JP2001517673A - ラセミメタロセン錯体の選択的製造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ブリッジされもしくはされていない、遷移金属錯体を、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属のシクロペンタンジエニル誘導体と反応させ、場合により、さらに芳香族配位子を変換させることによりラセミメタロセン錯体を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【技術分野】

本発明は、下式Ｉ

【０００２】

【化９】 で表わされ、かつ式中の Ｍが、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、
クロム、モリブデン、タングステン、または周期表ＩＩＩ遷移族、ランタニド系
列の元素を意味し、 Ｘが、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ弗素、塩素、臭素、沃素、水
素、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１０個、
アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、−ＯＲ¹⁰ または−ＮＲ¹⁰Ｒ¹¹を意味し、 ｎが、Ｍの原子価から２を減じた数に対応する１から４の整数、 Ｒ¹、Ｒ⁸が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ弗素、塩素、臭素、沃
素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい
３から８員のシクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１ ０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、ア
ルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有す
るアリールアルキル、Ｓｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同じでも異なってもよ く、それぞれＣ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₅ア リールである）を意味し、上記の基は部分的に、もしくは完全にヘテロ原子で置
換されていてもよく、 Ｒ²からＲ⁷が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₂₀ア ルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい３から８員のシ クロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１０個、アリール 基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、アルキル基部分に
１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアリールアル
キル、Ｓｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁ −Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₅アリールである）を
意味し、また隣接するＲ²〜Ｒ⁷は、４から１５個の炭素原子を有する飽和、部分
飽和又は不飽和の環式基を形成してもよく、また上記の基は部分的に、もしくは
完全にヘテロ原子で置換されていてもよく、 上記Ｘ中のＲ¹⁰、Ｒ¹¹が、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル
基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアル
キルアリール、アリールアルキル、フルオロアルキルまたはフルオロアリールで
あり、 Ｙ、Ｙ¹が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ

【０００３】

【化１０】 で表わされ、かつこれら式中の Ｒ¹²が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、ハロゲン、Ｃ₁−Ｃ_{1 0} アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₀フルオロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₀フルオロアリール、Ｃ₆−Ｃ ₁₀ アリール、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルコキシ、Ｃ₂−Ｃ₁₀アルケニル、Ｃ₇−Ｃ₄₀アリール アルキル、Ｃ₈−Ｃ₄₀アリールアルケニル、Ｃ₇−Ｃ₄₀アルキルアリールであるか
、あるいは隣接する両基Ｒ¹²が、これらを結合する原子と共に環を形成し、 上記Ｙ、Ｙ¹を表わす式中のＭ¹が、珪素、ゲルマニウムまたは錫である場合の
基を意味し、 ｍが、０、１、２または３を意味するか、あるいは Ｙが、ブリッジされておらず、２個の基Ｒ′およびＲ″を意味し、 このＲ′、Ｒ″が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、弗素、塩
素、臭素、沃素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っ
ていてもよい３から８員のシクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部 分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキル
アリール、アルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭
素原子を有するアリールアルキル、またはＳｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同 じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル
またはＣ₆−Ｃ₁₅アリールである）を意味するか、あるいは隣接するＲ⁴またはＲ ⁵ と共に、飽和、部分的飽和または不飽和の、炭素原子数４から１５の環式基を 形成し、また上記の基は部分的に、もしくは完全にヘテロ原子で置換されていて
もよい場合の、ブリッジされ、もしくはブリッジされていない芳香族、遷移金属
錯体と、 アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属のシクロペンタジエニル誘導体とを反
応させ、さらに、必要であれば、ブリッジされている芳香族配位子またはブリッ
ジされていない２個の芳香族配位子を転換することを特徴とする、ラセミメタロ
セン錯体の製造方法、下式ＩＩＩ

【０００４】

【化１１】 で表わされ、かつ式中の Ｍが、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、
クロム、モリブデン、タングステン、または周期表ＩＩＩ遷移族、ランタニド系
列の元素を意味し、 Ｘ¹が、

【０００５】

【化１２】 で表わされ、かつこの式中の Ｒ¹、Ｒ⁸が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ弗素、塩素、臭素、沃
素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい
３から８員のシクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１ ０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、ア
ルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有す
るアリールアルキル、Ｓｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同じでも異なってもよ く、それぞれＣ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₅ア リールである）を意味し、上記の基は部分的に、もしくは完全にヘテロ原子で置
換されていてもよく、 Ｒ²からＲ⁷が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₂₀ア ルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい３から８員のシ クロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１０個、アリール 基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、アルキル基部分に
１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアリールアル
キル、Ｓｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁ −Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₅アリールである）を
意味し、また隣接するＲ²〜Ｒ⁷は、４から１５個の炭素原子を有する飽和、部分
飽和又は不飽和の環式基を形成してもよく、また上記の基は部分的に、もしくは
完全にヘテロ原子で置換されていてもよく、 Ｙ、Ｙ¹が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ

【０００６】

【化１３】 で表わされ、かつこれら式中の Ｒ¹²が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、ハロゲン、Ｃ₁−Ｃ_{1 0} アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₀フルオロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₀フルオロアリール、Ｃ₆−Ｃ ₁₀ アリール、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルコキシ、Ｃ₂−Ｃ₁₀アルケニル、Ｃ₇−Ｃ₄₀アリール アルキル、Ｃ₈−Ｃ₄₀アリールアルケニル、Ｃ₇−Ｃ₄₀アルキルアリールであるか
、あるいは隣接する両基Ｒ¹²が、これらを結合する原子と共に環を形成し、 上記Ｙ、Ｙ¹を表わす式中のＭ¹が、珪素、ゲルマニウムまたは錫である場合の
基を意味し、 ｍが、０、１、２または３を意味するか、あるいは Ｙが、ブリッジされておらず、２個の基Ｒ′およびＲ″を意味し、 このＲ′、Ｒ″が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、弗素、塩
素、臭素、沃素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っ
ていてもよい３から８員のシクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部 分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキル
アリール、アルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭
素原子を有するアリールアルキル、またはＳｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同 じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル
またはＣ₆−Ｃ₁₅アリールである）を意味するか、あるいは隣接するＲ⁴またはＲ ⁵ と共に、飽和、部分的飽和または不飽和の、炭素原子数４から１５の環式基を 形成し、また上記の基は部分的に、もしくは完全にヘテロ原子で置換されていて
もよく、 Ｒ¹³からＲ¹⁷が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₂₀ アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい５から７員の シクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはアリールアルキルを意味し、これら の中の隣接する両基が合体して炭素原子数４から１５の環式基を形成してもよく
、あるいは上記各基がさらにＳｉ（Ｒ¹⁸）₃を意味し、 このＲ¹⁸が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、 Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはＣ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルであり、 Ｚが、

【０００７】

【化１４】 で表わされ、この式中の Ｒ¹⁹からＲ²³が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₂₀ アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい５から７員の シクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはアリールアルキルであり、これらの 中の隣接する両基が合体して炭素原子数４から１５の環式基を形成してもよく、
あるいはこれら各基がさらにＳｉ（Ｒ²⁴）₃であり、 このＲ²⁴が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、 Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはＣ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルである場合の基を意味し、あ
るいは Ｒ¹⁶、Ｚが、合体して基−［Ｔ（Ｒ²⁵）（Ｒ²⁶）］_q−Ｅ−を形成し、 このＴが、相互に同じでも異なっていてもよく、それぞれ珪素、ゲルマニウム
、錫または炭素であり、 Ｒ²⁵、Ｒ²⁶が、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル
またはＣ₆−Ｃ₁₅アリールであり、 ｑが、１、２、３または４であり、 Ｅが、

【０００８】

【化１５】 またはＡであり、このＡが−Ｏ−、−Ｓ−、

【０００９】

【化１６】 であり、 このＲ²⁷が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、 Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル、アルキルアリールまたはＳｉ（
Ｒ²⁸）₃であり、 このＲ²⁸が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、 Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル、アルキルアリールである場合の
基を意味することを特徴とするラセミメタロセン錯体、およびこのラセミメタロ
セン錯体ＩＩＩの、オレフィン性不飽和化合物を重合するための触媒または触媒
構成分としての、または立体選択的合成における試薬としてのまたは触媒として
の用途に関する。

【００１０】

【従来技術】

立体特異性オレフィン重合のほかに、エナンチオ選択的有機合成は、元素周期
表ＩＩＩ−ＶＩ遷移族金属のカイラルメタロセン錯体を使用するという興味ある
可能性を次第に増大させつつある。一例として、プロカイラル物質、例えばＪ．
Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１２（１９９０）４９１１−４９１４頁におけるＲ
．ウェイマス、Ｐ．ピノの報文に記載されているようなプロカイラルオレフィン
、ＷＯ９２／９５４５号公報に記載されているようなプロカイラルケトン、イミ
ンおよびオキシムのエナンチオ選択的水素添加が挙げられる。

【００１１】 さらに、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．１０１（１９８９）１３０４−１３０６頁に
おけるＷ．カミンスキーらの報文に記載されているようなエナンチオ選択的オリ
ゴマー化による光学的活性アルケンの製造、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１１
３（１９９１）６２７０−６２７１頁におけるＲ．ウェイマス、Ｇ．コーテスの
報文に記載されているような１，５−ヘキサジエンのエナンチオ選択的環式重合
もその例として挙げ得る。

【００１２】 上述した用途は、一般的に、ラセミ形態の、すなわちメソ形態化合物を含まな
いメタロセン錯体の使用を必要とする。従来技術のメタロセン合成において得ら
れるジアステレオマー混合物、すなわち偏左右異性体混合物（ラセミおよびメソ
形態）の場合、まずメソ形異性を分離しなければならない。メソ形は廃棄せねば
ならないから、ラセミメタロセン錯体の収率は低くならざるを得ない。

【００１３】

【本発明の目的】

そこで、本発明の目的は、実質上メソ形異性体を含まない（ＮＭＲ測定の正確
性を以て含まないと云い得る）ラセミメタロセン錯体を製造する方法を開発する
ことであり、かつ第一にオレフィン重合のための触媒として、またはその組成分
としてそのまま使用されることができ、あるいは変性後、例えば「補助的配位子
」による代替後、オレフィン重合のための触媒として、またはその組成分として
使用されることができ、あるいは立体選択的合成における試薬または触媒として
使用されることができるラセミメタロセン錯体を提供することである。

【００１４】

【発明の構成】

しかるに、上述の目的は、特許請求の範囲において規制されているラセミメタ
ロセン錯体の製造方法、ラセミメタロセン錯体ＩＩＩ、およびそのオレフィン性
不飽和化合を重合するための触媒としての、または触媒における用途または立体
選択的合成における試薬または触媒としての用途により解決されることが本発明
者らにより見出された。

【００１５】 本明細書いおいて、メタロセン錯体に関連して、「メソ形態」ないし「メソ形
」、「ラセマート」なる用語は、「オルガノメタリックス」１１（１９９２）１
８６９−１８７６頁におけるラインゴルトらの報文において定義されており、こ
の分野の技術者に周知である。

【００１６】 また、本発明に関連して「実質上メソ形（異性体）を含まない」と称するのは
、化合物の少なくとも９０％がラセマートの形態で存在することを意味する。

【００１７】

【実施態様】

本発明による、ブリッジされまたはブリッジされていない芳香族、遷移金属錯
体は、下式Ｉ

【００１８】

【化１７】 で表わされ、かつ式中の Ｍが、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、
クロム、モリブデン、タングステン、または周期表ＩＩＩ遷移族、ランタニド系
列の元素を意味し、 Ｘが、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ弗素、塩素、臭素、沃素、水
素、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１０個、
アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、−ＯＲ¹⁰ または−ＮＲ¹⁰Ｒ¹¹を意味し、 ｎが、Ｍの原子価から２を減じた数に対応する１から４の整数、 Ｒ¹、Ｒ⁸が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ弗素、塩素、臭素、沃
素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい
３から８員のシクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１ ０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、ア
ルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有す
るアリールアルキル、Ｓｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同じでも異なってもよ く、それぞれＣ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₅ア リールである）を意味し、上記の基は部分的に、もしくは完全にヘテロ原子で置
換されていてもよく、 Ｒ²からＲ⁷が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₂₀ア ルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい３から８員のシ クロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１０個、アリール 基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、アルキル基部分に
１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアリールアル
キル、Ｓｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁ −Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₅アリールである）を
意味し、また隣接するＲ²〜Ｒ⁷は、４から１５個の炭素原子を有する飽和、部分
飽和又は不飽和の環式基を形成してもよく、また上記の基は部分的に、もしくは
完全にヘテロ原子で置換されていてもよく、 上記Ｘ中のＲ¹⁰、Ｒ¹¹が、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル
基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアル
キルアリール、アリールアルキル、フルオロアルキルまたはフルオロアリールで
あり、 Ｙ、Ｙ¹が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ

【００１９】

【化１８】 で表わされ、かつこれら式中の Ｒ¹²が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、ハロゲン、Ｃ₁−Ｃ_{1 0} アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₀フルオロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₀フルオロアリール、Ｃ₆−Ｃ ₁₀ アリール、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルコキシ、Ｃ₂−Ｃ₁₀アルケニル、Ｃ₇−Ｃ₄₀アリール アルキル、Ｃ₈−Ｃ₄₀アリールアルケニル、Ｃ₇−Ｃ₄₀アルキルアリールであるか
、あるいは隣接する両基Ｒ¹²が、これらを結合する原子と共に環を形成し、 上記Ｙ、Ｙ¹を表わす式中のＭ¹が、珪素、ゲルマニウムまたは錫である場合の
基を意味し、 ｍが、０、１、２または３を意味するか、あるいは Ｙが、ブリッジされておらず、２個の基Ｒ′およびＲ″を意味し、 このＲ′、Ｒ″が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、弗素、塩
素、臭素、沃素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っ
ていてもよい３から８員のシクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部 分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキル
アリール、アルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭
素原子を有するアリールアルキル、またはＳｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同 じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル
またはＣ₆−Ｃ₁₅アリールである）を意味するか、あるいは隣接するＲ⁴またはＲ ⁵ と共に、飽和、部分的飽和または不飽和の、炭素原子数４から１５の環式基を 形成し、また上記の基は部分的に、もしくは完全にヘテロ原子で置換されていて
もよい場合の化合物である。

【００２０】 上記のＭとして好ましいのは、チタン、ジルコニウムおよびハフニウム、こと
にジルコニウムである。

【００２１】 上記のＸとして適当であるのは、弗素、塩素、臭素、沃素、ことに塩素であり
、またメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブ
チル、ｉ−ブチル、ことにｔｅｒｔ−ブチルのようなＣ₁−Ｃ₆アルキルである。
適当なＸとしては、さらにアルコキシド−ＯＲ¹⁰またはアミド−ＮＲ¹⁰Ｒ¹¹が挙
げられる。ただし、このＲ¹⁰、Ｒ¹¹は、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール
、アルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を
有するアルキルアリール、アリールアルキル、フルオロアルキル、フルオロアリ
ールを意味する。このようなＸは、具体的に、例えばメチル、エチル、ｉ−プロ
ピル、ｔｅｒｔ−ブチル、フェニル、ナフチル、ｐ−トリル、ベンジル、トリフ
ルオロメチル、ペンタフルオロフェニルである。

【００２２】 上記のＲ¹およびＲ⁸は、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ、弗素、塩
素、臭素、沃素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、例えば
メチル、エチル、プロピルを持っていてもよい３から８員のシクロアルキルを意
味する。このようなシクロアルキルの例としては、シクロプロピル、シクロペン
チル、ことにシクロヘキシル、ノルボルニルが挙げられる。このＲ¹およびＲ⁸は
、またフェニル、ナフチルのようなＣ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１か ら１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール
、例えばｐ−トリル、アルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から
２０個の炭素原子を有するアリールアルキル、例えばベンジル、ネオフィルを、
さらにはＳｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールである）の ようなトリオルガノシリル、例えばトリメチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチルジメチ
ルシリル、トリフェニルシリルを意味する。上述の各基は、もちろん部分的もし
くは完全にヘテロ原子、例えばＳ−、Ｎ−、Ｏ−またはハロゲン含有構造単位に
より置換されていてもよい。このような置換Ｒ¹、Ｒ⁸の例としては、トリフルオ
ロメチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタフルオロプロピル、ヘプタフルオロイ
ソプロピル、ペンタフルオロフェニルが挙げられる。

【００２３】 Ｒ¹、Ｒ⁸として好ましいのは、大きい容積を占める基、いわゆる嵩高基である
。ただし、これは立体障害をもたらし得ることとは相違する。一般的に、これら
Ｒ¹、Ｒ⁸は、大きい容積を占める有機基または有機珪素基（嵩高基）であるが、
弗素、ことに塩素、臭素、沃素をも意味する。これら有機基、有機珪素基におけ
る炭素原子数は、通常３より小さいことはない。

【００２４】 非芳香族嵩高基として好ましいのは、α−位またはさらに高次位置において分
岐する有機基または有機珪素基である。例えば分岐Ｃ₃−Ｃ₂₀脂肪族、Ｃ₉−Ｃ₂₀ 芳香脂肪族、Ｃ₃−Ｃ₁₀脂環式基、ことにイソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、イ ソブチル、ネオペンチル、２−メチル−２−フェニルプロピル（ネオフィル）、
シクロヘキシル、１−メチルシクロヘキシル、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−
２−イル（２−ノルボニル）、ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−１−イル（１−
ノルボニル）、アダマンチルである。この種の基としては、炭素原子数３から３
０の有機珪素基、例えばトリメチルシリル、トリエチルシリル、トリフェニルシ
リル、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル、トリエチルシリル、ビス（トリメチル
シリル）メチルも挙げられる。

【００２５】 好ましい芳香族嵩高基は、原則としてＣ₂−Ｃ₂₀アリール、例えばフェニル、 １−もしくは２−ナフチル、ことにＣ₁−Ｃ₁₀アルキル置換もしくはＣ₃−Ｃ₁₀シ
クロアルキル置換芳香族基、例えば２，６−ジメチルフェニル、２，６−ジ−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル、メシチルである。Ｒ¹、Ｒ⁸として極めて好ましいのは
ｉ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、トリメチルシリル、シクロヘキシル、ｉ−ブ
チル、トリフルオロメチル、３，５−ジメチルフェニルである。また好ましい置
換パターンにおいて、式ＩのＲ¹、Ｒ⁸に相互に同じ意味を有する。

【００２６】 Ｒ²からＲ⁷は、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ、水素、Ｃ₁−Ｃ₂₀ アルキル、置換基としてメチル、エチル、プロピルのようなＣ₁−Ｃ₁₀アルキル 基を持っていてもよい３から８員のシクロアルキルを意味する。シクロアルキル
の例としては、シクロプロピル、シクロペンチル、ことにシクロヘキシル、ノル
ボニルが挙げられる。Ｒ²からＲ⁷は、またフェニル、ナフチルのようなＣ₆−Ｃ_{1 5} アリール、アルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の 炭素原子を有するアルキルアリール、例えばｐ−トリル、アルキル基部分に１か
ら１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアリールアルキル
、例えばベンジル、ネオフィル、さらにＳｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は相互に同じで も異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルまた
はＣ₆−Ｃ₁₅アリールを意味する）のようなトリオルガノシリル、例えばトリメ チルシリル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルシリル、トリフェニルシリルであってもよ
い。Ｒ²からＲ⁷は、また、その隣接する両基が相結合され、飽和、部分的飽和ま
たは不飽和の、炭素原子４から５個を持つ環式基を形成してもよい。ことにＲ³ とＲ⁴および／またはＲ⁵とＲ⁶が、Ｃ₂−ブリッジを介して相結合され、ベンゾ縮
合環（ナフチル誘導体）を形成するのが好ましい。Ｒ²からＲ⁷も、部分的もしく
は完全に、ヘテロ原子により、例えばＳ−、Ｎ−、Ｏ−またはハロゲン含有構造
単位体により置換されていてもよい。このようにヘテロ原子で置換されているＲ ² からＲ⁷の例としては、トリフルオロメチル、ペンタフルオロメチル、ヘプタフ
ルオロプロピル、ヘプタフルオロイソプロピル、ペンタフルオロフェニルが挙げ
られる。ことに好ましいのは、Ｒ²からＲ⁷が、相互に同じであって、それぞれ水
素を意味し、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶が上述した状態に在る場合である。

【００２７】 適当なブリッジ単位Ｙ、Ｙ¹は、下式で表わされる。

【００２８】

【化１９】 ただし、式中の Ｒ¹²は、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、
Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₀フルオロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₀フルオロアリール 、Ｃ₆−Ｃ₁₀アリール、Ｃ₇−Ｃ₄₀アリールアルキル、Ｃ₈−Ｃ₄₀アリールアルケ ニル、Ｃ₇−Ｃ₄₀アルキルアリールを意味するか、あるいはＲ¹²とＲ¹³またはＲ^{1 2} とＲ¹⁴が、これらを結合する原子と共に環を形成し、 Ｍ¹は、珪素、ゲルマニウムまたは錫を形成する。

【００２９】 好ましいブリッジ単位Ｙ、Ｙ¹は、メチレン−ＣＨ₂−、Ｓ、Ｏ、−Ｃ（ＣＨ₃ ）₂−であって、式Ｉ中のｍは１または２である。ことに好ましいＹ¹は相互に同
じであり、それぞれ−Ｏ−を意味する。極めて好ましいのは、式Ｉ中のｍが零で
あるフェノキシド構造であり、従って芳香族環が直接的に相互に結合され、例え
ばビフェニル誘導体を形成する場合である。

【００３０】 本発明による式Ｉのブリッジされていない芳香族、遷移金属錯体の中で好まし
いのは、式中のＹがＲ′およびＲ″を意味し、これらが相互に同じでも異なって
もよく、それぞれ弗素、塩素、臭素、沃素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基として メチル、エチル、プロピルのようなＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい３ から８員のシクロアルキルを意味する場合の錯体である。このようなシクロアル
キル基の具体例は、シクロプロピル、シクロペンチル、ことにシクロヘキシル、
ノルボルニルである。Ｒ′およびＲ″の意味するところとしては、さらにフェニ
ル、ナフチルのようなＣ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１０個、ア リール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、ことにｐ−
トリル、アルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素
原子を有するアリールアルキル、ことにベンジル、ネオフィル、Ｓｉ（Ｒ⁹）₃（
このＲ⁹は相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃− Ｃ₁₀シクロアルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₅アリールである）のようなトリオルガノシ リル、ことにトリメチルシリル、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル、トリフェニ
ルシリルがある。これらの基は、もちろん完全に、または部分的にヘテロ原子に
より、例えばＳ、Ｎ、Ｏ含有構成要素またはハロゲン原子により置換されていて
もよい。このような置換されたＲ′、Ｒ″の具体例はトリフルオロメチル、ペン
タフルオロエチル、ヘプタフルオロプロピル、ヘプタフルオロイソプロピル、ペ
ンタフルオロフェニル基である。

【００３１】 Ｒ′およびＲ″は、相互に同じであるのが好ましい。極めて好ましい、非ブリ
ッジ芳香族、遷移金属錯体は、式中のＲ¹、Ｒ⁸、Ｒ′、Ｒ″が相互に同じ場合の
錯体である。

【００３２】 ブリッジされ、もしくはされていない芳香族、遷移金属錯体Ｉは、一般的に、
この分野の技術者に周知の方法で製造され得る。

【００３３】 ブリッジされた遷移金属フェノキシド錯体の合成法は、例えばＪ．Ａｍ．Ｃｈ
ｅｍ．Ｓｏｃ．（１９９５）３００８−３０１２頁におけるＣ．Ｊ．シャフェリ
エンの報文中に記載されている。すなわち、一般的に０から８０℃において、好
ましくは当初約２０℃において反応を行ない、次いで還流下に沸騰させることに
より反応を完結させるのが好ましい。ビフェノールを、まず溶媒、例えばテトラ
ヒドロフラン（ＴＨＦ）中において、例えばナトリウムヒドリドまたはｎ−ブチ
ルリチウムを使用して脱プロトン化し、次いで遷移金属化合物、例えば四塩化チ
タン、四塩化ジルコニウム、四塩化ハフニウムのようなハロゲン化物を、好まし
くはビス−ＴＨＦ付加物の形態に付加させる。反応完結後、塩を除去し、晶出に
より生成物を得る。ブリッジされていない遷移金属フェノキシド錯体は、例えば
Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．４７３（１９９４）１０５−１１６頁にお
けるＨ．ヤスダらの報文に記載されているようにして製造される。

【００３４】 本発明による式Ｉのブリッジされ、もしくはされていない芳香族、遷移金属錯
体は、さらに、合成ルートの結果として導入される２から４当量のルイス塩基を
含有する。このようなルイス塩基は、例えばジエチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ）のようなエーテルである。しかしながら、合成の間に、減圧下に
乾燥し、あるいは他の溶媒を選定することにより、ルイス塩基を含まない芳香族
、遷移金属錯体を得ることもできる。このような対策は、当分野の技術者に周知
である。

【００３５】 本発明のラセミメタロセン錯体は、ブリッジ、もしくは非ブリッジ芳香族、遷
移金属錯体は、ブリッジされもしくはブリッジされていない芳香族、遷移金属錯
体Ｉを、アルカリ金属またはアルカリ土類金属のシクロペンタジエニル誘導体と
反応させることにより製造される。使用される芳香族、遷移金属錯体Ｉは、式中
のＭがジルコニウム、Ｒ¹およびＲ⁸が上述した好ましい意味を有する場合の錯体
であるのが好ましい。極めて好ましい芳香族、遷移金属錯体Ｉの具体例は、ジク
ロロビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）ジルコニウム（ＴＨ
Ｆ）₂および前述したジルコニウムフェノキシド化合物である。

【００３６】 適当なアルカリ金属またはアルカリ土類金属のシクロペンタジエニル誘導体は
、原則として、本発明によるブリッジされた芳香族、遷移金属錯体との反応によ
り、選択的に、実質上メソ異性体を含まないラセミメタロセン錯体を形成する誘
導体である。

【００３７】 本発明によるラセミメタロセン錯体はブリッジされていてもよいが、必ずしも
ブリッジされていなくてもよい。一般的に、メタロセン中の非ブリッジシクロペ
ンタジエニル型配位子の、ことに２０から８０℃の温度範囲における対旋光障壁
（これは¹Ｈおよび／または¹³Ｃ−ＮＭＲ分光法により測定され得る）は、その メソ形態への変換を許さず、そのラセミ形態のまま単離させ得る程に高い。これ
を可能ならしめるに必要な対旋光バリヤは、通常、２０ｋＪ／モルより高い。

【００３８】 アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の適当なシクロペンタジエン誘導体は
、下式ＩＩ

【００３９】

【化２０】 で表わされ、式中の Ｍ²が、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを意味 し、 Ｒ¹³からＲ¹⁷が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₂₀ アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい５から７員の シクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはアリールアルキルを意味するが、こ れらの隣接する両者が合体して炭素原子数４から１５の環式基を形成してもよく
、あるいはそれぞれ、さらにＳｉ（Ｒ¹⁸）₃を意味し、このＲ¹⁸が相互に同じで も異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはＣ₃ −Ｃ₁₀シクロアルキルを意味し、 Ｚが、

【００４０】

【化２１】 で表わされ、このＲ¹⁹からＲ²³が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水
素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を有する５から７員
のシクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはアリールアルキルを意味するが、 これらの隣接する両者が合体して炭素原子数４から１５の環式基を形成してもよ
く、あるいはそれぞれ、さらにＳｉ（Ｒ²⁴）₃を意味し、このＲ²⁴が、相互に同 じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたは
Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルを意味するか、あるいは Ｒ¹⁶、Ｚが、合体して基−［Ｔ（Ｒ²⁵）（Ｒ²⁶）］_n−Ｅ−を形成し、このＴ が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ珪素、ジルコニウム、ゲルマニウ
ム、錫または炭素を、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶が、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₃−
Ｃ₁₀シクロアルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₅アリールを、ｎが１、２、３または４を、 Ｅが、

【００４１】

【化２２】 またはＡを、このＡが−Ｏ−、−Ｓ−、

【００４２】

【化２３】 を、このＲ²⁷が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル 、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル、アルキルアリールまたはＳｉ
（Ｒ²⁸）₃を、このＲ²⁸が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀ アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルまたはアルキルアリー
ルを意味し、 ｐが、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａに対しては１を、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ
、Ｃｓに対しては２を意味する場合の化合物である。

【００４３】 好ましい化合物ＩＩは、式中のＭ²がリチウム、ナトリウム、ことにマグネシ ウムを意味する場合の化合物であり、ことに好ましい化合物ＩＩａは、下式ＩＩ
ａ

【００４４】

【化２４】 で表わされ、かつ式中のＭ²が、マグネシウムを、Ｒ¹⁷、Ｒ²³が、水素以外の置 換基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｓｅ
ｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｉ−ブチル、ヘキシルのようなＣ₁−Ｃ₁₀アル キル、さらには、Ｃ₆−Ｃ₁₀アリール、例えばフェニル、トリメチルシリルのよ うなトリアルキルシリルを、Ｔ（Ｒ²⁵、Ｒ²⁶）がビス−Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキルシリ ル、ビス−Ｃ₆−Ｃ₁₀アリールシリル、例えばジメチルシリル、ジフェニルシリ ル、さらには１，２−エタンジイル、メチレンを、Ｒ¹³からＲ¹⁵およびＲ¹⁹から
Ｒ²⁵が前述した基をそれぞれ意味し、あるいはことにインデニル型環式基または
ベンズインデニル型環式基を形成する場合の化合物である。

【００４５】 なかんずく、極めて好ましい化合物ＩＩは、例えば、 ジメチルシランジイルビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルシクロペンタ
ジエニル）マグネシウム、 ジエチルシランジイルビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルシクロペンタ
ジエニル）マグネシウム、 ジメチルシランジイルビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−エチルシクロペンタ
ジエニル）マグネシウム、 ジメチルシランジイルビス（３−ｔｅｒｔ−ペンチル−５−メチルシクロペン
タジエニル）マグネシウム、 ジメチルシランジイルビス（２，４，７−トリメチルインデニル）マグネシウ
ム、 １，２−エタンジイルビス｛１−（２，４，７−トリメチルインデニル）｝マ
グネシウム、 ジメチルシランジイルビス（１−インデニル）マグネシウム、 ジメチルシランジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロ−１−インデニル
）マグネシウム、 ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）マグネシウム、 フェニル（メチル）シランジイルビス（２−メチルインデニル）マグネシウム
、 ジフェニルシランジイルビス（２−メチルインデニル）マグネシウム、 ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロ−１
−インデニル）マグネシウム、 ジメチルシランジイルビス（２，４−ジメチル−６−イソプロピルインデニル
）マグネシウム、 ジメチルシランジイルビス（２−メチル−１−ベンズインデニル）マグネシウ
ム、 ジメチルシランジイルビス（２−エチル−１−ベンズインデニル）マグネシウ
ム、 ジメチルシランジイルビス（２−プロピル−１−ベンズインデニル）マグネシ
ウム、 ジメチルシランジイルビス（２−フェニル−１−ベンズインデニル）マグネシ
ウム、 ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−１−ベンズインデニル）マグネシ
ウム、 ジフェニルシランジイルビス（２−エチル−１−ベンズインデニル）マグネシ
ウム、 ジメチルシランジイルビス（２−メチル−１−テトラヒドロベンズインデニル
）マグネシウム、 ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−イソプロピル−１−インデニル
）マグネシウム、 ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−フェニル−１−インデニル）マ
グネシウム、 ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−ナフチル−１−インデニル）マ
グネシウム、 ジメチルシランジイルビス｛２−メチル−４−（３，５−トリフルオロメチル
）フェニル−１−インデニル｝マグネシウム、 ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４−イソプロピル−１−インデニル
）マグネシウム、 ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４−フェニル−１−インデニル）マ
グネシウム、 ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４−ナフチル−１−インデニル）マ
グネシウム、 ジメチルシランジイルビス｛２−エチル−４−（３，５−トリフルオロメチル
）フェニル−１−インデニル｝マグネシウム、 エタンジイルビス（２−メチル−４−フェニル−１−インデニル）マグネシウ
ム、 エタンジイルビス（２−メチル−４−ナフチル−１−インデニル）マグネシウ
ム、 エタンジイルビス（２−メチル−４−｛３，５−ジ−（トリフルオロメチル）
｝フェニル−１−インデニル）マグネシウムである。

【００４６】 上述したようなアルカリ金属またはアルカリ土類金属の化合物ＩＩは、文献記
載の方法、例えばアルカリもしくはアルカリ土類金属の有機化合物またはヒドリ
ドと、対応するシクロペンタジエニル炭化水素との化学量論的反応により得られ
る。

【００４７】 ブリッジもしくは非ブリッジ芳香族、遷移金属錯体Ｉと、アルカリもしくはア
ルカリ土類金属のシクロペンタジエニル誘導体、ことに式ＩＩまたはＩＩａとの
反応は、通常、有機の溶媒もしくは分散媒体中、ことにジエチルエーテル、ＴＨ
Ｆのようなエーテル中において、−７８から１００℃、ことに０から６０℃の温
度で行なわれる。芳香族、遷移金属錯体Ｉの、アルカリもしくはアルカリ土類金
属のシクロペンタジエニル誘導体に対するモル割合は、一般的に０．８：１から
１：１．２、ことに１：１である。

【００４８】 本発明のラセミメタロセン錯体として好ましいのは、下式ＩＩＩ

【００４９】

【化２５】 で表わされ、かつ式中の Ｍが、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、
クロム、モリブデン、タングステン、または周期表ＩＩＩ遷移族、ランタニド系
列の元素を意味し、 Ｘ¹が、

【００５０】

【化２６】 で表わされ、かつこの式中の Ｒ¹、Ｒ⁸が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ弗素、塩素、臭素、沃
素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい
３から８員のシクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１ ０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、ア
ルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有す
るアリールアルキル、Ｓｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同じでも異なってもよ く、それぞれＣ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₅ア リールである）を意味し、上記の基は部分的に、もしくは完全にヘテロ原子で置
換されていてもよく、 Ｒ²からＲ⁷が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₂₀ア ルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい３から８員のシ クロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１０個、アリール 基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、アルキル基部分に
１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアリールアル
キル、Ｓｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁ −Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₅アリールである）を
意味し、また隣接するＲ²〜Ｒ⁷は、４から１５個の炭素原子を有する飽和、部分
飽和又は不飽和の環式基を形成してもよく、また上記の基は部分的に、もしくは
完全にヘテロ原子で置換されていてもよく、 Ｙ、Ｙ¹が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ

【００５１】

【化２７】 で表わされ、かつこれら式中の Ｒ¹²が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、ハロゲン、Ｃ₁−Ｃ_{1 0} アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₀フルオロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₀フルオロアリール、Ｃ₆−Ｃ ₁₀ アリール、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルコキシ、Ｃ₂−Ｃ₁₀アルケニル、Ｃ₇−Ｃ₄₀アリール アルキル、Ｃ₈−Ｃ₄₀アリールアルケニル、Ｃ₇−Ｃ₄₀アルキルアリールであるか
、あるいは隣接する両基Ｒ¹²が、これらを結合する原子と共に環を形成し、 上記Ｙ、Ｙ¹を表わす式中のＭ¹が、珪素、ゲルマニウムまたは錫である場合の
基を意味し、 ｍが、０、１、２または３を意味するか、あるいは Ｙが、ブリッジされておらず、２個の基Ｒ′およびＲ″を意味し、 このＲ′、Ｒ″が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、弗素、塩
素、臭素、沃素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っ
ていてもよい３から８員のシクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部 分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキル
アリール、アルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭
素原子を有するアリールアルキル、またはＳｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同 じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル
またはＣ₆−Ｃ₁₅アリールである）を意味するか、あるいは隣接するＲ⁴またはＲ ⁵ と共に、飽和、部分的飽和または不飽和の、炭素原子数４から１５の環式基を 形成し、また上記の基は部分的に、もしくは完全にヘテロ原子で置換されていて
もよく、 Ｒ¹³からＲ¹⁷が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₂₀ アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい５から７員の シクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはアリールアルキルを意味し、これら の中の隣接する両基が合体して炭素原子数４から１５の環式基を形成してもよく
、あるいは上記各基がさらにＳｉ（Ｒ¹⁸）₃を意味し、 このＲ¹⁸が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、 Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはＣ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルであり、 Ｚが、

【００５２】

【化２８】 で表わされ、この式中の Ｒ¹⁹からＲ²³が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₂₀ アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい５から７員の シクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはアリールアルキルであり、これらの 中の隣接する両基が合体して炭素原子数４から１５の環式基を形成してもよく、
あるいはこれら各基がさらにＳｉ（Ｒ²⁴）₃であり、 このＲ²⁴が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、 Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはＣ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルである場合の基を意味し、あ
るいは Ｒ¹⁶、Ｚが、合体して基−［Ｔ（Ｒ²⁵）（Ｒ²⁶）］_q−Ｅ−を形成し、 このＴが、相互に同じでも異なっていてもよく、それぞれ珪素、ゲルマニウム
、錫または炭素であり、 Ｒ²⁵、Ｒ²⁶が、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル
またはＣ₆−Ｃ₁₅アリールであり、 ｑが、１、２、３または４であり、 Ｅが、

【００５３】

【化２９】 またはＡであり、このＡが−Ｏ−、−Ｓ−、

【００５４】

【化３０】 であり、 このＲ²⁷が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、 Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル、アルキルアリールまたはＳｉ（
Ｒ²⁸）₃であり、 このＲ²⁸が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、 Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル、アルキルアリールである場合の
基を意味することを特徴とするラセミメタロセン錯体である。

【００５５】 式ＩＩＩの化合物として好ましいのは、式中のＭがチタン、ハフニウム、こと
にジルコニウムを意味する場合である。ことに好ましいのは、式ＩＩＩ中におい
て、Ｒ¹⁷およびＲ²³が、水素ではなく、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル、例えばメチル、エ チル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−
ブチル、ｉ−ブチル、ヘキシル、さらにフェニルのようなＣ₆−Ｃ₁₀アリール、 トリメチルシリルのようなトリアルキルシリルを意味し、Ｔ（Ｒ²⁵、Ｒ²⁶）が、
ジメチルシリル、ジフェニルシリルのようなビス−Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキルシリル、 ビス−Ｃ₆−Ｃ₁₀アリールシリル、さらには１，２−エタンジイル、メチレンを 意味し、Ｒ¹³からＲ¹⁵およびＲ¹⁹からＲ²⁵が上述した意味を有し、ことにインデ
ニル型環基またはベンズインデニル型環基を形成する場合のブリッジされた化合
物ＩＩＩ（ａｎｓａ−メタロセン）である。

【００５６】 極めて好ましい化合物ＩＩＩの具体例は以下の化合物である。

【００５７】 ジメチルシランジイルビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルシクロペンタ
ジエニル）［ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニ
ウム、 ジエチルシランジイルビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルシクロペンタ
ジエニル）［ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニ
ウム、 ジメチルシランジイルビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−エチルシクロペンタ
ジエニル）［ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニ
ウム、 ジメチルシランジイルビス（３−ｔｅｒｔ−ペンチル−５−メチルシクロペン
タジエニル）［ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコ
ニウム、 ジメチルシランジイルビス（２，４，７−トリメチルインデニル）［ビス（６
−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 １，２−エタンジイルビス（１−｛２，４，７−トリメチルインデニル）｝［
ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（１−インデニル）［ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル
−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（４，５，６，７−テトラヒドロ−１−インデニル
）［ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（２−メチルインデニル）［ビス（６−ｔｅｒｔ−
ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 フェニル（メチル）シランジイルビス（２−メチルインデニル）［ビス（６−
ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジフェニルシランジイルビス（２−メチルインデニル）［ビス（６−ｔｅｒｔ
−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４，５，６，７−テトラヒドロ−１
−インデニル）［ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジル
コニウム、 ジメチルシランジイルビス（２，４−ジメチル−６−イソプロピルインデニル
）［ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（２−メチル−１−ベンズインデニル）［ビス（６
−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（２−エチル−１−ベンズインデニル）［ビス（６
−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（２−プロピル−１−ベンズインデニル）［ビス（
６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（２−フェニル−１−ベンズインデニル）［ビス（
６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジフェニルシランジイルビス（２−メチル−１−ベンズインデニル）［ビス（
６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 フェニルメチルシランジイルビス（２−メチル−１−ベンズインデニル）［ビ
ス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 エタンジイルビス（２−メチル−１−ベンズインデニル）［ビス（６−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（２−メチル−１−テトラヒドロベンズインデニル
）［ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−イソプロピル−１−インデニル
）［ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−フェニル−１−インデニル）［
ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（２−メチル−４−ナフチル−１−インデニル）［
ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス｛２−メチル−４−（３，５−トリフルオロメチル
）フェニル−１−インデニル｝［ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェ
ノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４−イソプロピル−１−インデニル
）［ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４−フェニル−１−インデニル）［
ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス（２−エチル−４−ナフチル−１−インデニル）［
ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 ジメチルシランジイルビス｛２−エチル−４−（３，５−トリフルオロメチル
）フェニル−１−インデニル｝［ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェ
ノキシ）］ジルコニウム、 エタンジイルビス（２−メチル−４−フェニル−１−インデニル）［ビス（６
−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 エタンジイルビス（２−メチル−４−ナフチル−１−インデニル）［ビス（６
−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）］ジルコニウム、 エタンジイルビス（２−メチル−４−｛３，５−ジ−（トリフルオロメチル）
｝フェニル−１−インデニル）ジルコニウム。

【００５８】 ラセミメタロセン錯体、ことに式ＩＩＩの錯体は、一般的にさらに変性され得
る。

【００５９】 ことにブリッジされている錯体ＩＩＩ中のビスフェノキシド配位子は、例えば
分裂させる（旧に復する）ことにより再使用され得る。適当な復旧方法は、ラセ
ミメタロセン錯体、ことに式ＩＩＩの錯体を、ブレンステッド酸、例えばＨＦ、
ＨＢｒ、ＨＩ、ことにＨＣｌのようなハロゲン化水素（そのまま、あるいは水溶
液、ジエチルエーテル、ＴＨＦのような有機溶媒溶液）と反応させることである
。これにより、式ＩＩＩの化合物（Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）またはビスフェノ
ールに類似するジハロゲン化物が形成される。他の適当な復旧方法は、ラセミメ
タロセン錯体、ことに式ＩＩＩの錯体を、有機アルミニウム化合物、例えばトリ
メチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリ−ｎ−ブチルアルミニウム
またはトリ−イソブチルアルミニウムのようなトリ−Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキルアルミ ニウム化合物との反応である。現在の認識によれば、この反応により、式ＩＩＩ
（Ｘ＝有機基、例えばメチル、エチル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチルのようなＣ₁− Ｃ₁₀アルキル）の化合物に類する有機化合物、例えば有機アルミニウムビナフト
キシドがもたらされる。錯体ＩＩＩ中の配位子Ｘ¹がブリッジされていない２個 のフェノキシド配位子から成る場合にも同様の方法が使用される。

【００６０】 このような裂開分解反応において、両構成分は、化学量論的量割合で使用され
る。

【００６１】 メタロセン錯体の立体化学は、一般的にこの裂開分解反応の間維持され、メタ
ロセン錯体のセラミ形態からメソ形態への転化は通常、生起しない。

【００６２】 本発明方法は、ラセミ形態のメタロセン錯体を、極めて選択的に製造すること
を可能とする。ブリッジ単位の近傍（二個所）において水素とは異なる配位子を
有する、ブリッジされたインデニルもしくはベンズインデニル型のメタロセンが
、特に有利に得られる。

【００６３】 本発明によるラセミメタロセン錯体、ことに式ＩＩＩの錯体、またはフェノキ
シド配位子の転換により得られる上述の誘導体は、オレフィン性不飽和化合物、
例えばエチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、１−オクテンまたは
スチレンを重合させるための触媒として、またはその組成分として使用され得る
。その用途は、ことにプロカイラリティを有するオレフィン性不飽和化合物、例
えばプロピレン、スチレンの選択的重合に有利に使用され得る。本発明のラセミ
メタロセン錯体が、「メタロセン組成分」として機能し得る触媒ないし触媒組成
物は、例えばＥＰ−Ａ７００９３５号公報７頁、１３行から８頁、２１行までに
記載されており、式（ＩＶ）および（Ｖ）で表わされるような、メタロセニウム
イオン形成可能の化合物により一般的に得られる。メタロセニウムイオンを形成
し得る、さらに他の化合物は、アルミノキサン（ＲＡｌＯ）_n、例えばメチルア ルミノキサンである。

【００６４】 本発明によるラセミメタロセン錯体、ことに式ＩＩＩで表わされる錯体または
フェノキシド配位子の裂開により得られる錯体は、また、立体選択性の、ことに
有機合成の試薬として、または触媒もしくは触媒組成分としても使用され得る。
その用途としては、例えばＣ＝Ｃ二重結合またはＣ＝ＯもしくはＣ＝Ｎ二重結合
の立体選択性還元または立体選択性アルキル化が挙げられる。

【００６５】

【実施例】

略号、頭文字語 Ｍｅ＝メチル、ｔＢｕ＝ｔｅｒｔ−ブチル、ｉＰｒ＝イソプロピル

【００６６】

【化３１】

【化３２】

【化３３】

【化３４】

【化３５】

【化３６】

【化３７】

【化３８】

【化３９】

【００６７】 実施例Ａ ジクロロビス（６−ｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）ジルコニウム−（Ｔ ＨＦ）₂［ｐ−Ｍｅ−ｂｐＺｒＣｌ₂（ＴＨＦ）₂］の製造 ０．４８３ｇ（０．０２モル）のＮａＨを、室温において、撹拌しながら、１
５０ｍｌのＴＨＦ中、３．２７ｇ（０．０１モル）の２，２′−ジヒドロキシ−
３，３′−ジ−ｔ−ブチル−５，５′−ジメチルビフェニルの溶液に少しづつ添
加し、次いで、この混合物を室温において１時間撹拌し、生成懸濁液を２４時間
還流加熱した。冷却後、この透明な淡橙色溶液に、撹拌しながら、３．８ｇ（０
．０１モル）のＺｒＣｌ₄Ｘ２ＴＨＦを少しづつ添加し、生成懸濁液を再び２４ 時間還流加熱した。形成されるＮａＣｌを濾別した。溶媒を減圧下に蒸散除去し
、短時間後に、当初透明であった溶液から白色固体が析出沈殿した。晶出を完全
ならしめるため、溶液を−３０℃まで冷却し、沈殿物を濾別し、これをわずかに
冷却したエーテルで洗浄した。これにより４．５９ｇ（理論量の７３％）のジク
ロロビス（６−ｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）ジルコニウム×２ＴＨＦが
得られた。

【００６８】 ¹Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ₆Ｄ₆、２５０ＭＨｚ）、７．２６（ｄ、２Ｈ、Ｃ₆Ｈ₂）、７ ．０４（ｄ、２Ｈ、Ｃ₆Ｈ₂）、４．０６（ｂ、８Ｈ、ＴＨＦ）、２．２１（ｓ、
６Ｈ、Ｍｅ）、１．７４（ｓ、１８Ｈ、ｔ−Ｂｕ）、１．０５（ｂ、８Ｈ、ＴＨ
Ｆ）

【００６９】 実施例１ ラセミ−Ｃ₂Ｈ₄（ｉｎｄ₂Ｚｒ（ｐ−Ｍｅ−ｂｐ）の製造 （ａ）Ｃ₂Ｈ₄（ｉｎｄ）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂の製造 ヘプタン（６．３ミリモル）中、６．３ｍｌのジブチルマグネシウム（Ｂｕ₂ Ｍｇの１Ｍ溶液）を、室温において、１５０ｍｌのヘプタン中、１．４９ｇ（５
．７７ミリモル）のＣ₂Ｈ₄（ｉｎｄＨ）₂溶液に添加した。この溶液を５時間還 流加熱し、帯黄色沈殿物が得られた。この懸濁液を−３０℃に冷却し、沈殿物を
濾別し、少量のヘプタンで洗浄し、減圧下に乾燥した。この粗生成物を少量のヘ
プタン中に投入し、ヘプタンで被覆した。Ｃ₂Ｈ₄（ｉｎｄ）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂を
淡紫色針状結晶として得た。収率は１．８６ｇ（理論量の７６％）であった。

【００７０】 （ｂ）錯体化 ０．４５９ｇ（１．０８ミリモル）のＣ₂Ｈ₄（ｉｎｄ）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂およ
び０．６７９ｇ（１．０８ミリモル）のｐ−Ｍｅ−ｂｐＺｒＣｌ₂（ＴＨＦ）₂を
、乾燥状態で混合し、撹拌しながら５０ｍｌのトルエンを添加し、生成懸濁液を
室温で２日間撹拌した。この間に、溶液は次第に黄橙色化し、粘稠化した。沈殿
物を濾別し、濾液から減圧下に溶媒を除去し、残渣を１００ｍｌのトルエン中に
投入した。わずかに粘稠の溶液を、珪藻土を経て濾過し、ペンタンを減圧下に除
去した。これにより０．４９５ｇ（理論量の６８％）のｒａｃ−Ｃ₂Ｈ₄（ｉｎｄ
）₂Ｚｒ（ｐ−Ｍｅ−ｂｐ）が得られた。

【００７１】 ¹Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ₆Ｄ₆、２５０ＭＨｚ）、７．４０（ｄ、２Ｈ、ｉｎｄ−Ｃ₆Ｈ ₄ ）、７．２１（ｄ、２Ｈ、Ｃ₆Ｈ₂）、６．９（ｍ、６Ｈ、ｉｎｄ−Ｃ₆Ｈ₄）、 ６．７７（ｄ、２Ｈ、Ｃ₆Ｈ₂）、６．００（ｄ、２Ｈ、ｉｎｄ−Ｃ₃Ｈ₂）、５．
７６（ｄ、２Ｈ、ｉｎｄ−Ｃ₆Ｈ₂）、３．２９（ｍ、４Ｈ、Ｃ₂Ｈ₄）、２．１８
（ｓ、６Ｈ、Ｍｅ）、１．３６（ｓ、１８Ｈ、ｔ−Ｂｕ）

【００７２】 実施例２ ｒａｃ−Ｍｅ₂Ｓｉ（２−Ｍｅ−テトラヒドロベンゾ［ｅ］インデン−３−イ ル）₂−Ｚｒ（ｐ−Ｍｅ−ｂｐ）の製造 （ａ）Ｍｅ₂Ｓｉ（２−Ｍｅ−テトラヒドロベンゾ［ｅ］インデン−３−イル ）₂−Ｍｇ（ＴＨＦ）₂の製造 ヘプタン中、２．５ｍｌ（２．５ミリモル）の１Ｍジブチルマグネシウム溶液
を、ヘプタン１００ｍｌ中、１ｇ（２．３５ミリモル）のｒａｃ−Ｍｅ₂Ｓｉ（ ２−Ｍｅ−テトラヒドロベンゾ［ｅ］インデン−３−イル）₂Ｍｇの溶液に添加 した。この溶液を６時間還流加熱し、室温に冷却後、これに０．４ｍｌのＴＨＦ
を添加した。室温で数日間静置した後、Ｍｅ₂Ｓｉ（２−Ｍｅ−テトラヒドロベ ンゾ［ｅ］インデン−３−イル）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂・０．５（Ｃ₇Ｈ₁₆）の黄緑 色針状結晶を傾しゃにより単離し、少量のヘプタンで洗浄し、減圧下に乾燥した
。これにより表記の目的生成物０．５７ｇ（理論量の３８％）が得られた。

【００７３】 ¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＨ₂Ｃｌ₂、６００ＭＨｚ）、７．５３（ｄ、２Ｈ、Ｃ₆Ｈ₂） 、６．５５（ｄ、２Ｈ、Ｃ₆Ｈ₂）、６．２８（ｓ、２Ｈ、Ｃ₅Ｈ₁）、３．２−２
．４（ｍ）、２．２−１．５（ｍ）、０．６５（ｄ、６Ｈ、Ｍｅ₂Ｓｉ） （ｂ）ｒａｃ−Ｍｅ₂Ｓｉ（２−Ｍｅ−テトラヒドロベンゾ［ｅ］インデン− ３−イル）₂−Ｚｒ（ｐ−Ｍｅ−ｂｐ）の製造 ヘプタン中、１１．２１ｍｌ（１２．２０ミリモル）の１．０８Ｍ溶液を、ヘ
プタン６０ｍｌ中、２．２８ｇ（１２．１０ミリモル）のＭｅ₂Ｓｉ（ＣｐＨ）₂ 溶液に添加した。撹拌しながら、これに６０ｍｌのトルエンを添加し、生成懸濁
液を室温で２日間撹拌した。この間に溶液は黄色化し、粘稠化した。沈殿物を濾
別し、トルエンをこの濾液から減圧下に除去し、この残渣を１００ｍｌのペンタ
ンに投入した。わずかに粘稠の溶液を濾過し、減圧下にペンタンを除去して、０
．４９８ｇ（理論量の７０％）のｒａｃ−Ｍｅ₂Ｓｉ（２−Ｍｅ−テトラヒドロ ベンゾ［ｅ］インデン−３−イル）₂−Ｚｒ（ｐ−Ｍｅ−ｂｐ）を得た。

【００７４】 ¹Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ₆Ｄ₆、２５０ＭＨｚ）、７．４６（ｄ、２Ｈ、ｉｎｄ−Ｃ₆Ｈ ₂ ）、７．２２（ｄ、２Ｈ、Ｃ₆Ｈ₂）、６．５２（ｄ、２Ｈ、ｉｎｄ−Ｃ₆Ｈ₂） 、６．０９（ｓ、２Ｈ、Ｃ₅Ｈ₁）、２．４６（ｓ、６Ｈ、ｉｎｄ−Ｍｅ）、２．
２１（ｓ、６Ｈ、Ｍｅ）、１．３８（ｓ、１８Ｈ、ｔ−Ｂｕ）、０．９６（ｓ、
６Ｈ、Ｍｅ₂Ｓｉ）

【００７５】 実施例３ Ｍｅ₂ＳｉＣｐ₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂の製造 ヘプタン中、１．０８Ｍのジブチルマグネシウム溶液１１．２１ｍｌ（１２．
２０ミリモル）を、ヘプタン６０ｍｌ中、Ｍｅ₂Ｓｉ（ＣｐＨ）₂２．２８ｇ（１
２．１０ミリモル）の溶液に添加した。これにより溶液は白色沈殿物により濃密
化した。この溶液を５時間還流加熱し、室温において３ｍｌ（３７ミリモル）の
ＴＨＦを添加し、溶液を室温で１時間撹拌し、高真空下に溶媒を蒸散除去し、約
３０ｍｌまで濃縮した。これをフリーザー中で、−３０℃において貯蔵し、数日
後に白色沈殿物を濾別し、少量のヘプタンで洗浄し、減圧下に乾燥した。これに
より３．３５ｇ（７８％）の表記目的物Ｍｅ₂ＳｉＣｐ₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂３．３ ５ｇ（７８％）を得た。

【００７６】 ¹Ｈ−ＮＭＲ化学シフト（ｐｐｍ）（ＣＤＣｌ₂、内標準ＴＭＳ、２９８Ｋ、２
５０ＭＨｚ）

【００７７】

【表１】

【００７８】 実施例４ Ｍｅ₄Ｃ₂（３−ｔＢｕ−Ｃｐ）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）の製造 ヘプタン中のジブチルマグネシウム１Ｍ溶液２３ｍｌ（２３ミリモル）を、２
００ｍｌのヘプタン中、Ｍｅ₄Ｃ₂（３−ｔＢｕ−ＣｐＨ）₂６．７８ｇ（２０． ７６ミリモル）の溶液に添加し、この溶液混合物を５時間還流加熱し、その間に
ブタンの放出が認められた。４ｍｌのＴＨＦをわずかに黄色の溶液に添加し、こ
の混合物を室温で１時間撹拌し、蒸発により４分の１まで濃縮させ、次いで−３
０℃まで冷却した。数日後に無色の結晶が形成された。これを傾しゃにより単離
し、少量のヘプタンで洗浄し、減圧下に乾燥した。これにより表記化合物Ｍｅ₄ Ｃ₂（３−ｔＢｕ−Ｃｐ）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）が６．８３ｇ（７８％）の量で得られ
た。さらに母液を蒸発させ、−３０℃に冷却し、同様に後処理して、さらに０．
３５ｇ（４％）の同じ化合物が回収された。

【００７９】 ¹Ｈ−ＮＭＲ化学シフト（ｐｐｍ）（ＣＤＣｌ₂、内標準ＴＭＳ、２９８Ｋ、６
００ＭＨｚ）

【００８０】

【表２】

【００８１】 実施例５ Ｍｅ₂Ｓｉ（ｉｎｄ）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂の製造 ヘプタン中のジブチルマグネシウム１Ｍ溶液３７ｍｌ（３７ミリモル）を、１
５０ｍｌのヘプタン中、１０．５４ｇ（３６．５４ミリモル）のＭｅ₂Ｓｉ（ｉ ｎｄ）₂の溶液に添加した。この混合溶液を烈しく撹拌しながら８時間加熱還流 した。少量の沈殿物が形成され、烈しく撹拌しながら、室温において、３０ｍｌ
のＴＨＦ（０．３７モル）を添加した。直ちに帯白色桃色固体が析出沈殿し、こ
れを濾別し、少量のヘプタンで洗浄し、高真空下に乾燥した。これにより９．９
８ｇ（６１％）のＭｅ₂Ｓｉ（ｉｎｄ）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂が得られた。また、濾 液を高真空下に蒸発処理して著しく濃縮し、冷凍庫内−３０℃において貯蔵した
。数日後、同様の後処理により１．８５ｇ（１１％）の目的生成物を得た。従っ
て、合計収率は７２％となった。

【００８２】 ¹Ｈ−ＮＭＲ化学シフト（ｐｐｍ）（ＣＤ₂Ｃｌ₂、内標準ＴＭＳ、２９８Ｋ、 ２５０ＭＨｚ）

【００８３】

【表３】

【００８４】 実施例６ Ｍｅ₂Ｓｉ（３−ｔＢｕ−Ｃｐ）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂の製造 ヘプタン中、ジブチルマグネシウムの１Ｍ溶液１９．６５ｍｌ（１９．６５ミ
リモル）を、２００ｍｌのヘプタン中、５．３７ｇ（１７．８６ミリモル）のＭ
ｅ₂Ｓｉ（３−ｔＢｕ−ＣｐＨ）₂の溶液に添加し、この反応溶液を５時間還流加
熱した。この間ブタンの放出が観察され得る。この溶液の蒸散処理により、当初
の容量に対して３分の１まで濃縮される。３ｍｌ（３６．８６ミリモル）のＴＨ
Ｆを室温で添加し、−３０℃に冷却した。数日後、若干の無色結晶と、若干の無
定形沈殿物が形成された。傾しゃにより両者を分離し、少量のヘプタンで洗浄し
、高真空下で乾燥した。これにより５．１ｇ（６１％）のＭｅ₂Ｓｉ（３−ｔＢ ｕ−Ｃｐ）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂が得られた。また母液を蒸散処理に附し、−３０℃
に冷却し、同様に後処理して、さらに２．０ｇ（２４％）のＭｅ₂Ｓｉ（３−ｔ Ｂｕ−Ｃｐ）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂が得られた。

【００８５】 ¹Ｈ−ＮＭＲ化学シフト（ｐｐｍ）（ｄ⁸−ＴＨＦ、内標準ＴＭＳ、２９８Ｋ、
６００ＭＨｚ）

【００８６】

【表４】

【００８７】 実施例７ Ｍｅ₂Ｓｉ（３−（２−Ｍｅ−ベンズ［ｅ］インデニル）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂の 製造 ８０ｍｌのヘプタン中、Ｍｅ₂Ｓｉ（３−（３Ｈ−２−Ｍｅ−ベンズ［ｅ］イ ンデニル）₂１．０９ｇ（２．６１ミリモル）の１Ｍ懸濁液に、室温において、 ３ｍｌ（３ミリモル）のジブチルマグネシウム１Ｍ溶液を添加した。この懸濁液
を沸点まで還流加熱し、沸点に達する直前に、溶液は透明となった。３０分後に
は、析出沈殿物の形成と、ブタンの蒸散のために溶液は濃密化した。１２時間の
沸騰後、黄色懸濁液に６ｍｌ（７４ミリモル）のＴＨＦを室温において添加した
。これにより固体沈殿物は光沢性黄色化した。室温で１時間撹拌した後、高真空
下において懸濁液を蒸散処理に附し、容積を２０ｍｌまで濃縮した。沈殿物を濾
別し、少量のヘプタンで洗浄し、高真空下に乾燥して、１．２９ｇ（８５％）の
Ｍｅ₂Ｓｉ（３−（２−Ｍｅ−ベンズ［ｅ］インデニル）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂を得 た。

【００８８】 ¹Ｈ−ＮＭＲ化学シフト（ｐｐｍ）（Ｃ₆Ｄ₆、内標準ＴＭＳ、２９８Ｋ、２５ ０ＭＨｚ）

【００８９】

【表５】

【００９０】 実施例８ ｒａｃ−Ｃ₂Ｈ₄（ｉｎｄ）₂Ｚｒ−（２，２′−（３−Ｍｅ−６−ｉＰｒ−Ｃ₆ Ｈ₂Ｏ）₂）の製造 ０．１７２ｇ（０．４０ミリモル）の２，２′（３−ｉＰｒ−５−Ｍｅ−Ｃ₆ Ｈ₂Ｏ）₂Ｚｒ（ＴＨＦ）₂と、０．２４５ｇ（０．４０ミリモル）のＣ₂Ｈ₄（ｉ ｎｄ）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂を乾燥状態で混合し、２０ｍｌのトルエンに溶解させた
。溶液は次第に黄色化し、濃密化した。室温で３時間撹拌した後、高真空下に溶
媒を蒸散除去し、残渣をヘキサン中に投入し、ＭｇＣｌ₂（ＴＨＦ）₂を濾別し、
ヘキサンで洗浄した。溶媒を高真空下に蒸散除去し、残渣を３ｍｌのトルエン中
に投入した。室温で数日間静置することにより、淡黄色結晶が形成された。これ
を傾しゃにより単離し、高真空下に乾燥して、０．１１０ｇ（４１％）のＣ₂Ｈ₄ （ｉｎｄ）₂Ｚｒ−（２，２′−（３−Ｍｅ−６−ｉＰｒ−Ｃ₆Ｈ₂Ｏ）₂）を得た
。

【００９１】

【化４０】 ¹Ｈ−ＮＭＲ化学シフト（ｐｐｍ）（Ｃ₆Ｄ₆、内標準ＴＭＳ、２９８Ｋ、６０ ０ＭＨｚ）

【００９２】

【表６】

【００９３】 実施例９ ２，２′−ＣＨ₂−（４−Ｍｅ−６−ｔＢｕ−Ｃ₆Ｈ₂Ｏ）₂ＺｒＣｌ₂（ＴＨＦ ）₂の製造 １．４４ｇ（６０ミリモル）のＮａＨを、少しづつ、１００ｍｌのＴＨＦ中、
１０．２ｇ（３０ミリモル）の２，２′−ＣＨ₂−（４−Ｍｅ−６−ｔＢｕＣ₆Ｈ ₂ ＯＨ）₂の溶液に添加した。次いで、この懸濁液を２４時間還流加熱し、室温に
おいて、１１．３ｇ（３０ミリモル）のＺｒＣｌ₄（ＴＨＦ）₂をこれに添加して
、透明橙色溶液とし、これを１２時間にわたって還流加熱した。形成されたＮａ
Ｃｌを濾別し、ＴＨＦで洗浄し、濾液から高真空下に溶媒を除去し、発泡固体に
５０ｍｌのエーテルを添加した。短時間内に透明溶液から、白色固体が析出沈殿
した。これを傾しゃにより分離し、少量のエーテルで洗浄し、真空下に乾燥し、
１２．３８ｇ（６４％）の２，２′−ＣＨ₂−（４−Ｍｅ−６−ｔＢｕ−Ｃ₆Ｈ₂ Ｏ）₂（ＴＨＦ）₂を得た。母液および洗浄溶液を合併し、高真空下に蒸発処理に
附し、容積を著しく縮小させ、冷凍庫中−３０℃で貯蔵した。数日後、結晶沈殿
物を同様に分離し、さらに２．１１ｇ（１１％）の２，２′−ＣＨ₂−（４−Ｍ ｅ−６−ｔＢｕ−Ｃ₆Ｈ₂Ｏ）₂ＺｒＣｌ₂（ＴＨＦ）₂を得た。従って合計収率は ７５％となる。

【００９４】 ¹Ｈ−ＮＭＲ化学シフト（ｐｐｍ）（ＣＤ₂Ｃｌ₂、内部標準ＴＭＳ、２９８Ｋ 、２５０ＭＨｚ）

【００９５】

【表７】

【００９６】 実施例１０ ｒａｃ−Ｍｅ₂ＳｉＣｐ₂Ｚｒ（２，２′−ＣＨ₂−（４−Ｍｅ−６−ｔＢｕＣ₆ Ｈ₂Ｏ）₂）の製造 ０．３７４ｇ（１．０５ミリモル）のＭｅ₂ＳｉＣｐ₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂と、０ ．６８ｇ（１．０５ミリモル）の２，２′−ＣＨ₂−（４−Ｍｅ−６−ｔＢｕＣ₆ Ｈ₂Ｏ）₂ＺｒＣｌ₂（ＴＨＦ）₂を乾燥状態で混合し、３０ｍｌのトルエン中に溶
解させた。この溶液を室温において４日間撹拌し、この間に溶液は黄色化し、濃
密化した。次いで、高真空下に溶媒を除去し、残渣をヘプタン中に投入した。Ｍ
ｇＣｌ₂（ＴＨＦ）₂を濾別し、ヘプタンで洗浄し、濾液を蒸散処理により約３０
ｍｌになるまで濃縮した。室温で数日間静置し、黄色結晶が形成された。これを
傾しゃにより分離し、高真空下に乾燥し、０．３１１ｇ（４８％）のＭｅ₂Ｓｉ Ｃｐ₂Ｚｒ（２，２′−ＣＨ₂−（４−Ｍｅ−６−ｔＢｕＣ₆Ｈ₂Ｏ）₂）を得た。 母液を蒸散処理に附し、−３０℃に冷却し、数日後、同様の後処理を経て、さら
に０．１５４ｇ（２４％）の同じ化合物を得た。合計収率７２％。

【００９７】 ¹Ｈ−ＮＭＲ化学シフト（ｐｐｍ）（ＣＤ₂Ｃｌ₂、内部標準ＴＭＳ、２９８Ｋ 、６００ＭＨｚ）

【００９８】

【表８】

【００９９】 実施例１１ ｒａｃ−Ｍｅ₂Ｓｉ（３−（２−Ｍｅ−ベンズ［ｅ］インデニル）₂Ｚｒ（２， ２′−（３−ｔＢｕ−５−Ｍｅ−Ｃ₆Ｈ₂Ｏ）₂）の製造 １７ｍｇ（０．０２９ミリモル）のＭｅ₂Ｓｉ（３−Ｍｅ−ベンズ［ｅ］イン デニル）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂と、１８．３ｍｇ（０．０２９１ミリモル）の２，２
′−（３−ｔＢｕ−５−Ｍｅ−Ｃ₆Ｈ₂Ｏ）₂ＺｒＣｌ₂（ＴＨＦ）₂をＮＭＲチュ ーブ内において、乾燥状態で混合し、０．５ｍｌのＣ₆Ｄ₆に溶解させた。室温で
６日後、溶液は黄色化し、白色沈殿物が形成された。

【０１００】 ¹Ｈ−ＮＭＲ化学シフト（ｐｐｍ）（Ｃ₆Ｄ₆、内部標準ＴＭＳ、２９８Ｋ、２ ５０ＭＨｚ）

【０１０１】

【表９】

【０１０２】 実施例１２ Ｃｌ₂Ｚｒ（Ｏ−２，６−Ｍｅ₂Ｃ₆Ｈ₃）₂（ＴＨＦ）₂の製造 ５．２１ｇ（１３．８１ミリモル）のＺｒＣｌ₄（ＴＨＦ）₂を、１５０ｍｌの
トルエンに懸濁させ、０℃においてこれに１６ｇ（８２．３ミリモル）のＭｅ₃ ＳｉＯ−２，６−（ＣＨ₃）₂−Ｃ₆Ｈ₃を添加し、次いでこれを１２時間還流加熱
した。溶媒を除去し、残渣を８０ｍｌのＴＨＦ中に投入し、この溶液をヘキサン
層で被覆し、室温で数日静置して、無色結晶を形成させた。これを傾しゃにより
単離し、高真空下に乾燥し、１．８２ｇ（３．３１ミリモル）のＣｌ₂Ｚｒ（Ｏ −２，６−Ｍｅ₂Ｃ₆Ｈ₃）₂（ＴＨＦ）₂を得た。他方において母液をさらに濃縮 し、−３０℃に冷却し、同様に単離して、さらに上記化合物２．２０ｇ（４．０
１ミリモル）を得た。目的化合物、Ｃｌ₂Ｚｒ（Ｏ−２，６−Ｍｅ₂Ｃ₆Ｈ₃）₂（ ＴＨＦ）₂の合計収量４．０２ｇ（７．３２ミリモル、５３％）。

【０１０３】 ｒａｃ−Ｃ₂Ｈ₄（ｉｎｄ）₂Ｚｒ（Ｏ−２，６−Ｍｅ₂Ｃ₆Ｈ₃）₂の製造 １５．７ｍｇ（０．０２８ミリモル）の上記生成物Ｃｌ₂Ｚｒ（Ｏ−２，６− Ｍｅ₂Ｃ₆Ｈ₃）₂（ＴＨＦ）₂と、１２．１ｍｇ（０．０２８ミリモル）のＣ₂Ｈ₄ （ｉｎｄ）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂を、ＮＲＭチューブ中において、乾燥状態で混合し
、０．５ｍｌのＣ₆Ｄ₆に溶解させた。室温において２４時間後、析出ＭｇＣｌ₂ （ＴＨＦ）₂のために、溶液は黄色化し、濃密化した。¹Ｈ−ＮＭＲスペクトルを
記録し、Ｃ₂Ｈ₄（ｉｎｄ）₂Ｚｒ−（Ｏ−２，４−Ｍｅ₂Ｃ₆Ｈ₅）₂のラセミ形態 のみが形成されていることを確認した。

【０１０４】

【化４１】 ¹Ｈ−ＮＭＲ化学シフト（ｐｐｍ）（Ｃ₆Ｄ₆、内部標準ＴＭＳ、２９８Ｋ、２ ５０ＭＨｚ）

【０１０５】

【表１０】

【０１０６】 実施例１３ ｒａｃ−Ｍｅ₂Ｓｉ（ｉｎｄ）₂Ｚｒ（Ｏ−２，６−Ｍｅ₂Ｃ₆Ｈ₃）₂の製造 ２５ｍｇ（０．０４５ミリモル）のＭｅ₂Ｓｉ（ｉｎｄ）₂Ｍｇ（ＴＨＦ）₂と ２０．５ｍｇ（０．０４５ミリモル）のＣｌ₂Ｚｒ（Ｏ−２，６−Ｍｅ₂Ｃ₆Ｈ₃） ₂ （ＴＨＦ）₂を、ＮＭＲチューブ中において乾燥状態で混合し、０．５ｍｌのＣ ₆ Ｄ₆に溶解させた。室温で２４時間後に、この溶液は黄色化、濃密化した。¹Ｈ −ＮＭＲスペクトルを記録し、Ｍｅ₂Ｓｉ（ｉｎｄ）₂Ｚｒ（Ｏ−２，６−Ｍｅ₂ Ｃ₆Ｈ₃）₂のラセミ形態のみが形成されていることを確認した。

【０１０７】 ¹Ｈ−ＮＭＲ化学シフト（ｐｐｍ）（Ｃ₆Ｄ₆、内部標準ＴＭＳ、２９８Ｋ、２ ５０ＭＨｚ）

【０１０８】

【表１１】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ズュリング，カルステン ドイツ、Ｄ−67227、フランケンタール、 アルブレヒト−デュラー−リング、20ツェ ー (72)発明者 ビデル，ヴォルフガング ドイツ、Ｄ−67112、ムターシュタット、 ダーリエンシュトラーセ、19 (72)発明者 ブリンツィンガー，ハンス−ヘルベルト スイス、ＣＨ−8274、テゲルスヴィレン、 ウンテルドルフシュトラーセ、17 (72)発明者 ダムラウ，ハンス−ロベルト−ヘルムート ドイツ、Ｄ−78462、コンスタンツ、ボー ダンシュトラーセ、21 (72)発明者 ヴェーバー，アルミン ドイツ、Ｄ−88677、マルクドルフ、マリ ーエンシュトラーセ、２ Ｆターム(参考） 4H050 AA01 AA02 AA03 AB40 4J028 AA00A AA01A AB00A AB01A AC00A AC01A AC10A AC20A AC28A AC31A AC32A AC41A AC42A AC44A AC49A BA00A BA01B BA02B BB00A BB01B BC12B BC13B BC25B EB02 EB04 EB05 EB07 EB09 EB21 4J100 AA02P AA03P AA04P AA16P AA19P AB02P CA01 FA10

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下式Ｉ 【化１】 で表わされ、かつ式中の Ｍが、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、
   クロム、モリブデン、タングステン、または周期表ＩＩＩ遷移族、ランタニド系
   列の元素を意味し、 Ｘが、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ弗素、塩素、臭素、沃素、水
   素、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１０個、
   アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、−ＯＲ¹⁰ または−ＮＲ¹⁰Ｒ¹¹を意味し、 ｎが、Ｍの原子価から２を減じた数に対応する１から４の整数、 Ｒ¹、Ｒ⁸が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ弗素、塩素、臭素、沃
   素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい
   ３から８員のシクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１ ０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、ア
   ルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有す
   るアリールアルキル、Ｓｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同じでも異なってもよ く、それぞれＣ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₅ア リールである）を意味し、上記の基は部分的に、もしくは完全にヘテロ原子で置
   換されていてもよく、 Ｒ²からＲ⁷が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₂₀ア ルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい３から８員のシ クロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１０個、アリール 基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、アルキル基部分に
   １から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアリールアル
   キル、Ｓｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁ −Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₅アリールである）を
   意味し、また隣接するＲ²〜Ｒ⁷は、４から１５個の炭素原子を有する飽和、部分
   飽和又は不飽和の環式基を形成してもよく、また上記の基は部分的に、もしくは
   完全にヘテロ原子で置換されていてもよく、 上記Ｘ中のＲ¹⁰、Ｒ¹¹が、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル
   基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアル
   キルアリール、アリールアルキル、フルオロアルキルまたはフルオロアリールで
   あり、 Ｙ、Ｙ¹が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ 【化２】 で表わされ、かつこれら式中の Ｒ¹²が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、ハロゲン、Ｃ₁−Ｃ_{1 0} アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₀フルオロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₀フルオロアリール、Ｃ₆−Ｃ ₁₀ アリール、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルコキシ、Ｃ₂−Ｃ₁₀アルケニル、Ｃ₇−Ｃ₄₀アリール アルキル、Ｃ₈−Ｃ₄₀アリールアルケニル、Ｃ₇−Ｃ₄₀アルキルアリールであるか
   、あるいは隣接する両基Ｒ¹²が、これらを結合する原子と共に環を形成し、 上記Ｙ、Ｙ¹を表わす式中のＭ¹が、珪素、ゲルマニウムまたは錫である場合の
   基を意味し、 ｍが、０、１、２または３を意味するか、あるいは Ｙが、ブリッジされておらず、２個の基Ｒ′およびＲ″を意味し、 このＲ′、Ｒ″が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、弗素、塩
   素、臭素、沃素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っ
   ていてもよい３から８員のシクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部 分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキル
   アリール、アルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭
   素原子を有するアリールアルキル、またはＳｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同 じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル
   またはＣ₆−Ｃ₁₅アリールである）を意味するか、あるいは隣接するＲ⁴またはＲ ⁵ と共に、飽和、部分的飽和または不飽和の、炭素原子数４から１５の環式基を 形成し、また上記の基は部分的に、もしくは完全にヘテロ原子で置換されていて
   もよい場合の、ブリッジされ、もしくはブリッジされていない芳香族、遷移金属
   錯体と、 アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属のシクロペンタジエニル誘導体とを反
   応させ、さらに、必要であれば、ブリッジされている芳香族配位子またはブリッ
   ジされていない２個の芳香族配位子を転換することを特徴とする、ラセミメタロ
   セン錯体の製造方法。
2. 【請求項２】 式Ｉ中のＲ¹およびＲ⁸が嵩高の置換基を意味することを特徴
   とする、請求項１の方法。
3. 【請求項３】 式Ｉ中のｍが零を意味することを特徴とする、請求項１また
   は２の方法。
4. 【請求項４】 式Ｉ中のＹ¹が相互に同じであって、それぞれ酸素を意味す ることを特徴とする、請求項１から３のいずれかの方法。
5. 【請求項５】 マグネシウムのシクロペンタジエニル誘導体を使用すること
   を特徴とする、請求項１から４のいずれかの方法。
6. 【請求項６】 下式ＩＩＩ 【化３】 で表わされ、かつ式中の Ｍが、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、
   クロム、モリブデン、タングステン、または周期表ＩＩＩ遷移族、ランタニド系
   列の元素を意味し、 Ｘ¹が、 【化４】 で表わされ、かつこの式中の Ｒ¹、Ｒ⁸が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ弗素、塩素、臭素、沃
   素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい
   ３から８員のシクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１ ０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、ア
   ルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有す
   るアリールアルキル、Ｓｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同じでも異なってもよ く、それぞれＣ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₅ア リールである）を意味し、上記の基は部分的に、もしくは完全にヘテロ原子で置
   換されていてもよく、 Ｒ²からＲ⁷が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₂₀ア ルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい３から８員のシ クロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部分に１から１０個、アリール 基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキルアリール、アルキル基部分に
   １から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアリールアル
   キル、Ｓｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁ −Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルまたはＣ₆−Ｃ₁₅アリールである）を
   意味し、また隣接するＲ²〜Ｒ⁷は、４から１５個の炭素原子を有する飽和、部分
   飽和又は不飽和の環式基を形成してもよく、また上記の基は部分的に、もしくは
   完全にヘテロ原子で置換されていてもよく、 Ｙ、Ｙ¹が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ 【化５】 で表わされ、かつこれら式中の Ｒ¹²が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、ハロゲン、Ｃ₁−Ｃ_{1 0} アルキル、Ｃ₁−Ｃ₁₀フルオロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₀フルオロアリール、Ｃ₆−Ｃ ₁₀ アリール、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルコキシ、Ｃ₂−Ｃ₁₀アルケニル、Ｃ₇−Ｃ₄₀アリール アルキル、Ｃ₈−Ｃ₄₀アリールアルケニル、Ｃ₇−Ｃ₄₀アルキルアリールであるか
   、あるいは隣接する両基Ｒ¹²が、これらを結合する原子と共に環を形成し、 上記Ｙ、Ｙ¹を表わす式中のＭ¹が、珪素、ゲルマニウムまたは錫である場合の
   基を意味し、 ｍが、０、１、２または３を意味するか、あるいは Ｙが、ブリッジされておらず、２個の基Ｒ′およびＲ″を意味し、 このＲ′、Ｒ″が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、弗素、塩
   素、臭素、沃素、Ｃ₁−Ｃ₂₀アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っ
   ていてもよい３から８員のシクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、アルキル基部 分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭素原子を有するアルキル
   アリール、アルキル基部分に１から１０個、アリール基部分に６から２０個の炭
   素原子を有するアリールアルキル、またはＳｉ（Ｒ⁹）₃（このＲ⁹は、相互に同 じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル
   またはＣ₆−Ｃ₁₅アリールである）を意味するか、あるいは隣接するＲ⁴またはＲ ⁵ と共に、飽和、部分的飽和または不飽和の、炭素原子数４から１５の環式基を 形成し、また上記の基は部分的に、もしくは完全にヘテロ原子で置換されていて
   もよく、 Ｒ¹³からＲ¹⁷が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₂₀ アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい５から７員の シクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはアリールアルキルを意味し、これら の中の隣接する両基が合体して炭素原子数４から１５の環式基を形成してもよく
   、あるいは上記各基がさらにＳｉ（Ｒ¹⁸）₃を意味し、 このＲ¹⁸が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、 Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはＣ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルであり、 Ｚが、 【化６】 で表わされ、この式中の Ｒ¹⁹からＲ²³が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₂₀ アルキル、置換基としてＣ₁−Ｃ₁₀アルキル基を持っていてもよい５から７員の シクロアルキル、Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはアリールアルキルであり、これらの 中の隣接する両基が合体して炭素原子数４から１５の環式基を形成してもよく、
   あるいはこれら各基がさらにＳｉ（Ｒ²⁴）₃であり、 このＲ²⁴が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、 Ｃ₆−Ｃ₁₅アリールまたはＣ₃−Ｃ₁₀シクロアルキルである場合の基を意味し、あ
   るいは Ｒ¹⁶、Ｚが、合体して基−［Ｔ（Ｒ²⁵）（Ｒ²⁶）］_q−Ｅ−を形成し、 このＴが、相互に同じでも異なっていてもよく、それぞれ珪素、ゲルマニウム
   、錫または炭素であり、 Ｒ²⁵、Ｒ²⁶が、それぞれ水素、Ｃ₁−Ｃ₁₀アルキル、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル
   またはＣ₆−Ｃ₁₅アリールであり、 ｑが、１、２、３または４であり、 Ｅが、 【化７】 またはＡであり、このＡが−Ｏ−、−Ｓ−、 【化８】 であり、 このＲ²⁷が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、 Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル、アルキルアリールまたはＳｉ（
   Ｒ²⁸）₃であり、 このＲ²⁸が、相互に同じでも異なってもよく、それぞれＣ₁−Ｃ₁₀アルキル、 Ｃ₆−Ｃ₁₅アリール、Ｃ₃−Ｃ₁₀シクロアルキル、アルキルアリールである場合の
   基を意味することを特徴とするラセミメタロセン錯体。
7. 【請求項７】 式ＩＩＩ中において、Ｒ¹⁶とＺが合体して基−［Ｔ（Ｒ²⁵）
   （Ｒ²⁰）］_q−Ｅ−を形成する場合、Ｒ¹⁷とＲ²³は水素を意味しないことを特徴 とする、請求項６のラセミメタロセン錯体。
8. 【請求項８】 請求項６又は７のラセミメタロセン錯体のオレフィン性不飽
   和化合物を重合するための触媒または触媒構成分としての、または立体選択的合
   成における試薬としてのまたは触媒としての用途。