JP2002043736A - Detection method of ic lead soldering defect using temperature change of ic chip - Google Patents
Detection method of ic lead soldering defect using temperature change of ic chipInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、プリント基板に
実装されているＩＣリードの半田付けの不良を電気的に
検出する方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method for electrically detecting defective soldering of an IC lead mounted on a printed circuit board.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来技術によるＩＣリードの半田付けの
良否を検出する方法としては、ＩＣリードが接続されて
いる基板パターンから電源パターン電流を流し、ＩＣ内
部の保護ダイオードの順方向電圧を測定し判別する方法
が米国特許5,521,513 に開示されている。2. Description of the Related Art As a conventional method for detecting the quality of soldering of an IC lead, a power supply pattern current is passed from a substrate pattern to which the IC lead is connected, and a forward voltage of a protection diode inside the IC is measured. A method of determining is disclosed in U.S. Pat. No. 5,521,513.
【０００３】また、ＩＣの上部に配置した静電気結合板
を用いてＩＣリードフレーム間の静電容量を測定し、静
電容量値を良品の値と比較することにより判別する方法
が特開平６−３４７１４に開示されている。A method of measuring the capacitance between IC lead frames by using an electrostatic coupling plate disposed above an IC and comparing the capacitance value with a value of a non-defective product is disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 6-1994. 34714.
【０００４】さらに、ＩＣ全体をヒータで加熱してＩＣ
内部に設けられた保護用ダイオードの順方向電圧ＶFを
測定し、良品の平温時の電圧値と比較することで判別す
る方法が特開平１０−１９９５８に開示されている。Further, the entire IC is heated by a heater to
Measuring the forward voltage V F of the protection diode provided in the method of determining by comparing the voltage value at the time of usual temperature non-defective is disclosed in JP-A-10-19958.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来技術によ
るＩＣリード半田付けの不良検出方法には、多くの問題
点が存在する。米国特許5,521,513 においては、複数個
のＩＣが並列に接続されている回路では判別困難な場合
があり、また保護ダイオードのないリニアＩＣ等は判別
が困難である。また、特開平６−３４７１４による静電
気結合板を用いる方法ではリードフレームのないＩＣ
（ＢＧＡ／ＣＳＰ）の判別は困難な場合があり、小型化
に制限があって小パッケージ（ＴＳＯＰ）には結合板が
取り付けられない。さらに、特開平１０−１９９５８に
おいては、加熱に時間がかかり過ぎ、このため測定時間
が長引いてしまう。There are many problems in the above-described prior art method for detecting a defect in soldering an IC lead. In U.S. Pat. No. 5,521,513, it is sometimes difficult to determine a circuit in which a plurality of ICs are connected in parallel, and it is difficult to determine a linear IC or the like without a protection diode. In the method using an electrostatic coupling plate according to Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-34714, an IC without a lead frame is used.
(BGA / CSP) may be difficult to determine, and there is a limit to miniaturization, and a coupling plate cannot be attached to a small package (TSOP). Further, in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-19958, it takes too much time for heating, and the measurement time is prolonged.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】この発明は、上述した従
来技術の欠点を解消するためになされたものであって、
ＩＣ内部に構成されている保護ダイオードの順方向（ジ
ャンクション）電圧が電流と温度（約−２ｍＶ／℃）に
依存していることを利用し、しかも、被測定ピンと同一
ＩＣ内に構成している保護ダイオードにＩＣリードから
一定時間、比較的大きな電流を供給することによってＩ
Ｃチップ温度を瞬間的に上昇させ、被測定ピンに接続さ
れている保護ダイオードの順方向電圧の変化を検出し、
特定ピンのリード浮き不良を判別することができる。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned disadvantages of the prior art.
Utilizing the fact that the forward (junction) voltage of the protection diode formed inside the IC depends on the current and the temperature (about -2 mV / ° C.), it is also configured in the same IC as the pin to be measured. By supplying a relatively large current to the protection diode from the IC lead for a certain period of time, I
The temperature of the C chip is instantaneously increased, and the change in the forward voltage of the protection diode connected to the pin to be measured is detected.
It is possible to determine a lead floating failure of a specific pin.
【０００７】保護ダイオードの順方向電圧・電流特性は
図２に示す通りであって、一定電流下における保護ダイ
オードの温度−電圧特性は、温度を上昇させると電圧は
下降する。このことは、データバス／アドレスバスのよ
うに複数個のＩＣピンに並列接続された回路であって
も、被測定ピンの保護ダイオードの特性のみ取り出して
検出することができる。The forward voltage / current characteristics of the protection diode are as shown in FIG. 2. The temperature-voltage characteristics of the protection diode under a constant current show that the voltage decreases as the temperature increases. This means that even in a circuit such as a data bus / address bus connected in parallel to a plurality of IC pins, only the characteristics of the protection diode of the pin to be measured can be extracted and detected.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、この発明に係るＩＣチップ
温度変化によるＩＣリード半田付けの不良検出方法を、
図面を参照しながら説明する。プリント基板に実装した
複数のＩＣにおいては、電源ピンとＧＮＤピンは夫々並
列接続してあるので、ＩＣ内部に構成されている保護ダ
イオードも夫々並列接続されており、図１に示す通りで
ある。並列接続された３個のＩＣをＩＣ１，ＩＣ２，Ｉ
Ｃ３とし、夫々の内部に構成されている保護ダイオード
をＤ1，Ｄ2，Ｄ3とする。ＩＣ１における被測定ピンか
ら電源ピンに定電流Ｉmを供給し、保護ダイオードＤ1の
順方向電圧ＶFを測定する状況を示す概念図を図１に示
す。この時、定電流ＩmはＩＣ２とＩＣ３における保護
ダイオードＤ2とＤ3にも流れるので、測定電圧は３つの
保護ダイオードより成る並列回路での電圧となる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for detecting a defect in soldering an IC lead due to a temperature change of an IC chip according to the present invention will be described.
This will be described with reference to the drawings. In a plurality of ICs mounted on a printed circuit board, the power supply pins and the GND pins are respectively connected in parallel, so that the protection diodes formed inside the IC are also connected in parallel, as shown in FIG. The three ICs connected in parallel are IC1, IC2, I
And C3, a protective diode that is configured in the interior of each the D 1, D 2, D 3 . Supplying a constant current I m from the measuring pin to a power pin of IC1, shown in FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a situation of measuring the forward voltage V F of the protection diode D 1. At this time, since the constant current I m also flows through the protection diode D 2 and D 3 in the IC2 and IC3, measurement voltage is a voltage of a parallel circuit consisting of three protection diodes.
【０００９】測定電圧は一般的なダイオードの電圧特性
であって、０．４〜０．７Ｖの範囲にある。図２は保護
ダイオードのＶF−ＩF特性を示すものであって、並列接
続されている保護ダイオードのＤ1，Ｄ2，Ｄ3のチップ
加熱時とチップ常温時の特性曲線を示す。ＩＣチップ内
部に構成されている保護ダイオードの順方向（ジャンク
ション）電圧は、電流と温度（約−２ｍＶ／℃）に依存
しており、ＩＣチップ温度が常温時における電圧−電流
特性とＩＣチップ加熱時における電圧−電流特性は図２
に示す通りである。従って、ＩＣリード浮きを検出する
ための被測定ピンと同一ＩＣにおける他のＩＣに接続さ
れていない特定ピンに、比較的大きな電流を一定時間供
給してＩＣチップ温度を瞬間的に上昇させ、この被測定
ピンに接続されている保護ダイオードの順方向電圧の変
化を検出することによってＩＣリード浮きを判別するこ
とができる。The measured voltage is a voltage characteristic of a general diode, and is in a range of 0.4 to 0.7V. Figure 2 is a view illustrating the V F -I F characteristic of the protection diode, showing the D 1, D 2, D 3 When the chip heating and characteristic curve during the chip normal temperature protection diode connected in parallel. The forward (junction) voltage of the protection diode formed inside the IC chip depends on the current and the temperature (about −2 mV / ° C.), and the voltage-current characteristics and the IC chip heating when the IC chip temperature is normal temperature. The voltage-current characteristics at the time are shown in FIG.
As shown in FIG. Therefore, a relatively large current is supplied for a certain period of time to a specific pin of the same IC that is not connected to another IC in the same IC as the pin to be measured for detecting floating of the IC lead, thereby instantaneously raising the temperature of the IC chip. By detecting a change in the forward voltage of the protection diode connected to the measurement pin, the floating of the IC lead can be determined.
【００１０】プリント基板に実装されている複数のＩＣ
を構成するピン相互間の接続方法およびピンの種類は極
めて多様である。このため、ＩＣリード浮きを検出する
被測定ピンとＩＣチップ温度を瞬間的に上昇させるため
に電流を供給する特定ピンの選択方法も色々あり、具体
例として第１の実施例と第２の実施例によって説明す
る。A plurality of ICs mounted on a printed circuit board
There are a wide variety of connection methods between pins and types of pins. For this reason, there are various methods for selecting the pin to be measured for detecting the floating of the IC lead and the specific pin for supplying the current for instantaneously increasing the temperature of the IC chip. The first embodiment and the second embodiment are specific examples. It will be explained by.
【００１１】第１の実施例は、ＩＣのピンが他のＩＣの
ピンに接続されている場合におけるＩＣリード浮き検出
方法を図３と図４を用いて説明する。図３において、Ｉ
Ｃ１１のピン２２とＩＣ１２のピン３は接続されてお
り、また電源バス２５は夫々のＩＣにおける電源ピンＶ
ccに並列接続されている。ＩＣ１２のピン３のリード浮
き検出方法を行う方法を図４を用いて説明する。In the first embodiment, an IC lead floating detection method when an IC pin is connected to another IC pin will be described with reference to FIGS. In FIG.
The pin 22 of the C11 is connected to the pin 3 of the IC 12, and the power bus 25 is connected to the power pin V in each IC.
cc is connected in parallel. A method for detecting the floating of the lead of the pin 3 of the IC 12 will be described with reference to FIG.
【００１２】図４は、ＩＣ１１とＩＣ１２を構成する保
護ダイオードの等価回路を示すブロック図である。ＩＣ
を構成する保護ダイオードは、１つのツエナーダイオー
ドと、直列接続した２つのダイオードより成る直列回路
２組をツエナーダイオードの両側に並列接続して構成し
ている。ＩＣ１１のピン２２とＩＣ１２のピン３は、夫
々の等価回路における直列接続した２つのダイオードの
中間接続接続点に接続されており、またＩＣ１２のピン
２０も２つのダイオードの中間接続点に接続されてい
る。FIG. 4 is a block diagram showing an equivalent circuit of the protection diodes constituting the ICs 11 and 12. IC
Is constructed by connecting two sets of a series circuit composed of one Zener diode and two diodes connected in series on both sides of the Zener diode. The pin 22 of the IC 11 and the pin 3 of the IC 12 are connected to an intermediate connection point of two diodes connected in series in each equivalent circuit, and the pin 20 of the IC 12 is also connected to an intermediate connection point of the two diodes. I have.
【００１３】ＩＣ１２のピン３のリード浮きを検出する
ためには、ピン３から電源ピンに定電流Ｉm1（０．０１
ｍＡ〜１ｍＡ）を供給し、ピン３に接続してある保護ダ
イオードＤmの順方向電圧（Ｖm）を測定する。この電流
は、ＩＣ１１のピン２２の内部に接続しているダイオー
ドＤ1にも流れるので、測定電圧ＶmはＤmとＤ1の並列回
路の電圧となる。測定電圧は一般的なダイオード特性で
ある０．４〜０．７Ｖの範囲であるが、この電圧範囲は
保護ダイオードが１個（ＩＣ１１のピン２２又はＩＣ１
２のピン３が接続されていない）の場合でも大きな差を
得ることができない。ＩＣ１２のピン３のリード浮き
（未接続）を検出する方法として、ＩＣ１２のチップ温
度を上昇させ、ＩＣ１２のピン３に接続されている保護
ダイオードＤmの順方向電圧変化を検出することで判別
できる。In order to detect the floating of the lead of the pin 3 of the IC 12, a constant current I m1 (0.01
mA to 1 mA) and measure the forward voltage (V m ) of the protection diode D m connected to pin 3. This current flows through to the diode D 1 connected to the inside of the pin 22 of the IC 11, the measured voltage V m is the voltage of the parallel circuit of D m and D 1. The measurement voltage is in the range of 0.4 to 0.7 V, which is a general diode characteristic, and this voltage range is determined by using one protection diode (pin 22 of IC11 or IC1).
2 pin 3 is not connected), a large difference cannot be obtained. As a method for detecting the lead float of the pin 3 of the IC12 (unconnected), it can be determined by increasing the tip temperature of the IC12, for detecting a forward voltage variation of the protection diode D m which is connected to pin 3 of IC12 .
【００１４】最初に、ＩＣ１１に接続されていない特定
ピンであるＩＣ１２のピン２０から電源ピンに対し一定
時間（１ｍｓ〜１００ｍｓ）に一定の電流Ｉm2（１０ｍ
Ａ〜１００ｍＡ）を供給した時の電圧をＶm1とし、ＩＣ
１２の保護ダイオードＤpに電力を供給してＩＣ１２の
チップ温度を上昇させると、ＩＣ１２における保護ダイ
オードＤmの順方向電圧が温度変化に伴い変化する（約
−２ｍＶ／℃）。この時の電圧をＶm2とする。温度上昇
によるＤm電圧の変化は低い方に変化するので、並列接
続しているＤ1の不感領域に近くなり、変化した電圧を
確実に測定することができる。従って、Ｄpに電流を供
給する前後のＤm順方向電圧を測定し、電圧変化（Ｖm1
−Ｖm2）を検出することでリード接続（ＩＣ１２の３ピ
ン、電源ピン、２０ピン）を確認することができる。電
圧変化が検出できない場合は、リード接続不良（ＩＣ１
２の３ピン、電源ピン、２０ピンの何れか又はその全
て）として判別することができる。リード接続不良で判
別された複数のピン（ＩＣ１２の３ピン、電源ピン、２
０ピン）は、その他のピンと同様に測定することによ
り、不良ピンを特定することができる。First, a constant current Im2 (10 m ) for a predetermined time (1 ms to 100 ms) is supplied from the pin 20 of the IC 12 which is a specific pin not connected to the IC 11 to the power supply pin.
A to 100 mA) is assumed to be V m1, and IC
Increasing the chip temperature of the IC12 supplies power to 12 protection diode D p of the forward voltage of the protection diode D m in the IC12 is changed due to temperature change (approximately -2 mV / ° C.). The voltage at this time is defined as Vm2 . Since the change in D m voltage due to the temperature rise is changed to lower, closer to the dead region of the D 1 are connected in parallel, the changed voltage can be reliably measured. Thus, by measuring the before and after D m forward voltage supplying current to D p, the voltage change (V m1
−V m2 ), the lead connection (3 pin, power supply pin, 20 pin of IC 12) can be confirmed. If a voltage change cannot be detected, a defective lead connection (IC1
(2, 3 pins, power pins, 20 pins, or all of them). A plurality of pins (3 pins of IC 12, power supply pins, 2
0 pin) can be specified in the same manner as the other pins to identify a defective pin.
【００１５】第２の実施例は、アドレスバス、データバ
ス等の共通バスに並列接続されている複数のＩＣにおけ
るピンのＩＣリード半田付けの不良検出方法であって、
図５と図６を用いて説明する。図５において、ＩＣ２
１，ＩＣ２２，ＩＣ２３におけるピンＡ，Ｂ，Ｃは共通
バス２４に並列接続してあり、電源バス２５も夫々のＩ
Ｃにおける電源ピンＶccに並列接続してある。また、夫
々のＧＮＤピンは接地してあるが、ＣＳピンは夫々独立
したＣＳ信号ＣＳ１，ＣＳ２，ＣＳ３を入力するように
構成してある。上述した回路におけるピンＡ，Ｂ，Ｃの
リード浮き検出を行う方法を図６を用いて説明する。The second embodiment is a method of detecting a failure in soldering IC leads to pins of a plurality of ICs connected in parallel to a common bus such as an address bus and a data bus.
This will be described with reference to FIGS. In FIG. 5, IC2
1, the pins A, B, and C of the ICs 22 and 23 are connected in parallel to the common bus 24, and the power supply bus 25 is also connected to the respective I buses.
C is connected in parallel to the power supply pin Vcc . Each GND pin is grounded, but the CS pin is configured to input independent CS signals CS1, CS2, and CS3, respectively. A method for detecting lead floating of pins A, B, and C in the above-described circuit will be described with reference to FIG.
【００１６】図６は、バス接続した複数のＩＣにおける
保護ダイオードの等価回路を示すブロック図である。Ｉ
Ｃにおける保護ダイオードの等価回路は図４に示すもの
と同一であり、共通バス２４に接続されたＩＣ２２のピ
ンＢのリード浮きを検出するためには、ピンＢを介して
共通バス２４と電源バス２５との間に定電流（０．０１
ｍＡ〜１ｍＡ）を流し、ＩＣ２２の保護ダイオードＤm
の順方向電圧を測定する。ＤmはＩＣ２１のＤ1、ＩＣ２
３のＤ3と並列回路を形成しているが、ＩＣ２２のチッ
プ温度が常温状態にあるとＤmの順方向電圧は変化しな
い。次に、ＩＣ２２のＣＳピンから電源ピンに一定時間
（１ｍｓ〜１００ｍｓ）に一定電流（１０ｍＡ〜１００
ｍＡ）を供給すると、ＣＳピンに接続されている保護ダ
イオードＤpで電力が消費され、ＩＣ２２のチップ温度
が上昇するので、Ｄmの順方向電圧は低下する。よって
Ｄmの順方向電圧変化を検出することによって、リード
接続を確認できる。その他のピン、ＩＣ２１のＡ、ＩＣ
２３のＣについても同様にリード接続の検出を行うこと
ができる。FIG. 6 is a block diagram showing an equivalent circuit of a protection diode in a plurality of bus-connected ICs. I
The equivalent circuit of the protection diode in C is the same as that shown in FIG. 4. In order to detect the floating of the lead of the pin B of the IC 22 connected to the common bus 24, the common bus 24 and the power supply bus are connected via the pin B. 25 and a constant current (0.01
mA to 1 mA) and the protection diode D m of the IC 22.
Measure the forward voltage of D 1 of the D m is IC 21, IC 2
Although a parallel circuit is formed with D3 of No. 3 , the forward voltage of Dm does not change when the chip temperature of the IC 22 is in a normal temperature state. Next, a constant current (10 mA to 100 mA) is supplied from the CS pin of the IC 22 to the power supply pin for a predetermined time (1 ms to 100 ms).
Supplying mA), power is consumed by the protection diode D p which is connected to the CS pin, the chip temperature of the IC22 rises, the forward voltage of the D m decreases. Therefore, lead connection can be confirmed by detecting a change in the forward voltage of Dm . Other pins, A of IC21, IC
The detection of lead connection can be performed in the same manner for 23C.
【００１７】[0017]
【発明の効果】以上説明したように、この発明によるＩ
Ｃチップ温度変化によるＩＣリード半田付けの不良検出
方法によると、データバス／アドレスバスのように複数
個のＩＣピンに並列接続された回路であっても、被測定
ピンの保護ダイオードの特性のみを取り出して検出で
き、ＩＣチップを温度上昇させる前後の保護ダイオード
の順方向電圧を短時間で測定するので、周囲温度の変化
や、ロット違いによる電圧のバラツキに影響されること
なく、安定した判別が可能である。また、従来の静電気
結合板方式では検出困難であったＰＧＡ／ＣＳＰパッケ
ージでもリード半田付け不良が確実に検出でき、静電気
結合板のような治具を必要としないためＴＳＯＰ等の小
型パッケージにも適用可能である。さらに、ＩＣサブス
トレート電圧変化の検出方式では検出困難であったＣＰ
ＵやＲＯＭ、ＲＡＭのように多数のピンが並列接続され
ている回路においても確実にリード浮き不良を検出で
き、ＩＣ内部の保護ダイオード電圧に影響されないので
ＴＴＬ、ＬＳ−ＴＴＬ、ＣＭＯＳ等殆ど全てのＩＣにつ
いても検出が可能であり、品種やロットの切替えがあっ
ても測定条件を変更することなく測定が可能である。オ
ペアンプなどのようにリニアＩＣで保護ダイオードがな
い場合でも、内部のトランジスタや抵抗を利用すること
で同様の検出が可能である。As described above, according to the present invention,
According to the method of detecting a failure in soldering an IC lead due to a change in the temperature of a C chip, even if the circuit is connected in parallel to a plurality of IC pins such as a data bus / address bus, only the characteristics of the protection diode of the pin to be measured are determined. It can be taken out and detected, and the forward voltage of the protection diode before and after raising the temperature of the IC chip is measured in a short time, so that stable determination can be made without being affected by changes in the ambient temperature or variations in voltage due to lot differences. It is possible. In addition, the PGA / CSP package, which was difficult to detect with the conventional electrostatic coupling plate method, can reliably detect lead soldering defects and does not require a jig such as an electrostatic coupling plate, so it can be applied to small packages such as TSOP. It is possible. Furthermore, CP which is difficult to detect by the IC substrate voltage change detection method
Even in a circuit in which many pins are connected in parallel, such as U, ROM, and RAM, it is possible to reliably detect a floating lead defect and is not affected by the protection diode voltage inside the IC. IC can be detected, and measurement can be performed without changing the measurement conditions even when the type or lot is switched. Even in the case where there is no protection diode in a linear IC such as an operational amplifier, the same detection can be performed by using an internal transistor and a resistor.
【図１】並列接続してある複数のＩＣチップに定電流を
供給して保護ダイオードの順方向電圧を測定する方法を
示す概念図。FIG. 1 is a conceptual diagram showing a method for measuring a forward voltage of a protection diode by supplying a constant current to a plurality of IC chips connected in parallel.
【図２】保護ダイオードのＶF−ＩF特性曲線図。[2] V F -I F characteristic diagram of the protection diode.
【図３】第１の実施例における複数のＩＣの回路構成を
示す説明図。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a circuit configuration of a plurality of ICs in the first embodiment.
【図４】保護ダイオードの等価回路を示すブロック図。FIG. 4 is a block diagram showing an equivalent circuit of a protection diode.
【図５】第２の実施例における共通バスに並列接続され
た複数のＩＣの回路構成を示す説明図。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a circuit configuration of a plurality of ICs connected in parallel to a common bus in the second embodiment.
【図６】保護ダイオードの等価回路を示すブロック図。FIG. 6 is a block diagram showing an equivalent circuit of a protection diode.
１，２，３，１１，１２，２１，２２，２３ ＩＣチッ
プ ２４ 共通バス ２５ 電源バス1, 2, 3, 11, 12, 21, 22, 23 IC chip 24 common bus 25 power supply bus
フロントページの続き (72)発明者 横川 裕道 神奈川県相模原市相模大野３丁目25番９号 ウィルテック株式会社内 Ｆターム(参考） 2G014 AA02 AA14 AB59 AC09 5E319 AB01 CC22 CD52 Continued on the front page (72) Inventor Hiromichi Yokokawa 3-25-9 Sagami-Ono, Sagamihara-shi, Kanagawa F-term in Willtech Co., Ltd. 2G014 AA02 AA14 AB59 AC09 5E319 AB01 CC22 CD52
Claims (1)
けるＩＣリード半田付けの不良検出方法であって、 当該ＩＣにおける他のＩＣと並列接続されていない特定
ピンと電源ピンとの間に、所定の電流を一定時間供給し
て当該ＩＣチップの温度を瞬間的に上昇させると共に、
リード浮きを検出する当該ＩＣにおける被測定ピンから
前記電源ピンに対して定電流を供給して前記被測定ピン
に接続されている保護ダイオードの順方向電圧を測定
し、 当該ＩＣチップが常温時における保護ダイオードの順方
向電圧と、ＩＣチップ温度を上昇させた場合の保護ダイ
オードの順方向電圧とを比較することにより、前記被測
定ピンのＩＣリード浮きを検出するようにしたことを特
徴とするＩＣチップ温度変化によるＩＣリード半田付け
の不良検出方法。1. A method for detecting a defect in soldering an IC lead in a plurality of ICs mounted on a printed circuit board, the method comprising: applying a predetermined current between a power supply pin and a specific pin which is not connected in parallel with another IC in the IC. Supply for a certain period of time to instantaneously raise the temperature of the IC chip,
A constant current is supplied from the pin to be measured in the IC for detecting lead floating to the power supply pin, and the forward voltage of the protection diode connected to the pin to be measured is measured. An IC wherein floating of the IC lead of the pin to be measured is detected by comparing a forward voltage of the protection diode with a forward voltage of the protection diode when the temperature of the IC chip is raised. IC lead soldering failure detection method due to chip temperature change.
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Publications (1)
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|---|---|
| JP2002043736A true JP2002043736A (en) | 2002-02-08 |
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| JP2000220790A Pending JP2002043736A (en) | 2000-07-21 | 2000-07-21 | Detection method of ic lead soldering defect using temperature change of ic chip |
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| JP2012109525A (en) * | 2010-10-18 | 2012-06-07 | Citizen Holdings Co Ltd | Inspection method of semiconductor device |
| DE102014109951A1 (en) * | 2014-07-16 | 2016-02-18 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Method for checking component connections |
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2000
- 2000-07-21 JP JP2000220790A patent/JP2002043736A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012109525A (en) * | 2010-10-18 | 2012-06-07 | Citizen Holdings Co Ltd | Inspection method of semiconductor device |
| DE102014109951A1 (en) * | 2014-07-16 | 2016-02-18 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Method for checking component connections |
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