JP2001516945A - 電子検出器 - Google Patents
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Classifications
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
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-
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- H01J2237/2448—Secondary particle detectors
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
)、電子顕微鏡に用いる電子検出器に関する。
た電子ビームは公知である。このプローブは、調節可能な寸法の視野にわたって
走査を行い、試料から放射されて検知された信号電子は、電子プローブと同期し
て走査されたCRTモニタに送られ、その結果、両走査フィールドの寸法比によ
って与えられる倍率で画像がモニタ・スクリーン上に形成される。 電子プローブによって励起されたすべての可能性ある信号から得られる、いわ
ゆるオージェ電子は特に重要である。オージェ電子は、電子プローブからの電子
によって内側シェルで最初にイオン化された原子から放出される。次に、空格子
点が同じあるいは異なった原子の任意他の外側シェルからの別の電子によって満
たされ、エネルギ差が再度電子に伝えられ、この電子がそれへのエネルギ特性を
もって原子から去る。したがって、信号電子のエネルギを分析すれば、表面元素
組成を知ることができる。精密に合焦された電子プローブによって、高い空間解
像度でこれを行うことができる。エネルギ分析は、電子スペクトロメータ、すな
わち、或る種の特殊な形態の静電界または磁界あるいはこれらのフィールドの組
み合わせによって行われ、電子エネルギによる電子軌跡の空間分散を確保し、そ
の結果、適当な開口でスクリーニングすることによって、狭いエネルギ・ウィン
ドウのみを濾過することができる。あるいは、すべての放射された電子を並列検
出することもできる。
円筒形ミラー・アナライザ(CMA)が普及しており、よく使われている。この
ミラー・アナラーザは2つの同軸のシリンダからなり、その外側のシリンダが負
のバイアスをかけられているので、内側シリンダ壁にある適当なスリットを通る
シリンダ軸線上の特定された入口点から出て行く電子が、第2のスリットおよび
最終小開口を通して出口点でシリンダ軸線上に再び後方反射される。その結果、
エネルギ・ウィンドウ内に達した電子のみが通過する。
高空間解像度で元素表面分析を達成するためには、電子銃がCMAの内側シリン
ダ内に同軸に設置され、入口点で直角にあるいは傾斜して装置軸線上に設定され
た試料を照射するのに使用される。電子銃は、非常に精密に合焦させた電子プロ
ーブを持ち、被走査フィールド内でプローブを走査する設備を備えた高品質電子
銃でなければならない。現在利用可能なこのような高性能電子銃、すなわち、走
査カラムは、電界放出単結晶チップ陰極と、1つまたは2つの電子レンズとを備
えている。走査カラムは、スペクトロメータ・シリンダに取り囲まれた非常に限
定された場所内に装着することが重要なことなので、そのため、その場所に機械
的なアクチュエータや、ライトパイプなどの接続具等を全く入れることができな
くなる。外部に対するすべての接続部は全て電気的でなければならないので、走
査カラムは、その付近に、スペクトロメータ作用を妨げることになる電磁界を発
生させることは全く許されない、。
化を生じさせる更なるスキャッタリング・イベントから受けないときにのみ検出
され得る。つまり、これは、試料の表面で、2,3の最上部原子層内で放出され
たオージェ電子だけが信号に貢献することができ、このような超薄表面層だけの
元素組成を信頼性をもってマッピングすることができる、ということを意味する
のである。それにもかかわらず、代表的な電子プローブは一般に試料内へかなり
深く侵入することになり、かなりの数の励起電子が、追加のオージェ電子を励起
するに充分な、種々のエネルギをもって表面から後方へ反射される。しばしば、
試料は深さが異なっており、後方反射した電子は追加のオージェ電子の量と共に
局部的に変化し、深さに関する異質性の試料は、それ自身を、表面の基本的マッ
ピングに仮に投影する。この信号の寄与度を抑制するために、別の深さ感応信号
が利用可能でなければいけない。オージェ・マッピングに固有の第2の最も重要
な問題は、元素マッピングに対する表面形状の影響である。ここで再び、マッピ
ングは表面レリーフを示す別の顕微鏡信号に相関させなければならない。
一般的な傾向である。この理由としては、更に高い二次電子信号の達成(その最
大値はほぼ数百eV乃至数keVの間である)、非導電性試料の荷電低下の達成
(まとまりつつある放射電子の全産出量のせいによる。そうすると、放射電子の
内ほんの僅かの割合しか試料内で消失しない)、そして、小さいレリーフ突起及
び隆起のより良好な解像度(電子プローブの相互作用体積が小さく、浸透深さが
短いということによる)がある。それにもかかわらず、いくつかの主たる障害の
ために、数百eVより下では公知のプローブを作動させることができない。障害
としては、電子銃陰極からの電子抽出の劣化、そしてその結果として、電子プロ
ーブ電流がさらに低下し、電子波長がより長くなり、電子プローブのエネルギの
相対変動がもっと高くなり(回折および色収差の増大により大きなスポット・サ
イズが生じさせる)、電子プローブの形状寸法をゆがめる厳しい交流電磁界の影
響の増大する、ということがある。電子プローブの約200〜500eVエネル
ギで作動するいわゆる低電圧顕微鏡は、現在、非常に魅力的であり、よく売れて
いる。それにもかかわらず、このようなエネルギ範囲の下では、数十単位のeV
で、多くの新しい極めて興味のあるコントラストが現れ、表面結晶学的構造、真
空レベルより上のエネルギ帯構造、潜在的なバリア形状およびその変化などを視
覚化することは良く知られている。
知の方法は、陰極レンズを使用することである。陰極レンズは放出電子顕微鏡(
EEM)の重要な構成要素であり、試料それ自体が電子を放出し、必要な加速後
に、電子は放出面の拡大画像を形成する投影電子光学システムを通過する。原則
として、陰極レンズは、2つの電極からなる静電レンズである。すなわち、陰極
、つまり試料表面それ自体と、中央開口部を有する最適に整形された陽極とから
なる。試料/陰極の高い負のバイアスによってほとんど生成される、電極間の軸
線方向の均一な静電界は、放射された電子を加速するように作用する。陽極開口
部に侵入するフィールドの不均一な部分は発散レンズを形成する。そして、この
発散レンズが、或る種の付加的な発散レンズ、すなわち、EEM対物レンズと組
み合わされる。、このような組み合わせは、収差係数が非常に低いために、非常
に低いエネルギにおいてさえも、幅の広いビームの放射電子が像形成バンドルに
コリメートされるので、長い間受入れられてきた。。
向にも陰極レンズを利用する試みが何度かなされてきたが、にもかかわらず、こ
れらの試みのどれもたいした成功を成し遂げなかったし、非常な低エネルギの走
査画像を得ることは全くできなかった。重要な例外としては、35年前に発明さ
れたいわゆる低エネルギ電子顕微鏡(LEEM)があり、80年代に実現に成功
している[E.Bauer, Rep. Progr. Phys, 57(1994), 895]。しかし、これは走査装
置ではなく、コヒーレント扁平電子波の衝撃によって励起される試料照射を行う
EEMである。陰極レンズは、減速されつつある電子波によって最初に、次いで
、反対方向の放射電子によって、計2回通過される。LEEMの実施で、表面研
究に対する、非常に低いエネルギ範囲の上記した魅力的な特徴が明らかになった
。しかし、世界中でもほんの2,3の研究所でしか利用できないLEEM器具は
、サイズが大きくて、LEEM信号の検出のために必須の静電レンズと磁気レン
ズとの両方を包含している。このことは、もっと非常に単純な装置によって類似
した結果をもたらすことのできるLEEM(SLEEM)のスキャニング・バー
ジョンには有利である。
[M.Lenc, I.Mulerova, Ultramicroscory 45 (1992), 159]に基づいてなされた。
そして、数十keVからそれ以下の単位のeVまでの全エネルギ・スケールに沿
って首尾一貫した品質を示した、最初の顕微鏡写真シリーズが公開された。その
後、SLEEM方法へ標準の市販走査型電子顕微鏡(SEM)を適用させる方法
が苦心して仕上げられた[I.Mulerova, L.Frank, Scanning 15 (1993), 193]。簡
単に説明すると、このやり方は、試料を絶縁し、バイアスさせ、その上に陽極を
導入することによって特徴付けることができるが、主たる問題は、検出システム
をその形態に合わせることである。それにもかかわらず、基本装置は、依然とし
てなお、普通の電磁気レンズおよびコイルを備えるフル装備のSEMシステムで
ある。
)は、上述したようなゆゆしきSAM問題を解決するのに必要な、相補的な像形
成装置に対し理想的に替わり得る物を表わす。一方、全く異質で、多結晶で、類
似の試料のSLEEM像は、しばしば、コントラストで満たされており、それに
ついての直接的な解釈は、さらなる情報を、特に、SAMによって仲介されるよ
うな表面要素組成に関する情報を利用できない限り、困難であり、不可能ですら
ある。故に、SAMおよびSLEEMは、必要条件を満たしているSLEEMカ
ラムが、CMAベースのオージェ顕微鏡の走査カラム、すなわち、コンパクトな
設計の集積検出システムを備えるミニチュア純静電SLEEMカラム上に設置さ
れる必要のある超高真空デバイスにおいて、本来の位置に組み込まれるのに極め
て適している。 これらの条件に応じた検出原理は、これまで全く提案されて来なかった。本発
明の好ましい実施例はこのような原理を実現する装置を提供することを目的とす
る。
ためのアクセラレータ・プレートであって、前記電子が通過する開口を有するア
クセラレータ・プレートと、前記開口を通過した後に前記電子を偏向させるよう
に配置した偏向電極と、前記偏向電極によって偏向された電子を集めるように配
置したコレクタとを包含することを特徴とする。
電子増倍材料を表面に備えており、この電子増倍材料は使用時に前記偏向させら
れた電子を増倍する。 好ましくは、前記検出器は主軸線を有し、前記偏向電極は、前記主軸線の半径
方向外方へ前記電子を偏向させるように配置してある。 好ましくは、前記偏向電極は開口を形成した偏向板を包含し、この開口は前記
アクセラレータ・プレートの開口の直径より小さい直径となっている。
生じさせる照射手段を包含してもよい。 好ましくは、前記照射手段は、前記アクセラレータおよび偏向板の前記開口を
通過する照射光線を発生するように配置してある。
成している。
ように実施するかを示すために、ただ1枚の添付図面を参照して、以下に説明す
る。添付図面は、走査型低エネルギ電子顕微鏡における、本発明の一実施例によ
る電子検出器の一例を示している。
最終レンズが検出器を組み入れるように作られている。陰極レンズが、銃電極8
と試料9の間に形成される。電子カラムの一部をなすプローブによって創り出さ
れ、レンズ1,2,3によって適切に合焦され、適切なるデフレクタ/スチグマ
トール電極2によって走査されるようになる電子プローブ11は、陰極レンズ・
フィールド内で減速され、その最終的なランディング・エネルギは、試料の負バ
イアスによって精密に調節され得る。放射された二次電子は、同一フィールド内
で再加速され、このフィールドの均一性により、二次電子はその軸線方向速度の
みを高めるために、狭い信号ビームにコリメートされる。コリメートされた信号
ビームは、そのほとんとが、電極8の開口18内に嵌まり、ここにおいて、銃と
、2個のアース(接地)電極7,8によって囲まれた中央アース(接地)電極6
からなる最終レンズとに入射する。信号ビームは、特別なミラー電極4に接近し
、このミラー電極のフィールドが減速し、さらに電子を軸線から偏向させ、それ
らを試料へ戻す。電子は、最終レンズ・フィールドにおいて再び再加速され、チ
ャネル・プレート電子増倍管5に衝突し、増幅後、信号電子ビームはコレクタ7
に衝突し、マルチチャネル検出のための適切な部分に分割され得る。
これはカラムの一部を形成しているプローブ11に取り付けられており、1バー
ジョンでは、電界放出チップ陰極ベースの銃12および1つの静電レンズによっ
て形成され、予合焦式電子プローブを産出する。レンズ/検出器部分は、最終レ
ンズの第1要素としてのアース(接地)電極1と、組になったスチグマトール/
偏向板2と、からなる。後者は、光軸のまわりに配置されており(1つのバージ
ョンでは8個ある)、交流及び直流複合電圧によってバイアスをかけられる。こ
れらの複合電圧は、電子プローブを静的に偏向させて整列させるように調節され
る。これらは、(カラムの軸線方向非点収差を訂正するために)軸線まわりに回
転することのできる円筒レンズを形成し、最終的には、被走査フィールドを横切
って電子プローブを走査させる。
点距離を支配し、試料9の表面だけに電子プローブを合焦させる。それに続いて
、検出器の最も重要な部分として、ミラー電極4がある。これの形状は重要であ
り、1つのバージョンでは直径が数十ミリの小さい中央ボア14と、水平面に対
して角度θ傾斜したコーン24と、周辺の高くなったリム34と、からなる。角
度θは、ミラー電極4の機能にとって重要であるが、その値は、使われる電圧お
よびカラム作動距離に従って、非常に広い範囲にわたって変化し、実質的に0か
らπ/2の全範囲にわたって変わる。ミラー電極4も調節可能な電位まで負にバ
イアスされる。
径方向成分は、光軸に沿って正確に移動する電子を除いて、電子の大部分を光軸
からそらせる。したがって、電子は光軸から充分な距離のところに到達してから
ミラー面に入射する。これら信号電子のある部分は、中央コーンを「すべり」、
周縁リムに、あるいは、どこかの間に衝突する。こうして、ミラー電極は電子に
よって集中して衝撃を与えられるようになるが、そのエネルギは使用される電圧
による。この衝撃の下に、ミラー表面は、ほとんどほんの数eVのエネルギを持
つ二次(あるいは、この例では、三次)信号電子10を放出する。1つのバージ
ョンにおいて、二次(三次)電子生成率は、ミラー電極面を高い二次(三次)電
子生成率産を有する適切な材料によって被覆することによって向上する。遅い二
次(三次)電子10は、ここで再び、チャネル・プレート電子増倍体5(たとえ
ば、プレート垂線に対してやや傾斜しており、内壁面を非常に高い二次電子生成
率を持つ材料で被覆した非常に薄い焼結ガラス管からなるプレート)の上面に向
かって加速される。
に電位差を印加し、入口表面が出口表面に関して負のバイアスをかけられるよう
にする必要がある。それにもかかわらず、上方入口表面の電位は、ミラー4ほど
負にならず、ミラー電極4から放射される遅い電子10が加速され、そして、ミ
ラー4のコーン部分上方の半径方向フィールド成分により、さらに光軸から離れ
るように偏向されるが、同時に、ミラー4の周縁リムの影響で、電子が光軸から
の最適距離を超えることがなく、大部分の電子がCP5に衝突する。
の第2のアース電極であり、1つのバージョンの薄肉同軸チューブでは、CP電
位差によりフィールドから光軸をスクリーニングするような形状となっている。
コレクタ7は、絶縁材料で作くられていて、その上にセグメント構造が配置され
、偏向された電子の方位角すなわち半径方向距離に従って検知された信号をソー
トする。コレクタ7,電極6は、共に、アース電位に保持されるが、CP5の出
口底面は若干低い負の電位にある。
られる。電極8は、再びアースされ、陰極レンズの陽極として機能する。この陰
極レンズの陰極は、試料9それ自体で形成され、(これにより、調整に必要なミ
ラー像形成を行うために)少なくともわずかに公称銃電圧を超える負電位の安定
した精密調整可能な高電圧供給源に接続されている。
キャップは、CMA13によって受け入れられる中空の円錐形電子ビームの内側
形状に合った円錐形状を有する。個々の要素は、適切にはバイアスに関して相互
に絶縁されている。絶縁インサートは、1つのバージョンにおいて、機械加工可
能なガラス・セラミック材料で作られており、機械的に予め位置決めされ、銃の
底端でコネクタ・ピンに電気的に接続された要素を有し、カラム全体が試料の反
対側でCMA内側シリンダに固定されたソケットに簡単に挿入され、CMAアナ
ライザの出口電子ビームの横切る形状とは離れる。
方散乱電子(BSE)が、信号電子(すなわち、電極8の中央開口部により限定
されるスペース角度にぴたりと合う信号電子)として検知される。銃の内方へこ
の開口部を通過した後、電子は、上述したように、SLEEMモードにおける再
加速された信号電子と同じように作用する。BSE像形成信号は、小さい許容角
度により、SLEEM像形成信号よりもかなり低い。
タまたは同様の装置内で作動するのに適した走査カラムの要求を完全に満たすも
のであり、これは、純粋に静電的であり、非常にコンパクトな設計であり、その
付近にスプリアス電磁界を発生させず、SLEEMモードにおける信号電子の励
起および検出に効果的である。電子プローブは、数キロ電子ボルトからプローブ
が試料面のすぐ上方で反射されるゼロ衝撃エネルギまでのエネルギで作動するも
のである。本装置は、それに加えて、非バイアス試料を持つBSEモードにおい
ても作動できる。これは、非常に低いエネルギ電子顕微鏡装置の可能性を与える
。
他の用途も持ち得る。電子銃以外の手段を利用して試料から電子の放出を刺激す
るために利用できる。
されるのが好ましいが、試料9を励起する別の手段も使用し得る。たとえば、表
面に90度未満の角度で入射する1つまたはそれ以上の光線によって試料を照射
してもよい。
場合に97%、100eV放射電子の場合に20%、1000eV照射電子の場
合に2%の効率で電子を検知することがわかっている。低電子エネルギを使用す
ることによって、カラム解像度は、Cs〜150mm、Cc〜50mmを有する一実
施例において、2次数の大きさ、たとえば、5000nm〜50nmで先に提案され
た装置を通じて向上することがわかっている。
と組み合わせたときの表面分析用途、特に最終レンズが静電的あるいは磁気との
複合で静電的であるときに一般的なSEM用途および放射線感光材料/サンプル
用途に適している。他の用途としては、非道電性試料、たとえば、フォトレジス
ト材料の表面の像形成がある。その結果、適当に選定したエネルギで非導電性表
面、たとえば、レジストの非電荷像形成のために高解像度を得ることができる。
語)は、便宜上、この明細書では、基準電位を示すのに使用される。当業者には
理解できるように、このような基準電位が代表的に0電位である可能性があるが
、ゼロであるか、ゼロ以外の基準電位であるかは本質的なことではない。
は添付図面に示す使用、もしくはこれら両方の使用における通常の用語の方位を
示すのに使用される。しかしながら、このような用語は、他の方位でも使用でき
、本明細書の文脈では、絶対方位の用語、たとえば、「上」、「底」、「左」、
「右」、「垂直」、「水平」などは、このような別の方位を含むように解釈され
るべきである。
意味を有し、非排他的な包含を示すのに使用されている。すなわち、1つまたは
それ以上の特徴を含む単語「包含する」(あるいは任意のその派生語)はさらに
別の特徴も含む可能性を排除するものではない。
べての書面、書類および本願の公衆審査のために公開されたすべての書面、書類
に注目されたい。これらすべての書面、書類の内容は、ここに、参考資料として
、援用する。
たすべての特徴またはそこに開示された任意の方法あるいはプロセスのステップ
のすべては、そのうちの少なくともいくつかが相互に排他的となる組み合わせを
除いて、任意の組み合わせで用いることができるものである。
た各特徴は、明白に説明されていない限り、同じ、均等あるいは同様の目的を果
たす代替の特徴と代えることができる。したがって、明白に説明していない限り
、開示された各特徴は一般的なシリーズの均等または同様の特徴のほんの一例で
ある。
書(添付の特許請求の範囲、アブストラクト、図面を含む)に開示された特徴の
うち任意新規な特徴あるいは任意新規な組み合わせ、もしくは、ここに開示され
た任意の方法またはプロセスのうちのステップのうち任意新規なステップまたは
任意新規な組み合わせにまで敷衍するものである。
子検出器の一例を示している。
Claims (14)
- 【請求項1】 試料から放射される電子を加速するアクセラレータ・プレー
トであり、前記電子が通過する開口を有するアクセラレータ・プレートと、前記
開口を通過した後に前記電子を偏向させるように配置した偏向電極と、前記偏向
電極によって偏向された電子を集めるように配置したコレクタとを包含すること
を特徴とする電子検出器。 - 【請求項2】 請求項1に記載の電子検出器において、前記偏向電極が、前
記試料から放射される前記電子を偏向させる電子増倍材料を表面に備えており、
この電子増倍材料が使用時に前記偏向させられた電子を増倍することを特徴とす
る電子検出器。 - 【請求項3】 請求項1または2に記載の電子検出器において、前記検出器
が主軸線を有し、前記偏向電極が、前記主軸線の半径方向外方へ前記電子を偏向
させるように配置してあることを特徴とする電子検出器。 - 【請求項4】 請求項1、2または3に記載の電子検出器において、前記偏
向電極が開口を形成した偏向板を包含し、この開口が前記アクセラレータ・プレ
ートの開口の直径より小さい直径となっていることを特徴とする電子検出器。 - 【請求項5】 請求項1〜4のうちいずれか1つに記載の電子検出器におい
て、さらに、試料を照射してこの試料から前記電子の放射を生じさせる照射手段
を包含することを特徴とする電子検出器。 - 【請求項6】 請求項4および5に記載の電子検出器において、前記照射手
段が、前記アクセラレータおよび偏向板の前記開口を通過する照射光線を発生す
るように配置してあることを特徴とする電子検出器。 - 【請求項7】 請求項5または6に記載の電子検出器において、前記照射光
線を合焦する手段を包含することを特徴とする電子検出器。 - 【請求項8】 請求項5、6または7のいずれかに記載の電子検出器におい
て、前記照射手段が電子銃からなることを特徴とする電子検出器。 - 【請求項9】 請求項8に記載の電子検出器において、前記アクセラレータ
・プレートおよび前記試料が陰極レンズを形成していることを特徴とする電子検
出器。 - 【請求項10】 請求項1〜9のうちいずれか1つに記載の電子検出器にお
いて、対称軸まわりの回転対称を有することを特徴とする電子検出器。 - 【請求項11】 実質的に添付図面に関して説明した電子検出器。
- 【請求項12】 請求項1〜11のうちいずれか1つに記載の電子検出器を
備えた電子顕微鏡。 - 【請求項13】 請求項12に記載の電子顕微鏡において、前記検出器が、
顕微鏡の主軸線上に対称的に装置してあることを特徴とする電子顕微鏡。 - 【請求項14】 実質的に添付図面に関して説明した電子顕微鏡。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012248304A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Horon:Kk | 電子検出装置および電子検出方法 |
JP2017135048A (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 株式会社ホロン | 電子検出装置および電子検出方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6667476B2 (en) * | 1998-03-09 | 2003-12-23 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
WO2001082327A2 (en) * | 2000-04-24 | 2001-11-01 | Fei Company | Collection of secondary electrons through the objective lens of a scanning electron microscope |
US6633034B1 (en) * | 2000-05-04 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for imaging a specimen using low profile electron detector for charged particle beam imaging apparatus including electrostatic mirrors |
EP1288996B1 (en) * | 2001-09-04 | 2006-03-22 | Advantest Corporation | Particle beam apparatus |
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JP4200104B2 (ja) | 2003-01-31 | 2008-12-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
KR100926748B1 (ko) * | 2004-08-11 | 2009-11-16 | 전자빔기술센터 주식회사 | 멀티 에스에프이디 |
JP5243793B2 (ja) * | 2004-07-05 | 2013-07-24 | シーイービーティー・カンパニー・リミティッド | マルチマイクロコラムにおける電子ビームの制御方法及びこの方法を利用したマルチマイクロコラム |
US8642959B2 (en) * | 2007-10-29 | 2014-02-04 | Micron Technology, Inc. | Method and system of performing three-dimensional imaging using an electron microscope |
US8222600B2 (en) * | 2009-05-24 | 2012-07-17 | El-Mul Technologies Ltd. | Charged particle detection system and method |
JP5663412B2 (ja) * | 2011-06-16 | 2015-02-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
EP2734836A4 (en) * | 2011-07-21 | 2015-07-22 | Univ Columbia | METHOD OF COLLECTING AND PROCESSING ELECTRON DIFFACTION DATA |
EP2682978B1 (en) * | 2012-07-05 | 2016-10-19 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Contamination reduction electrode for particle detector |
JP6027150B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2016-11-16 | 内海 孝雄 | 低エネルギー電子ビームリソグラフィ |
Family Cites Families (16)
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---|---|---|---|---|
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WO1984000443A1 (en) * | 1982-07-16 | 1984-02-02 | Lintech Instr Ltd | Electron beam apparatus and electron collectors therefor |
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DE3638682A1 (de) | 1986-11-13 | 1988-05-19 | Siemens Ag | Spektrometerobjektiv fuer korpuskularstrahlmesstechnik |
US4831267A (en) * | 1987-02-16 | 1989-05-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Detector for charged particles |
US4988868A (en) * | 1989-05-15 | 1991-01-29 | Galileo Electro-Optics Corp. | Ion detector |
JP2919170B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1999-07-12 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
JP3081393B2 (ja) * | 1992-10-15 | 2000-08-28 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
US5408098A (en) | 1993-09-10 | 1995-04-18 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for detecting low loss electrons in a scanning electron microscope |
JP3291880B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2002-06-17 | 株式会社日立製作所 | 走査形電子顕微鏡 |
US5466940A (en) * | 1994-06-20 | 1995-11-14 | Opal Technologies Ltd. | Electron detector with high backscattered electron acceptance for particle beam apparatus |
EP0769799B1 (en) * | 1995-10-19 | 2010-02-17 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
US6172363B1 (en) * | 1996-03-05 | 2001-01-09 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern |
DE69719222T2 (de) * | 1996-11-06 | 2003-07-24 | Hamamatsu Photonics K.K., Hamamatsu | Elektronenvervielfacher |
IL124333A0 (en) * | 1998-05-05 | 1998-12-06 | El Mul Technologies Ltd | Charges particle detector |
JP2000034660A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Uni Charm Corp | 湿式不織布の製造方法および製造装置 |
-
1997
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-
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012248304A (ja) * | 2011-05-25 | 2012-12-13 | Horon:Kk | 電子検出装置および電子検出方法 |
JP2017135048A (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 株式会社ホロン | 電子検出装置および電子検出方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US6570163B1 (en) | 2003-05-27 |
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EP1012867B1 (en) | 2006-03-08 |
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