JP2002003463A - Ｎ保護ｎアルキル化アミノ酸の製造法 - Google Patents
Ｎ保護ｎアルキル化アミノ酸の製造法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 N保護Nアルキル化アミノ酸を簡便にしかも高
収率に得る。 【解決手段】式（１）で表わされるN保護アミノ酸をエ
ーテル系溶媒中、アルカリ金属またはアルカリ土類金属
水素化物の存在下、硫酸ジアルキルと反応させる式
（２）で表されるN保護Nアルキル化アミノ酸の製造法。 【化１】 （式中、R1はアルキル基、アリール基およびアラルキル
基から選ばれた基、R2は水素又はアルキル基、アリール
基およびアラルキル基から選ばれた基、R3は水素若しく
はアルキル基、アリール基およびアラルキル基から選ば
れた基であるか又はたんぱく質アミノ酸の側鎖若しくは
その誘導体をそれぞれ意味する。また、ｎは０または１
である。） 【化２】 （式中、R1、R2、R3およびｎは前掲と同じものを意味す
る。R4はアルキル基を意味する。）
収率に得る。 【解決手段】式（１）で表わされるN保護アミノ酸をエ
ーテル系溶媒中、アルカリ金属またはアルカリ土類金属
水素化物の存在下、硫酸ジアルキルと反応させる式
（２）で表されるN保護Nアルキル化アミノ酸の製造法。 【化１】 （式中、R1はアルキル基、アリール基およびアラルキル
基から選ばれた基、R2は水素又はアルキル基、アリール
基およびアラルキル基から選ばれた基、R3は水素若しく
はアルキル基、アリール基およびアラルキル基から選ば
れた基であるか又はたんぱく質アミノ酸の側鎖若しくは
その誘導体をそれぞれ意味する。また、ｎは０または１
である。） 【化２】 （式中、R1、R2、R3およびｎは前掲と同じものを意味す
る。R4はアルキル基を意味する。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は医薬、農薬、生理活
性物質などの光学活性化合物の合成中間体として有用な
N保護Nアルキル化アミノ酸製造法に関する。
性物質などの光学活性化合物の合成中間体として有用な
N保護Nアルキル化アミノ酸製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
の方法として、アミノ酸に存在するカルボン酸をメチル
基またはエチル基で予め保護してカルボン酸エステルと
した状態で、アルキル化剤としてヨウ化アルキルや硫酸
ジアルキルを反応させる方法（Coldmann, I.; Middleto
n, M. L.; Taylor, P. L., J. Chem. Soc., Perkin Tra
ns 1, 1997, 2951., Yokoyama, Y.; Kondo, K.; Mitsuh
ashi, M.; Murakami, Y., Tetrahedron Lett, 1996, 3
7, 9309.）が知られる。しかし、これらの方法は予めカ
ルボン酸部位をエステル化してNアルキル化を行った後
にエステルを切断するという複雑な工程が必要である。
加えて、アルキル化剤としてヨウ化アルキルを用いた場
合には、その取り扱いの困難性が作業上問題となる（国
際公開WO95/32180）。
の方法として、アミノ酸に存在するカルボン酸をメチル
基またはエチル基で予め保護してカルボン酸エステルと
した状態で、アルキル化剤としてヨウ化アルキルや硫酸
ジアルキルを反応させる方法（Coldmann, I.; Middleto
n, M. L.; Taylor, P. L., J. Chem. Soc., Perkin Tra
ns 1, 1997, 2951., Yokoyama, Y.; Kondo, K.; Mitsuh
ashi, M.; Murakami, Y., Tetrahedron Lett, 1996, 3
7, 9309.）が知られる。しかし、これらの方法は予めカ
ルボン酸部位をエステル化してNアルキル化を行った後
にエステルを切断するという複雑な工程が必要である。
加えて、アルキル化剤としてヨウ化アルキルを用いた場
合には、その取り扱いの困難性が作業上問題となる（国
際公開WO95/32180）。
【０００３】また別法として、カルボン酸部位を遊離の
状態で反応を行う方法もあるが、反応後カルボン酸部位
がエステル化され、後処理としての加水分解が必要とな
る（Blaser, D.; Ko, S. Y., J. Org. Chem., 1991, 5
6, 6230., Ramanjulu, J. M.; Joullie, M. M.; Li, W.
-R., Synth. Commun., 1997, 27, 3259.）。
状態で反応を行う方法もあるが、反応後カルボン酸部位
がエステル化され、後処理としての加水分解が必要とな
る（Blaser, D.; Ko, S. Y., J. Org. Chem., 1991, 5
6, 6230., Ramanjulu, J. M.; Joullie, M. M.; Li, W.
-R., Synth. Commun., 1997, 27, 3259.）。
【０００４】ところで、遊離カルボキシル基を有するN
保護Nアルキル化アミノ酸が簡便に合成できるというの
は、とりわけペプチド化学の分野においては非常に重要
である。
保護Nアルキル化アミノ酸が簡便に合成できるというの
は、とりわけペプチド化学の分野においては非常に重要
である。
【０００５】これに対し、塩基としてアルカリ金属ｔ-
ブトキシドを、アルキル化剤としてジメチル硫酸をそれ
ぞれ使用し、かつ、カルボン酸部位を遊離の状態でNア
ルキル化を行う方法が報告されている（WO95/12574）。
しかし、該方法によると試薬を多段回投入するなど煩雑
な操作が必要であるのみならず、使用に供するアルカリ
金属ｔ-ブトキシドが高価である等、大量合成には不向
きである。加えて、反応を収率よく行うためには比較的
多量の水を添加する必要がある。
ブトキシドを、アルキル化剤としてジメチル硫酸をそれ
ぞれ使用し、かつ、カルボン酸部位を遊離の状態でNア
ルキル化を行う方法が報告されている（WO95/12574）。
しかし、該方法によると試薬を多段回投入するなど煩雑
な操作が必要であるのみならず、使用に供するアルカリ
金属ｔ-ブトキシドが高価である等、大量合成には不向
きである。加えて、反応を収率よく行うためには比較的
多量の水を添加する必要がある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
に鑑み、簡便にかつ高収率でN保護Nアルキル化アミノ酸
を得る方法を見出し本発明を完成した。
に鑑み、簡便にかつ高収率でN保護Nアルキル化アミノ酸
を得る方法を見出し本発明を完成した。
【０００７】即ち、本発明は、下記式（１）で表わされ
るN保護アミノ酸を、
るN保護アミノ酸を、
【化３】 （式中、R1はアルキル基、アリール基およびアラルキル
基から選ばれた基、R2は水素又はアルキル基、アリール
基およびアラルキル基から選ばれた基、R3は水素若しく
はアルキル基、アリール基およびアラルキル基から選ば
れた基であるか又はたんぱく質アミノ酸の側鎖若しくは
その誘導体をそれぞれ意味する。また、ｎは０または１
を意味する。） エーテル系溶媒中、アルカリ金属またはアルカリ土類金
属の水素化物の存在下、硫酸ジアルキルとを反応させる
ことを特徴とする、下記式（２）で表されるN保護Nアル
キル化アミノ酸の製造法に関する。
基から選ばれた基、R2は水素又はアルキル基、アリール
基およびアラルキル基から選ばれた基、R3は水素若しく
はアルキル基、アリール基およびアラルキル基から選ば
れた基であるか又はたんぱく質アミノ酸の側鎖若しくは
その誘導体をそれぞれ意味する。また、ｎは０または１
を意味する。） エーテル系溶媒中、アルカリ金属またはアルカリ土類金
属の水素化物の存在下、硫酸ジアルキルとを反応させる
ことを特徴とする、下記式（２）で表されるN保護Nアル
キル化アミノ酸の製造法に関する。
【化４】 （式中、R1、R2、R3およびｎは前掲と同じものを意味す
る。R4はアルキル基を意味する。）
る。R4はアルキル基を意味する。）
【０００８】本発明に用いられるN保護アミノ酸におい
て、R1はアルキル基、アリール基およびアラルキル基か
ら選ばれた基である。ここで、アリール基およびアラル
キル基は置換されたものであってもよい。メチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソ
ブチル、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロプロピ
ル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基がアルキル基として、フェニル基、o-トリル基、
m-トリル基、p-トリル基、o-クロロフェニル基、m-クロ
ロフェニル基、p-クロロフェニル基がアリール基とし
て、ベンジル基、o-メチルベンジル基、m-メチルベンジ
ル基、p-メチルベンジル基がアラルキル基として、それ
ぞれ例示される。特にベンジル基又はtert-ブチル基が
好ましい。
て、R1はアルキル基、アリール基およびアラルキル基か
ら選ばれた基である。ここで、アリール基およびアラル
キル基は置換されたものであってもよい。メチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソ
ブチル、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロプロピ
ル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキ
シル基がアルキル基として、フェニル基、o-トリル基、
m-トリル基、p-トリル基、o-クロロフェニル基、m-クロ
ロフェニル基、p-クロロフェニル基がアリール基とし
て、ベンジル基、o-メチルベンジル基、m-メチルベンジ
ル基、p-メチルベンジル基がアラルキル基として、それ
ぞれ例示される。特にベンジル基又はtert-ブチル基が
好ましい。
【０００９】R2は水素又はアルキル基、アリール基およ
びアラルキル基から選ばれた基である。ここで、アリー
ル基およびアラルキル基は置換されたものであってもよ
い。メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、イソブチル、sec-ブチル基、tert-ブチ
ル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基などがアルキル基として、フ
ェニル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、o-ク
ロロフェニル基、m-クロロフェニル基、p-クロロフェニ
ル基などがアリール基として、ベンジル基、o-メチルベ
ンジル基、m-メチルベンジル基、p-メチルベンジル基な
どがアラルキル基として、それぞれ例示される。
びアラルキル基から選ばれた基である。ここで、アリー
ル基およびアラルキル基は置換されたものであってもよ
い。メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基、イソブチル、sec-ブチル基、tert-ブチ
ル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基などがアルキル基として、フ
ェニル基、o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、o-ク
ロロフェニル基、m-クロロフェニル基、p-クロロフェニ
ル基などがアリール基として、ベンジル基、o-メチルベ
ンジル基、m-メチルベンジル基、p-メチルベンジル基な
どがアラルキル基として、それぞれ例示される。
【００１０】R3は水素又はアルキル基、アリール基およ
びアラルキル基から選ばれた基であるか、或いはたんぱ
く質アミノ酸の側鎖若しくはその誘導体である。アルキ
ル基、アリール基およびアラルキル基は置換されたもの
であってもよい。メチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロブチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メトキシメ
チル基、トリメチルシリルオキシメチル基、tert-ブチ
ルオキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、1-メトキ
シエチル基、1-トリメチルシリルオキシエチル基、1-(t
ert-ブチルオキシ)エチル基、1-ベンジルオキシエチル
基、2-メトキシエチル基、2-トリメチルシリルオキシエ
チル基、2-(tert-ブチルオキシ)エチル基、2-ベンジル
オキシエチル基などがアルキル基として、フェニル基、
o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、o-クロロフェニ
ル基、m-クロロフェニル基、p-クロロフェニル基などが
アリール基として、ベンジル基、o-メチルベンジル基、
m-メチルベンジル基、p-メチルベンジル基、o-メトキシ
ベンジル基、m-メトキシベンジル基、p-メトキシベンジ
ル基、o-(tert-ブチルオキシ)ベンジル基、m-(tert-ブ
チルオキシ)ベンジル基、p-(tert-ブチルオキシ)ベンジ
ル基、o-(トリメチルシリルオキシメチル)ベンジル基、
m-(トリメチルシリルオキシメチル)ベンジル基、p-ト
(トリメチルシリルオキシメチル)ベンジル基、o-(ベン
ジルオキシメチル)ベンジル基、m-(ベンジルオキシメチ
ル)ベンジル基、p-(ベンジルオキシメチル)ベンジル基
などがアラルキル基として、それぞれ例示される。
びアラルキル基から選ばれた基であるか、或いはたんぱ
く質アミノ酸の側鎖若しくはその誘導体である。アルキ
ル基、アリール基およびアラルキル基は置換されたもの
であってもよい。メチル基、エチル基、プロピル基、イ
ソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチ
ル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、シクロブチル
基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メトキシメ
チル基、トリメチルシリルオキシメチル基、tert-ブチ
ルオキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、1-メトキ
シエチル基、1-トリメチルシリルオキシエチル基、1-(t
ert-ブチルオキシ)エチル基、1-ベンジルオキシエチル
基、2-メトキシエチル基、2-トリメチルシリルオキシエ
チル基、2-(tert-ブチルオキシ)エチル基、2-ベンジル
オキシエチル基などがアルキル基として、フェニル基、
o-トリル基、m-トリル基、p-トリル基、o-クロロフェニ
ル基、m-クロロフェニル基、p-クロロフェニル基などが
アリール基として、ベンジル基、o-メチルベンジル基、
m-メチルベンジル基、p-メチルベンジル基、o-メトキシ
ベンジル基、m-メトキシベンジル基、p-メトキシベンジ
ル基、o-(tert-ブチルオキシ)ベンジル基、m-(tert-ブ
チルオキシ)ベンジル基、p-(tert-ブチルオキシ)ベンジ
ル基、o-(トリメチルシリルオキシメチル)ベンジル基、
m-(トリメチルシリルオキシメチル)ベンジル基、p-ト
(トリメチルシリルオキシメチル)ベンジル基、o-(ベン
ジルオキシメチル)ベンジル基、m-(ベンジルオキシメチ
ル)ベンジル基、p-(ベンジルオキシメチル)ベンジル基
などがアラルキル基として、それぞれ例示される。
【００１１】ここで、上述した以外で、メチルチオメチ
ル基、ベンジルチオメチル基、トリチルチオメチル基、
カルボキシメチル基、ベンジルオキシカルボニルメチル
基、tert-ブチルオキシカルボニルメチル基、2-カルボ
キシエチル基、2-(ベンジルオキシカルボニル)エチル
基、2-(tert-ブチルオキシカルボニル)エチル基などが
たんぱく質アミノ酸の側鎖またはその誘導体として、そ
れぞれ例示される。
ル基、ベンジルチオメチル基、トリチルチオメチル基、
カルボキシメチル基、ベンジルオキシカルボニルメチル
基、tert-ブチルオキシカルボニルメチル基、2-カルボ
キシエチル基、2-(ベンジルオキシカルボニル)エチル
基、2-(tert-ブチルオキシカルボニル)エチル基などが
たんぱく質アミノ酸の側鎖またはその誘導体として、そ
れぞれ例示される。
【００１２】また、R4はアルキル基であるが、メチル基
またはエチル基が好ましく、中でもメチル基が最も好ま
しい。
またはエチル基が好ましく、中でもメチル基が最も好ま
しい。
【００１３】本発明おいてはエーテル系溶媒が用いられ
る。ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、t-ブ
チルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシ
メタン、ジエトキシメタン、1,2-ジメトキシエタン、1,
2-ジエトキシエタンが好ましく、更に好ましくは1,2-ジ
メトキシエタンである。
る。ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、t-ブ
チルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジメトキシ
メタン、ジエトキシメタン、1,2-ジメトキシエタン、1,
2-ジエトキシエタンが好ましく、更に好ましくは1,2-ジ
メトキシエタンである。
【００１４】使用するアルカリ金属またはアルカリ土類
金属の水素化物としては、水素化ナトリウム、水素化リ
チウム、水素化カリウム、水素化カルシウム、水素化マ
グネシウム、等を好ましく用いることができるが、水素
化ナトリウムが最も好ましい。これら水素化物の添加量
は原料であるN保護アミノ酸に対し2〜10当量が好まし
く、更に好ましくは2〜5当量である。
金属の水素化物としては、水素化ナトリウム、水素化リ
チウム、水素化カリウム、水素化カルシウム、水素化マ
グネシウム、等を好ましく用いることができるが、水素
化ナトリウムが最も好ましい。これら水素化物の添加量
は原料であるN保護アミノ酸に対し2〜10当量が好まし
く、更に好ましくは2〜5当量である。
【００１５】使用される硫酸ジアルキルは、硫酸ジメチ
ルまたは硫酸ジエチルが良く、特に硫酸ジメチルが好ま
しい。硫酸ジアルキルの量は原料に対して1〜5当量が好
ましく、更に好ましくは1〜3当量である。
ルまたは硫酸ジエチルが良く、特に硫酸ジメチルが好ま
しい。硫酸ジアルキルの量は原料に対して1〜5当量が好
ましく、更に好ましくは1〜3当量である。
【００１６】本発明では、反応系における水の存在は必
ずしも必要ではないが、微量の水を添加することで反応
を促進することができる。添加する水の量は使用する塩
基の0.1〜50mol%が好ましく、更に好ましくは0.1〜20mo
l%であり、最も好ましくは0.1〜10mol%である。水の添
加による反応の促進の機構については必ずしも定かでは
ないが、反応活性種であるジアニオンの溶解度の向上お
よび／または仮にエステルが生成したとしても迅速な加
水分解によるラセミ化の防止などの理由による効果では
ないかと考えられる。
ずしも必要ではないが、微量の水を添加することで反応
を促進することができる。添加する水の量は使用する塩
基の0.1〜50mol%が好ましく、更に好ましくは0.1〜20mo
l%であり、最も好ましくは0.1〜10mol%である。水の添
加による反応の促進の機構については必ずしも定かでは
ないが、反応活性種であるジアニオンの溶解度の向上お
よび／または仮にエステルが生成したとしても迅速な加
水分解によるラセミ化の防止などの理由による効果では
ないかと考えられる。
【００１７】反応温度は-40℃から溶媒の還流温度まで
の間で行うことができるが、好ましくは-10℃〜40℃で
ある。また、本反応は不活性の保護ガス中で行うのが好
ましく、例えばヘリウム、アルゴン、窒素が例示され
る。
の間で行うことができるが、好ましくは-10℃〜40℃で
ある。また、本反応は不活性の保護ガス中で行うのが好
ましく、例えばヘリウム、アルゴン、窒素が例示され
る。
【００１８】本発明における反応は選択性が高いので、
簡便な操作で高い化学純度の目的物を収率よく得ること
ができる。従って、反応によって得られたN保護Nアルキ
ル化アミノ酸は一般的な分離方法、例えば蒸留、再結
晶、カラムクロマトグラフィー等の方法で精製可能であ
る。
簡便な操作で高い化学純度の目的物を収率よく得ること
ができる。従って、反応によって得られたN保護Nアルキ
ル化アミノ酸は一般的な分離方法、例えば蒸留、再結
晶、カラムクロマトグラフィー等の方法で精製可能であ
る。
【００１９】光学活性な原料を使用すれば、顕著なラセ
ミ化は起こらず、光学純度を損なうことなく目的物が合
成できる。
ミ化は起こらず、光学純度を損なうことなく目的物が合
成できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、実施例において、N保護Nア
ルキル化アミノ酸の合成を示すが、本発明はこれら実施
例に限られたものではない。なお、実施例で使用する各
種N保護アミノ酸および目的物であるN保護Nアルキル化
アミノ酸の略号の正式名称を次に示す。 Z-L-Val ：Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−Ｌ−バリン Boc-L-Val：Ｎ−tert-ブチルオキシカルボニル−Ｌ−バ
リン Z-L-Phe：Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−Ｌ−フェニ
ルアラニン Z-N-Me-L-Val：Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−N-メチ
ル−Ｌ−バリン Boc-NMe-L-Val：Ｎ−tert-ブチルオキシカルボニル−N-
メチル−Ｌ−バリン Boc-NMe-L-Phe：Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−N-メ
チル−Ｌ−フェニルアラニン
ルキル化アミノ酸の合成を示すが、本発明はこれら実施
例に限られたものではない。なお、実施例で使用する各
種N保護アミノ酸および目的物であるN保護Nアルキル化
アミノ酸の略号の正式名称を次に示す。 Z-L-Val ：Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−Ｌ−バリン Boc-L-Val：Ｎ−tert-ブチルオキシカルボニル−Ｌ−バ
リン Z-L-Phe：Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−Ｌ−フェニ
ルアラニン Z-N-Me-L-Val：Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−N-メチ
ル−Ｌ−バリン Boc-NMe-L-Val：Ｎ−tert-ブチルオキシカルボニル−N-
メチル−Ｌ−バリン Boc-NMe-L-Phe：Ｎ−ベンジルオキシカルボニル−N-メ
チル−Ｌ−フェニルアラニン
【００２１】
【実施例】実施例１ 60% NaH 10 g(250mmol)を1,2-ジメトキシエタン（DME）
150 mL(水分0.1%wt/v)に懸濁し、氷浴下Z-L-Val 30.0 g
(119mmol) をDME 65 mLに溶解したものを1hかけて滴下
を行った。発泡が無くなった後、内温を20℃に上昇させ
ジメチル硫酸 18.1 g(143mmol)をゆっくり滴下した。滴
下終了とほぼ同時に原料は消失した。メタノール-水を
加え失活させた後トルエンで抽出を行いトルエン層を分
離除去した。水層を塩酸で酸性にしトルエンで抽出を行
った。この有機層を濃縮し残渣にヘキサンを加え固体を
沈殿させ、目的物であるZ-N-Me-L-Val 37 gを得た。収
率85%、 [α]D 24 -85.0 (c 1.0, MeOH)
150 mL(水分0.1%wt/v)に懸濁し、氷浴下Z-L-Val 30.0 g
(119mmol) をDME 65 mLに溶解したものを1hかけて滴下
を行った。発泡が無くなった後、内温を20℃に上昇させ
ジメチル硫酸 18.1 g(143mmol)をゆっくり滴下した。滴
下終了とほぼ同時に原料は消失した。メタノール-水を
加え失活させた後トルエンで抽出を行いトルエン層を分
離除去した。水層を塩酸で酸性にしトルエンで抽出を行
った。この有機層を濃縮し残渣にヘキサンを加え固体を
沈殿させ、目的物であるZ-N-Me-L-Val 37 gを得た。収
率85%、 [α]D 24 -85.0 (c 1.0, MeOH)
【００２２】実施例２ 実施例１においててZ-L-Val 30 g (119mmol) のかわり
にBoc-L-Val25.9 g(119mmol) を用いたところBoc-NMe-L
-Val 22.3 gを得た。収率81%、[α] D 24-49.0 (c1.0, M
eOH) 実施例３ 実施例１においてZ-L-Val 30 g (119mmol) のかわりにZ
-L-Phe35.6 g(119mmol)を用いたところBoc-NMe-L-Phe 3
1.3 gを得た。収率84%、[α] D 24-65.0 (c 1.0,MeOH)
にBoc-L-Val25.9 g(119mmol) を用いたところBoc-NMe-L
-Val 22.3 gを得た。収率81%、[α] D 24-49.0 (c1.0, M
eOH) 実施例３ 実施例１においてZ-L-Val 30 g (119mmol) のかわりにZ
-L-Phe35.6 g(119mmol)を用いたところBoc-NMe-L-Phe 3
1.3 gを得た。収率84%、[α] D 24-65.0 (c 1.0,MeOH)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G069 AA02 AA15 BB19A BB19B BC01A BC02B BC08A CB62 DA08 EA01Y 4H006 AA02 AC52 BA02 BA06 BA29 BB15 BB31 4H039 CA10 CD10
Claims (6)
- 【請求項１】下記式（１）で表わされるN保護アミノ酸
を、 【化１】 （式中、R1はアルキル基、アリール基およびアラルキル
基から選ばれた基、R2は水素又はアルキル基、アリール
基およびアラルキル基から選ばれた基、R3は水素若しく
はアルキル基、アリール基およびアラルキル基から選ば
れた基であるか又はたんぱく質アミノ酸の側鎖若しくは
その誘導体をそれぞれ意味する。また、ｎは０または１
を意味する。） エーテル系溶媒中、アルカリ金属またはアルカリ土類金
属の水素化物の存在下、硫酸ジアルキルとを反応させる
ことを特徴とする、下記式（２）で表されるN保護Nアル
キル化アミノ酸の製造法。 【化２】 （式中、R1、R2、R3およびｎは前掲と同じものを意味す
る。R4はアルキル基を意味する。） - 【請求項２】アルカリ金属またはアルカリ土類金属の水
素化物が水素化ナトリウムであることを特徴とする請求
項１記載の製造法。 - 【請求項３】硫酸ジアルキルが硫酸ジメチルであること
を特徴とする請求項１または２記載の製造法。 - 【請求項４】R1がベンジル基またはtert-ブチル基であ
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の製
造法。 - 【請求項５】エーテル系溶媒が水を含有することを特徴
とする請求項１〜４のいずれかに記載の製造法。 - 【請求項６】エーテル系溶媒が1,2-ジメトキシエタンで
あることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の
製造法。
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