JP2002026192A - Lead frame - Google Patents
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- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレーム上
に半導体素子を搭載し、その外囲、特に半導体素子の上
面側をモールド樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置の
技術分野に属するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention belongs to the technical field of a resin-encapsulated semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a lead frame and an outer periphery thereof, particularly, an upper surface side of the semiconductor element is sealed with a mold resin. It is.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、基板実装の高密度化に伴い、基板
実装される半導体製品の小型化・薄型化が要求されてい
る。LSIも、高集積化によるチップ数の削減とパッケ
ージの小型・軽量化が厳しく要求され、いわゆるCSP
(Chip Size Package)の普及が急速に進んでいる。特
に、リードフレームを用いた薄型の半導体製品の開発に
おいては、リードフレームに半導体素子を搭載し、その
搭載面をモールド樹脂で封止する片面封止タイプの樹脂
封止型半導体装置が開発されている。2. Description of the Related Art In recent years, with the increase in the density of substrate mounting, there has been a demand for smaller and thinner semiconductor products mounted on the substrate. LSIs are also strictly required to reduce the number of chips and reduce the size and weight of packages due to high integration.
(Chip Size Package) is spreading rapidly. In particular, in the development of thin semiconductor products using a lead frame, a single-sided resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor element is mounted on a lead frame and the mounting surface is sealed with a mold resin has been developed. I have.
【0003】図1は樹脂封止型半導体装置の一例を示す
断面図、図2はその封止樹脂を透視した状態で示す平面
図である。これらの図に示される樹脂封止型半導体装置
は、リードフレーム1の吊りリード2で支持されたダイ
パッド3に搭載された半導体素子4と、この半導体素子
4の上面の電極とリードフレーム1の端子部5とを電気
的に接続した金属細線6と、半導体素子4の上側とダイ
パッド3の下側とを含む半導体素子4の外囲領域を封止
した封止樹脂7とを備えている。この樹脂封止型半導体
装置は、いわゆるアウターリードが突き出ておらず、イ
ンナーリードとアウターリードの両者が端子部5として
一体となったノンリードタイプである。また、用いられ
ているリードフレーム1は、ダイパッド3が端子部より
上方に位置するようにハーフエッチングされている。こ
のような段差を形成しておくことにより、ダイパッド3
の下側にも封止樹脂7を存在させることができ、ダイパ
ッド非露出型であっても薄型を実現できる。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a resin-sealed semiconductor device, and FIG. 2 is a plan view showing the sealing resin as seen through. The resin-encapsulated semiconductor device shown in these figures includes a semiconductor element 4 mounted on a die pad 3 supported by suspension leads 2 of a lead frame 1, an electrode on the upper surface of the semiconductor element 4, and a terminal of the lead frame 1. A thin metal wire 6 electrically connected to the portion 5, and a sealing resin 7 for sealing an area surrounding the semiconductor element 4 including the upper side of the semiconductor element 4 and the lower side of the die pad 3 are provided. This resin-encapsulated semiconductor device is a non-lead type in which a so-called outer lead does not protrude, and both an inner lead and an outer lead are integrated as a terminal portion 5. The lead frame 1 used is half-etched so that the die pad 3 is located above the terminal portion. By forming such a step, the die pad 3
The sealing resin 7 can be made to exist also on the lower side, and a thin type can be realized even if the die pad is not exposed.
【0004】上記のようなノンリードタイプの樹脂封止
型半導体装置は、半導体素子のサイズが小型であるた
め、1枚のフレームの幅方向に複数列配列して製造する
マトリックスタイプが主流である。そして、最近では、
コストダウンの要求から、図3に示すような個別にモー
ルドするタイプから、図4に示すような一括してモール
ドするタイプへ移行することが考えられている。In the above-described non-lead type resin-encapsulated semiconductor device, since the size of a semiconductor element is small, a matrix type manufactured by arranging a plurality of rows in the width direction of one frame is mainly used. . And recently,
Due to cost reduction requirements, it has been considered to shift from the individually molded type as shown in FIG. 3 to the collectively molded type as shown in FIG.
【0005】個別モールドタイプは、図3(A)に示す
ように、1枚のフレームF内に小さなサイズの個々のモ
ールドキャビティCを分かれた状態で設けるようにし、
モールド後は金型により個別に打ち抜いて図3(B)に
示す半導体装置Sを得るものである。すなわち、半導体
素子を銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド
上に搭載し、ワイヤーボンディングを実施した後、個々
の半導体素子を個別にモールドしてから、金型により個
々の半導体装置として打ち抜くのである。In the individual mold type, as shown in FIG. 3A, small mold cavities C of a small size are provided in one frame F in a divided state.
After the molding, the semiconductor device S shown in FIG. That is, a semiconductor element is mounted on a die pad of a lead frame using silver paste or the like, and after performing wire bonding, individual semiconductor elements are individually molded and then punched out as individual semiconductor devices using a mold.
【0006】一括モールドタイプは、図4(A)に示す
ように、1枚のフレームF内に大きなサイズの幾つかの
モールドキャビティCを設けるようにし、その一つ一つ
のモールドキャビティC内には多数の半導体素子をマト
リックス状に配列し、それらの半導体素子を一括してモ
ールドした後、各リードフレームのグリッドリードLの
ところをダイシングソーで切断して図4(B)に示す半
導体装置Sを得るものである。すなわち、半導体素子を
銀ペースト等によりリードフレームのダイパッド上に搭
載し、ワイヤーボンディングを実施した後、複数個配列
されている半導体素子を所定のキャビティサイズで一括
モールドしてから、ダイシングにより個片化するのであ
る。In the collective mold type, as shown in FIG. 4A, several large-sized mold cavities C are provided in one frame F. After arranging a large number of semiconductor elements in a matrix and molding the semiconductor elements collectively, the portions of the grid leads L of each lead frame are cut with a dicing saw to obtain a semiconductor device S shown in FIG. What you get. That is, a semiconductor element is mounted on a die pad of a lead frame using a silver paste or the like, and after performing wire bonding, a plurality of semiconductor elements are collectively molded with a predetermined cavity size, and then singulated by dicing. You do it.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記した樹脂封止型半
導体装置の製造工程では、樹脂のモールド後に端子部の
裏面に樹脂が回り込んで薄バリが発生するが、実装時に
おける良好な半田メッキ性を確保するために、その樹脂
の薄バリをウォータージェットやレーザーにより除去し
ている。或いは、モールド時に樹脂シートを端子面に敷
いておき、バリの発生を防止することも行われている。In the manufacturing process of the above-described resin-encapsulated semiconductor device, after the resin is molded, the resin wraps around the back surface of the terminal portion to generate thin burrs. In order to ensure the properties, thin burrs of the resin are removed by a water jet or a laser. Alternatively, a resin sheet is laid on the terminal surface during molding to prevent occurrence of burrs.
【0008】しかしながら、前者の方法では、樹脂の薄
バリを完全に除去するのが難しく、できたとしても時間
がかかるという問題点があった。また後者の方法では、
特に一括モールドタイプにおいてはモールド時の押さえ
が弱く、樹脂が回り込んでしまうため、完全にはバリを
無くすことはできなかった。However, the former method has a problem that it is difficult to completely remove the thin burrs of the resin, and even if it is possible, it takes time. In the latter case,
In particular, in the case of the collective mold type, the press at the time of molding is weak, and the resin flows around, so that the burr could not be completely eliminated.
【0009】本発明は、このような問題点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、特に個別モ
ールドタイプの樹脂封止型半導体装置の製造に用いられ
るリードフレームであって、モールド時に端子面に樹脂
の薄バリが発生しないようにできるリードフレームを提
供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a lead frame used particularly for manufacturing an individually molded type resin-sealed semiconductor device. An object of the present invention is to provide a lead frame capable of preventing thin resin burrs from being generated on a terminal surface during molding.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明に係るリードフレームは、吊りリードで支持
したダイパッド上に半導体素子を搭載し、端子部を半導
体素子上面の電極と金属細線で電気的に接続した後、半
導体素子をモールドしてから、金型により個々の半導体
装置に打ち抜くことにより樹脂封止型半導体装置を製造
するために用いられるリードフレームであって、端子部
を下方に折り曲げて傾斜を付けたことを特徴としてい
る。In order to achieve the above object, a lead frame according to the present invention has a semiconductor element mounted on a die pad supported by suspension leads, and has a terminal portion connected to an electrode on the upper surface of the semiconductor element and a thin metal wire. A lead frame used for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device by molding a semiconductor element and then punching the individual semiconductor device with a mold after electrically connecting the terminals, with the terminal portion facing downward. It is characterized by being bent and inclined.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0012】図5は本発明に係るリードフレームの一例
を示すもので、図5(A)は平面図、図5(B)は図5
(A)のX−X断面図である。FIG. 5 shows an example of a lead frame according to the present invention. FIG. 5A is a plan view, and FIG.
It is XX sectional drawing of (A).
【0013】図示のように、リードフレーム1は、周辺
部からの4本の吊りリード2でダイパッド3を支持し、
そのダイパッド3に向けて周囲4辺からそれぞれ4本ず
つ端子部5が突き出た状態になっている。そして、各端
子部5はその付け根のところで折り曲げられ、下方に向
けて傾斜した状態になっている。すなわち、機械加工で
先端を曲げ加工することで僅かな角度で下向きの傾斜が
付けられている。通常、このようなリードフレーム1が
一枚のフレームに複数個並んだ状態で配列されている。As shown in the figure, a lead frame 1 supports a die pad 3 with four suspension leads 2 from the periphery.
Four terminal portions 5 protrude from the surrounding four sides toward the die pad 3. Each terminal portion 5 is bent at the base of the terminal portion 5 and is inclined downward. That is, a downward inclination is provided at a slight angle by bending the tip by machining. Normally, a plurality of such lead frames 1 are arranged in a single frame.
【0014】このリードフレーム1を用いて樹脂封止型
半導体装置を製造する手順は次のようである。まず、リ
ードフレーム1における吊りリード2に支持されたダイ
パッド3の上に半導体素子を銀ペーストにより搭載し、
端子部5と半導体素子の上面の電極との間にワイヤーボ
ンディングを実施した後、モールド型にセットして個別
にモールドしてから、金型により個々の半導体装置に打
ち抜く。A procedure for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device using the lead frame 1 is as follows. First, a semiconductor element is mounted on a die pad 3 supported by a suspension lead 2 in a lead frame 1 with a silver paste,
After performing wire bonding between the terminal portion 5 and the electrode on the upper surface of the semiconductor element, the semiconductor device is set in a mold and individually molded, and then punched into individual semiconductor devices by a mold.
【0015】図6は図5に示すリードフレームを用いた
場合のモールド工程の説明図である。図示のように、半
導体素子4を搭載し、金属細線6によるワイヤーボンデ
ィングを終えたリードフレーム1をモールド型の下型1
1に載置し、上方から上型12を被せるようにセットす
る。この場合、下型11にリードフレーム1を載せた状
態では、端子部5の傾斜により全体が少し浮いた状態に
なるが、上型12を被せることにより、リードフレーム
1の周辺部が押圧され、端子部5は下型11の表面に沿
って真っ直ぐになり、端子部5はバネの力で下型11の
表面に押し付けられて密着した状態になる。したがっ
て、この状態でモールドを行うと、端子部5の裏側に樹
脂が入り込むのが防止され、バリの発生を無くすか若し
くは軽減することができる。FIG. 6 is an explanatory diagram of a molding step when the lead frame shown in FIG. 5 is used. As shown in the figure, a lead frame 1 on which a semiconductor element 4 is mounted and wire bonding with a thin metal wire 6 is completed is replaced with a lower mold 1 of a mold type.
1 and set so as to cover the upper mold 12 from above. In this case, in a state where the lead frame 1 is placed on the lower mold 11, the whole is slightly floated due to the inclination of the terminal portion 5. However, by covering the upper mold 12, a peripheral portion of the lead frame 1 is pressed, The terminal portion 5 is straightened along the surface of the lower mold 11, and the terminal portion 5 is pressed against the surface of the lower mold 11 by the force of a spring and comes into close contact with the lower mold 11. Therefore, when molding is performed in this state, it is possible to prevent the resin from entering the back side of the terminal portion 5 and to eliminate or reduce the occurrence of burrs.
【0016】[0016]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のリードフ
レームは、吊りリードで支持したダイパッド上に半導体
素子を搭載し、端子部を半導体素子上面の電極と金属細
線で電気的に接続した後、半導体素子をモールドしてか
ら、金型により個々の半導体装置に打ち抜くことにより
樹脂封止型半導体装置を製造するために用いられるリー
ドフレームであって、端子部を下方に折り曲げて傾斜を
付けたことを特徴としているので、モールド型にセット
した時に、スプリング作用により端子部のモールド型へ
の密着度が増し、モールド樹脂が端子部の裏側に入り込
むのが防止されるので、端子部の裏面に薄バリを生じる
のが軽減され、従来行っていたバリ取りの工程を行わな
くても、実装時における良好な半田メッキ性を確保する
ことができる。As described above, in the lead frame of the present invention, the semiconductor element is mounted on the die pad supported by the suspension lead, and the terminal portion is electrically connected to the electrode on the upper surface of the semiconductor element by the thin metal wire. A lead frame used for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device by molding a semiconductor element and then punching it into individual semiconductor devices with a mold, wherein a terminal portion is bent downward and inclined. When set in the mold, the degree of adhesion of the terminal to the mold increases due to the action of the spring when the mold is set in the mold, preventing the mold resin from entering the back of the terminal. The occurrence of thin burrs is reduced, and a good solder plating property at the time of mounting can be ensured without performing the deburring step conventionally performed.
【図1】樹脂封止型半導体装置の一例を示す断面図であ
る。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a resin-sealed semiconductor device.
【図2】図1に示す樹脂封止型半導体装置の平面図であ
る。FIG. 2 is a plan view of the resin-sealed semiconductor device shown in FIG.
【図3】個別モールドタイプの説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of an individual mold type.
【図4】一括モールドタイプの説明図である。FIG. 4 is an explanatory view of a collective mold type.
【図5】図5(A)は本発明に係るリードフレームの一
例を示す平面図、図5(B)は図5(A)のX−X断面
図である。5A is a plan view showing an example of a lead frame according to the present invention, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 5A.
【図6】図5に示すリードフレームを用いた場合のモー
ルド工程の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a molding step when the lead frame shown in FIG. 5 is used.
1 リードフレーム 2 吊りリード 3 ダイパッド 4 半導体素子 5 端子部 6 金属細線 7 封止樹脂 11 下型 12 上型 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 2 Suspended lead 3 Die pad 4 Semiconductor element 5 Terminal part 6 Thin metal wire 7 Sealing resin 11 Lower mold 12 Upper mold
Claims (1)
導体素子を搭載し、端子部を半導体素子上面の電極と金
属細線で電気的に接続した後、半導体素子をモールドし
てから、金型により個々の半導体装置に打ち抜くことに
より樹脂封止型半導体装置を製造するために用いられる
リードフレームであって、端子部を下方に折り曲げて傾
斜を付けたことを特徴とするリードフレーム。1. A semiconductor device is mounted on a die pad supported by a suspension lead, and a terminal portion is electrically connected to an electrode on an upper surface of the semiconductor device by a thin metal wire. A lead frame used for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device by punching out a semiconductor device according to (1), wherein the terminal portion is bent downward to be inclined.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000200957A JP2002026192A (en) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | Lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2000200957A JP2002026192A (en) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | Lead frame |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2002026192A true JP2002026192A (en) | 2002-01-25 |
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ID=18698742
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JP2000200957A Pending JP2002026192A (en) | 2000-07-03 | 2000-07-03 | Lead frame |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002026192A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005535135A (en) * | 2002-08-05 | 2005-11-17 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | Method for manufacturing an electrical substrate frame, method for manufacturing a surface mountable semiconductor device and substrate frame strip |
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US8853842B2 (en) | 2010-02-26 | 2014-10-07 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device sealed with a resin molding |
-
2000
- 2000-07-03 JP JP2000200957A patent/JP2002026192A/en active Pending
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