JP2002009578A - Piezoelectric device - Google Patents

Piezoelectric device

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JP2002009578A
JP2002009578A JP2000191258A JP2000191258A JP2002009578A JP 2002009578 A JP2002009578 A JP 2002009578A JP 2000191258 A JP2000191258 A JP 2000191258A JP 2000191258 A JP2000191258 A JP 2000191258A JP 2002009578 A JP2002009578 A JP 2002009578A
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layer
base
piezoelectric
electrode film
ground electrode
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Yukihiro Unno
幸浩 海野
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a piezoelectric device that is not susceptible to an electric effect in the case of the frequency adjustment so as to enhance the frequency adjustment accuracy and the frequency adjustment speed and maintains high performance without reception of at least a downward electric effect. SOLUTION: A cover 34 is fixed to a package 33 to form a prescribed internal space 33a on the inside and a piezoelectric vibration chip 32 is contained in the internal space in this piezoelectric device. The package 33 is provided with a ground electrode film 48 placed lower than a part at which the piezoelectric vibrator chip is contained and located.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ベースに蓋体を被
せた構成のパッケージ内に圧電振動片を収容した圧電デ
バイスの改良に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a piezoelectric device in which a piezoelectric vibrating reed is accommodated in a package having a base with a lid.

【0002】[0002]

【従来の技術】図16及び図17は、圧電振動片をパッ
ケージのベース内に封止した圧電デバイスとして、一般
的な圧電振動子を示しており、図16は蓋体を除いて示
した概略平面図、図17は、そのA−A線断面図であ
る。
2. Description of the Related Art FIGS. 16 and 17 show a general piezoelectric vibrator as a piezoelectric device in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a base of a package. FIG. FIG. 17 is a plan view and FIG. 17 is a sectional view taken along line AA.

【0003】これらの図において、圧電振動子1は、板
状の圧電振動片2を収納する空間部3aが形成された箱
状のベース3と、空間部3aを密封するようにベース3
に接合されたコバール等の金属で形成した板状の蓋体4
を備えている。この場合、ベース3と蓋体4とでパッケ
ージを形成するようになっている。
In these figures, a piezoelectric vibrator 1 has a box-shaped base 3 in which a space 3a for accommodating a plate-shaped piezoelectric vibrating piece 2 is formed, and a base 3 which seals the space 3a.
Cover 4 made of metal such as Kovar joined to
It has. In this case, the base 3 and the lid 4 form a package.

【0004】このパッケージには、図16に示すよう
に、外部と接続するための駆動電極14e,14fが設
けられており、圧電振動片2は、一端部2aが空間部3
a内に露出している上記駆動電極14e,14f上に導
電性接着剤5aを介して接続固定されていて、他端部2
bは自由端とされている。圧電振動片2の表面には励振
電極7等が設けられて、前記駆動電極14e,14fと
接続されている。
[0006] As shown in FIG. 16, the package is provided with drive electrodes 14 e and 14 f for connection to the outside, and one end 2 a of the piezoelectric vibrating reed 2 has a space 3
a is connected and fixed via the conductive adhesive 5a to the drive electrodes 14e and 14f exposed in the
b is a free end. An excitation electrode 7 and the like are provided on the surface of the piezoelectric vibrating reed 2 and are connected to the drive electrodes 14e and 14f.

【0005】これにより、電極5から印加される駆動電
圧によって、所定の振動数で振動できるようになってい
る。
[0005] With this, it is possible to vibrate at a predetermined frequency by the drive voltage applied from the electrode 5.

【0006】ここで、上述したベース3は、例えば図1
8に示すように構成されている。
[0006] Here, the above-mentioned base 3 is, for example, shown in FIG.
It is configured as shown in FIG.

【0007】すなわち、このベース3は、それぞれ所定
の形状に形成されたセラミック体を3層重ねることによ
り形成されている。
That is, the base 3 is formed by stacking three layers of ceramic bodies each having a predetermined shape.

【0008】ベース3の層構造の一番下に位置する第1
層13は、図18(d)に示すように長方形の薄い板状
でなっている。そして、図18(e)は、この第1層1
3の裏面の電極構造を示すために、その裏面より上を、
透明な状態で示している。
[0008] The first layer located at the bottom of the layer structure of the base 3
The layer 13 has a rectangular thin plate shape as shown in FIG. FIG. 18E shows the first layer 1.
In order to show the electrode structure on the back surface of No. 3, above the back surface,
It is shown in a transparent state.

【0009】図において、第1層13の表面には、一対
の駆動電極端子13e,13fと、この駆動電極端子1
3e,13fから延びる導電パターンが設けられてお
り、導電パターンは、第1層13の互いに対角の位置の
端面電極13b,13dに引き回されている。そして、
これらと異なる対角の端部には、端面電極13a,13
cが形成されている。
In FIG. 1, a pair of drive electrode terminals 13e and 13f and a pair of drive electrode terminals 1
Conductive patterns extending from 3e and 13f are provided, and the conductive patterns are routed to end face electrodes 13b and 13d of the first layer 13 at diagonal positions to each other. And
Diagonal ends different from these are provided with end face electrodes 13a, 13a.
c is formed.

【0010】また、この第1層13の裏面には、図18
(e)の端面電極13b,13dとそれぞれ接続された
駆動電極端子13g,13hが形成されている。さら
に、他の一対の対角上の隅部には、グランド端子13
i,13jが形成されて、端面電極13a,13cと接
続され、順次、後述するように上に重ねられる端面端子
と電気的に接続されるようになっている。
On the back surface of the first layer 13, FIG.
Drive electrode terminals 13g and 13h connected to the end face electrodes 13b and 13d of (e) are formed. Further, a ground terminal 13 is provided on another pair of diagonally upper corners.
i, 13j are formed, connected to the end face electrodes 13a, 13c, and sequentially electrically connected to end face terminals that are superimposed thereon as described later.

【0011】この第1層13には、図18(c)に示さ
れた第2層14が重ねられる。この第2層14は、長方
形の枠状でなり、内側に図17の内部空間3aに対応し
た大きさの内径を備えているとともに、一端の内側に
は、二つのアイランド状の段部14k,14lが設けら
れている。この各段部14k,14lの上には、上下に
貫通するスルーホールと、このスルーホール内面に形成
した駆動電極14e,14fとが設けられ、第2層14
が第1層13に重ねられた時には、これら駆動電極14
e,14fは、第1層の表面の駆動電極13e,13f
と導通するようになっている。
On this first layer 13, a second layer 14 shown in FIG. The second layer 14 has a rectangular frame shape, has an inner diameter inside corresponding to the internal space 3a in FIG. 17, and has two island-shaped steps 14k, 141 are provided. On each of the step portions 14k and 14l, a through hole penetrating vertically and drive electrodes 14e and 14f formed on the inner surface of the through hole are provided.
Are stacked on the first layer 13, these drive electrodes 14
e, 14f are the drive electrodes 13e, 13f on the surface of the first layer.
It is designed to be electrically conductive.

【0012】また、第2層14の4隅の端部には、端面
電極14a,14b,14c,14dがそれぞれ形成さ
れており、このうち、端面電極14aと14cの内側に
は、上下に貫通する電極14g,14hが設けられてい
て、それぞれ隣接する端面電極14a,14cと導通し
ている。
End electrodes 14a, 14b, 14c and 14d are formed at the four corners of the second layer 14, respectively, and the inside of the end electrodes 14a and 14c is vertically penetrated. Electrodes 14g and 14h are provided, and are electrically connected to the adjacent end face electrodes 14a and 14c, respectively.

【0013】この第2層14の上には、図18(b)に
示す第3層15が配置される。第3層15は、第2層1
4とほぼ同様の外形を有しており、互いに対角の位置に
一対の上下に貫通するスルーホールを形成して、このス
ルーホール内面にグランド端子と導通する電極が形成さ
れている。
A third layer 15 shown in FIG. 18B is disposed on the second layer 14. The third layer 15 is the second layer 1
4, and has a pair of vertically penetrating through holes formed at diagonal positions with respect to each other, and an electrode which is electrically connected to a ground terminal is formed on the inner surface of the through hole.

【0014】さらに、この第3層15の上には、図18
(a)に示すシームリング16が配置される。このシー
ムリング16は第3層15の上端に位置して、ベース3
側もしくは、図17の蓋体4の下面に固定されて、封止
の際に、シーム溶接に利用される。
Further, on the third layer 15, FIG.
The seam ring 16 shown in FIG. This seam ring 16 is located at the upper end of the third layer 15 and
It is fixed to the side or the lower surface of the lid 4 in FIG. 17 and is used for seam welding at the time of sealing.

【0015】ベース3は以上のように構成されており、
外部から供給される駆動電圧は、第1層13の裏面の駆
動電極端子13g,13hに供給され、端面電極13
b,13dを介して、表面側導電パターンを通り、駆動
電極13e,13fに供給される。駆動電圧は、この駆
動電極13e,13fから、第2層14の段部に形成さ
れた駆動電極14e,14fを介して、図17で説明し
たように、この駆動電極14e,14fに接合されてい
る圧電振動片2の励振電極7に印加されて、圧電振動片
2は、所定の周波数で振動するようになっている。
The base 3 is configured as described above.
The driving voltage supplied from the outside is supplied to the driving electrode terminals 13 g and 13 h on the back surface of the first layer 13,
Through b and 13d, they are supplied to the drive electrodes 13e and 13f through the front side conductive pattern. The drive voltage is applied from the drive electrodes 13e and 13f to the drive electrodes 14e and 14f via the drive electrodes 14e and 14f formed on the step portion of the second layer 14 as described with reference to FIG. When applied to the excitation electrode 7 of the piezoelectric vibrating reed 2, the piezoelectric vibrating reed 2 vibrates at a predetermined frequency.

【0016】図19及び図20は、蓋体をセラミック材
料で形成したタイプの圧電振動子20を示しおり、図1
9は、圧電振動子20の概略断面図、図20は、圧電振
動子20の蓋体を外して、内部構成を示した概略平面図
である。
FIGS. 19 and 20 show a piezoelectric vibrator 20 in which the lid is formed of a ceramic material.
9 is a schematic cross-sectional view of the piezoelectric vibrator 20, and FIG. 20 is a schematic plan view showing the internal configuration of the piezoelectric vibrator 20 with the lid removed.

【0017】図において、圧電振動子20は、板状の圧
電振動片25の一端25aが、1層の構造でなるベース
23の表面に形成した駆動電極28,29上に導電性接
着剤25cを介して、やや傾斜させて接続固定されてい
て、他端部25bは自由端とされている。つまり、圧電
振動片25は、自由端25bがやや上方を向くように傾
斜させることで、下方に僅かな空間を形成して、振動性
能を発揮できるようになっている。圧電振動片25の表
面には励振電極27が設けられて、前記駆動電極28,
29と接続されている。
In the figure, a piezoelectric vibrator 20 has a conductive adhesive 25c on one end 25a of a plate-like piezoelectric vibrating piece 25 formed on a drive electrode 28, 29 formed on the surface of a base 23 having a one-layer structure. The other end 25b is a free end. That is, the piezoelectric vibrating piece 25 is inclined so that the free end 25b faces slightly upward, so that a small space is formed below and the vibration performance can be exhibited. An excitation electrode 27 is provided on the surface of the piezoelectric vibrating reed 25, and the drive electrode 28,
29.

【0018】ベース23の上には、セラミック製の蓋体
24が封止ガラス26により封止接合されている。この
蓋体24は、凹状に形成されており、上記圧電振動片2
5を収容するための内部空間部24aを形成している。
On the base 23, a lid 24 made of ceramic is sealed and joined by a sealing glass 26. The lid 24 is formed in a concave shape, and the piezoelectric vibrating reed 2
5 is formed therein.

【0019】ここで、ベース23は、図21に示すよう
に形成されている。
Here, the base 23 is formed as shown in FIG.

【0020】図21(a)は、ベース23の平面図、図
21(b)はベース23の正面図、図21(c)はベー
ス23の底面図である。
FIG. 21 (a) is a plan view of the base 23, FIG. 21 (b) is a front view of the base 23, and FIG. 21 (c) is a bottom view of the base 23.

【0021】図において、ベース23は、セラミック製
の1枚の板体でなり、その表面には、上記した一対の駆
動電極28,29が形成されている。駆動電極28は、
ベース23のひとつの短辺の端面に形成した電極端子3
1に接続され、駆動電極29は、他のひとつの短辺の端
面に形成した電極端子32に接続されている。また、ベ
ース23の裏側には、上記各電極端子31,32と接続
された底面電極端子33,34が形成されている。
In the figure, a base 23 is a single plate made of ceramic, and a pair of drive electrodes 28 and 29 described above are formed on the surface thereof. The drive electrode 28
Electrode terminal 3 formed on one short side end face of base 23
1, and the drive electrode 29 is connected to an electrode terminal 32 formed on the other short side end face. Further, on the back side of the base 23, bottom electrode terminals 33, 34 connected to the respective electrode terminals 31, 32 are formed.

【0022】これにより、圧電振動子20においても、
各電極端子31,32,33,34に駆動電圧を印加す
ることにより、圧電振動片25を所定の振動数で振動さ
せることができる。
As a result, in the piezoelectric vibrator 20,
By applying a drive voltage to each of the electrode terminals 31, 32, 33, and 34, the piezoelectric vibrating reed 25 can be vibrated at a predetermined frequency.

【0023】[0023]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した金
属製の蓋体を有する圧電振動子1の場合には、この蓋体
4を封止する場合に、蓋体とシームリング16に通電し
て抵抗溶接によって、接合している。
In the case of the above-described piezoelectric vibrator 1 having a metal lid, when the lid 4 is sealed, a current is applied to the lid and the seam ring 16. Joined by resistance welding.

【0024】そして、完成した圧電振動子1は、上面に
金属製の蓋体4が取り付けられているので、上方からの
電気的影響はシールドされることができる。
The completed piezoelectric vibrator 1 has the metal lid 4 attached to the upper surface, so that the electrical influence from above can be shielded.

【0025】しかしながら、上記蓋体4を封止する前
に、蓋体4を外した状態にて、例えば、イオンビーム等
を圧電振動片2の励振電極7に照射して、質量削減方式
にて行われる周波数調整工程において、ベース3内が帯
電してしまい、高速で周波数調整を行う妨げとなってい
た。
However, before the lid 4 is sealed, the excitation electrode 7 of the piezoelectric vibrating reed 2 is irradiated with, for example, an ion beam or the like in a state where the lid 4 is removed. In the performed frequency adjustment step, the inside of the base 3 is charged, which hinders high-speed frequency adjustment.

【0026】また、セラミック製の蓋体を有する上記圧
電振動子20の場合には、周波数調整工程における浮遊
容量の影響を受けてしまうとともに、蓋体24が金属製
でないために、上方からの電気的影響に対してもシール
ドすることができないことから、高性能が要求される製
品に対しては、使用しにくいという問題があった。
Further, in the case of the piezoelectric vibrator 20 having a ceramic lid, the piezoelectric vibrator 20 is affected by the stray capacitance in the frequency adjustment step, and the lid 24 is not made of metal. Since it is not possible to shield against environmental influences, there is a problem that it is difficult to use the product for which high performance is required.

【0027】本発明は、上記課題を解消して、周波数調
整の際の電気的影響を受けることがないので、周波数調
整精度と周波数調整速度を高めることができると共に、
少なくとも下方からの電気的影響を受けることなく高い
性能を維持することができる圧電デバイスを提供するこ
とを目的とする。
The present invention solves the above-mentioned problems, and is not affected by an electric influence at the time of frequency adjustment. Therefore, the frequency adjustment accuracy and the frequency adjustment speed can be improved.
It is an object of the present invention to provide a piezoelectric device that can maintain high performance without being affected by at least electric power from below.

【0028】[0028]

【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項1の
発明によれば、内側に所定の内部空間を形成するよう
に、ベースに対して蓋体を固定し、この内部空間に圧電
振動片を収容するようにした圧電デバイスであって、前
記ベースが、前記圧電振動片が収容配置された箇所より
も下方にグランド電極膜を備える、圧電デバイスによ
り、達成される。
According to the first aspect of the present invention, a lid is fixed to a base so as to form a predetermined internal space inside, and a piezoelectric vibration is applied to the internal space. This is achieved by a piezoelectric device that accommodates a piece, wherein the base includes a ground electrode film below a location where the piezoelectric vibrating piece is accommodated.

【0029】請求項1の構成によれば、圧電振動片を収
容するベースが、この圧電振動片よりも下方にグランド
電極膜を備えることから、蓋体を外した状態において、
上方から、圧電振動片に対して、電子ビームやプラズマ
等を照射して周波数調整する場合に、ベース内側の電気
的変化が生じることを防止することができ、このため、
精度の高い周波数調整が可能である。
According to the first aspect of the present invention, the base accommodating the piezoelectric vibrating reed includes the ground electrode film below the piezoelectric vibrating reed.
When the frequency is adjusted by irradiating the piezoelectric vibrating reed with an electron beam, plasma, or the like from above, it is possible to prevent an electrical change inside the base from occurring.
Highly accurate frequency adjustment is possible.

【0030】また、回路基板上等に実装した場合におい
て、少なくとも、この回路基板等のベースよりも下方か
らの電気的影響を受けることがないので、振動性能が安
定する。
Further, when mounted on a circuit board or the like, since there is no electrical influence from at least below the base of the circuit board or the like, the vibration performance is stabilized.

【0031】請求項2の発明は、請求項1の構成におい
て、前記ベースが底面を形成するための板状の下層と、
この下層に重ねられ、前記内部空間に対応したリング状
の内径を有した少なくとも一つの層でなる上層とを有し
ており、この上層の上端周縁に被せられる前記蓋体が金
属製蓋体であり、かつ、前記下層の前記内部空間に露出
する面にグランド電極膜が形成されると共に、この下層
の露出する下面にグランド端子を備えることを特徴とす
る。
According to a second aspect of the present invention, in the configuration of the first aspect, the base has a plate-like lower layer for forming a bottom surface;
An upper layer that is stacked on the lower layer and has at least one layer having a ring-shaped inner diameter corresponding to the internal space, and the lid that covers the upper edge of the upper layer is a metal lid. And a ground electrode film is formed on a surface of the lower layer exposed to the internal space, and a ground terminal is provided on an exposed lower surface of the lower layer.

【0032】請求項2の構成によれば、下層の上面,す
なわち、ベースの圧電振動片の下方の表面にグランド電
極膜が露出されることになる。
According to the configuration of the second aspect, the ground electrode film is exposed on the upper surface of the lower layer, that is, on the surface below the piezoelectric vibrating reed of the base.

【0033】このため、ベースの上方からの電気的影響
は、金属製の蓋体によりシールドされ、ベースの下方か
らの電気的影響及びベース内の浮遊容量の影響は、グラ
ンド電極膜によりシールドされる。
Therefore, the electric influence from above the base is shielded by the metal lid, and the electric influence from below the base and the influence of the stray capacitance in the base are shielded by the ground electrode film. .

【0034】請求項3の発明は、請求項2の構成におい
て、前記ベースがセラミック材料でなり、前記下層が下
側の第1下層と、これに重ねられる第2下層を有してお
り、この第1下層と第2下層の間に前記グランド電極膜
を形成したことを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the configuration of the second aspect, the base is made of a ceramic material, and the lower layer has a lower first lower layer and a second lower layer superposed thereon. The ground electrode film is formed between a first lower layer and a second lower layer.

【0035】請求項3の構成によれば、ベースの下層を
分割して、第1下層と第2下層を設けその間にグランド
電極膜を形成している。もともとの下層を分割している
ので、合計厚みが極端に増加することなく、間にグラン
ド電極膜が形成されることで、強度が向上する。また、
セラミック材料は多孔質材料であるために、複数層を重
ねることで、気密性が向上する。
According to the structure of the third aspect, the lower layer of the base is divided to provide the first lower layer and the second lower layer, and the ground electrode film is formed therebetween. Since the lower layer is originally divided, the strength is improved by forming the ground electrode film therebetween without increasing the total thickness extremely. Also,
Since the ceramic material is a porous material, airtightness is improved by stacking a plurality of layers.

【0036】請求項4の発明は、請求項1の構成におい
て、前記ベースが板状のセラミック材料により形成され
ており、この板状のベースに対して、内部に前記内部空
間を形成するセラミック製の蓋体が封止固定されるよう
になっており、この板状ベースが、下側の第1層と、こ
れに重ねられる第2層を有していて、かつ、この第1層
と第2層の間に前記グランド電極膜が形成されると共
に、この第1層の露出する下面にグランド端子を備える
ことを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the configuration of the first aspect, the base is formed of a plate-shaped ceramic material, and the base is formed of a ceramic which forms the internal space inside. Is sealed and fixed, and the plate-shaped base has a lower first layer and a second layer superposed on the lower first layer. The ground electrode film is formed between the two layers, and a ground terminal is provided on an exposed lower surface of the first layer.

【0037】請求項4の構成によれば、第1層と第2層
に分割しても、従来と同様の1層の厚みとなるようにす
れば、製品の全体の大きさが大きくなることがない上
に、間にグランド電極膜が形成されることで、強度が向
上する。また、セラミック材料は多孔質材料であるため
に、複数層を重ねることで、気密性が向上する。
According to the fourth aspect of the present invention, even if it is divided into the first layer and the second layer, if the thickness of one layer is the same as the conventional one, the overall size of the product can be increased. In addition to the above, the strength is improved by forming a ground electrode film between them. Further, since the ceramic material is a porous material, airtightness is improved by stacking a plurality of layers.

【0038】請求項5の発明は、請求項1ないし4のい
ずれかの構成において、前記グランド電極膜は、ベース
内で前記圧電振動片が配置された位置と対応する位置に
形成されていることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in any one of the first to fourth aspects, the ground electrode film is formed at a position in the base corresponding to a position where the piezoelectric vibrating reed is arranged. It is characterized by.

【0039】請求項5の構成によれば、ベース内の圧電
振動片の下方で、圧電振動片が配置された位置と対応す
る位置にグランド電極膜を形成しているので、このグラ
ンド電極膜に所定の電圧を印加することで、圧電振動片
の上方からプラズマを照射して周波数調整する場合に、
そのエッチングレートを格段に向上させることができ
る。
According to the fifth aspect of the present invention, the ground electrode film is formed below the piezoelectric vibrating reed in the base at a position corresponding to the position where the piezoelectric vibrating reed is arranged. When applying a predetermined voltage to irradiate plasma from above the piezoelectric vibrating reed to adjust the frequency,
The etching rate can be significantly improved.

【0040】[0040]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0041】図1及び図2は、圧電振動片をパッケージ
内に封止した圧電デバイスとして、本発明の第1の実施
形態としての圧電振動子を示しており、図2は蓋体を除
いて示した概略平面図、図1は、そのB−B線断面図で
ある。この実施形態の圧電振動子30は、図16,17
で説明した従来の圧電振動子と、後述するグランド電極
膜の構成を除き共通する構成である。ここで、パッケー
ジとは、ベースとこのベースに蓋体を固定した構成をさ
すものとする。
FIGS. 1 and 2 show a piezoelectric vibrator according to a first embodiment of the present invention as a piezoelectric device in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a package. FIG. FIG. 1 is a schematic plan view, and FIG. 1 is a sectional view taken along the line BB. The piezoelectric vibrator 30 of this embodiment has the structure shown in FIGS.
This configuration is common to the conventional piezoelectric vibrator described in (1) except for the configuration of a ground electrode film described later. Here, the package refers to a configuration in which a lid is fixed to the base.

【0042】これらの図において、圧電振動子30は、
板状の圧電振動片32を収納する空間部33aが形成さ
れた箱状のベース33と、空間部33aを密封するよう
にベース33に接合された金属で形成した板状の蓋体3
4を備えている。
In these figures, the piezoelectric vibrator 30
A box-shaped base 33 in which a space 33a for accommodating the plate-shaped piezoelectric vibrating piece 32 is formed, and a plate-shaped lid 3 formed of metal joined to the base 33 so as to seal the space 33a.
4 is provided.

【0043】圧電振動片32の材料としては、圧電作用
を発揮する材料として、例えば人工水晶が用いられてお
り、その表面に圧電振動片32の駆動に必要とされる励
振電極37が形成されている。
As a material of the piezoelectric vibrating reed 32, for example, an artificial quartz is used as a material exhibiting a piezoelectric action, and an excitation electrode 37 required for driving the piezoelectric vibrating reed 32 is formed on the surface thereof. I have.

【0044】ベース33の材料としては、例えば、アル
ミナ等のセラミックが用いられており、例えば、ベース
33は、グリーンシート等を用いて、後述するように複
数層に積層して、図示のように箱状に成形された後、焼
成することにより形成される。
As a material of the base 33, for example, a ceramic such as alumina is used. For example, the base 33 is laminated in a plurality of layers using a green sheet or the like as described later, and as shown in FIG. After being formed into a box shape, it is formed by firing.

【0045】蓋体34は、導通性があり、ベース33の
線膨張係数と近い材料が適しており、金属あるいはアル
ミナ等のセラミックにより、例えば、平板な板状に形成
されている。金属の場合には、例えば、コバール,42
アロイ,ステンレス(SUS)等が好適である。
The lid 34 is made of a material having conductivity and a coefficient close to the linear expansion coefficient of the base 33, and is formed of, for example, a flat plate made of metal or ceramic such as alumina. In the case of metal, for example, Kovar, 42
Alloy, stainless steel (SUS) and the like are preferable.

【0046】ベース33には、図2に示すように、外部
と接続するための駆動電極44e,44fが設けられて
おり、圧電振動片32は、一端部32aが空間部33a
内に露出している上記駆動電極44e,44f上に導電
性接着剤35aを介して接続固定されていて、他端部3
2bは自由端とされている。圧電振動片32の表面には
上述したように励振電極37が設けられて、前記駆動電
極44e,44fと接続されている。
As shown in FIG. 2, the base 33 is provided with drive electrodes 44e and 44f for connection to the outside, and one end 32a of the piezoelectric vibrating reed 32 has a space 33a.
The drive electrodes 44e and 44f exposed inside are connected and fixed via a conductive adhesive 35a.
2b is a free end. The excitation electrode 37 is provided on the surface of the piezoelectric vibrating reed 32 as described above, and is connected to the drive electrodes 44e and 44f.

【0047】これにより、後述するように外部から印加
される駆動電圧によって、所定の振動数で振動できるよ
うになっている。
As a result, vibration can be made at a predetermined frequency by a driving voltage applied from the outside, as will be described later.

【0048】ここで、上述したベース33は、例えば、
図1及び図3に示すように構成されている。
Here, the above-described base 33 is, for example,
It is configured as shown in FIGS.

【0049】すなわち、このベース33は、それぞれ所
定の形状に形成されたセラミック体を3層重ねることに
より形成されている。
That is, the base 33 is formed by stacking three layers of ceramic bodies each having a predetermined shape.

【0050】ベース33の層構造の一番下に位置して、
下層を構成する第1層43は、図3(c)に示すように
長方形の薄い板状でなっている。そして、図3(d)
は、この第1層43の裏面の電極構造を示すために、図
3(c)を裏返して示している。
At the bottom of the layer structure of the base 33,
The first layer 43 constituting the lower layer has a rectangular thin plate shape as shown in FIG. Then, FIG.
FIG. 3 (c) is turned upside down to show the electrode structure on the back surface of the first layer 43.

【0051】図において、第1層43の表面側には、一
対の駆動電極端子43e,43fと、この駆動電極端子
43e,43fから延びる導電パターンが設けられてお
り、導電パターンは、第1層43の互いに対角の位置の
端面電極43b,43dに引き回されている。そして、
これらと異なる対角の端部には、端面電極43a,43
cが形成されている。
In the figure, a pair of drive electrode terminals 43e and 43f and a conductive pattern extending from the drive electrode terminals 43e and 43f are provided on the surface side of the first layer 43. 43 are routed to end surface electrodes 43b and 43d at diagonal positions to each other. And
Diagonal ends different from these are provided with end face electrodes 43a, 43a.
c is formed.

【0052】また、この第1層43の裏面側には、図3
(c)の端面電極43b,43dに対して、それぞれ接
続された駆動電極端子43g,43hが形成されてい
る。さらに、他の一対の対角上の隅部には、グランド端
子43i,43jが形成されて、端面電極43a,43
cと接続されている。尚、本明細書において、「表面
側」とは圧電デバイスの蓋側を、「裏面側」とは、圧電
デバイスの底面側を意味するものとする。
Also, on the back side of the first layer 43, FIG.
Drive electrode terminals 43g and 43h connected to the end face electrodes 43b and 43d of (c) are formed, respectively. Furthermore, ground terminals 43i and 43j are formed at the other pair of diagonally upper corners, and the end face electrodes 43a and 43j are formed.
c. In this specification, “front side” means the lid side of the piezoelectric device, and “back side” means the bottom side of the piezoelectric device.

【0053】そして、本実施形態が、従来と異なってい
る点は、このグランド端子43i,43j及び端面電極
43a,43cが、第1層43の図3(c)に示された
表面側のグランド電極膜48と接続されている点であ
る。このグランド電極膜48は、第1層43の表面側の
全体に、他の駆動電極端子43e,43fと分離され
て、設けられている。したがって、図1の圧電振動片3
2の下方のベース33内に形成されていることになる。
The present embodiment is different from the prior art in that the ground terminals 43i and 43j and the end face electrodes 43a and 43c are connected to the ground of the first layer 43 on the surface side shown in FIG. This is a point connected to the electrode film 48. The ground electrode film 48 is provided on the entire surface of the first layer 43 so as to be separated from the other drive electrode terminals 43e and 43f. Therefore, the piezoelectric vibrating reed 3 of FIG.
2 will be formed in the base 33 below.

【0054】ここで、上記グランド電極膜48は、例え
ば、タングステンメタライズ層をスクリーン印刷して形
成する。
Here, the ground electrode film 48 is formed, for example, by screen-printing a tungsten metallized layer.

【0055】この第1層43には、図1のベース33を
構成する上層49の一部である第2層44が重ねられ
る。この第2層44は、図3(b)の平面図に示すよう
に長方形の枠状もしくはリング状でなり、内側に図1の
内部空間33aに対応した大きさの内径を備えていると
ともに、一端の内側には、二つのアイランド状の段部4
4k,44lが設けられている。この各段部44k,4
4lの上には、上下に貫通するスルーホールと、このス
ルーホール内面及び段部表面に形成した駆動電極44
e,44fとが設けられている。そして、第1層43が
第2層44に重ねられた時には、これら駆動電極44
e,44fは、第1層43の表面側の駆動電極43e,
43fと導通するようになっている。
On the first layer 43, a second layer 44 which is a part of the upper layer 49 constituting the base 33 of FIG. The second layer 44 has a rectangular frame shape or ring shape as shown in the plan view of FIG. 3B, and has an inner diameter inside corresponding to the internal space 33a of FIG. Inside one end are two island-shaped steps 4
4k, 44l are provided. Each step 44k, 4
4l, a through-hole penetrating vertically and drive electrodes 44 formed on the inner surface of the through-hole and the surface of the stepped portion.
e, 44f. When the first layer 43 is overlaid on the second layer 44, these drive electrodes 44
e, 44f are driving electrodes 43e, 43e on the surface side of the first layer 43.
43f.

【0056】また、第2層44の4隅の端部には、端面
電極44a,44b,44c,44dがそれぞれ形成さ
れており、このうち、端面電極44aと44cの内側に
は、第3層に接続するための電極44g,44hが設け
られていて、それぞれ隣接する端面電極44a,44c
と導通している。
End electrodes 44a, 44b, 44c, and 44d are formed at the four corners of the second layer 44, respectively. Of these, inside the end electrodes 44a and 44c, the third layer electrodes are provided. 44g and 44h for connection to the end face electrodes 44a and 44c, respectively.
It is conducting.

【0057】この第2層44の上には、上層49の一部
をなす第3層45が配置される。この第3層45は、図
3(a)に示すように、第2層44とほぼ同様の外形を
有しており、互いに対角の位置に一対の上下に貫通する
スルーホールを形成して、このスルーホール内面に電極
45g,45hが形成されている。また、第3層45の
上端周縁に沿って、導通金属による金属被覆部45i
(グランド)が、設けられている。
On this second layer 44, a third layer 45 forming a part of the upper layer 49 is arranged. As shown in FIG. 3A, the third layer 45 has substantially the same outer shape as the second layer 44, and has a pair of vertically penetrating through holes formed at diagonal positions to each other. Electrodes 45g and 45h are formed on the inner surface of the through hole. In addition, along the peripheral edge of the upper end of the third layer 45, a metal coating portion 45i made of a conductive metal is provided.
(Ground) is provided.

【0058】さらに、この第3層45の金属被覆部45
iの上には、図1に示すシームリング46が配置され
る。このシームリング46は第3層45の金属被覆部4
5i上に位置して、ベース33側に固定されて、封止の
際に、シーム溶接に利用される。
Further, the metal coating portion 45 of the third layer 45
Above i, the seam ring 46 shown in FIG. 1 is arranged. The seam ring 46 is provided on the metal coating portion 4 of the third layer 45.
5i, it is fixed to the base 33 side and used for seam welding at the time of sealing.

【0059】第1の実施形態の圧電振動子30は、以上
のように構成されており、以下のように動作する。
The piezoelectric vibrator 30 of the first embodiment is configured as described above, and operates as follows.

【0060】外部から供給される駆動電圧は、第1層4
3の裏面の駆動電極端子43g,43hに供給され、端
面電極43b,43dを介して、表面側導電パターンを
通り、駆動電極43e,43fに供給される。駆動電圧
は、この駆動電極43e,43fから、第2層44の段
部に形成された駆動電極44e,44fを介して、この
駆動電極44e,44fに接合されている圧電振動片3
2の励振電極37に印加されて、圧電振動片32は、所
定の周波数で振動する。
The externally supplied drive voltage is applied to the first layer 4
3 is supplied to the drive electrode terminals 43g and 43h on the rear surface, and is supplied to the drive electrodes 43e and 43f through the front surface side conductive patterns via the end surface electrodes 43b and 43d. The drive voltage is applied to the piezoelectric vibrating reed 3 from the drive electrodes 43e and 43f via the drive electrodes 44e and 44f formed on the step portion of the second layer 44.
The piezoelectric vibrating reed 32 is applied to the second excitation electrode 37 and vibrates at a predetermined frequency.

【0061】そして、本実施形態の圧電振動子30は、
上方からの電気的影響については、金属性の蓋体34に
よりシールドされる。そして、後で詳しく説明するよう
に、蓋体34を外した状態,すなわち、図2の状態で、
上方より圧電振動片32の励振電極37に対して、例え
ばプラズマ等を照射することによりなされる周波数調整
においては、ベース33内に露出しているグランド電極
膜48(図4参照)が、ベース33内の電位変化を裏面
のグランド端子43i,43jを介して逃がすことがで
きる。このため、ベース33内の電気的環境に変化が生
じないことから、圧電振動片32に対して、駆動電圧を
印加しながら、その振動周波数をモニタしながら行う周
波数調整に電気的影響を与えることなく、正確な周波数
調整を行うことができる。
The piezoelectric vibrator 30 of the present embodiment is
The electrical influence from above is shielded by the metal lid 34. Then, as will be described in detail later, in a state where the lid 34 is removed, that is, in a state of FIG.
In frequency adjustment performed by irradiating the excitation electrode 37 of the piezoelectric vibrating reed 32 from above with, for example, plasma or the like, the ground electrode film 48 (see FIG. 4) exposed in the base 33 , Can be released via the ground terminals 43i and 43j on the back surface. For this reason, since there is no change in the electrical environment in the base 33, it is necessary to apply an electric voltage to the piezoelectric vibrating reed 32 while monitoring the vibration frequency thereof while electrically affecting the frequency adjustment. And accurate frequency adjustment can be performed.

【0062】また、本実施形態の圧電振動子30を所定
の回路基板等に実装した場合に、基板側からの電気的影
響をグランド端子43i,43jによりシールドするこ
とができる。
Further, when the piezoelectric vibrator 30 of the present embodiment is mounted on a predetermined circuit board or the like, the electric influence from the board side can be shielded by the ground terminals 43i and 43j.

【0063】かくして、本実施形態の圧電振動子30
は、正確に周波数調整が可能で、実装後も、上方から、
あるいは下方からの電気的影響を受けることなく、正確
に駆動することができるので、特に、高い振動周波数で
振動させる高性能な圧電デバイスの性能をきわめて安定
的に発揮することができる。
Thus, the piezoelectric vibrator 30 of the present embodiment
Is capable of accurate frequency adjustment, and even after mounting,
Alternatively, since accurate driving can be performed without being affected by electricity from below, the performance of a high-performance piezoelectric device that vibrates at a high vibration frequency can be extremely stably exhibited.

【0064】図5及び図6は、圧電振動片をパッケージ
のベース内に封止した圧電デバイスとして、本発明の第
2の実施形態としての圧電振動子を示しており、図6は
蓋体を除いて示した概略平面図、図5は、そのC−C線
断面図である。
FIGS. 5 and 6 show a piezoelectric vibrator according to a second embodiment of the present invention as a piezoelectric device in which a piezoelectric vibrating reed is sealed in a package base. FIG. FIG. 5 is a schematic plan view with the exception of FIG.

【0065】この第2の実施形態の圧電振動子50にお
いて、第1の実施形態と同一の符号を付した箇所は共通
する構成であるから、重複する説明は省略し、以下、相
違点を中心に説明する。
In the piezoelectric vibrator 50 according to the second embodiment, the portions denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment have the same configuration, and thus the duplicated description will be omitted, and the differences will be mainly described below. Will be described.

【0066】この圧電振動子50では、ベース56が複
数の層からなる層構造を有しており、特に下層55が、
第1下層53と、第2下層54に分割されていて、この
第1下層53と、第2下層54との間にグランド電極膜
58が備えられている点が第1の実施形態と異なってい
る。
In this piezoelectric vibrator 50, the base 56 has a layer structure composed of a plurality of layers.
The second embodiment is different from the first embodiment in that a ground electrode film 58 is provided between the first lower layer 53 and the second lower layer 54 and is divided between the first lower layer 53 and the second lower layer 54. I have.

【0067】図8は、ベース56を構成する各層を各別
に示しており、図8(e)は、第1下層である第1層5
3の裏面側を示し、図8(d)は、第1下層である第1
層53の表面側を示している。
FIG. 8 shows each layer constituting the base 56 separately. FIG. 8E shows the first layer 5 which is the first lower layer.
8 shows the back surface side of FIG. 3 and FIG.
The surface side of the layer 53 is shown.

【0068】また、図8(c)は、第2下層としての第
2層54の表面側を示しており、図8(b)は上層であ
る第3層44の表面側を示し、図8(a)は上層である
第4層45の表面側を示している。そして、図8(b)
の第3層44は、第1の実施形態で説明した図3(b)
の第2層44と同じ構成であり、8(a)の第4層45
は、第1の実施形態で説明した図3(a)の第1層45
と同じ構成である。
FIG. 8C shows the surface side of the second layer 54 as the second lower layer, and FIG. 8B shows the surface side of the third layer 44 which is the upper layer. (A) has shown the surface side of the 4th layer 45 which is an upper layer. Then, FIG.
The third layer 44 of FIG. 3B described in the first embodiment
The structure is the same as that of the second layer 44 of FIG.
Is the first layer 45 of FIG. 3A described in the first embodiment.
It has the same configuration as.

【0069】したがって、相違点である第1層53と第
2層54とを説明する。
Therefore, only the difference between the first layer 53 and the second layer 54 will be described.

【0070】この第1層53及び第2層54は、第1の
実施形態における第1層43を上下2層に分離した機能
を有している。このため、第1層53及び第2層54を
合わせた層の厚みが、第1の実施形態における第1層4
3の厚みとほぼ一致するようにされている。つまり、本
実施形態の第1層53が0.15mm程度の厚みであ
り、第2層54の厚みが0.15mm程度の厚みであ
り、第1の実施形態の第1層43の厚みは0.2mm以
上程度とされている。
The first layer 53 and the second layer 54 have the function of separating the first layer 43 in the first embodiment into two layers, upper and lower. Therefore, the combined thickness of the first layer 53 and the second layer 54 is equal to the first layer 4 in the first embodiment.
3 is substantially equal to the thickness. That is, the thickness of the first layer 53 of the present embodiment is about 0.15 mm, the thickness of the second layer 54 is about 0.15 mm, and the thickness of the first layer 43 of the first embodiment is 0 mm. 0.2 mm or more.

【0071】この第1層53の裏面側には、駆動電極端
子43g,43hが形成されて端面電極53b,53d
と接続されている。さらに、他の一対の対角上の隅部に
は、グランド端子43i,43jが形成されて、端面電
極53a,53cと接続されている。
On the back side of the first layer 53, drive electrode terminals 43g and 43h are formed, and end face electrodes 53b and 53d are formed.
Is connected to Further, ground terminals 43i and 43j are formed at the other pair of diagonal corners, and are connected to the end face electrodes 53a and 53c.

【0072】そして、本実施形態が、従来と異なってい
る点は、このグランド端子43i,43j及び端面電極
53a,53cが、第1層53の図8(d)に示された
表面側のグランド電極膜58と接続されている点であ
る。このグランド電極膜58は、第1層53の表面側の
全体に設けられている点を除き、第1の実施形態のグラ
ンド電極膜48と同じ構成である。
The present embodiment is different from the prior art in that the ground terminals 43i and 43j and the end face electrodes 53a and 53c are connected to the ground of the first layer 53 on the front side shown in FIG. This is a point connected to the electrode film 58. This ground electrode film 58 has the same configuration as the ground electrode film 48 of the first embodiment except that it is provided on the entire surface side of the first layer 53.

【0073】そして、この第1層53の上に図8(c)
に示す第2層54が重ねられている。この第2層54の
表面側は、ベース56内に露出されるようになってい
る。第2層54の表面側には、一対の駆動電極端子43
e,43fと、この駆動電極端子43e,43fから延
びる導電パターンが設けられており、導電パターンは、
第2層54の互いに対角の位置の端面電極43b,43
dに引き回されている。そして、これらと異なる対角の
端部には、端面電極43a,43cが形成されている。
Then, on this first layer 53, FIG.
The second layer 54 shown in FIG. The surface side of the second layer 54 is exposed in the base 56. A pair of drive electrode terminals 43 is provided on the surface side of the second layer 54.
e, 43f, and a conductive pattern extending from the drive electrode terminals 43e, 43f.
End face electrodes 43b and 43 at diagonal positions of the second layer 54
d. End electrodes 43a and 43c are formed at diagonal ends different from these.

【0074】この第2層54の端面電極43a,43c
は、上述した第1層53の端面電極53a,53cを介
して、グランド電極膜58と接続されている。そして、
第2層54の端面電極43b,43dは、上述した第1
層53の端面電極53b,53dを介して、駆動電極端
子43g,43hと接続されている。
The end surface electrodes 43a, 43c of the second layer 54
Are connected to the ground electrode film 58 via the end surface electrodes 53a and 53c of the first layer 53 described above. And
The end surface electrodes 43b and 43d of the second layer 54 are the same as those of the first layer described above.
The driving electrode terminals 43g and 43h are connected via end electrodes 53b and 53d of the layer 53.

【0075】また、第2層54の駆動電極端子43e,
43fは、第1の実施形態と同様に第3層44の段部に
形成された駆動電極44e,44fと接続され、これよ
り上方の接続は、第1の実施形態と同じである。
The drive electrode terminals 43e, 43e of the second layer 54
43f is connected to the drive electrodes 44e and 44f formed on the step portion of the third layer 44 as in the first embodiment, and the connection above this is the same as in the first embodiment.

【0076】したがって、この第2の実施形態の圧電振
動子50においては、グランド電極膜58が、薄く形成
された第1下層である第1層53と第2下層である第2
層54の間に、その全面にわたって形成されているの
で、図5に示すように、ベース56は、圧電振動片32
の下方において、グランド電極膜58を備えていること
になる。
Therefore, in the piezoelectric vibrator 50 according to the second embodiment, the ground electrode film 58 has the first layer 53 which is the first lower layer and the second layer 53 which is the second lower layer.
Since it is formed between the layers 54 over the entire surface, as shown in FIG.
Below, a ground electrode film 58 is provided.

【0077】したがって、この圧電振動子50において
も第1の実施形態と同様に、正確に周波数調整が可能
で、実装後も、上方から、あるいは下方からの電気的影
響を受けることなく、正確に駆動することができるの
で、特に、高い振動周波数で振動させる高性能な圧電デ
バイスの性能をきわめて安定的に発揮することができ
る。
Therefore, as in the first embodiment, the frequency of the piezoelectric vibrator 50 can be accurately adjusted, and the piezoelectric vibrator 50 can be accurately adjusted without being electrically affected from above or below even after mounting. Since the piezoelectric device can be driven, the performance of a high-performance piezoelectric device that vibrates at a high vibration frequency can be extremely stably exhibited.

【0078】また、これに加えて、第1層53と第2層
54は、ともに薄く形成されており、2つの層をあわせ
て、第1の実施形態の第1層43とほぼ同等の厚みとな
るから、装置が必要以上に大きくなることなく、コンパ
クトに形成することができる。
In addition, the first layer 53 and the second layer 54 are both formed to be thin, and the two layers together have a thickness substantially equal to that of the first layer 43 of the first embodiment. Therefore, the device can be formed compact without being unnecessarily large.

【0079】さらに、第1層53と第2層54は、とも
にセラミック材料で形成されているので、セラミックは
多数の微細な孔を有する多孔質体である。このように下
層を2層に分離して重ねることで、第1層53と第2層
54のこれら微細な孔が互いに重ならない位置になり、
2層を貫通するおそれがほとんどないことから、気密性
が向上する。
Further, since the first layer 53 and the second layer 54 are both formed of a ceramic material, the ceramic is a porous body having a large number of fine holes. By thus separating the lower layer into two layers and stacking them, these fine holes in the first layer 53 and the second layer 54 are located at positions where they do not overlap with each other,
Since there is almost no risk of penetrating the two layers, the airtightness is improved.

【0080】また、第1層53と第2層54との間に導
通金属によるグランド電極膜を形成しているので、この
電極膜を有する分だけ下層55の強度が向上し、同じ強
度とする場合には、第1の実施形態の第1層43より
も、第1層53と第2層54とを合わせた厚みを薄く形
成することができる。
Further, since the ground electrode film made of a conductive metal is formed between the first layer 53 and the second layer 54, the strength of the lower layer 55 is improved by the presence of the electrode film, and the same strength is obtained. In this case, the combined thickness of the first layer 53 and the second layer 54 can be made smaller than that of the first layer 43 of the first embodiment.

【0081】尚、上述の実施形態では、グランド電極膜
58を第1層53の表面側に形成したが、第1層53側
ではなく、第2層54の裏面側に形成してもよいことは
勿論である。
In the above embodiment, the ground electrode film 58 is formed on the front surface of the first layer 53, but may be formed on the back surface of the second layer 54 instead of the first layer 53. Of course.

【0082】図9は、圧電振動片をパッケージ内に封止
した圧電デバイスとして、本発明の第3の実施形態とし
ての圧電振動子を示しており、この圧電振動子は、蓋体
をセラミック材料で形成したものである。
FIG. 9 shows a piezoelectric vibrator according to a third embodiment of the present invention as a piezoelectric device in which a piezoelectric vibrating reed is sealed in a package. The piezoelectric vibrator has a lid made of a ceramic material. It is formed by.

【0083】この第3の実施形態の圧電振動子60にお
いて、第1の実施形態と同一の符号を付した箇所は共通
する構成であるから、重複する説明は省略し、以下、相
違点を中心に説明する。
In the piezoelectric vibrator 60 according to the third embodiment, the portions denoted by the same reference numerals as those in the first embodiment have the same configuration, and thus the duplicated description will be omitted, and the differences will be mainly described below. Will be described.

【0084】図において、圧電振動子60は、板状の圧
電振動片32の一端32aが、後述するように2層で形
成したベース63の表面に形成した駆動電極68,69
上に導電性接着剤65cを介して、やや傾斜させて接続
固定されていて、他端部32bは自由端とされている。
つまり、圧電振動片32は、自由端32bをやや上方を
向くように傾斜させることで、下方に僅かな空間を形成
して、振動性能を発揮できるようになっている。圧電振
動片32の表面には第1の実施形態と同様に励振電極が
設けられて、前記駆動電極68,69と接続されてい
る。
In the figure, a piezoelectric vibrator 60 is configured such that one end 32a of a plate-shaped piezoelectric vibrating piece 32 is formed with drive electrodes 68 and 69 formed on the surface of a base 63 formed of two layers as described later.
The upper end is connected and fixed with a slight inclination via a conductive adhesive 65c, and the other end 32b is a free end.
In other words, the piezoelectric vibrating reed 32 has a slight space formed below by inclining the free end 32b so as to face slightly upward, thereby exhibiting vibration performance. Excitation electrodes are provided on the surface of the piezoelectric vibrating reed 32 as in the first embodiment, and are connected to the driving electrodes 68 and 69.

【0085】ベース63の上には、セラミック製の蓋体
64が、例えば低融点封止ガラス66により封止接合さ
れている。この蓋体64は、凹状に形成されており、上
記圧電振動片32を収容するための内部空間部62aを
形成している。
On the base 63, a lid 64 made of ceramic is sealed and joined by, for example, a sealing glass 66 having a low melting point. The lid 64 is formed in a concave shape, and forms an internal space 62 a for accommodating the piezoelectric vibrating reed 32.

【0086】ここで、ベース63は、下層である第1層
61と、上層である第2層62を重ねて固定することに
より、2層構造とされている。そして、この第1層61
と第2層62とを合わせた厚みが、図19で説明した、
従来の1層構成のパッケージ23と同じ厚みとなるよう
にされている。すなわち、本実施形態の第1層61が
0.3mm程度の厚みであり、第2層62の厚みが0.
3mm程度の厚みであり、従来のベース23の厚みは
0.6mm程度とされている。
Here, the base 63 has a two-layer structure by overlapping and fixing a first layer 61 as a lower layer and a second layer 62 as an upper layer. Then, the first layer 61
The combined thickness of the second layer 62 and the second layer 62 has been described with reference to FIG.
The thickness is the same as that of the conventional single-layer package 23. That is, the first layer 61 of the present embodiment has a thickness of about 0.3 mm, and the second layer 62 has a thickness of about 0.3 mm.
The thickness is about 3 mm, and the thickness of the conventional base 23 is about 0.6 mm.

【0087】次に、このベース63の各層の構成につい
て説明する。
Next, the structure of each layer of the base 63 will be described.

【0088】図10は、上層である第2層の構成を示
し、図10(a)は、その表面側を示す図、図10
(b)は、その裏面側を示す図である。
FIG. 10 shows the structure of the second layer, which is the upper layer, and FIG.
(B) is a figure which shows the back surface side.

【0089】図において、第2層62は、図示のように
ほぼ長方形の板状のセラミックにより形成され、その表
面側は、ベース63の表面側(内側)に露出されるよう
になっている。第2層62の表面側には、一対の駆動電
極端子68,69と、この駆動電極端子68,69から
延びる導電パターンが設けられている。この導電パター
ンは、第2層62の互いに対角の位置の端面電極71,
72に引き回されている。そして、これらと異なる対角
の端部には、端面電極73,74が形成されている。
In the figure, the second layer 62 is formed of a substantially rectangular plate-like ceramic as shown in the figure, and the surface side is exposed to the surface side (inside) of the base 63. On the surface side of the second layer 62, a pair of drive electrode terminals 68, 69 and a conductive pattern extending from the drive electrode terminals 68, 69 are provided. This conductive pattern includes end face electrodes 71, diagonally opposite to each other on the second layer 62.
It is routed to 72. End electrodes 73 and 74 are formed at diagonal ends different from these.

【0090】図10(b)に示すように、第2層62の
裏面側のぼほ全面にわたって、グランド電極膜75が形
成されている。このグランド電極膜75は、端面電極7
3,74と接続されている。
As shown in FIG. 10B, a ground electrode film 75 is formed on the entire back surface of the second layer 62. The ground electrode film 75 is formed on the end face electrode 7.
3, 74 are connected.

【0091】図11は、第1層61の裏面側が示されて
いる。この第1層61の裏面側には、図10の端面電極
71,72に対して、それぞれ接続される駆動電極端子
82,83が、この第1層61の端面電極端子78,7
9と接続されるようにして形成されている。さらに、第
1層61の裏面側の他の一対の対角上の隅部には、グラ
ンド端子80,81及び、端面電極76,77とともに
形成されており、この端面電極端子76,77は、第2
層62の上記端面電極端子73,74を介して、グラン
ド電極膜75と接続されるようになっている。
FIG. 11 shows the back side of the first layer 61. On the back side of the first layer 61, drive electrode terminals 82 and 83 connected to the end face electrodes 71 and 72 in FIG.
9 is formed. Further, ground terminals 80 and 81 and end electrodes 76 and 77 are formed at the other pair of diagonal corners on the back surface side of the first layer 61. These end electrode terminals 76 and 77 are Second
The end face electrode terminals 73 and 74 of the layer 62 are connected to the ground electrode film 75.

【0092】本実施形態は以上のように構成されてお
り、この圧電振動子60においても第1の実施形態と同
様に、正確に周波数調整が可能で、実装後も、下方から
の電気的影響を受けることなく、正確に駆動することが
できるので、特に、高い振動周波数で振動させる高性能
な圧電デバイスの性能をきわめて安定的に発揮すること
ができる。
The present embodiment is configured as described above. In this piezoelectric vibrator 60, similarly to the first embodiment, the frequency can be accurately adjusted, and even after mounting, the electric influence from below is obtained. Since the piezoelectric device can be driven accurately without receiving the vibration, the performance of a high-performance piezoelectric device that vibrates at a high vibration frequency can be extremely stably exhibited.

【0093】また、これに加えて、第1層61と第2層
62は、ともに薄く形成されており、2つの層をあわせ
て、従来のベース23とほぼ同等の厚みとなるから、装
置が必要以上に大きくなることなく、コンパクトに形成
することができる。
In addition to this, the first layer 61 and the second layer 62 are both formed to be thin and the thickness of the two layers is approximately equal to that of the conventional base 23. It can be formed compact without becoming unnecessarily large.

【0094】さらに、第1層61と第2層62は、とも
にセラミック材料で形成されているので、セラミックは
多数の微細な孔を有する多孔質体である。このように下
層を2層に分離して重ねることで、第1層61と第2層
72のこれら微細な孔が互いに重ならない位置になり、
2層を貫通するおそれがほとんどないことから、気密性
が向上する。
Furthermore, since both the first layer 61 and the second layer 62 are formed of a ceramic material, the ceramic is a porous body having a large number of fine holes. By thus separating the lower layer into two layers and overlapping them, these fine holes in the first layer 61 and the second layer 72 are located at positions where they do not overlap with each other,
Since there is almost no risk of penetrating the two layers, the airtightness is improved.

【0095】また、第1層61と第2層62との間に導
通金属によるグランド電極膜を形成しているので、この
電極膜を有する分だけベース63の強度が向上し、同じ
強度とする場合には、従来のベース23よりも厚みを薄
く形成することができる。
Further, since the ground electrode film made of a conductive metal is formed between the first layer 61 and the second layer 62, the strength of the base 63 is improved by the provision of the electrode film, and the same strength is obtained. In this case, the thickness can be made thinner than the conventional base 23.

【0096】尚、上述の実施形態では、グランド電極膜
75を第2層62の裏面側に形成したが、第2層62側
ではなく、第1層61の表面側に形成してもよいことは
勿論である。
In the above-described embodiment, the ground electrode film 75 is formed on the back surface of the second layer 62. However, the ground electrode film 75 may be formed on the front surface of the first layer 61 instead of the second layer 62. Of course.

【0097】図12は、第3の実施形態の第1の変形例
であり、第2層89の構成を除き、他の部分の構成は上
述の第3の実施形態と同じである。
FIG. 12 shows a first modification of the third embodiment. The configuration of the other parts is the same as that of the third embodiment except for the configuration of the second layer 89.

【0098】この第2層89では、グランド電極膜85
が複数もしくは多数の孔85aを有している。
In the second layer 89, the ground electrode film 85
Has a plurality or a large number of holes 85a.

【0099】これにより、孔85aを介して、第2層6
2の裏面側のセラミック材料を露出させて、第1層61
の上面のセラミック材料と接触させることができるの
で、同じ材料どうしを接合することになり、積層した時
の強度を向上させることができる。また、孔85aを形
成した分だけ電極材料を節約することができる。 図1
3は、第3の実施形態の第2の変形例であり、第2層9
0の構成を除き、他の部分の構成は上述の第3の実施形
態と同じである。
Thus, the second layer 6 is formed through the hole 85a.
2 by exposing the ceramic material on the back side of the first layer 61.
Can be brought into contact with the ceramic material on the upper surface of the substrate, so that the same material is joined to each other, and the strength at the time of lamination can be improved. Further, the electrode material can be saved by the amount corresponding to the formation of the holes 85a. Figure 1
Reference numeral 3 denotes a second modification of the third embodiment, and the second layer 9
Except for the configuration of 0, the configuration of other parts is the same as that of the third embodiment.

【0100】この第2層90のグランド電極膜88は、
第1のグランド電極膜86と第2のグランド電極膜87
とに分離されている。
The ground electrode film 88 of the second layer 90 is
First ground electrode film 86 and second ground electrode film 87
And are separated into

【0101】ここで、第1のグランド電極膜86は、圧
電振動片32とほぼ同様の大きさと外形となるようにさ
れており、特に、図9の状態において、圧電振動片32
の下方と、この圧電振動片32とほぼ相似もしくは同一
の形状となるように形成されている。そして、第2のグ
ランド電極膜87は、第1のグランド電極膜86の周囲
で、これを囲むように形成することで、周波数調整の際
には、グランド電極86のみを接地し、アルゴンイオン
が励振電極に効率的に衝突するようにしている。これに
より、デバイスとして使用する場合には、グランド電極
86,87を接地することにより、十分なシールド効果
を得ることができるようになっている。
The first ground electrode film 86 has substantially the same size and outer shape as the piezoelectric vibrating reed 32. In particular, in the state shown in FIG.
Is formed so as to be substantially similar to or the same shape as the piezoelectric vibrating reed 32. Then, the second ground electrode film 87 is formed around the first ground electrode film 86 so as to surround the first ground electrode film 86, so that only the ground electrode 86 is grounded during frequency adjustment, and argon ions are It is designed to efficiently collide with the excitation electrode. Thus, when used as a device, a sufficient shielding effect can be obtained by grounding the ground electrodes 86 and 87.

【0102】第2の変形例では、特に、図14に示すよ
うに周波数調整する場合に、エッチングすべき圧電振動
片32に対してだけ、プラズマを選択的に照射して、そ
のエッチングレートを効果的に高めることができる。
In the second modification, in particular, when the frequency is adjusted as shown in FIG. 14, only the piezoelectric vibrating reed 32 to be etched is selectively irradiated with plasma to reduce the etching rate. Can be increased.

【0103】図14は、質量削減方式による周波数調整
方法を実行する周波数調整装置を示している。
FIG. 14 shows a frequency adjusting apparatus for executing the frequency adjusting method by the mass reduction method.

【0104】周波数調整装置99は、真空チャンバー9
1と、真空チャンバー91内を真空引きする真空ポンプ
等の真空排気手段95とを備えている。また、真空チャ
ンバー91には、不活性ガスとしての、例えば、アルゴ
ンガスを供給するアルゴンガス供給手段93と、例え
ば、内部に電極棒を収容した円筒状のイオンガン92を
備え、このイオンガン92の電極棒には、高電圧源94
が接続されている。
The frequency adjusting device 99 is provided in the vacuum chamber 9
1 and vacuum evacuation means 95 such as a vacuum pump for evacuating the vacuum chamber 91. Further, the vacuum chamber 91 is provided with an argon gas supply means 93 for supplying, for example, argon gas as an inert gas, and a cylindrical ion gun 92 containing, for example, an electrode rod therein. The rod has a high voltage source 94
Is connected.

【0105】周波数調整における逆スパッタリングの対
象となる圧電振動片32は、ベース63にマウントされ
た状態で、蓋体は接合されておらず、例えば、図示しな
い支持手段によりイオンガン92と対向するように支持
されている。
The piezoelectric vibrating reed 32 to be subjected to reverse sputtering in frequency adjustment is mounted on the base 63 and has no lid joined thereto. For example, the piezoelectric vibrating reed 32 is opposed to the ion gun 92 by supporting means (not shown). Supported.

【0106】圧電振動片32の励振電極27に対して
は、モニタリング手段を備えた制御部96を介して、駆
動電圧供給手段97から駆動電圧が印加されるようにな
っており、その振動周波数fをモニタできるようになっ
ている。
A drive voltage is applied to the excitation electrode 27 of the piezoelectric vibrating piece 32 from a drive voltage supply unit 97 via a control unit 96 having a monitoring unit. Can be monitored.

【0107】さらに、この周波数調整装置99において
は、上述したベース63のグランド電極膜86に所定の
電圧をかける電圧印加手段98を備えている。
Further, the frequency adjusting device 99 includes voltage applying means 98 for applying a predetermined voltage to the ground electrode film 86 of the base 63 described above.

【0108】周波数調整装置99は以上のように構成さ
れており、真空チャンバー91内の空気を真空ポンプ9
5により真空引きして所定の真空度とし、アルゴンガス
供給手段93から、真空チャンバー91内に所定の量の
アルゴンガスを導入する。
The frequency adjusting device 99 is configured as described above, and the air in the vacuum chamber 91 is supplied to the vacuum pump 9.
A predetermined amount of argon gas is introduced into the vacuum chamber 91 from the argon gas supply means 93 by evacuating to a predetermined degree of vacuum by 5.

【0109】この状態において、真空チャンバー91内
に充填されたアルゴン(Ar)ガスが、イオンガン92
の中でプラズマ化し、プラスイオンとなる。このプラス
イオンとなったアルゴンイオンは、イオンガン92の先
端から飛び出して、対向する圧電振動片32の励振電極
27に当たると、励振電極27の形成材料である金属膜
の金属粒子が反跳されて飛び出し、削られることから、
励振電極27の質量が削減される。これにより、圧電振
動片32の振動周波数fは、次第に高くなるように周波
数調整される。
In this state, the argon (Ar) gas filled in the vacuum chamber 91 is supplied to the ion gun 92.
It is turned into plasma and becomes positive ions. The argon ions, which have become positive ions, fly out from the tip of the ion gun 92 and hit the excitation electrode 27 of the opposing piezoelectric vibrating reed 32, and the metal particles of the metal film, which is the material forming the excitation electrode 27, recoil and fly out. , From being shaved,
The mass of the excitation electrode 27 is reduced. Thereby, the frequency of the vibration frequency f of the piezoelectric vibrating piece 32 is adjusted so as to gradually increase.

【0110】この場合、グランド電極膜86に対して、
電圧印加手段98により、マイナス電圧が印加される
と、グランド電極膜86は、圧電振動片32を挟んでイ
オンガン91と対向するので、アルゴンイオンは、この
グランド電極膜86に向かって飛ぶことになる。この場
合、グランド電極膜86の手前に圧電振動片32が位置
するので、アルゴンイオンは、この圧電振動片32をタ
ーゲットとして選択的に当たることになる。
In this case, with respect to the ground electrode film 86,
When a negative voltage is applied by the voltage applying means 98, the ground electrode film 86 faces the ion gun 91 with the piezoelectric vibrating reed 32 interposed therebetween, so that argon ions fly toward the ground electrode film 86. . In this case, since the piezoelectric vibrating reed 32 is located in front of the ground electrode film 86, argon ions are selectively hit by using the piezoelectric vibrating reed 32 as a target.

【0111】図15は、周波数調整装置99による周波
数調整の様子を示しており、図15(a)は圧電振動片
32の周波数変化を示し、図15(b)は、グランド電
極膜86へ印加する電圧を示している。
FIGS. 15A and 15B show how the frequency is adjusted by the frequency adjusting device 99. FIG. 15A shows the frequency change of the piezoelectric vibrating reed 32, and FIG. Voltage to be applied.

【0112】図示されているように、時間T1の間は、
グランド電極膜86に対して、制御手段96の指示によ
り、電圧印加手段98の印加する電圧は比較的高く、こ
の状態では、エッチングスピードは遅い。次いで、例え
ば、T2時間の間、電位をマイナス側に大きくすると、
アルゴンイオンによるエッチングスピードが上昇して、
急速にエッチングされる。したがって、これは周波数調
整における粗調段階に対応している。また、T3時間の
間は、T2時間の電位よりもやや高い(プラス側に変
化)電位をグランド電極膜86に印加すると、エッチン
グスピードがゆるやかになる。
As shown, during time T1,
With respect to the ground electrode film 86, the voltage applied by the voltage applying means 98 is relatively high in accordance with an instruction from the control means 96, and in this state, the etching speed is low. Next, for example, when the potential is increased to the negative side during the time T2,
The etching speed by argon ions increases,
Etched rapidly. Therefore, this corresponds to the coarse adjustment stage in the frequency adjustment. Further, during the time T3, if a potential slightly higher (changed to the plus side) than the potential at the time T2 is applied to the ground electrode film 86, the etching speed becomes slow.

【0113】このように、本実施形態の圧電振動子を用
いて、周波数調整装置99により周波数調整を行うこと
で、圧電振動片32を選択的にエッチングすることがで
き、しかも、そのエッチングスピードを容易に調整する
ことができる。これにより、周波数調整の効率を向上さ
せることができるとともに、精度よく周波数調整するこ
とができるので、所望の周波数f0に正確に調整するこ
とができ、高性能な圧電振動子を製造することができ
る。
As described above, the frequency is adjusted by the frequency adjusting device 99 using the piezoelectric vibrator of the present embodiment, so that the piezoelectric vibrating reed 32 can be selectively etched, and the etching speed can be reduced. It can be easily adjusted. As a result, the efficiency of frequency adjustment can be improved, and the frequency can be adjusted with high accuracy. Therefore, the frequency can be adjusted to a desired frequency f0 accurately, and a high-performance piezoelectric vibrator can be manufactured. .

【0114】本発明は上述の実施形態に限定されない。
上述の各実施形態の各構成は、省略したり、適宜任意に
組み合わせることができる。
The present invention is not limited to the above embodiment.
Each configuration of each of the above-described embodiments can be omitted or arbitrarily combined as appropriate.

【0115】また、本発明のマウント構造及び方法は、
上述した圧電振動子に限らず、これに所定の集積回路を
組み込んだ圧電発振器その他の圧電振動片を用いたあら
ゆる圧電デバイスに適用することができる。
The mounting structure and method of the present invention
The present invention is not limited to the above-described piezoelectric vibrator, but can be applied to any piezoelectric device using a piezoelectric oscillator or a piezoelectric vibrating piece in which a predetermined integrated circuit is incorporated.

【0116】[0116]

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、周
波数調整の際の電気的影響を受けることがないので、周
波数調整の精度を高めることができると共に、少なくと
も下方からの電気的影響を受けることなく高い性能を維
持することができる圧電デバイスを提供することができ
る。
As described above, according to the present invention, since there is no electric influence at the time of frequency adjustment, the accuracy of frequency adjustment can be improved, and at least the electric influence from below is obtained. It is possible to provide a piezoelectric device that can maintain high performance without receiving the same.

【0117】また、本発明の圧電デバイスは、電気的影
響を受けないだけでなく、さらに、その振動周波数の周
波数調整速度を容易にコントロールできるので、より効
率的で高精度に周波数を調整することができる。
Further, the piezoelectric device of the present invention is not affected by electric influence, and furthermore, the frequency adjustment speed of the vibration frequency can be easily controlled, so that the frequency can be adjusted more efficiently and with high precision. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスと
しての圧電振動子の一例を示す概略断面図。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of a piezoelectric vibrator as a piezoelectric device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の圧電振動子の蓋体を外した状態における
概略平面図。
FIG. 2 is a schematic plan view of the piezoelectric vibrator of FIG. 1 with a lid removed.

【図3】図1の圧電振動子のパッケージの構成を示して
おり、(a)は第3層表面側、(b)は第2層表面側、
(c)は第1層表面側、(d)は第1層裏面側をそれぞ
れ示す図。
3A and 3B show a configuration of a package of the piezoelectric vibrator of FIG. 1; FIG. 3A shows the surface of the third layer, FIG. 3B shows the surface of the second layer;
(C) is a diagram showing the front surface side of the first layer, and (d) is a diagram showing the back surface side of the first layer.

【図4】図1の圧電振動子の蓋体及び圧電振動片を外し
て、グランド電極膜のパッケージ内への露出の様子を示
す平面図。
FIG. 4 is a plan view showing a state in which a lid and a piezoelectric vibrating piece of the piezoelectric vibrator of FIG. 1 are removed and a ground electrode film is exposed in a package;

【図5】本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイスと
しての圧電振動子の一例を示す概略断面図。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing an example of a piezoelectric vibrator as a piezoelectric device according to a second embodiment of the present invention.

【図6】図5の圧電振動子の蓋体を外した状態における
概略平面図。
FIG. 6 is a schematic plan view of the piezoelectric vibrator of FIG. 5 in a state where a lid is removed.

【図7】図5の圧電振動子の蓋体及び圧電振動片を外し
た状態における概略平面図。
FIG. 7 is a schematic plan view of the piezoelectric vibrator of FIG. 5 with a lid and a piezoelectric vibrating reed removed.

【図8】図5の圧電振動子のパッケージの構成を示して
おり、(a)は第4層表面側、(b)は第3層表面側、
(c)は第2層表面側、(d)は第1層表面側、(e)
は第1層裏面側、をそれぞれ示す図。
8A and 8B show the configuration of the package of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 5, wherein FIG. 8A shows the surface of the fourth layer, FIG.
(C) is the second layer surface side, (d) is the first layer surface side, (e)
FIG. 3 is a diagram illustrating a first layer rear surface side.

【図9】本発明の第3の実施形態に係る圧電デバイスと
しての圧電振動子の一例を示す概略断面図。
FIG. 9 is a schematic sectional view showing an example of a piezoelectric vibrator as a piezoelectric device according to a third embodiment of the present invention.

【図10】図9の圧電振動子のパッケージの構成を示し
ており、(a)は第2層表面側、(b)は第2層裏面
側、をそれぞれ示す図。
10A and 10B show the configuration of the package of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 9; FIG. 10A is a diagram showing the front surface side of the second layer, and FIG.

【図11】図9の圧電振動子のパッケージの構成におけ
る第1層の裏面側を示す図。
FIG. 11 is a diagram showing a back surface side of a first layer in the configuration of the package of the piezoelectric vibrator of FIG. 9;

【図12】図9の圧電振動子のパッケージの構成の第1
の変形例を示す図。
FIG. 12 shows a first configuration of the package of the piezoelectric vibrator of FIG.
The figure which shows the modification of FIG.

【図13】図9の圧電振動子のパッケージの構成の第2
の変形例を示す図。
FIG. 13 shows a second configuration of the package of the piezoelectric vibrator of FIG.
The figure which shows the modification of FIG.

【図14】本発明の実施形態の圧電振動片を周波数調整
するための周波数調整装置を示す概略構成図。
FIG. 14 is a schematic configuration diagram showing a frequency adjustment device for adjusting the frequency of the piezoelectric vibrating reed according to the embodiment of the present invention.

【図15】図14の周波数調整装置による周波数調整の
様子を示すグラフ。
FIG. 15 is a graph showing a state of frequency adjustment by the frequency adjustment device of FIG. 14;

【図16】従来の圧電デバイスとしての圧電振動子の一
例としての圧電振動子の蓋体を外した状態における概略
平面図。
FIG. 16 is a schematic plan view of a piezoelectric vibrator as an example of a conventional piezoelectric device with a lid removed, as an example.

【図17】図16の圧電デバイスとしての圧電振動子の
概略断面図。
FIG. 17 is a schematic sectional view of a piezoelectric vibrator as the piezoelectric device of FIG.

【図18】図17の圧電振動子のパッケージの構成を示
しており、(a)はシームリング、(b)は第3層表面
側、(c)は第2層表面側、(d)は第1層表面側、
(e)は第1層裏面側、をそれぞれ示す図。
18A and 18B show the configuration of the package of the piezoelectric vibrator of FIG. 17, wherein FIG. 18A shows a seam ring, FIG. 18B shows a third layer surface side, FIG. 18C shows a second layer surface side, and FIG. The first layer surface side,
(E) is a diagram showing the back side of the first layer.

【図19】従来の圧電デバイスとしての圧電振動子の他
の例を示す概略断面図。
FIG. 19 is a schematic sectional view showing another example of a piezoelectric vibrator as a conventional piezoelectric device.

【図20】図20の圧電振動子の蓋体を外した状態にお
ける概略平面図。
FIG. 20 is a schematic plan view of the piezoelectric vibrator of FIG. 20 with a lid removed.

【図21】図19の圧電振動子のベースの構成を示して
おり、(a)はベースの平面図、(b)はベースの正面
図、(c)はベースの底面図。
21A and 21B show a configuration of a base of the piezoelectric vibrator of FIG. 19, wherein FIG. 21A is a plan view of the base, FIG. 21B is a front view of the base, and FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 圧電振動子 50 圧電振動子 60 圧電振動子 32 圧電振動片 33 ベース 56 ベース 63 ベース 34 蓋体 48 グランド電極膜 58 グランド電極膜 75 グランド電極膜 85 グランド電極膜 88 グランド電極膜 Reference Signs List 30 piezoelectric vibrator 50 piezoelectric vibrator 60 piezoelectric vibrator 32 piezoelectric vibrating piece 33 base 56 base 63 base 34 lid 48 ground electrode film 58 ground electrode film 75 ground electrode film 85 ground electrode film 88 ground electrode film

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内側に所定の内部空間を形成するよう
に、ベースに対して蓋体を固定し、この内部空間に圧電
振動片を収容するようにした圧電デバイスであって、 前記ベースが、前記圧電振動片が収容配置された箇所よ
りも下方にグランド電極膜を備えることを特徴とする、
圧電デバイス。
1. A piezoelectric device in which a lid is fixed to a base so as to form a predetermined internal space inside, and a piezoelectric vibrating reed is accommodated in the internal space, wherein the base comprises: A ground electrode film is provided below a position where the piezoelectric vibrating reed is housed and arranged,
Piezo device.
【請求項2】 前記ベースが 底面を形成するための板状の下層と、 この下層に重ねられ、前記内部空間に対応したリング状
の内径を有した少なくとも一つの層でなる上層とを有し
ており、 この上層の上端周縁に被せられる前記蓋体が金属製蓋体
であり、 かつ、前記下層の前記内部空間に露出する面にグランド
電極膜が形成されると共に、この下層の露出する下面に
グランド端子を備えることを特徴とする、請求項1に記
載の圧電デバイス。
2. The base has a plate-like lower layer for forming a bottom surface, and an upper layer which is overlaid on the lower layer and is at least one layer having a ring-shaped inner diameter corresponding to the internal space. Wherein the lid covering the upper edge of the upper layer is a metal lid, and a ground electrode film is formed on a surface of the lower layer exposed to the internal space, and a lower surface of the lower layer is exposed The piezoelectric device according to claim 1, further comprising a ground terminal.
【請求項3】 前記ベースがセラミック材料でなり、前
記下層が下側の第1下層と、これに重ねられる第2下層
を有しており、この第1下層と第2下層の間に前記グラ
ンド電極膜を形成したことを特徴とする、請求項2に記
載の圧電デバイス。
3. The base made of a ceramic material, wherein the lower layer has a lower first lower layer and a second lower layer superposed thereon, wherein the ground is located between the first lower layer and the second lower layer. The piezoelectric device according to claim 2, wherein an electrode film is formed.
【請求項4】 前記ベースが板状のセラミック材料によ
り形成されており、この板状のベースに対して、内部に
前記内部空間を形成するセラミック製の蓋体が封止固定
されるようになっており、 この板状ベースが、下側の第1層と、これに重ねられる
第2層を有していて、かつ、この第1層と第2層の間に
前記グランド電極膜が形成されると共に、この第1層の
露出する下面にグランド端子を備えることを特徴とす
る、請求項1に記載の圧電デバイス。
4. The base is formed of a plate-shaped ceramic material, and a ceramic lid forming the internal space is sealed and fixed to the plate-shaped base. The plate-shaped base has a lower first layer and a second layer superposed on the lower first layer, and the ground electrode film is formed between the first layer and the second layer. 2. The piezoelectric device according to claim 1, further comprising a ground terminal on an exposed lower surface of the first layer.
【請求項5】 前記グランド電極膜は、ベース内で前記
圧電振動片が配置された位置と対応する位置に形成され
ていることを特徴とする、請求項1ないし4のいずれか
に記載の圧電デバイス。
5. The piezoelectric device according to claim 1, wherein the ground electrode film is formed in the base at a position corresponding to a position where the piezoelectric vibrating reed is arranged. device.
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