JP2002014373A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JP2002014373A
JP2002014373A JP2000199688A JP2000199688A JP2002014373A JP 2002014373 A JP2002014373 A JP 2002014373A JP 2000199688 A JP2000199688 A JP 2000199688A JP 2000199688 A JP2000199688 A JP 2000199688A JP 2002014373 A JP2002014373 A JP 2002014373A
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JP
Japan
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line
auxiliary capacitance
pixel electrode
signal line
scanning
Prior art date
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Pending
Application number
JP2000199688A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Iizuka
哲也 飯塚
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Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electronic Engineering Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible for an active matrix type liquid crystal display device to correspond to upsizing and high-definition making of a display screen by reducing load capacitance of signal lines without inviting decrease in an opening ratio and display quality due to pass-through of light. SOLUTION: In the neighborhood of a crossing part of an auxiliary capacitance line specifying an opening part of a pixel electrode 24 and a signal line 19, an opening area 16a is formed, where any of the scanning line 14, the auxiliary capacitance line 16, and the pixel electrode 24 does not exist, and also at least two of the coloring layers 22a, 22b, 22c are arranged on this opening area 16a, to form a shielding area 22d.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は薄膜トランジスタ
(Thin Film Transistor、以下TFTと称する)からな
るスイッチング素子を各画素電極毎に配置したアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device in which switching elements composed of thin film transistors (hereinafter, referred to as TFTs) are arranged for each pixel electrode.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、高密度かつ大容量でありながら、
高機能、高精細な表示が得られる液晶表示装置の実用化
が進められている。
2. Description of the Related Art In recent years, while having a high density and a large capacity,
Practical use of liquid crystal display devices capable of obtaining high-performance and high-definition display has been promoted.

【0003】この液晶表示装置には各種方式があるが、
中でも隣接画素間のクロストークが小さく、高コントラ
ストの表示が得られ、透過型表示が可能かつ大面積化も
容易などの理由から、互いに交差する方向に設けられた
複数本の走査線と複数本の信号線により区画された複数
個の領域に、TFTをスイッチング素子として画素電極
がマトリクス上に設けられたアレイ基板を備える、アク
ティブマトリクス型液晶表示装置が多く用いられてい
る。
There are various types of liquid crystal display devices,
Among them, a plurality of scanning lines and a plurality of scanning lines provided in a direction intersecting with each other are used because crosstalk between adjacent pixels is small, high-contrast display is obtained, transmission-type display is possible, and the area can be easily increased. An active matrix type liquid crystal display device including an array substrate in which pixel electrodes are provided on a matrix using TFTs as switching elements in a plurality of regions defined by the signal lines is widely used.

【0004】アクティブマトリクス型液晶表示装置で
は、走査線が選択された期間に書き込まれた画素電極の
電位が、非選択期間に寄生容量やTFTのオフリーク電
流による隣接信号線の電位変動の影響を受け、クロスト
ークの発生やコントラスト比の低下を引き起こす。こう
した画質の劣化を抑制するため、この種の液晶表示装置
においては、画素電極と電気的に並列に補助容量を形成
する構成が一般的となっている。
In an active matrix type liquid crystal display device, the potential of a pixel electrode written in a period in which a scanning line is selected is affected by a parasitic capacitance or a potential fluctuation of an adjacent signal line due to an off-leak current of a TFT in a non-selection period. Causes the occurrence of crosstalk and a decrease in contrast ratio. In order to suppress such deterioration in image quality, a liquid crystal display device of this type generally has a configuration in which an auxiliary capacitor is formed electrically in parallel with a pixel electrode.

【0005】ところで、アクティブマトリクス型液晶表
示装置では、画素間の光漏れを防ぐ目的でブラックマト
リクス(BM)が設けられている。従来、BMはカラー
フィルタ用の着色層とともに、アレイ基板と液晶層を介
して対向して配置される対向基板側に配置されるのが一
般的であった。しかしながら、このような構造において
は、アレイ基板と対向基板との合わせずれを考慮する必
要が有り、光を透過する開口部分の割合(開口率)の低
下を引き起こしていた。このため、近年においては、ア
レイ基板の配線上に有機絶縁膜を設け、最上層に画素電
極を設け、かつその端部をマトリクス状に設けられた配
線に重ねることにより、配線をBMとして用いる配線B
M構造が提案されている。また、有機絶縁膜の代わり
に、従来対向基板に形成されていたカラーフィルタの着
色層を用いた構造も提案されている。このような構造で
は、アレイ基板と対向基板の合わせずれによる開口率の
低下が無いため、高開口率を実現できる。
[0005] In an active matrix type liquid crystal display device, a black matrix (BM) is provided for the purpose of preventing light leakage between pixels. Conventionally, the BM has been generally disposed together with a color layer for a color filter on a counter substrate which is disposed to face the array substrate via a liquid crystal layer. However, in such a structure, it is necessary to consider the misalignment between the array substrate and the opposing substrate, which causes a reduction in the ratio of the light-transmitting openings (aperture ratio). For this reason, in recent years, an organic insulating film is provided on a wiring of an array substrate, a pixel electrode is provided on an uppermost layer, and an end portion thereof is overlapped with a wiring provided in a matrix, so that a wiring using the wiring as a BM is provided. B
An M structure has been proposed. Further, a structure using a coloring layer of a color filter conventionally formed on a counter substrate instead of the organic insulating film has been proposed. In such a structure, a high aperture ratio can be realized because the aperture ratio does not decrease due to misalignment between the array substrate and the counter substrate.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した有
機絶縁膜を挟んで配線電極と画素電極を重ね合わせる方
式では、マトリクス状に配置された配線をBMとして用
いることから、表示領域内で画素電極が無い部分につい
ては、走査線、補助容量線又は信号線のいずれかを配置
する必要がある。このため、信号線と画素電極を所定の
距離を離して配置し、開口部を対向基板側に配置したB
Mで規定する方式と比較すると、各配線の負荷容量が大
きくなる傾向がある。とくに、動作周波数が高い信号線
において、信号線容量の増大は書き込み不足等の原因と
なり、表示品位の低下を引き起こすことになる。こうし
た傾向は、表示画面が大型、高精細になるほど顕著なも
のとなる。
In the above-mentioned system in which the wiring electrode and the pixel electrode are overlapped with the organic insulating film interposed therebetween, since the wiring arranged in a matrix is used as the BM, the pixel electrode is disposed in the display area. It is necessary to arrange a scanning line, an auxiliary capacitance line, or a signal line in a portion without the mark. For this reason, the signal line and the pixel electrode are arranged at a predetermined distance, and the opening is arranged on the counter substrate side.
Compared with the method defined by M, the load capacity of each wiring tends to increase. In particular, in a signal line having a high operation frequency, an increase in the signal line capacity causes insufficient writing or the like, and causes a decrease in display quality. Such a tendency becomes more remarkable as the display screen becomes larger and higher definition.

【0007】一般に、信号線の負荷容量は、走査線及び
補助容量線と交差する部分の面積の大きさにほぼ比例し
て大きくなる。このため、開口部を対向基板側に配置し
たBMで規定する方式においては、走査線及び補助容量
線の信号線と交差する部分を他の部分より細くなるよう
に形成することにより、配線容量の増加を防ぐ手法がと
られている。
In general, the load capacitance of a signal line increases substantially in proportion to the size of the area intersecting the scanning line and the auxiliary capacitance line. For this reason, in the method in which the opening is defined by the BM arranged on the counter substrate side, the portion of the scanning line and the auxiliary capacitance line that intersects with the signal line is formed so as to be thinner than other portions, thereby reducing the wiring capacitance. Measures have been taken to prevent the increase.

【0008】しかしながら、上述した手法のように画素
電極の開口部を規定している配線同士が交差している部
分の面積を減らそうとした場合、光抜けによりコントラ
スト比が低下するため、光抜けが生じる部分に画素電極
を延在させて遮光する必要が生じる。
However, when the area of the intersection of the wirings defining the opening of the pixel electrode is to be reduced as in the above-described method, the contrast ratio is reduced due to the light leakage. It is necessary to extend the pixel electrode to a portion where the light is generated to shield light.

【0009】配線BM構造においては、画素電極の周縁
部を配線と重ね合わせることにより開口部を規定してい
るため、開口部を対向基板側に配置したBMで規定する
方式と比較して、信号線と画素電極との寄生容量が大き
くなりやすい。とくに、上述した画素電極の開口部を規
定している配線同士が交差する部分の面積を減らし、画
素電極を延在させると、信号線と画素電極との寄生容量
はさらに増加することになる。このように信号線と画素
電極との寄生容量が大きくなると、画素電極の電位が隣
接信号線の影響を受けてクロストークが発生し、表示品
位が低下するという問題点がある。これを解消するに
は、従来の構造と比較してより大きい補助容量を付加す
ることが考えられるが、補助容量の増加は開口率低下を
引き起こすため、配線BM構造を採用することによる開
口率改善の効果を相殺してしまうことになる。
In the wiring BM structure, since the opening is defined by overlapping the peripheral portion of the pixel electrode with the wiring, the signal is compared with a method in which the opening is defined by the BM arranged on the counter substrate side. The parasitic capacitance between the line and the pixel electrode tends to increase. In particular, when the area of the intersection between the wirings defining the opening of the pixel electrode described above is reduced and the pixel electrode is extended, the parasitic capacitance between the signal line and the pixel electrode is further increased. As described above, when the parasitic capacitance between the signal line and the pixel electrode increases, the potential of the pixel electrode is affected by the adjacent signal line, crosstalk occurs, and the display quality deteriorates. To solve this problem, it is conceivable to add a larger auxiliary capacitance as compared with the conventional structure. However, since an increase in the auxiliary capacitance causes a decrease in the aperture ratio, the aperture ratio is improved by adopting the wiring BM structure. Will offset the effect.

【0010】このように、従来の配線BM構造において
は、信号線容量の増加を防ぐための手法が光抜けによる
表示品位の低下や開口率の低下などを招くため、表示画
面の大型化、高精細化に対応することが難しいという問
題点があった。
As described above, in the conventional wiring BM structure, a method for preventing an increase in the capacitance of the signal line causes a decrease in display quality and a decrease in aperture ratio due to light leakage. There was a problem that it was difficult to cope with miniaturization.

【0011】この発明は、開口率の低下や光抜けによる
表示品位の低下を招くことなしに信号線の負荷容量を少
なくし、表示画面の大型化、高精細化にも対応すること
ができる液晶表示装置を提供することを目的とする。
The present invention reduces the load capacity of the signal line without lowering the display quality due to a decrease in the aperture ratio or light leakage, and is capable of responding to an increase in the size of the display screen and higher definition. It is an object to provide a display device.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1の液晶表示装置は、主面上に、互いに交差
して配置された複数の信号線及び複数の走査線と、前記
複数の走査線と並行に配置された複数の補助容量線と、
前記信号線と走査線の各交差部毎に配置されたスイッチ
ング素子と、前記信号線、前記走査線、前記補助容量線
及び前記スイッチング素子の少なくとも一部を覆うよう
に配置された赤色、緑色、青色の着色層と、前記着色層
上に形成され、前記着色層に形成されるスルーホールを
介して前記スイッチング素子の各々に電気的に接続され
るとともに、前記走査線又は前記補助容量線のいずれか
一方と前記信号線により開口部が規定された複数の画素
電極と、前記補助容量線と絶縁膜を介して対向する補助
容量電極で形成され、前記画素電極と電気的に並列に配
列される補助容量素子とを含み、さらに、前記画素電極
の開口部を規定する前記走査線又は前記補助容量線のい
ずれか一方と前記信号線との交差部近傍に、前記走査
線、前記補助容量線及び前記画素電極のいずれも存在し
ない開口領域を形成し、かつ前記開口領域上に、前記着
色層の少なくとも2層を配置したアレイ基板を有するこ
とを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a liquid crystal display device comprising: a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines arranged on a main surface so as to intersect with each other; A plurality of auxiliary capacitance lines arranged in parallel with the scanning lines of
A switching element disposed at each intersection of the signal line and the scanning line, and the signal line, the scanning line, the auxiliary capacitance line, and red, green disposed so as to cover at least a part of the switching element. A blue colored layer, formed on the colored layer, electrically connected to each of the switching elements via a through hole formed in the colored layer, and any one of the scanning line or the auxiliary capacitance line One of the plurality of pixel electrodes, the opening of which is defined by the signal line, and a storage capacitor electrode that faces the storage capacitor line via an insulating film, and is arranged in parallel with the pixel electrode. An auxiliary capacitance element, and further, near the intersection of the signal line and one of the scanning line or the auxiliary capacitance line defining an opening of the pixel electrode, the scanning line, the auxiliary capacitance line Any fine the pixel electrode forming an opening region that does not exist, and on the opening area, characterized in that it has an array substrate disposed at least two layers of the colored layer.

【0013】上記構成によれば、補助容量線と信号線の
交差部分に開口領域が形成されているため、走査線、補
助容量線及び画素電極などの配線が信号線上に存在して
いる場合に比べて信号線の負荷容量が少なくなる。ま
た、前記開口領域の上部には、少なくとも2層の着色層
が配置されているため、これが色重ね遮光領域として機
能することになり、光抜けによるコントラスト比の低下
が防止される。
According to the above structure, since the opening region is formed at the intersection of the auxiliary capacitance line and the signal line, when the wiring such as the scanning line, the auxiliary capacitance line, and the pixel electrode exists on the signal line, In comparison, the load capacity of the signal line is reduced. In addition, since at least two colored layers are arranged above the opening region, they function as a color overlap light shielding region, and a decrease in contrast ratio due to light leakage is prevented.

【0014】また、請求項2の液晶表示装置は、主面上
に、互いに交差して配置された複数の信号線及び複数の
走査線と、前記複数の走査線と並行に配置された複数の
補助容量線と、前記信号線と走査線の各交差部毎に配置
されたスイッチング素子と、前記信号線、前記走査線、
前記補助容量線及び前記スイッチング素子の少なくとも
一部を覆うように配置された赤色、緑色、青色の着色層
と、前記着色層上に形成され、前記着色層に形成される
スルーホールを介して前記スイッチング素子の各々に電
気的に接続されるとともに、前記走査線又は前記補助容
量線のいずれか一方と前記信号線により開口部が規定さ
れた複数の画素電極と、前記補助容量線と絶縁膜を介し
て対向する補助容量電極で形成され、前記画素電極と電
気的に並列に配列される補助容量素子とを含み、さら
に、前記画素電極の開口部を規定する前記走査線又は前
記補助容量線のいずれか一方と前記信号線との交差部近
傍に、前記走査線、前記補助容量線及び前記画素電極の
いずれも存在しない開口領域を形成し、かつ前記開口領
域上に、遮光性材料からなる柱状スペーサを配置したア
レイ基板を有することを特徴とする。
According to another aspect of the present invention, a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines are provided on a main surface of the liquid crystal display device so as to intersect with each other, and a plurality of signal lines and a plurality of scanning lines are provided in parallel with the plurality of scanning lines. An auxiliary capacitance line, a switching element disposed at each intersection of the signal line and the scanning line, the signal line, the scanning line,
The red, green, and blue coloring layers disposed so as to cover at least a part of the auxiliary capacitance line and the switching element, and the coloring layer is formed on the coloring layer through a through hole formed in the coloring layer. A plurality of pixel electrodes electrically connected to each of the switching elements and having an opening defined by one of the scanning line or the auxiliary capacitance line and the signal line, the auxiliary capacitance line and an insulating film. An auxiliary capacitance element that is formed by an auxiliary capacitance electrode opposed to the pixel electrode and includes an auxiliary capacitance element that is electrically arranged in parallel with the pixel electrode, and further includes a scan line or an auxiliary capacitance line that defines an opening of the pixel electrode. An opening area where none of the scanning line, the auxiliary capacitance line and the pixel electrode is present is formed in the vicinity of the intersection of any one of the signal lines, and a light-shielding material is formed on the opening area. Characterized in that it has an array substrate having disposed Ranaru columnar spacers.

【0015】請求項3の液晶表示装置は、請求項2にお
いて、前記柱状スペーサの下層は、少なくとも前記赤
色、緑色、青色の着色層のいずれか一層が配置された領
域と、いずれの着色層も配置されない領域とに区分され
ることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the liquid crystal display device according to the second aspect, the lower layer of the columnar spacer has a region in which at least one of the red, green, and blue colored layers is arranged, and any of the colored layers is It is characterized by being divided into a non-arranged area.

【0016】上記構成によれば、補助容量線と信号線の
交差部分に開口領域が形成されているため、走査線、補
助容量線及び画素電極などの配線が信号線上に存在して
いる場合に比べて信号線の負荷容量が少なくなる。ま
た、前記開口領域の上部には、遮光性材料かならる柱状
スペーサが配置されているため、これが柱状の遮光領域
として機能することになり、光抜けによるコントラスト
比の低下が防止される。
According to the above configuration, since the opening region is formed at the intersection of the auxiliary capacitance line and the signal line, when the wiring such as the scanning line, the auxiliary capacitance line and the pixel electrode exists on the signal line, In comparison, the load capacity of the signal line is reduced. Further, since a columnar spacer made of a light-shielding material is disposed above the opening region, the columnar spacer functions as a columnar light-shielding region, thereby preventing a decrease in contrast ratio due to light leakage.

【0017】請求項4の液晶表示装置は、請求項1又は
2において、前記開口領域の一部に、前記補助容量電極
を延在して配置したことを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the liquid crystal display device according to the first or second aspect, the auxiliary capacitance electrode is arranged to extend in a part of the opening region.

【0018】上記構成によれば、延在した補助容量電極
が遮光層として機能するため、前記開口領域における遮
光性をより高めることができる。
According to the above configuration, since the extended auxiliary capacitance electrode functions as a light shielding layer, the light shielding property in the opening region can be further improved.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】次に、この発明に係わる液晶表示
装置をアクティブマトリクス型液晶表示装置に適用した
場合の実施形態について説明する。
Next, an embodiment in which the liquid crystal display device according to the present invention is applied to an active matrix type liquid crystal display device will be described.

【0020】なお、以下の実施形態において、同一構造
の部分が複数あるときは、その一つの部分を代表して説
明するものとし、同一部分を複数の図面を使って説明す
る場合は、一つの図面に示された符号で他の図面をも説
明するものとする。また、符号に付くa,b,cなどの
識別文字は必要に応じて付けるものとし、一部省略して
記述する。さらに、“着色層22a,22b,22c”
のように複数の同一部分があるときは、必要に応じて
“着色層22”と総称して記述する。
In the following embodiments, when there are a plurality of portions having the same structure, only one portion will be described as a representative, and when the same portion is described using a plurality of drawings, one portion will be described. The other drawings are described with reference numerals shown in the drawings. Also, identification characters such as a, b, and c attached to the reference numerals are added as necessary, and are partially omitted. Further, “colored layers 22a, 22b, 22c”
When there are a plurality of identical portions as described above, they are collectively described as "colored layer 22" as necessary.

【0021】[実施形態1]図1は、実施形態1に係わ
る液晶表示装置10の電極構造を示す概略平面図であ
り、赤色(R),緑色(G),青色(B)の順に着色層
が配置された状態を示している。また図2は、図1の一
点鎖線A−Bに沿って切断した概略断面図である。
[Embodiment 1] FIG. 1 is a schematic plan view showing an electrode structure of a liquid crystal display device 10 according to Embodiment 1, and a colored layer is arranged in the order of red (R), green (G), and blue (B). Shows a state where is arranged. FIG. 2 is a schematic sectional view taken along the dashed line AB in FIG.

【0022】液晶表示装置10は、後述する着色層(カ
ラーフィルタ)を有するアレイ基板110と対向基板1
20との間に液晶層70を挟持している。これらの2枚
の基板間の距離は樹脂で形成された柱状スペーサ25に
よって規定されており、さらにアレイ基板110及び対
向基板120は、基板外周を囲むように配置された図示
しないシール部材によって接着されている。また対向基
板120は、透明基板51上にITOからなる透明電極
52、及び配向膜53が順に形成されている(図2)。
The liquid crystal display device 10 includes an array substrate 110 having a coloring layer (color filter) to be described later and an opposing substrate 1.
The liquid crystal layer 70 is interposed between the liquid crystal layer 20 and the liquid crystal layer 20. The distance between these two substrates is defined by a columnar spacer 25 made of resin, and the array substrate 110 and the opposing substrate 120 are bonded by a seal member (not shown) arranged so as to surround the outer periphery of the substrate. ing. In the counter substrate 120, a transparent electrode 52 made of ITO and an alignment film 53 are sequentially formed on a transparent substrate 51 (FIG. 2).

【0023】一方、アレイ基板110は、透明基板11
上に走査線15、これと平行に設けられた補助容量線1
6及び絶縁膜17を介してこれらと直交する信号線19
が配置されている(図1)。また、走査線15と信号線
19の交差部分にはスイッチング素子としてNch型L
DD構造のTFT素子30と、このTFT素子30と電
気的に接続されたソース電極12aと、このソース電極
12aに接続する後述する画素電極24が配置されてい
る。
On the other hand, the array substrate 110 is
The scanning line 15 is provided thereon, and the auxiliary capacitance line 1 provided in parallel with the scanning line 15
6 and a signal line 19 orthogonal to these via the insulating film 17.
Are arranged (FIG. 1). Further, at the intersection of the scanning line 15 and the signal line 19, an Nch-type L
A TFT element 30 having a DD structure, a source electrode 12a electrically connected to the TFT element 30, and a pixel electrode 24 described later connected to the source electrode 12a are arranged.

【0024】補助容量線16と信号線19は、配線BM
として機能し、画素電極24の開口部を平面的に規定し
ている。そして、補助容量線16と信号線19の交差部
分には、走査線15、補助容量線16及び画素電極24
のいずれも存在しない開口領域16aが形成されてい
る。さらに、補助容量線16と信号線19の交差部分に
は、配線BMとして機能しない光抜け領域16bが存在
している。
The auxiliary capacitance line 16 and the signal line 19 are connected to the wiring BM
, And defines the opening of the pixel electrode 24 in a planar manner. The scanning line 15, the auxiliary capacitance line 16, and the pixel electrode 24 are located at intersections of the auxiliary capacitance line 16 and the signal line 19.
The opening region 16a in which neither of them exists is formed. Further, at the intersection of the auxiliary capacitance line 16 and the signal line 19, there is a light leakage region 16b that does not function as the wiring BM.

【0025】また、透明基板11上にはTFT素子30
だけでなく、図示しない駆動回路が表示領域周辺に形成
されている。そして、TFT素子30および前記駆動回
路を覆うように保護絶縁膜20が形成され、さらにその
上部にカラーフィルタとして赤色着色層(R)22a,
緑色着色層(G)22b,青色着色層(B)22cがス
トライプ状に配置されている。ここで、先に述べた光抜
け領域16bの上部には、赤色着色層(R)22a,緑
色着色層(G)22b,青色着色層(B)22cの3層
からなる色重ね遮光領域22dが形成されている(図
1)。この色重ね領域22dに積層される色の配列は任
意であり、製造プロセスなどにより適宜に設定すること
ができる。
Further, the TFT element 30 is provided on the transparent substrate 11.
In addition, a drive circuit (not shown) is formed around the display area. Then, a protective insulating film 20 is formed so as to cover the TFT element 30 and the driving circuit, and a red colored layer (R) 22a as a color filter is further formed thereon.
The green coloring layer (G) 22b and the blue coloring layer (B) 22c are arranged in a stripe shape. Here, above the light passing area 16b, there is provided a color superimposed light shielding area 22d composed of three layers of a red coloring layer (R) 22a, a green coloring layer (G) 22b, and a blue coloring layer (B) 22c. (FIG. 1). The arrangement of the colors stacked in the color superimposition region 22d is arbitrary, and can be appropriately set according to the manufacturing process or the like.

【0026】画素電極24は、これら着色層22上に配
置されており、着色層22及び保護絶縁膜20に形成さ
れている保護絶縁膜コンタクトホール21を介して、ソ
ース電極12aと接続している。また画素電極24の周
縁部は、配線BMとして機能する補助容量線16と信号
線19の上に重なり合うように形成されている。また画
素電極24には、電気的に並列に補助容量素子130が
接続されている。この補助容量素子130は、補助容量
線16とゲート絶縁膜14を介して対向する補助容量下
部電極13とで形成されている(図2)。このうち、補
助容量下部電極13については、その端部13aが開口
領域16aの一部に延在して配置されている。
The pixel electrode 24 is disposed on the coloring layer 22 and is connected to the source electrode 12 a via the coloring layer 22 and the protective insulating film contact hole 21 formed in the protective insulating film 20. . The peripheral portion of the pixel electrode 24 is formed so as to overlap with the auxiliary capacitance line 16 functioning as the wiring BM and the signal line 19. An auxiliary capacitance element 130 is electrically connected to the pixel electrode 24 in parallel. The auxiliary capacitance element 130 is formed of the auxiliary capacitance line 16 and the auxiliary capacitance lower electrode 13 opposed to each other via the gate insulating film 14 (FIG. 2). Of these, the storage capacitor lower electrode 13 has an end 13a extending to a part of the opening region 16a.

【0027】さらに、画素電極24及び着色層22を覆
うように基板全面には配向膜26が配置されている。そ
して、緑色着色層(G)22bのパターンの端は、赤色
着色層(R)22aや青色着色層(B)22cで覆われ
ている。これは、各着色層を加工する際に用いる遮光マ
スクを適合するように作製することで達成される。
Further, an alignment film 26 is disposed on the entire surface of the substrate so as to cover the pixel electrode 24 and the coloring layer 22. The end of the pattern of the green coloring layer (G) 22b is covered with a red coloring layer (R) 22a and a blue coloring layer (B) 22c. This is achieved by making the light-shielding mask used when processing each colored layer suitable.

【0028】上記のように構成された液晶表示装置10
によれば、補助容量線16と信号線19の交差部分に、
走査線15、補助容量線16及び画素電極24のいずれ
も存在しない開口領域16aが形成されているため、こ
れらの配線が信号線19上に存在している場合に比べて
信号線19の負荷容量を少なくすることができる。
The liquid crystal display device 10 constructed as described above
According to the above, at the intersection of the auxiliary capacitance line 16 and the signal line 19,
Since the opening region 16 a in which none of the scanning line 15, the auxiliary capacitance line 16, and the pixel electrode 24 is present is formed, the load capacitance of the signal line 19 is smaller than when these wirings are present on the signal line 19. Can be reduced.

【0029】また、補助容量線16と信号線19の交差
部分に存在する光抜け領域16bについては、その上部
に、赤色着色層(R)22a,緑色着色層(G)22
b,青色着色層(B)22cの3層からなる色重ね遮光
領域22dが形成されているため、光抜けによるコント
ラスト比の低下を防止することができる。さらに、補助
容量下部電極13の端部13aが開口領域16aの一部
に延在して配置されているため、この延在された部分が
遮光層として機能し、光抜け領域16bでの遮光性をよ
り高めることができる。ちなみに、補助容量下部電極1
3の透過率はおよそ30%であるため、光抜けを効果的
に防止することができる。
Further, as for the light leakage region 16b existing at the intersection of the auxiliary capacitance line 16 and the signal line 19, a red coloring layer (R) 22a and a green coloring layer (G) 22
b, since the color-overlapping light-shielding region 22d composed of three layers of the blue colored layer (B) 22c is formed, it is possible to prevent a decrease in contrast ratio due to light leakage. Further, since the end portion 13a of the auxiliary capacitance lower electrode 13 is arranged to extend to a part of the opening region 16a, the extended portion functions as a light shielding layer, and the light shielding property in the light passage region 16b is reduced. Can be further enhanced. By the way, the storage capacitor lower electrode 1
Since the transmittance of No. 3 is about 30%, light leakage can be effectively prevented.

【0030】これにより、従来のように光抜けが生じる
部分に画素電極を延在させて遮光する必要がなくなり、
信号線19と画素電極24の寄生容量の増加を防ぐこと
ができる。したがって、画素電極24の電位が隣接する
信号線の影響を受けるクロストークの発生が抑えられ、
表示品位の低下を防止することができる。さらに、クロ
ストークをなくすために大きい補助容量を付加する必要
がないため、開口率の低下を引き起こすこともなく、配
線BM構造による開口率改善の効果を損なうことがな
い。
As a result, it is not necessary to extend the pixel electrode in a portion where light leakage occurs as in the related art and to shield light.
An increase in the parasitic capacitance between the signal line 19 and the pixel electrode 24 can be prevented. Therefore, the occurrence of crosstalk in which the potential of the pixel electrode 24 is affected by the adjacent signal line is suppressed,
It is possible to prevent a decrease in display quality. Further, since it is not necessary to add a large auxiliary capacitor to eliminate crosstalk, the aperture ratio does not decrease and the effect of improving the aperture ratio by the wiring BM structure is not impaired.

【0031】このように、実施形態1の液晶表示装置1
0によれば、開口率の低下や光抜けによる表示品位の低
下を招くことなしに信号線の負荷容量を少なくすること
ができるため、表示画面の大型化、高精細化に対応させ
ることが可能となる。
As described above, the liquid crystal display device 1 of the first embodiment
According to 0, the load capacity of the signal line can be reduced without lowering the aperture ratio or lowering the display quality due to light leakage, so that it is possible to cope with a large display screen and high definition. Becomes

【0032】なお、この実施形態1の色重ね遮光領域2
2dでは、光抜け領域16bの上部に、赤色着色層
(R)22a,緑色着色層(G)22b,青色着色層
(B)22cの3層を積層配置しているが、これら3層
のうちの少なくとも2層を積層配置することでも光抜け
を防止することができる。
It should be noted that the color overlap light shielding area 2 of the first embodiment
In 2d, three layers of a red coloring layer (R) 22a, a green coloring layer (G) 22b, and a blue coloring layer (B) 22c are stacked and arranged above the light passing area 16b. Light leakage can also be prevented by laminating at least two layers.

【0033】次に、上述した液晶表示装置10の製造方
法について説明する。
Next, a method of manufacturing the above-described liquid crystal display device 10 will be described.

【0034】まず、高歪点ガラス基板や石英基板などの
透明基板(透光性絶縁性基板)11上にCVD法などに
よりa−Si膜を被着する。炉アニールを行った後、X
eClエキシマレーザを照射し、a−Siを多結晶化す
る。その後に、多結晶Siをフォトエッチング法により
パターンニングして、表示領域内画素部のTFT素子3
0(画素TFT)のチャネル層12及び図示しない駆動
回路領域のTFT(回路TFT)のチャネル層となり、
さらには補助容量素子の補助容量下部電極となるポリシ
リコン膜13を形成する。このポリシリコン膜13は、
着色層(R)22a,着色層(G)22b,着色層
(B)22c上の画素電極24cと電気的に並列に接続
される。本実施形態において、ポリシリコン膜13のパ
ターンは、補助容量線16と信号線19の交差部分に存
在する光抜け領域16bの下部まで延在して形成され
る。
First, an a-Si film is deposited on a transparent substrate (translucent insulating substrate) 11 such as a glass substrate with a high strain point or a quartz substrate by a CVD method or the like. After furnace annealing, X
Irradiation with an eCl excimer laser is performed to polycrystallize a-Si. Thereafter, the polycrystalline Si is patterned by a photo-etching method, so that the TFT element 3 in the pixel portion in the display region is formed.
0 (pixel TFT) and a channel layer of a TFT (circuit TFT) in a drive circuit region (not shown)
Further, a polysilicon film 13 serving as an auxiliary capacitance lower electrode of the auxiliary capacitance element is formed. This polysilicon film 13
It is electrically connected in parallel with the pixel electrode 24c on the coloring layer (R) 22a, the coloring layer (G) 22b, and the coloring layer (B) 22c. In the present embodiment, the pattern of the polysilicon film 13 is formed to extend to a lower portion of the light-exit region 16b existing at the intersection of the auxiliary capacitance line 16 and the signal line 19.

【0035】次に、CVD法により透明基板11の全面
にゲート絶縁膜14となるSiOx膜を被着する。続い
て、SiOx膜上全面にTa,Cr,Al,Mo,W,
Cuなどの単体又はその積層膜あるいは合金膜を被着
し、フォトエッチング法により所定の形状にパターニン
グし、走査線15とこれを延在して成るTFT素子30
のゲート電極15b、補助容量線16及び図示しない回
路TFTのゲート電極と駆動回路領域内の各種配線を形
成する。ここで、補助容量素子130の補助容量下部電
極13とゲート絶縁膜14を介して対向し、補助容量素
子130の上部電極となり、上述する信号線19ととも
に配線BMとなる補助容量線16を形成する。このと
き、補助容量線16の信号線19との交差部分に、走査
線15、補助容量線16及び画素電極24のいずれも存
在しない開口領域16aを形成する。
Next, an SiOx film to be the gate insulating film 14 is deposited on the entire surface of the transparent substrate 11 by the CVD method. Subsequently, Ta, Cr, Al, Mo, W,
A single element such as Cu or a laminated film or alloy film thereof is deposited, patterned into a predetermined shape by a photoetching method, and the scanning line 15 and the TFT element 30 extending therefrom are patterned.
The gate electrode 15b, the auxiliary capacitance line 16, the gate electrode of the circuit TFT (not shown), and various wirings in the drive circuit area are formed. Here, the auxiliary capacitance line 16 that is opposed to the auxiliary capacitance lower electrode 13 of the auxiliary capacitance element 130 via the gate insulating film 14, becomes the upper electrode of the auxiliary capacitance element 130, and forms the wiring BM together with the above-described signal line 19. . At this time, an opening region 16 a where none of the scanning line 15, the auxiliary capacitance line 16 and the pixel electrode 24 exists is formed at the intersection of the auxiliary capacitance line 16 and the signal line 19.

【0036】その後、これらゲート電極をマスクとして
イオン注入又はイオンドーピング法により不純物の注入
を行い、TFT素子30のソース電極12a、ドレイン
電極12b、及び図示しない駆動回路領域のNch型の
回路TFTのソース電極とドレイン電極を形成する。
Thereafter, impurities are implanted by ion implantation or ion doping using these gate electrodes as a mask, and the source electrode 12a and the drain electrode 12b of the TFT element 30 and the source of an Nch type circuit TFT in a drive circuit region (not shown) are formed. An electrode and a drain electrode are formed.

【0037】次に、TFT素子30及び図示しない駆動
回路領域のNch型のTFTには不純物が注入されない
ようにレジストで被覆した後、図示しない駆動回路領域
のPch型のTFTの走査電極をそれぞれマスクとし
て、ボロンを高濃度注入して、駆動回路領域のPch型
のTFTのソース電極とドレイン電極を形成する。その
後、さらに図示しないNch型LDD(Lightly Doped
Drain) を形成するための不純物注入を行い、基板をア
ニールすることにより不純物を活性化する。
Next, the TFT element 30 and the N-channel TFT in the drive circuit region (not shown) are coated with a resist so as to prevent impurities from being implanted, and then the scan electrodes of the P-channel TFT in the drive circuit region (not shown) are masked. Then, boron is implanted at a high concentration to form a source electrode and a drain electrode of the Pch type TFT in the drive circuit region. Then, an Nch-type LDD (Lightly Doped
Drain) is implanted, and the substrate is annealed to activate the impurities.

【0038】続いて、例えばPECVD法により、TF
T素子30のソース電極112に至る層間絶縁膜コンタ
クトホール18aとドレイン電極12bに至る層間絶縁
膜コンタクトホール18bと、図示しない駆動回路(T
FT)のソース電極とドレイン電極に至る層間絶縁膜コ
ンタクトホールを形成する。
Subsequently, TF is formed by, for example, PECVD.
An interlayer insulating film contact hole 18a reaching the source electrode 112 of the T element 30 and an interlayer insulating film contact hole 18b reaching the drain electrode 12b, and a drive circuit (T
An interlayer insulating film contact hole reaching the source electrode and the drain electrode of (FT) is formed.

【0039】次に、Ta,Cr,Al,MO,W,Cu
などの単体又はその積層膜あるいは合金膜を被着し、フ
ォトエッチング法により所定の形状にパターニングし、
信号線19、TFT素子30のドレイン電極12bと信
号線19の接続、ソース電極12a、及び図示しない駆
動回路領域の回路TFTの各種配線等を行う。このと
き、補助容量線16と信号線19の交差部分には、配線
BMとして機能しない光抜け領域16bが生じる。
Next, Ta, Cr, Al, MO, W, Cu
Such as a simple substance or a laminated film or an alloy film thereof, and patterned into a predetermined shape by a photo etching method,
The connection between the signal line 19, the drain electrode 12b of the TFT element 30 and the signal line 19, the source electrode 12a, and various wirings of a circuit TFT in a drive circuit region (not shown) are performed. At this time, a light leakage area 16b that does not function as the wiring BM is generated at the intersection of the auxiliary capacitance line 16 and the signal line 19.

【0040】さらに、PECVD法により絶縁基板の全
面にSiNxからなる保護絶縁膜20を成膜した後、フ
ォトエッチング法により画素電極24に至る保護絶縁膜
コンタクトホール21を形成する。
Further, after a protective insulating film 20 made of SiNx is formed on the entire surface of the insulating substrate by the PECVD method, a protective insulating film contact hole 21 reaching the pixel electrode 24 is formed by a photoetching method.

【0041】次に、紫外線硬化型アクリル系緑色レジス
ト液を、電極が形成された基板上にスピンナ塗布により
塗布する。続いて、これをプリベークし、所定のマスク
・パターンを用いて露光する。ここで用いるフォトマス
ク・パターンは、緑色着色層に対応するストライプ形状
パターンと、画素電極24とソース電極12aとの接続
のためにスルーホールパターン23を有している。続い
て、現像水洗い後、ポストベークをすることによって、
スルーホール23bを有する緑色着色層(G)22bを
形成する。
Next, an ultraviolet curable acrylic green resist solution is applied on the substrate on which the electrodes are formed by spinner coating. Subsequently, this is pre-baked and exposed using a predetermined mask pattern. The photomask pattern used here has a stripe-shaped pattern corresponding to the green colored layer and a through-hole pattern 23 for connecting the pixel electrode 24 and the source electrode 12a. Then, after washing with developing water, by post-baking,
A green colored layer (G) 22b having a through hole 23b is formed.

【0042】続いて、青色着色層(B)22c、赤色着
色層(R)22aも同様の工程にて形成する。この際、
補助容量線16と信号線19の交差部分に生じる光抜け
領域16b上に、緑色着色層(G)22b、青色着色層
(B)22c、赤色着色層(R)22aの3層が重なる
遮光領域22dを形成する。これは、上述したように、
各着色層を加工する際に用いる露光マスクを適合するよ
うに作製することで達成する。
Subsequently, a blue coloring layer (B) 22c and a red coloring layer (R) 22a are formed in the same steps. On this occasion,
A light-shielding area in which three layers of a green coloring layer (G) 22b, a blue coloring layer (B) 22c, and a red coloring layer (R) 22a overlap on a light passing area 16b generated at the intersection of the auxiliary capacitance line 16 and the signal line 19. 22d is formed. This is, as mentioned above,
This is achieved by making the exposure mask used when processing each colored layer to be compatible.

【0043】次に、着色層22上にスパッタリング法に
よりインジウム・すず酸化物(ITO)を堆積し、周縁
部を補助容量線16及び信号線19に重ね合わせるよう
にパターニングすることにより、画素電極24を形成し
た後、柱状スペーサ25を形成する。
Next, indium tin oxide (ITO) is deposited on the colored layer 22 by a sputtering method, and the periphery is patterned so as to overlap the auxiliary capacitance line 16 and the signal line 19, thereby forming the pixel electrode 24. Is formed, a columnar spacer 25 is formed.

【0044】その後、ポリイミドからなる配向膜材料を
基板全面に塗布、配向処理を施して配向膜26を形成す
ることで、カラーフィルタ(着色層)を有するアレイ基
板110を完成する。
Thereafter, an alignment film material made of polyimide is applied to the entire surface of the substrate and subjected to an alignment treatment to form an alignment film 26, thereby completing an array substrate 110 having a color filter (colored layer).

【0045】次に、透明基板51上にスパッタ法により
ITOを堆積して対向電極52を形成し、続いてポリイ
ミドからなる配向膜材料を基板全面に塗布、配向処理を
施して配向膜53を形成することで、対向基板120を
完成する。
Next, ITO is deposited on the transparent substrate 51 by a sputtering method to form a counter electrode 52. Subsequently, an alignment film material made of polyimide is applied to the entire surface of the substrate, and an alignment process is performed to form an alignment film 53. By doing so, the counter substrate 120 is completed.

【0046】続いて、対向基板120の外局周辺部に図
示しないシール材を、図示しない液晶注入用の注入口を
除いて塗布する。そして、この対向基板120及びアレ
イ基板110とをシール材により貼り合わせて、空状態
のセルを完成する。
Subsequently, a sealing material (not shown) is applied to the outer peripheral portion of the counter substrate 120 except for a liquid crystal injection port (not shown). Then, the opposing substrate 120 and the array substrate 110 are attached to each other with a sealing material to complete an empty cell.

【0047】さらに、カイラル材が添加されたネマティ
ック液晶材料70を、図示しない注入口からセル内に真
空注入する。注入後、前記注入口を図示しない封止材と
しての紫外線硬化樹脂を用いて封止したあと、セルの両
側にそれぞれ図示しない偏光板を配置することにより液
晶表示装置10を完成する。
Further, the nematic liquid crystal material 70 to which the chiral material is added is vacuum-injected into the cell from an injection port (not shown). After the injection, the injection port is sealed using an ultraviolet curing resin as a sealing material (not shown), and then, a polarizing plate (not shown) is disposed on both sides of the cell, thereby completing the liquid crystal display device 10.

【0048】[実施形態2]図3は、実施形態2に係わ
る液晶表示装置100の電極構造を示す概略平面図、図
4は、図3の一点鎖線A−Bに沿って切断した概略断面
図である。図3及び図4においては、図1及び図2と同
等部分を同一符号で示している。
[Second Embodiment] FIG. 3 is a schematic plan view showing an electrode structure of a liquid crystal display device 100 according to a second embodiment, and FIG. 4 is a schematic sectional view taken along a dashed line AB of FIG. It is. 3 and FIG. 4, the same parts as those in FIG. 1 and FIG.

【0049】この実施形態2の液晶表示装置100で
は、遮光性の高い黒色レジストで形成された柱状スペー
サ25(a、b)が、開口領域16a上に配置されてい
る。これら柱状スペーサ25の下層は、赤色着色層
(R)22a,緑色着色層(G)22b,青色着色層
(B)22cのいずれか一層が配置された領域と、いず
れの着色層も配置されない領域とに区分される。このう
ち、着色層が配置された領域上に配置された柱状スペー
サ25aは、開口領域16aの遮光だけでなく、アレイ
基板110と対向基板120との間でスペーサとして機
能している。一方、いずれの着色層も配置されない領域
上に配置された柱状スペーサ25bは、スペーサとして
は機能せず、開口領域16aの遮光のみに用いられてい
る。柱状スペーサ25aと柱状スペーサ25bの比率
は、画素密度などにより適宜に設定することができる。
In the liquid crystal display device 100 of the second embodiment, the columnar spacers 25 (a, b) formed of a black resist having a high light-shielding property are arranged on the opening region 16a. The lower layer of these columnar spacers 25 includes a region where any one of the red coloring layer (R) 22a, the green coloring layer (G) 22b, and the blue coloring layer (B) 22c is disposed, and a region where none of the coloring layers is disposed. It is divided into and. Among these, the columnar spacer 25a disposed on the region where the colored layer is disposed functions as a spacer between the array substrate 110 and the counter substrate 120 as well as shielding the opening region 16a. On the other hand, the columnar spacer 25b disposed on the region where none of the coloring layers is disposed does not function as a spacer, and is used only for shielding the opening region 16a. The ratio between the columnar spacer 25a and the columnar spacer 25b can be appropriately set according to the pixel density and the like.

【0050】上記のように構成された液晶表示装置10
0においても、補助容量線16と信号線19の交差部分
に、走査線15、補助容量線16及び画素電極24のい
ずれも存在しない開口領域16aが形成されているた
め、これらの配線が信号線19上に存在している場合に
比べて信号線19の負荷容量を少なくすることができ
る。
The liquid crystal display device 10 configured as described above
0, an opening region 16 a where none of the scanning line 15, the auxiliary capacitance line 16 and the pixel electrode 24 exists is formed at the intersection of the auxiliary capacitance line 16 and the signal line 19. The load capacity of the signal line 19 can be reduced as compared with the case where the signal line 19 is present.

【0051】また、補助容量線16と信号線19の交差
部分に存在する光抜け領域16bについては、その上部
に、黒色レジストで形成された柱状スペーサ25が形成
されているため、光抜けによるコントラスト比の低下を
防止することができる。さらに、この実施形態2におい
ても、補助容量下部電極13の端部を開口領域16aの
一部に延在して配置することにより、光抜け領域16b
での遮光性をより高めることができる。
In the light-exiting region 16b existing at the intersection of the auxiliary capacitance line 16 and the signal line 19, the columnar spacer 25 made of a black resist is formed on the upper portion thereof, so that the contrast due to the light-exiting. The ratio can be prevented from lowering. Further, also in the second embodiment, by arranging the end portion of the auxiliary capacitance lower electrode 13 so as to extend to a part of the opening region 16a, the light passage region 16b
Light-shielding properties can be further improved.

【0052】すなわち、実施形態1と同様に、信号線1
9と画素電極24の寄生容量の増加を防ぐことができる
ので、画素電極24の電位が隣接する信号線の影響を受
けるクロストークの発生が抑えられ、表示品位の低下を
防止することができる。さらに、クロストークをなくす
ために大きい補助容量を付加する必要がないため、開口
率の低下を引き起こすこともなく、配線BM構造による
開口率改善の効果を損なうことがない。
That is, similar to the first embodiment, the signal line 1
9 and the parasitic capacitance of the pixel electrode 24 can be prevented from increasing, so that the occurrence of crosstalk in which the potential of the pixel electrode 24 is affected by the adjacent signal line can be suppressed, and the deterioration of display quality can be prevented. Further, since it is not necessary to add a large auxiliary capacitor to eliminate crosstalk, the aperture ratio does not decrease and the effect of improving the aperture ratio by the wiring BM structure is not impaired.

【0053】したがって、実施形態2の液晶表示装置1
00においても、開口率の低下や光抜けによる表示品位
の低下を招くことなしに信号線の負荷容量を少なくする
ことができるため、表示画面の大型化、高精細化に対応
させることが可能となる。
Therefore, the liquid crystal display device 1 of the second embodiment
Also in 00, since the load capacity of the signal line can be reduced without lowering the display ratio due to a decrease in aperture ratio or light leakage, it is possible to cope with an increase in the size of the display screen and higher definition. Become.

【0054】なお、実施形態2では、柱状スペーサ25
を黒色レジストで形成した例について示したが、遮光性
材料であれば他の材料で形成したものであってもよい。
また遮光層として十分に機能し得る色であれば、黒色以
外の色であってもよい。
In the second embodiment, the columnar spacer 25
Is formed using a black resist, but any other material may be used as long as it is a light-shielding material.
Further, any color other than black may be used as long as the color can sufficiently function as a light-shielding layer.

【0055】上述した実施形態1及び実施形態2では、
画素電極24の開口部を補助容量線16と信号線19に
より規定した例について示したが、画素電極24の開口
部は補助容量線16と走査線15により規定したもので
あってもよい。
In Embodiments 1 and 2 described above,
Although the example in which the opening of the pixel electrode 24 is defined by the auxiliary capacitance line 16 and the signal line 19 is shown, the opening of the pixel electrode 24 may be defined by the auxiliary capacitance line 16 and the scanning line 15.

【0056】[0056]

【発明の効果】以上説明したように、この発明に係わる
液晶表示装置では、信号線の負荷容量を少なくすること
ができ、かつ光抜けによるコントラスト比の低下を防止
することができるので、従来のように光抜けが生じる部
分に画素電極を延在させる必要がなくなり、クロストー
クによる表示品位の低下を防止することができる。ま
た、クロストークをなくすために大きい補助容量を付加
する必要がないため、開口率の低下を引き起こすことも
なく、配線BM構造による開口率改善の効果を損なうこ
とがない。
As described above, in the liquid crystal display device according to the present invention, the load capacity of the signal line can be reduced, and the reduction of the contrast ratio due to light leakage can be prevented. As described above, it is not necessary to extend the pixel electrode in a portion where light leakage occurs, and it is possible to prevent a reduction in display quality due to crosstalk. Further, since it is not necessary to add a large auxiliary capacitance to eliminate crosstalk, the aperture ratio does not decrease and the effect of improving the aperture ratio by the wiring BM structure is not impaired.

【0057】したがって、開口率の低下や光抜けによる
表示品位の低下を招くことなしに信号線の負荷容量を少
なくすることができるようになり、表示画面の大型化、
高精細化に対応させることが可能となる。
Therefore, the load capacity of the signal line can be reduced without lowering the display quality due to a decrease in the aperture ratio or light leakage, thereby increasing the size of the display screen.
It becomes possible to correspond to high definition.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施形態1に係わる液晶表示装置の電極構造を
示す概略平面図。
FIG. 1 is a schematic plan view illustrating an electrode structure of a liquid crystal display device according to a first embodiment.

【図2】図1の一点鎖線A−Bに沿って切断した概略断
面図。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along a dashed line AB in FIG.

【図3】実施形態2に係わる液晶表示装置の電極構造を
示す概略平面図。
FIG. 3 is a schematic plan view showing an electrode structure of a liquid crystal display device according to a second embodiment.

【図4】図3の一点鎖線A−Bに沿って切断した概略断
面図。
FIG. 4 is a schematic sectional view taken along a dashed line AB in FIG. 3;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…透明基板,12…TFTチャネル層,13…補助
容量下部電極 14…ゲート絶縁膜,15…走査線,16…補助容量線 16a…開口領域,16b…光抜け領域,17…層間絶
縁膜 18…層間絶縁膜コンタクトホール,19…信号線,2
0…保護絶縁膜 21…保護絶縁膜コンタクトホール,22…着色層,2
2d…色重ね遮光領域 23…スルーホールパターン,24…画素電極,25…
柱状スペーサ 26…配向膜,51…対向側ガラス基板,52…対向電
極,53…配向膜 110…アレイ基板,120…対向基板,130…補助
容量素子
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Transparent substrate, 12 ... TFT channel layer, 13 ... Auxiliary capacitance lower electrode 14 ... Gate insulating film, 15 ... Scanning line, 16 ... Auxiliary capacitance line 16a ... Open area, 16b ... Light-exit area, 17 ... Interlayer insulating film 18 ... contact hole for interlayer insulating film, 19 ... signal line, 2
0: protective insulating film 21: protective insulating film contact hole, 22: colored layer, 2
2d: color overlapping light-shielding area 23: through-hole pattern, 24: pixel electrode, 25:
Columnar spacers 26: Alignment film, 51: Opposite glass substrate, 52: Opposite electrode, 53: Alignment film 110: Array substrate, 120: Opposite substrate, 130: Auxiliary capacitance element

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Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 主面上に、互いに交差して配置された複
数の信号線及び複数の走査線と、前記複数の走査線と並
行に配置された複数の補助容量線と、前記信号線と走査
線の各交差部毎に配置されたスイッチング素子と、前記
信号線、前記走査線、前記補助容量線及び前記スイッチ
ング素子の少なくとも一部を覆うように配置された赤
色、緑色、青色の着色層と、前記着色層上に形成され、
前記着色層に形成されるスルーホールを介して前記スイ
ッチング素子の各々に電気的に接続されるとともに、前
記走査線又は前記補助容量線のいずれか一方と前記信号
線により開口部が規定された複数の画素電極と、前記補
助容量線と絶縁膜を介して対向する補助容量電極で形成
され、前記画素電極と電気的に並列に配列される補助容
量素子とを含み、 前記画素電極の開口部を規定する前記走査線又は前記補
助容量線のいずれか一方と前記信号線との交差部近傍
に、前記走査線、前記補助容量線及び前記画素電極のい
ずれも存在しない開口領域を形成し、かつ前記開口領域
上に、前記着色層の少なくとも2層を配置したアレイ基
板を有することを特徴とする液晶表示装置。
A plurality of signal lines and a plurality of scanning lines arranged crossing each other on a main surface; a plurality of auxiliary capacitance lines arranged in parallel with the plurality of scanning lines; A switching element disposed at each intersection of scanning lines, and a red, green, and blue colored layer disposed so as to cover at least a part of the signal line, the scanning line, the auxiliary capacitance line, and the switching element. And formed on the colored layer,
A plurality of switching elements electrically connected to each of the switching elements through through holes formed in the coloring layer, and an opening defined by one of the scanning line or the auxiliary capacitance line and the signal line; And a storage capacitor element formed of a storage capacitor electrode opposed to the storage capacitor line via an insulating film and electrically arranged in parallel with the pixel electrode. In the vicinity of the intersection of one of the prescribed scanning line or the auxiliary capacitance line and the signal line, an opening region in which none of the scanning line, the auxiliary capacitance line and the pixel electrode exists is formed, and A liquid crystal display device comprising an array substrate on which at least two of the coloring layers are arranged on the opening region.
【請求項2】 主面上に、互いに交差して配置された複
数の信号線及び複数の走査線と、前記複数の走査線と並
行に配置された複数の補助容量線と、前記信号線と走査
線の各交差部毎に配置されたスイッチング素子と、前記
信号線、前記走査線、前記補助容量線及び前記スイッチ
ング素子の少なくとも一部を覆うように配置された赤
色、緑色、青色の着色層と、前記着色層上に形成され、
前記着色層に形成されるスルーホールを介して前記スイ
ッチング素子の各々に電気的に接続されるとともに、前
記走査線又は前記補助容量線のいずれか一方と前記信号
線により開口部が規定された複数の画素電極と、前記補
助容量線と絶縁膜を介して対向する補助容量電極で形成
され、前記画素電極と電気的に並列に配列される補助容
量素子とを含み、 前記画素電極の開口部を規定する前記走査線又は前記補
助容量線のいずれか一方と前記信号線との交差部近傍
に、前記走査線、前記補助容量線及び前記画素電極のい
ずれも存在しない開口領域を形成し、かつ前記開口領域
上に、遮光性材料からなる柱状スペーサを配置したアレ
イ基板を有することを特徴とする液晶表示装置。
2. A plurality of signal lines and a plurality of scanning lines arranged crossing each other on a main surface; a plurality of auxiliary capacitance lines arranged in parallel with the plurality of scanning lines; A switching element disposed at each intersection of scanning lines, and a red, green, and blue colored layer disposed so as to cover at least a part of the signal line, the scanning line, the auxiliary capacitance line, and the switching element. And formed on the colored layer,
A plurality of switching elements electrically connected to each of the switching elements through through holes formed in the coloring layer, and an opening defined by one of the scanning line or the auxiliary capacitance line and the signal line; And a storage capacitor element formed of a storage capacitor electrode opposed to the storage capacitor line via an insulating film and electrically arranged in parallel with the pixel electrode. In the vicinity of the intersection of one of the prescribed scanning line or the auxiliary capacitance line and the signal line, an opening region in which none of the scanning line, the auxiliary capacitance line and the pixel electrode exists is formed, and A liquid crystal display device comprising an array substrate on which a columnar spacer made of a light-shielding material is disposed on an opening region.
【請求項3】 前記柱状スペーサの下層は、少なくとも
前記赤色、緑色、青色の着色層のいずれか一層が配置さ
れた領域と、いずれの着色層も配置されない領域とに区
分されることを特徴とする請求項2に記載の液晶表示装
置。
3. The lower layer of the columnar spacer is divided into a region where at least one of the red, green and blue colored layers is disposed, and a region where no colored layer is disposed. The liquid crystal display device according to claim 2.
【請求項4】 前記開口領域の一部に、前記補助容量電
極を延在して配置したことを特徴とする請求項1又は2
に記載の液晶表示装置。
4. The storage capacitor electrode according to claim 1, wherein the auxiliary capacitance electrode extends in a part of the opening region.
3. The liquid crystal display device according to 1.
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