JP2002043841A - Voltage-controlled oscillator - Google Patents

Voltage-controlled oscillator

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JP2002043841A
JP2002043841A JP2000226131A JP2000226131A JP2002043841A JP 2002043841 A JP2002043841 A JP 2002043841A JP 2000226131 A JP2000226131 A JP 2000226131A JP 2000226131 A JP2000226131 A JP 2000226131A JP 2002043841 A JP2002043841 A JP 2002043841A
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JP
Japan
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layer
ether compound
dielectric
controlled oscillator
terminal
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JP2000226131A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinichi Tsuchiya
慎一 土屋
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a voltage-controlled oscillator which will not cause cracks or warpage characteristic of a ceramic multilayer board to cracks or warpages, during baking or deviates the positions of through-holes, and can have elements such as capacitor, inductor or resonator built in itself for miniaturization. SOLUTION: A multilayer board 1 is a laminated structure of dielectric layers 11a-11f, having at least a polyvinylbenzyl ether compound, a composite dielectric layer 14, having the polyvinylbenzy ether compound with dielectric power dispersed in this compound and a conductor. In the board 1, a resonator layer 2, an inductance layer 3 and a capacitor layer 4 are formed. Mutual connections for conductors of the contained elements and connections of the elements contained to components mounted on the multilayer board are made by side through-holes being signal terminals 16, 18-22, provided by cutting through-holes formed into conductors. Ground terminals 15a, 15b, 15d are provided between the signal terminal 16, formed by the side through-hole and a power terminal 17 or between the signal terminals 18-22.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電圧制御発振器に
係わり、より詳しくは、移動体通信機器の局部発振器に
適した電圧制御発振器に関する。
The present invention relates to a voltage controlled oscillator, and more particularly, to a voltage controlled oscillator suitable for a local oscillator of a mobile communication device.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、携帯電話等のデジタル移動体通信
機器が普及しており、これらの機器には電圧制御発振器
が搭載されている。これらの移動体通信機器の小型化に
伴い、搭載部品にも小型化が要求される。
2. Description of the Related Art In recent years, digital mobile communication devices such as mobile phones have become widespread, and these devices are equipped with a voltage-controlled oscillator. With the miniaturization of these mobile communication devices, miniaturization of mounted components is also required.

【0003】本来、電圧制御発振器を構成する基板とし
て、小型化が図れるというメリットから、例えば特開平
5-275925号公報や特開平10-284935号公
報に記載のように、セラミック多層基板が多く用いら
れ、一部にはFR-4のようなガラスエポキシ基板が使
用されている。また、低価格で加工精度が良く、湿度に
よる発振周波数のばらつきが少ない電圧制御発振器を提
供することを目的として、特開平10-173439号
公報には、多層基板として、ガラスエポキシ樹脂の代わ
りにフッ素系樹脂であるポリテトラフルオロエチレン樹
脂を用いることが提案されている。
[0003] Originally, as a substrate constituting a voltage controlled oscillator, ceramic multilayer substrates are often used as described in JP-A-5-275925 and JP-A-10-284935, for example, because of the merit that the size can be reduced. In some cases, a glass epoxy substrate such as FR-4 is used. In order to provide a voltage-controlled oscillator that is low in cost, has good processing accuracy, and has a small variation in oscillation frequency due to humidity, Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-173439 discloses a multilayer substrate that uses fluorine instead of glass epoxy resin. It has been proposed to use a polytetrafluoroethylene resin as a system resin.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、セラミ
ック多層基板は、焼結時のクラックやそりの発生の問題
があり、また、一括焼成するため、焼成によるスルーホ
ールの位置ずれ等、焼結材特有の問題があった。また、
セラミック多層基板の内蔵素子間に基板内スルーホール
を形成しているため、さらなる小型化を阻害している。
However, the ceramic multilayer substrate has a problem of generation of cracks and warpage during sintering. Further, since the ceramic multi-layer substrate is fired in a lump, the ceramic multilayer substrate has a problem such as misalignment of a through hole due to firing. There was a problem. Also,
The formation of through holes in the substrate between the built-in elements of the ceramic multilayer substrate hinders further miniaturization.

【0005】一方、ガラスエポキシ基板を用いる場合、
ガラスエポキシ自体では十分な比誘電率を得ることがで
きないため、図3の断面図に示すように、多層基板30
内に、ストリップライン32と誘電体層31とグランド
電極33とからなる共振器34を内蔵し、ほとんどのコ
ンデンサや抵抗やインダクタ等の受動素子35や半導体
部品36は搭載部品として多層基板30上に搭載してい
る。また、ガラスエポキシ樹脂はQの値が60程度であ
り、おおよそGHz以上の高周波領域における損失が大
きくなり、このこともガラスエポキシ基板内に素子を形
成することを困難にしており、多数の搭載部品の搭載面
積を確保する必要から、小型化を阻害する原因となって
いる。また、配線を短くするために、内部導体への接続
を基板内スルーホール37によって行うことが多く、小
型化を阻害していた。
On the other hand, when a glass epoxy substrate is used,
Since a sufficient relative dielectric constant cannot be obtained with glass epoxy itself, as shown in the sectional view of FIG.
A resonator 34 comprising a strip line 32, a dielectric layer 31, and a ground electrode 33 is built therein. Most of the passive elements 35 such as capacitors, resistors and inductors and the semiconductor components 36 are mounted on the multilayer substrate 30 as mounting components. It is installed. In addition, the glass epoxy resin has a Q value of about 60, and the loss in a high frequency region of about GHz or more becomes large. This also makes it difficult to form an element in a glass epoxy substrate, and a large number of mounted components It is necessary to secure a mounting area, which hinders miniaturization. Further, in order to shorten the wiring, the connection to the internal conductor is often made by the through hole 37 in the substrate, which hinders miniaturization.

【0006】また、フッ素系樹脂を多層基板に用いる場
合、この樹脂は成形が困難であるという問題点がある。
Further, when a fluorine-based resin is used for a multilayer substrate, there is a problem that the resin is difficult to mold.

【0007】そこで、本発明は、セラミック多層基板特
有の焼結時のクラックあるいはそりの発生や、スルーホ
ールの焼成時の位置ずれがなく、しかもコンデンサ、イ
ンダクタおよび共振器等の素子を内蔵でき、小型化が図
れる電圧制御発振器を提供することを目的とする。ま
た、本発明は、高周波領域においても、小型化により信
号端子間の干渉が防止できる電圧制御発振器を提供する
ことを目的とする。また、本発明は、成形性にすぐれ、
製造が容易な多層基板を有する電圧制御発振器を提供す
ることを目的とする。
Accordingly, the present invention is free from cracks or warpage during sintering peculiar to a ceramic multi-layer substrate and displacement during firing of through holes, and can incorporate elements such as capacitors, inductors and resonators. It is an object of the present invention to provide a voltage controlled oscillator that can be downsized. Another object of the present invention is to provide a voltage controlled oscillator that can prevent interference between signal terminals by downsizing even in a high frequency range. Also, the present invention has excellent moldability,
It is an object of the present invention to provide a voltage controlled oscillator having a multilayer substrate that can be easily manufactured.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段とその作用、効果】請求項
1の電圧制御発振器は、少なくともポリビニルベンジル
エーテル化合物を有する誘電体層と、ポリビニルベンジ
ルエーテル化合物に誘電体粉末が分散されている複合誘
電体層と、導体との積層構造でなる多層基板からなり、
前記多層基板の内部に受動素子を構成して内蔵素子と
し、かつ前記内蔵素子の導体どうしの接続および前記内
蔵素子と多層基板上の搭載部品との接続を、多数個取り
用多層基板素材の導体を形成したスルーホールを切断す
ることにより設けられたサイドスルーホールにより行
い、前記サイドスルーホールにより形成された端子とし
て、グランド端子、信号端子および電源端子とを有し、
かつ前記グランド端子は、前記信号端子間または信号端
子と電源端子間に設けたことを特徴とする。
The voltage controlled oscillator according to claim 1 is a composite dielectric having at least a dielectric layer having a polyvinyl benzyl ether compound and a dielectric powder dispersed in the polyvinyl benzyl ether compound. It consists of a multilayer board consisting of a body layer and a laminated structure of a conductor,
A passive element is formed inside the multilayer substrate to form a built-in element, and the connection between the conductors of the built-in element and the connection between the built-in element and the mounting component on the multilayer substrate are made of a conductor of a multi-layered multi-layer substrate material. Performed by cutting through holes formed by side through holes provided, as a terminal formed by the side through holes, a ground terminal, a signal terminal and a power supply terminal,
Further, the ground terminal is provided between the signal terminals or between the signal terminal and the power supply terminal.

【0009】このように、本発明においては、多層基板
の材料としてポリビニルベンジルエーテル化合物からな
る誘電体層と、ポリビニルベンジルエーテル化合物と誘
電体粉末を分散したものからなる複合誘電体層とを用い
たので、基板材料の比誘電率を約2.5〜30の範囲で
設定できる。このため、多層基板内にコンデンサ、イン
ダクタ、共振器等の受動素子を内蔵することができ、多
層基板上に多数の受動素子を搭載する場合に比較して、
搭載部品の搭載面積が狭くてすみ、小型化が達成でき
る。
As described above, in the present invention, a dielectric layer made of a polyvinyl benzyl ether compound and a composite dielectric layer made of a dispersion of a polyvinyl benzyl ether compound and a dielectric powder are used as the material of the multilayer substrate. Therefore, the relative dielectric constant of the substrate material can be set in a range of about 2.5 to 30. For this reason, a passive element such as a capacitor, an inductor, and a resonator can be built in the multilayer substrate, and compared with a case where a large number of passive elements are mounted on the multilayer substrate,
The mounting area of mounted components can be small, and miniaturization can be achieved.

【0010】また、小型化された樹脂製多層基板を使用
し、内蔵素子の導体どうしあるいはその導体と搭載部品
との接続に端子電極も兼ねサイドスルーホールを使用す
るため、部品実装面に基板内にスルーホールを設けるこ
とがなくなったため、デッドエリアが無くなり、さらな
る小型化、高密度実装が可能となる。
In addition, since a miniaturized resinous multi-layer board is used and side through holes that also serve as terminal electrodes are used for connecting the conductors of the built-in elements or for connecting the conductors to the mounted parts, the inside of the board is mounted on the component mounting surface. Since there is no need to provide a through-hole, a dead area is eliminated, and further downsizing and high-density mounting become possible.

【0011】また、信号端子間にグランド端子を設けて
いるので、小型化したことにより端子ピッチ間が狭くな
っても、特性の劣化が防止できる。また、ポリビニルベ
ンジルエーテル化合物はQの値が約300程度と高く、
高周波特性に優れており、100MHz以上さらに1G
Hz以上の用途に適している。
Further, since the ground terminals are provided between the signal terminals, even if the terminal pitch becomes narrow due to the miniaturization, deterioration of the characteristics can be prevented. Further, the polyvinyl benzyl ether compound has a high Q value of about 300,
Excellent high frequency characteristics, 100MHz or more, 1G
Hz or higher.

【0012】このように、請求項1によれば、受動素子
の内蔵と、サイドスルーホールによる接続により小型化
が可能となる。また、信号端子間にグランド端子を設け
て構造上の特性劣化の要因を排除すると共に、多層基板
の材料としてポリビニルベンジルエーテル化合物を用い
たことにより、高周波を扱う電圧制御発振器として、小
型化によって特性が劣化することのないものを提供でき
る。
As described above, according to the first aspect, the size can be reduced by incorporating the passive element and connecting the side element with the side through hole. In addition, a ground terminal is provided between the signal terminals to eliminate the cause of structural characteristic deterioration, and the use of a polyvinyl benzyl ether compound as the material of the multi-layer substrate makes it possible to reduce the size of the voltage-controlled oscillator that handles high frequencies. Can be provided without deterioration.

【0013】また、前記フッ素系樹脂を多層基板に用い
た場合、多層化が困難であるといった課題を有している
が、本発明のポリビニルベンジルエーテル化合物とその
複合材は成形性が良く、従来のガラスエポキシ基板と同
等の工程で容易に多層化でき、既存の製造設備を使って
製造できることから製造コストの面でも極めて有用であ
る。
Further, when the fluorine-based resin is used for a multilayer substrate, there is a problem that multilayering is difficult. However, the polyvinyl benzyl ether compound of the present invention and its composite material have good moldability, and It can be easily multi-layered by the same process as that of the glass epoxy substrate, and can be manufactured using existing manufacturing equipment, which is extremely useful in terms of manufacturing cost.

【0014】請求項2の電圧制御発振器は、請求項1に
おいて、前記多層基板の少なくとも一部の誘電体層にガ
ラスクロス材が埋設されていることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the voltage controlled oscillator according to the first aspect, a glass cloth material is embedded in at least a part of the dielectric layer of the multilayer substrate.

【0015】このように、多層基板にガラスクロス材を
埋設することにより、機械的強度が改善でき、クラック
等の基板破損のおそれが解消される。
By embedding the glass cloth material in the multi-layer substrate as described above, the mechanical strength can be improved, and the possibility of substrate damage such as cracks can be eliminated.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本発明は少なくともポリビニルベ
ンジルエーテル化合物を含む誘電体層と、ポリビニルベ
ンジルエーテル化合物と誘電体粉末との複合材料でなる
誘電体層とを有する多層基板を構成する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention provides a multilayer substrate having at least a dielectric layer containing a polyvinyl benzyl ether compound and a dielectric layer made of a composite material of a polyvinyl benzyl ether compound and a dielectric powder.

【0017】このようなポリビニルベンジルエーテル化
合物あるいはこれに誘電体粉末を分散させた複合誘電体
層を用いて基板を形成する場合、接着剤等を用いること
なく、銅箔との接着やパターニングが実現でき、かつ多
層化を実現することができる。こうしたパターニングや
多層化処理は、通常の基板製造工程と同じ工程でできる
ので、コストダウンおよび作業性の改善を図ることがで
きる。また、このようにして得られる基板による電圧制
御発振器は、高強度で、高周波特性の向上したものであ
る。
When a substrate is formed using such a polyvinyl benzyl ether compound or a composite dielectric layer in which a dielectric powder is dispersed, adhesion and patterning with a copper foil can be realized without using an adhesive or the like. And multilayering can be realized. Such patterning and multi-layer processing can be performed in the same process as a normal substrate manufacturing process, so that cost reduction and improvement in workability can be achieved. The substrate-controlled voltage oscillator thus obtained has high strength and improved high-frequency characteristics.

【0018】本発明の積層電子部品に用いられるポリビ
ニルベンジルエーテル化合物は、下記化1で示されるも
のが好ましい。
The polyvinyl benzyl ether compound used in the laminated electronic component of the present invention is preferably one represented by the following formula 1.

【0019】[0019]

【化1】 (式中、R1 はメチル基またはエチル基を示し、R2
水素原子または炭素数1〜10の炭化水素基を示し、R
3 は水素原子またはビニルベンジル基を示し(但し、水
素原子とビニルベンジル基とのモル比は60:40〜
0:100である)、nは2〜4の数を示す)また本発
明は、下記化2
Embedded image (Wherein, R 1 represents a methyl group or an ethyl group; R 2 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms;
3 represents a hydrogen atom or a vinylbenzyl group (provided that the molar ratio of the hydrogen atom to the vinylbenzyl group is 60:40 to
0: 100), and n represents a number of 2 to 4).

【0020】[0020]

【化2】 (式中、R1 はメチル基またはエチル基を示し、R2
水素原子または炭素数1〜10の炭化水素基を示し、n
は2〜4の数を示す)で示されるポリフェノールと、ビ
ニルベンジルハライドとを、アルカリ金属水酸化物の存
在下で反応させて得られる、上記化1で示されるポリビ
ニルベンジルエーテル化合物を用いてもよい。
Embedded image (Wherein, R 1 represents a methyl group or an ethyl group, R 2 represents a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, n
Is a number from 2 to 4), and a vinylbenzyl halide is obtained by reacting a polyphenol represented by the formula (1) with vinylbenzyl halide in the presence of an alkali metal hydroxide. Good.

【0021】本発明の化1のポリビニルベンジルエーテ
ル化合物は、例えば、特開平9−31006号公報に記
載されているように、上記化2に示されるポリフェノー
ルと、ビニルベンジルハライドとを反応させることによ
り合成することができる。
The polyvinyl benzyl ether compound of formula 1 of the present invention can be prepared by reacting the polyphenol of formula 2 with vinyl benzyl halide as described in, for example, JP-A-9-31006. Can be synthesized.

【0022】化2に示すポリフェノールは、市販されて
いるものを利用することができ、例えば日本石油化学社
製PP−700−300、PP−1000−180等が
挙げられる。
Commercially available polyphenols represented by Chemical formula 2 can be used, and examples thereof include PP-700-300 and PP-1000-180 manufactured by Nippon Petrochemical Co., Ltd.

【0023】化2に示すポリフェノール水酸基のビニル
ベンジル基への置換率は、40〜100モル%、好まし
くは60〜100モル%である。この置換率は、当然の
ことながら高ければ高いほど望ましい。この置換率は、
ポリフェノールと、ビニルベンジルハライドとの配合設
計により適宜調整することができる。
The substitution ratio of the hydroxyl group of the polyphenol to the vinylbenzyl group shown in Chemical formula 2 is 40 to 100 mol%, preferably 60 to 100 mol%. Of course, the higher the substitution rate, the better. This replacement rate is
It can be appropriately adjusted by the blending design of polyphenol and vinylbenzyl halide.

【0024】ポリフェノールの存在が許されない場合
は、ポリフェノールとビニルベンジルハライドとの配合
設計および適当な手段、例えば溶媒/非溶媒系の組み合
わせによる再沈殿精製法により未反応原料等を除去すれ
ばよい。
When the presence of polyphenol is not allowed, unreacted raw materials and the like may be removed by a blending design of polyphenol and vinylbenzyl halide and an appropriate means such as a reprecipitation purification method using a combination of a solvent / non-solvent system.

【0025】本発明のポリビニルベンジルエーテル化合
物は、それ自体あるいは他の共重合可能な単量体と重合
および硬化させることにより、広い周波数領域で良好で
一定で、且つ温度や吸湿性に依存しにくい誘電特性を示
し、さらに耐熱性にも優れる樹脂として使用することが
できる。
The polyvinyl benzyl ether compound of the present invention is good and constant over a wide frequency range and hardly depends on temperature and moisture absorption by polymerizing and curing with itself or another copolymerizable monomer. It can be used as a resin that shows dielectric properties and has excellent heat resistance.

【0026】共重合可能な単量体としては、例えばスチ
レン、ビニルトルエン、ジビニルベンゼン、ジビニルベ
ンジルエーテル、アリルフェノール、アリルオキシベン
ゼン、ジアリルフタレート、アクリル酸エステル、メタ
クリル酸エステル、ビニルピロリドン等が挙げられる。
これらの単量体の配合割合は、ポリビニルベンジルエー
テル化合物に対して、2〜50重量%程度である。
Examples of the copolymerizable monomer include styrene, vinyl toluene, divinyl benzene, divinyl benzyl ether, allyl phenol, allyl oxybenzene, diallyl phthalate, acrylate, methacrylate, and vinylpyrrolidone. .
The mixing ratio of these monomers is about 2 to 50% by weight based on the polyvinyl benzyl ether compound.

【0027】また、本発明のポリビニルベンジルエーテ
ル化合物は、既知の熱硬化性樹脂、例えばビニルエステ
ル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、マレイミド樹脂、ポ
リフェノールのポリシアナート樹脂、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、ビニルベンジル化合物等や、既知の熱可
塑性樹脂、例えばポリエーテルイミド、ポリエーテルス
ルホン、ポリアセタール、ジシクロペンタジエン系樹脂
等と組み合わせて使用することも可能である。その配合
割合は、本発明のポリビニルベンジルエーテル化合物に
対して5〜90重量%程度である。中でも好ましくは、
ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、マレイ
ミド樹脂、ポリフェノールのポリシアナート樹脂、エポ
キシド樹脂およびこれらの混合物からなる群から選ばれ
る少なくとも1種である。
The polyvinyl benzyl ether compound of the present invention may be a known thermosetting resin, for example, a vinyl ester resin, an unsaturated polyester resin, a maleimide resin, a polyphenol polycyanate resin, an epoxy resin, a phenol resin, a vinyl benzyl compound, or the like. It is also possible to use in combination with known thermoplastic resins, for example, polyetherimide, polyethersulfone, polyacetal, dicyclopentadiene resin and the like. The compounding ratio is about 5 to 90% by weight based on the polyvinyl benzyl ether compound of the present invention. Among them, preferably,
It is at least one selected from the group consisting of vinyl ester resins, unsaturated polyester resins, maleimide resins, polyphenol polycyanate resins, epoxide resins, and mixtures thereof.

【0028】本発明の電圧制御発振器は、上記ポリビニ
ルベンジルエーテル化合物から形成され、比誘電率が
2.5〜3.5である誘電体層を少なくとも1層有す
る。このような誘電体層は、分布容量を少なくすること
ができるため、特にコイル等のインダクタ素子の形成
と、内蔵素子間の容量結合を防止する層として形成する
のに適している。
The voltage controlled oscillator of the present invention has at least one dielectric layer formed of the above-mentioned polyvinyl benzyl ether compound and having a relative dielectric constant of 2.5 to 3.5. Such a dielectric layer is suitable for forming an inductor element such as a coil and as a layer for preventing capacitive coupling between built-in elements, because the distributed capacitance can be reduced.

【0029】本発明の電圧制御発振器において、ポリビ
ニルベンジルエーテル化合物中に誘電体粉末が分散され
ている誘電体層は、前記誘電体粉末の比誘電率が20〜
10000、全体の比誘電率が5〜30とすることが好
ましい。また、誘電体粉末の含有量は15〜65 vol%
であることが好ましい。このような構成とすることによ
り、適度な誘電率と、高いQとを得ることができ、伝達
ロスが少なくなる。
In the voltage controlled oscillator according to the present invention, the dielectric layer in which the dielectric powder is dispersed in the polyvinyl benzyl ether compound has a dielectric constant of 20 to
It is preferable that the relative dielectric constant is 10,000 and the entire dielectric constant is 5 to 30. The content of the dielectric powder is 15 to 65 vol%.
It is preferred that With such a configuration, an appropriate dielectric constant and a high Q can be obtained, and transmission loss is reduced.

【0030】本発明においては、誘電体粉末として、Zn
TiO3[ε=26、Q=800]、TiO2[ε=104、Q=15000]、CaTiO
3[ε=170、Q=1800]、SrTiO3[ε=255、Q=700]、SrZrO
3[ε=30、Q=1200]、BaTi2O5[ε=42、Q=5700]、BaTi4O
9[ε=38、Q=9000]、Ba2Ti9O20[ε=39、Q=9000]、Ba2(T
i,Sn)9O20[ε=37、Q=5000]、ZrTiO4[ε=39、Q=7000]、
(Zr,Sn)TiO4[ε=38、Q=7000]、BaNd2Ti5O14[ε=83、Q=2
100]、BaSm2TiO14[ε=74、Q=2400]、Bi2O3-BaO-Nd2O3-T
iO2系[ε=88、Q=2000]、PbO-BaO-Nd2O3-TiO2系[ε=90、
Q=5200]、(Bi2O3、PbO)-BaO-Nd2O3-TiO2系[ε=105、Q=2
500]、La2Ti2O7[ε=44、Q=4000]、Nd2Ti2O7[ε=37、Q=1
100]、(Li,Sm)TiO3[ε=81、Q=2050]、Ba(Mg1/3Ta2/3)O3
[ε=25、Q=35000]、Ba(Zn1/3Ta2/3)O3[ε=30、Q=1400
0]、Ba(Zn1/3Nb2/ 3)O3[ε=41、Q=9200]、Sr(Zn1/3N
b2/3)O3[ε=40、Q=4000]等を用いることができる。
In the present invention, Zn is used as the dielectric powder.
TiO 3 [ε = 26, Q = 800], TiO 2 [ε = 104, Q = 15000], CaTiO
3 [ε = 170, Q = 1800], SrTiO 3 [ε = 255, Q = 700], SrZrO
3 [ε = 30, Q = 1200], BaTi 2 O 5 [ε = 42, Q = 5700], BaTi 4 O
9 [ε = 38, Q = 9000], Ba 2 Ti 9 O 20 [ε = 39, Q = 9000], Ba 2 (T
i, Sn) 9 O 20 [ε = 37, Q = 5000], ZrTiO 4 [ε = 39, Q = 7000],
(Zr, Sn) TiO 4 [ε = 38, Q = 7000], BaNd 2 Ti 5 O 14 [ε = 83, Q = 2
100], BaSm 2 TiO 14 [ε = 74, Q = 2400], Bi 2 O 3 -BaO-Nd 2 O 3 -T
iO 2 system [ε = 88, Q = 2000], PbO-BaO-Nd 2 O 3 -TiO 2 system [ε = 90,
Q = 5200], (Bi 2 O 3 , PbO) -BaO-Nd 2 O 3 -TiO 2 system [ε = 105, Q = 2
500], La 2 Ti 2 O 7 [ε = 44, Q = 4000], Nd 2 Ti 2 O 7 [ε = 37, Q = 1
100], (Li, Sm) TiO 3 [ε = 81, Q = 2050], Ba (Mg 1/3 Ta 2/3 ) O 3
[ε = 25, Q = 35000], Ba (Zn 1/3 Ta 2/3 ) O 3 [ε = 30, Q = 1400
0], Ba (Zn 1/3 Nb 2/3) O 3 [ε = 41, Q = 9200], Sr (Zn 1/3 N
b 2/3 ) O 3 [ε = 40, Q = 4000] or the like can be used.

【0031】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
るものである。
More preferably, the composition has the following composition as a main component.

【0032】TiO2、CaTiO3、SrTiO3、BaO-Nd2O3-TiO
2系、Bi2O3-BaO-Nd2O3-TiO2系、BaTi4O 9、Ba2Ti9O20、B
a2(Ti,Sn)9O20系、MgO-TiO2系、ZnO-TiO2系、MgO-SiO2
系等。
TiOTwo, CaTiOThree, SrTiOThree, BaO-NdTwoOThree-TiO
TwoSystem, BiTwoOThree-BaO-NdTwoOThree-TiOTwoSystem, BaTiFourO 9, BaTwoTi9O20, B
aTwo(Ti, Sn)9O20System, MgO-TiOTwoSystem, ZnO-TiOTwoSystem, MgO-SiOTwo
System.

【0033】セラミック粉末の粒径は、樹脂との混練性
等を考えると、平均粒径0.2〜10μm 程度が好まし
く、粒径が小さくなると、樹脂との混練がしにくくな
る。また、粒径が大きくなると、不均一となり、均一な
分散を行うことができず、粉末の含有量が多い組成の成
形の際に、緻密な成型体を得られない。また、誘電体粉
末としては、金属粒子を誘電体層により覆ったものを用
いることができる。
The average particle diameter of the ceramic powder is preferably about 0.2 to 10 μm in consideration of the kneadability with the resin. If the particle diameter is small, kneading with the resin is difficult. In addition, when the particle size is large, the powder becomes non-uniform and cannot be uniformly dispersed, and a dense molded body cannot be obtained when molding a composition having a large powder content. Further, as the dielectric powder, powder obtained by covering metal particles with a dielectric layer can be used.

【0034】また、本発明の誘電体層を形成する場合、
ポリビニルベンジルエーテル化合物に難燃剤を加えても
よい。難燃剤としては、添加型と反応型とがあり、通常
基板の難燃化のために用いられている種々の難燃剤を用
いることができる。添加型難燃剤としては、ハロゲン
系、リン系、チッソ系、金属塩系、水和金属系、無機系
のものがある。これらの中でハロゲン系難燃剤が誘電特
性の面から好ましく、さらに臭素化芳香族系難燃剤が、
耐熱性、誘電特性に対する影響から考えると好ましい。
代表的な臭素化芳香族系難燃剤としては、デカブロモジ
フェニルオキサイド、オクタブロモジフェニルオキサイ
ド、テトラブロモビスフェノールA、ビス(トリブロモ
フェノキシ)エタン、テトラブロモビスフェノールAエ
ポキシオリゴマー、エチレンビステトラブロモフタルイ
ミド、エチレンビスペンタブロモジフェニル、トリス
(トリブロモフェノキシ)トリアジン、テトラブロモビ
スフェノールA−ビス(2,3−ジブロモプロピルエー
テル)、ポリジブロモフェニレンエーテル、臭素化ポリ
スチレン、ヘキサブロモベンゼン、テトラブロモビスフ
ェノールS、オクタブロモトリメチルフェニルインダ
ン、臭素化ポリフェニレンオキサイドが挙げられ、要求
される各種特性がら使い分けることができる。
When the dielectric layer of the present invention is formed,
A flame retardant may be added to the polyvinyl benzyl ether compound. As the flame retardant, there are an addition type and a reaction type, and various flame retardants usually used for making a substrate flame-retardant can be used. Examples of the additive type flame retardant include a halogen type, a phosphorus type, a nitrogen type, a metal salt type, a hydrated metal type, and an inorganic type. Of these, halogen-based flame retardants are preferred from the viewpoint of dielectric properties, and further, brominated aromatic flame retardants are
It is preferable in view of the influence on heat resistance and dielectric properties.
Representative brominated aromatic flame retardants include decabromodiphenyl oxide, octabromodiphenyl oxide, tetrabromobisphenol A, bis (tribromophenoxy) ethane, tetrabromobisphenol A epoxy oligomer, ethylenebistetrabromophthalimide, ethylene Bispentabromodiphenyl, tris (tribromophenoxy) triazine, tetrabromobisphenol A-bis (2,3-dibromopropyl ether), polydibromophenylene ether, brominated polystyrene, hexabromobenzene, tetrabromobisphenol S, octabromotrimethyl Examples include phenylindane and brominated polyphenylene oxide, which can be used properly depending on the required various characteristics.

【0035】本発明に用いられるガラスクロス等の強化
繊維は、目的・用途に応じて種々のものであってよく、
市販品をそのまま用いることができる。このときの強化
繊維は、電気的な特性に応じてEガラスクロス(ε=
7、tanδ=0.003、1GHz)、Dガラスクロス
(ε=4、tanδ=0.0013、1GHz)、Hガラ
スクロス(ε=11、tanδ=0.003、1GHz)
等を使い分けてもよい。また、層間密着力向上のため、
カップリング処理などを行ってもよい。その厚さは10
0μm 以下、特に20〜60μm であることが好まし
い。布重量としては、120g/m2 以下、特に20〜7
0g/m2 が好ましい。
The reinforcing fibers such as glass cloth used in the present invention may be of various types depending on the purpose and application.
Commercial products can be used as they are. The reinforcing fiber at this time is made of E glass cloth (ε =
7, tan δ = 0.003, 1 GHz, D glass cloth (ε = 4, tan δ = 0.0013, 1 GHz), H glass cloth (ε = 11, tan δ = 0.003, 1 GHz)
Etc. may be properly used. Also, to improve interlayer adhesion,
Coupling treatment or the like may be performed. Its thickness is 10
It is preferably 0 μm or less, particularly preferably 20 to 60 μm. The weight of the fabric is 120 g / m 2 or less, especially 20 to 7
0 g / m 2 is preferred.

【0036】使用する金属箔としては、金、銀、銅、ア
ルミニウムなど導電率の良好な金属のなかから好適なも
のを用いればよい。これらのなかでも特に銅が好まし
い。
As the metal foil to be used, any suitable metal having good conductivity such as gold, silver, copper and aluminum may be used. Of these, copper is particularly preferred.

【0037】金属箔を作製する方法としては、電解、圧
延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピ
ール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重
視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少
ない圧延箔を使用するとよい。金属箔の厚みとしては、
8〜70μm が好ましく、特に12〜35μm が好まし
い。
As a method for producing a metal foil, various known methods such as an electrolytic method and a rolling method can be used. However, when it is desired to obtain a foil peel strength, an electrolytic foil is used. It is preferable to use a rolled foil which is less affected by the skin effect due to surface irregularities. As the thickness of the metal foil,
It is preferably from 8 to 70 µm, particularly preferably from 12 to 35 µm.

【0038】本発明において、電圧制御発振器の基礎と
なるプリプレグを得るには、所定の配合比としたセラミ
ック粉末、ポリビニルベンジルエーテル化合物と必要に
より難燃剤とを含み、溶剤に混練してスラリー化したペ
ーストを塗布して、乾燥する工程に従う。この場合に用
いられる溶剤は揮発性溶剤が好ましく、上記極性中性溶
媒が特に好ましく、ペーストの粘度を調整し塗工しやす
くする目的で用いられる。混練はボールミル、撹拌等に
より公知の方法によって行えばよい。ペーストを金属箔
上に塗工、またはガラスクロス上に含浸することによ
り、形成することができる。
In the present invention, in order to obtain a prepreg on which a voltage-controlled oscillator is based, a ceramic powder having a predetermined compounding ratio, a polyvinyl benzyl ether compound and, if necessary, a flame retardant are mixed and kneaded with a solvent to form a slurry. Follow the steps of applying the paste and drying. The solvent used in this case is preferably a volatile solvent, particularly preferably the above-mentioned polar neutral solvent, and is used for the purpose of adjusting the viscosity of the paste to facilitate coating. The kneading may be performed by a known method using a ball mill, stirring, or the like. It can be formed by coating a paste on a metal foil or impregnating on a glass cloth.

【0039】プリプレグの乾燥は、含有するセラミック
粉末、必要により難燃剤の含有量などにより適宜調整す
ればよいが、通常、100〜120℃、0.5〜3時間
とすればよい。乾燥、Bステージ化した後の厚みは50
〜300μm 程度が好ましく、その用途や要求される特
性(パターン幅および精度、直流抵抗)等により最適な
膜厚に調整すればよい。
The drying of the prepreg may be appropriately adjusted depending on the ceramic powder contained and, if necessary, the content of the flame retardant, etc., but is usually 100 to 120 ° C. and 0.5 to 3 hours. The thickness after drying and B-stage is 50
The thickness is preferably about 300 μm, and the film thickness may be adjusted to an optimum value according to the application and required characteristics (pattern width and precision, DC resistance) and the like.

【0040】プリプレグはつぎのように作製することが
できる。まずロール状に巻回されたガラスクロスを塗工
槽に送り込む。塗装槽中には、溶剤中に分散されている
セラミック粉末、必要により難燃剤とポリビニルベンジ
ルエーテル化合物がスラリー状に調整されており、この
塗工槽をガラスクロスが通過すると、上記スラリー中に
浸漬され、ガラスクロスに塗工されるとともに、その中
の隙間が埋められることになる。
The prepreg can be manufactured as follows. First, a glass cloth wound into a roll is fed into a coating tank. In the coating tank, the ceramic powder dispersed in the solvent, if necessary, the flame retardant and the polyvinyl benzyl ether compound are adjusted in a slurry state, and when the glass cloth passes through the coating tank, it is immersed in the slurry. This is applied to the glass cloth and the gaps in the glass cloth are filled.

【0041】塗工槽を通過したガラスクロスは、ガイド
ローラーを介して乾燥炉に導入される。乾燥炉に導入さ
れた樹脂含浸ガラスクロスは、所定の温度と時間乾燥さ
れるとともに、巻取ローラに巻回される。
The glass cloth that has passed through the coating tank is introduced into a drying oven via a guide roller. The resin-impregnated glass cloth introduced into the drying oven is dried at a predetermined temperature and time, and is wound around a winding roller.

【0042】そして、所定の大きさに切断されると、ガ
ラスクロスの両面にセラミック粉末、必要により難燃剤
を含有した樹脂が配置されたプリプレグが得られる。
Then, when cut into a predetermined size, a prepreg having ceramic powder on both sides of a glass cloth and, if necessary, a resin containing a flame retardant is obtained.

【0043】さらに、得られたプリプレグの上下両面上
に銅箔などの金属箔を配置し、これを加熱・加圧プレス
すると、両面金属箔付き基板が得られる。なお、金属箔
を設けない場合には、金属箔を配置することなく加熱・
加圧プレスすればよい。
Further, a metal foil such as a copper foil is placed on the upper and lower surfaces of the obtained prepreg, and the resultant is heated and pressed to obtain a substrate with a double-sided metal foil. If no metal foil is provided, heating and
What is necessary is just to press-press.

【0044】上述のようなプリプレグとしては、前記塗
工槽中のスラリーとしてセラミック粉末等の誘電体粉末
を含まない材料を使用することにより、誘電体粉末を含
まないプリプレグが得られる。
As the prepreg as described above, a prepreg containing no dielectric powder can be obtained by using a material that does not contain dielectric powder, such as ceramic powder, as the slurry in the coating tank.

【0045】このような金属箔を、コンデンサ、インダ
クタ、共振器等の内蔵素子を形成するためにパターニン
グし、電圧制御発振器としての必要な構成が得られるよ
うに、セラミック粉末を含むプリプレグ、セラミック粉
末を含まないプリプレグを所定の順序で積層することに
より、加熱加圧により一体化する。加熱加圧条件は、1
00〜230℃の温度、9.8×10〜7.84×1
Paの圧力で0.5〜20時間とすることが好まし
い。
Such a metal foil is patterned to form built-in elements such as capacitors, inductors, and resonators, and prepregs and ceramic powders containing ceramic powder are obtained so that a necessary structure as a voltage controlled oscillator can be obtained. Are laminated in a predetermined order, and are integrated by heating and pressing. The heating and pressing condition is 1
Temperature of 00 to 230 ° C., 9.8 × 10 5 to 7.84 × 1
It is preferable that the 0 6 Pa 0.5 to 20 hours at a pressure of.

【0046】このような多数個取り用の多層基板の素材
に、内蔵素子間の接続、あるいは内蔵素子と搭載部品の
接続もしくはグランド電極との接続、および端子電極形
成のためのスルーホールをNC加工等により形成する。
形成したスルーホールに銅(Cu)メッキを施し、メッ
キ膜を形成する。さらに両面の銅箔に部品搭載やグラン
ド電極のためのパターニングを施す。なお、表裏面の配
線パターンの形成はエッチングにより行うことができ
る。これらの銅層の上のメッキはNiメッキ後にさらに
PdまたはAuをメッキする方法や半田レベラーを用い
る方法により行われる。
The through holes for connection between the built-in elements, connection between the built-in elements and the mounted components or connection to the ground electrode, and formation of the terminal electrodes are formed by NC processing on the material of the multi-layered multi-layer substrate. And the like.
Copper (Cu) plating is performed on the formed through holes to form a plating film. Furthermore, patterning for component mounting and ground electrode is performed on the copper foil on both sides. The wiring patterns on the front and back surfaces can be formed by etching. Plating on these copper layers is performed by a method of further plating Pd or Au after Ni plating or a method using a solder leveler.

【0047】図1は本発明による電圧制御発振器の一実
施の形態を示す斜視図、図2はその断面図である。図
1、図2において、1は電圧制御発振器の基体であり、
多層基板でなる。多層基板1は、図2に示すように、共
振器2と、複数のインダクタを含むインダクタ層3と、
複数のコンデンサを含むコンデンサ層4とを含む。5は
多層基板1上に搭載した受動素子であるチップ部品、
6、7はそれそれトランジスタ、ダイオード(半導体素
子)であって、これらの部品5〜7が搭載部品である。
8はこれらの搭載部品を覆う金属製シールドケースであ
る。
FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a voltage controlled oscillator according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view thereof. 1 and 2, reference numeral 1 denotes a base of a voltage controlled oscillator,
It consists of a multilayer substrate. As shown in FIG. 2, the multilayer substrate 1 includes a resonator 2, an inductor layer 3 including a plurality of inductors,
And a capacitor layer 4 including a plurality of capacitors. 5 is a chip component which is a passive element mounted on the multilayer substrate 1,
Reference numerals 6 and 7 denote transistors and diodes (semiconductor elements), and these components 5 to 7 are mounted components.
Reference numeral 8 denotes a metal shield case that covers these mounted components.

【0048】前記共振器2は、ストリップライン9a、
9bの上下にグランド電極10a、10bを配し、これ
らの間に、ポリビニルベンジルエーテル化合物からなり
誘電体粉末を含まない誘電体層11a、11b(比誘電
率ε=2.5〜3.5)を介在させて構成される。
The resonator 2 includes a strip line 9a,
Ground electrodes 10a and 10b are disposed above and below 9b, and dielectric layers 11a and 11b made of a polyvinyl benzyl ether compound and containing no dielectric powder (relative permittivity ε = 2.5 to 3.5) are provided between them. It is configured with intervening.

【0049】インダクタ層3は、インダクタ電極12の
上下にグランド電極10b、10cを配し、これらの間
にポリビニルベンジルエーテル化合物からなり誘電体粉
末を含まない誘電体層11c、11d(比誘電率ε=
2.5〜3.5)を介在させて構成される。
In the inductor layer 3, ground electrodes 10b and 10c are arranged above and below the inductor electrode 12, and dielectric layers 11c and 11d (made of a polyvinyl benzyl ether compound) which do not contain a dielectric powder between them (relative permittivity ε). =
2.5 to 3.5).

【0050】コンデンサ層4は、上下のコンデンサ電極
13a、13b間に、ポリビニルベンジルエーテル化合
物と誘電体粉末との混合物からなる誘電体層14(比誘
電率ε=10〜30)を介在させる。また、下方のコン
デンサ電極13aと前記グランド電極10cとの間、お
よび上方のコンデンサ電極13bと多層基板1の表面と
の間に、それぞれポリビニルベンジルエーテル化合物か
らなり誘電体粉末を含まない誘電体層11e、11f
(比誘電率ε=2.5〜3.5)が介在する。
The capacitor layer 4 has a dielectric layer 14 (relative permittivity ε = 10 to 30) made of a mixture of a polyvinyl benzyl ether compound and a dielectric powder interposed between the upper and lower capacitor electrodes 13a and 13b. A dielectric layer 11e made of a polyvinyl benzyl ether compound and containing no dielectric powder is provided between the lower capacitor electrode 13a and the ground electrode 10c and between the upper capacitor electrode 13b and the surface of the multilayer substrate 1, respectively. , 11f
(Relative permittivity ε = 2.5 to 3.5) intervenes.

【0051】なお、前記誘電体層11a〜11fを形成
するプリプレグは、一例として、次のように作製され
る。ポリビニルベンジルエーテル化合物の55wt%ト
ルエン溶液(溶液A)と、エチレンビステトラブロモフ
タルイミド(品名:サイテックスBT-93)とを、溶
液A:サイテックスBT-93=70:30(固形分重
量比)で混合し、この配合溶液を50μm厚のガラスク
ロスに含浸塗工し、110℃、2時間の硬化処理を行
い、ガラスクロスクロス内蔵のプリプレグを得た。この
プリプレグの組成は、ポリビニルベンジルエーテル化合
物:ガラスクロス:難燃剤=42:40:18(wt
%)である。この材料のtanδは0.005(1GH
z)である。
The prepreg for forming the dielectric layers 11a to 11f is produced, for example, as follows. A 55 wt% toluene solution of a polyvinyl benzyl ether compound (solution A) and ethylenebistetrabromophthalimide (product name: Cytex BT-93) were mixed with a solution A: Cytex BT-93 = 70: 30 (weight ratio of solid content). The mixture was impregnated and coated with a 50 μm-thick glass cloth, and cured at 110 ° C. for 2 hours to obtain a prepreg with a built-in glass cloth. The composition of this prepreg is as follows: polyvinyl benzyl ether compound: glass cloth: flame retardant = 42: 40: 18 (wt.
%). The tan δ of this material is 0.005 (1 GH
z).

【0052】また、複合誘電体層14は一例として、難
燃剤としてのテトラブロモビスフェノールA変成ビニル
ベンジル化合物の40wt%トルエン溶液(これを溶液
Cとする)を作製し、前記溶液Aと溶液Cとの固形分重
量比を70:30としてチタン酸バリウム系セラミック
スと共に混合し、このセラミックス混合溶液を38μm
厚のガラスクロスに含浸塗工し、110℃、0.5時間
の硬化処理を行い、ガラスクロス内蔵のプリプレグを得
た。このプリプレグの組成は、ポリビニルベンジルエー
テル化合物:チタン酸バリウム系セラミックス:ガラス
クロス:難燃剤=14:55:25:6(wt%)であ
る。この材料のtanδは0.01(1GHz)である。
For example, the composite dielectric layer 14 is prepared by preparing a 40 wt% toluene solution of a tetrabromobisphenol A modified vinylbenzyl compound as a flame retardant (hereinafter referred to as a solution C). Was mixed with barium titanate-based ceramics at a solid content weight ratio of 70:30, and the resulting ceramic mixed solution was 38 μm
A thick glass cloth was impregnated and coated, and cured at 110 ° C. for 0.5 hour to obtain a prepreg with a built-in glass cloth. The composition of this prepreg is: polyvinyl benzyl ether compound: barium titanate-based ceramics: glass cloth: flame retardant = 14: 55: 25: 6 (wt%). The tan δ of this material is 0.01 (1 GHz).

【0053】このように、全層についてポリビニルベン
ジルエーテル化合物を用いることにより、Qの値が高
く、しかもコンデンサ以外の共振器層2やインダクタ層
3の部分では比誘電率が低く、それぞれ所望の特性が1
GHz以上の高周波においても得られる電圧制御発振器
が実現できる。また、コンデンサ層4には、誘電率粉末
を含ませることにより、コンデンサ形成に好適な比誘電
率を得ることにより、多層基板1内に電圧制御発振器の
構成に必要なコンデンサが形成できる。また、コンデン
サ層4の上下に誘電体粉末を含まない低誘電率層11
e、11fを設けることにより、コンデンサ層と他層の
素子との結合を低減できる。
As described above, by using the polyvinyl benzyl ether compound for all the layers, the value of Q is high, and the relative permittivity is low in the portions of the resonator layer 2 and the inductor layer 3 other than the capacitor. Is 1
A voltage controlled oscillator that can be obtained even at a high frequency of GHz or more can be realized. In addition, by including a dielectric constant powder in the capacitor layer 4, a dielectric constant suitable for forming a capacitor is obtained, so that a capacitor required for the configuration of the voltage controlled oscillator can be formed in the multilayer substrate 1. In addition, a low dielectric constant layer 11 containing no dielectric powder is formed above and below the capacitor layer 4.
By providing e and 11f, the coupling between the capacitor layer and the element in the other layer can be reduced.

【0054】このため、従来のガラスエポキシ樹脂製基
板を用いた電圧制御発振器の場合、搭載部品として、コ
ンデンサ13個、抵抗4個、トランジスタ2個、ダイオ
ード1個が搭載され、多層基板の縦5mm、横4mm、
高さ0.8mmであったが、本発明による場合、コンデ
ンサ3個、抵抗4個、トランジスタ2個、ダイオード1
個が搭載され、多層基板の縦3.5mm、横3.5m
m、高さ0.85mmに小型化できた。
For this reason, in the case of a conventional voltage controlled oscillator using a glass epoxy resin substrate, 13 mounted capacitors, 4 resistors, 2 transistors, and 1 diode are mounted as mounting components, and the vertical length of the multilayer substrate is 5 mm. , 4mm wide,
Although the height was 0.8 mm, according to the present invention, three capacitors, four resistors, two transistors, and one diode
Are mounted, the height of the multilayer board is 3.5 mm and the width is 3.5 m
m and a height of 0.85 mm.

【0055】図1に示すように、多層基板1の周囲の四
面の各中央部にはグランド端子15a〜15bがサイド
スルーホールにより形成される。また、グランド端子1
5aは、制御電圧を加える信号端子16と電源端子17
との間にあり、グランド端子15bは内蔵素子間あるい
は内蔵素子と搭載部品5〜7のいずれかとを接続する信
号端子18、19間に介在する。また、グランド端子1
5dも信号端子20、21間に介在する。ただし、グラ
ンド端子15cは、回路構成上、信号端子22とグラン
ド端子15e間に介在させた構造としている。
As shown in FIG. 1, ground terminals 15a to 15b are formed at the center of each of four surfaces around the multilayer substrate 1 by side through holes. Ground terminal 1
5a is a signal terminal 16 for applying a control voltage and a power supply terminal 17
And the ground terminal 15b is interposed between the built-in elements or between the signal terminals 18 and 19 for connecting the built-in element and any of the mounted components 5 to 7. Ground terminal 1
5d is also interposed between the signal terminals 20 and 21. However, the ground terminal 15c has a structure interposed between the signal terminal 22 and the ground terminal 15e due to the circuit configuration.

【0056】このように、内蔵素子の導体どうしあるい
はその導体と搭載部品との接続に端子電極も兼ねたサイ
ドスルーホール18〜21を使用するため、部品実装面
にデッドエリアが無くなり、前記部品を内蔵したことに
よる小型化に加え、さらなる小型化、高密度実装が可能
となる。
As described above, since the side through holes 18 to 21 also serving as terminal electrodes are used for connecting the conductors of the built-in element or connecting the conductor to the mounted component, there is no dead area on the component mounting surface, and the component can be removed. In addition to miniaturization due to the built-in structure, further miniaturization and high-density mounting are possible.

【0057】また、信号端子16と電源端子17との
間、または信号端子18〜21間にグランド端子15
a、15b、15cを設けているので、小型化したこと
により端子ピッチ間が狭くなっても、特性の劣化が防止
できる。
The ground terminal 15 is provided between the signal terminal 16 and the power supply terminal 17 or between the signal terminals 18 and 21.
Since a, 15b, and 15c are provided, even if the distance between the terminals becomes narrow due to the miniaturization, deterioration of the characteristics can be prevented.

【0058】なお、図2において、インダクタ層3によ
り構成されるインダクタは搭載部品とし、代わりにコン
デンサ層を形成してもよい。
In FIG. 2, the inductor constituted by the inductor layer 3 may be a mounted component, and a capacitor layer may be formed instead.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による電圧制御発振器の一実施の形態を
示す分解斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view showing an embodiment of a voltage controlled oscillator according to the present invention.

【図2】図1の実施の形態の断面図である。FIG. 2 is a sectional view of the embodiment of FIG.

【図3】従来の電圧制御発振器の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a conventional voltage controlled oscillator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:多層基板、2:共振器層、3:インダクタ層、4:
コンデンサ層、5〜7:搭載部品、8:シールドケー
ス、9a、9b:ストリップライン、10a〜10c:
グランド電極、11a〜11f:誘電体粉末を含まない
誘電体層、12:インダクタ電極、13a、13b:コ
ンデンサ電極、14:誘電体粉末を含む誘電体層、15
a〜15e:グランド端子、16、18〜22:信号端
子、17:電源端子
1: multilayer substrate, 2: resonator layer, 3: inductor layer, 4:
Capacitor layer, 5 to 7: mounted components, 8: shield case, 9a, 9b: strip line, 10a to 10c:
Ground electrodes, 11a to 11f: dielectric layer not containing dielectric powder, 12: inductor electrode, 13a, 13b: capacitor electrode, 14: dielectric layer containing dielectric powder, 15
a to 15e: ground terminal, 16, 18 to 22: signal terminal, 17: power supply terminal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 25/18 H05K 3/46 Q H03B 1/00 N 5/18 S H05K 1/11 T 3/46 Z H01L 23/12 L N 23/14 R 25/04 Z Fターム(参考) 5E317 AA22 BB01 BB04 BB11 CC53 CD31 CD34 GG14 5E346 AA12 AA13 AA15 AA23 AA33 AA36 AA41 BB02 BB03 BB04 BB16 BB20 CC04 CC08 CC21 CC31 DD02 DD22 DD32 EE01 FF04 FF42 FF45 GG17 GG28 HH06 HH11 HH22 5J081 AA11 BB01 DD02 EE02 EE03 EE09 JJ01 JJ04 JJ18 LL01 MM07 MM08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 25/18 H05K 3/46 Q H03B 1/00 N 5/18 SH05K 1/11 T 3/46 Z H01L 23/12 L N 23/14 R 25/04 Z F term (reference) 5E317 AA22 BB01 BB04 BB11 CC53 CD31 CD34 GG14 5E346 AA12 AA13 AA15 AA23 AA33 AA36 AA41 BB02 BB03 BB04 BB16 BB20 CC04 CC08 CC21 DD31 DD FF42 FF45 GG17 GG28 HH06 HH11 HH22 5J081 AA11 BB01 DD02 EE02 EE03 EE09 JJ01 JJ04 JJ18 LL01 MM07 MM08

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくともポリビニルベンジルエーテル化
合物を有する誘電体層と、ポリビニルベンジルエーテル
化合物に誘電体粉末が分散されている複合誘電体層との
積層構造でなる多層基板からなり、 前記多層基板の内部に受動素子を構成して内蔵素子と
し、かつ前記内蔵素子の導体どうしの接続および前記内
蔵素子と多層基板上の搭載部品との接続を、多数個取り
用多層基板素材の導体を形成したスルーホールを切断す
ることにより設けられたサイドスルーホールにより行
い、 前記サイドスルーホールにより形成された端子として、
グランド端子、信号端子および電源端子とを有し、かつ
前記グランド端子は、前記信号端子間または信号端子と
電源端子間に設けたことを特徴とする電圧制御発振器。
1. A multilayer substrate having a laminated structure of a dielectric layer having at least a polyvinyl benzyl ether compound and a composite dielectric layer in which a dielectric powder is dispersed in the polyvinyl benzyl ether compound. A passive element is formed as an internal element, and connection between conductors of the internal element and connection between the internal element and a mounted component on the multilayer substrate are formed through a through-hole in which a conductor of a multi-cavity multilayer substrate material is formed. Is performed by a side through hole provided by cutting, and as a terminal formed by the side through hole,
A voltage controlled oscillator having a ground terminal, a signal terminal, and a power terminal, wherein the ground terminal is provided between the signal terminals or between the signal terminal and the power terminal.
【請求項2】請求項1において、 前記多層基板の少なくとも一部の誘電体層にガラスクロ
ス材が埋設されていることを特徴とする電圧制御発振
器。
2. The voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein a glass cloth material is embedded in at least a part of the dielectric layer of the multilayer substrate.
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