JP2002016055A - Semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

Semiconductor manufacturing apparatus

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JP2002016055A
JP2002016055A JP2000196627A JP2000196627A JP2002016055A JP 2002016055 A JP2002016055 A JP 2002016055A JP 2000196627 A JP2000196627 A JP 2000196627A JP 2000196627 A JP2000196627 A JP 2000196627A JP 2002016055 A JP2002016055 A JP 2002016055A
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幸一 能戸
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enable processing of a large amount of wafer, while reducing the cost or occupied floor area. SOLUTION: Two process tubes 4 for processing a wafer W, two of ports 9 for holding the wafer and carrying the wafer into and out of the process tubes 4, and two-wafer transfer devices 35 for transferring the wafer to the ports 9 and wafer loading ports 23 are installed to a casing 2. A single-pod transfer device 26 is installed to the casing 2. The pod transport device 26 is arranged to transfer a pod 10 to a pod stage 11, a buffer shelf 14, two rotary shelves 17 and the wafer-loading ports 23. Thus since two of the process tubes, two of the ports and two of the wafer transfer devices are installed, a large number of wafers can be processed in a prescribed time and its occupied floor area can be reduced, as compared with the case where two CVD apparatus being provided side by side. Since there is only one pod-transfer device, its cost can be reduced, when compared with the case where two-pod transfer devices are installed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、例えば、半導体素子を含む半導体集積回路を作り
込まれる基板としての半導体ウエハ(以下、ウエハとい
う。)に絶縁膜や金属膜等のCVD膜を形成したり不純
物を拡散したりするバッチ式縦形拡散・CVD装置に利
用して有効なものに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as "wafer") as a substrate on which a semiconductor integrated circuit including semiconductor elements is formed. The present invention relates to an apparatus which is effective when used in a batch type vertical diffusion / CVD apparatus for forming a film or diffusing impurities.

【0002】ウエハに絶縁膜や金属膜等のCVD膜を形
成したり不純物を拡散したりするバッチ式縦形拡散・C
VD装置(以下、単にCVD装置という。)には、ウエ
ハを処理するプロセスチューブと、ウエハを保持してプ
ロセスチューブに搬入搬出するボートと、ウエハをボー
トおよびウエハローディングポートに対して移載するウ
エハ移載装置と、ウエハを収納して搬送するキャリアを
移送するキャリア移送装置が一台ずつ設備されている。
[0002] A batch type vertical diffusion C for forming a CVD film such as an insulating film or a metal film on a wafer or diffusing impurities.
A VD apparatus (hereinafter, simply referred to as a CVD apparatus) includes a process tube for processing a wafer, a boat for holding the wafer and carrying the wafer into and out of the process tube, and a wafer for transferring the wafer to the boat and the wafer loading port. A transfer device and a carrier transfer device that transfers a carrier that stores and transfers a wafer are provided one by one.

【0003】一般に、このCVD装置を使用して大量の
ウエハを所定の時間内で処理する場合には、二台のCV
D装置が隣合わせに並べられて実施されている。
Generally, when a large number of wafers are processed within a predetermined time using this CVD apparatus, two CVs are required.
The D devices are implemented side by side.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、二台の
CVD装置を隣り合わせに並べた場合においては、次の
ような問題点がある。第一に、イニシャルコストおよび
ランニングコストが一台のCVD装置のコストの二倍に
なってしまう。第二に、クリーンルーム内の占有床面積
が隣合うCVD装置の間に発生する隙間の分だけ増加し
てしまう。
However, when two CVD apparatuses are arranged side by side, there are the following problems. First, the initial cost and running cost are double the cost of one CVD apparatus. Second, the occupied floor area in the clean room is increased by the gap generated between the adjacent CVD apparatuses.

【0005】本発明の目的は、コストや占有床面積を増
加を抑制しつつ大量の基板を処理することができる半導
体製造装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of processing a large number of substrates while suppressing an increase in cost and occupied floor area.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
装置は、基板を処理するプロセスチューブと、前記基板
を保持して前記プロセスチューブに搬入搬出するボート
と、前記基板を前記ボートおよび基板ローディングポー
トに対して移載する基板移載装置とが複数ずつ一つの筐
体に設備されており、この筐体には前記基板を収納して
搬送するキャリアを移送する一台のキャリア移送装置が
設備されていることを特徴とする。
According to the present invention, there is provided a semiconductor manufacturing apparatus comprising: a process tube for processing a substrate; a boat for holding the substrate and carrying the substrate into and out of the process tube; and loading the substrate with the boat and the substrate. A plurality of substrate transfer devices for transferring to a port are provided in one housing, and a single carrier transfer device for transferring a carrier that stores and transfers the substrate is provided in the housing. It is characterized by having been done.

【0007】前記した手段によれば、一つの筐体にプロ
セスチューブ、ボートおよびウエハ移載装置が複数台ず
つ設備されているため、大量の基板を所定の時間内で処
理することができるとともに、複数台の半導体製造装置
を並べて設備する場合に比べて隙間が発生しない分だけ
占有床面積を低減することができる。また、キャリア移
送装置を一台だけ設備することにより、複数台のキャリ
ア移送装置を設備する場合に比べてコストを低減するこ
とができる。
According to the above means, a plurality of process tubes, boats, and wafer transfer devices are provided in one housing, so that a large number of substrates can be processed within a predetermined time, The occupied floor area can be reduced by the amount that no gap is generated as compared with a case where a plurality of semiconductor manufacturing apparatuses are arranged side by side. Further, by providing only one carrier transfer device, the cost can be reduced as compared with a case where a plurality of carrier transfer devices are provided.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
面に即して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0009】本実施の形態において、本発明に係る半導
体製造装置は、図1に示されているように、バッチ式縦
形拡散・CVD装置として構成されている。以下、バッ
チ式縦形CVD装置(以下、CVD装置という。)を例
にして説明する。図2および図5に示されているよう
に、CVD装置1は気密室構造に構築された筐体2を備
えており、筐体2内の一端部(以下、後端部とする。)
の上部には二台のヒータユニット3、3が左右に並べら
れてそれぞれ垂直方向に据え付けられている。各ヒータ
ユニット3の内部にはプロセスチューブ4が同心に配置
されており、プロセスチューブ4にはプロセスチューブ
4内に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導
入管5と、プロセスチューブ4内を真空排気するための
排気管6とが接続されている。
In this embodiment, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is configured as a batch type vertical diffusion / CVD apparatus as shown in FIG. Hereinafter, a batch type vertical CVD apparatus (hereinafter, referred to as a CVD apparatus) will be described as an example. As shown in FIGS. 2 and 5, the CVD apparatus 1 includes a casing 2 constructed in an airtight chamber structure, and has one end (hereinafter, referred to as a rear end) inside the casing 2.
In the upper part of the heater, two heater units 3, 3 are arranged side by side and are respectively installed in the vertical direction. A process tube 4 is arranged concentrically inside each heater unit 3. The process tube 4 includes a gas introduction pipe 5 for introducing a raw material gas, a purge gas, and the like into the process tube 4, and a process tube 4. An exhaust pipe 6 for vacuum exhaust is connected.

【0010】図3および図5に示されているように、筐
体2の後端部の下部には二台のエレベータ7、7が左右
に並べられてそれぞれ垂直に設置されており、各エレベ
ータ7は二本のプロセスチューブ4、4の真下にそれぞ
れ水平に配置された二枚のキャップ8、8を垂直方向に
昇降させるように構成されている。各キャップ8はプロ
セスチューブ4の下端開口よりも大径の円盤形状に形成
されており、プロセスチューブ4の下端開口をシールし
得るように構成されているとともに、ボート9を垂直に
立脚させた状態で支持し得るように構成されている。各
ボート9は被処理基板としてのウエハWを多数枚、中心
を揃えて水平に配置した状態で保持するように構成され
ており、キャップ8のエレベータ7による昇降によって
プロセスチューブ4の処理室に対して搬入搬出されるよ
うになっている。
As shown in FIGS. 3 and 5, two elevators 7, 7 are vertically arranged at the lower part of the rear end of the housing 2 so as to be arranged side by side. Numeral 7 is configured to vertically move two caps 8, 8 disposed horizontally below the two process tubes 4, 4, respectively, in the vertical direction. Each cap 8 is formed in a disk shape having a larger diameter than the lower end opening of the process tube 4, is configured to be able to seal the lower end opening of the process tube 4, and has the boat 9 standing upright. It is configured to be able to support. Each boat 9 is configured to hold a large number of wafers W as substrates to be processed in a state where the wafers W are arranged horizontally with their centers aligned, and the cap 8 is moved up and down by the elevator 7 to the processing chamber of the process tube 4. To be carried in and out.

【0011】ところで、ウエハを収容して搬送するため
のキャリア(搬送治具)としては、互いに対向する一対
の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているカ
セットと、一つの面が開口された略立方体の箱形状に形
成され開口面にキャップが着脱自在に装着されているF
OUP(front opening unified pod 。以下、ポッドと
いう。)とがある。ウエハのキャリアとしてポッドが使
用される場合には、ウエハが密閉された状態で搬送され
ることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存
在していたとしてもウエハの清浄度は維持することがで
きる。したがって、CVD装置が設置されるクリーンル
ーム内の清浄度をあまり高く設定する必要がなくなるた
め、クリーンルームに要するコストを低減することがで
きる。そこで、本実施の形態に係るCVD装置において
は、ウエハのキャリアとしてはポッド10が使用されて
いる。
As a carrier (transfer jig) for accommodating and transporting a wafer, a cassette formed in a substantially cubic box shape having a pair of opposing surfaces opened, and one surface provided as one. F having a substantially cubic box shape with an opening and a cap removably attached to the opening surface
OUP (front opening unified pod; hereafter referred to as pod). When a pod is used as a wafer carrier, the wafer is transported in a sealed state, so that the cleanliness of the wafer can be maintained even if particles are present in the surrounding atmosphere. it can. Therefore, it is not necessary to set the cleanliness in the clean room in which the CVD apparatus is installed so high, so that the cost required for the clean room can be reduced. Therefore, in the CVD apparatus according to the present embodiment, pod 10 is used as a carrier for a wafer.

【0012】図3および図4に示されているように、筐
体2の正面の下部にはウエハWを搬送するためのキャリ
アとしてのポッド10を筐体2内に搬入搬出するポッド
搬入搬出ステージ(以下、ポッドステージという。)1
1が設定されており、筐体2の正面壁のポッドステージ
11に対向する位置にはフロントシャッタ(図示せず)
によって開閉される出し入れ口12が開設されている。
筐体2内の出し入れ口12に対向する位置には、ポッド
ステージ11から出し入れ口12を通して筐体2内に搬
入されたポッド10を受ける受け台13が設置されてい
る。
As shown in FIGS. 3 and 4, a pod loading / unloading stage for loading / unloading a pod 10 as a carrier for transporting a wafer W into / from the housing 2 is provided at a lower portion in front of the housing 2. (Hereafter referred to as a pod stage.) 1
1 is set, and a front shutter (not shown) is provided at a position facing the pod stage 11 on the front wall of the housing 2.
The opening and closing opening 12 is opened and closed.
At a position facing the entrance 12 in the housing 2, a receiving stand 13 for receiving the pod 10 carried into the housing 2 through the entrance 12 from the pod stage 11 is installed.

【0013】筐体2の正面壁の内面における上部には複
数個のポッド10を保管するバッファ棚14が、左右方
向に一杯に水平に敷設されている。バッファ棚14は筐
体2の正面壁の内面に据え付けられた支持板15と、支
持板15に左右方向に架設されて水平に支持された複数
段(本実施の形態においては四段。但し、図1では三段
が図示されている。)の棚板16とを備えており、各棚
板16にポッド10が複数個ずつ左右方向に並べて載置
されるようになっている。
A buffer shelf 14 for storing a plurality of pods 10 is laid horizontally in the upper part of the front wall of the housing 2 in the left-right direction. The buffer shelf 14 has a support plate 15 installed on the inner surface of the front wall of the housing 2, and a plurality of stages (four in the present embodiment, which are horizontally supported on the support plate 15 and horizontally supported by the support plate 15. In FIG. 1, three tiers 16 are shown.) A plurality of pods 10 are placed on each shelf 16 side by side in the left-right direction.

【0014】図2および図5に示されているように、筐
体2内の前後方向の中央部には筐体2の内部空間を上下
および前後に仕切る垂直壁部21と水平壁部22とから
なる隔壁20が構築されており、隔壁20の水平壁部2
2の上には二台の回転棚17、17が左右に並べられて
設置されている。一台の回転棚17は複数個(本実施の
形態においては八個)のポッド10を保管するように構
成されている。すなわち、回転棚17は略卍形状に形成
された棚板19が複数段(本実施の形態においては二
段)、モータ等の間欠回転駆動装置(図示せず)によっ
て一方向ピッチ送り回転される回転軸18に上下方向に
配置されて水平に固定されており、各棚板19に保管さ
れたポッド10が正面の位置に回転軸18のピッチ送り
回転によって順次送られるようになっている。
As shown in FIGS. 2 and 5, a vertical wall 21 and a horizontal wall 22 which partition the internal space of the housing 2 up and down and front and rear are provided in the center of the housing 2 in the front and rear direction. Is constructed, and the horizontal wall 2 of the partition 20 is formed.
Two rotating shelves 17, 17 are arranged on the left and right on the left and right. One rotating shelf 17 is configured to store a plurality (eight in the present embodiment) of pods 10. That is, the rotating shelf 17 is formed by rotating the shelf 19 formed in a substantially swastika shape in a plurality of stages (two stages in the present embodiment), and is rotated in one direction by an intermittent rotation driving device (not shown) such as a motor. The pods 10 are vertically arranged on the rotating shaft 18 and fixed horizontally, and the pods 10 stored in each shelf 19 are sequentially fed to the front position by the pitch feed rotation of the rotating shaft 18.

【0015】隔壁20の垂直壁部21における筐体2内
の回転棚17の下側にはウエハWをローディングおよび
アンローディングするためのポート(以下、ウエハロー
ディングポートという。)23が左右で一組かつ上下で
一対ずつ設置されており、垂直壁部21の各ウエハロー
ディングポート23に対応する位置にはウエハWを出し
入れするための出し入れ口24がそれぞれ開設されてい
る。各ウエハローディングポート23にはポッド10の
キャップ10aを着脱してポッド10を開閉するための
ポッドオープナ25がそれぞれ設置されている。
A pair of ports (hereinafter, referred to as wafer loading ports) 23 for loading and unloading a wafer W is provided below the rotating shelf 17 in the casing 2 on the vertical wall portion 21 of the partition wall 20. In addition, a pair of upper and lower sides are installed, and an outlet 24 for loading and unloading the wafer W is opened at a position corresponding to each wafer loading port 23 of the vertical wall portion 21. Each wafer loading port 23 is provided with a pod opener 25 for opening and closing the pod 10 by attaching and detaching the cap 10a of the pod 10.

【0016】筐体2内のポッドステージ11およびバッ
ファ棚15と回転棚17およびウエハローディングポー
ト23との間にはポッド10を移送するためのポッド移
送装置26が設置されており、ポッド移送装置26はポ
ッドステージ11、バッファ棚14、左右の回転棚17
および左右上下のウエハローディングポート23間でポ
ッド10を搬送するように構成されている。ポッド移送
装置26はモータ27aを駆動源としたリニアアクチュ
エータ27を備えており、リニアアクチュエータ27は
筐体2の底面上に左右方向に略一杯に敷設されている。
リニアアクチュエータ27の上にはモータ28aを駆動
源としたエレベータ28が垂直に立設されており、リニ
アアクチュエータ27はエレベータ28を左右方向に移
動させるように構成されている。エレベータ28には昇
降台29が昇降されるように支持されており、昇降台2
9にはポッド10をハンドリングするポッドハンドリン
グ装置30が設置されている。
A pod transfer device 26 for transferring the pod 10 is provided between the pod stage 11 and the buffer shelf 15 and the rotary shelf 17 and the wafer loading port 23 in the housing 2. Pod stage 11, buffer shelf 14, left and right rotating shelf 17
The pod 10 is transported between the left, right, upper and lower wafer loading ports 23. The pod transfer device 26 includes a linear actuator 27 driven by a motor 27a, and the linear actuator 27 is laid on the bottom surface of the housing 2 substantially completely in the left-right direction.
An elevator 28 having a motor 28a as a drive source is vertically erected on the linear actuator 27, and the linear actuator 27 is configured to move the elevator 28 in the left-right direction. A lift 29 is supported by the elevator 28 so as to be lifted and lowered.
A pod handling device 30 for handling the pod 10 is installed at 9.

【0017】ポッドハンドリング装置30はスカラ形ロ
ボット(selective compliance assembly robot arm 。
SCARA)によって構成されている。すなわち、ポッ
ドハンドリング装置30は昇降台29に垂直に据え付け
られたロータリーアクチュエータ31を備えており、ロ
ータリーアクチュエータ31はその出力軸である回転軸
に一端部が固定された第一アーム32を水平面内で回転
させるように構成されている。第一アーム32の他端部
には第二アーム33の一端部が軸支されており、第二ア
ーム33はロータリーアクチュエータ31によって水平
面内で回転されるようになっている。第二アーム33の
他端部にはハンド34が水平に取り付けられており、ハ
ンド34はポッド10を下から掬い取って水平に支持し
得るように構成されている。
The pod handling device 30 is a scalar type robot (selective compliance assembly robot arm).
SCARA). That is, the pod handling device 30 includes a rotary actuator 31 vertically mounted on the elevating table 29, and the rotary actuator 31 moves a first arm 32, one end of which is fixed to a rotation shaft as an output shaft, in a horizontal plane. It is configured to rotate. One end of a second arm 33 is pivotally supported at the other end of the first arm 32, and the second arm 33 is configured to be rotated in a horizontal plane by a rotary actuator 31. A hand 34 is horizontally attached to the other end of the second arm 33, and the hand 34 is configured to scoop the pod 10 from below and support it horizontally.

【0018】図3および図5に示されているように、隔
壁20後方の下側空間にはウエハ移載装置35が二台、
左右にそれぞれ設置されており、各ウエハ移載装置35
はウエハローディングポート23とボート9との間でウ
エハWを移送してポッド10およびボート9に移載する
ように構成されている。すなわち、ウエハ移載装置35
はベース36を備えており、ベース36の上面にはロー
タリーアクチュエータ37が設置されている。ロータリ
ーアクチュエータ37の上には第一リニアアクチュエー
タ38が設置されており、ロータリーアクチュエータ3
7は第一リニアアクチュエータ38を水平面内で回転さ
せるように構成されている。第一リニアアクチュエータ
38の上には第二リニアアクチュエータ39が設置され
ており、第一リニアアクチュエータ38は第二リニアア
クチュエータ39を水平移動させるように構成されてい
る。第二リニアアクチュエータ39の上には取付台40
が設置されており、第二リニアアクチュエータ39は取
付台40を水平移動されるように構成されている。取付
台40にはウエハWを下から支持するツィーザ41が複
数枚(本実施の形態においては五枚)、等間隔に配置さ
れて水平に取り付けられている。そして、ウエハ移載装
置35は送りねじ機構によって構成されたエレベータ4
2によって昇降されるようになっている。
As shown in FIGS. 3 and 5, two wafer transfer devices 35 are provided in the lower space behind the partition 20.
The wafer transfer devices 35 are installed on the left and right, respectively.
Is configured to transfer the wafer W between the wafer loading port 23 and the boat 9 and transfer it to the pod 10 and the boat 9. That is, the wafer transfer device 35
Has a base 36, and a rotary actuator 37 is installed on the upper surface of the base 36. On the rotary actuator 37, a first linear actuator 38 is installed, and the rotary actuator 3
7 is configured to rotate the first linear actuator 38 in a horizontal plane. A second linear actuator 39 is provided on the first linear actuator 38, and the first linear actuator 38 is configured to horizontally move the second linear actuator 39. On the second linear actuator 39, a mounting table 40 is provided.
Is installed, and the second linear actuator 39 is configured to be horizontally moved on the mounting table 40. A plurality of (five in the present embodiment) tweezers 41 for supporting the wafer W from below are mounted on the mounting table 40 at equal intervals and horizontally. The wafer transfer device 35 is connected to the elevator 4 constituted by a feed screw mechanism.
2 to ascend and descend.

【0019】なお、図示しないが、隔壁20の後方の下
側空間にはノッチ合わせ装置が設置されている。ノッチ
合わせ装置は両方のウエハ移載装置35、35の片脇に
それぞれ設置してもよいが、両方のウエハ移載装置3
5、35の間に設置して兼用してもよい。また、図示し
ないが、隔壁20の後方の下側空間にはクリーンユニッ
トがキャップ8の上に支持されたボート9にクリーンエ
アを吹き付けるように設置されている。
Although not shown, a notch aligning device is provided in a lower space behind the partition 20. The notch aligning device may be installed on one side of both of the wafer transfer devices 35, 35.
It may be installed between 5 and 35 and used as both. Although not shown, a clean unit is provided in a lower space behind the partition wall 20 so as to blow clean air to the boat 9 supported on the cap 8.

【0020】次に、前記構成に係るCVD装置の作用を
説明する。
Next, the operation of the CVD apparatus having the above configuration will be described.

【0021】図2および図4に示されているように、ポ
ッドステージ11に供給されたポッド10は出し入れ口
12から搬入されて受け台13の上に一時的に載置さ
れ、二台の回転棚17、17またはバッファ棚14のう
ちの指定された位置にポッド移送装置26によって適宜
に搬送されて一時的に保管される。ちなみに、一台のポ
ッド移送装置26によって二台分の回転棚17、17お
よびバッファ棚14にポッド10を搬送するために、ポ
ッド移送装置26のリニアアクチュエータ27およびエ
レベータ28の移動速度は通常のCVD装置のそれより
も速く設定されている。
As shown in FIG. 2 and FIG. 4, the pod 10 supplied to the pod stage 11 is carried in from the inlet / outlet 12 and is temporarily placed on the receiving table 13 so that the two pods rotate. The pod is transported by the pod transfer device 26 to a designated position on the shelves 17, 17 or the buffer shelf 14, and is temporarily stored. Incidentally, in order to transport the pod 10 to the two rotating shelves 17, 17 and the buffer shelf 14 by one pod transfer device 26, the moving speed of the linear actuator 27 and the elevator 28 of the pod transfer device 26 is set to the normal CVD speed. It is set faster than that of the device.

【0022】二台の回転棚17、17およびバッファ棚
14に保管されたポッド10はポッド移送装置26によ
って適宜にピックアップされて、四箇所のうちの指定さ
れたウエハローディングポート23に搬送され、図2お
よび図5に示されているように、載置台23aに移載さ
れる。
The pods 10 stored on the two rotating shelves 17 and 17 and the buffer shelves 14 are appropriately picked up by a pod transfer device 26 and transferred to a designated one of four wafer loading ports 23. As shown in FIG. 2 and FIG. 5, it is transferred to the mounting table 23a.

【0023】ウエハローディングポート23の載置台2
3aに移載されたポッド10はポッドオープナ25によ
ってキャップを外されて開放される。この一箇所のウエ
ハローディングポート23におけるポッドオープナ25
による開放作業の間に、他の三箇所のうち所定のウエハ
ローディングポート23には別のポッド10がポッド移
送装置26によって二台の回転棚17、17およびバッ
ファ棚14からピックアップされて移送される。したが
って、ポッド移送装置26は四箇所のウエハローディン
グポート23と二台の回転棚17、17およびバッファ
棚14との間、並びに、二台の回転棚17、17および
バッファ棚14とポッドステージ11の受け台13との
間をきわめて効率よく移動して稼働することになる。
Mounting table 2 for wafer loading port 23
The pod 10 transferred to 3a is opened with the cap removed by the pod opener 25. Pod opener 25 at this one wafer loading port 23
Of the other three locations, another pod 10 is picked up from the two rotating shelves 17, 17 and the buffer shelf 14 by the pod transfer device 26 and transferred to the predetermined wafer loading port 23 among the other three positions. . Therefore, the pod transfer device 26 is provided between the four wafer loading ports 23 and the two rotating shelves 17, 17 and the buffer shelf 14, and between the two rotating shelves 17, 17 and the buffer shelf 14 and the pod stage 11. It will move and operate very efficiently with the cradle 13.

【0024】例えば、上段のウエハローディングポート
23においてポッド10の開放作業が実施されている間
に、下段のウエハローディングポート23へのポッド1
0の移送作業が同時進行されていると、上段のウエハロ
ーディングポート23におけるウエハWの移載作業の終
了と同時に、下段のウエハローディングポート23にセ
ットされたポッド10についてのウエハWのウエハ移載
装置35による移載(ローディング)作業を開始するこ
とができる。すなわち、ウエハ移載装置35はポッド1
0の入替え作業についての待ち時間を浪費することなく
ウエハ移載(ローディング)作業を連続して実施するこ
とができるため、CVD装置1のスループットを高める
ことができる。
For example, while the opening operation of the pod 10 is being carried out at the upper wafer loading port 23, the pod 1 is transferred to the lower wafer loading port 23.
If the transfer operation of the wafer W is simultaneously performed, the transfer of the wafer W to the pod 10 set in the lower wafer loading port 23 is performed simultaneously with the completion of the transfer operation of the wafer W in the upper wafer loading port 23. The transfer (loading) operation by the device 35 can be started. That is, the wafer transfer device 35 is connected to the pod 1
Since the wafer transfer (loading) operation can be performed continuously without wasting the waiting time for the 0 replacement operation, the throughput of the CVD apparatus 1 can be increased.

【0025】ウエハローディングポート23においてポ
ッド10が開放されると、ポッド10に収納された複数
枚のウエハWはウエハ移載装置35によってボート9に
移載(ローディング)される。この際、ボート9がバッ
チ処理するウエハWの枚数(例えば、百枚〜百五十枚)
は一台のポッド10に収納されたウエハWの枚数(例え
ば、二十五枚)よりも何倍も多いため、複数台のポッド
10が上下のウエハローディングポート23、23にポ
ッド移送装置26によって交互に繰り返し供給されるこ
とになる。
When the pod 10 is opened at the wafer loading port 23, a plurality of wafers W stored in the pod 10 are transferred (loaded) to the boat 9 by the wafer transfer device 35. At this time, the number of wafers W to be batch-processed by the boat 9 (for example, 100 to 150)
Is many times larger than the number of wafers W stored in one pod 10 (for example, twenty-five), so that a plurality of pods 10 are transferred to upper and lower wafer loading ports 23 by the pod transfer device 26. It will be supplied alternately and repeatedly.

【0026】予め指定された複数枚のウエハWが上下の
ウエハローディングポート23、23からボート9に移
載されると、ボート9はエレベータ7によって上昇され
てプロセスチューブ4の処理室に搬入される。ボート9
が上限に達すると、ボート9を保持したキャップ8の上
面の周辺部がプロセスチューブ4をシール状態に閉塞す
るため、処理室は気密に閉じられた状態になる。
When a plurality of wafers W specified in advance are transferred from the upper and lower wafer loading ports 23, 23 to the boat 9, the boat 9 is lifted by the elevator 7 and carried into the processing chamber of the process tube 4. . Boat 9
Reaches the upper limit, the periphery of the upper surface of the cap 8 holding the boat 9 closes the process tube 4 in a sealed state, so that the processing chamber is airtightly closed.

【0027】プロセスチューブ4の処理室が気密に閉じ
られた状態で、所定の真空度に排気管6によって真空排
気され、ヒータユニット3によって所定の温度に加熱さ
れ、所定の原料ガスがガス導入管5によって所定の流量
だけ供給される。これにより、所定のCVD膜がウエハ
Wに形成される。
In a state where the processing chamber of the process tube 4 is closed in an airtight manner, the processing tube 4 is evacuated to a predetermined degree of vacuum by the exhaust pipe 6, heated to a predetermined temperature by the heater unit 3, and supplied with a predetermined source gas. 5 provides a predetermined flow rate. Thereby, a predetermined CVD film is formed on the wafer W.

【0028】そして、予め設定された処理時間が経過す
ると、ボート9がエレベータ7によって下降されること
により、処理済みウエハWを保持したボート9が元の待
機位置に搬出される。なお、ボート9のプロセスチュー
ブ4の処理室への搬入搬出作業および処理作業の間に、
ポッドステージ11やバッファ棚14および回転棚17
においてはポッド10の搬入搬出作業や移送作業が同時
に進行される。ちなみに、取り扱う膜種によって異なる
が、例えば、処理時間は約1時間〜2時間になる。
Then, when a predetermined processing time has elapsed, the boat 9 is lowered by the elevator 7 and the boat 9 holding the processed wafer W is carried out to the original standby position. In addition, during the loading / unloading operation of the process tube 4 of the boat 9 into the processing chamber and the processing operation,
Pod stage 11, buffer shelf 14, and rotating shelf 17
In, the loading / unloading operation and the transfer operation of the pod 10 are simultaneously performed. Incidentally, depending on the type of film to be handled, for example, the processing time is about 1 hour to 2 hours.

【0029】待機位置に搬出されたボート9の処理済み
ウエハWはウエハローディングポート23に予め搬送さ
れてキャップ10aを外されて開放された空のポッド1
0に、ウエハ移載装置35によって移載(アンローディ
ング)される。続いて、ポッド10がポッドオープナ2
5によって閉じられた後に、処理済みのウエハWが収納
されたポッド10は二台の回転棚17、17またはバッ
ファ棚14の指定された位置にポッド移送装置26によ
って搬送されて一時的に保管される。
The processed wafer W of the boat 9 carried out to the standby position is transported in advance to the wafer loading port 23, the cap 10a is removed, and the empty pod 1 is opened.
The wafer is transferred (unloaded) to 0 by the wafer transfer device 35. Then, Pod 10 is Pod Opener 2
After being closed by the pod 5, the pod 10 containing the processed wafer W is transported by the pod transfer device 26 to a designated position on the two rotating shelves 17, 17 or the buffer shelf 14, where it is temporarily stored. You.

【0030】以上の処理済みウエハWの移載(アンロー
ディング)作業の際も、ボート9がバッチ処理したウエ
ハWの枚数は一台の空のポッド10に収納するウエハW
の枚数よりも何倍も多いため、複数台のポッド10が上
下のウエハローディングポート23、23に交互にポッ
ド移送装置26によって繰り返し供給されることにな
る。この場合にも、一方(上段または下段)のウエハロ
ーディングポート23へのウエハ移載作業中に、他方
(下段または上段)のウエハローディングポート23へ
の空のポッド10への搬送や準備作業が同時進行される
ことにより、ウエハ移載装置35はポッド10の入替え
作業についての待ち時間を浪費することなくウエハ移載
(アンローディング)作業を連続して実施することがで
きるため、CVD装置1のスループットを高めることが
できる。
In the transfer (unloading) of the processed wafers W, the number of the wafers W batch processed by the boat 9 is the same as that of the wafers W stored in one empty pod 10.
Since the number of pods is many times larger than the number of pods, a plurality of pods 10 are repeatedly supplied to the upper and lower wafer loading ports 23 by the pod transfer device 26 alternately. In this case as well, during the wafer transfer operation to one (upper or lower) wafer loading port 23, the transfer to the empty pod 10 and the preparation operation to the other (lower or upper) wafer loading port 23 are simultaneously performed. By proceeding, the wafer transfer device 35 can continuously perform the wafer transfer (unloading) operation without wasting the waiting time for the replacement operation of the pod 10, so that the throughput of the CVD device 1 is improved. Can be increased.

【0031】処理済みウエハWを収納したポッド10は
回転棚17からポッドステージ11へポッド移送装置2
6によって搬送される。ポッドステージ11に移載され
たポッド10は次工程へ搬送される。
The pod 10 containing the processed wafer W is transferred from the rotating shelf 17 to the pod stage 11 by the pod transfer device 2.
6 transported. The pod 10 transferred to the pod stage 11 is transported to the next step.

【0032】そして、新規のウエハWを収納したポッド
10がポッドステージ11に供給される。以降、前述し
た作用が繰り返されてウエハWがCVD装置1によって
バッチ処理されて行く。
Then, the pod 10 containing the new wafer W is supplied to the pod stage 11. Thereafter, the above-described operation is repeated, and the wafer W is batch-processed by the CVD apparatus 1.

【0033】なお、本実施の形態においては、プロセス
チューブ4やボート9、ウエハローディングポート23
およびウエハ移載装置35が左右一組ずつ設備されてい
るので、片側(左側または右側)の組のプロセスチュー
ブ4において成膜処理が実施されている間に、他側(右
側または左側)の組においてウエハローディングポート
23に対するポッド10の移送(ローディングおよびア
ンローディング)作業や、ウエハローディングポート2
3およびボート9に対するウエハWの移載(ローディン
グおよびアンローディング)作業が同時進行される。こ
のように左右の組同士で交互に作業を進行させることに
より、成膜処理を休みなく継続することができるため、
CVD装置1のスループットを高めることができる。
In the present embodiment, the process tube 4, the boat 9, the wafer loading port 23
Since the wafer transfer device 35 is provided for each of the right and left sets, while the film forming process is being performed in one (left or right) set of process tubes 4, the other (right or left) set is used. The transfer (loading and unloading) of the pod 10 to the wafer loading port 23 and the wafer loading port 2
The transfer (loading and unloading) of the wafer W to the boat 3 and the boat 9 is performed simultaneously. Since the work is alternately performed between the left and right sets in this manner, the film formation process can be continued without interruption.
The throughput of the CVD apparatus 1 can be increased.

【0034】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。
According to the above embodiment, the following effects can be obtained.

【0035】1) 一つの筐体2内にプロセスチューブ4
やボート9、ウエハローディングポート23およびウエ
ハ移載装置35を左右一組ずつ設備することにより、大
量のウエハWを所定の時間内で処理することができると
ともに、二台のCVD装置を左右に隣り合わせに並べて
設備する場合に比べて、隙間が発生しない分だけ占有床
面積を低減することができるため、クリーンルームを有
効に活用することができる。
1) Process tube 4 in one housing 2
And the boat 9, the wafer loading port 23, and the wafer transfer device 35 are provided one by one, so that a large amount of wafers W can be processed within a predetermined time, and two CVD devices are arranged side by side. The occupied floor area can be reduced by the amount that no gap is generated as compared with the case where the equipment is arranged side by side, so that the clean room can be effectively utilized.

【0036】2) プロセスチューブ4やボート9、ウエ
ハローディングポート23およびウエハ移載装置35を
左右一組ずつ設備するのに対して、ポッドステージ11
やポッド移送装置26は一組だけ設備することにより、
二台のCVD装置を設備する場合に比べてイニシャルコ
ストおよびランニングコストを低減することができるた
め、半導体装置の製造方法のコストを低減することがで
きる。
2) The process tube 4, the boat 9, the wafer loading port 23, and the wafer transfer device 35 are provided one by one on the left and right, while the pod stage 11
By installing only one set of pod transfer device 26,
Since the initial cost and the running cost can be reduced as compared with the case where two CVD apparatuses are provided, the cost of the method for manufacturing a semiconductor device can be reduced.

【0037】3) 一対のウエハローディングポート2
3、23を上下に二段設置するとともに、両ウエハロー
ディングポート23、23にはポッド10のキャップ1
0aを開閉するポッドオープナ25をそれぞれ設けるこ
とにより、一方のウエハローディングポート23におけ
るポッド10に対するウエハWの出し入れ作業(ローデ
ィングおよびアンローディング)中に、他方のウエハロ
ーディングポート23へのポッド10の搬入搬出作業や
ウエハローディングまたはアンローディングのための準
備作業を同時進行させることができるため、ポッド10
を入替える際の待ち時間をなくしスループットを高める
ことができる。
3) A pair of wafer loading ports 2
3 and 23 are set up and down in two stages, and both wafer loading ports 23 and 23 have caps 1 of the pod 10.
By providing pod openers 25 for opening and closing the pod 10a, loading and unloading of the pod 10 to and from the other wafer loading port 23 during loading / unloading of the wafer W with respect to the pod 10 at one wafer loading port 23 (loading and unloading). Since the work and the preparation work for wafer loading or unloading can proceed simultaneously, the pod 10
It is possible to eliminate the waiting time at the time of replacing the data and improve the throughput.

【0038】4) 一対のウエハローディングポート2
3、23を上下に二段設置することにより、ウエハロー
ディングポートの占拠面積を増加させなくて済むため、
CVD装置1の横幅の増加を回避しつつスループットを
高めることができる。
4) A pair of wafer loading ports 2
By arranging the upper and lower parts 3 and 23 vertically, it is not necessary to increase the occupied area of the wafer loading port.
Throughput can be increased while avoiding an increase in the lateral width of the CVD apparatus 1.

【0039】なお、本発明は前記実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変
更が可能であることはいうまでもない。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and it goes without saying that various changes can be made without departing from the scope of the invention.

【0040】例えば、プロセスチューブ4やボート9、
ウエハローディングポート23およびウエハ移載装置3
5は一つの筐体2に左右一組ずつ設備するに限らず、三
組以上を設備してもよい。
For example, the process tube 4, the boat 9,
Wafer loading port 23 and wafer transfer device 3
5 is not limited to equipping one set on the left and right in one housing 2, and three or more sets may be installed.

【0041】ウエハローディングポートは上下二段設置
するに限らず、一段だけ設置してもよいし、上中下三段
のように三段以上設置してもよい。
The wafer loading ports are not limited to two upper and lower stages, but may be only one stage, or three or more stages, such as upper, middle and lower stages.

【0042】ウエハのキャリアとしてはポッドを使用す
るに限らず、カセットを使用してもよい。カセットを使
用する場合にはポッドオープナは省略することができ
る。
The wafer carrier is not limited to the pod, but may be a cassette. If a cassette is used, the pod opener can be omitted.

【0043】前記実施の形態ではバッチ式縦形CVD装
置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、
バッチ式縦形拡散装置等の半導体製造装置全般に適用す
ることができる。
In the above embodiment, the case of the batch type vertical CVD apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this.
The present invention can be applied to all semiconductor manufacturing devices such as a batch type vertical diffusion device.

【0044】[0044]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体製造装置のコストや占有床面積の増加を抑制しつ
つ大量の基板を処理することができる。
As described above, according to the present invention,
A large amount of substrates can be processed while suppressing an increase in cost and occupied floor area of the semiconductor manufacturing apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態であるCVD装置を示す
一部省略斜視図である。
FIG. 1 is a partially omitted perspective view showing a CVD apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】回転棚を通る平面断面図である。FIG. 2 is a plan sectional view passing through a rotating shelf.

【図3】ウエハ移載装置を通る平面断面図である。FIG. 3 is a plan sectional view passing through a wafer transfer device.

【図4】ポッド移送装置側の側面断面図である。FIG. 4 is a side sectional view of the pod transfer device side.

【図5】ウエハ移載装置側の側面断面図である。FIG. 5 is a side sectional view of the wafer transfer device side.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W…ウエハ(基板)、1…CVD装置(半導体製造装
置)、2…筐体、3…ヒータユニット、4…プロセスチ
ューブ、5…ガス導入管、6…排気管、7…エレベー
タ、8…キャップ、9…ボート、10…ポッド(基板収
納容器)、10a…キャップ、11…ポッドステージ
(ポッド搬入搬出ステージ)、12…出し入れ口、13
…受け台、14…バッファ棚、15…支持板、16…棚
板、17…回転棚、18…回転軸、19…棚板、20…
隔壁、21…垂直壁部、22…水平壁部、23…ウエハ
ローディングポート、24…出し入れ口、25…ポッド
オープナ、26…ポッド移送装置、27…リニアアクチ
ュエータ、28…エレベータ、29…昇降台、30…ポ
ッドハンドリング装置、31…ロータリーアクチュエー
タ、32…第一アーム、33…第二アーム、34…ハン
ド、35…ウエハ移載装置、36…ベース、37…ロー
タリーアクチュエータ、38…第一リニアアクチュエー
タ、39…第二リニアアクチュエータ、40…取付台、
41…ツィーザ、42…エレベータ。
W: Wafer (substrate), 1: CVD equipment (semiconductor manufacturing equipment), 2: Housing, 3: Heater unit, 4: Process tube, 5: Gas introduction pipe, 6: Exhaust pipe, 7: Elevator, 8: Cap , 9 boat, 10 pod (substrate storage container), 10a cap, 11 pod stage (pod loading / unloading stage), 12 entrance / exit, 13
... Receiver, 14 ... Buffer shelf, 15 ... Support plate, 16 ... Shelves, 17 ... Rotating shelf, 18 ... Rotating axis, 19 ... Shelves, 20 ...
Partition wall, 21 vertical wall part, 22 horizontal wall part, 23 wafer loading port, 24 access port, 25 pod opener, 26 pod transfer device, 27 linear actuator, 28 elevator, 29 lift platform, Reference numeral 30: pod handling device, 31: rotary actuator, 32: first arm, 33: second arm, 34: hand, 35: wafer transfer device, 36: base, 37: rotary actuator, 38: first linear actuator 39: second linear actuator, 40: mounting base,
41: Tweezers, 42: Elevator.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柳川 秀宏 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 Fターム(参考) 4K030 CA04 CA12 GA13 KA04 KA05 5F031 CA02 DA08 DA17 EA14 FA01 FA03 FA07 FA09 FA11 FA12 GA02 GA03 GA43 GA47 GA48 GA49 HA61 LA12 MA03 MA15 MA16 MA28 NA02 5F045 AB31 BB08 DP19 DQ06 DQ14 EN04 EN05  ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Hidehiro Yanagawa 3-14-20 Higashinakano, Nakano-ku, Tokyo International Electric Co., Ltd. F term (reference) 4K030 CA04 CA12 GA13 KA04 KA05 5F031 CA02 DA08 DA17 EA14 FA01 FA03 FA07 FA09 FA11 FA12 GA02 GA03 GA43 GA47 GA48 GA49 HA61 LA12 MA03 MA15 MA16 MA28 NA02 5F045 AB31 BB08 DP19 DQ06 DQ14 EN04 EN05

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を処理するプロセスチューブと、前
記基板を保持して前記プロセスチューブに搬入搬出する
ボートと、前記基板を前記ボートおよび基板ローディン
グポートに対して移載する基板移載装置とが複数ずつ一
つの筐体に設備されており、この筐体には前記基板を収
納して搬送するキャリアを移送する一台のキャリア移送
装置が設備されていることを特徴とする半導体製造装
置。
1. A process tube for processing a substrate, a boat that holds the substrate and carries the substrate into and out of the process tube, and a substrate transfer device that transfers the substrate to the boat and a substrate loading port. A semiconductor manufacturing apparatus, wherein a plurality of units are provided in a single case, and the case is provided with a single carrier transfer device that transfers a carrier that stores and transports the substrate.
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