JP2002031273A - 極細径Ｃｕ−Ｗパイプ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 外径が０．５ｍｍ以下の極細径のＣｕ−Ｗパ
イプとそれを用いた放電加工電極とその製造方法とを提
供すること。 【解決手段】 極細径Ｃｕ−Ｗパイプは、Ｃｕ粉末と、
Ｗ粉末と、バインダーと、非イオン系界面活性剤とを含
む粉末を混練して、先端部に予め定められたダイス角θ
１の円錐孔を備えたダイス１を通して押し出し成形し、
焼結することによって得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、放電加工電極とそ
の製造方法に関し、詳しくは、リードフレーム製造等に
用いられ、微細な加工が可能な放電加工電極に用いられ
る極細径Ｃｕ−Ｗパイプと、その製造方法と、それを用
いた放電加工電極とその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】メモリー容量の増大化のために、ＩＣの
集積化が進み、リードフレームの多ピン化、ファインピ
ッチ化が進行している。現在、これらのリードフレーム
を製造するために、プレス打ち抜き法とエッチング法に
よる製造が行われている。しかし、量産性、コスト性を
考慮すると、現在のところプレス打ち抜き法が有利にな
っている。その為、プレス打ち抜き法によって製造され
るＩＣリードフレームは、微小化の一途を辿っている。
これらのプレス打ち抜き金型のダイブロックの加工に
は、通常プロファイル成形加工機を使用していたが、研
削工程の無人化、組立精度の向上には熟練を要し、自ず
と製造コストの高騰へとつながる。

【０００３】そこで、これらの問題点を解決するために
登場したのがワイヤー放電加工技術である。しかし、こ
のワイヤー放電加工技術において、ワイヤーを使用して
切断するためには、ワイヤーを通過させる下穴が必要と
なる。この下穴をあけるために、従来の放電加工用電極
としては、Ｃｕパイプが主に使用されていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ＩＣリードフレームに
代表される半導体金型の加工に使用されるワイヤー放電
加工技術は、ワイヤーの線径もさることながら、ワイヤ
ーを通過させる下穴がどの様に出来るかによつて、微細
加工出来るか否かが決定されるキーポイントである。つ
まり、下穴の形状、真直性、入口と出口の径の差、そし
て加工能力が決め手となる。

【０００５】従来、Ｃｕパイプがワイヤーを通過させる
下穴の加工に用いられていたが、その加工精度に問題が
あった。パイプでは、現在外径が８０μｍのパイプの製
造が可能であるが、真直性の点で問題がある。つまりＣ
ｕ自身の剛性が低いため、被加工物である超硬合金へ放
電をさせながら穴を開けていくと、Ｃｕのパイプが超硬
合金中で曲がってしまうという欠点がある。また、Ｃｕ
パイプの放電による摩耗が大きく被加工物である超硬合
金の板厚が厚いと、数回取り替えなければ穴が貫通しな
かったり、材料の穴あけを一定方向から出来ず、板厚の
半分ほどで反対側から穴を開けなければならず、真直性
についても不安が残る問題点があった。

【０００６】また、従来からもＣｕ−Ｗパイプは製造さ
れていたが、その外径Ｄは０．５ｍｍが限界であった。
その理由は、主としてＣｕ−ＷパイプはＣｕ粉末とＷ粉
末にバインダーを入れて混練した材料を押し出す。その
後、脱バインダー、焼結過程を経て製品となる。

【０００７】しかし、この方法ではバインダーの量が多
く、外径が０．５ｍｍ以下のような極細径のＣｕ−Ｗパ
イプを押し出した場合、脱バインダー時の強度が無く形
が維持できなかった。

【０００８】そこで、本発明の技術的課題は、外径が
０．５ｍｍ以下のような極細径のＣｕ−Ｗパイプとそれ
を用いた放電加工電極とその製造方法とを提供すること
にある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前述したように、ＩＣリ
ードフレームに代表される半導体金型の微小化を辿る加
工ワイヤーの下穴をいかに精度良く安定に加工できるか
がポイントであり、本発明者らは、放電加工用電極パイ
プについて、Ｃｕパイプに問題として残る下穴の形状、
真直性、入口と出口の径の差そして加工能力について改
善すべく鋭意研究した。その結果、Ｃｕ粉末、Ｗ粉末と
バインダーとの濡れ性を改善する界面活性剤を添加する
ことによって、バインダー量を減少でき、これによっ
て、脱バインダーにおいて、形を維持できる強度が保持
できることを見出し本発明を為すに至ったものである。

【００１０】本発明によれば、主成分としてＣｕ及びＷ
を含む金属からなるＣｕ−Ｗパイプにおいて、前記Ｃｕ
−Ｗパイプは、外径Ｄ及び内径ｄが０．０８ｍｍ≦Ｄ≦
０．５０ｍｍ、０．０４ｍｍ≦ｄ≦０．４６ｍｍ、Ｄ−
ｄ≧０．０４ｍｍなる関係を備え、ヤング率が１９６〜
２９４ＧＰａであることを特徴とする極細径Ｃｕ−Ｗパ
イプが得られる。

【００１１】また、本発明によれば、前記極細径Ｃｕ−
Ｗパイプにおいて、電気伝導度（％ＩＡＣＳ）の値が３
０以上であることを特徴とするＣｕ−Ｗパイプが得られ
る。

【００１２】また、本発明によれば、前記いずれかの極
細径Ｃｕ−Ｗパイプを用いた放電加工電極であって、前
記極細径Ｃｕ−Ｗパイプは、構成する合金組織中のＷの
粒径が０．５〜３．０μｍであり、且つＣｕが２５〜３
０％、Ｎｉ，Ｃｏが０．１〜０．５％、不可避不純物を
除く残部がＷから実質的になる組成を備えていることを
特徴とする放電加工電極が得られる。

【００１３】また、本発明によれば、前記いずれかの極
細径Ｃｕ−Ｗパイプを用いた放電加工電極であって、前
記極細径Ｃｕ−Ｗパイプは、構成する合金組織中のＷの
粒径が０．５〜３．０μｍであり、且つＣｕが２５〜３
０％、Ｎｉ，Ｃｏが０．１〜０．５％、ＣｅＯ_２が０〜
１．０％（０は含まず），不可避不純物を除く残部がＷ
から実質的になる組成を備えていることを特徴とする放
電加工電極が得られる。

【００１４】さらに、具体的に本発明を説明すると、Ｃ
ｕ−Ｗパイプにおいて、外径Ｄ、内径ｄとの関係が、
０．０８ｍｍ≦Ｄ≦０．５ｍｍ、０．０４ｍｍ≦ｄ≦
０．４６ｍｍ、Ｄ−ｄ≧０．０４ｍｍでヤング率が１９
６〜２９４ＧＰａである放電加工用電極で、電気伝導度
（％ＩＡＣＳ）が３０以上を有し、Ｃｕが２５〜３０
％、Ｎｉが０．１〜０．５％、ＣｅＯ_２が０〜１．０
％、不可避不純物を除く残部がＷである組成で、合金組
織中のＷの粒径が０．５〜３．０μｍである放電加工電
極である。

【００１５】この電極を用いることによって、従来のＣ
ｕパイプより精度、能率の良い電極を提供できるように
なり、今までのＣｕ−Ｗパイプではあけられなかった、
極細径の穴が開けることができるようになった。

【００１６】ここで、本放電加工電極について上記のよ
うに限定した理由について述べる。

【００１７】まず、本発明において、外径、内径そして
外径と内径の差について上記のように限定した理由は、
まず外径の０．０８ｍｍは現在の技術では、これよりも
細い外径のＣｕ−Ｗパイプの製造はできない。また内径
の０．０４ｍｍも同様な理由である。次に、外径の０．
５ｍｍは、それ以上になるとＣｕ−Ｗを使用して細い穴
を明けなくてもＣｕのパイプでも十分使用できるためで
ある。また、内径の０．４６ｍｍも同様な理由である。
外径と内径の差については０．０４ｍｍつまり、片側
０．０２ｍｍがなければ電極が放電をしながら消耗して
いくときに、加工液が漏れることがあるためである。ま
た、外径と内径差がある方が加工液を多く流すことがで
き、スラッジの排出がうまくいくからである。

【００１８】また、本発明において、ヤング率を上記の
ように限定したのは、次の理由からである。

【００１９】Ｃｕ−Ｗのパイプの特徴として、Ｃｕパイ
プよりヤング率の高いことが上げられる。ここでヤング
率が１９６〜２９４ＧＰａを下回ると、Ｃｕ−Ｗパイプ
の剛性の優位性が失われ、放電加工によって開けられる
穴の真直性が失われてしまう。一方、２９４ＧＰａ以上
になると、Ｗの割合が多くなり放電加工特性が低下する
ために、ヤング率を１９６〜２９４Ｐａと限定した。

【００２０】また、本発明において、電気伝導度（％Ｉ
ＡＣＳ）を３０以上としたのは、加工液が水溶性であっ
た場合、３０以下では電極自身の電気伝導度が低すぎて
放電をせず、電極自身加熱され軟化もしくは溶融されて
しまう。一方、加工液が油性である場合、電圧をあげる
ことで放電は起こすが、それに比例して放電エネルギー
が大きくなるため結果として放電加工面が粗くなり、加
工精度が得られなくなるためである。

【００２１】また、本発明において、組成を上記のよう
に限定したのは、次の理由による。

【００２２】Ｃｕ−Ｗのパイプの特性としては電気伝導
度が高く且つ剛性が高い方が望ましい。しかし、前者に
ついてはＣｕの比率を高くしなければならず、後者につ
いては逆にＣｕの比率を低くし、Ｗの比率を高くしなけ
ればならず二律背反する。よって、これらの特性を満た
すための組成としてＣｕを２５〜３０％に限定し、添加
物及び不可避不純物を除く残部をＷとした。Ｎｉ、Ｃｏ
についは、一般にＣｕ−Ｗ合金は粉末冶金法で製造され
るが、０．１％未満ではＣｕの融点より高い温度で焼結
しても合金中に空孔が残り、なかなか合金の密度が上が
らず強度が得られない。一方、０．５％以上ではＣｕ−
Ｗ合金の電気伝導度が著しく低下する。よってその比率
を０．１〜０．５％に限定した。

【００２３】一方、ＣｅＯ_２については、Ｃｕと比較し
て放電特性が劣るＣｕ−Ｗ合金の放電特性の安定向上に
寄与するが、１．０％以上の添加では、Ｃｕ−Ｗの焼結
特性を著しく阻害し、強いては放電特性を劣化させる。
従って、その範囲を０以上、好ましくは、０．２％以上
で１．０％以下と限定したものである。

【００２４】また、本発明において、合金組織中のＷの
粒径について上記のように限定したのは、次の理由によ
る。

【００２５】Ｃｕ−Ｗ合金は一般に粉末冶金法で行われ
る。その焼結はＷ粒子間に溶融したＣｕが毛細管現象に
よって引き込まれ、Ｗ粒子表面を覆い、Ｗ粒子間の空隙
を満たすことで進行する。Ｗ粒子の粒径が３．０μｍ以
上の場合、その単位質量当たりの表面積が小さくなり、
過剰となったＣｕが合金表面ににじみ出てくる。すなわ
ち、合金の形状がパイプの場合、そのパイプ孔がにじみ
出てきたＣｕで塞がれてしまう。逆に、Ｗ粒子の粒径が
０．５μｍ未満の場合、その単位質量当たりの表面積が
大きくなり、Ｗ粒子の表面積を十分に濡らすことができ
ず、結果として空隙が残り、合金強度が得られない。よ
って、合金紹織中のＷの粒径を０．５〜３．０μｍに限
定した。

【００２６】また、本発明によれば、Ｃｕ粉末と、Ｎｉ
及びＣｏの内の少なくとも１種と、Ｗ粉末と、バインダ
ーと、非イオン系界面活性剤とを含む粉末とを、Ｃｕが
２５〜３０％と、Ｎｉ及びＣｏの内の少なくとも１種が
０．１〜０．５％と、残部がＷの組成となるように、混
練して、先端部に予め定められた傾斜角の円錐孔を備え
たダイスを通して押し出し成形し、焼結することを特徴
とする極細径Ｃｕ−Ｗパイプの製造方法が得られる。

【００２７】また、本発明によれば、前記極細径Ｃｕ−
Ｗパイプの製造方法において、前記円錐孔の傾斜角度は
２０〜４０度の範囲内（好ましくは、略３０度）である
ことを特徴とする極細径Ｃｕ−Ｗパイプの製造方法が得
られる。ここで、本発明において、傾斜角度を２０〜４
０度の範囲内と限定したのは、２０度未満であると、押
出成形時において、十分に圧力をかけて絞りきれないの
で、パイプ形状に成形できず、一方、４０度を越える角
度においては、押出成形時において、成形からだの外周
部と内部にかかる圧力の差が大きくなり、その結果、成
形体内部に密度差が生じて、成形体に同心円状のクラッ
クが生じ易くなり、不都合であるからである。また、特
に好ましくは、略３０度である。

【００２８】また、本発明によれば、前記極細径Ｃｕ−
Ｗパイプの製造方法を用いたことを特徴とする放電加工
電極の製造方法が得られる。

【００２９】ここで、本発明において用いた界面活性剤
は非イオン系界面活性剤で、カチオンやアニオン系の界
面活性剤ではＣｕ−ＷパイプにＰｏｒｅ等の欠陥を生じ
させるために好ましくない。

【００３０】また、非イオン系界面活性剤は、親油性親
水性の指標であるＨＬＢの値で分類されるが、これは用
いるバインダーの種類によつて選択できる。つまり、親
油性バインダーとして、例えば、パラフィンを用いる場
合は、ＨＬＢの数値の低いもの（６以下）を選択し、水
溶性バインダーを用いる場合には、ＨＬＢの数値の高い
物（６以上）を選択する。

【００３１】水溶性バインダーとしては、デキストリ
ン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、メチルセルロー
ス、ポリエチレングリコール等が選択できる。

【００３２】ここで、一例を示すと、非イオン系界面活
性剤を添加することによって従来１３％まで必要であっ
たバインダー（パラフィン）が４％まで減少出来るよう
になった。

【００３３】さらに、本発明の製造方法においては、押
し出し時の抵抗を減少させるように、ダイス角度θ１を
３０度とすることによって、ダイス内面と材料のすべり
抵抗を減少させることができるようになり、外径が０．
５ｍｍ以下のようなＣｕ−Ｗパイプを押し出しすること
ができるようになった。

【００３４】以上、上記に示した技術によって、下記の
放電加工電極が製造可能となった。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。

【００３６】図１は本発明の実施の形態による極微細Ｃ
ｕ−Ｗパイプを製造することに用いられる押し出し成形
機のダイスを示す断面図、図２は図１のダイスの第１の
金型を示す断面図、図３は図１のダイスの第２の金型を
示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

【００３７】図１を参照すると、ダイス１は、図では、
上下方向に中心軸を備えた第１の金型１０と、第１の金
型１０の中心軸方向の一端から装着される第２の金型２
０とを備えている。

【００３８】図２に示すように、第１の金型１０には、
中心軸方向に沿って材料が通過する孔部２を備えてい
る。この孔部２は、一端に比較的大きな径の円筒内面を
備えた大径部３と、他端に比較的小さな径を備えた穴部
である細径部４と、これらの端部を連絡する円錐内面を
備えた円錐部５とを備えている。孔部の両端の開口縁面
には、面取りが施されている。この円錐面のダイス角θ
１は、図ではやや大きく誇張されて描かれているが、略
３０度である。

【００３９】図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２
の金型２０は、一端に設けられたフランジ部１１と、こ
れに続き、このフランジ部１１よりも外径の小さな円柱
外面を備えた基部１３と、基部の中心から他端側から軸
方向に突出した円柱棒１４と、円柱棒１４の先端から次
第に径が狭まるように設けられたテーパ角度θ２が略３
０度の円錐外面を備えた円錐部１５と、円錐部１５の先
端に設けられた芯線部１６とを備えている。フランジ部
１１及び基部を中心軸方向に沿って貫通した貫通孔１２
が円柱棒１４の周囲に開口を有するように、同心円状に
等角度間隔で設けられている。

【００４０】図２に示した第１の金型１０の一端の大径
部３側に、第２の金型２０を芯線１６側から中心軸方向
に細径部に向かって挿入すると、図１に示すように、細
径部４に芯線１６が挿入され、第２の金型２０と、第１
の金型１０の夫々の円錐面が互いに平行になるととも
に、フランジ部１１の他面が、第１の金型の一端面に当
接して固定されダイス１が完成する。

【００４１】ここで、図１を再び参照すると、押し出し
成形機等で混練された材料は、貫通孔１２に押し込ま
れ、第２の金型２０の円柱棒及び円錐部と、第１の金型
の円錐部によって形成される空間６内に至り、更に、先
端部７から芯線１６によって、パイプ形状となって押し
出される。このダイスを用いて押し出された円筒形材料
は、形くずれすることなく、焼結することによって、極
細径パイプとなる。

【００４２】次に、本発明の実施の形態によるＣｕ−Ｗ
パイプの具体的な製造例について説明する。

【００４３】下記表１に示した所定量に配合したＣｕ粉
末、Ｗ粉末、Ｎｉ，Ｃｏ粉末、ＣｅＯ_２粉末とパラフィ
ンを投入粉末の重量に対して９％混練機の中に投入して
混練した。次に、非イオン系界面活性剤（ＨＬＢ値１
０）を投入粉末の重量に対して２％投入する。この工程
で混練を１時間行い、その後混練材料を取り出した。そ
の後、押し出し機に投入しポートホールダイス（図１参
照）を用いて、パイプの形状に押し出す。次に押し出さ
れたＣｕ−Ｗパイプを１２００℃で１時間焼結を行っ
た。その後外周を研削して表２に示したように外径、内
径、ヤング率、％ＩＡＣＳを有するＣｕ−Ｗパイプを得
た。

【００４４】

【表１】

【００４５】

【表２】

【００４６】また、下記表３には、比較のために用いた
Ｃｕパイプの特性を示した。

【００４７】

【表３】

【００４８】次に、上記表２に示したＣｕ−Ｗ放電加工
電極と上記表３に示したＣｕパイプ放電加工電極を用い
て、種々の板厚の超硬合金（Ｇ５）に穴をあけることに
よって、電極の消耗、加工速度、入口及び出口の芯ずれ
について調べた。

【００４９】まず、電極の消耗について説明する。同一
径のＣｕ−Ｗ，Ｃｕ放電加工電極を用い、同一個数の穴
をあけたときの電極の減り具合を測定し、Ｃｕ−Ｗ電極
の減り具合を１００としたときの減り具合を指数として
下記表４に表した。加工条件は、超硬合金Ｇ５、板厚
（ｔ）＝５，１０，１５ｍｍである。

【００５０】

【表４】

【００５１】次に、加工時間について説明する。同一径
のＣｕ−Ｗ、Ｃｕ放電加工電極を用い、同一個数の穴を
あけたときの時間を測定し、Ｃｕ−Ｗの加工に要した時
間を１００としたときのＣｕ電極の要した時間を指数と
して、下記表５に表した。加工条件は、超硬合金Ｇ５、
板厚（ｔ）＝５，１０，１５ｍｍである。

【００５２】

【表５】

【００５３】次に入口出口の芯ずれについて、説明す
る。同一径のＣｕ−Ｗ、Ｃｕ放電加工電極を用い、同一
個数の穴をあけたときの入口出口の芯ずれを測定し、Ｃ
ｕ−Ｗ放電加工電極を使用したときの入口出口の芯ずれ
を１００としたときのＣｕ放電加工電極を使用したとき
の入口出口の芯ずれを指数として、下記表６に表した。
加工条件は、超硬合金Ｇ５、板厚（ｔ）＝５．１０，１
５ｍｍである。

【００５４】

【表６】

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
外径が０．５ｍｍ以下のような極細径のＣｕ−Ｗパイプ
とそれを用いた放電加工電極とその製造方法とを提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態による極微細Ｃｕ−Ｗパイ
プを製造することに用いられる押し出し成形機のダイス
を示す断面図である。

【図２】図１のダイスの第１の金型を示す断面図であ
る。

【図３】図１のダイスの第２の金型を示す図で、（ａ）
は平面図、（ｂ）は断面図である。

【符号の説明】

１ ダイス １０ 第１の金型 ２０ 第２の金型 ２ 孔部 ３ 大径部 ４ 細径部 ５ 円錐部 ６ 空間 ７ 先端部 １１ フランジ部 １２ 貫通孔 １３ 基部 １４ 円柱棒 １５ 円錐部 １６ 芯線部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 彰 富山県富山市岩瀬古志町２番地 東京タン グステン株式会社富山製作所内 (72)発明者 高木 康弘 富山県富山市岩瀬古志町２番地 東京タン グステン株式会社富山製作所内 (72)発明者 土井 良彦 東京都台東区東上野五丁目24番８号 東京 タングステン株式会社内 (72)発明者 大久保 直幸 大阪府大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友電気工業株式会社大阪製作所内 (72)発明者 岸田 均 大阪府大阪市此花区島屋一丁目１番３号 住友電気工業株式会社大阪製作所内 Ｆターム(参考） 3C059 AA01 AB01 DA02 DC02 3H111 AA01 BA05 BA34 CB02 CB29 DA26 DB27 EA04

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 主成分としてＣｕ及びＷを含む金属から
   なるＣｕ−Ｗパイプにおいて、前記Ｃｕ−Ｗパイプは、
   外径Ｄ及び内径ｄが０．０８ｍｍ≦Ｄ≦０．５０ｍｍ、
   ０．０４ｍｍ≦ｄ≦０．４６ｍｍ、Ｄ−ｄ≧０．０４ｍ
   ｍなる関係を備え、ヤング率が１９６〜２９４ＧＰａで
   あることを特徴とする極細径Ｃｕ−Ｗパイプ。
2. 【請求項２】 請求項１記載の極細径Ｃｕ−Ｗパイプに
   おいて、電気伝導度（％ＩＡＣＳ）の値が３０以上であ
   ることを特徴とする極細径Ｃｕ−Ｗパイプ。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の極細径Ｃｕ−Ｗパ
   イプを用いた放電加工電極であって、前記極細径Ｃｕ−
   Ｗパイプは、構成する合金組織中のＷの粒径が０．５〜
   ３．０μｍであり、且つＣｕが２５〜３０％、Ｎｉ，Ｃ
   ｏが０．１〜０．５％、不可避不純物を除く残部がＷか
   ら実質的になる組成を備えていることを特徴とする放電
   加工電極。
4. 【請求項４】 請求項１又は２記載の極細径Ｃｕ−Ｗパ
   イプを用いた放電加工電極であって、前記極細径Ｃｕ−
   Ｗパイプは、構成する合金組織中のＷの粒径が０．５〜
   ３．０μｍであり、且つＣｕが２５〜３０％、Ｎｉ，Ｃ
   ｏが０．１〜０．５％、ＣｅＯ_２が０〜１．０％（０は
   含まず），不可避不純物を除く残部がＷから実質的にな
   る組成を備えていることを特徴とする放電加工電極。
5. 【請求項５】 Ｃｕ粉末と、Ｎｉ及びＣｏの内の少なく
   とも１種と、Ｗ粉末と、バインダーと、非イオン系界面
   活性剤とを含む粉末とを、Ｃｕが２５〜３０％と、Ｎｉ
   及びＣｏの内の少なくとも１種が０．１〜０．５％と、
   残部がＷの組成となるように、混練して、先端部に予め
   定められた傾斜角の円錐孔を備えたダイスを通して押し
   出し成形し、焼結することを特徴とする極細径Ｃｕ−Ｗ
   パイプの製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の極細径Ｃｕ−Ｗパイプの
   製造方法において、前記円錐孔の傾斜角度は２０〜４０
   度の範囲内であることを特徴とする極細径Ｃｕ−Ｗパイ
   プの製造方法。
7. 【請求項７】 請求項５又は６記載の極細径Ｃｕ−Ｗパ
   イプの製造方法を用いたことを特徴とする放電加工電極
   の製造方法。