JP2002026071A - Semiconductor device and its manufacturing method, circuit board, and electronic equipment - Google Patents

Semiconductor device and its manufacturing method, circuit board, and electronic equipment

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JP2002026071A
JP2002026071A JP2000204017A JP2000204017A JP2002026071A JP 2002026071 A JP2002026071 A JP 2002026071A JP 2000204017 A JP2000204017 A JP 2000204017A JP 2000204017 A JP2000204017 A JP 2000204017A JP 2002026071 A JP2002026071 A JP 2002026071A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which can efficiently be manufactured and has a semiconductor chip with high reliability and its manufacturing method, a circuit board, and electronic equipment. SOLUTION: This manufacturing method for the semiconductor device includes a stage where the semiconductor chip 10 having an adhesive tape 20 stuck on one surface is fitted having the opposite surface from the mentioned one surface opposite a specific mounting area by being pressed across the adhesive tape 20 and the semiconductor chip 10 is peeled off the adhesive tape 20.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
The present invention relates to a semiconductor device and a method of manufacturing the same, a circuit board, and an electronic device.

【0002】[0002]

【発明の背景】半導体装置の製造方法において、半導体
チップを個片に切断した後、基板に搭載するまで間には
いくつかの工程がある。例えば、従来では、ダイシング
テープに貼り付けられた切断後の半導体チップをピック
アップツールで剥離し、半導体チップをトレイに収納
し、その後に、改めて半導体チップをボンディングツー
ルで基板に搭載する工程を行っていた。これによると、
工程数が多いため半導体チップの取り扱いが煩雑であっ
た。また、半導体チップを取り扱うためのツールは各工
程ごとに必要であった。
BACKGROUND OF THE INVENTION In a method of manufacturing a semiconductor device, there are several steps between cutting a semiconductor chip into individual pieces and mounting the chip on a substrate. For example, in the related art, a step of detaching a cut semiconductor chip attached to a dicing tape with a pickup tool, storing the semiconductor chip in a tray, and then mounting the semiconductor chip on a substrate again with a bonding tool is performed. Was. according to this,
Because of the large number of steps, handling of the semiconductor chip was complicated. In addition, a tool for handling a semiconductor chip was required for each process.

【0003】本発明は、この問題点を解決するためのも
のであり、その目的は、効率良く製造できるとともに信
頼性の高い半導体チップを有する半導体装置、及びその
製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
An object of the present invention is to solve this problem, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device having a semiconductor chip which can be manufactured efficiently and has high reliability, a method of manufacturing the same, a circuit board, and electronic equipment. .

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】(1)本発明に係る半導
体装置の製造方法は、接着テープに一方の面が貼り付け
られた半導体チップを、前記接着テープを介して押圧
し、所定の搭載領域に前記一方の面とは反対側の面を対
向させて取り付け、前記半導体チップを前記接着テープ
から剥がす工程を含む。
(1) In a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a semiconductor chip having one surface adhered to an adhesive tape is pressed through the adhesive tape to a predetermined mounting position. A step of attaching the semiconductor chip to the region with the surface opposite to the one surface facing the other, and peeling the semiconductor chip from the adhesive tape.

【0005】本発明によれば、半導体チップを押圧する
1つの工程によって、半導体チップを所定の搭載領域に
取り付けて、かつ、接着テープから剥がすことができ
る。すなわち、接着テープに貼り付けられた半導体チッ
プを、少ない工程で所定の搭載領域に搭載できる。さら
に、半導体チップは接着テープを介して押圧するので、
接着テープを保護部材として半導体チップを傷つけずに
押圧できる。
According to the present invention, the semiconductor chip can be attached to a predetermined mounting area and peeled off from the adhesive tape by one step of pressing the semiconductor chip. That is, the semiconductor chip attached to the adhesive tape can be mounted in a predetermined mounting area in a small number of steps. Furthermore, since the semiconductor chip is pressed through the adhesive tape,
The semiconductor chip can be pressed without damaging the semiconductor chip using the adhesive tape as a protective member.

【0006】(2)この半導体装置の製造方法におい
て、前記搭載領域は、配線パターンが形成されてなる基
板の搭載領域であってもよい。
(2) In this method of manufacturing a semiconductor device, the mounting area may be a mounting area of a substrate on which a wiring pattern is formed.

【0007】これによれば、半導体チップを押圧する1
つの工程によって、半導体チップを基板に取り付けて、
かつ、接着テープから剥がすことができる。
According to this, 1 for pressing the semiconductor chip
Attach the semiconductor chip to the board by one process,
And it can be peeled off from the adhesive tape.

【0008】(3)この半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体チップは、電極が形成された側とは反対
側の面に前記接着テープが貼り付けられ、前記半導体チ
ップを取り付ける工程で、前記半導体チップの前記電極
の形成された側の面を前記搭載領域に対向させて取り付
けてもよい。
(3) In this method of manufacturing a semiconductor device, the adhesive tape is attached to the surface of the semiconductor chip opposite to the surface on which the electrodes are formed, and the semiconductor chip is attached in a step of attaching the semiconductor chip. The chip may be mounted with the surface on the side where the electrodes are formed facing the mounting area.

【0009】これによって、半導体チップを表裏反転さ
せることなく、そのまま電極の形成された側の面を対向
させて搭載領域に取り付けることができる。
Thus, the semiconductor chip can be mounted on the mounting area without turning over the semiconductor chip, with the surfaces on which the electrodes are formed facing each other.

【0010】(4)この半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体チップを取り付ける工程で、前記半導体
チップを、樹脂を介して前記搭載領域に接着してもよ
い。
(4) In the method of manufacturing a semiconductor device, in the step of attaching the semiconductor chip, the semiconductor chip may be bonded to the mounting area via a resin.

【0011】これによって、半導体チップを容易に搭載
領域に取り付けることができる。
Thus, the semiconductor chip can be easily mounted on the mounting area.

【0012】(5)この半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体チップを取り付ける工程で、前記樹脂と
して、接着剤に導電粒子が分散されてなる異方性導電材
料を使用してもよい。
(5) In the method of manufacturing a semiconductor device, in the step of attaching the semiconductor chip, an anisotropic conductive material in which conductive particles are dispersed in an adhesive may be used as the resin.

【0013】これによって、半導体チップを搭載領域に
取り付けるための樹脂を利用して、例えば、半導体チッ
プを基板に電気的に接続させることができる。
Thus, for example, the semiconductor chip can be electrically connected to the substrate by using the resin for attaching the semiconductor chip to the mounting area.

【0014】(6)この半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体チップを取り付ける工程で、前記半導体
チップを前記搭載領域に仮接着し、前記半導体チップを
前記接着テープから剥がす工程の後に、前記接着テープ
を除外して、前記搭載領域上の前記半導体チップを押圧
する工程をさらに含んでもよい。
(6) In the method of manufacturing a semiconductor device, in the step of attaching the semiconductor chip, after the step of temporarily bonding the semiconductor chip to the mounting area and the step of peeling the semiconductor chip from the adhesive tape, the step of attaching the adhesive tape And excluding the step of pressing the semiconductor chip on the mounting area.

【0015】改めて半導体チップを押圧することで、半
導体チップをより確実に搭載領域に取り付けることがで
きる。
By pressing the semiconductor chip again, the semiconductor chip can be more securely mounted on the mounting area.

【0016】(7)この半導体装置の製造方法におい
て、前記搭載領域上の前記半導体チップを押圧する工程
で、加熱器を有するツールによって前記半導体チップを
押圧し、前記半導体チップの前記電極と前記搭載領域上
の前記配線パターンとを電気的に接続してもよい。
(7) In the method of manufacturing a semiconductor device, in the step of pressing the semiconductor chip on the mounting area, the semiconductor chip is pressed by a tool having a heater, and the electrode of the semiconductor chip and the mounting of the semiconductor chip are mounted. The wiring pattern on the region may be electrically connected.

【0017】これによって、例えば、半導体チップを搭
載領域に取り付けるときに、高温に加熱する必要がある
場合でも、接着テープを除外して改めて押圧することで
半導体チップを搭載領域に取り付けることができる。
Thus, for example, even when it is necessary to heat the semiconductor chip to the mounting area at a high temperature, the semiconductor chip can be mounted on the mounting area by pressing again without the adhesive tape.

【0018】(8)本発明に係る半導体装置は、上記半
導体装置の製造方法によって製造されてなる。
(8) A semiconductor device according to the present invention is manufactured by the above-described method for manufacturing a semiconductor device.

【0019】(9)本発明に係る回路基板は、上記半導
体装置が搭載されている。
(9) A circuit board according to the present invention has the above semiconductor device mounted thereon.

【0020】(10)本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を有する。
(10) An electronic apparatus according to the present invention includes the above semiconductor device.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、
以下の実施の形態に限定されるものではない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the present invention
The present invention is not limited to the following embodiment.

【0022】(第1の実施の形態)図1は本実施の形態
における半導体装置の製造方法を示す図であり、図2は
本実施の形態における半導体装置の一例を示す図であ
る。
(First Embodiment) FIG. 1 is a view showing a method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, and FIG. 2 is a view showing an example of the semiconductor device according to the present embodiment.

【0023】本実施の形態では半導体チップ10を用意
する。半導体チップ10は、図示しない半導体ウェーハ
が個片に切断されることで形成されてもよい。半導体チ
ップ10の外形は、矩形をなすことが多いがこれに限定
されない。半導体チップ10は、複数の電極12を有す
る。電極12は、半導体チップ10の内部に形成された
集積回路の電極となる。電極12は、半導体チップ10
の集積回路を有する側の面(能動面)に形成されてもよ
い。電極12は、半導体チップ10の面の端部に並んで
いても、中央部に並んでいてもよい。電極12は、例え
ばアルミニウムなどで形成される。なお、半導体チップ
10には、電極12が形成された側の面に、パッシベー
ション膜(図示しない)が形成されてもよい。
In this embodiment, a semiconductor chip 10 is prepared. The semiconductor chip 10 may be formed by cutting a semiconductor wafer (not shown) into individual pieces. The outer shape of the semiconductor chip 10 is often rectangular, but is not limited to this. The semiconductor chip 10 has a plurality of electrodes 12. The electrode 12 becomes an electrode of an integrated circuit formed inside the semiconductor chip 10. The electrode 12 is connected to the semiconductor chip 10
May be formed on the surface having the integrated circuit (active surface). The electrodes 12 may be arranged at the end of the surface of the semiconductor chip 10 or at the center. The electrode 12 is formed of, for example, aluminum. Note that a passivation film (not shown) may be formed on the surface of the semiconductor chip 10 on which the electrode 12 is formed.

【0024】電極12上にバンプ14が形成されてもよ
い。バンプ14は、ハンダボール、金ワイヤーボール、
金メッキなどによって形成されている。バンプ14は、
半導体ウェーハの状態で既に形成されていてもよい。電
極12とバンプ14との間にバンプ金属の拡散防止層と
して、ニッケル、クロム、チタン等を付加してもよい。
バンプ14によって、外部との電気的接続を良好にする
ことができる。あるいは、バンプ14が形成されずに、
半導体チップ10の電極12が外部との接続部になって
もよい。
A bump 14 may be formed on the electrode 12. The bump 14 is made of a solder ball, a gold wire ball,
It is formed by gold plating or the like. The bump 14
It may be already formed in the state of a semiconductor wafer. Nickel, chromium, titanium, or the like may be added between the electrode 12 and the bump 14 as a diffusion preventing layer for the bump metal.
The bumps 14 can improve the electrical connection with the outside. Alternatively, without forming the bumps 14,
The electrode 12 of the semiconductor chip 10 may be a connection portion with the outside.

【0025】図1に示すように、半導体チップ10は、
一方の面が接着テープ20に貼り付けられている。例え
ば、接着テープ20は、半導体ウェーハの切断時に使用
されたものであってもよい。詳しくは、接着テープ20
は、半導体ウェーハの面に、切断する側とは反対側に貼
り付けられ、切断後の複数の半導体チップ10にそのま
ま貼り付けられたものであってもよい。半導体ウェーハ
は電極12を有する側の面が切断面となることが多く、
この場合には図1に示すように、接着テープ20は、半
導体チップ10の電極12が形成された側の面とは反対
側の面に貼り付けられる。なお、この場合の接着テープ
20は、ダイシングテープと称してもよい。
As shown in FIG. 1, the semiconductor chip 10
One surface is adhered to the adhesive tape 20. For example, the adhesive tape 20 may be used when cutting a semiconductor wafer. Specifically, the adhesive tape 20
May be attached to the surface of the semiconductor wafer on the side opposite to the side to be cut, and may be directly attached to the plurality of semiconductor chips 10 after cutting. The surface of the semiconductor wafer having the electrode 12 is often a cut surface,
In this case, as shown in FIG. 1, the adhesive tape 20 is attached to the surface of the semiconductor chip 10 opposite to the surface on which the electrodes 12 are formed. In this case, the adhesive tape 20 may be referred to as a dicing tape.

【0026】あるいは、接着テープ20は、半導体チッ
プ10の電極12が形成された側の面に貼り付けられて
いてもよい。なお、接着テープ20は、例えば半導体ウ
ェーハを切断した後の半導体チップ10に改めて貼り付
けられてもよい。
Alternatively, the adhesive tape 20 may be attached to the surface of the semiconductor chip 10 on which the electrodes 12 are formed. The adhesive tape 20 may be affixed to the semiconductor chip 10 after cutting the semiconductor wafer, for example.

【0027】接着テープ20は、例えば、半導体ウェー
ハの切断によって個片となった半導体チップ10を確実
に接着し、かつ、後の工程で、半導体チップ10を容易
に剥離できるものであることが好ましい。接着テープ2
0は、所定のエネルギーを加えることでその接着力が弱
められる性質を有してもよい。この場合に、半導体チッ
プ10を接着テープ20から剥がす前に、所定のエネル
ギーを照射して、半導体チップ10を剥がしやすくして
もよい。一例として、接着テープ20は、紫外線を照射
することでその接着力が弱められる、いわゆる紫外線硬
化性を有してもよい。あるいは、接着テープ20は、熱
硬化性又は熱可塑性など性質を有するものであってもよ
く、これらに限定されない。
It is preferable that the adhesive tape 20 is one that can securely adhere the semiconductor chips 10 diced by cutting the semiconductor wafer, for example, and can easily peel the semiconductor chips 10 in a later step. . Adhesive tape 2
0 may have a property that its adhesive strength is weakened by applying a predetermined energy. In this case, a predetermined energy may be applied before the semiconductor chip 10 is peeled off from the adhesive tape 20 so that the semiconductor chip 10 can be easily peeled off. As an example, the adhesive tape 20 may have a so-called ultraviolet curable property in which the adhesive strength is weakened by irradiating the ultraviolet ray. Alternatively, the adhesive tape 20 may have a property such as thermosetting property or thermoplastic property, but is not limited thereto.

【0028】図1に示すように、半導体チップ10を、
接着テープ20を介して押圧する。詳しくは、接着テー
プ20を介して、半導体チップ10における接着テープ
20を向く側の面を押圧する。ツール30を使用して、
半導体チップ10の面の一部又は全部を押圧してもよ
い。この場合に、リング32によって接着テープ20を
半導体チップ10の側から押さえて、それとは反対側か
らツール30で半導体チップ10を押圧してもよい。こ
れによれば、ツール30によって接着テープ20を介し
て押圧するので、接着テープ20を保護部材として半導
体チップ10を傷つけずに押圧できる。特に、半導体チ
ップ10における電極12が形成された側の面を押圧す
る場合には、半導体チップ10の能動面を傷つけずに押
圧できる。
As shown in FIG. 1, the semiconductor chip 10 is
Pressing through the adhesive tape 20. Specifically, the surface of the semiconductor chip 10 facing the adhesive tape 20 is pressed via the adhesive tape 20. Using the tool 30,
Part or all of the surface of the semiconductor chip 10 may be pressed. In this case, the adhesive tape 20 may be pressed by the ring 32 from the side of the semiconductor chip 10, and the semiconductor chip 10 may be pressed by the tool 30 from the opposite side. According to this, since the pressing is performed by the tool 30 via the adhesive tape 20, the semiconductor chip 10 can be pressed without damaging the semiconductor chip 10 using the adhesive tape 20 as a protective member. In particular, when pressing the surface of the semiconductor chip 10 on the side where the electrodes 12 are formed, the pressing can be performed without damaging the active surface of the semiconductor chip 10.

【0029】ツール30における半導体チップ10を押
圧する部分は、平坦な面であることが好ましい。これに
よって、接着テープ20を突き破ることなく、半導体チ
ップ10を押圧できる。また、これによって、半導体チ
ップ10の面を均一に押圧することができる。なお、ツ
ール30は、例えば、半導体チップ10をフェースダウ
ンボンディングするときに使用するボンディングツール
であってもよい。
The part of the tool 30 that presses the semiconductor chip 10 is preferably a flat surface. Thereby, the semiconductor chip 10 can be pressed without breaking through the adhesive tape 20. In addition, this allows the surface of the semiconductor chip 10 to be pressed uniformly. The tool 30 may be, for example, a bonding tool used when performing face-down bonding of the semiconductor chip 10.

【0030】半導体チップ10を押圧し、所定の搭載領
域に半導体チップ10を取り付ける。詳しくは、半導体
チップ10における接着テープ20の側とは反対側の面
を所定の搭載領域に対向させて取り付ける。半導体チッ
プ10における電極12が形成された側とは反対側の面
が、接着テープ20に貼り付けられている場合は、半導
体チップ10の電極12が形成された側の面を所定の搭
載領域に対向させて取り付ける。あるいは、電極12が
形成された側の面が、接着テープ20に貼り付けられて
いる場合は、半導体チップ10の電極12が形成された
側とは反対側の面を所定の搭載領域に対向させて取り付
ける。なお、半導体チップ10を取り付ける場合に、図
示しないカメラを使用して搭載位置を調整してもよい。
これによって、接着テープ20を介した場合であって
も、正確に半導体チップ10を取り付けることができ
る。
The semiconductor chip 10 is pressed to attach the semiconductor chip 10 to a predetermined mounting area. More specifically, the semiconductor chip 10 is attached such that the surface of the semiconductor chip 10 opposite to the adhesive tape 20 faces a predetermined mounting area. When the surface of the semiconductor chip 10 opposite to the side on which the electrodes 12 are formed is attached to the adhesive tape 20, the surface of the semiconductor chip 10 on which the electrodes 12 are formed is placed in a predetermined mounting area. Mount facing each other. Alternatively, when the surface on which the electrode 12 is formed is affixed to the adhesive tape 20, the surface of the semiconductor chip 10 opposite to the surface on which the electrode 12 is formed is opposed to a predetermined mounting area. And attach it. When the semiconductor chip 10 is mounted, the mounting position may be adjusted using a camera (not shown).
Thus, the semiconductor chip 10 can be accurately attached even through the adhesive tape 20.

【0031】ここで、所定の搭載領域は、配線パターン
42が形成されてなる基板40の搭載領域であってもよ
い。基板40を台50上に配置し、基板40の搭載領域
に半導体チップ10を取り付ける。半導体チップ10
は、基板40の配線パターン42が形成された側の面に
取り付けてもよい。
Here, the predetermined mounting area may be a mounting area of the substrate 40 on which the wiring pattern 42 is formed. The substrate 40 is placed on the base 50, and the semiconductor chip 10 is mounted on the mounting area of the substrate 40. Semiconductor chip 10
May be attached to the surface of the substrate 40 on which the wiring pattern 42 is formed.

【0032】基板40は、有機系又は無機系のいずれの
材料によって形成されてもよい。基板40の一例とし
て、例えばポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板で
あってもよく、又はセラミック、ガラスもしくはガラス
エポキシなどのものであってもよい。また、基板40と
して、多層基板やビルドアップ型基板を用いてもよい。
なお、配線パターン42及びそれを含む基板40の形態
は、上述に限定されない。
The substrate 40 may be formed of either an organic or inorganic material. An example of the substrate 40 may be a flexible substrate made of, for example, a polyimide resin, or a substrate made of ceramic, glass, glass epoxy, or the like. Further, as the substrate 40, a multilayer substrate or a build-up type substrate may be used.
The forms of the wiring pattern 42 and the substrate 40 including the wiring pattern are not limited to those described above.

【0033】あるいは、所定の搭載領域は、例えば図示
しないリードフレームの一部であってもよく、もしくは
半導体チップ10を後の工程において取り付け得るその
他の搭載領域であってもよい。
Alternatively, the predetermined mounting area may be, for example, a part of a lead frame (not shown) or another mounting area to which the semiconductor chip 10 can be attached in a later step.

【0034】半導体チップ10を、電極12が形成され
た側の面を基板40に対向させて取り付ける場合に、電
極12と配線パターン42とを電気的に接続してもよ
い。すなわち、接着テープ20を間に挟んで、半導体チ
ップ10を押圧する1つの工程で、電極12と配線パタ
ーン42とを電気的に接続してもよい。電極12にバン
プ14が形成されている場合には、バンプ14と配線パ
ターン42とを接合する。電気的接合の形態は、特に問
わない。電極12と配線パターン42とを電気的に接続
する場合に、必要に応じて両者の接合部に熱を加えても
よい。例えば、台50の加熱器52によって両者の接合
部を加熱させてもよい。電極12(バンプ14)と配線
パターン42とを接合することによって、半導体チップ
10を基板40に取り付けることができる。
When the semiconductor chip 10 is mounted with the surface on which the electrodes 12 are formed facing the substrate 40, the electrodes 12 and the wiring patterns 42 may be electrically connected. That is, the electrode 12 and the wiring pattern 42 may be electrically connected in one step of pressing the semiconductor chip 10 with the adhesive tape 20 interposed therebetween. When the bump 14 is formed on the electrode 12, the bump 14 and the wiring pattern 42 are joined. The form of the electrical connection is not particularly limited. When the electrode 12 and the wiring pattern 42 are electrically connected, heat may be applied to the joint between the two if necessary. For example, the joint between the two may be heated by the heater 52 of the table 50. By bonding the electrode 12 (bump 14) and the wiring pattern 42, the semiconductor chip 10 can be attached to the substrate 40.

【0035】半導体チップ10を取り付ける工程で、半
導体チップ10を、樹脂を介して所定の搭載領域に接着
してもよい。樹脂は、熱硬化性又は熱可塑性であっても
よい。また、樹脂は、絶縁性を有してもよく、あるいは
後述するように導電性を有してもよい。樹脂は、ペース
ト状で設けてもよく、あるいはシート状で設けてもよ
い。基板40に半導体チップ10を取り付ける場合は、
樹脂を、図1に示すように基板40側に設けてもよく、
あるいは半導体チップ10側に設けてもよい。なお、樹
脂を使用した場合において、必要に応じて、台50の加
熱器52によって樹脂に熱を加えてもよい。
In the step of attaching the semiconductor chip 10, the semiconductor chip 10 may be bonded to a predetermined mounting area via a resin. The resin may be thermoset or thermoplastic. Further, the resin may have an insulating property, or may have a conductive property as described later. The resin may be provided in a paste form or in a sheet form. When attaching the semiconductor chip 10 to the substrate 40,
The resin may be provided on the substrate 40 side as shown in FIG.
Alternatively, it may be provided on the semiconductor chip 10 side. In the case where the resin is used, heat may be applied to the resin by the heater 52 of the base 50 as necessary.

【0036】半導体チップ10と基板40の間に樹脂を
設けることで、樹脂を接着剤として、半導体チップ10
と基板40とを接着できる。特に、半導体チップ10を
電極12が形成された側の面を基板40に対向させて取
り付ける場合には、接着剤として設けた樹脂を、完成品
の半導体装置に加えられる応力を緩和する手段として用
いることができる。この場合の樹脂はアンダーフィル材
と称してもよい。また、半導体チップ10の電極12が
形成された側の面を基板40に対向させて搭載する場合
には、樹脂によって半導体チップ10を基板40に接着
するとともに、電極12と配線パターン42との電気的
接続を図ってもよい。
By providing a resin between the semiconductor chip 10 and the substrate 40, the semiconductor chip 10
And the substrate 40 can be bonded. In particular, when the semiconductor chip 10 is attached with the surface on the side where the electrodes 12 are formed facing the substrate 40, a resin provided as an adhesive is used as a means for relaxing the stress applied to the completed semiconductor device. be able to. The resin in this case may be referred to as an underfill material. When the semiconductor chip 10 is mounted with the surface on the side of the semiconductor chip 10 on which the electrodes 12 are formed facing the substrate 40, the semiconductor chip 10 is bonded to the substrate 40 with a resin, and the electrical connection between the electrodes 12 and the wiring pattern 42 Connection may be achieved.

【0037】なお、樹脂は、半導体チップ10を基板4
0に取り付けた後に、両者間に設けてもよい。詳しく
は、半導体チップ10を電極12が形成された側の面を
基板40に対向させて取り付けた場合に、半導体チップ
10と基板40との間に樹脂を注入してもよい。
It is to be noted that the semiconductor chip 10 is
After attaching to zero, it may be provided between them. Specifically, when the semiconductor chip 10 is mounted with the surface on the side where the electrodes 12 are formed facing the substrate 40, a resin may be injected between the semiconductor chip 10 and the substrate 40.

【0038】樹脂が少なくとも一部において導電性を有
する場合には、半導体チップ10を基板40に接着する
とともに、電極12と配線パターン42との電気的接続
を図ることができる。一例として、図1に示すように、
樹脂として異方性導電材料44を使用してもよい。異方
性導電材料44は、接着剤(バインダ)に導電粒子46
(フィラー)が分散されたものである。半導体チップ1
0を接着テープ20を介して押圧することで、電極12
(バンプ14)と配線パターン42との間で導電粒子4
6を押し潰して、両者間の電気的な接続を図ることがで
きる(図2参照)。
When the resin has conductivity at least in part, the semiconductor chip 10 can be bonded to the substrate 40 and the electrode 12 can be electrically connected to the wiring pattern 42. As an example, as shown in FIG.
An anisotropic conductive material 44 may be used as the resin. The anisotropic conductive material 44 is formed by adding conductive particles 46 to the adhesive (binder).
(Filler) is dispersed. Semiconductor chip 1
0 through the adhesive tape 20, the electrode 12
The conductive particles 4 between the (bump 14) and the wiring pattern 42
6 can be crushed to establish an electrical connection between the two (see FIG. 2).

【0039】半導体チップ10を所定の搭載領域に取り
付けた後に、半導体チップ10を接着テープ20から剥
がす。半導体チップ10は所定の搭載領域に、上述の手
段によって取り付けられている。詳しくは、半導体チッ
プ10は、接着テープ20よりも接着力が大きくなるよ
うに、所定の搭載領域に取り付けられている。これによ
って、接着テープ20を所定の搭載領域から離すこと
で、半導体チップ10を接着テープ20から剥がすこと
ができる。例えば、図1に示すように、予め接着テープ
20を所定の搭載領域から離して固定しておき、ツール
30によって接着テープ20を部分的に押し下げて、半
導体チップ10を所定の搭載領域に取り付ける。その
後、ツール30を押し下げる前の元の状態に戻すこと
で、接着テープ20における半導体チップ10の貼り付
けられていた部分は、元の固定されていた位置に戻り、
半導体チップ10から剥がされる。すなわち、半導体チ
ップ10を所定の搭載領域に取り付けるためにする押圧
によって、半導体チップ10を、接着テープ20から剥
がすことができる。
After attaching the semiconductor chip 10 to a predetermined mounting area, the semiconductor chip 10 is peeled off from the adhesive tape 20. The semiconductor chip 10 is attached to a predetermined mounting area by the above-described means. Specifically, the semiconductor chip 10 is attached to a predetermined mounting area so that the adhesive strength is larger than that of the adhesive tape 20. Thus, the semiconductor chip 10 can be peeled off from the adhesive tape 20 by separating the adhesive tape 20 from the predetermined mounting area. For example, as shown in FIG. 1, the adhesive tape 20 is previously fixed away from a predetermined mounting area, and the adhesive chip 20 is partially pressed down by a tool 30 to attach the semiconductor chip 10 to the predetermined mounting area. Thereafter, by returning the tool 30 to its original state before being pressed down, the portion of the adhesive tape 20 where the semiconductor chip 10 has been attached returns to the original fixed position,
Peeled from the semiconductor chip 10. In other words, the semiconductor chip 10 can be peeled off from the adhesive tape 20 by pressing to attach the semiconductor chip 10 to a predetermined mounting area.

【0040】本実施の形態における半導体装置の製造方
法によれば、半導体チップ10を押圧する1つの工程に
よって、半導体チップ10を所定の搭載領域に取り付け
て、かつ、接着テープ20から剥がすことができる。す
なわち、接着テープ20に貼り付けられた半導体チップ
10を、少ない工程で所定の搭載領域に搭載できる。さ
らに、半導体チップ10は接着テープ20を介して押圧
するので、接着テープ20を保護部材として半導体チッ
プ10を傷つけずに押圧できる。
According to the method of manufacturing a semiconductor device in this embodiment, the semiconductor chip 10 can be attached to a predetermined mounting area and peeled off from the adhesive tape 20 by one step of pressing the semiconductor chip 10. . That is, the semiconductor chip 10 attached to the adhesive tape 20 can be mounted in a predetermined mounting area in a small number of steps. Further, since the semiconductor chip 10 is pressed via the adhesive tape 20, the semiconductor chip 10 can be pressed without damaging the semiconductor chip 10 using the adhesive tape 20 as a protective member.

【0041】次に本実施の形態に係る半導体装置につい
て説明する。図2に示すように、半導体装置1は、半導
体チップ10と、基板40と、外部端子60と、を含
む。なお、以下の説明においては、上述において説明し
た内容と重複する部分は省略する。
Next, a semiconductor device according to the present embodiment will be described. As shown in FIG. 2, the semiconductor device 1 includes a semiconductor chip 10, a substrate 40, and external terminals 60. In the following description, portions that are the same as those described above will be omitted.

【0042】半導体装置1は外部端子60を有する。図
2に示す例では、外部端子60としてボール状のバンプ
が形成されている。外部端子60は、例えばハンダボー
ルであってもよい。半導体チップ10と電気的に接続す
る配線パターン42を所定の配置に引き回すことで、外
部端子60を基板40における2次元的に広がる領域に
設けることができる。すなわち、半導体装置の外部端子
60のピッチを変換して、例えば回路基板(マザーボー
ド)への搭載を容易に行うことができる。
The semiconductor device 1 has an external terminal 60. In the example shown in FIG. 2, a ball-shaped bump is formed as the external terminal 60. The external terminals 60 may be, for example, solder balls. By laying out the wiring pattern 42 electrically connected to the semiconductor chip 10 in a predetermined arrangement, the external terminals 60 can be provided in a region of the substrate 40 that extends two-dimensionally. That is, the pitch of the external terminals 60 of the semiconductor device can be changed, and the semiconductor device can be easily mounted on a circuit board (motherboard), for example.

【0043】外部端子60のその他の形態として、基板
40の配線パターン42の一部を延出し、そこから外部
接続を図るようにしてもよい。配線パターン42の一部
をコネクタのリードとしたり、コネクタを基板40上に
実装してもよい。さらに、積極的に外部端子60を形成
せず回路基板への実装時に回路基板側に塗布されるハン
ダクリームを利用し、その溶融時の表面張力で結果的に
外部端子を形成してもよい。その半導体装置は、いわゆ
るランドグリッドアレイ型の半導体装置である。
As another form of the external terminal 60, a part of the wiring pattern 42 of the substrate 40 may be extended and an external connection may be made therefrom. A part of the wiring pattern 42 may be used as a lead of the connector, or the connector may be mounted on the substrate 40. Further, the external terminal 60 may not be formed positively, and the external terminal may be formed as a result by using the solder cream applied to the circuit board at the time of mounting on the circuit board, and using the surface tension at the time of melting. The semiconductor device is a so-called land grid array type semiconductor device.

【0044】本実施の形態における半導体装置によれ
ば、製造工程を少なくすることができるので、半導体チ
ップ10に加えられるストレスを抑えることができる。
したがって、信頼性の高い半導体装置を提供できる。
According to the semiconductor device of the present embodiment, the number of manufacturing steps can be reduced, so that the stress applied to the semiconductor chip 10 can be suppressed.
Therefore, a highly reliable semiconductor device can be provided.

【0045】(第2の実施の形態)図3は、本実施の形
態における半導体装置の製造方法を示す図である。な
お、本実施の形態でも、上述の実施の形態で説明した内
容を可能な限り適用することができる。
(Second Embodiment) FIG. 3 is a diagram showing a method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment. In this embodiment, the contents described in the above embodiment can be applied as much as possible.

【0046】本実施の形態では、上述の工程を終えた後
に、所定の搭載領域上の半導体チップ10を押圧する工
程をさらに含む。図3は、半導体チップ10を所定の搭
載領域上において押圧する工程を示す図である。なお、
所定の搭載領域は基板40であってもよい。
The present embodiment further includes a step of pressing the semiconductor chip 10 on a predetermined mounting area after completing the above-described steps. FIG. 3 is a view showing a step of pressing the semiconductor chip 10 on a predetermined mounting area. In addition,
The predetermined mounting area may be the substrate 40.

【0047】まず、半導体チップ10を所定の搭載領域
に取り付ける。本実施の形態では、半導体チップ10は
所定の搭載領域に仮接着してもよい。詳しくは、所定の
搭載領域における半導体チップ10の保持力が、接着テ
ープ20よりも大きくなる程度に、半導体チップ10を
基板20に接着する。これによって、上述の実施の形態
と同様にして、半導体チップ10を所定の搭載領域に取
り付けるためにする押圧によって、半導体チップ10
を、接着テープ20から剥がすことができる。
First, the semiconductor chip 10 is mounted on a predetermined mounting area. In the present embodiment, the semiconductor chip 10 may be temporarily bonded to a predetermined mounting area. More specifically, the semiconductor chip 10 is bonded to the substrate 20 to such an extent that the holding force of the semiconductor chip 10 in a predetermined mounting area is larger than that of the adhesive tape 20. Thus, similarly to the above-described embodiment, the semiconductor chip 10 is pressed by a pressure for attaching the semiconductor chip 10 to a predetermined mounting area.
Can be peeled from the adhesive tape 20.

【0048】本実施の形態において、半導体チップ10
を電極12が形成された側の面を基板40に対向させて
取り付けてもよい。この場合に、半導体チップ10を樹
脂を介して基板40に仮接着してもよい。樹脂は、上述
の異方性導電材料であってもよい。また、半導体チップ
10を仮接着することで、電極12と配線パターン42
とを電気的に接続してもよく、あるいは電気的に接続す
るまでには至らなくてもよい。なお、本実施の形態で
は、後述するように、この時点で電極12と配線パター
ン42とが、電気的に接続するまでに至らない場合に効
果的である。
In this embodiment, the semiconductor chip 10
May be attached with the surface on which the electrode 12 is formed facing the substrate 40. In this case, the semiconductor chip 10 may be temporarily bonded to the substrate 40 via a resin. The resin may be the anisotropic conductive material described above. Also, by temporarily bonding the semiconductor chip 10, the electrode 12 and the wiring pattern 42 are
And may not be electrically connected. The present embodiment is effective when the electrode 12 and the wiring pattern 42 are not electrically connected at this point, as described later.

【0049】次に、上述の実施の形態と同様にして、半
導体チップ10を接着テープ20から剥がす。その後、
所定の搭載領域上の半導体チップ10を、所定の搭載領
域の側に向けて押圧する。この場合に、半導体チップ1
0は、接着テープ20を除外して押圧する。すなわち、
半導体チップ10を、直接的にツール30を押し当てて
押圧してもよい。
Next, the semiconductor chip 10 is peeled off from the adhesive tape 20 in the same manner as in the above embodiment. afterwards,
The semiconductor chip 10 on the predetermined mounting area is pressed toward the predetermined mounting area. In this case, the semiconductor chip 1
0 presses with the adhesive tape 20 excluded. That is,
The semiconductor chip 10 may be pressed by directly pressing the tool 30.

【0050】図3に示すように、加熱器34を有するツ
ール30によって、半導体チップ10を押圧及び加熱さ
せてもよい。半導体チップ10を電極12が形成された
側の面を基板40に対向させて仮接着した場合は、半導
体チップ10を直接的に加熱することで、電極12(バ
ンプ14)と配線パターン42との接合を促進できる。
また、半導体チップ10と基板40との間に例えば熱硬
化性樹脂を設けた場合には、ツール30の加熱によって
樹脂を硬化させて、半導体チップ10を基板40に取り
付けることができる。特に、熱硬化性樹脂として異方性
導電材料44を使用した場合には、異方性導電材料44
を溶融後に硬化させて、半導体チップ10を基板40に
取り付けるとともに、電極12(バンプ14)と配線パ
ターン42との電気的接続を図ることができる。なお、
本工程は、いわゆるフェースダウンボンディングの工程
と同様であってもよい。
As shown in FIG. 3, the semiconductor chip 10 may be pressed and heated by a tool 30 having a heater 34. When the semiconductor chip 10 is temporarily bonded with the surface on which the electrode 12 is formed facing the substrate 40, the semiconductor chip 10 is directly heated to allow the electrode 12 (the bump 14) and the wiring pattern 42 to be bonded. Joining can be promoted.
In the case where a thermosetting resin is provided between the semiconductor chip 10 and the substrate 40, for example, the resin can be cured by heating the tool 30 and the semiconductor chip 10 can be attached to the substrate 40. In particular, when the anisotropic conductive material 44 is used as the thermosetting resin, the anisotropic conductive material 44 is used.
The semiconductor chip 10 is attached to the substrate 40 after being melted, and the electrical connection between the electrode 12 (bump 14) and the wiring pattern 42 can be achieved. In addition,
This step may be the same as the so-called face-down bonding step.

【0051】なお、ツール30の加熱器34によって半
導体チップ10を加熱させるとともに、基板40を載せ
る台50の加熱器52によって基板40を加熱させても
よい。
The semiconductor chip 10 may be heated by the heater 34 of the tool 30 and the substrate 40 may be heated by the heater 52 of the table 50 on which the substrate 40 is placed.

【0052】本実施の形態における半導体装置の製造方
法によれば、改めて半導体チップ10を押圧すること
で、半導体チップ10をより確実に搭載領域に取り付け
ることができる。また、例えば、半導体チップ10を搭
載領域に取り付けるときに、高温に加熱する必要がある
場合でも、接着テープ20を除外して改めて押圧するこ
とで半導体チップ10を搭載領域に取り付けることがで
きる。なお、本実施の形態における半導体装置は、上述
の通りである。
According to the method of manufacturing a semiconductor device in the present embodiment, the semiconductor chip 10 can be more reliably attached to the mounting area by pressing the semiconductor chip 10 again. Further, for example, even when it is necessary to heat the semiconductor chip 10 to a high temperature when mounting the semiconductor chip 10 on the mounting area, the semiconductor chip 10 can be mounted on the mounting area by pressing again without the adhesive tape 20. Note that the semiconductor device in this embodiment is as described above.

【0053】図4には、本実施の形態に係る半導体装置
1を実装した回路基板70が示されている。回路基板7
0には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用い
ることが一般的である。回路基板70には例えば銅など
からなる配線パターンが所望の回路となるように形成さ
れていて、それらの配線パターンと半導体装置1の外部
端子60とを機械的に接続することでそれらの電気的導
通を図る。
FIG. 4 shows a circuit board 70 on which the semiconductor device 1 according to the present embodiment is mounted. Circuit board 7
For 0, an organic substrate such as a glass epoxy substrate is generally used. Wiring patterns made of, for example, copper or the like are formed on the circuit board 70 so as to form a desired circuit, and these wiring patterns and the external terminals 60 of the semiconductor device 1 are electrically connected to each other by mechanically connecting them. Conduct continuity.

【0054】そして、本発明を適用した半導体装置を有
する電子機器として、図5にはノート型パーソナルコン
ピュータ80、図6には携帯電話90が示されている。
FIG. 5 shows a notebook personal computer 80 and FIG. 6 shows a portable telephone 90 as an electronic apparatus having a semiconductor device to which the present invention is applied.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明を適用した第1の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to a first embodiment to which the present invention is applied.

【図2】図2は、本発明を適用した第1の実施の形態に
係る半導体装置を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a semiconductor device according to a first embodiment to which the present invention is applied;

【図3】図3は、本発明を適用した第2の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to a second embodiment to which the present invention is applied.

【図4】図4は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置が実装された回路基板を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a circuit board on which a semiconductor device according to an embodiment to which the present invention is applied is mounted;

【図5】図5は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置を有する電子機器を示す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating an electronic apparatus including a semiconductor device according to an embodiment to which the present invention is applied;

【図6】図6は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置を有する電子機器を示す図である。
FIG. 6 is a diagram illustrating an electronic apparatus including a semiconductor device according to an embodiment to which the present invention is applied;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 半導体チップ 12 電極 20 接着テープ 30 ツール 34 加熱器 40 基板 42 配線パターン 44 異方性導電材料 46 導電粒子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor chip 12 Electrode 20 Adhesive tape 30 Tool 34 Heater 40 Substrate 42 Wiring pattern 44 Anisotropic conductive material 46 Conductive particle

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 接着テープに一方の面が貼り付けられた
半導体チップを、前記接着テープを介して押圧し、所定
の搭載領域に前記一方の面とは反対側の面を対向させて
取り付け、前記半導体チップを前記接着テープから剥が
す工程を含む半導体装置の製造方法。
1. A semiconductor chip having one surface attached to an adhesive tape is pressed through the adhesive tape, and attached to a predetermined mounting area with the surface opposite to the one surface facing the mounting chip, A method for manufacturing a semiconductor device, comprising a step of peeling the semiconductor chip from the adhesive tape.
【請求項2】 請求項1記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記搭載領域は、配線パターンが形成されてなる基板の
搭載領域である半導体装置の製造方法。
2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the mounting area is a mounting area of a substrate on which a wiring pattern is formed.
【請求項3】 請求項2記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記半導体チップは、電極が形成された側とは反対側の
面に前記接着テープが貼り付けられ、 前記半導体チップを取り付ける工程で、前記半導体チッ
プの前記電極の形成された側の面を前記搭載領域に対向
させて取り付ける半導体装置の製造方法。
3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2, wherein the adhesive tape is attached to a surface of the semiconductor chip opposite to a surface on which electrodes are formed, and the semiconductor chip is attached. And a method of manufacturing a semiconductor device in which a surface of the semiconductor chip on which the electrode is formed is mounted so as to face the mounting area.
【請求項4】 請求項1から請求項3のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法において、 前記半導体チップを取り付ける工程で、前記半導体チッ
プを、樹脂を介して前記搭載領域に接着する半導体装置
の製造方法。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein in the step of attaching the semiconductor chip, the semiconductor chip is bonded to the mounting region via a resin. Manufacturing method.
【請求項5】 請求項3を引用する請求項4に記載の半
導体装置の製造方法において、 前記半導体チップを取り付ける工程で、前記樹脂とし
て、接着剤に導電粒子が分散されてなる異方性導電材料
を使用する半導体装置の製造方法。
5. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the step of attaching the semiconductor chip includes an anisotropic conductive material in which conductive particles are dispersed in an adhesive as the resin. A method for manufacturing a semiconductor device using a material.
【請求項6】 請求項3、請求項3を引用する請求項
4、請求項5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法
において、 前記半導体チップを取り付ける工程で、前記半導体チッ
プを前記搭載領域に仮接着し、 前記半導体チップを前記接着テープから剥がす工程の後
に、前記接着テープを除外して、前記搭載領域上の前記
半導体チップを押圧する工程をさらに含む半導体装置の
製造方法。
6. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3, wherein the semiconductor chip is mounted in the mounting area in the step of mounting the semiconductor chip. A method of manufacturing a semiconductor device, further comprising, after the step of temporarily bonding the semiconductor chip from the adhesive tape and excluding the adhesive tape, pressing the semiconductor chip on the mounting area.
【請求項7】 請求項6記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記搭載領域上の前記半導体チップを押圧する工程で、
加熱器を有するツールによって前記半導体チップを押圧
し、前記半導体チップの前記電極と前記搭載領域上の前
記配線パターンとを電気的に接続する半導体装置の製造
方法。
7. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein the step of pressing the semiconductor chip on the mounting area includes:
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the semiconductor chip is pressed by a tool having a heater, and the electrodes of the semiconductor chip are electrically connected to the wiring patterns on the mounting area.
【請求項8】 請求項1から請求項7のいずれかに記載
の半導体装置の製造方法によって製造されてなる半導体
装置。
8. A semiconductor device manufactured by the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1.
【請求項9】 請求項8記載の半導体装置が搭載された
回路基板。
9. A circuit board on which the semiconductor device according to claim 8 is mounted.
【請求項10】 請求項8記載の半導体装置を有する電
子機器。
10. An electronic apparatus having the semiconductor device according to claim 8.
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