JP2002030135A - 樹脂組成物および電子部品 - Google Patents
樹脂組成物および電子部品Info
- Publication number
- JP2002030135A JP2002030135A JP2000216777A JP2000216777A JP2002030135A JP 2002030135 A JP2002030135 A JP 2002030135A JP 2000216777 A JP2000216777 A JP 2000216777A JP 2000216777 A JP2000216777 A JP 2000216777A JP 2002030135 A JP2002030135 A JP 2002030135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- group
- mass
- electronic component
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＰｄやＰｄ−Ａｕ、Ｃｕ等のプレプレー
ティングフレームとの接着性が高く、耐湿性に優れ、成
形性のよい樹脂組成物、および樹脂組成物で封止された
半導体装置または電子部品を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）メルカプト基含有シラン化合物および（Ｄ）無機
質充填剤を含み、（Ａ）〜（Ｄ）の合計量に対して、
（Ｃ）メルカプト基含有シラン化合物が０．００１〜１
０重量％、および（Ｄ）無機質充填剤が１０〜９５重量
％の割合で含有されている樹脂組成物、並びに該樹脂組
成物を封止材またはパッケージ材として用いた電子部
品。
ティングフレームとの接着性が高く、耐湿性に優れ、成
形性のよい樹脂組成物、および樹脂組成物で封止された
半導体装置または電子部品を提供すること。 【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）メルカプト基含有シラン化合物および（Ｄ）無機
質充填剤を含み、（Ａ）〜（Ｄ）の合計量に対して、
（Ｃ）メルカプト基含有シラン化合物が０．００１〜１
０重量％、および（Ｄ）無機質充填剤が１０〜９５重量
％の割合で含有されている樹脂組成物、並びに該樹脂組
成物を封止材またはパッケージ材として用いた電子部
品。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体をはじめと
する電子部品の封止または密閉に適したエポキシ樹脂組
成物、および封止または密閉された電子部品に関する。
さらに詳しくは、メルカプト基含有シラン化合物を含有
するエポキシ樹脂組成物、および封止または密閉された
電子部品に関する。
する電子部品の封止または密閉に適したエポキシ樹脂組
成物、および封止または密閉された電子部品に関する。
さらに詳しくは、メルカプト基含有シラン化合物を含有
するエポキシ樹脂組成物、および封止または密閉された
電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近半導体装置をはじめとする電子部品
の封止または密閉方法として、エポキシ樹脂による封止
または密閉が多く採用されている。封止型半導体装置を
はじめとする電子部品の高性能化、高集積化が進む中
で、半導体装置をはじめとする電子部品の信頼性を向上
させるために、封止または密閉用エポキシ樹脂に対する
要求は益々厳しいものとなってきている。
の封止または密閉方法として、エポキシ樹脂による封止
または密閉が多く採用されている。封止型半導体装置を
はじめとする電子部品の高性能化、高集積化が進む中
で、半導体装置をはじめとする電子部品の信頼性を向上
させるために、封止または密閉用エポキシ樹脂に対する
要求は益々厳しいものとなってきている。
【０００３】最近の半導体装置をはじめとする電子部品
では、半田メッキに換えて、ＰｄやＰｄ−Ａｕ、Ｃｕ等
のプレプレーティングを施したフレームを採用した半導
体パッケージや電子部品が増加している。
では、半田メッキに換えて、ＰｄやＰｄ−Ａｕ、Ｃｕ等
のプレプレーティングを施したフレームを採用した半導
体パッケージや電子部品が増加している。
【０００４】ところが、このようなＰｄやＰｄ−Ａｕ、
Ｃｕ等のプレプレーティングを施したフレームを採用し
た半導体パッケージなどの電子部品を、従来のエポキシ
樹脂、硬化剤及び無機質充填剤からなる樹脂組成物によ
って封止または密閉した場合、該プレプレーティングフ
レームと封止または密閉樹脂との接着性が悪いという欠
点があった。
Ｃｕ等のプレプレーティングを施したフレームを採用し
た半導体パッケージなどの電子部品を、従来のエポキシ
樹脂、硬化剤及び無機質充填剤からなる樹脂組成物によ
って封止または密閉した場合、該プレプレーティングフ
レームと封止または密閉樹脂との接着性が悪いという欠
点があった。
【０００５】さらに、吸湿した半導体装置を赤外線（Ｉ
Ｒ）リフロー方式で表面実装すると、封止樹脂とリード
フレーム、あるいは封止樹脂と半導体チップとの間に剥
離が生じるという耐湿劣化を起こし、電極の腐食による
断線や水分によるリーク電流を生じるという欠点があっ
た。その結果、半導体装置は、長期間の信頼性を保証す
ることができないという問題があった。このため、プレ
プレーティングフレームとの接着性が高く、耐湿性がよ
くて半導体装置全体のＩＲリフローによる表面実装を行
っても耐湿劣化の少なく、成形性のよい樹脂材料の開発
が強く要望されていた。
Ｒ）リフロー方式で表面実装すると、封止樹脂とリード
フレーム、あるいは封止樹脂と半導体チップとの間に剥
離が生じるという耐湿劣化を起こし、電極の腐食による
断線や水分によるリーク電流を生じるという欠点があっ
た。その結果、半導体装置は、長期間の信頼性を保証す
ることができないという問題があった。このため、プレ
プレーティングフレームとの接着性が高く、耐湿性がよ
くて半導体装置全体のＩＲリフローによる表面実装を行
っても耐湿劣化の少なく、成形性のよい樹脂材料の開発
が強く要望されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ＰｄやＰｄ
−Ａｕ、Ｃｕ等のプレプレーティングフレームとの接着
性が高く、耐湿性に優れ、成形性のよい樹脂組成物、お
よび樹脂組成物で封止または密閉された半導体装置をは
じめとする電子部品を提供するものである。
−Ａｕ、Ｃｕ等のプレプレーティングフレームとの接着
性が高く、耐湿性に優れ、成形性のよい樹脂組成物、お
よび樹脂組成物で封止または密閉された半導体装置をは
じめとする電子部品を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、（Ａ）エポキ
シ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）メルカプト基含有シラン
化合物および（Ｄ）無機質充填剤を含み、（Ａ）〜
（Ｄ）の合計量に対して、（Ｃ）メルカプト基含有シラ
ン化合物が０．００１〜１０質量％、および（Ｄ）無機
質充填剤が１０〜９５質量％の割合で含有されている樹
脂組成物を提供する。
シ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）メルカプト基含有シラン
化合物および（Ｄ）無機質充填剤を含み、（Ａ）〜
（Ｄ）の合計量に対して、（Ｃ）メルカプト基含有シラ
ン化合物が０．００１〜１０質量％、および（Ｄ）無機
質充填剤が１０〜９５質量％の割合で含有されている樹
脂組成物を提供する。
【０００８】前記樹脂組成物が、さらに（イ）下記式
（Ｉ）で表される化合物
（Ｉ）で表される化合物
【化６】 （式中、Ｘ1、Ｘ2は水素、ハロゲン、低級アルキル基、
低級アルコキシ基またはニトロ基であり、両者は同一で
も異なっていてもよい。）、（ロ）下記式（ＩＩ）で表
される化合物
低級アルコキシ基またはニトロ基であり、両者は同一で
も異なっていてもよい。）、（ロ）下記式（ＩＩ）で表
される化合物
【化７】 （式中、Ｙ、Ｚは水素、ハロゲンまたは低級アルキル基
であり、両者は同一でも異なっていてもよい。）、
（ハ）下記式（ＩＩＩ）で表される化合物、
であり、両者は同一でも異なっていてもよい。）、
（ハ）下記式（ＩＩＩ）で表される化合物、
【化８】 （ニ）下記式（ＩＶ）で表される化合物、および
【化９】 （式中、Ｐは０ないし５の整数）（ホ）下記式（Ｖ）で
表される化合物
表される化合物
【化１０】 よりなる群から選ばれた少なくとも一種の硬化促進剤を
含む樹脂組成物は本発明の好ましい態様である。
含む樹脂組成物は本発明の好ましい態様である。
【０００９】また本発明は、前記した樹脂組成物を封止
材またはパッケージ材として用いた電子部品を提供す
る。
材またはパッケージ材として用いた電子部品を提供す
る。
【００１０】前記電子部品が、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕもしく
はＣｕのプレプレーティングを施したフレームを備えて
いる電子部品は本発明の好ましい態様である。
はＣｕのプレプレーティングを施したフレームを備えて
いる電子部品は本発明の好ましい態様である。
【００１１】前記電子部品に収められる電子素子が、Ｐ
ｄ、Ｐｄ−ＡｕもしくはＣｕのプレプレーティングを施
したフレームに搭載されている電子部品もまた本発明の
好ましい態様である。
ｄ、Ｐｄ−ＡｕもしくはＣｕのプレプレーティングを施
したフレームに搭載されている電子部品もまた本発明の
好ましい態様である。
【００１２】
【発明の実施の具体的形態】以下に、本発明を詳細に説
明する。
明する。
【００１３】本発明は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬
化剤、（Ｃ）メルカプト基含有シラン化合物および
（Ｄ）無機質充填剤を含み、（Ａ）〜（Ｄ）の合計量に
対して、（Ｃ）メルカプト基含有シラン化合物が０．０
０１〜１０質量％、および（Ｄ）無機質充填剤が１０〜
９５質量％の割合で含有されている樹脂組成物である。
化剤、（Ｃ）メルカプト基含有シラン化合物および
（Ｄ）無機質充填剤を含み、（Ａ）〜（Ｄ）の合計量に
対して、（Ｃ）メルカプト基含有シラン化合物が０．０
０１〜１０質量％、および（Ｄ）無機質充填剤が１０〜
９５質量％の割合で含有されている樹脂組成物である。
【００１４】本発明の樹脂組成物は、半導体装置をはじ
めとする電子部品を封止するのに適しており、さらに該
樹脂組成物の成形物で電子部品を封止するのにも適して
いる。本発明は、本発明の樹脂組成物を封止材またはパ
ッケージ材として用いた電子部品を提供するものであ
る。
めとする電子部品を封止するのに適しており、さらに該
樹脂組成物の成形物で電子部品を封止するのにも適して
いる。本発明は、本発明の樹脂組成物を封止材またはパ
ッケージ材として用いた電子部品を提供するものであ
る。
【００１５】樹脂組成物 （Ａ）エポキシ樹脂 本発明のに用いる（Ａ）エポキシ樹脂としては、その分
子中にエポキシ基を少なくとも２個有する化合物であれ
ば特に限定されず使用することができ、分子構造、分子
量など特に制限はない。一般に封止用材料として使用さ
れているものから適宜選択することができる。例えば、
ビフェニル型エポキシ樹脂やビスフェノール型の芳香族
系エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、シクロヘキサ
ン誘導体などの脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ
樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ
樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂などが挙げられる。
（Ａ）エポキシ樹脂は、２種類以上のエポキシ樹脂を併
用して使用することができる。これらの中では、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂およびノボラック型エポキシ樹脂が
好ましく使用される。
子中にエポキシ基を少なくとも２個有する化合物であれ
ば特に限定されず使用することができ、分子構造、分子
量など特に制限はない。一般に封止用材料として使用さ
れているものから適宜選択することができる。例えば、
ビフェニル型エポキシ樹脂やビスフェノール型の芳香族
系エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、シクロヘキサ
ン誘導体などの脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ
樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ
樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂などが挙げられる。
（Ａ）エポキシ樹脂は、２種類以上のエポキシ樹脂を併
用して使用することができる。これらの中では、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂およびノボラック型エポキシ樹脂が
好ましく使用される。
【００１６】（Ｂ）硬化剤 （Ｂ）硬化剤としては、（Ａ）エポキシ樹脂と反応して
硬化させるものであれば特に限定なく使用できる。通常
は、フェノール性水酸基を含有する化合物、酸無水物基
含有化合物、アミン類が好適に使用される。特に、１分
子中に２個以上のフェノール性の水酸基を有する化合物
が好ましく使用でき、中でもフェノールノボラック樹
脂、およびその変性樹脂、例えば、エポキシ化もしくは
ブチル化フェノールノボラック樹脂が好ましい例として
挙げられる。これらは、水酸基当量が８０ないし１３
０、軟化点が６０ないし１１０℃のものが好ましい。こ
の時、エポキシ樹脂中のエポキシ基と硬化剤中のフェノ
ール性水酸基とのモル比は特に制限されないが、０．６
５ないし１．３の範囲に調整することが望ましい。
硬化させるものであれば特に限定なく使用できる。通常
は、フェノール性水酸基を含有する化合物、酸無水物基
含有化合物、アミン類が好適に使用される。特に、１分
子中に２個以上のフェノール性の水酸基を有する化合物
が好ましく使用でき、中でもフェノールノボラック樹
脂、およびその変性樹脂、例えば、エポキシ化もしくは
ブチル化フェノールノボラック樹脂が好ましい例として
挙げられる。これらは、水酸基当量が８０ないし１３
０、軟化点が６０ないし１１０℃のものが好ましい。こ
の時、エポキシ樹脂中のエポキシ基と硬化剤中のフェノ
ール性水酸基とのモル比は特に制限されないが、０．６
５ないし１．３の範囲に調整することが望ましい。
【００１７】（Ｃ）メルカプト基含有シラン化合物 （Ｃ）メルカプト基含有シラン化合物は、分子中に少な
くとも一つのメルカプト基を含有するシラン化合物であ
る。このようなシラン化合物としては、下記式（１）で
表される化合物を例示することができる。 （（ＨＳ）m−Ｒ1）n（Ｒ2）4-nＳｉ （１） 式中、Ｒ1は置換基を有していてよい炭素数１〜２０の
アルキル基またはアリール基であり、Ｒ2は置換基を有
していてよい炭素数１〜２０のアルキル基、アリール
基、アルコキシ基またはアリーロキシ基であり、ｍは１
〜３以上の整数、ｎは１〜４の整数である。
くとも一つのメルカプト基を含有するシラン化合物であ
る。このようなシラン化合物としては、下記式（１）で
表される化合物を例示することができる。 （（ＨＳ）m−Ｒ1）n（Ｒ2）4-nＳｉ （１） 式中、Ｒ1は置換基を有していてよい炭素数１〜２０の
アルキル基またはアリール基であり、Ｒ2は置換基を有
していてよい炭素数１〜２０のアルキル基、アリール
基、アルコキシ基またはアリーロキシ基であり、ｍは１
〜３以上の整数、ｎは１〜４の整数である。
【００１８】アルキル基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基な
どの炭素数１〜８、好ましくはの炭素数１〜４アルキル
基を挙げることができる。
基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基な
どの炭素数１〜８、好ましくはの炭素数１〜４アルキル
基を挙げることができる。
【００１９】アリール基としては、フェニル、トリル、
ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、エチルフェニ
ル、プロピルフェニル、ビフェニル、ナフチル、メチル
ナフチル、アントラセニル、フェナントリルなどのアリ
ール基を挙げることができる。中でも、炭素数６〜１２
のアリール基が好ましく使用される。
ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、エチルフェニ
ル、プロピルフェニル、ビフェニル、ナフチル、メチル
ナフチル、アントラセニル、フェナントリルなどのアリ
ール基を挙げることができる。中でも、炭素数６〜１２
のアリール基が好ましく使用される。
【００２０】アルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などを挙げることが
できる。中でも、炭素数１〜８、好ましくはの炭素数１
〜４アルコキシ基が好ましく使用される。
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などを挙げることが
できる。中でも、炭素数１〜８、好ましくはの炭素数１
〜４アルコキシ基が好ましく使用される。
【００２１】アリーロキシ基としては、フェノキシ基、
トリロキシ基、、ビフェノキシ基、ナフトキシ基などを
挙げることができる。中でも炭素数６〜１２のアリーロ
キシ基が好ましく使用される。
トリロキシ基、、ビフェノキシ基、ナフトキシ基などを
挙げることができる。中でも炭素数６〜１２のアリーロ
キシ基が好ましく使用される。
【００２２】これらの基に含まれていてよい置換基とし
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など
の炭素数１〜４アルキル基、フェニル基、塩素、臭素、
フッ素などのハロゲンを挙げることができる。
ては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基など
の炭素数１〜４アルキル基、フェニル基、塩素、臭素、
フッ素などのハロゲンを挙げることができる。
【００２３】上記式（１）において、ｎが２以上の整数
であるとき、Ｒ1は異なった基であってもよい、または
４−ｎが２以上の整数であるとき、Ｒ2は異なった基で
あってもよい。
であるとき、Ｒ1は異なった基であってもよい、または
４−ｎが２以上の整数であるとき、Ｒ2は異なった基で
あってもよい。
【００２４】上記式（１）に表される化合物として、好
ましい具体例をあげれば、ｍ＝１およびｎ＝１で、Ｒ1
がアルキル基で、Ｒ2がアルコキシ基である化合物であ
る。より具体的には、γ−メルカプトプロピルトリメト
キシシラン ＨＳＣ3Ｈ6Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、γ−メルカ
プトエチルトリメトキシシラン ＨＳＣ2Ｈ4Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3）3を挙げることができる。中でも、γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシランが好ましい。
ましい具体例をあげれば、ｍ＝１およびｎ＝１で、Ｒ1
がアルキル基で、Ｒ2がアルコキシ基である化合物であ
る。より具体的には、γ−メルカプトプロピルトリメト
キシシラン ＨＳＣ3Ｈ6Ｓｉ（ＯＣＨ3）3、γ−メルカ
プトエチルトリメトキシシラン ＨＳＣ2Ｈ4Ｓｉ（ＯＣ
Ｈ3）3を挙げることができる。中でも、γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシランが好ましい。
【００２５】メルカプト基含有シラン化合物の配合割合
は、樹脂組成物の硬化への影響、およびＰｄやＰｄ−Ａ
ｕ，Ｃｕ等のプレプレーティングフレームとの接着力へ
の影響を考慮して、全体の樹脂組成物に対して０．００
１〜１０質量％、好ましくは０．１〜１質量％含有する
ことが望ましい。
は、樹脂組成物の硬化への影響、およびＰｄやＰｄ−Ａ
ｕ，Ｃｕ等のプレプレーティングフレームとの接着力へ
の影響を考慮して、全体の樹脂組成物に対して０．００
１〜１０質量％、好ましくは０．１〜１質量％含有する
ことが望ましい。
【００２６】（Ｄ）無機質充填剤 本発明に用いる（Ｄ）無機質充填剤としては、シリカ粉
末、アルミナ粉末、三酸化アンチモン、タルク、炭酸カ
ルシウム、チタンホワイト、クレー、マイカ、ベンガ
ラ、ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独又は2 種以
上混合して使用することができる。これらの中でも特に
シリカ粉末やアルミナ粉末が好ましく使用される。無機
質充填剤の配合割合は、耐熱性、耐湿性、半田耐熱性、
機械的特性および成形性の観点から、全体の樹脂組成物
に対して１０〜９５質量％、好ましくは６０〜９０質量
％の割合で含有することが望ましい。
末、アルミナ粉末、三酸化アンチモン、タルク、炭酸カ
ルシウム、チタンホワイト、クレー、マイカ、ベンガ
ラ、ガラス繊維等が挙げられ、これらは単独又は2 種以
上混合して使用することができる。これらの中でも特に
シリカ粉末やアルミナ粉末が好ましく使用される。無機
質充填剤の配合割合は、耐熱性、耐湿性、半田耐熱性、
機械的特性および成形性の観点から、全体の樹脂組成物
に対して１０〜９５質量％、好ましくは６０〜９０質量
％の割合で含有することが望ましい。
【００２７】硬化促進剤 本発明の樹脂組成物は、さらに硬化促進剤を含有してい
てもよい。硬化促進剤としては、硬化促進剤として知ら
れる化合物から適宜選択して使用することができるが、
好ましい硬化促進剤として下記のようなものを挙げるこ
とができる。
てもよい。硬化促進剤としては、硬化促進剤として知ら
れる化合物から適宜選択して使用することができるが、
好ましい硬化促進剤として下記のようなものを挙げるこ
とができる。
【００２８】すなわち本発明で好ましい硬化促進剤とし
て、（イ）下記式（Ｉ）で表される化合物
て、（イ）下記式（Ｉ）で表される化合物
【化１１】 （式中、Ｘ1、Ｘ2は水素、ハロゲン、低級アルキル基、
低級アルコキシ基またはニトロ基であり、両者は同一で
も異なっていてもよい。）、
低級アルコキシ基またはニトロ基であり、両者は同一で
も異なっていてもよい。）、
【００２９】（ロ）下記式（ＩＩ）で表される化合物
【化１２】 （式中、Ｙ、Ｚは水素、ハロゲンまたは低級アルキル基
であり、両者は同一でも異なっていてもよい。）、
であり、両者は同一でも異なっていてもよい。）、
【００３０】（ハ）下記式（ＩＩＩ）で表される化合
物、
物、
【化１３】
【００３１】（ニ）下記式（ＩＶ）で表される化合物、
および
および
【化１４】 （式中、Ｐは０ないし５の整数）
【００３２】（ホ）下記式（Ｖ）で表される化合物
【化１５】 よりなる群から選ばれた少なくとも一種の硬化促進剤を
挙げることができる。このような硬化促進剤を含む前記
樹脂組成物は本発明の好ましい態様である。
挙げることができる。このような硬化促進剤を含む前記
樹脂組成物は本発明の好ましい態様である。
【００３３】上記好ましい硬化促進剤の具体例として、
以下のようなものを挙げることができる。式（Ｉ）で表
わされるものとして、例えば、3−フェニルー1，1−ジ
メチルウレア、3−（p−クロルフェニル）−1、1−ジメ
チルウレア、3−（3，4−ジクロルフェニル）−1．1−
ジメチルウレア、3一（ｏ−メチルフェニル）−1，1−
ジメチルウレア、3−（p−メチルフェニル）−1，1一ジ
メチルウレア、3−（メトキシフェニル）−1，1−ジメ
チルウレア、3−（ニトロフェニル）−1，1−ジメチル
ウレアなどが挙げられる。
以下のようなものを挙げることができる。式（Ｉ）で表
わされるものとして、例えば、3−フェニルー1，1−ジ
メチルウレア、3−（p−クロルフェニル）−1、1−ジメ
チルウレア、3−（3，4−ジクロルフェニル）−1．1−
ジメチルウレア、3一（ｏ−メチルフェニル）−1，1−
ジメチルウレア、3−（p−メチルフェニル）−1，1一ジ
メチルウレア、3−（メトキシフェニル）−1，1−ジメ
チルウレア、3−（ニトロフェニル）−1，1−ジメチル
ウレアなどが挙げられる。
【００３４】式（ＩＩ）で表わされるものとしては、
2，4−トリレンジイソシアネートのジメチルアミン付加
物、1，1’−フェニレンビス（3．3−ジメチルウレ
ア）、1，1’−（4−メチルーm−フェニレン）−ビス
（3，3−ジメチルウレア）などが例示される。
2，4−トリレンジイソシアネートのジメチルアミン付加
物、1，1’−フェニレンビス（3．3−ジメチルウレ
ア）、1，1’−（4−メチルーm−フェニレン）−ビス
（3，3−ジメチルウレア）などが例示される。
【００３５】なかでも、下記式（ＶＩ）
【化１６】 で表わされる２，４一トリレンジイソシアネートのジメ
チルアミン付加物が、１００℃付近での安定性に優れ、
射出成形に好適な硬化特性を示すことから、最も好適に
使用される。
チルアミン付加物が、１００℃付近での安定性に優れ、
射出成形に好適な硬化特性を示すことから、最も好適に
使用される。
【００３６】本発明の封止用樹脂組成物は、エポキシ樹
脂、ノボラック型フェノール樹脂、Ｎ−シクロヘキシル
−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミドおよび無機質充
填剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度
において、また必要に応じて、例えば天然ワックス類、
合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エ
ステル類、パラフィン類等の離型剤、塩素化パラフィ
ン、ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化
アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等
の着色剤などを適宜、添加配合することができる。
脂、ノボラック型フェノール樹脂、Ｎ−シクロヘキシル
−2-ベンゾチアゾールスルフェンアミドおよび無機質充
填剤を必須成分とするが、本発明の目的に反しない限度
において、また必要に応じて、例えば天然ワックス類、
合成ワックス類、直鎖脂肪酸の金属塩、酸アミド類、エ
ステル類、パラフィン類等の離型剤、塩素化パラフィ
ン、ブロム化トルエン、ヘキサブロムベンゼン、三酸化
アンチモン等の難燃剤、カーボンブラック、ベンガラ等
の着色剤などを適宜、添加配合することができる。
【００３７】樹脂組成物の調製 本発明の樹脂組成物を調製する場合の一般的な方法とし
ては、エポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、メ
ルカプト基含有シラン化合物、無機質充填剤および必要
に応じてその他の成分を配合し、ミキサー等によって十
分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処
理又はニーダ等による混合処理をすることにより行うこ
とができる。
ては、エポキシ樹脂、ノボラック型フェノール樹脂、メ
ルカプト基含有シラン化合物、無機質充填剤および必要
に応じてその他の成分を配合し、ミキサー等によって十
分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処
理又はニーダ等による混合処理をすることにより行うこ
とができる。
【００３８】続いて冷却固化させて、適当な大きさに粉
砕することによって成形材料とすることができる。こう
して得られた成形材料は、半導体装置をはじめとする電
子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用す
れば、優れた特性と信頼性を付与させることができる。
砕することによって成形材料とすることができる。こう
して得られた成形材料は、半導体装置をはじめとする電
子部品あるいは電気部品の封止、被覆、絶縁等に適用す
れば、優れた特性と信頼性を付与させることができる。
【００３９】封止型電子部品 本発明の封止型半導体装置などの封止型電子部品は、上
記のようにして得られた樹脂組成物を用いて、半導体チ
ップをはじめとする電子部品を封止することにより容易
に製造することができる。電子部品の代表的な例は半導
体であるので、以下に封止型半導体装置について、より
詳細に説明する。
記のようにして得られた樹脂組成物を用いて、半導体チ
ップをはじめとする電子部品を封止することにより容易
に製造することができる。電子部品の代表的な例は半導
体であるので、以下に封止型半導体装置について、より
詳細に説明する。
【００４０】封止の最も一般的な方法としては、低圧ト
ランスファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注
型等による封止も可能である。本発明による封止用樹脂
組成物を封止の際に加熱して硬化させ、最終的にはこの
組成物の硬化物によって封止された半導体封止装置が得
られる。加熱による硬化は、１５０℃以上に加熱して硬
化させることが望ましい。封止を行う半導体装置として
は、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、
サイリスタ、ダイオードなどであって、特にこれらに限
定されるものではない。
ランスファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注
型等による封止も可能である。本発明による封止用樹脂
組成物を封止の際に加熱して硬化させ、最終的にはこの
組成物の硬化物によって封止された半導体封止装置が得
られる。加熱による硬化は、１５０℃以上に加熱して硬
化させることが望ましい。封止を行う半導体装置として
は、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、
サイリスタ、ダイオードなどであって、特にこれらに限
定されるものではない。
【００４１】封止型半導体装置の例として、図１を用い
て本発明をより詳細に説明する。図１では、電子素子で
あるメモリー素子１がチップ支持体２に固着され、外部
リード３とメモリー素子の電極パッド６とはボンディン
グワイヤ４で接続されている。上記メモリー素子の表面
にはポリイミド保護層５が設けられている。半導体装置
は樹脂７によって一体に封止されている。
て本発明をより詳細に説明する。図１では、電子素子で
あるメモリー素子１がチップ支持体２に固着され、外部
リード３とメモリー素子の電極パッド６とはボンディン
グワイヤ４で接続されている。上記メモリー素子の表面
にはポリイミド保護層５が設けられている。半導体装置
は樹脂７によって一体に封止されている。
【００４２】樹脂成形体を用いて密封された電子部品 本発明の前記樹脂組成物の成形体を用いて密封された封
止型電子部品は、樹脂組成物より選られた成形体材料を
用いて、成形を行うことによりに製造することができ
る。成形の最も一般的な方法としては、射出成形法があ
るが、低圧トランスファー成形、圧縮成形、注型等によ
る成形も可能である。成形される成形体の形状には特に
制限がなく、成形体により形成される凹部に金属フレー
ムがインサートされる形で樹脂組成物を成形し、加熱し
て硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化物と金属フレ
ームが接着した形の電子部品用パッケージが得られる。
加熱による硬化は、１５０℃以上に加熱して硬化させる
ことが望ましい。金属フレームの素材としては、フレー
ム素材として公知のものから適宜選択することができる
が、４−２アロイ、Ｃｕ，Ｃｕ合金などが好ましい。
止型電子部品は、樹脂組成物より選られた成形体材料を
用いて、成形を行うことによりに製造することができ
る。成形の最も一般的な方法としては、射出成形法があ
るが、低圧トランスファー成形、圧縮成形、注型等によ
る成形も可能である。成形される成形体の形状には特に
制限がなく、成形体により形成される凹部に金属フレー
ムがインサートされる形で樹脂組成物を成形し、加熱し
て硬化させ、最終的にはこの組成物の硬化物と金属フレ
ームが接着した形の電子部品用パッケージが得られる。
加熱による硬化は、１５０℃以上に加熱して硬化させる
ことが望ましい。金属フレームの素材としては、フレー
ム素材として公知のものから適宜選択することができる
が、４−２アロイ、Ｃｕ，Ｃｕ合金などが好ましい。
【００４３】図２に本発明の実施態様である電子部品用
パッケージを用いた一例として、中空パッケージ型電子
部品を示した。図２では、リードフレーム１２を抱き込
む形で本発明による樹脂組成物からなる箱型成形体１４
が成形されている。実際の使用においては、リードフレ
ーム１２のアイランド部１２ａに半導体素子を含む電子
素子１１を接着し、更に同素子１１をボンディングワイ
ヤー１３でフレームに接合する。更に蓋材１５で密封し
て密封型電子部品となる。
パッケージを用いた一例として、中空パッケージ型電子
部品を示した。図２では、リードフレーム１２を抱き込
む形で本発明による樹脂組成物からなる箱型成形体１４
が成形されている。実際の使用においては、リードフレ
ーム１２のアイランド部１２ａに半導体素子を含む電子
素子１１を接着し、更に同素子１１をボンディングワイ
ヤー１３でフレームに接合する。更に蓋材１５で密封し
て密封型電子部品となる。
【００４４】ここで、半導体電子素子としてＣＣＤ撮像
素子を用い、蓋材１５を透明なガラスを用いることによ
ってＣＣＤ撮像装置が得られる。その他光センサや広い
用途に用いられる。
素子を用い、蓋材１５を透明なガラスを用いることによ
ってＣＣＤ撮像装置が得られる。その他光センサや広い
用途に用いられる。
【００４５】
【実施例】次に本発明を実施例によって説明するが、本
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。
発明はこれらの実施例によって限定されるものではな
い。
【００４６】以下の実施例および比較例における特性試
験は、以下の方法で行なった。 接着力：トランスファー成形によって接着面積４ｍｍ2
の成形品をつくり、これを１７５℃，８時間の後硬化を
行い、剪断接着力を求めた。
験は、以下の方法で行なった。 接着力：トランスファー成形によって接着面積４ｍｍ2
の成形品をつくり、これを１７５℃，８時間の後硬化を
行い、剪断接着力を求めた。
【００４７】耐湿性（１）：成形材料を用いて、２本以
上のアルミニウム配線を有するシリコン製チップ（テス
ト用素子）をＰｄプレプレーティングフレームに接着
し、１７５℃で２分間トランスファー成形して、２．８
ｍｍｔの表面実装型パッケージＱＦＰ−２０８Ｐをつく
り、これを１７５℃，８時間で硬化させた。こうして得
た成形品を予め、８５℃，４０％ＲＨ，１６８時間の吸
湿処理した後、Ｍａｘ２４０℃のＩＲリフロー炉を４回
通した。その後、１２７℃，２．５気圧の飽和水蒸気中
でＰＣＴを行い、アルミニウムの腐食による断線を不良
として評価した。
上のアルミニウム配線を有するシリコン製チップ（テス
ト用素子）をＰｄプレプレーティングフレームに接着
し、１７５℃で２分間トランスファー成形して、２．８
ｍｍｔの表面実装型パッケージＱＦＰ−２０８Ｐをつく
り、これを１７５℃，８時間で硬化させた。こうして得
た成形品を予め、８５℃，４０％ＲＨ，１６８時間の吸
湿処理した後、Ｍａｘ２４０℃のＩＲリフロー炉を４回
通した。その後、１２７℃，２．５気圧の飽和水蒸気中
でＰＣＴを行い、アルミニウムの腐食による断線を不良
として評価した。
【００４８】耐湿性（２）：図２に示すように、成形材
料を用いて、Ｐｄプレプレーティングフレームを抱き込
む形で１０ｘ１０ｘ５ｍｍｔの大きさの半導体搭載用パ
ッケージを成形し、２本以上のアルミニウム配線を有す
るシリコン製チップ（テスト用素子）をフレームのアイ
ランド部に接着し、更にボンディングワイヤーでフレー
ムと接合し、最後に蓋材で密封して封止型半導体装置を
得た。こうして得た半導体装置を１２７℃，２．５気圧
の飽和水蒸気中でＰＣＴを行い、アルミニウムの腐食に
よる断線を不良として評価した。
料を用いて、Ｐｄプレプレーティングフレームを抱き込
む形で１０ｘ１０ｘ５ｍｍｔの大きさの半導体搭載用パ
ッケージを成形し、２本以上のアルミニウム配線を有す
るシリコン製チップ（テスト用素子）をフレームのアイ
ランド部に接着し、更にボンディングワイヤーでフレー
ムと接合し、最後に蓋材で密封して封止型半導体装置を
得た。こうして得た半導体装置を１２７℃，２．５気圧
の飽和水蒸気中でＰＣＴを行い、アルミニウムの腐食に
よる断線を不良として評価した。
【００４９】（実施例１）クレゾールノボラックエポキ
シ樹脂（エポキシ当量１９５）１２．５質量％に、ノボ
ラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０４）７．
０質量％、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
０．１質量％、溶融シリカ粉末８０質量％、カルナバワ
ックス０．２質量％、硬化促進剤としてトリフェニルフ
ォスフィン０．２質量％を常温で混合し、さらに９０〜
９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造し
た。この成形材料を１７０℃に加熱した金型内にトラン
スファー注入し、硬化させて成形品（封止品）をつくっ
た。この成形品について耐湿性等の特性を試験したの
で、その結果を表１に示した。特に耐湿性において本発
明の顕著な効果が認められた。
シ樹脂（エポキシ当量１９５）１２．５質量％に、ノボ
ラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０４）７．
０質量％、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
０．１質量％、溶融シリカ粉末８０質量％、カルナバワ
ックス０．２質量％、硬化促進剤としてトリフェニルフ
ォスフィン０．２質量％を常温で混合し、さらに９０〜
９５℃で混練してこれを冷却粉砕して成形材料を製造し
た。この成形材料を１７０℃に加熱した金型内にトラン
スファー注入し、硬化させて成形品（封止品）をつくっ
た。この成形品について耐湿性等の特性を試験したの
で、その結果を表１に示した。特に耐湿性において本発
明の顕著な効果が認められた。
【００５０】（実施例２）ビフェニル型エポキシ樹脂
（エポキシ当量２１３）５．０質量％に、フェノールア
ラルキル樹脂（フェノール当量１７５）４．４質量％、
前記したγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
０．１質量％、シリカ粉末９０質量％、カルナバワック
ス０．２質量％、硬化促進剤としてトリフェニルフォス
フィン０．３質量％を実施例１と同様に混合、混練、粉
砕して成形材料を製造した。また、実施例１と同様にし
て成形品をつくり、耐湿性等の特性試験を行ったのでそ
の結果を表１に示した。特に耐湿性において本発明の顕
著な効果が認められた。
（エポキシ当量２１３）５．０質量％に、フェノールア
ラルキル樹脂（フェノール当量１７５）４．４質量％、
前記したγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
０．１質量％、シリカ粉末９０質量％、カルナバワック
ス０．２質量％、硬化促進剤としてトリフェニルフォス
フィン０．３質量％を実施例１と同様に混合、混練、粉
砕して成形材料を製造した。また、実施例１と同様にし
て成形品をつくり、耐湿性等の特性試験を行ったのでそ
の結果を表１に示した。特に耐湿性において本発明の顕
著な効果が認められた。
【００５１】（実施例３）クレゾールノボラックエポキ
シ樹脂（エポキシ当量１９５）１２．５質量％に、ノボ
ラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０４）７．
０質量％、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
０．１質量％、溶融シリカ粉末８０質量％、カルナバワ
ックス０．２質量％、硬化促進剤として２，４−トリレ
ンジイソシアネートのジメチルアミン付加物０．２質量
％を常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれ
を冷却粉砕すて成形材料を製造した。この成形材料を１
７０℃に加熱した金型内にトランファー注入し、硬化さ
せて成形品（封止品）を造った。この成形品について耐
湿性などの特性を試験したので、その結果を表１に示し
た。特に透湿性において本発明の顕著な硬化が認められ
た。
シ樹脂（エポキシ当量１９５）１２．５質量％に、ノボ
ラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０４）７．
０質量％、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
０．１質量％、溶融シリカ粉末８０質量％、カルナバワ
ックス０．２質量％、硬化促進剤として２，４−トリレ
ンジイソシアネートのジメチルアミン付加物０．２質量
％を常温で混合し、さらに９０〜９５℃で混練してこれ
を冷却粉砕すて成形材料を製造した。この成形材料を１
７０℃に加熱した金型内にトランファー注入し、硬化さ
せて成形品（封止品）を造った。この成形品について耐
湿性などの特性を試験したので、その結果を表１に示し
た。特に透湿性において本発明の顕著な硬化が認められ
た。
【００５２】（実施例４）ビフェニル型エポキシ樹脂
（エポキシ当量２１３）５．０質量％に、フェノールア
ラルキル樹脂（フェノール当量１７５）４．４質量％、
前記したγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
０．１質量％、シリカ粉末９０質量％、カルナバワック
ス０．２質量％、硬化促進剤として２，４−トリレンジ
イソシアネートのジメチルアミン付加物０．３質量％を
実施例１と同様に混合、混練、粉砕して成形材料を製造
した。また、実施例１と同様にして成形品をつくり、耐
湿性等の特性試験を行ったのでその結果を表１に示し
た。特に耐湿性において本発明の顕著な効果が認められ
た。
（エポキシ当量２１３）５．０質量％に、フェノールア
ラルキル樹脂（フェノール当量１７５）４．４質量％、
前記したγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
０．１質量％、シリカ粉末９０質量％、カルナバワック
ス０．２質量％、硬化促進剤として２，４−トリレンジ
イソシアネートのジメチルアミン付加物０．３質量％を
実施例１と同様に混合、混練、粉砕して成形材料を製造
した。また、実施例１と同様にして成形品をつくり、耐
湿性等の特性試験を行ったのでその結果を表１に示し
た。特に耐湿性において本発明の顕著な効果が認められ
た。
【００５３】（比較例１）クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂（エポキシ当量１９５）１２．５質量％に、ノ
ボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０４）
７．０質量％、シリカ粉末８０質量％、硬化促進剤０．
２質量％、カルナバワックス０．２質量％およびγ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン０．４質量％を
混合し、実施例１と同様にして成形材料を製造した。こ
の成形材料を用いて成形品とし、成形品の諸特性につい
て実施例１と同様にして試験を行い、その結果を表１に
示した。
キシ樹脂（エポキシ当量１９５）１２．５質量％に、ノ
ボラック型フェノール樹脂（フェノール当量１０４）
７．０質量％、シリカ粉末８０質量％、硬化促進剤０．
２質量％、カルナバワックス０．２質量％およびγ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン０．４質量％を
混合し、実施例１と同様にして成形材料を製造した。こ
の成形材料を用いて成形品とし、成形品の諸特性につい
て実施例１と同様にして試験を行い、その結果を表１に
示した。
【００５４】（比較例２）ビフェニル型エポキシ樹脂
（エポキシ当量２１３）５．０質量％に、フェノールア
ラルキル樹脂（フェノール当量１７５）４．４質量％、
前記したγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
０．１質量％、シリカ粉末９０質量％、エステル系ワッ
クス類０．２質量％、硬化触媒０．３質量％を混合し、
実施例１と同様にして成形材料を製造した。この成形材
料を用いて成形品とし、成形品の諸特性について実施例
１と同様にして試験を行い、その結果を表１に示した。
（エポキシ当量２１３）５．０質量％に、フェノールア
ラルキル樹脂（フェノール当量１７５）４．４質量％、
前記したγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
０．１質量％、シリカ粉末９０質量％、エステル系ワッ
クス類０．２質量％、硬化触媒０．３質量％を混合し、
実施例１と同様にして成形材料を製造した。この成形材
料を用いて成形品とし、成形品の諸特性について実施例
１と同様にして試験を行い、その結果を表１に示した。
【００５５】
【表１】
【００５６】
【発明の効果】本発明では、メルカプト基含有シラン化
合物を用いた樹脂組成物によって、ＰｄやＰｄ−Ａｕ、
Ｃｕ等のプレプレーティングフレームとの接着性が高
く、耐湿性に優れ、成形性のよい樹脂組成物が得られ
た。本発明の樹脂組成物で封止された封止型半導体装置
および本発明の樹脂組成物で封止または密封された電子
部品は、ＰｄやＰｄ−Ａｕ、Ｃｕ等のプレプレーティン
グフレームとの接着力を向上し、実装後のインサートと
樹脂との接着性の劣化を防止することができたので、長
期の信頼性を保証することができた。
合物を用いた樹脂組成物によって、ＰｄやＰｄ−Ａｕ、
Ｃｕ等のプレプレーティングフレームとの接着性が高
く、耐湿性に優れ、成形性のよい樹脂組成物が得られ
た。本発明の樹脂組成物で封止された封止型半導体装置
および本発明の樹脂組成物で封止または密封された電子
部品は、ＰｄやＰｄ−Ａｕ、Ｃｕ等のプレプレーティン
グフレームとの接着力を向上し、実装後のインサートと
樹脂との接着性の劣化を防止することができたので、長
期の信頼性を保証することができた。
【図１】樹脂封止型半導体装置の構造を示す断面概略図
である。
である。
【図２】樹脂成形体で密封された半導体装置の一例を示
す断面概略図である。
す断面概略図である。
１：メモリー素子 ２：シリコンチップ支持体 ３：外部リード ４：ボンディングワイヤ ５：ポリイミド保護層 ６：電極パッド ７：樹脂 １１：電子素子 １２：リードフレーム １２ａ：リードフレームのアイランド部 １３：ボンディングワイヤー １４：箱型成形体 １５：蓋材
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/31 (72)発明者 桜庭 司 千葉県袖ヶ浦市長浦字拓二号580番32 三 井化学株式会社内 Ｆターム(参考） 4J002 CC04X CD00W CD01W CD02W CD04W CD05W CD06W CD07W CD12W DE118 DE128 DE138 DE148 DE238 DJ018 DJ038 DJ048 DJ058 DL008 EN097 EX086 FA048 FD018 FD14X FD146 FD157 GQ05 4J036 AA01 AB07 AD01 AD08 AF01 AF06 AG04 AG06 DC11 DD02 FA03 FA05 FB07 4M109 AA01 EA02 EB02 EB04 EB12 EB18 EC09 FA10
Claims (5)
- 【請求項１】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）メルカプト基含有シラン化合物および（Ｄ）無機
質充填剤を含み、（Ａ）〜（Ｄ）の合計量に対して、
（Ｃ）メルカプト基含有シラン化合物が０．００１〜１
０質量％、および（Ｄ）無機質充填剤が１０〜９５質量
％の割合で含有されている樹脂組成物。 - 【請求項２】前記樹脂組成物が、さらに（イ）下記式
（Ｉ）で表される化合物 【化１】 （式中、Ｘ1、Ｘ2は水素、ハロゲン、低級アルキル基、
低級アルコキシ基またはニトロ基であり、両者は同一で
も異なっていてもよい。）、（ロ）下記式（ＩＩ）で表
される化合物 【化２】 （式中、Ｙ、Ｚは水素、ハロゲンまたは低級アルキル基
であり、両者は同一でも異なっていてもよい。）、
（ハ）下記式（ＩＩＩ）で表される化合物、 【化３】 （ニ）下記式（ＩＶ）で表される化合物、および 【化４】 （式中、Ｐは０ないし５の整数）（ホ）下記式（Ｖ）で
表される化合物 【化５】 よりなる群から選ばれた少なくとも一種の硬化促進剤を
含むことを特徴とする請求項１に記載の樹脂組成物。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の樹脂組成物を封
止材またはパッケージ材として用いた電子部品。 - 【請求項４】前記電子部品が、Ｐｄ、Ｐｄ−Ａｕもしく
はＣｕのプレプレーティングを施したフレームを備えて
いることを特徴とする請求項３に記載の電子部品。 - 【請求項５】前記電子部品に収められる電子素子が、Ｐ
ｄ、Ｐｄ−ＡｕもしくはＣｕのプレプレーティングを施
したフレームに搭載されていることを特徴とする請求項
４に記載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000216777A JP2002030135A (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | 樹脂組成物および電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000216777A JP2002030135A (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | 樹脂組成物および電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002030135A true JP2002030135A (ja) | 2002-01-31 |
Family
ID=18711981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000216777A Pending JP2002030135A (ja) | 2000-07-18 | 2000-07-18 | 樹脂組成物および電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002030135A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015146764A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物、および半導体装置 |
-
2000
- 2000-07-18 JP JP2000216777A patent/JP2002030135A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015146764A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物、および半導体装置 |
| JP2015183077A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | 住友ベークライト株式会社 | 封止用樹脂組成物、および半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002241469A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP3440449B2 (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JP2002030135A (ja) | 樹脂組成物および電子部品 | |
| JP2000136290A (ja) | 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置 | |
| JP3819220B2 (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JP3444237B2 (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JPH09169891A (ja) | 封止材用エポキシ樹脂組成物、その製造方法及び無機充填材 | |
| JPH11286594A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JP2000136291A (ja) | 封止用樹脂組成物及び半導体封止装置 | |
| JP2000336246A (ja) | 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物および半導体装置 | |
| JP3649887B2 (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH11166103A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JP2001114984A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JP2000103940A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH0693085A (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP3751171B2 (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH107770A (ja) | エポキシ樹脂組成物及びその製造方法 | |
| JP2004244556A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH11130943A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JP3298084B2 (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH1112446A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH1112441A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JP2000063495A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH1112437A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH04248830A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 |