JP2002009267A - Solid-state image pickup device, its manufacturing method, image reading unit, and image scanning apparatus - Google Patents

Solid-state image pickup device, its manufacturing method, image reading unit, and image scanning apparatus

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JP2002009267A JP2000190575A JP2000190575A JP2002009267A JP 2002009267 A JP2002009267 A JP 2002009267A JP 2000190575 A JP2000190575 A JP 2000190575A JP 2000190575 A JP2000190575 A JP 2000190575A JP 2002009267 A JP2002009267 A JP 2002009267A
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    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a small, thin, and lightweight solid-state image pickup device by face-down mounting a solid-state image pickup chip onto a glass substrate and fixing the solid-state image pickup chip and the glass substrate, with sealing of only the periphery of the solid-state image pickup chip in order to prevent water arrival at the surface of the solid-state image pickup chip. SOLUTION: This solid-state image pickup device comprises a projection 71a in a glass substrate 71 to closely attach an effective pixel area 75a of a CCD bare chip 75, bumps 74 conducting current between the CCD bare chip 75 and the wiring patterns 73 on the glass substrate 81, and a sealing mold S2 which adheres the periphery of bare chip 75 with the glass substrate 71.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子を用
いて光学像を読み取る画像読取装置等の固体撮像装置に
関し、例えば複写機、イメージスキャナ、ファクシミ
リ、デジタルカメラ、ビデオカメラ、胃カメラ等に応用
することができる半導体の実装技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state image pickup device such as an image reading device for reading an optical image using a solid-state image pickup device, for example, a copying machine, an image scanner, a facsimile, a digital camera, a video camera, a stomach camera and the like. The present invention relates to a semiconductor mounting technology that can be applied.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、一般に固体撮像装置の製造方法と
しては、CCDを代表とした固体撮像素子をセラミック
を絶縁基体としたパッケージ(以下セラミックパッケー
ジと称す)に搭載する方法が主流であった。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of manufacturing a solid-state imaging device, a method of mounting a solid-state imaging device represented by a CCD in a package using ceramic as an insulating substrate (hereinafter referred to as a ceramic package) has been mainly used.

【0003】以下、従来の固体撮像装置について図面を
参照しながら説明する。図8は従来の固体撮像装置を示
す断面図である。
Hereinafter, a conventional solid-state imaging device will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a sectional view showing a conventional solid-state imaging device.

【0004】図8に示す従来の固体撮像装置は、外部に
電気信号を出力する端子群801を有したセラミックパ
ッケージ802の上面の凹部802aに固体撮像素子8
03を受光部を上にした状態で搭載され、セラミックパ
ッケージ802の上面の凹部802aの内周辺の電極8
04と固体撮像素子803表面の周辺に形成された電極
とが、ワイヤーボンディング法でアルミニウム(Al)
または金(Au)などの金属細線805によって電気的
に接続され、そして固体撮像素子803の保護を目的と
して、封止用の石英ガラス806でセラミックパッケー
ジ802の上部開口部分を蓋状に封止された構成となっ
ている。
The conventional solid-state imaging device shown in FIG. 8 has a solid-state imaging device 8 in a recess 802a on the upper surface of a ceramic package 802 having a terminal group 801 for outputting an electric signal to the outside.
03 is mounted with the light receiving portion facing up, and the electrodes 8 on the inner periphery of the concave portion 802a on the upper surface of the ceramic package 802 are mounted.
04 and an electrode formed around the surface of the solid-state imaging device 803 are made of aluminum (Al) by a wire bonding method.
Alternatively, they are electrically connected by a thin metal wire 805 such as gold (Au), and the upper opening of the ceramic package 802 is sealed in a lid shape with quartz glass 806 for sealing in order to protect the solid-state imaging device 803. Configuration.

【0005】以上のように構成された従来の固体撮像装
置について以下、その動作について説明する。
The operation of the conventional solid-state imaging device configured as described above will be described below.

【0006】図8に示すように、被写体などを撮影した
場合の入射光807は、セラミックパッケージ802の
上面に設けられた封止用の石英ガラス806を通り、固
体撮像素子803に入射する。固体撮像素子803表面
の受光エリアには、品種によって異なるが、20万〜4
0万個のフォトダイオードと呼ばれる受光部(図示せ
ず)が形成されている。また最近では、受光部自体が微
細になっている関係上、受光感度が低下しており、受光
感度を上げるために受光部上に樹脂によるマイクロレン
ズが形成されている。つまり入射光807は石英ガラス
806を通り、固体撮像素子802の受光エリア表面の
マイクロレンズで集光されてから受光部に入射し、電気
信号に変換されて、画像データとして処理される。
As shown in FIG. 8, incident light 807 when a subject or the like is photographed passes through a quartz glass 806 for sealing provided on the upper surface of a ceramic package 802 and is incident on a solid-state imaging device 803. The light receiving area on the surface of the solid-state image sensor 803 varies from 200,000 to 4
Light receiving portions (not shown) called 100,000 photodiodes are formed. Recently, the light receiving sensitivity has been reduced due to the miniaturization of the light receiving section itself, and a microlens made of resin has been formed on the light receiving section to increase the light receiving sensitivity. That is, the incident light 807 passes through the quartz glass 806 and is condensed by the microlens on the surface of the light receiving area of the solid-state imaging device 802 before being incident on the light receiving unit, converted into an electric signal, and processed as image data.

【0007】次に従来の固体撮像装置の製造方法につい
て、図面を参照しながら説明する。図9(A)〜図9
(C)は従来の固体撮像装置の製造方法を示す断面図で
ある。
Next, a conventional method for manufacturing a solid-state imaging device will be described with reference to the drawings. 9 (A) to 9
(C) is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a conventional solid-state imaging device.

【0008】図9(A)〜図9(C)に示す従来の固体
撮像装置の製造方法は、外部に電気信号を出力する端子
群801を有したセラミックパッケージ802の上面の
凹部802aに、固体撮像素子803を受光画を上にし
た状態で搭載する第1工程と、セラミックパッケージ8
02の上面の凹部802aの内周辺の電極804と固体
撮像素子803表面の周辺に形成された電極とを、ワイ
ヤーボンディング法にて金属細線805で電気的に接続
をする第2工程と、固体撮像素子3の保護を目的とし
て、封止用の石英ガラス806でセラミックパッケージ
802の上部開口部分を蓋状に封止する第3工程とで構
成されている。
In the conventional method for manufacturing a solid-state imaging device shown in FIGS. 9A to 9C, the solid-state image pickup device A first step of mounting the image sensor 803 with the light receiving image facing up, and a ceramic package 8
A second step of electrically connecting the electrode 804 on the inner periphery of the concave portion 802a on the upper surface of the substrate 02 and the electrode formed on the periphery of the surface of the solid-state imaging device 803 by a thin metal wire 805 by a wire bonding method; The third step is to seal the upper opening of the ceramic package 802 in a lid shape with quartz glass 806 for sealing for the purpose of protecting the element 3.

【0009】以上のように構成された従来の固体撮像装
置の製造方法について、以下その動作について説明す
る。
The operation of the conventional method of manufacturing the solid-state imaging device having the above-described configuration will be described below.

【0010】まず、第1工程のダイスボンド工程につい
て、図9(A)を参照して説明する。セラミックパッケ
ージ802の上面の凹部802aに、固体撮像素子80
3をその受光部を上にした状態でダイスボンダーと呼ば
れる装置により搭載する。固体撮像素子803とセラミ
ックパッケージ802とは、熱硬化性の銀ペーストなど
の導電性接着剤を用いて固定する。導電性接着剤の硬化
は150℃程度の温度で加熱して行う。
First, the first die bonding step will be described with reference to FIG. The solid-state imaging device 80 is provided in the concave portion 802a on the upper surface of the ceramic package 802.
3 is mounted by a device called a die bonder with its light receiving portion facing upward. The solid-state imaging device 803 and the ceramic package 802 are fixed using a conductive adhesive such as a thermosetting silver paste. The conductive adhesive is cured by heating at a temperature of about 150 ° C.

【0011】次に、第2工程のワイヤーボンド工程につ
いて、図9(B)を参照して説明する。ダイスボンド工
程後に、セラミックパッケージ802の上面の凹部80
2aの内周辺の電極804と固体撮像素子803表面の
周辺に形成された電極とを、ワイヤーボンダーにより、
金(Au)またはアルミニウム(Al)の金属細線80
5で電気的に接続をする。なお、セラミックパッケージ
802の上面の凹部802aの内周辺の電極804と、
セラミックパッケージ802の外部に電気信号を出力す
る端子群801とは対応している。
Next, the second wire bonding step will be described with reference to FIG. After the die bonding step, the concave portion 80 on the upper surface of the ceramic package 802 is formed.
The electrode 804 on the inner periphery of 2a and the electrode formed on the periphery of the surface of the solid-state imaging device 803 are connected by a wire bonder.
Gold (Au) or aluminum (Al) metal wire 80
5 is electrically connected. In addition, an electrode 804 on the inner periphery of the concave portion 802a on the upper surface of the ceramic package 802,
It corresponds to a terminal group 801 that outputs an electric signal to the outside of the ceramic package 802.

【0012】最後に、第3工程の封止工程について、図
9(C)を参照して説明する。ワイヤーボンド後に、固
体撮像素子803の外部からの保護を目的として、封止
用の石英ガラス806でセラミックパッケージ802の
上部開口部分を蓋状に封止し、固体撮像装置が実現す
る。石英ガラス806により蓋状に封止する場合には、
封止後の固体撮像素子803と石英ガラス806との空
間を、高い信頼性を維持するために、真空に保つ必要が
あるので、真空状態で封止を行う。封止には熱硬化性の
接着剤を使用し、それにより石英ガラス806とセラミ
ックパッケージ802とを接着させる。
Finally, the third sealing step will be described with reference to FIG. After the wire bonding, the upper opening portion of the ceramic package 802 is sealed in a lid shape with quartz glass 806 for sealing for the purpose of protecting the solid-state imaging device 803 from the outside, and a solid-state imaging device is realized. When sealing in a lid shape with quartz glass 806,
Since the space between the solid-state imaging device 803 and the quartz glass 806 after sealing needs to be kept in a vacuum in order to maintain high reliability, the sealing is performed in a vacuum state. A thermosetting adhesive is used for sealing, and thereby the quartz glass 806 and the ceramic package 802 are bonded.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の固
体撮像装置の構成では、固体撮像素子の電気的な接続方
法として、セラミックパッケージの電極と固体撮像素子
の電極とを金属細線で接続しているが、固体撮像素子の
周辺部にワイヤーを配線するための電極を形成する領域
が必要であり、固体撮像素子と封止用の石英ガラスとの
間に金属細線のループ形成に必要な間隙も設けなければ
ならない。このため、小型薄型軽量化が困難である。
In the configuration of the conventional solid-state imaging device as described above, as an electric connection method of the solid-state imaging device, an electrode of the ceramic package and an electrode of the solid-state imaging device are connected by a thin metal wire. However, an area for forming an electrode for wiring a wire around the solid-state imaging device is required, and a gap required for forming a loop of a thin metal wire between the solid-state imaging device and the quartz glass for sealing is required. Must also be provided. For this reason, it is difficult to reduce the size, thickness, and weight.

【0014】また、その製造において、これらを解決す
る方法として半導体素子の電極端子に突起を設けること
により、回路基板に直接フェースダウンで接合する、い
わゆるフリップチップ方法を応用して、固体撮像素子の
電極に突起を設け、ガラス基板に回路を形成し、固体撮
像素子をフェースダウンで接合するという方法が考えら
れる。
In the manufacture thereof, as a method of solving these problems, a so-called flip-chip method in which a projection is provided on an electrode terminal of a semiconductor element to directly join the circuit board face-down, that is, a so-called flip-chip method is applied. A method is considered in which a projection is provided on an electrode, a circuit is formed on a glass substrate, and the solid-state imaging device is joined face-down.

【0015】そこで、本発明は、固体撮像素子をガラス
基板にフェースダウンにて実装し、さらに固体撮像素子
とガラス基板とを固定して、固体撮像素子表面への水分
の到達を防止するために、固体撮像素子周辺部のみの封
止を行い、小型薄型軽量化した固体撮像装置、その製造
方法、読取ユニット及び画像走査装置を提供することを
目的とする。
Accordingly, the present invention provides a method for mounting a solid-state imaging device face down on a glass substrate, and further fixing the solid-state imaging device and the glass substrate to prevent moisture from reaching the surface of the solid-state imaging device. It is another object of the present invention to provide a small, thin, and lightweight solid-state imaging device in which only a peripheral portion of a solid-state imaging device is sealed, a manufacturing method thereof, a reading unit, and an image scanning device.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1の発明は、撮像素子がフェースダウンの状態
でガラス等の透明部材に設けられた配線パターンと対向
している固体撮像装置において、前記撮像素子の画素有
効領域と前記透明部材とを密着させる突起部と、前記撮
像素子と前記透明部材の配線パターンとの間を導通させ
るバンプと、前記撮像素子と前記透明部材との外周寄り
を接着する封止用樹脂とを備えていることを特徴とする
固体撮像装置である。
In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention is a solid-state imaging device in which an imaging device faces a wiring pattern provided on a transparent member such as glass in a face-down state. A projection for adhering a pixel effective area of the image sensor to the transparent member, a bump for conducting between the image sensor and a wiring pattern of the transparent member, and an outer periphery of the image sensor and the transparent member A solid-state imaging device, comprising: a sealing resin for bonding the side.

【0017】また、請求項2の発明は、請求項1に記載
の固体撮像装置において、前記撮像素子又は前記配線パ
ターンに設けられた前記バンプの高さと、前記撮像素子
及び前記透明部材の少なくとも一方に形成された突起部
の高さとがほぼ等しいことを特徴としている。
According to a second aspect of the present invention, in the solid-state imaging device according to the first aspect, a height of the bump provided on the imaging element or the wiring pattern and at least one of the imaging element and the transparent member. Is characterized in that the height of the projections formed on the surface is substantially equal.

【0018】また、請求項3の発明は、請求項1又は2
に記載の固体撮像装置において、前記封止用樹脂は不透
明であることを特徴としている。
[0018] The invention of claim 3 is the invention of claim 1 or 2.
Wherein the sealing resin is opaque.

【0019】また、請求項4の発明は、撮像素子がフェ
ースダウンの状態でガラス等の透明部材に設けられた配
線パターンと対向している固体撮像装置の製造方法にお
いて、前記撮像素子の画素有効領域と前記透明部材とを
突起部を介して密着させるとともに、前記撮像素子と前
記透明部材の配線パターンとの間をバンプにより導通さ
せ、次いで前記撮像素子と前記透明部材との外周寄りに
これらを接着する封止用樹脂を塗布し、その後に封止用
樹脂を硬化させることを特徴とする固体撮像装置の製造
方法である。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a solid-state imaging device in which an image pickup device faces a wiring pattern provided on a transparent member such as glass in a face-down state. The area and the transparent member are brought into close contact with each other via the projection, and the bump is connected between the image pickup device and the wiring pattern of the transparent member, and then these are brought near the outer periphery of the image pickup device and the transparent member. A method for manufacturing a solid-state imaging device, comprising applying a sealing resin to be bonded, and thereafter curing the sealing resin.

【0020】また、請求項5の発明は、請求項4に記載
の固体撮像装置の製造方法において、前記封止用樹脂は
不透明であることを特徴としている。
According to a fifth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a solid-state imaging device according to the fourth aspect, the sealing resin is opaque.

【0021】また、請求項6の発明は、請求項1〜3の
何れかの固体撮像装置を用いた画像読取ユニットであ
る。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided an image reading unit using the solid-state imaging device according to any one of the first to third aspects.

【0022】また、請求項7の発明は、請求項6の画像
読取ユニットを用いた画像走査装置である。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an image scanning apparatus using the image reading unit according to the sixth aspect.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図1は本発明の第1実施形態の固
体撮像装置の製造方法を示す図である。図1(C)に示
すように、この固体撮像装置は、ラインCCD、エリア
CCD等の光情報を電気信号に変換する集積回路を備
え、固体撮像素子であるCCDベアチップ75と、CC
Dベアチップ75の回路形成面に電気接続用の配線パタ
ーン73が対向して配置される、即ちフェースダウン状
態で配置される透明部材であるガラス基板71と、CC
Dベアチップ75の画素有効領域75aとガラス基板7
1とを密着させるガラス基板71の突起部71aと、C
CDベアチップ75とガラス基板71の配線パターン7
3との間を導通するバンプ74とを備えている。なお、
このバンプ74は本実施形態では、CCDベアチップ7
5側に設けたが、ガラス基板71側に設けても良いのは
もちろんである。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram illustrating a method for manufacturing the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1C, this solid-state imaging device includes an integrated circuit for converting optical information such as a line CCD and an area CCD into an electric signal.
A wiring board 73 for electrical connection is disposed facing the circuit forming surface of the D bare chip 75, that is, a glass substrate 71 which is a transparent member disposed in a face-down state;
Pixel effective area 75a of D bare chip 75 and glass substrate 7
1 and a projection 71a of a glass substrate
Wiring pattern 7 between CD bear chip 75 and glass substrate 71
3 is provided. In addition,
In this embodiment, the bumps 74 are used for the CCD bare chip 7.
Although it is provided on the side of the glass substrate 71, it is needless to say that it may be provided on the side of the glass substrate 71.

【0024】前記CCDベアチップ75は、シリコンウ
エハに回路を形成し、必要な大きさに切り取ったもので
あり、実装されたときに画素部分の平面度が要求される
ので、要求される平面度に形成されている。また、この
CCDベアチップ75は、外部雰囲気により埃、結露等
の悪影響を受けるので、外部雰囲気から遮断されている
必要がある。
The CCD bare chip 75 is formed by forming a circuit on a silicon wafer and cutting it to a required size. When mounted, the flatness of the pixel portion is required. Is formed. Further, since the CCD bare chip 75 is adversely affected by dust, dew, and the like due to the external atmosphere, it is necessary to be shielded from the external atmosphere.

【0025】前記ガラス基板71は、上述したように、
CCDベアチップ75に対向する側、即ち電気接続用の
配線パターン73側に高さCの突起部71aが形成され
ている。この突起部71aはCCDベアチップ75の画
素有効領域75aに対応するガラス基板71側の画素有
効領域を含むように形成されている。即ち、CCDベア
チップ75の画素有効領域75aに入射する光束を妨げ
ない広さに形成されている。
The glass substrate 71 is, as described above,
A protrusion 71 a having a height C is formed on the side facing the CCD bare chip 75, that is, on the wiring pattern 73 side for electrical connection. The projection 71a is formed to include a pixel effective area on the glass substrate 71 side corresponding to the pixel effective area 75a of the CCD bare chip 75. That is, it is formed in a size that does not hinder the light beam incident on the pixel effective area 75a of the CCD bare chip 75.

【0026】前記ガラス基板71は、光透過率の高い部
材からなり、CCDベアチップ75の画素と接触、固定
する部分の平面度は必要な平面度に形成されている。前
記ガラス基板71はCCDベアチップ75を実装する側
の面に電気回路としての配線パターン73が形成されて
いる。本実施形態では、透明部材としてガラス基板71
を用いたが、ガラス基板以外にもレンズ用プラスチック
等の光透過率の高い部材から構成してもよい。
The glass substrate 71 is made of a member having a high light transmittance, and the flatness of a portion of the CCD bare chip 75 which is in contact with and fixed to a pixel is formed to a required flatness. The glass substrate 71 has a wiring pattern 73 as an electric circuit formed on the surface on which the CCD bare chip 75 is mounted. In this embodiment, the glass substrate 71 is used as a transparent member.
Is used, but a member having high light transmittance such as plastic for a lens may be used instead of the glass substrate.

【0027】前記バンプ74はCCDベアチップ75と
ガラス基板71の配線パターン73との導通をとるため
の突起形状を有し、その高さAは突起部71aの高さC
にほぼ等しく形成されている。これにより、CCDベア
チップ75とガラス基板71の電気回路との間の導通を
確実にとることができ、かつ、CCDベアチップ75の
平面度を保持することができる。
The bump 74 has a projection shape for establishing conduction between the CCD bare chip 75 and the wiring pattern 73 of the glass substrate 71, and its height A is the height C of the projection 71a.
Are formed almost equally. Thus, conduction between the CCD bare chip 75 and the electric circuit of the glass substrate 71 can be ensured, and the flatness of the CCD bare chip 75 can be maintained.

【0028】前記バンプ74の周囲は、封止用樹脂S2
により封止されている。したがって、バンプ74も封止
された状態となる。このとき、バンプ74の内側には空
間Sが形成されている。
The periphery of the bump 74 is covered with a sealing resin S2.
Is sealed. Therefore, the bump 74 is also in a sealed state. At this time, a space S is formed inside the bump 74.

【0029】前記封止用樹脂S2は透明でも良いが、透
明である必要はなく、本実施形態では不透明な樹脂を用
いている。このように不透明な樹脂を用いることにより
CCDベアチップ75の画素有効領域75aに不要光が
入射するのを防止できるので、画像品質が向上する。さ
らに、高価な透明樹脂を用いる必要がないので、透明樹
脂を用いた場合と比べてコスト上有利である。この封止
用樹脂S2は、熱膨張率の低いものが望ましい。
The sealing resin S2 may be transparent, but need not be transparent, and in this embodiment, an opaque resin is used. By using such an opaque resin, it is possible to prevent unnecessary light from entering the pixel effective area 75a of the CCD bare chip 75, so that the image quality is improved. Further, since it is not necessary to use expensive transparent resin, it is advantageous in cost as compared with the case where transparent resin is used. The sealing resin S2 preferably has a low coefficient of thermal expansion.

【0030】前記封止用樹脂S2は、本実施形態では不
透明な樹脂を用いているが、紫外線硬化型接着剤でも良
く、他の光硬化型接着剤でも良く、また、他の透明な接
着剤でもよい。例えば、光学的特性の高い接着剤、例え
ば、バルサム、エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂、シリコ
ン等を使用することができる。前記画素有効領域75a
とは、フォトセルアレイ(撮像素子の画像を読み取る回
路の部分)が設けられた撮像素子上の領域である。
Although the sealing resin S2 is an opaque resin in the present embodiment, it may be an ultraviolet-curable adhesive, another light-curable adhesive, or another transparent adhesive. May be. For example, an adhesive having high optical properties, for example, balsam, epoxy resin, fluorine resin, silicon, or the like can be used. The pixel effective area 75a
Is an area on the image sensor where the photocell array (the part of the circuit for reading an image of the image sensor) is provided.

【0031】以上のような固体撮像装置を製造するに
は、先ず、図1(A)に示すように、CCDベアチップ
75をフェースダウンの状態でガラス基板71に設けら
れた配線パターン73側の面と対向させる。
In order to manufacture the solid-state imaging device as described above, first, as shown in FIG. 1A, the CCD bare chip 75 is placed face down on the surface of the glass substrate 71 on the wiring pattern 73 side. To face.

【0032】次に、図1(B)に示すように、CCDベ
アチップ75とガラス基板71の突起部71aとが密着
するとともに、CCDベアチップ75とガラス基板71
の配線パターン73とがバンプ74により導通するよう
に、CCDベアチップ75とガラス基板71とを所定間
隔まで接近させ画素有効領域75aを被覆する。
Next, as shown in FIG. 1B, the CCD bare chip 75 and the projection 71a of the glass substrate 71 are in close contact with each other, and the CCD bare chip 75 and the glass substrate 71
The CCD bare chip 75 and the glass substrate 71 are brought close to a predetermined distance so that the wiring pattern 73 is electrically connected to the wiring pattern 73 by the bumps 74 to cover the pixel effective area 75a.

【0033】その後、図1(C)に示すように、バンプ
74の外側、即ちガラス基板71の外周寄りを封止用樹
脂S2で覆ってバンプ74及びバンプ74の内側を封止
するとともに、CCDベアチップ75とガラス基板71
とを連結する。即ち、導通状態となったバンプ74を含
めた画素有効領域75aの全周囲に封止用樹脂S2を充
填して硬化させる。
Thereafter, as shown in FIG. 1C, the outside of the bump 74, ie, the outer periphery of the glass substrate 71 is covered with a sealing resin S2 to seal the bump 74 and the inside of the bump 74, and the CCD is formed. Bare chip 75 and glass substrate 71
And concatenate. That is, the entirety of the pixel effective area 75a including the conductive bumps 74 is filled with the sealing resin S2 and cured.

【0034】図5は図1の固体撮像装置の斜視図であ
り、以上のようにして、図5に示すような固体撮像装置
が作製される。なお、図5中、符号77は配線パターン
73に接続するFPC(フレキシブル配線板)であり、
符号Lは結像レンズからの入射光である。
FIG. 5 is a perspective view of the solid-state imaging device of FIG. 1, and the solid-state imaging device as shown in FIG. 5 is manufactured as described above. In FIG. 5, reference numeral 77 denotes an FPC (flexible wiring board) connected to the wiring pattern 73;
Symbol L is incident light from the imaging lens.

【0035】図2は本発明の第2実施形態の固体撮像装
置の製造方法を示す図である。図2(C)に示すよう
に、この固体撮像装置は、ラインCCD、エリアCCD
等の光情報を電気信号に変換する集積回路を備え、固体
撮像素子であるCCDベアチップ75と、CCDベアチ
ップ75の回路形成面に電気接続用の配線パターン73
が対向して配置される、即ちフェースダウン状態で配置
される透明部材であるガラス基板71と、CCDベアチ
ップ75の画素有効領域75aとガラス基板71とを密
着させるCCDベアチップ75の画素有効領域75aを
含む突起部75bと、CCDベアチップ75とガラス基
板71の配線パターン73との間を導通するバンプ74
とを備えている。なお、このバンプ74は本実施形態で
は、CCDベアチップ75側に設けたが、ガラス基板7
1側に設けても良いのはもちろんである。
FIG. 2 is a diagram showing a method for manufacturing a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2C, this solid-state imaging device includes a line CCD, an area CCD,
A CCD bear chip 75 which is a solid-state imaging device, and a wiring pattern 73 for electrical connection on a circuit forming surface of the CCD bear chip 75.
Are disposed facing each other, that is, a glass substrate 71 which is a transparent member disposed in a face-down state, and a pixel effective region 75a of the CCD bare chip 75 which closely adheres the pixel effective region 75a of the CCD bare chip 75 to the glass substrate 71. And a bump 74 for conducting between the CCD bear chip 75 and the wiring pattern 73 of the glass substrate 71.
And Although the bumps 74 are provided on the CCD bare chip 75 side in the present embodiment, the glass substrate 7
Of course, it may be provided on one side.

【0036】前記CCDベアチップ75は、シリコンウ
エハに回路を形成し、必要な大きさに切り取ったもので
あり、実装されたときに画素部分の平面度が要求される
ので、突起部75bの先端面が要求される平面度に形成
されている。また、このCCDベアチップ75は、外部
雰囲気により埃、結露等の悪影響を受けるので、外部雰
囲気から遮断されている必要がある。
The CCD bare chip 75 is formed by forming a circuit on a silicon wafer and cutting it to a required size. When mounted, the flatness of the pixel portion is required. Is formed to the required flatness. Further, since the CCD bare chip 75 is adversely affected by dust, dew, and the like due to the external atmosphere, it is necessary to be shielded from the external atmosphere.

【0037】前記CCDベアチップ75は、上述したよ
うに、ガラス基板71に対向する側、即ち画素有効領域
75a側に高さCの突起部75bが形成されている。こ
の突起部75bはCCDベアチップ75の画素有効領域
75aを含むように形成されている。
As described above, the CCD bare chip 75 has a projection 75b having a height C on the side facing the glass substrate 71, that is, on the pixel effective area 75a side. The projection 75b is formed so as to include the pixel effective area 75a of the CCD bare chip 75.

【0038】前記ガラス基板71は、光透過率の高い部
材からなり、CCDベアチップ75の画素と接触、固定
する部分の平面度は必要な平面度に形成されている。前
記ガラス基板71はCCDベアチップ75を実装する側
の面に電気回路としての配線パターン73が形成されて
いる。本実施形態では、透明部材としてガラス基板71
を用いたが、ガラス基板71以外にもレンズ用プラスチ
ック等の光透過率の高い部材から構成してもよい。
The glass substrate 71 is made of a member having a high light transmittance, and the flatness of a portion of the CCD bare chip 75 which is in contact with and fixed to the pixel is formed to a required flatness. The glass substrate 71 has a wiring pattern 73 as an electric circuit formed on the surface on which the CCD bare chip 75 is mounted. In this embodiment, the glass substrate 71 is used as a transparent member.
However, other than the glass substrate 71, a member having high light transmittance such as plastic for a lens may be used.

【0039】前記バンプ74はCCDベアチップ75と
ガラス基板71の配線パターン73との導通をとるため
の突起形状を有し、その高さAは突起部75bの高さC
にほぼ等しく形成されている。これにより、CCDベア
チップ75とガラス基板71の電気回路との間の導通を
確実にとることができ、かつ、CCDベアチップ75の
平面度を保持することができる。
The bump 74 has a projection shape for establishing electrical connection between the CCD bare chip 75 and the wiring pattern 73 of the glass substrate 71, and its height A is the height C of the projection 75b.
Are formed almost equally. Thus, conduction between the CCD bare chip 75 and the electric circuit of the glass substrate 71 can be ensured, and the flatness of the CCD bare chip 75 can be maintained.

【0040】前記バンプ74の周囲は、封止用樹脂S2
により封止されている。したがって、バンプ74も封止
された状態となる。前記封止用樹脂S2は透明でも良い
が、透明である必要はなく、本実施形態では不透明な樹
脂を用いている。このように不透明な樹脂を用いること
によりCCDベアチップ75の画素有効領域75aに不
要光が入射するのを防止できるので、画像品質が向上す
る。さらに、高価な透明樹脂を用いる必要がないので、
透明樹脂を用いた場合と比べてコスト上有利である。こ
の封止用樹脂S2は、熱膨張率の低いものが望ましい。
The periphery of the bump 74 is covered with a sealing resin S2.
Is sealed. Therefore, the bump 74 is also in a sealed state. The sealing resin S2 may be transparent, but need not be transparent. In the present embodiment, an opaque resin is used. By using such an opaque resin, it is possible to prevent unnecessary light from entering the pixel effective area 75a of the CCD bare chip 75, so that the image quality is improved. Furthermore, since there is no need to use expensive transparent resin,
This is advantageous in cost as compared with the case where a transparent resin is used. The sealing resin S2 preferably has a low coefficient of thermal expansion.

【0041】前記封止用樹脂S2は本実施形態では不透
明な樹脂を用いているが、紫外線硬化型接着剤でも良
く、他の光硬化型接着剤でも良く、また、他の透明な接
着剤でもよい。例えば、光学的特性の高い接着剤、例え
ば、バルサム、エポキシ系樹脂、フッ素系樹脂、シリコ
ン等を使用することができる。前記画素有効領域75a
とは、フォトセルアレイ(撮像素子の画像を読み取る回
路の部分)が設けられた撮像素子上の領域である。
The sealing resin S2 is an opaque resin in this embodiment, but may be an ultraviolet curable adhesive, another light curable adhesive, or another transparent adhesive. Good. For example, an adhesive having high optical properties, for example, balsam, epoxy resin, fluorine resin, silicon, or the like can be used. The pixel effective area 75a
Is an area on the image sensor where the photocell array (the part of the circuit for reading an image of the image sensor) is provided.

【0042】以上のような固体撮像装置を製造するに
は、先ず、図2(A)に示すように、CCDベアチップ
75をフェースダウンの状態でガラス基板71に設けら
れた配線パターン73側の面と対向させる。
In order to manufacture the solid-state imaging device as described above, first, as shown in FIG. 2A, a CCD bare chip 75 is placed face down on a surface on a wiring pattern 73 side provided on a glass substrate 71. To face.

【0043】次に、図2(B)に示すように、CCDベ
アチップ75の突起部75bとガラス基板71とが密着
するとともに、CCDベアチップ75とガラス基板71
の配線パターン73とがバンプ74により導通するよう
に、CCDベアチップ75とガラス基板71とを所定間
隔まで接近させ画素有効領域75aを被覆する。
Next, as shown in FIG. 2B, the projection 75b of the CCD bare chip 75 and the glass substrate 71 are in close contact with each other.
The CCD bare chip 75 and the glass substrate 71 are brought close to a predetermined distance so that the wiring pattern 73 is electrically connected to the wiring pattern 73 by the bumps 74 to cover the pixel effective area 75a.

【0044】その後、図2(C)に示すように、バンプ
74の外側、即ちガラス基板71の外周寄りを封止用樹
脂S2で覆ってバンプ74及びバンプ74の内側を封止
するとともに、CCDベアチップ75とガラス基板71
とを連結する。即ち、導通状態となったバンプ74を含
めた画素有効領域75aの全周囲に封止用樹脂S2を充
填して硬化させる。
Thereafter, as shown in FIG. 2C, the outside of the bump 74, that is, the outer periphery of the glass substrate 71 is covered with a sealing resin S2 to seal the bump 74 and the inside of the bump 74, and at the same time, the CCD is used. Bare chip 75 and glass substrate 71
And concatenate. That is, the entirety of the pixel effective area 75a including the conductive bumps 74 is filled with the sealing resin S2 and cured.

【0045】図3は本発明の第3実施形態の固体撮像素
子の製造方法を示す図である。この第3実施形態では、
図1の第1実施形態と比べて、ガラス基板71の突起部
71aの周囲が溝状に形成されている点のみ異なり他の
構成は同様である。
FIG. 3 is a view showing a method for manufacturing a solid-state image sensor according to a third embodiment of the present invention. In the third embodiment,
1 is different from the first embodiment shown in FIG. 1 only in that the periphery of the projection 71 a of the glass substrate 71 is formed in a groove shape.

【0046】図4は本発明の第4実施形態の固体撮像素
子の製造方法を示す図である。この第4実施形態では、
図2の第2実施形態と比べて、CCDベアチップ75の
突起部に対応するガラス基板71の部分に凹状部を形成
した点のみ異なり他の構成は同様である。
FIG. 4 is a view showing a method of manufacturing a solid-state image sensor according to a fourth embodiment of the present invention. In the fourth embodiment,
As compared with the second embodiment shown in FIG. 2, only the point that a concave portion is formed in a portion of the glass substrate 71 corresponding to the projection of the CCD bare chip 75 is the same as the other configuration.

【0047】図6は本発明の固体撮像装置を用いた画像
読取ユニットの斜視図である。図6に示すように、画像
読取ユニット1は、原稿面からの画像光としての光線が
透過する透過面の周囲に側面であるコバ面3aを有す
る、光学エレメントであるレンズ3と、コバ面3aに対
向する第1の取付面5aと第1の取付面5aとは異なる
角度、本実施形態では第1の取付面5aに対して90度
に形成されている第2の取付面5bとを有し、レンズ3
と筐体2とを接合する中間保持部材5と、第2の取付面
5bに対向する取付面2cを有するベース部材である筐
体2とを備えている。この画像読取ユニット1では、筐
体2と筐体2に対して位置調整されたレンズ3とが中間
保持部材5を介して接着固定されている。
FIG. 6 is a perspective view of an image reading unit using the solid-state imaging device of the present invention. As shown in FIG. 6, the image reading unit 1 includes a lens 3 as an optical element having a side surface 3a as a side surface around a transmission surface through which light rays as image light from the document surface pass, and a surface 3a as an edge. The first mounting surface 5a and the first mounting surface 5a facing each other have a different angle, and in the present embodiment, a second mounting surface 5b formed at 90 degrees with respect to the first mounting surface 5a. And lens 3
An intermediate holding member 5 that joins the housing 2 with the housing 2 and a housing 2 that is a base member having a mounting surface 2c facing the second mounting surface 5b are provided. In the image reading unit 1, the housing 2 and the lens 3 whose position is adjusted with respect to the housing 2 are bonded and fixed via the intermediate holding member 5.

【0048】前記レンズ3は、そのコバ面3aに同一直
径上に配置される平坦面3bを備えている。この平坦面
3bは切削、研削等により形成され、必要に応じて研磨
されている。このように平坦面3bを形成することによ
り、中間保持部材5の第1取付面5aとの接着面積を拡
大することができ、固定強度を高めることができる。
The lens 3 has a flat surface 3b disposed on the edge surface 3a on the same diameter. The flat surface 3b is formed by cutting, grinding, or the like, and is polished as necessary. By forming the flat surface 3b in this manner, the bonding area of the intermediate holding member 5 with the first mounting surface 5a can be increased, and the fixing strength can be increased.

【0049】前記筐体2は、レンズ3と固体撮像装置7
とを調整後に調整された配置関係で固定する。この筐体
2は、円弧状溝部2bと、円弧状溝部2bに隣接する平
面状の取付面2cと、固体撮像装置7を取り付ける取付
面2dと、レンズ3,6等から構成される結像レンズ系
と固体撮像装置7との間を遮光する遮光用カバー2aと
を備えている。この遮光用カバー2aを設けることによ
って、外乱光等の影響を防ぐことができ良好な画像を得
られる。この筐体2は後述する複写機等の画像走査装置
の所定位置にねじ締め、カシメ、接着、溶着等の固定手
段により固定される。
The housing 2 includes a lens 3 and a solid-state imaging device 7.
Are fixed in the adjusted positional relationship after the adjustment. The housing 2 is an imaging lens including an arc-shaped groove 2b, a flat mounting surface 2c adjacent to the arc-shaped groove 2b, a mounting surface 2d for mounting the solid-state imaging device 7, and lenses 3, 6, and the like. A light-shielding cover 2a that shields light between the system and the solid-state imaging device 7 is provided. By providing the light-shielding cover 2a, the influence of disturbance light or the like can be prevented, and a good image can be obtained. The housing 2 is fixed to a predetermined position of an image scanning device such as a copying machine to be described later by fixing means such as screwing, caulking, bonding, welding, or the like.

【0050】前記中間保持部材5に用いる材質は、光
(紫外線)透過率の高い部材、例えば、アートン、ゼオ
ネックス、ポリカーボネイト等が用いられる。前記中間
保持部材5は接着剤の表面張力により、レンズ調整によ
るレンズ位置の移動に対して、両接着面がすべるように
して動き、レンズ3の移動に追従することができる。
The material used for the intermediate holding member 5 is a member having a high light (ultraviolet) transmittance, such as ARTON, ZEONEX, or polycarbonate. Due to the surface tension of the adhesive, the intermediate holding member 5 can move so that both adhesive surfaces slide and move following the movement of the lens 3 due to the lens position adjustment by the lens adjustment.

【0051】前記中間保持部材5の第1取付面5a及び
第2取付面5b、即ち両接着面を直交させることによっ
て、レンズ3の位置調整が6軸可能となり各軸が独立し
て調整することができる。
By making the first mounting surface 5a and the second mounting surface 5b of the intermediate holding member 5, that is, the two bonding surfaces orthogonal, the position of the lens 3 can be adjusted in six axes, and each axis can be adjusted independently. Can be.

【0052】図6に示すように、2個の中間保持部材5
を用いて光学エレメント側接着面であるレンズ3のコバ
3aの平坦面3bが対向するように配置することによっ
て、接着剤が硬化するときの硬化収縮による影響を少な
くすることができる。
As shown in FIG. 6, two intermediate holding members 5
By arranging the flat surface 3b of the edge 3a of the lens 3 which is the optical element side bonding surface so as to face the optical element side, the influence of curing shrinkage when the adhesive is cured can be reduced.

【0053】図6に示すように、中間保持部材5の両接
着面間に透光性のリブ5cを設けることによって、光硬
化型接着剤を硬化させるときの光のロスを増加すること
なく、中間保持部材5の強度を高めることができる。
As shown in FIG. 6, the provision of the translucent ribs 5c between the two adhering surfaces of the intermediate holding member 5 enables the light curable adhesive to be cured without increasing light loss. The strength of the intermediate holding member 5 can be increased.

【0054】前記中間保持部材5のレンズ側固定面であ
る第1取付面5aと保持部材側固定面である第2取付面
5bとは互いに垂直であるので、レンズのX、Y、Z、
α、β、γ各位置調整方向への移動に対して互いに独立
して調整することができる。
Since the first mounting surface 5a, which is the lens-side fixing surface of the intermediate holding member 5, and the second mounting surface 5b, which is the holding member-side fixing surface, are perpendicular to each other, the X, Y, Z,
The movement in the α, β, and γ position adjustment directions can be adjusted independently of each other.

【0055】中間保持部材5が紫外線硬化型の接着剤に
よって調整レンズ3と筐体2とに接続されている場合に
ついて考えてみると、まずX、Z方向の調整の場合、レ
ンズ3と中間保持部材5とが筐体2の保持部材側固定面
である筐体取付面2cを介して筐体上をすべる動きをし
て調整される。また、Y方向の調整の場合、移動レンズ
3が中間保持部材5のレンズ側固定面である第1取付面
5aをすべる動きをして調整される。
Considering the case where the intermediate holding member 5 is connected to the adjusting lens 3 and the housing 2 by an ultraviolet curing adhesive, first, in the case of adjustment in the X and Z directions, the lens 3 and the intermediate holding member are connected. The member 5 is adjusted by sliding on the housing via the housing mounting surface 2c, which is a holding member-side fixing surface of the housing 2. In the case of adjustment in the Y direction, the adjustment is performed by the moving lens 3 sliding on the first mounting surface 5a, which is the lens-side fixing surface of the intermediate holding member 5.

【0056】以下α、β、γも同様にして調整される。
さらに、光学エレメントがレンズの場合光軸を中心とし
た球面形状をしているため、光軸(γ軸)周りに回転さ
せてもレンズの加工誤差等で発生した光軸倒れを補正す
ることはできない(光軸が回転するのみ)。したがって
γ軸周りの調整は不要となる。
Hereinafter, α, β, and γ are similarly adjusted.
Furthermore, when the optical element is a lens, it has a spherical shape with the optical axis as the center. Therefore, even if the optical element is rotated around the optical axis (γ axis), it is not possible to correct the optical axis tilt caused by a lens processing error or the like. No (only the optical axis rotates). Therefore, adjustment around the γ-axis is unnecessary.

【0057】図7は本発明の固体撮像装置を用いた画像
読取ユニットを備えた画像走査装置の一例として多機能
型デジタル画像形成装置の概略構成図である。図7に示
すように、この画像形成装置は、自動原稿送り装置10
1、読み取りユニット150、書込ユニット157、給
紙ユニット130及び後処理ユニット140とを備えて
構成されている。自動原稿送り装置101は、原稿を読
取ユニット150のコンタクトガラス106上に自動的
に給送し、読み取りが終了した原稿を自動的に排出す
る。読み取りユニット150はコンタクトガラス106
上にセットされた原稿を照明して光電変換装置であるC
CD154によって読み取り、書込ユニット157は読
み取られた原稿の画像信号に応じて感光体115上に画
像を形成し、給紙ユニット130から給紙された転写紙
上に画像を転写して定着する。定着が完了した転写紙は
後処理ユニット140に排紙され、ソートやステープル
などの所望の後処理が行われる。
FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a multi-function digital image forming apparatus as an example of an image scanning apparatus provided with an image reading unit using the solid-state imaging device of the present invention. As shown in FIG. 7, the image forming apparatus includes an automatic document feeder 10
1, a reading unit 150, a writing unit 157, a sheet feeding unit 130, and a post-processing unit 140. The automatic document feeder 101 automatically feeds a document onto the contact glass 106 of the reading unit 150 and automatically discharges the document that has been read. The reading unit 150 is a contact glass 106
Illuminates the original set on the top and illuminates the photoelectric conversion device C
The reading unit 157 forms an image on the photoconductor 115 in accordance with the image signal of the read original, and transfers and fixes the image on the transfer paper supplied from the paper supply unit 130. The transfer paper on which the fixing is completed is discharged to the post-processing unit 140, and desired post-processing such as sorting and stapling is performed.

【0058】まず、読み取りユニット150は、原稿を
載置するコンタクトガラス106と光学走査系で構成さ
れ、光学走査系は露光ランプ151、第1ミラー15
2、レンズ153、CCDイメージセンサ154、第2
ミラー155および第3ミラー156などからなってい
る。露光ランプ151および第1ミラー152は図示し
ない第1キャリッジ上に固定され、第2ミラー155お
よび第3ミラー156は図示しない第2キャリッジ上に
固定されている。原稿を読み取る際には、光路長が変化
しないように第1キャリッジと第2キャリッジとは2対
1の相対速度で機械的に走査される。この光学走査系は
図示しないスキャナ駆動モータによって駆動される。
First, the reading unit 150 includes a contact glass 106 on which a document is placed and an optical scanning system. The optical scanning system includes an exposure lamp 151 and a first mirror 15.
2, lens 153, CCD image sensor 154, second
It comprises a mirror 155, a third mirror 156, and the like. The exposure lamp 151 and the first mirror 152 are fixed on a first carriage (not shown), and the second mirror 155 and the third mirror 156 are fixed on a second carriage (not shown). When reading a document, the first carriage and the second carriage are mechanically scanned at a relative speed of 2: 1 so that the optical path length does not change. This optical scanning system is driven by a scanner drive motor (not shown).

【0059】原稿画像はCCDイメージセンサ154に
よって読み取られ、光信号から電気信号に変換されて処
理される。レンズ153およびCCDイメージセンサ1
54を図7において左右方向に移動させると画像倍率を
変化させることができる。すなわち、指定された倍率に
対応してレンズ153およびCCDイメージセンサ15
4の図において左右方向の位置が設定される。
The original image is read by the CCD image sensor 154, and is converted from an optical signal to an electric signal and processed. Lens 153 and CCD image sensor 1
The image magnification can be changed by moving 54 in the left-right direction in FIG. That is, the lens 153 and the CCD image sensor 15 correspond to the designated magnification.
4, the position in the left-right direction is set.

【0060】書き込みユニット157はレーザ出力ユニ
ット158、結像レンズ159およびミラー160によ
って構成され、レーザ出力ユニット158の内部には、
レーザ光源であるレーザダイオードおよびモータによっ
て高速で定速回転するポリゴンミラーが設けられてい
る。
The writing unit 157 includes a laser output unit 158, an imaging lens 159, and a mirror 160. Inside the laser output unit 158,
A polygon mirror that rotates at high speed at a constant speed by a laser diode and a motor as a laser light source is provided.

【0061】レーザ出力ユニット158から照射される
レーザ光は、前記定速回転するポリゴンミラーによって
偏向され、結像レンズ159を通ってミラー160で折
り返され、感光体面上に集光されて結像する。偏向され
たレーザ光は感光体115が回転する方向と直交する所
謂主走査方向に露光走査され、後述する画像処理部のM
SU606によって出力された画像信号のライン単位の
記録を行う。そして、感光体115の回転速度と記録密
度に対応した所定の周期で主走査を繰り返すことによっ
て感光体面上に画像、すなわち静電潜像が形成される。
The laser light emitted from the laser output unit 158 is deflected by the polygon mirror rotating at a constant speed, passes through the imaging lens 159, is turned back by the mirror 160, and is condensed on the surface of the photoreceptor to form an image. . The deflected laser light is exposed and scanned in a so-called main scanning direction orthogonal to the direction in which the photoconductor 115 rotates.
The image signal output by the SU 606 is recorded in line units. Then, an image, that is, an electrostatic latent image is formed on the photoconductor surface by repeating main scanning at a predetermined cycle corresponding to the rotation speed and the recording density of the photoconductor 115.

【0062】このように書き込みユニット157から出
力されるレーザ光が、画像作像系の感光体115に照射
されるが、感光体115の一端近傍のレーザ光の照射位
置に主走査同期信号を発生する図示しないビームセンサ
が配されている。このビームセンサから出力される主走
査同期信号に基づいて主走査方向の画像記録タイミング
の制御、および後述する画像信号の入出力用の制御信号
の生成が行われる。
As described above, the laser beam output from the writing unit 157 is irradiated on the photosensitive member 115 of the image forming system, and a main scanning synchronization signal is generated at the irradiation position of the laser beam near one end of the photosensitive member 115. A beam sensor (not shown) is provided. Based on the main scanning synchronization signal output from the beam sensor, control of image recording timing in the main scanning direction and generation of a control signal for input / output of an image signal described later are performed.

【0063】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではない。例えば、上記実施形態ではガラス基板側
のみに突起部を設けた場合と、CCDベアチップ側のみ
に突起部を設けた場合について説明したが、ガラス基板
及びCCDベアチップの両方に突起部を設けるようにし
てもよい。また、上記実施形態では、図6に示した筐体
及び結像レンズを用いた場合について説明したが、鏡筒
に組み込まれた結像レンズ系を鏡筒に形成したVブロッ
ク上に設置して結像レンズ系全体と固体撮像装置との位
置関係を調整する従来公知の画像読取ユニットに本発明
の固体撮像装置を用いることもできる。即ち、本発明の
骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することがで
きる。
The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in the above embodiment, the case where the projection is provided only on the glass substrate side and the case where the projection is provided only on the CCD bare chip side have been described, but the projection is provided on both the glass substrate and the CCD bare chip. Is also good. In the above embodiment, the case using the housing and the imaging lens shown in FIG. 6 has been described. However, the imaging lens system incorporated in the lens barrel is installed on a V-block formed in the lens barrel. The solid-state imaging device of the present invention can also be used in a conventionally known image reading unit that adjusts the positional relationship between the entire imaging lens system and the solid-state imaging device. That is, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

【0064】[0064]

【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、固体撮像素子をガラス基板にフェースダウンにて実
装し、さらに固体撮像素子とガラス基板とを封止して、
固体撮像素子表面への水分の到達を防止できるととも
に、固体撮像素子の画素有効領域とガラス基板とを密着
したので、画素有効領域が樹脂層で覆われていないため
良好な画像を得ることができる。さらに、固体撮像装置
を小型薄型軽量化することができる。
As described above, according to the present invention, the solid-state imaging device is mounted face-down on a glass substrate, and the solid-state imaging device and the glass substrate are sealed.
It is possible to prevent moisture from reaching the surface of the solid-state imaging device, and since the pixel effective region of the solid-state imaging device is in close contact with the glass substrate, a good image can be obtained because the pixel effective region is not covered with the resin layer. . Further, the size and thickness of the solid-state imaging device can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態の固体撮像装置の製造方
法を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a method for manufacturing a solid-state imaging device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2実施形態の固体撮像装置の製造方
法を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a method for manufacturing a solid-state imaging device according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3実施形態の固体撮像素子の製造方
法を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a method for manufacturing a solid-state imaging device according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4実施形態の固体撮像素子の製造方
法を示す図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a method for manufacturing a solid-state imaging device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】図1の固体撮像装置の斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of the solid-state imaging device of FIG. 1;

【図6】本発明の固体撮像装置を用いた画像読取ユニッ
トの斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view of an image reading unit using the solid-state imaging device of the present invention.

【図7】本発明の固体撮像装置を用いた画像読取ユニッ
トを備えた画像形成装置の概略図である。
FIG. 7 is a schematic diagram of an image forming apparatus provided with an image reading unit using the solid-state imaging device of the present invention.

【図8】従来の固体撮像装置を示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a conventional solid-state imaging device.

【図9】従来の固体撮像装置の製造方法を示す断面図で
ある。
FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a conventional solid-state imaging device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

7 固体撮像装置 71 ガラス基板(透明部材) 71a 突起部 73 配線パターン 74 バンプ 75a 画素有効領域 75b 突起部 S2 封止用樹脂 7 Solid-state imaging device 71 Glass substrate (transparent member) 71a Projection 73 Wiring pattern 74 Bump 75a Pixel effective area 75b Projection S2 Resin for sealing

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04N 1/028 H01L 23/12 F 5/335 C (72)発明者 小林 俊夫 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 Fターム(参考) 4M109 AA01 BA04 CA10 EA15 EC12 GA01 4M118 AA10 AB01 AB10 BA10 FA06 FA08 GA04 GD02 HA11 HA24 HA26 HA31 5C024 CY47 EX01 EX21 EX24 EX41 GY01 5C051 AA01 BA03 DA02 DB01 DB04 DB06 DC01 DC07 DD02 EA07 5F044 KK06 LL11 LL15 RR17 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H04N 1/028 H01L 23/12 F 5/335 C (72) Inventor Toshio Kobayashi 1 Nakamagome, Ota-ku, Tokyo 3-6, Ricoh Co., Ltd. F-term (reference) 4M109 AA01 BA04 CA10 EA15 EC12 GA01 4M118 AA10 AB01 AB10 BA10 FA06 FA08 GA04 GD02 HA11 HA24 HA26 HA31 5C024 CY47 EX01 EX21 EX24 EX41 GY01 5C051 AA01 BA03 DA06 DB01 DC01 DB01 DD02 EA07 5F044 KK06 LL11 LL15 RR17

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 撮像素子がフェースダウンの状態でガラ
ス等の透明部材に設けられた配線パターンと対向してい
る固体撮像装置において、 前記撮像素子の画素有効領域と前記透明部材とを密着さ
せる突起部と、前記撮像素子と前記透明部材の配線パタ
ーンとの間を導通させるバンプと、前記撮像素子と前記
透明部材との外周寄りを接着する封止用樹脂とを備えて
いることを特徴とする固体撮像装置。
1. A solid-state imaging device in which an imaging element faces a wiring pattern provided on a transparent member such as glass in a face-down state, wherein a projection for bringing a pixel effective area of the imaging element into close contact with the transparent member is provided. And a sealing resin for adhering the image sensor and the transparent member near the outer periphery thereof, and a bump for conducting between the image sensor and the wiring pattern of the transparent member. Solid-state imaging device.
【請求項2】 前記撮像素子又は前記配線パターンに設
けられた前記バンプの高さと、前記撮像素子及び前記透
明部材の少なくとも一方に形成された突起部の高さとが
ほぼ等しいことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像
装置。
2. The method according to claim 1, wherein a height of the bump provided on the image sensor or the wiring pattern is substantially equal to a height of a protrusion formed on at least one of the image sensor and the transparent member. Item 2. The solid-state imaging device according to Item 1.
【請求項3】 前記封止用樹脂は不透明であることを特
徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。
3. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the sealing resin is opaque.
【請求項4】 撮像素子がフェースダウンの状態でガラ
ス等の透明部材に設けられた配線パターンと対向してい
る固体撮像装置の製造方法において、 前記撮像素子の画素有効領域と前記透明部材とを突起部
を介して密着させるとともに、前記撮像素子と前記透明
部材の配線パターンとの間をバンプにより導通させ、次
いで前記撮像素子と前記透明部材との外周寄りにこれら
を接着する封止用樹脂を塗布し、その後に封止用樹脂を
硬化させることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
4. A method for manufacturing a solid-state imaging device in which an imaging element faces a wiring pattern provided on a transparent member such as glass in a face-down state, wherein a pixel effective area of the imaging element and the transparent member are formed. Along with the protruding portion, a conductive resin is provided between the image pickup device and the wiring pattern of the transparent member by a bump, and then a sealing resin for adhering the image pickup device and the transparent member near the outer periphery thereof is provided. A method for manufacturing a solid-state imaging device, comprising applying and then curing a sealing resin.
【請求項5】 前記封止用樹脂は不透明であることを特
徴とする請求項4に記載の固体撮像装置の製造方法。
5. The method according to claim 4, wherein the sealing resin is opaque.
【請求項6】 請求項1〜3の何れかの固体撮像装置を
用いた画像読取ユニット。
6. An image reading unit using the solid-state imaging device according to claim 1.
【請求項7】 請求項6の画像読取ユニットを用いた画
像走査装置。
7. An image scanning apparatus using the image reading unit according to claim 6.
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