JP2002001954A - インクジェットヘッド - Google Patents
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- JP2002001954A JP2002001954A JP2000189883A JP2000189883A JP2002001954A JP 2002001954 A JP2002001954 A JP 2002001954A JP 2000189883 A JP2000189883 A JP 2000189883A JP 2000189883 A JP2000189883 A JP 2000189883A JP 2002001954 A JP2002001954 A JP 2002001954A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電型インクジェットヘッドにおいて、駆動
電圧やインク摘出量に大きな影響を持つ共通電極の低抵
抗化を実現する。 【構成】 ドライエッチング法によりギャップを形成し
たシリコン支持基板１を形成し（図１（Ａ））、その表
面に熱酸化膜からなる絶縁膜２を形成し、ウェットエッ
チングにより不要な部分の酸化膜２を除去する（図１
（Ｂ））。次に、対向電極３となる電極材料をスパッタ
法により成膜し、フォトリソ／エッチング工程により対
向電極３のパターニングを行ない、次いで絶縁膜４をＣ
ＶＤ法により成膜しフォトリソ／エッチング工程により
パターニングを行なう（図１（Ｃ））。その後、振動板
５、隔壁形成基板６を前記絶縁膜２、対向電極３及び絶
縁膜４が形成された支持基板１と直接接合により貼り合
わせる（図１（Ｄ））。
電圧やインク摘出量に大きな影響を持つ共通電極の低抵
抗化を実現する。 【構成】 ドライエッチング法によりギャップを形成し
たシリコン支持基板１を形成し（図１（Ａ））、その表
面に熱酸化膜からなる絶縁膜２を形成し、ウェットエッ
チングにより不要な部分の酸化膜２を除去する（図１
（Ｂ））。次に、対向電極３となる電極材料をスパッタ
法により成膜し、フォトリソ／エッチング工程により対
向電極３のパターニングを行ない、次いで絶縁膜４をＣ
ＶＤ法により成膜しフォトリソ／エッチング工程により
パターニングを行なう（図１（Ｃ））。その後、振動板
５、隔壁形成基板６を前記絶縁膜２、対向電極３及び絶
縁膜４が形成された支持基板１と直接接合により貼り合
わせる（図１（Ｄ））。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリンタ，コピ
ー，ファクシミリ等に用いられるインクジェット記録装
置のインクジェットヘッドに関し、より詳細には、静電
気力を利用した静電型アクチュエータを有するインクジ
ェットヘッドに関する。
ー，ファクシミリ等に用いられるインクジェット記録装
置のインクジェットヘッドに関し、より詳細には、静電
気力を利用した静電型アクチュエータを有するインクジ
ェットヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】記録液を吐出するノズルに連通する液室
の一部を構成する振動板と、該振動板に対しギャップを
介して個別電極が対向配置された支持基板を有し、前記
振動板を静電気力により変形させ、記録液を前記ノズル
から吐出させ記録媒体に記録を行うインクジェットヘッ
ドにおいて、各ノズルを囲うように配置される振動板と
個別電極とのギャップスペーサの主成分としてポリシリ
コンを用い、ボロン等の不純物をドープし導電性を持た
せ、全ノズルの振動板に対し振動板電位を安定して支持
基板側から供給することが提案されている。
の一部を構成する振動板と、該振動板に対しギャップを
介して個別電極が対向配置された支持基板を有し、前記
振動板を静電気力により変形させ、記録液を前記ノズル
から吐出させ記録媒体に記録を行うインクジェットヘッ
ドにおいて、各ノズルを囲うように配置される振動板と
個別電極とのギャップスペーサの主成分としてポリシリ
コンを用い、ボロン等の不純物をドープし導電性を持た
せ、全ノズルの振動板に対し振動板電位を安定して支持
基板側から供給することが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記提案されている従
来技術では、ノズルの位置依存性を低減するため、導電
性のポリシリコンをギャップスペーサとして用いて振動
板または振動板に取り付けられた共通電極の低抵抗化を
図っているが、その抵抗は支持基板の抵抗が支配的であ
り、低抵抗化に関してはポリシリコン層の必要性は少な
い。
来技術では、ノズルの位置依存性を低減するため、導電
性のポリシリコンをギャップスペーサとして用いて振動
板または振動板に取り付けられた共通電極の低抵抗化を
図っているが、その抵抗は支持基板の抵抗が支配的であ
り、低抵抗化に関してはポリシリコン層の必要性は少な
い。
【０００４】本発明の第１の目的は、静電型インクジェ
ットヘッドにおいて、駆動電圧やインク摘出量に大きな
影響を持つ共通電極の低抵抗化を実現するための構造を
提供することにある。
ットヘッドにおいて、駆動電圧やインク摘出量に大きな
影響を持つ共通電極の低抵抗化を実現するための構造を
提供することにある。
【０００５】また、本発明の第２の目的は、従来の製造
方法に若干の変更を加えることにより製造することがで
きる、信頼度が高く量産に適したインクジェットヘッド
を提供することにある。
方法に若干の変更を加えることにより製造することがで
きる、信頼度が高く量産に適したインクジェットヘッド
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたものであって、その第１の技術手
段は、記録液を吐出するノズルに連通する液室の一部を
構成し共通電極が取り付けられた振動板と、該振動板に
ギャップを介して個別電極が対向配置された支持基板を
有し、前記共通電極と前記個別電極間に駆動電圧を印加
し前記振動板を静電気力により変形させ、記録液を前記
ノズルから吐出させるインクジェットヘッドにおいて、
前記振動板と前記支持基板はシリコンからなり、前記個
別電極は前記支持基板上に形成された絶縁層上に形成さ
れ、前記絶縁層が部分的に取り除かれた部分において前
記共通電極と前記支持基板が電気的に同電位となるよう
に直接接合されていることを特徴とする。
決するためになされたものであって、その第１の技術手
段は、記録液を吐出するノズルに連通する液室の一部を
構成し共通電極が取り付けられた振動板と、該振動板に
ギャップを介して個別電極が対向配置された支持基板を
有し、前記共通電極と前記個別電極間に駆動電圧を印加
し前記振動板を静電気力により変形させ、記録液を前記
ノズルから吐出させるインクジェットヘッドにおいて、
前記振動板と前記支持基板はシリコンからなり、前記個
別電極は前記支持基板上に形成された絶縁層上に形成さ
れ、前記絶縁層が部分的に取り除かれた部分において前
記共通電極と前記支持基板が電気的に同電位となるよう
に直接接合されていることを特徴とする。
【０００７】第２の技術手段は、第１の技術手段のイン
クジェットヘッドにおいて、前記支持基板は主成分がシ
リコンからなり、抵抗率が０.１〜０.０１Ωｃｍである
ことを特徴とする。
クジェットヘッドにおいて、前記支持基板は主成分がシ
リコンからなり、抵抗率が０.１〜０.０１Ωｃｍである
ことを特徴とする。
【０００８】第３の技術手段は、第１の技術手段のイン
クジェットヘッドにおいて、前記支持基板上に形成され
る絶縁層はＬＯＣＯＳ法により部分的に形成された絶縁
層であることを特徴とする。
クジェットヘッドにおいて、前記支持基板上に形成され
る絶縁層はＬＯＣＯＳ法により部分的に形成された絶縁
層であることを特徴とする。
【０００９】第４の技術手段は、第１の技術手段のイン
クジェットヘッドにおいて、前記共通電極と前記支持基
板を導通させる接続孔を有し、該接続孔は埋め込み材料
により埋め込まれることを特徴とする。
クジェットヘッドにおいて、前記共通電極と前記支持基
板を導通させる接続孔を有し、該接続孔は埋め込み材料
により埋め込まれることを特徴とする。
【００１０】第５の技術手段は、第４の技術手段のイン
クジェットヘッドにおいて、前記埋め込み材料は１２０
０℃以上の融点を有する金属材料からなることを特徴と
する。
クジェットヘッドにおいて、前記埋め込み材料は１２０
０℃以上の融点を有する金属材料からなることを特徴と
する。
【００１１】第６の技術手段は、第５の技術手段のイン
クジェットヘッドにおいて、前記金属材料は、Ｗ，Ｔ
ｉ，Ｔａ，Ｍｏまたはその化合物からなることを特徴と
する。
クジェットヘッドにおいて、前記金属材料は、Ｗ，Ｔ
ｉ，Ｔａ，Ｍｏまたはその化合物からなることを特徴と
する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図１
〜図３に示す実施例に基づいて説明する。 （実施例１）図１は、本発明の第１の実施例による静電
型インクジェットヘッド及びその製造工程を示す断面図
である。本発明の静電型インクジェットヘッドの主要部
であるアクチュエータ部分は、図１（Ｄ）に示すような
構成で、従来の静電型インクジェットヘッドと同様に、
支持基板１，絶縁膜２，対向電極３，絶縁膜４，振動板
５、共通電極６等から構成される。振動板５に取り付け
られた共通電極６と対向電極３間（正確には絶縁膜４と
の間）には微小なギャップが形成されていて、共通電極
６と対向電極３間に電圧を加えると、静電気力により振
動板５が対向電極３側に変位し、その後電圧を０に戻し
たときに変位している振動板５がその弾性力によって元
の位置に戻ろうとする力によりインクを噴射させるもの
である。
〜図３に示す実施例に基づいて説明する。 （実施例１）図１は、本発明の第１の実施例による静電
型インクジェットヘッド及びその製造工程を示す断面図
である。本発明の静電型インクジェットヘッドの主要部
であるアクチュエータ部分は、図１（Ｄ）に示すような
構成で、従来の静電型インクジェットヘッドと同様に、
支持基板１，絶縁膜２，対向電極３，絶縁膜４，振動板
５、共通電極６等から構成される。振動板５に取り付け
られた共通電極６と対向電極３間（正確には絶縁膜４と
の間）には微小なギャップが形成されていて、共通電極
６と対向電極３間に電圧を加えると、静電気力により振
動板５が対向電極３側に変位し、その後電圧を０に戻し
たときに変位している振動板５がその弾性力によって元
の位置に戻ろうとする力によりインクを噴射させるもの
である。
【００１３】振動板５に取り付けられた共通電極６と対
向電極３間のギャップは、支持基板１に堀込まれた窪み
の深さと支持基板１と対向電極３を絶縁するために設け
られた絶縁膜２によって作られた間隔と対向電極３の厚
みの差をとった大きさとなる。
向電極３間のギャップは、支持基板１に堀込まれた窪み
の深さと支持基板１と対向電極３を絶縁するために設け
られた絶縁膜２によって作られた間隔と対向電極３の厚
みの差をとった大きさとなる。
【００１４】第１の実施例によるインクジェットヘッド
のアクチュエータでは、駆動電圧の低電圧化と噴射イン
ク滴量の複数段階制御を目的として、片側においてはギ
ャップ端から中心部に行くに従い振動板と対向電極間隔
が徐々に広がるように、残り部分においては振動板と対
向電極が平行となるようなギャップ形状となっている。
のアクチュエータでは、駆動電圧の低電圧化と噴射イン
ク滴量の複数段階制御を目的として、片側においてはギ
ャップ端から中心部に行くに従い振動板と対向電極間隔
が徐々に広がるように、残り部分においては振動板と対
向電極が平行となるようなギャップ形状となっている。
【００１５】対向電極３上の絶縁膜４は共通電極６と対
向電極３の短絡を防ぐものであり、同機能の絶縁膜を共
通電極６側に形成してもよい。また、振動板５と対向電
極３が接触しないような駆動方式で動作させる場合には
省略することも可能である。第１の実施例のギャップ形
状は１例を示したものであり、目的に応じて他のギャッ
プ形状にすることも可能である。
向電極３の短絡を防ぐものであり、同機能の絶縁膜を共
通電極６側に形成してもよい。また、振動板５と対向電
極３が接触しないような駆動方式で動作させる場合には
省略することも可能である。第１の実施例のギャップ形
状は１例を示したものであり、目的に応じて他のギャッ
プ形状にすることも可能である。
【００１６】本発明は、共通電極と支持基板を同電位と
するためのインクジェットヘッドのアクチュエータ部分
の構造に関するものであることから、アクチュエータ部
分以外の他部品の図示は省略したが、従来技術と同様の
インク供給路，流体抵抗，ノズルプレート等の部品を組
み付けることにより、静電型インクジェットヘッドが作
成される。
するためのインクジェットヘッドのアクチュエータ部分
の構造に関するものであることから、アクチュエータ部
分以外の他部品の図示は省略したが、従来技術と同様の
インク供給路，流体抵抗，ノズルプレート等の部品を組
み付けることにより、静電型インクジェットヘッドが作
成される。
【００１７】図１（Ａ）〜（Ｄ）に示す製造工程につい
て説明する。支持基板１となる面方位が（１００）のシ
リコンウエハ上にレジストをスピンコートにより塗布
し、所望のギャップ形状を得るために開口率を変化させ
ることにより透過率に変化を持たせたマスクを用いて露
光・現像を行い、ギャップ形状に対応する大きな傾斜部
を持つレジストパターンを形成する。前記レジストパタ
ーン及び支持基板１をプラズマを用いたドライエッチン
グ法により同時にエッチングを行うことにより、レジス
トの形状が支持基板１に転写される（図１（Ａ））。
て説明する。支持基板１となる面方位が（１００）のシ
リコンウエハ上にレジストをスピンコートにより塗布
し、所望のギャップ形状を得るために開口率を変化させ
ることにより透過率に変化を持たせたマスクを用いて露
光・現像を行い、ギャップ形状に対応する大きな傾斜部
を持つレジストパターンを形成する。前記レジストパタ
ーン及び支持基板１をプラズマを用いたドライエッチン
グ法により同時にエッチングを行うことにより、レジス
トの形状が支持基板１に転写される（図１（Ａ））。
【００１８】その後、支持基板１表面に熱酸化膜からな
る絶縁膜２を形成し、ギャップ形成エリアに対応したレ
ジストパターンを形成し、ウェットエッチングで不要な
酸化膜２、すなわち支持基板１のギャップ部以外の部分
の表面の酸化膜２を除去する（図１（Ｂ））。なお、支
持基板１表面に形成する酸化膜はＣＶＤによって成膜す
ることも可能である。
る絶縁膜２を形成し、ギャップ形成エリアに対応したレ
ジストパターンを形成し、ウェットエッチングで不要な
酸化膜２、すなわち支持基板１のギャップ部以外の部分
の表面の酸化膜２を除去する（図１（Ｂ））。なお、支
持基板１表面に形成する酸化膜はＣＶＤによって成膜す
ることも可能である。
【００１９】洗浄後、対向電極３となる電極材料をスパ
ッタ法により成膜し、フォトリソグラフィ／エッチング
工程により対向電極３のパターニングを行なう。その
後、絶縁膜４をＣＶＤ法により成膜しフォトリソグラフ
ィ／エッチング工程によりパターニングを行なう（図１
（Ｃ））。その後、共通電極６が取り付けられた振動板
５、隔壁形成基板７を絶縁膜２、対向電極３及び絶縁膜
４が形成された支持基板１と直接接合により貼り合わせ
る（図１（Ｄ））。
ッタ法により成膜し、フォトリソグラフィ／エッチング
工程により対向電極３のパターニングを行なう。その
後、絶縁膜４をＣＶＤ法により成膜しフォトリソグラフ
ィ／エッチング工程によりパターニングを行なう（図１
（Ｃ））。その後、共通電極６が取り付けられた振動板
５、隔壁形成基板７を絶縁膜２、対向電極３及び絶縁膜
４が形成された支持基板１と直接接合により貼り合わせ
る（図１（Ｄ））。
【００２０】（実施例２）図２は、本発明の第２の実施
例による静電型インクジェットヘッド及びその製造工程
を示す断面図である。支持基板１１となる面方位が（１
００）のシリコンウエハ上に、半導体製造で一般的に用
いられているＬＯＣＯＳ（Local Oxidation Of Silico
n）酸化膜形成法を用いて、振動ギャップが形成される
所望の位置へＬＯＣＯＳ酸化膜１２を形成する（図２
（Ａ））。その後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Poli
shing）法を用いてＬＯＣＯＳ酸化膜１２により形成さ
れた表面の凹凸を平坦に研磨する（図２（Ｂ））。ＬＯ
ＣＯＳ酸化膜１２が形成された支持基板１１に対して第
１の実施例と同様にギャップを形成し、対向電極１３、
絶縁膜１４を順次形成し、共通電極１６が取り付けられ
た振動板１５、隔壁形成基板１６を接合する（図２
（Ｃ））。
例による静電型インクジェットヘッド及びその製造工程
を示す断面図である。支持基板１１となる面方位が（１
００）のシリコンウエハ上に、半導体製造で一般的に用
いられているＬＯＣＯＳ（Local Oxidation Of Silico
n）酸化膜形成法を用いて、振動ギャップが形成される
所望の位置へＬＯＣＯＳ酸化膜１２を形成する（図２
（Ａ））。その後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Poli
shing）法を用いてＬＯＣＯＳ酸化膜１２により形成さ
れた表面の凹凸を平坦に研磨する（図２（Ｂ））。ＬＯ
ＣＯＳ酸化膜１２が形成された支持基板１１に対して第
１の実施例と同様にギャップを形成し、対向電極１３、
絶縁膜１４を順次形成し、共通電極１６が取り付けられ
た振動板１５、隔壁形成基板１６を接合する（図２
（Ｃ））。
【００２１】（実施例３）図３は、本発明の第３の実施
例によるインクジェットヘッドのアクチュエータ要部を
示す断面図、斜視図、要部平面図である。支持基板２１
となる面方位が（１００）のシリコンウエハ上に絶縁膜
２２として熱酸化膜を形成させる。次に、第１の実施例
に示したのと同様の方法で絶縁膜２２にギャップを形成
し、次いで対向電極２３を形成し、さらに絶縁膜２４を
形成する。振動ギャップの外方にフォトリソグラフィ／
エッチング工程により接続孔２８を開口し、支持基板２
１を露出させる。シリコン部分にのみタングステンを選
択成長させるＷプラグ法により接続孔２８をタングステ
ン等の埋め込み材料で埋め込み、その後ＣＭＰ法を用い
て表面を平坦に研磨し、振動板基板２５を接合する（図
３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ））。
例によるインクジェットヘッドのアクチュエータ要部を
示す断面図、斜視図、要部平面図である。支持基板２１
となる面方位が（１００）のシリコンウエハ上に絶縁膜
２２として熱酸化膜を形成させる。次に、第１の実施例
に示したのと同様の方法で絶縁膜２２にギャップを形成
し、次いで対向電極２３を形成し、さらに絶縁膜２４を
形成する。振動ギャップの外方にフォトリソグラフィ／
エッチング工程により接続孔２８を開口し、支持基板２
１を露出させる。シリコン部分にのみタングステンを選
択成長させるＷプラグ法により接続孔２８をタングステ
ン等の埋め込み材料で埋め込み、その後ＣＭＰ法を用い
て表面を平坦に研磨し、振動板基板２５を接合する（図
３（Ａ）（Ｂ）（Ｃ））。
【００２２】第３の実施例では接続孔２８の開口は、ギ
ャップ形成と別々に行なっているが、フォトリソマスク
の透過率やギャップ間隔、絶縁膜の膜厚を調整すること
で同時に行うこともできる。また、接続孔２８の埋め込
みはＣＶＤによる埋め込みとエッチバックを組み合わせ
ても可能であり、埋め込み材料は導電性の材料であれば
Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏまたはその化合物等の材料でもよ
い。
ャップ形成と別々に行なっているが、フォトリソマスク
の透過率やギャップ間隔、絶縁膜の膜厚を調整すること
で同時に行うこともできる。また、接続孔２８の埋め込
みはＣＶＤによる埋め込みとエッチバックを組み合わせ
ても可能であり、埋め込み材料は導電性の材料であれば
Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏまたはその化合物等の材料でもよ
い。
【００２３】
【発明の効果】請求項１のインクジェットヘッドによれ
ば、振動板と支持基板の電気的導通が可能であるため、
振動板の電気的コンタクトを支持基板からとることがで
き、電気配線の自由度が増し設計が容易となる。
ば、振動板と支持基板の電気的導通が可能であるため、
振動板の電気的コンタクトを支持基板からとることがで
き、電気配線の自由度が増し設計が容易となる。
【００２４】請求項２のインクジェットヘッドによれ
ば、支持基板が低抵抗であるため、振動板電位の位置依
存を大幅に低減することが可能となる。
ば、支持基板が低抵抗であるため、振動板電位の位置依
存を大幅に低減することが可能となる。
【００２５】請求項３のインクジェットヘッドによれ
ば、絶縁層として質の高い熱酸化膜を得ることができる
ため、振動板の駆動に必要な電圧に十分耐えうる構造と
することが可能となる。
ば、絶縁層として質の高い熱酸化膜を得ることができる
ため、振動板の駆動に必要な電圧に十分耐えうる構造と
することが可能となる。
【００２６】請求項４のインクジェットヘッドによれ
ば、従来のインクジェットヘッド製造方法のまま若干の
工程を追加することで振動板と支持基板の電気的導通が
可能となり、信頼性の高いインクジェットヘッドを得る
ことが可能となる。
ば、従来のインクジェットヘッド製造方法のまま若干の
工程を追加することで振動板と支持基板の電気的導通が
可能となり、信頼性の高いインクジェットヘッドを得る
ことが可能となる。
【００２７】請求項５のインクジェットヘッドによれ
ば、振動板と支持基板を金属材料を用いて直接接合する
ことができ、接着剤等が必要なく安定したギャップ精度
が得られる。
ば、振動板と支持基板を金属材料を用いて直接接合する
ことができ、接着剤等が必要なく安定したギャップ精度
が得られる。
【００２８】請求項６のインクジェットヘッドによれ
ば、半導体ＬＳＩ製造で広く用いられている材料を用い
るため、信頼性が高く量産に適したインクジェットヘッ
ドを得ることが可能となる。
ば、半導体ＬＳＩ製造で広く用いられている材料を用い
るため、信頼性が高く量産に適したインクジェットヘッ
ドを得ることが可能となる。
【図１】 本発明の第１の実施例によるインクジェット
ヘッド及びその製造工程を示す断面図である。
ヘッド及びその製造工程を示す断面図である。
【図２】 本発明の第２の実施例によるインクジェット
ヘッド及びその製造工程を示す断面図である。
ヘッド及びその製造工程を示す断面図である。
【図３】 本発明の第３の実施例によるインクジェット
ヘッドを示す断面図、斜視図、要部平面図である。
ヘッドを示す断面図、斜視図、要部平面図である。
１，１１，２１…支持基板、２，１２，２２…絶縁膜、
３，１３，２３…対向電極、４，１４，２４…絶縁膜、
５，１５，２５…振動板、６，１６，２６…共通電極、
７，１７，２７…隔壁形成基板、２８…接続孔、２９…
埋め込み材料。
３，１３，２３…対向電極、４，１４，２４…絶縁膜、
５，１５，２５…振動板、６，１６，２６…共通電極、
７，１７，２７…隔壁形成基板、２８…接続孔、２９…
埋め込み材料。
Claims (6)
- 【請求項１】 記録液を吐出するノズルに連通する液室
の一部を構成し共通電極が取り付けられた振動板と、該
振動板にギャップを介して個別電極が対向配置された支
持基板を有し、前記共通電極と前記個別電極間に駆動電
圧を印加し前記振動板を静電気力により変形させ、記録
液を前記ノズルから吐出させるインクジェットヘッドに
おいて、 前記振動板と前記支持基板はシリコンからなり、前記個
別電極は前記支持基板上に形成された絶縁層上に形成さ
れ、前記絶縁層が部分的に取り除かれた部分において前
記共通電極と前記支持基板が電気的に同電位となるよう
に直接接合されていることを特徴とするインクジェット
ヘッド。 - 【請求項２】 前記支持基板は主成分がシリコンからな
り、抵抗率が０.１〜０.０１Ωｃｍであることを特徴と
する請求項１記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項３】 前記支持基板上に形成される絶縁層はＬ
ＯＣＯＳ法により部分的に形成された絶縁層であること
を特徴とする請求項１記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項４】 前記共通電極と前記支持基板を導通させ
る接続孔を有し、該接続孔は埋め込み材料により埋め込
まれることを特徴とする請求項１記載のインクジェット
ヘッド。 - 【請求項５】 前記埋め込み材料は１２００℃以上の融
点を有する金属材料からなることを特徴とする請求項４
記載のインクジェットヘッド。 - 【請求項６】 前記金属材料は、Ｗ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｍｏ
またはその化合物からなることを特徴とする請求項５記
載のインクジェットヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000189883A JP2002001954A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | インクジェットヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000189883A JP2002001954A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | インクジェットヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002001954A true JP2002001954A (ja) | 2002-01-08 |
Family
ID=18689458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000189883A Pending JP2002001954A (ja) | 2000-06-23 | 2000-06-23 | インクジェットヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002001954A (ja) |
-
2000
- 2000-06-23 JP JP2000189883A patent/JP2002001954A/ja active Pending
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