JP2002038081A - Composition for forming film and material for forming insulating film - Google Patents

Composition for forming film and material for forming insulating film

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for forming a film excellent in heat resistance, low permittivity, crack resistance and adhesion properties to a substrate as an interlayer insulating film in a semiconductor element or the like. SOLUTION: The composition for forming a film comprises (A) both or either of an aromatic polyarylene and an aromatic polyarylene ether, (B) both or either of a silane coupling agent bearing a reactive group and a hydrolyzate condensate thereof and (C) an organic solvent. The material for forming an insulating film comprises this composition.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、膜形成用組成物に
関し、さらに詳しくは、半導体素子などにおける層間絶
縁膜材料として、耐熱性、低誘電性、クラック耐性、基
板との密着性に優れた塗膜が形成可能な膜形成用組成物
に関する。
The present invention relates to a film-forming composition, and more particularly, to a material for an interlayer insulating film in a semiconductor device or the like, which is excellent in heat resistance, low dielectric property, crack resistance, and adhesion to a substrate. The present invention relates to a film-forming composition capable of forming a coating film.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子材料用途において、近年、高集積
化、多機能化、高性能化に伴い、回路抵抗や配線間のコ
ンデンサー容量が増大して、消費電力が増加するだけで
なく、遅延時間も増大して、デバイスの信号スピードが
低下したり、クロストークの大きな要因となっている。
そのため、寄生抵抗や寄生容量を下げることが求められ
ており、その解決策の一つとして、配線の周辺を低誘電
の層間絶縁膜で被うことにより、寄生容量を下げてデバ
イスの高速化に対応しようとしている。また、LCD関
連用途では、低誘電性に加え、さらに透明性の要求もあ
る。
2. Description of the Related Art In recent years, in the application of electronic materials, circuit resistance and capacitance between wirings have been increased due to high integration, multifunctionality, and high performance. And the signal speed of the device is reduced, which is a major cause of crosstalk.
Therefore, it is required to reduce the parasitic resistance and the parasitic capacitance. One of the solutions is to reduce the parasitic capacitance and increase the speed of the device by covering the periphery of the wiring with a low dielectric interlayer insulating film. I'm trying to respond. In addition, in LCD-related applications, there is a demand for transparency in addition to low dielectric properties.

【0003】この要求に適応する耐熱性の有機材料とし
て、ポリイミドが広く知られているが、極性の高いイミ
ド基を含むため、低誘電性、低吸水性の面、さらに着色
するという問題があり、満足なものは得られていない。
一方、極性基を含まない高耐熱性の有機材料として、ポ
リフェニレンが知られている。このポリフェニレンは耐
熱性に優れるが、有機溶媒可溶性に劣るため、一般に側
鎖に可溶性基を導入することが行われている。このよう
なポリフェニレンとしては、例えば、米国特許第5,2
14,044号明細書、国際出願WO96/28491
号明細書、ヨーロッパ特許公開第629217号公報な
どに記載されているポリマーを挙げることができる。こ
れらのポリマーは、基本的にポリパラフェニレン構造を
主としており、屈曲性モノマーを一部共重合するなどし
ているものの、特定の有機溶媒にしか溶けず、また剛直
分子に起因する高粘度溶液の問題もあり、加工性とし
て、決して満足できるものではない。
[0003] Polyimide is widely known as a heat-resistant organic material that meets this demand, but has a problem that it contains a highly polar imide group and thus has low dielectric properties, low water absorption, and is further colored. , Not satisfied.
On the other hand, polyphenylene is known as a high heat-resistant organic material containing no polar group. This polyphenylene is excellent in heat resistance, but is inferior in solubility in an organic solvent, so that a soluble group is generally introduced into a side chain. Examples of such polyphenylene include, for example, US Pat.
No. 14,044, International Application WO 96/28491
And European Patent Publication No. 629217. These polymers basically have a polyparaphenylene structure and partially copolymerize flexible monomers, but are only soluble in specific organic solvents, and have high viscosity solutions due to rigid molecules. There are problems, and the workability is not always satisfactory.

【0004】さらに、耐溶剤性の付与、物理的耐熱性、
機械的性質の改善などのために、ポリフェニレン系ポリ
マーの架橋についても検討され、従来から、アセチレン
結合を利用した架橋反応が知られているが、該構造を導
入適用できるポリフェニレン(ポリアリーレン)構造や
反応にも限界があり、また原料的にも特殊なアセチレン
化合物を使用し、また硬化温度も高いという加工の汎用
性に問題がある。また、ポリアリーレンの加工性や溶解
性を高めるため、ポリマー中にエーテル元素を導入する
ことも検討されているが、得られるポリマーの耐熱性に
問題がある。このように、耐熱性、低誘電性、クラック
耐性、基板との密着性を改善するための簡便なプロセス
で適用性の広い硬化性を付与するポリマーの技術は、極
めて少ないのが現状である。
[0004] Further, imparting solvent resistance, physical heat resistance,
In order to improve mechanical properties, etc., crosslinking of polyphenylene-based polymers has also been studied. Conventionally, a crosslinking reaction utilizing acetylene bonds has been known. There is a limit in the reaction, and there is a problem in the versatility of processing that a special acetylene compound is used as a raw material and the curing temperature is high. In addition, introduction of an ether element into a polymer has been studied to enhance the processability and solubility of the polyarylene, but there is a problem in the heat resistance of the obtained polymer. As described above, at present, there are very few polymer technologies for imparting widely applicable curability by a simple process for improving heat resistance, low dielectric property, crack resistance, and adhesion to a substrate.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を背景になされたもので、半導体素子などにおける層間
絶縁膜として、耐熱性、低誘電性、クラック耐性、基板
との密着性に優れた膜形成用組成物を提供することを目
的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has excellent heat resistance, low dielectric properties, crack resistance, and adhesion to a substrate as an interlayer insulating film in a semiconductor device or the like. It is an object of the present invention to provide a composition for forming a film.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)芳香族
ポリアリーレンおよび芳香族ポリアリーレンエーテルも
しくはいずれか一方、(B)反応性基を有するシランカ
ップリング剤およびその加水分解縮合物もしくはいずれ
か一方、ならびに(C)有機溶剤を含有することを特徴
とする膜形成用組成物に関する。ここで、(A)成分
は、下記式(1)で表される繰り返し構造単位および下
記式(2)で表される繰り返し構造単位もしくはいずれ
か一方の繰り返し構造単位を有する重合体が好ましい。
The present invention provides (A) an aromatic polyarylene and / or an aromatic polyarylene ether, (B) a silane coupling agent having a reactive group, and a hydrolytic condensate thereof. And (C) a film-forming composition containing an organic solvent. Here, the component (A) is preferably a polymer having a repeating structural unit represented by the following formula (1) and / or a repeating structural unit represented by the following formula (2).

【0007】[0007]

【化3】 Embedded image

【化4】 Embedded image

【0008】(R7 〜R11はそれぞれ独立して炭素数1
〜20の炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜
20のアルコキシル基、アリール基、またはハロゲン原
子、Xは−CQQ′−(ここで、Q,Q′は同一であっ
ても異なっていてもよく、ハロゲン化アルキル基、アル
キル基、水素原子、ハロゲン原子またはアリール基を示
す)に示す基、およびフルオレニレン基からなる群から
選ばれる少なくとも1種であり、Yは−O−,−CO
−,−COO−,−CONH−,−S−,−SO2−お
よびフェニレン基の群から選ばれた少なくとも1種であ
り、aは0または1を示し、b〜fは0〜4の整数を示
し、gは5〜100モル%、hは0〜95モル%、iは
0〜95モル%(ただし、g+h+i=100モル
%)、jは0〜100モル%、kは0〜100モル%
(ただし、j+k=100モル%)である。〕また、
(A)成分は、重合体中に炭素数1〜20の炭化水素基
を含有するものが好ましい。一方、(B)成分を構成す
る反応性基を有するシランカップリング剤としては、
分子内に反応性の二重結合基および三重結合基もしくは
いずれか一方を含有するアルコキシシラン化合物、分
子内に反応性の二重結合基および三重結合基もしくはい
ずれか一方を含有するアセトキシシラン化合物、分子
内にトリル基を含有するアルコキシシラン化合物、なら
びに分子内にトリル基を含有するアセトキシシラン化
合物の群から選ばれる少なくとも1種が好ましい。以上
の(A)成分と(B)成分の使用割合は、(A)成分1
00重量部に対して(B)成分0.001〜10重量部
である。また、本発明の組成物には、ラジカル発生剤、
反応性二重結合含有化合物および反応性三重結合含有化
合物の群から選ばれる少なくとも1種を含有されていて
もよい。次に、本発明は、上記膜形成用組成物からなる
ことを特徴とする絶縁膜形成用材料に関する。
(R 7 to R 11 each independently represent a group having 1 carbon atom
To 20 hydrocarbon groups, cyano groups, nitro groups, 1 to 1 carbon atoms
20 alkoxyl groups, aryl groups, or halogen atoms, X is -CQQ'- (where Q and Q 'may be the same or different, and halogenated alkyl groups, alkyl groups, hydrogen atoms, halogen atoms, Atom or aryl group) and a fluorenylene group, wherein Y is -O-, -CO
-, - COO -, - CONH -, - S -, - SO 2 - and at least one selected from the group consisting of phenylene group, a is 0 or 1, b to f is 0-4 integer Wherein g is 5 to 100 mol%, h is 0 to 95 mol%, i is 0 to 95 mol% (g + h + i = 100 mol%), j is 0 to 100 mol%, and k is 0 to 100 mol%. %
(However, j + k = 100 mol%). 〕Also,
The component (A) preferably contains a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms in the polymer. On the other hand, as the silane coupling agent having a reactive group constituting the component (B),
An alkoxysilane compound containing a reactive double bond group and / or a triple bond group in the molecule, an acetoxysilane compound containing a reactive double bond group and / or a triple bond group in the molecule, At least one selected from the group consisting of an alkoxysilane compound containing a tolyl group in the molecule and an acetoxysilane compound containing a tolyl group in the molecule is preferable. The proportions of the components (A) and (B) are as follows.
The component (B) is 0.001 to 10 parts by weight based on 00 parts by weight. Further, the composition of the present invention, a radical generator,
At least one selected from the group consisting of a reactive double bond-containing compound and a reactive triple bond-containing compound may be contained. Next, the present invention relates to a material for forming an insulating film, comprising the above-described composition for forming a film.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】(A)成分 本発明の(A)成分は、芳香族ポリアリーレンおよび芳
香族ポリアリーレンエーテルもしくはいずれか一方であ
る。(A)成分としては、上記式(1)で表される繰り
返し構造単位を有する重合体(以下「重合体(1)」と
もいう)および上記式(2)で表される繰り返し構造単
位を有する重合体(以下「重合体(2)」ともいう)、
もしくはいずれか一方の繰り返し構造単位を有する重合
体が好ましい。なお、(A)成分は、重合体中に炭素数
1〜20の炭化水素基を含有することが、塗膜の耐熱性
を向上させる面から好ましい。また、(A)成分を構成
する重合体の繰り返し構造単位は、Xに対してパラ位で
連結されているのが、高分子量の重合体が得られるので
好ましい。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Component (A) The component (A) of the present invention is an aromatic polyarylene and / or an aromatic polyarylene ether. As the component (A), a polymer having a repeating structural unit represented by the above formula (1) (hereinafter also referred to as “polymer (1)”) and a polymer having a repeating structural unit represented by the above formula (2) Polymer (hereinafter also referred to as “polymer (2)”),
Alternatively, a polymer having any one of the repeating structural units is preferable. The component (A) preferably contains a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms in the polymer from the viewpoint of improving the heat resistance of the coating film. The repeating structural unit of the polymer constituting the component (A) is preferably connected at the para-position to X because a high molecular weight polymer is obtained.

【0010】重合体(1);上記式(1)で表される重
合体(1)は、例えば、下記式(3)に示す化合物を含
むモノマーを遷移金属化合物を含む触媒系の存在下に重
合することによって製造することができる。
Polymer (1): The polymer (1) represented by the above formula (1) can be prepared, for example, by subjecting a monomer containing a compound represented by the following formula (3) to a catalyst system containing a transition metal compound. It can be produced by polymerization.

【0011】[0011]

【化5】 Embedded image

【0012】〔式(3)中、R7 〜R8 はそれぞれ独立
して炭素数1〜20の炭化水素基、シアノ基、ニトロ
基、炭素数1〜20のアルコキシル基、アリール基、ま
たはハロゲン原子、Xは−CQQ′−(ここで、Q,
Q′は同一であっても異なっていてもよく、ハロゲン化
アルキル基、アルキル基、水素原子、ハロゲン原子また
はアリール基を示す)に示す基、およびフルオレニレン
基からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、b〜
cは0〜4の整数を示し、Zはアルキル基、ハロゲン化
アルキル基またはアリール基を示す。〕
[In the formula (3), R 7 to R 8 each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group, or a halogen atom. The atom, X is -CQQ'- (where Q,
Q ′ may be the same or different and is at least one selected from the group consisting of a halogenated alkyl group, an alkyl group, a hydrogen atom, a halogen atom or an aryl group), and a fluorenylene group Yes, b ~
c represents an integer of 0 to 4, and Z represents an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group. ]

【0013】上記式(3)中のXを構成するQ,Q′の
うち、アルキル基としては、メチル基、エチル基、i−
プロピル基、n−プロピル基、ブチル基、ペンチル基、
ヘキシル基など;ハロゲン化アルキル基としては、トリ
フルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基など;アリ
ールアルキル基としては、ベンジル基、ジフェニルメチ
ル基など;アリール基としては、フェニル基、ビフェニ
ル基、トリル基、ペンタフルオロフェニル基などを挙げ
ることができる。
In Q and Q 'constituting X in the above formula (3), the alkyl group is a methyl group, an ethyl group, an i-
Propyl group, n-propyl group, butyl group, pentyl group,
Hexyl group and the like; halogenated alkyl groups such as trifluoromethyl group and pentafluoroethyl group; arylalkyl groups such as benzyl group and diphenylmethyl group; aryl groups such as phenyl group, biphenyl group, tolyl group, Examples thereof include a pentafluorophenyl group.

【0014】また、上記式(3)中の−OSO2 Zを構
成するZとしては、アルキル基として、メチル基、エチ
ル基など;ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオ
ロメチル基、ペンタフルオロエチル基など;アリール基
としては、フェニル基、ビフェニル基、p−トリル基、
p−ペンタフルオロフェニル基などを挙げることができ
る。
In the above formula (3), Z constituting --OSO 2 Z is an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group; and a halogenated alkyl group is a trifluoromethyl group or a pentafluoroethyl group. And the like; aryl groups include phenyl, biphenyl, p-tolyl,
Examples thereof include a p-pentafluorophenyl group.

【0015】上記式(3)中のXとしては、下記化6〜
化11に示す2価の基が好ましい。これらのうちでは、
フルオレニレン基がさらに好ましい。
X in the above formula (3) is
The divalent group shown in Chemical formula 11 is preferable. Of these,
Fluorenylene groups are more preferred.

【0016】[0016]

【化6】 Embedded image

【化7】 Embedded image

【化8】 Embedded image

【化9】 Embedded image

【化10】 Embedded image

【化11】 Embedded image

【0017】上記式(3)に示す化合物(モノマー)の
具体例としては、例えば2,2−ビス(4−メチルスル
フォニロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス
(4−メチルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス
(4−メチルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメ
タン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3
−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−
ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−
メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)
ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−メチルス
ルフォニロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(4
−メチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)プロ
パン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3
−プロペニルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−
メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)
プロパン、2,2−ビス(4−メチルスルフォニロキシ
−3−フルオロフェニル)プロパン、2,2−ビス(4
−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−トリフルオロメチル
スルフォニロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−プロ
ペニルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−フェニ
ルスルフォニロキシフェニル)プロパン、2,2−ビス
(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−フェニルスルフォニ
ロキシ−3−プロペニルフェニル)プロパン、2,2−
ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチ
ルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−フェニルス
ルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメ
タン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシフェ
ニル)プロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニ
ロキシ−3−メチルフェニル)プロパン、2,2−ビス
(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニロ
キシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、2,2−
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニロ
キシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、2,2−
ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフ
ェニル)プロパン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ
−3−フルオロフェニル)プロパン、ビス(p−トリル
スルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)プロ
パン 9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)
フルオレン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキ
シ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビス
(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェ
ニル)フルオレン、9,9−ビス(4−メチルスルフォ
ニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、9,
9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−フェニル
フェニル)フルオレン、ビス(4−メチルスルフォニロ
キシ−3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、ビス
(4−メチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェ
ニル)ジフェニルメタン、ビス(4−メチルスルフォニ
ロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタン、
ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−フルオロフェ
ニル)ジフェニルメタン、ビス(4−メチルスルフォニ
ロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニルメタ
ン、9,9−ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−
フルオロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−メ
チルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)
フルオレン、ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニ
ル)メタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシ−3−
メチルフェニル)メタン、ビス(4−メチルスルフォニ
ロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス(4
−メチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)
メタン、ビス(4−メチルスルフォニロキシフェニル)
トリフルオロメチルフェニルメタン、ビス(4−メチル
スルフォニロキシフェニル)フェニルメタン、2,2−
ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−トリフルオロ
メチルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(4−
トリフルオロメチルスルフォニロキシフェニル)ジフェ
ニルメタン、2,2−ビス(4−トリフルオロメチルス
ルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン、2,2−ビス(4−トリフルオロメチルスル
フォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2−ビス(4−トリフルオロメチルス
ルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフ
ルオロプロパン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチ
ルスルフォニロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビ
ス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メ
チルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−トリフ
ルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェ
ニル)フルオレン、9,9−ビス(4−トリフルオロメ
チルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フル
オレン、9,9−ビス(4−トリフルオロメチルスルフ
ォニロキシ−3−フェニルフェニル)フルオレン、ビス
(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−メチ
ルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−トリフルオ
ロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニ
ル)ジフェニルメタン、ビス(4−トリフルオロメチル
スルフォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニ
ルメタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロ
キシ−3−フルオロフェニル)ジフェニルメタン、ビス
(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−
ジフルオロフェニル)ジフェニルメタン、9,9−ビス
(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ−3−フル
オロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−トリフ
ルオロメチルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフ
ェニル)フルオレン、ビス(4−トリフルオロメチルス
ルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(4−トリフル
オロメチルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)メ
タン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシ
−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス(4−トリ
フルオロメチルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェ
ニル)メタン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォ
ニロキシフェニル)トリフルオロメチルフェニルメタ
ン、ビス(4−トリフルオロメチルスルフォニロキシフ
ェニル)、2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキ
シフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−フェ
ニルスルフォニロキシフェニル)メタン、ビス(4−フ
ェニルスルフォニロキシフェニル)ジフェニルメタン、
2,2−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メ
チルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス
(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−フ
ェニルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)
ヘキサフルオロプロパン、9,9−ビス(4−フェニル
スルフォニロキシフェニル)フルオレン、9,9−ビス
(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メチルフェニ
ル)フルオレン、9,9−ビス(4−フェニルスルフォ
ニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プ
ロペニルフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−フ
ェニルスルフォニロキシ−3−フェニルフェニル)フル
オレン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−メ
チルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−フェニル
スルフォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ジフェ
ニルメタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3
−プロペニルフェニル)ジフェニルメタン、ビス(4−
フェニルスルフォニロキシ−3−フルオロフェニル)ジ
フェニルメタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ
−3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニルメタン、
9,9−ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−フ
ルオロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(4−フェ
ニルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)
フルオレン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシフェ
ニル)メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ−
3−メチルフェニル)メタン、ビス(4−フェニルスル
フォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビ
ス(4−フェニルスルフォニロキシ−3−プロペニルフ
ェニル)メタン、ビス(4−フェニルスルフォニロキシ
フェニル)トリフルオロメチルフェニルメタン、ビス
(4−フェニルスルフォニロキシフェニル)フェニルメ
タン 2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニル)
ヘキサフルオロプロパン、ビス(p−トリルスルフォニ
ロキシフェニル)メタン、ビス(p−トリルスルフォニ
ロキシフェニル)ジフェニルメタン、2,2−ビス(p
−トリルスルフォニロキシ−3−メチルフェニル)ヘキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフ
ォニロキシ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン、2,2−ビス(p−トリルスルフォニロキシ
−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニ
ル)フルオレン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニ
ロキシ−3−メチルフェニル)フルオレン、9,9−ビ
ス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフ
ェニル)フルオレン、9,9−ビス(p−トリルスルフ
ォニロキシ−3−プロペニルフェニル)フルオレン、
9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−フェ
ニルフェニル)フルオレン、ビス(p−トリルスルフォ
ニロキシ−3−メチルフェニル)ジフェニルメタン、ビ
ス(p−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジメチルフ
ェニル)ジフェニルメタン、ビス(p−トリルスルフォ
ニロキシ−3−プロペニルフェニル)ジフェニルメタ
ン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−3−フルオロ
フェニル)ジフェニルメタン、ビス(p−トリルスルフ
ォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニル)ジフェニル
メタン、9,9−ビス(p−トリルスルフォニロキシ−
3−フルオロフェニル)フルオレン、9,9−ビス(p
−トリルスルフォニロキシ−3,5−ジフルオロフェニ
ル)フルオレン、ビス(p−トリルスルフォニロキシフ
ェニル)メタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシ−
3−メチルフェニル)メタン、ビス(p−トリルスルフ
ォニロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メタン、ビス
(p−トリルスルフォニロキシ−3−プロペニルフェニ
ル)メタン、ビス(p−トリルスルフォニロキシフェニ
ル)トリフルオロメチルフェニルメタン、ビス(p−ト
リルスルフォニロキシフェニル)フェニルメタンなどを
挙げることができる。
Specific examples of the compound (monomer) represented by the above formula (3) include, for example, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane and bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) methane , Bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3)
-Methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-
Bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-
Methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl)
Hexafluoropropane, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) propane, 2,2-bis (4
-Methylsulfonyloxy-3-methylphenyl) propane, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3)
-Propenylphenyl) propane, 2,2-bis (4-
Methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl)
Propane, 2,2-bis (4-methylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) propane, 2,2-bis (4
-Methylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) propane, 2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3- Propenylphenyl) propane, 2,2-bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-methylphenyl) propane, 2,2-bis (4-phenyl Sulfonyloxy-3-propenylphenyl) propane, 2,2-
Bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy) Phenyl) propane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) propane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) propane, 2,2-bis ( p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2-
Bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) propane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2-
Bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) propane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) propane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) propane 9 , 9-bis (4-methylsulfonyloxyphenyl)
Fluorene, 9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3-methylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis ( 4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) fluorene, 9,
9-bis (4-methylsulfonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene, bis (4-methylsulfonyloxy-3-methylphenyl) diphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) Diphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) diphenylmethane,
Bis (4-methylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) diphenylmethane, 9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3-)
Fluorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl)
Fluorene, bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (4-methylsulfonyloxy-3-)
Methylphenyl) methane, bis (4-methylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) methane, bis (4
-Methylsulfonyloxy-3-propenylphenyl)
Methane, bis (4-methylsulfonyloxyphenyl)
Trifluoromethylphenylmethane, bis (4-methylsulfonyloxyphenyl) phenylmethane, 2,2-
Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) hexafluoropropane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (4-
Trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3) -Propenylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, 9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) Fluorene, 9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-methylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9, 9-bis (4-trifluoromethylsulfonillo Ci-3-propenylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-methylphenyl) diphenylmethane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) diphenylmethane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) diphenylmethane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-) Fluorophenyl) diphenylmethane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-
Difluorophenyl) diphenylmethane, 9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) fluorene , Bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-methylphenyl) methane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) ) Methane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) methane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) trifluoromethylphenylmethane, bis (4-trifluoromethylsulfonyloxyphenyl) ), 2,2- Scan (4-phenylsulfonyl b hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis (4-phenylsulfonyl b hydroxyphenyl) methane, bis (4-phenylsulfonyl b hydroxyphenyl) diphenylmethane,
2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis ( 4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl)
Hexafluoropropane, 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-methylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-phenylsulfur) Phonyloxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene,
9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) fluorene, 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene, bis (4-phenylsulfonyloxy-3) -Methylphenyl) diphenylmethane, bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) diphenylmethane, bis (4-phenylsulfonyloxy-3)
-Propenylphenyl) diphenylmethane, bis (4-
Phenylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane, bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) diphenylmethane,
9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) fluorene, 9,9-bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl)
Fluorene, bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (4-phenylsulfonyloxy-)
3-methylphenyl) methane, bis (4-phenylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) methane, bis (4-phenylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) methane, bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) ) Trifluoromethylphenylmethane, bis (4-phenylsulfonyloxyphenyl) phenylmethane 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl)
Hexafluoropropane, bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (p
-Tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (p-tolylsulfonyloxy- 3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) fluorene, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) fluorene, 9,9 -Bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) fluorene,
9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy-3-phenylphenyl) fluorene, bis (p-tolylsulfonyloxy-3-methylphenyl) diphenylmethane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethyl) Phenyl) diphenylmethane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) diphenylmethane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3-fluorophenyl) diphenylmethane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-difluoro) Phenyl) diphenylmethane, 9,9-bis (p-tolylsulfonyloxy)
3-fluorophenyl) fluorene, 9,9-bis (p
-Tolylsulfonyloxy-3,5-difluorophenyl) fluorene, bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) methane, bis (p-tolylsulfonyloxy-
3-methylphenyl) methane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3,5-dimethylphenyl) methane, bis (p-tolylsulfonyloxy-3-propenylphenyl) methane, bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) ) Trifluoromethylphenylmethane, bis (p-tolylsulfonyloxyphenyl) phenylmethane and the like.

【0018】本発明においては、上記式(3)に示す化
合物を2種以上共重合することもできる。
In the present invention, two or more compounds represented by the above formula (3) may be copolymerized.

【0019】上記式(3)に示す化合物は、例えば、下
記の製法によって合成することができる。すなわち、水
酸基を2個有するジヒドロキシ化合物〔例えば、2,2
−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロ
パン〕およびジヒドロキシ化合物の2当量以上の塩基を
溶媒に溶かす。このとき、ピリジンなどを溶媒として用
いて、溶媒と塩基との両方の役割を兼用させてもよい。
また、必要に応じて、4−ジメチルアミノピリジンなど
の触媒を加えてもよい。
The compound represented by the above formula (3) can be synthesized, for example, by the following production method. That is, a dihydroxy compound having two hydroxyl groups [eg, 2,2
-Bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane] and two or more equivalents of a dihydroxy compound in a solvent. At this time, pyridine or the like may be used as a solvent so that both the solvent and the base may be used.
If necessary, a catalyst such as 4-dimethylaminopyridine may be added.

【0020】そして、スルフォン酸クロライド(無水
物)(例えば、メタンスルフォン酸クロライド)を15
℃以下に保持しながら5〜60分かけて乾燥窒素気流下
に滴下する。それから、その温度で0〜60分攪拌した
のち、室温に戻し、0〜24時間攪拌し、懸濁液を作成
する。得られた懸濁液を3〜20倍量の氷水に再沈殿さ
せ、その沈殿を回収し、再結晶などの操作を繰り返して
結晶としてビススルフォネート化合物を得ることができ
る。
Then, sulfonic acid chloride (anhydride) (for example, methanesulfonic acid chloride) is added to 15
The solution is added dropwise over 5 to 60 minutes under a stream of dry nitrogen while maintaining the temperature at not more than 0 ° C. Then, after stirring at that temperature for 0 to 60 minutes, the mixture is returned to room temperature and stirred for 0 to 24 hours to prepare a suspension. The obtained suspension is reprecipitated in 3 to 20 times the amount of ice water, the precipitate is recovered, and the operation such as recrystallization is repeated to obtain a bissulfonate compound as crystals.

【0021】あるいは、まず、ジヒドロキシ化合物〔例
えば、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン〕を水酸化ナトリウム水溶液などの2
当量のアルカリ水溶液に溶かす。その一方、スルフォン
酸クロライド(無水物)(例えば、メタンスルフォン酸
クロライド)をトルエン、クロロホルムなどの有機溶媒
に溶かす。そして、これらに必要に応じてアセチルトリ
メチルアンモニウムクロライドなどの相間移動触媒を加
えたのち、激しく攪拌する。そして、反応して得られた
有機層を精製することによっても、目的のビススルフォ
ネート化合物を得ることができる。
Alternatively, first, a dihydroxy compound [for example, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane] is converted to a sodium hydroxide solution or the like.
Dissolve in an equivalent amount of an alkaline aqueous solution. On the other hand, sulfonic acid chloride (anhydride) (for example, methanesulfonic acid chloride) is dissolved in an organic solvent such as toluene and chloroform. Then, after a phase transfer catalyst such as acetyltrimethylammonium chloride is added to these, if necessary, the mixture is vigorously stirred. The desired bissulfonate compound can also be obtained by purifying the organic layer obtained by the reaction.

【0022】本発明においては、上記式(3)に示す化
合物の少なくとも1種と、下記式(4)〜(5)に示す
化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種とを共重
合させてもよい。
In the present invention, at least one compound represented by the above formula (3) and at least one compound selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (4) to (5) may be copolymerized. Good.

【0023】[0023]

【化12】 Embedded image

【0024】[式(4)中、R9 〜R10はそれぞれ独立
して炭素数1〜20の炭化水素基、シアノ基、ニトロ
基、炭素数1〜20のアルコキシル基、アリール基、ま
たはハロゲン原子、R12〜R13は、−OSO2 Z(ここ
で、Zはアルキル基、ハロゲン化アルキル基またはアリ
ール基を示す)、塩素原子、臭素原子または沃素原子を
示し、Yは−O−,−CO−,−COO−,−CONH
−,−S−,−SO2 −およびフェニレン基の群から選
ばれた少なくとも1種であり、aは0または1を示し、
d〜eは0〜4の整数を示す。]
[In the formula (4), R 9 to R 10 each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group, or a halogen atom. The atoms R 12 to R 13 represent —OSO 2 Z (where Z represents an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group), a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, and Y represents —O—, -CO-, -COO-, -CONH
-, - S -, - SO 2 - and at least one selected from the group consisting of phenylene group, a is 0 or 1,
de shows an integer of 0-4. ]

【0025】R9 〜R10のうち、ハロゲン原子として
は、フッ素原子など、1価の有機基としては、アルキル
基として、メチル基、エチル基など、ハロゲン化アルキ
ル基として、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエ
チル基など、アリル基として、プロペニル基など、アリ
ール基として、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基
などを挙げることができる。また、−OSO2 Zを構成
するZとしては、アルキル基として、メチル基、エチル
基など、ハロゲン化アルキル基として、トリフルオロメ
チル基など、アリール基として、フェニル基、p−トリ
ル基、p−フルオロフェニル基などを挙げることができ
る。
Of R 9 to R 10 , a halogen atom is a fluorine atom, a monovalent organic group is an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group, a halogenated alkyl group is a trifluoromethyl group, Examples of an allyl group such as a pentafluoroethyl group include a propenyl group and the like, and examples of an aryl group include a phenyl group and a pentafluorophenyl group. Examples of Z constituting —OSO 2 Z include a methyl group and an ethyl group as an alkyl group, a trifluoromethyl group and the like as a halogenated alkyl group, a phenyl group, a p-tolyl group, and a p- Examples include a fluorophenyl group.

【0026】上記式(4)に示す化合物としては、例え
ば、4,4′−ジメチルスルフォニロキシビフェニル、
4,4′−ジメチルスルフォニロキシ−3,3′−ジプ
ロペニルビフェニル、4,4′−ジブロモビフェニル、
4,4′−ジヨードビフェニル、4,4′−ジメチルス
ルフォニロキシ−3,3′−ジメチルビフェニル、4,
4′−ジメチルスルフォニロキシ−3,3′−ジフルオ
ロビフェニル、4,4′−ジメチルスルフォニロキシ−
3,3′,5,5′−テトラフルオロビフェニル、4,
4′−ジブロモオクタフルオロビフェニル、4,4−メ
チルスルフォニロキシオクタフルオロビフェニル、3,
3′−ジアリル−4,4′−ビス(4−フルオロベンゼ
ンスルフォニロキシ)ビフェニル、4,4′−ジクロロ
−2,2′−トリフルオロメチルビフェニル、4,4′
−ジブロモ−2,2′−トリフルオロメチルビフェニ
ル、4,4′−ジヨード−2,2′−トリフルオロメチ
ルビフェニル、ビス(4−クロロフェニル)スルフォ
ン、4,4′−ジクロロベンゾフェノン、2,4−ジク
ロロベンゾフェノンなどを挙げることができる。
The compound represented by the above formula (4) includes, for example, 4,4'-dimethylsulfonyloxybiphenyl,
4,4'-dimethylsulfonyloxy-3,3'-dipropenylbiphenyl, 4,4'-dibromobiphenyl,
4,4'-diiodobiphenyl, 4,4'-dimethylsulfonyloxy-3,3'-dimethylbiphenyl, 4,
4'-dimethylsulfonyloxy-3,3'-difluorobiphenyl, 4,4'-dimethylsulfonyloxy-
3,3 ', 5,5'-tetrafluorobiphenyl, 4,
4'-dibromooctafluorobiphenyl, 4,4-methylsulfonyloxyoctafluorobiphenyl, 3,
3'-diallyl-4,4'-bis (4-fluorobenzenesulfonyloxy) biphenyl, 4,4'-dichloro-2,2'-trifluoromethylbiphenyl, 4,4 '
-Dibromo-2,2'-trifluoromethylbiphenyl, 4,4'-diiodo-2,2'-trifluoromethylbiphenyl, bis (4-chlorophenyl) sulfone, 4,4'-dichlorobenzophenone, 2,4- Dichlorobenzophenone and the like can be mentioned.

【0027】上記式(4)に示す化合物は、1種単独で
または2種以上を組み合わせて用いることができる。
The compounds represented by the above formula (4) can be used alone or in combination of two or more.

【0028】[0028]

【化13】 Embedded image

【0029】[式(5)中、R11は、炭素数1〜20の
炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜20のア
ルコキシル基、アリール基、またはハロゲン原子、R14
〜R15は、−OSO2 Z(ここで、Zはアルキル基、ハ
ロゲン化アルキル基またはアリール基を示す)、塩素原
子、臭素原子または沃素原子を示し、fは0〜4の整数
を示す。]
[0029] In the formula (5), R 11 is a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group, or a halogen atom,, R 14
To R 15 are, -OSO 2 Z (wherein, Z is an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group), a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, f is an integer of 0-4. ]

【0030】R11のうち、ハロゲン原子としては、フッ
素原子など、1価の有機基としては、アルキル基とし
て、メチル基、エチル基など、ハロゲン化アルキル基と
して、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基
など、アリル基として、プロペニル基など、アリール基
として、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基などを
挙げることができる。また、−OSO2 Zを構成するZ
としては、アルキル基として、メチル基、エチル基な
ど、ハロゲン化アルキル基として、トリフルオロメチル
基など、アリール基として、フェニル基、p−トリル
基、p−フルオロフェニル基などを挙げることができ
る。
In R 11 , a halogen atom is a fluorine atom, a monovalent organic group is an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group, and a halogenated alkyl group is a trifluoromethyl group or a pentafluoroethyl group. Examples of the aryl group include a propenyl group and the like. Examples of the aryl group include a phenyl group and a pentafluorophenyl group. Z constituting —OSO 2 Z
Examples thereof include an alkyl group such as a methyl group and an ethyl group, a halogenated alkyl group such as a trifluoromethyl group, and an aryl group such as a phenyl group, a p-tolyl group, and a p-fluorophenyl group.

【0031】上記式(5)に示す化合物としては、例え
ば、o−ジクロロベンゼン、o−ジブロモベンゼン、o
−ジヨードベンゼン、o−ジメチルスルフォニロキシベ
ンゼン、2,3−ジクロロトルエン、2,3−ジブロモ
トルエン、2,3−ジヨードトルエン、3,4−ジクロ
ロトルエン、3,4−ジブロモトルエン、3,4−ジヨ
ードトルエン、2,3−ジメチルスルフォニロキシベン
ゼン、3,4−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、m
−ジクロロベンゼン、m−ジブロモベンゼン、m−ジヨ
ードベンゼン、m−ジメチルスルフォニロキシベンゼ
ン、2,4−ジクロロトルエン、2,4−ジブロモトル
エン、2,4−ジヨードトルエン、3,5−ジクロロト
ルエン、3,5−ジブロモトルエン、3,5−ジヨード
トルエン、2,6−ジクロロトルエン、2,6−ジブロ
モトルエン、2,6−ジヨードトルエン、3,5−ジメ
チルスルフォニロキシトルエン、2,6−ジメチルスル
フォニロキシトルエン、2,4−ジクロロベンゾトリフ
ルオライド、2,4−ジブロモベンゾトリフルオライ
ド、2,4−ジヨードベンゾトリフルオライド、3,5
−ジクロロベンゾトリフルオライド、3,5−ジブロモ
トリフルオライド、3,5−ジヨードベンゾトリフルオ
ライド、1,3−ジブロモ−2,4,5,6−テトラフ
ルオロベンゼン、2,4−ジクロロベンジルアルコー
ル、3,5−ジクロロベンジルアルコール、2,4−ジ
ブロモベンジルアルコール、3,5−ジブロモベンジル
アルコール、3,5−ジクロロフェノール、3,5−ジ
ブロモフェノール、3,5−ジクロロ−t−ブトキシカ
ルボニロキシフェニル、3,5−ジブロモ−t−ブトキ
シカルボニロキシフェニル、2,4−ジクロロ安息香
酸、3,5−ジクロロ安息香酸、2,4−ジブロモ安息
香酸、3,5−ジブロモ安息香酸、2,4−ジクロロ安
息香酸メチル、3,5−ジクロロ安息香酸メチル、3,
5−ジブロモ安息香酸メチル、2,4−ジブロモ安息香
酸メチル、2,4−ジクロロ安息香酸−t−ブチル、
3,5−ジクロロ安息香酸−t−ブチル、2,4−ジブ
ロモ安息香酸−t−ブチル、3,5−ジブロモ安息香酸
−t−ブチルなどを挙げることもでき、好ましくはm−
ジクロロベンゼン、2,4−ジクロロトルエン、3,5
−ジメチルスルフォニロキシトルエン、2,4−ジクロ
ロベンゾトリフルオライド、2,4−ジクロロベンゾフ
ェノン、2,4−ジクロロフェノキシベンゼンなどであ
る。
The compound represented by the above formula (5) includes, for example, o-dichlorobenzene, o-dibromobenzene, o-dichlorobenzene,
-Diiodobenzene, o-dimethylsulfonyloxybenzene, 2,3-dichlorotoluene, 2,3-dibromotoluene, 2,3-diiodotoluene, 3,4-dichlorotoluene, 3,4-dibromotoluene, 3 , 4-diiodotoluene, 2,3-dimethylsulfonyloxybenzene, 3,4-dimethylsulfonyloxybenzene, m
-Dichlorobenzene, m-dibromobenzene, m-diiodobenzene, m-dimethylsulfonyloxybenzene, 2,4-dichlorotoluene, 2,4-dibromotoluene, 2,4-diiodotoluene, 3,5-dichloro Toluene, 3,5-dibromotoluene, 3,5-diiodotoluene, 2,6-dichlorotoluene, 2,6-dibromotoluene, 2,6-diiodotoluene, 3,5-dimethylsulfonyloxytoluene, 2 2,6-Dimethylsulfonyloxytoluene, 2,4-dichlorobenzotrifluoride, 2,4-dibromobenzotrifluoride, 2,4-diiodobenzotrifluoride, 3,5
-Dichlorobenzotrifluoride, 3,5-dibromotrifluoride, 3,5-diiodobenzotrifluoride, 1,3-dibromo-2,4,5,6-tetrafluorobenzene, 2,4-dichlorobenzyl alcohol, 3,5-dichlorobenzyl alcohol, 2,4-dibromobenzyl alcohol, 3,5-dibromobenzyl alcohol, 3,5-dichlorophenol, 3,5-dibromophenol, 3,5-dichloro-t-butoxycarbonyloxy Phenyl, 3,5-dibromo-t-butoxycarbonyloxyphenyl, 2,4-dichlorobenzoic acid, 3,5-dichlorobenzoic acid, 2,4-dibromobenzoic acid, 3,5-dibromobenzoic acid, 2, Methyl 4-dichlorobenzoate, methyl 3,5-dichlorobenzoate, 3,
Methyl 5-dibromobenzoate, methyl 2,4-dibromobenzoate, t-butyl 2,4-dichlorobenzoate,
Examples thereof include t-butyl 3,5-dichlorobenzoate, t-butyl 2,4-dibromobenzoate, and t-butyl 3,5-dibromobenzoate.
Dichlorobenzene, 2,4-dichlorotoluene, 3,5
-Dimethylsulfonyloxytoluene, 2,4-dichlorobenzotrifluoride, 2,4-dichlorobenzophenone, 2,4-dichlorophenoxybenzene and the like.

【0032】上記式(5)に示す化合物は、1種単独で
または2種以上を組み合わせて用いることができる。
The compounds represented by the above formula (5) can be used alone or in combination of two or more.

【0033】重合体(1)中の繰り返し構造単位の割合
は、上記式(1)において、gは5〜100モル%、h
は0〜95モル%、iは0〜95モル%(ただし、g+
h+i=100モル%)である。
In the above formula (1), the proportion of the repeating structural unit in the polymer (1) is 5 to 100 mol%,
Is 0 to 95 mol%, i is 0 to 95 mol% (however, g +
h + i = 100 mol%).

【0034】本発明に用いられる重合体(1)を製造す
る際に用いられる触媒は、遷移金属化合物を含む触媒系
が好ましく、この触媒系としては、遷移金属塩および
配位子、または配位子が配位された遷移金属(塩)、な
らびに還元剤を必須成分とし、さらに、重合速度を上
げるために、「塩」を添加してもよい。
The catalyst used for producing the polymer (1) used in the present invention is preferably a catalyst system containing a transition metal compound, and the catalyst system includes a transition metal salt and a ligand, or a coordination catalyst. A transition metal (salt) to which a ligand is coordinated and a reducing agent are essential components, and a “salt” may be added to increase the polymerization rate.

【0035】ここで、遷移金属塩としては、塩化ニッケ
ル、臭化ニッケル、ヨウ化ニッケル、ニッケルアセチル
アセトナートなどのニッケル化合物、塩化パラジウム、
臭化パラジウム、ヨウ化パラジウムなどのパラジウム化
合物、塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄などの鉄化合物、塩化
コバルト、臭化コバルト、ヨウ化コバルトなどのコバル
ト化合物などを挙げることができる。これらのうち特
に、塩化ニッケル、臭化ニッケルなどが好ましい。
Here, the transition metal salt includes nickel compounds such as nickel chloride, nickel bromide, nickel iodide and nickel acetylacetonate; palladium chloride;
Examples thereof include palladium compounds such as palladium bromide and palladium iodide, iron compounds such as iron chloride, iron bromide and iron iodide, and cobalt compounds such as cobalt chloride, cobalt bromide and cobalt iodide. Of these, nickel chloride and nickel bromide are particularly preferred.

【0036】また、配位子としては、トリフェニルホス
フィン、2,2′−ビピリジン、1,5−シクロオクタ
ジエン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパ
ンなどを挙げることができるが、トリフェニルホスフィ
ン、2,2′−ビピリジンが好ましい。上記配位子は、
1種単独でまたは2種以上を組合わせて用いることがで
きる。
Examples of the ligand include triphenylphosphine, 2,2'-bipyridine, 1,5-cyclooctadiene, and 1,3-bis (diphenylphosphino) propane. Phenylphosphine and 2,2'-bipyridine are preferred. The ligand is
One type may be used alone, or two or more types may be used in combination.

【0037】さらに、あらかじめ配位子が配位された遷
移金属(塩)としては、例えば、塩化ニッケル2トリフ
ェニルホスフィン、臭化ニッケル2トリフェニルホスフ
ィン、ヨウ化ニッケル2トリフェニルホスフィン、硝酸
ニッケル2−トリフェニルホスフィン、塩化ニッケル
2,2′ビピリジン、臭化ニッケル2,2′ビピリジ
ン、ヨウ化ニッケル2,2′ビピリジン、硝酸ニッケル
2,2′ビピリジン、ビス(1,5−シクロオクタジエ
ン)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)
ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスファイト)ニ
ッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジ
ウムなどを挙げることができるが、塩化ニッケル2トリ
フェニルホスフィン、塩化ニッケル2,2′ビピリジン
が好ましい。
Further, as the transition metal (salt) to which a ligand has been previously coordinated, for example, nickel chloride 2 triphenylphosphine, nickel bromide 2 triphenylphosphine, nickel iodide 2 triphenylphosphine, nickel nitrate 2 -Triphenylphosphine, nickel chloride 2,2 'bipyridine, nickel bromide 2,2' bipyridine, nickel iodide 2,2 'bipyridine, nickel nitrate 2,2' bipyridine, bis (1,5-cyclooctadiene) nickel , Tetrakis (triphenylphosphine)
Nickel, tetrakis (triphenylphosphite) nickel, tetrakis (triphenylphosphine) palladium and the like can be mentioned, and nickel chloride 2 triphenylphosphine and nickel chloride 2,2 ′ bipyridine are preferred.

【0038】このような触媒系において使用することが
できる上記還元剤としては、例えば、鉄、亜鉛、マンガ
ン、アルミニウム、マグネシウム、ナトリウム、カルシ
ウムなどを挙げることできるが、亜鉛、マンガンが好ま
しい。これらの還元剤は、酸や有機酸に接触させること
により、より活性化して用いることができる。
Examples of the above-mentioned reducing agent which can be used in such a catalyst system include iron, zinc, manganese, aluminum, magnesium, sodium and calcium, and zinc and manganese are preferred. These reducing agents can be used more activated by contact with an acid or an organic acid.

【0039】また、このような触媒系において使用する
ことのできる「塩」としては、フッ化ナトリウム、塩化
ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、硫酸
ナトリウムなどのナトリウム化合物、フッ化カリウム、
塩化カリウム、臭化カリウム、ヨウ化カリウム、硫酸カ
リウムなどのカリウム化合物、フッ化テトラエチルアン
モニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラ
エチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウ
ム、硫酸テトラエチルアンモニウムなどのアンモニウム
化合物などを挙げることができるが、臭化ナトリウム、
ヨウ化ナトリウム、臭化カリウム、臭化テトラエチルア
ンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウムが好まし
い。
The "salt" which can be used in such a catalyst system includes sodium compounds such as sodium fluoride, sodium chloride, sodium bromide, sodium iodide, sodium sulfate, potassium fluoride, and the like.
Potassium compounds such as potassium chloride, potassium bromide, potassium iodide, and potassium sulfate; and ammonium compounds such as tetraethylammonium fluoride, tetraethylammonium chloride, tetraethylammonium bromide, tetraethylammonium iodide, and tetraethylammonium sulfate can be given. But sodium bromide,
Preferred are sodium iodide, potassium bromide, tetraethylammonium bromide and tetraethylammonium iodide.

【0040】このような触媒系における各成分の使用割
合は、遷移金属塩または配位子が配位された遷移金属
(塩)が、上記式(3),(4)および(5)の化合物
の総量1モルに対し、通常、0.0001〜10モル、
好ましくは0.01〜0.5モルである。0.0001
モル未満であると、重合反応が充分に進行せず、一方、
10モルを超えると、分子量が低下することがある。
The use ratio of each component in such a catalyst system is such that the transition metal salt or the transition metal (salt) to which the ligand is coordinated is the compound of the above formula (3), (4) or (5) Usually, 0.0001 to 10 mol, based on 1 mol of the total amount of
Preferably it is 0.01-0.5 mol. 0.0001
If the amount is less than the mole, the polymerization reaction does not proceed sufficiently, while
If it exceeds 10 mol, the molecular weight may decrease.

【0041】このような触媒系において、遷移金属塩お
よび配位子を用いる場合、この配位子の使用割合は、遷
移金属塩1モルに対し、通常、0.1〜100モル、好
ましくは1〜10モルである。0.1モル未満では、触
媒活性が不充分となり、一方、100モルを超えると、
分子量が低下するという問題がある。
When a transition metal salt and a ligand are used in such a catalyst system, the ligand is used in an amount of usually 0.1 to 100 mol, preferably 1 to 100 mol, per mol of the transition metal salt. 10 to 10 mol. If the amount is less than 0.1 mol, the catalytic activity becomes insufficient.
There is a problem that the molecular weight decreases.

【0042】また、触媒系における還元剤の使用割合
は、上記式(3),(4)および(5)の化合物の総量
1モルに対し、通常、0.1〜100モル、好ましくは
1〜10モルである。0.1モル未満であると、重合が
充分進行せず、一方、100モルを超えると、得られる
重合体の精製が困難になることがある。
The proportion of the reducing agent used in the catalyst system is usually 0.1 to 100 mol, preferably 1 to 100 mol, per 1 mol of the total amount of the compounds of the above formulas (3), (4) and (5). 10 moles. If the amount is less than 0.1 mol, the polymerization does not proceed sufficiently. On the other hand, if it exceeds 100 mol, the purification of the obtained polymer may be difficult.

【0043】さらに、触媒系に「塩」を使用する場合、
その使用割合は、上記式(3),(4)および(5)の
化合物の総量1モルに対し、通常、0.001〜100
モル、好ましくは0.01〜1モルである。0.001
モル未満であると、重合速度を上げる効果が不充分であ
り、一方、100モルを超えると、得られる重合体の精
製が困難となることがある。
Further, when a “salt” is used in the catalyst system,
The proportion of the compound is usually 0.001 to 100 per 1 mol of the total amount of the compounds of the above formulas (3), (4) and (5).
Mole, preferably 0.01 to 1 mole. 0.001
If the amount is less than mol, the effect of increasing the polymerization rate is insufficient, while if it exceeds 100 mol, purification of the obtained polymer may be difficult.

【0044】本発明で使用することのできる重合溶媒と
しては、例えば、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノ
ン、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムア
ミド、N,N−ジメチルアセトアミド、1−メチル−2
−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、γ−ブチロラクタ
ムなどを挙げることができ、テトラヒドロフラン、N,
N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトア
ミド、1−メチル−2−ピロリドンが好ましい。これら
の重合溶媒は、充分に乾燥してから用いることが好まし
い。
Examples of the polymerization solvent usable in the present invention include, for example, tetrahydrofuran, cyclohexanone, dimethyl sulfoxide, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, 1-methyl-2
-Pyrrolidone, γ-butyrolactone, γ-butyrolactam, etc., and tetrahydrofuran, N,
N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, 1-methyl-2-pyrrolidone are preferred. These polymerization solvents are preferably used after being sufficiently dried.

【0045】重合溶媒中における上記式(3),(4)
および(5)の化合物の総量の濃度は、通常、1〜10
0重量%、好ましくは5〜40重量%である。
The above formulas (3) and (4) in a polymerization solvent
The concentration of the total amount of the compound of (5) is usually 1 to 10
0% by weight, preferably 5 to 40% by weight.

【0046】また、上記重合体を重合する際の重合温度
は、通常、0〜200℃、好ましくは50〜80℃であ
る。また、重合時間は、通常、0.5〜100時間、好
ましくは1〜40時間である。なお、上記重合体のポリ
スチレン換算の重量平均分子量は、通常、1,000〜
1,000,000である。
The polymerization temperature at the time of polymerizing the above polymer is usually 0 to 200 ° C., preferably 50 to 80 ° C. The polymerization time is usually 0.5 to 100 hours, preferably 1 to 40 hours. The weight average molecular weight of the polymer in terms of polystyrene is usually 1,000 to 1,000.
1,000,000.

【0047】重合体(2);上記式(2)で表される重
合体(2)は、例えば、下記式(6)〜(8)に示す化
合物を含むモノマーを触媒系の存在下に重合することに
よって製造することができる。
Polymer (2): The polymer (2) represented by the above formula (2) is obtained by, for example, polymerizing a monomer containing a compound represented by the following formulas (6) to (8) in the presence of a catalyst system. It can be manufactured by doing.

【0048】[0048]

【化14】 Embedded image

【0049】[式(6)中、R7 〜R8 はそれぞれ独立
して炭素数1〜20の炭化水素基、シアノ基、ニトロ
基、炭素数1〜20のアルコキシル基、アリール基、ま
たはハロゲン原子、Xは−CQQ′−(ここで、Q,
Q′は同一であっても異なっていてもよく、ハロゲン化
アルキル基、アルキル基、水素原子、ハロゲン原子また
はアリール基を示す)に示す基、およびフルオレニレン
基からなる群から選ばれる少なくとも1種であり、b〜
cは0〜4の整数を示し、R16〜R17は水酸基、ハロゲ
ン原子、−OM基(Mはアルカリ金属である)からなる
群から選ばれる少なくとも1種を示す。]
[In the formula (6), R 7 to R 8 are each independently a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group, or a halogen atom. The atom, X is -CQQ'- (where Q,
Q ′ may be the same or different and is at least one selected from the group consisting of a halogenated alkyl group, an alkyl group, a hydrogen atom, a halogen atom or an aryl group), and a fluorenylene group Yes, b ~
c represents an integer of 0 to 4, and R 16 to R 17 represent at least one selected from the group consisting of a hydroxyl group, a halogen atom, and an —OM group (M is an alkali metal). ]

【0050】上記式(6)に示す化合物(モノマー)の
具体例としては、例えば、2,2−ビス(4−ヒドロキ
シフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−ヒド
ロキシフェニル)メタン、ビス(4−ヒドロキシフェニ
ル)ジフェニルメタン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ
−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,
2−ビス(4−ヒドロキシ−3−プロペニルフェニル)
ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキ
シ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−プ
ロペニルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ヒド
ロキシ−3,5−ジメチルフェニル)プロパン、2,2
−ビス(4−ヒドロキシ−3−フルオロフェニル)プロ
パン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジフル
オロフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−クロロフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−クロロフ
ェニル)メタン、ビス(4−クロロフェニル)ジフェニ
ルメタン、2,2−ビス(4−クロロ−3−メチルフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−ク
ロロ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス(4−クロロ−3,5−ジメチルフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−ク
ロロフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−クロロ−
3−メチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ク
ロロ−3−プロペニルフェニル)プロパン、2,2−ビ
ス(4−クロロ−3,5−ジメチルフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(4−クロロ−3−フルオロフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−クロロ−3,5−ジ
フルオロフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−クロ
ロフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−ブロ
モフェニル)メタン、ビス(4−ブロモフェニル)ジフ
ェニルメタン、2,2−ビス(4−ブロモ−3−メチル
フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4
−ブロモ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス(4−ブロモ−3,5−ジメチル
フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4
−ブロモフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−ブロ
モ−3−メチルフェニル)プロパン、2,2−ビス(4
−ブロモ−3−プロペニルフェニル)プロパン、2,2
−ビス(4−ブロモ−3,5−ジメチルフェニル)プロ
パン、2,2−ビス(4−ブロモ−3−フルオロフェニ
ル)プロパン、2,2−ビス(4−ブロモ−3,5−ジ
フルオロフェニル)プロパン、ビス(4−フルオロフェ
ニル)メタン、ビス(4−フルオロフェニル)ジフェニ
ルメタン、2,2−ビス(4−フルオロ−3−メチルフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−
フルオロ−3−プロペニルフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス(4−フルオロ−3,5−ジメチ
ルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス
(4−フルオロフェニル)プロパン、2,2−ビス(4
−フルオロ−3−メチルフェニル)プロパン、2,2−
ビス(4−フルオロ−3−プロペニルフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(4−フルオロ−3,5−ジメチルフ
ェニル)プロパン、2,2−ビス(4−フルオロ−3−
フルオロフェニル)プロパン、2,2−ビス(4−フル
オロ−3,5−ジフルオロフェニル)プロパンなどを挙
げることができる。上記化合物のうち、水酸基を有する
化合物は、ナトリウム、カリウムなどを含有する塩基性
化合物によって、水酸基を−OM基(Mはアルカリ金属
である)に置換させても良い。
Specific examples of the compound (monomer) represented by the above formula (6) include, for example, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, bis (4-hydroxyphenyl) methane, bis (4-hydroxyphenyl) methane (Hydroxyphenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) hexafluoropropane,
2-bis (4-hydroxy-3-propenylphenyl)
Hexafluoropropane, 2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-hydroxy-3- Methylphenyl) propane, 2,2-bis (4-hydroxy-3-propenylphenyl) propane, 2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2
-Bis (4-hydroxy-3-fluorophenyl) propane, 2,2-bis (4-hydroxy-3,5-difluorophenyl) propane, 2,2-bis (4-chlorophenyl) hexafluoropropane, bis (4 -Chlorophenyl) methane, bis (4-chlorophenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (4-chloro-3-methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-chloro-3-propenylphenyl) hexafluoropropane 2,2-bis (4-chloro-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-chlorophenyl) propane, 2,2-bis (4-chloro-
3-methylphenyl) propane, 2,2-bis (4-chloro-3-propenylphenyl) propane, 2,2-bis (4-chloro-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2-bis (4 -Chloro-3-fluorophenyl) propane, 2,2-bis (4-chloro-3,5-difluorophenyl) propane, 2,2-bis (4-chlorophenyl) hexafluoropropane, bis (4-bromophenyl) Methane, bis (4-bromophenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (4-bromo-3-methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4
-Bromo-3-propenylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-bromo-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4
-Bromophenyl) propane, 2,2-bis (4-bromo-3-methylphenyl) propane, 2,2-bis (4
-Bromo-3-propenylphenyl) propane, 2,2
-Bis (4-bromo-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2-bis (4-bromo-3-fluorophenyl) propane, 2,2-bis (4-bromo-3,5-difluorophenyl) Propane, bis (4-fluorophenyl) methane, bis (4-fluorophenyl) diphenylmethane, 2,2-bis (4-fluoro-3-methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-
Fluoro-3-propenylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-fluoro-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-fluorophenyl) propane, 2,2-bis (4
-Fluoro-3-methylphenyl) propane, 2,2-
Bis (4-fluoro-3-propenylphenyl) propane, 2,2-bis (4-fluoro-3,5-dimethylphenyl) propane, 2,2-bis (4-fluoro-3-
Fluorophenyl) propane and 2,2-bis (4-fluoro-3,5-difluorophenyl) propane. Among the above compounds, the compounds having a hydroxyl group may be substituted with a -OM group (M is an alkali metal) by a basic compound containing sodium, potassium or the like.

【0051】本発明においては、上記式(6)に示す化
合物を2種以上共重合することもできる。
In the present invention, two or more compounds represented by the above formula (6) can be copolymerized.

【0052】[0052]

【化15】 Embedded image

【0053】[式(7)中、R9 〜R10はそれぞれ独立
して炭素数1〜20の炭化水素基、シアノ基、ニトロ
基、炭素数1〜20のアルコキシル基、アリール基、ま
たはハロゲン原子、R18〜R19は水酸基、ハロゲン原
子、−OM基(Mはアルカリ金属である)からなる群か
ら選ばれる少なくとも1種を示し、Yは−O−,−CO
−,−COO−,−CONH−,−S−,−SO2 −お
よびフェニレン基の群から選ばれた少なくとも1種であ
り、aは0または1を示し、d〜eは0〜4の整数を示
す。]
[In the formula (7), R 9 to R 10 each independently represent a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group, or a halogen atom. And R 18 to R 19 represent at least one selected from the group consisting of a hydroxyl group, a halogen atom, and an —OM group (M is an alkali metal), and Y represents —O—, —CO
-, - COO -, - CONH -, - S -, - SO 2 - and at least one selected from the group consisting of phenylene group, a is 0 or 1, d-e is 0-4 integer Is shown. ]

【0054】上記式(7)に示す化合物としては、例え
ば、4,4′−ジクロロビフェニル、4,4′−ジブロ
モビフェニル、4,4′−ジフルオロビフェニル、4,
4′−ジヨードビフェニル、4,4′−ジヒドロキシビ
フェニル、4,4′−ジヒドロキシ−3,3′−ジプロ
ペニルビフェニル、4,4′−ジヒドロキシ−3,3′
−ジメチルビフェニル、4,4′−ジヒドロキシ−3,
3′−ジエチルビフェニル、4,4′−ジメチルヒドロ
キシ−3,3′,5,5′−テトラフルオロビフェニ
ル、4,4′−ジブロモオクタフルオロビフェニル、
4,4−ジヒドロキシオクタフルオロビフェニル、3,
3′−ジアリル−4,4′−ビス(4−ヒドロキシ)ビ
フェニル、4,4′−ジクロロ−2,2′−トリフルオ
ロメチルビフェニル、4,4′−ジブロモ−2,2′−
トリフルオロメチルビフェニル、4,4′−ジヨード−
2,2′−トリフルオロメチルビフェニル、ビス(4−
クロロフェニル)スルフォン、ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)スルフォン、ビス(4−クロロフェニル)エー
テル、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテル、4,
4′−ジクロロベンゾフェノン、4,4′−ジヒドロキ
シベンゾフェノン、2,4−ジクロロベンゾフェノン、
2,4−ジヒドロキシベンゾフェノンなどを挙げること
ができる。
The compounds represented by the above formula (7) include, for example, 4,4'-dichlorobiphenyl, 4,4'-dibromobiphenyl, 4,4'-difluorobiphenyl,
4'-diiodobiphenyl, 4,4'-dihydroxybiphenyl, 4,4'-dihydroxy-3,3'-dipropenylbiphenyl, 4,4'-dihydroxy-3,3 '
-Dimethylbiphenyl, 4,4'-dihydroxy-3,
3'-diethylbiphenyl, 4,4'-dimethylhydroxy-3,3 ', 5,5'-tetrafluorobiphenyl, 4,4'-dibromooctafluorobiphenyl,
4,4-dihydroxyoctafluorobiphenyl, 3,
3'-diallyl-4,4'-bis (4-hydroxy) biphenyl, 4,4'-dichloro-2,2'-trifluoromethylbiphenyl, 4,4'-dibromo-2,2'-
Trifluoromethylbiphenyl, 4,4'-diiodo-
2,2'-trifluoromethylbiphenyl, bis (4-
Chlorophenyl) sulfone, bis (4-hydroxyphenyl) sulfone, bis (4-chlorophenyl) ether, bis (4-hydroxyphenyl) ether, 4,
4'-dichlorobenzophenone, 4,4'-dihydroxybenzophenone, 2,4-dichlorobenzophenone,
2,4-dihydroxybenzophenone and the like can be mentioned.

【0055】上記化合物のうち、水酸基を有する化合物
は、ナトリウム、カリウムなどを含有する塩基性化合物
によって、水酸基を−OM基(Mはアルカリ金属であ
る)に置換させても良い。
Among the above compounds, the compounds having a hydroxyl group may be substituted with a -OM group (M is an alkali metal) by a basic compound containing sodium, potassium or the like.

【0056】上記式(7)に示す化合物は、1種単独で
または2種以上を組み合わせて用いることができる。
The compounds represented by the above formula (7) can be used alone or in combination of two or more.

【0057】[0057]

【化16】 Embedded image

【0058】[式(8)中、R11は、炭素数1〜20の
炭化水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜20のア
ルコキシル基、アリール基、またはハロゲン原子、R20
〜R21は、−OSO2 Z(ここで、Zはアルキル基、ハ
ロゲン化アルキル基またはアリール基を示す)、塩素原
子、臭素原子または沃素原子を示し、fは0〜4の整数
を示す。]
[0058] In the formula (8), R 11 is a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group, or a halogen atom,, R 20
To R 21 are, -OSO 2 Z (wherein, Z is an alkyl group, a halogenated alkyl group or an aryl group), a chlorine atom, a bromine atom or an iodine atom, f is an integer of 0-4. ]

【0059】上記式(8)に示す化合物としては、例え
ば、1,2−ジヒドロキシベンゼン、1,3−ジヒドロ
キシベンゼン、1,4−ジヒドロキシベンゼン、2,3
−ジヒドロキシトルエン、2,5−ジヒドロキシトルエ
ン、2,6−ジヒドロキシトルエン、3,4−ジヒドロ
キシトルエン、3,5−ジヒドロキシトルエン、o−ジ
クロロベンゼン、o−ジブロモベンゼン、o−ジヨード
ベンゼン、o−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、
2,3−ジクロロトルエン、2,3−ジブロモトルエ
ン、2,3−ジヨードトルエン、3,4−ジクロロトル
エン、3,4−ジブロモトルエン、3,4−ジヨードト
ルエン、2,3−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、
3,4−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、m−ジク
ロロベンゼン、m−ジブロモベンゼン、m−ジヨードベ
ンゼン、m−ジメチルスルフォニロキシベンゼン、2,
4−ジクロロトルエン、2,4−ジブロモトルエン、
2,4−ジヨードトルエン、3,5−ジクロロトルエ
ン、3,5−ジブロモトルエン、3,5−ジヨードトル
エン、2,6−ジクロロトルエン、2,6−ジブロモト
ルエン、2,6−ジヨードトルエン、3,5−ジメチル
スルフォニロキシトルエン、2,6−ジメチルスルフォ
ニロキシトルエン、2,4−ジクロロベンゾトリフルオ
ライド、2,4−ジブロモベンゾトリフルオライド、
2,4−ジヨードベンゾトリフルオライド、3,5−ジ
クロロベンゾトリフルオライド、3,5−ジブロモトリ
フルオライド、3,5−ジヨードベンゾトリフルオライ
ド、1,3−ジブロモ−2,4,5,6−テトラフルオ
ロベンゼン、2,4−ジクロロベンジルアルコール、
3,5−ジクロロベンジルアルコール、2,4−ジブロ
モベンジルアルコール、3,5−ジブロモベンジルアル
コール、3,5−ジクロロフェノール、3,5−ジブロ
モフェノール、3,5−ジクロロ−t−ブトキシカルボ
ニロキシフェニル、3,5−ジブロモ−t−ブトキシカ
ルボニロキシフェニル、2,4−ジクロロ安息香酸、
3,5−ジクロロ安息香酸、2,4−ジブロモ安息香
酸、3,5−ジブロモ安息香酸、2,4−ジクロロ安息
香酸メチル、3,5−ジクロロ安息香酸メチル、3,5
−ジブロモ安息香酸メチル、2,4−ジブロモ安息香酸
メチル、2,4−ジクロロ安息香酸−t−ブチル、3,
5−ジクロロ安息香酸−t−ブチル、2,4−ジブロモ
安息香酸−t−ブチル、3,5−ジブロモ安息香酸−t
−ブチルなどを挙げることもできる。
The compounds represented by the above formula (8) include, for example, 1,2-dihydroxybenzene, 1,3-dihydroxybenzene, 1,4-dihydroxybenzene, 2,3
-Dihydroxytoluene, 2,5-dihydroxytoluene, 2,6-dihydroxytoluene, 3,4-dihydroxytoluene, 3,5-dihydroxytoluene, o-dichlorobenzene, o-dibromobenzene, o-diiodobenzene, o- Dimethylsulfonyloxybenzene,
2,3-dichlorotoluene, 2,3-dibromotoluene, 2,3-diiodotoluene, 3,4-dichlorotoluene, 3,4-dibromotoluene, 3,4-diiodotoluene, 2,3-dimethylsulfone Phonyloxybenzene,
3,4-dimethylsulfonyloxybenzene, m-dichlorobenzene, m-dibromobenzene, m-diiodobenzene, m-dimethylsulfonyloxybenzene, 2,
4-dichlorotoluene, 2,4-dibromotoluene,
2,4-diiodotoluene, 3,5-dichlorotoluene, 3,5-dibromotoluene, 3,5-diiodotoluene, 2,6-dichlorotoluene, 2,6-dibromotoluene, 2,6-diiodo Toluene, 3,5-dimethylsulfonyloxytoluene, 2,6-dimethylsulfonyloxytoluene, 2,4-dichlorobenzotrifluoride, 2,4-dibromobenzotrifluoride,
2,4-diiodobenzotrifluoride, 3,5-dichlorobenzotrifluoride, 3,5-dibromotrifluoride, 3,5-diiodobenzotrifluoride, 1,3-dibromo-2,4,5,6 -Tetrafluorobenzene, 2,4-dichlorobenzyl alcohol,
3,5-dichlorobenzyl alcohol, 2,4-dibromobenzyl alcohol, 3,5-dibromobenzyl alcohol, 3,5-dichlorophenol, 3,5-dibromophenol, 3,5-dichloro-t-butoxycarbonyloxy Phenyl, 3,5-dibromo-t-butoxycarbonyloxyphenyl, 2,4-dichlorobenzoic acid,
3,5-dichlorobenzoic acid, 2,4-dibromobenzoic acid, 3,5-dibromobenzoic acid, methyl 2,4-dichlorobenzoate, methyl 3,5-dichlorobenzoate, 3,5
-Methyl dibromobenzoate, methyl 2,4-dibromobenzoate, t-butyl 2,4-dichlorobenzoate, 3,
T-butyl 5-dichlorobenzoate, t-butyl 2,4-dibromobenzoate, t-butyl 3,5-dibromobenzoate
-Butyl and the like.

【0060】上記化合物のうち、水酸基を有する化合物
は、ナトリウム、カリウムなどを含有する塩基性化合物
によって、水酸基を−OM基(Mはアルカリ金属であ
る)に置換させても良い。
Among the above compounds, the compounds having a hydroxyl group may be substituted with a -OM group (M is an alkali metal) by a basic compound containing sodium, potassium or the like.

【0061】上記式(8)に示す化合物は、1種単独で
または2種以上を組み合わせて用いることができる。
The compounds represented by the above formula (8) can be used alone or in combination of two or more.

【0062】上記式(2)で表される重合体中の繰り返
し構造単位の割合は、上記式(2)において、jは0〜
100モル%、kは0〜100モル%(ただし、j+k
=100モル%)である。
The proportion of the repeating structural unit in the polymer represented by the above formula (2) is such that in the above formula (2), j is from 0 to 0.
100 mol%, k is 0 to 100 mol% (however, j + k
= 100 mol%).

【0063】上記式(2)で表される重合体の合成方法
として、例えば、水酸基を2個有するジヒドロキシ化合
物とジハロゲン化化合物をアルカリ金属化合物の存在下
で、溶剤中で加熱することにより得られる。
As a method for synthesizing the polymer represented by the above formula (2), for example, the polymer is obtained by heating a dihydroxy compound having two hydroxyl groups and a dihalogenated compound in a solvent in the presence of an alkali metal compound. .

【0064】上記ジヒドロキシ化合物とジハロゲン化化
合物の使用割合は、ジヒドロキシ化合物が45〜55モ
ル%、好ましくは48〜52モル%、ジハロゲン化化合
物が55〜45モル%、好ましくは52〜48モル%で
ある。ジヒドロキシ化合物の使用割合が45モル%未満
の場合や55モル%を超えると、重合体の分子量が上昇
しにくく、塗膜の塗布性が劣る場合がある。
The dihydroxy compound and the dihalogenated compound are used in an amount of 45 to 55 mol%, preferably 48 to 52 mol%, and 55 to 45 mol%, preferably 52 to 48 mol%, of the dihydroxy compound. is there. When the use ratio of the dihydroxy compound is less than 45 mol% or more than 55 mol%, the molecular weight of the polymer hardly increases, and the coatability of the coating film may be poor.

【0065】この際使用するアルカリ金属化合物として
は、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸
化リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチ
ウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水
素リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水素
化リチウム、金属ナトリウム、金属カリウム、金属リチ
ウムなどを挙げることができる。これらは、1種または
2種以上を同時に使用しても良い。
The alkali metal compound used in this case includes, for example, sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium carbonate, sodium hydrogencarbonate, potassium hydrogencarbonate, lithium hydrogencarbonate, hydride Examples thereof include sodium, potassium hydride, lithium hydride, metal sodium, metal potassium, and metal lithium. These may be used alone or in combination of two or more.

【0066】アルカリ金属化合物の使用量は、ジヒドロ
キシ化合物に対して、通常、100〜400モル%、好
ましくは100〜250モル%である。
The amount of the alkali metal compound to be used is generally 100 to 400 mol%, preferably 100 to 250 mol%, based on the dihydroxy compound.

【0067】また、反応を促進させるため、金属銅、塩
化第一銅、塩化第二銅、臭化第一銅、臭化第二銅、ヨウ
化第一銅、ヨウ化第二銅、硫酸第一銅、硫酸第二銅、酢
酸第一銅、酢酸第二銅、ギ酸第一銅、ギ酸第二銅などの
助触媒を使用しても良い。この助触媒の使用量は、ジヒ
ドロキシ化合物に対し、通常、1〜50モル%、好まし
くは1〜30モル%である。
In order to accelerate the reaction, copper metal, cuprous chloride, cupric chloride, cuprous bromide, cupric bromide, cuprous iodide, cupric iodide, and sulfuric acid A co-catalyst such as cuprous copper, cupric sulfate, cuprous acetate, cupric acetate, cuprous formate, and cupric formate may be used. The amount of the cocatalyst to be used is generally 1 to 50 mol%, preferably 1 to 30 mol%, based on the dihydroxy compound.

【0068】反応に使用する溶剤としては、例えば、ピ
リジン、キノリン、ベンゾフェノン、ジフェニルエーテ
ル、ジアルコキシベンゼン(アルコキシル基の炭素数は
1〜4)、トリアルコキシベンゼン(アルコキシル基の
炭素数は1〜4)、ジフェニルスルホン、ジメチルスル
ホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホキシド、
ジエチルスルホン、ジイソプロピルスルホン、テトラヒ
ドロフラン、テトラヒドロチオフェン、スルホラン、N
−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリド
ン、ジメチルイミダゾリジノン、γ−ブチロラクトン、
ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミドなどを使
用することができる。これらは、1種または2種以上を
同時に使用しても良い。
Examples of the solvent used in the reaction include pyridine, quinoline, benzophenone, diphenyl ether, dialkoxybenzene (alkoxyl group has 1 to 4 carbon atoms), and trialkoxybenzene (alkoxyl group has 1 to 4 carbon atoms). , Diphenyl sulfone, dimethyl sulfoxide, dimethyl sulfone, diethyl sulfoxide,
Diethylsulfone, diisopropylsulfone, tetrahydrofuran, tetrahydrothiophene, sulfolane, N
-Methyl-2-pyrrolidone, N-ethyl-2-pyrrolidone, dimethylimidazolidinone, γ-butyrolactone,
Dimethylformamide, dimethylacetamide and the like can be used. These may be used alone or in combination of two or more.

【0069】式(2)で表される重合体を合成する際の
反応濃度としては、モノマーの重量を基準として、2〜
50重量%、反応温度としては50〜250℃である。
また、重合体合成時に生じる金属塩や未反応モノマーを
除去するため、反応溶液をろ過することや反応溶液を重
合体に対して貧溶剤である溶媒により再沈殿や酸性、ア
ルカリ性水溶液により洗浄することが好ましい。
The reaction concentration when synthesizing the polymer represented by the formula (2) is 2 to 2 based on the weight of the monomer.
50% by weight and the reaction temperature is 50 to 250 ° C.
Further, in order to remove metal salts and unreacted monomers generated during the synthesis of the polymer, the reaction solution is filtered, or the reaction solution is reprecipitated with a solvent that is a poor solvent for the polymer or washed with an acidic or alkaline aqueous solution. Is preferred.

【0070】このようにして得られる式(2)で表され
る重合体のGPC法による重量平均分子量は、通常、5
00〜500,000、好ましくは800〜100,0
00である。
The weight average molecular weight of the polymer represented by the formula (2) obtained by the GPC method is usually 5
00 to 500,000, preferably 800 to 100,0
00.

【0071】(B)成分 本発明の膜形成用組成物は、(A)成分と(B)成分を
含有する。(B)成分は、反応性基を有するシランカッ
プリング剤およびその加水分解縮合物もしくはいずれか
一方である。ここで、(B)反応性基を有するシランカ
ップリング剤としては、例えば、分子内に反応性の二
重結合基および三重結合基もしくはいずれか一方を含有
するアルコキシシラン化合物、分子内に反応性の二重
結合基および三重結合基もしくはいずれか一方を含有す
るアセトキシシラン化合物、分子内にトリル基を含有
するアルコキシシラン化合物、ならびに分子内にトリ
ル基を含有するアセトキシシラン化合物の群から選ばれ
る少なくとも1種が挙げられる。
Component (B) The film-forming composition of the present invention contains the components (A) and (B). The component (B) is a silane coupling agent having a reactive group and / or a hydrolytic condensate thereof. Here, (B) the silane coupling agent having a reactive group includes, for example, an alkoxysilane compound containing a reactive double bond group and / or a triple bond group in the molecule, and a reactive silane coupling agent in the molecule. An acetoxysilane compound containing a double bond group and / or a triple bond group, an alkoxysilane compound containing a tolyl group in the molecule, and at least one selected from the group consisting of an acetoxysilane compound containing a tolyl group in the molecule. One type is mentioned.

【0072】上記(B)反応性基を有するシランカップ
リング剤の具体例としては、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−n−プロ
ポキシシラン、ビニルトリ−i−プロポキシシラン、ビ
ニルトリ−n−ブトキシシラン、ビニルトリ−i−ブト
キシシラン、ビニルトリ−sec−ブトキシシラン、ビ
ニルトリ−t−ブトキシシラン、ジビニルジメトキシシ
ラン、ジビニルジエトキシシラン、ジビニルジ−n−プ
ロポキシシラン、ジビニルジ−i−プロポキシシラン、
ジビニルジ−n−ブトキシシラン、ジビニルジ−i−ブ
トキシシラン、ジビニルジ−sec−ブトキシシラン、
ジビニルジ−t−ブトキシシラン、トリビニルメトキシ
シラン、トリビニルエトキシシラン、トリビニル−n−
プロポキシシラン、トリビニル−i−プロポキシシラ
ン、トリビニル−n−ブトキシシラン、トリビニル−i
−ブトキシシラン、トリビニル−sec−ブトキシシラ
ン、トリビニル−t−ブトキシシラン、ビニルトリス
(2−メトキシエトキシ)シラン、ジビニルビス(2−
メトキシエトキシ)シラン、トリビニル(2−メトキシ
エトキシ)シラン;ビニルメチルジメトキシシラン、ビ
ニルメチルジエトキシシラン、ビニルエチルジメトキシ
シラン、ビニルエチルジエトキシシラン、ビニルフェニ
ルジメトキシシラン、ビニルフェニルジエトキシシラ
ン、ジビニルメチルメトキシシラン、ジビニルメチルエ
トキシシラン、ジビニルエチルメトキシシラン、ジビニ
ルエチルエトキシシラン、ジビニルフェニルメトキシシ
ラン、ジビニルフェニルエトキシシラン;1,3−ジビ
ニルテトラメトキシシロキサン、1,3−ジビニルテト
ラエトキシシロキサン、1,3−ジビニル−1,3−ジ
メチルジメトキシシロキサン、1,3−ジビニル−1,
3−ジメチルジエトキシシロキサン;ビニルトリアセト
キシシラン、ジビニルジアセトキシシラン、トリビニル
アセトキシシラン、ビニルメチルジアセトキシシラン、
ビニルエチルジアセトキシシラン、ビニルフェニルジア
セトキシシラン、ジビニルメチルアセトキシシラン、ジ
ビニルエチルアセトキシシラン、ジビニルフェニルアセ
トキシシラン、1,3−ジビニルテトラアセトキシシロ
キサン、1,3−ジビニル−1,3−ジメチルジアセト
キシシロキサン;(3−アクリロキシプロピル)ジメチ
ルメトキシシラン、(3−アクリロキシプロピル)ジメ
チルエトキシシラン、N−3−(アクリロキシ−2−ヒ
ドロプロピル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、N−3−(アクリロキシ−2−ヒドロプロピル)−
3−アミノプロピルトリエトキシシラン、(3−アクリ
ロキシプロピル)メチルジメトキシシラン、(3−アク
リロキシプロピル)メチルジエトキシシラン、(3−ア
クリロキシプロピル)トリメトキシシラン、(3−アク
リロキシプロピル)トリエトキシシラン、3−(N−ア
リルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3−(N−
アリルアミノ)プロピルトリエトキシシラン、アリルジ
メトキシシラン、アリルジエトキシシラン;エチニルト
リメトキシシラン、エチニルトリエトキシシラン、エチ
ニルトリ−n−プロポキシシラン、エチニルトリ−i−
プロポキシシラン、エチニルトリ−n−ブトキシシラ
ン、エチニルトリ−i−ブトキシシラン、エチニルトリ
−sec−ブトキシシラン、エチニルトリ−t−ブトキ
シシラン、ジエチニルジメトキシシラン、ジエチニルジ
エトキシシラン、ジエチニルジ−n−プロポキシシラ
ン、ジエチニルジ−i−プロポキシシラン、ジエチニル
ジ−n−ブトキシシラン、ジエチニルジ−i−ブトキシ
シラン、ジエチニルジ−sec−ブトキシシラン、ジエ
チニルジ−t−ブトキシシラン、トリエチニルメトキシ
シラン、トリエチニルエトキシシラン、トリエチニル−
n−プロポキシシラン、トリエチニル−i−プロポキシ
シラン、トリエチニル−n−ブトキシシラン、トリエチ
ニル−i−ブトキシシラン、トリエチニル−sec−ブ
トキシシラン、トリエチニル−t−ブトキシシラン、エ
チニルトリス(2−メトキシエトキシ)シラン、ジエチ
ニルビス(2−メトキシエトキシ)シラン、トリエチニ
ル(2−メトキシエトキシ)シラン;エチニルメチルジ
メトキシシラン、エチニルメチルジエトキシシラン、エ
チニルエチルジメトキシシラン、エチニルエチルジエト
キシシラン、エチニルフェニルジメトキシシラン、エチ
ニルフェニルジエトキシシラン、ジエチニルメチルメト
キシシラン、ジエチニルメチルエトキシシラン、ジエチ
ニルエチルメトキシシラン、ジエチニルエチルエトキシ
シラン、ジエチニルフェニルメトキシシラン、ジエチニ
ルフェニルエトキシシラン;1,3−ジエチニルテトラ
メトキシシロキサン、1,3−ジエチニルテトラエトキ
シシロキサン、1,3−ジエチニル−1,3−ジメチル
ジメトキシシロキサン、1,3−ジエチニル−1,3−
ジメチルジエトキシシロキサン;エチニルトリアセトキ
シシラン、ジエチニルジアセトキシシラン、トリエチニ
ルアセトキシシラン、エチニルメチルジアセトキシシラ
ン、エチニルエチルジアセトキシシラン、エチニルフェ
ニルジアセトキシシラン、ジエチニルメチルアセトキシ
シラン、ジエチニルエチルアセトキシシラン、ジエチニ
ルフェニルアセトキシシラン、1,3−ジエチニルテト
ラアセトキシシロキサン、1,3−ジエチニル1,3−
ジメチルジアセトキシシロキサン;(フェニルエチニ
ル)トリメトキシシラン、(フェニルエチニル)トリエ
トキシシラン、(フェニルエチニル)トリ−n−プロポ
キシシラン、(フェニルエチニル)トリ−i−プロポキ
シシラン、(フェニルエチニル)トリ−n−ブトキシシ
ラン、(フェニルエチニル)トリ−i−ブトキシシラ
ン、(フェニルエチニル)トリ−sec−ブトキシシラ
ン、(フェニルエチニル)トリ−t−ブトキシシラン、
ビス(フェニルエチニル)ジメトキシシラン、ビス(フ
ェニルエチニル)ジエトキシシラン、ビス(フェニルエ
チニル)ジ−n−プロポキシシラン、ビス(フェニルエ
チニル)ジ−i−プロポキシシラン、ビス(フェニルエ
チニル)ジ−n−ブトキシシラン、ビス(フェニルエチ
ニル)ジ−i−ブトキシシラン、ビス(フェニルエチニ
ル)ジ−sec−ブトキシシラン、ビス(フェニルエチ
ニル)ジ−t−ブトキシシラン、トリス(フェニルエチ
ニル)メトキシシラン、トリス(フェニルエチニル)エ
トキシシラン、トリス(フェニルエチニル)−n−プロ
ポキシシラン、トリス(フェニルエチニル)−i−プロ
ポキシシラン、トリス(フェニルエチニル)−n−ブト
キシシラン、トリス(フェニルエチニル)−i−ブトキ
シシラン、トリス(フェニルエチニル)−sec−ブト
キシシラン、トリス(フェニルエチニル)−t−ブトキ
シシラン、(フェニルエチニル)トリス(2−メトキシ
エトキシ)シラン、ビス(フェニルエチニル)ビス(2
−メトキシエトキシ)シラン、トリス(フェニルエチニ
ル)(2−メトキシエトキシ)シラン;(フェニルエチ
ニル)メチルジメトキシシラン、(フェニルエチニル)
メチルジエトキシシラン、(フェニルエチニル)エチル
ジメトキシシラン、(フェニルエチニルエチル)ジエト
キシシラン、(フェニルエチニル)フェニルジメトキシ
シラン、(フェニルエチニル)フェニルジエトキシシラ
ン、ビス(フェニルエチニル)メチルメトキシシラン、
ビス(フェニルエチニル)メチルエトキシシラン、ビス
(フェニルエチニル)エチルメトキシシラン、ビス(フ
ェニルエチニル)エチルエトキシシラン、ビス(フェニ
ルエチニル)フェニルメトキシシラン、ビス(フェニル
エチニル)フェニルエトキシシラン;1,3−ビス(フ
ェニルエチニル)テトラメトキシシロキサン、1,3−
ビス(フェニルエチニル)テトラエトキシシロキサン、
1,3−ビス(フェニルエチニル)−1,3−ジメチル
ジメトキシシロキサン、1,3−ビス(フェニルエチニ
ル)−1,3−ジメチルジエトキシシロキサン;(フェ
ニルエチニル)トリアセトキシシラン、ビス(フェニル
エチニル)ジアセトキシシラン、トリス(フェニルエチ
ニル)アセトキシシラン、(フェニルエチニル)メチル
ジアセトキシシラン、(フェニルエチニル)エチルジア
セトキシシラン、(フェニルエチニル)フェニルジアセ
トキシシラン、ビス(フェニルエチニル)メチルアセト
キシシラン、ビス(フェニルエチニル)エチルアセトキ
シシラン、ビス(フェニルエチニル)フェニルアセトキ
シシラン、1,3−ビス(フェニルエチニル)テトラア
セトキシシロキサン、1,3−ビス(フェニルエチニ
ル)−1,3−ジメチルジアセトキシシロキサン、ビス
(トリメトキシシリル)アセチレン、ビス(トリエトキ
シシリル)アセチレン;p−トリルトリメトキシシラ
ン、p−トリルトリエトキシシラン、p−トリルトリ−
n−プロポキシシラン、p−トリルトリ−i−プロポキ
シシラン、m−トリルトリメトキシシラン、m−トリル
トリエトキシシラン、m−トリルトリ−n−プロポキシ
シラン、m−トリルトリ−i−プロポキシシラン;p−
トリルトリアセトキシシラン、m−トリルトリアセトキ
シシランなどを挙げることができる。これらの(B)反
応性基を有するシランカップリング剤は、2種以上を同
時に使用してもよい。
Specific examples of the silane coupling agent (B) having a reactive group include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltri-n-propoxysilane, vinyltri-i-propoxysilane, and vinyltri-n-silane. Butoxysilane, vinyltri-i-butoxysilane, vinyltri-sec-butoxysilane, vinyltri-t-butoxysilane, divinyldimethoxysilane, divinyldiethoxysilane, divinyldi-n-propoxysilane, divinyldi-i-propoxysilane,
Divinyl di-n-butoxy silane, divinyl di-i-butoxy silane, divinyl di-sec-butoxy silane,
Divinyldi-t-butoxysilane, trivinylmethoxysilane, trivinylethoxysilane, trivinyl-n-
Propoxysilane, trivinyl-i-propoxysilane, trivinyl-n-butoxysilane, trivinyl-i
-Butoxysilane, trivinyl-sec-butoxysilane, trivinyl-t-butoxysilane, vinyltris (2-methoxyethoxy) silane, divinylbis (2-
Methoxyethoxy) silane, trivinyl (2-methoxyethoxy) silane; vinylmethyldimethoxysilane, vinylmethyldiethoxysilane, vinylethyldimethoxysilane, vinylethyldiethoxysilane, vinylphenyldimethoxysilane, vinylphenyldiethoxysilane, divinylmethylmethoxy Silane, divinylmethylethoxysilane, divinylethylmethoxysilane, divinylethylethoxysilane, divinylphenylmethoxysilane, divinylphenylethoxysilane; 1,3-divinyltetramethoxysiloxane, 1,3-divinyltetraethoxysiloxane, 1,3-divinyl -1,3-dimethyldimethoxysiloxane, 1,3-divinyl-1,
3-dimethyldiethoxysiloxane; vinyltriacetoxysilane, divinyldiacetoxysilane, trivinylacetoxysilane, vinylmethyldiacetoxysilane,
Vinylethyldiacetoxysilane, vinylphenyldiacetoxysilane, divinylmethylacetoxysilane, divinylethylacetoxysilane, divinylphenylacetoxysilane, 1,3-divinyltetraacetoxysiloxane, 1,3-divinyl-1,3-dimethyldiacetoxysiloxane ; (3-acryloxypropyl) dimethylmethoxysilane, (3-acryloxypropyl) dimethylethoxysilane, N-3- (acryloxy-2-hydropropyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (acryloxy) -2-hydropropyl)-
3-aminopropyltriethoxysilane, (3-acryloxypropyl) methyldimethoxysilane, (3-acryloxypropyl) methyldiethoxysilane, (3-acryloxypropyl) trimethoxysilane, (3-acryloxypropyl) tri Ethoxysilane, 3- (N-allylamino) propyltrimethoxysilane, 3- (N-
Allylamino) propyltriethoxysilane, allyldimethoxysilane, allyldiethoxysilane; ethynyltrimethoxysilane, ethynyltriethoxysilane, ethynyltri-n-propoxysilane, ethynyltri-i-
Propoxysilane, ethynyltri-n-butoxysilane, ethynyltri-i-butoxysilane, ethynyltri-sec-butoxysilane, ethynyltri-t-butoxysilane, diethynyldimethoxysilane, diethynylethoxysilane, diethynyl-n-propoxysilane, diethynyldi I-propoxysilane, diethynyldi-n-butoxysilane, diethynyldi-i-butoxysilane, diethynyldi-sec-butoxysilane, diethynyldi-t-butoxysilane, triethynylmethoxysilane, triethynylethoxysilane, triethynyl-
n-propoxysilane, triethynyl-i-propoxysilane, triethynyl-n-butoxysilane, triethynyl-i-butoxysilane, triethynyl-sec-butoxysilane, triethynyl-t-butoxysilane, ethynyltris (2-methoxyethoxy) silane, Diethynylbis (2-methoxyethoxy) silane, triethynyl (2-methoxyethoxy) silane; ethynylmethyldimethoxysilane, ethynylmethyldiethoxysilane, ethynylethyldimethoxysilane, ethynylethyldiethoxysilane, ethynylphenyldimethoxysilane, ethynylphenyldiethoxysilane , Diethynylmethylmethoxysilane, diethynylmethylethoxysilane, diethynylethylmethoxysilane, diethynylethylethoxysilane, diethini Phenylmethoxysilane, diethynylphenylethoxysilane; 1,3-diethynyltetramethoxysiloxane, 1,3-diethynyltetraethoxysiloxane, 1,3-diethynyl-1,3-dimethyldimethoxysiloxane, 1,3-diethynyl- 1,3-
Dimethyldiethoxysiloxane; ethynyltriacetoxysilane, diethynyldiacetoxysilane, triethynylacetoxysilane, ethynylmethyldiacetoxysilane, ethynylethyldiacetoxysilane, ethynylphenyldiacetoxysilane, diethynylmethylacetoxysilane, diethynylethylacetoxysilane , Diethynylphenylacetoxysilane, 1,3-diethynyltetraacetoxysiloxane, 1,3-diethynyl 1,3-
Dimethyldiacetoxysiloxane; (phenylethynyl) trimethoxysilane, (phenylethynyl) triethoxysilane, (phenylethynyl) tri-n-propoxysilane, (phenylethynyl) tri-i-propoxysilane, (phenylethynyl) tri-n -Butoxysilane, (phenylethynyl) tri-i-butoxysilane, (phenylethynyl) tri-sec-butoxysilane, (phenylethynyl) tri-t-butoxysilane,
Bis (phenylethynyl) dimethoxysilane, bis (phenylethynyl) diethoxysilane, bis (phenylethynyl) di-n-propoxysilane, bis (phenylethynyl) di-i-propoxysilane, bis (phenylethynyl) di-n- Butoxysilane, bis (phenylethynyl) di-i-butoxysilane, bis (phenylethynyl) di-sec-butoxysilane, bis (phenylethynyl) di-t-butoxysilane, tris (phenylethynyl) methoxysilane, tris (phenyl Ethynyl) ethoxysilane, tris (phenylethynyl) -n-propoxysilane, tris (phenylethynyl) -i-propoxysilane, tris (phenylethynyl) -n-butoxysilane, tris (phenylethynyl) -i-butoxysilane, tris Phenylethynyl)-sec-butoxysilane, tris (phenylethynyl)-t-butoxysilane, (phenylethynyl) tris (2-methoxyethoxy) silane, bis (phenylethynyl) bis (2
-Methoxyethoxy) silane, tris (phenylethynyl) (2-methoxyethoxy) silane; (phenylethynyl) methyldimethoxysilane, (phenylethynyl)
Methyldiethoxysilane, (phenylethynyl) ethyldimethoxysilane, (phenylethynylethyl) diethoxysilane, (phenylethynyl) phenyldimethoxysilane, (phenylethynyl) phenyldiethoxysilane, bis (phenylethynyl) methylmethoxysilane,
Bis (phenylethynyl) methylethoxysilane, bis (phenylethynyl) ethylmethoxysilane, bis (phenylethynyl) ethylethoxysilane, bis (phenylethynyl) phenylmethoxysilane, bis (phenylethynyl) phenylethoxysilane; 1,3-bis (Phenylethynyl) tetramethoxysiloxane, 1,3-
Bis (phenylethynyl) tetraethoxysiloxane,
1,3-bis (phenylethynyl) -1,3-dimethyldimethoxysiloxane, 1,3-bis (phenylethynyl) -1,3-dimethyldiethoxysiloxane; (phenylethynyl) triacetoxysilane, bis (phenylethynyl) Diacetoxysilane, tris (phenylethynyl) acetoxysilane, (phenylethynyl) methyldiacetoxysilane, (phenylethynyl) ethyldiacetoxysilane, (phenylethynyl) phenyldiacetoxysilane, bis (phenylethynyl) methylacetoxysilane, bis ( Phenylethynyl) ethylacetoxysilane, bis (phenylethynyl) phenylacetoxysilane, 1,3-bis (phenylethynyl) tetraacetoxysiloxane, 1,3-bis (phenylethynyl) -1,3-dimethyl Luzia Seto alkoxy siloxane, bis (trimethoxysilyl) acetylene, bis (triethoxysilyl) acetylene; p-tolyl trimethoxysilane, p- tolyl triethoxysilane, p- Torirutori -
n-propoxysilane, p-tolyltri-i-propoxysilane, m-tolyltrimethoxysilane, m-tolyltriethoxysilane, m-tolyltri-n-propoxysilane, m-tolyltri-i-propoxysilane; p-
Tolyl triacetoxy silane, m-tolyl triacetoxy silane and the like can be mentioned. Two or more of these (B) silane coupling agents having a reactive group may be used simultaneously.

【0073】(B)成分としては、上記のような反応性
基を有するシランカップリング剤そのもののほかに、こ
れらのシランカップリング剤の加水分解物およびその縮
合物もしくはいずれか一方(以下、これらを総称して
「加水分解縮合物」ともいう)を用いてもよい。
As the component (B), in addition to the silane coupling agent having a reactive group as described above, a hydrolyzate of these silane coupling agents and / or a condensate thereof (hereinafter, these silane coupling agents are referred to as component (B)) May be collectively referred to as “hydrolysis condensate”).

【0074】上記化合物〜の群から選ばれた少なく
とも1種のシランカップリング剤を加水分解、縮合させ
る際には、化合物〜1モル当たり0.5モルを超え
150モル以下の水を用いることが好ましく、0.5モ
ルを超え130モルの水を加えることが特に好ましい。
In hydrolyzing and condensing at least one silane coupling agent selected from the group of the above-mentioned compounds, water of more than 0.5 mol and 150 mol or less per 1 mol of the compound may be used. It is particularly preferred to add more than 0.5 mol and 130 mol of water.

【0075】(B)成分となる加水分解縮合物を製造す
るに際しては、上記化合物〜の群から選ばれた少な
くとも1種のシランカップリング剤を加水分解、縮合さ
せる際に、触媒を用いても良い。この際に用いることの
できる触媒としては、金属キレート化合物、酸触媒、ア
ルカリ触媒が挙げられる。
In producing the hydrolysis-condensation product serving as the component (B), a catalyst may be used when hydrolyzing and condensing at least one silane coupling agent selected from the group consisting of the above compounds. good. Examples of the catalyst that can be used at this time include a metal chelate compound, an acid catalyst, and an alkali catalyst.

【0076】ここで、金属キレート化合物としては、例
えば、トリエトキシ・モノ(アセチルアセトナート)チ
タン、トリ−n−プロポキシ・モノ(アセチルアセトナ
ート)チタン、トリ−i−プロポキシ・モノ(アセチル
アセトナート)チタン、トリ−n−ブトキシ・モノ(ア
セチルアセトナート)チタン、トリ−sec−ブトキシ
・モノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ−t−ブ
トキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、ジエト
キシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−n−
プロポキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ
−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタ
ン、ジ−n−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)
チタン、ジ−sec−ブトキシ・ビス(アセチルアセト
ナート)チタン、ジ−t−ブトキシ・ビス(アセチルア
セトナート)チタン、モノエトキシ・トリス(アセチル
アセトナート)チタン、モノ−n−プロポキシ・トリス
(アセチルアセトナート)チタン、モノ−i−プロポキ
シ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、モノ−n
−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、
モノ−sec−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナー
ト)チタン、モノ−t−ブトキシ・トリス(アセチルア
セトナート)チタン、テトラキス(アセチルアセトナー
ト)チタン、トリエトキシ・モノ(エチルアセトアセテ
ート)チタン、トリ−n−プロポキシ・モノ(エチルア
セトアセテート)チタン、トリ−i−プロポキシ・モノ
(エチルアセトアセテート)チタン、トリ−n−ブトキ
シ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、トリ−s
ec−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタ
ン、トリ−t−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテー
ト)チタン、ジエトキシ・ビス(エチルアセトアセテー
ト)チタン、ジ−n−プロポキシ・ビス(エチルアセト
アセテート)チタン、ジ−i−プロポキシ・ビス(エチ
ルアセトアセテート)チタン、ジ−n−ブトキシ・ビス
(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−sec−ブト
キシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−t
−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、
モノエトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタ
ン、モノ−n−プロポキシ・トリス(エチルアセトアセ
テート)チタン、モノ−i−プロポキシ・トリス(エチ
ルアセトアセテート)チタン、モノ−n−ブトキシ・ト
リス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ−sec
−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタ
ン、モノ−t−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテ
ート)チタン、テトラキス(エチルアセトアセテート)
チタン、モノ(アセチルアセトナート)トリス(エチル
アセトアセテート)チタン、ビス(アセチルアセトナー
ト)ビス(エチルアセトアセテート)チタン、トリス
(アセチルアセトナート)モノ(エチルアセトアセテー
ト)チタンなどのチタンキレート化合物;トリエトキシ
・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−
n−プロポキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコ
ニウム、トリ−i−プロポキシ・モノ(アセチルアセト
ナート)ジルコニウム、トリ−n−ブトキシ・モノ(ア
セチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−sec−ブ
トキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、
トリ−t−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジ
ルコニウム、ジエトキシ・ビス(アセチルアセトナー
ト)ジルコニウム、ジ−n−プロポキシ・ビス(アセチ
ルアセトナート)ジルコニウム、ジ−i−プロポキシ・
ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジ−n−
ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウ
ム、ジ−sec−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナー
ト)ジルコニウム、ジ−t−ブトキシ・ビス(アセチル
アセトナート)ジルコニウム、モノエトキシ・トリス
(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−n−プ
ロポキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウ
ム、モノ−i−プロポキシ・トリス(アセチルアセトナ
ート)ジルコニウム、モノ−n−ブトキシ・トリス(ア
セチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−sec−ブ
トキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウ
ム、モノ−t−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナー
ト)ジルコニウム、テトラキス(アセチルアセトナー
ト)ジルコニウム、トリエトキシ・モノ(エチルアセト
アセテート)ジルコニウム、トリ−n−プロポキシ・モ
ノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリ−i
−プロポキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコ
ニウム、トリ−n−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセ
テート)ジルコニウム、トリ−sec−ブトキシ・モノ
(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリ−t−
ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウ
ム、ジエトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジル
コニウム、ジ−n−プロポキシ・ビス(エチルアセトア
セテート)ジルコニウム、ジ−i−プロポキシ・ビス
(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−n−ブ
トキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウ
ム、ジ−sec−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテ
ート)ジルコニウム、ジ−t−ブトキシ・ビス(エチル
アセトアセテート)ジルコニウム、モノエトキシ・トリ
ス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ−n
−プロポキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジル
コニウム、モノ−i−プロポキシ・トリス(エチルアセ
トアセテート)ジルコニウム、モノ−n−ブトキシ・ト
リス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ−
sec−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)
ジルコニウム、モノ−t−ブトキシ・トリス(エチルア
セトアセテート)ジルコニウム、テトラキス(エチルア
セトアセテート)ジルコニウム、モノ(アセチルアセト
ナート)トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウ
ム、ビス(アセチルアセトナート)ビス(エチルアセト
アセテート)ジルコニウム、トリス(アセチルアセトナ
ート)モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウムな
どのジルコニウムキレート化合物;トリス(アセチルア
セトナート)アルミニウム、トリス(エチルアセトアセ
テート)アルミニウムなどのアルミニウムキレート化合
物;などを挙げることができ、好ましくはチタンまたは
アルミニウムのキレート化合物、特に好ましくはチタン
のキレート化合物を挙げることができる。これらの金属
キレート化合物は、1種あるいは2種以上を同時に使用
しても良い。
Here, examples of the metal chelate compound include triethoxy mono (acetylacetonate) titanium, tri-n-propoxy mono (acetylacetonate) titanium, and tri-i-propoxy mono (acetylacetonate). Titanium, tri-n-butoxy mono (acetylacetonate) titanium, tri-sec-butoxy mono (acetylacetonate) titanium, tri-t-butoxy mono (acetylacetonate) titanium, diethoxy bis (acetylacetonate) Nart) titanium, di-n-
Propoxy bis (acetylacetonate) titanium, di-i-propoxy bis (acetylacetonate) titanium, di-n-butoxybis (acetylacetonate)
Titanium, di-sec-butoxybis (acetylacetonato) titanium, di-t-butoxybis (acetylacetonato) titanium, monoethoxytris (acetylacetonato) titanium, mono-n-propoxytris (acetyl) Acetonato) titanium, mono-i-propoxy-tris (acetylacetonato) titanium, mono-n
-Butoxy-tris (acetylacetonate) titanium,
Mono-sec-butoxy tris (acetylacetonate) titanium, mono-t-butoxy tris (acetylacetonate) titanium, tetrakis (acetylacetonate) titanium, triethoxy mono (ethylacetoacetate) titanium, tri-n- Propoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-i-propoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-n-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-s
ec-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-t-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n-propoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, Di-i-propoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n-butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-sec-butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-t
-Butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium,
Monoethoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-n-propoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-i-propoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate) ) Titanium, mono-sec
-Butoxy-tris (ethylacetoacetate) titanium, mono-t-butoxytris (ethylacetoacetate) titanium, tetrakis (ethylacetoacetate)
Titanium chelating compounds such as titanium, mono (acetylacetonate) tris (ethylacetoacetate) titanium, bis (acetylacetonate) bis (ethylacetoacetate) titanium, tris (acetylacetonate) mono (ethylacetoacetate) titanium; triethoxy・ Mono (acetylacetonate) zirconium, tri-
n-propoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-i-propoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-n-butoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-sec-butoxy mono (acetylacetonate) Nart) zirconium,
Tri-t-butoxy mono (acetylacetonate) zirconium, diethoxybis (acetylacetonato) zirconium, di-n-propoxybis (acetylacetonato) zirconium, di-i-propoxy.
Bis (acetylacetonate) zirconium, di-n-
Butoxy bis (acetylacetonate) zirconium, di-sec-butoxy bis (acetylacetonate) zirconium, di-t-butoxybis (acetylacetonate) zirconium, monoethoxy tris (acetylacetonate) zirconium, mono -N-propoxy tris (acetylacetonate) zirconium, mono-i-propoxy tris (acetylacetonate) zirconium, mono-n-butoxy tris (acetylacetonate) zirconium, mono-sec-butoxy tris (acetyl) (Acetonate) zirconium, mono-t-butoxy tris (acetylacetonate) zirconium, tetrakis (acetylacetonate) zirconium, triethoxy mono (ethylacetoacetate) zirconium Tri -n- propoxy mono (ethylacetoacetate) zirconium, tri -i
-Propoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-n-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-sec-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-t-
Butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di-n-propoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di-i-propoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di- n-butoxybis (ethylacetoacetate) zirconium, di-sec-butoxybis (ethylacetoacetate) zirconium, di-t-butoxybis (ethylacetoacetate) zirconium, monoethoxytris (ethylacetoacetate) zirconium , Mono-n
-Propoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-i-propoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-
sec-butoxy tris (ethyl acetoacetate)
Zirconium, mono-t-butoxy tris (ethylacetoacetate) zirconium, tetrakis (ethylacetoacetate) zirconium, mono (acetylacetonate) tris (ethylacetoacetate) zirconium, bis (acetylacetonate) bis (ethylacetoacetate) Zirconium chelate compounds such as zirconium and tris (acetylacetonate) mono (ethylacetoacetate) zirconium; aluminum chelate compounds such as tris (acetylacetonate) aluminum and tris (ethylacetoacetate) aluminum; Is a chelate compound of titanium or aluminum, particularly preferably a chelate compound of titanium. These metal chelate compounds may be used alone or in combination of two or more.

【0077】酸触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、硫
酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸、シュウ酸などの無機酸;
酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン
酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シ
ュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セ
バシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン
酸、シキミ酸、2−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ス
テアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、
安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−トルエンスルホン
酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢
酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン
酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石
酸、コハク酸、フマル酸、イタコン酸、メサコン酸、シ
トラコン酸、リンゴ酸、グルタル酸の加水分解物、無水
マレイン酸の加水分解物、無水フタル酸の加水分解物な
どの有機酸を挙げることができ、有機酸をより好ましい
例として挙げることができる。これらの化合物は、1種
あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
Examples of the acid catalyst include inorganic acids such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, boric acid and oxalic acid;
Acetic acid, propionic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, oxalic acid, maleic acid, methylmalonic acid, adipic acid, sebacic acid, gallic acid, butyric acid, melitic acid, Arachidonic acid, shikimic acid, 2-ethylhexanoic acid, oleic acid, stearic acid, linoleic acid, linoleic acid, salicylic acid,
Benzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, monochloroacetic acid, dichloroacetic acid, trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid, formic acid, malonic acid, sulfonic acid, phthalic acid, fumaric acid, citric acid, tartaric acid And organic acids such as succinic acid, fumaric acid, itaconic acid, mesaconic acid, citraconic acid, malic acid, a hydrolyzate of glutaric acid, a hydrolyzate of maleic anhydride, and a hydrolyzate of phthalic anhydride. And organic acids can be mentioned as more preferred examples. These compounds may be used alone or in combination of two or more.

【0078】アルカリ触媒としては、例えば、水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、ピリジ
ン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、
ピコリン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロ
オクタン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウン
デセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド、テ
トラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラ
ブチルアンモニウムハイドロオキサイド、アンモニア、
メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチル
アミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ペンチルア
ミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、
N,N−ジメチルアミン、N,N−ジエチルアミン、
N,N−ジプロピルアミン、N,N−ジブチルアミン、
トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルア
ミン、トリブチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリ
メチルイミジン、1−アミノ−3−メチルブタン、ジメ
チルグリシン、3−アミノ−3−メチルアミンなどを挙
げることができ、より好ましくは有機アミンであり、ア
ンモニア、アルキルアミンおよびテトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイドがシリカ系膜の基板への密着性
の点から特に好ましい。これらのアルカリ触媒は、1種
あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
Examples of the alkali catalyst include sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, pyridine, pyrrole, piperazine, pyrrolidine, piperidine,
Picoline, monoethanolamine, diethanolamine, dimethylmonoethanolamine, monomethyldiethanolamine, triethanolamine, diazabicyclooctane, diazabicyclononane, diazabicycloundecene, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium Hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, ammonia,
Methylamine, ethylamine, propylamine, butylamine, pentylamine, hexylamine, pentylamine, octylamine, nonylamine, decylamine,
N, N-dimethylamine, N, N-diethylamine,
N, N-dipropylamine, N, N-dibutylamine,
Trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, cyclohexylamine, trimethylimidine, 1-amino-3-methylbutane, dimethylglycine, 3-amino-3-methylamine, and the like, and more preferably an organic amine Yes, ammonia, alkylamine and tetramethylammonium hydroxide are particularly preferred in view of the adhesion of the silica-based film to the substrate. One or two or more of these alkali catalysts may be used simultaneously.

【0079】上記触媒の使用量は、化合物〜中の総
量1モルに対して、通常、0.000001〜10モ
ル、好ましくは0.000005〜5モルである。触媒
の使用量が上記範囲内であれば、反応中の(B)成分の
析出やゲル化の恐れが少ない。
The amount of the catalyst to be used is generally 0.000001 to 10 mol, preferably 0.000005 to 5 mol, per 1 mol of the total amount of the compounds. When the amount of the catalyst used is within the above range, there is little risk of precipitation of the component (B) and gelation during the reaction.

【0080】(B)加水分解縮合物の合成には、アルコ
ール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系
溶媒および非プロトン系溶媒の群から選ばれた少なくと
も1種の中で行うことができる。ここで、アルコール系
溶媒としては、メタノール、エタノール、n−プロパノ
ール、i−プロパノール、n−ブタノール、i−ブタノ
ール、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ペン
タノール、i−ペンタノール、2−メチルブタノール、
sec−ペンタノール、t−ペンタノール、3−メトキ
シブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノ
ール、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、
sec−ヘプタノール、ヘプタノール−3、n−オクタ
ノール、2−エチルヘキサノール、sec−オクタノー
ル、n−ノニルアルコール、2,6−ジメチルヘプタノ
ール−4、n−デカノール、sec−ウンデシルアルコ
ール、トリメチルノニルアルコール、sec−テトラデ
シルアルコール、sec−ヘプタデシルアルコール、フ
ェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノ
ール、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノール、ベ
ンジルアルコール、ジアセトンアルコールなどのモノア
ルコール系溶媒;
(B) The hydrolysis condensate is synthesized in at least one selected from the group consisting of alcohol solvents, ketone solvents, amide solvents, ester solvents and aprotic solvents. it can. Here, as the alcohol solvent, methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-pentanol, i-pentanol, 2-methyl Butanol,
sec-pentanol, t-pentanol, 3-methoxybutanol, n-hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol,
sec-heptanol, heptanol-3, n-octanol, 2-ethylhexanol, sec-octanol, n-nonyl alcohol, 2,6-dimethylheptanol-4, n-decanol, sec-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, mono-alcohol solvents such as sec-tetradecyl alcohol, sec-heptadecyl alcohol, phenol, cyclohexanol, methylcyclohexanol, 3,3,5-trimethylcyclohexanol, benzyl alcohol, diacetone alcohol;

【0081】エチレングリコール、1,2−プロピレン
グリコール、1,3−ブチレングリコール、ペンタンジ
オール−2,4、2−メチルペンタンジオール−2,
4、ヘキサンジオール−2,5、ヘプタンジオール−
2,4、2−エチルヘキサンジオール−1,3、ジエチ
レングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレ
ングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価ア
ルコール系溶媒;エチレングリコールモノメチルエーテ
ル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコール
モノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシル
エーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、
エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、
ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多
価アルコール部分エーテル系溶媒;などを挙げることが
できる。これらのアルコール系溶媒は、1種あるいは2
種以上を同時に使用してもよい。
Ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, pentanediol-2,4,2-methylpentanediol-2,
4, hexanediol-2,5, heptanediol-
Polyhydric alcohol solvents such as 2,4,2-ethylhexanediol-1,3, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol and tripropylene glycol; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl Ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether,
Ethylene glycol mono-2-ethyl butyl ether,
Diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether , Dipropylene glycol monoethyl ether,
Polyhydric alcohol partial ether solvents such as dipropylene glycol monopropyl ether; and the like. These alcohol solvents may be used alone or in combination.
More than one species may be used simultaneously.

【0082】ケトン系溶媒としては、アセトン、メチル
エチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−
n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−i−ブチ
ルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、エチル−n−
ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−i−
ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノ
ン、シクロヘキサノン、2−ヘキサノン、メチルシクロ
ヘキサノン、2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセ
トン、アセトフェノン、フェンチョンなどのほか、アセ
チルアセトン、2,4−ヘキサンジオン、2,4−ヘプ
タンジオン、3,5−ヘプタンジオン、2,4−オクタ
ンジオン、3,5−オクタンジオン、2,4−ノナンジ
オン、3,5−ノナンジオン、5−メチル−2,4−ヘ
キサンジオン、2,2,6,6−テトラメチル−3,5
−ヘプタンジオン、1,1,1,5,5,5−ヘキサフ
ルオロ−2,4−ヘプタンジオンなどのβ−ジケトン類
などが挙げられる。これらのケトン系溶媒は、1種ある
いは2種以上を同時に使用してもよい。
Examples of the ketone solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl n-propyl ketone, methyl
n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-i-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, ethyl-n-
Butyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, di-i-
In addition to butyl ketone, trimethylnonanone, cyclopentanone, cyclohexanone, 2-hexanone, methylcyclohexanone, 2,4-pentanedione, acetonylacetone, acetophenone, and fenchone, acetylacetone, 2,4-hexanedione, 2,4 -Heptanedione, 3,5-heptanedion, 2,4-octanedione, 3,5-octanedione, 2,4-nonanedione, 3,5-nonanedione, 5-methyl-2,4-hexanedione, 2, 2,6,6-tetramethyl-3,5
Β-diketones such as -heptanedione and 1,1,1,5,5,5-hexafluoro-2,4-heptanedione. These ketone solvents may be used alone or in combination of two or more.

【0083】アミド系溶媒としては、ホルムアミド、N
−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N−エチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルム
アミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、N−エチルアセトアミド、
N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチルプロピオン
アミド、N−メチルピロリドン、N−ホルミルモルホリ
ン、N−ホルミルピペリジン、N−ホルミルピロリジ
ン、N−アセチルモルホリン、N−アセチルピペリジ
ン、N−アセチルピロリジンなどが挙げられる。これら
のアミド系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用
してもよい。
The amide solvents include formamide, N
-Methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-ethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide,
N-dimethylacetamide, N-ethylacetamide,
N, N-diethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone, N-formylmorpholine, N-formylpiperidine, N-formylpyrrolidine, N-acetylmorpholine, N-acetylpiperidine, N-acetylpyrrolidine and the like. Can be One or two or more of these amide solvents may be used simultaneously.

【0084】エステル系溶媒としては、ジエチルカーボ
ネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチ
ル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ
−バレロラクトン、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピ
ル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−ブ
チル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸
3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エ
チルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、
酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸
n−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢
酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレ
ングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコール
モノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−
n−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメ
チルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテ
ル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢
酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジ
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリ
コール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エ
チル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i−アミ
ル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミ
ル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジ
エチルなどが挙げられる。これらのエステル系溶媒は、
1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
Examples of the ester solvents include diethyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate, diethyl carbonate, methyl acetate, ethyl acetate, γ-butyrolactone, γ
Valerolactone, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methylpentyl acetate, acetic acid 2-ethylbutyl, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate,
Cyclohexyl acetate, methylcyclohexyl acetate, n-nonyl acetate, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl acetate, diethylene glycol mono-acetate
n-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, glycol diacetate, acetic acid Methoxy triglycol, ethyl propionate, n-butyl propionate, i-amyl propionate, diethyl oxalate, di-n-butyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate, n-butyl lactate, n-amyl lactate, malonic acid Examples thereof include diethyl, dimethyl phthalate, and diethyl phthalate. These ester solvents are
One type or two or more types may be used simultaneously.

【0085】非プロトン系溶媒としては、アセトニトリ
ル、ジメチルスルホキシド、N,N,N´,N´−テト
ラエチルスルファミド、ヘキサメチルリン酸トリアミ
ド、N−メチルモルホロン、N−メチルピロール、N−
エチルピロール、N−メチル−Δ3 −ピロリン、N−メ
チルピペリジン、N−エチルピペリジン、N,N−ジメ
チルピペラジン、N−メチルイミダゾール、N−メチル
−4−ピペリドン、N−メチル−2−ピペリドン、N−
メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミ
ダゾリジノン、1,3−ジメチルテトラヒドロ−2(1
H)−ピリミジノンなどを挙げることができる。これら
の非プロトン系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に
使用してもよい。
Examples of the aprotic solvents include acetonitrile, dimethyl sulfoxide, N, N, N ', N'-tetraethylsulfamide, hexamethylphosphoric triamide, N-methylmorpholone, N-methylpyrrole, and N-methylpyrrole.
Ethylpyrrole, N-methyl-Δ3-pyrroline, N-methylpiperidine, N-ethylpiperidine, N, N-dimethylpiperazine, N-methylimidazole, N-methyl-4-piperidone, N-methyl-2-piperidone, N −
Methyl-2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-dimethyltetrahydro-2 (1
H) -pyrimidinone and the like. These aprotic solvents may be used alone or in combination of two or more.

【0086】(B)シランカップリング剤を加水分解・
縮合するには、例えば、化合物〜を溶解させた溶媒
中に、水または溶媒で希釈した水を断続的あるいは連続
的に添加する。この際、触媒は、溶媒中に予め添加して
おいてもよいし、水添加時に水中に溶解あるいは分散さ
せておいてもよい。この際の反応温度としては、通常、
0〜100℃、好ましくは15〜90℃である。
(B) Hydrolysis of silane coupling agent
For the condensation, for example, water or water diluted with the solvent is intermittently or continuously added to a solvent in which the compound is dissolved. At this time, the catalyst may be added to the solvent in advance, or may be dissolved or dispersed in water at the time of adding water. The reaction temperature at this time is usually
It is 0-100 degreeC, Preferably it is 15-90 degreeC.

【0087】このようにして得られる(B)シランカッ
プリング剤の加水分解縮合物のポリスチレン換算の重量
平均分子量は、通常、300〜100,000、好まし
くは300〜20,000である。
The weight-average molecular weight in terms of polystyrene of the hydrolyzed condensate of the silane coupling agent (B) thus obtained is usually from 300 to 100,000, preferably from 300 to 20,000.

【0088】組成物中の(A)成分と(B)成分の使用
割合は、(A)成分100重量部に対して(B)成分
0.001〜10重量部であり、好ましくは0.005
〜8重量部である。(B)成分の使用割合が0.001
重量部未満であると、基板に対する塗膜の密着性が損な
われる場合があり、一方、10重量部を超えると、塗膜
の耐熱性が劣る場合がある。
The proportion of the components (A) and (B) in the composition is 0.001 to 10 parts by weight, preferably 0.005 parts by weight, per 100 parts by weight of the component (A).
88 parts by weight. (B) The use ratio of the component is 0.001.
If the amount is less than 10 parts by weight, the adhesion of the coating film to the substrate may be impaired, while if it exceeds 10 parts by weight, the heat resistance of the coating film may be poor.

【0089】(C)有機溶剤 本発明の膜形成用組成物は、(A)成分と(B)成分を
(C)有機溶剤に溶解または分散してなる。本発明に使
用する(C)有機溶剤としては、例えば、n−ペンタ
ン、i−ペンタン、n−ヘキサン、i−ヘキサン、n−
ヘプタン、i−ヘプタン、2,2,4−トリメチルペン
タン、n−オクタン、i−オクタン、シクロヘキサン、
メチルシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒;ベ
ンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメ
チルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n−プロピルベ
ンセン、i−プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、i
−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−i−プロ
ピルベンセン、n−アミルナフタレン、トリメチルベン
ゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒;メタノール、エタノ
ール、n−プロパノール、i−プロパノール、n−ブタ
ノール、i−ブタノール、sec−ブタノール、t−ブ
タノール、n−ペンタノール、i−ペンタノール、2−
メチルブタノール、sec−ペンタノール、t−ペンタ
ノール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、
2−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、2−
エチルブタノール、sec−ヘプタノール、ヘプタノー
ル−3、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、
sec−オクタノール、n−ノニルアルコール、2,6
−ジメチルヘプタノール−4、n−デカノール、sec
−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコー
ル、sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘプタ
デシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、
メチルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチルシ
クロヘキサノール、ベンジルアルコール、フェニルメチ
ルカルビノール、ジアセトンアルコール、クレゾールな
どのモノアルコール系溶媒;エチレングリコール、1,
2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコー
ル、ペンタンジオール−2,4、2−メチルペンタンジ
オール−2,4、ヘキサンジオール−2,5、ヘプタン
ジオール−2,4、2−エチルヘキサンジオール−1,
3、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、
トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、
グリセリンなどの多価アルコール系溶媒;アセトン、メ
チルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチ
ル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−i−
ブチルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、エチル−
n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−
i−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサ
ノン、2−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2,
4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトン
アルコール、アセトフェノン、フェンチョンなどのケト
ン系溶媒;エチルエーテル、i−プロピルエーテル、n
−ブチルエーテル、n−ヘキシルエーテル、2−エチル
ヘキシルエーテル、エチレンオキシド、1,2−プロピ
レンオキシド、ジオキソラン、4−メチルジオキソラ
ン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチ
ルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エ
チレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、エチレン
グリコールモノ−n−ヘキシルエーテル、エチレングリ
コールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ
−2−エチルブチルエーテル、エチレングリコールジブ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチ
レングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコー
ルモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ
−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n
−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラ
エチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコー
ルモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロ
ピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテ
ル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプ
ロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレ
ングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラ
ン、2−メチルテトラヒドロフランなどのエーテル系溶
媒;ジエチルカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、
γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸n−プ
ロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−
ブチル、酢酸sec−ブチル、酢酸n−ペンチル、酢酸
sec−ペンチル、酢酸3−メトキシブチル、酢酸メチ
ルペンチル、酢酸2−エチルブチル、酢酸2−エチルヘ
キシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチ
ルシクロヘキシル、酢酸n−ノニル、アセト酢酸メチ
ル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメ
チルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエー
テル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、
酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジ
エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、酢酸プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレ
ングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリ
コールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコー
ルモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモ
ノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエ
チルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグ
リコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n−ブチ
ル、プロピオン酸i−アミル、シュウ酸ジエチル、シュ
ウ酸ジ−n−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n
−ブチル、乳酸n−アミル、マロン酸ジエチル、フタル
酸ジメチル、フタル酸ジエチルなどのエステル系溶媒;
N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミ
ド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N
−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N−メチルプロピオンアミド、N−メチルピロリド
ンなどの含窒素系溶媒;硫化ジメチル、硫化ジエチル、
チオフェン、テトラヒドロチオフェン、ジメチルスルホ
キシド、スルホラン、1,3−プロパンスルトンなどの
含硫黄系溶媒などを挙げることができる。
(C) Organic Solvent The film-forming composition of the present invention is obtained by dissolving or dispersing the components (A) and (B) in the organic solvent (C). Examples of the (C) organic solvent used in the present invention include n-pentane, i-pentane, n-hexane, i-hexane, and n-pentane.
Heptane, i-heptane, 2,2,4-trimethylpentane, n-octane, i-octane, cyclohexane,
Aliphatic hydrocarbon solvents such as methylcyclohexane; benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, trimethylbenzene, methylethylbenzene, n-propylbenzene, i-propylbenzene, diethylbenzene, i
Aromatic hydrocarbon solvents such as -butylbenzene, triethylbenzene, di-i-propylbenzene, n-amylnaphthalene, and trimethylbenzene; methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-pentanol, i-pentanol, 2-
Methylbutanol, sec-pentanol, t-pentanol, 3-methoxybutanol, n-hexanol,
2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-
Ethyl butanol, sec-heptanol, heptanol-3, n-octanol, 2-ethylhexanol,
sec-octanol, n-nonyl alcohol, 2,6
-Dimethylheptanol-4, n-decanol, sec
-Undecyl alcohol, trimethyl nonyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec-heptadecyl alcohol, phenol, cyclohexanol,
Monoalcohol solvents such as methylcyclohexanol, 3,3,5-trimethylcyclohexanol, benzyl alcohol, phenylmethylcarbinol, diacetone alcohol and cresol; ethylene glycol, 1,
2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, pentanediol-2,4, 2-methylpentanediol-2,4, hexanediol-2,5, heptanediol-2,4, 2-ethylhexanediol-1 ,
3, diethylene glycol, dipropylene glycol,
Triethylene glycol, tripropylene glycol,
Polyhydric alcohol solvents such as glycerin; acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-i-
Butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, ethyl-
n-butyl ketone, methyl-n-hexyl ketone, di-
i-butyl ketone, trimethylnonanone, cyclohexanone, 2-hexanone, methylcyclohexanone, 2,
Ketone solvents such as 4-pentanedione, acetonylacetone, diacetone alcohol, acetophenone and fenchone; ethyl ether, i-propyl ether, n
-Butyl ether, n-hexyl ether, 2-ethylhexyl ether, ethylene oxide, 1,2-propylene oxide, dioxolane, 4-methyldioxolane, dioxane, dimethyldioxane, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, Ethylene glycol mono-n-butyl ether, ethylene glycol mono-n-hexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol mono-2-ethyl butyl ether, ethylene glycol dibutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, Diethylene glycol mono-n-butyl Ether, diethylene glycol di -n- butyl ether, diethylene glycol mono -n
-Hexyl ether, ethoxytriglycol, tetraethylene glycol di-n-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl Ether solvents such as ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tetrahydrofuran, and 2-methyltetrahydrofuran; diethyl carbonate, methyl acetate, ethyl acetate,
γ-butyrolactone, γ-valerolactone, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, i-acetate
Butyl, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methylpentyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methylcyclohexyl acetate, n-acetate Nonyl, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate,
Diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol mono-n-butyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene acetate Glycol monoethyl ether, glycol diacetate, methoxytriglycol acetate, ethyl propionate, n-butyl propionate, i-amyl propionate, diethyl oxalate, di-n-butyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate, n-lactic acid n
Ester solvents such as -butyl, n-amyl lactate, diethyl malonate, dimethyl phthalate, diethyl phthalate;
N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N
Nitrogen-containing solvents such as -methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone; dimethyl sulfide, diethyl sulfide,
Examples thereof include sulfur-containing solvents such as thiophene, tetrahydrothiophene, dimethyl sulfoxide, sulfolane, and 1,3-propane sultone.

【0090】これらの溶剤は、1種単独でまたは2種以
上を組み合わせて用いることができる。
These solvents can be used alone or in combination of two or more.

【0091】その他の添加剤 本発明で得られる膜形成用組成物には、さらにコロイド
状シリカ、コロイド状アルミナ、有機ポリマー、界面活
性剤、トリアゼン化合物、ラジカル発生剤、反応性二重
結合含有化合物、反応性三重結合含有化合物などの成分
を添加してもよい。コロイド状シリカとは、例えば、高
純度の無水ケイ酸を上記親水性有機溶媒に分散した分散
液であり、通常、平均粒径が5〜30mμ、好ましくは
10〜20mμ、固形分濃度が10〜40重量%程度の
ものである。このような、コロイド状シリカとしては、
例えば、日産化学工業(株)製、メタノールシリカゾル
およびイソプロパノールシリカゾル;触媒化成工業
(株)製、オスカルなどが挙げられる。コロイド状アル
ミナとしては、日産化学工業(株)製のアルミナゾル5
20、同100、同200;川研ファインケミカル
(株)製のアルミナクリアーゾル、アルミナゾル10、
同132などが挙げられる。有機ポリマーとしては、例
えば、糖鎖構造を有する化合物、ビニルアミド系重合
体、(メタ)アクリル系重合体、芳香族ビニル化合物、
デンドリマー、ポリイミド、ポリアミック酸、ポリアミ
ド、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、フッ素
系重合体、ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合
物などを挙げることができる。
Other Additives The composition for forming a film obtained by the present invention further comprises colloidal silica, colloidal alumina, an organic polymer, a surfactant, a triazene compound, a radical generator, and a compound containing a reactive double bond. And a component such as a reactive triple bond-containing compound. The colloidal silica is, for example, a dispersion in which high-purity silicic anhydride is dispersed in the hydrophilic organic solvent, and usually has an average particle diameter of 5 to 30 mμ, preferably 10 to 20 mμ, and a solid concentration of 10 to 10 μm. It is about 40% by weight. As such colloidal silica,
Examples thereof include methanol silica sol and isopropanol silica sol, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd .; Oscar, manufactured by Catalyst Chemicals, Inc. Examples of the colloidal alumina include alumina sol 5 manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.
20, 100, 200; alumina clear sol, alumina sol 10, manufactured by Kawaken Fine Chemical Co., Ltd.
132 and the like. Examples of the organic polymer include a compound having a sugar chain structure, a vinylamide polymer, a (meth) acrylic polymer, an aromatic vinyl compound,
Examples include dendrimers, polyimides, polyamic acids, polyamides, polyquinoxalines, polyoxadiazoles, fluoropolymers, compounds having a polyalkylene oxide structure, and the like.

【0092】ポリアルキレンオキサイド構造を有する化
合物としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチ
レンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、
ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキ
シド構造などが挙げられる。具体的には、ポリオキシメ
チレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキル
エーテル、ポリオキシエテチレンアルキルフェニルエー
テル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオ
キシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホル
マリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレ
ンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキ
シエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルなど
のエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂
肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エ
ステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステ
ル、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸
塩などのエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリ
コール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エス
テル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エ
ステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコ
ール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどのエー
テルエステル型化合物などを挙げることができる。ポリ
オキシチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー
としては、下記のようなブロック構造を有する化合物が
挙げられる。 −(X′)p−(Y′)q− −(X′)p−(Y′)q−(X′)r− 〔式中、X′は−CH2 CH2 O−で表される基を、
Y′は−CH2 CH(CH 3 )O−で表される基を示
し、pは1〜90、qは10〜99、rは0〜90の数
を示す。〕
Compound having a polyalkylene oxide structure
Compounds include polymethylene oxide structure, polyethylene
Len oxide structure, polypropylene oxide structure,
Polytetramethylene oxide structure, polybutylene oxide
And a side structure. Specifically,
Tylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl
Ether, polyoxyethylene alkylphenyl acrylate
Ter, polyoxyethylene sterol ether, polio
Xyethylene lanolin derivative, alkylphenol phor
Ethylene oxide derivative of marine condensate, polyoxyethylene
Polyoxypropylene block copolymer, polyoxy
Siethylene polyoxypropylene alkyl ether, etc.
Ether type compound, polyoxyethylene glycerin fat
Fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid
Stele, polyoxyethylene sorbitol fatty acid esthetic
, Polyoxyethylene fatty acid alkanolamide sulfuric acid
Ether ester type compounds such as salts, polyethylene glycol
Chole fatty acid ester, ethylene glycol fatty acid ester
Ter, fatty acid monoglyceride, polyglycerin fatty acid ester
Stele, sorbitan fatty acid ester, propylene glyco
Fatty acid esters and sucrose fatty acid esters
Terester type compounds and the like can be mentioned. Poly
Oxytylene polyoxypropylene block copolymer
As the compound having the following block structure
No. -(X ') p- (Y') q--(X ') p- (Y') q- (X ') r- wherein X' is -CHTwoCHTwoA group represented by O-
Y 'is -CHTwoCH (CH Three) Represents a group represented by O-
And p is a number from 1 to 90, q is a number from 10 to 99, and r is a number from 0 to 90
Is shown. ]

【0093】これらの中で、ポリオキシエチレンアルキ
ルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレン
ブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプ
ロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセ
リン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂
肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸
エステルなどのエーテル型化合物をより好ましい例とし
て挙げることができる。これらは、1種あるいは2種以
上を同時に使用しても良い。
Among them, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether, polyoxyethylene glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol Ether-type compounds such as fatty acid esters can be mentioned as more preferable examples. These may be used alone or in combination of two or more.

【0094】界面活性剤としては、例えば、ノニオン系
界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活
性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ
素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキ
レンオキシド系界面活性剤、ポリ(メタ)アクリレート
系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ
素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げること
ができる。
Examples of the surfactant include a nonionic surfactant, an anionic surfactant, a cationic surfactant, an amphoteric surfactant, and the like. Further, a fluorine-based surfactant, a silicone-based surfactant, and the like. Examples of the surfactant include a surfactant, a polyalkylene oxide-based surfactant, and a poly (meth) acrylate-based surfactant, and preferably a fluorine-based surfactant and a silicone-based surfactant.

【0095】フッ素系界面活性剤としては、例えば、
1,1,2,2−テトラフロロオクチル(1,1,2,
2−テトラフロロプロピル)エーテル、1,1,2,2
−テトラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチ
レングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロブチ
ル)エーテル、ヘキサエチレングリコール(1,1,
2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、オ
クタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラ
フロロブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコール
ジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)
エーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、
1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフ
ロロドデカン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロ
デカン、N−[3−(パーフルオロオクタンスルホンア
ミド)プロピル]- N,N′−ジメチル−N−カルボキ
シメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキ
ルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、
パーフルオロアルキル−N−エチルスルホニルグリシン
塩、リン酸ビス(N−パーフルオロオクチルスルホニル
−N−エチルアミノエチル)、モノパーフルオロアルキ
ルエチルリン酸エステルなどの末端、主鎖および側鎖の
少なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフル
オロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面
活性剤を挙げることができる。また、市販品としてはメ
ガファックF142D、同F172、同F173、同F
183〔以上、大日本インキ化学工業(株)製〕、エフ
トップEF301、同303、同352〔新秋田化成
(株)製〕、フロラードFC−430、同FC−431
〔住友スリーエム(株)製〕、アサヒガードAG71
0、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−
102、同SC−103、同SC−104、同SC−1
05、同SC−106〔旭硝子(株)製〕、BM−10
00、BM−1100〔裕商(株)製〕、NBX−15
〔(株)ネオス〕などの名称で市販されているフッ素系
界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上
記メガファックF172,BM−1000,BM−11
00,NBX−15が特に好ましい。
As the fluorine-based surfactant, for example,
1,1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2
2-tetrafluoropropyl) ether, 1,1,2,2
-Tetrafluorooctylhexyl ether, octaethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexaethylene glycol (1,1,
2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3- Hexafluoropentyl)
Ether, sodium perfluorododecyl sulfonate,
1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluorododecane, 1,1,2,2,3,3-hexafluorodecane, N- [3- (perfluorooctanesulfone Amido) propyl] -N, N'-dimethyl-N-carboxymethyleneammonium betaine, perfluoroalkylsulfonamidopropyltrimethylammonium salt,
At least one of terminal, main chain and side chain such as perfluoroalkyl-N-ethylsulfonylglycine salt, bis (N-perfluorooctylsulfonyl-N-ethylaminoethyl) phosphate, monoperfluoroalkylethyl phosphate, etc. And a fluorine-based surfactant composed of a compound having a fluoroalkyl or fluoroalkylene group at the position (1). Commercially available products are MegaFac F142D, F172, F173, and F173.
183 (above, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), F-Top EF301, 303, and 352 (manufactured by Shin-Akita Chemical Co., Ltd.), Florad FC-430, FC-431
[Sumitomo 3M Ltd.], Asahi Guard AG71
0, Surflon S-382, SC-101, SC-
102, SC-103, SC-104, SC-1
05, SC-106 [manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.], BM-10
00, BM-1100 (manufactured by Yusho Co., Ltd.), NBX-15
Examples include a fluorine-based surfactant commercially available under a name such as [NEOS CORPORATION]. Among them, the above MegaFac F172, BM-1000, BM-11
00, NBX-15 is particularly preferred.

【0096】シリコーン系界面活性剤としては、例え
ば、SH7PA、SH21PA、SH30PA、ST9
4PA〔いずれも、東レ・ダウコーニング・シリコーン
(株)製〕などを用いることができる。これらの中で
も、上記SH28PA、SH30PAが特に好ましい。
Examples of the silicone-based surfactant include SH7PA, SH21PA, SH30PA, and ST9.
4PA (all manufactured by Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.) can be used. Among them, SH28PA and SH30PA are particularly preferable.

【0097】界面活性剤の使用量は、(A)成分100
重量部に対して、通常、0.00001〜1重量部であ
る。これらは、1種あるいは2種以上を同時に使用して
も良い。
The amount of the surfactant to be used is 100% for the component (A).
It is usually 0.00001 to 1 part by weight based on part by weight. These may be used alone or in combination of two or more.

【0098】トリアゼン化合物としては、例えば、1,
2−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベンゼン、
1,3−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベ
ンゼン、ビス(3,3−ジメチルトリアゼニルフェニ
ル)エーテル、ビス(3,3−ジメチルトリアゼニルフ
ェニル)メタン、ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル
フェニル)スルホン、ビス(3,3−ジメチルトリアゼ
ニルフェニル)スルフィド、2,2−ビス〔4−(3,
3−ジメチルトリアゼニルフェノキシ)フェニル〕−
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス〔4−(3,3−ジメチルトリアゼニルフ
ェノキシ)フェニル〕プロパン、1,3,5−トリス
(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベンゼン、2,7−
ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス
[4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)フェニル]フ
ルオレン、2,7−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニ
ル)−9,9−ビス[3−メチル−4−(3,3−ジメ
チルトリアゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−ビ
ス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス
[3−フェニル−4−(3,3−ジメチルトリアゼニ
ル)フェニル]フルオレン、2,7−ビス(3,3−ジ
メチルトリアゼニル)−9,9−ビス[3−プロペニル
−4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)フェニル]フ
ルオレン、2,7−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニ
ル)−9,9−ビス[3−フルオロ−4−(3,3−ジ
メチルトリアゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−
ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス
[3,5−ジフルオロ−4−(3,3−ジメチルトリア
ゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−ビス(3,3
−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス[3−トリフ
ルオロメチル−4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)
フェニル]フルオレンなどが挙げられる。これらは、1
種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
As the triazene compound, for example, 1,
2-bis (3,3-dimethyltriazenyl) benzene,
1,3-bis (3,3-dimethyltriazenyl) benzene, 1,4-bis (3,3-dimethyltriazenyl) benzene, bis (3,3-dimethyltriazenylphenyl) ether, bis ( 3,3-dimethyltriazenylphenyl) methane, bis (3,3-dimethyltriazenylphenyl) sulfone, bis (3,3-dimethyltriazenylphenyl) sulfide, 2,2-bis [4- (3 ,
3-dimethyltriazenylphenoxy) phenyl]-
1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane,
2,2-bis [4- (3,3-dimethyltriazenylphenoxy) phenyl] propane, 1,3,5-tris (3,3-dimethyltriazenyl) benzene, 2,7-
Bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl)- 9,9-bis [3-methyl-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3- Phenyl-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3-propenyl-4- (3,3 -Dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3-fluoro-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] Fluorene, 2,7-
Bis (3,3-dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3,5-difluoro-4- (3,3-dimethyltriazenyl) phenyl] fluorene, 2,7-bis (3,3
-Dimethyltriazenyl) -9,9-bis [3-trifluoromethyl-4- (3,3-dimethyltriazenyl)
Phenyl] fluorene and the like. These are 1
Species or two or more species may be used simultaneously.

【0099】ラジカル発生剤としては、例えば、イソブ
チリルパーオキサイド、α,α′ビス(ネオデカノイル
パーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキ
シネオデカノエート、ジ−nプロピルパーオキシジカー
ボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、
1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシネオデ
カノエート、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パ
ーオキシジカーボネート、1−シクロヘキシル−1−メ
チルエチルパーオキシネオデカノエート、ジ−2−エト
キシエチルパーオキシジカーボネート、ジ(2−エチル
ヘキシルパーオキシ)ジカーボネート、t−ヘキシルパ
ーオキシネオデカノエート、ジメトキブチルパーオキシ
ジカーボネート、ジ(3−メチル−3−メトキシブチル
パーオキシ)ジカーボネート、t−ブチルパーオキシネ
オデカノエート、2,4−ジクロロベンゾイルパーオキ
サイド、t−ヘキシルパーオキシピバレート、t−ブチ
ルパーオキシピバレート、3,5,5−トリメチルヘキ
サノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイ
ド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキ
サイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキ
シ2−エチルヘキサノエート、スクシニックパーオキサ
イド、2,5−ジメチル−2,5−ジ(2−エチルヘキ
サノイルパーオキシ)ヘキサン、1−シクロヘキシル−
1−メチルエチルパーオキシ2−エチルヘキサノエー
ト、t−ヘキシルパーオキシ2−エチルヘキサノエー
ト、t−ブチルパーオキシ2−エチルヘキサノエート、
m−トルオイルアンドベンゾイルパーオキサイド、ベン
ゾイルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシイソブチ
レート、ジ−t−ブチルパーオキシ−2−メチルシクロ
ヘキサン、1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)−
3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス
(t−ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−
ビス(t−ブチルパーオキシ)−3,3,5−トリメチ
ルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキ
シ)シクロヘキサン、2,2−ビス(4,4−ジ−t−
ブチルパーオキシシクロヘキシル)プロパン、1,1−
ビス(t−ブチルパーオキシ)シクロデカン、t−ヘキ
シルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブ
チルパーオキシマレイン酸、t−ブチルパーオキシ−
3,3,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパ
ーオキシラウレート、2,5−ジメチル−2,5−ジ
(m−トルオイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパ
ーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパ
ーオキシ2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘ
キシルパーオキシベンゾエート、2,5−ジメチル−
2,5−ジ(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブ
チルパーオキシアセテート、2,2−ビス(t−ブチル
パーオキシ)ブタン、t−ブチルパーオキシベンゾエー
ト、n−ブチル−4,4−ビス(t−ブチルパーオキ
シ)バレレート、ジ−t−ブチルパーオキシイソフタレ
ート、α,α′−ビス(t−ブチルパーオキシ)ジイソ
プロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、2,5−
ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサ
ン、t−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチル
パーオキサイド、p−メンタンヒドロパーオキサイド、
2,5−ジメチル−2,5−ジ(t−ブチルパーオキ
シ)ヘキシン−3、ジイソプロピルベンゼンヒドロパー
オキサイド、t−ブチルトリメチルシリルパーオキサイ
ド、1,1,3,3−テトラメチルブチルヒドロパーオ
キサイド、クメンヒドロパーオキサイド、t−ヘキシル
ヒドロパーオキサイド、t−ブチルヒドロパーオキサイ
ド、ジベンジル、2,3−ジメチル−2,3−ジフェニ
ルブタン、α,α′−ジメトキシ−α,α′−ジフェニ
ルビベンジル、α,α′−ジフェニル−α−メトキシビ
ベンジル、α,α′−ジフェニル−α,α′−ジメトキ
シビベンジル、α,α′−ジメトキシ−α,α′−ジメ
チルビベンジル、α,α′−ジメトキシビベンジル、
3,4−ジメチル−3,4−ジフェニル−n−ヘキサ
ン、2,2,3,3−テトラフェニルコハク酸ニトリル
などを挙げることができる。これらは、1種あるいは2
種以上を同時に使用してもよい。
Examples of the radical generator include, for example, isobutyryl peroxide, α, α'bis (neodecanoylperoxy) diisopropylbenzene, cumylperoxyneodecanoate, di-n-propylperoxydicarbonate, diisopropylperoxide Oxydicarbonate,
1,1,3,3-tetramethylbutyl peroxy neodecanoate, bis (4-t-butylcyclohexyl) peroxy dicarbonate, 1-cyclohexyl-1-methylethyl peroxy neodecanoate, di-2 -Ethoxyethyl peroxydicarbonate, di (2-ethylhexylperoxy) dicarbonate, t-hexylperoxyneodecanoate, dimethoxybutylperoxydicarbonate, di (3-methyl-3-methoxybutylperoxy) Dicarbonate, t-butylperoxy neodecanoate, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, t-hexylperoxypivalate, t-butylperoxypivalate, 3,5,5-trimethylhexanoyl peroxide, Octanoyl peroxide, lauroyl par Oxide, stearoyl peroxide, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy 2-ethylhexanoate, succinic peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-di (2-ethylhexanoylperoxy ) Hexane, 1-cyclohexyl-
1-methylethyl peroxy 2-ethylhexanoate, t-hexylperoxy 2-ethylhexanoate, t-butylperoxy 2-ethylhexanoate,
m-toluoyl and benzoyl peroxide, benzoyl peroxide, t-butylperoxyisobutyrate, di-t-butylperoxy-2-methylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy)-
3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-
Bis (t-butylperoxy) -3,3,5-trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, 2,2-bis (4,4-di-t-
Butylperoxycyclohexyl) propane, 1,1-
Bis (t-butylperoxy) cyclodecane, t-hexylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxymaleic acid, t-butylperoxy-
3,3,5-trimethylhexanoate, t-butylperoxylaurate, 2,5-dimethyl-2,5-di (m-toluoylperoxy) hexane, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, t -Butylperoxy 2-ethylhexyl monocarbonate, t-hexylperoxybenzoate, 2,5-dimethyl-
2,5-di (benzoylperoxy) hexane, t-butylperoxyacetate, 2,2-bis (t-butylperoxy) butane, t-butylperoxybenzoate, n-butyl-4,4-bis ( t-butylperoxy) valerate, di-t-butylperoxyisophthalate, α, α′-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, dicumyl peroxide, 2,5-
Dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexane, t-butylcumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, p-menthane hydroperoxide,
2,5-dimethyl-2,5-di (t-butylperoxy) hexyne-3, diisopropylbenzene hydroperoxide, t-butyltrimethylsilyl peroxide, 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, Cumene hydroperoxide, t-hexyl hydroperoxide, t-butyl hydroperoxide, dibenzyl, 2,3-dimethyl-2,3-diphenylbutane, α, α′-dimethoxy-α, α′-diphenylbibenzyl, α, α′-diphenyl-α-methoxybibenzyl, α, α′-diphenyl-α, α′-dimethoxybibenzyl, α, α′-dimethoxy-α, α′-dimethylbibenzyl, α, α′- Dimethoxybibenzyl,
Examples thereof include 3,4-dimethyl-3,4-diphenyl-n-hexane and 2,2,3,3-tetraphenylsuccinic nitrile. These are one or two
More than one species may be used simultaneously.

【0100】反応性二重結合含有化合物としては、例え
ば、アリルベンゼン、ジアリルベンゼン、トリアリルベ
ンゼン、アリルオキシベンゼン、ジアリルオキシベンゼ
ン、トリアリルオキシベンゼン、α,・―ジアリルオキ
シアルカン類、α,・―ジアリルアルケン類、α,・―
ジアリルアルケン類、アリルアミン、ジアリルアミン、
トリアリルアミン、N―アリルフタルイミド、N―アリ
ルピロメリットイミド、N,N′―ジアリルウレア、ト
リアリルイソシアヌレート、2,2′−ジアリルビスフ
ェノールAなどのアリル化合物;スチレン、ジビニルベ
ンゼン、トリビニルベンゼン、スチルベン、プロペニル
ベンゼン、ジプロペニルベンゼン、トリプロペニルベン
ゼン、フェニルビニルケトン、メチルスチリルケトン、
α,・―ジビニルアルカン類、α,・―ジビニルアルケ
ン類、α,・―ジビニルアルキン類、α,・―ジビニル
オキシアルカン類、α,・―ジビニルアルケン類、α,
・―ジビニルアルキン類、α,・―ジアクリルオキシア
ルカン類、α,・―ジアクリルアルケン類、α,・―ジ
アクリルアルケン類、α,・―ジメタクリルオキシアル
カン類、α,・―ジメタクリルアルケン類、α,・―ジ
メタクリルアルケン類、ビスアクリルオキシベンゼン、
トリスアクリルオキシベンゼン、ビスメタクリルオキシ
ベンゼン、トリスメタクリルオキシベンゼン、N―ビニ
ルフタルイミド、N―ビニルピロメリットイミドなどの
ビニル化合物;2,2′−ジアリル−4,4′−ビフェ
ノールを含むポリアリーレンエーテル、2,2′−ジア
リル−4,4′−ビフェノールを含むポリアリーレンな
どを挙げることができる。これらは、1種または2種以
上を同時に使用しても良い。
Examples of the compound containing a reactive double bond include, for example, allylbenzene, diallylbenzene, triallylbenzene, allyloxybenzene, diallyloxybenzene, triallyloxybenzene, α, .- diallyloxyalkanes, α ,. ―Diallyl alkenes, α, ・ ―
Diallyl alkenes, allylamine, diallylamine,
Allyl compounds such as triallylamine, N-allylphthalimide, N-allylpyromellitimide, N, N'-diallylurea, triallyl isocyanurate, 2,2'-diallylbisphenol A; styrene, divinylbenzene, trivinylbenzene, stilbene , Propenylbenzene, dipropenylbenzene, tripropenylbenzene, phenylvinylketone, methylstyrylketone,
α,.-divinyl alkanes, α, ...-divinyl alkenes, α, ...-divinyl alkynes, α, ...-divinyloxyalkanes, α, ...-divinyl alkenes, α,
.-Divinylalkynes, α, .- Diacryloxyalkanes, α, .- Diacrylalkenes, α, .- Diacrylalkenes, α, .- Dimethacryloxyalkanes, α, .- Dimethacryl Alkenes, α, -dimethacrylalkenes, bisacryloxybenzene,
Vinyl compounds such as trisacryloxybenzene, bismethacryloxybenzene, trismethacryloxybenzene, N-vinylphthalimide and N-vinylpyromellitimide; polyarylene ethers containing 2,2'-diallyl-4,4'-biphenol; Polyarylene containing 2,2'-diallyl-4,4'-biphenol and the like can be mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

【0101】反応性三重結合含有化合物としては、例え
ば、エチニルベンゼン、ジエチニルベンゼン、トリエチ
ニルベンゼン、トラントリメチルシリルエチニルベンゼ
ン、トリメチルシリルエチニルベンゼン、ビス(トリメ
チルシリルエチニル)ベンゼン、トリス(トリメチルシ
リルエチニル)ベンゼン、フェニルエチニルベンゼン、
ビス(フェニルエチニル)ベンゼン、トリス(フェニル
エチニル)ベンゼン、ビス(エチニルフェニル)エーテ
ル、ビス(トリメチルシリルエチニルフェニル)エーテ
ル、ビス(フェニルエチニルフェニル)エーテルなどを
挙げることができる。これらは、1種または2種以上を
同時に使用しても良い。
As the reactive triple bond-containing compound, for example, ethynylbenzene, diethynylbenzene, triethynylbenzene, trantrimethylsilylethynylbenzene, trimethylsilylethynylbenzene, bis (trimethylsilylethynyl) benzene, tris (trimethylsilylethynyl) benzene, phenylethynyl benzene,
Bis (phenylethynyl) benzene, tris (phenylethynyl) benzene, bis (ethynylphenyl) ether, bis (trimethylsilylethynylphenyl) ether, bis (phenylethynylphenyl) ether, and the like can be given. These may be used alone or in combination of two or more.

【0102】なお、上記ラジカル発生剤、反応性二重結
合含有化合物および反応性三重結合含有化合物の群から
選ばれる少なくとも1種の使用量は、本発明の(A)成
分100重量部に対し、0.2〜30重量部、好ましく
は0.5〜25重量部である。0.2重量部未満では、
塗膜の耐熱性が劣る場合があり、一方、30重量部を超
えると、塗膜の塗布均一性が劣るものとなる。本発明の
組成物中に、ラジカル発生剤、反応性二重結合含有化合
物および反応性三重結合含有化合物の群から選ばれる少
なくとも1種を含有させると、架橋により塗膜の耐熱性
を向上させることができる。
The amount of at least one selected from the group consisting of the radical generator, the reactive double bond-containing compound and the reactive triple bond-containing compound is based on 100 parts by weight of the component (A) of the present invention. It is 0.2 to 30 parts by weight, preferably 0.5 to 25 parts by weight. If less than 0.2 parts by weight,
In some cases, the heat resistance of the coating film is poor. On the other hand, when it exceeds 30 parts by weight, the coating uniformity of the coating film is poor. When the composition of the present invention contains at least one member selected from the group consisting of a radical generator, a reactive double bond-containing compound, and a reactive triple bond-containing compound, crosslinking improves the heat resistance of the coating film. Can be.

【0103】本発明の膜形成用組成物の全固形分濃度
は、好ましくは、2〜30重量%であり、使用目的に応
じて適宜調整される。組成物の全固形分濃度が2〜30
重量%であると、塗膜の膜厚が適当な範囲となり、保存
安定性もより優れるものである。
The total solid content of the film-forming composition of the present invention is preferably 2 to 30% by weight, and is appropriately adjusted depending on the purpose of use. When the total solid content of the composition is 2 to 30
When it is% by weight, the thickness of the coating film is in an appropriate range, and the storage stability is more excellent.

【0104】本発明の組成物を、シリコンウエハ、Si
2 ウエハ、SiNウエハなどの基材に塗布する際に
は、スピンコート、浸漬法、ロールコート法、スプレー
法などの塗装手段が用いられる。
The composition of the present invention was applied to a silicon wafer, Si
When coating on a substrate such as an O 2 wafer or a SiN wafer, a coating method such as spin coating, dipping, roll coating, or spraying is used.

【0105】この際の膜厚は、乾燥膜厚として、1回塗
りで厚さ0.05〜1.5μm程度、2回塗りでは厚さ
0.1〜3μm程度の塗膜を形成することができる。そ
の後、常温で乾燥するか、あるいは80〜600℃程度
の温度で、通常、5〜240分程度加熱して乾燥するこ
とにより形成することができる。この際の加熱方法とし
ては、ホットプレート、オーブン、ファーネスなどを使
用することができ、加熱雰囲気としては、大気下、窒素
雰囲気、アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロ
ールした減圧下などで行うことができる。また、電子線
や紫外線を照射することによっても塗膜を形成させるこ
とができる。
In this case, a dry film thickness may be about 0.05 to 1.5 μm in a single coating, and about 0.1 to 3 μm in a double coating. it can. Thereafter, it can be formed by drying at normal temperature or by heating and drying at a temperature of about 80 to 600 ° C., usually for about 5 to 240 minutes. As a heating method at this time, a hot plate, an oven, a furnace, or the like can be used. Can be. Further, the coating film can be formed by irradiating an electron beam or an ultraviolet ray.

【0106】このようにして得られる塗膜(層間絶縁
膜)は、耐熱性、低誘電性、クラック耐性、基板との密
着性に優れることから、LSI、システムLSI、DR
AM、SDRAM、RDRAM、D−RDRAMなどの
半導体素子用層間絶縁膜やエッチングストッパー膜やC
MPストッパー膜や銅の拡散防止膜、半導体素子の表面
コート膜などの保護膜、多層レジストを用いた半導体作
製工程の中間層や反射防止膜、多層配線基板の層間絶縁
膜、液晶表示素子用の保護膜や絶縁膜などの用途に有用
である。
The coating film (interlayer insulating film) thus obtained is excellent in heat resistance, low dielectric property, crack resistance, and adhesion to a substrate.
Interlayer insulating film for semiconductor devices such as AM, SDRAM, RDRAM, D-RDRAM, etching stopper film, C
MP stopper film, copper diffusion prevention film, protective film such as surface coating film of semiconductor element, intermediate layer and antireflection film in semiconductor manufacturing process using multilayer resist, interlayer insulation film of multilayer wiring board, for liquid crystal display element It is useful for applications such as protective films and insulating films.

【0107】[0107]

【実施例】以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体
的に説明する。なお、実施例および比較例中の部および
%は、特記しない限り、それぞれ重量部および重量%で
あることを示している。また、実施例中における膜形成
用組成物の評価は、次のようにして測定したものであ
る。
The present invention will now be described more specifically with reference to examples. Parts and% in Examples and Comparative Examples are parts by weight and% by weight, respectively, unless otherwise specified. Further, the evaluation of the film-forming composition in the examples was measured as follows.

【0108】重量平均分子量(Mw) 下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー(GPC)法により測定した。 試料:テトラヒドロフランを溶媒として使用し、ポリマ
ー(加水分解縮合物)1gを、100ccのテトラヒド
ロフランに溶解して調製した。標準ポリスチレン:米国
プレッシャーケミカル社製の標準ポリスチレンを使用し
た。 装置:米国ウオーターズ社製の高温高速ゲル浸透クロマ
トグラム(モデル150−C ALC/GPC) カラム:昭和電工(株)製のSHODEX A−80M
(長さ50cm) 測定温度:40℃ 流速:1cc/分
The weight average molecular weight (Mw) was measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions. Sample: Prepared by dissolving 1 g of a polymer (hydrolysis condensate) in 100 cc of tetrahydrofuran using tetrahydrofuran as a solvent. Standard polystyrene: Standard polystyrene manufactured by Pressure Chemical Co., USA was used. Apparatus: High-temperature high-speed gel permeation chromatogram (Model 150-C ALC / GPC) manufactured by Waters, USA Column: SHOdex A-80M manufactured by Showa Denko KK
(Length 50cm) Measurement temperature: 40 ° C Flow rate: 1cc / min

【0109】比誘電率 8インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で100℃で1
分間、さらに420℃の窒素雰囲気のホットプレート中
で12分間基板を焼成した。得られた基板上にアルミニ
ウムを蒸着し、比誘電率評価用基板を作製した。比誘電
率は、横川・ヒューレットパッカード(株)製のHP1
6451B電極およびHP4284AプレシジョンLC
Rメーター用いて、10kHzにおける容量値から算出
した。
A composition sample was applied on a silicon wafer having a relative dielectric constant of 8 inches by using a spin coating method.
The substrate was baked on a hot plate in a nitrogen atmosphere at 420 ° C. for 12 minutes. Aluminum was vapor-deposited on the obtained substrate to prepare a substrate for relative dielectric constant evaluation. The relative permittivity is HP1 manufactured by Yokogawa / Hewlett-Packard Co., Ltd.
6451B electrode and HP4284A Precision LC
It was calculated from the capacitance value at 10 kHz using an R meter.

【0110】2%重量減少温度(Td2) 8インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で100℃で1
分間、さらに420℃の窒素雰囲気のホットプレート中
で12分間基板を焼成した。この基板から塗膜を剥離
し、TG法により、窒素雰囲気中、昇温速度10℃/分
の条件で測定した。
2% Weight Loss Temperature (Td 2 ) A composition sample was applied on an 8-inch silicon wafer by using a spin coating method, and was applied on a hot plate at 100 ° C. for 1 hour.
The substrate was baked on a hot plate in a nitrogen atmosphere at 420 ° C. for 12 minutes. The coating film was peeled off from the substrate, and the measurement was carried out by a TG method in a nitrogen atmosphere at a temperature rising rate of 10 ° C./min.

【0111】クラック耐性 8インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて
組成物試料を塗布し、ホットプレート上で100℃で1
分間、さらに420℃の窒素雰囲気のホットプレート中
で12分間基板を焼成した。この際の最終的な塗膜の膜
厚は6μmとした。得られた塗膜付き基板を60℃の温
水中に2時間浸漬し、塗膜の外観を35万ルクスの表面
観察用ランプで観察し、下記基準で評価した。 ○;塗膜表面にクラックが認められない。 ×;塗膜表面にクラックが認められる。
A sample of the composition was applied on a crack-resistant 8-inch silicon wafer by a spin coating method, and was placed on a hot plate at 100 ° C. for 1 hour.
The substrate was baked on a hot plate in a nitrogen atmosphere at 420 ° C. for 12 minutes. At this time, the final coating film thickness was 6 μm. The obtained substrate with a coating film was immersed in warm water at 60 ° C. for 2 hours, and the appearance of the coating film was observed with a 350,000 lux surface observation lamp, and evaluated according to the following criteria. ;: No crack is observed on the coating film surface. C: Cracks are observed on the coating film surface.

【0112】塗膜密着性 1,000Åの熱酸化SiO2 を有する8インチシリコ
ンウエハ上に、スピンコート法を用いて組成物試料を塗
布し、ホットプレート上で100℃で1分間、さらに4
20℃の窒素雰囲気のホットプレート中で12分間基板
を焼成した。この塗膜付き基板を60℃の温水中に2時
間浸漬したのち、得られた基板上にエポキシ樹脂を用い
てスタッドピン10本を固定し、150℃で1時間乾燥
させた。このスタッドピンをセバスチャン法を用いて引
き抜き試験行い、以下の基準で密着性を評価した。 ○:スタッドピン10本共シリコンウエハと塗膜の界面
での剥離無し ×:シリコンウエハと塗膜の界面での剥離発生耐湿熱性 基板をPCT(Pressure Cooker Te
st)装置(平山製作所製、PC−242HS−A)を
用いて、127℃、100%RH、2.5気圧、1時間
の条件で湿熱処理を施したのち、基板表面を観察した。
A sample of the composition was applied on an 8-inch silicon wafer having thermally oxidized SiO 2 having a coating adhesion of 1,000 ° using a spin coating method, and was further heated at 100 ° C. for 1 minute on a hot plate for 4 minutes.
The substrate was baked on a hot plate in a nitrogen atmosphere at 20 ° C. for 12 minutes. After immersing this coated substrate in hot water at 60 ° C. for 2 hours, ten stud pins were fixed on the obtained substrate using epoxy resin, and dried at 150 ° C. for 1 hour. This stud pin was subjected to a pull-out test using the Sebastian method, and the adhesion was evaluated according to the following criteria. ○: No peeling at the interface of the stud pins 10 present both the silicon wafer and the coating film ×: peeling occurred wet heat resistance substrate at the interface between the silicon wafer and the coating film PCT (Pressure Cooker Te
(st) Using a device (manufactured by Hirayama Seisakusho, PC-242HS-A), a wet heat treatment was performed at 127 ° C., 100% RH, 2.5 atm for 1 hour, and the substrate surface was observed.

【0113】合成例1 三つ口フラスコに、ヨウ化ナトリウム7.5g、無水塩
化ニッケル1.3g、トリフェニルホスフィン15.7
g、酢酸により活性化させた亜鉛粉末19.6g、およ
び9,9−ビス (メチルスルフォニロキシ)フルオレ
ン16.7gを加え、24時間、真空下で乾燥したの
ち、三つ口フラスコ内をアルゴンガスで充填した。次い
で、乾燥N,N−ジメチルアセトアミド50ml、乾燥
テトラヒドロフラン50ml、および2,4−ジクロロ
トルエン10.8gを添加し、70℃アルゴン気流下で
攪拌したところ、反応液が褐色となった。そのまま、7
0℃で20時間反応させたのち、反応液を36%塩酸4
00mlおよびメタノール1600ml混合液中に注
ぎ、沈殿物を回収した。得られた沈殿物を、クロロホル
ム中に加えて懸濁させ、2規定塩酸水溶液で抽出を行っ
たのち、クロロホルム層をメタノールに注ぎ、沈殿物を
回収、乾燥したところ、重量平均分子量10,300の
白色粉末状の重合体を得た。
Synthesis Example 1 In a three-necked flask, 7.5 g of sodium iodide, 1.3 g of anhydrous nickel chloride, and 15.7 of triphenylphosphine were placed.
g, 19.6 g of zinc powder activated with acetic acid, and 16.7 g of 9,9-bis (methylsulfonyloxy) fluorene, and the mixture was dried under vacuum for 24 hours. Filled with gas. Next, 50 ml of dry N, N-dimethylacetamide, 50 ml of dry tetrahydrofuran, and 10.8 g of 2,4-dichlorotoluene were added, and the mixture was stirred at 70 ° C. under an argon stream, and the reaction solution turned brown. 7 as it is
After reacting at 0 ° C. for 20 hours, the reaction mixture was diluted with 36% hydrochloric acid 4
The mixture was poured into a mixture of 00 ml and 1600 ml of methanol to collect a precipitate. The obtained precipitate was added to and suspended in chloroform, extracted with a 2N aqueous hydrochloric acid solution, and then the chloroform layer was poured into methanol. The precipitate was collected and dried, and the precipitate having a weight average molecular weight of 10,300 was obtained. A white powdery polymer was obtained.

【0114】合成例2 窒素導入管、ディーンスターク、冷却管を取り付けた1
Lの三口フラスコに、9,9−ビス(4−ヒドロキシフ
ェニル)フルオレン26.48g、9,9−ビス(4−
ヒドロ−3−メチルキシフェニル)フルオレン28.3
5g、無水炭酸カリウム45.60g、ジメチルアセト
アミド500mL、トルエン150mLを加え、窒素雰
囲気下140℃で3時間加熱を行った。塩形成時に生成
する水および過剰のトルエンを除去したのち、反応溶液
を室温まで冷却した。その後、この反応液に4,4′−
ジフルオロベンゾフェノン32.73gを添加し、16
5℃で10時間反応させた。冷却後、反応液を10%H
Cl含有メタノール5Lに投じ再沈殿を行った。この沈
殿物をろ過、イオン交換水で十分に洗浄したのち、真空
オーブンにて予備乾燥した。テトラヒドロフランにこの
沈殿物を再溶解させ、不溶部を除去したのち、メタノー
ルに再沈殿させた。この再沈殿操作をもう一度繰り返す
ことによりポリマーを精製し、乾燥は真空オーブン中8
0℃で12時間行ない、重量平均分子量150,000
のの白色粉末状の重合体を得た。
Synthesis Example 2 1 equipped with a nitrogen inlet tube, Dean Stark, and a cooling tube
26.48 g of 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene and 9,9-bis (4-
(Hydro-3-methyloxyphenyl) fluorene 28.3
5 g, 45.60 g of anhydrous potassium carbonate, 500 mL of dimethylacetamide, and 150 mL of toluene were added, and the mixture was heated at 140 ° C. for 3 hours under a nitrogen atmosphere. After removing water and excess toluene generated during salt formation, the reaction solution was cooled to room temperature. Then, 4,4'-
32.73 g of difluorobenzophenone was added, and 16
The reaction was performed at 5 ° C. for 10 hours. After cooling, the reaction solution was
Reprecipitation was performed by throwing into 5 L of Cl-containing methanol. The precipitate was filtered, sufficiently washed with ion-exchanged water, and preliminarily dried in a vacuum oven. The precipitate was redissolved in tetrahydrofuran, the insoluble portion was removed, and the precipitate was reprecipitated in methanol. The polymer was purified by repeating this reprecipitation operation once more, and dried in a vacuum oven for 8 hours.
12 hours at 0 ° C., weight average molecular weight 150,000
A white powdery polymer was obtained.

【0115】合成例3 石英製セパラブルフラスコ中で、ビニルトリメトキシシ
ラン96.4gを、シクロヘキサノン362gに溶解さ
せたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度を
60℃に安定させた。次に、無水マレイン酸2.5gを
溶解させたイオン交換水38gを1時間かけて溶液に添
加した。その後、60℃で2時間反応させたのち、反応
液を得た。このようにして得られた加水分解縮合物の
重量平均分子量は、1,300であった。
Synthesis Example 3 In a quartz separable flask, 96.4 g of vinyltrimethoxysilane was dissolved in 362 g of cyclohexanone, followed by stirring with a three-one motor to stabilize the solution temperature at 60 ° C. Next, 38 g of ion-exchanged water in which 2.5 g of maleic anhydride was dissolved was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 60 ° C. for 2 hours, a reaction solution was obtained. The weight-average molecular weight of the hydrolyzed condensate thus obtained was 1,300.

【0116】合成例4 石英製セパラブルフラスコ中で、エチニルトリアセトキ
シシラン96.4gを、シクロヘキサノン362gに溶
解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温
度を60℃に安定させた。次に、イオン交換水38gを
1時間かけて溶液に添加した。その後、60℃で2時間
反応させたのち、反応液を得た。このようにして得ら
れた加水分解縮合物の重量平均分子量は、900であっ
た。
Synthesis Example 4 In a quartz separable flask, 96.4 g of ethynyltriacetoxysilane was dissolved in 362 g of cyclohexanone, followed by stirring with a three-one motor to stabilize the solution temperature at 60 ° C. Next, 38 g of ion-exchanged water was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 60 ° C. for 2 hours, a reaction solution was obtained. The weight-average molecular weight of the hydrolyzed condensate thus obtained was 900.

【0117】合成例5 石英製セパラブルフラスコ中で、p−トリルトリメトキ
シシラン96.4gを、シクロヘキサノン362gに溶
解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温
度を60℃に安定させた。次に、無水マレイン酸2.5
gを溶解させたイオン交換水38gを1時間かけて溶液
に添加した。その後、60℃で2時間反応させた後、反
応液を得た。このようにして得られた加水分解縮合物
の重量平均分子量は、1,150であった。
Synthesis Example 5 In a quartz separable flask, 96.4 g of p-tolyltrimethoxysilane was dissolved in 362 g of cyclohexanone, followed by stirring with a three-one motor to stabilize the solution temperature at 60 ° C. Next, maleic anhydride 2.5
38 g of ion-exchanged water in which g was dissolved was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 60 ° C. for 2 hours, a reaction solution was obtained. The weight-average molecular weight of the hydrolyzed condensate thus obtained was 1,150.

【0118】合成例6 石英製セパラブルフラスコ中で、p−トリルトリメトキ
シシラン96.4gを、シクロヘキサノン362gに溶
解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温
度を60℃に安定させた。次に、イオン交換水38gを
1時間かけて溶液に添加した。その後、60℃で2時間
反応させた後、反応液を得た。このようにして得られ
た加水分解縮合物の重量平均分子量は、850であっ
た。
Synthesis Example 6 In a quartz separable flask, 96.4 g of p-tolyltrimethoxysilane was dissolved in 362 g of cyclohexanone, followed by stirring with a three-one motor to stabilize the solution temperature at 60 ° C. Next, 38 g of ion-exchanged water was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 60 ° C. for 2 hours, a reaction solution was obtained. The weight-average molecular weight of the hydrolyzed condensate thus obtained was 850.

【0119】比較合成例1 石英製セパラブルフラスコ中で、メチルトリメトキシシ
ラン77.04gとテトラメトキシシラン24.05g
と酢酸0.48gを、プロピレングリコールモノプロピ
ルエーテル290gに溶解させたのち、スリーワンモー
ターで攪拌させ、溶液温度を60℃に安定させた。次
に、イオン交換水84gを1時間かけて溶液に添加し
た。その後、60℃で2時間反応させたのち、アセチル
アセトン25gを添加し、さらに30分間反応させ、反
応液を室温まで冷却した。50℃で反応液からメタノー
ルと水を含む溶液を149gエバポレーションで除去
し、反応液を得た。このようにして得られた加水分解
縮合物の重量平均分子量は、1,900であった。
Comparative Synthesis Example 1 In a separable quartz flask, 77.04 g of methyltrimethoxysilane and 24.05 g of tetramethoxysilane were used.
And 0.48 g of acetic acid were dissolved in 290 g of propylene glycol monopropyl ether, followed by stirring with a three-one motor to stabilize the solution temperature at 60 ° C. Next, 84 g of ion-exchanged water was added to the solution over 1 hour. Then, after reacting at 60 ° C. for 2 hours, 25 g of acetylacetone was added, the reaction was further performed for 30 minutes, and the reaction solution was cooled to room temperature. At 50 ° C., 149 g of a solution containing methanol and water was removed from the reaction solution by evaporation to obtain a reaction solution. The weight-average molecular weight of the hydrolyzed condensate thus obtained was 1,900.

【0120】実施例1 合成例1で得られた重合体2gとビニルトリメトキシ
シラン0.04gをシクロヘキサノン18gに溶解させ
0.2μm孔径のポリテトラフルオロエチレン(デュポ
ン社製、テフロン)製フィルターでろ過を行い、本発明
の膜形成用組成物を得た。得られた組成物をスピンコー
ト法でシリコンウエハ上に塗布した。塗膜の比誘電率を
測定したところ、2.97と比誘電率3以下の塗膜が得
られた。塗膜の2%重量減少温度を測定したところ、4
80℃と優れた耐熱性を示した。また、塗膜を水浸漬し
てもクラックは発生せず、密着性評価でもシリコンウエ
ハとの剥離は生じなかった。
Example 1 2 g of the polymer obtained in Synthesis Example 1 and 0.04 g of vinyltrimethoxysilane were dissolved in 18 g of cyclohexanone, and the solution was filtered through a filter made of polytetrafluoroethylene (Defon, Teflon) having a pore diameter of 0.2 μm. Was carried out to obtain a film-forming composition of the present invention. The obtained composition was applied on a silicon wafer by spin coating. When the relative dielectric constant of the coating film was measured, a coating film having a relative dielectric constant of 2.97 and a dielectric constant of 3 or less was obtained. When the 2% weight loss temperature of the coating film was measured, it was 4
It exhibited excellent heat resistance of 80 ° C. In addition, no cracks occurred even when the coating film was immersed in water, and no peeling from the silicon wafer occurred in the evaluation of adhesion.

【0121】実施例2〜6 実施例1と同様にして、表1に示す組成で評価を行っ
た。
Examples 2 to 6 Evaluations were made in the same manner as in Example 1 with the compositions shown in Table 1.

【0122】[0122]

【表1】 [Table 1]

【0123】実施例8 市販のポリアリーレンエーテル溶液〔商品名SiLK
I(Dow Chemical社製)〕100gにビニ
ルトリメトキシシラン0.04gを添加したこと以外
は、実施例1と同様にして溶液および塗膜の評価を行っ
た。塗膜の比誘電率を測定したところ、2.67と比誘
電率3以下の塗膜が得られた。塗膜の2%重量減少温度
を測定したところ、510℃と優れた耐熱性を示した。
また、塗膜を水浸漬してもクラックは発生せず、密着性
評価でもシリコンウエハとの剥離は生じなかった。
Example 8 A commercially available polyarylene ether solution [trade name: SiLK
I (manufactured by Dow Chemical Company)] The solution and the coating film were evaluated in the same manner as in Example 1 except that 0.04 g of vinyltrimethoxysilane was added to 100 g. When the relative dielectric constant of the coating film was measured, a coating film having a dielectric constant of 2.67 and a dielectric constant of 3 or less was obtained. When the 2% weight loss temperature of the coating film was measured, it showed excellent heat resistance of 510 ° C.
In addition, no cracks occurred even when the coating film was immersed in water, and no peeling from the silicon wafer occurred in the evaluation of adhesion.

【0124】実施例9 実施例1において、市販のポリアリーレンエーテル溶液
〔商品名FLARE2.0(Honeywell社
製)〕100gに1,3−ビス(フェニルエチニル)−
1,3−ジメチルジアセトキシシロキサン0.04gを
添加したこと以外は、実施例1と同様にして溶液および
塗膜の評価を行った。塗膜の比誘電率を測定したとこ
ろ、2.87と比誘電率3以下の塗膜が得られた。塗膜
の2%重量減少温度を測定したところ、473℃と優れ
た耐熱性を示した。また、塗膜を水浸漬してもクラック
は発生せず、密着性評価でもシリコンウエハとの剥離は
生じなかった。
Example 9 In Example 1, 1,3-bis (phenylethynyl)-was added to 100 g of a commercially available polyarylene ether solution [FLARE 2.0 (trade name, manufactured by Honeywell)].
The solution and the coating film were evaluated in the same manner as in Example 1 except that 0.04 g of 1,3-dimethyldiacetoxysiloxane was added. When the relative dielectric constant of the coating film was measured, a coating film having a relative dielectric constant of 2.87 and not more than 3 was obtained. When the 2% weight loss temperature of the coating film was measured, it showed excellent heat resistance of 473 ° C. In addition, no cracks occurred even when the coating film was immersed in water, and no peeling from the silicon wafer occurred in the evaluation of adhesion.

【0125】比較例1 合成例1で得られた重合体2gのみをシクロヘキサノ
ン18gに溶解させたを使用した以外は、実施例1と同
様にして評価を行った。塗膜は2.97の比誘電率を示
したが、塗膜密着性評価で7本のスタッドプルピンにシ
リコンウエハとの界面剥離が認められた。
Comparative Example 1 Evaluation was performed in the same manner as in Example 1 except that only 2 g of the polymer obtained in Synthesis Example 1 was dissolved in 18 g of cyclohexanone. Although the coating film showed a relative dielectric constant of 2.97, the peeling of the interface between the seven stud pull pins and the silicon wafer was observed in the evaluation of the coating film adhesion.

【0126】比較例2 合成例2で得られた重合体2gのみをシクロヘキサノ
ン18gに溶解させたを使用した以外は、実施例1と同
様にして評価を行った。塗膜は2.98の比誘電率を示
したが、塗膜密着性評価で5本のスタッドプルピンにシ
リコンウエハとの界面剥離が認められた。
Comparative Example 2 Evaluation was carried out in the same manner as in Example 1 except that only 2 g of the polymer obtained in Synthesis Example 2 was dissolved in 18 g of cyclohexanone. Although the coating film showed a relative dielectric constant of 2.98, peeling at the interface with the silicon wafer was observed in five stud pull pins in the evaluation of the coating film adhesion.

【0127】比較例3 市販のポリアリーレンエーテル溶液〔商品名SiLK
I(Dow Chemical社製)〕のみを使用した
以外は、実施例1と同様にして評価を行った。塗膜は
2.66の比誘電率を示したが、塗膜密着性評価で2本
のスタッドプルピンにシリコンウエハとの界面剥離が認
められた。
Comparative Example 3 A commercially available polyarylene ether solution [trade name: SiLK
I (manufactured by Dow Chemical Company)] was used, and the evaluation was performed in the same manner as in Example 1. Although the coating film showed a relative dielectric constant of 2.66, peeling of the interface between the two stud pull pins and the silicon wafer was observed in the evaluation of the coating film adhesion.

【0128】比較例4 市販のポリアリーレンエーテル溶液〔商品名FLARE
2.0(Honeywell社製)〕のみを使用した以
外は、実施例1と同様にして評価を行った。塗膜は2.
84の比誘電率を示したが、塗膜密着性評価で3本のス
タッドプルピンにシリコンウエハとの界面剥離が認めら
れた。
Comparative Example 4 Commercially available polyarylene ether solution [trade name: FLARE
2.0 (manufactured by Honeywell)] alone, and the evaluation was performed in the same manner as in Example 1. The coating film is 2.
A dielectric constant of 84 was shown, but peeling of the interface between the three stud pull pins and the silicon wafer was observed in the coating film adhesion evaluation.

【0129】実施例10 合成例1で得られた重合体2g、反応液0.2g、
シクロヘキサノン18gを混合し、0.2μm孔径のポ
リテトラフルオロエチレン(デュポン社・テフロン)製
フィルターでろ過を行い本発明の膜形成用組成物を得
た。得られた組成物をスピンコート法でシリコンウエハ
上に塗布した。塗膜の比誘電率を測定したところ、2.
94と比誘電率3以下の塗膜が得られた。PCT(Pr
essure Cooker Test)後の塗膜を水
浸漬してもクラックは発生せず、密着性評価でも界面で
の剥離は生じなかった。
Example 10 2 g of the polymer obtained in Synthesis Example 1, 0.2 g of the reaction solution,
18 g of cyclohexanone was mixed and filtered through a filter made of polytetrafluoroethylene (Teflon, DuPont) having a pore diameter of 0.2 μm to obtain a film-forming composition of the present invention. The obtained composition was applied on a silicon wafer by spin coating. The relative dielectric constant of the coating film was measured.
A coating film having a specific dielectric constant of 94 or less was obtained. PCT (Pr
Even if the coating film after the Essure Cooker Test was immersed in water, no crack was generated, and no peeling at the interface was observed in the evaluation of adhesion.

【0130】実施例11〜15 実施例10と同様にして、表2に示す組成で評価を行っ
た。
Examples 11 to 15 In the same manner as in Example 10, evaluations were made with the compositions shown in Table 2.

【0131】[0131]

【表2】 [Table 2]

【0132】実施例16 市販のポリアリーレンエーテル溶液商品名SiLK I
(Dow Chemical社製)100gに反応液
0.4gを添加したこと以外は、実施例10と同様にし
て溶液および塗膜の評価を行った。塗膜の比誘電率を測
定したところ、2.68と比誘電率3以下の塗膜が得ら
れた。PCT後の塗膜を水浸漬してもクラックは発生せ
ず、密着性評価でも界面での剥離は生じなかった。
Example 16 Commercially available polyarylene ether solution SiLK I
The solution and the coating film were evaluated in the same manner as in Example 10, except that 0.4 g of the reaction solution was added to 100 g (manufactured by Dow Chemical Company). When the relative dielectric constant of the coating film was measured, a coating film having a relative dielectric constant of 2.68 and a dielectric constant of 3 or less was obtained. No cracks occurred when the coating film after PCT was immersed in water, and no peeling at the interface was observed in the evaluation of adhesion.

【0133】実施例17 実施例10において、市販のポリアリーレンエーテル溶
液〔商品名FLARE2.0(Honeywell社
製)〕100gに反応液0.4gを添加したこと以外
は、実施例10と同様にして溶液および塗膜の評価を行
った。塗膜の比誘電率を測定したところ、2.87と比
誘電率3以下の塗膜が得られた。PCT後の塗膜を水浸
漬してもクラックは発生せず、密着性評価でも界面での
剥離は生じなかった。
Example 17 The procedure of Example 10 was repeated, except that 0.4 g of the reaction solution was added to 100 g of a commercially available polyarylene ether solution [FLARE 2.0 (trade name, manufactured by Honeywell)]. The solution and the coating film were evaluated. When the relative dielectric constant of the coating film was measured, a coating film having a relative dielectric constant of 2.87 and not more than 3 was obtained. No cracks occurred when the coating film after PCT was immersed in water, and no peeling at the interface was observed in the evaluation of adhesion.

【0134】比較例5 比較合成例1で得られた反応液を使用したこと以外
は、実施例10と同様にして評価を行った。塗膜の比誘
電率3.23であり、クラック耐性評価で塗膜に多数の
クラック発生した。
Comparative Example 5 Evaluation was performed in the same manner as in Example 10 except that the reaction solution obtained in Comparative Synthesis Example 1 was used. The dielectric constant of the coating film was 3.23, and a number of cracks occurred in the coating film in the evaluation of crack resistance.

【0135】[0135]

【発明の効果】本発明によれば、(A)芳香族ポリアリ
ーレンおよび芳香族ポリアリーレンエーテルもしくはい
ずれか一方、(B)反応性基を有するシランカップリン
グ剤およびその加水分解縮合物もしくはいずれか一方、
ならびに(C)有機溶剤を含有する組成物を使用するこ
とにより、耐熱性、低誘電性、クラック耐性、基板との
密着性などのバランスに優れた膜形成用組成物(層間絶
縁膜用材料)を提供することが可能である。
According to the present invention, (A) an aromatic polyarylene and / or an aromatic polyarylene ether, and (B) a silane coupling agent having a reactive group and a hydrolytic condensate thereof or any one thereof on the other hand,
And (C) a film-forming composition (material for an interlayer insulating film) having an excellent balance of heat resistance, low dielectric property, crack resistance, adhesion to a substrate, and the like by using a composition containing an organic solvent. It is possible to provide.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C08G 65/34 C08G 65/34 5F033 C09D 4/06 C09D 4/06 5F058 5/25 5/25 5G305 171/12 171/12 183/04 183/04 H01B 3/30 H01B 3/30 M N 3/42 3/42 G H01L 21/312 H01L 21/312 A 21/768 21/90 S (72)発明者 山田 欣司 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Fターム(参考) 4J005 AA23 BA00 BB02 4J011 AA05 BA04 BB01 CA02 CA08 CC07 PA83 PA90 PB28 PB40 PC02 4J026 AB19 AB23 AB46 AC18 BA04 BA05 BA06 BA07 BA15 BA27 BA28 BA29 BA32 BA44 BB01 DA02 DA19 DB02 DB04 DB06 DB15 FA05 GA06 4J032 CA03 CA04 CB01 CB03 CC01 CD02 CD08 CE03 CE22 CG06 4J038 DC011 DF051 DL032 DL112 FA012 FA042 FA092 FA112 FA162 GA01 GA02 GA09 GA10 GA12 GA13 JA02 JA05 JA19 JA20 JA21 JA26 JA33 JA56 JA66 JC33 KA02 KA06 MA06 NA14 NA21 PA19 PB09 PC02 5F033 RR21 SS22 XX12 XX17 XX24 5F058 AA10 AC10 AF04 AG01 AH02 5G305 AA07 AA11 AB10 AB16 AB24 AB34 BA09 CA13 CB26 CD06 CD12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C08G 65/34 C08G 65/34 5F033 C09D 4/06 C09D 4/06 5F058 5/25 5/25 5G305 171 / 12 171/12 183/04 183/04 H01B 3/30 H01B 3/30 M N 3/42 3/42 G H01L 21/312 H01L 21/312 A 21/768 21/90 S (72) Inventor Kinji Yamada 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo F-term in JSR Co., Ltd. (reference) 4J005 AA23 BA00 BB02 4J011 AA05 BA04 BB01 CA02 CA08 CC07 PA83 PA90 PB28 PB40 PC02 4J026 AB19 AB23 AB46 AC18 BA04 BA05 BA06 BA07 BA27 BA28 BA BA32 BA44 BB01 DA02 DA19 DB02 DB04 DB06 DB15 FA05 GA06 4J032 CA03 CA04 CB01 CB03 CC01 CD02 CD08 CE03 CE22 CG06 4J038 DC011 DF051 DL032 DL112 FA012 FA042 FA092 FA112 FA162 GA01 GA02 GA09 GA10 GA12 GA13 JA02 JA05 JA19 JA20 JA21 JA26 JA33 JA56 JA66 JC33 KA02 KA06 MA06 NA14 NA21 PA19 PB09 PC02 5F033 RR21 SS22 XX12 XX17 XX24 5F058 AA10 AC10 AF04 AG01 AH02 5G305 AA07 AA13 AB10 AB16 AB12 AB10

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)芳香族ポリアリーレンおよび芳香
族ポリアリーレンエーテルもしくはいずれか一方、 (B)反応性基を有するシランカップリング剤およびそ
の加水分解縮合物もしくはいずれか一方、ならびに (C)有機溶剤を含有することを特徴とする膜形成用組
成物。
1. An aromatic polyarylene and / or an aromatic polyarylene ether, (B) a silane coupling agent having a reactive group and / or a hydrolytic condensate thereof, and (C) A composition for forming a film, comprising an organic solvent.
【請求項2】 (A)成分が下記式(1)で表される繰
り返し構造単位および下記式(2)で表される繰り返し
構造単位もしくはいずれか一方の繰り返し構造単位を有
する重合体である請求項1記載の膜形成用組成物。 【化1】 【化2】 (R7 〜R11はそれぞれ独立して炭素数1〜20の炭化
水素基、シアノ基、ニトロ基、炭素数1〜20のアルコ
キシル基、アリール基、またはハロゲン原子、Xは−C
QQ′−(ここで、Q,Q′は同一であっても異なって
いてもよく、ハロゲン化アルキル基、アルキル基、水素
原子、ハロゲン原子またはアリール基を示す)に示す
基、およびフルオレニレン基からなる群から選ばれる少
なくとも1種であり、Yは−O−,−CO−,−COO
−,−CONH−,−S−,−SO2−およびフェニレ
ン基の群から選ばれた少なくとも1種であり、aは0ま
たは1を示し、b〜fは0〜4の整数を示し、gは5〜
100モル%、hは0〜95モル%、iは0〜95モル
%(ただし、g+h+i=100モル%)、jは0〜1
00モル%、kは0〜100モル%(ただし、j+k=
100モル%)である。〕
2. The polymer according to claim 1, wherein the component (A) is a polymer having a repeating structural unit represented by the following formula (1) and / or a repeating structural unit represented by the following formula (2). Item 7. The film-forming composition according to Item 1. Embedded image Embedded image (R 7 to R 11 are each independently a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, an alkoxyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group, or a halogen atom, and X is —C
QQ'- (wherein Q and Q 'may be the same or different and each represents a halogenated alkyl group, an alkyl group, a hydrogen atom, a halogen atom or an aryl group) and a fluorenylene group Y is -O-, -CO-, -COO.
-, - CONH -, - S -, - SO 2 - and at least one selected from the group consisting of phenylene group, a is 0 or 1, b to f represents an integer of 0 to 4, g Is 5
100 mol%, h is 0 to 95 mol%, i is 0 to 95 mol% (however, g + h + i = 100 mol%), j is 0 to 1
00 mol%, k is 0 to 100 mol% (provided that j + k =
100 mol%). ]
【請求項3】 (A)成分が、重合体中に炭素数1〜2
0の炭化水素基を含有する請求項1または2記載の膜形
成用組成物。
3. The composition according to claim 1, wherein the component (A) contains 1 to 2 carbon atoms in the polymer.
The film forming composition according to claim 1, which contains 0 hydrocarbon groups.
【請求項4】 (B)成分を構成する反応性基を有する
シランカップリング剤が、分子内に反応性の二重結合
基および三重結合基もしくはいずれか一方を含有するア
ルコキシシラン化合物、分子内に反応性の二重結合基
および三重結合基もしくはいずれか一方を含有するアセ
トキシシラン化合物、分子内にトリル基を含有するア
ルコキシシラン化合物、ならびに分子内にトリル基を
含有するアセトキシシラン化合物の群から選ばれる少な
くとも1種である請求項1記載の膜形成用組成物。
4. An alkoxysilane compound containing a reactive double bond group and / or a triple bond group in a molecule, wherein the silane coupling agent having a reactive group constituting the component (B) is a silane coupling agent. Acetoxysilane compounds containing a reactive double bond group and / or a triple bond group, an alkoxysilane compound containing a tolyl group in the molecule, and an acetoxysilane compound containing a tolyl group in the molecule. 2. The film-forming composition according to claim 1, which is at least one member selected from the group consisting of:
【請求項5】 (A)成分と(B)成分の使用割合が、
(A)成分100重量部に対して(B)成分0.001
〜10重量部である請求項1記載の膜形成用組成物。
5. The use ratio of the component (A) and the component (B) is as follows:
0.001 component (B) per 100 parts by weight of component (A)
The composition for forming a film according to claim 1, wherein the amount is from 10 to 10 parts by weight.
【請求項6】 さらに、ラジカル発生剤、反応性二重結
合含有化合物および反応性三重結合含有化合物の群から
選ばれる少なくとも1種を含有する請求項1〜5いずれ
か1項記載の膜形成用組成物。
6. The film for forming a film according to claim 1, further comprising at least one selected from the group consisting of a radical generator, a reactive double bond-containing compound and a reactive triple bond-containing compound. Composition.
【請求項7】 請求項1〜6いずれか1項記載の膜形成
用組成物からなることを特徴とする絶縁膜形成用材料。
7. A material for forming an insulating film, comprising the composition for forming a film according to any one of claims 1 to 6.
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