JP2001356057A - 赤外線イメージセンサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱検知素子が形成されたメンブレン上に赤外
線吸収用の金属黒吸収膜を形成した構成において、熱検
知素子の有効面積を増大することができるようにする。 【解決手段】 Ｓｉ基板９ａ上にはメンブレン１６ａ及
び当該メンブレン１６ａを支持するための梁１０１が形
成されていると共に、メンブレン１６ａ上にはＰｔ／Ｔ
ｉ膜１０３が蛇行パターンで形成されている。梁１０１
をレジスト１０２で被覆してからＰｔ／Ｔｉ膜１０３に
白金黒吸収膜１０４を形成する。このとき、Ｐｔ／Ｔｉ
膜１０３は隣接するＰｔ／Ｔｉ膜１０３との間の寸法が
白金黒吸収膜１０４の目標厚さ寸法の２倍以内に設定さ
れているので、Ｐｔ／Ｔｉ膜１０３の上面に白金黒吸収
膜１０４が目標厚さ寸法まで成長したときは、メンブレ
ン１６ａ全体に白金黒吸収膜１０４を形成することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線をメンブレ
ンからなる熱検知素子が吸収することにより信号を得る
赤外線イメージセンサ及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の赤外線イメージセンサでは、基
板に断熱構造で支持されたメンブレン（熱分離構造部）
の吸熱効率を高めるために、メンブレン上に光吸収層を
形成するようにしている。この光吸収層として、金属材
料を真空蒸着或いは電着によりポーラス状に形成した金
属黒と称されるものがある。この金属黒は、入射した光
を乱反射しながら吸収することから、光を熱エネルギに
効率よく変換することができる。この金属黒として金を
用いた場合には金黒と称され、白金を用いた場合には白
金黒と称されるものであり、赤外線に対して高い吸収率
を持つものとして知られている技術である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、特開平６−
３４２９４２号公報のものでは、白金黒を電気化学的処
理において成膜する技術を開示している。つまり、メン
ブレンが形成された構造体に白金電極を施して電気メッ
キを行うことにより、白金電極に白金黒を電着すること
により白金黒吸収膜を形成するようにしている。

【０００４】しかしながら、白金電極はメンブレン上に
面状に形成するようにしているので、白金電極は比較的
大きな残留応力を有している。このため、メンブレンが
白金電極の残留応力により変形して熱検知素子の有効面
積（フィルファクタ）が小さくなってしまうので、検出
感度が低下するという欠点がある。

【０００５】また、メンブレンはエッチングホールを通
じたエッチングにより基板からフローティングしている
と共にメンブレンは梁により支持されているので、それ
らの領域の分だけ熱検知素子の有効面積は小さくなって
しまい、同様に検出感度が低下している。

【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、熱検知素子が形成されたメンブレン上
に電極を形成し、その電極上に赤外線吸収用の金属黒吸
収膜を形成した構成において、熱検知素子の有効面積を
増大することができる赤外線イメージセンサ及びその製
造方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば、赤外線イメージセンサにおいて、金属黒吸収膜形成
用の電極は、パターン間の幅寸法が金属黒吸収膜の厚さ
寸法の２倍以内に設定された所定のパターン形状に形成
されているので、電極に金属黒吸収膜を成長させた状態
では、パターン間ひいてはメンブレン全体に金属黒吸収
膜を形成することができる。この場合、メンブレン全体
に金属黒吸収膜を形成しながら、電極の面積を小さく設
けることができるので、電極の残留応力を抑制してメン
ブレンの変形を防止することができる。

【０００８】請求項２の発明によれば、金属黒吸収膜
は、メンブレンを支持する梁及び当該梁に隣接して形成
されたメンブレン形成用のエッチングホール上にも空間
を存して形成されているので、熱検知素子の有効面積
（フィルファクタ）を高めることができる。これによ
り、赤外線イメージセンサの感度を高めることができ
る。

【０００９】請求項３の発明によれば、メンブレンを支
持する梁及び当該梁に隣接して形成されたメンブレン形
成用のエッチングホールを合わせた幅寸法は、金属黒吸
収膜の厚さ寸法の２倍以内に設定されているので、電極
に金属黒吸収膜を形成した状態では、メンブレンに加え
て梁及びエッチングホール上にも空間を存して金属黒吸
収膜を形成することができる。

【００１０】請求項４の発明によれば、梁及びエッチン
グホールを金属黒吸収膜の厚さ寸法よりも薄いレジスト
により被覆した状態で金属黒吸収膜を成長させたとき
は、金属黒吸収膜がレジスト上にも成長させることがで
きる。そして、レジストを除去することにより、金属黒
吸収膜を梁及びエッチングホール上に空間を存して形成
することができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、本発
明を車両用の赤外線検出装置に適用した第１の実施の形
態を図１乃至図１６を参照して説明する。車室内を示す
図２において、車室の天井には赤外線検出装置１，２が
配置されている。これらの赤外線検出装置１，２は車室
の天井において前席及び後席に対応した位置に取付けら
れている。この場合、前席用赤外線検出装置１の検出対
象領域は運転席及び助手席周辺に設定されている。ま
た、後席用赤外線検出装置２の検出対象領域は後席の右
側席及び左側席周辺に設定されている。

【００１２】図３は赤外線検出装置１，２の構造を示し
ている。この図３において、ベースホルダ３は取付ステ
イ４により車両のルーフに取付けられている。このベー
スホルダ３は断熱部材５を内蔵しており、角度調整ネジ
６により天井に対する取付角度が調整可能となってい
る。

【００１３】断熱部材５には膨出形成された伝熱基板７
が取着されており、その伝熱基板７の裏面にフレキシブ
ルプリント基板８が添着されている。このフレキシブル
プリント基板８には赤外線イメージセンサ９が固定され
ており、その赤外線イメージセンサ９がフレキシブルプ
リント基板８及び伝熱基板７に設けられた窓部１０，１
１を通じて外方を臨んでいる。また、フレキシブルプリ
ント基板８には電子部品１２が搭載されている。

【００１４】上記構成の装置全体にはカバー１３が被着
されている。このカバー１３の窓部１４には集光レンズ
１５が装着されており、この集光レンズ１５により赤外
線イメージセンサ９上に検出対象領域の熱画像が結像す
るようになっている。この集光レンズ１５は高密度ポリ
エチレン、カルコゲンガラス、ＢａＦ2 、ＺｎＳなどか
ら成る赤外線用の集光レンズであり、球面、非球面、或
いはフレネル形状をなしている。

【００１５】図４は赤外線検出装置１の全体構成を概略
的に示している。この図４において、赤外線イメージセ
ンサ９は、熱検知素子１６が例えば１５×１０個のよう
に２次元のマトリクス状に集合した形状をしており、座
席周辺から発せられる赤外線を集光レンズ１５で集光し
て熱検知素子１６上に熱画像として結像する。この場
合、集光レンズ１５は、例えば５００ｍｍはなれた位置
で７５０×５００ｍｍの範囲を熱検知素子１６全体に集
光できるように設計されている。従って、赤外線イメー
ジセンサ９の熱検知素子１６の個数が１５×１０個とす
ると、１つの熱検知素子１６で検出できる範囲（検出分
解能）は５０ｍｍ四方となる。また、赤外線イメージセ
ンサ９において熱検知素子１６の周辺には、信号発生回
路１７及び選択回路１８が設置されている。

【００１６】熱検知素子１６は、図５に示すようにＳｉ
基板９ａ上にＰＳＧ薄膜からなるメンブレン１６ａ、金
属薄膜抵抗部（熱検知部に相当）１６ｂ、赤外線吸収膜
１６ｃを形成してから、メンブレン１６ａの裏面側をエ
ッチングにより除去することによりメンブレン１６ａが
Ｓｉ基板９ａからエアギャップを存して位置する断熱構
造に形成されている。

【００１７】図６は赤外線イメージセンサ９の電気的構
成を概略的に示している。この図６において、赤外線イ
メージセンサ９の熱検知素子１６の金属薄膜抵抗部１６
ｂは選択回路１８を構成するＸリングカウンタ１８ａ及
びＹリングカウンタ１８ｂによりＦＥＴ１９を通じて択
一的に順番に選択されるようになっており、選択された
熱検知素子１６からの信号を図４に示す信号検出・処理
回路２０に順に取込むことにより、熱検知素子１６に設
定された検出対象領域の温度分布を検出することができ
る。

【００１８】即ち、図４において、信号検出・処理回路
２０は、信号増幅器２１、信号処理回路２２、データ送
信回路２３から構成されており、信号処理回路２２にお
いて赤外線イメージセンサ９が検出した温度分布に基づ
いて熱画像データを作成するようになっている。そし
て、各種システム制御回路２４は、信号検出・処理回路
２０から与えられる熱画像データに基づいて後述するよ
うに所定の車両用システムを制御する。

【００１９】尚、上記赤外線イメージセンサ９において
熱検知素子１６の抵抗値の変化により絶対温度を得るた
めには、入射した赤外線による温度変化のみを検出する
必要がある。このため、このようなボロメータタイプの
センサでは、熱検知素子１６に加えて基板上に図示しな
いリファレンス素子を設けており、熱検知素子１６とリ
ファレンス素子との抵抗変化の差をとることにより絶対
値を得ることができるようになっている。

【００２０】次に上記構成の作用について説明する。例
えば運転席に運転者が着座した状態では、運転者から発
せられた赤外線が前席用赤外線検出装置１の集光レンズ
１５を通じて赤外線イメージセンサ９に到達する。

【００２１】赤外線イメージセンサ９の熱検知素子１６
にあっては、入射した赤外線を吸収膜１６ｃで吸収する
ことにより熱に変換し、その熱により金属薄膜抵抗部１
６ｂの温度が上昇して抵抗値が変化するので、熱検知素
子１６からの検出出力（センサ信号）を信号検出・処理
回路２０に順に出力することにより検出対象領域の温度
分布を検出することができる。

【００２２】そして、信号検出・処理回路２０は、全て
の熱検知素子１６からの検出出力を取込むことにより検
出対象領域の熱画像データを作成する。つまり、赤外線
イメージセンサ９が検出した温度分布データを信号増幅
器２１で増幅してから信号処理回路２２で処理すること
により熱画像データを作成する。この熱画像データは、
データ送信回路２３により各種システム制御回路２４に
送信され、検出対象領域に位置する人の位置検出に用い
る。

【００２３】具体的には、エアバッグシステムにおいて
は、信号検出・処理回路２０からの熱画像データを取得
してから、その熱画像データを温度に換算し、顔或いは
体に相当する温度を検索する。

【００２４】続いて、顔、体の位置からエアバッグまで
の距離を計算してから、エアバッグの展開条件を決定し
て制御パラメータを設定する。この制御パラメータとし
ては、顔や体がエアバッグに接近しすぎているという条
件の場合は、エアバッグシステムを作動させなかった
り、或いはエアバッグの展開速度を抑制したり、ガスの
噴射総量を少なめに設定することである。

【００２５】従って、エアバッグが作動するタイミング
で例えば運転者がステアリングホイールに接近して運転
していたときは、エアバッグが作動しなかったり、エア
バッグの展開速度が抑制されたり、ガスの噴射総量は少
なめとなるので、最適なエアバックの作動が可能とな
る。

【００２６】また、エアコンシステムにおいては、信号
検出・処理回路２０からの熱画像データを取得すると共
に、検出対象領域の絶対温度に換算してから、エアコン
の配向・温度を制御する。

【００２７】即ち、人の着座位置に集中的に空調風を送
風するのに加えて、人の体或いは頭部の位置に応じて配
向を調整すると共に、人の皮膚温度において他の部位に
比較して大きな温度差を有する部位がある場合には、そ
の部位の温度差を解消するように適切な空調風を送風す
る。

【００２８】従って、人の着座位置、体格、皮膚温度に
かかわらず適切な温度、送風強度の空調風を送風するこ
とができるので、車両内の全ての人が快適と感じること
ができる。

【００２９】また、セキュリティシステムにおいては、
信号検出・処理回路２０からの熱画像データを取得する
と共に、出力時間／単位時間を計算してから、侵入物か
ノイズかを判断し、侵入物であると判断したときは警報
を発令する。

【００３０】即ち、例えば人が降車した状態で日差しの
侵入により赤外線イメージセンサ９の検出対象領域の温
度が上昇したときは、その領域全体の温度が略均一に徐
々に上昇することから日差しであると判断でき、警報を
発令することはない。これに対して、赤外線イメージセ
ンサ９の検出対象領域の一部の温度が一気に上昇すると
共にその高熱部分が移動するようなときは、侵入者であ
ると判断でき、警報を発令する。

【００３１】ところで、上記赤外線イメージセンサ９に
おいては、熱検知素子１６に効率よく赤外線を吸収して
温度変化を起こすためには、メンブレン１６ａ上に形成
された高効率の赤外線吸収膜１６ｃとしては、強固な構
造でパターニングが可能であり、且つ高い赤外線吸収能
力を有しながら、メンブレン１６ａ上に制御の容易な工
程を用いて歩留まりよく形成する必要がある。そこで、
本実施の形態では、赤外線吸収膜１６ｃとして高吸収率
が期待できる白金黒を電着法を用いメンブレン１６ａ上
のみに強固に成膜するようにした。

【００３２】図７及び図８は白金黒の成膜工程を示して
おり、以下に説明する。 （ａ）シリコンウェハに熱酸化膜を形成する。 （ｂ）熱酸化膜をエッチングすることにより犠牲層エリ
アを形成する（図９参照）。 （ｃ）ＣＶＤによりポリシリコン犠牲層を形成する。 （ｄ）フォトエッチングにより素子エリア外のポリシリ
コン犠牲層をエッチングホールを成形する（図１０参
照）。 （ｅ）ＣＶＤによりＰＳＧ膜を両面に形成する。 （ｆ）スパッタまたは真空蒸着により金属薄膜抵抗部と
なるＰｔ／Ｔｉ膜を形成する（アニール処理有り）。

【００３３】（ｇ）フォトエッチングにより金属薄膜抵
抗部及び端子を形成する（図１１参照）。 （ｈ）ＣＶＤによりＰＳＧ膜を両面に形成してから、端
子にコンタクトホールを形成する。 （ｉ）スパッタまたは真空蒸着により白金黒電着用電極
となるＰｔ／Ｔｉ膜を形成する。

【００３４】ここで、Ｐｔ／Ｔｉ膜を蛇行パターンとな
るように形成した。この場合、Ｐｔ／Ｔｉ膜間の寸法
は、白金黒の目標厚さ寸法の２倍以内となるように設定
されている（図１２参照）。 （ｊ）フォトエッチングによりエッチングホールを形成
する（図１３参照）。 （ｋ）白金黒用レジストをフォトエッチングにより形成
する（図１４参照）。この場合、白金黒の膜厚５μｍよ
りもレジストが厚くなるようにする。

【００３５】（ｌ）Ｐｔ／Ｔｉ膜に白金黒を電着する
（図１５の斜線領域）。 この場合、赤外線の吸収率を確保するためには白金黒の
膜厚は１〜１５μｍがよく、特に３〜５μｍにすること
により、吸収率９５％、熱時定数３０ｍsec をともに満
足することができる。この場合の条件としては、電流密
度０．１〜５ｍＡ／ｍｍ² がよく、特に０．２〜０．５
μｍにすることにより、以下の工程で白金黒の剥離が生
じることを防止できる。このとき、電着時間は１０分程
度で膜厚が５μｍとなる。尚、このときの電着液にはフ
ロロ白金塩電着液（Ｈ₂ ＰｔＣｌ ₆ in １mol/l ＨＣ
ｌ）１００ｍｌに添加剤として（ＣＨ₃ ＣＯＯ）₄ Ｐｂ
を０．０２５ｇ添加したものを用いた。

【００３６】（ｍ）アッシャー及び剥離液により白金黒
用レジストを剥離する（図１６参照）。 （ｎ）フォトエッチングにより不要部分の白金黒電着用
電極を剥離する。尚、この工程は、予め白金黒吸収膜の
膜厚をエッチングされる分だけ、多めに成膜することに
より省くことができる。 （ｏ）エッチングによりキャビティを形成する。

【００３７】以上のような製造方法により、メンブレン
１６ａ上のみに白金黒吸収膜を成膜することにより赤外
線吸収膜１６ｃを形成することができる。そして、上述
のようにして形成された複数の熱検知素子１６をチップ
単位にダイシングしてパッケージングすることにより赤
外線イメージセンサ９を製造することができる。

【００３８】ここで、図１は図１５中のＡ−Ａ断面を示
しており、Ｐｔ／Ｔｉ膜に白金黒が成長する過程を示し
ている。尚、金属薄膜抵抗部１６ｂの図示は省略してい
る。この図１において、メンブレン１６ａを支持するた
めの梁１０１にレジスト１０２を被覆した状態でＰｔ／
Ｔｉ膜（電極に相当）１０３に白金黒吸収膜（金属吸収
膜に相当）１０４を成長させると、白金黒吸収膜１０４
はＰｔ／Ｔｉ膜１０３の表面全体で成長することから、
Ｐｔ／Ｔｉ膜１０３の側面も上面と同様に成長する。つ
まり、白金黒吸収膜１０４は、隣接するＰｔ／Ｔｉ膜１
０３の側面から同時に成長することになる。この場合、
Ｐｔ／Ｔｉ膜１０３の間隔は、白金黒吸収膜１０４の目
標厚さ寸法の２倍以内に設定されているので、Ｐｔ／Ｔ
ｉ膜１０３の上面に白金黒吸収膜１０４が目標厚さ寸法
に成長したときには、Ｐｔ／Ｔｉ膜１０３の側面に成長
した白金黒吸収膜１０４は隣接したＰｔ／Ｔｉ膜１０３
の側面に成長した白金黒吸収膜１０４と連結するように
なる。この結果、Ｐｔ／Ｔｉ膜１０３を蛇行パターン形
状に形成しながら、白金黒吸収膜１０４をメンブレン１
６ａ全体に形成することができる。従って、メンブレン
１６ａ上に占めるＰｔ／Ｔｉ膜１０３の面積を小さく設
けることができるので、Ｐｔ／Ｔｉ膜１０３に残留が発
生するにしても、その影響は小さく、残留応力によるメ
ンブレン１６ａの変形を抑制することができる。

【００３９】このような実施の形態によれば、白金黒電
着用のＰｔ／Ｔｉ膜１０３を蛇行パターン形状で形成す
ることによりＰｔ／Ｔｉ膜１０３の面積が小さくなるよ
うにしたので、Ｐｔ／Ｔｉ膜１０３に残留応力が発生す
るにしても、残留応力の影響を抑制してメンブレン１６
ａが変形してしまうことを極力防止できる。従って、メ
ンブレン全体に金属黒電着用の電極を形成していた従来
例のものと違って、従来と同様にメンブレン１６ａ全体
に白金黒を形成しながら、熱検知素子１６の有効面積が
低下してしまうことを極力防止することができるので、
検出感度が低下してしまうことを防止できる。

【００４０】（第２の実施の形態）次に本発明の第２の
実施の形態を図１７乃至図１９を参照して説明する。こ
の第２の実施の形態の特徴は、白金黒の形成領域を拡大
して熱検知素子の有効面積（フィルファクタ）を拡大す
ることにある。

【００４１】即ち、第１の実施の形態では、図１に示し
たように、白金黒用レジストを形成する際に、レジスト
の厚さ寸法を白金黒の膜厚よりも厚くなるように形成し
たが、本実施の形態では、レジストを白金黒の膜厚寸法
よりも薄く形成した状態で白金黒を形成する。

【００４２】図１７は図１８におけるＡ−Ａ断面を示し
ており、Ｐｔ／Ｔｉ膜に白金黒が成長する過程を示して
いる。この図１７において、メンブレン１６ａを支持す
るための梁１０１にレジスト１０２を薄肉に被覆した状
態でＰｔ／Ｔｉ膜１０３に白金黒吸収膜１０４を成長さ
せると、Ｐｔ／Ｔｉ膜１０３の上面に成長した白金黒吸
収膜１０４は、図１７に示すように横方向に成長してレ
ジスト１０２上にも成長することから、白金黒吸収膜１
０４の目標厚さ寸法を５μｍ、レジスト１０２の厚さ寸
法を１μｍに設定すると、梁１０１及び当該梁１０１の
両側に位置するエッチングホールを合わせた横幅の合計
が８μｍ以内であれば、梁１０１及びエッチングホール
の両側から成長した白金黒吸収膜１０４が連結して梁１
０１及びエッチングホール上全体を被覆するようになり
（図１８参照）、フィルファクタはほぼ１００％とな
る。

【００４３】そして、レジスト１０２を除去することに
より、梁１０１及びエッチングホール上に白金黒吸収膜
１０４を空間を存して形成することができる（図１９参
照）。

【００４４】尚、メンブレン１６ａを囲繞するように形
成されたエッチングホールに関しては、メンブレン１６
ａ上の最端部に形成されたＰｔ／Ｔｉ膜１０３から白金
黒吸収膜１０４がエッチングホール上に成長するので、
エッチングホールの幅寸法が４μｍ以内であれば、メン
ブレン１６ａを囲繞するように形成されたエッチングホ
ール上にも白金黒吸収膜を形成することができる。

【００４５】このような実施の形態によれば、白金黒形
成時のレジスタの厚さ寸法を調整することにより梁及び
エッチングホール上にも白金黒を形成するようにしたの
で、メンブレン上のみに白金黒を形成する構成に比較し
て、熱検知素子の有効面積を増大することができる。

【００４６】尚、梁及びエッチングホールの幅寸法とし
て、両側に位置するＰｔ／Ｔｉ膜から成長した白金黒が
完全に連結しないような寸法に設定した場合であって
も、熱検知素子の有効面積を増大することができること
は勿論である。

【００４７】本発明は、上記各実施の形態に限定されも
のではなく、白金黒形成用の電極パターンとしては、蛇
行パターンに代えて、ループ状或いは格子状であっても
よい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における白金黒の成
長家庭を示す要部の拡大断面図

【図２】赤外線検出装置の配置位置及び検出対象領域を
示す車室内の斜視図

【図３】赤外線検出装置の断面図

【図４】全体構成を示す概略図

【図５】赤外線イメージセンサの構造を示す模式図

【図６】赤外線イメージセンサの電気的構成を示す概略
図

【図７】製造方法を示すウェハの模式的断面図（その
１）

【図８】製造方法を示すウェハの模式的断面図（その
２）

【図９】犠牲層エリアを示すウェハの模式的斜視図

【図１０】エッチングホールを示すウェハの模式的斜視
図

【図１１】金属薄膜抵抗部を示すウェハの模式的斜視図

【図１２】Ｐｔ／Ｔｉ膜を示すウェハの模式的斜視図

【図１３】エッチングホールを示すウェハの模式的斜視
図

【図１４】レジストを示すウェハの模式的斜視図

【図１５】白金黒を示すウェハの模式的斜視図

【図１６】レジストを剥離して示すウェハの模式的斜視
図

【図１７】本発明の第２の実施の形態における図１相当
図

【図１８】図１５相当図

【図１９】図１６相当図

【符号の説明】

１，２は赤外線検出装置、９は赤外線イメージセンサ、
１５は集光レンズ、１６は熱検知素子、１６ａはメンブ
レン、１６ｂは金属薄膜抵抗部（熱検知部）、１６ｃは
赤外線吸収膜、１０１は梁、１０２はレジスタ、１０３
はＰｔ／Ｔｉ膜（電極）、１０４は白金黒吸収膜（金属
黒吸収膜）である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西井 克昌 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 2G066 BA09 BA51 BA55 BB09 4M118 AA01 AA10 AB01 BA05 CA14 CA35 CB14 FB09 FB13 5C024 AX06 CX41 GX02 GX08

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に断熱構造で支持された薄膜からな
   るメンブレン上に熱検知部が形成され、その熱検知部に
   電極が形成され、その電極上に赤外線吸収用の金属黒吸
   収膜が形成された熱検知素子を複数組合わせてなる赤外
   線イメージセンサにおいて、 前記電極は、パターン間の幅寸法が前記金属黒吸収膜の
   厚さ寸法の２倍以内に設定された所定のパターン形状に
   形成されていることを特徴とする赤外線イメージセン
   サ。
2. 【請求項２】 基板に断熱構造で支持された薄膜からな
   るメンブレン上に熱検知部が形成され、その熱検知部上
   に電極が形成され、その電極上に赤外線吸収用の金属黒
   吸収膜が形成された熱検知素子を複数組合わせてなる赤
   外線イメージセンサにおいて、 前記金属黒吸収膜は、前記メンブレンを支持する梁及び
   当該梁に隣接して形成された前記メンブレン形成用のエ
   ッチングホール上にも空間を存して形成されていること
   を特徴とする赤外線イメージセンサ。
3. 【請求項３】 前記梁及び前記エッチングホールを合わ
   せた幅寸法は、前記金属黒吸収膜の厚さ寸法の２倍以内
   に設定されていることを特徴とする請求項２記載の赤外
   線イメージセンサ。
4. 【請求項４】 請求項２または３記載の赤外線イメージ
   センサにおいて、 前記梁及び前記エッチングホールを前記金属黒吸収膜の
   厚さ寸法よりも薄いレジストにより被覆した状態で前記
   金属黒薄膜を成長させてから、前記レジストを除去した
   ことを特徴とする赤外線イメージセンサの製造方法。