JP2002043697A

JP2002043697A - 半導体レーザ装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2002043697A
Application number: JP2000223647A
Authority: JP
Inventors: Atsunori Mochida; 篤範持田; Shunichi Onishi; 俊一大西
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2000-07-25
Filing date: 2000-07-25
Publication date: 2002-02-08

Abstract

(57)【要約】【課題】優れた信頼性を有する半導体レーザ装置を提
供すること。【解決手段】基板３０上に配置された第１半導体レー
ザ構造１０と、第１半導体レーザ構造１０上に配置さ
れ、第１半導体レーザ構造１０の発振波長と異なる発振
波長を有する第２半導体レーザ構造２０と、第２半導体
レーザ構造２０の側面２０ａを被覆する絶縁膜５０とを
備えた半導体レーザ装置１００である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ装置
およびその製造方法に関し、特に、発振波長の異なる２
つのレーザ光を出射可能な半導体レーザ装置およびその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、多分野での需要の高まりを受け、
色々な種類の半導体レーザの研究開発が進められてい
る。光情報処理分野においては、特に発振波長７８０ｎ
ｍ帯のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザを使用したコンパク
トディスク（ＣＤ）等が広く普及している。さらに、高
密度記録が可能で、高精細の画像を長時間再生可能な大
容量のデジタルビデオディスク（ＤＶＤ）が急速に普及
してきている。このＤＶＤ再生用の半導体レーザには、
発振波長６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レー
ザが使用されている。

【０００３】現在のＤＶＤ機器では、ＤＶＤおよびＣＤ
−Ｒのいずれも再生可能な互換性を有しているものが一
般的であるため、ＤＶＤ機器の光ピックアップには、Ｄ
ＶＤ用の６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
に加えて、ＣＤ−Ｒディスクを読み出すための７８０ｎ
ｍ帯のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザを搭載している構成
のものが一般的となっている。しかし、この構成では、
２つのレーザを個別に搭載することとなるため、光ピッ
クアップのサイズが大きくなり、その結果、ＤＶＤ機器
のサイズも大きくなってしまう。これに対して、２つの
半導体レーザを同一基板上に並べて実装するハイブリッ
ド実装技術、または２つの半導体積層構造を１つの基板
上に並列に作製するモノリシック化技術が開発されてお
り、これらの技術によって、光ピックアップの部品の削
減やサイズの小型化を図ることが検討されている。例え
ば、図１３に示すような構成を有するモノリシック２波
長レーザ装置が特開平１１−１１２１０８号公報に開示
されている。

【０００４】図１３は、上記公報に開示されたレーザ装
置の構成を模式的に示している。図１３に示したレーザ
装置１０００は、ｎ型ＧａＡｓ基板１３０上に配置され
た第１半導体レーザ構造（発振波長：６５０ｎｍ）１１
０と、その上に配置された第２半導体レーザ構造（発振
波長：７８０ｎｍ）１２０とを備えている。第２半導体
レーザ構造１２０の側面１２０ａから所定の間隔をおい
て、第１半導体レーザ構造１１０の上面の一部にｐ型電
極１４０が設けられている。ｐ型電極１４０は、第１半
導体レーザ構造１１０および第２半導体レーザ構造１２
０のそれぞれの共通電極として機能する。なお、基板１
３０の底面および第２半導体レーザ構造１２０の上面に
は、それぞれ、ｎ側電極１４２および１４４が設けられ
ている。

【０００５】第１半導体レーザ構造１１０は、基板１３
０側から順に、ｎ型クラッド層１１１、活性層（３Ｗｅ
ｌｌＳＭＱＷ−ＳＣＨ活性層）１１２と、第１のｐ型
クラッド層１１３、エッチングストップ層１１４、ｎ型
電流阻止層１１５（および第２のｐ型クラッド層１１５
ａ）、ｐ型コンタクト層１１６とを有している。一方、
第２半導体レーザ構造１２０は、ｐ型コンタクト層１１
６側から順に、ｐ型クラッド層１２１、活性層１２２
と、第１のｎ型クラッド層１２３、エッチングストップ
層１２４、ｐ型電流阻止層１２５（および第２のｎ型ク
ラッド層１２５ａ）、ｎ型コンタクト層１２６とを有し
ている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体レー
ザ装置１０００の場合、第１半導体レーザ構造１１０の
上面の一部にｐ型電極１４０が設けられているため、第
２半導体レーザ構造１２０の側面１２０ａにプロセス上
の電流リークが生じるおそれがある。すなわち、ｐ型電
極１４０を作製する際に、電極材料が側面１２０ａに蒸
着して電流リークが生じるおそれがある。また、第２半
導体レーザ構造１２０の側面１２０ａが露出しているた
め、組み立て上の電流リークが生じる可能性もある。

【０００７】本発明はかかる諸点に鑑みてなされたもの
であり、その主な目的は、優れた信頼性を有する半導体
レーザ装置およびその製造方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザ装置は、基板上に配置された第１半導体レーザ構造
と、前記第１半導体レーザ構造上に配置され、前記第１
半導体レーザ構造の発振波長と異なる発振波長を有する
第２半導体レーザ構造と、前記第２半導体レーザ構造の
側面を被覆する絶縁膜とを備えている。

【０００９】本発明による他の半導体レーザ装置は、基
板上に配置された第１半導体レーザ構造と、前記第１半
導体レーザ構造上の一部に配置され、前記第１半導体レ
ーザ構造の発振波長と異なる発振波長を有する第２半導
体レーザ構造と、前記第１半導体レーザ構造上のうちの
前記第２半導体レーザ構造が配置された部分以外の領域
の一部に設けられ、第１半導体レーザ構造および第２半
導体レーザ構造のそれぞれの共通電極として機能する電
極と、前記電極が設けられた側の前記第２半導体レーザ
構造の側面と前記電極との間に設けられ、前記第２半導
体レーザ構造の前記側面を被覆する絶縁膜とを備えてい
る。

【００１０】ある実施形態では、前記第１半導体レーザ
構造は、それぞれが第１材料の結晶成長によって形成さ
れた複数の層を含み、前記第２半導体レーザ構造は、そ
れぞれが第２材料の結晶成長によって形成された複数の
層を含んでいる。

【００１１】ある実施形態では、前記基板は、第１導電
型半導体基板であり、前記第１半導体レーザ構造は、第
１導電型クラッド層と、活性層と、第２導電型クラッド
層とが下層から順に形成された多層構造部分を含んでお
り、前記第２半導体レーザ構造は、第２導電型クラッド
層と、活性層と、第１導電型クラッド層とが下層から順
に形成された多層構造部分を含んでいる。

【００１２】ある実施形態では、前記基板は、第１導電
型半導体基板であり、前記第１半導体レーザ構造は、第
１導電型クラッド層と、活性層と、第２導電型クラッド
層とが下層から順に形成された多層構造部分を含んでお
り、前記第２半導体レーザ構造は、第１導電型クラッド
層と、活性層と、第２導電型クラッド層とが下層から順
に形成された多層構造部分を含んでいる。

【００１３】前記第１半導体レーザ構造および前記第２
半導体レーザ構造のそれぞれは、II−VI族半導体レーザ
構造またはIII−Ｖ族半導体レーザ構造であればよい。

【００１４】前記III−Ｖ族半導体レーザ構造は、Ａｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザ構造、ＡｌＧａＡｓ系半導体
レーザ構造、ＧａＮ系半導体レーザ構造、およびＧａＩ
ｎＡｓＰ系半導体レーザ構造からなる群から選択された
一つであればよい。

【００１５】本発明による半導体レーザ装置の製造方法
は、半導体基板を用意する工程と、前記半導体基板上に
第１半導体レーザ構造を形成する工程と、前記第１半導
体レーザ構造上に第２半導体レーザ構造を形成する工程
と、前記第２半導体レーザ構造の一部を除去することに
よって、前記第２半導体レーザ構造に溝部を形成する工
程と、前記溝部内に露出した前記第２半導体レーザ構造
の側面上に絶縁膜を形成する工程とを包含する。

【００１６】ある実施形態では、第１半導体レーザ構造
および第２半導体レーザ構造のそれぞれの共通電極とし
て機能する電極を前記溝部の底面に形成する工程をさら
に包含する。

【００１７】ある実施形態では、前記絶縁膜を形成する
工程は、前記溝部内に絶縁材料を堆積することによっ
て、前記溝部内に露出した前記第２半導体レーザ構造の
側面を前記絶縁材料で被覆する工程と、前記第２半導体
レーザ構造の側面と接触している部分以外の前記絶縁材
料の一部を除去する工程とを包含する。

【００１８】前記第１半導体レーザ構造を形成する工程
および前記第２半導体レーザ構造を形成する工程は、６
００℃から８００℃の範囲内の成長温度で実行されるこ
とが好ましい。

【００１９】ある実施形態では、前記半導体基板を用意
する工程は、第１導電型半導体基板を用意する工程であ
り、前記第１半導体レーザ構造を形成する工程および前
記第２半導体レーザ構造を形成する工程は、前記第１導
電型半導体基板上に、第１導電型クラッド層と、活性層
と、第２導電型第１クラッド層と、第１導電型電流阻止
層とを、第１材料の結晶成長によって順次形成する工程
と；前記第１導電型電流阻止層の一部を選択的にエッチ
ングすることによって、前記第１導電型電流阻止層にス
トライプ状の第１開口部を形成する工程と；前記第１開
口部の底面上および前記第１導電型電流阻止層上に第２
導電型第２クラッド層を前記第１材料の結晶成長によっ
て形成する工程と；前記第２導電型第２クラッド層上
に、第２導電型のコンタクトバッファ層を形成する工程
と；前記第２導電型のコンタクトバッファ層上に、第２
導電型クラッド層と、活性層と、第１導電型第１クラッ
ド層と、第２導電型電流阻止層とを、第２材料の結晶成
長によって順次形成する工程と；前記第２導電型電流阻
止層の一部を選択的にエッチングすることによって、前
記第２導電型電流阻止層に、前記第１開口部と平行な方
向のストライプ状の第２開口部を形成する工程と；前記
第２開口部の底面上および前記第２導電型電流阻止層上
に第１導電型第２クラッド層を前記第２材料の結晶成長
によって形成する工程とを包含する。

【００２０】ある実施形態では、前記半導体基板を用意
する工程は、第１導電型半導体基板を用意する工程であ
り、前記第１半導体レーザ構造を形成する工程および前
記第２半導体レーザ構造を形成する工程は、前記第１導
電型半導体基板上に、第１導電型クラッド層と、活性層
と、第２導電型第１クラッド層と、第１導電型電流阻止
層とを、第１材料の結晶成長によって順次形成する工程
と；前記第１導電型電流阻止層の一部を選択的にエッチ
ングすることによって、前記第１導電型電流阻止層にス
トライプ状の第１開口部を形成する工程と；前記第１開
口部の底面上および前記第１導電型電流阻止層上に、前
記第１材料から構成された第２導電型第２クラッド層を
形成する工程と；前記第２導電型第２クラッド層上に、
前記第１材料から構成された第２導電型コンタクト層を
形成する工程と；前記第２導電型コンタクト層上にバッ
ファ層を形成する工程と；前記バッファ層上に、第２導
電型バッファ層と、第１導電型クラッド層と、活性層
と、第２導電型第１クラッド層と、第１導電型電流阻止
層とを、第２材料の結晶成長によって順次形成する工程
と；前記第１導電型電流阻止層の一部を選択的にエッチ
ングすることによって、前記第１導電型電流阻止層に、
前記第１開口部と平行な方向に沿ってストライプ状の第
２開口部を形成する工程と；前記第２開口部の底面上お
よび前記第２導電型電流阻止層上に、前記第２材料から
構成された第１導電型第２クラッド層を形成する工程と
を包含する。

【００２１】

【発明の実施の形態】図面を参照しながら、本発明によ
る実施形態を説明する。以下の図面においては、説明を
簡単にするために、実質的に同一の機能を有する構成要
素を同一の参照符号で示す。なお、本発明は、以下の実
施形態に限定されない。 (実施形態１)図１および図２を参照しながら、本発明に
よる実施形態１の説明をする。図１は、本実施形態の半
導体レーザ装置１００の構成を模式的に示している。

【００２２】レーザ装置１００は、基板３０上に配置さ
れた第１半導体レーザ構造１０と、第１半導体レーザ構
造１０上に配置された第２半導体レーザ構造２０と、第
２半導体レーザ構造２０の側面２０ａを被覆する絶縁膜
５０とを備えている。第１半導体レーザ構造１０と第２
半導体レーザ構造２０とはそれぞれ異なる発振波長を有
している。本実施形態では、基板３０上に第１半導体レ
ーザ構造１０および第２半導体レーザ構造２０が垂直な
方向に順に集積されている。

【００２３】第１半導体レーザ構造１０上のうちの第２
半導体レーザ構造２０が配置された部分以外の領域１０
ａの一部には、電極４０が設けられている。電極４０が
設けられた側の第２半導体レーザ構造２０の側面２０ａ
と電極４０との間に絶縁膜５０は位置している。すなわ
ち、電極４０は、絶縁膜５０の外側に位置している。電
極４０は、第１半導体レーザ構造１０および第２半導体
レーザ構造２０のそれぞれの共通電極として機能し、図
１に示した構成では、電極４０は、ｐ型を共通にするｐ
側Ａｕ電極である。電極４０は、ｐ型のオーミック接触
をとるためのオーミック電極（例えば、Ｃｒ／Ｐｔ）４
１を介して、第１半導体レーザ構造１０および第２半導
体レーザ構造２０に共通のｐ型コンタクト・バッファ層
１７に電気的に接続されている。

【００２４】第１半導体レーザ構造１０は、それぞれが
第１材料の結晶成長によって形成された複数の層を含ん
でおり、第２半導体レーザ構造２０は、それぞれが第２
材料の結晶成長によって形成された複数の層を含んでい
る。本実施形態では、第１半導体レーザ構造１０は、Ａ
ｌＧａＡｓ系半導体レーザ構造（発振波長：７８０ｎｍ
帯）であり、第２半導体レーザ構造２０は、ＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザ構造（発振波長：６５０ｎｍ帯）で
ある。第１半導体レーザ構造１０の下に位置する基板３
０は、例えばｎ型半導体基板である。ｎ型半導体基板３
０としては、ｎ型ＧａＡｓの（１００）面方位を有する
基板、または（１００）面から５〜１５°オフした面を
主面とする基板を使用することができる。

【００２５】ｎ型ＧａＡｓ基板３０の下面には、ｎ型の
オーミック接触をとるためのオーミック電極（ＡｕＧｅ
／Ｎｉ）４３およびｎ側Ａｕ電極４２が順に形成されて
いる。一方、第２半導体レーザ構造２０の上面には、ｎ
型のオーミック接触をとるためのオーミック電極（Ａｕ
Ｇｅ／Ｎｉ）４５およびｎ側Ａｕ電極４４が順に形成さ
れている。第１半導体レーザ構造１０は、ｎ型クラッド
層１１と、活性層１２と、ｐ型クラッド層１３とが下層
から順に形成された多層構造部分を含んでおり、一方、
第２半導体レーザ構造２０は、ｐ型クラッド層２１と、
活性層２２と、ｎ型クラッド層２４とが下層から順に形
成された多層構造部分を含んでいる。従って、電極４
０、４２、および４４をそれぞれ端子７０、７５、およ
び８０とした場合、本実施形態の半導体レーザ装置１０
０は、図２に示すような回路構造となる。

【００２６】本実施形態の構成を具体的に述べると次の
ようになる。ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ構造１０は、
ｎ型ＧａＡｓ基板３０上に形成されたｎ型ＧａＡｓバッ
ファ層１８、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１、ＡｌＧ
ａＡｓバルク活性層１２、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッ
ド層１３、ｎ型ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層１
４、開口部１５ａを有するｎ型ＡｌＧａＡｓ電流阻止層
１５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層１６、ｐ型Ｇａ
Ａｓコンタクト・バッファ層１７が下層から順に形成さ
れた構造を有している。一方、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体
レーザ構造２０は、ｐ型ＧａＡｓコンタクト・バッファ
層１７上に形成されたｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２
１、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸活性層２２、
ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層２３、ｐ型ＧａＩｎ
Ｐエッチングストップ層２４、開口部２５ａを有するｐ
型ＡｌＩｎＰ電流阻止層２５、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第２
クラッド層２６、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層２７が下層
から順に形成された構造を有している。開口部１５ａお
よび２５ａは、それぞれ電流狭窄となるストライプ状
（短冊状）の窓であり、これによって光導波路を実現す
る。

【００２７】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ構造２０の
一部には、側面２０ａを露出する溝６０がｐ−コンタク
ト・バッファ層１７の途中まで形成されており、側面２
０ａ上には絶縁膜５０が形成されている。絶縁膜５０
は、例えば、窒化シリコン（Ｓｉ_xＮ_y）、酸化シリコン
（ＳｉＯ₂）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）などから構成され
ている。本実施形態では、絶縁膜５０は、窒化シリコン
から構成されており、絶縁膜５０の厚さは３μｍ〜１０
μｍ程度である。なお、絶縁膜５０は、側面２０ａの全
面を被覆するように形成されていることが好ましいが、
側面の２０ａの一部を被覆するように形成しても、半導
体レーザ装置の信頼性を従来技術よりも向上させること
ができる。絶縁膜５０の側面には、ＡｌＧａＡｓ系半導
体レーザ構造１０およびＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
構造２０のｐ側電極となる電極（Ｃｒ／Ｐｔ）４１およ
び電極（Ａｕ）４０が設けられている。

【００２８】次に、レーザ装置１００の動作について説
明する。ｐ側電極４０とｎ側電極４４との間に電流を流
した場合、電流阻止層２５には電流が流れずに、開口部
（ストライプ状の窓）２５ａの部分に選択的に電流が流
れて、発振波長６５０ｎｍ帯を有するＡｌＧａＩｎＰ系
半導体レーザ構造２０の発振を行うことができる。一
方、ｐ側電極４０とｎ側電極４２との間に電流を流した
場合、電流阻止層１５には電流が流れずに、開口部（ス
トライプ状の窓）１５ａの部分に選択的に電流が流れ
て、発振波長７８０ｎｍ帯を有するＡｌＧａＡｓ系半導
体レーザ構造１０の発振を行うことができる。

【００２９】本実施形態では、発振波長６５０ｎｍ帯の
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ構造（第２半導体レーザ
構造）２０の側面２０ａに絶縁膜５０が形成されている
ため、プロセス上での電流リークおよび組み立て上での
電流リークを防ぐことができ、その結果、レーザ装置の
歩留まりを上げることが可能となる。

【００３０】なお、本実施形態では、第１半導体レーザ
構造１０と第２半導体レーザ構造２０との組合せとし
て、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ構造とＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザ構造との組み合わせを例にして説明した
が、この組合せに限定されず、例えば、II−VI族半導体
レーザ素子、III−Ｖ族半導体レーザ素子の群から２種
類を組み合わせて、第１半導体レーザ構造１０および第
２半導体レーザ構造２０として適用することができる。
III−Ｖ族半導体レーザ素子としては、例えば、ＡｌＧ
ａＩｎＰ系半導体レーザ素子、ＡｌＧａＡｓ系半導体レ
ーザ素子、ＧａＮ系半導体レーザ素子、およびＧａＩｎ
ＡｓＰ系半導体レーザ素子を挙げることができる。

【００３１】次に、図３から図５を参照しながら、本実
施形態の半導体レーザ装置１００の製造方法を説明す
る。本実施形態の製造方法は、まず、半導体基板３０を
用意した後、その上に、第１半導体レーザ構造１０およ
び第２半導体レーザ構造を形成する。次に、第２半導体
レーザ構造２０の一部を除去することによって、第２半
導体レーザ構造２０に溝部６０を形成し、次いで、溝部
６０内に露出した第２半導体レーザ構造２０の側面２０
ａ上に絶縁膜５０を形成する。その後、電極４０〜４５
を形成することによって、半導体レーザ装置１００を得
る。以下、さらに具体的に説明する。

【００３２】まず、ｎ型半導体基板（ｎ型ＧａＡｓ基
板）３０を用意した後、図３（ａ）に示すように、有機
金属成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて、８００℃程度の成
長温度にて、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１８、ｎ型ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層１１、ＡｌＧａＡｓバルク活性層１
２、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層１３、ｎ型ＡｌＧ
ａＡｓエッチングストップ層１４、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電
流阻止層１５を順次結晶成長させる。

【００３３】次に、図３（ｂ）に示すように、ｎ型Ａｌ
ＧａＡｓ電流阻止層１５の一部を選択的に除去すること
によって、電流狭窄となるストライプ状の窓（開口部）
１５ａを形成し、それによって導波路を実現する。スト
ライプ状の窓１５ａの形成は、次のようにすればよい。
まず、電流阻止層１５の上に有機レジストを塗布した
後、フォトリソグラフィー法によって、有機レジストを
ストライプ状にパターンニングする。次に、電流阻止層
１５の一部をウエットエッチングによって除去すると、
ストライプ状の窓１５ａが得られる。その後、有機レジ
ストを除去する。

【００３４】次に、図３（ｃ）に示すように、例えば、
有機金属成長（ＭＯＣＶＤ）法を用いて、８００℃程度
の成長温度にて、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層１
６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト・バッファ層１７を順次形
成することによって、第１半導体レーザ構造１０を作製
した後、このまま続けて、第２半導体レーザ構造（６５
０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ構造）２０の
作製を行う。

【００３５】第２半導体レーザ構造２０の作製は次のよ
うにすればよい。まず、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
２１、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸活性層２
２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層２３、ｐ型Ｇａ
ＩｎＰエッチングストップ層２４、ｐ型ＡｌＩｎＰ電流
阻止層２５を順次結晶成長させる。次に、電流阻止層２
５上に有機レジストをストライプ状にパターンニングし
た後、電流阻止層２５の一部をウエットエッチングによ
って除去し、それによって、電流狭窄となるストライプ
状の窓（開口部）２５ａを形成し、導波路を実現する。
その後、有機レジストを除去する。次に、例えば、有機
金属成長（ＭＯＣＶＤ）法によって、８００℃程度の成
長温度にて、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２６、
ｎ型ＧａＡｓコンタクト層２７を順次形成して、第２半
導体レーザ構造２０を得る。

【００３６】次に、Ｐ側電極４０を作製する。Ｐ側電極
４０は、次のようにして作製される。まず、図３（ｄ）
に示すように、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層２７の上に有
機レジストを塗布した後、パターンニングし、次いで、
例えば、ドライエッチング法によって、ｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト・バッファ層１７の途中の深さまでエッチング
する。このエッチングによって、第２半導体レーザ構造
２０の側面２０ａを露出する溝部６０が形成されること
になる。その後、有機レジストを除去する。

【００３７】次に、図４（ａ）に示すように、溝部６０
内に露出した側面２０ａ上に、絶縁膜（側面保護膜）５
０を形成する。絶縁膜５０の形成は、図５（ａ）〜
（ｅ）に示すようにして行えばよい。

【００３８】まず、第２半導体レーザ構造２０の一部に
溝部６０が形成された図５（ａ）に示す構成（図３
（ｄ）参照）における第２半導体レーザ構造２０の上面
（ｎ型ＧａＡｓコンタクト層２７）および溝部６０の底
面（ｐ型ＧａＡｓコンタクト・バッファ層１７）の上
に、図５（ｂ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法
を用いてＳｉＯ₂やＳｉＮなどの絶縁材料５２を堆積す
る。ＳｉＮの場合の成膜条件を示すと、ガス流量につい
ては、ＳｉＨ₄が２０ｓｃｃｍ、ＮＨ₃が１００ｓｃｃ
ｍ、Ｎ₂が２００ｓｃｃｍであり、反応圧は０．６５Ｔ
ｏｒｒ（約８７Ｐａ）であり、基板加熱温度は２５０℃
である。絶縁材料５２の堆積は、側面２０ａの全面を覆
うように行われ、例えば、溝部６０の凹部が絶縁材料５
２によって埋まるまで行われる。

【００３９】次に、図５（ｃ）に示すように、絶縁膜５
０の上面を規定するレジストパターン５４を、有機レジ
ストの塗布およびパターンニングによって作製する。次
いで、図５（ｄ）に示すように、例えば、ウエットエッ
チング法によって、ＳｉＯ₂膜またはＳｉＮ膜などの絶
縁膜５０を形成し、その後、図５（ｅ）に示すように、
絶縁膜５７上の有機レジストを除去する。また、例え
ば、ＣＦ₄ガスを用いたドライエッチング法などによっ
て絶縁膜５０を形成することもできる。このようにし
て、図４（ａ）に示した構成が得られる。

【００４０】次に、図４（ｂ）に示すように、ｐ型のオ
ーミックをとるための電極（Ｃｒ／Ｐｔ）４１およびｐ
側Ａｕ電極４０を溝部６０の底面に形成する。電極４１
および４０の形成は、次にようにして行われる。まず、
図４（ａ）の構成におけるｎ型ＧａＡｓコンタクト層２
７の上面および絶縁膜５０の上面を覆うレジストパター
ンを、有機レジストの塗布およびパターニングによって
形成した後、例えば、真空蒸着法を用いて、クロム（Ｃ
ｒ）膜、白金（Ｐｔ）膜、金（Ａｕ）膜を順次蒸着して
上面全体に形成する。その後、このレジストパターン上
に位置するＣｒ膜、Ｐｔ膜、Ａｕ膜を、例えば、アセト
ン超音波洗浄によってリフトオフすると、ｐ型のオーミ
ックをとるためのＣｒ／Ｐｔ電極４１および、Ａｕ電極
パターン４０が得られる。

【００４１】次に、絶縁膜５０の上面と電極４０の上面
に、有機レジストをパターンニングすることによってレ
ジストパターンを作製した後、例えば、真空蒸着法によ
って、ＡｕＧｅ／Ｎｉ膜、およびＡｕ膜を上面全体に蒸
着して形成する。このレジストパターンの上に形成され
たＡｕＧｅ／Ｎｉ膜、Ａｕ膜を例えば、アセトン超音波
洗浄によりリフトオフして、図４（ｃ）に示すように、
ｎ型のオーミックをとるための電極（ＡｕＧｅ／Ｎｉ）
４５およびｎ側Ａｕ電極パターン４４を形成する。続
いて、上記工程と同様にして、ｎ型ＧａＡｓ基板３０の
裏面の全面に、例えば真空蒸着法を用いて、ｎ型のオー
ミックをとるための電極（ＡｕＧｅ／Ｎｉ）４３および
ｎ側Ａｕ電極パターン４２を形成する。以上の工程を行
うことによって、図１に示した半導体レーザ装置１００
を作製することができる。

【００４２】本実施形態の製造方法によれば、第２半導
体レーザ構造２０の側面２０ａを絶縁膜５０によって被
覆した状態で、共通電極４０を作製することができる。
このため、共通電極４０の作製の際に、共通電極４０の
金属材料が側面２０ａに蒸着することを防止することが
できるため、歩留まりを向上させることができる。（実施形態２）図６および図７を参照しながら、本発明
による実施形態２を説明する。本実施形態にかかる半導
体レーザ装置では、第２半導体レーザ構造２０において
ｎ型クラッド層と活性層とｐ型クラッド層とが下層から
順に形成されており、この点が、ｐ型クラッド層と活性
層とｎ型クラッド層とが下層から順に形成されている上
記実施形態１の半導体レーザ装置１００と異なる。な
お、本実施形態および後述する実施形態の説明を簡単に
するために、実施形態１と異なる点を主に説明し、実施
形態１と同様の点の説明は省略または簡略化する。

【００４３】図６は、本実施形態における半導体レーザ
装置２００の断面を模式的に示している。半導体レーザ
装置２００は、上記実施形態１と同様に、ｎ型半導体基
板３０上に第１半導体レーザ構造１０と第２半導体レー
ザ構造２０とが垂直な方向に集積された構成を有してい
る。また、第２半導体レーザ構造２０の側面２０ａに
は、絶縁膜５０が形成されており、溝部６０の底面に位
置する電極は、ｎ・ｐ型を共通にする電極構造（４
０’、４１ａ、４１ｂ）を有している。電極４０’、４
２、および３９をそれぞれ端子７０、７５、および８０
とした場合、本実施形態の半導体レーザ装置２００は、
図７に示すような回路構造となる。

【００４４】本実施形態の構成を具体的に述べると次の
ようになる。半導体レーザ装置２００は、ｎ型ＧａＡｓ
基板３０上に７８０ｎｍ帯の発振波長を有するＡｌＧａ
Ａｓ系半導体レーザ構造１０と、６５０ｎｍ帯の発振波
長を有するＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ構造２０を有
している。ｎ型ＧａＡｓ基板３０には、ｎ型のオーミッ
クをとるための電極（ＡｕＧｅ／Ｎｉ）４３、ｎ側Ａｕ
電極４２が形成されている。

【００４５】ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ構造１０は、
ｎ型ＧａＡｓ基板３０上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１
８、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１１、ＡｌＧａＡｓバ
ルク活性層１２、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層１
３、ｎ型ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層１４、ｎ型
ＡｌＧａＡｓ電流阻止層１５、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２ク
ラッド層１６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７、ＧａＡ
ｓバッファ層３１を有している。一方、ＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザ構造２０は、ＧａＡｓバッファ層３１上
に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層３２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層３３、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸
活性層３４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３５、
ｎ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層２４’、ｎ型Ａｌ
ＩｎＰ電流阻止層２５’、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラ
ッド層３６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層３７を有し、そ
の上には、ｐ型のオーミックをとるための電極（Ｃｒ／
Ｐｔ）３８およびｐ側Ａｕ電極３９が形成されている。
また、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ構造１０およびＡｌ
ＧａＩｎＰ系半導体レーザ構造２０には、それぞれ、電
流狭窄となるストライプ状の窓１５ａおよび２５ａが形
成されており、これによって光導波路が実現される。

【００４６】また、半導体レーザ構造２０の一部には、
ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７の上面およびｎ型ＧａＡ
ｓバッファ層３２の途中まで、溝部６２が形成されてお
り、溝部６２内に露出した側面２０ａ上には、絶縁膜５
０が形成されている。さらに、半導体レーザ構造１０に
おけるｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７上には、ｐ型のオ
ーミックをとるための電極（Ｃｒ／Ｐｔ）４１ａが形成
されており、その上には、ｎ・ｐ共通Ａｕ電極４０’が
形成されている。また、半導体レーザ構造２０のｎ型Ｇ
ａＡｓバッファ層３２上には、ｎ型のオーミックをとる
ための電極（ＡｕＧｅ／Ｎｉ）４１ｂが形成されてお
り、その上には、ｎ・ｐ共通Ａｕ電極４０’が形成され
ている。

【００４７】次に、本実施形態の半導体レーザ装置２０
０の動作について説明する。ｎ・ｐ共通Ａｕ電極４０’
とｐ側Ａｕ電極３９との間に電流を流すと、ｎ型ＡｌＩ
ｎＰ電流阻止層２５’には電流が流れずに、ストライプ
状の窓２５ａの部分にのみ電流が流れて、発振波長６５
０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ構造２０の発
振を行うことができる。一方、ｎ・ｐ共通Ａｕ電極４
０’とｎ側Ａｕ電極４２との間に電流を流すと、ｎ型Ａ
ｌＧａＡｓ電流阻止層１５には電流が流れずに、ストラ
イプ状の窓１５ａの部分にのみ電流が流れて、発振波長
７８０ｎｍ帯のＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ構造１０の
発振を行うことができる。

【００４８】本実施形態でも、上記実施形態１と同様
に、発振波長６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レ
ーザ構造（第２半導体レーザ構造）２０の側面２０ａに
絶縁膜５０が形成されているため、プロセス上での電流
リークおよび組み立て上での電流リークを防ぐことがで
き、その結果、レーザ装置の歩留まりを上げることが可
能となる。なお、上記実施形態１と同様に、第１半導体
レーザ構造１０と第２半導体レーザ構造２０との組合せ
は、ＡｌＧａＡｓ系半導体レーザ構造とＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザ構造との組み合わせに限定されない。

【００４９】次に、図８から図１１を参照しながら、本
実施形態の半導体レーザ装置２００の製造方法を説明す
る。

【００５０】まず、図８（ａ）に示すように、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板６０上に、例えば、有機金属成長（ＭＯＣＶ
Ｄ）法によって、８００℃程度の成長温度にて、ｎ型Ｇ
ａＡｓバッファ層１８、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１
１、ＡｌＧａＡｓバルク活性層１２、ｐ型ＡｌＧａＡｓ
第１クラッド層１３、ｎ型ＡｌＧａＡｓエッチングスト
ップ層１４、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流阻止層１５を順次結
晶成長させる。

【００５１】次に、図８（ｂ）に示すように、フォトリ
ソグラフィー法を用いて、有機レジストパターンを形成
した後、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流阻止層１５の一部をウエ
ットエッチングにより除去して、電流狭窄となるストラ
イプ状の窓１５ａを形成する。その後、有機レジストパ
ターンを除去する。

【００５２】次に、図８（ｃ）に示すように、例えば、
有機金属成長（ＭＯＣＶＤ）法によって、８００℃程度
の成長温度にて、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層１
６、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７を形成して第１半導
体レーザ構造１０を完成させた後、このまま続けて、第
２半導体レーザ構造２０（６５０ｎｍ帯のＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザ）を作製する。第２半導体レーザ構造
２０の作製は次のようにすればよい。まず、第１半導体
レーザ構造１０と第２半導体レーザ構造２０とをを接続
するＧａＡｓバッファ層３１を形成した後、その上に、
ｎ型ＧａＡｓバッファ層３２、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層３３、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸活性
層３４、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３５、ｎ型
ＧａＩｎＰエッチングストップ層２４’、ｎ型ＡｌＩｎ
Ｐ電流阻止層２５’を順次結晶成長させる。次に、上記
工程と同様にして、ｎ型ＡｌＩｎＰ電流阻止層２５’の
一部を除去して、電流狭窄となるストライプ状の窓２５
ａを形成する。その後、例えば、有機金属成長（ＭＯＣ
ＶＤ）法によって、８００℃程度の成長温度にて、ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層３６、ｐ型ＧａＡｓコン
タクト層３７を順次形成する。このようにして第２半導
体レーザ構造２０を完成させる。

【００５３】次に、ｎ・ｐ共通電極４０’を作製する。
ｎ・ｐ共通電極４０’は次のようにして作製される。ま
ず、図８（ｄ）に示すように、有機レジストをパターン
ニングした後、例えば、ドライエッチング法によって、
ｎ型ＧａＡｓバッファ層３２の途中の深さまで第２半導
体レーザ構造２０の一部をエッチングして、溝部６２を
形成する。さらに、同様の方法により、図９（ａ）に示
すように、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層６８上までエッチ
ングして、溝部６４を形成する。

【００５４】次に、図９（ｂ）に示すように有機レジス
トをパターンニングして、溝部６４内に位置するｎ型Ｇ
ａＡｓバッファ層３２の上面にレジストパターン６５を
形成する。次いで、例えば、真空蒸着法によって、上面
全面にクロム（Ｃｒ）膜、白金（Ｐｔ）膜を蒸着して形
成する。レジストパターン６５の上に形成されたＣｒ
膜、Ｐｔ膜を、例えばアセトン超音波洗浄によってリフ
トオフすると、図１０（ａ）に示すように、ｐ型のオー
ミックをとるための電極（Ｃｒ／Ｐｔ）４１ａ、３８を
形成する。

【００５５】次に、電極（Ｃｒ／Ｐｔ）４１ａおよび３
８上に有機レジストをパターンニングした後、例えば、
真空蒸着法によって、上面全面にＡｕＧｅ／Ｎｉ膜を蒸
着して形成する。次いで、レジストパターンの上に形成
されたＡｕＧｅ／Ｎｉ膜を例えば、アセトン超音波洗浄
によってリフトオフすると、図１０（ｂ）に示すよう
に、溝部６２内のｎ型ＧａＡｓバッファ層３２の上面
に、ｎ型のオーミックをとるための電極（ＡｕＧｅ／Ｎ
ｉ）４１ｂが形成される。

【００５６】次に、図１０（ｃ）に示すように、例え
ば、真空蒸着法によって、上面全面にＡｕ膜を蒸着し
て、Ａｕ膜６６および３９を形成する。次に、例えばＣ
ＶＤ法によって、上面全面に例えば、ＳｉＯ₂膜または
ＳｉＮ膜などの材料となる絶縁材料を堆積した後、有機
レジストをパターンニングし、次いで、例えばドライエ
ッチング法によって、図１１（ａ）に示すように、Ｓｉ
Ｏ₂膜またはＳｉＮ膜などの絶縁膜５０を形成する。

【００５７】次に、図１１（ｂ）に示すように、Ａｕ膜
３８の上面および絶縁膜５０の上面にレジストパターン
６７を形成する。その後、例えば、真空蒸着法によっ
て、上面全面にＡｕ膜を蒸着して形成し、次いで、例え
ば、アセトン超音波洗浄によってリフトオフすると、図
７（ｌ）に示すように、ｎ・ｐ共通Ａｕ電極４０’が得
られる。

【００５８】最後に、ｎ型ＧａＡｓ基板３０の裏面に、
例えば、真空蒸着法によって裏面全面にｎ型のオーミッ
クをとるための電極（ＡｕＧｅ／Ｎｉ）４３、およびｎ
側Ａｕ電極４２を形成する。以上の工程を行うことによ
って、本実施形態の半導体レーザ装置２００を作製する
ことができる。

【００５９】本実施形態の製造方法も、上記実施形態１
と同様に、第２半導体レーザ構造２０の側面２０ａを絶
縁膜５０によって被覆した状態で、電極４０を作製する
ことができるので、歩留まりを向上させることができ
る。（実施形態３）図１２を参照しながら、本発明による実
施形態３を説明する。第２半導体レーザ構造２０の側面
２０ａに絶縁層５０が形成された半導体レーザ装置は、
上記実施形態１および実施形態２の構成に限らず、メサ
型の半導体レーザ装置にも適用可能である。メサ型構造
の場合、第２半導体レーザ構造２０の側面２０ａが傾斜
しているため、上記実施形態１および２の構成よりも、
絶縁膜５０の形成が容易になるという利点がある。

【００６０】図１２（ｃ）に、本実施形態の半導体レー
ザ装置３００の構成を模式的に示す。半導体レーザ装置
３００は、第２半導体レーザ構造２０の側面２０ａが傾
斜している点以外は、上記実施形態１の半導体レーザ装
置１００と実質的に同じである。

【００６１】半導体レーザ装置３００は、次のようにし
て作製することができる。まず、上記実施形態１の工程
（図３（ａ）〜（ｃ）参照）にしたがって、第１半導体
レーザ構造１０と第２半導体レーザ構造２０を作製した
後、図１２（ａ）に示すように、側面２０ａが傾斜した
溝部６８を第２半導体レーザ構造２０の一部に形成す
る。次に、図１２（ｂ）に示すように、第２半導体レー
ザ構造２０の側面２０ａ上に絶縁膜５０を形成する。絶
縁膜５０の形成は、図５に示した工程と同様にして行え
ばよい。その後、図１２（ｃ）に示すように、電極４０
〜４５を形成すると、半導体レーザ装置３００が得られ
る。

【００６２】なお、上記実施形態では、第１導電型をｎ
型とし、第２導電型をｐ型として説明を行ったが、これ
に限定されず、第１導電型をｐ型とし、第２導電型をｎ
型として構成することも可能である。

【００６３】

【発明の効果】本発明によると、第２半導体レーザ構造
の側面を被覆する絶縁膜が形成されているので、プロセ
ス上の電流リークおよび組み立て上の電流リークを効果
的に防止することができ、その結果、信頼性に優れた半
導体レーザ装置を提供することができる。また、歩留ま
りを向上させることも可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態１にかかる半導体レーザ装置１００の
断面図である。

【図２】半導体レーザ装置１００の回路構成図である。

【図３】半導体レーザ装置１００の製造方法を説明する
ための工程断面図である。

【図４】半導体レーザ装置１００の製造方法を説明する
ための工程断面図である。

【図５】絶縁膜５０の形成方法を説明するための工程断
面図である。

【図６】実施形態２にかかる半導体レーザ装置２００の
断面図である。

【図７】半導体レーザ装置２００の回路構成図である。

【図８】半導体レーザ装置２００の製造方法を説明する
ための工程断面図である。

【図９】半導体レーザ装置２００の製造方法を説明する
ための工程断面図である。

【図１０】半導体レーザ装置２００の製造方法を説明す
るための工程断面図である。

【図１１】半導体レーザ装置２００の製造方法を説明す
るための工程断面図である。

【図１２】実施形態３にかかる半導体レーザ装置３００
の製造方法を説明するための工程断面図である。

【図１３】従来の半導体レーザ装置１０００の断面図で
ある。

【符号の説明】

１０第１半導体レーザ構造１１ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１２ＡｌＧａＡｓバルク活性層１３ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１クラッド層１４ｎ型ＡｌＧａＡｓエッチングストップ層１５ｎ型ＡｌＧａＡｓ電流阻止層１５ａ、２５ａストライプ状の窓（開口部）１６ｐ型ＡｌＧａＡｓ第２クラッド層１７ｐ型ＧａＡｓコンタクト・バッファ層１８ｎ型ＧａＡｓバッファ層２０第２半導体レーザ構造２１ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２２ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸活性層２３ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層２４ｐ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層２４’ｎ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層２５ｐ型ＡｌＩｎＰ電流阻止層２５’ｎ型ＡｌＩｎＰ電流阻止層２６ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層２７ｎ型ＧａＡｓコンタクト層３０ｎ型ＧａＡｓ基板（基板）３１ＧａＡｓバッファ層３２ｎ型ＧａＡｓバッファ層３３ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３４ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ量子井戸活性層３５ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３６ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第２クラッド層３７ｐ型ＧａＡｓコンタクト層４３、４５ｎ型のオーミックをとるための電極（Ａｕ
Ｇｅ／Ｎｉ）４０ｐ側Ａｕ電極４０’ｎ・ｐ共通Ａｕ電極４１ｐ型のオーミックをとるための電極（Ｃｒ／Ｐ
ｔ）４１ａｐ型のオーミックをとるための電極（Ｃｒ／Ｐ
ｔ）４１ｂｎ型のオーミックをとるための電極（ＡｕＧｅ
／Ｎｉ）４２、４４ｎ側Ａｕ電極５０絶縁膜（ＳｉＯ₂膜、ＳｉＮ膜）７０、７５、８０端子６０、６２、６８溝部１００半導体レーザ装置１１０第１半導体レーザ構造１１１ｎ型クラッド層１１２３ＷｅｌｌＳＭＱＷ−ＳＣＨ活性層１１３第１ｐ型クラッド層１１４エッチングストップ層１１５ｎ型電流ブロック層１１５ａ第２ｐ型クラッド層１１６ｐ型コンタクト層１２０第２半導体レーザ構造１２１ｐ型クラッド層１２２活性層１２３第１ｎ型クラッド層１２４エッチングストップ層１２５ｐ型電流阻止層１２５ａ第２ｎ型クラッド層１２６ｎ型コンタクト層１４０ｐ側電極１４２ｎ側電極１４４ｎ側電極２００半導体レーザ装置３００半導体レーザ装置１０００半導体レーザ装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に配置された第１半導体レーザ構
造と、前記第１半導体レーザ構造上に配置され、前記第１半導
体レーザ構造の発振波長と異なる発振波長を有する第２
半導体レーザ構造と、前記第２半導体レーザ構造の側面を被覆する絶縁膜とを
備えた、半導体レーザ装置。
【請求項２】基板上に配置された第１半導体レーザ構
造と、前記第１半導体レーザ構造上の一部に配置され、前記第
１半導体レーザ構造の発振波長と異なる発振波長を有す
る第２半導体レーザ構造と、前記第１半導体レーザ構造上のうちの前記第２半導体レ
ーザ構造が配置された部分以外の領域の一部に設けら
れ、第１半導体レーザ構造および第２半導体レーザ構造
のそれぞれの共通電極として機能する電極と、前記電極が設けられた側の前記第２半導体レーザ構造の
側面と前記電極との間に設けられ、前記第２半導体レー
ザ構造の前記側面を被覆する絶縁膜とを備えた、半導体
レーザ装置。
【請求項３】前記第１半導体レーザ構造は、それぞれ
が第１材料の結晶成長によって形成された複数の層を含
み、前記第２半導体レーザ構造は、それぞれが第２材料の結
晶成長によって形成された複数の層を含む、請求項１ま
たは２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】前記基板は、第１導電型半導体基板であ
り、前記第１半導体レーザ構造は、第１導電型クラッド層
と、活性層と、第２導電型クラッド層とが下層から順に
形成された多層構造部分を含んでおり、前記第２半導体レーザ構造は、第２導電型クラッド層
と、活性層と、第１導電型クラッド層とが下層から順に
形成された多層構造部分を含んでいる、請求項３に記載
の半導体レーザ装置。
【請求項５】前記基板は、第１導電型半導体基板であ
り、前記第１半導体レーザ構造は、第１導電型クラッド層
と、活性層と、第２導電型クラッド層とが下層から順に
形成された多層構造部分を含んでおり、前記第２半導体レーザ構造は、第１導電型クラッド層
と、活性層と、第２導電型クラッド層とが下層から順に
形成された多層構造部分を含んでいる、請求項３に記載
の半導体レーザ装置。
【請求項６】前記第１半導体レーザ構造および前記第
２半導体レーザ構造のそれぞれは、II−VI族半導体レー
ザ構造またはIII−Ｖ族半導体レーザ構造である、請求
項１から４の何れかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】前記III−Ｖ族半導体レーザ構造は、Ａ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ構造、ＡｌＧａＡｓ系半導
体レーザ構造、ＧａＮ系半導体レーザ構造、およびＧａ
ＩｎＡｓＰ系半導体レーザ構造からなる群から選択され
た一つである、請求項６記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】半導体基板を用意する工程と、前記半導体基板上に第１半導体レーザ構造を形成する工
程と、前記第１半導体レーザ構造上に第２半導体レーザ構造を
形成する工程と、前記第２半導体レーザ構造の一部を除去することによっ
て、前記第２半導体レーザ構造に溝部を形成する工程
と、前記溝部内に露出した前記第２半導体レーザ構造の側面
上に絶縁膜を形成する工程とを包含する、半導体レーザ
装置の製造方法。
【請求項９】第１半導体レーザ構造および第２半導体
レーザ構造のそれぞれの共通電極として機能する電極を
前記溝部の底面に形成する工程をさらに包含する、請求
項８に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１０】前記絶縁膜を形成する工程は、前記溝部内に絶縁材料を堆積することによって、前記溝
部内に露出した前記第２半導体レーザ構造の側面を前記
絶縁材料で被覆する工程と、前記第２半導体レーザ構造の側面と接触している部分以
外の前記絶縁材料の一部を除去する工程とを包含する、
請求項８または９に記載の半導体レーザ装置の製造方
法。
【請求項１１】前記第１半導体レーザ構造を形成する
工程および前記第２半導体レーザ構造を形成する工程
は、６００℃から８００℃の範囲内の成長温度で実行さ
れる、請求項８から１０の何れか一つに記載の半導体レ
ーザ装置の製造方法。
【請求項１２】前記半導体基板を用意する工程は、第
１導電型半導体基板を用意する工程であり、前記第１半導体レーザ構造を形成する工程および前記第
２半導体レーザ構造を形成する工程は、前記第１導電型半導体基板上に、第１導電型クラッド層
と、活性層と、第２導電型第１クラッド層と、第１導電
型電流阻止層とを、第１材料の結晶成長によって順次形
成する工程と、前記第１導電型電流阻止層の一部を選択的にエッチング
することによって、前記第１導電型電流阻止層にストラ
イプ状の第１開口部を形成する工程と前記第１開口部の
底面上および前記第１導電型電流阻止層上に第２導電型
第２クラッド層を前記第１材料の結晶成長によって形成
する工程と、前記第２導電型第２クラッド層上に、第２導電型のコン
タクトバッファ層を形成する工程と、前記第２導電型のコンタクトバッファ層上に、第２導電
型クラッド層と、活性層と、第１導電型第１クラッド層
と、第２導電型電流阻止層とを、第２材料の結晶成長に
よって順次形成する工程と、前記第２導電型電流阻止層の一部を選択的にエッチング
することによって、前記第２導電型電流阻止層に、前記
第１開口部と平行な方向のストライプ状の第２開口部を
形成する工程と、前記第２開口部の底面上および前記第２導電型電流阻止
層上に第１導電型第２クラッド層を前記第２材料の結晶
成長によって形成する工程とを包含する、請求項８から
１１の何れか一つに記載の半導体レーザ装置の製造方
法。
【請求項１３】前記半導体基板を用意する工程は、第
１導電型半導体基板を用意する工程であり、前記第１半導体レーザ構造を形成する工程および前記第
２半導体レーザ構造を形成する工程は、前記第１導電型半導体基板上に、第１導電型クラッド層
と、活性層と、第２導電型第１クラッド層と、第１導電
型電流阻止層とを、第１材料の結晶成長によって順次形
成する工程と、前記第１導電型電流阻止層の一部を選択的にエッチング
することによって、前記第１導電型電流阻止層にストラ
イプ状の第１開口部を形成する工程と前記第１開口部の
底面上および前記第１導電型電流阻止層上に、前記第１
材料から構成された第２導電型第２クラッド層を形成す
る工程と、前記第２導電型第２クラッド層上に、前記第１材料から
構成された第２導電型コンタクト層を形成する工程と、前記第２導電型コンタクト層上にバッファ層を形成する
工程と、前記バッファ層上に、第２導電型バッファ層と、第１導
電型クラッド層と、活性層と、第２導電型第１クラッド
層と、第１導電型電流阻止層とを、第２材料の結晶成長
によって順次形成する工程と、前記第１導電型電流阻止層の一部を選択的にエッチング
することによって、前記第１導電型電流阻止層に、前記
第１開口部と平行な方向に沿ってストライプ状の第２開
口部を形成する工程と、前記第２開口部の底面上および前記第２導電型電流阻止
層上に、前記第２材料から構成された第１導電型第２ク
ラッド層を形成する工程とを包含する、請求項８から１
１の何れか一つに記載の半導体レーザ装置の製造方法。