JP3400416B2 - Composite dielectric substrate - Google Patents

Composite dielectric substrate

Info

Publication number
JP3400416B2
JP3400416B2 JP2000239728A JP2000239728A JP3400416B2 JP 3400416 B2 JP3400416 B2 JP 3400416B2 JP 2000239728 A JP2000239728 A JP 2000239728A JP 2000239728 A JP2000239728 A JP 2000239728A JP 3400416 B2 JP3400416 B2 JP 3400416B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
glass cloth
substrate
prepreg
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000239728A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002053680A (en
Inventor
賢一 川畑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP2000239728A priority Critical patent/JP3400416B2/en
Publication of JP2002053680A publication Critical patent/JP2002053680A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3400416B2 publication Critical patent/JP3400416B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品や積層回
路に用いられる複合誘電体基板に関し、特にガラスクロ
スを含有する複合誘電体基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a composite dielectric substrate used for electronic parts and laminated circuits, and more particularly to a composite dielectric substrate containing glass cloth.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、通信用、民生用、産業用等の電子
機器の分野における実装方法の小型化・高密度化への指
向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより
優れた電気特性、成形性、小型・軽量化、高速化が要求
されつつある。特に、携帯電話などの移動体通信、衛生
放送、衛星通信機器に使用される電波の周波数領域は、
数GHz帯の高周波領域が使用されている。
2. Description of the Related Art In recent years, there has been a remarkable trend toward miniaturization and high density of mounting methods in the field of electronic devices for communication, consumer use, industrial use, etc. Electrical characteristics, moldability, reduction in size and weight, and speeding up are being demanded. In particular, the frequency range of radio waves used for mobile communication such as mobile phones, satellite broadcasting, and satellite communication equipment is
The high frequency range of several GHz is used.

【0003】これらの通信、放送機器の急速な発展のな
かで、筐体および基板、電子部品の小型化、高密度実装
化が求められている。一般に、電子部品、基板を伝搬す
る信号の波長は、次式により表すことができる。 波長=c/(f×ε1/2) c:光速 f:周波数 ε:誘電率
Amid the rapid development of these communication and broadcasting equipments, miniaturization and high-density mounting of housings, substrates and electronic parts are required. Generally, the wavelength of a signal propagating through an electronic component or a substrate can be expressed by the following equation. Wavelength = c / (f × ε 1/2 ) c: speed of light f: frequency ε: permittivity

【0004】すなわち、材料の誘電率が大きいほど、波
長が短くなり、伝送路の占める専有面積の低減、延いて
は基板、製品の小型化が可能となる。また、回路基板、
電子部品の内部にコンデンサを内蔵する場合も多く、こ
のようなコンデンサの小型化を図る上でも高誘電率材料
が求められている。
That is, the larger the dielectric constant of the material, the shorter the wavelength, and the smaller the area occupied by the transmission line, and the more compact the substrate and the product. Also a circuit board,
In many cases, a capacitor is built in an electronic component, and a high dielectric constant material is required to reduce the size of such a capacitor.

【0005】しかしながら、樹脂系の材料ではそれ自体
で十分な誘電率を得ることが極めて困難である。このた
め、単に樹脂材料を利用した電子部品では、十分な特性
を得ることができず、形状的にも大きなものとなり、小
型、薄型化を図ることが困難である。
However, it is extremely difficult for a resin material to obtain a sufficient dielectric constant by itself. Therefore, an electronic component that simply uses a resin material cannot obtain sufficient characteristics and has a large shape, and it is difficult to reduce the size and thickness.

【0006】また、樹脂材料にセラミック粉末をコンポ
ジットする手法も、例えば特開平8−69712号公報
に開示されているが、十分な高周波特性を得られてはい
ない。また、波長短縮に関する材料の具体的な検討もな
されていない。
Further, a method of compositing a ceramic powder with a resin material is also disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-69712, but sufficient high frequency characteristics have not been obtained. In addition, no specific study on the material for wavelength shortening has been made.

【0007】さらに、ガラスクロスを含有する基板、プ
リプレグでは特に誘電率を高くすることが困難である。
誘電率を向上させるために基板の厚みを薄くした場合、
ガラスクロスの専有体積が大きくなり、結果として誘電
率を期待した程向上させることが困難であった。
Furthermore, it is difficult to increase the permittivity of a substrate or prepreg containing glass cloth.
When the thickness of the substrate is reduced to improve the dielectric constant,
The volume occupied by the glass cloth becomes large, and as a result, it was difficult to improve the dielectric constant as expected.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、少な
くとも樹脂と、ガラスクロスとを有する複合誘電体基
板、およびプリプレグの誘電率を高め、基板や電子部品
の小型、軽量化を可能とする複合誘電体基板、およびプ
リプレグを提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to increase the dielectric constant of a composite dielectric substrate having at least a resin and a glass cloth, and a prepreg, thereby making it possible to reduce the size and weight of the substrate and electronic parts. A composite dielectric substrate and a prepreg are provided.

【0009】また、内蔵コンデンサの小型化が可能な複
合誘電体基板、およびプリプレグを提供することであ
る。
Another object of the present invention is to provide a composite dielectric substrate and a prepreg capable of reducing the size of a built-in capacitor.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の本発
明によって達成される。 (1) 少なくとも樹脂と、この樹脂中に分散されてい
る誘電体粉末と、ガラスクロスとを有し、前記樹脂と誘
電体粉末との混合物の誘電率がガラスクロスの誘電率以
上であり、前記ガラスクロスが、厚さ70μm 以下、布
重量60g/m2 以下、通気率300cm3/cm2/sec以上であ
り、前記ガラスクロスに対して+10〜+50μm の厚
みを有するプリプレグを硬化させた複合誘電体基板。 (2) 前記誘電体粉末は、誘電率10〜20000
で、前記樹脂に対し20〜60体積%である上記(1)
の複合誘電体基板。
The above object can be achieved by the present invention described below. (1) At least a resin, a dielectric powder dispersed in the resin, and a glass cloth are included, and the dielectric constant of the mixture of the resin and the dielectric powder is equal to or higher than the dielectric constant of the glass cloth. The glass cloth has a thickness of 70 μm or less, a cloth weight of 60 g / m 2 or less, an air permeability of 300 cm 3 / cm 2 / sec or more, and a composite dielectric obtained by curing a prepreg having a thickness of +10 to +50 μm with respect to the glass cloth. Body board. (2) The dielectric powder has a dielectric constant of 10 to 20000.
In the above (1), the content of the resin is 20 to 60% by volume.
Composite dielectric substrate.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明の複合誘電体基板は、少なくとも樹脂と、
この樹脂中に分散されている誘電体粉末と、ガラスクロ
スとを有し、前記樹脂と誘電体粉末との混合物の誘電率
がガラスクロスの誘電率以上であり、前記ガラスクロス
が厚さ70μm 以下、布重量60g/m2 以下、通気率3
00cm3/cm2/sec以上であり、前記ガラスクロスに対し
て+10〜+50μm の厚みを有するプリプレグを硬化
させた複合誘電体基板である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below. The composite dielectric substrate of the present invention comprises at least a resin,
A dielectric powder dispersed in this resin, and a glass cloth, wherein the dielectric constant of the mixture of the resin and the dielectric powder is not less than the dielectric constant of the glass cloth, and the glass cloth has a thickness of 70 μm or less. , Cloth weight 60g / m 2 or less, ventilation rate 3
It is a composite dielectric substrate in which a prepreg having a thickness of 00 cm 3 / cm 2 / sec or more and a thickness of +10 to +50 μm with respect to the glass cloth is cured.

【0012】このように、樹脂と誘電体粉末との混合物
の誘電率がガラスクロスの誘電率以上である基板、プリ
プレグに内蔵されるガラスクロスの布重量と通気度、特
に通気度を所定の値以上とすることにより、基板、プリ
プレグの誘電率を向上させることができ、ひいては装置
の小型、軽量化を図ることができる。
As described above, the weight of the cloth and the air permeability of the glass cloth contained in the substrate and the prepreg in which the dielectric constant of the mixture of the resin and the dielectric powder is equal to or higher than the dielectric constant of the glass cloth, and in particular the air permeability is set to a predetermined value. With the above, the dielectric constants of the substrate and the prepreg can be improved, and the size and weight of the device can be reduced.

【0013】本発明の複合誘電体基板、プリプレグは、
特に周波数100MHz以上、特に100MHz〜10GHz
の高周波帯域での使用に適している。
The composite dielectric substrate and prepreg of the present invention are
Especially frequency 100MHz or more, especially 100MHz to 10GHz
Suitable for use in high frequency band.

【0014】本発明で用いられるガラスクロスは、布重
量(目付け)が60g/m2 以下、特に15〜60g/m2
ある。布重量が60g/m2 を超えると、小型・軽量化を
実現するための薄型基板、プリプレグを製造することが
困難になる。
[0014] Glass cloth used in the present invention, fabric weight (basis weight) of 60 g / m 2 or less, in particular 15 to 60 g / m 2. When the cloth weight exceeds 60 g / m 2 , it becomes difficult to manufacture a thin substrate and a prepreg for realizing a small size and a light weight.

【0015】ガラスクロスの通気率は、300cm3/cm2/
sec以上、好ましくは300〜500cm3/cm2/secであ
る。ガラスクロスの通気率を300cm3/cm2/sec以上と
することにより、ガラスクロスの繊維間に樹脂材料が進
入し易くなり、基板、プリプレグの誘電率を向上させる
ことができる。
The air permeability of the glass cloth is 300 cm 3 / cm 2 /
sec or more, preferably 300 to 500 cm 3 / cm 2 / sec. By setting the air permeability of the glass cloth to 300 cm 3 / cm 2 / sec or more, the resin material easily enters between the fibers of the glass cloth, and the dielectric constants of the substrate and prepreg can be improved.

【0016】ガラスクロスの材質としては、目的・用途
に応じて種々のものであってよく、市販品をそのまま用
いることができる。このときのガラスクロスは、電気的
な特性に応じてEガラスクロス(ε=7、tanδ=0.
003、 1GHz)、Dガラスクロス(ε=4、tanδ
=0.0013、 1GHz)、Hガラスクロス(ε=1
1、tanδ=0.003、 1GHz)、Sガラスクロス
等を使い分けることができ、なかでもEガラスクロスが
好ましい。また、層間密着力向上のため、カップリング
処理などを行ってもよい。
The material of the glass cloth may be various according to the purpose and use, and a commercially available product can be used as it is. The glass cloth at this time was E glass cloth (ε = 7, tan δ = 0.
003, 1 GHz), D glass cloth (ε = 4, tanδ
= 0.0013, 1 GHz), H glass cloth (ε = 1)
1, tan δ = 0.003, 1 GHz), S glass cloth, etc. can be used properly, and among them, E glass cloth is preferable. In addition, a coupling treatment or the like may be performed to improve the interlayer adhesion.

【0017】ガラスクロスの厚さは70μm 以下、特に
20〜60μm であることが好ましい。使用される糸の
太さは12tex以下、特に2.8〜5.6tex程度が好ま
しい。
The thickness of the glass cloth is preferably 70 μm or less, more preferably 20 to 60 μm. The thickness of the thread used is 12 tex or less, and particularly preferably about 2.8 to 5.6 tex.

【0018】また、得られる基板、プリプレグは前記ガ
ラスクロスに対して+10〜+50μm の厚みを有する
ことが好ましい。
The obtained substrate and prepreg preferably have a thickness of +10 to +50 μm with respect to the glass cloth.

【0019】本発明に用いられる樹脂は特に限定される
ものではなく、成形性、加工性、積層時の接着性、電気
的特性に優れた樹脂材料の中から適宜選択して用いるこ
とができ、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂の何れを用いて
もよい。
The resin used in the present invention is not particularly limited, and can be appropriately selected and used from resin materials excellent in moldability, workability, adhesiveness during lamination, and electrical characteristics. Either a thermosetting resin or a thermoplastic resin may be used.

【0020】熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステ
ル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル(オ
キサイド)樹脂、ビスマレイミドトリアジン(シアネー
トエステル)樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹
脂、ポリビニルベンジルエーテル樹脂等が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエステル樹脂、ポリ
フェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレンテレフタレ
ート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチ
レンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹
脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、グラフト樹脂等
が挙げられる。これらのなかでも、特にフェノール樹
脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジ
エン樹脂、BTレジン、ポリビニルベンジルエーテル樹
脂等が、ベースレジンとして好ましい。
As the thermosetting resin, epoxy resin, phenol resin, unsaturated polyester resin, vinyl ester resin, polyimide resin, polyphenylene ether (oxide) resin, bismaleimide triazine (cyanate ester) resin, fumarate resin, polybutadiene resin, Examples thereof include polyvinyl benzyl ether resin.
Examples of the thermoplastic resin include aromatic polyester resins, polyphenylene sulfide resins, polyethylene terephthalate resins, polybutylene terephthalate resins, polyethylene sulfide resins, polyether ether ketone resins, polytetrafluoroethylene resins, graft resins and the like. Among these, phenol resin, epoxy resin, low dielectric constant epoxy resin, polybutadiene resin, BT resin, polyvinyl benzyl ether resin and the like are particularly preferable as the base resin.

【0021】これらの樹脂は、単独で用いてもよいし、
2種以上を混合して用いてもよい。2種以上を混合して
用いる場合の混合比は任意である。
These resins may be used alone,
You may mix and use 2 or more types. When two or more kinds are mixed and used, the mixing ratio is arbitrary.

【0022】本発明に用いる誘電体粉末はセラミクス粉
末が好ましく、高周波数帯域において、分散媒となる樹
脂よりも大きい比誘電率とQを持つセラミクス粉末であ
ればよく、2種類以上用いてもよい。
The dielectric powder used in the present invention is preferably a ceramic powder, and it may be any ceramic powder having a relative dielectric constant and Q larger than that of the resin used as the dispersion medium in the high frequency band, and two or more kinds may be used. .

【0023】特に本発明に用いるセラミクス粉末は、比
誘電率が10〜20000、誘電正接が0.05以下の
ものを使用することが好ましい。
Particularly, it is preferable that the ceramic powder used in the present invention has a relative dielectric constant of 10 to 20,000 and a dielectric loss tangent of 0.05 or less.

【0024】比較的高い誘電率を得るためには、特に以
下の材料を用いることが好ましい。チタン−バリウム−
ネオジウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系
セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化
チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミック
ス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウ
ム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミック
ス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネ
シウム系セラミックス、CaWO4 系セラミックス、B
a(Mg,Nb)O3 系セラミックス、Ba(Mg,T
a)O3 系セラミックス、Ba(Co,Mg,Nb)O
3 系セラミックス、Ba(Co,Mg,Ta)O3 系セ
ラミックス。なお、二酸化チタン系セラミックスとは、
二酸化チタンのみを含有するもののほか、他の少量の添
加物を含有するものも含み、二酸化チタンの結晶構造が
保持されているものをいう。また、他のセラミックスも
同様である。特に、二酸化チタン系セラミックスは、ル
チル構造を有するものが好ましい。
In order to obtain a relatively high dielectric constant, it is particularly preferable to use the following materials. Titanium-Barium-
Neodymium ceramics, titanium-barium-tin ceramics, lead-calcium ceramics, titanium dioxide ceramics, barium titanate ceramics, lead titanate ceramics, strontium titanate ceramics, calcium titanate ceramics, bismuth titanate. Series ceramics, magnesium titanate series ceramics, CaWO 4 series ceramics, B
a (Mg, Nb) O 3 based ceramics, Ba (Mg, T
a) O 3 based ceramics, Ba (Co, Mg, Nb) O
3 series ceramics, Ba (Co, Mg, Ta) O 3 series ceramics. The titanium dioxide ceramics
In addition to those containing only titanium dioxide, those containing other small amounts of additives are also referred to and those in which the crystal structure of titanium dioxide is retained. The same applies to other ceramics. In particular, the titanium dioxide ceramics preferably have a rutile structure.

【0025】これらは単独で用いてもよいし2種以上を
混合して用いてもよい。2種以上を混合して用いる場
合、その混合比は任意である。
These may be used alone or in combination of two or more. When two or more kinds are mixed and used, the mixing ratio is arbitrary.

【0026】セラミクス粉末の粒径は、樹脂との混練性
等を考えると、平均粒径0.1〜10μm 、特に0.2
〜5μm 程度が好ましい。粒径が小さくなると、粉末の
表面積が増大し、分散、混合時の粘度、チクソ性が上昇
し、高充填率化が困難となり、樹脂との混練がし難くな
る。また、粒径が大きくなると、均一な分散・混合を行
うことが困難となり、沈降が激しくなって不均一とな
り、粉末の含有量が多い組成の成形の際に、緻密な成型
体を得られない。
The particle size of the ceramic powder is 0.1 to 10 μm, especially 0.2, considering the kneading property with the resin.
It is preferably about 5 μm. When the particle size is small, the surface area of the powder is increased, the viscosity at the time of dispersion and mixing, and the thixotropy are increased, making it difficult to achieve a high filling rate and making it difficult to knead with the resin. Further, if the particle size becomes large, it becomes difficult to carry out uniform dispersion / mixing, and the sedimentation becomes intense, resulting in non-uniformity, and a dense molded body cannot be obtained when molding a composition having a large amount of powder content. .

【0027】一般に、上記セラミックの含有量は、樹脂
とセラミクス粉末との合計量を100体積%としたと
き、セラミクス粉末20体積%以上60体積%未満であ
り、好ましくは20体積%以上50体積%以下の範囲で
ある。
Generally, the content of the ceramic is 20% by volume or more and less than 60% by volume, preferably 20% by volume or more and 50% by volume, when the total amount of the resin and the ceramics powder is 100% by volume. The range is as follows.

【0028】セラミクス粉末はサファイヤなどの単結晶
粉末や多結晶のアルミナ粉末でもよく、これらも含め
て、セラミクス粉末の種類は例えば以下の組成を主成分
とする誘電体の粉末であることが好ましい。併せて2GH
zにおける比誘電率εおよびQ値を示す。
The ceramic powder may be a single crystal powder such as sapphire or a polycrystalline alumina powder, and the type of the ceramic powder including these is preferably, for example, a dielectric powder having the following composition as a main component. 2GH in total
The relative permittivity ε and the Q value at z are shown.

【0029】MgTiO3[ε=17、Q=2200
0]、ZnTiO3[ε=26、Q=800]、Zn2
iO4[ε=15、Q=700]、TiO2[ε=10
4、Q=15000]、CaTiO3[ε=170、Q
=1800]、SrTiO3[ε=255、Q=70
0]、SrZrO3[ε=30、Q=1200]、Ba
Ti2 5[ε=42、Q=5700]、BaTi4
9[ε=38、Q=9000]、Ba2Ti920[ε=
39、Q=9000]、Ba2(Ti,Sn)920[ε
=37、Q=5000]、ZrTiO4[ε=39、Q
=7000]、(Zr,Sn)TiO4[ε=38、Q
=7000]、BaNd2Ti514[ε=83、Q=2
100]、BaSm2TiO14[ε=74、Q=240
0]、Bi23−BaO−Nd23−TiO2系[ε=
88、Q=2000]、PbO−BaO−Nd23−T
iO2系[ε=90、Q=5200]、(Bi23、P
bO)−BaO−Nd23−TiO2系[ε=105、
Q=2500]、La2Ti27[ε=44、Q=40
00]、Nd2Ti27[ε=37、Q=1100]、
(Li,Sm)TiO3[ε=81、Q=2050]、
Ba(Mg1/3Ta2/3)O3[ε=25、Q=3500
0]、Ba(Zn1/3Ta2/3)O3[ε=30、Q=1
4000]、Ba(Zn1/3Nb2/3)O3[ε=41、
Q=9200]、Sr(Zn1/3Nb2/3)O3[ε=4
0、Q=4000]等。
MgTiO3[Ε = 17, Q = 2200
0], ZnTiO3[Ε = 26, Q = 800], Zn2T
iOFour[Ε = 15, Q = 700], TiO2[Ε = 10
4, Q = 15000], CaTiO3[Ε = 170, Q
= 1800], SrTiO3[Ε = 255, Q = 70
0], SrZrO3[Ε = 30, Q = 1200], Ba
Ti2O Five[Ε = 42, Q = 5700], BaTiFourO
9[Ε = 38, Q = 9000], Ba2Ti9O20[Ε =
39, Q = 9000], Ba2(Ti, Sn)9O20
= 37, Q = 5000], ZrTiOFour[Ε = 39, Q
= 7000], (Zr, Sn) TiOFour[Ε = 38, Q
= 7000], BaNd2TiFiveO14[Ε = 83, Q = 2
100], BaSm2TiO14[Ε = 74, Q = 240
0], Bi2O3-BaO-Nd2O3-TiO2System [ε =
88, Q = 2000], PbO-BaO-Nd2O3-T
iO2System [ε = 90, Q = 5200], (Bi2O3, P
bO) -BaO-Nd2O3-TiO2System [ε = 105,
Q = 2500], La2Ti2O7[Ε = 44, Q = 40
00], Nd2Ti2O7[Ε = 37, Q = 1100],
(Li, Sm) TiO3[Ε = 81, Q = 2050],
Ba (Mg1/3Ta2/3) O3[Ε = 25, Q = 3500
0], Ba (Zn1/3Ta2/3) O3[Ε = 30, Q = 1
4000], Ba (Zn1/3Nb2/3) O3[Ε = 41,
Q = 9200], Sr (Zn1/3Nb2/3) O3[Ε = 4
0, Q = 4000].

【0030】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
るものである。TiO2、CaTiO3、SrTiO3
BaO−Nd23−TiO2系、Bi23−BaO−N
23−TiO2系、BaTi49、Ba2Ti920
Ba2(Ti,Sn)920系、MgO−TiO2系、Z
nO−TiO2系等。
More preferably, the main component is the following composition. TiO 2 , CaTiO 3 , SrTiO 3 ,
BaO-Nd 2 O 3 -TiO 2 system, Bi 2 O 3 -BaO-N
d 2 O 3 -TiO 2 system, BaTi 4 O 9, Ba 2 Ti 9 O 20,
Ba 2 (Ti, Sn) 9 O 20 system, MgO-TiO 2 system, Z
nO-TiO 2 system, etc.

【0031】セラミクスの含有量は、樹脂とセラミクス
粉末との合計量を100体積%としたとき、セラミクス
粉末の含有量は20体積%以上60体積%未満であり、
好ましくは20体積%以上50体積%以下の範囲であ
る。
The content of the ceramic powder is 20 volume% or more and less than 60 volume% when the total amount of the resin and the ceramic powder is 100 volume%.
The preferred range is 20% by volume or more and 50% by volume or less.

【0032】セラミクス粉末が60体積%以上であると
緻密な組成物が得られなくなる。また、セラミクス粉末
を添加しない場合に比べて、Qが大きく低下することも
ある。一方、セラミクス粉末が20体積%未満である
と、セラミクス粉末を含有する効果があまりみられな
い。
If the ceramic powder is more than 60% by volume, a dense composition cannot be obtained. Further, Q may be greatly reduced as compared with the case where the ceramic powder is not added. On the other hand, when the ceramic powder is less than 20% by volume, the effect of containing the ceramic powder is not so remarkable.

【0033】本発明の電子部品は、各成分を上記の範囲
内で適宜設定し、樹脂と誘電体粉末との混合物の誘電率
を、ガラスクロスの誘電率よりも高くすることにより、
本発明の効果を得ることができる。
In the electronic component of the present invention, each component is appropriately set within the above range, and the permittivity of the mixture of the resin and the dielectric powder is made higher than that of the glass cloth.
The effect of the present invention can be obtained.

【0034】セラミクス粉末は単結晶や多結晶の粉末で
もよい。
The ceramic powder may be a single crystal or polycrystal powder.

【0035】本発明では必要に応じて難燃剤を含有して
いてもよい。難燃剤としては、通常基板の難燃化のため
に用いられている種々の難燃剤を用いることができる。
具体的には、ハロゲン化リン酸エステル、ブロム化エポ
キシ樹脂等のハロゲン化物、また、リン酸エステルアミ
ド系等の有機化合物や、三酸化アンチモン、水素化アル
ミニウム等の無機材料を用いることができる。
In the present invention, a flame retardant may be contained if necessary. As the flame retardant, various flame retardants which are usually used for making the substrate flame retardant can be used.
Specifically, halides such as halogenated phosphoric acid esters and brominated epoxy resins, organic compounds such as phosphoric acid ester amides, and inorganic materials such as antimony trioxide and aluminum hydride can be used.

【0036】使用する金属箔としては、金、銀、銅、ア
ルミニウムなど導電率の良好な金属のなかから好適なも
のを用いればよい。これらのなかでも特に銅が好まし
い。
The metal foil to be used may be a metal foil having a good conductivity such as gold, silver, copper or aluminum. Of these, copper is particularly preferable.

【0037】金属箔を作製する方法としては、電解、圧
延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピ
ール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重
視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少
ない圧延箔を使用するとよい。
As a method for producing the metal foil, various known methods such as electrolysis and rolling can be used. When the foil peel strength is desired, the electrolytic foil is used, and when high frequency characteristics are important. It is advisable to use a rolled foil that is less affected by the skin effect due to surface irregularities.

【0038】金属箔の厚みとしては、8〜70μm が好
ましく、特に12〜18μm が好ましい。
The thickness of the metal foil is preferably 8 to 70 μm, more preferably 12 to 18 μm.

【0039】本発明において、電子部品の基礎となるプ
リプレグを得るには、所定の配合比としたセラミック粉
末、磁性粉、必要により難燃剤と樹脂とを含み、溶剤に
混練してスラリー化したペーストを塗布して、乾燥(B
ステージ化)する工程に従う。この場合に用いられる溶
剤は揮発性溶剤が好ましく、上記極性中性溶媒が特に好
ましく、ペーストの粘度を調整し塗工しやすくする目的
で用いられる。混練はボールミル、撹拌等により公知の
方法によって行えばよい。ペーストを金属箔上に塗工、
またはガラスクロス上に含浸することにより、形成する
ことができる。
In the present invention, in order to obtain a prepreg as a base for electronic parts, a paste containing a predetermined mixing ratio of ceramic powder, magnetic powder, and optionally a flame retardant and a resin, kneaded in a solvent to form a slurry. And dry (B
Follow the process of making a stage). The solvent used in this case is preferably a volatile solvent, particularly preferably the above polar neutral solvent, which is used for the purpose of adjusting the viscosity of the paste and facilitating coating. The kneading may be performed by a known method using a ball mill, stirring or the like. Apply the paste on the metal foil,
Alternatively, it can be formed by impregnating a glass cloth.

【0040】プリプレグの乾燥(Bステージ化)は、含
有するセラミック粉末、必要により難燃剤の含有量など
により適宜調整すればよいが、通常、60〜180℃、
0.1〜5時間とすればよい。
Drying of the prepreg (B stage conversion) may be appropriately adjusted depending on the contained ceramic powder and, if necessary, the content of flame retardant.
It may be 0.1 to 5 hours.

【0041】プリプレグは、図2または図3に示すよう
な方法により製造することができる。この場合、図2の
方法は比較的量産に適しており、図3の方法は、膜厚制
御を行い易く、特性の調整が比較的容易に行えるという
特徴を有している。図2において、(a)に示すよう
に、ロール状に巻回されたガラスクロス101aは、こ
のロール101aから繰り出され、ガイドローラ111
を介して塗工槽110に搬送される。この塗工槽110
には、溶剤中に分散されているセラミック粉末、必要に
より難燃剤と樹脂がスラリー状に調整されており、この
塗工槽110をガラスクロスが通過すると、上記スラリ
ー中に浸漬され、ガラスクロスに塗工されるとともに、
その中のすきまが埋められることになる。
The prepreg can be manufactured by the method shown in FIG. 2 or FIG. In this case, the method of FIG. 2 is relatively suitable for mass production, and the method of FIG. 3 is characterized in that the film thickness can be controlled easily and the characteristics can be adjusted relatively easily. In FIG. 2, as shown in FIG. 2A, the glass cloth 101a wound in a roll shape is unwound from the roll 101a, and is guided by the guide roller 111.
It is conveyed to the coating tank 110 via. This coating tank 110
Contains a ceramic powder dispersed in a solvent, and optionally a flame retardant and a resin in a slurry form. When the glass cloth passes through the coating tank 110, the glass cloth is dipped in the slurry to form a glass cloth. While being coated,
The gap in it will be filled.

【0042】塗工槽110を通過したガラスクロスは、
ガイドローラー112a,112bを介して乾燥炉12
0に導入される。乾燥炉に導入された樹脂含浸ガラスク
ロスは、所定の温度と時間乾燥され、Bステージ化され
るとともに、ガイドローラー121により方向転換して
巻取ローラ130に巻回される。
The glass cloth that has passed through the coating tank 110 is
Drying oven 12 via guide rollers 112a and 112b
Introduced to zero. The resin-impregnated glass cloth introduced into the drying furnace is dried at a predetermined temperature for a predetermined time, is B-staged, and is turned around by the guide roller 121 and wound around the winding roller 130.

【0043】そして、所定の大きさに切断されると、
(b)に示すように、ガラスクロス101の両面にセラ
ミック粉末、必要により難燃剤を含有した樹脂102が
配置されたプリプレグが得られる。
When cut into a predetermined size,
As shown in (b), a prepreg is obtained in which a ceramic powder and, if necessary, a resin 102 containing a flame retardant are arranged on both sides of a glass cloth 101.

【0044】さらに、(c)に示すように、得られたプ
リプレグの上下両面上に銅箔などの金属箔103を配置
し、これを加熱・加圧プレスすると、(d)に示すよう
な両面金属箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は10
0〜400℃の温度、9.8×105〜7.84×106
Pa(10〜80kgf/cm2)の圧力とすればよく、このよ
うな条件下で0.5〜20時間程度成形することが好ま
しい。成形は条件をかえて複数段階に分けて行うことが
できる。なお、金属箔を設けない場合には、金属箔を配
置することなく加熱・加圧プレスすればよい。
Further, as shown in (c), a metal foil 103 such as a copper foil is arranged on both upper and lower surfaces of the obtained prepreg, and when this is heated and pressed, both surfaces as shown in (d) are obtained. A substrate with a metal foil is obtained. Heating and pressurizing condition is 10
Temperature of 0 to 400 ° C., 9.8 × 10 5 to 7.84 × 10 6
The pressure may be Pa (10 to 80 kgf / cm 2 ) and it is preferable to perform molding for 0.5 to 20 hours under such conditions. Molding can be performed in multiple stages by changing the conditions. When the metal foil is not provided, heating / pressing may be performed without disposing the metal foil.

【0045】次に、図3の製造方法について説明する。
図3において、(a)に示すように、セラミック粉末、
必要により難燃剤と樹脂を溶剤中に分散したスラリー1
02aをドクターブレード150等によってクリアラン
スを一定に保ちながら銅箔などの金属箔上に塗工する。
Next, the manufacturing method of FIG. 3 will be described.
In FIG. 3, as shown in (a), ceramic powder,
Slurry 1 with flame retardant and resin dispersed in solvent if necessary
02a is coated on a metal foil such as a copper foil while keeping a constant clearance with a doctor blade 150 or the like.

【0046】そして、所定の大きさに切断されると、
(b)に示すように、金属箔103の上面にセラミック
粉末、必要により難燃剤を含有した樹脂102が配置さ
れたプリプレグが得られる。
When cut into a predetermined size,
As shown in (b), a prepreg is obtained in which the ceramic powder and, if necessary, the resin 102 containing a flame retardant are arranged on the upper surface of the metal foil 103.

【0047】さらに、(c)に示すように、ガラスクロ
ス101の上下両面に、(b)で得られた金属箔103
付きプリプレグをそれぞれ樹脂102側を内面にして配
置し、これを加熱・加圧プレスすると、(d)に示すよ
うな両面金属箔付き基板が得られる。加熱加圧条件は上
記と同様でよい。
Further, as shown in (c), the metal foil 103 obtained in (b) is formed on both upper and lower surfaces of the glass cloth 101.
When the attached prepregs are arranged with the resin 102 side as the inner surface and are heated and pressed, a double-sided metal foil-coated substrate as shown in (d) is obtained. The heating and pressing conditions may be the same as above.

【0048】このような銅箔付基板には、両面パターン
ニング基板や多層基板などがある。
Examples of such a substrate with a copper foil include a double-sided patterning substrate and a multilayer substrate.

【0049】図4、図5には両面パターンニング基板形
成例の工程図を示す。図4、図5に示されるように、所
定厚さのプリプレグ1と所定厚さの銅(Cu)箔2とを
重ねて加圧加熱して成形する(工程A)。次にスルーホ
ールをドリリングにより形成する(工程B)。形成した
スルーホールに銅(Cu)メッキを施し、メッキ膜4を
形成する(工程C)。さらに両面の銅箔2にパターニン
グを施し、導体パターン21を形成する(工程D)。そ
の後、図4に示されるように、外部端子等の接続のため
のメッキを施す(工程E)。この場合のメッキはNiメ
ッキ後にさらにPdメッキを施す方法、Niメッキ後に
さらにAuメッキを施す方法(メッキは電解または無電
解メッキ)、半田レベラーを用いる方法により行われ
る。
4 and 5 show process diagrams of an example of forming a double-sided patterned substrate. As shown in FIGS. 4 and 5, a prepreg 1 having a predetermined thickness and a copper (Cu) foil 2 having a predetermined thickness are overlapped and heated under pressure to be molded (step A). Next, a through hole is formed by drilling (step B). Copper (Cu) plating is applied to the formed through holes to form a plated film 4 (step C). Further, the copper foils 2 on both sides are patterned to form a conductor pattern 21 (step D). Then, as shown in FIG. 4, plating for connecting external terminals and the like is performed (step E). The plating in this case is performed by a method of further plating Pd after Ni plating, a method of further plating Au after Ni plating (plating is electrolytic or electroless plating), or a method using a solder leveler.

【0050】図6、図7には多層基板形成例の工程図で
あり、4層積層する例が示されている。図6、図7に示
されるように、所定厚さのプリプレグ1と所定厚さの銅
(Cu)箔2とを重ねて加圧加熱して成形する(工程
a)。次に両面の銅箔2にパターニングを施し、導体パ
ターン21を形成する(工程b)。このようにして得ら
れた両面パターンニング基板の両面に、さらに所定厚さ
のプリプレグ1と銅箔2とを重ねて、同時に加圧加熱し
て成形する(工程c)。次にスルーホールをドリリング
により形成する(工程d)。形成したスルーホールに銅
(Cu)メッキを施し、メッキ膜4を形成する(工程
e)。さらに両面の銅箔2にパターニングを施し、導体
パターン21を形成する(工程f)。その後図6に示さ
れるように、外部端子との接続のためのメッキを施す
(工程g)。この場合のメッキはNiメッキ後にさらに
Pdメッキを施す方法、Niメッキ後にさらにAuメッ
キを施す方法(メッキは電解または無電解メッキ)、半
田レベラーを用いる方法により行われる。
FIG. 6 and FIG. 7 are process diagrams of an example of forming a multilayer substrate, showing an example in which four layers are laminated. As shown in FIG. 6 and FIG. 7, a prepreg 1 having a predetermined thickness and a copper (Cu) foil 2 having a predetermined thickness are overlapped and heated under pressure to be molded (step a). Next, the copper foils 2 on both sides are patterned to form a conductor pattern 21 (step b). On both sides of the double-sided patterned substrate thus obtained, a prepreg 1 and a copper foil 2 each having a predetermined thickness are further stacked and simultaneously heated and pressed to form (step c). Next, a through hole is formed by drilling (step d). Copper (Cu) plating is applied to the formed through holes to form a plated film 4 (step e). Further, the copper foils 2 on both sides are patterned to form a conductor pattern 21 (step f). After that, as shown in FIG. 6, plating for connection with external terminals is performed (step g). The plating in this case is performed by a method of further plating Pd after Ni plating, a method of further plating Au after Ni plating (plating is electrolytic or electroless plating), or a method using a solder leveler.

【0051】上記の加熱加圧の成形条件は、100〜4
00℃の温度、9.8×105〜7.84×106Pa(1
0〜80kgf/cm2)の圧力で、0.5〜20時間とする
ことが好ましい。
The above heating and pressing molding conditions are 100 to 4
Temperature of 00 ° C., 9.8 × 10 5 to 7.84 × 10 6 Pa (1
The pressure is preferably 0 to 80 kgf / cm 2 and the time is preferably 0.5 to 20 hours.

【0052】本発明では、前記例に限らず、種々の基板
を形成することができる。例えば、成形材料としての基
板や、銅箔付基板とプリプレグとを用い、プリプレグを
接着層として多層化することも可能である。
The present invention is not limited to the above example, and various substrates can be formed. For example, it is possible to use a substrate as a molding material or a substrate with a copper foil and a prepreg, and to form a multilayer structure using the prepreg as an adhesive layer.

【0053】このようなプリプレグ、銅箔付き基板、積
層基板等と素子構成パターン、構成材料を組み合わせる
ことにより、電子部品を得ることができる。
An electronic component can be obtained by combining such a prepreg, a substrate with a copper foil, a laminated substrate and the like with an element configuration pattern and a configuration material.

【0054】[0054]

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。 [誘電体粉末表面処理]誘電体粉末(TiBaO3 系、
ε=15000、平均粒径=1.5μm )400gを水
500gの入ったビーカ中に入れ、攪拌機により撹拌し
た。ここに、シランカップリング剤(商品名:TSL−
8113、東芝シリコーン)8gを添加し、1時間撹拌
した。その後、1時間静置し、誘電体粉末を分離して、
110℃で16時間乾燥した。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail below by showing specific examples of the present invention. [Dielectric powder surface treatment] Dielectric powder (TiBaO 3 system,
400 g of ε = 15000 and average particle size = 1.5 μm) was placed in a beaker containing 500 g of water and stirred by a stirrer. A silane coupling agent (trade name: TSL-
8113, Toshiba Silicone), and stirred for 1 hour. Then, let stand for 1 hour, separate the dielectric powder,
It was dried at 110 ° C. for 16 hours.

【0055】[配合物スラリーの作製]ベースレジンと
してポリビニルベンジルエーテル化合物:テトラブロモ
ビスフェノールA変性ビニルベンジル樹脂=7:3を5
5gと、トルエン45gを同一容器中で完全に溶解する
まで撹拌し、55wt%の固形分となる溶液を作製した。
この中に、上記の表面処理を行った誘電体粉末193.
3gを入れて完全に分散するまで拡散を行い、体積比で
樹脂:チタン酸バリウム=6:4となる配合物スラリー
を作製した。
[Preparation of Compound Slurry] As a base resin, polyvinyl benzyl ether compound: tetrabromobisphenol A-modified vinyl benzyl resin = 7: 3 was added as 5
5 g and 45 g of toluene were stirred in the same container until completely dissolved to prepare a solution having a solid content of 55 wt%.
Into this, the dielectric powder 193.
3 g was added and the mixture was diffused until completely dispersed to prepare a compounded slurry having a resin: barium titanate = 6: 4 by volume ratio.

【0056】[ガラスクロス入りプリプレグの作製]表
1に示すガラスクロス(106タイプ、厚み39μm 、
旭シェーベル(株)製)を、上記で配合した配合液によ
り含浸塗工し、110℃、15分の仮硬化処理を行い、
ガラスクロスを内蔵したプリプレグを得た。得られた厚
みは60,70,80,90μm であった。
[Preparation of prepreg containing glass cloth] The glass cloth shown in Table 1 (106 type, thickness 39 μm,
Asahi Shabel Co., Ltd.) is impregnated and coated with the above-prepared compounding solution, and subjected to temporary curing treatment at 110 ° C. for 15 minutes,
A prepreg containing a glass cloth was obtained. The obtained thickness was 60, 70, 80, 90 μm.

【0057】[ガラスクロス入り積層板の作製]上記の
プリプレグを4枚重ね、温度プロファイル120℃30
分、180℃90分、圧力300MPaにて加熱、加圧硬
化を行い、ガラスクロス入り積層板を得た。厚みは24
0、280,320、360μm であった。同様にして
表1に記載されている実施例2〜比較例2のガラスクロ
ス入り積層板サンプルを作製した。
[Preparation of Laminated Plate Containing Glass Cloth] Four prepregs as described above were stacked and a temperature profile of 120 ° C. 30
Minutes, heating at 180 ° C. for 90 minutes at a pressure of 300 MPa and pressure curing to obtain a glass cloth-containing laminated plate. Thickness is 24
It was 0, 280, 320, 360 μm. In the same manner, glass cloth-containing laminated plate samples of Example 2 to Comparative Example 2 described in Table 1 were produced.

【0058】[0058]

【表1】 [Table 1]

【0059】作製した各サンプルを長さ90mm、幅0.
7mmに切り出し、評価サンプルとした。この評価サンプ
ルについて、2GHzでの誘電率、Q値(誘電正接)を測
定した。結果を図1に示す。
Each of the produced samples had a length of 90 mm and a width of 0.
It was cut into 7 mm and used as an evaluation sample. The dielectric constant and Q value (dielectric loss tangent) at 2 GHz were measured for this evaluation sample. The results are shown in Fig. 1.

【0060】図1から明らかなように、ガラスクロスの
通気度が上昇すると、基板の誘電率が上昇していること
がわかる。例えば、プリプレグの厚みを60μm とした
場合、通気度95cm3/cm2/secのガラスクロスを用いた
サンプルではε=15.0であるが、通気度300cm3/
cm2/secのガラスクロスを用いたサンプルではε=1
9.5と向上した。また、プリプレグの厚みを90μm
とした場合、通気度80cm3/cm2/secのガラスクロスを
用いたサンプルではε=17.4であったが、通気度3
00cm3/cm2/secのガラスクロスを用いたサンプルでは
ε=21.1と向上した。
As is apparent from FIG. 1, as the air permeability of the glass cloth increases, the dielectric constant of the substrate increases. For example, when the thickness of the prepreg is 60 μm, ε = 15.0 for a sample using glass cloth having an air permeability of 95 cm 3 / cm 2 / sec, but an air permeability of 300 cm 3 /
ε = 1 for samples using glass cloth of cm 2 / sec
It was improved to 9.5. In addition, the thickness of the prepreg is 90 μm
, The air permeability of 80 cm 3 / cm 2 / sec in the sample using glass cloth was ε = 17.4, but the air permeability was 3
In the sample using the glass cloth of 00 cm 3 / cm 2 / sec, ε was improved to 21.1.

【0061】[0061]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、少なくと
も樹脂と、ガラスクロスとを有する複合誘電体基板、お
よびプリプレグの誘電率を高め、基板や電子部品の小
型、軽量化を可能とする複合誘電体基板、およびプリプ
レグを提供することができる。
As described above, according to the present invention, the permittivity of the composite dielectric substrate having at least the resin and the glass cloth and the prepreg is increased, and the size and weight of the substrate and electronic parts can be reduced. A composite dielectric substrate and a prepreg can be provided.

【0062】また、内蔵コンデンサの小型化が可能な複
合誘電体基板、およびプリプレグを提供することができ
る。
Further, it is possible to provide a composite dielectric substrate and a prepreg capable of miniaturizing the built-in capacitor.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】ガラスクロスの通気率と誘電率との関係を示し
たグラフである。
FIG. 1 is a graph showing the relationship between the air permeability and the dielectric constant of glass cloth.

【図2】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す工程
図である。
FIG. 2 is a process drawing showing an example of forming a substrate with a copper foil used in the present invention.

【図3】本発明に用いる銅箔付基板の形成例を示す他の
工程図である。
FIG. 3 is another process drawing showing an example of forming a substrate with a copper foil used in the present invention.

【図4】銅箔付基板の形成例を示す工程図である。FIG. 4 is a process drawing showing an example of forming a substrate with a copper foil.

【図5】銅箔付基板の形成例を示す他の工程図である。FIG. 5 is another process drawing showing an example of forming a substrate with a copper foil.

【図6】多層基板の形成例を示す工程図である。FIG. 6 is a process drawing showing an example of forming a multilayer substrate.

【図7】多層基板の形成例を示す工程図である。FIG. 7 is a process chart showing an example of forming a multilayer substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 プリプレグ 2 銅箔塗工物 3 スルーホール 4 メッキ膜 10 両面銅箔付基板(両面銅張基板) 21 銅箔 21 導体パターン 1 prepreg 2 Copper foil coating 3 through holes 4 plating film 10 Double-sided copper foil board (double-sided copper clad board) 21 copper foil 21 conductor pattern

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H05K 3/46 H05K 3/46 T // C08L 101:00 C08L 101:00 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08J 5/24 CEZ H05K 1/03 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H05K 3/46 H05K 3/46 T // C08L 101: 00 C08L 101: 00 (58) Fields investigated (Int.Cl. 7 , DB name) C08J 5/24 CEZ H05K 1/03

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 少なくとも樹脂と、この樹脂中に分散さ
れている誘電体粉末と、ガラスクロスとを有し、 前記樹脂と誘電体粉末との混合物の誘電率がガラスクロ
スの誘電率以上であり、 前記ガラスクロスが、厚さ70μm 以下、布重量60g/
m2 以下、通気率300cm3/cm2/sec以上であり、 前記ガラスクロスに対して+10〜+50μm の厚みを
有するプリプレグを硬化させた複合誘電体基板。
1. At least a resin, a dielectric powder dispersed in the resin, and glass cloth, wherein the dielectric constant of the mixture of the resin and the dielectric powder is equal to or higher than the dielectric constant of the glass cloth. The glass cloth has a thickness of 70 μm or less and a cloth weight of 60 g /
A composite dielectric substrate obtained by curing a prepreg having a thickness of +10 to +50 μm with respect to the glass cloth, having a m 2 or less, an air permeability of 300 cm 3 / cm 2 / sec or more.
【請求項2】 前記誘電体粉末は、誘電率10〜200
00で、前記樹脂に対し20〜60体積%である請求項
1の複合誘電体基板。
2. The dielectric powder has a dielectric constant of 10 to 200.
The composite dielectric substrate according to claim 1, wherein the content is 00 to 20 to 60% by volume with respect to the resin.
JP2000239728A 2000-08-08 2000-08-08 Composite dielectric substrate Expired - Fee Related JP3400416B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000239728A JP3400416B2 (en) 2000-08-08 2000-08-08 Composite dielectric substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000239728A JP3400416B2 (en) 2000-08-08 2000-08-08 Composite dielectric substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002053680A JP2002053680A (en) 2002-02-19
JP3400416B2 true JP3400416B2 (en) 2003-04-28

Family

ID=18731218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000239728A Expired - Fee Related JP3400416B2 (en) 2000-08-08 2000-08-08 Composite dielectric substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3400416B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002053680A (en) 2002-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3985633B2 (en) High frequency electronic components using low dielectric loss tangent insulation materials
EP1200509B1 (en) Composites of powdered fillers and polymer matrix and process for preparing them
JP7053976B1 (en) Double-sided copper-clad laminate
JP2022058356A (en) Resin composition, copper foil with resin, dielectric layer, copper-clad laminate, capacitor element, and capacitor built-in printed-wiring board
JP2006248074A (en) Composite substrate with high dielectric constant, composite sheet with high dielectric constant, and methods for producing them
DE3313579A1 (en) METAL-LAMINATED LAMINATE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
WO2010147083A1 (en) Prepreg comprising high-dielectric-constant resin composition, and copper-clad laminate sheet
JP3400416B2 (en) Composite dielectric substrate
JPH07240117A (en) Composite dielectric and its manufacture
JP2002052644A (en) Electronic part
JP2006260895A (en) Compound dielectric material, prepreg using the same, metal foil coating object, molded body, compound dielectric substrate, and multilayer substrate
JP2002043841A (en) Voltage-controlled oscillator
JP4496858B2 (en) Electronic components and multilayer boards
JP2006344407A (en) Composite dielectric material, prepreg using the same, metal foil painted object, molded compact, composite dielectric base board, multi-layered base board, and manufacturing method of composite dielectric material
JP2002033216A (en) Laminated balun transformer
JP4075569B2 (en) Printed wiring board manufacturing material, printed wiring board and manufacturing method thereof
JPH0940933A (en) Adhesive for copper foil
JP2004193411A (en) Method for manufacturing high dielectric constant electric/electronic component and component
JP3488418B2 (en) Board
JP3605333B2 (en) Composite dielectric substrate, prepreg, metal foil coating and molded product
JP2002124773A (en) Fire-retardant electronic part
JPH07272534A (en) Manufacture of compound dielectric
JP2005068298A (en) High permittivity epoxy resin paste and electronic part
JPH0817242A (en) Composite dielectric
JPH07290638A (en) Production of laminated sheet

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20030128

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees