JP2002040484A - Active matrix type liquid crystal display device - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display device

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JP2002040484A
JP2002040484A JP2000231353A JP2000231353A JP2002040484A JP 2002040484 A JP2002040484 A JP 2002040484A JP 2000231353 A JP2000231353 A JP 2000231353A JP 2000231353 A JP2000231353 A JP 2000231353A JP 2002040484 A JP2002040484 A JP 2002040484A
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JP
Japan
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electrode
liquid crystal
display device
crystal display
film
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Application number
JP2000231353A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Umeda
啓之 梅田
Yasushi Tomioka
冨岡  安
Katsumi Kondo
克己 近藤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To decrease irregular luminance caused when an active matrix liquid crystal display device is used for a long time. SOLUTION: A signal electrode or common electrode of a liquid crystal display device is partly formed from a conductive oxide film. By forming a part of the signal electrode or common electrode from a conductive oxide film, the proportion of a metal film in the signal electrode or common electrode in the positive potential than a scanning electrode is decreased, and contact between the metal film and a liquid crystal caused when defects are produced in a protective film or insulating film can be decreased. As a result, production of impurity ions by the electrochemical reaction caused by the contact of the metal electrode and the liquid crystal is suppressed, and the obtained liquid crystal display device has high picture quality and a wide viewing angle and does not cause irregular luminance even when it is used for a long time.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に薄膜トランジスタ(TFT)を使用して液晶を
駆動するアクティブマトリクス型液晶表示装置に関す
る。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to an active matrix type liquid crystal display device that drives liquid crystal using thin film transistors (TFTs).

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のアクティブマトリクス型液晶表示
装置においては、一対の基板間でホモジニアス配向させ
た液晶層に電圧を印加して液晶の配向方向を基板面内方
向で変化させて表示を行うIPS(インプレーンスイッ
チイング)モードが液晶表示装置の視野角を飛躍的に拡
大する方法として、例えば特公昭63−21907号公
報,USP4345249号,WO91/10936
号,特開平6−222397号公報及び、特開平6−1
60878号公報等により提案され、実用化されてい
る。この場合、液晶に電圧を印加する電極には通常くし
歯状にパターニングされた金属電極が用いられる。さら
に、液晶を駆動する電圧を印加する画素電極と対向電極
にITOなどの透明電極をもちいて透過率を向上させる
方法が、例えば特開平9−73101号公報により提案
されている。
2. Description of the Related Art In a conventional active matrix type liquid crystal display device, an IPS in which a voltage is applied to a liquid crystal layer which is homogeneously aligned between a pair of substrates to perform display by changing the alignment direction of the liquid crystal in the in-plane direction of the substrates. As a method in which the (in-plane switching) mode dramatically expands the viewing angle of the liquid crystal display device, for example, Japanese Patent Publication No. 63-21907, US Pat. No. 4,345,249, WO91 / 10936.
JP-A-6-222397 and JP-A-6-221497
No. 60878 and the like have been proposed and put to practical use. In this case, a comb-shaped metal electrode is usually used as an electrode for applying a voltage to the liquid crystal. Further, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-73101 proposes a method of improving transmittance by using a transparent electrode such as ITO as a pixel electrode for applying a voltage for driving a liquid crystal and a counter electrode.

【0003】これらのアクティブマトリクス型液晶表示
装置では、通常基板上の金属電極が液晶と直接接触する
ことを防ぐために、電極上に無機物の絶縁膜や保護膜が
窒化珪素等で形成されている。これらの絶縁膜にはその
製造工程において、例えば窒化珪素の成膜不良やエッチ
ング不良によりピンホールのような欠陥が生じる場合が
ある。この様な欠陥が生じた液晶表示装置を長時間使用
すると、液晶と金属電極とが直接接触する欠陥部分でイ
オン性不純物が発生するため、表示面に輝度ムラが生じ
る。横電界方式における液晶と金属電極とが直接接触す
ることに起因して生じる輝度ムラの低減方法として、T
FT基板上の電極と配向膜との間に有機物層を形成する
方法や、画素電極や信号電極を酸化膜で覆う方法が特開
平11−295763号公報に提案されている。
In these active matrix type liquid crystal display devices, an inorganic insulating film or a protective film is usually formed of silicon nitride or the like on the substrate in order to prevent the metal electrode on the substrate from directly contacting the liquid crystal. In the manufacturing process of these insulating films, defects such as pinholes may occur due to, for example, defective film formation or poor etching of silicon nitride. When a liquid crystal display device having such a defect is used for a long time, ionic impurities are generated at a defective portion where the liquid crystal and the metal electrode are in direct contact, and thus uneven brightness occurs on the display surface. As a method for reducing luminance unevenness caused by direct contact between a liquid crystal and a metal electrode in a horizontal electric field method,
A method of forming an organic layer between an electrode on an FT substrate and an alignment film and a method of covering a pixel electrode and a signal electrode with an oxide film have been proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-2955763.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】前記の従来技術で開示
されているように、画素電極や信号電極を酸化膜で覆う
ことで輝度むらの低減は可能であるが、製造工程におい
て発生する保護膜の欠陥と酸化膜の欠陥とが同じ場所に
生じた場合には、金属電極と液晶とが直接接触してしま
うため、依然として輝度むらが発生するという問題があ
る。
As disclosed in the above-mentioned prior art, luminance unevenness can be reduced by covering the pixel electrode and the signal electrode with an oxide film, but the protective film generated in the manufacturing process can be reduced. In the case where the defect of the oxide film and the defect of the oxide film occur in the same place, the metal electrode and the liquid crystal come into direct contact with each other, so that there is still a problem that uneven brightness occurs.

【0005】一方、共通電極を対向電極と同様に透明導
電性酸化膜であるITOを用いて形成する画素構造が特
開平9−73101号公報に開示されており、このよう
な構造とすることにより、保護膜とITOの欠陥が同じ
場所に生じた場合でも金属電極と液晶との直接接触を無
くすことができるが、金属膜に比べてITOは比抵抗が
高いため、共通電極の抵抗が上昇するという問題が生じ
る。共通電極の抵抗が大きくなると対向電極への電圧が
円滑に伝わらなくなるため、スミアと呼ばれる表示不良
が生じ易くなる。つまり従来の横電界方式TFT−LC
Dでは、保護膜と酸化膜の欠陥が同じ場所に生じた場合
に発生する輝度むらを抑制しようとすると共通電極の抵
抗が上昇して画質が低下し易くなるという問題があっ
た。
On the other hand, Japanese Patent Laid-Open No. 9-73101 discloses a pixel structure in which a common electrode is formed using ITO which is a transparent conductive oxide film in the same manner as the counter electrode. Even if the defect of the protective film and the ITO occurs in the same place, the direct contact between the metal electrode and the liquid crystal can be eliminated. However, since the specific resistance of the ITO is higher than that of the metal film, the resistance of the common electrode increases. The problem arises. When the resistance of the common electrode is increased, the voltage to the counter electrode is not smoothly transmitted, so that a display defect called smear tends to occur. That is, the conventional lateral electric field type TFT-LC
In the case of D, there is a problem that when trying to suppress luminance unevenness that occurs when defects of the protective film and the oxide film occur at the same place, the resistance of the common electrode increases and the image quality is likely to deteriorate.

【0006】本発明の目的は、高画質で広視野角の液晶
表示装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having high image quality and a wide viewing angle.

【0007】さらに詳しくは、共通電極や信号電極の抵
抗増大の抑制と、電極上の保護膜や酸化膜に欠陥が生じ
た場合の金属電極と液晶との接触の抑制を両立すること
により、長時間の駆動によっても輝度ムラを生じない高
画質で広視野角のアクティブマトリクス型液晶表示装置
を提供することにある。
More specifically, the suppression of the increase in the resistance of the common electrode and the signal electrode and the suppression of the contact between the metal electrode and the liquid crystal when the protective film or the oxide film on the electrode has a defect are both achieved. An object of the present invention is to provide an active matrix type liquid crystal display device having a high image quality and a wide viewing angle which does not cause luminance unevenness even when driven over time.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本出願の一実施態様によ
れば、一対の基板と、この一対の基板間に挟持された液
晶層とを有し、一対の基板の一方の基板上に画素電極,
対向電極,走査電極,信号電極,共通電極,アクティブ
素子を配置し、画素電極及び対向電極は透明導電膜で形
成されており、画素電極及び対向電極に電圧を印加する
ことより液晶層の液晶を制御して表示を行う液晶表示装
置で、信号電極,共通電極のうちの少なくとも一方は金
属膜と導電性酸化膜で形成されているというものであ
る。
According to one embodiment of the present application, a liquid crystal display device has a pair of substrates and a liquid crystal layer sandwiched between the pair of substrates, and a pixel is provided on one of the pair of substrates. electrode,
A counter electrode, a scanning electrode, a signal electrode, a common electrode, and an active element are arranged. The pixel electrode and the counter electrode are formed of a transparent conductive film, and a liquid crystal in a liquid crystal layer is formed by applying a voltage to the pixel electrode and the counter electrode. In a liquid crystal display device that performs display by controlling, at least one of a signal electrode and a common electrode is formed of a metal film and a conductive oxide film.

【0009】信号電極,共通電極の少なくとも一方は、
金属膜と導電性酸化膜が交互に形成された配線構造とす
ることもできる。
At least one of the signal electrode and the common electrode is
A wiring structure in which a metal film and a conductive oxide film are alternately formed may be employed.

【0010】また、これらの電極は、基本的には金属配
線で所望の部分を導電性酸化膜とすることもできるし、
基本的には導電性酸化膜の配線で所望の部分を金属配線
とすることもできる。
[0010] In addition, these electrodes can be basically formed of a metal wiring with a desired portion formed of a conductive oxide film.
Basically, a desired portion of the conductive oxide film wiring can be formed as a metal wiring.

【0011】これらの導電性酸化膜は、透明電極であ
り、例えばITOである。
[0011] These conductive oxide films are transparent electrodes, for example, ITO.

【0012】この実施態様によると、信号電極や共通電
極の抵抗を増加させずにこれらの電極が液晶と直接接触
した場合のイオン性不純物の発生を抑制することが可能
となる。信号電極や共通電極は走査電極に対して通常1
0V以上も高い電位にある。このため、これらの電極が
液晶と接触して電気化学反応が生じると相対的に正電位
にある信号電極や共通電極などの金属膜の溶解が生じ易
い。金属膜の溶解は金属原子が電子を失ってイオン化す
る酸化反応により生じる。したがって既に酸化されてい
る導電性酸化膜で電極を形成した場合には電極の溶解は
生じ難い。導電性酸化膜は金属膜に比較して抵抗が高い
が、電極を導電性酸化膜と金属膜とで形成することによ
り、抵抗の上昇を低減することが可能である。
According to this embodiment, it is possible to suppress the generation of ionic impurities when these electrodes are in direct contact with the liquid crystal without increasing the resistance of the signal electrodes and the common electrodes. The signal electrode and common electrode are usually 1
The potential is higher than 0 V. For this reason, when these electrodes come into contact with the liquid crystal and an electrochemical reaction occurs, a metal film such as a signal electrode or a common electrode which is relatively at a positive potential is likely to be dissolved. The dissolution of the metal film is caused by an oxidation reaction in which metal atoms lose electrons and are ionized. Therefore, when the electrode is formed of a conductive oxide film which has already been oxidized, the electrode hardly dissolves. Although the conductive oxide film has a higher resistance than the metal film, an increase in resistance can be reduced by forming the electrode with the conductive oxide film and the metal film.

【0013】さらに金属膜と導電性酸化膜で形成した信
号電極や共通電極などの電極の一部を導電性酸化膜のみ
で形成することにより、信号電極や共通電極の金属部分
の面積を減らすことができる。このため、保護膜や絶縁
膜に欠陥が生じた場合でも溶解し易い金属膜と液晶とが
直接接触する確率を減らすことができる。金属膜の溶解
は輝度ムラの原因となるイオン性不純物を発生させるの
で、金属膜の溶解を抑制する前記手段によって輝度ムラ
の発生を抑制することができる。
Further, by forming a part of the electrode such as the signal electrode and the common electrode formed of the metal film and the conductive oxide film only by the conductive oxide film, the area of the metal part of the signal electrode and the common electrode can be reduced. Can be. For this reason, even when a defect occurs in the protective film or the insulating film, the probability of direct contact between the liquid crystal and the easily soluble metal film can be reduced. Since the dissolution of the metal film generates ionic impurities that cause luminance unevenness, the means for suppressing the dissolution of the metal film can suppress the occurrence of luminance unevenness.

【0014】また、信号電極や共通電極の走査電極乗越
え部分を導電性酸化膜のみで形成することにより金属膜
の溶解を低減することができる。走査電極は他の電極に
比較して10V以上も負電位にあるため、信号電極や共
通電極の走査電極との距離が近い部分の金属膜が溶解し
易い。従って、信号電極や共通電極の走査電極乗越え部
分を導電性酸化膜のみで形成することにより溶解し易い
部分の金属膜を無くすことができるのでイオン性不純物
の発生を抑制することが可能となる。
In addition, the dissolution of the metal film can be reduced by forming only the conductive oxide film over the signal electrode and the common electrode over the scanning electrode. Since the scanning electrode has a negative potential of 10 V or more as compared with the other electrodes, the metal film in a portion of the signal electrode or the common electrode which is close to the scanning electrode is easily melted. Therefore, by forming the portion of the signal electrode or the common electrode over the scanning electrode using only the conductive oxide film, it is possible to eliminate the portion of the metal film which is easily dissolved, thereby suppressing generation of ionic impurities.

【0015】上記の信号電極や共通電極等の配線電極は
金属膜と導電性酸化膜の積層構造として形成することが
できる。この様な構成とすることにより金属膜のみ又は
導電性酸化膜のみで電極を形成した場合に比べて低抵抗
化されると同時に、金属膜をパターニングするだけで容
易に電極の一部を導電性酸化膜のみで形成することがで
きる。この時、電極を構成する金属膜の幅を導電性酸化
膜の幅よりも狭くすることにより、金属膜の面積割合が
減少し絶縁膜や保護膜に欠陥が生じた場合に電極の導電
性酸化膜部分が液晶と接触する確率が増えるため、金属
膜の溶解を抑制する効果が大きくなる。この場合、金属
膜の幅を狭くしても電極が金属膜と導電性酸化膜の積層
構造なので、配線抵抗の増加を抑制することが可能であ
る。さらにこの時、共通電極と信号電極との交差部にお
ける金属膜の幅を隣り合う信号電極間を延長する部分に
おける幅よりも広くすることによって、積層された導電
性酸化膜の交差部における幅を隣り合う信号電極間を延
長する部分における幅より狭くしても共通電極全体の抵
抗上昇を抑制できる。この結果、信号電極と共通電極の
交差部の面積を増加させずに金属膜の面積を減少させる
ことができる。共通電極と信号電極の交差部の面積が大
きくなるとこれらの電極間に生じる結合容量が増加し、
クロストークによる画質の低下が生じ易くなる。したが
って、上記の手段によって金属膜の面積を減少させてイ
オン性不純物の発生を抑制する効果が高まるとともにク
ロストークによる画質の低下を抑制する効果も得られ
る。
The wiring electrodes such as the signal electrode and the common electrode can be formed as a laminated structure of a metal film and a conductive oxide film. With such a configuration, the resistance is reduced as compared with the case where the electrode is formed only of the metal film or only the conductive oxide film, and at the same time, a part of the electrode is easily made conductive only by patterning the metal film. It can be formed only with an oxide film. At this time, by making the width of the metal film constituting the electrode narrower than the width of the conductive oxide film, the area ratio of the metal film is reduced, and when a defect occurs in the insulating film or the protective film, the conductive oxide film of the electrode is not oxidized. Since the probability that the film portion comes into contact with the liquid crystal increases, the effect of suppressing the dissolution of the metal film increases. In this case, even if the width of the metal film is reduced, the electrode has a laminated structure of the metal film and the conductive oxide film, so that an increase in wiring resistance can be suppressed. Further, at this time, by making the width of the metal film at the intersection of the common electrode and the signal electrode wider than the width of the portion extending between the adjacent signal electrodes, the width at the intersection of the stacked conductive oxide films is increased. Even if the width is narrower than the width of a portion extending between adjacent signal electrodes, it is possible to suppress an increase in resistance of the entire common electrode. As a result, the area of the metal film can be reduced without increasing the area of the intersection between the signal electrode and the common electrode. When the area of the intersection between the common electrode and the signal electrode increases, the coupling capacitance generated between these electrodes increases,
Image quality is likely to deteriorate due to crosstalk. Therefore, the effect of suppressing the generation of ionic impurities by reducing the area of the metal film by the above means is increased, and also the effect of suppressing the deterioration of image quality due to crosstalk is obtained.

【0016】一方、共通電極に積層した導電膜性酸化膜
を画素内の表示領域方向に延伸して対向電極を形成する
ことにより、対向電極を共通電極の一部として機能させ
ることが可能であり、共通電極を低抵抗化する効果が得
られる。特に対向電極を画素内の表示領域とほぼ同じ形
状に形成することにより、共通電極の低抵抗化効果を一
層大きくすることができる。この場合、共通電極の信号
電極間を延長する部分を対向電極と一体化した導電性酸
化膜のみで形成することにより、金属膜の面積を一層低
減することができ、金属膜の溶解によるイオン性不純物
の発生を抑制する効果が高まる。
On the other hand, by extending the conductive oxide film laminated on the common electrode in the direction of the display area in the pixel to form the counter electrode, the counter electrode can function as a part of the common electrode. Thus, the effect of reducing the resistance of the common electrode can be obtained. In particular, by forming the counter electrode in substantially the same shape as the display area in the pixel, the effect of lowering the resistance of the common electrode can be further increased. In this case, the area extending between the signal electrodes of the common electrode is formed only of the conductive oxide film integrated with the counter electrode, so that the area of the metal film can be further reduced. The effect of suppressing generation of impurities is increased.

【0017】また、導電性酸化膜を金属膜の上層に形成
すると、導電性酸化膜が金属膜の保護膜として機能する
ため、保護膜に欠陥が生じた場合でも導電性酸化膜の欠
陥が同じ場所に発生しない限り金属膜と液晶との接触が
抑制され、金属膜の溶解によるイオン性不純物の発生を
抑制する効果が向上する。
When the conductive oxide film is formed on the metal film, the conductive oxide film functions as a protective film for the metal film. Therefore, even if a defect occurs in the protective film, the conductive oxide film has the same defect. The contact between the metal film and the liquid crystal is suppressed as long as the metal film is not generated at the location, and the effect of suppressing the generation of ionic impurities due to the dissolution of the metal film is improved.

【0018】さらに、信号電極を構成する導電性酸化膜
を画素電極と同層にすることにより、製造工程を増加さ
せずに信号電極を導電性酸化膜と金属膜で形成すること
ができる。同様に、共通電極を構成する導電性酸化膜を
対向電極と同層にすることにより、製造工程を増加させ
ずに共通電極を導電性酸化膜と金属膜で形成することが
できる。
Further, by forming the conductive oxide film constituting the signal electrode in the same layer as the pixel electrode, the signal electrode can be formed of the conductive oxide film and the metal film without increasing the number of manufacturing steps. Similarly, by forming the conductive oxide film forming the common electrode in the same layer as the counter electrode, the common electrode can be formed of the conductive oxide film and the metal film without increasing the number of manufacturing steps.

【0019】画素電極や対向電極を構成する導電性酸化
膜としてはITO(酸化インジウムスズ),IZO(酸
化インジウム亜鉛),酸化インジウム,酸化スズ,酸化
亜鉛,酸化チタンのうち少なくとも1種を含むような透
明性の高い膜を用いることができる。これらの透明導電
膜を用いた場合には画素電極や対向電極で光が遮られな
くなるので液晶パネルの透過率が上昇する。
The conductive oxide film forming the pixel electrode and the counter electrode may include at least one of ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), indium oxide, tin oxide, zinc oxide, and titanium oxide. A highly transparent film can be used. When these transparent conductive films are used, light is no longer blocked by the pixel electrode and the counter electrode, so that the transmittance of the liquid crystal panel increases.

【0020】さらに前記液晶組成物層中にシアノ基を有
する化合物を含有させることにより、駆動電圧の低減が
可能である。
Further, by including a compound having a cyano group in the liquid crystal composition layer, the driving voltage can be reduced.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例により説明
するが、これらの実施例は本発明の例示であり、本発明
の範囲を何等制限するものではない。 (実施例1)図1に本発明によるアクティブマトリック
ス型液晶表示装置におけるTFT基板上の一画素とその
周辺の平面図を示す。TFT基板は誘電体基板上に各種
電極群,短絡を防ぐための絶縁膜,薄膜トランジスタ,
薄膜トランジスタや電極群を保護する保護膜が形成され
て構成される。図1において、1は信号電極で金属膜で
形成されている。2は信号電極の一部で導電性酸化膜で
形成されている。3は信号電極の電圧をTFTに伝える
ドレイン電極、4は対向電極、5は共通電極、6は画素
電極、7は走査電極、8はi型半導体層、9は薄膜トラ
ンジスタ、10は蓄積容量、43は画素開口部である。
図1に示すように、各画素は走査電極7と、共通電極5
と、隣接する2本の信号電極1及び2との交差領域内
(4本の信号線で囲まれた領域内)に配置される。各画
素は薄膜トランジスタ9,蓄積容量10,画素電極6お
よび対向電極4を含んでいる。走査電極7,共通電極5
は図では左右方向に延在し、上下方向に複数本配置され
ている。信号電極1及び2は上下方向に延在し、左右方
向に複数本配置されている。画素電極6は薄膜トランジ
スタ9と接続され、対向電極4は共通電極5と一体にな
っている。画素電極6と対向電極4は互いに対向して櫛
歯状に構成され、それぞれ、図の上下方向に長細い電極
となっている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but these examples are exemplifications of the present invention and do not limit the scope of the present invention. (Embodiment 1) FIG. 1 is a plan view showing one pixel on a TFT substrate and its periphery in an active matrix type liquid crystal display device according to the present invention. The TFT substrate has various electrode groups on a dielectric substrate, an insulating film to prevent short-circuit, a thin film transistor,
A protective film for protecting the thin film transistor and the electrode group is formed. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a signal electrode formed of a metal film. Reference numeral 2 denotes a part of the signal electrode, which is formed of a conductive oxide film. 3 is a drain electrode for transmitting the voltage of the signal electrode to the TFT, 4 is a counter electrode, 5 is a common electrode, 6 is a pixel electrode, 7 is a scanning electrode, 8 is an i-type semiconductor layer, 9 is a thin film transistor, 10 is a storage capacitor, 43 Denotes a pixel opening.
As shown in FIG. 1, each pixel includes a scanning electrode 7 and a common electrode 5.
Are arranged in an intersecting area between two adjacent signal electrodes 1 and 2 (in an area surrounded by four signal lines). Each pixel includes a thin film transistor 9, a storage capacitor 10, a pixel electrode 6, and a counter electrode 4. Scanning electrode 7, common electrode 5
Extend in the left-right direction in the figure, and a plurality of them are arranged in the up-down direction. The signal electrodes 1 and 2 extend in the up-down direction and are arranged in a plurality in the left-right direction. The pixel electrode 6 is connected to the thin film transistor 9, and the counter electrode 4 is integrated with the common electrode 5. The pixel electrode 6 and the opposing electrode 4 are formed in a comb shape opposing each other, and each is an electrode that is elongated in the vertical direction in the figure.

【0022】図2には本発明によるアクティブマトリッ
クス型液晶表示装置における画素の断面の一部を示す。
図2に示した液晶表示装置の画素の一部を表す断面構造
は図1のA−A′切断線部分に対応している。図2にお
いて、11は第1誘電体基板、12は絶縁膜、13は保
護膜、14は配向膜、15は液晶層、16はオーバーコ
ート膜、17はカラーフィルタ、18はブラックマトリ
クス、19は第2誘電体基板、20は偏光板である。本
発明におけるアクティブマトリックス型液晶表示装置で
は、対向電極4と画素電極6との間に電圧を印加して液
晶層15内の液晶分子の配向方向を制御することによっ
て画像表示を行う。
FIG. 2 shows a part of a cross section of a pixel in an active matrix type liquid crystal display device according to the present invention.
The cross-sectional structure showing a part of the pixel of the liquid crystal display device shown in FIG. 2 corresponds to a section taken along the line AA 'in FIG. 2, reference numeral 11 denotes a first dielectric substrate, 12 denotes an insulating film, 13 denotes a protective film, 14 denotes an alignment film, 15 denotes a liquid crystal layer, 16 denotes an overcoat film, 17 denotes a color filter, 18 denotes a black matrix, and 19 denotes a black matrix. The second dielectric substrate 20 is a polarizing plate. In the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, an image is displayed by applying a voltage between the counter electrode 4 and the pixel electrode 6 to control the orientation direction of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 15.

【0023】図3は図1のB−B′切断線における薄膜
トランジスタ9の断面を示す図である。薄膜トランジス
タ9は、走査電極7と兼用のゲート電極,絶縁膜12,
i型半導体層8,画素電極6と兼用で一体に形成された
ソース電極,ドレイン電極3を有する。
FIG. 3 is a diagram showing a cross section of the thin film transistor 9 taken along the line BB 'in FIG. The thin film transistor 9 includes a gate electrode also serving as the scanning electrode 7, an insulating film 12,
It has a source electrode and a drain electrode 3 which are also formed integrally with the i-type semiconductor layer 8 and the pixel electrode 6.

【0024】図4は図1のC−C′切断線における信号
電極1及び2の断面を示す図である。信号電極はこの図
のように、走査電極との交差部分が導電性酸化膜2で形
成されている。
FIG. 4 is a diagram showing a cross section of the signal electrodes 1 and 2 taken along the line CC 'of FIG. As shown in this figure, the signal electrode has a conductive oxide film 2 at the intersection with the scanning electrode.

【0025】対向電極4,共通電極5および走査電極7
はクロム(Cr)をパターニングすることによって同時
に同層に形成されている。また、共通電極5と走査電極
7の信号電極と交差する部分は信号電極との間で短絡す
る確率を小さくするために細くし、さらに短絡した場合
でもレーザートリミングで切り離すことができるように
二股にしてある。共通電極と走査電極7の上には絶縁膜
が窒化珪素で形成されており、本実施例における膜厚は
約0.24μmである。
Counter electrode 4, common electrode 5 and scanning electrode 7
Are simultaneously formed in the same layer by patterning chromium (Cr). Also, the portion of the common electrode 5 and the scanning electrode 7 that intersects with the signal electrode is thinned to reduce the probability of short-circuiting between the signal electrode and the scanning electrode 7, and even if it is short-circuited, it is forked so that it can be separated by laser trimming. It is. On the common electrode and the scanning electrode 7, an insulating film is formed of silicon nitride, and the film thickness in this embodiment is about 0.24 μm.

【0026】i型半導体層18は、0.2μm の非晶質
シリコンで形成されている。また、走査電極7と信号電
極2との交差部及び、共通電極5と信号電極1との交差
部での短絡を低減するために、これらの交差部にもi型
半導体層18が形成されている。ソース電極,ドレイン
電極3とi型半導体層8の間にはオーミックコンタクト
用にi型半導体層8の表面にリン(P)をドープしたN
(+)型非晶質シリコン半導体層21が形成されてい
る。
The i-type semiconductor layer 18 is made of 0.2 μm amorphous silicon. In order to reduce a short circuit at the intersection between the scanning electrode 7 and the signal electrode 2 and at the intersection between the common electrode 5 and the signal electrode 1, an i-type semiconductor layer 18 is also formed at these intersections. I have. Between the source and drain electrodes 3 and the i-type semiconductor layer 8, N-type doped with phosphorus (P) on the surface of the i-type semiconductor layer 8 for ohmic contact.
A (+) type amorphous silicon semiconductor layer 21 is formed.

【0027】信号電極1と画素電極6およびドレイン電
極3はクロム(Cr)をパターニングすることによって
同時に同層に形成されている。薄膜トランジスタ9や信
号電極1および2,画素電極6上には0.3μmの保護
膜13が窒化珪素で形成されている。
The signal electrode 1, the pixel electrode 6 and the drain electrode 3 are simultaneously formed in the same layer by patterning chromium (Cr). On the thin film transistor 9, the signal electrode 1 and the pixel electrode 6, a protective film 13 of 0.3 μm is formed of silicon nitride.

【0028】走査電極を乗越える部分の信号電極は、導
電性酸化膜であるITO膜をパターニングして形成され
ており、走査電極から少し離れた場所で、Cr膜と積層
して接続されている。
The signal electrode over the scanning electrode is formed by patterning an ITO film which is a conductive oxide film, and is laminated and connected to a Cr film at a position slightly away from the scanning electrode. .

【0029】ここで、絶縁膜12や保護膜13には、そ
の製造工程において、窒化珪素の成膜不良やエッチング
不良によって、例えばピンホールのような欠陥が生じる
場合がある。このような欠陥が絶縁膜12や保護膜13
に生じると走査電極7や信号電極1などの金属電極が液
晶と接触し、電気化学反応による不純物イオンの発生を
助長して輝度ムラを生じる。
Here, in the manufacturing process of the insulating film 12 and the protective film 13, a defect such as a pinhole may be caused due to a defective film formation or etching of silicon nitride. Such defects are caused by the insulating film 12 and the protective film 13.
When this occurs, metal electrodes such as the scanning electrode 7 and the signal electrode 1 come into contact with the liquid crystal, which promotes the generation of impurity ions due to an electrochemical reaction, thereby causing uneven brightness.

【0030】本実施例では信号電極の一部が導電性酸化
膜、例えばITO膜で形成されている。このため、この
部分の絶縁膜12や保護膜13に欠陥が生じた場合でも
金属膜が液晶と接触することはない。また、ITO膜で
金属膜を覆った場合とは異なり、ITO膜に欠陥が生じ
た場合でも金属膜が液晶と接触する事はないため金属膜
の溶解は生じない。また、走査電極7は信号電極1や共
通電極5に対して10V以上も低い電位になっているた
め、この部分に欠陥が生じて金属膜の信号電極1が液晶
と接触すると電極溶解が特に顕著に生じ易い。従って本
実施例のように走査電極近傍の信号電極をITO膜のよ
うな導電性酸化膜2で形成すれば、特に大きな電極溶解
抑制効果が得られる。この結果、電気化学反応によるイ
オン性不純物の発生が抑制され輝度ムラの発生を抑制す
る効果が得られる。また、本実施例では金属膜としてC
rが用いられているが、特にCrに限定されるものでは
なく、Al,Ta,Nb,Mo,Ti,Cuなどの金属
膜を用いることも可能である。また、導電性酸化膜とし
てはITO膜が用いられているが、特にITOに限定さ
れるものではなく、IZO(酸化インジウム亜鉛)や、
酸化インジウム,酸化スズ,酸化亜鉛,酸化チタンなど
を含む導電性酸化膜を用いることも可能である。さらに
本実施例では共通電極が走査電極と平行に配置されてい
るが、共通電極が走査電極と直交するように配置するこ
とも可能であり、この場合には共通電極の走査電極と交
差する部分を導電性酸化膜で形成すれば良い。
In this embodiment, a part of the signal electrode is formed of a conductive oxide film, for example, an ITO film. Therefore, even when a defect occurs in the insulating film 12 or the protective film 13 in this portion, the metal film does not come into contact with the liquid crystal. Unlike the case where the metal film is covered with the ITO film, the metal film does not come into contact with the liquid crystal even when a defect occurs in the ITO film, so that the metal film does not dissolve. Further, since the scanning electrode 7 has a potential lower than that of the signal electrode 1 or the common electrode 5 by 10 V or more, when the signal electrode 1 of the metal film comes into contact with the liquid crystal due to a defect, the electrode dissolution is particularly remarkable. Easy to occur. Therefore, if the signal electrode near the scanning electrode is formed of the conductive oxide film 2 such as an ITO film as in this embodiment, a particularly large electrode dissolution suppressing effect can be obtained. As a result, the generation of ionic impurities due to the electrochemical reaction is suppressed, and the effect of suppressing the occurrence of uneven brightness is obtained. In this embodiment, the metal film is C
Although r is used, it is not particularly limited to Cr, and a metal film of Al, Ta, Nb, Mo, Ti, Cu, or the like can be used. Although an ITO film is used as the conductive oxide film, it is not particularly limited to ITO, and may be IZO (indium zinc oxide),
A conductive oxide film containing indium oxide, tin oxide, zinc oxide, titanium oxide, or the like can be used. Further, in the present embodiment, the common electrode is arranged in parallel with the scanning electrode. However, it is also possible to arrange the common electrode so as to be orthogonal to the scanning electrode. In this case, the common electrode intersects with the scanning electrode. May be formed with a conductive oxide film.

【0031】図5は第2誘電体基板19上にブラックマ
トリクス18,カラーフィルタ17,オーバーコート膜
16を順次形成して構成したカラーフィルタ基板であ
る。ブラックマトリクス18には、たとえば、カーボン
や有機顔料をレジスト材に混入した材料が用いられる。
カラーフィルタ17は赤,青,緑の繰り返しでストライ
プ状に構成されている。カラーフィルタ17には、たと
えばアクリル樹脂に顔料を分散した材料が用いられる。
オーバーコート膜16は、たとえば、アクリル樹脂,エ
ポキシ樹脂等の透明樹脂材料で形成される。
FIG. 5 shows a color filter substrate formed by sequentially forming a black matrix 18, a color filter 17, and an overcoat film 16 on a second dielectric substrate 19. For the black matrix 18, for example, a material in which carbon or an organic pigment is mixed in a resist material is used.
The color filter 17 is formed in a stripe shape by repeating red, blue, and green. For the color filter 17, for example, a material in which a pigment is dispersed in an acrylic resin is used.
The overcoat film 16 is formed of, for example, a transparent resin material such as an acrylic resin or an epoxy resin.

【0032】TFT基板の保護膜13上および、カラー
フィルタ基板のオーバーコート膜16上には配向膜14
として膜厚約80nmのポリイミドが形成されており、
液晶を配向させるためにその表面がラビング処理されて
いる。ラビング方向は上下基板で互いに平行であり、か
つ印加電界方向とのなす角度は75°になっている。
An alignment film 14 is formed on the protective film 13 of the TFT substrate and on the overcoat film 16 of the color filter substrate.
About 80 nm thick polyimide is formed as
The surface is rubbed to align the liquid crystal. The rubbing directions are parallel to each other on the upper and lower substrates, and the angle between the rubbing direction and the direction of the applied electric field is 75 °.

【0033】液晶層15は、TFT基板とカラーフィル
タ基板の間に構成され、両基板の配向膜14を形成した
面が液晶層15に接している。また、TFT基板とカラ
ーフィルタ基板の間には、液晶層の厚み(ギャップ)を
一定に保つためのスペーサとしてポリマビーズが分散さ
れ、両基板間の液晶層15は表示領域を取り囲むように
シール材で密封されている。シール材としては、たとえ
ば、エポキシ樹脂が用いられる。
The liquid crystal layer 15 is formed between the TFT substrate and the color filter substrate, and the surfaces of both substrates on which the alignment film 14 is formed are in contact with the liquid crystal layer 15. Further, polymer beads are dispersed between the TFT substrate and the color filter substrate as spacers for keeping the thickness (gap) of the liquid crystal layer constant, and the liquid crystal layer 15 between the two substrates is sealed with a sealing material so as to surround the display area. Sealed. As the sealing material, for example, an epoxy resin is used.

【0034】液晶材料LCとしては、誘電率異方性△ε
が正でその値が7.3 、屈折率異方性△nが0.074
(589nm,20℃)のネマチック液晶を用いた。液
晶層の厚み(ギャップ)は、上下基板間に分散したポリ
マビーズで制御し、4.0 μmとした。
As the liquid crystal material LC, dielectric anisotropy △ ε
Is positive, the value is 7.3, and the refractive index anisotropy Δn is 0.074.
(589 nm, 20 ° C.) nematic liquid crystal was used. The thickness (gap) of the liquid crystal layer was controlled by polymer beads dispersed between the upper and lower substrates, and was 4.0 μm.

【0035】偏光板20は、TFT基板上の偏光板20
の偏光透過軸をラビング方向一致させ、カラーフィルタ
基板上の偏向板20の偏光透過軸を、それに直交させて
ある。これにより、本発明の画素に印加される電圧(画
素電極6と対向電極4の間の電圧)を増加させるに伴
い、透過率が上昇するノーマリクローズ特性の液晶パネ
ルが得られる。
The polarizing plate 20 is a polarizing plate 20 on a TFT substrate.
Are aligned with the rubbing direction, and the polarization transmission axis of the deflecting plate 20 on the color filter substrate is perpendicular to the rubbing direction. Thus, a normally-closed liquid crystal panel in which the transmittance increases as the voltage applied to the pixel of the present invention (the voltage between the pixel electrode 6 and the counter electrode 4) is increased.

【0036】表示マトリクス部の等価回路とその周辺回
路の結線図を図6に示す。同図は回路図ではあるが、実
際の幾何学的配置に対応して描かれている。22は複数
の画素を2次元状に配列したマトリクス・アレイであ
る。図中、Xは信号電極1を意味し、添字G,Bおよび
Rがそれぞれ緑,青および赤画素に対応して付加されて
いる。Yは走査電極7を意味し、添字1,2,3,…,
end は走査タイミングの順序に従って付加されている。
走査電極Y(添字省略)は垂直走査回路23に接続され
ており、信号電極X(添字省略)は映像信号駆動回路2
4に接続されている。25は1つの電圧源から複数の分
圧した安定化された電圧源を得るための電源回路であ
り、ホスト(上位演算処理装置)からのCRT(陰極線
管)用の情報をTFT液晶表示装置用の情報に交換する
回路や、共通電極5を駆動する回路を含めても良い。
FIG. 6 shows a connection diagram of an equivalent circuit of the display matrix section and its peripheral circuits. Although the figure is a circuit diagram, it is drawn corresponding to an actual geometric arrangement. Reference numeral 22 denotes a matrix array in which a plurality of pixels are two-dimensionally arranged. In the figure, X means the signal electrode 1, and subscripts G, B and R are added corresponding to green, blue and red pixels, respectively. Y means the scanning electrode 7, and the suffixes 1, 2, 3,.
The end is added according to the order of the scanning timing.
The scanning electrode Y (subscript omitted) is connected to the vertical scanning circuit 23, and the signal electrode X (subscript omitted) is connected to the video signal driving circuit 2.
4 is connected. Reference numeral 25 denotes a power supply circuit for obtaining a plurality of divided and stabilized voltage sources from one voltage source. The power supply circuit 25 receives information for a CRT (cathode ray tube) from a host (upper processing unit) for a TFT liquid crystal display device. And a circuit for driving the common electrode 5 may be included.

【0037】図7は、液晶表示モジュール26の各構成
部品を示す分解斜視図である。27は金属板から成る枠
状のシールドケース(メタルフレーム)、28はその表
示窓、29は液晶表示パネル、30は映像信号駆動回路
基板、31は走査信号駆動回路基板、32は電源回路基
板、33は駆動回路基板どうしを電気的に接続するフラ
ットケーブル、34は光拡散板、35は導光体、36は
反射板、37はバックライト蛍光管、38はバックライ
トケース、39はインバータ回路であり、図に示すよう
な上下の配置関係で各部材が積み重ねられてモジュール
MDLが組み立てられている。
FIG. 7 is an exploded perspective view showing each component of the liquid crystal display module 26. 27 is a frame-shaped shield case (metal frame) made of a metal plate, 28 is its display window, 29 is a liquid crystal display panel, 30 is a video signal drive circuit board, 31 is a scan signal drive circuit board, 32 is a power supply circuit board, 33 is a flat cable for electrically connecting the drive circuit boards, 34 is a light diffusion plate, 35 is a light guide, 36 is a reflector, 37 is a backlight fluorescent tube, 38 is a backlight case, and 39 is an inverter circuit. In this case, the modules MDL are assembled by stacking the respective members in a vertical arrangement relationship as shown in the figure.

【0038】モジュール26は、シールドケース27に
設けられた爪とフックによって全体が固定されるように
なっている。バックライトケース38はバックライト蛍
光管37,光拡散板34,導光体35,反射板36を収
納する形状になっており、導光体35の側面に配置され
たバックライト蛍光管37の光を、導光体35,反射板
36,光拡散板34により表示面で一様なバックライト
にし、液晶表示パネル29側に出射する。バックライト
蛍光管37にはインバータ回路基板39が接続されてお
り、バックライト蛍光管37の電源となっている。
The module 26 is entirely fixed by claws and hooks provided on the shield case 27. The backlight case 38 is configured to house the backlight fluorescent tube 37, the light diffusion plate 34, the light guide 35, and the reflection plate 36, and the light of the backlight fluorescent tube 37 disposed on the side surface of the light guide 35. Is made uniform backlight on the display surface by the light guide 35, the reflection plate 36, and the light diffusion plate 34, and is emitted toward the liquid crystal display panel 29 side. An inverter circuit board 39 is connected to the backlight fluorescent tube 37 and serves as a power supply for the backlight fluorescent tube 37.

【0039】本実施例のアクティブマトリクス型液晶表
示装置は、上下左右160°以上においてコントラスト
比10以上を維持しつつ階調反転が生じない広視野角を
保持し、かつ連続100日間の使用によっても輝度ムラ
による表示不良は生じなかった。 (実施例2)図8に本実施例による液晶表示装置の画素
とその周辺部の平面図を示す。本実施例は、信号電極を
構成するITO膜がCr膜の上に積層して形成され、走
査電極交差部がドレイン電極3への接続部分も含めてI
TO膜のみで形成されていることを除けば実施例1と同
じ構成である。実施例1に比べて信号電極を構成する金
属膜の面積割合が減少していることに加えて、図9に示
したようにITO膜がCr膜の上層に形成されているた
め、Cr膜が形成されている部分の上層の保護膜に欠陥
が生じた場合でもCr膜と液晶との接触が抑制され、イ
オン性不純物の発生を抑制する効果が一層強まる。
The active matrix type liquid crystal display device of this embodiment maintains a wide viewing angle at which gradation inversion does not occur while maintaining a contrast ratio of 10 or more at 160 ° or more in the vertical and horizontal directions, and can be used for 100 consecutive days. No display failure due to luminance unevenness occurred. (Embodiment 2) FIG. 8 is a plan view of a pixel of a liquid crystal display device according to the present embodiment and its peripheral portion. In this embodiment, an ITO film constituting a signal electrode is formed by being laminated on a Cr film, and a scan electrode crossing portion includes a portion connected to the drain electrode 3 including a portion connected to the drain electrode 3.
The configuration is the same as that of the first embodiment except that it is formed only of the TO film. In addition to the reduction in the area ratio of the metal film constituting the signal electrode as compared with the first embodiment, the ITO film is formed on the Cr film as shown in FIG. Even when a defect occurs in the upper protective film of the formed portion, contact between the Cr film and the liquid crystal is suppressed, and the effect of suppressing generation of ionic impurities is further enhanced.

【0040】本実施例のアクティブマトリクス型液晶表
示装置は、上下左右160°以上においてコントラスト
比10以上を維持しつつ階調反転が生じない広視野角を
保持し、かつ連続100日間の使用によっても輝度ムラ
による表示不良は生じなかった。 (実施例3)図10に本実施例による液晶表示装置の画
素とその周辺部の平面図を示す。本実施例は以下を除い
て実施例1と同じ構成である。信号電極1は走査電極と
の交差部分も含めてCr膜で形成した。共通電極5はI
TO膜とCr膜の積層構造として形成した。共通電極を
構成する金属膜の幅はITO膜の幅よりも狭くした。さ
らに、信号電極間における共通電極を構成する金属膜の
幅は信号電極との交差部分における幅よりも細くした。
さらに対向電極4は共通電極5を構成するITO膜を一括
してパターニングすることにより同層に形成した。図1
1には図10のA‐A′切断線部分に対応した共通電極
5の断面図を示す。本実施例では共通電極5の金属膜の
割合が大幅に低減されており、絶縁膜や保護膜の欠陥が
生じた場合でも共通電極を構成するCr膜と液晶との接
触が著しく抑制される。本実施例ではCr膜よりも幅の
広いITO膜がCr膜に積層されているため、Cr膜の
幅を狭くしても配線抵抗の増加を抑制できる。
The active matrix type liquid crystal display device of this embodiment maintains a wide viewing angle at which gradation inversion does not occur while maintaining a contrast ratio of 10 or more at 160 ° or more in the vertical and horizontal directions, and can be used for 100 consecutive days. No display failure due to luminance unevenness occurred. (Embodiment 3) FIG. 10 is a plan view of a pixel of a liquid crystal display device according to the present embodiment and its peripheral portion. This embodiment has the same configuration as the first embodiment except for the following. The signal electrode 1 was formed of a Cr film including the intersection with the scanning electrode. The common electrode 5 is I
It was formed as a laminated structure of a TO film and a Cr film. The width of the metal film forming the common electrode was smaller than the width of the ITO film. Further, the width of the metal film forming the common electrode between the signal electrodes was made smaller than the width at the intersection with the signal electrode.
Further, the counter electrode 4 was formed in the same layer by patterning the ITO film constituting the common electrode 5 at a time. Figure 1
FIG. 1 shows a cross-sectional view of the common electrode 5 corresponding to the section line AA 'in FIG. In this embodiment, the ratio of the metal film of the common electrode 5 is greatly reduced, and even when a defect occurs in the insulating film or the protective film, the contact between the liquid crystal and the Cr film constituting the common electrode is significantly suppressed. In this embodiment, since the ITO film having a width wider than the Cr film is laminated on the Cr film, an increase in the wiring resistance can be suppressed even if the width of the Cr film is reduced.

【0041】本実施例のアクティブマトリクス型液晶表
示装置は、上下左右160°以上においてコントラスト
比10以上を維持しつつ階調反転が生じない広視野角を
保持し、かつ連続100日間の使用によっても輝度ムラ
による表示不良は生じなかった。 (実施例4)図12に本実施例による液晶表示装置の画
素とその周辺部の平面図を示す。本実施例は、信号電極
との交差部分のみに共通電極の金属膜を形成し、共通電
極の隣り合う信号電極間を延長する部分はITO膜のみ
で形成されていることを除けば実施例3と同じ構成であ
る。本実施例では共通電極の金属膜の割合が実施例3よ
りも低減されており、絶縁膜や保護膜に欠陥が生じた場
合でもCr膜と液晶との接触を抑制する効果がさらに高
まる。
The active matrix type liquid crystal display device of this embodiment maintains a wide viewing angle at which no grayscale inversion occurs while maintaining a contrast ratio of 10 or more at 160 ° or more in the vertical and horizontal directions, and can be used for 100 consecutive days. No display failure due to luminance unevenness occurred. (Embodiment 4) FIG. 12 is a plan view of a pixel of a liquid crystal display device according to the present embodiment and its peripheral portion. The third embodiment is different from the third embodiment except that the metal film of the common electrode is formed only at the intersection with the signal electrode, and the portion extending between adjacent signal electrodes of the common electrode is formed only of the ITO film. It has the same configuration as. In the present embodiment, the ratio of the metal film of the common electrode is smaller than that of the third embodiment, and the effect of suppressing the contact between the Cr film and the liquid crystal is further enhanced even when a defect occurs in the insulating film or the protective film.

【0042】本実施例のアクティブマトリクス型液晶表
示装置は、上下左右160°以上においてコントラスト
比10以上を維持しつつ階調反転が生じない広視野角を
保持し、かつ連続100日間の使用によっても輝度ムラ
による表示不良は生じなかった。 (実施例5)本実施例は、以下を除いて実施例4と同じ
構成である。図13に本実施例による液晶表示装置の画
素とその周辺部の平面図を示す。また、図14には図1
3のA−A′切断線における画素の一部の断面図を示
す。対向電極はくし歯状ではなく平板上に形成されてい
る。また、画素電極6はITO膜でくし歯状に形成され
ており、Cr膜で形成されたソース電極42と接続され
ている。本実施例では対向電極4が共通電極としても作
用するため、共通電極の抵抗が実施例4よりも低減され
る。また、対向電極4と画素電極6が共に透明導電性酸
化膜であるITO膜で形成されているため、電極部分で
遮光されることなくバックライトからの光が画素内を透
過する。さらに画素電極6と対向電極4が絶縁膜12を
介して対向した部分が容量として作用するため、実施例
4で設けたような蓄積容量10を設ける必要がないの
で、画素開口部43を広くする事ができる。これらの結
果、本実施例では画素を透過する光量が多くなり表示が
明るくなる効果も得られる。
The active matrix type liquid crystal display device of this embodiment maintains a wide viewing angle at which gradation inversion does not occur while maintaining a contrast ratio of 10 or more at 160 ° or more in the vertical and horizontal directions, and can be used for 100 consecutive days. No display failure due to luminance unevenness occurred. (Embodiment 5) This embodiment is the same as Embodiment 4 except for the following. FIG. 13 is a plan view of a pixel of the liquid crystal display device according to the present embodiment and its peripheral portion. FIG. 14 shows FIG.
3 is a cross-sectional view of a part of a pixel taken along the line AA ′ of FIG. The counter electrode is formed not on a comb-like shape but on a flat plate. The pixel electrode 6 is formed in a comb-like shape with an ITO film, and is connected to a source electrode 42 formed with a Cr film. In the present embodiment, since the counter electrode 4 also functions as a common electrode, the resistance of the common electrode is reduced as compared with the fourth embodiment. Further, since both the opposing electrode 4 and the pixel electrode 6 are formed of an ITO film that is a transparent conductive oxide film, light from the backlight passes through the pixel without being shielded from light at the electrode portion. Further, since the portion where the pixel electrode 6 and the counter electrode 4 face each other via the insulating film 12 functions as a capacitor, there is no need to provide the storage capacitor 10 as provided in the fourth embodiment, so that the pixel opening 43 is widened. Can do things. As a result, in this embodiment, the effect of increasing the amount of light transmitted through the pixel and brightening the display can also be obtained.

【0043】本実施例のアクティブマトリクス型液晶表
示装置は、上下左右160°以上においてコントラスト
比10以上を維持しつつ階調反転が生じない広視野角を
保持し、かつ連続100日間の使用によっても輝度ムラ
による表示不良は生じなかった。 (実施例6)本実施例は、以下を除いて実施例5と同じ
構成である。図15に本実施例による液晶表示装置の画
素とその周辺部の平面図を示す。共通電極はCr膜上に
ITO膜が積層されて形成されている。また、信号電極は
Cr膜上にITO膜を積層して形成されており、ソース
電極42とドレイン電極3は信号電極1の金属膜と同層
に形成されている。また、画素電極6は信号電極を構成
する導電性酸化膜、例えばITO膜と同層に形成されて
いる。本実施例では表示領域内の信号電極と共通電極の
金属膜が全て導電性酸化膜で覆われているので、金属膜
が形成された部分の上層の絶縁膜や保護膜に欠陥が生じ
た場合でも金属膜が直接液晶と接触することを抑制する
効果が一層強まる。
The active matrix type liquid crystal display device of this embodiment maintains a wide viewing angle at which gradation inversion does not occur while maintaining a contrast ratio of 10 or more at 160 ° or more in the vertical and horizontal directions, and can be used for 100 consecutive days. No display failure due to luminance unevenness occurred. (Embodiment 6) This embodiment is the same as Embodiment 5 except for the following. FIG. 15 is a plan view of a pixel of the liquid crystal display device according to the present embodiment and its peripheral portion. Common electrode on Cr film
The ITO film is formed by lamination. The signal electrode is formed by laminating an ITO film on a Cr film, and the source electrode 42 and the drain electrode 3 are formed in the same layer as the metal film of the signal electrode 1. The pixel electrode 6 is formed in the same layer as a conductive oxide film constituting a signal electrode, for example, an ITO film. In the present embodiment, since the metal films of the signal electrode and the common electrode in the display area are all covered with the conductive oxide film, a defect occurs in the upper insulating film or the protective film in the portion where the metal film is formed. However, the effect of suppressing the direct contact of the metal film with the liquid crystal is further enhanced.

【0044】本実施例のアクティブマトリクス型液晶表
示装置は、上下左右160°以上においてコントラスト
比10以上を維持しつつ階調反転が生じない広視野角を
保持し、かつ連続100日間の使用によっても輝度ムラ
による表示不良は生じなかった。 (実施例7)本実施例は以下を除いて実施例6と同じ構
成である。
The active matrix type liquid crystal display device of this embodiment maintains a wide viewing angle at which no grayscale inversion occurs while maintaining a contrast ratio of 10 or more at 160 ° or more in the vertical and horizontal directions, and can be used for 100 consecutive days. No display failure due to luminance unevenness occurred. (Embodiment 7) This embodiment is the same as Embodiment 6 except for the following.

【0045】TFT基板と対向基板の間に挟んだネマチ
ック液晶組成物にシアノ基を有する液晶化合物として4
−(4−シアノ−3,5−ジフルオロフェニル)ペンチ
ルシクロヘキサンを5重量%添加した。
A nematic liquid crystal composition sandwiched between a TFT substrate and a counter substrate has a cyano group-containing liquid crystal compound of 4%.
5% by weight of-(4-cyano-3,5-difluorophenyl) pentylcyclohexane was added.

【0046】シアノ基を有する液晶化合物は駆動電圧を
低減するために有効であるが、液晶層のインピーダンス
が低下し易いという問題がある。したがって電極と液晶
が接触した場合には電気化学反応によるイオン性不純物
の発生を助長する。しかしながら、本実施例のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置は、上下左右160°以上
においてコントラスト比10以上を維持しつつ階調反転
が生じない広視野角を保持し、かつ連続100日間の使
用によっても輝度ムラによる表示不良は生じなかった。
この様に、シアノ基を有する液晶化合物のような液晶層
のインピーダンスを低下させる液晶化合物を用いた場合
でも、絶縁膜や保護膜の欠陥部での金属電極の溶解が抑
制されるため、輝度ムラが発生しない高画質な画像を得
る事ができる。
Although a liquid crystal compound having a cyano group is effective for reducing the driving voltage, there is a problem that the impedance of the liquid crystal layer tends to decrease. Therefore, when the electrode and the liquid crystal come into contact with each other, generation of ionic impurities due to an electrochemical reaction is promoted. However, the active matrix type liquid crystal display device of the present embodiment maintains a wide viewing angle at which no grayscale inversion occurs while maintaining a contrast ratio of 10 or more at 160 ° or more in the vertical and horizontal directions, and maintains luminance even after continuous use for 100 days. No display failure due to unevenness occurred.
As described above, even when a liquid crystal compound that lowers the impedance of a liquid crystal layer, such as a liquid crystal compound having a cyano group, is used, dissolution of a metal electrode at a defective portion of an insulating film or a protective film is suppressed, and thus uneven brightness is obtained. It is possible to obtain a high quality image in which no image is generated.

【0047】これらの実施例により、保護膜や絶縁膜に
欠陥が生じた場合でも走査電極よりも正電位にある信号
電極や共通電極の金属膜と液晶との接触が低減される。
この結果、金属電極が液晶と接触して生じる電気化学反
応による不純物イオンの発生が抑制され、長時間の使用
によっても輝度ムラの生じない高画質で、広視野角の液
晶表示装置を得ることができる。
According to these embodiments, even when a defect occurs in the protective film or the insulating film, the contact between the liquid crystal and the metal film of the signal electrode or the common electrode which is at a higher potential than the scanning electrode is reduced.
As a result, the generation of impurity ions due to the electrochemical reaction that occurs when the metal electrode comes into contact with the liquid crystal is suppressed, and it is possible to obtain a high-quality, wide-viewing-angle liquid crystal display device that does not cause luminance unevenness even when used for a long time. it can.

【0048】[0048]

【発明の効果】本発明によれば、高画質で広視野角の液
晶表示装置を提供することができる。
According to the present invention, a liquid crystal display device having a high image quality and a wide viewing angle can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液晶表示装置における一画素とその周
辺の電極構造の典型例を示す図。
FIG. 1 is a diagram showing a typical example of a pixel and its peripheral electrode structure in a liquid crystal display device of the present invention.

【図2】本発明の液晶表示装置における単位画素内の断
面の一部を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing a part of a cross section in a unit pixel in the liquid crystal display device of the present invention.

【図3】本発明の液晶表示装置における薄膜トランジス
タ素子の断面図。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a thin film transistor element in the liquid crystal display device of the present invention.

【図4】本発明の液晶表示装置における信号電極と走査
電極の交差部の断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view of an intersection between a signal electrode and a scanning electrode in the liquid crystal display device of the present invention.

【図5】本発明の液晶表示装置におけるカラーフィルタ
基板の典型例を示す図。
FIG. 5 is a diagram showing a typical example of a color filter substrate in the liquid crystal display device of the present invention.

【図6】本発明の液晶表示装置のマトリクス部とその周
辺を含む回路図。
FIG. 6 is a circuit diagram including a matrix portion and its periphery of the liquid crystal display device of the present invention.

【図7】本発明の液晶表示装置における液晶モジュール
の分解斜視図。
FIG. 7 is an exploded perspective view of a liquid crystal module in the liquid crystal display device of the present invention.

【図8】本発明の液晶表示装置の第2実施例における一
画素とその周辺の電極構造を示す図。
FIG. 8 is a diagram showing one pixel and an electrode structure around the pixel in a second embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図9】本発明の液晶表示装置の第2実施例における単
位画素内の断面の一部を示す図。
FIG. 9 is a diagram showing a part of a cross section in a unit pixel in a second embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図10】本発明の液晶表示装置の第3実施例における
一画素とその周辺の電極構造を示す図。
FIG. 10 is a diagram showing a pixel and its peripheral electrode structure in a third embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図11】本発明の液晶表示装置の第3実施例における
単位画素内の断面の一部を示す図。
FIG. 11 is a view showing a part of a cross section in a unit pixel in a third embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図12】本発明の液晶表示装置の第4実施例における
一画素とその周辺の電極構造を示す図。
FIG. 12 is a diagram showing a pixel and its peripheral electrode structure in a fourth embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図13】本発明の液晶表示装置の第5実施例における
一画素とその周辺の電極構造を示す図。
FIG. 13 is a view showing one pixel and a peripheral electrode structure in a fifth embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図14】本発明の液晶表示装置の第5実施例における
単位画素内の断面の一部を示す図。
FIG. 14 is a diagram showing a part of a cross section in a unit pixel in a fifth embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図15】本発明の液晶表示装置の第6実施例における
一画素とその周辺の電極構造を示す図。
FIG. 15 is a diagram showing a pixel and its peripheral electrode structure in a sixth embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…信号電極(金属膜で形成)、2…信号電極の一部を
構成する導電性酸化膜、3…ドレイン電極、4…対向電
極、5…共通電極、6…画素電極、7…走査電極、8…
i型半導体層、9…薄膜トランジスタ、10…蓄積容
量、11…第1誘電体基板、12…絶縁膜、13…保護
膜、14…配向膜、15…液晶層、16…オーバーコー
ト膜、17…カラーフィルタ、18…ブラックマトリク
ス、19…第2誘電体基板、20…偏光板、21…N
(+)型非晶質シリコン半導体層、22…複数の画素を
2次元状に配列したマトリクス・アレイ、23…垂直走
査回路、24…映像信号駆動回路、25…電源回路、2
6…液晶表示モジュール、27…シールドケース、28
…表示窓、29…液晶表示パネル、30…映像信号駆動
回路基板、31…走査信号駆動回路基板、32…電源回
路基板、33…フラットケーブル、34…光拡散板,3
5…導光体、36…反射板、37…バックライト蛍光
管、38…バックライトケース、39…インバータ回路
基板、40…共通電極を構成する金属膜、41…共通電
極を構成する導電性酸化膜、42…ソース電極、43…
画素開口部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Signal electrode (formed of a metal film), 2 ... Conductive oxide film forming a part of signal electrode, 3 ... Drain electrode, 4 ... Counter electrode, 5 ... Common electrode, 6 ... Pixel electrode, 7 ... Scan electrode , 8 ...
i-type semiconductor layer, 9 thin film transistor, 10 storage capacitor, 11 first dielectric substrate, 12 insulating film, 13 protective film, 14 alignment film, 15 liquid crystal layer, 16 overcoat film, 17 Color filter, 18 black matrix, 19 second dielectric substrate, 20 polarizing plate, 21 N
(+) Type amorphous silicon semiconductor layer, 22: a matrix array in which a plurality of pixels are two-dimensionally arranged, 23: a vertical scanning circuit, 24: a video signal driving circuit, 25: a power supply circuit, 2
6 liquid crystal display module, 27 shield case, 28
... display window, 29 ... liquid crystal display panel, 30 ... video signal drive circuit board, 31 ... scanning signal drive circuit board, 32 ... power supply circuit board, 33 ... flat cable, 34 ... light diffusion plate, 3
5 light guide, 36 reflector, 37 backlight fluorescent tube, 38 backlight case, 39 inverter circuit board, 40 metal film forming common electrode, 41 conductive oxide forming common electrode Film, 42 ... source electrode, 43 ...
Pixel opening.

フロントページの続き (72)発明者 近藤 克己 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Fターム(参考) 2H092 GA14 GA17 JA24 JB33 JB52 JB56 JB73 KA10 KA18 MA47 NA01 NA16 NA17 NA28 PA08 PA09 PA11 PA13 5C094 AA12 AA24 AA31 AA48 AA55 BA03 BA43 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EA07 EB02 ED03 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB14 FB15 GA10 5F033 HH08 HH11 HH17 HH18 HH20 HH21 HH35 HH38 UU04 VV15 XX00 5F110 AA26 BB01 CC07 EE02 EE03 EE04 GG02 GG15 GG35 HK02 HK03 HK04 HK07 HK09 HK16 HK21 HM19 NN02 NN24 NN72Continued on the front page (72) Inventor Katsumi Kondo 7-1-1, Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture F-term in Hitachi Research Laboratory, Hitachi Ltd. 2H092 GA14 GA17 JA24 JB33 JB52 JB56 JB73 KA10 KA18 MA47 NA01 NA16 NA17 NA28 PA08 PA09 PA11 PA13 5C094 AA12 AA24 AA31 AA48 AA55 BA03 BA43 CA19 CA24 DA13 DB01 DB04 EA04 EA05 EA07 EB02 ED03 FA01 FA02 FB01 FB02 FB12 FB14 FB15 GA10 5F033 HH08 HH11 HH HH HH HH HH HH HH HH HH GG02 GG15 GG35 HK02 HK03 HK04 HK07 HK09 HK16 HK21 HM19 NN02 NN24 NN72

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】一対の基板と、該一対の基板間に挟持され
た液晶層とを有し、前記一対の基板の一方の基板上に画
素電極,対向電極,走査電極,信号電極,共通電極,ア
クティブ素子を配置し、前記画素電極及び前記対向電極
に電圧を印加することより前記液晶層の液晶を制御して
表示を行う液晶表示装置において、 前記信号電極,前記共通電極のうちの少なくとも一方の
電極は、少なくとも一部が金属膜と導電性酸化膜で形成
されている液晶表示装置。
A liquid crystal layer sandwiched between the pair of substrates; a pixel electrode, a counter electrode, a scanning electrode, a signal electrode, and a common electrode on one of the pair of substrates; , An active element is arranged, and a voltage is applied to the pixel electrode and the counter electrode to control the liquid crystal of the liquid crystal layer to perform display. At least one of the signal electrode and the common electrode The liquid crystal display device, wherein at least a part of the electrode is formed of a metal film and a conductive oxide film.
【請求項2】前記金属膜と導電性酸化膜で形成された電
極は金属膜で形成された複数の領域が導電性酸化膜で接
続されて形成されている請求項1の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the electrode formed of the metal film and the conductive oxide film is formed by connecting a plurality of regions formed of the metal film by a conductive oxide film.
【請求項3】前記金属膜と導電性酸化膜で形成された電
極を構成する金属膜で形成された複数の領域を接続する
導電性酸化膜は、該電極が前記走査電極を乗越える部分
に形成されている請求項2の液晶表示装置。
3. A conductive oxide film connecting a plurality of regions formed of a metal film constituting an electrode formed of the metal film and the conductive oxide film, the conductive oxide film being connected to a portion where the electrode crosses the scan electrode. 3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the liquid crystal display device is formed.
【請求項4】前記金属膜と導電性酸化膜で形成された電
極は共通電極であり、前記共通電極は前記信号電極と交
差する部分に金属膜が形成されており、該金属膜は前記
共通電極が隣りの信号電極と交差する部分に形成された
金属膜と導電性酸化膜で接続されている請求項2の液晶
表示装置。
4. An electrode formed of the metal film and the conductive oxide film is a common electrode, and the common electrode has a metal film at a portion crossing the signal electrode, and the metal film is formed of the common film. 3. The liquid crystal display device according to claim 2, wherein the electrodes are connected by a conductive oxide film to a metal film formed at a portion crossing an adjacent signal electrode.
【請求項5】前記金属膜と導電性酸化膜で形成された電
極は金属膜と導電性酸化膜の積層構造であることを特徴
とする請求項1〜4のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the electrode formed of the metal film and the conductive oxide film has a laminated structure of the metal film and the conductive oxide film. .
【請求項6】前記金属膜と導電性酸化膜で形成された電
極は導電性酸化膜の幅が金属膜の幅よりも広い請求項5
の液晶表示装置。
6. An electrode formed of the metal film and the conductive oxide film has a width of the conductive oxide film larger than a width of the metal film.
Liquid crystal display device.
【請求項7】前記共通電極を構成する金属膜は、信号電
極との交差部における幅が信号電極間を延長する部分の
幅よりも広い請求項6の液晶表示装置。
7. The liquid crystal display device according to claim 6, wherein a width of the metal film constituting the common electrode at an intersection with the signal electrode is wider than a width of a portion extending between the signal electrodes.
【請求項8】前記対向電極は前記共通電極を構成する導
電膜性酸化膜を画素領域方向に延伸して形成されたこと
を特徴とする請求項6又は7の液晶表示装置。
8. The liquid crystal display device according to claim 6, wherein said counter electrode is formed by extending a conductive oxide film constituting said common electrode in a pixel region direction.
【請求項9】前記金属膜と導電性酸化膜で形成された電
極は導電性酸化膜が金属膜の上層に形成されている請求
項1〜8のいずれかに記載の液晶表示装置。
9. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the electrode formed of the metal film and the conductive oxide film has a conductive oxide film formed above the metal film.
【請求項10】前記信号電極を構成する導電性酸化膜は
前記画素電極と同層に形成されている請求項1〜9のい
ずれかに記載の液晶表示装置。
10. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the conductive oxide film forming the signal electrode is formed in the same layer as the pixel electrode.
【請求項11】前記共通電極を構成する導電性酸化膜は
前記対向電極と同層に形成されている請求項1〜10の
いずれかに記載の液晶表示装置。
11. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the conductive oxide film forming the common electrode is formed in the same layer as the counter electrode.
【請求項12】前記画素電極及び前記対向電極は、透明
導電膜で形成されている請求項1〜11のいずれかに記
載の液晶表示装置。
12. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said pixel electrode and said counter electrode are formed of a transparent conductive film.
【請求項13】前記導電性酸化膜はITO(酸化インジ
ウムスズ),IZO(酸化インジウム亜鉛),酸化イン
ジウム,酸化スズ,酸化亜鉛,酸化チタンのうち少なく
とも1種を含むことを特徴とする請求項1〜12のいず
れかに記載の液晶表示装置。
13. The conductive oxide film according to claim 1, wherein said conductive oxide film contains at least one of ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), indium oxide, tin oxide, zinc oxide and titanium oxide. 13. The liquid crystal display device according to any one of 1 to 12.
【請求項14】前記液晶組成物層中にシアノ基を有する
化合物が少なくとも1種類含まれることを特徴とする請
求項1〜13のいずれかに記載の液晶表示装置。
14. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the liquid crystal composition layer contains at least one compound having a cyano group.
【請求項15】前記信号電極,前記共通電極のうちの少
なくとも一方の電極は、金属膜と導電性酸化膜が交互に
配置された配線構造になっている請求項1の液晶表示装
置。
15. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least one of the signal electrode and the common electrode has a wiring structure in which metal films and conductive oxide films are alternately arranged.
【請求項16】前記信号電極,前記共通電極のうちの少
なくとも一方の電極は、金属膜により構成され、所望の
部分が導電性酸化膜となって構成された請求項1の液晶
表示装置。
16. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least one of the signal electrode and the common electrode is formed of a metal film, and a desired portion is formed of a conductive oxide film.
【請求項17】前記信号電極,前記共通電極のうちの少
なくとも一方の電極は、導電性酸化膜により構成され、
所望の部分が金属膜となって構成された請求項1の液晶
表示装置。
17. At least one of the signal electrode and the common electrode is formed of a conductive oxide film.
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a desired portion is formed as a metal film.
【請求項18】前記導電性酸化膜は、ITOである請求
項15〜17のいずれかに記載の液晶表示装置。
18. The liquid crystal display device according to claim 15, wherein said conductive oxide film is made of ITO.
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