JP2002039898A - 圧力検出装置用パッケージ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型で高感度であり、外部の圧力をばらつき
なく正確に検出可能な圧力検出装置を提供すること。 【解決手段】 一方の主面に半導体素子３が搭載される
絶縁基体１の他方の主面に静電容量形成用の第一電極７
およびこれを囲繞する枠体１ｃを設け、この枠体１ｃ上
に、中央部が第一電極７に対向するとともに外周部が枠
体１ｃ上にろう付けされた静電容量形成用の第二電極９
を有する絶縁板２を取着して成る圧力検出装置用パッケ
ージであって、第二電極９をタングステンおよび／また
はモリブデンのメタライズ層上にニッケルめっき層10を
被着させて形成するとともに、そのろう付けされた外周
部と第一電極７に対向する中央部との間にニッケルめっ
き層10の非形成領域10ａを設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、圧力を検出するた
めの圧力検出装置に使用される圧力検出装置用パッケー
ジに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、圧力を検出するための圧力検出装
置として静電容量型の圧力検出装置が知られている。こ
の静電容量型の圧力検出装置は、例えば図３に断面図で
示すように、セラミックス材料や樹脂材料から成る配線
基板21上に、静電容量型の感圧素子22と、パッケージ28
に収容された演算用の半導体素子29とを備えている。感
圧素子22は、例えばセラミックス材料等の電気絶縁材料
から成り、上面中央部に静電容量形成用の一方の電極23
が被着された凹部を有する絶縁基体24と、この絶縁基体
24の上面に絶縁基体24との間に密閉空間を形成するよう
にして可撓な状態で接合され、下面に静電容量形成用の
他方の電極25が被着された絶縁板26と、各静電容量形成
用の電極23・25をそれぞれ外部に電気的に接続するため
の外部リード端子27とから構成されており、外部の圧力
に応じて絶縁板26が撓むことにより各静電容量形成用の
電極23・25間に形成される静電容量が変化する。そし
て、この静電容量の変化を演算用の半導体素子29により
演算処理することにより外部の圧力を検出することがで
きる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の圧力検出装置によると、感圧素子22と半導体素子29
とを配線基板21上に個別に実装していることから、圧力
検出装置が大型化してしまうとともに圧力検出用の電極
23・25と半導体素子29との間の配線が長いものとなり、
この長い配線間に不要な静電容量が形成されるため感度
が低いという問題点を有していた。

【０００４】そこで、本願出願人は、先に特願2000-178
618において、一方の主面に半導体素子が搭載される搭
載部を有する絶縁基体と、この絶縁基体の表面および内
部に配設され、半導体素子の各電極が電気的に接続され
る複数の配線導体と、絶縁基体の他方の主面の中央部に
被着され、配線導体の一つに電気的に接続された静電容
量形成用の第一電極と、絶縁基体の他方の主面に、この
主面の中央部との間に密閉空間を形成するように可撓な
状態で接合された絶縁板と、この絶縁板の内側主面に第
一電極に対向して被着され、配線導体の他の一つに電気
的に接続された静電容量形成用の第二電極とを具備する
圧力検出装置用パッケージを提案した。この圧力検出装
置用パッケージによると、一方の主面に半導体素子が搭
載される搭載部を有する絶縁基体の他方の主面に静電容
量形成用の第一電極を設けるとともに、この第一電極に
対向する静電容量形成用の第二電極を内側面に有する絶
縁板を、絶縁基体の他方の主面との間に密閉空間を形成
するようにして可撓な状態で接合させたことから、半導
体素子を収容するパッケージに感圧素子が一体に形成さ
れ、その結果、圧力検出装置を小型とすることができる
とともに圧力検出用の電極と半導体素子とを接続する配
線を短いものとして、これらの配線間に発生する不要な
静電容量を小さなものとすることができる。なお、この
特願2000-178618で提案した圧力検出装置用パッケージ
においては、絶縁基体の他方の主面の外周部にセラミッ
クスや金属から成る枠体を第一電極を取り囲むようにし
て設けておき、この枠体上に第二電極の外周部を銀−銅
ろう等のろう材を介してろう付けすることにより絶縁板
が絶縁基体に接合されていた。

【０００５】しかしながら、この特願2000-178618で提
案した圧力検出装置用パッケージによると、セラミック
スや金属から成る枠体上に絶縁板の第二電極の外周部を
銀−銅ろう等のろう材を介してろう付けする際に、ろう
材の一部が第二電極の中央部に多量に流れ出してしまい
やすく、このように多量に流れ出したろう材により第一
電極と第二電極との間に形成される静電容量が大きくば
らついてしまい、そのため外部の圧力を正確に検出する
ことが困難であるという問題点を有していた。

【０００６】本発明は、かかる上述の問題点に鑑み完成
されたものであり、その目的は、小型でかつ感度が高
く、しかも外部の圧力をばらつきなく正確に検出するこ
とが可能な圧力検出装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明の圧力検出装置用
パッケージは、一方の主面に半導体素子が搭載される搭
載部を有するとともに他方の主面の中央部に静電容量形
成用の第一電極が被着された絶縁基体と、この絶縁基体
の他方の主面外周部に第一電極を囲繞するようにして接
合された枠体と、一方の主面に中央部が第一電極に対向
するとともに外周部が枠体上にろう付けされた静電容量
形成用の第二電極を有し、絶縁基体との間に密閉空間を
形成するように可撓な状態で取着された絶縁板とから成
る圧力検出装置用パッケージであって、第二電極は、タ
ングステンおよび／またはモリブデンから成るメタライ
ズ層上にニッケルめっき層を被着させて成り、かつろう
付けされた外周部と第一電極に対向する中央部との間に
ニッケル層の非形成領域が設けられていることを特徴と
するものである。

【０００８】本発明の圧力検出装置用パッケージによれ
ば、一方の主面に半導体素子が搭載される搭載部を有す
る絶縁基体の他方の主面の中央部に静電容量形成用の第
一電極を設けるとともに、この第一電極に対向する静電
容量形成用の第二電極を有する絶縁板を、絶縁基体との
間に密閉空間を形成するようにして可撓な状態で接合さ
せたことから、半導体素子を収容するパッケージに感圧
素子が一体に形成され、その結果、圧力検出装置を小型
とすることができるとともに圧力検出用の電極と半導体
素子とを接続する配線を短いものとして、これらの配線
間に発生する不要な静電容量を小さなものとすることが
できる。さらに、第二電極をタングステンおよび／また
はモリブデンのメタライズ層上にニッケルめっき層を被
着させて形成するとともに、そのろう付けされた外周部
と第一電極に対向する中央部との間にニッケルめっき層
の非形成領域を設けたことから、第二電極の外周部と枠
体とのろう付け時にろう材の一部が第二電極の中央部に
多量に流出することがニッケルめっき層の非形成領域に
よって良好に防止され、その結果、第一電極と第二電極
との間に形成される静電容量にろう材流出によるばらつ
きが発生することがない。

【０００９】

【発明の実施の形態】次に、本発明を添付の図面を基に
詳細に説明する。図１は、本発明の圧力検出装置用パッ
ケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、図中、
１は絶縁基体、２は絶縁板、３は半導体素子である。

【００１０】絶縁基体１は、酸化アルミニウム質焼結体
や窒化アルミニウム質焼結体・ムライト質焼結体・窒化
珪素質焼結体等のセラミックス材料から成る積層体であ
り、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であ
れば、酸化アルミニウム・酸化珪素・酸化マグネシウム
・酸化カルシウム等のセラミック原料粉末に適当な有機
バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して泥漿状
となすとともにこれを従来周知のドクタブレード法を採
用してシート状に成形することにより複数枚のセラミッ
クグリーンシートを得、しかる後、これらのセラミック
グリーンシートに適当な打ち抜き加工・積層加工・切断
加工を施すことにより絶縁基体１用の生セラミック成形
体を得るとともにこの生セラミック成形体を約1600℃の
温度で焼成することにより製作される。

【００１１】絶縁基体１は、その下面中央部に半導体素
子３を収容するための凹部１ａが形成されており、これ
により半導体素子３を収容する容器として機能する。そ
して、この凹部１ａの底面中央部が半導体素子３が搭載
される搭載部１ｂとなっており、この搭載部１ｂに半導
体素子３を搭載するとともに凹部１ａ内に例えばエポキ
シ樹脂等の樹脂製封止材４を充填することにより半導体
素子３が封止される。なお、この例では半導体素子３は
樹脂製封止材４を凹部１ａ内に充填することにより封止
されるが、半導体素子３は絶縁基体１の下面に金属やセ
ラミックスから成る蓋体を凹部１ａを塞ぐように接合さ
せることにより封止されてもよい。

【００１２】また、搭載部１ｂには半導体素子３の各電
極と接続される複数のメタライズ配線導体５が導出して
おり、このメタライズ配線導体５と半導体素子３の各電
極とを半田バンプ６等の導電性材料から成る導電性接合
部材を介して接合することにより半導体素子３の各電極
と各メタライズ配線導体５とが電気的に接続されるとと
もに半導体素子３が搭載部１ｂに固定される。なお、こ
の例では、半導体素子３の電極とメタライズ配線導体５
とは半田バンプ６を介して接続されるが、半導体素子３
の電極とメタライズ配線導体５とはボンディングワイヤ
等の他の種類の電気的接続手段により接続されてもよ
い。

【００１３】メタライズ配線導体５は、半導体素子３の
各電極を外部電気回路および後述する第一電極７・第二
電極９に電気的に接続するための導電路として機能し、
その一部は絶縁基体１の外周下面に導出し、別の一部は
第一電極７・第二電極９に電気的に接続されている。そ
して、半導体素子３の各電極をこれらのメタライズ配線
導体５に導電性接合材６を介して電気的に接続するとと
もに半導体素子３を樹脂製封止材４で封止した後、メタ
ライズ配線導体５の絶縁基体１外周下面に導出した部位
を外部電気回路基板の配線導体に半田等の導電性接合材
を介して接合することにより、内部に収容する半導体素
子３が外部電気回路に電気的に接続されることとなる。

【００１４】このようなメタライズ配線導体５は、タン
グステンやモリブデン等の高融点金属粉末メタライズか
ら成り、タングステンおよび／またはモリブデンの粉末
に適当な有機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤等を添加
混合して得たメタライズペーストを従来周知のスクリー
ン印刷法を採用して絶縁基体１用のセラミックグリーン
シートに所定のパターンに印刷塗布し、これを絶縁基体
１用の生セラミック成形体とともに焼成することによっ
て絶縁基体１の内部および表面に所定のパターンに形成
される。なお、メタライズ配線導体５の露出表面には、
メタライズ配線導体５が酸化腐食するのを防止するとと
もにメタライズ配線導体５と半田等の導電性接合材との
接合を良好なものとするために、通常であれば、図示し
ない厚みが１〜10μｍ程度のニッケルめっき層と厚みが
0.1〜３μｍ程度の金めっき層とが順次被着されてい
る。

【００１５】また、絶縁基体１の上面外周部には絶縁基
体１と同一材料から成る高さが0.01〜５ｍｍ程度の枠体
１ｃが設けられており、それにより上面中央部に底面が
略平坦な凹部１ｄが形成されている。この凹部１ｄは、
後述するように、絶縁板２との間に密閉空間を形成する
ためのものであり、この凹部１ｄの底面には静電容量形
成用の第一電極７が被着されている。

【００１６】この第一電極７は、後述する第二電極９と
ともに感圧素子用の静電容量を形成するためのものであ
り、例えば略円形のパターンに形成されている。そし
て、この第一電極７にはメタライズ配線導体５の一つ５
ａが接続されており、それによりこのメタライズ配線導
体５ａに半導体素子３の電極を半田バンプ６等の導電性
接合材を介して接続すると半導体素子３の電極と第一電
極７とが電気的に接続されるようになっている。

【００１７】このような第一電極７は、タングステンや
モリブデン等の高融点金属粉末メタライズから成り、タ
ングステンおよび／またはモリブデンの粉末に適当な有
機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得た
メタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採
用して絶縁基体１用のセラミックグリーンシートに印刷
塗布し、これを絶縁基体１用の生セラミック成形体とと
もに焼成することによって絶縁基体１の凹部１ｄ底面に
所定のパターンに形成される。なお、第一電極７の露出
表面には、第一電極７が酸化腐食するのを防止するため
に、通常であれば、図示しない厚みが１〜10μｍ程度の
ニッケルめっき層が被着されている。

【００１８】また、絶縁基体１の枠体１ｃの上面にはそ
の全周にわたり枠状の接合用メタライズ層８が被着され
ており、この接合用メタライズ層８には、下面に第二電
極９を有する絶縁板２がこの第二電極９と接合用メタラ
イズ層８とを銀−銅ろう材等のろう材を介してろう付け
することにより取着されている。

【００１９】この接合用メタライズ層８にはメタライズ
配線導体５の一つ５ｂが接続されており、それによりこ
のメタライズ配線導体５ｂに半導体素子３の電極を半田
バンプ６等の導電性接合材を介して電気的に接続すると
接合用メタライズ層８に接続された第二電極９と半導体
素子３の電極とが電気的に接続されるようになってい
る。

【００２０】接合用メタライズ層８は、タングステンや
モリブデン等の高融点金属粉末メタライズから成り、タ
ングステンおよび／またはモリブデンの粉末に適当な有
機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得た
メタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採
用して絶縁基体１用のセラミックグリーンシートに印刷
塗布し、これを絶縁基体１用の生セラミック成形体とと
もに焼成することによって絶縁基体１の枠体１ｃ上面に
枠状の所定のパターンに形成される。なお、接合用メタ
ライズ層８の露出表面には、接合用メタライズ層８が酸
化腐食するのを防止するとともに接合用メタライズ層８
とろう材との接合を強固なものとするために、通常であ
れば、図示しない厚みが１〜10μｍ程度のニッケルめっ
き層が被着されている。

【００２１】また、絶縁基体１の上面に取着された絶縁
板２は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム
質焼結体・ムライト質焼結体・窒化珪素質焼結体・炭化
珪素質焼結体等のセラミックス材料から成る厚みが0.01
〜５ｍｍの略平板であり、外部の圧力に応じて絶縁基体
１側に撓むいわゆる圧力検出用のダイアフラムとして機
能する。

【００２２】なお、絶縁板２は、その厚みが0.01ｍｍ未
満では、その機械的強度が小さいものとなってしまうた
め、これに大きな外部圧力が印加された場合に破壊され
てしまう危険性が大きなものとなり、他方、５ｍｍを超
えると、小さな圧力では撓みにくくなり、圧力検出用の
ダイアフラムとしては不適となってしまう。したがっ
て、絶縁板２の厚みは0.01〜５ｍｍの範囲が好ましい。

【００２３】このような絶縁板２は、例えば酸化アルミ
ニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウ
ム・酸化珪素・酸化マグネシウム・酸化カルシウム等の
セラミック原料粉末に適当な有機バインダ・溶剤・可塑
剤・分散剤を添加混合して泥漿状となすとともにこれを
従来周知のドクタブレード法を採用してシート状に成形
することによりセラミックグリーンシートを得、しかる
後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工や切断加工を施すことにより絶縁板２用の生セラミッ
ク成形体を得るとともにこの生セラミック成形体を約16
00℃の温度で焼成することにより製作される。

【００２４】また、絶縁板２の下面の略全面には静電容
量形成用の第二電極９が被着されている。この第二電極
９は、前述の第一電極７とともに感圧素子用の静電容量
を形成するための電極として機能するとともに絶縁板２
を絶縁基体１に接合するための接合用下地金属層として
機能する。

【００２５】このような第二電極９は、タングステンや
モリブデン等の高融点金属粉末メタライズから成り、タ
ングステンおよび／またはモリブデンの粉末に適当な有
機バインダ・溶剤・可塑剤・分散剤を添加混合して得た
メタライズペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採
用して絶縁板２用のセラミックグリーンシートに印刷塗
布し、これを絶縁板２用の生セラミック成形体とともに
焼成することによって絶縁板２の下面の略全面に所定の
パターンに形成される。さらに、第二電極９の露出表面
には、第二電極９が酸化腐食するのを防止するとともに
第二電極９とろう材との接合を良好とするために、通常
であれば、厚みが１〜10μｍ程度のニッケルめっき層10
が被着されている。そして、この第二電極９と接合用メ
タライズ層８とは銀−銅ろう材等のろう材を介して接合
されており、それにより、絶縁基体１上面と絶縁板２下
面との間に密閉空間が形成されるとともに接合用メタラ
イズ層８と第二電極９とが電気的に接続される。

【００２６】このとき、第一電極７と第二電極９とは、
絶縁基体１と絶縁板２との間に形成された空間を挟んで
対向しており、これらの間には、第一電極７や第二電極
９の面積および第一電極７と第二電極９との間隔に応じ
て所定の静電容量が形成される。そして、絶縁板２の上
面に外部の圧力が印加されると、その圧力に応じて絶縁
板２が絶縁基体１側に撓んで第一電極７と第二電極９と
の間隔が変わり、それにより第一電極７と第二電極９と
の間の静電容量が変化するので、外部の圧力の変化を静
電容量の変化として感知する感圧素子として機能する。
そして、この静電容量の変化を凹部１ａ内に収容した半
導体素子３にメタライズ配線導体５ａ・５ｂを介して伝
達し、これを半導体素子３で演算処理することによって
外部の圧力の大きさを知ることができる。

【００２７】このように、本発明の圧力検出装置用パッ
ケージによれば、一方の主面に半導体素子３が搭載され
る絶縁基体１の他方の主面に、静電容量形成用の第一電
極７を設けるとともにこの第一電極７に対向する静電容
量形成用の第二電極９を内側面に有する絶縁板２を絶縁
基体１との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で
接合させたことから、半導体素子３を収容する容器と感
圧素子とが一体となり、その結果、圧力検出装置を小型
化することができる。また、静電容量形成用の第一電極
７および第二電極９を、絶縁基体１に設けたメタライズ
配線導体５ａ・５ｂを介して半導体素子３に接続するこ
とから、第一電極７および第二電極９を短い距離で半導
体素子３に接続することができ、その結果、これらのメ
タライズ配線導体５ａ・５ｂ間に発生する不要な静電容
量を小さなものとして感度の高い圧力検出装置を提供す
ることができる。

【００２８】なお、第一電極７と第二電極９との間隔が
１気圧中において0.01ｍｍ未満の場合、絶縁板２に大き
な圧力が印加された際に、第一電極７と第二電極９とが
接触して圧力を検出することができなくなってしまう危
険性があり、他方、５ｍｍを超えると、第一電極７と第
二電極９との間に形成される静電容量が小さなものとな
り、圧力を検出する感度が低いものとなる傾向にある。
したがって、第一電極７と第二電極９との間隔は、１気
圧中において0.01〜５ｍｍの範囲が好ましい。

【００２９】さらに、第二電極９は、枠体１ｃの接合用
メタライズ層８にろう付けされた外周部と第一電極７に
対向する中央部との間には、ニッケルめっき層10が被着
されていないニッケルめっき層の非形成領域10ａが形成
されている。このニッケルめっき層の非形成領域10ａ
は、第二電極９の外周部を枠体１ｃ上にろう付けする際
に、ろう材の一部が第二電極９の中央部に多量に流出す
るのを防止する作用をなし、枠体１ｃに沿って枠状に形
成されている。そして、このようなニッケルめっき層の
非形成領域10ａには、ろう材との濡れ性が極めて悪いタ
ングステンやモリブデン等の高融点金属粉末メタライズ
が露出していることから、枠体１ｃ上面に第二電極９の
外周部をろう付けする際、この非形成領域10ａが障壁と
なって第二電極９の中央部に多量のろう材が流出するこ
とが有効に防止される。したがって、本発明の圧力検出
装置用パッケージにおいては、第二電極９の中央部に多
量のろう材が流出することはなく、第一電極７と第二電
極９との間の静電容量がろう材の流出に起因して大きく
ばらつくことはない。

【００３０】なお、ニッケルめっき層の非形成領域10ａ
の幅が0.1ｍｍ未満では、枠体１ｃ上面に第二電極９の
外周部をろう付けする際、ろう材が第二電極９の中央部
に多量に流出することを防止することができなくなる恐
れがある。したがって、ニッケルめっき層の非形成領域
10ａの幅は、0.1ｍm以上であることが好ましい。

【００３１】このようなニッケルめっき層の非形成領域
10ａは、絶縁板２に被着されたタングステンやモリブデ
ンから成る第二電極層９の表面でニッケルめっき層の非
形成領域10ａに対応する部位に例えば樹脂膜等によりマ
スキングを施し、その状態で第二電極９の表面に電解め
っき法や無電解めっき法により１〜10μｍ程度の厚みの
ニッケルめっき層10を被着させ、その後マスキングを除
去することによって第二電極９のろう付けされる外周部
と第一電極７に対向する中央部との間に幅が0.1ｍｍ以
上の枠状に形成される。

【００３２】また、絶縁基体１の枠体１ｃ上に絶縁板２
を接合するには、枠体１ｃ上の接合用メタライズ層８の
表面に予め１〜10μｍ程度の厚みのニッケルめっき層を
被着させておくとともに、第二電極９の表面にニッケル
めっき層10を被着させておき、これらの間に厚みが10〜
200μｍ程度の銀−銅ろうから成るろう材箔を挟んで絶
縁基体１と絶縁板２とを重ね合わせるとともに、これら
を還元雰囲気中、約850℃の温度に加熱してろう材箔を
溶融させて接合用メタライズ層８と第二電極９の外周部
とをろう付けする方法が採用される。このとき、第二電
極９にはろう付けされる外周部と第一電極７に対向する
中央部との間にニッケルめっき層の非形成領域10ａが形
成されていることから、ろう材が第二電極９の中央部に
多量に流出することがニッケルめっき層の非形成領域10
ａによって良好に防止される。

【００３３】かくして、上述の圧力検出装置用パッケー
ジによれば、搭載部１ｂに半導体素子３を搭載するとと
もに半導体素子３の各電極とメタライズ配線導体５とを
電気的に接続し、しかる後、半導体素子３を封止するこ
とによって小型でかつ感度が高く、しかも外部の圧力を
ばらつきなく正確に検出することが可能な圧力検出装置
となる。

【００３４】なお、本発明は、上述の実施の形態の一例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述の実
施の形態の一例では、絶縁基体１の上面外周部に絶縁基
体１と同じセラミックスから成る枠体１ｃを設け、この
枠体１ｃ上に絶縁板２を接合することにより絶縁基体１
上面と絶縁板２との間に密閉空間を設けるようにした
が、本発明は図２に断面図で示すように、絶縁基体１の
上面外周部に例えば鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−
ニッケル合金等から成る金属枠体11を銀−銅ろう等の導
電性接合材を介して接合させておき、この金属枠体11上
に第二電極９の外周部を銀−銅ろう等のろう材を介して
接合させることにより絶縁基体１と絶縁板２との間に密
閉空間を設けるようにしてもよい。

【００３５】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明の圧力検
出装置用パッケージによれば、一方の主面に半導体素子
が搭載される絶縁基体の他方の主面に静電容量形成用の
第一電極を設けるとともに、この第一電極に対向する静
電容量形成用の第二電極を有する絶縁板を絶縁基体との
間に密閉空間を形成するように可撓な状態で接合させた
ことから、半導体素子を収容する容器と感圧素子とが一
体となり、その結果、圧力検出装置を小型とすることが
できるとともに圧力検出用の電極と半導体素子とを接続
する配線を短いものとして、これらの配線間に発生する
不要な静電容量を小さなものとし、感度の高い圧力検出
装置を提供することができる。さらに、第二電極をタン
グステンおよび／またはモリブデンのメタライズ層上に
ニッケルめっき層を被着させて形成するとともに、その
ろう付けされた外周部と第一電極に対向する中央部との
間にニッケルめっき層の非形成領域を設けたことから第
二電極の外周部と枠体とのろう付け時にろう材の一部が
第二電極の中央部に多量に流出することがニッケルめっ
き層の非形成領域によって良好に防止され、その結果、
第一電極と第二電極との間に形成される静電容量にろう
材流出による大きなばらつきが発生することがなく、外
部の圧力をばらつきなく正確に検出することが可能な圧
力検出装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形
態の一例を示す断面図である。

【図２】本発明の圧力検出装置用パッケージの実施の形
態の他の例を示す断面図である。

【図３】従来の圧力検出装置を示す断面図である。

【符号の説明】

１・・・・・絶縁基体 ２・・・・・絶縁板 ３・・・・・半導体素子 ７・・・・・第一電極 ９・・・・・第二電極 10・・・・・ニッケルめっき層 10ａ・・・・ニッケルめっき層10の非形成領域

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一方の主面に半導体素子が搭載される搭
   載部を有するとともに他方の主面の中央部に静電容量形
   成用の第一電極が被着された絶縁基体と、該絶縁基体の
   前記他方の主面外周部に前記第一電極を囲繞するように
   して接合された枠体と、一方の主面に中央部が前記第一
   電極に対向するとともに外周部が前記枠体上にろう付け
   された静電容量形成用の第二電極を有し、前記絶縁基体
   との間に密閉空間を形成するように可撓な状態で取着さ
   れた絶縁板とから成る圧力検出装置用パッケージであっ
   て、前記第二電極は、タングステンおよび／またはモリ
   ブデンから成るメタライズ層上にニッケルめっき層を被
   着させて成り、かつ前記ろう付けされた外周部と前記第
   一電極に対向する中央部との間に前記ニッケル層の非形
   成領域が設けられていることを特徴とする圧力検出装置
   用パッケージ。