JP2002008379A - フラッシュメモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法と該方法を使用するデータ補修及びアクセス装置 - Google Patents
フラッシュメモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法と該方法を使用するデータ補修及びアクセス装置Info
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- JP2002008379A JP2002008379A JP2000175126A JP2000175126A JP2002008379A JP 2002008379 A JP2002008379 A JP 2002008379A JP 2000175126 A JP2000175126 A JP 2000175126A JP 2000175126 A JP2000175126 A JP 2000175126A JP 2002008379 A JP2002008379 A JP 2002008379A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フラッシュメモリの消去回数減少可能なデー
タアクセス方法と該方法を使用するデータ補修及びアク
セス装置の提供。 【解決手段】 フラッシュメモリのデータブロックにデ
ータを書き込む時、もし書き込むデータと該データブロ
ックの既存のデータの変異がある設定値より小さけれ
ば、該変異を一つの補修エリアに記録し、データを該デ
ータブロックに書き込まず、該フラッシュメモリのデー
タブロックよりデータを読み取る時も、該補修エリアよ
り対応する変異の記録を捜し出し、これにより読み出し
たデータを補修し、このように真に変化を有する部分を
抽出して書き込むことにより、書き込むデータ量を減少
し、ゆえにフラッシュメモリの消去回数を有効に減らせ
るようにしたことを特徴とする。
タアクセス方法と該方法を使用するデータ補修及びアク
セス装置の提供。 【解決手段】 フラッシュメモリのデータブロックにデ
ータを書き込む時、もし書き込むデータと該データブロ
ックの既存のデータの変異がある設定値より小さけれ
ば、該変異を一つの補修エリアに記録し、データを該デ
ータブロックに書き込まず、該フラッシュメモリのデー
タブロックよりデータを読み取る時も、該補修エリアよ
り対応する変異の記録を捜し出し、これにより読み出し
たデータを補修し、このように真に変化を有する部分を
抽出して書き込むことにより、書き込むデータ量を減少
し、ゆえにフラッシュメモリの消去回数を有効に減らせ
るようにしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一種の、フラッシュ
メモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法と該方
法を使用するデータ補修及びアクセス装置に関する。
メモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法と該方
法を使用するデータ補修及びアクセス装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】フラッシュメモリは内容を電源切断後に
も保存できるメモリであり、このため、嵌め込み式のシ
ステムの多くがフラッシュメモリを以てディスクを模擬
している。図９に示されるのは、フラッシュメモリ９１
１とディスクシミュレータ９１２で構成された模擬ディ
スク９１であり、アプリケーションシステム９２がフラ
ッシュメモリ９１１に対して読み書き可能であり、これ
は一般のディスクの読み書きと同様であり、現在あるフ
ァイルシステムに組み合わせて使用できる。前述のフラ
ッシュメモリが模擬するディスクは使用上、フラッシュ
メモリの特性の制限を受け、即ち、フラッシュメモリは
重複した読み書きが可能ではあるが、データを書き込む
前には書き込みたいメモリ範囲を先に消去しなければな
らない。消去するメモリは一つのセグメントを単位と
し、且つ各セグメントを消去できる回数は有限（約十万
回）であり、このようにフラッシュメモリはセグメント
消去回数の上限を有することから、模擬するディスクの
使用寿命にも制限があった。
も保存できるメモリであり、このため、嵌め込み式のシ
ステムの多くがフラッシュメモリを以てディスクを模擬
している。図９に示されるのは、フラッシュメモリ９１
１とディスクシミュレータ９１２で構成された模擬ディ
スク９１であり、アプリケーションシステム９２がフラ
ッシュメモリ９１１に対して読み書き可能であり、これ
は一般のディスクの読み書きと同様であり、現在あるフ
ァイルシステムに組み合わせて使用できる。前述のフラ
ッシュメモリが模擬するディスクは使用上、フラッシュ
メモリの特性の制限を受け、即ち、フラッシュメモリは
重複した読み書きが可能ではあるが、データを書き込む
前には書き込みたいメモリ範囲を先に消去しなければな
らない。消去するメモリは一つのセグメントを単位と
し、且つ各セグメントを消去できる回数は有限（約十万
回）であり、このようにフラッシュメモリはセグメント
消去回数の上限を有することから、模擬するディスクの
使用寿命にも制限があった。
【０００３】前述のフラッシュメモリが模擬するディス
クの使用寿命を延長するための周知の方法は、セグメン
トに対する回収策略により消去回数を減少するというも
のであり、回収策略は、使用データの時間と周波数に着
目し、すぐに廃棄するデータブロックを回収しないよう
にするものであるが、却ってファイルシステム自体が内
容の重複する膨大なデータを発生することになり、この
ためその効率は良くなく、改善の必要があった。
クの使用寿命を延長するための周知の方法は、セグメン
トに対する回収策略により消去回数を減少するというも
のであり、回収策略は、使用データの時間と周波数に着
目し、すぐに廃棄するデータブロックを回収しないよう
にするものであるが、却ってファイルシステム自体が内
容の重複する膨大なデータを発生することになり、この
ためその効率は良くなく、改善の必要があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は一種のフラッ
シュメモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法と
該方法を使用するデータ補修及びアクセス装置を提供し
て、フラッシュメモリの使用期限を延長することを主要
な課題としている。
シュメモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法と
該方法を使用するデータ補修及びアクセス装置を提供し
て、フラッシュメモリの使用期限を延長することを主要
な課題としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、デー
タをフラッシュメモリの一つのデータブロックに書き込
む時に、書き込むデータと該データブロックに既存のデ
ータの変異がある設定値より小さければ、該変異を一つ
の補修エリアに記録して該データブロックに書き込まな
い、データ書き込みプロセスと、該フラッシュメモリの
一つのデータブロックよりデータを読み取る時に、該補
修エリアより対応する変異の記録を捜し出して、それを
以て読み出したデータを補修する、データ読み取りプロ
セスと、を少なくとも包括する、フラッシュメモリの消
去回数減少可能なデータアクセス方法としている。請求
項２の発明は、前記データアクセス方法において、該デ
ータ書き込みプロセス中に、書き込むデータと該データ
ブロックに既存のデータを比較して少なくとも一つの補
修記録を発生することを特徴とする、請求項１に記載の
フラッシュメモリの消去回数減少可能なデータアクセス
方法としている。請求項３の発明は、前記データアクセ
ス方法において、該補修記録の総長さが一つのスレショ
ルド値より小さく且つ該補修エリアが十分な空間を有す
る時、該補修記録を該補修エリアに書き込むことを以て
データの変異を記録することを特徴とする、請求項２に
記載のフラッシュメモリの消去回数減少可能なデータア
クセス方法としている。請求項４の発明は、前記データ
アクセス方法において、該補修エリアに十分な空間がな
い時には周知のフラッシュメモリ書き込みプロセスによ
りデータを該データブロックに書き込むことを特徴とす
る、請求項３に記載のフラッシュメモリの消去回数減少
可能なデータアクセス方法としている。請求項５の発明
は、前記データアクセス方法において、該補修記録の総
長さが一つのスレショルド値より大きい時には周知のフ
ラッシュメモリ書き込みプロセスによりデータを該デー
タブロックに書き込むことを特徴とする、請求項２に記
載のフラッシュメモリの消去回数減少可能なデータアク
セス方法としている。請求項６の発明は、前記データア
クセス方法において、該補修記録の総長さが０である時
には実質的な書き込みを行わないことを特徴とする、請
求項２に記載のフラッシュメモリの消去回数減少可能な
データアクセス方法としている。請求項７の発明は、前
記データアクセス方法において、該データ読み取りプロ
セス中に、補修エリアより対応する補修記録を捜し出し
て補修記録により読み出すデータを補修することを特徴
とする、請求項３に記載のフラッシュメモリの消去回数
減少可能なデータアクセス方法としている。請求項８の
発明は、前記データアクセス方法において、セグメント
回収のプロセスを含み、このプロセスはすでに使用し且
つ廃棄したデータブロックを回収して再使用に供するプ
ロセスであることを特徴とする、請求項１に記載のフラ
ッシュメモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法
としている。請求項９の発明は、前記データアクセス方
法において、前記セグメント回収のプロセスが、少なく
とも以下のステップ、即ち、使用のデータブロックをデ
ータ読み取りプロセスにより読み出し並びに一つのメモ
リ中に暫時保存するステップと、フラッシュメモリのセ
グメント内容を消去するステップと、メモリ中に暫時保
存したデータブロックを該フラッシュメモリのデータブ
ロック中に複製するステップと、を具えたことを特徴と
する、請求項８に記載のフラッシュメモリの消去回数減
少可能なデータアクセス方法としている。請求項１０の
発明は、フラッシュメモリのデータアクセス及び補修装
置において、該フラッシュメモリが複数のデータブロッ
クを具え、少なくとも一つの各データブロックに一つの
補修エリアが対応設置され、該データアクセス及び補修
装置は少なくとも、データ書き込み制御手段とデータ読
み取り制御手段を包括し、該データ書き込み制御手段に
おいて、データをフラッシュメモリの一つのデータブロ
ックに書き込む時に、書き込むデータと該データブロッ
クに既存のデータの変異がある設定値より小さければ、
該変異を一つの補修エリアに記録して該データブロック
に書き込まず、該データ読み取り制御手段において、該
フラッシュメモリの一つのデータブロックよりデータを
読み取る時に、該補修エリアより対応する変異の記録を
捜し出して、それを以て読み出したデータを補修するこ
とを特徴とする、フラッシュメモリのデータアクセス及
び補修装置としている。請求項１１の発明は、前記フラ
ッシュメモリのデータアクセス及び補修装置において、
該データ書き込み制御手段が、書き込むデータと該デー
タブロックに既存のデータを比較して少なくとも一つの
補修記録を発生することを特徴とする、請求項１０に記
載のフラッシュメモリのデータアクセス及び補修装置と
している。請求項１２の発明は、前記フラッシュメモリ
のデータアクセス及び補修装置において、該補修記録の
総長さが一つのスレショルド値より小さく且つ該補修エ
リアが十分な空間を有する時、該補修記録を該補修エリ
アに書き込むことを以てデータの変異を記録することを
特徴とする、請求項１０に記載のフラッシュメモリのデ
ータアクセス及び補修装置としている。請求項１３の発
明は、前記フラッシュメモリのデータアクセス及び補修
装置において、該補修エリアに十分な空間がない時には
該データ書き込み制御手段が周知のフラッシュメモリ書
き込みプロセスによりデータを該データブロックに書き
込むことを特徴とする、請求項１２に記載のフラッシュ
メモリのデータアクセス及び補修装置としている。請求
項１４の発明は、前記フラッシュメモリのデータアクセ
ス及び補修装置において、該補修記録の総長さが一つの
スレショルド値より大きい時には周知のフラッシュメモ
リ書き込みプロセスによりデータを該データブロックに
書き込むことを特徴とする、請求項１１に記載のフラッ
シュメモリのデータアクセス及び補修装置としている。
請求項１５の発明は、前記フラッシュメモリのデータア
クセス及び補修装置において、該補修記録の総長さが０
である時には実質的な書き込みを行わないことを特徴と
する、請求項１１に記載のフラッシュメモリのデータア
クセス及び補修装置としている。請求項１６の発明は、
前記フラッシュメモリのデータアクセス及び補修装置に
おいて、該データ読み取り制御手段が補修エリアより対
応する補修記録を捜し出して補修記録により読み出すデ
ータを補修することを特徴とする、請求項１２に記載の
フラッシュメモリのデータアクセス及び補修装置として
いる。請求項１７の発明は、前記フラッシュメモリのデ
ータアクセス及び補修装置において、すでに使用し且つ
廃棄したデータブロックを回収して再使用に供するセグ
メント回収制御手段を具えたことを特徴とする、請求項
１０に記載のフラッシュメモリのデータアクセス及び補
修装置としている。請求項１８の発明は、前記フラッシ
ュメモリのデータアクセス及び補修装置において、前記
セグメント回収制御手段が、使用のデータブロックをデ
ータ読み取り制御手段で読み出し並びに一つのメモリ中
に暫時保存し、フラッシュメモリのセグメント内容を消
去し、メモリ中に暫時保存したデータブロックを該フラ
ッシュメモリのデータブロック中に複製し、こうして廃
棄したデータブロックを回収することを特徴とする、請
求項１７に記載のフラッシュメモリのデータアクセス及
び補修装置としている。
タをフラッシュメモリの一つのデータブロックに書き込
む時に、書き込むデータと該データブロックに既存のデ
ータの変異がある設定値より小さければ、該変異を一つ
の補修エリアに記録して該データブロックに書き込まな
い、データ書き込みプロセスと、該フラッシュメモリの
一つのデータブロックよりデータを読み取る時に、該補
修エリアより対応する変異の記録を捜し出して、それを
以て読み出したデータを補修する、データ読み取りプロ
セスと、を少なくとも包括する、フラッシュメモリの消
去回数減少可能なデータアクセス方法としている。請求
項２の発明は、前記データアクセス方法において、該デ
ータ書き込みプロセス中に、書き込むデータと該データ
ブロックに既存のデータを比較して少なくとも一つの補
修記録を発生することを特徴とする、請求項１に記載の
フラッシュメモリの消去回数減少可能なデータアクセス
方法としている。請求項３の発明は、前記データアクセ
ス方法において、該補修記録の総長さが一つのスレショ
ルド値より小さく且つ該補修エリアが十分な空間を有す
る時、該補修記録を該補修エリアに書き込むことを以て
データの変異を記録することを特徴とする、請求項２に
記載のフラッシュメモリの消去回数減少可能なデータア
クセス方法としている。請求項４の発明は、前記データ
アクセス方法において、該補修エリアに十分な空間がな
い時には周知のフラッシュメモリ書き込みプロセスによ
りデータを該データブロックに書き込むことを特徴とす
る、請求項３に記載のフラッシュメモリの消去回数減少
可能なデータアクセス方法としている。請求項５の発明
は、前記データアクセス方法において、該補修記録の総
長さが一つのスレショルド値より大きい時には周知のフ
ラッシュメモリ書き込みプロセスによりデータを該デー
タブロックに書き込むことを特徴とする、請求項２に記
載のフラッシュメモリの消去回数減少可能なデータアク
セス方法としている。請求項６の発明は、前記データア
クセス方法において、該補修記録の総長さが０である時
には実質的な書き込みを行わないことを特徴とする、請
求項２に記載のフラッシュメモリの消去回数減少可能な
データアクセス方法としている。請求項７の発明は、前
記データアクセス方法において、該データ読み取りプロ
セス中に、補修エリアより対応する補修記録を捜し出し
て補修記録により読み出すデータを補修することを特徴
とする、請求項３に記載のフラッシュメモリの消去回数
減少可能なデータアクセス方法としている。請求項８の
発明は、前記データアクセス方法において、セグメント
回収のプロセスを含み、このプロセスはすでに使用し且
つ廃棄したデータブロックを回収して再使用に供するプ
ロセスであることを特徴とする、請求項１に記載のフラ
ッシュメモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法
としている。請求項９の発明は、前記データアクセス方
法において、前記セグメント回収のプロセスが、少なく
とも以下のステップ、即ち、使用のデータブロックをデ
ータ読み取りプロセスにより読み出し並びに一つのメモ
リ中に暫時保存するステップと、フラッシュメモリのセ
グメント内容を消去するステップと、メモリ中に暫時保
存したデータブロックを該フラッシュメモリのデータブ
ロック中に複製するステップと、を具えたことを特徴と
する、請求項８に記載のフラッシュメモリの消去回数減
少可能なデータアクセス方法としている。請求項１０の
発明は、フラッシュメモリのデータアクセス及び補修装
置において、該フラッシュメモリが複数のデータブロッ
クを具え、少なくとも一つの各データブロックに一つの
補修エリアが対応設置され、該データアクセス及び補修
装置は少なくとも、データ書き込み制御手段とデータ読
み取り制御手段を包括し、該データ書き込み制御手段に
おいて、データをフラッシュメモリの一つのデータブロ
ックに書き込む時に、書き込むデータと該データブロッ
クに既存のデータの変異がある設定値より小さければ、
該変異を一つの補修エリアに記録して該データブロック
に書き込まず、該データ読み取り制御手段において、該
フラッシュメモリの一つのデータブロックよりデータを
読み取る時に、該補修エリアより対応する変異の記録を
捜し出して、それを以て読み出したデータを補修するこ
とを特徴とする、フラッシュメモリのデータアクセス及
び補修装置としている。請求項１１の発明は、前記フラ
ッシュメモリのデータアクセス及び補修装置において、
該データ書き込み制御手段が、書き込むデータと該デー
タブロックに既存のデータを比較して少なくとも一つの
補修記録を発生することを特徴とする、請求項１０に記
載のフラッシュメモリのデータアクセス及び補修装置と
している。請求項１２の発明は、前記フラッシュメモリ
のデータアクセス及び補修装置において、該補修記録の
総長さが一つのスレショルド値より小さく且つ該補修エ
リアが十分な空間を有する時、該補修記録を該補修エリ
アに書き込むことを以てデータの変異を記録することを
特徴とする、請求項１０に記載のフラッシュメモリのデ
ータアクセス及び補修装置としている。請求項１３の発
明は、前記フラッシュメモリのデータアクセス及び補修
装置において、該補修エリアに十分な空間がない時には
該データ書き込み制御手段が周知のフラッシュメモリ書
き込みプロセスによりデータを該データブロックに書き
込むことを特徴とする、請求項１２に記載のフラッシュ
メモリのデータアクセス及び補修装置としている。請求
項１４の発明は、前記フラッシュメモリのデータアクセ
ス及び補修装置において、該補修記録の総長さが一つの
スレショルド値より大きい時には周知のフラッシュメモ
リ書き込みプロセスによりデータを該データブロックに
書き込むことを特徴とする、請求項１１に記載のフラッ
シュメモリのデータアクセス及び補修装置としている。
請求項１５の発明は、前記フラッシュメモリのデータア
クセス及び補修装置において、該補修記録の総長さが０
である時には実質的な書き込みを行わないことを特徴と
する、請求項１１に記載のフラッシュメモリのデータア
クセス及び補修装置としている。請求項１６の発明は、
前記フラッシュメモリのデータアクセス及び補修装置に
おいて、該データ読み取り制御手段が補修エリアより対
応する補修記録を捜し出して補修記録により読み出すデ
ータを補修することを特徴とする、請求項１２に記載の
フラッシュメモリのデータアクセス及び補修装置として
いる。請求項１７の発明は、前記フラッシュメモリのデ
ータアクセス及び補修装置において、すでに使用し且つ
廃棄したデータブロックを回収して再使用に供するセグ
メント回収制御手段を具えたことを特徴とする、請求項
１０に記載のフラッシュメモリのデータアクセス及び補
修装置としている。請求項１８の発明は、前記フラッシ
ュメモリのデータアクセス及び補修装置において、前記
セグメント回収制御手段が、使用のデータブロックをデ
ータ読み取り制御手段で読み出し並びに一つのメモリ中
に暫時保存し、フラッシュメモリのセグメント内容を消
去し、メモリ中に暫時保存したデータブロックを該フラ
ッシュメモリのデータブロック中に複製し、こうして廃
棄したデータブロックを回収することを特徴とする、請
求項１７に記載のフラッシュメモリのデータアクセス及
び補修装置としている。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明はフラッシュメモリの消去
回数減少可能なデータアクセス方法を提供し、この方法
は、（ａ）データをフラッシュメモリの一つのデータブ
ロックに書き込む時に、書き込むデータと該データブロ
ックに既存のデータの変異がある設定値より小さけれ
ば、該変異を一つの補修エリアに記録して該データブロ
ックに書き込まない、データ書き込みプロセス、（ｂ）
該フラッシュメモリの一つのデータブロックよりデータ
を読み取る時に、該補修エリアより対応する変異の記録
を捜し出して、それを以て読み出したデータを補修す
る、データ読み取りプロセスと、を少なくとも包括して
いる。
回数減少可能なデータアクセス方法を提供し、この方法
は、（ａ）データをフラッシュメモリの一つのデータブ
ロックに書き込む時に、書き込むデータと該データブロ
ックに既存のデータの変異がある設定値より小さけれ
ば、該変異を一つの補修エリアに記録して該データブロ
ックに書き込まない、データ書き込みプロセス、（ｂ）
該フラッシュメモリの一つのデータブロックよりデータ
を読み取る時に、該補修エリアより対応する変異の記録
を捜し出して、それを以て読み出したデータを補修す
る、データ読み取りプロセスと、を少なくとも包括して
いる。
【０００７】本発明はまた、一種のフラッシュメモリの
消去回数減少可能なデータアクセス装置を提供し、その
うち該フラッシュメモリは複数のデータブロックを具
え、少なくとも一つ乃至全てのデータブロックに一つの
補修エリアが対応設置され、該装置が、データ書き込み
制御手段とデータ読み取り制御手段を包括し、該データ
書き込み制御手段において、データをフラッシュメモリ
の一つのデータブロックに書き込む時に、書き込むデー
タと該データブロックに既存のデータの変異がある設定
値より小さければ、該変異を一つの補修エリアに記録し
て該データブロックに書き込まず、該データ読み取り制
御手段において、該フラッシュメモリの一つのデータブ
ロックよりデータを読み取る時に、該補修エリアより対
応する変異の記録を捜し出して、それを以て読み出した
データを補修する。
消去回数減少可能なデータアクセス装置を提供し、その
うち該フラッシュメモリは複数のデータブロックを具
え、少なくとも一つ乃至全てのデータブロックに一つの
補修エリアが対応設置され、該装置が、データ書き込み
制御手段とデータ読み取り制御手段を包括し、該データ
書き込み制御手段において、データをフラッシュメモリ
の一つのデータブロックに書き込む時に、書き込むデー
タと該データブロックに既存のデータの変異がある設定
値より小さければ、該変異を一つの補修エリアに記録し
て該データブロックに書き込まず、該データ読み取り制
御手段において、該フラッシュメモリの一つのデータブ
ロックよりデータを読み取る時に、該補修エリアより対
応する変異の記録を捜し出して、それを以て読み出した
データを補修する。
【０００８】本発明の設計は新規であり、産業上の利用
価値を有し、且つ確実に機能が増進されている。
価値を有し、且つ確実に機能が増進されている。
【０００９】
【実施例】図１に示されるのは、一般のファイルシステ
ム構造図であり、それは一つのインデックスノード１１
を以てデータのアクセス権限、所有者、サイズ、アクセ
ス時間、及びデータ指標等を記録し、そのうち、データ
指標は直接データブロック１２を指向するか、或いはさ
らにインデックスブロック１３のインデックスを透過し
てデータブロック１２を指向し、これによりファイルシ
ステムがブロックを単位としてデータの読み書き可能と
される。前述のデータブロック１２に記録されるデータ
はユーザーデータとされ、インデックスノード１１及び
インデックスブロック１３に記録されるデータはメタデ
ータ（Ｍｅｔａｄａｔａ）とされる。
ム構造図であり、それは一つのインデックスノード１１
を以てデータのアクセス権限、所有者、サイズ、アクセ
ス時間、及びデータ指標等を記録し、そのうち、データ
指標は直接データブロック１２を指向するか、或いはさ
らにインデックスブロック１３のインデックスを透過し
てデータブロック１２を指向し、これによりファイルシ
ステムがブロックを単位としてデータの読み書き可能と
される。前述のデータブロック１２に記録されるデータ
はユーザーデータとされ、インデックスノード１１及び
インデックスブロック１３に記録されるデータはメタデ
ータ（Ｍｅｔａｄａｔａ）とされる。
【００１０】前述のファイルシステムの構造より分かる
ように、一つのファイルを更新する時には、ユーザーデ
ータの書き込みのほか、多くのメタデータ書き込みが発
生し、これらのデータは往々にして重複性が極めて高
く、このため、本発明はデータの変異を分析することに
より、真に変化を有する部分を抽出して書き込み、これ
により書き込むデータ量を減少し、有効にフラッシュメ
モリの消去回数を減少する。
ように、一つのファイルを更新する時には、ユーザーデ
ータの書き込みのほか、多くのメタデータ書き込みが発
生し、これらのデータは往々にして重複性が極めて高
く、このため、本発明はデータの変異を分析することに
より、真に変化を有する部分を抽出して書き込み、これ
により書き込むデータ量を減少し、有効にフラッシュメ
モリの消去回数を減少する。
【００１１】本発明の望ましい一つの実施例中のフラッ
シュメモリ構造については図２を参照されたい。それ
は、フラッシュメモリを数個のセグメント２１に区分
し、各一つのセグメントのサイズは６４Ｋバイト〜１２
８Ｋバイトとし、各一つのセグメント２１の前に、該セ
グメント２１に対応する補修エリア（Ｐａｔｃｈ Ａｒ
ｅａ）２１を設置し、且つ各一つのセグメント２１は多
数のデータブロック２１１を包含するものとする。その
うち、該データブロック１２はアクセスしたデータを保
存するのに用い、該補修エリア２２はセグメント２１に
対応する複数のデータブロック２１１のデータ変異を記
録するのに用いる。
シュメモリ構造については図２を参照されたい。それ
は、フラッシュメモリを数個のセグメント２１に区分
し、各一つのセグメントのサイズは６４Ｋバイト〜１２
８Ｋバイトとし、各一つのセグメント２１の前に、該セ
グメント２１に対応する補修エリア（Ｐａｔｃｈ Ａｒ
ｅａ）２１を設置し、且つ各一つのセグメント２１は多
数のデータブロック２１１を包含するものとする。その
うち、該データブロック１２はアクセスしたデータを保
存するのに用い、該補修エリア２２はセグメント２１に
対応する複数のデータブロック２１１のデータ変異を記
録するのに用いる。
【００１２】図３は本発明のデータアクセス及び補修装
置の模擬ディスクを示し、それは、ディスクシミュレー
タ３１中に該データアクセス及び補修装置３１１が設け
られ、ファイルシステム３３がフラッシュメモリ３２に
対してデータの書き込みを行う時、該データアクセス及
び補修装置３１１が先に、書き込むデータと、書き込み
先のデータブロック２１１に既存のデータを比較し、両
者の内容が同じであれば書き込み動作を行わず、もし両
者の内容に差異の総バイト数がある設定値（例えばデー
タブロック寸法の１０％）より小さければ、データをこ
のデータブロック２１１に書き込まないで、補修エリア
２２が少なくとも一つの補修記録（Ｐａｔｃｈ Ｒｅｃ
ｏｒｄ）を発生してこのデータ変異の状況を記録し、そ
うでなければ、一般のフラッシュメモリの書き込み動作
を行う。
置の模擬ディスクを示し、それは、ディスクシミュレー
タ３１中に該データアクセス及び補修装置３１１が設け
られ、ファイルシステム３３がフラッシュメモリ３２に
対してデータの書き込みを行う時、該データアクセス及
び補修装置３１１が先に、書き込むデータと、書き込み
先のデータブロック２１１に既存のデータを比較し、両
者の内容が同じであれば書き込み動作を行わず、もし両
者の内容に差異の総バイト数がある設定値（例えばデー
タブロック寸法の１０％）より小さければ、データをこ
のデータブロック２１１に書き込まないで、補修エリア
２２が少なくとも一つの補修記録（Ｐａｔｃｈ Ｒｅｃ
ｏｒｄ）を発生してこのデータ変異の状況を記録し、そ
うでなければ、一般のフラッシュメモリの書き込み動作
を行う。
【００１３】前述の補修エリア２２の一つの実施例は図
４に示されるようであり、該補修エリア２２は多数の補
修記録２２１をアペンド可能であり、各一つの補修記録
２２１は長さフィールド２２１１、偏移フィールド２２
１２及び新データフィールド２２１３を連接して組成さ
れ、例えばデータブロック２１１に、既存のデータとの
差異が僅かに２バイトのデータブロック４１を書き込む
時に、この差異バイトがセグメント２１の第２０５及び
２０６個のバイトに存在する時、発生する補修記録２２
１の長さフィールド２２１１の内容は２で、偏移フィー
ルド２２１２の内容は２０５で、新データフィールド２
２１３の内容は書き込むデータ中のこの２バイトの新デ
ータとされる。また一方で、このデータブロック２１１
に対して読み取りを行う時は、そのデータを取り出すほ
か、補修記録２２１の長さフィールド２２１１、偏移フ
ィールド２２１２及び新データフィールド２２１３の内
容を取り出し、該２バイトの新データをデータブロック
２１１より取り出したデータにアペンドし、正確なデー
タを読み出す。
４に示されるようであり、該補修エリア２２は多数の補
修記録２２１をアペンド可能であり、各一つの補修記録
２２１は長さフィールド２２１１、偏移フィールド２２
１２及び新データフィールド２２１３を連接して組成さ
れ、例えばデータブロック２１１に、既存のデータとの
差異が僅かに２バイトのデータブロック４１を書き込む
時に、この差異バイトがセグメント２１の第２０５及び
２０６個のバイトに存在する時、発生する補修記録２２
１の長さフィールド２２１１の内容は２で、偏移フィー
ルド２２１２の内容は２０５で、新データフィールド２
２１３の内容は書き込むデータ中のこの２バイトの新デ
ータとされる。また一方で、このデータブロック２１１
に対して読み取りを行う時は、そのデータを取り出すほ
か、補修記録２２１の長さフィールド２２１１、偏移フ
ィールド２２１２及び新データフィールド２２１３の内
容を取り出し、該２バイトの新データをデータブロック
２１１より取り出したデータにアペンドし、正確なデー
タを読み出す。
【００１４】前述のデータアクセス及び補修装置３１１
のデータ読み取りの詳細なフローは図５に示されるとお
りであり、まず、読み取りの命令により、一つのデータ
ブロックを読み出し（ステップＳ５−１）、並びに該デ
ータブロックが対応する補修エリアを捜し出し（ステッ
プＳ５−２）、さらに補修エリアがまだ取り出されてい
ない補修記録を有するか否かを判断し（ステップＳ５−
３）、即ち、補修記録の指標がすでに補修記録の記録の
末端に達しているか否かを判断し、もしノーであれば、
この補修エリアより一つの補修記録を取り出し（ステッ
プＳ５−４）、並びに取り出した補修記録が該データブ
ロックに属するか否かを判断し（ステップＳ５−５）、
ノーであれば、ステップＳ５−３に戻り、対応する補修
記録が有るか探し、もしステップＳ５−５の判定がイエ
スであれば、対応する補修記録を見つけたことになり、
ゆえにこの補修記録により読み出すデータブロックのデ
ータに対して補修を行い（ステップＳ５−６）、さらに
ステップＳ５−３に戻りその他の対応する補修記録があ
るかどうか探す。
のデータ読み取りの詳細なフローは図５に示されるとお
りであり、まず、読み取りの命令により、一つのデータ
ブロックを読み出し（ステップＳ５−１）、並びに該デ
ータブロックが対応する補修エリアを捜し出し（ステッ
プＳ５−２）、さらに補修エリアがまだ取り出されてい
ない補修記録を有するか否かを判断し（ステップＳ５−
３）、即ち、補修記録の指標がすでに補修記録の記録の
末端に達しているか否かを判断し、もしノーであれば、
この補修エリアより一つの補修記録を取り出し（ステッ
プＳ５−４）、並びに取り出した補修記録が該データブ
ロックに属するか否かを判断し（ステップＳ５−５）、
ノーであれば、ステップＳ５−３に戻り、対応する補修
記録が有るか探し、もしステップＳ５−５の判定がイエ
スであれば、対応する補修記録を見つけたことになり、
ゆえにこの補修記録により読み出すデータブロックのデ
ータに対して補修を行い（ステップＳ５−６）、さらに
ステップＳ５−３に戻りその他の対応する補修記録があ
るかどうか探す。
【００１５】もしステップＳ５−３の判定がイエスであ
れば、対応する補修記録を有する可能性がないことにな
り、ゆえに、データブロックのデータを送り返し、読み
取り動作を完成する（ステップＳ５−７）。
れば、対応する補修記録を有する可能性がないことにな
り、ゆえに、データブロックのデータを送り返し、読み
取り動作を完成する（ステップＳ５−７）。
【００１６】また、前述のデータアクセス及び補修装置
３１１を利用してデータ書き込みを行う詳細なフローは
図６に示されるとおりであり、新データを一つのデータ
ブロックに書き込みたい時（ステップＳ６−１）、ま
ず、前述のデータ読み取りフローで、データブロックの
既存のデータを読み取り（ステップＳ６−２）、並びに
新データと既存のデータの差異を比較して一つ或いは複
数の補修記録を発生し（ステップＳ６−３）、ステップ
Ｓ６−４では発生した補修記録の総長さが設定されたス
レショルド値より小さいか否かを比較し、もしノーであ
れば、データ変異量が過大であることを表示するため、
データ補修の方式での該データブロックへの書き込みを
行わず、一般のデータブロック書き込みの方式で、デー
タを該ブロック中に書き込み（ステップＳ６−５）、も
しステップＳ６−４の判断がイエスであれば、さらに該
補修記録の総長さが０であるか否かを判断し（ステップ
Ｓ６−６）、もしイエスであれば、新データが既存のデ
ータと同じであることを表示するため、実際の書き込み
動作を行わず、もしノーであれば、該データブロックの
所属する補修エリアがこれらの補修記録を収容可能な空
間をまだ有しているか否かを続行して判断し（ステップ
Ｓ６−７）、もしノーであれば、補修エリアが使い果た
されていることを示すため、データ補修の方式で該ブロ
ック中に書き込む必要がないので一般のデータブロック
書き込みの方式でデータを該ブロック中に書き込み（ス
テップＳ６−５）、もしステップＳ６−７の判断がイエ
スであれば、補修記録を補修エリア中に書き込み（ステ
ップＳ６−８）、こうしてデータ書き込みの動作を完成
する。
３１１を利用してデータ書き込みを行う詳細なフローは
図６に示されるとおりであり、新データを一つのデータ
ブロックに書き込みたい時（ステップＳ６−１）、ま
ず、前述のデータ読み取りフローで、データブロックの
既存のデータを読み取り（ステップＳ６−２）、並びに
新データと既存のデータの差異を比較して一つ或いは複
数の補修記録を発生し（ステップＳ６−３）、ステップ
Ｓ６−４では発生した補修記録の総長さが設定されたス
レショルド値より小さいか否かを比較し、もしノーであ
れば、データ変異量が過大であることを表示するため、
データ補修の方式での該データブロックへの書き込みを
行わず、一般のデータブロック書き込みの方式で、デー
タを該ブロック中に書き込み（ステップＳ６−５）、も
しステップＳ６−４の判断がイエスであれば、さらに該
補修記録の総長さが０であるか否かを判断し（ステップ
Ｓ６−６）、もしイエスであれば、新データが既存のデ
ータと同じであることを表示するため、実際の書き込み
動作を行わず、もしノーであれば、該データブロックの
所属する補修エリアがこれらの補修記録を収容可能な空
間をまだ有しているか否かを続行して判断し（ステップ
Ｓ６−７）、もしノーであれば、補修エリアが使い果た
されていることを示すため、データ補修の方式で該ブロ
ック中に書き込む必要がないので一般のデータブロック
書き込みの方式でデータを該ブロック中に書き込み（ス
テップＳ６−５）、もしステップＳ６−７の判断がイエ
スであれば、補修記録を補修エリア中に書き込み（ステ
ップＳ６−８）、こうしてデータ書き込みの動作を完成
する。
【００１７】上述のデータ書き込みフローは、フラッシ
ュメモリに対してデータ書き込みを行う時、もしデータ
の変異量が大きくなければ、僅かに差異の部分を補修エ
リア中にアペンドするだけで、データブロック中に書き
込む必要がなく、このため、大幅にフラッシュメモリに
対する消去回数を減少でき、有効にその使用期限を延長
することができる。
ュメモリに対してデータ書き込みを行う時、もしデータ
の変異量が大きくなければ、僅かに差異の部分を補修エ
リア中にアペンドするだけで、データブロック中に書き
込む必要がなく、このため、大幅にフラッシュメモリに
対する消去回数を減少でき、有効にその使用期限を延長
することができる。
【００１８】また、本発明のもう一つの望ましい実施例
のメモリ構造によると、図７に示されるように、フラッ
シュメモリの一つのセグメント７１が一つのデータブロ
ックと同じ長さとされ（例えば５１２バイト）、即ち、
各一つのセグメントが一つのデータブロックとされ、且
つ複数のデータブロックの前に一つの補修エリア７２が
対応して設けられており、対応するこれらのデータブロ
ックのデータ変異を記録するのに用いられ、このフラッ
シュメモリの構造も前述のデータ読み書きフローに運用
可能であり、フラッシュメモリに対する消去回数の減少
を達成し、並びに有効に使用期限を延長する効果を有す
る。
のメモリ構造によると、図７に示されるように、フラッ
シュメモリの一つのセグメント７１が一つのデータブロ
ックと同じ長さとされ（例えば５１２バイト）、即ち、
各一つのセグメントが一つのデータブロックとされ、且
つ複数のデータブロックの前に一つの補修エリア７２が
対応して設けられており、対応するこれらのデータブロ
ックのデータ変異を記録するのに用いられ、このフラッ
シュメモリの構造も前述のデータ読み書きフローに運用
可能であり、フラッシュメモリに対する消去回数の減少
を達成し、並びに有効に使用期限を延長する効果を有す
る。
【００１９】このほか、本発明の方法でフラッシュメモ
リに対して多次のデータアクセスを行った後、フラッシ
ュメモリ中に廃棄したデータブロックが発生し且つその
補修エリアも徐々に小さくなる可能性がある。このとき
には、セグメント回収のプロセスを進行してすでに廃棄
したデータブロックを回収し、並びに補修エリアの内容
をクリアして該フラッシュメモリに最良の使用効率を獲
得させる必要がある。該セグメント回収のプロセスは図
８に示されるように、まず、すでに書き込まれ、再度書
き込み不能であるが、使用のデータブロックにあって前
述のデータ補修の方式により、補修エリアの対応する補
修記録が組み合わされて読み出され補修後のデータブロ
ックを、一つのメモリ中に保存し（ステップＳ８−
１）、その後、フラッシュメモリのセグメント内容を消
去し（ステップＳ８−２）、全てのデータブロックと補
修エリアをクリアして、新たにデータを書き込むのに供
し、最後にメモリに暫時保存したデータブロックをフラ
ッシュメモリのデータブロック中に複製し（ステップＳ
８−３）、これによりこれらのデータブロックを継続使
用可能とし、且つすでに廃棄したデータブロックを回収
し再使用に供し、ゆえに極めて良好な使用効果を達成す
る。
リに対して多次のデータアクセスを行った後、フラッシ
ュメモリ中に廃棄したデータブロックが発生し且つその
補修エリアも徐々に小さくなる可能性がある。このとき
には、セグメント回収のプロセスを進行してすでに廃棄
したデータブロックを回収し、並びに補修エリアの内容
をクリアして該フラッシュメモリに最良の使用効率を獲
得させる必要がある。該セグメント回収のプロセスは図
８に示されるように、まず、すでに書き込まれ、再度書
き込み不能であるが、使用のデータブロックにあって前
述のデータ補修の方式により、補修エリアの対応する補
修記録が組み合わされて読み出され補修後のデータブロ
ックを、一つのメモリ中に保存し（ステップＳ８−
１）、その後、フラッシュメモリのセグメント内容を消
去し（ステップＳ８−２）、全てのデータブロックと補
修エリアをクリアして、新たにデータを書き込むのに供
し、最後にメモリに暫時保存したデータブロックをフラ
ッシュメモリのデータブロック中に複製し（ステップＳ
８−３）、これによりこれらのデータブロックを継続使
用可能とし、且つすでに廃棄したデータブロックを回収
し再使用に供し、ゆえに極めて良好な使用効果を達成す
る。
【００２０】
【発明の効果】本発明はフラッシュメモリの消去回数減
少可能なデータアクセス方法と該方法を使用するデータ
補修及びアクセス装置を提供して、フラッシュメモリの
使用期限を延長する効果を達成しており、ゆえに本発明
は新規性、進歩性、産業上の利用価値を有している。
少可能なデータアクセス方法と該方法を使用するデータ
補修及びアクセス装置を提供して、フラッシュメモリの
使用期限を延長する効果を達成しており、ゆえに本発明
は新規性、進歩性、産業上の利用価値を有している。
【００２１】総合すると、本発明はその目的、手段、機
能のいずれにおいても周知の技術の特徴とは異なってお
り、フラッシュメモリのデータアクセス設計における一
大突破とされる。なお、上述の実施例は本発明を説明す
るために提示したものであって、本発明の請求範囲は、
特許請求の範囲の記載により定められ、上述の実施例に
制限されるものではない。
能のいずれにおいても周知の技術の特徴とは異なってお
り、フラッシュメモリのデータアクセス設計における一
大突破とされる。なお、上述の実施例は本発明を説明す
るために提示したものであって、本発明の請求範囲は、
特許請求の範囲の記載により定められ、上述の実施例に
制限されるものではない。
【図１】周知のファイルシステム構造図である。
【図２】本発明の一つの望ましい実施例で使用するフラ
ッシュメモリ構造図である。
ッシュメモリ構造図である。
【図３】本発明のデータアクセスと補修装置を使用した
模擬ディスク表示図である。
模擬ディスク表示図である。
【図４】図３中の補修エリアの一つの実施例図である。
【図５】本発明のデータアクセス方法によるデータ読み
取りフローチャートである。
取りフローチャートである。
【図６】本発明のデータアクセス方法によるデータ書き
込みフローチャートである。
込みフローチャートである。
【図７】本発明のもう一つの望ましい実施例で使用する
フラッシュメモリ構造図である。
フラッシュメモリ構造図である。
【図８】本発明のデータアクセス方法によりセグメント
回収を行うフローチャートである。
回収を行うフローチャートである。
【図９】周知のフラッシュメモリで構成した模擬ディス
ク表示図である。
ク表示図である。
１ インデックスノード １２、２１１、４１
データブロック １３ インデックスブロック ２１、７１ セグメント ２２、７２ 補修エ
リア ２２１ 補修記録 ２２１１ 長さフィ
ールド ２２１２ 偏移フィールド ２２１３ 新データ
フィールド ３１ ディスクシミュレータ ３１１ データアク
セス及び補修装置 ３２、９１１ フラッシュメモリ ３３ ファイルシステム ９１ 模擬ディスク ９１２ ディスクシ
ミュレータ ９２ アプリケーションシステム
データブロック １３ インデックスブロック ２１、７１ セグメント ２２、７２ 補修エ
リア ２２１ 補修記録 ２２１１ 長さフィ
ールド ２２１２ 偏移フィールド ２２１３ 新データ
フィールド ３１ ディスクシミュレータ ３１１ データアク
セス及び補修装置 ３２、９１１ フラッシュメモリ ３３ ファイルシステム ９１ 模擬ディスク ９１２ ディスクシ
ミュレータ ９２ アプリケーションシステム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5B025 AD04 AD05 AE08 5B082 FA11 JA06
Claims (18)
- 【請求項１】 データをフラッシュメモリの一つのデー
タブロックに書き込む時に、書き込むデータと該データ
ブロックに既存のデータの変異がある設定値より小さけ
れば、該変異を一つの補修エリアに記録して該データブ
ロックに書き込まない、データ書き込みプロセスと、 該フラッシュメモリの一つのデータブロックよりデータ
を読み取る時に、該補修エリアより対応する変異の記録
を捜し出して、それを以て読み出したデータを補修す
る、データ読み取りプロセスと、を少なくとも包括す
る、フラッシュメモリの消去回数減少可能なデータアク
セス方法。 - 【請求項２】 前記データアクセス方法において、該デ
ータ書き込みプロセス中に、書き込むデータと該データ
ブロックに既存のデータを比較して少なくとも一つの補
修記録を発生することを特徴とする、請求項１に記載の
フラッシュメモリの消去回数減少可能なデータアクセス
方法。 - 【請求項３】 前記データアクセス方法において、該補
修記録の総長さが一つのスレショルド値より小さく且つ
該補修エリアが十分な空間を有する時、該補修記録を該
補修エリアに書き込むことを以てデータの変異を記録す
ることを特徴とする、請求項２に記載のフラッシュメモ
リの消去回数減少可能なデータアクセス方法。 - 【請求項４】 前記データアクセス方法において、該補
修エリアに十分な空間がない時には周知のフラッシュメ
モリ書き込みプロセスによりデータを該データブロック
に書き込むことを特徴とする、請求項３に記載のフラッ
シュメモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法。 - 【請求項５】 前記データアクセス方法において、該補
修記録の総長さが一つのスレショルド値より大きい時に
は周知のフラッシュメモリ書き込みプロセスによりデー
タを該データブロックに書き込むことを特徴とする、請
求項２に記載のフラッシュメモリの消去回数減少可能な
データアクセス方法。 - 【請求項６】 前記データアクセス方法において、該補
修記録の総長さが０である時には実質的な書き込みを行
わないことを特徴とする、請求項２に記載のフラッシュ
メモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法。 - 【請求項７】 前記データアクセス方法において、該デ
ータ読み取りプロセス中に、補修エリアより対応する補
修記録を捜し出して補修記録により読み出すデータを補
修することを特徴とする、請求項３に記載のフラッシュ
メモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法。 - 【請求項８】 前記データアクセス方法において、セグ
メント回収のプロセスを含み、このプロセスはすでに使
用し且つ廃棄したデータブロックを回収して再使用に供
するプロセスであることを特徴とする、請求項１に記載
のフラッシュメモリの消去回数減少可能なデータアクセ
ス方法。 - 【請求項９】 前記データアクセス方法において、前記
セグメント回収のプロセスが、少なくとも以下のステッ
プ、即ち、 使用のデータブロックをデータ読み取りプロセスにより
読み出し並びに一つのメモリ中に暫時保存するステップ
と、 フラッシュメモリのセグメント内容を消去するステップ
と、 メモリ中に暫時保存したデータブロックを該フラッシュ
メモリのデータブロック中に複製するステップと、を具
えたことを特徴とする、請求項８に記載のフラッシュメ
モリの消去回数減少可能なデータアクセス方法。 - 【請求項１０】 フラッシュメモリのデータアクセス及
び補修装置において、該フラッシュメモリが複数のデー
タブロックを具え、少なくとも一つの各データブロック
に一つの補修エリアが対応設置され、該データアクセス
及び補修装置は少なくとも、データ書き込み制御手段と
データ読み取り制御手段を包括し、該データ書き込み制
御手段において、データをフラッシュメモリの一つのデ
ータブロックに書き込む時に、書き込むデータと該デー
タブロックに既存のデータの変異がある設定値より小さ
ければ、該変異を一つの補修エリアに記録して該データ
ブロックに書き込まず、該データ読み取り制御手段にお
いて、該フラッシュメモリの一つのデータブロックより
データを読み取る時に、該補修エリアより対応する変異
の記録を捜し出して、それを以て読み出したデータを補
修することを特徴とする、フラッシュメモリのデータア
クセス及び補修装置。 - 【請求項１１】 前記フラッシュメモリのデータアクセ
ス及び補修装置において、該データ書き込み制御手段
が、書き込むデータと該データブロックに既存のデータ
を比較して少なくとも一つの補修記録を発生することを
特徴とする、請求項１０に記載のフラッシュメモリのデ
ータアクセス及び補修装置。 - 【請求項１２】 前記フラッシュメモリのデータアクセ
ス及び補修装置において、該補修記録の総長さが一つの
スレショルド値より小さく且つ該補修エリアが十分な空
間を有する時、該補修記録を該補修エリアに書き込むこ
とを以てデータの変異を記録することを特徴とする、請
求項１０に記載のフラッシュメモリのデータアクセス及
び補修装置。 - 【請求項１３】 前記フラッシュメモリのデータアクセ
ス及び補修装置において、該補修エリアに十分な空間が
ない時には該データ書き込み制御手段が周知のフラッシ
ュメモリ書き込みプロセスによりデータを該データブロ
ックに書き込むことを特徴とする、請求項１２に記載の
フラッシュメモリのデータアクセス及び補修装置。 - 【請求項１４】 前記フラッシュメモリのデータアクセ
ス及び補修装置において、該補修記録の総長さが一つの
スレショルド値より大きい時には周知のフラッシュメモ
リ書き込みプロセスによりデータを該データブロックに
書き込むことを特徴とする、請求項１１に記載のフラッ
シュメモリのデータアクセス及び補修装置。 - 【請求項１５】 前記フラッシュメモリのデータアクセ
ス及び補修装置において、該補修記録の総長さが０であ
る時には実質的な書き込みを行わないことを特徴とす
る、請求項１１に記載のフラッシュメモリのデータアク
セス及び補修装置。 - 【請求項１６】 前記フラッシュメモリのデータアクセ
ス及び補修装置において、該データ読み取り制御手段が
補修エリアより対応する補修記録を捜し出して補修記録
により読み出すデータを補修することを特徴とする、請
求項１２に記載のフラッシュメモリのデータアクセス及
び補修装置。 - 【請求項１７】 前記フラッシュメモリのデータアクセ
ス及び補修装置において、すでに使用し且つ廃棄したデ
ータブロックを回収して再使用に供するセグメント回収
制御手段を具えたことを特徴とする、請求項１０に記載
のフラッシュメモリのデータアクセス及び補修装置。 - 【請求項１８】 前記フラッシュメモリのデータアクセ
ス及び補修装置において、前記セグメント回収制御手段
が、使用のデータブロックをデータ読み取り制御手段で
読み出し並びに一つのメモリ中に暫時保存し、フラッシ
ュメモリのセグメント内容を消去し、メモリ中に暫時保
存したデータブロックを該フラッシュメモリのデータブ
ロック中に複製し、こうして廃棄したデータブロックを
回収することを特徴とする、請求項１７に記載のフラッ
シュメモリのデータアクセス及び補修装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000175126A JP2002008379A (ja) | 2000-06-12 | 2000-06-12 | フラッシュメモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法と該方法を使用するデータ補修及びアクセス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000175126A JP2002008379A (ja) | 2000-06-12 | 2000-06-12 | フラッシュメモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法と該方法を使用するデータ補修及びアクセス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002008379A true JP2002008379A (ja) | 2002-01-11 |
Family
ID=18677050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000175126A Pending JP2002008379A (ja) | 2000-06-12 | 2000-06-12 | フラッシュメモリの消去回数減少可能なデータアクセス方法と該方法を使用するデータ補修及びアクセス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002008379A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010218529A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Korea Advanced Inst Of Science & Technol | ページ−ディファレンシャルを使用して、ｄｂｍｓに独立的な方法でフラッシュメモリーにデータを格納する方法 |
| US8190961B1 (en) * | 2006-11-28 | 2012-05-29 | Marvell International Ltd. | System and method for using pilot signals in non-volatile memory devices |
| CN113126885A (zh) * | 2020-01-14 | 2021-07-16 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 数据写入方法、数据读取方法与存储装置 |
Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0784728A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | データ処理システムのバックアップ制御装置及び方法 |
| JPH0816369A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | クラスタリング方法及びシステム |
| JPH08314775A (ja) * | 1995-05-11 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | ファイルメモリ装置 |
| JPH10105036A (ja) * | 1996-09-26 | 1998-04-24 | Nec Corp | 教材データベース装置 |
-
2000
- 2000-06-12 JP JP2000175126A patent/JP2002008379A/ja active Pending
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| US8429488B1 (en) | 2006-11-28 | 2013-04-23 | Marvell International Ltd. | System and method for using pilot signals in non-volatile memory devices |
| US8635507B1 (en) | 2006-11-28 | 2014-01-21 | Marvell International Ltd. | System and method for using pilot signals in non-volatile memory devices |
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| CN113126885A (zh) * | 2020-01-14 | 2021-07-16 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 数据写入方法、数据读取方法与存储装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040330 |