JP2002016306A - 温度安定度が向上した導波路レーザと光増幅器 - Google Patents
温度安定度が向上した導波路レーザと光増幅器Info
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 21
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 31
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 24
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- -1 Er +3 or Yb +3 Substances 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/0675—Resonators including a grating structure, e.g. distributed Bragg reflectors [DBR] or distributed feedback [DFB] fibre lasers
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- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度安定度が向上した導波路レーザと光増幅
器とを提供する。 【解決手段】 本発明によれば、ピーク吸収波長を有す
る導波路レーザ又は増幅器は、ピーク吸収波長から意図
的に相殺された波長を有するポンプ放出器を具備してい
る。放出器の相殺された波長は、レーザ又は増幅器の温
度安定度を高めるために選択される。ある代表的な実施
例では、レーザ又は増幅器は、放出器の２項分布によっ
て励起される。
器とを提供する。 【解決手段】 本発明によれば、ピーク吸収波長を有す
る導波路レーザ又は増幅器は、ピーク吸収波長から意図
的に相殺された波長を有するポンプ放出器を具備してい
る。放出器の相殺された波長は、レーザ又は増幅器の温
度安定度を高めるために選択される。ある代表的な実施
例では、レーザ又は増幅器は、放出器の２項分布によっ
て励起される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路レーザ及
び増幅器に関する、特に、温度安定度が向上した導波路
レーザ及び増幅器に関する。
び増幅器に関する、特に、温度安定度が向上した導波路
レーザ及び増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】光導波路レーザ及び増幅器は、光通信シ
ステムにおいて重要な構成要素である。それらは、送信
機、受信機及び中間増幅器において重要な構成要素であ
る。そのような構成要素のなかで、レーザ及び増幅器
が、波長と電力の両方において安定していることが重要
である。
ステムにおいて重要な構成要素である。それらは、送信
機、受信機及び中間増幅器において重要な構成要素であ
る。そのような構成要素のなかで、レーザ及び増幅器
が、波長と電力の両方において安定していることが重要
である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】一般的な導波路レーザ
又は増幅器は、エルビウム又はイッテルビウムあるいそ
の両方のように、１つ又は複数の希土類元素ドーパント
でドーピングされた、ある長さのガラス光ファイバを含
んでいる。ドーピングされたファイバは希土類元素ドー
パントによる吸収帯域を持ち、それは、発光ダイオード
のような複数の半導体光放出器からの光によって励起さ
れる。レーザ又は増幅器の効率は、ファイバの吸収帯域
とポンプ放出器の出力スペクトルとの間の重複度に依存
する。
又は増幅器は、エルビウム又はイッテルビウムあるいそ
の両方のように、１つ又は複数の希土類元素ドーパント
でドーピングされた、ある長さのガラス光ファイバを含
んでいる。ドーピングされたファイバは希土類元素ドー
パントによる吸収帯域を持ち、それは、発光ダイオード
のような複数の半導体光放出器からの光によって励起さ
れる。レーザ又は増幅器の効率は、ファイバの吸収帯域
とポンプ放出器の出力スペクトルとの間の重複度に依存
する。
【０００４】通信システムにおける導波路レーザと増幅
器の難点は、温度の変化に対する、それらの感受性であ
る。放出器の温度上昇に伴って、それらの出力スペクト
ルが高い波長に移行する。同時に、それらの出力電力が
低下する。そうした変動は、レーザ又は増幅器の出力電
力、及び、それらを使用している送信機又は受信機の応
答性を変えてしまう。従って、温度安定度が向上した導
波路レーザ及び増幅器が必要になる。
器の難点は、温度の変化に対する、それらの感受性であ
る。放出器の温度上昇に伴って、それらの出力スペクト
ルが高い波長に移行する。同時に、それらの出力電力が
低下する。そうした変動は、レーザ又は増幅器の出力電
力、及び、それらを使用している送信機又は受信機の応
答性を変えてしまう。従って、温度安定度が向上した導
波路レーザ及び増幅器が必要になる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ピーク
吸収波長を有する導波路レーザ又は増幅器は、ピーク吸
収波長から意図的に波長のオフセットを有するポンプ放
出器を具備している。放出器のオフセット波長は、レー
ザ又は増幅器の温度安定度を向上するために、選択され
ている。ある代表的な実施例では、ピーク吸収を有する
レーザ又は増幅器は、導波路吸収ピークの短い波長側と
長い波長側とに出力ピークを持つ、放出器の２項分布に
よって励起される。
吸収波長を有する導波路レーザ又は増幅器は、ピーク吸
収波長から意図的に波長のオフセットを有するポンプ放
出器を具備している。放出器のオフセット波長は、レー
ザ又は増幅器の温度安定度を向上するために、選択され
ている。ある代表的な実施例では、ピーク吸収を有する
レーザ又は増幅器は、導波路吸収ピークの短い波長側と
長い波長側とに出力ピークを持つ、放出器の２項分布に
よって励起される。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１は、Ｅｒ／Ｙｂファイバの一
般的な吸収スペクトルを示す。９７５ｎｍにおけるピー
クの最大値の半分の幅が数ｎｍの単位である。これは、
単一ダイオードの出力（一般的に約６ｎｍ）よりも、か
なり狭い。図から分かるように、初期の９７５ｎｍのダ
イオード出力スペクトルが、波長に関して吸収ピークか
ら変位すると、増幅器の出力電力が低下すると思われ
る。一般的なダイオードのスペクトル出力は、１℃につ
き０．５ｎｍも変わる。全てのダイオードが、ファイバ
の単位長での最大吸収に対して９７５ｎｍで選択される
と、増幅器は、僅かな温度変化の場合でも、出力スペク
トルをピーク吸収から変位させるように、温度変化に対
して非常に敏感になる。
般的な吸収スペクトルを示す。９７５ｎｍにおけるピー
クの最大値の半分の幅が数ｎｍの単位である。これは、
単一ダイオードの出力（一般的に約６ｎｍ）よりも、か
なり狭い。図から分かるように、初期の９７５ｎｍのダ
イオード出力スペクトルが、波長に関して吸収ピークか
ら変位すると、増幅器の出力電力が低下すると思われ
る。一般的なダイオードのスペクトル出力は、１℃につ
き０．５ｎｍも変わる。全てのダイオードが、ファイバ
の単位長での最大吸収に対して９７５ｎｍで選択される
と、増幅器は、僅かな温度変化の場合でも、出力スペク
トルをピーク吸収から変位させるように、温度変化に対
して非常に敏感になる。
【０００７】波長の変化に加えて、ダイオードの出力電
力は、温度の影響も受ける。ダイオードの温度を上昇し
た時、駆動電流を一定に維持すると、出力電力が低下す
る。
力は、温度の影響も受ける。ダイオードの温度を上昇し
た時、駆動電流を一定に維持すると、出力電力が低下す
る。
【０００８】本発明によれば、ポンプ・ダイオードは、
吸収ピークから意図的にオフセットをもつ出力ピークを
有している。一般的に、オフセット量はピーク吸収波長
の０．５％〜１％の範囲になる。この選択は、温度が変
動する時に、オフセットダイオードが、吸収ピークと重
なるように移行して、温度変動を補償するために行われ
る。例えば、温度が、ある中心点（すなわち、２５℃）
より下でドリフトすると、吸収ピークより長い放出波長
のダイオードは、ピークと更に重なるように下方に移行
し、ピークの一方の側でダイオードを補償して、ピーク
を更に移行させる。導波路の吸収ピークの非対称性のた
めに、ダイオード電力の５０〜８０％は、効果的に、ピ
ーク吸収波長の短い波長側にある。
吸収ピークから意図的にオフセットをもつ出力ピークを
有している。一般的に、オフセット量はピーク吸収波長
の０．５％〜１％の範囲になる。この選択は、温度が変
動する時に、オフセットダイオードが、吸収ピークと重
なるように移行して、温度変動を補償するために行われ
る。例えば、温度が、ある中心点（すなわち、２５℃）
より下でドリフトすると、吸収ピークより長い放出波長
のダイオードは、ピークと更に重なるように下方に移行
し、ピークの一方の側でダイオードを補償して、ピーク
を更に移行させる。導波路の吸収ピークの非対称性のた
めに、ダイオード電力の５０〜８０％は、効果的に、ピ
ーク吸収波長の短い波長側にある。
【０００９】温度に関するダイオード出力の依存性の数
値モデルを使うと、温度に関する増幅器出力電力の最小
限度の反応性を達成するために、ダイオード波長の分布
を最適化することができる。
値モデルを使うと、温度に関する増幅器出力電力の最小
限度の反応性を達成するために、ダイオード波長の分布
を最適化することができる。
【００１０】図２Ａ〜２Ｅは、温度安定度が向上してい
る代表的な導波路光増幅器１０の略図である。図２Ａは
縦方向の図、図２Ｂ〜２Ｅは関連する断面図を示す。増
幅器１０は、Ｅｒ＋３やＹｂ＋３のような希土類元素ド
ーパントでドーピングした、又は、それらのドーパント
の混合物でドーピングした、ある長さの光導波路１５を
含んでいる。効果的に、それはクラッディング・ポンプ
・ファイバ増幅器である。
る代表的な導波路光増幅器１０の略図である。図２Ａは
縦方向の図、図２Ｂ〜２Ｅは関連する断面図を示す。増
幅器１０は、Ｅｒ＋３やＹｂ＋３のような希土類元素ド
ーパントでドーピングした、又は、それらのドーパント
の混合物でドーピングした、ある長さの光導波路１５を
含んでいる。効果的に、それはクラッディング・ポンプ
・ファイバ増幅器である。
【００１１】図２Ｅ（Ｅ−Ｅ’での断面）に示すよう
に、導波路１５は、希土類元素ドーパントの存在により
ゲイン媒体を形成する単一モードのコア１６を含んだガ
ラス光ファイバである。コア１６は、屈折率が低いクラ
ッディング１８の外部層とクラッディング１７の第１の
層の内部に位置している。外部クラッディング１８は、
フッ素化した、低いインデックスのポリマーから製造す
ることもできる。二重クラッディング構造が、ポンプ光
の導波動作を確実にする。
に、導波路１５は、希土類元素ドーパントの存在により
ゲイン媒体を形成する単一モードのコア１６を含んだガ
ラス光ファイバである。コア１６は、屈折率が低いクラ
ッディング１８の外部層とクラッディング１７の第１の
層の内部に位置している。外部クラッディング１８は、
フッ素化した、低いインデックスのポリマーから製造す
ることもできる。二重クラッディング構造が、ポンプ光
の導波動作を確実にする。
【００１２】導波路１５は、先細り形状のファイバ束１
３に接合された、各々複数の多重モード・ファイバ１１
の溶融物を介して、複数の半導体ダイオード９Ａ，９Ｂ
によって励起される。
３に接合された、各々複数の多重モード・ファイバ１１
の溶融物を介して、複数の半導体ダイオード９Ａ，９Ｂ
によって励起される。
【００１３】最も効果的に図２Ｄに示すように、先細り
形状のファイバ束１３は、複数の多重モード入力ファイ
バ１１（ここでは６）と、増幅される信号を搬送する単
一モード・ファイバ３１とを含んでいる。ファイバ１１
と３１は、クラッディング・ポンプ・ファイバ１５のサ
イズと開口数（Ｎ．Ａ．）とに相応するように、下方に
先細り形状の単一構造部１３で互いに溶融する。一般的
に、ドーピングしたファイバ１５の長さは、ポンプ光の
少なくとも９０％がドーピングしたコアによって吸収さ
れるように選択されている。図２Ｃと２Ｂは、ファイバ
１１と３１の断面を示す。
形状のファイバ束１３は、複数の多重モード入力ファイ
バ１１（ここでは６）と、増幅される信号を搬送する単
一モード・ファイバ３１とを含んでいる。ファイバ１１
と３１は、クラッディング・ポンプ・ファイバ１５のサ
イズと開口数（Ｎ．Ａ．）とに相応するように、下方に
先細り形状の単一構造部１３で互いに溶融する。一般的
に、ドーピングしたファイバ１５の長さは、ポンプ光の
少なくとも９０％がドーピングしたコアによって吸収さ
れるように選択されている。図２Ｃと２Ｂは、ファイバ
１１と３１の断面を示す。
【００１４】複数のポンプ放出器は、ピーク吸収波長よ
り短い第１の比較的短い波長でポンプ光を生成する放出
器９Ａと、ピーク吸収波長より長い第２の比較的長い波
長でポンプ光を生成する放出器９Ｂとを含んでいる。第
１と第２の波長は、増幅器の温度反応性を低下させる、
ポンプ光波長の２項分布を呈する。代表的な例として、
＿＿＿ｎｍにピーク吸収波長を有するドーピングしたフ
ァイバの場合に、放出器９Ａは９７０ｎｍになり、放出
器９Ｂは９７８ｎｍになる。望ましくは、放出器の２／
３が９７０ｎｍで、１／３が９７８である。
り短い第１の比較的短い波長でポンプ光を生成する放出
器９Ａと、ピーク吸収波長より長い第２の比較的長い波
長でポンプ光を生成する放出器９Ｂとを含んでいる。第
１と第２の波長は、増幅器の温度反応性を低下させる、
ポンプ光波長の２項分布を呈する。代表的な例として、
＿＿＿ｎｍにピーク吸収波長を有するドーピングしたフ
ァイバの場合に、放出器９Ａは９７０ｎｍになり、放出
器９Ｂは９７８ｎｍになる。望ましくは、放出器の２／
３が９７０ｎｍで、１／３が９７８である。
【００１５】図３は、熱的な機能が高い光導波路レーザ
１９の概略的な縦方向の図である。レーザ１９は、導波
路１５が、例えば、一対のブラッグ回折格子２１と２２
から成る光学的空洞部２０を備えていることを除けば、
基本的に、図２の増幅器と同じである。
１９の概略的な縦方向の図である。レーザ１９は、導波
路１５が、例えば、一対のブラッグ回折格子２１と２２
から成る光学的空洞部２０を備えていることを除けば、
基本的に、図２の増幅器と同じである。
【００１６】図４は、二つの異なる波長分布の吸収をモ
デル化した結果を示す。一方は、ダイオード中心波長が
全て同じ（９７５ｎｍ）であり、第２のバイモダルのも
のでは、多くのダイオードが、二つの異なる波長の各々
にある（２／３が９６５ｎｍ、１／３が９７５ｎｍ）。
ポンプ光の吸収は、全てのダイオードが９７５ｎｍの時
に最高になるが、第一の構成は温度に対して非常に敏感
になる。バイモダル解法は、他方で、長い長さのファイ
バが望ましいポンプ吸収とするために必要であるが、温
度に対して非常に無感応になる。これらの結果に基づい
て、ポンプ・ダイオードは、最大吸収に関して移行した
ピーク・ブルーとレッドとをもつ二つのグループに分け
られる。増幅器又はレーザは、各々希土類元素のドーピ
ングされたファイバ部１５を励起するダイオードが二つ
の波長の分布の間で分かれるように形成されている。モ
デルは、各々の波長にあるべきダイオードの数を微調整
するために使用することもできる。
デル化した結果を示す。一方は、ダイオード中心波長が
全て同じ（９７５ｎｍ）であり、第２のバイモダルのも
のでは、多くのダイオードが、二つの異なる波長の各々
にある（２／３が９６５ｎｍ、１／３が９７５ｎｍ）。
ポンプ光の吸収は、全てのダイオードが９７５ｎｍの時
に最高になるが、第一の構成は温度に対して非常に敏感
になる。バイモダル解法は、他方で、長い長さのファイ
バが望ましいポンプ吸収とするために必要であるが、温
度に対して非常に無感応になる。これらの結果に基づい
て、ポンプ・ダイオードは、最大吸収に関して移行した
ピーク・ブルーとレッドとをもつ二つのグループに分け
られる。増幅器又はレーザは、各々希土類元素のドーピ
ングされたファイバ部１５を励起するダイオードが二つ
の波長の分布の間で分かれるように形成されている。モ
デルは、各々の波長にあるべきダイオードの数を微調整
するために使用することもできる。
【００１７】考慮すべき重要な温度の作用が二つある。
温度によるダイオード出力電力の変動と温度によるダイ
オード波長の変動とである。二つの作用が互いに相殺す
るように、ダイオードのサブセットを選ぶための手法に
ついて次に述べる。
温度によるダイオード出力電力の変動と温度によるダイ
オード波長の変動とである。二つの作用が互いに相殺す
るように、ダイオードのサブセットを選ぶための手法に
ついて次に述べる。
【００１８】鍵は、最低Ｔｍｉｎ温度と最高Ｔｍａｘ温
度との間の特定の温度範囲ΔＴの全体にわたって達成さ
れる温度非反応性の度合いを定量化する最小感度（ＦＯ
Ｍ）を定義することにある。ファイバの総ポンプ吸収を
Ａｂｓ（Ｔ）とすると、平均吸収は下記で表される。
度との間の特定の温度範囲ΔＴの全体にわたって達成さ
れる温度非反応性の度合いを定量化する最小感度（ＦＯ
Ｍ）を定義することにある。ファイバの総ポンプ吸収を
Ａｂｓ（Ｔ）とすると、平均吸収は下記で表される。
【数１】 そこで、平均からの吸収の二乗平均変位と定義する。
【数２】 目標は、このＦＯＭを最小限にし、それに伴って温度反
応性を最小限にすることにある。解法が完璧ならば、Ｆ
ＯＭＡｂｓ＝０が達成できるはずだが、これは一般的に
実現は無理である。
応性を最小限にすることにある。解法が完璧ならば、Ｆ
ＯＭＡｂｓ＝０が達成できるはずだが、これは一般的に
実現は無理である。
【００１９】Ａｂｓ（Ｔ）が影響を受けて、ＦＯＭ
Ａｂｓが最小になることについて、ここで述べる。Ｐ
（Ｔ）は、一定のダイオード駆動電流の場合、温度Ｔの
関数としてのダイオード電力である。λ（Ｔ）は、温度
の関数としてのダイオード（中心）波長であり、Ａ
（λ）は、ダイオード波長λの関数としての、ある長さ
のファイバで吸収されたポンプのフラクション（ｆｒａ
ｃｔｉｏｎ）である。そこで、ｉで示した、単一ダイオ
ードからの、ファイバの総ポンプ吸収は下記のように表
される。 Absi(T) ＝ Pｉ(T)＊A(λｉ(T)) Abs(T) − P(T)＊A(λ(T)) 及び、インデックスｉで示すダイオードのグループは、
下記のように表される。 Abs(T) ＝ [Pｉ(T)＊A(λｉ(T))]
Ａｂｓが最小になることについて、ここで述べる。Ｐ
（Ｔ）は、一定のダイオード駆動電流の場合、温度Ｔの
関数としてのダイオード電力である。λ（Ｔ）は、温度
の関数としてのダイオード（中心）波長であり、Ａ
（λ）は、ダイオード波長λの関数としての、ある長さ
のファイバで吸収されたポンプのフラクション（ｆｒａ
ｃｔｉｏｎ）である。そこで、ｉで示した、単一ダイオ
ードからの、ファイバの総ポンプ吸収は下記のように表
される。 Absi(T) ＝ Pｉ(T)＊A(λｉ(T)) Abs(T) − P(T)＊A(λ(T)) 及び、インデックスｉで示すダイオードのグループは、
下記のように表される。 Abs(T) ＝ [Pｉ(T)＊A(λｉ(T))]
【００２０】ダイオードのユーザは、Ｐ（Ｔ）又はλ
（Ｔ）を制御できないが、ある基準温度のポンプ波長に
基づいてダイオードを選択すると、Ａ（λ（Ｔ））に影
響を及ぼすことができる。このことは、λに対するＡの
依存性が、異なる波長範囲で大きく異なることを示す図
５に図示されている。目標は、必要とする温度の範囲
（ΔＴ）の全体にわたって、Ａｂｓ（Ｔ）をできるだけ
ほぼ一定にするように、個々のλｉを選択することであ
る。ΔＴが十分に小さければ、三つの関数Ｐ、λ、Ａの
全てが、その温度範囲内でほぼ直線になり、問題は、次
の微分式のみ考慮することで処理できる。
（Ｔ）を制御できないが、ある基準温度のポンプ波長に
基づいてダイオードを選択すると、Ａ（λ（Ｔ））に影
響を及ぼすことができる。このことは、λに対するＡの
依存性が、異なる波長範囲で大きく異なることを示す図
５に図示されている。目標は、必要とする温度の範囲
（ΔＴ）の全体にわたって、Ａｂｓ（Ｔ）をできるだけ
ほぼ一定にするように、個々のλｉを選択することであ
る。ΔＴが十分に小さければ、三つの関数Ｐ、λ、Ａの
全てが、その温度範囲内でほぼ直線になり、問題は、次
の微分式のみ考慮することで処理できる。
【数３】 温度非反応性とはｄＡ／ｄＴ＝０であり、よって、それ
を達成するδＡ／δλを得るためにλｉが選択される。
を達成するδＡ／δλを得るためにλｉが選択される。
【００２１】ΔＴが大きくなるにつれて、ダイオードの
波長範囲Δλも増加し、Ａ（λ）は温度範囲全体にわた
って、もはや直線に近いと言えない。従って、λｉは、
Ａ（λ）（第２の導関数）の曲率だけでなく傾きも調整
するように選択されなければならない。どのくらい本手
法が望ましい温度反応性を達成するかは、達成したＦＯ
Ｍ値から決まる。
波長範囲Δλも増加し、Ａ（λ）は温度範囲全体にわた
って、もはや直線に近いと言えない。従って、λｉは、
Ａ（λ）（第２の導関数）の曲率だけでなく傾きも調整
するように選択されなければならない。どのくらい本手
法が望ましい温度反応性を達成するかは、達成したＦＯ
Ｍ値から決まる。
【００２２】図６Ａと６Ｂは、相殺する曲線になると共
に（加算時に）特定の傾きとなるように選択された、異
なるλｉに対応する、Ａ（λ）の二つの範囲を示す。実
線の曲線は、個々の（ドット）曲線の和に基づいてい
る。図６Ｂの結果から、波長の移行につれて、非常に直
線的な吸収反応になっている。この場合、二つの波長に
おけるダイオードの数は、同じではない。
に（加算時に）特定の傾きとなるように選択された、異
なるλｉに対応する、Ａ（λ）の二つの範囲を示す。実
線の曲線は、個々の（ドット）曲線の和に基づいてい
る。図６Ｂの結果から、波長の移行につれて、非常に直
線的な吸収反応になっている。この場合、二つの波長に
おけるダイオードの数は、同じではない。
【００２３】前述の実施例は、本発明の原理の手法を表
現できる、多くの可能性のある特別な実施例のなかの僅
かな事例を示していることを理解すべきである。多くの
異なる他の構成が、本発明の趣旨と範囲から逸脱せずに
当業者が容易に考案できる。
現できる、多くの可能性のある特別な実施例のなかの僅
かな事例を示していることを理解すべきである。多くの
異なる他の構成が、本発明の趣旨と範囲から逸脱せずに
当業者が容易に考案できる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、温度安定度が向上した
導波路レーザと光増幅器が提供される。
導波路レーザと光増幅器が提供される。
【図１】本発明が意図する問題を理解する際に有用なグ
ラフである。
ラフである。
【図２】Ａ〜Ｅは、温度安定度が向上している光導波路
増幅器を概略的に示す図である。
増幅器を概略的に示す図である。
【図３】温度安定度が向上している光導波路レーザの略
図である。
図である。
【図４】図２と３の装置の動作を説明する際に有用なグ
ラフである。
ラフである。
【図５】図２と３の装置の動作を説明する際に有用なグ
ラフである。
ラフである。
【図６】ＡおよびＢは、図２と３の装置の動作を説明す
る際に有用なグラフである。
る際に有用なグラフである。
９ 放出器 １１ 多重モード・ファイバ １３ ファイバ束 １５ クラッディング・ポンプ・ファイバ １９ レーザ ２０ 光学的空洞部 ２１、２２ 一対のブラッグ回折格子 ３１ 単一モード・ファイバ
フロントページの続き (72)発明者 ジェーン デボラ レグレインジ アメリカ合衆国 08540 ニュージャーシ ィ，プリンストン，ウィルソン ロード 85 (72)発明者 ジェラルド イー．ツアジー アメリカ合衆国 07961 ニュージャーシ ィ，コンヴェント ステーション，ブラド レー ロード ２ (72)発明者 エヴァ ミラー ヴォゲル アメリカ合衆国 07922 ニュージャーシ ィ，バークレー ハイツ，エヴァグリーン ドライヴ 77 Ｆターム(参考） 2H050 AB18Z AB20Z AD00 5F072 AB09 AK06 JJ05 KK07 PP07 YY17
Claims (5)
- 【請求項１】 光導波路レーザ又は増幅器であって、 ピーク吸収波長を有する、ある長さの希土類元素でドー
ピングされた光導波路と、 前記の吸収ピークの短い方の波長側に０．５〜１．０％
だけ前記のピーク吸収波長から出力波長のオフセットを
有する、第一の複数の半導体ポンプ放出器と、 前記の吸収ピークの長い方の波長側に０．５〜１．０％
だけ前記のピーク吸収波長から相殺された出力波長を有
する、第二の複数の半導体ポンプ放出器とを含んでい
る、光導波路レーザ又は増幅器。 - 【請求項２】 前記の第一の複数のポンプ放出器が前記
のポンプ電力の５０〜８０％を生成する、請求項１に記
載の光導波路レーザ又は増幅器。 - 【請求項３】 前記の光導波路がエルビウムでドーピン
グされている、請求項１に記載の光導波路レーザ又は増
幅器。 - 【請求項４】 前記の光導波路がイッテルビウムでドー
ピングされている、請求項１に記載の光導波路レーザ又
は増幅器。 - 【請求項５】 前記の光導波路がエルビウムとイッテル
ビウムで複合ドーピングされている、請求項１に記載の
光導波路レーザ又は増幅器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/580,094 US6456637B1 (en) | 2000-05-30 | 2000-05-30 | Waveguide lasers and optical amplifiers having enhanced thermal stability |
| US09/580094 | 2000-05-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002016306A true JP2002016306A (ja) | 2002-01-18 |
Family
ID=24319668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001161552A Pending JP2002016306A (ja) | 2000-05-30 | 2001-05-30 | 温度安定度が向上した導波路レーザと光増幅器 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6456637B1 (ja) |
| EP (1) | EP1160941B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002016306A (ja) |
| DE (1) | DE60131494T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6917634B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-07-12 | National Institute Of Information And Communications Technology | Diode-pumped solid-state laser oscillator |
| JP2009542028A (ja) * | 2006-06-23 | 2009-11-26 | ジーエスアイ グループ リミテッド | 放射光を光ファイバに結合し又は光ファイバから出力するための装置 |
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| US8351113B2 (en) * | 2010-09-02 | 2013-01-08 | Textron Systems Corporation | High power fiber laser system |
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| US11156781B2 (en) * | 2013-06-14 | 2021-10-26 | Chiral Photonics, Inc. | Passive aligning optical coupler array |
| US10914891B2 (en) * | 2013-06-14 | 2021-02-09 | Chiral Photonics, Inc. | Multichannel optical coupler |
| US11966091B2 (en) * | 2013-06-14 | 2024-04-23 | Chiral Photonics, Inc. | Multichannel optical coupler array |
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| US9817191B2 (en) * | 2013-06-14 | 2017-11-14 | Chiral Photonics, Inc. | Multichannel optical coupler array |
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| US9917411B2 (en) * | 2015-06-25 | 2018-03-13 | Optical Engines, Inc. | Double fiber optic mode adapter |
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2000
- 2000-05-30 US US09/580,094 patent/US6456637B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-05-22 EP EP01304477A patent/EP1160941B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-22 DE DE60131494T patent/DE60131494T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-05-30 JP JP2001161552A patent/JP2002016306A/ja active Pending
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|---|---|
| US6456637B1 (en) | 2002-09-24 |
| DE60131494T2 (de) | 2008-09-25 |
| EP1160941A1 (en) | 2001-12-05 |
| DE60131494D1 (de) | 2008-01-03 |
| EP1160941B1 (en) | 2007-11-21 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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