JP2002026121A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2002026121A5 JP2002026121A5 JP2000199737A JP2000199737A JP2002026121A5 JP 2002026121 A5 JP2002026121 A5 JP 2002026121A5 JP 2000199737 A JP2000199737 A JP 2000199737A JP 2000199737 A JP2000199737 A JP 2000199737A JP 2002026121 A5 JP2002026121 A5 JP 2002026121A5
- Authority
- JP
- Japan
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000199737A JP2002026121A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 半導体装置およびその製造方法、絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000199737A JP2002026121A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 半導体装置およびその製造方法、絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002026121A JP2002026121A (ja) | 2002-01-25 |
| JP2002026121A5 true JP2002026121A5 (xx) | 2007-08-09 |
Family
ID=18697708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000199737A Pending JP2002026121A (ja) | 2000-06-30 | 2000-06-30 | 半導体装置およびその製造方法、絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002026121A (xx) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010015499A1 (en) | 2000-02-23 | 2001-08-23 | Hiroshi Yuasa | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| JP3990920B2 (ja) * | 2001-03-13 | 2007-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜形成方法及び膜形成装置 |
| US7060634B2 (en) * | 2002-01-17 | 2006-06-13 | Silecs Oy | Materials and methods for forming hybrid organic-inorganic dielectric materials for integrated circuit applications |
| TWI300971B (en) | 2002-04-12 | 2008-09-11 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JP2006128722A (ja) * | 2002-04-12 | 2006-05-18 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
| JP4068072B2 (ja) | 2003-01-29 | 2008-03-26 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2010004081A (ja) * | 2003-04-23 | 2010-01-07 | Tokyo Electron Ltd | 層間絶縁膜の表面改質方法及び表面改質装置 |
| TW200428470A (en) | 2003-06-05 | 2004-12-16 | Semiconductor Leading Edge Tec | Method for manufacturing semiconductor device |
| TWI257120B (en) | 2003-06-18 | 2006-06-21 | Fujitsu Ltd | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP4057972B2 (ja) | 2003-07-25 | 2008-03-05 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4695842B2 (ja) * | 2004-01-26 | 2011-06-08 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2006156602A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Asahi Kasei Corp | 絶縁膜 |
| CN1787186A (zh) | 2004-12-09 | 2006-06-14 | 富士通株式会社 | 半导体器件制造方法 |
| JP4927343B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2012-05-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体チップおよびその製造方法 |
| KR100933374B1 (ko) | 2006-01-13 | 2009-12-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 다공질 막의 성막 방법 및 컴퓨터 판독가능한 기록 매체 |
| JP5168142B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2013-03-21 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JP5522979B2 (ja) * | 2009-06-16 | 2014-06-18 | 国立大学法人東北大学 | 成膜方法及び処理システム |
| JP2011216862A (ja) * | 2010-03-16 | 2011-10-27 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法及び成膜装置 |
| JP2022170130A (ja) * | 2021-04-28 | 2022-11-10 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置及びエッチング方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1070121A (ja) * | 1995-11-16 | 1998-03-10 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体基板上に薄膜ナノ多孔質アエロゲルを形成するための低揮発性溶剤基の方法 |
| JP3159093B2 (ja) * | 1996-12-25 | 2001-04-23 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3502750B2 (ja) * | 1997-09-10 | 2004-03-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| JP3250518B2 (ja) * | 1998-04-15 | 2002-01-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2000058642A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000091422A (ja) * | 1998-09-16 | 2000-03-31 | Sony Corp | 多層配線構造の製造方法 |
-
2000
- 2000-06-30 JP JP2000199737A patent/JP2002026121A/ja active Pending