JP2002040145A - Ｘ線検出器 - Google Patents
Ｘ線検出器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画像信号のデータ処理時間の増大を最小限に
抑え、画像の拡大操作をしても画質低下を起こさないＸ
線検出器を提供する。 【解決手段】 Ｘ線検出器のアクティブマトリックス基
板２１の画素電極１４の密度を、中央部に位置する部分
を高くし、周辺部に位置する画素電極１４の密度を粗く
する。その密度に応じて、ゲート線１９及び読出信号線
２０が配線される。そして、読み出された信号は増幅回
路７からＡ／Ｄ変換器を介して外部のＴＶ回路９で処理
され、走査変換を行って外部のモニタ１０に表示され
る。中央部に位置する画素１１の密度だけを高くしお
り、拡大操作をして鮮明な画像を得ることができ、周辺
部の密度を粗くしているので、信号データ量を最小限に
して処理時間の増大を抑えることができる。
抑え、画像の拡大操作をしても画質低下を起こさないＸ
線検出器を提供する。 【解決手段】 Ｘ線検出器のアクティブマトリックス基
板２１の画素電極１４の密度を、中央部に位置する部分
を高くし、周辺部に位置する画素電極１４の密度を粗く
する。その密度に応じて、ゲート線１９及び読出信号線
２０が配線される。そして、読み出された信号は増幅回
路７からＡ／Ｄ変換器を介して外部のＴＶ回路９で処理
され、走査変換を行って外部のモニタ１０に表示され
る。中央部に位置する画素１１の密度だけを高くしお
り、拡大操作をして鮮明な画像を得ることができ、周辺
部の密度を粗くしているので、信号データ量を最小限に
して処理時間の増大を抑えることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線透視撮影装置
のＸ線検出器に係わり、特に、フラットパネル撮像セン
サであるＸ線検出器の分解能向上技術に関する。
のＸ線検出器に係わり、特に、フラットパネル撮像セン
サであるＸ線検出器の分解能向上技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、単純Ｘ線撮影装置に使用されてい
たＸ線フィルムやイメージングプレートに代わり、半導
体のＸ線面センサーを用いたフラットパネルのＸ線検出
器が開発されている。このＸ線検出器は、通常、Ｘ線を
光に変換するＸ線変換膜と、その直下に行列状に配置さ
れたフォトダイオードアレイと、各フォトダイオードア
レイに接続されたＴＦＴスイッチによって構成され、Ｘ
線照射後、各ＴＦＴスイッチを順次ＯＮすることで、各
画素に蓄積された信号電荷を読み出しＸ線画像を形成す
るタイプのものと、放射線に感応し入射線量に対応した
電荷信号を直接出力する変換層からなる放射線センサー
アレイを有し、その直下に行列状に配置された電極にＴ
ＦＴスイッチが接続され、照射時に各ＴＦＴスイッチを
順次ＯＮすることで、各画素に蓄積された信号電荷を読
み出しＸ線画像を形成するタイプの２種類のものがあ
る。ここでは後者のタイプのものについて説明する。
たＸ線フィルムやイメージングプレートに代わり、半導
体のＸ線面センサーを用いたフラットパネルのＸ線検出
器が開発されている。このＸ線検出器は、通常、Ｘ線を
光に変換するＸ線変換膜と、その直下に行列状に配置さ
れたフォトダイオードアレイと、各フォトダイオードア
レイに接続されたＴＦＴスイッチによって構成され、Ｘ
線照射後、各ＴＦＴスイッチを順次ＯＮすることで、各
画素に蓄積された信号電荷を読み出しＸ線画像を形成す
るタイプのものと、放射線に感応し入射線量に対応した
電荷信号を直接出力する変換層からなる放射線センサー
アレイを有し、その直下に行列状に配置された電極にＴ
ＦＴスイッチが接続され、照射時に各ＴＦＴスイッチを
順次ＯＮすることで、各画素に蓄積された信号電荷を読
み出しＸ線画像を形成するタイプの２種類のものがあ
る。ここでは後者のタイプのものについて説明する。
【０００３】図３に、後者のタイプのＸ線変換層を有す
るフラットパネルのＸ線検出器４を用いたＸ線透視撮影
装置のブロック回路図を示す。Ｘ線高電圧装置１から高
電圧がＸ線管２に印加され、Ｘ線管２から放射したＸ線
が被写体３に照射され、被写体を透過したＸ線がＸ線検
出器４に入射する。フラットパネル状のＸ線検出器４
は、Ｘ線変換層にバイアス電圧が上部電極から供給さ
れ、Ｘ線変換層の直下に、アクティブマトリックス基板
に行列状に配置された画素電極に、ＴＦＴのスイッチ素
子が接続され、照射時に、各ＴＦＴのスイッチ素子をゲ
ートドライバ回路６で順次ＯＮするすることにより、各
画素のコンデンサに蓄積された信号電荷が、増幅回路７
に読出される。そして増幅回路７からＡ／Ｄ変換器８を
介して、ＴＶ回路９に入力される。ＴＶ回路９で信号処
理が行なわれ、モニタ１０にＸ線画像が表示される。図
４に、画素１１の断面構成を示す。画素１１は、ガラス
基板上にＸＹマトリックス状の電極配線（ゲート線、読
出信号線）と薄膜トランジスタのＴＦＴ１６とコンデン
サ１５などが形成されたアクティブマトリックス基板
と、その上部に略全面に形成されたＸ線変換層１３、下
部の画素電極１４、上部の上部電極１２によって構成さ
れている。図５に、フラットパネルのＸ線検出器の動作
を説明するための回路図を示す。アクティブマトリック
ス基板２１上に各画素１１が縦横に規則正しく配列され
ており、制御回路５からの信号でゲートドライバー回路
６が駆動され、ゲート線１９を介して行方向から各画素
１１の画素電極１４に接続されたＴＦＴ１６のゲート電
極にパルス信号がＧ１、Ｇ２、Ｇ３、…と順次に送ら
れ、一方、制御回路５からの信号で増幅回路７が駆動さ
れ、読出信号線２０を介して列方向から、各画素１１の
映像電荷信号がＴＦＴ１６のドレイン電極からＲ１、Ｒ
２、Ｒ３、…と順次に読出される。
るフラットパネルのＸ線検出器４を用いたＸ線透視撮影
装置のブロック回路図を示す。Ｘ線高電圧装置１から高
電圧がＸ線管２に印加され、Ｘ線管２から放射したＸ線
が被写体３に照射され、被写体を透過したＸ線がＸ線検
出器４に入射する。フラットパネル状のＸ線検出器４
は、Ｘ線変換層にバイアス電圧が上部電極から供給さ
れ、Ｘ線変換層の直下に、アクティブマトリックス基板
に行列状に配置された画素電極に、ＴＦＴのスイッチ素
子が接続され、照射時に、各ＴＦＴのスイッチ素子をゲ
ートドライバ回路６で順次ＯＮするすることにより、各
画素のコンデンサに蓄積された信号電荷が、増幅回路７
に読出される。そして増幅回路７からＡ／Ｄ変換器８を
介して、ＴＶ回路９に入力される。ＴＶ回路９で信号処
理が行なわれ、モニタ１０にＸ線画像が表示される。図
４に、画素１１の断面構成を示す。画素１１は、ガラス
基板上にＸＹマトリックス状の電極配線（ゲート線、読
出信号線）と薄膜トランジスタのＴＦＴ１６とコンデン
サ１５などが形成されたアクティブマトリックス基板
と、その上部に略全面に形成されたＸ線変換層１３、下
部の画素電極１４、上部の上部電極１２によって構成さ
れている。図５に、フラットパネルのＸ線検出器の動作
を説明するための回路図を示す。アクティブマトリック
ス基板２１上に各画素１１が縦横に規則正しく配列され
ており、制御回路５からの信号でゲートドライバー回路
６が駆動され、ゲート線１９を介して行方向から各画素
１１の画素電極１４に接続されたＴＦＴ１６のゲート電
極にパルス信号がＧ１、Ｇ２、Ｇ３、…と順次に送ら
れ、一方、制御回路５からの信号で増幅回路７が駆動さ
れ、読出信号線２０を介して列方向から、各画素１１の
映像電荷信号がＴＦＴ１６のドレイン電極からＲ１、Ｒ
２、Ｒ３、…と順次に読出される。
【０００４】Ｘ線変換層１３は、Ｘ線の照射強度に応じ
て良好な光導電特性を有し、電荷信号を発生する。例え
ば、蒸着により大面積成膜が容易で、厚み３００〜６０
０μｍに成膜された非晶質（アモルファス）セレニウム
（ａ−Ｓｅ）などが用いられる。そのＸ線入射側の面に
はＸ線変換層１３の上部電極１２が形成され、Ｘ線入射
側とは反対の側には各画素１１に対応する位置に画素電
極１４が形成されている。コンデンサ１５は、画素電極
１４と接地間に接続されている。そして、バイアス印加
部からＸ線変換層１３にバイアス電圧が印加され、Ｘ線
照射強度に応じてＸ線変換層１３で発生した電荷が、コ
ンデンサ１５に蓄積される。信号読出しスイッチ機能を
有するＴＦＴ１６は、各画素１１毎に２次元に配列さ
れ、ゲート線端子１７からのスイッチパルスにより、コ
ンデンサ１５の電荷信号が読出信号線端子１８を介して
増幅回路７に読出される。
て良好な光導電特性を有し、電荷信号を発生する。例え
ば、蒸着により大面積成膜が容易で、厚み３００〜６０
０μｍに成膜された非晶質（アモルファス）セレニウム
（ａ−Ｓｅ）などが用いられる。そのＸ線入射側の面に
はＸ線変換層１３の上部電極１２が形成され、Ｘ線入射
側とは反対の側には各画素１１に対応する位置に画素電
極１４が形成されている。コンデンサ１５は、画素電極
１４と接地間に接続されている。そして、バイアス印加
部からＸ線変換層１３にバイアス電圧が印加され、Ｘ線
照射強度に応じてＸ線変換層１３で発生した電荷が、コ
ンデンサ１５に蓄積される。信号読出しスイッチ機能を
有するＴＦＴ１６は、各画素１１毎に２次元に配列さ
れ、ゲート線端子１７からのスイッチパルスにより、コ
ンデンサ１５の電荷信号が読出信号線端子１８を介して
増幅回路７に読出される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線検出器は以
上のように構成されているが、アクティブマトリックス
基板２１上に各画素１１が均一な密度で縦横に配列され
ており、そのため、画像を拡大すると像が粗くなる。図
６に均一に配列された画素の状態を示す。（ａ）は通常
の画素１１のピッチに配列されたものを示し、（ｂ）は
画素が密に配列されたものを示す。これにより（ａ）の
ものを拡大すると画像が粗くなるのが分かる。拡大時の
画質低下を抑えるために、アクティブマトリックス基板
２１の配列の密度を上げ、画素１１の数を増すことが必
要になる。しかし、画素１１の数を増加すると、画像信
号のデータは非常に大きくなり、メモリ容量増加や画像
処理部の速度を増大させたり、そのため処理時間の増大
を引き起こすという問題がある。
上のように構成されているが、アクティブマトリックス
基板２１上に各画素１１が均一な密度で縦横に配列され
ており、そのため、画像を拡大すると像が粗くなる。図
６に均一に配列された画素の状態を示す。（ａ）は通常
の画素１１のピッチに配列されたものを示し、（ｂ）は
画素が密に配列されたものを示す。これにより（ａ）の
ものを拡大すると画像が粗くなるのが分かる。拡大時の
画質低下を抑えるために、アクティブマトリックス基板
２１の配列の密度を上げ、画素１１の数を増すことが必
要になる。しかし、画素１１の数を増加すると、画像信
号のデータは非常に大きくなり、メモリ容量増加や画像
処理部の速度を増大させたり、そのため処理時間の増大
を引き起こすという問題がある。
【０００６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、画像信号のデータ処理時間の増大を最
小限に抑え、画像の拡大操作をしても画質低下を起こさ
ないＸ線検出器を提供することを目的とする。
たものであって、画像信号のデータ処理時間の増大を最
小限に抑え、画像の拡大操作をしても画質低下を起こさ
ないＸ線検出器を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のＸ線検出器は、Ｘ線に感応し入射Ｘ線の強
度に対応した電荷信号を出力するＸ線変換層と、その直
下に行列状に配列され接続されたスイッチング素子と、
信号読出し時にゲート線を介して各スイッチング素子を
順次ＯＮするゲートドライバ回路と、各画素に蓄積され
た電荷信号を読出信号線を介して読出す増幅回路と、前
記ゲートドライバ回路と増幅回路を制御する制御回路と
から構成されるＸ線検出器において、分解能を部分的に
向上させるために前記画素を部分的に異なる密度で配列
したものである。
め、本発明のＸ線検出器は、Ｘ線に感応し入射Ｘ線の強
度に対応した電荷信号を出力するＸ線変換層と、その直
下に行列状に配列され接続されたスイッチング素子と、
信号読出し時にゲート線を介して各スイッチング素子を
順次ＯＮするゲートドライバ回路と、各画素に蓄積され
た電荷信号を読出信号線を介して読出す増幅回路と、前
記ゲートドライバ回路と増幅回路を制御する制御回路と
から構成されるＸ線検出器において、分解能を部分的に
向上させるために前記画素を部分的に異なる密度で配列
したものである。
【０００８】本発明のＸ線検出器は上記のように構成さ
れており、分解能を部分的に向上させるために、Ｘ線検
出器の画素配列の密度を変えて構成しているので、例え
ば、拡大による画質低下を防ぐ必要性の高い部分は、通
常、Ｘ線検出器の中央部であり、その部分のアクティブ
マトリックス基板の画素密度を高くし、周辺部を比較的
低密度の分布とすれば、不必要なデータ増大を抑えるこ
とができ、中央部に位置する関心部位を拡大して鮮明な
像を観察し診断することができる。
れており、分解能を部分的に向上させるために、Ｘ線検
出器の画素配列の密度を変えて構成しているので、例え
ば、拡大による画質低下を防ぐ必要性の高い部分は、通
常、Ｘ線検出器の中央部であり、その部分のアクティブ
マトリックス基板の画素密度を高くし、周辺部を比較的
低密度の分布とすれば、不必要なデータ増大を抑えるこ
とができ、中央部に位置する関心部位を拡大して鮮明な
像を観察し診断することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のＸ線検出器の一実施例を
図１を参照しながら説明する。図１は本発明のＸ線検出
器の回路構成を示す図である。本Ｘ線検出器は、上面に
上部電極１２を有するＸ線変換層１３と、その下部に画
素電極１４とコンデンサ１５とＴＦＴ１６とゲート線１
９と読出信号線２０とを備えたアクティブマトリックス
基板２１と、各画素１１のＴＦＴ１６を動作させるため
のゲート信号を送るゲートドライバ回路６と、各画素１
１のコンデンサ１５に蓄えられた電荷信号をＴＦＴ１６
を介して読み出す増幅回路７と、ゲートドライバ回路６
と増幅回路７とを制御する制御回路５とから構成されて
いる。
図１を参照しながら説明する。図１は本発明のＸ線検出
器の回路構成を示す図である。本Ｘ線検出器は、上面に
上部電極１２を有するＸ線変換層１３と、その下部に画
素電極１４とコンデンサ１５とＴＦＴ１６とゲート線１
９と読出信号線２０とを備えたアクティブマトリックス
基板２１と、各画素１１のＴＦＴ１６を動作させるため
のゲート信号を送るゲートドライバ回路６と、各画素１
１のコンデンサ１５に蓄えられた電荷信号をＴＦＴ１６
を介して読み出す増幅回路７と、ゲートドライバ回路６
と増幅回路７とを制御する制御回路５とから構成されて
いる。
【００１０】本Ｘ線検出器は、アクティブマトリックス
基板２１の中央部の所定の部分のみに、高密度に画素１
１が配列され、周辺部には、通常のピッチ（中央の部分
よりも画素１１が租に配列）で画素１１が配列されてい
る。説明の都合上、画素１１の数を縦方向に５０個、横
方向に５０個で構成された５０×５０＝２５００画素１
１のＸ線検出器について説明する。アクティブマトリッ
クス基板２１には、横方向にゲートドライバ回路６から
ゲート線１９が、上方から粗いピッチでＧ１、Ｇ２、Ｇ
３………中央部では密なピッチでＧ２３、Ｇ２４、Ｇ２
５………下方では粗いピッチでＧ４９、Ｇ５０と配列さ
れている。また、縦方向には増幅回路７に接続された読
出信号線２０が、左から粗いピッチでＲ１、Ｒ２、Ｒ３
………中央部では密なピッチでＲ２４、Ｒ２５、Ｒ２６
………右周辺部では図示していないが粗いピッチでＲ４
９、Ｒ５０と配列されている。この例では、密なピッチ
を粗いピッチの倍密度とすると、中央部の電子的な拡大
を２倍にして、周辺部の密度と同じになり、中央部を等
倍から２倍の電子的な拡大によって分解能を上げること
ができる。
基板２１の中央部の所定の部分のみに、高密度に画素１
１が配列され、周辺部には、通常のピッチ（中央の部分
よりも画素１１が租に配列）で画素１１が配列されてい
る。説明の都合上、画素１１の数を縦方向に５０個、横
方向に５０個で構成された５０×５０＝２５００画素１
１のＸ線検出器について説明する。アクティブマトリッ
クス基板２１には、横方向にゲートドライバ回路６から
ゲート線１９が、上方から粗いピッチでＧ１、Ｇ２、Ｇ
３………中央部では密なピッチでＧ２３、Ｇ２４、Ｇ２
５………下方では粗いピッチでＧ４９、Ｇ５０と配列さ
れている。また、縦方向には増幅回路７に接続された読
出信号線２０が、左から粗いピッチでＲ１、Ｒ２、Ｒ３
………中央部では密なピッチでＲ２４、Ｒ２５、Ｒ２６
………右周辺部では図示していないが粗いピッチでＲ４
９、Ｒ５０と配列されている。この例では、密なピッチ
を粗いピッチの倍密度とすると、中央部の電子的な拡大
を２倍にして、周辺部の密度と同じになり、中央部を等
倍から２倍の電子的な拡大によって分解能を上げること
ができる。
【００１１】そして、Ｘ線入力によって画素１１のコン
デンサ１５に蓄積した電荷信号が、アクティブマトリッ
クス基板２１から増幅回路７に読み取られ、Ａ／Ｄ変換
器８を介してＴＶ回路９に送られる。次に、送られた信
号をモニタに表示する方法について説明する。アクティ
ブマトリックス基板上２１のゲート線Ｇ１の信号によっ
て読み出された粗いピッチの画素１１（Ｇ１−Ｒ１）、
（Ｇ１−Ｒ２）、（Ｇ１−Ｒ３）………（Ｇ１−Ｒ５
０）を、モニタ１０上に表示する時は、モニタ１０上の
二本の走査線上に同じ信号を載せて上部に表示する。以
下、周辺部のゲート線Ｇ２、Ｇ３……及び……Ｇ４９、
Ｇ５０の信号で読み出される粗いピッチの画素１１の信
号についても、同様に２本の走査線上に同じ信号を載せ
て表示する。それに対して、密度の高いピッチの画素１
１（Ｇ２３−Ｒ２４）、（Ｇ２３−Ｒ２５）、（Ｇ２３
−Ｒ２６）、（Ｇ２３−Ｒ２７）に対しては、モニタ１
０上の一本の走査線上に信号を載せて中央部に表示す
る。以下、中央部のゲート線Ｇ２４、Ｇ２５、Ｇ２６の
信号によって読み出される密度の高いピッチの画素１１
の信号についても、同様に一本の走査線上に信号を載せ
て表示する。また、密度の高い中央部の上下周辺部の画
素１１に対しては、モニタ１０上の二本の走査線上に同
じ信号を載せて表示する。また、密度の高い中央部の左
右周辺部の画素１１に対しては、モニタ１０上の一本の
走査線上に信号を載せて表示する。上記の走査上の変換
をすることで、モニタ１０上に、中央部に分解能が良い
鮮明な画像を、周辺部に輪郭をつかむことができる画像
を観察することができる。
デンサ１５に蓄積した電荷信号が、アクティブマトリッ
クス基板２１から増幅回路７に読み取られ、Ａ／Ｄ変換
器８を介してＴＶ回路９に送られる。次に、送られた信
号をモニタに表示する方法について説明する。アクティ
ブマトリックス基板上２１のゲート線Ｇ１の信号によっ
て読み出された粗いピッチの画素１１（Ｇ１−Ｒ１）、
（Ｇ１−Ｒ２）、（Ｇ１−Ｒ３）………（Ｇ１−Ｒ５
０）を、モニタ１０上に表示する時は、モニタ１０上の
二本の走査線上に同じ信号を載せて上部に表示する。以
下、周辺部のゲート線Ｇ２、Ｇ３……及び……Ｇ４９、
Ｇ５０の信号で読み出される粗いピッチの画素１１の信
号についても、同様に２本の走査線上に同じ信号を載せ
て表示する。それに対して、密度の高いピッチの画素１
１（Ｇ２３−Ｒ２４）、（Ｇ２３−Ｒ２５）、（Ｇ２３
−Ｒ２６）、（Ｇ２３−Ｒ２７）に対しては、モニタ１
０上の一本の走査線上に信号を載せて中央部に表示す
る。以下、中央部のゲート線Ｇ２４、Ｇ２５、Ｇ２６の
信号によって読み出される密度の高いピッチの画素１１
の信号についても、同様に一本の走査線上に信号を載せ
て表示する。また、密度の高い中央部の上下周辺部の画
素１１に対しては、モニタ１０上の二本の走査線上に同
じ信号を載せて表示する。また、密度の高い中央部の左
右周辺部の画素１１に対しては、モニタ１０上の一本の
走査線上に信号を載せて表示する。上記の走査上の変換
をすることで、モニタ１０上に、中央部に分解能が良い
鮮明な画像を、周辺部に輪郭をつかむことができる画像
を観察することができる。
【００１２】また、上記の走査変換を行うとき、画像の
モニタ１０上の明るさを一様に正規化するために、次の
電気的な処理を行う。図２にアクティブマトリックス基
板２１上の画素１１の配列を示す。図から分かるよう
に、中央部の画素１１と、その上下及び左右の画素１１
と、周辺４隅ブロックの画素１１のＸ線受光面積が異な
る。そのため、面積比で画素１１からの電荷信号を電気
的に割り算することで、読み取った信号を正規化処理し
て、その後にモニタ１０に表示する。この処理を行うこ
とで一様な明るさでモニタ１０の前面を観察することが
できる。
モニタ１０上の明るさを一様に正規化するために、次の
電気的な処理を行う。図２にアクティブマトリックス基
板２１上の画素１１の配列を示す。図から分かるよう
に、中央部の画素１１と、その上下及び左右の画素１１
と、周辺４隅ブロックの画素１１のＸ線受光面積が異な
る。そのため、面積比で画素１１からの電荷信号を電気
的に割り算することで、読み取った信号を正規化処理し
て、その後にモニタ１０に表示する。この処理を行うこ
とで一様な明るさでモニタ１０の前面を観察することが
できる。
【００１３】図２に示す画素１１の配列では、中央部は
分解能が良い。そして、中央部の左右位置では縦方向の
分解能が良い。また、中央部の上下位置では横方向の分
解能が良い。そして、周辺４隅の部分に付いては、分解
能は多少低下する。通常、診断部位を中央に位置するの
で、中央部を電子的に拡大することにより、鮮明な分解
能の良い画像を観察することができる。上記のように、
画像の精細さは、検出器の密度に正比例し、また、検出
素子数（画素数）は信号としてのデータ数に正比例す
る。従来技術では、図６に示すように、画像を拡大する
と拡大率に比例した検出素子数の領域の画像となるため
画像は粗くなる。一方、検出素子（画素１１）のマトリ
ックスを細かくし、検出素子数を増やせば、データ量の
増大を伴うため、画像処理速度の低下を引き起こすの
で、このために、画像処理速度増大や容量増大をしなけ
ればならなかった。本Ｘ線検出器では、通常、拡大を行
うのは画像の中心付近であるため、この中央部分の検出
器密度を増やし、周辺部は比較的粗い配置を取る。これ
により、中央部を拡大した時に、図６の（ｂ）に示す同
様の画像を得ることができ、かつ、図６の（ｂ）より少
ないデータ量で電気的な処理を済ませることができる。
分解能が良い。そして、中央部の左右位置では縦方向の
分解能が良い。また、中央部の上下位置では横方向の分
解能が良い。そして、周辺４隅の部分に付いては、分解
能は多少低下する。通常、診断部位を中央に位置するの
で、中央部を電子的に拡大することにより、鮮明な分解
能の良い画像を観察することができる。上記のように、
画像の精細さは、検出器の密度に正比例し、また、検出
素子数（画素数）は信号としてのデータ数に正比例す
る。従来技術では、図６に示すように、画像を拡大する
と拡大率に比例した検出素子数の領域の画像となるため
画像は粗くなる。一方、検出素子（画素１１）のマトリ
ックスを細かくし、検出素子数を増やせば、データ量の
増大を伴うため、画像処理速度の低下を引き起こすの
で、このために、画像処理速度増大や容量増大をしなけ
ればならなかった。本Ｘ線検出器では、通常、拡大を行
うのは画像の中心付近であるため、この中央部分の検出
器密度を増やし、周辺部は比較的粗い配置を取る。これ
により、中央部を拡大した時に、図６の（ｂ）に示す同
様の画像を得ることができ、かつ、図６の（ｂ）より少
ないデータ量で電気的な処理を済ませることができる。
【００１４】上記の実施例では、画素１１の配列を図２
に示すような配列で説明したが、密度の高い中央部の左
右、上下の部分に付いては、周辺４隅のブロックに相当
する大きさの画素１１と同じにした画素１１の配列でも
適用することができる。また、粗い密度の画素１１の画
素電極１４を、中央の画素１１の画素電極１４と同じ大
きさにして、ピッチのみを粗くしても良い。同じ大きさ
にすることにより、上記の電荷信号の正規化を必要とせ
ず、走査変換処理のみで表示することができる。
に示すような配列で説明したが、密度の高い中央部の左
右、上下の部分に付いては、周辺４隅のブロックに相当
する大きさの画素１１と同じにした画素１１の配列でも
適用することができる。また、粗い密度の画素１１の画
素電極１４を、中央の画素１１の画素電極１４と同じ大
きさにして、ピッチのみを粗くしても良い。同じ大きさ
にすることにより、上記の電荷信号の正規化を必要とせ
ず、走査変換処理のみで表示することができる。
【００１５】
【発明の効果】本発明のＸ線検出器は上記のように構成
されており、Ｘ線検出器の画素配列の密度を、検出器の
中央部を密にし、周辺部を粗くした構成にして、分解能
を部分的に高くしているので、これにより、中央部を拡
大した時に、良質の画像を得ることができ、かつ、全体
を高密度に配列した場合に比べて、周辺部を比較的低密
度の分布とすれば、不必要なデータ増大を抑えることが
でき、メモリ容量増加や画像処理部の速度を増大させた
りする必要もなく、少ないデータ量で電気的な処理を行
うことができる。
されており、Ｘ線検出器の画素配列の密度を、検出器の
中央部を密にし、周辺部を粗くした構成にして、分解能
を部分的に高くしているので、これにより、中央部を拡
大した時に、良質の画像を得ることができ、かつ、全体
を高密度に配列した場合に比べて、周辺部を比較的低密
度の分布とすれば、不必要なデータ増大を抑えることが
でき、メモリ容量増加や画像処理部の速度を増大させた
りする必要もなく、少ないデータ量で電気的な処理を行
うことができる。
【図１】 本発明のＸ線検出器の一実施例を示す図であ
る。
る。
【図２】 本発明のＸ線検出器の画素の配列を示す図で
ある。
ある。
【図３】 パネル状のＸ線検出器を用いたＸ線透視撮影
システムのブロック回路を示す図である。
システムのブロック回路を示す図である。
【図４】 Ｘ線検出器の画素構造を模式的に示した図で
ある。
ある。
【図５】 従来のＸ線検出器の回路を示す図である。
【図６】 従来のＸ線検出器の画素の配列を示す図であ
る。
る。
４…Ｘ線検出器 ５…制御回路 ６…ゲートドライバ回路 ７…増幅回路 ８…Ａ／Ｄ変換器 ９…ＴＶ回路 １０…モニタ １１…画素 １２…上部電極 １３…Ｘ線変換層 １４…画素電極 １５…コンデンサ １６…ＴＦＴ １７…ゲート線端子 １８…読出信号線端子 １９…ゲート線 ２０…読出信号線 ２１…アクティブマトリックス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 31/00 Ａ (72)発明者 中山 徹 京都市中京区西ノ京桑原町１番地 株式会 社島津製作所内 Ｆターム(参考） 2G088 EE03 FF02 GG21 JJ05 JJ40 4M118 AA10 AB01 BA05 CA26 CB05 CB11 FB03 FB09 FB13 FB16 GA10 5C024 AX12 CX37 GX16 GX18 GX21 GX24 GY31 HX12 HX23 5F088 BA02 BB03 DA17 EA04 EA08 LA08
Claims (1)
- 【請求項１】Ｘ線に感応し入射Ｘ線の強度に対応した電
荷信号を出力するＸ線変換層と、その直下に行列状に配
列され接続されたスイッチング素子と、信号読出し時に
ゲート線を介して各スイッチング素子を順次ＯＮするゲ
ートドライバ回路と、各画素に蓄積された電荷信号を読
出信号線を介して読出す増幅回路と、前記ゲートドライ
バ回路と増幅回路を制御する制御回路とから構成される
Ｘ線検出器において、分解能を部分的に向上させるため
に前記画素を部分的に異なる密度で配列したことを特徴
とするＸ線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000223414A JP2002040145A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | Ｘ線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000223414A JP2002040145A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | Ｘ線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002040145A true JP2002040145A (ja) | 2002-02-06 |
Family
ID=18717509
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000223414A Pending JP2002040145A (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | Ｘ線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002040145A (ja) |
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| JP2023039071A (ja) * | 2021-09-08 | 2023-03-20 | 富士フイルムヘルスケア株式会社 | 放射線撮像装置及び放射線検出器 |
-
2000
- 2000-07-25 JP JP2000223414A patent/JP2002040145A/ja active Pending
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