JP2002049014A - 光送信器及び光伝送システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】光送信器の任意の光伝送システムへの適用性の
拡大と、発光素子特性の経年劣化変動に対する補償た
め、光伝送システムに合わせたチャープ量を設定した際
でも変調光出力が一定となる光送信器及びその光送信器
を用いた高信頼度な光伝送システムを提供すること。 【解決手段】駆動電流源１０に従い光を発振する発光素
子５と、発光素子５の一方の出力光を変調し変調光７を
出力する光変調器４と、光変調器４を印加電圧で駆動す
る駆動部８と、駆動部８のバイアス電圧と電圧振幅を決
定するバイアス・振幅制御部９と、発光素子５の他方の
出力光を受信し光電変換し受信情報を出力する受光素子
６と、その受信情報と駆動部８の駆動点情報と調整信号
を入力し駆動電流源１０とバイアス・振幅制御部９とを
制御する演算部２５とを有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電界吸収型光変調
器、ならびに、この光変調器を発光素子と集積化した集
積化光源を搭載した光送信器に関し、特にその電界吸収
型光変調器の駆動方法とそれを用いた光送信器が適用さ
れる光伝送システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＩＴＵ−Ｔ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉ
ｏｎａｌ Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｕｎ
ｉｏｎ − Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ Ｓ
ｔａｎｄａｒｄｉｚａｔｉｏｎ Ｓｅｃｔｉｏｎ）勧告
などの通信規格に見られるように、光伝送システムの高
速化、規格バリエーションの多様化が進んでいる。それ
ら光伝送システムに使用される光送信器においては、光
波長や光出力制御の高精度化、個々の光伝送システムに
おけるファイバ総分散値に対する分散耐力の適応が要求
されている。

【０００３】光送信器の制御方式において、複数の制御
パラメータが互いに密接に関連し、その制御ループが一
重以上となる場合は、制御条件の取捨選択・場合分けを
簡易に行うことができるマイコンを用いた制御方式が有
効である。また、光送信器に搭載する発光素子のデバイ
スパラメータをモデル化してメモリに記憶させ、マイコ
ンによって参照を行うことにより、それぞれの制御目的
に適合したアルゴリズムによる制御が実現できる。

【０００４】数１０ｋｍ以上の通常分散ファイバ伝送路
における１０Ｇｂｉｔ／ｓ以上の高速光送信器には、発
光素子であるレーザを直接変調する直接変調方式に比
べ、より低チャープ性に優れた外部変調方式を採用する
ことが必須となっている。特に発光素子との小型集積化
に適する電界吸収型光変調器が注目され、これを発光素
子と集積化した集積化光源が実用化されている。

【０００５】光伝送システムの光ファイバ分散耐力を決
定する電界吸収型光変調器または集積化光源の一つの特
性であるチャープは、光吸収係数変化量に対する屈折率
変化量（この比をαパラメータと呼ぶ）にて特徴づけら
れる。簡単に表現すると、チャープとは、光の強度変調
に伴う光波長のゆらぎである。このαパラメータとファ
イバ伝送特性との間には密接な関連が存在する。よっ
て、電界吸収型光変調器または集積化光源を搭載した光
送信器のファイバ伝送特性の制御及び最適化を行うには
αパラメータの詳細な制御が必要となる。

【０００６】図４に、電界吸収型光変調器のαパラメー
タ（α）と消光特性（ＥＲ）の光変調器印加電圧（Ｖ
Ｂ）に対する測定結果例を示す。図より分かるようにα
パラメータと消光特性は光変調器印加電圧依存性を有
し、その制御は光変調器駆動電圧のバイアス電圧と駆動
振幅を制御することにより可能となる。

【０００７】適用される光伝送システムに適合するよう
にαパラメータを任意に設定可能な光変調器の駆動方法
及び光変調器の特性変動を補償して安定化を図るため、
その制御にマイコンを用いる方式が報告されている。

【０００８】図５に特開平０９−１７９０７９号公報に
示される光送信器の例を示す。図において、ＣＰＵ１９
は集積化光源のαパラメータと変調光出力とが目標の設
定値となるように、ＲＯＭ１２の内蔵データを参照し、
駆動部８と駆動電流源１０との制御を行う。光変調器４
を通過した変調光出力７は光カプラ１５により分岐さ
れ、片方はファイバへの入射光である光送信器出力光と
なる。もう片方は光出力変動を感知するために受光素子
（フォトダイオードＰＤ）１６へ入射され、信号のアナ
ログ−デジタル変換を行うＩ／Ｏ部２３を通じてＣＰＵ
１９にて演算処理が行われる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】光送信器のファイバ伝
送特性を改善するためにαパラメータを制御した際に
は、光変調器の駆動点が変化するので、光変調器の出力
である変調光出力が変化し、結果として光送信器の光出
力も変化してしまうこととなる。通常、光送信器のファ
イバ伝送特性と光出力とを同時に確認することができな
いため、両特性仕様を同時に達成するための光送信器の
調整作業は困難であった。

【００１０】また、特性変動補償のため発光素子からの
光変調器への入射光強度や光変調器の駆動点を変動させ
た場合、吸収光を電流変換した際に発生する光電流（以
下Ｉｐｈ）量が変動し、同時に光変調器の印加電圧レベ
ルも変動してしまうので、αパラメータ値が変化し、フ
ァイバ伝送特性が変化してしまうことになる。

【００１１】さらに、発光素子の経年劣化によって発光
素子の光出力が変動した場合にも同様なことが起きる。

【００１２】図５に示す例では、受光素子１６からのモ
ニタ光の変動量によりＣＰＵ１９が駆動電流源１０の電
流量を調整するが、発光素子５の出力光の増減によりＩ
ｐｈの量も変化し駆動部８の駆動点は変動するので、α
パラメータ値は一定とならない。

【００１３】また、光変調器４の変調光出力７の一部を
分岐するので光ファイバに入射し、伝送すべき光送信器
出力光の損失が大きい欠点があり、更に光を分岐するた
めの光カプラ１５などの光学部品の設置はコスト、スペ
ース的に不利である。

【００１４】また、光変調器４を通過しない発光素子の
強度の変動をモニタするためのフォトダイオードが設置
されていないため、長期動作時の発光素子の劣化による
光変動を補償することが困難である。

【００１５】よって本発明の目的は、光送信器の調整作
業の簡易化と任意のシステムへの適用性の拡大と発光素
子の特性の経年劣化変動に対する補償のため、システム
に合わせたαパラメータを設定した際でも、変調光出力
が一定となる光送信器及びその光送信器を用いた高信頼
度な光伝送システムを提供することにある。

【００１６】また、コスト、スペース的に有利で、なお
かつ光変調器に手を加えることなく簡易に実現すること
にある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、αパラメータの最適調整もしくは光素子
特性の経年劣化変動に対する補償のために変動した駆動
点の情報をモニタし、その変動分に起因する光変動量を
自動的に補償する。

【００１８】具体的には、駆動部の印加電圧のハイレベ
ル設定値と、同ローレベル設定値などの駆動情報をバイ
アス・振幅制御部より直接モニタし、その数値を基に、
最適となる発光素子駆動電流値を決定する。このとき、
各々の集積化光源の消光特性、電流−光出力特性、電流
−Ｉｐｈ特性を記録したメモリを回路上に搭載し、駆動
情報から変調光出力の増加分もしくは減衰分を求め、最
適となるよう発光素子の駆動電流源を制御することによ
り変調光出力を一定とすることが可能となる。また発光
素子の後方に受光素子を設置し光変動をモニタし監視す
ることにより、長期の経年劣化に対する光出力変動を自
動的に補償することが可能となる。本発明において、初
期調整時の光変調器印加電圧調整による駆動点の変動
と、長期動作時の発光素子の経年劣化による光出力変化
に伴う駆動点の変動の切り分けは、駆動部からの印加電
圧設定値の変化と発光素子後方出力モニタ用受光素子の
出力値を比較することにより実現しており、両者につい
てそれぞれ異なった制御を行うことが可能である。

【００１９】また、駆動部が両相出力を有し、その片方
の出力に光変調器バイアス制御機能を有する場合に、駆
動部出力のバイアス制御機能を有する側の駆動電圧値の
平均レベル（以下Ｖｄａｔａ）と、光変調器バイアス制
御機能を有さない側の駆動電圧値の平均レベル（以下Ｖ
ｂａｒ）と発光素子の後方出力量を検出するための受光
素子の電圧値（以下Ｖｐｄ）をモニタする機能と、Ｖｄ
ａｔａ、Ｖｂａｒ、Ｖｐｄから算出した値により発光素
子に適切な電流を印加するための駆動電流源とその制御
回路（演算部）から成る。ここで、Ｖｄａｔａは発光素
子の駆動電流量と駆動部の駆動点の設定値の変動により
変化し、Ｖｂａｒは駆動点の設定値の変動により変化
し、Ｖｐｄは発光素子の駆動電流量の変動により変化す
る。よって、Ｖｄａｔａ、Ｖｂａｒ、Ｖｐｄの関係は
（数１）で表すことができる。

【００２０】 ｜Ｖｄａｔａ｜−｜Ｖｂａｒ｜−｜Ｖｐｄ｜＝ｃ ………………（数１） （ｃは定数） （数１）とした時にｃの値はある光出力の下に一定値を
とる。よってこの時、ｃの値が一定となる様に制御を行
うことにより変調光出力を一定とすることが可能とな
る。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下に本発明に関して、図を用い
て説明する。図１は本発明の光送信器の構成を示すブロ
ック図である。図のように光送信器は、発光素子５と発
光素子を駆動するための駆動電流源１０と、発光素子５
からの前方光出力を変調する光変調器４と、入力信号に
従い光変調器４を駆動する駆動部８と、駆動部８のバイ
アス電圧値・電圧振幅を決定するバイアス・振幅制御部
９と、発光素子５の後方光出力をモニタする受光素子６
と、受光素子６のモニタ値の変動量とバイアス・振幅制
御部９の設定値と調整信号とをアナログ・デジタル変換
部１８を通してモニタし、光変調器４と発光素子５の諸
特性を記憶するＲＯＭ１２を参照することによりデジタ
ル・アナログ変換部２０を通して駆動電流源１０を制御
するための電圧値を決定するＣＰＵ１９からなる。ま
た、ＲＯＭ１２、デジタル・アナログ変換部１８、ＣＰ
Ｕ１９、デジタル・アナログ変換部２０をまとめて演算
部２５としている。ここで、発光素子は、ＤＦＢレー
ザ、受光素子はフォトダイオードが適当である。この方
法は、バイアス・制御部９が駆動部８に与えるバイアス
電圧や振幅電圧の設定値から間接的に光変調器４の駆動
点の情報を取り込む方法である。

【００２２】図３に、駆動部８の光変調器４への印加電
圧値をＶＢ、受光素子６のモニタ値をＶｐｄとしたとき
のＣＰＵ１９の動作の流れを示したフローチャートを示
す。ここで、ＩＦは発光素子５を駆動する電流値を表
す。

【００２３】ＣＰＵ１９は、まず、ＶＢとＶｐｄのどち
らが変化したかを感知することにより、光変調器の駆動
点の変動が、初期調整時の光変調器印加電圧調整による
ものなのか、長期動作時の発光素子の経年劣化によるも
のなかを判別する。この時、ＲＯＭ１２には搭載した光
変調器の消光特性、発光素子の電流−光出力特性、受光
素子の電流−Ｖｐｄ特性、光変調器と発光素子の電流−
Ｉｐｈ特性がメモリされているものとする。

【００２４】図７から図１０に、ある光変調器、集積化
光源における特性例を示す。ここで、図７は、光変調器
の消光比の印加電圧依存性測定例（消光特性）を示し、
図８は、発光素子の光出力の印加電流依存性測定例（発
光素子光出力特性）を示し、図９は、発光素子の光後方
出力モニタの印加電流依存性測定例（発光素子後方出力
受信特性）を示し、図１０は、光変調器の光電流量の印
加電流依存性測定例（光電流特性）を示す。

【００２５】ユーザが調整信号入力１７に入力する調査
信号で、バイアス・振幅制御部９を介して、光変調器４
の制御を行う初期調整時の光変調器印加電圧調整による
場合、まずＶＢ変化分による光変調器４の変調光出力
（Ｐｆ）７の変化幅ΔＰｆを図７の消光特性より求め
る。次にこの変調光出力変化幅ΔＰｆを補正する分の発
光素子駆動電流量ΔＩＦを図８の電流−光出力特性より
求める。次に、前記ＶＢ、ΔＩＦに対応するＩｐｈの変
化量ΔＩｐｈを図１０より求め、前記ＶＢにΔＩｐｈに
よる駆動点変化幅の補正分を追加した分をバイアス・振
幅制御部９へ印加する。同時に変調光出力７を補正する
ためのΔＩＦを駆動電流源１０へ印加し、変調光出力７
を一定に保つ。

【００２６】具体的に例を示すと、図１０でを初期状
態（ＶＢ＝−０．１Ｖ，ＩＦ＝４０ｍＡ）とし、変調光
出力（Ｐｆ）を一定のままαパラメータ制御のためＶＢ
を−０．３Ｖに設定したい場合は、次の通りである。

【００２７】まず第１に、ＶＢ＝−０．３Ｖでと同じ
Ｐｆ値となるＩＦ値を、図７、図８より求める。手順と
しては、ＶＢを−０．１Ｖから−０．３Ｖへ変化させた
ときのＰｆ変動量（ΔＥＲ）を図７から求める。次にそ
のＰｆ変動量を補正するために必要なＩＦ増分量を図８
より求める。

【００２８】第２に、図１０で、上記第１の手順で求め
たＩＦ値（ここでは仮に２０ｍＡ増しのＩＦ＝６０ｍＡ
とする）とＶＢ＝−０．３Ｖ設定した状態と状態を
比較し、Ｉｐｈの増分量を求める（ここではΔＩｐｈ＝
６ｍＡ）。

【００２９】第３に、この状態ではＩｐｈが６ｍＡ増え
るためにＥＡ部からのバイアスシフト（光電流）によっ
てＶＢが目的の−０．３Ｖには設定されない（自然にＶ
Ｂが変化する）。そこで状態からＩｐｈがΔIｐｈ
（ここでは６ｍＡ）大きい状態のＶＢ値ＶＢ＝−０．
７ＶをＥＡに印加する。ＩＦ増加分によるＩｐｈ増加に
伴うＶＢのバイアスシフト分を見越して、ほぼΔＩｐｈ
分深めのＶＢを設定することにより、目的のＶＢ値（−
０．３Ｖ）を得ることができ、Ｐｆを一定とすることが
できる。

【００３０】一方、上記初期調整時と異なり、長期動作
時の発光素子経年劣化により変調光出力が変動した場
合、ＣＰＵ１９はＶｐｄが変動したことを感知し、その
変動分ΔＶｐｄに対応するΔＩＦを図９の電流−Ｖｐｄ
特性より求める。ΔＩＦによる光出力の増加分ΔＰｆを
図８より求め、ΔＰｆに対応する変調器印加バイアス変
動分ΔＶＢを図７より求める。次にΔＶＢ、ΔＩＦに対
応するＩｐｈの変化量ΔＩｐｈを図１０より求め、前記
ΔＶＢにΔＩｐｈによる光変調器の駆動点の変化幅の補
正分を追加した分をバイアス・振幅制御部９へ印加す
る。同時に変調光出力７を補正するためのΔＩＦを駆動
電流源１０へ印加し変調光出力７を一定に保つ。

【００３１】本構成では、ＲＯＭ１２に発光素子５、光
変調器４の諸特性をあらかじめ記憶させておくことによ
り駆動部８と光変調器４間にモニタ部を設置する必要が
なく、いかなるタイプの駆動部においても実現が可能で
ある。また、駆動部と光変調器間にモニタ部を設置する
ことが可能で、駆動部が差動型両相出力を有する場合、
より簡易に本発明の目的を達成することができる。

【００３２】図２に、駆動部と光変調器間にモニタ部を
設置した光送信器の構成を示す。駆動部８は両相出力を
有し、その片方の出力にバイアス制御機能を有するもの
とする。駆動部８出力のバイアス制御機能を有する側の
駆動電圧値の平均レベルＶｄａｔａ１３と、バイアス制
御機能を有さない側の駆動電圧値の平均レベルＶｂａｒ
１４と、発光素子の後方出力量を検出するための受光素
子６の電圧値Ｖｐｄは、アナログ・デジタル変換部１８
を通じてＣＰＵ１９に入力される。ここで、Ｖｄａｔａ
１３は発光素子の駆動電流量と駆動部８の駆動点設定値
の変動により変化し、Ｖｂａｒ１４は駆動点設定値の変
動により変化し、Ｖｐｄは発光素子の駆動電流量の変動
により変化する。よって、（数１）が成り立つ。

【００３３】このときにｃはある一定の光出力の下に一
定値をとる。図１の方法がバイアス・制御部９が駆動部
８に与えるバイアス電圧や振幅電圧の設定値から間接的
に光変調器４の駆動点の情報を取り込む方法であること
に対し、この方法は、直接的に光変調器４の駆動点の情
報を取り込むことができるため、制御精度の向上につな
がる。

【００３４】図６は実際に光変調器集積化光源を搭載し
た光送信器を用いて、光変調器の駆動点を変動させたと
きに変調光出力（Ｐｆ）７が一定（０ｄＢｍ）となるよ
う発光素子の駆動電流値ＩＦを調整した際のＶｄａｔ
ａ、Ｖｂａｒ、Ｖｐｄの値を測定した結果である。図中
のＶＯＨ、ＶＯＬはそれぞれ光変調器の駆動点のハイレ
ベル、ローレベルを示す。図より、｜Ｖｄａｔａ｜＋｜
Ｖｂａｒ｜−｜Ｖｐｄ｜はおよそ１０５５〜１０７０
［ｍＶ］程度となるので、回路では、ＣＰＵ１９の計算
値が常に一定値となるよう制御をかければよいことがわ
かる。この時、何種類かの変調光出力（Ｐｆ）７につい
て図６の表を作成し、あらかじめＲＯＭ１２に記憶して
おけば、調整者がＶＯＨ、ＶＯＬを調整しαパラメータ
設定後、希望の変調光出力値を入力することによりＣＰ
Ｕ１９は図６のバリエーションからその変調光出力、Ｖ
ＯＨ、ＶＯＬに適合したＶｄａｔａ、Ｖｂａｒ、Ｖｐｄ
を設定するように発光素子の駆動電流源１０、バイアス
・振幅制御部９をコントロールできる。光変調器集積化
光源を搭載した光送信器において所望の伝送特性にあっ
たＶＯＨ、ＶＯＬを得る方法は、本発明者により特開平
１１−３３１０９０号公報にて説明されているので、本
発明を併用することにより、ユーザーの所望の伝送特性
と変調光出力７を自動的に得ることができる。また調整
後光送信器が長期駆動に移行した後は、（数１）が常に
一定値となるように制御を行うことにより変調光出力７
の安定化を得ることが可能となる。

【００３５】図１１は、本発明における光送信器を適用
した光伝送システムの構成例を示すブロック図である。
図の様に光伝送システムは、光信号を出力する光送信器
１と、光送信器１から出力された光信号を伝送する光フ
ァイバ３と、光ファイバ３を介して光信号を受信する光
受信器２から構成される。光送信器１はαパラメータを
制御する調整信号入力端子１７を有し、αパラメータを
制御するために使用する。この時αパラメータを制御し
た際でも光送信器１の変調光出力の大きさは変化しない
ので、光送信器の変調光出力仕様を満たしたまま、シス
テムに最適なαパラメータを設定することが可能とな
る。

【００３６】また本発明では、例えば図１２に示す光ア
ンプ、もしくは分散補償器、もしくは光アンプと分散補
償器の両方を用いた伝送回線にも適用可能である。あら
かじめ光アンプ２１ａ、２１ｂの出力を任意の値に調整
した際に適正な動作範囲となるよう光送信器の出力を設
定し、分散補償器２２の分散補償量を含んだシステム全
体に適性となる光送信器１のαパラメータを調整信号入
力端子１７により調整する。この時光送信器の光出力は
常に一定となるため、光アンプ入力強度が小さくなりす
ぎることにより起こる伝送波形のＳ／Ｎ比の劣化や、光
アンプ入力強度が大きくなりすぎることにより起こるＳ
ＰＭ（Ｓｅｌｆ Ｐｈａｓｅ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ；
自己位相変調）の効果は発生しない。

【００３７】以上本発明により、任意の伝送回線構成に
おいて光送信器の変調光出力仕様を満たしたまま、伝送
システムに最適なαパラメータを設定することが可能と
なる。さらに、長期の発光素子特性の経年劣化変動に対
するαパラメータと変調光出力の自動補償が可能とな
る。

【００３８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、任
意のシステムに最適となるように光送信器のαパラメー
タを設定した際でも変調光出力を一定とすることがで
き、また、発光素子特性の経年劣化変動に対する自動補
償が可能となるため、光送信器の調整作業の簡易化と任
意のシステムへの適用性の拡大、高信頼度な光送信器及
び光伝送システムの実現が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光送信器の構成を示す。

【図２】本発明の光送信器の構成を示す。

【図３】図１の光送信器の制御のフローチャートを示
す。

【図４】光変調器のαパラメータと消光比の光変調器印
加電圧に対する測定結果例（α特性、消光特性）を示
す。

【図５】従来の光送信器の構成例を示す。

【図６】図２の光送信器における調整パラメータの実測
例を示す。

【図７】光変調器の消光比の印加電圧依存性測定例（消
光特性）を示す。

【図８】発光素子の光出力の印加電流依存性測定例（発
光素子光出力特性）を示す。

【図９】発光素子の光後方出力モニタの印加電流依存性
測定例（発光素子後方出力受信特性）を示す。

【図１０】光変調器の光電流量の印加電流依存性測定例
（光電流特性）を示す。

【図１１】本発明の光送信器を適用した光伝送システム
の構成を示す。

【図１２】本発明の光送信器を適用した光伝送システム
の構成を示す。

【符号の説明】

１…光送信器、２…光受信器、３…光伝送ファイバ、４
…光変調器、５…発光素子（レーザ）、６…受光素子
（フォトダイオード）、７…変調光出力、８…駆動部、
９…バイアス・振幅制御部、１０…駆動電流源、１１…
信号入力部、１２…ＲＯＭ、１３…駆動部データ正相出
力部、１４…駆動部データ逆相出力部、１５…光カプ
ラ、１６…フォトダイオード、１７…調整信号入力、１
８…アナログ・デジタル変換器、１９…ＣＰＵ、２０…
デジタル・アナログ変換器、２１ａ、２１ｂ…光アン
プ、２２…分散補償器、２３…入出力変換器、２４…Ｒ
ＡＭ、２５…演算部、２６…バイアス制御部。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０４Ｂ 10/14 10/04 10/06 Ｆターム(参考） 2H079 AA02 CA04 FA01 FA03 FA04 HA11 KA18 5F073 BA01 EA13 GA02 GA12 5F089 AA01 AB20 CA15 FA03 FA10 GA10 5K002 AA01 AA02 BA13 CA01 CA08 CA09 CA11

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】駆動電流源に従い光を発振する発光素子
   と、 上記発光素子の一方の出力光を変調し、変調光を出力す
   る光変調器と、 上記光変調器を印加電圧で駆動する駆動部と、 上記駆動部のバイアス電圧と電圧振幅を決定するバイア
   ス・振幅制御部と、 上記発光素子の他方の出力光を受信し、光電変換し、受
   信情報を出力する受光素子と、 上記受信情報と上記駆動部の駆動点情報と調整信号を入
   力し、上記駆動電流源と上記バイアス・振幅制御部とを
   制御する演算部とを有することを特徴とする光送信器。
2. 【請求項２】前記駆動点情報が、前記駆動部の出力部か
   ら直接的に、または、上記駆動部の入力部から間接的に
   抽出された上記駆動部の印加電圧のバイアスレベルの情
   報と、上記駆動部の印加電圧のハイレベルの情報と、上
   記駆動部の印加電圧のローレベルの情報との任意の組み
   合わせであることを特徴とする請求項１に記載の光送信
   器。
3. 【請求項３】前記演算部が、 上記光変調器の消光特性の情報と、該光変調器の光電流
   特性の情報と、前記発光素子の光出力特性の情報と、該
   発光素子他方出力受信特性の情報とを記憶した記憶素子
   と、 前記受信情報と、前記駆動点情報と、前記調整信号とを
   入力し、ディジタル・アナログ変換するディジタル・ア
   ナログ変換器と、 上記ディジタル・アナログ変換器で変換された上記受信
   情報と、上記駆動点情報と、上記調整信号と、上記記憶
   素子に記憶された情報とを入力し、制御情報を出力する
   中央処理部と、 上記制御情報をディジタル・アナログ変換し、上記駆動
   電流源を制御する駆動電流源制御信号と、上記バイアス
   ・振幅制御部を制御するバイアス・振幅制御部制御信号
   を出力するディジタル・アナログ変換器とで構成されて
   いることを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか
   に記載の光送信器。
4. 【請求項４】駆動電流源に従い光を発振する発光素子
   と、上記発光素子の一方の出力光を変調し、変調光を出
   力する光変調器と、上記光変調器を印加電圧で駆動する
   駆動部と、上記駆動部のバイアス電圧と電圧振幅を決定
   するバイアス・振幅制御部と、上記発光素子の他方の出
   力光を受信し、光電変換し、受信情報を出力する受光素
   子と、上記受信情報と上記駆動部の駆動点情報と調整信
   号を入力し、上記駆動電流源と上記バイアス・振幅制御
   部とを制御する演算部とを有する光送信器と、 上記変調光を受信する光受信器とを有することを特徴と
   する光伝送システム。
5. 【請求項５】前記光送信器と前記光受信器との間に、 前記変調光を増幅する光アンプと、 分散補償器とを有することを特徴とする請求項４に記載
   の光伝送システム。