JP2002014741A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JP2002014741A
JP2002014741A JP2000193681A JP2000193681A JP2002014741A JP 2002014741 A JP2002014741 A JP 2002014741A JP 2000193681 A JP2000193681 A JP 2000193681A JP 2000193681 A JP2000193681 A JP 2000193681A JP 2002014741 A JP2002014741 A JP 2002014741A
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clock signal
inverter
self
semiconductor integrated
voltage
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Mitsunori Matsunaga
光則 松永
Yutaka Uneme
豊 采女
Tsugumi Matsuishi
継巳 松石
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor integrated circuit having a self-biasing type clock signal amplifier which can speedily supply a stable clock signal and minimize an increase of a current. SOLUTION: The semiconductor integrated circuit having the self-biasing type clock signal amplifier which generates the clock signal with the input voltage from an AC signal source 2 is provided with a voltage supply means comprising a reference voltage source 6 composed of an operational amplifier OP-Amp which abruptly varying a rise of a voltage by applying a bias voltage in addition to the voltage from the AC signal source 2 when the signal source 2 starts up.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、自己バイアス型
クロック信号増幅器にてクロックを供給する半導体集積
回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit for supplying a clock with a self-biased clock signal amplifier.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の自己バイアス型クロック信号増幅
器では、信号源立ち上げからクロック信号が出力される
までの期間がカップリング容量と帰還抵抗により決定さ
れる。従来の自己バイアス型クロック信号増幅器の一例
を図8に示す。図8において、1はカップリング容量、
2は交流信号源、3は帰還抵抗、4は一段目のインバー
タ、5は二段目のインバータである。
2. Description of the Related Art In a conventional self-biased clock signal amplifier, a period from the start of a signal source to the output of a clock signal is determined by a coupling capacitance and a feedback resistor. FIG. 8 shows an example of a conventional self-biased clock signal amplifier. In FIG. 8, 1 is a coupling capacity,
Reference numeral 2 denotes an AC signal source, 3 denotes a feedback resistor, 4 denotes a first-stage inverter, and 5 denotes a second-stage inverter.

【0003】図8に示すように、カップリング容量1お
よび交流信号源2は、通常、IC外部にあり、この発明
における半導体集積回路としてのIC内部には含まれな
い。従来の自己バイアス型クロック信号増幅器は、帰還
抵抗を含む一段目インバータ4と二段目インバータ5よ
り構成される。ここで、インバータの替わりにNAND
ゲート,NORゲートを用いても、制御入力付きインバ
ータとみなすことができるので論理的には等価である。
As shown in FIG. 8, a coupling capacitor 1 and an AC signal source 2 are usually provided outside an IC and are not included inside an IC as a semiconductor integrated circuit according to the present invention. The conventional self-biased clock signal amplifier includes a first-stage inverter 4 including a feedback resistor and a second-stage inverter 5. Here, instead of the inverter, NAND
Even if a gate and a NOR gate are used, they can be regarded as an inverter with a control input, so that they are logically equivalent.

【0004】次に、従来の自己バイアス型クロック信号
増幅器の動作を図9を用いて説明する。図8におけるA
点にかかる電圧に着目すると、A点にかかる電圧は信号
源の立ち上げ後、カップリング容量1および帰還抵抗3
で決定される時定数に基づき、バイアス点へ近づく。A
点にかかる電圧がバイアス点へ近づくにつれ、自己バイ
アス型クロック信号増幅器から、徐々に、クロック信号
が内部ロジック回路へ入力されるが、このクロック信号
も当初は不安定で、安定したクロックを入力するにはさ
らに時間がかかる。
Next, the operation of the conventional self-biased clock signal amplifier will be described with reference to FIG. A in FIG.
Focusing on the voltage applied to the point, the voltage applied to the point A is the coupling capacitance 1 and the feedback resistance 3
Approach the bias point based on the time constant determined by A
As the voltage applied to the point approaches the bias point, the clock signal is gradually input from the self-biased clock signal amplifier to the internal logic circuit, but this clock signal is also unstable at first, and a stable clock is input. Takes more time.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ここで安定したクロッ
ク信号をより早く内部ロジック回路へ供給するにはカッ
プリング容量1あるいは帰還抵抗3をより小さくすれば
よいが、帰還抵抗3を小さくした場合は電流が増大し、
結果として消費電力の増大を招いていた。また、カップ
リング容量を小さくした場合は帰還抵抗3と共に構成す
るハイパスフィルタのカットオフ周波数が上がり、所望
のクロックを得られない場合がある。
Here, in order to supply a stable clock signal to the internal logic circuit more quickly, the coupling capacitance 1 or the feedback resistor 3 may be made smaller, but if the feedback resistor 3 is made smaller, The current increases,
As a result, power consumption has increased. When the coupling capacitance is reduced, the cutoff frequency of the high-pass filter formed together with the feedback resistor 3 increases, and a desired clock may not be obtained.

【0006】この発明は、かかる点を解決するためにな
されたものであって、安定したクロック信号を速やかに
供給し、かつ電流の増大は最小限に抑えることが可能な
自己バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積回
路を得ようとするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and is a self-biased clock signal amplifier capable of quickly supplying a stable clock signal and minimizing an increase in current. It is intended to obtain a semiconductor integrated circuit having the following.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】第1の発明に係る半導体
集積回路では、交流信号源からの入力電圧によりクロッ
ク信号を生成する自己バイアス型クロック信号増幅器を
持つ半導体集積回路において、前記信号源の立ち上げ時
に、前記交流信号源による電圧に対してバイアス電圧を
印加し電圧の立ち上がりを急峻に変化させる電圧供給手
段を設けたものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier for generating a clock signal based on an input voltage from an AC signal source. At the time of start-up, a voltage supply means for applying a bias voltage to the voltage from the AC signal source and changing the rise of the voltage sharply is provided.

【0008】第2の発明に係る半導体集積回路では、交
流信号源からの入力電圧によりクロック信号を生成する
自己バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積回
路において、前記信号源の立ち上げ時に、前記交流信号
源による電圧に対してバイアス電圧を印加し電圧の立ち
上がりを急峻に変化させるオペアンプからなる電圧供給
手段を設けたものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a second aspect of the present invention, in the semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier for generating a clock signal based on an input voltage from an AC signal source, when the signal source starts up, A voltage supply means comprising an operational amplifier for applying a bias voltage to the voltage from the signal source and changing the rise of the voltage sharply is provided.

【0009】第3の発明に係る半導体集積回路では、ク
ロック信号の生成が安定した後は、前記電圧供給手段に
よるバイアス電圧の印加を停止するようにしたものであ
る。
In the semiconductor integrated circuit according to the third aspect of the present invention, after the generation of the clock signal is stabilized, the application of the bias voltage by the voltage supply means is stopped.

【0010】第4の発明に係る半導体集積回路では、自
己バイアス型クロック信号増幅器によって生成されたク
ロック信号のカウント動作を行うカウンタ回路を設け、
前記カウンタ回路のカウント値に応じて前記電圧供給手
段を制御することにより前記電圧供給手段によるバイア
ス電圧の印加を停止するようにしたものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a fourth aspect of the present invention, there is provided a counter circuit for counting a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier.
By controlling the voltage supply means according to the count value of the counter circuit, the application of the bias voltage by the voltage supply means is stopped.

【0011】第5の発明に係る半導体集積回路では、オ
ペアンプの正入力端子にリファレンス電圧を供給するリ
ファレンス電圧源を設けたものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a fifth aspect of the present invention, a reference voltage source for supplying a reference voltage to a positive input terminal of the operational amplifier is provided.

【0012】第6の発明に係る半導体集積回路では、自
己バイアス型クロック信号増幅器によって生成されたク
ロック信号のカウント動作を行うカウンタ回路を設け、
前記カウンタ回路のカウント値に応じて回路構成を可変
とするようにしたものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a sixth aspect of the present invention, there is provided a counter circuit for counting a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier,
The circuit configuration is made variable according to the count value of the counter circuit.

【0013】第7の発明に係る半導体集積回路では、自
己バイアス型クロック信号増幅器によって生成されたク
ロック信号のカウント動作を行うカウンタ回路を設け、
前記カウンタ回路のカウント値に応じて前記信号源の立
ち上げ時に自己バイアス型クロック信号増幅器における
帰還抵抗の抵抗値を比較的小さくするようにしたもので
ある。
[0013] In a semiconductor integrated circuit according to a seventh aspect of the present invention, there is provided a counter circuit for counting a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier.
The resistance value of the feedback resistor in the self-biased clock signal amplifier is made relatively small when the signal source rises according to the count value of the counter circuit.

【0014】第8の発明に係る半導体集積回路では、帰
還抵抗を並列に接続された第1のインバータと、前記第
1のインバータに直列に接続され前記第1のインバータ
とともに自己バイアス型クロック信号増幅器を構成する
第2のインバータと、前記第1および第2のインバータ
により構成される自己バイアス型クロック信号増幅器に
よって生成されたクロック信号のカウント動作を行うカ
ウンタ回路とを備え、前記カウンタ回路のカウント値に
応じて前記信号源の立ち上げ時に自己バイアス型クロッ
ク信号増幅器における帰還抵抗の抵抗値を比較的小さく
し、前記カウンタ回路のカウント値の増加に応じて自己
バイアス型クロック信号増幅器における帰還抵抗の抵抗
値を大きくするようにしたものである。
According to an eighth aspect of the present invention, in a semiconductor integrated circuit, a first inverter having a feedback resistor connected in parallel and a self-biased clock signal amplifier connected in series with the first inverter together with the first inverter. And a counter circuit that counts a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier formed by the first and second inverters. When the signal source rises, the resistance value of the feedback resistor in the self-biased clock signal amplifier is made relatively small when the signal source rises, and the resistance of the feedback resistor in the self-biased clock signal amplifier is increased in accordance with the increase in the count value of the counter circuit. The value is increased.

【0015】第9の発明に係る半導体集積回路では、自
己バイアス型クロック信号増幅器によって生成されたク
ロック信号のカウント動作を行うカウンタ回路を設け、
前記カウンタ回路のカウント値に応じて前記信号源の立
ち上げ時に比較的高性能のインバータを用いるようにし
たものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a ninth aspect of the present invention, a counter circuit for counting a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier is provided.
A relatively high-performance inverter is used when the signal source starts up according to the count value of the counter circuit.

【0016】第10の発明に係る半導体集積回路では、
帰還抵抗を並列に接続された第1のインバータと、前記
第1のインバータに直列に接続され前記第1のインバー
タととともに自己バイアス型クロック信号増幅器を構成
する第2のインバータと、前記第1および第2のインバ
ータにより構成される自己バイアス型クロック信号増幅
器によって生成されたクロック信号のカウント動作を行
うカウンタ回路とを備え、前記第1のインバータとして
性能の異なる複数のインバータが選択的に用いられるよ
うに構成するとともに、前記カウンタ回路のカウント値
に応じて前記信号源の立ち上げ時に高性能インバータを
用い、前記カウンタ回路のカウント値の増加に応じて順
次より低性能のインバータを用いるようにしたものであ
る。
In the semiconductor integrated circuit according to the tenth aspect,
A first inverter connected in parallel with a feedback resistor, a second inverter connected in series to the first inverter and forming a self-biased clock signal amplifier together with the first inverter; A counter circuit for counting a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier constituted by a second inverter, wherein a plurality of inverters having different performances are selectively used as the first inverter. And using a high-performance inverter at the time of starting the signal source according to the count value of the counter circuit, and sequentially using lower-performance inverters as the count value of the counter circuit increases. It is.

【0017】第11の発明に係る半導体集積回路では、
前記電圧供給手段として抵抗分割によりバイアス電圧を
供給するようにしたものである。
In the semiconductor integrated circuit according to the eleventh aspect,
The voltage supply means supplies a bias voltage by resistance division.

【0018】第12の発明に係る半導体集積回路では、
帰還抵抗を並列に接続された第1のインバータと、前記
第1のインバータに直列に接続され前記第1のインバー
タとともに自己バイアス型クロック信号増幅器を構成す
る第2のインバータとを備えたものにおいて、バイアス
電圧供給用電源と前記第1のインバータの入力側との間
に接続された第1の抵抗と、前記第1のインバータの入
力側と接地部位との間に接続された第2の抵抗とを設
け、前記交流信号源による立ち上げ時に、前記バイアス
電圧供給用電源による電圧を前記第1および第2の抵抗
により分割し、電圧の立ち上がりを急峻にするためのバ
イアス電圧を供給するようにしたものである。
In the semiconductor integrated circuit according to the twelfth aspect,
A device comprising: a first inverter connected in parallel with a feedback resistor; and a second inverter connected in series to the first inverter and forming a self-biased clock signal amplifier together with the first inverter. A first resistor connected between a bias voltage supply power supply and an input side of the first inverter; a second resistor connected between an input side of the first inverter and a ground portion; At the time of startup by the AC signal source, the voltage by the bias voltage supply power supply is divided by the first and second resistors, and a bias voltage for steepening the voltage rise is supplied. Things.

【0019】第13の発明に係る半導体集積回路では、
第1および第2のインバータにより構成される自己バイ
アス型クロック信号増幅器によって生成されたクロック
信号のカウント動作を行うカウンタ回路を設けるととも
に、前記カウンタ回路によって所定の動作を行わせるた
めのクロックカウント数を設定可能としたものである。
In the semiconductor integrated circuit according to the thirteenth aspect,
A counter circuit for performing a count operation of a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier constituted by first and second inverters is provided, and a clock count number for causing the counter circuit to perform a predetermined operation is provided. It can be set.

【0020】第14の発明に係る半導体集積回路では、
第1および第2のインバータにより構成される自己バイ
アス型クロック信号増幅器によって生成されたクロック
信号のカウント動作を行うカウンタ回路を設けるととも
に、前記カウンタ回路によって所定の動作を行わせるた
めのクロックカウント数を設定するカウント数レジスタ
を設けたものである。
In a semiconductor integrated circuit according to a fourteenth aspect,
A counter circuit for performing a count operation of a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier constituted by first and second inverters is provided, and a clock count number for causing the counter circuit to perform a predetermined operation is provided. It is provided with a count number register to be set.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】実施の形態1.この発明による実
施の形態1を、図1および図2について説明する。図1
は、実施の形態1における構成を示す接続図である。図
2は、実施の形態1における動作を従来技術と対比して
示すイメージ図である。図2(a)は従来技術の動作を
示し、図2(b)は実施の形態1における動作を示す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 First Embodiment A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Figure 1
3 is a connection diagram illustrating a configuration according to Embodiment 1. FIG. FIG. 2 is an image diagram showing an operation in the first embodiment in comparison with a conventional technique. FIG. 2A shows the operation of the related art, and FIG. 2B shows the operation in the first embodiment.

【0022】図1において、1はカップリング容量、2
は交流信号源、3は帰還抵抗、4は一段目のインバータ
からなる第1のインバータ、5は二段目のインバータか
らなる第2のインバータ、6はオペアンプOP−Amp
により構成される基準電圧源、7はカウンタ回路、8は
基準電圧源6を構成するオペアンプOP−Ampを制御
するOP−Amp制御回路である。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a coupling capacity;
Is an AC signal source, 3 is a feedback resistor, 4 is a first inverter composed of a first-stage inverter, 5 is a second inverter composed of a second-stage inverter, and 6 is an operational amplifier OP-Amp.
, A counter circuit 7, and an OP-Amp control circuit 8 for controlling an operational amplifier OP-Amp constituting the reference voltage source 6.

【0023】図1に示す実施の形態1の構成では、従来
の自己バイアス型クロック信号増幅器に加え、オペアン
プOP−Ampより構成される基準電圧源6,カウンタ
回路7,OP−Amp制御回路8を備えた構成を持つ。
ここで、帰還抵抗3,インバータ4,5,基準電圧源
6,カウンタ回路7およびOP−Amp制御回路8は、
図1に示すように、IC内部において半導体集積回路と
して集積化され、カップリング容量1および交流信号源
2はIC外部に設けられている。インバータ4,5によ
り生成されたクロック信号は、IC内部において集積形
成された内部ロジック回路へ供給される。
In the configuration of the first embodiment shown in FIG. 1, in addition to a conventional self-biased clock signal amplifier, a reference voltage source 6, a counter circuit 7, and an OP-Amp control circuit 8 comprising an operational amplifier OP-Amp are provided. It has a equipped configuration.
Here, the feedback resistor 3, the inverter 4, the reference voltage source 6, the counter circuit 7, and the OP-Amp control circuit 8
As shown in FIG. 1, the IC is integrated as a semiconductor integrated circuit inside the IC, and the coupling capacitor 1 and the AC signal source 2 are provided outside the IC. The clock signal generated by the inverters 4 and 5 is supplied to an internal logic circuit integrated and formed inside the IC.

【0024】基準電圧源6は一段目のインバータ4にお
ける入力側のA点にバイアス点電圧を供給し、信号源立
ち上げを始点とするA点電位の立ち上がりを図2(b)
に示すように急峻に変化させる。その結果、内部ロジッ
クへのクロック入力を早めることが可能となる。図2
(a)は、図2(b)と対比するため、従来技術による
A点電位の立ち上がりおよびクロック信号出力を示した
ものであって、この発明による図2(b)のものは、従
来技術による図2(a)のものに比べて、A点電位の立
ち上がりおよびクロック信号出力が早く急峻に変化して
いることが示されている。
The reference voltage source 6 supplies a bias point voltage to the point A on the input side of the first-stage inverter 4, and the rise of the potential at the point A starting from the rise of the signal source is shown in FIG.
As shown in FIG. As a result, the clock input to the internal logic can be hastened. FIG.
2A shows the rise of the potential at the point A and the clock signal output according to the prior art for comparison with FIG. 2B, and FIG. 2B according to the present invention illustrates the conventional technique. 2A shows that the rise of the potential at the point A and the output of the clock signal change faster and sharper than those in FIG.

【0025】また、カウンタ回路7は内部ロジックへの
クロック入力をカウントし、規定の回数に達するとオペ
アンプOP−Amp制御回路8へ信号を送る。オペアン
プOP−Ampを制御するOP−Amp制御回路8で
は,カウンタ回路7からの信号により、自己バイアス型
クロック信号が定常状態となり安定したクロックを供給
し始めたと認識し、基準電圧源6を構成するオペアンプ
OP−Ampをオフし、バイアス点電圧供給を中止する
ことにより電流の増大を最小限に抑える。なお、ここ
で、インバータ4,5の替わりにNANDゲート,NO
Rゲートを用いても、制御入力付きインバータとみなす
ことができるので論理的には等価である。
The counter circuit 7 counts the number of clock inputs to the internal logic, and sends a signal to the operational amplifier OP-Amp control circuit 8 when the count reaches a specified number. The OP-Amp control circuit 8 that controls the operational amplifier OP-Amp recognizes that the self-biased clock signal has entered a steady state and has started to supply a stable clock based on the signal from the counter circuit 7, and configures the reference voltage source 6. By turning off the operational amplifier OP-Amp and stopping the supply of the bias point voltage, the increase in current is minimized. Here, instead of the inverters 4 and 5, a NAND gate, NO
Even if an R gate is used, it can be regarded as an inverter with a control input, so that it is logically equivalent.

【0026】この発明による実施の形態1によれば、交
流信号源2からの入力電圧によりクロック信号を生成す
る自己バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積
回路において、前記信号源2の立ち上げ時に、前記交流
信号源2によるバイアス点電圧に対してバイアス電圧を
印加し電圧の立ち上がりを急峻に変化させるオペアンプ
OP−Ampで構成された基準電圧源6からなる電圧供
給手段を設けるとともに、自己バイアス型クロック信号
増幅器によって生成されたクロック信号のカウント動作
を行うカウンタ回路7を設け、クロック信号の生成が安
定した後は、前記カウンタ回路7のカウント値に応じて
前記基準電圧6からなる電圧供給手段を制御することに
より前記電圧供給手段によるバイアス電圧の印加を停止
するようにしたので、安定したクロック信号を速やかに
供給し、かつ電流の増大は最小限に抑えることが可能な
自己バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積回
路を得ることができる。
According to the first embodiment of the present invention, in a semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier for generating a clock signal based on an input voltage from an AC signal source 2, when the signal source 2 starts up, A voltage supply means comprising a reference voltage source 6 comprising an operational amplifier OP-Amp for applying a bias voltage to the bias point voltage from the AC signal source 2 and changing the rising of the voltage sharply is provided. A counter circuit for counting the clock signal generated by the signal amplifier is provided, and after the generation of the clock signal is stabilized, the voltage supply means comprising the reference voltage is controlled according to the count value of the counter circuit; The application of the bias voltage by the voltage supply means is stopped. , Stable clock signal is promptly supplied, and the increase in current can be obtained a semiconductor integrated circuit having a self-bias type clock signal amplifier that can be minimized.

【0027】実施の形態2.この発明による実施の形態
2を、図3について説明する。図3は、実施の形態2に
おける構成を示す接続図である。図3において、1はカ
ップリング容量、2は交流信号源、3は帰還抵抗、4は
一段目のインバータからなる第1のインバータ、5は二
段目のインバータからなる第2のインバータ、6はオペ
アンプOP−Ampにより構成される基準電圧源、7は
カウンタ回路、8は基準電圧源を構成するオペアンプO
P−Ampを制御するOP−Amp制御回路、9はリフ
ァレンス電圧源である。
Embodiment 2 FIG. Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a connection diagram showing a configuration according to the second embodiment. In FIG. 3, reference numeral 1 denotes a coupling capacitor, 2 denotes an AC signal source, 3 denotes a feedback resistor, 4 denotes a first inverter including a first-stage inverter, 5 denotes a second inverter including a second-stage inverter, and 6 denotes a second inverter. A reference voltage source constituted by an operational amplifier OP-Amp, 7 is a counter circuit, 8 is an operational amplifier O constituting a reference voltage source
An OP-Amp control circuit for controlling P-Amp, and 9 is a reference voltage source.

【0028】図3に示す実施の形態2の構成では、実施
の形態1の構成に加え、さらにリファレンス電圧源9を
備えた構成を持つ。ここで、帰還抵抗3,インバータ
4,5,基準電圧源6,カウンタ回路7,OP−Amp
制御回路8およびリファレンス電源9は、図3に示すよ
うに、IC内部において半導体集積回路として集積化さ
れ、カップリング容量1および交流信号源2はIC外部
に設けられている。インバータ4,5により生成された
クロック信号は、IC内部において集積形成された内部
ロジック回路へ供給される。
The configuration of the second embodiment shown in FIG. 3 has a configuration further including a reference voltage source 9 in addition to the configuration of the first embodiment. Here, feedback resistor 3, inverter 4, 5, reference voltage source 6, counter circuit 7, OP-Amp
As shown in FIG. 3, the control circuit 8 and the reference power supply 9 are integrated as a semiconductor integrated circuit inside the IC, and the coupling capacitance 1 and the AC signal source 2 are provided outside the IC. The clock signal generated by the inverters 4 and 5 is supplied to an internal logic circuit integrated and formed inside the IC.

【0029】実施の形態2では、リファレンス電圧源9
を帰還抵抗3および一段目のインバータ4からなる自己
バイアス型クロック信号増幅器の入力部と同一の構成と
し、リファレンス電圧源9によるリファレンス電圧を基
準電圧源6を構成するオペアンプOP−Ampの正入力
端子に供給して、基準電圧源6によりA点に供給するバ
イアス電圧の精度を向上させる。これにより、クロック
が安定するまでに要する時間をさらに短縮することがで
きる。なお、ここで、インバータ4,5の替わりにNA
NDゲート,NORゲートを用いても、制御入力付きイ
ンバータとみなすことができるので論理的には等価であ
る。
In the second embodiment, the reference voltage source 9
Has the same configuration as the input section of the self-biased clock signal amplifier including the feedback resistor 3 and the first-stage inverter 4, and the reference voltage from the reference voltage source 9 is used as the positive input terminal of the operational amplifier OP-Amp that forms the reference voltage source 6 To improve the accuracy of the bias voltage supplied to the point A by the reference voltage source 6. As a result, the time required for the clock to stabilize can be further reduced. Here, instead of inverters 4 and 5, NA
Even if an ND gate and a NOR gate are used, they can be regarded as an inverter with a control input, so that they are logically equivalent.

【0030】この発明による実施の形態2によれば、交
流信号源からの入力電圧によりクロック信号を生成する
自己バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積回
路において、前記信号源の立ち上げ時に、前記交流信号
源による電圧に対してバイアス電圧を印加し電圧の立ち
上がりを急峻に変化させるオペアンプOP−Ampから
なる電圧供給手段を設けるとともに、リファレンス電圧
源9を帰還抵抗3および一段目のインバータ4からなる
自己バイアス型クロック信号増幅器の入力部と同一の構
成を持ち、オペアンプOP−Ampの正入力端子にリフ
ァレンス電圧を供給するリファレンス電圧源を設けたの
で、安定したクロック信号を速やかに供給し、かつ電流
の増大は最小限に抑えることを可能とするとともに、的
確なバイアス電圧の設定によってクロック信号が安定す
るまでに要する時間をより短縮できる自己バイアス型ク
ロック信号増幅器を持つ半導体集積回路を得ることがで
きる。
According to the second embodiment of the present invention, in a semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier for generating a clock signal based on an input voltage from an AC signal source, when starting up the signal source, A voltage supply means comprising an operational amplifier OP-Amp for applying a bias voltage to the voltage from the signal source to sharply change the rise of the voltage is provided, and the reference voltage source 9 is provided by a self-consistent circuit comprising the feedback resistor 3 and the first-stage inverter 4. It has the same configuration as the input part of the bias type clock signal amplifier, and a reference voltage source for supplying a reference voltage to the positive input terminal of the operational amplifier OP-Amp is provided. The increase can be minimized and the correct bias voltage Clock signal by setting it is possible to obtain a semiconductor integrated circuit having a self-bias type clock signal amplifier can be further shorten the time required to stabilize.

【0031】実施の形態3.この発明による実施の形態
3を、図4について説明する。図4は、実施の形態3に
おける構成を示す接続図である。
Embodiment 3 Third Embodiment A third embodiment according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a connection diagram showing a configuration according to the third embodiment.

【0032】図4において、1はカップリング容量、2
は交流信号源、11,12,…,13はスイッチ素子S
Wにより選択される帰還抵抗、4は一段目のインバータ
からなる第1のインバータ、5は二段目のインバータか
らなる第2のインバータ、7はカウンタ回路、10はス
イッチ素子SWのオン・オフを制御するSW制御回路で
ある。
In FIG. 4, reference numeral 1 denotes a coupling capacity;
.., 13 are switch elements S
W is a feedback resistor selected by W, 4 is a first inverter composed of a first-stage inverter, 5 is a second inverter composed of a second-stage inverter, 7 is a counter circuit, and 10 is an on / off switch element SW. This is a SW control circuit for controlling.

【0033】図4では、自己バイアス型クロック信号増
幅器に加え、SW制御回路10およびスイッチ素子SW
により選択される帰還抵抗11,12,…,13を備え
た構成を持つ。ここで、帰還抵抗3,インバータ4,
5,カウンタ回路7,SW制御回路10,スイッチ素子
SWおよび帰還抵抗11,12,…,13は、図4に示
すように、IC内部において半導体集積回路として集積
化され、カップリング容量1および交流信号源2はIC
外部に設けられている。インバータ4,5により生成さ
れたクロック信号は、IC内部において集積形成された
内部ロジック回路へ供給される。
In FIG. 4, in addition to the self-biased clock signal amplifier, the SW control circuit 10 and the switch element SW
, 13 are selected. Here, feedback resistor 3, inverter 4,
5, the counter circuit 7, the SW control circuit 10, the switch element SW and the feedback resistors 11, 12,..., 13 are integrated as a semiconductor integrated circuit inside the IC, as shown in FIG. Signal source 2 is an IC
It is provided outside. The clock signal generated by the inverters 4 and 5 is supplied to an internal logic circuit integrated and formed inside the IC.

【0034】実施の形態3では、カウンタ回路7により
内部ロジックへのクロック入力をカウントし、任意の回
数(N1,N2,…,NM)に達するとSW制御回路1
0へ順次信号を送るものとする。スイッチ素子SWによ
り選択される帰還抵抗11,12,…,13は、全体と
しての帰還抵抗の抵抗値が信号源立ち上げ時は従来の自
己バイアス型クロック信号増幅器における帰還抵抗の抵
抗値より十分に小さな値となるように、また、SW制御
回路10から順次送られてくる信号により徐々に大きな
値となるような構成をとるものとする。
In the third embodiment, the clock input to the internal logic is counted by the counter circuit 7, and when the clock reaches an arbitrary number (N1, N2,..., NM), the SW control circuit 1
Signals are sequentially sent to 0. The feedback resistors 11, 12,..., 13 selected by the switch element SW have a total feedback resistance sufficiently higher than the resistance of the feedback resistor in the conventional self-biased clock signal amplifier when the signal source starts up. It is assumed that the configuration is such that the value gradually becomes larger by a signal sequentially sent from the SW control circuit 10 so that the value becomes smaller.

【0035】実施の形態3では、信号源立ち上げ時は全
体の帰還抵抗を十分に小さな値とすることにより、カッ
プリング容量1および全体の帰還抵抗により決定される
時定数を小さくし、一段目のインバータ4の入力側にお
けるA点電位の立ち上がりを図4に示すように急峻に変
化させる。その結果内部ロジックへのクロック入力を早
めることが可能となる。また、クロック安定供給が始ま
りカウントが進むにつれ全体の帰還抵抗を徐々に大きな
値と変化させることにより、電流の増大を最小限に抑え
る。なお、ここで、インバータ4,5の替わりにNAN
Dゲート,NORゲートを用いても、制御入力付きイン
バータとみなすことができるので論理的には等価であ
る。
In the third embodiment, the time constant determined by the coupling capacitance 1 and the overall feedback resistance is reduced by setting the overall feedback resistance to a sufficiently small value at the time of starting the signal source. The rise of the potential at the point A on the input side of the inverter 4 is sharply changed as shown in FIG. As a result, the clock input to the internal logic can be hastened. Further, as the stable supply of the clock is started and the count is advanced, the overall feedback resistance is gradually changed to a large value, thereby minimizing an increase in current. Here, NAN is used instead of inverters 4 and 5.
Even if a D gate and a NOR gate are used, they can be regarded as an inverter with a control input, so that they are logically equivalent.

【0036】この発明による実施の形態3によれば、第
1および第2のインバータ4,5により構成される自己
バイアス型クロック信号増幅器によって生成されたクロ
ック信号のカウント動作を行うカウンタ回路7を設け、
前記カウンタ回路7のカウント値に応じて回路構成を可
変とするようにしたので、安定したクロック信号を速や
かに供給し、かつ電流の増大は最小限に抑えることが可
能な自己バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集
積回路を得ることができるとともに、生成されるクロッ
ク信号のカウント動作を行うカウンタ回路のカウント値
により、クロック信号の生成状況に応じた適切な回路構
成とすることができ、的確なクロック信号の生成を行う
ことができる。
According to the third embodiment of the present invention, the counter circuit 7 for counting the clock signal generated by the self-biased clock signal amplifier constituted by the first and second inverters 4 and 5 is provided. ,
Self-biased clock signal amplifier capable of quickly supplying a stable clock signal and minimizing an increase in current because the circuit configuration is made variable in accordance with the count value of the counter circuit 7. A semiconductor integrated circuit having a clock signal can be obtained, and the count value of the counter circuit that performs the count operation of the generated clock signal can be used to form an appropriate circuit configuration according to the generation state of the clock signal. A signal can be generated.

【0037】また、この発明による実施の形態3によれ
ば、帰還抵抗11,12,…,13を並列に接続された
第1のインバータ4と、前記第1のインバータ4に直列
に接続され前記第1のインバータ4とともに自己バイア
ス型クロック信号増幅器を構成する第2のインバータ5
と、前記第1および第2のインバータ4,5により構成
された自己バイアス型クロック信号増幅器によって生成
されたクロック信号のカウント動作を行うカウンタ回路
7を備え、前記カウンタ回路7のカウント値に応じて信
号源2の立ち上げ時に自己バイアス型クロック信号増幅
器における帰還抵抗11,12,…,13による抵抗値
を比較的小さくし、前記カウンタ回路7のカウント値の
増加に応じて自己バイアス型クロック信号増幅器におけ
る帰還抵抗11,12,…,13による抵抗値を大きく
するようにしたので、カウンタ回路7のカウント値に応
じて帰還抵抗11,12,…,13による抵抗値を制御
することにより、安定したクロック信号を速やかに供給
し、かつ電流の増大は最小限に抑えることが可能な自己
バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積回路を
得ることができる。
According to the third embodiment of the present invention, the first inverter 4 having feedback resistors 11, 12,..., 13 connected in parallel, and the first inverter 4 connected in series to the first inverter 4, Second inverter 5 constituting a self-biased clock signal amplifier together with first inverter 4
And a counter circuit 7 that counts a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier constituted by the first and second inverters 4 and 5 according to a count value of the counter circuit 7. When the signal source 2 rises, the resistance value of the feedback resistors 11, 12,..., 13 in the self-biased clock signal amplifier is made relatively small, and the self-biased clock signal amplifier is increased in accordance with the increase in the count value of the counter circuit 7. , 13 are increased, the resistance value of the feedback resistors 11, 12,..., 13 is controlled in accordance with the count value of the counter circuit 7, thereby stabilizing the resistance value. Self-biased clock that can supply a clock signal quickly and minimize the increase in current It is possible to obtain a semiconductor integrated circuit having a signal amplifier.

【0038】実施の形態4.この発明による実施の形態
4を、図5について説明する。図5は、実施の形態4に
おける構成を示す接続図である。
Embodiment 4 FIG. Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a connection diagram showing a configuration according to the fourth embodiment.

【0039】図5において、1はカップリング容量、2
は交流信号源、3は帰還抵抗、14,15,…,16は
一段目のインバータからなる第1のインバータとしてス
イッチ素子SWにより選択されるインバータ、5は二段
目のインバータからなる第2のインバータ、7はカウン
タ回路、10はスイッチ素子SWのオン・オフを制御す
るSW制御回路である。
In FIG. 5, reference numeral 1 denotes a coupling capacity;
, 16 are inverters selected by the switch element SW as first inverters of the first-stage inverter, and 5 is a second inverter of the second-stage inverter. Inverter, 7 is a counter circuit, and 10 is a SW control circuit for controlling ON / OFF of the switch element SW.

【0040】図5では、従来の自己バイアス型クロック
信号増幅器に加え、SW制御回路10を、また一段目イ
ンバータ4の替わりにSWにより選択されるインバータ
14,15,…,16を備えた構成を持つ。ここで、帰
還抵抗3,インバータ4,5,基準電圧源6,カウンタ
回路7,SW制御回路10,スイッチ素子SWおよびイ
ンバータ14,15,…,16は、図5に示すように、
IC内部において半導体集積回路として集積化され、カ
ップリング容量1および交流信号源2はIC外部に設け
られている。インバータ4,5により生成されたクロッ
ク信号は、IC内部において集積形成された内部ロジッ
ク回路へ供給される。
In FIG. 5, in addition to the conventional self-biased clock signal amplifier, a configuration including a SW control circuit 10 and inverters 14, 15,..., 16 selected by SW instead of the first-stage inverter 4 is shown. Have. Here, the feedback resistor 3, inverter 4, 5, reference voltage source 6, counter circuit 7, SW control circuit 10, switch element SW and inverters 14, 15,...
The IC is integrated as a semiconductor integrated circuit inside the IC, and the coupling capacitor 1 and the AC signal source 2 are provided outside the IC. The clock signal generated by the inverters 4 and 5 is supplied to an internal logic circuit integrated and formed inside the IC.

【0041】実施の形態4では、カウンタ回路7により
内部ロジックへのクロック入力をカウントし、既定の回
数(N1,N2,…,NM)に達するとSW制御回路1
0へ順次信号を送るものとする。スイッチ素子SWによ
り選択されるインバータ14,15,…,16は、信号
源立ち上げ時はインバータの能力の高いものを選択し、
また、SW制御回路10より順次送られてくる信号によ
り徐々に能力の低いものを選択する構成をとるものとす
る。
In the fourth embodiment, the clock input to the internal logic is counted by the counter circuit 7, and when a predetermined number (N1, N2,..., NM) is reached, the SW control circuit 1
Signals are sequentially sent to 0. The inverters 14, 15,..., 16 selected by the switch element SW are selected when the signal source is started up.
In addition, a configuration is adopted in which a signal having a gradually lower capacity is selected based on a signal sequentially transmitted from the SW control circuit 10.

【0042】実施の形態4では、信号源立ち上げ時は高
性能インバータを使用することでA点電位が低くても動
作することにより内部ロジックへのクロック入力を早め
ることが可能となる。また、クロックの安定供給が始ま
りカウントが進むにつれ徐々に低性能インバータを使用
することで電流の増大を最小限に抑える。なお、ここ
で、インバータ14,15,…16,5の替わりにNA
NDゲート,NORゲートを用いても、制御入力付きイ
ンバータとみなすことができるので論理的には等価であ
る。
In the fourth embodiment, when a signal source is started, a high-performance inverter is used to operate even if the potential at the point A is low, thereby making it possible to hasten the clock input to the internal logic. In addition, as the clock is supplied stably and the count advances, the use of a low-performance inverter gradually minimizes the increase in current. Here, instead of the inverters 14, 15,.
Even if an ND gate and a NOR gate are used, they can be regarded as an inverter with a control input, so that they are logically equivalent.

【0043】この発明による実施の形態4によれば、帰
還抵抗を並列に接続された第1のインバータ14,1
5,…,16と、前記第1のインバータ4に直列に接続
され前記第1のインバータ4とともに自己バイアス型ク
ロック信号増幅器を構成する第2のインバータ5と、前
記第1および第2のインバータ14,15,…,16,
5により構成される自己バイアス型クロック信号増幅器
によって生成されたクロック信号のカウント動作を行う
カウンタ回路7とを備え、前記第1のインバータ14,
15,…,16として性能の異なる複数のインバータが
選択的に用いられるように構成するとともに、前記カウ
ンタ回路7のカウント値に応じて前記信号源の立ち上げ
時に高性能インバータを用い、前記カウンタ回路7のカ
ウント値の増加に応じて順次より低性能のインバータを
用いるようにしたので、カウンタ回路7のカウント値に
応じて一段目のインバータ14,15,…,16の性能
を選択することにより、安定したクロック信号を速やか
に供給し、かつ電流の増大は最小限に抑えることが可能
な自己バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積
回路を得ることができる。
According to the fourth embodiment of the present invention, the first inverters 14, 1 having feedback resistors connected in parallel are provided.
, 16, a second inverter 5 connected in series to the first inverter 4 and constituting a self-biased clock signal amplifier together with the first inverter 4, and the first and second inverters 14 , 15, ..., 16,
And a counter circuit 7 for counting the clock signal generated by the self-biased clock signal amplifier composed of the first inverter 14,
, 16, a plurality of inverters having different performances are selectively used, and a high-performance inverter is used when the signal source starts up according to the count value of the counter circuit 7. 7 are sequentially used in accordance with the increase of the count value of the counter circuit 7, so that the performance of the first-stage inverters 14, 15,... A semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier capable of quickly supplying a stable clock signal and minimizing an increase in current can be obtained.

【0044】実施の形態5.この発明による実施の形態
5を、図6について説明する。図6は、実施の形態5に
おける構成を示す接続図である。
Embodiment 5 FIG. Embodiment 5 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a connection diagram showing a configuration according to the fifth embodiment.

【0045】図6において、1はカップリング容量、2
は交流信号源、3は帰還抵抗、4は一段目のインバータ
からなる第1のインバータ、5は二段目のインバータか
らなる第2のインバータ、7はカウンタ回路、10はス
イッチ素子SWのオン・オフを制御するSW制御回路、
BVはバイアス電圧供給用電源、17,18はバイアス
電圧供給抵抗である。
In FIG. 6, reference numeral 1 denotes a coupling capacity;
Is an AC signal source, 3 is a feedback resistor, 4 is a first inverter composed of a first-stage inverter, 5 is a second inverter composed of a second-stage inverter, 7 is a counter circuit, and 10 is an on / off switch element SW. SW control circuit for controlling off,
BV is a bias voltage supply power supply, and 17 and 18 are bias voltage supply resistors.

【0046】図6では、実施の形態1における基準電圧
を、スイッチ素子SWにより選択されるバイアス電圧供
給抵抗17,18を用いた抵抗分割により構成するバイ
アス電圧源に置換した構成を持つ。ここで、帰還抵抗
3,インバータ4,5,カウンタ回路7,SW制御回路
10,スイッチ素子SWおよびバイアス電圧供給抵抗1
7,18は、図6に示すように、IC内部において半導
体集積回路として集積化され、カップリング容量1およ
び交流信号源2はIC外部に設けられている。インバー
タ4,5により生成されたクロック信号は、IC内部に
おいて集積形成された内部ロジック回路へ供給される。
FIG. 6 shows a configuration in which the reference voltage in the first embodiment is replaced with a bias voltage source configured by resistance division using bias voltage supply resistors 17 and 18 selected by the switch element SW. Here, feedback resistor 3, inverter 4, 5, counter circuit 7, SW control circuit 10, switch element SW and bias voltage supply resistor 1
As shown in FIG. 6, the reference numerals 7 and 18 are integrated as a semiconductor integrated circuit inside the IC, and the coupling capacitance 1 and the AC signal source 2 are provided outside the IC. The clock signal generated by the inverters 4 and 5 is supplied to an internal logic circuit integrated and formed inside the IC.

【0047】バイアス電圧供給用抵抗17,18を用い
た抵抗分割により構成するバイアス電圧源はA点にバイ
アス点電圧を供給し、信号源立ち上げを始点とするA点
電位の立ち上がりを急峻に変化させる。その結果、内部
ロジックへのクロック入力を早めることが可能となる。
また、カウンタ回路7は内部ロジックへのクロック入力
をカウントし、既定の回数に達するとSW制御回路10
へ信号を送る。SW制御回路10ではカウンタ回路7か
らの信号により、バイアス電圧供給用抵抗17,18の
スイッチ素子SWを開放することにより、電流の増大を
最小限に抑える。なお、ここで、インバータ4,5の替
わりにNANDゲート,NORゲートを用いても、制御
入力付きインバータとみなすことができるので論理的に
は等価である。
A bias voltage source constructed by resistance division using the bias voltage supply resistors 17 and 18 supplies a bias point voltage to point A, and the rising of the potential at point A starting from the rise of the signal source changes sharply. Let it. As a result, the clock input to the internal logic can be hastened.
The counter circuit 7 counts the number of clock inputs to the internal logic, and when a predetermined number is reached, the SW control circuit 10
Send a signal to The SW control circuit 10 opens the switch elements SW of the bias voltage supply resistors 17 and 18 based on a signal from the counter circuit 7 to minimize an increase in current. Here, even if a NAND gate or a NOR gate is used instead of the inverters 4 and 5, it can be regarded as an inverter with a control input, so that it is logically equivalent.

【0048】この発明による実施の形態5によれば、帰
還抵抗を並列に接続された第1のインバータ4と、前記
第1のインバータ4に直列に接続され前記第1のインバ
ータ4とともに自己バイアス型クロック信号増幅器を構
成する第2のインバータと備えたものにおいて、バイア
ス電圧供給用電源BVと前記第1のインバータ4の入力
側との間に接続された第1の抵抗17と、前記第1のイ
ンバータ4の入力側と接地部位との間に接続された第2
の抵抗18とを設け、前記交流信号源2による立ち上げ
時に、前記バイアス電圧供給用電源BVによる電圧を前
記第1および第2の抵抗17,18により分割し、電圧
の立ち上がりを急峻にするためのバイアス電圧を供給す
るようにしたので、バイアス電圧供給用電源BVによる
電圧を前記第1および第2の抵抗17,18によって分
割することにより、安定したクロック信号を速やかに供
給し、かつ電流の増大は最小限に抑えることが可能な自
己バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積回路
を得ることができる。
According to the fifth embodiment of the present invention, the first inverter 4 having a feedback resistor connected in parallel and the self-biased type connected together with the first inverter 4 in series with the first inverter 4 are provided. A first resistor 17 connected between a bias voltage supply power supply BV and an input side of the first inverter 4; and a first resistor 17 connected to a second inverter constituting a clock signal amplifier. A second terminal connected between the input side of the inverter 4 and the ground part
And the voltage from the bias voltage supply power supply BV is divided by the first and second resistors 17 and 18 at the time of startup by the AC signal source 2 so that the voltage rises steeply. Is supplied, the voltage from the bias voltage supply power supply BV is divided by the first and second resistors 17 and 18 so that a stable clock signal is quickly supplied and the current is reduced. A semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier whose increase can be minimized can be obtained.

【0049】実施の形態6.この発明による実施の形態
6を、図7について説明する。図7は、実施の形態6の
構成を示す接続図である。図1において、1はカップリ
ング容量、2は交流信号源、3は帰還抵抗、4は一段目
のインバータからなる第1のインバータ、5は二段目の
インバータからなる第2のインバータ、6はオペアンプ
OP−Ampにより構成される基準電圧源、7はカウン
タ回路、8は基準電圧源6を構成するオペアンプOP−
Ampを制御するOP−Amp制御回路、19はカウン
タ回路7のカウント数を設定するためのカウント数レジ
スタである。なお、ここで、インバータ4,5の替わり
にNANDゲート,NORゲートを用いても、制御入力
付きインバータとみなすことができるので論理的には等
価である。
Embodiment 6 FIG. Embodiment 6 of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a connection diagram showing a configuration of the sixth embodiment. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a coupling capacitor, 2 denotes an AC signal source, 3 denotes a feedback resistor, 4 denotes a first inverter including a first-stage inverter, 5 denotes a second inverter including a second-stage inverter, and 6 denotes a second inverter. A reference voltage source composed of an operational amplifier OP-Amp, 7 is a counter circuit, and 8 is an operational amplifier OP-
An OP-Amp control circuit for controlling Amp, and 19 is a count number register for setting the count number of the counter circuit 7. Here, even if a NAND gate or a NOR gate is used instead of the inverters 4 and 5, it can be regarded as an inverter with a control input, so that it is logically equivalent.

【0050】図7では、実施の形態1の構成に対し、カ
ウント数レジスタ19を加えたものである。ここで、帰
還抵抗3,インバータ4,5,基準電圧源6,カウンタ
回路7,OP−Amp制御回路8およびカウント数レジ
スタ19は、図7に示すように、IC内部において半導
体集積回路として集積化され、カップリング容量1およ
び交流信号源2はIC外部に設けられている。インバー
タ4,5により生成されたクロック信号は、IC内部に
おいて集積形成された内部ロジック回路へ供給される。
In FIG. 7, a count number register 19 is added to the configuration of the first embodiment. Here, the feedback resistor 3, inverter 4, 5, reference voltage source 6, counter circuit 7, OP-Amp control circuit 8 and count number register 19 are integrated as a semiconductor integrated circuit inside the IC as shown in FIG. The coupling capacitor 1 and the AC signal source 2 are provided outside the IC. The clock signal generated by the inverters 4 and 5 is supplied to an internal logic circuit integrated and formed inside the IC.

【0051】実施の形態1では安定したクロック供給が
始まったかどうかの判別に用いるクロックカウント数を
既定としていたが、この実施の形態6ではソフトウエア
S/W等による制御によりカウント数レジスタ19にク
ロックカウント数を書き込む。これにより、実際の動作
条件に最適のクロックカウント数を設定することが可能
になる。
In the first embodiment, the clock count used to determine whether or not the stable clock supply has started is predetermined. In the sixth embodiment, however, the count number register 19 is controlled by software S / W or the like. Write the count number. As a result, it is possible to set an optimal clock count for an actual operating condition.

【0052】なお、同様に、実施の形態2〜5の構成に
カウント数レジスタ19を加え、同様の動作を行わせる
ことも可能である。
Similarly, it is also possible to add a count number register 19 to the configuration of the second to fifth embodiments to perform the same operation.

【0053】図3に示す実施の形態2については、カウ
ンタ回路7の動作カウント数を設定するカウント数レジ
スタを設け、このカウント数レジスタに設定されたカウ
ント数によって、リファレンス電圧源9を正入力端子に
接続するオペアンプOP−ampからなる基準電圧源6
によるバイアス電圧供給動作を制御することができる。
In the second embodiment shown in FIG. 3, a count number register for setting the operation count number of the counter circuit 7 is provided, and the reference voltage source 9 is connected to the positive input terminal according to the count number set in the count number register. Reference voltage source 6 composed of operational amplifier OP-amp connected to
To control the bias voltage supply operation.

【0054】図4に示す実施の形態3については、カウ
ンタ回路7の動作カウント数を設定するカウント数レジ
スタを設け、このカウント数レジスタに設定されたカウ
ント数により、帰還抵抗11,12,…,13の接続を
オン・オフ制御するスイッチ素子SWに制御信号を供給
するSW制御回路10の制御信号供給動作を制御するこ
とができる。
In the third embodiment shown in FIG. 4, a count register for setting the operation count of the counter circuit 7 is provided, and the feedback resistors 11, 12,... It is possible to control the control signal supply operation of the SW control circuit 10 that supplies a control signal to the switch element SW that controls ON / OFF of the connection of the connection 13.

【0055】図5に示す実施の形態4については、カウ
ンタ回路7の動作カウント数を設定するカウント数レジ
スタを設け、このカウント数レジスタに設定されたカウ
ント数により、インバータ14,15,…,16の接続
を選択制御するスイッチ素子SWに制御信号を供給する
SW制御回路10の制御信号供給動作を制御することが
できる。
In the fourth embodiment shown in FIG. 5, a count register for setting the operation count of the counter circuit 7 is provided, and the inverters 14, 15,... The control signal supply operation of the SW control circuit 10 that supplies a control signal to the switch element SW that selectively controls the connection of the switches can be controlled.

【0056】図6に示す実施の形態5については、カウ
ンタ回路7の動作カウント数を設定するカウント数レジ
スタを設け、このカウント数レジスタに設定されたカウ
ント数により、抵抗17,18の接続をオン・オフ制御
するスイッチ素子SWに制御信号を供給するSW制御回
路10の制御信号供給動作を制御することができる。
In the fifth embodiment shown in FIG. 6, a count number register for setting the operation count number of the counter circuit 7 is provided, and the connection of the resistors 17 and 18 is turned on by the count number set in the count number register. The control signal supply operation of the SW control circuit 10 that supplies a control signal to the switch element SW to be turned off can be controlled.

【0057】この発明による実施の形態6によれば、自
己バイアス型クロック信号増幅器によって生成されたク
ロック信号のカウント動作を行うカウンタ回路7を設け
るとともに、前記カウンタ回路7により所定の動作を行
わせるためのクロックカウント数を設定するカウント数
レジスタを設けたので、安定したクロック信号を速やか
に供給し、かつ電流の増大は最小限に抑えることが可能
な自己バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積
回路を得ることができるとともに、カウント数レジスタ
により設定されるカウンタ回路7のクロックカウント数
により所定の動作を的確に行える効果がある。
According to the sixth embodiment of the present invention, the counter circuit 7 for counting the clock signal generated by the self-biased clock signal amplifier is provided, and the counter circuit 7 performs a predetermined operation. A semiconductor integrated circuit with a self-biased clock signal amplifier that can supply a stable clock signal quickly and minimize the current increase because of the provision of a count number register that sets the clock count number In addition to this, there is an effect that a predetermined operation can be accurately performed by the clock count number of the counter circuit 7 set by the count number register.

【0058】[0058]

【発明の効果】第1の発明によれば、交流信号源からの
入力電圧によりクロック信号を生成する自己バイアス型
クロック信号増幅器を持つ半導体集積回路において、前
記信号源の立ち上げ時に、前記交流信号源による電圧に
対してバイアス電圧を印加し電圧の立ち上がりを急峻に
変化させる電圧供給手段を設けたので、安定したクロッ
ク信号を速やかに供給し、かつ電流の増大は最小限に抑
えることが可能な自己バイアス型クロック信号増幅器を
持つ半導体集積回路を得ることができる。
According to the first aspect of the present invention, in a semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier for generating a clock signal by an input voltage from an AC signal source, when the signal source starts up, the AC signal A voltage supply means for applying a bias voltage to the voltage from the source and steeply changing the rise of the voltage is provided, so that a stable clock signal can be quickly supplied and an increase in current can be minimized. A semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier can be obtained.

【0059】第2の発明によれば、交流信号源からの入
力電圧によりクロック信号を生成する自己バイアス型ク
ロック信号増幅器を持つ半導体集積回路において、前記
信号源の立ち上げ時に、前記交流信号源による電圧に対
してバイアス電圧を印加し電圧の立ち上がりを急峻に変
化させるオペアンプからなる電圧供給手段を設けたの
で、オペアンプからなる電圧供給手段によるバイアス電
圧の印加により、安定したクロック信号を速やかに供給
し、かつ電流の増大は最小限に抑えることが可能な自己
バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積回路を
得ることができる。
According to the second aspect of the present invention, in a semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier for generating a clock signal based on an input voltage from an AC signal source, when the signal source starts up, the AC signal source Since a voltage supply means comprising an operational amplifier for applying a bias voltage to the voltage and changing the rise of the voltage sharply is provided, a stable clock signal can be promptly supplied by applying the bias voltage by the voltage supply means comprising the operational amplifier. It is possible to obtain a semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier capable of minimizing an increase in current.

【0060】第3の発明によれば、クロック信号の生成
が安定した後は、前記電圧供給手段によるバイアス電圧
の印加を停止するようにしたので、安定したクロック信
号を速やかに供給し、かつ電流の増大は安定後のバイア
ス電圧停止により最小限に抑えることが可能な自己バイ
アス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積回路を得る
ことができる。
According to the third aspect of the present invention, after the generation of the clock signal is stabilized, the application of the bias voltage by the voltage supply means is stopped. The semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier that can minimize the increase by the stop of the bias voltage after stabilization can be obtained.

【0061】第4の発明によれば、自己バイアス型クロ
ック信号増幅器によって生成されたクロック信号のカウ
ント動作を行うカウンタ回路を設け、前記カウンタ回路
のカウント値に応じて前記電圧供給手段を制御すること
により前記電圧供給手段によるバイアス電圧の印加を停
止するようにしたので、安定したクロック信号を速やか
に供給し、かつ電流の増大はカウンタ回路のカウント値
に応じた安定後のバイアス電圧停止により最小限に抑え
ることが可能な自己バイアス型クロック信号増幅器を持
つ半導体集積回路を得ることができる。
According to the fourth aspect, there is provided a counter circuit for counting the clock signal generated by the self-biased clock signal amplifier, and controlling the voltage supply means according to the count value of the counter circuit. As a result, the application of the bias voltage by the voltage supply means is stopped, so that a stable clock signal is quickly supplied, and the increase in current is minimized by stopping the bias voltage after the stabilization according to the count value of the counter circuit. Thus, a semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier that can be suppressed to a minimum can be obtained.

【0062】第5の発明によれば、オペアンプの正入力
端子にリファレンス電圧を供給するリファレンス電圧源
を設けたので、安定したクロック信号を速やかに供給
し、かつ電流の増大は安定後のバイアス電圧停止により
最小限に抑えることを可能とするとともに、的確なバイ
アス電圧の設定によってクロック信号が安定するまでに
要する時間をより短縮した自己バイアス型クロック信号
増幅器を持つ半導体集積回路を得ることができる。
According to the fifth aspect of the present invention, since the reference voltage source for supplying the reference voltage to the positive input terminal of the operational amplifier is provided, a stable clock signal is quickly supplied, and the increase of the current is caused by the stabilized bias voltage. It is possible to obtain a semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier in which the time required until the clock signal is stabilized can be shortened by setting a proper bias voltage, while minimizing the time by stopping the operation.

【0063】第6の発明によれば、自己バイアス型クロ
ック信号増幅器によって生成されたクロック信号のカウ
ント動作を行うカウンタ回路を設け、前記カウンタ回路
のカウント値に応じて回路構成を可変とするようにした
ので、クロック信号の生成状況に応じた適切な回路構成
とすることにより、安定したクロック信号を速やかに供
給し、かつ電流の増大は最小限に抑えることが可能な自
己バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積回路
を得ることができる。
According to the sixth aspect of the present invention, the counter circuit for counting the clock signal generated by the self-biased clock signal amplifier is provided, and the circuit configuration is made variable according to the count value of the counter circuit. Therefore, a self-biased clock signal amplifier capable of quickly supplying a stable clock signal and minimizing an increase in current can be provided by adopting an appropriate circuit configuration according to the generation state of the clock signal. And a semiconductor integrated circuit having the same.

【0064】第7の発明によれば、自己バイアス型クロ
ック信号増幅器によって生成されたクロック信号のカウ
ント動作を行うカウンタ回路を設け、前記カウンタ回路
のカウント値に応じて前記信号源の立ち上げ時に自己バ
イアス型クロック信号増幅器における帰還抵抗の抵抗値
を比較的小さくするようにしたので、カウンタ回路のカ
ウント値によって帰還抵抗の抵抗値を制御することによ
り、安定したクロック信号を速やかに供給し、かつ電流
の増大は最小限に抑えることが可能な自己バイアス型ク
ロック信号増幅器を持つ半導体集積回路を得ることがで
きる。
According to the seventh aspect of the invention, the counter circuit for counting the clock signal generated by the self-biased clock signal amplifier is provided, and when the signal source starts up according to the count value of the counter circuit. Since the resistance value of the feedback resistor in the bias type clock signal amplifier is made relatively small, a stable clock signal is quickly supplied by controlling the resistance value of the feedback resistor by the count value of the counter circuit, and the current is reduced. It is possible to obtain a semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier capable of minimizing the increase.

【0065】第8の発明によれば、帰還抵抗を並列に接
続された第1のインバータと、前記第1のインバータに
直列に接続された第2のインバータとからなる自己バイ
アス型クロック信号増幅器、前記自己バイアス型クロッ
ク信号増幅器によって生成されたクロック信号のカウン
ト動作を行うカウンタ回路を備え、前記カウンタ回路の
カウント値に応じて前記信号源の立ち上げ時に自己バイ
アス型クロック信号増幅器における帰還抵抗の抵抗値を
比較的小さくし、前記カウンタ回路のカウント値の増加
に応じて自己バイアス型クロック信号増幅器における帰
還抵抗の抵抗値を大きくするようにしたので、カウンタ
回路のカウント値の増加に応じて帰還抵抗の抵抗値を大
きくすることにより、安定したクロック信号を速やかに
供給し、かつ電流の増大は最小限に抑えることが可能な
自己バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積回
路を得ることができる。
According to the eighth aspect, a self-biased clock signal amplifier comprising a first inverter having a feedback resistor connected in parallel and a second inverter connected in series to the first inverter, A counter circuit for performing a count operation of a clock signal generated by the self-biased clock signal amplifier; and a resistance of a feedback resistor in the self-biased clock signal amplifier when the signal source starts up according to the count value of the counter circuit. Since the value of the feedback resistor in the self-biased clock signal amplifier is increased in accordance with the increase in the count value of the counter circuit, the feedback resistance is increased in accordance with the increase in the count value of the counter circuit. By increasing the resistance value, a stable clock signal can be supplied quickly and the current Increase it is possible to obtain a semiconductor integrated circuit having a self-bias type clock signal amplifier that can be minimized.

【0066】第9の発明によれば、自己バイアス型クロ
ック信号増幅器によって生成されたクロック信号のカウ
ント動作を行うカウンタ回路を設け、前記カウンタ回路
のカウント値に応じて前記信号源の立ち上げ時に比較的
高性能のインバータを用いるようにしたので、カウンタ
回路のカウント値の増加に応じてインバータの性能を選
択することにより、安定したクロック信号を速やかに供
給し、かつ電流の増大は最小限に抑えることが可能な自
己バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積回路
を得ることができる。
According to the ninth aspect, there is provided a counter circuit for counting the clock signal generated by the self-biased clock signal amplifier, and a comparison is made when the signal source starts up according to the count value of the counter circuit. High-performance inverters are used, so by selecting the performance of the inverter according to the increase in the count value of the counter circuit, a stable clock signal can be supplied promptly and the increase in current is minimized. A semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier capable of performing the above operation can be obtained.

【0067】第10の発明によれば、帰還抵抗を並列に
接続された第1のインバータと、前記第1のインバータ
に直列に接続された第2のインバータとからなる自己バ
イアス型クロック信号増幅器、前記自己バイアス型クロ
ック信号増幅器によって生成されたクロック信号のカウ
ント動作を行うカウンタ回路を備え、前記第1のインバ
ータとして性能の異なる複数のインバータが選択的に用
いられるように構成するとともに、前記カウンタ回路の
カウント値に応じて前記信号源の立ち上げ時に高性能イ
ンバータを用い、前記カウンタ回路のカウント値の増加
に応じて順次より低性能のインバータを用いるようにし
たので、カウンタ回路のカウント値の増加に応じてイン
バータの性能を順次選択することにより、安定したクロ
ック信号を速やかに供給し、かつ電流の増大は最小限に
抑えることが可能な自己バイアス型クロック信号増幅器
を持つ半導体集積回路を得ることができる。
According to the tenth aspect, a self-biased clock signal amplifier comprising a first inverter connected in parallel with a feedback resistor and a second inverter connected in series to the first inverter, A counter circuit that counts a clock signal generated by the self-biased clock signal amplifier; a plurality of inverters having different performances are selectively used as the first inverter; The high-performance inverter is used when the signal source is started in accordance with the count value of the counter circuit, and the lower-performance inverter is sequentially used in accordance with the increase in the count value of the counter circuit. Speed of stable clock signal by sequentially selecting inverter performance according to Supplied, and the increase in current can be obtained a semiconductor integrated circuit having a self-bias type clock signal amplifier that can be minimized.

【0068】第11の発明によれば、第1ないし第4の
発明において、前記電圧供給手段として抵抗分割により
バイアス電圧を供給するようにしたので、抵抗分割によ
るバイアス電圧の供給により、安定したクロック信号を
速やかに供給し、かつ電流の増大は最小限に抑えること
が可能な自己バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導
体集積回路を得ることができる。
According to the eleventh aspect, in the first to fourth aspects, the bias voltage is supplied by resistance division as the voltage supply means. Therefore, the supply of the bias voltage by resistance division provides a stable clock. A semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier that can supply a signal quickly and minimize an increase in current can be obtained.

【0069】第12の発明によれば、帰還抵抗を並列に
接続された第1のインバータと、前記第1のインバータ
に直列に接続された第2のインバータとからなる自己バ
イアス型クロック信号増幅器を備えたものにおいて、バ
イアス電圧供給用電源と前記第1のインバータの入力側
との間に接続された第1の抵抗と、前記第1のインバー
タの入力側と接地部位との間に接続された第2の抵抗と
を設け、前記交流信号源による立ち上げ時に、前記バイ
アス電圧供給用電源による電圧を前記第1および第2の
抵抗により分割し、電圧の立ち上がりを急峻にするため
のバイアス電圧を供給するようにしたので、前記第1の
抵抗と前記第2の抵抗との抵抗分割によるバイアス電圧
の供給により、安定したクロック信号を速やかに供給
し、かつ電流の増大は最小限に抑えることが可能な自己
バイアス型クロック信号増幅器を持つ半導体集積回路を
得ることができる。
According to the twelfth aspect, there is provided a self-biased clock signal amplifier comprising a first inverter having a feedback resistor connected in parallel and a second inverter connected in series to the first inverter. A first resistor connected between a bias voltage supply power supply and an input side of the first inverter; and a first resistor connected between an input side of the first inverter and a ground portion. A second resistor is provided, and at the time of startup by the AC signal source, a voltage by the bias voltage supply power supply is divided by the first and second resistors, and a bias voltage for steepening the rise of the voltage is set. Since the bias voltage is supplied, a stable clock signal is promptly supplied and a current is increased by supplying a bias voltage by resistance division of the first resistor and the second resistor. It is possible to obtain a semiconductor integrated circuit having a self-bias type clock signal amplifier that can be minimized.

【0070】第13の発明によれば、自己バイアス型ク
ロック信号増幅器によって生成されたクロック信号のカ
ウント動作を行うカウンタ回路を設けるとともに、前記
カウンタ回路により所定の動作を行わせるためのクロッ
クカウント数を設定可能としたので、安定したクロック
信号を速やかに供給し、かつ電流の増大は最小限に抑え
ることが可能な自己バイアス型クロック信号増幅器を持
つ半導体集積回路を得ることができるとともに、カウン
タ回路に設定されたカウント数により所定の動作を的確
に行うことができる。
According to the thirteenth aspect, a counter circuit for counting the clock signal generated by the self-biased clock signal amplifier is provided, and the clock count for causing the counter circuit to perform a predetermined operation is determined. Since the setting is possible, a semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier capable of quickly supplying a stable clock signal and minimizing an increase in current can be obtained, and can be used as a counter circuit. A predetermined operation can be accurately performed by the set count number.

【0071】第14の発明によれば、自己バイアス型ク
ロック信号増幅器によって生成されたクロック信号のカ
ウント動作を行うカウンタ回路を設けるとともに、前記
カウンタ回路により所定の動作を行わせるためのクロッ
クカウント数を設定するカウント数レジスタを設けたの
で、安定したクロック信号を速やかに供給し、かつ電流
の増大は最小限に抑えることが可能な自己バイアス型ク
ロック信号増幅器を持つ半導体集積回路を得ることがで
きるとともに、カウント数レジスタによって設定される
カウンタ回路のカウント数により所定の動作を的確に行
うことができる。
According to the fourteenth aspect, a counter circuit for counting the clock signal generated by the self-biased clock signal amplifier is provided, and a clock count for causing the counter circuit to perform a predetermined operation is determined. Since the count number register to be set is provided, it is possible to obtain a semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier capable of quickly supplying a stable clock signal and suppressing an increase in current to a minimum. The predetermined operation can be accurately performed by the count number of the counter circuit set by the count number register.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明による実施の形態1における半導体
集積回路の構成を示す接続図である。
FIG. 1 is a connection diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 この発明による実施の形態1における自己バ
イアス型クロック増幅器の動作を従来技術と対比して示
すイメージ図である。
FIG. 2 is an image diagram showing an operation of the self-biased clock amplifier according to the first embodiment of the present invention in comparison with a conventional technique.

【図3】 この発明による実施の形態2における半導体
集積回路の構成を示す接続図である。
FIG. 3 is a connection diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図4】 この発明による実施の形態3における半導体
集積回路の構成を示す接続図である。
FIG. 4 is a connection diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図5】 この発明による実施の形態4における半導体
集積回路の構成を示す接続図である。
FIG. 5 is a connection diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】 この発明による実施の形態5における半導体
集積回路の構成を示す接続図である。
FIG. 6 is a connection diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図7】 この発明による実施の形態6における半導体
集積回路の構成を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a sixth embodiment of the present invention.

【図8】 従来技術における半導体集積回路の構成を示
す接続図である。
FIG. 8 is a connection diagram illustrating a configuration of a semiconductor integrated circuit according to the related art.

【図9】 従来技術における自己バイアス型クロック増
幅器の動作を説明するイメージ図である。
FIG. 9 is an image diagram illustrating an operation of a self-biased clock amplifier according to the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 カップリング容量、2 交流信号源、3 帰還抵
抗、4 一段目インバータ、5 二段目インバータ、6
基準電圧源、7 カウンタ回路、OP−Ampオペア
ンプ、8 OP−Amp制御回路、9 リファレンス電
圧源、SW スイッチ素子、10 SW制御回路、1
1,12,13 スイッチ素子SWにより選択される帰
還抵抗、14,15,16 スイッチ素子SWにより選
択されるインバータ、BV バイアス電圧供給用電源、
17,18 スイッチ素子SWにより選択されるバイア
ス電圧供給用抵抗、19 カウント数レジスタ。
1 coupling capacity, 2 AC signal source, 3 feedback resistor, 4th stage inverter, 5th stage inverter, 6
Reference voltage source, 7 counter circuit, OP-Amp operational amplifier, 8 OP-Amp control circuit, 9 reference voltage source, SW switch element, 10 SW control circuit, 1
1, 12, 13 a feedback resistor selected by the switch element SW, 14, 15, 16 an inverter selected by the switch element SW, a BV bias voltage supply power supply,
17, 18 Bias voltage supply resistor selected by switch element SW, 19 count register.

フロントページの続き (72)発明者 松石 継巳 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 5B079 BA15 BC10 DD02 5F038 BB05 BG06 BG09 CD06 DF06 EZ20 5J098 AA11 AB02 AB08 AB23 AC04 AC19 AC30 AD03 CB09 Continued on the front page (72) Inventor Tsutsumi Matsuishi 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo F-term (reference) 5B079 BA15 BC10 DD02 5F038 BB05 BG06 BG09 CD06 DF06 EZ20 5J098 AA11 AB02 AB08 AB23 AC04 AC19 AC30 AD03 CB09

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 交流信号源からの入力電圧によりクロッ
ク信号を生成する自己バイアス型クロック信号増幅器を
持つ半導体集積回路において、前記信号源の立ち上げ時
に、前記交流信号源による電圧に対してバイアス電圧を
印加し電圧の立ち上がりを急峻に変化させる電圧供給手
段を設けたことを特徴とする半導体集積回路。
1. A semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier for generating a clock signal based on an input voltage from an AC signal source, wherein a bias voltage is applied to a voltage of the AC signal source when the signal source starts up. And a voltage supply means for rapidly changing the rise of the voltage by applying the voltage.
【請求項2】 交流信号源からの入力電圧によりクロッ
ク信号を生成する自己バイアス型クロック信号増幅器を
持つ半導体集積回路において、前記信号源の立ち上げ時
に、前記交流信号源による電圧に対してバイアス電圧を
印加し電圧の立ち上がりを急峻に変化させるオペアンプ
からなる電圧供給手段を設けたことを特徴とする半導体
集積回路。
2. A semiconductor integrated circuit having a self-biased clock signal amplifier for generating a clock signal based on an input voltage from an AC signal source, wherein when starting up the signal source, a bias voltage is applied to a voltage from the AC signal source. And a voltage supply means comprising an operational amplifier for changing the rise of the voltage sharply by applying a voltage.
【請求項3】 クロック信号の生成が安定した後は、前
記電圧供給手段によるバイアス電圧の印加を停止するこ
とを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体
集積回路。
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein, after the generation of the clock signal is stabilized, the application of the bias voltage by the voltage supply unit is stopped.
【請求項4】 自己バイアス型クロック信号増幅器によ
って生成されたクロック信号のカウント動作を行うカウ
ンタ回路を設け、前記カウンタ回路のカウント値に応じ
て前記電圧供給手段を制御することにより前記電圧供給
手段によるバイアス電圧の印加を停止することを特徴と
する請求項3に記載の半導体集積回路。
4. A counter circuit that counts a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier, and controls the voltage supply means according to the count value of the counter circuit to control the voltage supply means. 4. The semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the application of the bias voltage is stopped.
【請求項5】 オペアンプの正入力端子にリファレンス
電圧を供給するリファレンス電圧源を設けたことを特徴
とする請求項2に記載の半導体集積回路。
5. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein a reference voltage source for supplying a reference voltage to a positive input terminal of the operational amplifier is provided.
【請求項6】 自己バイアス型クロック信号増幅器によ
って生成されたクロック信号のカウント動作を行うカウ
ンタ回路を設け、前記カウンタ回路のカウント値に応じ
て回路構成を可変とすることを特徴とする請求項1ない
し請求項5のいずれかに記載の半導体集積回路。
6. A counter circuit for counting a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier, wherein a circuit configuration is variable according to a count value of the counter circuit. A semiconductor integrated circuit according to claim 5.
【請求項7】 自己バイアス型クロック信号増幅器によ
って生成されたクロック信号のカウント動作を行うカウ
ンタ回路を設け、前記カウンタ回路のカウント値に応じ
て前記信号源の立ち上げ時に自己バイアス型クロック信
号増幅器における帰還抵抗の抵抗値を比較的小さくする
ことを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路。
7. A counter circuit for performing a count operation of a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier, wherein the self-biased clock signal amplifier is activated when the signal source is started according to the count value of the counter circuit. 7. The semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein the resistance value of the feedback resistor is relatively small.
【請求項8】 帰還抵抗を並列に接続された第1のイン
バータと、前記第1のインバータに直列に接続され前記
第1のインバータとともに自己バイアス型クロック信号
増幅器を構成する第2のインバータと、前記第1および
第2のインバータにより構成される自己バイアス型クロ
ック信号増幅器によって生成されたクロック信号のカウ
ント動作を行うカウンタ回路とを備え、前記カウンタ回
路のカウント値に応じて前記信号源の立ち上げ時に自己
バイアス型クロック信号増幅器における帰還抵抗の抵抗
値を比較的小さくし、前記カウンタ回路のカウント値の
増加に応じて自己バイアス型クロック信号増幅器におけ
る帰還抵抗の抵抗値を大きくするようにしたことを特徴
とする請求項6に記載の半導体集積回路。
8. A first inverter connected in parallel with a feedback resistor, a second inverter connected in series to the first inverter and forming a self-biased clock signal amplifier together with the first inverter, A counter circuit that counts a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier constituted by the first and second inverters, and starts up the signal source according to the count value of the counter circuit. Sometimes, the resistance value of the feedback resistor in the self-biased clock signal amplifier is made relatively small, and the resistance value of the feedback resistor in the self-biased clock signal amplifier is increased in accordance with an increase in the count value of the counter circuit. 7. The semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein:
【請求項9】 自己バイアス型クロック信号増幅器によ
って生成されたクロック信号のカウント動作を行うカウ
ンタ回路を設け、前記カウンタ回路のカウント値に応じ
て前記信号源の立ち上げ時に比較的高性能のインバータ
を用いることを特徴とする請求項6に記載の半導体集積
回路。
9. A counter circuit for counting a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier is provided, and a relatively high-performance inverter is used when the signal source starts up according to the count value of the counter circuit. The semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein the semiconductor integrated circuit is used.
【請求項10】 帰還抵抗を並列に接続された第1のイ
ンバータと、前記第1のインバータに直列に接続され前
記第1のインバータとともに自己バイアス型クロック信
号増幅器を構成する第2のインバータと、前記第1およ
び第2のインバータにより構成される自己バイアス型ク
ロック信号増幅器によって生成されたクロック信号のカ
ウント動作を行うカウンタ回路とを備え、前記第1のイ
ンバータとして性能の異なる複数のインバータが選択的
に用いられるように構成するとともに、前記カウンタ回
路のカウント値に応じて前記信号源の立ち上げ時に高性
能インバータを用い、前記カウンタ回路のカウント値の
増加に応じて順次より低性能のインバータを用いるよう
にしたことを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回
路。
10. A first inverter having a feedback resistor connected in parallel thereto, a second inverter connected in series to the first inverter and forming a self-biased clock signal amplifier together with the first inverter, A counter circuit for counting a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier constituted by the first and second inverters, wherein a plurality of inverters having different performances are selectively used as the first inverter. And a high-performance inverter is used when the signal source is started in accordance with the count value of the counter circuit, and a lower-performance inverter is sequentially used in accordance with an increase in the count value of the counter circuit. 7. The semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein:
【請求項11】 前記電圧供給手段として抵抗分割によ
りバイアス電圧を供給するようにしたことを特徴とする
請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の半導体集積
回路。
11. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein said voltage supply means supplies a bias voltage by resistance division.
【請求項12】 帰還抵抗を並列に接続された第1のイ
ンバータと、前記第1のインバータに直列に接続され前
記第1のインバータとともに自己バイアス型クロック信
号増幅器を構成する第2のインバータを備えたものにお
いて、バイアス電圧供給用電源と前記第1のインバータ
の入力側との間に接続された第1の抵抗と、前記第1の
インバータの入力側と接地部位との間に接続された第2
の抵抗とを設け、前記交流信号源による立ち上げ時に、
前記バイアス電圧供給用電源による電圧を前記第1およ
び第2の抵抗により分割し、電圧の立ち上がりを急峻に
するためのバイアス電圧を供給するようにしたことを特
徴とする請求項1ないし請求項4のいずれかに記載の半
導体集積回路。
12. A first inverter having a feedback resistor connected in parallel thereto, and a second inverter connected in series to the first inverter and constituting a self-biased clock signal amplifier together with the first inverter. A first resistor connected between a bias voltage supply power supply and an input side of the first inverter; and a first resistor connected between an input side of the first inverter and a ground portion. 2
And at the time of startup by the AC signal source,
5. The power supply according to claim 1, wherein a voltage from said power supply for bias voltage supply is divided by said first and second resistors, and a bias voltage for steepening the rise of the voltage is supplied. A semiconductor integrated circuit according to any one of the above.
【請求項13】 第1および第2のインバータにより構
成される自己バイアス型クロック信号増幅器によって生
成されたクロック信号のカウント動作を行うカウンタ回
路を設けるとともに、前記カウンタ回路によって所定の
動作を行わせるためのクロックカウント数を設定可能と
したことを特徴とする請求項4および請求項6ないし請
求項10のいずれかに記載の半導体集積回路。
13. A counter circuit for performing a count operation of a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier constituted by first and second inverters, and a predetermined operation performed by the counter circuit. 11. The semiconductor integrated circuit according to claim 4, wherein said clock count number can be set.
【請求項14】 第1および第2のインバータにより構
成される自己バイアス型クロック信号増幅器によって生
成されたクロック信号のカウント動作を行うカウンタ回
路を設けるとともに、前記カウンタ回路によって所定の
動作を行わせるためのクロックカウント数を設定するカ
ウント数レジスタを設けたことを特徴とする請求項4お
よび請求項6ないし請求項10のいずれかに記載の半導
体集積回路。
14. A counter circuit for counting a clock signal generated by a self-biased clock signal amplifier comprising first and second inverters, and a counter circuit for performing a predetermined operation. 11. The semiconductor integrated circuit according to claim 4, further comprising a count number register for setting the clock count number.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2009147770A1 (en) * 2008-06-02 2009-12-10 パナソニック株式会社 Clock signal amplifier circuit
JP2010068048A (en) * 2008-09-08 2010-03-25 Sony Corp Ad converter
JP2019057844A (en) * 2017-09-21 2019-04-11 新日本無線株式会社 Clock signal amplification circuit

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