JP2002023191A - Active matrix type liquid crystal display element - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display element

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JP2002023191A
JP2002023191A JP2000201904A JP2000201904A JP2002023191A JP 2002023191 A JP2002023191 A JP 2002023191A JP 2000201904 A JP2000201904 A JP 2000201904A JP 2000201904 A JP2000201904 A JP 2000201904A JP 2002023191 A JP2002023191 A JP 2002023191A
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JP
Japan
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active matrix
liquid crystal
crystal display
sealing material
type liquid
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JP2000201904A
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Japanese (ja)
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Eiichi Onaka
栄一 尾中
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Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce an active matrix type liquid crystal display element in size. SOLUTION: An active matrix substrate 1 and a counter substrate 2 are stuck to each other via a sealant 3 of an almost rectangular frame shape. The sealant 3 is arranged at the position where electrostatic protection elements 12, 13 and a short-circuit line 11 are overlapped. Therefore, the liquid crystal display element can be reduced in size compared with the case in which the sealant 3 is positioned outside the electrostatic protection elements 12, 13 and a short-circuit line 11.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明はアクティブマトリ
ックス型液晶表示素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】アクティブマトリックス型液晶表示素子
には、静電気を帯びた人体や他の物体と接触しても、薄
膜トランジスタ(スイッチング素子)が静電破壊しない
ようにするために、静電対策を施したものがある。
2. Description of the Related Art An active matrix type liquid crystal display device is provided with a countermeasure against static electricity in order to prevent a thin film transistor (switching device) from being electrostatically damaged even if it comes into contact with a human body or another object charged with static electricity. There is something.

【0003】図5は従来のこのようなアクティブマトリ
ックス型液晶表示素子の一部の等価回路的透過平面図を
示したものである。この液晶表示素子は、アクティブマ
トリックス基板1と対向基板2とがほぼ方形枠状のシー
ル材3を介して貼り合わされ、シール材3の内側におけ
る両基板1、2間に液晶(図示せず)が封入されたもの
からなっている。この場合、アクティブマトリックス基
板1の右辺部および下辺部は対向基板2から突出されて
いる。以下、これらの突出部を右辺突出部1aおよび下
辺突出部1bという。また、シール材3は、一点鎖線で
示す表示領域4の外側に配置されている。
FIG. 5 shows an equivalent circuit transparent plan view of a part of such a conventional active matrix type liquid crystal display device. In this liquid crystal display element, an active matrix substrate 1 and a counter substrate 2 are bonded together via a substantially rectangular frame-shaped sealing material 3, and a liquid crystal (not shown) is provided between the two substrates 1 and 2 inside the sealing material 3. It consists of a sealed one. In this case, the right side and the lower side of the active matrix substrate 1 protrude from the counter substrate 2. Hereinafter, these protrusions are referred to as a right side protrusion 1a and a lower side protrusion 1b. Further, the sealing material 3 is arranged outside the display area 4 indicated by a dashed line.

【0004】アクティブマトリックス基板1上の表示領
域4には、複数の画素電極5およびこれらの画素電極5
にそれぞれ接続された薄膜トランジスタ6がマトリック
ス状に設けられている。また、アクティブマトリックス
基板1上の表示領域4およびその外側には、薄膜トラン
ジスタ6に走査信号を供給するための複数の走査ライン
7が行方向に延ばされて設けられているとともに、薄膜
トランジスタ6にデータ信号を供給するための複数のデ
ータライン8が列方向に延ばされて設けられている。
The display area 4 on the active matrix substrate 1 includes a plurality of pixel electrodes 5 and these pixel electrodes 5.
Are connected in a matrix. A plurality of scanning lines 7 for supplying a scanning signal to the thin film transistor 6 are provided in the display region 4 on the active matrix substrate 1 and outside thereof so as to extend in the row direction. A plurality of data lines 8 for supplying signals are provided extending in the column direction.

【0005】この場合、走査ライン7の右端部は、アク
ティブマトリックス基板1の右辺突出部1a上の点線で
示す半導体チップ搭載領域9内まで延ばされている。走
査ライン7の左端部は、アクティブマトリックス基板1
の左端縁まで延ばされている。データライン8の下端部
は、アクティブマトリックス基板1の下辺突出部1b上
の点線で示す半導体チップ搭載領域10内まで延ばされ
ている。データライン8の上端部は、アクティブマトリ
ックス基板1の上端縁まで延ばされている。
In this case, the right end of the scanning line 7 extends to the inside of the semiconductor chip mounting area 9 indicated by a dotted line on the right side projection 1a of the active matrix substrate 1. The left end of the scanning line 7 is the active matrix substrate 1
Is extended to the left edge. The lower end of the data line 8 extends to the inside of the semiconductor chip mounting area 10 indicated by a dotted line on the lower side protrusion 1b of the active matrix substrate 1. The upper end of the data line 8 extends to the upper edge of the active matrix substrate 1.

【0006】さらに、アクティブマトリックス基板1上
の表示領域4の外側においてシール材3配置領域の内側
には、リング状の短絡ライン11が設けられている。そ
して、アクティブマトリックス基板1上の表示領域4の
外側において短絡ライン11の左辺部の右側および右辺
部の左側には、それぞれ、複数の静電保護素子12が短
絡ライン11および各走査ライン7に接続されて設けら
れている。また、アクティブマトリックス基板1上の表
示領域4の外側において短絡ライン11の上辺部の下側
および下辺部の上側には、それぞれ、複数の静電保護素
子13が短絡ライン11および各データライン8に接続
されて設けられている。
Further, a ring-shaped short-circuit line 11 is provided outside the display area 4 on the active matrix substrate 1 and inside the area where the sealing material 3 is arranged. A plurality of electrostatic protection elements 12 are connected to the short-circuit line 11 and each scan line 7 on the right side of the left side and the left side of the right side of the short-circuit line 11 outside the display area 4 on the active matrix substrate 1. It is provided. In addition, a plurality of electrostatic protection elements 13 are connected to the short-circuit line 11 and the data lines 8 on the lower side of the upper side of the short-circuit line 11 and on the upper side of the lower side of the short-circuit line 11 outside the display area 4 on the active matrix substrate 1. They are connected and provided.

【0007】次に、このアクティブマトリックス型液晶
表示素子における静電対策について簡単に説明する。例
えば、アクティブマトリックス基板1の上端面あるいは
左端面に外部から静電気が帯電すると、静電保護素子1
2、13が導通し、短絡ライン11、全ての走査ライン
7および全てのデータライン8が同電位となり、これに
より薄膜トランジスタ6が静電破壊しないようにするこ
とができる。
Next, a brief description will be given of measures against static electricity in this active matrix type liquid crystal display device. For example, when static electricity is externally charged on the upper end face or the left end face of the active matrix substrate 1, the electrostatic protection element 1
2 and 13 are conducted, and the short-circuit line 11, all the scanning lines 7 and all the data lines 8 have the same potential, thereby preventing the thin film transistor 6 from being electrostatically damaged.

【0008】次に、このアクティブマトリックス型液晶
表示素子の一部(薄膜トランジスタ6および静電保護素
子12、13)の具体的な構造について図6を参照して
説明する。薄膜トランジスタ6は、アクティブマトリッ
クス基板1の上面に設けられたゲート電極21と、その
上面に設けられたゲート絶縁膜22と、ゲート絶縁膜2
2の上面に設けられた真性アモルファスシリコンからな
る半導体薄膜23と、半導体薄膜23の上面中央部に設
けられたブロッキング層24と、ブロッキング層24の
上面両側およびその両側の半導体薄膜23の上面に設け
られたn型アモルファスシリコンからなるコンタクト層
25、26と、コンタクト層25、26の上面に設けら
れたソース電極27およびドレイン電極28とからなっ
ている。この場合、ソース電極27は、ゲート絶縁膜2
2の上面に設けられた画素電極5に接続されている。
Next, a specific structure of a part (the thin film transistor 6 and the electrostatic protection elements 12, 13) of the active matrix type liquid crystal display element will be described with reference to FIG. The thin film transistor 6 includes a gate electrode 21 provided on the upper surface of the active matrix substrate 1, a gate insulating film 22 provided on the upper surface, and a gate insulating film 2
2, a semiconductor thin film 23 made of intrinsic amorphous silicon, a blocking layer 24 provided at the center of the upper surface of the semiconductor thin film 23, and both upper surfaces of the blocking layer 24 and upper surfaces of the semiconductor thin films 23 on both sides thereof. Contact layers 25 and 26 made of n-type amorphous silicon, and a source electrode 27 and a drain electrode 28 provided on the upper surfaces of the contact layers 25 and 26. In this case, the source electrode 27 is
2 is connected to the pixel electrode 5 provided on the upper surface.

【0009】静電保護素子12、13は、ゲート絶縁膜
22の上面に設けられた真性アモルファスシリコンから
なる半導体薄膜31と、半導体薄膜31の上面中央部に
設けられたブロッキング層32と、ブロッキング層32
の上面両側およびその両側の半導体薄膜31の上面に設
けられたn型アモルファスシリコンからなるコンタクト
層33、34と、コンタクト層33、34の上面に設け
られた一方の接続電極35および他方の接続電極36と
からなっている。この場合、一方の接続電極35は短絡
ライン11に接続され、他方の接続電極36は走査ライ
ン7またはデータライン8に接続されている。
The electrostatic protection elements 12 and 13 include a semiconductor thin film 31 made of intrinsic amorphous silicon provided on the upper surface of the gate insulating film 22, a blocking layer 32 provided at the center of the upper surface of the semiconductor thin film 31, and a blocking layer. 32
Contact layers 33 and 34 made of n-type amorphous silicon provided on both sides of the upper surface of the semiconductor thin film 31 and on both sides thereof, and one connection electrode 35 and the other connection electrode provided on the upper surfaces of the contact layers 33 and 34 36. In this case, one connection electrode 35 is connected to the short-circuit line 11 and the other connection electrode 36 is connected to the scanning line 7 or the data line 8.

【0010】次に、このアクティブマトリックス型液晶
表示素子の他の一部の具体的な構造について図7を参照
して説明する。アクティブマトリックス基板1上のシー
ル材3配置領域の内側には配向膜41が画素電極5、デ
ータライン8、静電保護素子12、13等を覆うように
設けられている。対向基板2の下面にはブラックマスク
42、カラーフィルタ(図示せず)、対向電極43、配
向膜44が設けられている。そして、両基板1、2は、
シリカガラス等の無機材料からなる粒状のスペーサ45
が混入されたシール材3を介して貼り合わされ、その間
には液晶46が封入されている。この場合、両基板1、
2の配向膜41、44間には、樹脂等の有機材料からな
る粒状のスペーサ47が介在されている。
Next, another specific structure of the active matrix type liquid crystal display device will be described with reference to FIG. An alignment film 41 is provided on the active matrix substrate 1 so as to cover the pixel electrode 5, the data line 8, the electrostatic protection elements 12, 13 and the like inside the region where the sealing material 3 is arranged. On the lower surface of the counter substrate 2, a black mask 42, a color filter (not shown), a counter electrode 43, and an alignment film 44 are provided. Then, both substrates 1 and 2
Granular spacer 45 made of an inorganic material such as silica glass
Are bonded together via a sealing material 3 in which is mixed, and a liquid crystal 46 is sealed between them. In this case, both substrates 1,
A granular spacer 47 made of an organic material such as a resin is interposed between the second alignment films 41 and 44.

【0011】ここで、スペーサ45、47の材料が異な
る理由について説明する。配向膜41、44間に介在さ
れたスペーサ47の材料をシリカガラス等の無機材料と
した場合、弾性変形しないので、薄膜トランジスタ6や
静電保護素子12、13上に配置されると、外力が加わ
ったとき、薄膜トランジスタ6や静電保護素子12、1
3が押しつぶされて破壊されることがある。そこで、こ
のスペーサ47を、弾性変形可能な樹脂等の有機材料に
よって形成している。一方、シール材3中に混入された
スペーサ45は、薄膜トランジスタ6や静電保護素子1
2、13上に配置されることはないので、ギャップの制
御をより一層確実とするために、弾性変形しないシリカ
ガラス等の無機材料によって形成している。
Here, the reason why the materials of the spacers 45 and 47 are different will be described. When the material of the spacer 47 interposed between the alignment films 41 and 44 is an inorganic material such as silica glass, the spacer 47 does not elastically deform. Therefore, when it is disposed on the thin film transistor 6 or the electrostatic protection elements 12 and 13, an external force is applied. The thin film transistor 6, the electrostatic protection elements 12, 1
3 may be crushed and destroyed. Therefore, the spacer 47 is formed of an elastically deformable organic material such as a resin. On the other hand, the spacers 45 mixed in the sealing material 3 form the thin film transistors 6 and the electrostatic protection element 1.
Since it is not arranged on the second and the 13th, it is formed of an inorganic material such as silica glass which does not elastically deform in order to further control the gap.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
アクティブマトリックス型液晶表示素子では、表示領域
4とシール材3配置領域との間に静電保護素子12、1
3および短絡ライン11を設けているので、表示領域4
とシール材3配置領域との間隔が大きくなり、ひいては
液晶表示素子のサイズが大きくなってしまうという問題
があった。この発明の課題は、液晶表示素子のサイズを
小さくすることである。
By the way, in the above-mentioned conventional active matrix type liquid crystal display element, the electrostatic protection elements 12 and 1 are disposed between the display area 4 and the sealing material 3 arrangement area.
3 and the short-circuit line 11, the display area 4
There is a problem that the distance between the liquid crystal display element and the sealing material 3 arrangement region becomes large, and the size of the liquid crystal display element becomes large. An object of the present invention is to reduce the size of a liquid crystal display device.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、表示領域に複数の画素電極およびこれらの画素電極
にそれぞれ接続されたスイッチング素子がマトリックス
状に設けられ、前記表示領域の外側に複数の静電保護素
子が前記スイッチング素子にそれぞれ接続されて設けら
れたアクティブマトリックス基板と、前記画素電極に対
向する対向電極が設けられた対向基板とが枠状のシール
材を介して貼り合わされ、その間に液晶が封入されたア
クティブマトリックス型液晶表示素子において、前記シ
ール材を前記静電保護素子の少なくとも一部と重なる位
置に設けたものである。請求項2に記載の発明は、請求
項1に記載の発明において、前記シール材を前記静電保
護素子の全てと重なる位置に設けたものである。請求項
3に記載の発明は、請求項1または2に記載の発明にお
いて、前記シール材を、前記静電保護素子の全てに接続
されたリング状の短絡ラインと重なる位置に設けたもの
である。請求項4に記載の発明は、請求項1〜3のいず
れかに記載の発明において、前記アクティブマトリック
ス基板の前記表示領域の外側に内蔵型のスイッチング素
子制御回路部が前記スイッチング素子に接続されて設け
られ、前記シール材を前記スイッチング素子制御回路部
の少なくとも一部と重なる位置に設けたものである。請
求項5に記載の発明は、表示領域に複数の画素電極およ
びこれらの画素電極にそれぞれ接続されたスイッチング
素子がマトリックス状に設けられ、前記表示領域の外側
に内蔵型のスイッチング素子制御回路部が前記スイッチ
ング素子に接続されて設けられたアクティブマトリック
ス基板と、前記画素電極に対向する対向電極が設けられ
た対向基板とが枠状のシール材を介して貼り合わされ、
その間に液晶が封入されたアクティブマトリックス型液
晶表示素子において、前記シール材を前記スイッチング
素子制御回路部の少なくとも一部と重なる位置に設けた
ものである。請求項6に記載の発明は、請求項4または
5に記載の発明において、前記シール材を前記スイッチ
ング素子制御回路部の全てと重なる位置に設けたもので
ある。請求項7に記載の発明は、請求項1〜6のいずれ
かに記載の発明において、前記シール材としてスペーサ
が混入されていないものを用いたものである。請求項8
に記載の発明は、請求項7に記載の発明において、前記
シール材の内側における前記両基板間に柱状または台形
形状のスペーサを介在させたものである。請求項9に記
載の発明は、請求項8に記載の発明において、前記スペ
ーサを樹脂等の有機材料によって形成したものである。
そして、請求項1に記載の発明によれば、シール材を静
電保護素子の少なくとも一部と重なる位置に設けている
ので、液晶表示素子のサイズを小さくすることができ
る。また、請求項5に記載の発明によれば、シール材を
内蔵型のスイッチング素子制御回路部の少なくとも一部
と重なる位置に設けているので、液晶表示素子のサイズ
を小さくすることができる。
According to a first aspect of the present invention, a plurality of pixel electrodes and switching elements respectively connected to these pixel electrodes are provided in a matrix in a display area, and a plurality of switching elements are provided outside the display area. An active matrix substrate provided with a plurality of electrostatic protection elements connected to the switching elements, and a counter substrate provided with a counter electrode facing the pixel electrode are bonded together via a frame-shaped sealing material, In the active matrix type liquid crystal display element in which liquid crystal is sealed therebetween, the sealing material is provided at a position overlapping at least a part of the electrostatic protection element. According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the sealing material is provided at a position overlapping all of the electrostatic protection elements. According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, the sealing material is provided at a position overlapping with a ring-shaped short-circuit line connected to all of the electrostatic protection elements. . According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, a built-in switching element control circuit is connected to the switching element outside the display area of the active matrix substrate. Wherein the sealing material is provided at a position overlapping at least a part of the switching element control circuit section. According to a fifth aspect of the present invention, in the display area, a plurality of pixel electrodes and switching elements respectively connected to the pixel electrodes are provided in a matrix, and a built-in switching element control circuit section is provided outside the display area. An active matrix substrate provided by being connected to the switching element, and a counter substrate provided with a counter electrode facing the pixel electrode are bonded via a frame-shaped sealing material,
In the active matrix type liquid crystal display element in which liquid crystal is sealed therebetween, the sealing material is provided at a position overlapping at least a part of the switching element control circuit. According to a sixth aspect of the present invention, in the fourth or fifth aspect, the sealing material is provided at a position overlapping with all of the switching element control circuit portions. According to a seventh aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, a sealing material in which no spacer is mixed is used. Claim 8
According to the invention described in Item 7, in the invention described in Item 7, a columnar or trapezoidal spacer is interposed between the two substrates inside the sealing material. According to a ninth aspect of the present invention, in the invention of the eighth aspect, the spacer is formed of an organic material such as a resin.
According to the first aspect of the invention, the size of the liquid crystal display element can be reduced because the sealing material is provided at a position overlapping at least a part of the electrostatic protection element. According to the fifth aspect of the present invention, the size of the liquid crystal display element can be reduced because the sealing material is provided at a position overlapping at least a part of the built-in switching element control circuit section.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】(第1実施形態)図1はこの発明
の第1実施形態におけるアクティブマトリックス型液晶
表示素子の一部の等価回路的透過平面図を示したもので
ある。この図において、説明の便宜上、図5と同一名称
部分には同一の符号を付して説明する。この液晶表示素
子は、アクティブマトリックス基板1と対向基板2とが
ほぼ方形枠状のシール材3を介して貼り合わされ、シー
ル材3の内側における両基板1、2間に液晶(図示せ
ず)が封入されたものからなっている。この場合、アク
ティブマトリックス基板1の右辺部および下辺部は対向
基板2から突出されている。以下、これらの突出部を右
辺突出部1aおよび下辺突出部1bという。また、シー
ル材3は、一点鎖線で示す表示領域4の外側に配置され
ている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) FIG. 1 is a transmission plan view of a part of an active matrix type liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention in the form of an equivalent circuit. In this figure, for convenience of explanation, the same names as those in FIG. In this liquid crystal display element, an active matrix substrate 1 and a counter substrate 2 are bonded together via a substantially rectangular frame-shaped sealing material 3, and a liquid crystal (not shown) is provided between the two substrates 1 and 2 inside the sealing material 3. It consists of a sealed one. In this case, the right side and the lower side of the active matrix substrate 1 protrude from the counter substrate 2. Hereinafter, these protrusions are referred to as a right side protrusion 1a and a lower side protrusion 1b. Further, the sealing material 3 is arranged outside the display area 4 indicated by a dashed line.

【0015】アクティブマトリックス基板1上の表示領
域4には、複数の画素電極5およびこれらの画素電極5
にそれぞれ接続された薄膜トランジスタ6がマトリック
ス状に設けられている。また、アクティブマトリックス
基板1上の表示領域4およびその外側には、薄膜トラン
ジスタ6に走査信号を供給するための複数の走査ライン
7が行方向に延ばされて設けられているとともに、薄膜
トランジスタ6にデータ信号を供給するための複数のデ
ータライン8が列方向に延ばされて設けられている。
The display area 4 on the active matrix substrate 1 has a plurality of pixel electrodes 5 and these pixel electrodes 5.
Are connected in a matrix. A plurality of scanning lines 7 for supplying a scanning signal to the thin film transistor 6 are provided in the display region 4 on the active matrix substrate 1 and outside thereof so as to extend in the row direction. A plurality of data lines 8 for supplying signals are provided extending in the column direction.

【0016】この場合、走査ライン7の右端部は、アク
ティブマトリックス基板1の右辺突出部1a上の点線で
示す半導体チップ搭載領域9内まで延ばされている。走
査ライン7の左端部は、アクティブマトリックス基板1
の左端縁まで延ばされている。データライン8の下端部
は、アクティブマトリックス基板1の下辺突出部1b上
の点線で示す半導体チップ搭載領域10内まで延ばされ
ている。データライン8の上端部は、アクティブマトリ
ックス基板1の上端縁まで延ばされている。
In this case, the right end of the scanning line 7 extends to the inside of the semiconductor chip mounting area 9 indicated by a dotted line on the right side protrusion 1a of the active matrix substrate 1. The left end of the scanning line 7 is the active matrix substrate 1
Is extended to the left edge. The lower end of the data line 8 extends to the inside of the semiconductor chip mounting area 10 indicated by a dotted line on the lower side protrusion 1b of the active matrix substrate 1. The upper end of the data line 8 extends to the upper edge of the active matrix substrate 1.

【0017】さらに、アクティブマトリックス基板1上
のシール材3配置領域には、リング状の短絡ライン11
が設けられている。そして、アクティブマトリックス基
板1上のシール材3配置領域において短絡ライン11の
左辺部の右側および右辺部の左側には、それぞれ、複数
の静電保護素子12が短絡ライン11および各走査ライ
ン7に接続されて設けられている。また、アクティブマ
トリックス基板1上のシール材3配置領域において短絡
ライン11の上辺部の下側および下辺部の上側には、そ
れぞれ、複数の静電保護素子13が短絡ライン11およ
び各データライン8に接続されて設けられている。
Further, a ring-shaped short-circuit line 11 is provided on the active matrix substrate 1 in a region where the seal material 3 is disposed.
Is provided. A plurality of electrostatic protection elements 12 are connected to the short-circuit line 11 and each scanning line 7 on the right side of the left side and the left side of the right side of the short-circuit line 11 in the seal material 3 arrangement region on the active matrix substrate 1. It is provided. A plurality of electrostatic protection elements 13 are connected to the short-circuit line 11 and each data line 8 on the lower side and the upper side of the upper side of the short-circuit line 11 in the sealing material 3 arrangement region on the active matrix substrate 1, respectively. They are connected and provided.

【0018】次に、このアクティブマトリックス型液晶
表示素子の一部の具体的な構造について図2を参照して
説明する。この図においても、説明の便宜上、図7と同
一名称部分には同一の符号を付して説明する。アクティ
ブマトリックス基板1においては、ブラックマスク42
に対応する領域のうち例えばデータライン8上に、樹脂
等の有機材料からなる柱状、台形形状のスペーサ47が
設けられている。このスペーサ47は、フォトリソグラ
フィー技術を用いて形成されるものであり、データライ
ン8上等の、薄膜トランジスタ6に対応する領域を避け
た領域に、平面形状が、円形、多角形またはひも状等に
形成される。そして、アクティブマトリックス基板1上
のシール材3配置領域の内側には配向膜41が画素電極
5、データライン8、スペーサ47等を覆うように設け
られている。対向基板2の下面にはブラックマスク4
2、カラーフィルタ(図示せず)、対向電極43、配向
膜44が設けられている。
Next, a specific structure of a part of the active matrix type liquid crystal display device will be described with reference to FIG. In this figure also, for convenience of explanation, the same reference numerals are given to the same parts as those in FIG. In the active matrix substrate 1, the black mask 42
A columnar or trapezoidal spacer 47 made of an organic material such as a resin is provided on, for example, the data line 8 in a region corresponding to. The spacer 47 is formed by using a photolithography technique, and has a planar shape such as a circle, a polygon, or a string in a region other than a region corresponding to the thin film transistor 6, such as on the data line 8. It is formed. An alignment film 41 is provided on the active matrix substrate 1 inside the region where the sealant 3 is disposed so as to cover the pixel electrodes 5, the data lines 8, the spacers 47, and the like. A black mask 4 is provided on the lower surface of the opposite substrate 2.
2. A color filter (not shown), a counter electrode 43, and an alignment film 44 are provided.

【0019】そして、両基板1、2は、スペーサが混入
されていないシール材3を介して貼り合わされ、その間
には液晶46が封入されている。この場合、図1にも示
すように、シール材3(ただし、その液晶注入口3aの
部分を含む。)は、静電保護素子12、13の全ておよ
び短絡ライン11と重なる位置に設けられている。ま
た、スペーサ47上の配向膜41の上面は対向基板2の
配向膜44の下面に当接されている。
The substrates 1 and 2 are bonded together via a sealing material 3 in which no spacer is mixed, and a liquid crystal 46 is sealed between them. In this case, as shown in FIG. 1, the sealing material 3 (including the liquid crystal injection port 3 a thereof) is provided at a position overlapping all of the electrostatic protection elements 12 and 13 and the short-circuit line 11. I have. The upper surface of the alignment film 41 on the spacer 47 is in contact with the lower surface of the alignment film 44 of the counter substrate 2.

【0020】このように、この液晶表示素子では、シー
ル材3を静電保護素子12、13の全ておよび短絡ライ
ン11と重なる位置に設けているので、シール材3配置
領域と表示領域4との間隔を可及的に小さくすることが
でき、ひいては液晶表示素子のサイズを小さくすること
ができる。この場合、シール材3中には、特に、弾性変
形しないシリカガラス等の無機材料からなるスペーサが
混入されていないので、外力が加わっても、静電保護素
子12、13が押しつぶされて破壊されるようなことは
ない。
As described above, in this liquid crystal display element, since the sealing material 3 is provided at a position overlapping with all of the electrostatic protection elements 12 and 13 and the short-circuit line 11, the area where the sealing material 3 is arranged and the display area 4 are not provided. The interval can be made as small as possible, and the size of the liquid crystal display element can be reduced. In this case, since the spacer made of an inorganic material such as silica glass which does not elastically deform is not mixed in the sealing material 3, the electrostatic protection elements 12 and 13 are crushed and broken even when an external force is applied. There is no such thing.

【0021】一方、両基板1、2間に介在されたスペー
サ47は、弾性変形可能な樹脂等の有機材料によって形
成されているが、柱状、台形形状であるので、粒状であ
る場合よりも、弾性変形しにくい。このため、シール材
3中に弾性変形しないシリカガラス等の無機材料からな
るスペーサが混入されていなくても、ギャップの制御を
より一層確実とすることができる。
On the other hand, the spacer 47 interposed between the two substrates 1 and 2 is formed of an organic material such as an elastically deformable resin, but has a columnar or trapezoidal shape. Difficult to elastically deform. For this reason, even if the spacer made of an inorganic material such as silica glass that does not elastically deform is not mixed in the sealing material 3, the gap can be more reliably controlled.

【0022】なお、シール材3は、図1における4辺の
うち少なくともいずれか1辺における、静電保護素子1
2、13および短絡ライン11と重なる位置に設けるよ
うにしてもよい。このようにしても、図5に示す従来の
場合と比較して、液晶表示素子のサイズを小さくするこ
とができる。
The sealing material 3 is provided on at least one of the four sides in FIG.
You may make it provide in the position which overlaps with 2 and 13 and the short circuit line 11. FIG. Even in this case, the size of the liquid crystal display element can be reduced as compared with the conventional case shown in FIG.

【0023】(第2実施形態)図3はこの発明の第2実
施形態におけるアクティブマトリックス型液晶表示素子
の一部の等価回路的透過平面図を示し、図4はその一部
の断面図を示したものである。これらの図において、図
1および図2と同一名称部分には同一の符号を付し、そ
の説明を適宜省略する。この液晶表示素子では、アクテ
ィブマトリックス基板1の下辺部のみが対向基板2から
突出され、この下辺突出部1bの上面に図示しない外部
接続端子が設けられている。また、アクティブマトリッ
クス基板1の対向基板2と対向する領域における右辺部
上および下辺部上には、薄膜トランジスタ6を制御する
内蔵型の回路部としての、走査信号制御回路部51およ
びデータ信号制御回路部52が設けられている。
(Second Embodiment) FIG. 3 is a plan view showing a part of an active matrix type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention as an equivalent circuit, and FIG. 4 is a sectional view showing a part thereof. It is a thing. In these drawings, the same reference numerals are given to the same parts as those in FIGS. 1 and 2, and the description thereof is omitted as appropriate. In this liquid crystal display element, only the lower side of the active matrix substrate 1 protrudes from the counter substrate 2, and external connection terminals (not shown) are provided on the upper surface of the lower side protruding portion 1b. A scanning signal control circuit section 51 and a data signal control circuit section as built-in circuit sections for controlling the thin film transistor 6 are provided on the right side and the lower side in the region of the active matrix substrate 1 facing the counter substrate 2. 52 are provided.

【0024】そして、スペーサが混入されていないシー
ル材3(ただし、その液晶注入口3aの部分を含む。)
は、図3において左辺部に設けられた静電保護素子1
2、上辺部に設けられた静電保護素子13、右辺部に設
けられた走査信号制御回路部51、下辺部に設けられた
データ信号制御回路部52および短絡ライン11と重な
る位置に設けられている。なお、図示していないが、図
2に示す場合と同様に、ブラックマスク42に対応する
領域のうち例えばデータライン8上には、樹脂等の有機
材料からなる角柱状、円柱状または壁状のスペーサが設
けられている。
Then, the sealing material 3 in which the spacer is not mixed (including the liquid crystal injection port 3a).
Is an electrostatic protection element 1 provided on the left side in FIG.
2. The electrostatic protection element 13 provided on the upper side, the scanning signal control circuit 51 provided on the right side, the data signal control circuit 52 provided on the lower side, and the short-circuit line 11 I have. Although not shown, similar to the case shown in FIG. 2, in a region corresponding to the black mask 42, for example, on the data line 8, a prism, a column, or a wall made of an organic material such as resin is formed. A spacer is provided.

【0025】このように、この液晶表示素子では、シー
ル材3を内蔵型の走査信号制御回路部51およびデータ
信号制御回路部52と重なる位置に設けているので、内
蔵型の走査信号制御回路部51およびデータ信号制御回
路部52をシール材3の外側に設ける場合と比較して、
液晶表示素子のサイズを小さくすることができる。
As described above, in this liquid crystal display element, since the sealing member 3 is provided at a position overlapping the built-in scanning signal control circuit section 51 and the data signal control circuit section 52, the built-in scanning signal control circuit section is provided. 51 and the data signal control circuit 52 are provided outside the sealing material 3,
The size of the liquid crystal display device can be reduced.

【0026】なお、シール材3は、図3において右辺部
に設けられた静電保護素子12および下辺部に設けられ
た静電保護素子13とも重なる位置に設けるようにして
もよい。また、シール材3は、走査信号制御回路部51
とデータ信号制御回路部52とのうちいずれか一方と重
なる位置に設けるようにしてもよい。
The sealing material 3 may be provided at a position overlapping the electrostatic protection element 12 provided on the right side and the electrostatic protection element 13 provided on the lower side in FIG. Further, the sealing material 3 is provided with a scanning signal control circuit unit 51.
And the data signal control circuit section 52.

【0027】なお、上記各実施形態では、短絡ライン1
1の内側に静電保護素子12、13を設けた場合につい
て説明したが、これに限らず、短絡ライン11の外側に
静電保護素子12、13を設けるようにしてもよい。ま
た、上記各実施形態では、静電保護素子12、13とし
て、図6に示すような容量型のものを用いた場合につい
て説明したが、これに限らず、薄膜トランジスタや薄膜
抵抗等を用いるようにしてもよい。さらに、上記各実施
形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタを
用いた場合について説明したが、これに限らず、MIM
素子、MOSトランジスタ、ダイオード、バリスタ等を
用いるようにしてもよい。
In each of the above embodiments, the short-circuit line 1
Although the case where the electrostatic protection elements 12 and 13 are provided inside 1 has been described, the invention is not limited thereto, and the electrostatic protection elements 12 and 13 may be provided outside the short-circuit line 11. Further, in each of the above embodiments, the case where the capacitive type as shown in FIG. 6 is used as the electrostatic protection elements 12 and 13 has been described. However, the present invention is not limited to this. You may. Further, in each of the above embodiments, the case where the thin film transistor is used as the switching element has been described.
An element, a MOS transistor, a diode, a varistor, or the like may be used.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1に記載の
発明によれば、シール材を静電保護素子の少なくとも一
部と重なる位置に設けているので、液晶表示素子のサイ
ズを小さくすることができる。また、請求項5に記載の
発明によれば、シール材を内蔵型のスイッチング素子制
御回路部の少なくとも一部と重なる位置に設けているの
で、液晶表示素子のサイズを小さくすることができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, the size of the liquid crystal display element is reduced because the sealing material is provided at a position overlapping at least a part of the electrostatic protection element. be able to. According to the fifth aspect of the present invention, the size of the liquid crystal display element can be reduced because the sealing material is provided at a position overlapping at least a part of the built-in switching element control circuit section.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の第1実施形態におけるアクティブマ
トリックス型液晶表示素子の一部の等価回路的透過平面
図。
FIG. 1 is an equivalent circuit transparent plan view of a part of an active matrix liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示すアクティブマトリックス型液晶表示
素子の一部の断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of a part of the active matrix type liquid crystal display device shown in FIG.

【図3】この発明の第2実施形態におけるアクティブマ
トリックス型液晶表示素子の一部の等価回路的透過平面
図。
FIG. 3 is an equivalent circuit transparent plan view of a part of an active matrix type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図4】図3に示すアクティブマトリックス型液晶表示
素子の一部の断面図。
FIG. 4 is a sectional view of a part of the active matrix type liquid crystal display element shown in FIG. 3;

【図5】従来のアクティブマトリックス型液晶表示素子
の一部の等価回路的透過平面図。
FIG. 5 is an equivalent circuit transmission plan view of a part of a conventional active matrix type liquid crystal display element.

【図6】図5に示すアクティブマトリックス型液晶表示
素子の一部の断面図。
6 is a cross-sectional view of a part of the active matrix type liquid crystal display device shown in FIG.

【図7】図5に示すアクティブマトリックス型液晶表示
素子の他の一部の断面図。
7 is a sectional view of another part of the active matrix type liquid crystal display element shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アクティブマトリックス基板 2 対向基板 3 シール材 4 表示領域 5 画素電極 6 薄膜トランジスタ 7 走査ライン 8 データライン 11 短絡ライン 12、13 静電保護素子 51 走査信号制御回路部 52 データ信号制御回路部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Active matrix substrate 2 Counter substrate 3 Sealing material 4 Display area 5 Pixel electrode 6 Thin film transistor 7 Scan line 8 Data line 11 Short circuit line 12, 13 Electrostatic protection element 51 Scan signal control circuit part 52 Data signal control circuit part

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H089 LA09 LA13 MA01X MA04X NA14 NA24 PA06 QA04 QA11 TA02 TA09 2H092 GA33 GA34 GA44 JA24 JB79 NA14 NA25 PA03 PA04 5C094 AA15 AA31 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 EB05 5G435 AA16 AA18 BB12 CC09 GG32 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H089 LA09 LA13 MA01X MA04X NA14 NA24 PA06 QA04 QA11 TA02 TA09 2H092 GA33 GA34 GA44 JA24 JB79 NA14 NA25 PA03 PA04 5C094 AA15 AA31 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 EB05 5G435 AA16 A12 CC

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表示領域に複数の画素電極およびこれら
の画素電極にそれぞれ接続されたスイッチング素子がマ
トリックス状に設けられ、前記表示領域の外側に複数の
静電保護素子が前記スイッチング素子にそれぞれ接続さ
れて設けられたアクティブマトリックス基板と、前記画
素電極に対向する対向電極が設けられた対向基板とが枠
状のシール材を介して貼り合わされ、その間に液晶が封
入されたアクティブマトリックス型液晶表示素子におい
て、前記シール材は前記静電保護素子の少なくとも一部
と重なる位置に設けられていることを特徴とするアクテ
ィブマトリックス型液晶表示素子。
1. A plurality of pixel electrodes and switching elements respectively connected to these pixel electrodes are provided in a display area in a matrix, and a plurality of electrostatic protection elements are respectively connected to the switching elements outside the display area. An active matrix type liquid crystal display element in which an active matrix substrate provided and a counter substrate provided with a counter electrode facing the pixel electrode are bonded via a frame-shaped sealing material, and a liquid crystal is sealed therebetween. 3. The active matrix liquid crystal display device according to claim 1, wherein the sealing material is provided at a position overlapping at least a part of the electrostatic protection element.
【請求項2】 請求項1に記載の発明において、前記シ
ール材は前記静電保護素子の全てと重なる位置に設けら
れていることを特徴とするアクティブマトリックス型液
晶表示素子。
2. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the sealing material is provided at a position overlapping all of the electrostatic protection elements.
【請求項3】 請求項1または2に記載の発明におい
て、前記シール材は、前記静電保護素子の全てに接続さ
れたリング状の短絡ラインと重なる位置に設けられてい
ることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示
素子。
3. The invention according to claim 1, wherein the sealing material is provided at a position overlapping a ring-shaped short-circuit line connected to all of the electrostatic protection elements. Active matrix liquid crystal display device.
【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載の発明に
おいて、前記アクティブマトリックス基板の前記表示領
域の外側に内蔵型のスイッチング素子制御回路部が前記
スイッチング素子に接続されて設けられ、前記シール材
は前記スイッチング素子制御回路部の少なくとも一部と
重なる位置に設けられていることを特徴とするアクティ
ブマトリックス型液晶表示素子。
4. The invention according to claim 1, wherein a built-in switching element control circuit is provided outside the display area of the active matrix substrate so as to be connected to the switching element. An active matrix type liquid crystal display element, wherein a sealing material is provided at a position overlapping at least a part of the switching element control circuit section.
【請求項5】 表示領域に複数の画素電極およびこれら
の画素電極にそれぞれ接続されたスイッチング素子がマ
トリックス状に設けられ、前記表示領域の外側に内蔵型
のスイッチング素子制御回路部が前記スイッチング素子
に接続されて設けられたアクティブマトリックス基板
と、前記画素電極に対向する対向電極が設けられた対向
基板とが枠状のシール材を介して貼り合わされ、その間
に液晶が封入されたアクティブマトリックス型液晶表示
素子において、前記シール材は前記スイッチング素子制
御回路部の少なくとも一部と重なる位置に設けられてい
ることを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示
素子。
5. A display area in which a plurality of pixel electrodes and switching elements respectively connected to the pixel electrodes are provided in a matrix, and a built-in switching element control circuit portion outside the display area is provided in the switching element. An active matrix type liquid crystal display in which a connected active matrix substrate and a counter substrate provided with a counter electrode facing the pixel electrode are bonded via a frame-shaped sealing material, and a liquid crystal is sealed therebetween. An active matrix liquid crystal display element, wherein the sealing material is provided at a position overlapping at least a part of the switching element control circuit section.
【請求項6】 請求項4または5に記載の発明におい
て、前記シール材は前記スイッチング素子制御回路部の
全てと重なる位置に設けられていることを特徴とするア
クティブマトリックス型液晶表示素子。
6. The active matrix type liquid crystal display element according to claim 4, wherein the sealing material is provided at a position overlapping with all of the switching element control circuit sections.
【請求項7】 請求項1〜6のいずれかに記載の発明に
おいて、前記シール材中にはスペーサが混入されていな
いことを特徴とするアクティブマトリックス型液晶表示
素子。
7. The active matrix type liquid crystal display element according to claim 1, wherein no spacer is mixed in the sealing material.
【請求項8】 請求項7に記載の発明において、前記シ
ール材の内側における前記両基板間には柱状または台形
形状のスペーサが介在されていることを特徴とするアク
ティブマトリックス型液晶表示素子。
8. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 7, wherein a columnar or trapezoidal spacer is interposed between the two substrates inside the sealing material.
【請求項9】 請求項8に記載の発明において、前記ス
ペーサは樹脂等の有機材料からなることを特徴とするア
クティブマトリックス型液晶表示素子。
9. The active matrix liquid crystal display device according to claim 8, wherein the spacer is made of an organic material such as a resin.
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