JP2002022563A - 微小力測定方法及び微小力測定器 - Google Patents

微小力測定方法及び微小力測定器

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JP2002022563A
JP2002022563A JP2000208019A JP2000208019A JP2002022563A JP 2002022563 A JP2002022563 A JP 2002022563A JP 2000208019 A JP2000208019 A JP 2000208019A JP 2000208019 A JP2000208019 A JP 2000208019A JP 2002022563 A JP2002022563 A JP 2002022563A
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Yasushi Onoe
寧 尾上
Nagayasu Kikuchi
長保 菊地
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Yokogawa Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】測定精度を維持した状態でレンジ範囲以外の大
きな測定力が加わっても歪センサ等の損壊を防止できる
微小力測定器を提供する。 【解決手段】単結晶シリコン(Si)を用いて歪センサ
を起歪体と一体に形成する微小力測定器であって、この
歪センサに印加される測定レンジ以上の測定力を別構造
体により受けるようにして過大変位が歪センサに発生し
ないようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、微小力測定方法及
び微小力測定器に関するものであり、詳しくは歪センサ
に測定レンジ以上の測定力が印加されても歪センサが損
壊しないような微小力測定方法及び微小力測定器に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来技術における微小力測定器は、図1
0及び図11に示すように、起歪体である片持ち梁形状
の直方体形状に作成された測定本体部10と、この測定
本体部10と連設し該測定本体部10に対して幅狭に形
成した測定先端部20とから構成され、測定本体部10
の一端部側を固定台30に接合し、他端部側である測定
先端部20側をマイクロアクチュエータ40からの測定
力Fを受けるようにした構造となっている。
【0003】測定本体部10は、所定の厚みを持って略
長方体形状に形成され、短手方向の一端部側に固定台3
0と接合する固定位置側の接合部11と、その略中央位
置に歪センサ12を面一にして一体成形した構造となっ
ている。又、この歪センサ12の反対側の面には、歪セ
ンサ12と対向する位置であって短手方向に肉厚を一番
薄く且つ所定幅有する応力集中底部13を設け、この応
力集中底部13を境にして幅広になる、いわゆる断面が
三角形状になるように切り欠いた応力集中部14を設け
た構造となっている。歪センサ12にはセンサの物理力
変化により発生する電気信号(歪信号)を取り出す信号
取出し線15を備えた構造となっている。この歪センサ
12は、単結晶シリコン(Si)より形成される片持ち
梁形状の測定本体部10を作成する半導体プロセスによ
る同一製造プロセスにて作成された半導体歪センサであ
る。即ち、シリコンウェハに多数の歪センサ12と応力
集中部14を作成するようにすれば一度に多数の微小力
測定器を作成することができるのである。
【0004】測定先端部20は、応力集中部14の終端
位置から所定同一幅の長さに設定し、この所定同一幅の
長さの終端位置から略5分の1の幅狭の角部21を形成
し、その幅狭の部位を所定長さに形成し、その先端を肉
薄のテーパ状に形成した測定力の測定位置である測定爪
部22を設けた構造となっている。
【0005】このような構造からなる微小力測定器は、
図11に示すように、先ず、ガラス材からなる固定台3
0の場合には接合部11が陽極接合により接合される。
そして、測定位置である測定爪部22にマイクロアクチ
ュエータ40の測定力Fを加えることにより、その印加
された力により肉薄の応力集中部14が応力変形するこ
とにより起歪が発生し、歪センサ12に物理的な歪を発
生させ電気信号(歪信号)を発生させる。
【0006】このように、基本的に機械的強度が均一で
且つ理想的な弾性体である単結晶シリコン(Si)を、
高感度歪センサ構成要素(基板)兼起歪体として用いる
ことにより、微小な力を高感度且つ高精度に測定するこ
とができるのである。歪センサ12の測定精度を高める
ためにはプローブ(微小力測定器)全体の剛性を高める
のが効果的で、対象となる力発生体よりも高剛性とする
ことが必要である。この条件では、力測定時の変位ひい
ては歪は小さくなるので、図10及び図11のように歪
センサ12部分に応力が集中する構造にすると共に、微
小歪でも測定可能な高感度センサを用いる必要がある。
この用途に用いることが可能な歪センサ12には、振動
式圧力センサに用いる振動式歪センサ、又は測定レンジ
幅を特に必要としなければ高感度型の半導体剪断歪セン
サ(ピエゾ抵抗型)が利用可能である。このようにして
マイクロアクチュエータの発生力と拮抗させることによ
り1mN以下の微小力を最小1μNの分解能で測定する
ことが可能となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術における微小力測定器においては、測定前後
の通常の組み立て、調整操作において、測定力(数kg
f=数10N)がプローブに印加される場合は測定力に
応じて変形することができるが、微小力に対する感度を
保つために、プローブ自体はそれ相応に軟弱とする必要
があり、例えば、調整組み立ての際にレンジ幅の数10
0倍の測定力がかかってしまう場合には、プローブの歪
センサ部分が容易に破損してしまうという問題がある。
【0008】従って、実際のマイクロアクチュエータに
よる測定に際しては、特に測定前後の通常の組立て、調
整操作において頻繁に発生する力(数kgf=数10
N)までは実用上測定できる構造にすると共に組立て及
び調整の際には測定力以上のレンジ範囲以外の力が印加
されてもプローブ、特に及び歪センサ部分が損壊しない
ような測定方法及び測定器に解決しなければならない課
題を有する。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係る微小力測定方法及び微小力測定器は次
に示す構成にすることである。
【0010】(1)単結晶シリコン(Si)を用いて歪
センサを起歪体と一体に形成し、該歪センサに印加され
る測定レンジ以上の測定力を別構造体により受けるよう
にして過大変位が前記歪センサに発生しないようにする
ことを特徴とする微小力測定方法。 (2)前記歪センサには、測定レンジ範囲内において該
歪センサが所定の変形を許容するための空間を設けたこ
とを特徴とする(1)に記載の微小力測定方法。
【0011】(3)片持ち梁形状に形成した起歪体と、
該起歪体の固定位置と測定力を印加する測定位置との間
に該起歪体と一体成形に形成すると共に該起歪体の歪に
より歪信号を生成する歪センサとを備えた微小力測定器
であって、前記歪センサには、測定レンジ以上の測定力
が印加されたときにその測定力を受けるための別構造体
を設けたことを特徴とする微小力測定器。 (4)前記起歪体は、単結晶シリコン(Si)で形成し
たことを特徴とする(3)に記載の微小力測定器。 (5)前記歪センサと前記別構造体との間には、測定レ
ンジ範囲内において該歪センサが所定の変形を許容する
ための空間を設けたことを特徴とする(3)に記載の微
小力測定器。
【0012】このように、単結晶シリコン(Si)で形
成されている起歪体に測定力がレンジ範囲以外の大きな
力が印加された場合には、その力を受け止めるような別
構造体を設けたことにより、レンジ範囲内の測定力に対
しては通常の高精度な測定がなされ、レンジ範囲以外の
力が印加された場合にはその力を抑止するように機能す
るため、プローブ及び歪センサの損壊を防止できるよう
になる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る微小力測定方
法及び微小力測定器に関する各種の実施の形態を図面を
参照して説明する。
【0014】第1の実施の形態の微小力測定方法を具現
化する微小力測定器は、単結晶シリコン(Si)により
生成され、起歪体である片持ち梁形状の直方体形状に形
成した測定基部100と、この測定基部100と連設し
て略立方体形状に形成した測定先端部200と、測定先
端部200側に一体成形により形成した微小レンジ用歪
センサ300とから構成され、測定基部100の一端部
側を固定台400に接合して固定位置とし、他端部側で
ある測定先端部200側をマイクロアクチュエータから
の測定力Wを受ける測定位置になるようにした構造とな
っている。
【0015】測定基部100は、所定の厚みを持って略
長方体形状に形成され、長手方向の一端部側に固定台4
00と接合する接合部110を設けた構造となってい
る。
【0016】測定先端部200は、この測定基部100
と連設して、その端部側の中央位置に設け、その先細が
三角形状に形成された測定舌部210と、この三角形状
の測定舌部210を挟むようにして且つ一段低く形成し
た四角柱状の過大力保護部220、230と、測定舌部
210の基部位置に一体成形により形成した微小レンジ
用歪センサ300とからなる。この過大力保護部22
0、230がいわゆる別構造体を構成し、その両端の表
面に図示しない測定力Wを印加する部材の端部を押し当
てるようにして微小レンジ用歪センサ300への過大力
を抑止する構造となっている。
【0017】次に、このような構造及び機能を有する微
小力測定器において、実際の測定力Wがかかった場合に
測定舌部210が変形する状態を図1を参照して図2の
模式図に基づいて説明する。
【0018】先ず、測定舌部210を跨いで過大力保護
部220、230の両端の上面に係合する長さを有する
測定対象物500により測定舌部210に測定力を印加
するようにする。図2は測定力が印加されるときの様子
を示したもので、この状態では微小レンジ用歪センサ3
00は起歪が発生しないため、電気信号は発生しない。
【0019】次に、更に測定力が印加されると、図3に
示すように、過大力保護部220,230の両端の上面
が測定舌部210よりも一段低く形成してある空間内に
おいて、測定舌部210が下部方向に押されることによ
り起歪が発生し電気信号(歪信号)が発生する。この空
間内は、測定レンジ範囲内であるために微小レンジ用歪
センサ300の起歪は高精度に電気信号に変換されるこ
とになる。
【0020】更に、測定対象物500により測定舌部2
10が押されると、図4に示すように、過大力保護部2
20、230の上端面に測定対象物500が当接した状
態となり、それ以上押されても、測定舌部210が過大
力保護部220,230により抑止されるため、測定舌
部210の変形は発生せず、従ってこれ以上の起歪も発
生しないことになる。力を受ける測定位置部分の下側
は、少なくとも微小レンジ用歪センサ300の最大レン
ジ(例えばシリコンの場合で数100με)を受けるま
では先端が接触しないだけの変形のための空間が確保さ
れており、又、起歪体部分が破壊するほどの力(数10
00με)がかかった際の変形量に達する前に、より頑
丈な別構造体(過大力保護部220、230)で力を受
けて起歪体部(測定舌部210)に力がかからなくなる
オフセットするように一段低く設定した過大力保護部2
20、230に当接させて起歪体である測定舌部210
の破壊を防止することが可能となる。尚、外力が微小レ
ンジ用歪センサ300のレンジ範囲内に緩和されれば元
通りの測定力Wに応じた測定をすることが可能になる。
【0021】このようにして、所定の測定力以上、即
ち、所定レンジ範囲内の測定力であれば測定舌部210
の変形により起歪が発生して高精度な微小力を電気信号
に変換することが可能であるが、所定の測定力以上にな
ると過大力保護部220、230により測定舌部210
の変形を押さえることになり、レンジ範囲外の測定はで
きないと共に、微小レンジ用歪センサ210の損壊も防
止することができるのである。
【0022】次に、第2の実施の形態の微小力測定器に
ついて、図5を参照して以下説明する。
【0023】第2の実施の形態の微小力測定器は、単結
晶シリコン(Si)により生成され、起歪体である片持
ち梁形状の直方体形状に形成した測定基部100Aと、
この測定基部100Aと連設して略三角柱形状に形成し
た測定先端部200Aと、測定先端部200A側に一体
成形により形成した微小レンジ用歪センサ300Aと、
微小レンジ用歪センサ300Aの反対側の裏面側に設け
た応力が集中するような構造とした応力集中部700
と、レンジ範囲内での測定を可能にする過大力保護部2
20Aとから構成されている。このような構成におい
て、測定基部100Aの一端部側の固定位置を固定台4
00Aに接合し、他端部側の固定位置である測定先端部
200A側をマイクロアクチュエータからの測定力Wを
受けるようにした構造となっている。
【0024】測定基部100Aは、所定の厚みを持って
略長方体形状に形成され、長手方向の一端部側に固定台
400Aと接合する接合部110Aを設けた構造となっ
ている。
【0025】応力集中部700は、測定基部100Aと
測定先端部200Aとの接合部分であって、測定基部1
00Aの表面に一体に設けた微小レンジ用歪センサ20
0Aに対向する反対側に頂点が微小レンジ用歪センサ3
00Aに最接近するようにした断面が三角形状に切欠い
た三角柱形状に形成した構造となっている。
【0026】測定先端部200Aは、断面を三角形状に
切り欠いた応力集中部700の終端位置を境に同一形状
の所定肉厚を持った先細の三角形形状に形成し、その先
端部分が測定力を受ける測定位置となっている。
【0027】過大力保護部220Aは、台座である固定
台400Aと同一材料で形成され、断面を三角形形状に
切り欠いた応力集中部700の終端位置を一段低くした
段差を持って形成すると共に測定先端部200Aと同一
形状に形成されている。この一段低くした段差による切
欠空間部600が測定力のレンジ範囲内において起歪を
発生させるための空間である。
【0028】このような構成の微小力測定器は、測定先
端部200Aの先端過重は相対的に重くなるが最大抑制
変位量の設計自由度が高くなるというメリットがある。
このような特徴を有する微小力測定器において、レンジ
範囲以内の測定力Wが測定先端部200Aに印加される
と切欠空間部600の空間内において起歪が発生し、微
小レンジ用歪センサ300Aにより電気信号(歪信号)
を発生させることができる。又、レンジ範囲以外の大き
な測定力Wが印加されると測定先端部200Aの先端が
過大力保護部220Aに当接して測定飽和状態となる
が、測定先端部200Aはそれ以上の屈曲は防止され
る。従って、過大力が加わっても測定先端部200A及
び微小レンジ用歪センサ300Aの破損等は防止される
ことになる。
【0029】次に、第3の実施の形態の微小力測定器に
ついて、図6を参照して以下説明する。
【0030】第3の実施の形態の微小力測定器は、単結
晶シリコン(Si)により生成され、起歪体である片持
ち梁形状の直方体形状に形成した測定基部100Bと、
この測定基部100Bと連設して略三角柱形状に形成し
た測定先端部200Bと、測定先端部200Bの表面先
端部に一体成形により形成した微小レンジ用歪センサ3
00Bと、微小レンジ用歪センサ300Bを境にして下
部側を切り欠いて形成した空間である切欠空間部600
Aを設けた測定舌部210Aと、測定舌部210Aの下
部側であってレンジ範囲内での測定を可能にする過大力
保護部220Bとから構成されている。このような構成
において、測定基部100Bの一端部側を台座である固
定台400Bに接合し、他端部側である測定先端部20
0Bの測定舌部210Aをマイクロアクチュエータから
の測定力Wを受けるようにした構造となっている。
【0031】測定基部100Bは、所定の厚みを持って
略長方体形状に形成され、長手方向の一端部側に固定台
400Bと接合する接合部110Bを設けた構造となっ
ている。
【0032】測定先端部200Bは、測定基部100B
と連設して所定肉厚を持った三角形形状に形成した構造
となっている。
【0033】この測定先端部200Bの測定舌部210
A、切欠空間部600A、過大力保護部220Bは、S
OI(シリコン・オン・インシュレータ)基板や埋め込
み酸化膜層などの犠牲層技術を用いて、シリコン単結晶
内部に応力集中できる構造と過大力をバックアップでき
る構造とを作り込むことで、先端変位量は製法により異
なり、1〜100μm程度に限定されるが、寸法安定
性、特性再現性の高い力センサを実現することができる
のである。
【0034】このような構成の微小力測定器において、
レンジ範囲以内の測定力が測定舌部210Aに印加され
ると切欠空間部600Aの空間内において起歪が発生
し、微小レンジ用歪センサ300Bにより電気信号(歪
信号)を得ることができる。又、レンジ範囲以外の大き
な測定力Wが印加されると測定舌部210Aの先端が過
大力保護部220Bに当接して測定飽和状態となるが、
測定舌部210Aはそれ以上の屈曲は防止される。従っ
て、過大力が加わっても測定先端部200B及び微小レ
ンジ用歪センサ300Bの破損等は防止されることにな
る。
【0035】この点につき、図7〜図9の模式図に基づ
いて説明する。先ず、図7に示すように、測定力Wが測
定舌部210Aに印加されると、測定舌部210Aが押
され起歪が発生し、微小レンジ用歪センサ300Bから
電気信号を得ることができる。図8は、切欠空間部60
0A内での測定力Wの印加状態、即ち、レンジ範囲内で
の測定力Wの場合には、測定力Wに応じて起歪が発生
し、微小レンジ用歪センサ300Bの起歪に応じた電気
信号を高精度に得ることができる。この測定力Wがレン
ジ範囲以外の大きな測定力Wとなると、図9に示すよう
に、測定舌部210Aが過大力保護部220Bに測定舌
部210Aが当接した状態となり、測定が飽和状態とな
って、それ以上の測定力Wが加わっても測定舌部210
Aが過大力保護部220Bに当接した状態を保持する。
従って、過大力が加わっても微小レンジ用歪センサ30
0B及び測定舌部210Aの損壊は防止されるのであ
る。
【0036】
【発明の効果】上記説明したように、本発明の微小力測
定方法及び微小力測定器は、測定力が印加される測定先
端部側に、測定範囲以外の力が加わっても測定先端部側
の起歪を防止する別構造体を設けたことにより歪センサ
や測定先端部の損壊を防止することができるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る第1の実施の形態の微小力測定器
の全体構成図である。
【図2】同測定力による微小レンジ用歪センサの起歪状
態を示したものであり、測定力が印加されたときの状態
を示したものである。
【図3】同測定力による微小レンジ用歪センサの起歪状
態を示したものであり、測定力がレンジ範囲内のときの
起歪状態を示したものである。
【図4】同測定力による微小レンジ用歪センサの起歪状
態を示したものであり、測定力がレンジ範囲以外の大き
な測定力が印加されたときの起歪状態を示したものであ
る。
【図5】本発明に係る第2の実施の形態の微小力測定器
の全体構成図である。
【図6】本発明に係る第3の実施の形態の微小力測定器
の全体構成図である。
【図7】第3の実施の形態の微小力測定器において、測
定力による微小レンジ用歪センサの起歪状態を示したも
のであり、測定力が印加されたときの状態を示したもの
である。
【図8】第3の実施の形態の微小力測定器において、測
定力による微小レンジ用歪センサの起歪状態を示したも
のであり、測定力がレンジ範囲内のときの起歪状態を示
したものである。
【図9】第3の実施の形態の微小力測定器において、測
定力による微小レンジ用歪センサの起歪状態を示したも
のであり、測定力がレンジ範囲以外の大きな測定力が印
加されたときの起歪状態を示したものである。
【図10】従来技術における微小力測定器を示したもの
であり(A)は側面図、(B)は正面図である。
【図11】従来技術における微小力測定器を固定台に取
り付けたときの状態を示した説明図である。
【符号の説明】
100 測定基部 100A 測定基部 110 接合部 110A 接合部 110B 接合部 200 測定先端部 200A 測定先端部 220 過大力保護部 220A 過大力保護部 220B 過大力保護部 230 過大力保護部 300 微小レンジ用歪センサ 300A 微小レンジ用歪センサ 300B 微小レンジ用歪センサ 400 固定台 400A 固定台 400B 固定台 500 測定対象物 600 切欠空間部 600A 切欠空間部 700 応力集中部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】単結晶シリコン(Si)を用いて歪センサ
    を起歪体と一体に形成し、該歪センサに印加される測定
    レンジ以上の測定力を別構造体により受けるようにして
    過大変位が前記歪センサに発生しないようにすることを
    特徴とする微小力測定方法。
  2. 【請求項2】前記歪センサには、測定レンジ範囲内にお
    いて該歪センサが所定の変形を許容するための空間を設
    けたことを特徴とする請求項1に記載の微小力測定方
    法。
  3. 【請求項3】片持ち梁形状に形成した起歪体と、該起歪
    体の固定位置と測定力を印加する測定位置との間に該起
    歪体と一体成形に形成すると共に該起歪体の歪により歪
    信号を生成する歪センサとを備えた微小力測定器であっ
    て、前記歪センサには、測定レンジ以上の測定力が印加
    されたときにその測定力を受けるための別構造体を設け
    たことを特徴とする微小力測定器。
  4. 【請求項4】前記起歪体は、単結晶シリコン(Si)で
    形成したことを特徴とする請求項3に記載の微小力測定
    器。
  5. 【請求項5】前記歪センサと前記別構造体との間には、
    測定レンジ範囲内において該歪センサが所定の変形を許
    容するための空間を設けたことを特徴とする請求項3に
    記載の微小力測定器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103542963A (zh) * 2013-10-24 2014-01-29 东南大学 一种可变增益的三维力传感器

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