒子を
引きつける作用が発揮されず、下地膜と金属分散膜との
膜界面に金属微粒子が析出しなくなる。
Among the substances contained in this group, titanium oxide, cerium oxide, tin oxide and bismuth oxide have a large effect of attracting metal fine particles and are suitably used. The content of the substance contained in the base film raw material compound group A is determined by, when the base film is baked, titanium oxide (TiO 2 ),
Cerium oxide (CeO 2 ), tin oxide (SnO 2 ), bismuth oxide (Bi 2 O 3 ), cobalt oxide (CoO), copper oxide (CuO), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), magnesium oxide (MgO), Manganese oxide (MnO 2 ), chromium oxide (Cr 2 O 3 ), indium oxide (In 2 O 3 ),
Vanadium oxide (V 2 O 5 ), iron oxide (Fe 2 O 3 ), nickel oxide (NiO), zinc oxide (ZnO), tungsten oxide (WO 2 ), tantalum oxide (Ta 2 O 3 ), hafnium oxide (HfO) 2 ), barium oxide (BaO), ytterbium oxide (Yb 2 O 3 ), niobium oxide (Nb
O 2 ), molybdenum oxide (MoO 2 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ), ruthenium oxide (RuO 2 ), germanium oxide (GeO 2 ), lead oxide (PbO), and boron oxide (B 2 O 3 ) 2 to 100% by mass, and more preferably 5 to 100% by mass. When the content is less than 2%, the effect of attracting the fine metal particles is not exhibited, and the fine metal particles do not precipitate at the film interface between the base film and the metal dispersion film.

【0015】また、金属分散膜中の金属と相互作用を示
すその他の化合物、例えば、下地膜原料化合物群Bに含
まれる物質は、前記下地膜原料化合物群Aが金属微粒子
を引きつける作用とは逆の作用を示すので、金属微粒子
が下地膜界面に析出する挙動、具体的には、析出する金
属微粒子の粒子径を制御する成分として適用可能であ
る。これらの物質は、目的に応じて下地膜原料化合物群
Aと適宜、混合して用いられる。
Further, other compounds that interact with the metal in the metal dispersion film, for example, the substances contained in the base film raw material compound group B are opposite to the function of the base film raw material compound group A to attract metal fine particles. Therefore, it can be applied as a component for controlling the behavior of the metal fine particles to be deposited at the interface of the underlayer, specifically, the particle diameter of the deposited metal fine particles. These substances are appropriately mixed and used with the base film raw material compound group A according to the purpose.

【0016】下地膜原料化合物群Bの含有量は、下地膜
が焼成されたときの、それぞれ酸化珪素(SiO2)、
酸化ジルコニウム(ZrO2)に換算した質量%で表し
て、0〜98質量%が好ましく、より好ましくは0〜9
5質量%である。含有量が98%を超えると、下地膜界
面に金属微粒子が析出しなくなる。
The content of the base film raw material compound group B is determined based on the values of silicon oxide (SiO 2 ) and
Expressed in mass% in terms of zirconium oxide (ZrO 2), it is preferably 0 to 98 wt%, more preferably 0-9
5% by mass. When the content exceeds 98%, metal fine particles do not precipitate at the interface of the underlayer.

【0017】また、上述した金属酸化物以外に、金属と
配位する作用を有する有機化合物なども、金属微粒子が
下地膜界面に析出する挙動、具体的には、析出する金属
微粒子の粒子径を制御する下地膜の成分として適用可能
である。前記有機化合物としては、アミノ基、S−S
基、SH基などの官能基を有する有機化合物が好適に用
いられる。
In addition to the above-mentioned metal oxides, an organic compound having an action of coordinating with a metal may also have a behavior in which metal fine particles are deposited at the interface of the underlayer, specifically, the particle diameter of the deposited metal fine particles. It can be applied as a component of a base film to be controlled. The organic compound includes an amino group, SS
Organic compounds having a functional group such as a group or an SH group are preferably used.

【0018】次に、金属化合物と前記金属分散膜塗布液
原料群から選ばれる少なくとも1種の元素の化合物とを
主成分として含有する塗布液の組成について説明する。
金属化合物は、熱処理あるいは電磁波照射を施されるこ
とにより還元され、金属微粒子として金属分散膜から下
地膜界面へ析出して偏光特性を付与する重要な材料であ
る。従って、金属の含有量を調整することにより、得ら
れる偏光素子の偏光特性を制御することができる。
Next, the composition of a coating solution containing as a main component a metal compound and a compound of at least one element selected from the group of coating materials for a metal dispersion film will be described.
The metal compound is an important material that is reduced by heat treatment or electromagnetic wave irradiation, and is precipitated as metal fine particles from the metal dispersion film at the interface of the base film to impart polarization characteristics. Therefore, by adjusting the content of the metal, the polarization characteristics of the obtained polarizing element can be controlled.

【0019】前記金属としては、好ましくは貴金属が用
いられ、さらに好ましくは金または銀が用いられる。金
属微粒子の含有量は、質量%で表して0.2〜50質量
%が好ましく、より好ましくは0.5〜20質量%であ
る。金属微粒子としての含有量が50質量%を超える
と、下地膜と金属分散膜との膜界面に偏析する金属微粒
子の量が多くなり、下地膜と金属分散膜との密着性が低
下する。0.2質量%未満であると、効果的な偏光特性
が得られない。
As the metal, a noble metal is preferably used, and more preferably, gold or silver is used. The content of the metal fine particles is preferably from 0.2 to 50% by mass, more preferably from 0.5 to 20% by mass in terms of% by mass. If the content as the metal fine particles exceeds 50% by mass, the amount of the metal fine particles segregating at the film interface between the base film and the metal dispersion film increases, and the adhesion between the base film and the metal dispersion film decreases. If it is less than 0.2% by mass, effective polarization characteristics cannot be obtained.

【0020】前記熱処理は200℃以上の温度で行われ
ることが好ましい。電磁波照射を行う場合は、エネルギ
の高い紫外線を用いるのが好ましい。金属分散膜原料化
合物群のうち、酸化珪素と酸化ジルコニウムが、塗布液
としてのゾルの調整のしやすさと、以下に述べる特性を
利用できるので、好適に用いられる。
Preferably, the heat treatment is performed at a temperature of 200 ° C. or higher. When performing electromagnetic wave irradiation, it is preferable to use ultraviolet rays having high energy. Among the metal dispersion film raw material compounds, silicon oxide and zirconium oxide are preferably used because the sol as a coating solution can be easily adjusted and the characteristics described below can be used.

【0021】酸化珪素は、金属微粒子が下地膜と金属分
散膜との膜界面に偏析したときに、下地膜と結合して、
下地膜と金属分散膜との密着性を向上させる作用を示
す。また、金属微粒子が下地膜と金属分散膜との膜界面
へ偏析するのを補助する役割をも有している。特に、金
の場合、上述したように、ゾルの乾燥過程において金微
粒子の成長過程とマトリックスの収縮過程とが同時に起
こるため、シリカマトリックスの網目構造が急激に収縮
し、金微粒子を膜外へはじき出す作用を示す。
When the fine metal particles segregate at the film interface between the base film and the metal dispersion film, the silicon oxide binds to the base film,
The effect of improving the adhesion between the base film and the metal dispersion film is shown. Further, it also has a role of assisting the segregation of the metal fine particles to the film interface between the base film and the metal dispersion film. In particular, in the case of gold, as described above, since the growth process of the gold fine particles and the contraction process of the matrix occur simultaneously in the drying process of the sol, the network structure of the silica matrix is rapidly contracted, and the gold fine particles are ejected out of the film. Show action.

【0022】酸化ジルコニウムは、酸化珪素と同様に、
下地膜と結合して、下地膜と金属分散膜との密着性を向
上させる作用を示す。また、金属微粒子が下地膜と金属
分散膜との膜界面へ偏析するのを補助する役割をも有し
ているほか、屈折率調整剤としての役割も有している。
従って、光学素子として下地膜との屈折率を合わせる必
要がある場合などは、酸化ジルコニウムの含有量を調整
することにより、屈折率の制御が可能である。
Zirconium oxide, like silicon oxide,
It has an effect of improving the adhesion between the base film and the metal dispersion film by binding to the base film. Further, it has a role of assisting segregation of the metal fine particles to the film interface between the base film and the metal dispersion film, and also has a role as a refractive index adjuster.
Therefore, when it is necessary to match the refractive index with the base film as an optical element, the refractive index can be controlled by adjusting the content of zirconium oxide.

【0023】金属分散膜原料化合物の含有量は、偏光特
性を発現させる金属微粒子の含有量を考慮すると、塗布
液が焼成され酸化物となったときの質量%で表して、5
0〜99.8質量%が好ましい。
The content of the raw material compound of the metal dispersion film is represented by 5% by mass when the coating solution is baked to form an oxide, taking into account the content of the metal fine particles exhibiting polarization characteristics.
0-99.8 mass% is preferable.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】本発明においては、図1,図2に
示すように、上記のようにガラス基材11の基準面11
a上に、下地膜原料化合物群Aおよび/またはBから選
ばれる少なくとも1種の化合物を主成分として含有する
下地膜12を形成し、その下地膜12上に金属化合物と
金属分散膜塗布液原料群から選ばれる少なくとも1種の
元素の化合物とを主成分として含有する塗布液を塗布し
て金属分散膜13を形成した後、加熱または電磁波照射
処理することにより、前記下地膜12と金属分散膜13
との膜界面16に形状異方性を有する金属微粒子14が
選択的に析出される。なお、形状異方性を有するとは、
1を超えるアスペクト比を有することを意味する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the present invention, as shown in FIGS.
a, a base film 12 containing, as a main component, at least one compound selected from a base film raw material compound group A and / or B, and a metal compound and a metal dispersion film coating liquid raw material are formed on the base film 12. After forming a metal dispersion film 13 by applying a coating solution containing a compound of at least one element selected from the group as a main component, the base film 12 and the metal dispersion film are heated or irradiated with electromagnetic waves. 13
The metal fine particles 14 having shape anisotropy are selectively deposited at the film interface 16 with the film. In addition, having the shape anisotropy,
It has an aspect ratio greater than 1.

【0025】次に、下地膜や金属分散膜を形成するため
の原料について以下に具体的に説明する。特に膜を形成
する方法のうち、溶液を出発材料として使用する熱分解
法、ロールコート法、スピンコート法など塗布法を採用
する場合の原料について説明する。
Next, raw materials for forming the base film and the metal dispersion film will be specifically described below. In particular, among the methods for forming a film, raw materials in the case of employing a coating method such as a thermal decomposition method using a solution as a starting material, a roll coating method, and a spin coating method will be described.

【0026】まず、下地膜原料化合物群に含まれる化合
物のうち、好適に用いられる酸化チタン、酸化セリウ
ム、酸化スズ、酸化ビスマスの原料について述べる。酸
化チタンの原料としては、チタンアルコキシド、チタン
アセチルアセトナート、チタンカルボキシレートなどの
チタン有機化合物が好適に使用される。チタンアルコキ
シドとしては、一般にチタン(OR)4(Rは炭素数4
までのアルキル基)で表わされるが、反応性から考え
て、チタンイソプロポキシド、チタンブトキシドが望ま
しい。また、チタンの場合にはアセチルアセトナートな
どでキレート化したβ−ジケトン錯体を用いた方が、そ
の安定性から好ましいことも従来から知られている。こ
の場合には一般式として、チタン(OR)mn(m+n
=4,n≠0)で表わされるが、Lがアセチルアセトン
である。この場合には、アセチルアセトナートなどのβ
−ジケトン錯体などでキレート化しても構わないし、市
販のチタンアセチルアセトナートを使用しても構わな
い。更には、酢酸、プロピオン酸、アクリル酸塩などの
有機酸塩を使用することも考えられる。
First, raw materials of titanium oxide, cerium oxide, tin oxide and bismuth oxide which are preferably used among the compounds included in the base film raw material compound group will be described. As a raw material of titanium oxide, titanium organic compounds such as titanium alkoxide, titanium acetylacetonate, and titanium carboxylate are preferably used. As the titanium alkoxide, generally, titanium (OR) 4 (R is 4 carbon atoms)
From the viewpoint of reactivity, titanium isopropoxide and titanium butoxide are preferred. It has also been known that in the case of titanium, the use of a β-diketone complex chelated with acetylacetonate or the like is preferable from the viewpoint of stability. In this case, as a general formula, titanium (OR) m L n (m + n
= 4, n ≠ 0), where L is acetylacetone. In this case, β such as acetylacetonate
-Chelation with a diketone complex or the like may be used, or commercially available titanium acetylacetonate may be used. Furthermore, use of an organic acid salt such as acetic acid, propionic acid, and acrylate can be considered.

【0027】他には酸化チタン微粒子を用いてもよく、
例えば石原産業株式会社製光触媒酸化チタン微粒子(商
品名「STS−01」(粒径(X線粒径)7nm)、
「STS−02」(粒径(X線粒径)7nm)、「CS
−N」)、多木化学株式会社製チタニアゾル「M−6」
(結晶子サイズ5nm)などの市販水分散ゾルの他、石
原産業株式会社製「ST−K01」、「ST−K03」
のような、バインダーを含んだ市販水アルコール混合溶
剤分散チタニアゾルなどが挙げられる。
Alternatively, fine titanium oxide particles may be used.
For example, photocatalytic titanium oxide fine particles (trade name “STS-01” (particle size (X-ray particle size) 7 nm) manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd.),
“STS-02” (particle size (X-ray particle size) 7 nm), “CS
-N "), titania sol" M-6 "manufactured by Taki Kagaku Co., Ltd.
(ST-K01) and “ST-K03” manufactured by Ishihara Sangyo Co., Ltd. in addition to commercially available aqueous dispersion sols such as (crystallite size 5 nm).
And a commercially available water-alcohol mixed solvent-dispersed titania sol containing a binder.

【0028】酸化セリウムの原料としては、セリウムア
ルコキシド、セリウムアセチルアセトナート、セリウム
カルボキシレートなどのセリウム有機化合物が好適に使
用することができる。その他、硝酸塩、硫酸塩、塩化物
等のセリウム無機化合物も使用することができるが、安
定性、入手の容易さからセリウムの硝酸塩及びセリウム
アセチルアセトナートが好ましい。
As a raw material of cerium oxide, cerium organic compounds such as cerium alkoxide, cerium acetylacetonate, and cerium carboxylate can be suitably used. In addition, cerium inorganic compounds such as nitrates, sulfates and chlorides can also be used, but cerium nitrate and cerium acetylacetonate are preferred from the viewpoint of stability and availability.

【0029】酸化スズの原料としてはSnCl4(Cn
2n+1)(ただし、n=1〜4)、C 49SnCl3
(CH32SnCl2、(C492Sn(OCOC
3)、などの有機スズやスズテトラブトキシドなどの
有機スズアルコキシドなどを使用することができる。
The raw material of tin oxide is SnClFour(CnH
2n + 1) (Where n = 1 to 4), C FourH9SnClThree,
(CHThree)TwoSnClTwo, (CFourH9)TwoSn (OCOC
HThree), Such as organotin and tin tetrabutoxide
Organic tin alkoxides and the like can be used.

【0030】酸化ビスマスの原料としては硝酸ビスマ
ス、硫酸ビスマス、塩化ビスマスなどのほかにビスマス
をアセチルアセトンなどのβ−ジケトンでキレート化し
た錯体やビスマス(III)t−ペントキサイドなどが好
ましい。
As a raw material of bismuth oxide, bismuth nitrate, bismuth sulfate, bismuth chloride and the like, a complex obtained by chelating bismuth with a β-diketone such as acetylacetone, and bismuth (III) t-pentoxide are preferable.

【0031】金属分散膜原料化合物群に含まれる化合物
のうち特に好適に用いられる酸化珪素と酸化ジルコニウ
ムの原料について述べる。酸化珪素の原料としては、金
属アルコキシドが好適で、例えばテトラメトキシシラ
ン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、
テトラブトキシシランなどが挙げられる。また、これら
の縮合体(n≧2)、もしくは縮合体の混合物も好便に
用いられる。具体的な縮合体としては、たとえば、ヘキ
サエトキシジシロキサン(n=2)、オクタエトキシト
リシロキサン(n=3)、デカエトキシテトラシロキサ
ン(n=4)、エトキシポリシロキサン(n≧5)など
が使用できる。単量体(n=1)と縮合体(n≧2)の
混合物からなるエチルシリケート40〔組成は、J.C
ihlarの文献、Colloids and Sur
faces A:Physicochem.Eng.A
spects 70 (1993年)253頁〜268
頁に記載されており、質量分率で単量体(n=1):1
2.8質量%、2量体(n=2):10.2質量%、3
量体(n=3):12.0質量%、4量体(n=4):
7.0質量%、多量体(n≧5):56.2質量%、エ
タノール:1.8質量%)である〕などが好適に使用で
きる。また、上記化合物のアルコキシ基が、アルキル基
と置換されたアルキルトリアルコキシシランなども使用
可能である。例えば、アルコキシ基がメチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、2−エチルブチル基、オク
チル基などの直鎖状、あるいは分岐状のアルキル基、シ
クロペンチル基、シクロへキシル基等のシクロアルキル
基、ビニル基、アリル基、γ−メタクリロキシプロピル
基、γ−アクリロキシプロピル基などのようなアルケニ
ル基、フェニル基、トルイル基、キシリル基などのアリ
ール基、ベンジル、フェネチル基などのアラルキル基ま
たはγ−メルカプトプロピル基、γ−クロロプロピル
基、γ−アミノプロピル基などに置換されたものが例示
できる。
The silicon oxide and zirconium oxide raw materials that are particularly preferably used among the compounds included in the metal dispersion film raw material compound group will be described. As a raw material of silicon oxide, metal alkoxide is preferable, for example, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane,
Tetrabutoxysilane and the like can be mentioned. A condensate (n ≧ 2) or a mixture of the condensates is also conveniently used. Specific examples of the condensate include hexaethoxydisiloxane (n = 2), octaethoxytrisiloxane (n = 3), decaethoxytetrasiloxane (n = 4), and ethoxypolysiloxane (n ≧ 5). Can be used. Ethyl silicate 40 consisting of a mixture of a monomer (n = 1) and a condensate (n ≧ 2) [composition: C
ihlar, Colloids and Sur
faces A: Physicochem. Eng. A
specs 70 (1993) p. 253-268.
And the monomer (n = 1) by mass fraction: 1
2.8% by mass, dimer (n = 2): 10.2% by mass, 3
Monomer (n = 3): 12.0% by mass, tetramer (n = 4):
7.0 mass%, multimer (n ≧ 5): 56.2 mass%, ethanol: 1.8 mass%]. Further, an alkyl trialkoxysilane in which the alkoxy group of the above compound is substituted with an alkyl group can also be used. For example, an alkoxy group is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a 2-ethylbutyl group, a linear or branched alkyl group such as an octyl group, a cycloalkyl group such as a cyclopentyl group or a cyclohexyl group, Alkenyl groups such as vinyl group, allyl group, γ-methacryloxypropyl group, γ-acryloxypropyl group, phenyl group, toluyl group, aryl group such as xylyl group, benzyl, aralkyl group such as phenethyl group or γ- Examples thereof include those substituted with a mercaptopropyl group, a γ-chloropropyl group, a γ-aminopropyl group, and the like.

【0032】酸化ジルコニウムの原料としては、テトラ
メトキシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、
テトライソプロポキシジルコニウム、テトラn−プロポ
キシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウム
イソプロパノール錯体、テトライソブトキシジルコニウ
ム、テトラn−ブトキシジルコニウム、テトラsec−
ブトキシジルコニウム、テトラt−ブトキシジルコニウ
ムなどが好便に使用できる。また、上記のジルコニウム
アルコキシドをβ−ケトエステル化合物でキレート化し
たジルコニウムアルコキシドも好適に用いられる。キレ
ート剤としては、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチ
ル、アセト酢酸プロピル、アセト酢酸ブチルのような、
CH3COCH3COOR、(ここでRはCH3、C
25、C37、またはC49)で表されるアセト酢酸エ
ステルを列挙することができ、これらのなかでは、アセ
ト酢酸アルキルエステル、特にアセト酢酸メチルおよび
アセト酢酸エチルが、比較的安価に入手できるので好適
である。ジルコニウムアルコキシドのキレート化の程度
は、一部または全部でもよいが、モル比で(β−ケトエ
ステル)/(ジルコニウムアルコキシド)=2の割合で
キレート化させるのが、キレート化合物が安定であるの
で好ましい。β−ケトエステル化合物以外のキレート
剤、例えば、アセチルアセトンでキレート化したジルコ
ニウムアルコキシドはアルコール等の溶媒に不溶である
ため、沈殿してしまって塗布溶液を調整することができ
ない。さらに、上記のジルコニウムアルコキシドのアル
コキシ基のうちの少なくとも一つが酢酸、プロピオン
酸、ブタン酸、アクリル酸、メタクリル酸、ステアリン
酸などの有機酸類で置き換わったアルコキシジルコニウ
ム有機酸塩類を用いることも可能である。
As raw materials for zirconium oxide, tetramethoxyzirconium, tetraethoxyzirconium,
Tetraisopropoxy zirconium, tetra n-propoxy zirconium, tetraisopropoxy zirconium isopropanol complex, tetraisobutoxy zirconium, tetra n-butoxy zirconium, tetra sec-
Butoxyzirconium, tetra-t-butoxyzirconium and the like can be conveniently used. Further, zirconium alkoxide obtained by chelating the above zirconium alkoxide with a β-ketoester compound is also preferably used. Examples of chelating agents include methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, propyl acetoacetate, and butyl acetoacetate.
CH 3 COCH 3 COOR, where R is CH 3 , C
2 H 5 , C 3 H 7 , or C 4 H 9 ) can be listed, among which acetoacetate alkyl esters, especially methyl acetoacetate and ethyl acetoacetate, It is preferable because it can be obtained at a reasonable cost. The degree of chelation of the zirconium alkoxide may be part or all, but it is preferable to chelate at a molar ratio of (β-ketoester) / (zirconium alkoxide) = 2 because the chelate compound is stable. Chelating agents other than the β-ketoester compound, for example, zirconium alkoxides chelated with acetylacetone are insoluble in solvents such as alcohols, and thus precipitate, making it impossible to prepare a coating solution. Furthermore, it is also possible to use alkoxyzirconium organic acid salts in which at least one of the alkoxy groups of the above zirconium alkoxide is replaced with an organic acid such as acetic acid, propionic acid, butanoic acid, acrylic acid, methacrylic acid, and stearic acid. .

【0033】下地膜12の形成方法は、特に限定される
ものではない。例えば、真空蒸着やスパッタリング等の
薄膜形成プロセスを利用して直接、ガラス基材11上に
成膜することができる。また、熱分解法、スピンコート
法、ロールコート法などを用いる場合には、前記下地膜
原料を有機溶媒に溶解させて下地膜塗布液を作製し、こ
れを透明基材上に塗布した後、200℃〜800℃の温
度で5〜200分間加熱して成膜する方法などにより、
好適にガラス基材11上に形成される。
The method for forming the underlayer 12 is not particularly limited. For example, a film can be directly formed on the glass substrate 11 using a thin film forming process such as vacuum evaporation or sputtering. When using a thermal decomposition method, a spin coating method, a roll coating method, or the like, the base film material is dissolved in an organic solvent to prepare a base film coating solution, and after applying this on a transparent substrate, By a method of heating at a temperature of 200 ° C. to 800 ° C. for 5 to 200 minutes to form a film,
It is preferably formed on the glass substrate 11.

【0034】金属分散膜13は、前記金属分散膜原料を
有機溶媒に溶解させて作製した塗布液を下地膜上に塗布
した後、200℃〜800℃の温度で5〜200分間加
熱または、波長1〜400nmの紫外線を1μw以上で
0.01秒〜30分間照射することにより下地膜12上
に形成される。
The metal dispersion film 13 is formed by dissolving the metal dispersion film raw material in an organic solvent, applying a coating solution onto the base film, and then heating the coating solution at a temperature of 200 ° C. to 800 ° C. for 5 to 200 minutes. Irradiation with ultraviolet light of 1 to 400 nm at 1 μw or more for 0.01 second to 30 minutes is formed on the base film 12.

【0035】塗布液の塗布方法としては、特に限定され
るものではないが、例えば、キャスト法、ディップコー
ト法、グラビアコート法、フレキソ印刷法、ロールコー
ト法、スプレー法、スピンコート法などが好適に使用さ
れる。
The method for applying the coating solution is not particularly limited, but examples thereof include a casting method, a dip coating method, a gravure coating method, a flexographic printing method, a roll coating method, a spray method, and a spin coating method. Used for

【0036】塗布液に用いられる有機溶媒は、各膜の形
成方法に依存する。例えば、キャスト法やディップコー
ト法で用いられる有機溶媒としては、蒸発速度の速い溶
媒が好適である。蒸発速度が遅い溶媒を用いると、塗布
膜の乾燥が遅くなるため塗布した塗布液の流動性が高く
なり均一な塗膜が形成されない場合がある。キャスト法
やディップコート法で用いられる好適な有機溶媒として
は、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルア
ルコール、tert−ブトキシアルコールなどの蒸発速
度の速いアルコール系の溶媒などが挙げられる。一方、
グラビアコート法、フレキソ印刷法、ロールコート法な
どに使用される有機溶媒は、蒸発速度の遅い溶媒が好適
である。蒸発速度が速い溶媒を用いると、十分にレベリ
ングが行われないうちに溶媒が蒸発してしまうため、塗
布外観が汚くなる場合がある。ここで、溶媒の蒸発速度
は、酢酸ブチルのそれを100とした相対蒸発速度指数
で、一般的に評価されている。この値が40以下の溶媒
は、きわめて遅い蒸発速度をもつ溶媒として分類されて
いる。グラビアコート法、フレキソ印刷法、ロールコー
ト法で用いられる好適な有機溶媒としては、例えば、エ
チルセロソルブ、ブチルセロソルブ、セロソルブアセテ
ート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ヘキ
シレングリコール、ジエチレングリコール、エチレング
リコール、トリプロピレングリコール、ジアセトンアル
コール、テトラヒドロフルフリルアルコールなどが挙げ
られる。そして、塗布液の溶媒は、このような溶媒を少
なくとも一種含むことが望ましいが、コーティング方法
や塗布液の特性、金属微粒子の偏析挙動などに応じて上
記の溶媒を複数用いても構わない。
The organic solvent used for the coating solution depends on the method for forming each film. For example, as an organic solvent used in a casting method or a dip coating method, a solvent having a high evaporation rate is preferable. When a solvent having a low evaporation rate is used, drying of the coating film is delayed, so that the flowability of the applied coating liquid is increased and a uniform coating film may not be formed. Suitable organic solvents used in the casting method and the dip coating method include, for example, alcohol solvents having a high evaporation rate such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, and tert-butoxy alcohol. on the other hand,
As the organic solvent used in the gravure coating method, flexographic printing method, roll coating method and the like, a solvent having a low evaporation rate is preferable. When a solvent having a high evaporation rate is used, the solvent evaporates before sufficient leveling is not performed, so that the appearance of the applied coating may become dirty. Here, the evaporation rate of the solvent is generally evaluated by a relative evaporation rate index with butyl acetate being 100. Solvents with this value below 40 are classified as solvents with very slow evaporation rates. Suitable organic solvents used in the gravure coating method, flexographic printing method and roll coating method include, for example, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, cellosolve acetate, diethylene glycol monoethyl ether, hexylene glycol, diethylene glycol, ethylene glycol, tripropylene glycol, dipropylene glycol, and the like. Examples include acetone alcohol and tetrahydrofurfuryl alcohol. The solvent of the coating liquid desirably contains at least one of such solvents, but a plurality of the above solvents may be used depending on the coating method, characteristics of the coating liquid, segregation behavior of the metal fine particles, and the like.

【0037】本発明における偏光素子は、金属微粒子1
4の偏析現象により特定の偏光面の光が選択的に吸収さ
れ、偏光特性が発現される。ここで、金属微粒子14
は、図1に示すように、下地膜12に対して平行な方向
に等方的に下地膜12界面に析出するため、本発明にお
ける偏光素子の偏光特性は方向依存性を呈することとな
る。
The polarizing element according to the present invention is a metal element 1
Due to the segregation phenomenon of No. 4, light of a specific polarization plane is selectively absorbed, and polarization characteristics are exhibited. Here, the metal fine particles 14
As shown in FIG. 1,, isotropically precipitates at the interface of the base film 12 in a direction parallel to the base film 12, so that the polarization characteristics of the polarizing element of the present invention exhibit direction dependency.

【0038】以下、本発明を具体化した各実施形態につ
いて説明する。 (第1実施形態)図3に示すように、本実施形態におけ
る偏光素子は、ガラス基材11の光の入射方向に対して
略垂直な基準面11a上に、基準面11aに対し略垂直
に間隔を置いて突出するように下地膜原料化合物群Aお
よび/またはBから選択される少なくとも1種の化合物
を主成分として含有する複数の板状下地膜12がパター
ン形成されている。下地膜12のパターン構造の形成方
法は、特に限定されるものではなく、例えば、下地膜塗
布液をそのままパターン成膜できるフレキソパターニン
グ、フォトリソグラフィなどの露光技術、リフトオフ技
術、電子線描画技術、レーザー描画技術、レーザーの二
光束干渉露光技術、レーザーアブレージョン、プレスに
よるパターン転写などが好適に使用される。なお、本実
施形態においては、下地膜は、線幅0.1〜2.0μ
m、線間隔0.1〜2.0μm、深さ0.1〜20μm
の凹凸構造のパターン構造が形成されている。そして、
その複数の板状下地膜12間に、金属化合物と金属分散
膜原料化合物群から選択される少なくとも1種の化合物
とを主成分として含有する金属分散膜13が形成され、
下地膜12と金属分散膜13との膜界面16に、金属微
粒子14が析出形成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. (First Embodiment) As shown in FIG. 3, a polarizing element according to the present embodiment is provided on a reference surface 11a substantially perpendicular to the incident direction of light on the glass base material 11 and substantially perpendicularly to the reference surface 11a. A plurality of plate-like base films 12 containing as a main component at least one compound selected from base film raw material compound groups A and / or B are formed so as to project at intervals. The method of forming the pattern structure of the base film 12 is not particularly limited. For example, exposure techniques such as flexo patterning, photolithography, and the like, a lift-off technique, an electron beam drawing technique, A drawing technique, a laser two-beam interference exposure technique, a laser abrasion, a pattern transfer by a press, and the like are preferably used. In this embodiment, the underlying film has a line width of 0.1 to 2.0 μm.
m, line spacing 0.1-2.0 μm, depth 0.1-20 μm
Is formed. And
A metal dispersion film 13 containing, as a main component, a metal compound and at least one compound selected from a metal dispersion film raw material compound group is formed between the plurality of plate-like base films 12;
At the film interface 16 between the base film 12 and the metal dispersion film 13, metal fine particles 14 are deposited and formed.

【0039】従って、本実施形態における偏光素子は、
図3に示すように、基準面11aに対して垂直方向から
の光に対して、S偏光成分を吸収し、P偏光成分を透過
させるという偏光特性を示す。
Therefore, the polarizing element in this embodiment is
As shown in FIG. 3, for light from a direction perpendicular to the reference plane 11a, it exhibits a polarization characteristic of absorbing an S-polarized component and transmitting a P-polarized component.

【0040】以上のことから、金属微粒子14は下地膜
12に対して平行な方向に等方的に下地膜12界面に析
出するため、下地膜12のパターン構造を種々変更する
ことにより、種々の偏光特性を有する偏光素子を作製す
ることができる。たとえば、図3のように基板表面から
見たときの凹凸構造が、ストライプ状のものに限らず、
長円形、ひし形など、用途や必要な特性によって、選択
可能である。
As described above, since the metal fine particles 14 are isotropically deposited on the interface of the base film 12 in the direction parallel to the base film 12, various patterns of the pattern structure of the base film 12 can be changed. A polarizing element having polarization characteristics can be manufactured. For example, the uneven structure when viewed from the substrate surface as shown in FIG.
It can be selected according to the application and required characteristics such as oval and diamond.

【0041】(第2実施形態)図4に示すように、この
実施形態における偏光素子は、ガラス基材11の光の入
射方向に対して傾いた基準面11a上に、下地膜原料化
合物群Aおよび/またはBから選択される少なくとも1
種の化合物を主成分として含有する下地膜12と、金属
化合物と金属分散膜原料化合物群から選ばれる少なくと
も1種の化合物とを主成分として含有する金属分散膜1
3と、を一組とする積層体が複数積層され、下地膜12
と金属分散膜13との膜界面16に、金属微粒子14が
析出形成されている。
(Second Embodiment) As shown in FIG. 4, a polarizing element according to this embodiment has a base film material compound group A on a reference surface 11a of a glass substrate 11 which is inclined with respect to the light incident direction. And / or at least one selected from B
Film 12 containing a metal compound and at least one compound selected from a metal dispersion film raw material compound group as a main component
3 are stacked as a set, and a plurality of
Metal fine particles 14 are deposited and formed at a film interface 16 between the metal and the metal dispersion film 13.

【0042】従って、この実施形態における偏光素子
は、基準面11aに対して傾いた方向からの光に対し
て、S偏光成分を吸収し、P偏光成分を透過及び反射さ
せるという偏光特性を示す。
Therefore, the polarizing element according to this embodiment exhibits a polarization characteristic of absorbing an S-polarized component and transmitting and reflecting a P-polarized component with respect to light from a direction inclined with respect to the reference plane 11a.

【0043】(第3実施形態)図5に示すように、この
実施形態における偏光素子は、ガラス基材11の基準面
11a上に、下地膜原料化合物群Aおよび/またはBか
ら選択される少なくとも1種の化合物を主成分として含
有する下地膜12と、金属化合物と金属分散膜原料化合
物群から選択される少なくとも1種の化合物とを主成分
として含有する金属分散膜13と、を一組とする積層体
が複数積層され、下地膜12と金属分散膜13との膜界
面16に、金属微粒子14が析出形成されている。
(Third Embodiment) As shown in FIG. 5, a polarizing element according to this embodiment includes a base film material compound group A and / or B selected from a group consisting of base film material compounds A and / or B on a reference surface 11a of a glass substrate 11. A set of a base film 12 containing one compound as a main component and a metal dispersion film 13 containing a metal compound and at least one compound selected from a metal dispersion film raw material compound group as a main component. The metal particles 14 are deposited and formed at the film interface 16 between the base film 12 and the metal dispersion film 13.

【0044】そして、この実施形態における偏光素子
は、基板面に対して平行な方向からの光に対してS偏光
成分を吸収し、P偏光成分を透過させるという偏光特性
を示す。
The polarizing element according to this embodiment exhibits a polarization characteristic of absorbing an S-polarized component and transmitting a P-polarized component for light from a direction parallel to the substrate surface.

【0045】(第4実施形態)図6に示すように、この
実施形態における偏光素子は、ガラス基材11の基準面
11a上に、下地膜原料化合物群Aおよび/またはBか
ら選択される少なくとも1種の化合物を主成分として含
有する下地膜12と、金属化合物と金属分散膜原料化合
物群から選択される少なくとも1種の化合物とを主成分
として含有する金属分散膜13と、が積層され、下地膜
12と金属分散膜13との膜界面16に、金属微粒子1
4が析出形成されている。また、ガラス基材11及び金
属分散膜13の外側面には、入射光を偏光素子内部で繰
り返し反射させるための増反射膜15がそれぞれ設けら
れている。
(Fourth Embodiment) As shown in FIG. 6, a polarizing element according to this embodiment has at least a base film material compound group A and / or B selected on a reference surface 11a of a glass substrate 11. A base film 12 containing one compound as a main component, a metal dispersion film 13 containing a metal compound and at least one compound selected from a metal dispersion film raw material compound group as a main component are laminated, The metal fine particles 1 are formed on the film interface 16 between the base film 12 and the metal dispersion film 13.
4 is formed by precipitation. In addition, on the outer surfaces of the glass substrate 11 and the metal dispersion film 13, a reflection enhancing film 15 for repeatedly reflecting incident light inside the polarizing element is provided.

【0046】そして、この実施形態における偏光素子
は、同素子の一端側から基準面11aに対して斜めに入
射し、素子内部で繰り返し反射される光に対して、S偏
光成分を吸収し、P偏光成分を透過させるという偏光特
性を示す。したがって、この実施形態の偏光素子によれ
ば、入射光のうちのP偏光成分の光のみを取り出し、そ
の光を各増反射膜15の内面で繰り返し反射させて所望
の場所まで導くことができる。以下、上記各実施形態か
ら把握される技術的思想について、以下に記載する。 (1)透明基板上に、金属を含有する金属分散膜を形成
した後、金属微粒子を金属分散膜から金属分散膜表層に
選択的に析出させることを特徴とする偏光素子の製造方
法。
The polarizing element in this embodiment absorbs the S-polarized component with respect to the light that is obliquely incident on the reference plane 11a from one end of the element and is repeatedly reflected inside the element. It shows a polarization characteristic of transmitting a polarization component. Therefore, according to the polarizing element of this embodiment, only the P-polarized light component of the incident light can be extracted, and the light can be repeatedly reflected on the inner surface of each of the reflection enhancing films 15 and guided to a desired location. Hereinafter, technical ideas grasped from the above embodiments will be described below. (1) A method for manufacturing a polarizing element, comprising forming a metal-containing metal dispersion film on a transparent substrate, and then selectively depositing metal fine particles from the metal dispersion film on the surface of the metal dispersion film.

【0047】ゾルゲル法におけるゾルの硬化過程におけ
る金属微粒子の析出挙動に着目し、金属微粒子を金属分
散膜から金属分散膜表層に選択的に析出させることによ
り、大面積の偏光素子を製造することが可能となる。
Focusing on the precipitation behavior of the metal fine particles during the curing process of the sol in the sol-gel method, it is possible to produce a large-area polarizing element by selectively depositing the metal fine particles from the metal dispersion film on the surface layer of the metal dispersion film. It becomes possible.

【0048】(2)前記透明基板上に下地膜を形成し、
前記金属分散膜を当該下地膜上に形成した後、前記金属
微粒子を当該下地膜と金属分散膜との膜界面に選択的に
析出させることを特徴とする上記(1)に記載の偏光素
子の製造方法。透明基板上に下地膜を形成し、金属分散
膜を当該下地膜上に形成した後、下地膜と金属分散膜と
の膜界面に金属微粒子を選択的に析出させることによ
り、下地膜と金属分散膜との密着性を向上させた偏光素
子を製造することが可能となる。 (3)前記下地膜は、前記金属微粒子と相互作用を呈す
る化合物を含有することを特徴とする上記(2)に記載
の偏光素子の製造方法。下地膜に、金属微粒子と相互作
用を呈する化合物を含有させることにより、金属微粒子
の析出挙動、具体的には、析出する金属微粒子の粒子径
を制御することが可能となる。 (4)前記金属微粒子は、熱処理または電磁波照射を施
すことにより、前記金属分散膜から金属分散膜表層に選
択的に析出されることを特徴とする上記(1)から
(3)のいずれかに記載の偏光素子の製造方法。熱処理
または電磁波照射を施すことにより、金属分散膜から金
属分散膜表層に金属微粒子を容易に析出させることがで
きる。
(2) forming a base film on the transparent substrate,
The method according to (1), wherein after forming the metal dispersion film on the base film, the metal fine particles are selectively deposited on a film interface between the base film and the metal dispersion film. Production method. A base film is formed on a transparent substrate, a metal dispersion film is formed on the base film, and then fine metal particles are selectively deposited on a film interface between the base film and the metal dispersion film, whereby the base film and the metal dispersion film are dispersed. It is possible to manufacture a polarizing element with improved adhesion to a film. (3) The method for producing a polarizing element according to the above (2), wherein the base film contains a compound exhibiting an interaction with the metal fine particles. When the base film contains a compound that interacts with the metal fine particles, the deposition behavior of the metal fine particles, specifically, the particle diameter of the precipitated metal fine particles can be controlled. (4) The method according to any one of (1) to (3), wherein the metal fine particles are selectively deposited on the surface of the metal dispersion film from the metal dispersion film by performing heat treatment or electromagnetic wave irradiation. The method for producing the polarizing element according to the above. By performing the heat treatment or the electromagnetic wave irradiation, the metal fine particles can be easily precipitated from the metal dispersion film on the surface layer of the metal dispersion film.

【0049】[0049]

【実施例】以下、前記実施形態を実施例により更に具体
的に説明するが、この発明はこれらの実施例により何ら
制限を受けるものではない。 (実施例1〜3)基材としてガラス基材を用い、10c
m×10cmのガラス基材状に酸化チタン下地膜と偏析
金(Au)含有酸化珪素膜を構成する。ガラス基材をス
パッタリング装置内に配し、ターゲットとして純度9
9.99%の酸化チタンターゲットを使用した。スパッ
タリングは、蒸着速度40nm/minで膜厚1μmの
酸化チタン膜を形成した。形成された酸化チタン下地膜
に対して、フォトリソグラフィ技術を用いて、図3に示
すような0.2μmのライン&スペースのパターン形成
を行った。
EXAMPLES Hereinafter, the above embodiments will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited by these examples. (Examples 1 to 3) Using a glass substrate as a substrate, 10c
A titanium oxide base film and a segregated gold (Au) -containing silicon oxide film are formed on a glass substrate of mx 10 cm. A glass substrate is placed in a sputtering apparatus, and a target having a purity of 9
A 9.99% titanium oxide target was used. In the sputtering, a titanium oxide film having a thickness of 1 μm was formed at a deposition rate of 40 nm / min. A line and space pattern of 0.2 μm as shown in FIG. 3 was formed on the formed titanium oxide base film by using a photolithography technique.

【0050】エチルシリケート(コルコート社製「エチ
ルシリケート40」)50gに、0.1mol/l
(0.1規定)塩酸9gとエチルセロソルブ(EC)4
4gを加え、室温で2時間攪拌して塗布液を作製した。
そして、表1に示すように、この塗布液2.5gにエチ
ルセロソルブを7.3g加えた後、塩化金酸を0.2g
添加して金属分散膜原料塗布液1を作製した。実施例
2、3に用いた金属分散膜原料塗布液2、3も表1に示
す量で調合、作製した。
0.1 mol / l was added to 50 g of ethyl silicate ("Ethyl silicate 40" manufactured by Colcoat).
(0.1N) 9g of hydrochloric acid and ethyl cellosolve (EC) 4
4 g was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours to prepare a coating solution.
Then, as shown in Table 1, after adding 7.3 g of ethyl cellosolve to 2.5 g of the coating solution, 0.2 g of chloroauric acid was added.
This was added to prepare a metal dispersion film raw material coating liquid 1. The metal dispersion film raw material coating solutions 2 and 3 used in Examples 2 and 3 were also prepared and prepared in the amounts shown in Table 1.

【0051】次いで、パターン形成を行った酸化チタン
下地膜上に、金属分散膜原料塗布液を回転数1500m
in-1でスピンコーティングした。風乾後、250℃で
2時間熱処理し、金微粒子を酸化チタン膜界面に析出さ
せ、さらに580℃で30分焼成を行った。
Next, a metal dispersion film raw material coating solution was coated on the patterned titanium oxide base film at a rotational speed of 1500 m.
Spin coated at in -1 . After air-drying, heat treatment was performed at 250 ° C. for 2 hours to deposit gold fine particles at the interface of the titanium oxide film, followed by baking at 580 ° C. for 30 minutes.

【0052】表2、3には酸化物となったときの各組成
の質量%を示した。透過型電子顕微鏡(以下、TEMと
略す)により、得られたガラス基材の構造観察を行った
ところ、金(Au)が酸化チタンと酸化珪素の膜界面に
偏析していることが確認された。
Tables 2 and 3 show the mass% of each composition when the oxide was formed. When the structure of the obtained glass substrate was observed by a transmission electron microscope (hereinafter abbreviated as TEM), it was confirmed that gold (Au) was segregated at the film interface between titanium oxide and silicon oxide. .

【0053】得られたガラス基板に図3に示すように光
を基準面に対して垂直に照射すると、波長900nmの
入射光に対して金属微粒子が並ぶ方向の偏光成分(S偏
光成分)の吸収が、金属微粒子の並ぶ方向に対して垂直
な偏光成分(P偏光成分)の吸収よりも大きくなり、表
4に示すように消光比が最大53dBの偏光特性が発現
されたことが確認された。
When the obtained glass substrate is irradiated with light perpendicular to the reference plane as shown in FIG. 3, absorption of a polarized light component (S-polarized light component) in a direction in which metal fine particles are arranged with respect to incident light having a wavelength of 900 nm. Was larger than the absorption of a polarized light component (P-polarized light component) perpendicular to the direction in which the metal fine particles were arranged, and as shown in Table 4, it was confirmed that a polarization characteristic with an extinction ratio of 53 dB at the maximum was developed.

【0054】偏光特性の評価は、次式で定義される消光
比を用いた。消光比は直線偏光を試料に照射し、粒子の
長軸と照射光の偏光面が平行な場合の透過率(Ts
%)、粒子の長軸と照射光の偏光面が垂直な場合の透過
率(Tp%)を測定し、次の式により算出した。
The evaluation of the polarization characteristics used the extinction ratio defined by the following equation. The extinction ratio is determined by irradiating the sample with linearly polarized light, and the transmittance (Ts) when the major axis of the particle is parallel to the plane of polarization of the irradiated light.
%), And the transmittance (Tp%) when the major axis of the particle and the polarization plane of the irradiation light are perpendicular to each other was measured and calculated by the following equation.

【0055】消光比=10Log10(Tp/Ts) また、密着性は膜表面を紙製ワイパーで拭いたとき、剥
離が認められない場合を合格とした。 表1.金属分散膜原料塗布液の調合表 ================================ 実施例 酸化珪素原料 塩化金酸 EC ―――――――――――――――――――――――――――――――― 1 2.5g 0.2g 7.3g 2 2.5g 0.056g 7.4g 3 2.5g 0.0053g 7.495g ================================ 表2.酸化物になったときの各組成の質量%(下地膜の組成) =========================== 実施例 SiO2 TiO2 CeO2 ――――――――――――――――――――――――――― 1〜3 0% 100% 0% =========================== 表3.酸化物になったときの各組成の質量%(金属分散膜) ======================= 実施例 SiO2 Au ――――――――――――――――――――――― 1 84% 16% 2 95% 5% 3 99.5% 0.5% ======================= 表4.金(Au)濃度を変えたときの入射光の消光比の変化と特性表 ================================= 実施例 吸収波長 消光比 透過損 密着性 ――――――――――――――――――――――――――――――――― 1 900nm 53dB 0.4dB ○ 2 900nm 30dB 0.1dB ○ 3 900nm 10dB 0.3dB ○ ================================= (実施例4)基材としてガラス基材を用い、10cm×
10cmのガラス基材上に酸化チタン下地膜と偏析金
(Au)含有酸化珪素膜を構成する。ガラス基材をスパ
ッタリング装置内に配し、ターゲットとして純度99.
99%の酸化チタンターゲットを使用した。
Extinction ratio = 10 Log 10 (Tp / Ts) The adhesion was evaluated as acceptable when no peeling was observed when the film surface was wiped with a paper wiper. Table 1. Preparation Table of Metal Dispersion Film Raw Material Coating Solution =============================== Example Silicon Oxide Raw Material Chloroauric Acid EC ―――――――――――――――――――――――――――――――― 1 2.5g 0.2g 7.3g 2 2.5g 0.056g 7 0.4g 3 2.5g 0.0053g 7.495g ===================================== Mass% of each composition when converted to an oxide (composition of base film) =========================== Example SiO 2 TiO 2 CeO 2 ――――――――――――――――――――――――― 1-3 0% 100% 0% ============= ================ Table 3. Mass% of each composition when converted to an oxide (metal dispersion film) ======================= Example SiO 2 Au ――――― ―――――――――――――――――― 184% 16% 2 95% 5% 3 99.5% 0.5% ============== ========== Table 4. Change in extinction ratio of incident light and change in characteristics when gold (Au) concentration is changed ============================= === Example Absorption Wavelength Extinction Ratio Transmission Loss Adhesion --------------------------------------------------------------------------- 1 900 nm 53 dB 0 0.4dB 2900nm 30dB 0.1dB 3900nm 10dB 0.3dB ====================================== (Example 4) Using a glass substrate as a substrate, 10 cm ×
A titanium oxide base film and a segregated gold (Au) -containing silicon oxide film are formed on a 10 cm glass substrate. A glass substrate was placed in a sputtering apparatus, and a target having a purity of 99.
A 99% titanium oxide target was used.

【0056】スパッタリングは蒸着速度2nm/min
で行ない、膜厚200nmの酸化チタン下地膜を形成し
た。上記酸化チタン下地膜上に、実施例1で用いた金属
分散膜原料塗布液を回転数1500min-1でスピンコ
ーティングした。風乾後、250℃で2時間熱処理し
て、金微粒子を酸化チタン膜界面に析出させた後、さら
に580℃で30分焼成を行った。これらの工程を10
回繰り返し、酸化チタン膜と偏析金(Au)微粒子含有
酸化珪素膜の交互層からなる積層体が形成されたガラス
基材を得た。X線光電子分光分析により、得られたガラ
ス基材の深さ方向の組成分析を行ったところ金(Au)
が酸化チタンと酸化珪素の膜界面に偏析していることが
確認された。
The sputtering is performed at a deposition rate of 2 nm / min.
To form a 200-nm-thick titanium oxide base film. The metal dispersion film raw material coating solution used in Example 1 was spin-coated on the titanium oxide base film at a rotation speed of 1500 min -1 . After air drying, heat treatment was performed at 250 ° C. for 2 hours to deposit gold fine particles at the titanium oxide film interface, and then firing was further performed at 580 ° C. for 30 minutes. These steps are
This was repeated twice to obtain a glass substrate on which a laminated body composed of alternating layers of a titanium oxide film and a silicon oxide film containing fine segregated gold (Au) particles was formed. The composition of the obtained glass substrate in the depth direction was analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy.
Was segregated at the film interface between titanium oxide and silicon oxide.

【0057】得られたガラス基板に10°〜60°の入
射角で光を照射すると、膜面方向に平行な方向の光の成
分(S偏光成分)の吸収が、膜面方向に垂直な方向の光
の成分(P偏光成分)の吸収より大きくなり、偏光特性
が発現されたことが確認された。また、波長610nm
〜800nmの入射光に対して、光の入射角を変えるこ
とで吸収波長が長波長側にシフトすることは、見かけ上
の金微粒子のアスペクト比が大きくなっていることを反
映しているものと考えられる。
When the obtained glass substrate is irradiated with light at an incident angle of 10 ° to 60 °, the absorption of the light component (S-polarized light component) in the direction parallel to the film surface direction becomes perpendicular to the film surface direction. It was larger than the absorption of the light component (P-polarized light component), and it was confirmed that polarization characteristics were exhibited. In addition, a wavelength of 610 nm
The shift of the absorption wavelength to the longer wavelength side by changing the incident angle of light with respect to the incident light of ~ 800 nm reflects that the apparent aspect ratio of the fine gold particles is increased. Conceivable.

【0058】上記入射角は、基板に平行な面を基準面と
し、基準面と光が透過する角度を入射角とした。 表5.入射角を変えたときの膜面に平行な光の波面の吸収波長の変化と特性表 =============================== 実施例 入射角 吸収波長 消光比 透過損 密着性 ――――――――――――――――――――――――――――――― 4 60° 610nm 12dB 0.1dB ○ 4 45° 650nm 14dB 0.2dB ○ 4 30° 730nm 11dB 0.4dB ○ 4 10° 800nm 13dB 0.1dB ○ =============================== (実施例5〜8)エチルシリケート(コルコート社製
「エチルシリケート40」)50gに、0.1mol/
l(0.1規定)塩酸6gとエチルセロソルブ(EC)
を44gを加え、室温で2時間攪拌して酸化珪素原液を
作製した。酸化珪素原液に対する酸化珪素固形分は20
質量%となる。
The incident angle is defined as a plane parallel to the substrate as a reference plane, and an angle at which light passes through the reference plane is defined as an incident angle. Table 5. Change in absorption wavelength of wavefront of light parallel to film surface when incident angle is changed and characteristic table ========================== ==== Working Example Incident Angle Absorption Wavelength Extinction Ratio Transmission Loss Adhesion ――――――――――――――――――――――――――――――― 610 nm 12 dB 0.1 dB ○ 4 45 ° 650 nm 14 dB 0.2 dB ○ 4 30 ° 730 nm 11 dB 0.4 dB ○ 4 10 ° 800 nm 13 dB 0.1 dB ○ ===================== ============== (Examples 5 to 8) 0.1 mol / to 50 g of ethyl silicate ("Ethyl silicate 40" manufactured by Colcoat)
l (0.1N) hydrochloric acid 6g and ethyl cellosolve (EC)
Was added and stirred at room temperature for 2 hours to prepare a silicon oxide stock solution. The silicon oxide solid content is 20 with respect to the silicon oxide stock solution.
% By mass.

【0059】次に、攪拌しているチタンイソプロポキシ
ド1モルに、アセチルアセトン2モルを滴下ロートで滴
下し、酸化チタン原液を作製した。酸化チタン原液に対
する酸化チタン固形分は16.5質量%となる。
Next, 2 mol of acetylacetone was added dropwise to 1 mol of the stirred titanium isopropoxide with a dropping funnel to prepare a titanium oxide stock solution. The solid content of titanium oxide with respect to the titanium oxide stock solution is 16.5% by mass.

【0060】硝酸セリウム6水和物1モルに対し3モル
のアセチルアセトンを加え、攪拌しながら90℃で1時
間処理し、硝酸セリウム原液を作製した。硝酸セリウム
原液に対する酸化セリウム固形分は23.2質量%とな
る。
3 mol of acetylacetone was added to 1 mol of cerium nitrate hexahydrate, and the mixture was treated with stirring at 90 ° C. for 1 hour to prepare a cerium nitrate stock solution. The cerium oxide solid content relative to the cerium nitrate stock solution was 23.2% by mass.

【0061】上記のように作製した各原液からそれぞれ
表6、7に示すように下地膜原料塗布液5〜8を作製し
た。表6は各原料液の調合量を、表7は原料が酸化物と
なったときの質量%を示す。 表6.下地膜原料塗布液の調合量 ==================================== 実施例 酸化珪素原料 酸化チタン原料 酸化セリウム原料 EC ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― 5 0.99g 1.59g 1.68g 5.74g 6 2.02g 1.09g 1.15g 5.74g 7 2.56g 0.82g 0.87g 5.75g 8 2.89g 0.66g 0.70g 5.75g ==================================== 表7.酸化物になったときの各組成の質量%(下地膜の組成) ============================== 実施例 SiO2 TiO2 CeO2 ―――――――――――――――――――――――――――――― 5 23.2% 30.8% 46.0% 6 47.5% 21.1% 31.4% 7 60.2% 16.0% 23.8% 8 67.9% 12.9% 19.2% ============================== ガラス基板上に上記下地膜原料塗布液5〜8を、膜厚1
μmになるように、グラビアコーティングした。風乾
後、250℃で2時間熱処理して、さらに500℃で3
0分焼成を行ない、下地膜を形成した。形成された下地
膜に対して、フォトリソグラフィ技術を用いて図3に示
すような0.20μmのライン&スペースのパターン形
成を行った。
As shown in Tables 6 and 7, base material coating solutions 5 to 8 were prepared from the respective stock solutions prepared as described above. Table 6 shows the prepared amount of each raw material liquid, and Table 7 shows the mass% when the raw material was converted to an oxide. Table 6. Preparation amount of base film raw material coating liquid =================================== Example Silicon oxide raw material Oxidation Titanium raw material Cerium oxide raw material EC ―――――――――――――――――――――――――――――――――― 5 0.99g 1.59g 1 0.68 g 5.74 g 6 2.02 g 1.09 g 1.15 g 5.74 g 7 2.56 g 0.82 g 0.87 g 5.75 g 8 2.89 g 0.66 g 0.70 g 5.75 g ====== ============================= % By mass of each composition when converted to an oxide (composition of base film) ============================= SiO 2 TiO 2 CeO 2 ―――――――――――――――――――――――――――――― 5 23.2% 30.8% 46.0% 6 47.5% 21.1% 31.4% 7 60.2% 16.0% 23.8% 8 67.9% 12.9% 19.2% ============ =========================
Gravure coating was performed to a thickness of μm. After air drying, heat-treat at 250 ° C for 2 hours, and further heat at 500 ° C for 3 hours.
Baking was performed for 0 minutes to form a base film. A pattern of 0.20 μm line & space as shown in FIG. 3 was formed on the formed base film by using a photolithography technique.

【0062】次いで、パターン形成を行った前記下地膜
上に、実施例1で用いた金属分散膜原料塗布液を回転数
1500min-1でスピンコーティングした。風乾後、
250℃で2時間熱処理して、金微粒子を下地膜界面に
析出させた後、さらに580℃で30分焼成を行った。
Next, the metal dispersion film raw material coating solution used in Example 1 was spin-coated on the pattern-formed base film at a rotation speed of 1500 min -1 . After air drying,
After heat treatment at 250 ° C. for 2 hours to deposit gold fine particles at the interface of the underlayer, firing was further performed at 580 ° C. for 30 minutes.

【0063】得られたガラス基板に図3に示すように光
を基準面に対して垂直に照射すると、波長1000nm
から1500nmの入射光に対して金属微粒子が並ぶ方
向の偏光成分の吸収が、金属微粒子の並ぶ方向に対して
垂直な偏光成分の吸収よりも大きくなり、消光比が最大
48dBの偏光特性が発現されたことが確認された。表
8に偏光特性を示す。 表8.偏光の特性表 =================================== 実施例 吸収波長 消光比 透過損 密着性 ――――――――――――――――――――――――――――――――――― 5 1500nm 48dB 0.3dB ○ 6 1300nm 43dB 0.4dB ○ 7 1200nm 45dB 0.3dB ○ 8 1000nm 42dB 0.2dB ○ ================================== 下地膜のSiO2成分が増えるにつれ、吸収波長が短波
長側にシフトするのは下地膜との界面に析出する金属微
粒子の粒子径が小さくなり、粒子の析出面に平行な方向
と厚み方向との比(アスペクト比)が小さくなっていく
ためと考えられる。
When the obtained glass substrate is irradiated with light perpendicular to the reference plane as shown in FIG.
The absorption of the polarized light component in the direction in which the metal fine particles are aligned with respect to the incident light of from 1500 nm is greater than the absorption of the polarized light component perpendicular to the direction in which the metal fine particles are aligned, and the extinction ratio exhibits a polarization characteristic of up to 48 dB. It was confirmed that. Table 8 shows the polarization characteristics. Table 8. Polarization Characteristics Table ================================== Example Absorption Wavelength Extinction Ratio Transmission Loss Adhesion- ―――――――――――――――――――――――――――――――― 5 1500nm 48dB 0.3dB ○ 6 1300nm 43dB 0.4dB ○ 7 1200nm 45 dB 0.3 dB 8 1000 nm 42 dB 0.2 dB ==================================== SiO of Base Film As the two components increase, the absorption wavelength shifts to the shorter wavelength side because the particle diameter of the metal fine particles deposited at the interface with the base film becomes smaller, and the ratio between the direction parallel to the particle deposition surface and the thickness direction (aspect ratio) Ratio) becomes smaller.

【0064】これらの結果は、下地膜の組成を変化させ
ることにより、下地膜界面に析出する微粒子のアスペク
ト比を制御することができることを示唆しており、幅広
い領域での偏光性能を発現させることができることを示
している。 (実施例9〜11)実施例1で用いた、パターン形成を
行った酸化チタン下地膜上に、表9に示すように調合さ
れた金属分散膜原料塗布液を回転数1500min-1
スピンコーティングした。
These results suggest that by changing the composition of the underlayer, the aspect ratio of the fine particles deposited on the underlayer interface can be controlled, and that the polarization performance in a wide range can be exhibited. Indicates that it can be done. (Examples 9 to 11) On the patterned titanium oxide base film used in Example 1, a metal dispersion film raw material coating solution prepared as shown in Table 9 was spin-coated at a rotational speed of 1500 min -1. did.

【0065】酸化ジルコニウム原料として、テトラブト
キシジルコニウム38.7gにエチルアセチルアセテー
ト26.0gを加えて2時間攪拌し、ジルコニウム原液
を作製した。ジルコニウム原液に対する酸化ジルコニウ
ム固形分は19.0質量%となる。
As a raw material of zirconium oxide, 28.7 g of ethyl acetyl acetate was added to 38.7 g of tetrabutoxyzirconium, and the mixture was stirred for 2 hours to prepare a zirconium stock solution. The zirconium oxide solid content based on the zirconium stock solution is 19.0% by mass.

【0066】塗布された金属分散膜原料塗布液は、風乾
後、250℃で2時間熱処理し、金微粒子を下地膜界面
に析出させ、さらに580℃で30分焼成を行った。T
EMにより、得られたガラス基材の構造観察を行ったと
ころ、金(Au)が酸化チタン下地膜と酸化珪素/酸化
ジルコニウム膜との膜界面に偏析していることが確認さ
れた。
The applied coating liquid of the metal dispersion film material was air-dried, and then heat-treated at 250 ° C. for 2 hours to deposit gold fine particles at the interface of the underlayer, and further baked at 580 ° C. for 30 minutes. T
The structure of the obtained glass substrate was observed by EM, and it was confirmed that gold (Au) was segregated at the film interface between the titanium oxide base film and the silicon oxide / zirconium oxide film.

【0067】得られたガラス基板に図3に示すように光
を基準面に対して垂直に照射すると、波長850nm〜
750nmの入射光に対して、最大消光比55dBの偏
光特性が発現されたことが確認された。表11に偏光特
性を示す。 表9.金属分散膜原料塗布液の調合量 ==================================== 実施例 酸化珪素原料 酸化ジルコニウム原料 塩化金酸 EC ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― 9 2.25g 0.26g 0.2g 7.3g 10 1.25g 1.31g 0.2g 7.2g 11 0.75g 1.83g 0.2g 7.2g ==================================== 表10.酸化物になったときの各組成の質量%(金属分散膜の組成) ============================ 実施例 SiO2 ZrO2 Au ―――――――――――――――――――――――――――― 9 75.6% 8.4% 16.0% 10 42.0% 42.0% 16.0% 11 8.4% 75.6% 16.0% ============================ 表11.偏光特性表 =============================== 実施例 吸収波長 消光比 透過損 密着性 ――――――――――――――――――――――――――――――― 9 850nm 43dB 0.4dB ○ 10 800nm 45dB 0.3dB ○ 11 750nm 55dB 0.2dB ○ =============================== 以上の結果は、酸化ジルコニウムの金属微粒子を下地膜
界面へ析出させる能力と、酸化珪素の金属微粒子を下地
膜界面へ析出させる能力との差違を明らかにしており、
具体的には、酸化ジルコニウムは酸化珪素と比較して、
下地膜界面に析出する金属微粒子の粒子サイズを小さく
する傾向にあることを示している。すなわち、酸化ジル
コニウムの含有量が多くなるにしたがって吸収波長が短
波長側にシフトするのは、下地膜界面に析出する金属微
粒子サイズが小さくなり、これにより、見かけ上のアス
ペクト比が小さくなることによるものと考えられる。こ
のことは酸化ジルコニウムの量を調節することで析出す
る金属微粒子のアスペクト比を制御できることを示して
いる。
When the obtained glass substrate is irradiated with light perpendicular to the reference plane as shown in FIG.
It was confirmed that a polarization characteristic with a maximum extinction ratio of 55 dB was developed for incident light of 750 nm. Table 11 shows the polarization characteristics. Table 9. Preparation amount of metal dispersion film raw material coating liquid =================================== Example Silicon oxide raw material Zirconium oxide raw material EC chloroauric acid ―――――――――――――――――――――――――――――――――― 9 2.25g 0.26g 0.2g 7.3g 10 1.25g 1.31g 0.2g 7.2g 11 0.75g 1.83g 0.2g 7.2g ================== ================== % By mass of each composition when converted to an oxide (composition of metal dispersion film) =========================== Example SiO 2 ZrO 2 Au ―――――――――――――――――――――――――― 9 75.6% 8.4% 16.0% 10 42.0% 42.0% 16.0% 11 8.4% 75.6% 16.0% =========================== Table 11. Polarization Characteristics Table =============================== Example Absorption Wavelength Extinction Ratio Transmission Loss Adhesion ―――――― ――――――――――――――――――――――――― 9 850nm 43dB 0.4dB ○ 10 800nm 45dB 0.3dB ○ 11 750nm 55dB 0.2dB ○ ==== =========================== The above results show the ability to deposit metal fine particles of zirconium oxide on the interface of the underlayer and the ability of silicon oxide The difference with the ability to precipitate metal fine particles at the interface of the underlayer is clarified,
Specifically, zirconium oxide, compared to silicon oxide,
This indicates that there is a tendency to reduce the particle size of the metal fine particles deposited at the interface of the base film. That is, as the content of zirconium oxide increases, the absorption wavelength shifts to the shorter wavelength side, because the size of the fine metal particles deposited at the interface of the base film becomes smaller, thereby reducing the apparent aspect ratio. It is considered something. This indicates that the aspect ratio of the precipitated metal fine particles can be controlled by adjusting the amount of zirconium oxide.

【0068】(実施例12)基材としてガラス基材を用
い、10cm×10cmのガラス基材上に酸化チタン膜
と偏析銀(Ag)含有酸化珪素膜を構成する。
Example 12 A glass substrate was used as a substrate, and a titanium oxide film and a segregated silver (Ag) -containing silicon oxide film were formed on a glass substrate of 10 cm × 10 cm.

【0069】実施例1と同様の方法で、0.20μmの
ライン&スペースのパターン形成を行った酸化チタン下
地膜を形成した。エチルシリケート(コルコート社製
「エチルシリケート40」)50gに、0.1mol/
l(0.1規定)硝酸9gとエチルセロソルブ(EC)
44gとを加え、室温で2時間攪拌して塗布液を作製し
た。そして、この塗布液2.5gに、エチルセロソルブ
6.5g加えた後、硝酸銀が20質量%のエチレングリ
コール溶液を1.0g添加して金属分散膜原料塗布液を
作製した。
In the same manner as in Example 1, a 0.20 μm line & space pattern was formed to form a titanium oxide base film. To 50 g of ethyl silicate (“Ethyl silicate 40” manufactured by Colcoat), 0.1 mol /
l (0.1N) 9g nitric acid and ethyl cellosolve (EC)
44 g was added and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours to prepare a coating solution. Then, 6.5 g of ethyl cellosolve was added to 2.5 g of the coating solution, and then 1.0 g of an ethylene glycol solution containing 20% by mass of silver nitrate was added to prepare a metal dispersion film raw material coating solution.

【0070】次いで、前記パターン形成された酸化チタ
ン下地膜上に、金属分散膜原料塗布液を回転数1500
min-1でスピンコーティングした。風乾後、USHI
O社製紫外線(UV)照射装置を用いて、中心波長36
5nm、被照射面における紫外線強度が10mW/cm
2の紫外光を約30秒間照射して、銀(Ag)微粒子を
酸化チタン下地膜界面に析出させた。
Next, a metal dispersion film raw material coating solution was coated on the patterned titanium oxide base film at a rotational speed of 1500.
Spin coated at min -1 . After air drying, USHI
Using an O company ultraviolet (UV) irradiator, the center wavelength is 36
5 nm, UV intensity on the irradiated surface is 10 mW / cm
By irradiating the ultraviolet light of No. 2 for about 30 seconds, silver (Ag) fine particles were deposited on the interface of the titanium oxide base film.

【0071】紫外光を照射した後、300℃で20分間
の加熱処理を行った。TEMにより、得られたガラス基
材の構造観察を行ったところ、銀(Ag)が酸化チタン
下地膜と酸化珪素膜との膜界面に偏析していることが確
認された。
After irradiation with ultraviolet light, a heat treatment was performed at 300 ° C. for 20 minutes. When the structure of the obtained glass substrate was observed by TEM, it was confirmed that silver (Ag) was segregated at the film interface between the titanium oxide base film and the silicon oxide film.

【0072】得られたガラス基板に図3に示すように光
を基準面に対して垂直に照射すると、波長800nmの
入射光に対して、金属微粒子が並ぶ方向の偏光成分の吸
収が、金属微粒子の並ぶ方向に対して垂直な偏光成分の
吸収よりも大きくなり、消光比が51dBの偏光特性が
発現されたことが確認された。
When the obtained glass substrate is irradiated with light perpendicular to the reference plane as shown in FIG. 3, the absorption of the polarization component in the direction in which the metal fine particles are aligned with the incident light having a wavelength of 800 nm is reduced. It becomes larger than the absorption of the polarized light component perpendicular to the direction in which are arranged, and it was confirmed that a polarization characteristic with an extinction ratio of 51 dB was developed.

【0073】表12に金属分散膜の組成、表13に偏光
特性を示す。 表12.酸化物になったときの各組成の質量%(金属分散膜) ===================== 実施例 SiO2 Ag ――――――――――――――――――――― 12 80.6% 19.4% ===================== 表13.偏光特性表 =============================== 実施例 吸収波長 消光比 透過損 密着性 ――――――――――――――――――――――――――――――― 12 800nm 51dB 0.2dB ○ =============================== 以上の結果は、銀でも金と同様に、下地膜界面に銀微粒
子が選択的に析出することにより、偏光特性が発現され
ることを示している。また、金と同様に、下地膜の組成
や金属分散膜原料塗布液の組成を変えることにより、偏
光特性を制御できることは容易に想像できる。
Table 12 shows the composition of the metal dispersion film, and Table 13 shows the polarization characteristics. Table 12. Mass% of each composition when converted to an oxide (metal dispersion film) ===================== Example SiO 2 Ag ――――――― ―――――――――――――― 12 80.6% 19.4% ===================== Polarization Characteristics Table =============================== Example Absorption Wavelength Extinction Ratio Transmission Loss Adhesion ―――――― ――――――――――――――――――――――――― 12 800nm 51dB 0.2dB ○ ================== ============= The above results show that, similarly to gold, polarization characteristics are exhibited by selectively depositing silver fine particles at the interface of the underlayer film, similarly to gold. I have. Similarly to gold, it can be easily imagined that the polarization characteristics can be controlled by changing the composition of the base film or the composition of the metal dispersion film raw material coating solution.

【0074】さらに、金属分散膜原料塗布液から、金属
原料を分解還元し、金属微粒子を下地膜界面に偏析させ
る手段として、加熱による手段以外に、紫外線のような
電磁波を照射させる手段も有効に使用できることが、本
実施例から示された。 (実施例13)硝酸ビスマス10gをアセチルアセトン
19.0gで溶解させて硝酸ビスマス原液を作製した。
硝酸ビスマス原液に対する酸化ビスマス固形分は25.
2質量%となる。
Further, as a means for decomposing and reducing the metal raw material from the coating liquid for the metal dispersed film raw material and segregating the metal fine particles at the interface of the base film, a means for irradiating electromagnetic waves such as ultraviolet rays may be effectively used in addition to the means by heating. This example shows that it can be used. (Example 13) Bismuth nitrate stock solution was prepared by dissolving 10 g of bismuth nitrate with 19.0 g of acetylacetone.
The bismuth oxide solid content relative to the bismuth nitrate stock solution was 25.
It becomes 2% by mass.

【0075】上記硝酸ビスマス原液16.9gと、実施
例5〜8で用いた酸化チタン原液6.5gとを混合し、
エチルセロソルブ76.5g加えて下地膜原料塗布液を
作製した。
The above bismuth nitrate stock solution (16.9 g) was mixed with the titanium oxide stock solution (6.5 g) used in Examples 5 to 8,
Ethyl cellosolve (76.5 g) was added to prepare a base film raw material coating solution.

【0076】ガラス基板上に、前記下地膜原料塗布液
を、膜厚が1/6μmになるように、グラビアコーティ
ングした。風乾後、250℃で加熱乾燥を行った。グラ
ビアコーティングと加熱乾燥とを1組の処理として、こ
の処理を合計6回繰り返し、膜厚が1μmになるように
した。さらに500℃で30分焼成を行ない、酸化チタ
ンと酸化ビスマスとからなる下地膜を形成した。
A gravure coating was carried out on a glass substrate with the above-mentioned base film raw material coating solution so that the film thickness became 1/6 μm. After air drying, heating and drying were performed at 250 ° C. The gravure coating and the heat drying were performed as one set of processing, and this processing was repeated six times in total, so that the film thickness became 1 μm. Further, baking was performed at 500 ° C. for 30 minutes to form a base film composed of titanium oxide and bismuth oxide.

【0077】形成された下地膜に対して、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて図3に示すような0.2μmのライ
ン&スペースのパターン形成を行った。次いで、パター
ン形成を行った、前記下地膜上に、実施例1で用いた金
属分散膜原料塗布液を回転数1500min-1でスピン
コーティングした。風乾後、250℃で2時間熱処理し
て、金微粒子を下地膜界面に析出させた後、さらに58
0℃で30分焼成を行った。
A line and space pattern of 0.2 μm as shown in FIG. 3 was formed on the formed base film by photolithography. Next, the metal dispersion film raw material coating solution used in Example 1 was spin-coated on the pattern-formed base film at a rotation speed of 1500 min -1 . After air drying, heat treatment was performed at 250 ° C. for 2 hours to deposit gold fine particles at the interface of the underlayer.
Baking was performed at 0 ° C. for 30 minutes.

【0078】得られたガラス基板に図3に示すように光
を基準面に対して垂直に照射すると、波長630nmの
入射光に対して金属微粒子の並ぶ方向の偏光成分の吸収
が金属微粒子の並ぶ方向に対して垂直な偏光成分の吸収
よりも大きくなり、消光比が45dBの偏光特性が発現
されたことが確認された。表14に下地膜の組成、表1
5に偏光特性を示す。 表14.酸化物になったときの下地膜の各組成の質量% ====================== 実施例 TiO2 Bi25 ―――――――――――――――――――――― 13 15% 85% ====================== 表15.偏光特性表 ============================= 実施例 吸収波長 消光比 透過損 密着性 ――――――――――――――――――――――――――――― 13 630nm 45dB 0.1dB ○ ============================= (実施例14)基材としてガラス基材を用い、10cm
×10cmのガラス基材上に酸化スズ下地膜と偏析金
(Au)含有酸化珪素膜を構成する。ガラス基材をCV
D(化学的気相析出法)装置内に配し、原料として、モ
ノブチルティントリクロライドを用い、膜厚2μmの酸
化スズ膜を形成した。
When the obtained glass substrate is irradiated with light perpendicular to the reference plane as shown in FIG. 3, the absorption of the polarization component in the direction in which the metal fine particles are arranged with respect to the incident light having a wavelength of 630 nm is arranged. It became larger than the absorption of the polarization component perpendicular to the direction, and it was confirmed that a polarization characteristic with an extinction ratio of 45 dB was developed. Table 14 shows the composition of the underlayer and Table 1
5 shows the polarization characteristics. Table 14. % By mass of each composition of the base film when converted to an oxide ====================== Example TiO 2 Bi 2 O 5 ――――― ――――――――――――――――― 13 15% 85% ====================== Polarization Characteristics Table ============================ Example Absorption Wavelength Extinction Ratio Transmission Loss Adhesion ―――――――― ――――――――――――――――――――― 13 630nm 45dB 0.1dB ○ ======================= ======= (Example 14) Using a glass substrate as a substrate, 10 cm
A tin oxide base film and a segregated gold (Au) -containing silicon oxide film are formed on a glass substrate of × 10 cm. Glass substrate CV
D (Chemical vapor deposition) apparatus, and a tin oxide film having a thickness of 2 μm was formed using monobutyltin trichloride as a raw material.

【0079】形成された酸化スズ膜に対して、リフトオ
フ技術を用いて、図3に示すような0.5μmのライン
&スペースのパターン形成を行った。次いで、パターン
形成を行った前記酸化スズ下地膜上に、実施例1で用い
た金属分散膜原料塗布液を回転数1500min-1でス
ピンコーティングした。風乾後、250℃で2時間熱処
理して、金微粒子を下地膜界面に析出させた後、さらに
580℃で30分焼成を行った。
A 0.5 μm line & space pattern as shown in FIG. 3 was formed on the formed tin oxide film by using a lift-off technique. Next, the metal dispersion film material coating solution used in Example 1 was spin-coated on the tin oxide base film on which the pattern was formed at a rotation speed of 1500 min -1 . After air-drying, heat treatment was performed at 250 ° C. for 2 hours to deposit gold fine particles at the interface of the underlayer, followed by baking at 580 ° C. for 30 minutes.

【0080】得られたガラス基板に図3に示すように光
を基準面に対して垂直に照射すると、波長800nmの
入射光に対して金属微粒子が並ぶ方向の偏光成分の吸収
が金属微粒子の並ぶ方向に対して垂直な偏光成分の吸収
よりも大きくなり、消光比が55dBの偏光特性が発現
されたことが確認された。表16に偏光特性を示す。 表16.偏光特性表 ============================== 実施例 吸収波長 消光比 透過損 密着性 ―――――――――――――――――――――――――――――― 14 800nm 55dB 0.1dB ○ ============================== (比較例1)基材としてガラス基材を用い、10cm×
10cmのガラス基材上に酸化珪素下地膜と偏析金(A
u)含有酸化珪素膜層とを構成する。ガラス基材をスパ
ッタリング装置内に配し、ターゲットとして純度99.
99%の酸化珪素ターゲットを使用した。スパッタリン
グは、蒸着速度40nm/minで膜厚1μmの酸化珪
素膜を形成した。
When the obtained glass substrate is irradiated with light perpendicularly to the reference plane as shown in FIG. 3, the absorption of the polarized light component in the direction in which the metal fine particles are arranged with respect to the incident light having a wavelength of 800 nm is arranged. It became larger than the absorption of the polarization component perpendicular to the direction, and it was confirmed that the polarization characteristic with an extinction ratio of 55 dB was developed. Table 16 shows the polarization characteristics. Table 16. Polarization characteristics table ============================== Example Absorption wavelength Extinction ratio Transmission loss Adhesion ---- ――――――――――――――――――――――― 14 800nm 55dB 0.1dB ○ ==================== ========== (Comparative Example 1) Using a glass substrate as a substrate, 10 cm ×
A silicon oxide base film and segregated gold (A
u) containing silicon oxide film layer. A glass substrate was placed in a sputtering apparatus, and a target having a purity of 99.
A 99% silicon oxide target was used. In the sputtering, a silicon oxide film having a thickness of 1 μm was formed at a deposition rate of 40 nm / min.

【0081】形成された酸化珪素下地膜に対して、フォ
トリソグラフィ技術を用いて、図3に示すような0.2
μmのライン&スペースのパターン形成を行った。次い
で、パターン形成を行った酸化珪素下地膜上に、実施例
1で用いた金属分散膜原料塗布液を回転数1500mi
-1でスピンコーティングした。風乾後、250℃で2
時間熱処理したところ金(Au)微粒子は膜界面に偏析
しなかった。
The formed silicon oxide base film is formed by photolithography using a photolithography technique as shown in FIG.
A line and space pattern of μm was formed. Next, the metal dispersion film raw material coating solution used in Example 1 was rotated at 1500 mi on the patterned silicon oxide base film.
Spin-coated at n- 1 . After air drying, 2 at 250 ° C
After heat treatment for hours, the gold (Au) fine particles did not segregate at the film interface.

【0082】TEMにより、得られたガラス基材の構造
観察を行ったところ、金は金属分散膜中の深さ方向に対
して均一に分散していることが確認された。得られたガ
ラス基板に図3に示すように光を基準面に対して垂直に
照射しても、明瞭な偏光特性は確認できなかった。表1
8に偏光特性を示す。 (比較例2)基材としてガラス基材を用いる。実施例5
〜8で使用した酸化珪素原液2.45gに、酸化チタン
原液0.06gを加えた後、エチルセロソルブを7.4
9gを加えて下地膜原料塗布液を作製した。
When the structure of the obtained glass substrate was observed by TEM, it was confirmed that gold was uniformly dispersed in the depth direction in the metal dispersion film. Even when the obtained glass substrate was irradiated with light perpendicular to the reference plane as shown in FIG. 3, clear polarization characteristics could not be confirmed. Table 1
8 shows the polarization characteristics. (Comparative Example 2) A glass substrate is used as a substrate. Example 5
After adding 0.06 g of the titanium oxide stock solution to 2.45 g of the silicon oxide stock solution used in Nos. 8 to 8, ethyl cellosolve was added to 7.4.
9 g was added to prepare a base film raw material coating solution.

【0083】ガラス基材上に上記下地膜原料塗布液を、
膜厚1μmになるようにグラビアコーティングした。風
乾後、250℃で2時間熱処理し、さらに500℃で3
0分間焼成し、下地膜を形成した。
On a glass substrate, the base film raw material coating solution was
Gravure coating was performed to a film thickness of 1 μm. After air drying, heat-treat at 250 ° C for 2 hours, and further heat at 500 ° C for 3 hours.
Baking was performed for 0 minutes to form a base film.

【0084】形成された下地膜に対して、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて図3に示すような0.2μmのライ
ン&スペースのパターン形成を行った。次いで、パター
ン形成を行った前記下地膜上に、実施例1で用いた金属
分散膜原料塗布液を回転数1500min-1でスピンコ
ーティングした。風乾後、250℃で2時間熱処理した
ところ、金(Au)微粒子は膜界面に偏析せず発色はピ
ンク色を呈していた。
A pattern of 0.2 μm line & space as shown in FIG. 3 was formed on the formed base film by using a photolithography technique. Next, the metal dispersion film raw material coating solution used in Example 1 was spin-coated on the pattern-formed base film at a rotation speed of 1500 min -1 . After air drying and heat treatment at 250 ° C. for 2 hours, the gold (Au) fine particles did not segregate at the film interface and the color was pink.

【0085】TEMにより、得られたガラス基材の構造
観察を行ったところ、金は金属分散膜中に深さ方向に対
して均一に分散していることが確認された。表17に下
地膜の組成表(酸化物換算)を示す。
When the structure of the obtained glass substrate was observed by TEM, it was confirmed that gold was uniformly dispersed in the metal dispersion film in the depth direction. Table 17 shows a composition table (in terms of oxide) of the base film.

【0086】得られたガラス基板に図3に示すように光
を基準面に対して垂直に照射しても、明瞭な偏光特性は
確認できなかった。表18に偏光特性を示す。 表17.下地膜が酸化物になったときの各組成の質量%(下地膜の組成) ======================= 比較例 SiO2 TiO2 ――――――――――――――――――――――― 1 100% 0% 2 98.05% 1.95% ======================= 表18.偏光特性表 ============================== 比較例 吸収波長 消光比 透過損 密着性 ―――――――――――――――――――――――――――――― 1 550nm 0.8dB 0.1dB ○ 2 560nm 0.9dB 0.3dB ○ ============================== 以上の結果より、下地膜が酸化珪素のみであったり、酸
化チタンの含有量がTiO2換算で2質量%未満である
場合には、金属微粒子が下地膜界面へ選択的に析出され
ず、このことから、金属微粒子を下地膜界面へ選択的に
析出させるためには、少なくとも酸化チタンの含有量が
TiO2換算で2質量%以上必要であることが確認され
た。 (比較例3,4)基材としてガラス基材を用い、10c
m×10cmのガラス基材上に酸化チタン下地膜と偏析
金(Au)含有酸化珪素膜とを構成する。ガラス基材を
スパッタリング装置内に配し、ターゲットとして純度9
9.99%の酸化チタンターゲットを使用した。スパッ
タリングは、蒸着速度40nm/minで膜厚1μmの
酸化チタン膜を形成した。
Even when the obtained glass substrate was irradiated with light perpendicular to the reference plane as shown in FIG. 3, no clear polarization characteristics could be confirmed. Table 18 shows the polarization characteristics. Table 17. % By mass of each composition when the base film was turned into an oxide (composition of base film) ====================== Comparative Example SiO 2 TiO 2 ――――――――――――――――――――――― 1 100% 0% 2 98.05% 1.95% ============= ========== Polarization characteristics table ============================== Comparative example Absorption wavelength Extinction ratio Transmission loss Adhesion ---- ――――――――――――――――――――――― 1 550nm 0.8dB 0.1dB ○ 2 560nm 0.9dB 0.3dB ○ ========= ===================== These results, or even the underlying film only of silicon oxide, titanium oxide content is less than 2 mass% in terms of TiO 2 In this case, the metal fine particles are not selectively deposited on the interface of the underlayer. Therefore, in order to selectively deposit the metal particles on the interface of the underlayer, at least the content of titanium oxide must be reduced to TiO 2. At 2% by mass or more was confirmed. (Comparative Examples 3 and 4) Using a glass substrate as a substrate, 10c
A titanium oxide base film and a segregated gold (Au) -containing silicon oxide film are formed on a glass substrate of mx 10 cm. A glass substrate is placed in a sputtering apparatus, and a target having a purity of 9
A 9.99% titanium oxide target was used. In the sputtering, a titanium oxide film having a thickness of 1 μm was formed at a deposition rate of 40 nm / min.

【0087】形成された下地膜に対して、フォトリソグ
ラフィ技術を用いて図3に示すような0.2μmのライ
ン&スペースのパターン形成を行った。金属分散膜の塗
布液として、表19に示すような原料塗布液を作製し
た。次いで、パターン形成された前記下地膜上に、金属
分散膜原料塗布液を回転数1500min-1でスピンコ
ーティングした。風乾後、250℃で2時間熱処理し
た。
A 0.2 μm line & space pattern as shown in FIG. 3 was formed on the formed base film by using a photolithography technique. As the coating liquid for the metal dispersion film, a raw material coating liquid as shown in Table 19 was prepared. Next, a metal dispersion film raw material coating solution was spin-coated on the patterned base film at a rotation speed of 1500 min -1 . After air drying, heat treatment was performed at 250 ° C. for 2 hours.

【0088】表20に金属分散膜の組成表(酸化物換
算)を示す。得られたガラス基板に、図3に示すように
光を基準面に対して垂直に照射したところ、比較例3で
は、明瞭なプラズモン吸収を観察できなかった。
Table 20 shows a composition table (in terms of oxide) of the metal dispersion film. When the obtained glass substrate was irradiated with light perpendicular to the reference plane as shown in FIG. 3, in Comparative Example 3, clear plasmon absorption could not be observed.

【0089】また、比較例4では、熱処理によって、下
地膜界面に金微粒子が析出したときに酸化珪素原料の縮
重合体が基板から剥離してしまい、均一な膜が形成でき
なかった。偏光特性を表21に示す。
In Comparative Example 4, the condensation polymer of the silicon oxide raw material was separated from the substrate when gold particles precipitated at the interface of the underlying film due to the heat treatment, and a uniform film could not be formed. Table 21 shows the polarization characteristics.

【0090】以上の結果から、金(Au)濃度が低すぎ
ると下地膜界面に析出する金属微粒子サイズが小さくな
るため、十分な偏光特性が発現されず、また、金(A
u)濃度が高すぎても下地膜との密着性が低くなり、均
一な膜形成ができなくなることが確認された。 表19.金属分散膜原料塗布液の調合量 ============================ 比較例 酸化珪素原料 塩化金酸 EC ―――――――――――――――――――――――――――― 3 2.5g 0.0020g 7.5g 4 2.5g 1.10g 6.4g ============================ 表20.酸化物になったときの各組成の質量%(金属分散膜) =========================== 比較例 SiO2 Au ――――――――――――――――――――――――――― 3 99.81% 0.19% 4 49.3% 50.7% =========================== 表21.偏光特性表 ============================== 比較例 吸収波長 消光比 透過損 密着性 ―――――――――――――――――――――――――――――― 3 ― 0.001dB 0.002dB ○ 4 ― 評価不可 評価不可 × ==============================
From the above results, if the concentration of gold (Au) is too low, the size of the fine metal particles deposited at the interface of the underlayer becomes small, so that sufficient polarization characteristics are not exhibited, and
u) It was confirmed that even if the concentration was too high, the adhesion to the underlying film was lowered, and it was impossible to form a uniform film. Table 19. Preparation amount of metal dispersion film raw material coating liquid =========================== Comparative Example Silicon oxide raw material EC chloroauric acid ―――――――――――――――――――――――― 3 2.5g 0.0020g 7.5g 4 2.5g 1.10g 6.4g ======= ====================== Mass% of each composition when converted to an oxide (metal dispersed film) =========================== Comparative Example SiO 2 Au- ―――――――――――――――――――――――――― 3 99.81% 0.19% 4 49.3% 50.7% ====== ===================== Polarization characteristics table ============================== Comparative example Absorption wavelength Extinction ratio Transmission loss Adhesion ---- ――――――――――――――――――――――― 3 ― 0.001dB 0.002dB ○ 4 ― Not evaluated Not evaluated × =========== ===================

【0091】[0091]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、透明基
板上に下地膜原料化合物群Aおよび/またはBを主成分
として含有する下地膜を形成し、その下地膜上に、金属
化合物と金属分散膜塗布液原料群から選ばれる少なくと
も一種の元素の化合物とを主成分として含有する塗布液
を塗布して金属分散膜を形成した後、熱処理または電磁
波照射を施すことにより、下地膜と金属分散膜との膜界
面に金属微粒子を選択的に析出させることができ、これ
により、偏光特性を有する素子を得ることができる。
As described above, according to the present invention, a base film containing a base film raw material compound group A and / or B as a main component is formed on a transparent substrate, and a metal compound is formed on the base film. After forming a metal dispersion film by applying a coating solution containing, as a main component, a compound of at least one element selected from a metal dispersion film coating liquid raw material group, and then performing a heat treatment or electromagnetic wave irradiation, the base film and Fine metal particles can be selectively deposited at the film interface with the metal dispersion film, whereby an element having polarization characteristics can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 偏光素子の製造方法を示す説明図。FIG. 1 is an explanatory view showing a method for manufacturing a polarizing element.

【図2】 下地膜と金属分散膜との膜界面に析出する金
属微粒子の状態を示す簡略図。
FIG. 2 is a simplified diagram showing a state of metal fine particles deposited at a film interface between a base film and a metal dispersion film.

【図3】 第1の実施形態の偏光素子を示す簡略図。FIG. 3 is a simplified diagram showing a polarizing element according to the first embodiment.

【図4】 第2の実施形態の偏光素子を示す簡略図。FIG. 4 is a simplified diagram showing a polarizing element according to a second embodiment.

【図5】 第3の実施形態の偏光素子を示す簡略図。FIG. 5 is a simplified diagram showing a polarizing element according to a third embodiment.

【図6】 第4の実施形態の偏光素子を示す簡略図。FIG. 6 is a simplified diagram showing a polarizing element according to a fourth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…ガラス基材、11a…基準面、12…下地膜、1
3…金属分散膜、14…金属微粒子、15…増反射膜、
16…膜界面。
11: glass substrate, 11a: reference plane, 12: base film, 1
3 ... metal dispersion film, 14 ... metal fine particles, 15 ... increase reflection film,
16 ... Film interface.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明基板上に、金属微粒子を引きつける
作用をもつ成分を含有する下地膜を形成し、その下地膜
上に、金属イオンを含有する塗布液を塗布して金属分散
膜を形成した後、前記下地膜と金属分散膜との膜界面
に、金属微粒子を選択的に析出させることを特徴とする
偏光素子の製造方法。
An undercoating film containing a component having an action of attracting metal fine particles is formed on a transparent substrate, and a coating solution containing metal ions is applied on the undercoating film to form a metal dispersion film. Then, a method of manufacturing a polarizing element, comprising selectively depositing metal fine particles at a film interface between the undercoat film and the metal dispersion film.
【請求項2】 透明基板上に、酸化チタン、酸化セリウ
ム、酸化スズ、酸化ビスマス、酸化コバルト、酸化銅、
酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化マンガン、
酸化クロム、酸化インジウム、酸化バナジウム、酸化
鉄、酸化ニッケル、酸化亜鉛、酸化タングステン、酸化
タンタル、酸化ハフニウム、酸化バリウム、酸化イッテ
ルビウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化イットリ
ウム、酸化ルテニウム、酸化ゲルマニウム、酸化鉛、酸
化ホウ素からなる群から選択される少なくとも1種の化
合物を主成分として含有する下地膜を形成し、その下地
膜上に金属化合物と、珪素、ジルコニウム、チタン、セ
リウム、スズ、ビスマス、コバルト、銅、アルミニウ
ム、マグネシウム、マンガン、クロム、インジウム、バ
ナジウム、鉄、ニッケル、亜鉛、タングステン、タンタ
ル、ハフニウム、バリウム、イッテルビウム、ニオブ、
モリブデン、イットリウム、ルテニウム、ゲルマニウ
ム、鉛、ホウ素からなる群から選ばれる少なくとも1種
の元素の化合物と、を主成分として含有する塗布液を塗
布して金属分散膜を形成した後、熱処理または電磁波照
射を施すことにより、前記下地膜と金属分散膜との膜界
面に金属微粒子を選択的に析出させることを特徴とする
偏光素子の製造方法。
2. On a transparent substrate, titanium oxide, cerium oxide, tin oxide, bismuth oxide, cobalt oxide, copper oxide,
Aluminum oxide, magnesium oxide, manganese oxide,
Chromium oxide, indium oxide, vanadium oxide, iron oxide, nickel oxide, zinc oxide, tungsten oxide, tantalum oxide, hafnium oxide, barium oxide, ytterbium oxide, niobium oxide, molybdenum oxide, yttrium oxide, ruthenium oxide, germanium oxide, lead oxide A base film containing at least one compound selected from the group consisting of boron oxide as a main component, and a metal compound, silicon, zirconium, titanium, cerium, tin, bismuth, cobalt, Copper, aluminum, magnesium, manganese, chromium, indium, vanadium, iron, nickel, zinc, tungsten, tantalum, hafnium, barium, ytterbium, niobium,
After forming a metal dispersion film by applying a coating solution containing at least one compound selected from the group consisting of molybdenum, yttrium, ruthenium, germanium, lead, and boron as a main component, forming a metal dispersion film, and then performing heat treatment or electromagnetic wave irradiation. Wherein a fine metal particle is selectively deposited at a film interface between the undercoat film and the metal dispersion film.
【請求項3】 前記下地膜は、酸化珪素、酸化ジルコニ
ウムからなる群から選択される少なくとも1種の化合物
を含有することを特徴とする請求項1または2に記載の
偏光素子の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the underlayer contains at least one compound selected from the group consisting of silicon oxide and zirconium oxide.
【請求項4】 前記下地膜は、質量%で表して、酸化チ
タン、酸化セリウム、酸化スズ、酸化ビスマス、酸化コ
バルト、酸化銅、酸化アルミニウム、酸化マグネシウ
ム、酸化マンガン、酸化クロム、酸化インジウム、酸化
バナジウム、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化亜鉛、酸化タ
ングステン、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化バリ
ウム、酸化イッテルビウム、酸化ニオブ、酸化モリブデ
ン、酸化イットリウム、酸化ルテニウム、酸化ゲルマニ
ウム、酸化鉛、酸化ホウ素からなる群から選択される少
なくとも1種の化合物を2〜100質量%、酸化珪素、
酸化ジルコニウムからなる群から選択される少なくとも
1種の化合物を0〜98質量%以下、含有することを特
徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の偏光素子の製
造方法。
4. The base film, expressed in mass%, is titanium oxide, cerium oxide, tin oxide, bismuth oxide, cobalt oxide, copper oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, manganese oxide, chromium oxide, indium oxide, or oxide. From the group consisting of vanadium, iron oxide, nickel oxide, zinc oxide, tungsten oxide, tantalum oxide, hafnium oxide, barium oxide, ytterbium oxide, niobium oxide, molybdenum oxide, yttrium oxide, ruthenium oxide, germanium oxide, lead oxide, and boron oxide 2 to 100% by mass of at least one selected compound, silicon oxide,
The method for producing a polarizing element according to any one of claims 1 to 3, further comprising 0 to 98% by mass or less of at least one compound selected from the group consisting of zirconium oxide.
【請求項5】 前記金属分散膜の原料となる塗布液は、
固形物となったときの質量%で表して、金属を0.2〜
50質量%、酸化珪素、酸化ジルコニウム、酸化チタ
ン、酸化セリウム、酸化スズ、酸化ビスマス、酸化コバ
ルト、酸化銅、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、
酸化マンガン、酸化クロム、酸化インジウム、酸化バナ
ジウム、酸化鉄、酸化ニッケル、酸化亜鉛、酸化タング
ステン、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化バリウ
ム、酸化イッテルビウム、酸化ニオブ、酸化モリブデ
ン、酸化イットリウム、酸化ルテニウム、酸化ゲルマニ
ウム、酸化鉛、酸化ホウ素からなる群から選択される少
なくとも1種の化合物を50〜99.8質量%、含有す
ることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の偏
光素子の製造方法。
5. The coating liquid as a raw material of the metal dispersion film,
In terms of mass% when solidified, the metal is 0.2 to 0.2%.
50% by mass, silicon oxide, zirconium oxide, titanium oxide, cerium oxide, tin oxide, bismuth oxide, cobalt oxide, copper oxide, aluminum oxide, magnesium oxide,
Manganese oxide, chromium oxide, indium oxide, vanadium oxide, iron oxide, nickel oxide, zinc oxide, tungsten oxide, tantalum oxide, hafnium oxide, barium oxide, ytterbium oxide, niobium oxide, molybdenum oxide, yttrium oxide, ruthenium oxide, germanium oxide 5. The method for producing a polarizing element according to claim 1, comprising 50 to 99.8% by mass of at least one compound selected from the group consisting of lead oxide and boron oxide. .
【請求項6】 請求項1〜5のいずれかに記載の製造方
法により製造されたことを特徴とする偏光素子。
6. A polarizing element manufactured by the manufacturing method according to claim 1. Description:
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