JP2001339639A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/571—Control of the dynamic range involving a non-linear response
- H04N25/573—Control of the dynamic range involving a non-linear response the logarithmic type
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Abstract
ックレンジが足りず、ログアンプを用いたAPSでは、
コントラストが悪く、画質に問題があるため、従来で
は、使用目的に応じて画素部を別々の構成としなければ
ならない。 【解決手段】 リセット用トランジスタM111〜M2
21のうち、同じ行に配列されたトランジスタM111
とM211(M121とM222)のゲートに、このト
ランジスタをサブスレッショルド領域で動作する電源電
位Vddを同時に印加するオン状態か、あるいはオフ状
態にスイッチング制御される、トランジスタM110
(M120)と、トランジスタM111とM211(M
121とM222)のゲートに、リセットパルスを同時
に印加するオン状態か、あるいはオフ状態にスイッチン
グ制御される、トランジスタM010(M020)を設
ける。これらのトランジスタは、一方をオン状態、他方を
オフ状態に選択制御される。
Description
り、特にCMOSイメージセンサと称する固体撮像装置
に関する。
センサ)は、規則的に配列された多数の画素のフォトダ
イオードで光電変換されて得られた信号を、画素部で検
出・増幅して撮像信号として出力する。従来の固体撮像
装置の画素部の各画素は、図3(a)に示す等価回路の
リニアアンプを用いたアクティブピクセルセンサ(AP
S)か、同図(b)に示す等価回路のログアンプを用い
たAPSにより構成されている。
用いたAPSでは、電界効果トランジスタ(FET)M
1とM2の各ドレインが電源電圧Vddに接続され、ト
ランジスタM1のソースとトランジスタM2のゲート
が、画素を構成するフォトダイオードD1のカソードに
接続されている。更に、トランジスタM2のソースが、ト
ランジスタM3のドレイン、ソースを通して出力側に接
続されている。
ついて説明するに、まず、トランジスタM1のゲートに
端子1を介してリセットパルスが印加され、トランジス
タM1がオンになり、トランジスタM1のドレイン、ソ
ースを介してフォトダイオードD1のカソードの電圧が
電源電位Vddにされる(リセットされる)。なお、こ
のとき、トランジスタM3はオフである。続いて、トラン
ジスタM1のゲートへのリセットパルスが消失してトラ
ンジスタM1がオフとなり、これにより、フォトダイオ
ードD1のカソード電位がVddに維持される。
照射され、フォトダイオードD1が入射光を光電変換し
て、照射光量(強度×時間)に比例した電荷Qがフォト
ダイオードD1に蓄積され、フォトダイオードD1のカ
ソードの電位がQ/Cなる電圧変化を起こす(ただし、
CはフォトダイオードD1の容量である。)。
ッチングパルスが端子2を介してトランジスタM3のゲ
ートに印加されることにより、フォトダイオードD1の
上記のカソード電圧変化分が、トランジスタM2と負荷
トランジスタ(図示せず)からなるソースフォロワ回路
及びトランジスタM3を通して映像信号として出力され
る。
たAPSでは、電界効果トランジスタ(FET)M4と
M5の各ドレインとM4のゲートが電源電圧Vddに接
続され、トランジスタM4のソースとトランジスタM5
のゲートが、画素を構成するフォトダイオードD1のカ
ソードに接続されている。更に、トランジスタM5のソー
スが、トランジスタM3のドレイン、ソースを通して出
力側に接続されている。
いて説明するに、トランジスタM4のゲートには一定の
電源電圧Vddがバイアス電圧として印加されており、
トランジスタM4はオン状態となる以前のサブスレッシ
ョルド領域で動作する。このサブスレッショルド領域で
は、ドレイン電流はゲート・ソース間の電圧に対して、指
数関数的に増大する(対数曲線を示す)。
に光が照射されると、フォトダイオードD1で光電変換
された電流が流れ、この時のM4のソース電圧-D1の光
電流(ドレイン電流)の関係は、対数曲線を示し、非常に
広いダイナミックレンジが得られる。この時のフォトダ
イオードD1のカソード電圧は、水平ライン読み出しの
ためのスイッチングパルスが端子2を介してトランジス
タM3のゲートに印加されてM3がオンされることによ
り、トランジスタM5と負荷トランジスタ(図示せず)
からなるソースフォロワ回路及びトランジスタM3を通
して映像信号として出力される。このログアンプを用い
たAPSでは、120dBのダイナミックレンジのもの
が報告されている(佐々木正明他、「対数圧縮CMOS
イメージセンサとその応用」、IPU99-63)。
アアンプを用いたAPSによる画素部を有する従来の固
体撮像装置では、画質は良いが、ダイナミックレンジが
足りないという問題がある。一方、上記のログアンプを用
いたAPSによる画素部を有する従来の固体撮像装置で
は、広いダイナミックレンジが得られる反面、コントラ
ストが悪く、画質に問題がある。このため、従来の固体撮
像装置では、使用目的に応じて、画質を優先するときに
は、画素部をリニアアンプを用いたAPSとし、ダイナ
ミックレンジを優先するときには、画素部をログアンプ
を用いたAPSとする別々の構成としなければならな
い。
使用目的に応じて最適な画素構成を選択し得る固体撮像
装置を提供することを目的とする。
り得る固体撮像装置を提供することにある。
成するため、二次元マトリクス状に配列された複数の画
素をそれぞれ構成する複数のフォトダイオードのカソー
ド電位を、対応するソースフォロワ回路を通して映像信
号として出力する画素部を備えた固体撮像装置におい
て、複数のフォトダイオードの各カソード側に設けられ
た、リセットパルスによりスイッチングする複数のリセ
ット用トランジスタと、複数のリセット用トランジスタ
のうち、同じ行に配列された複数のリセット用トランジ
スタのゲートに、このリセット用トランジスタをオン状
態となる以前のサブスレッショルド領域で動作させるべ
く電源電圧を同時に印加するオン状態か、あるいはこの
電源電圧の印加を禁止するオフ状態にスイッチング制御
される、各行毎に設けられた第1のスイッチング用トラ
ンジスタと、複数のリセット用トランジスタのうち、同
じ行に配列された複数のリセット用トランジスタのゲー
トに、リセットパルスを同時に印加するオン状態か、リ
セットパルスの通過を阻止するオフ状態にスイッチング
制御される、各行毎に設けられた第2のスイッチング用
トランジスタとを有し、手動又は自動により第1及び第
2のスイッチング用トランジスタの一方をオン状態、他
方をオフ状態に選択制御する構成としたものである。
ンジスタをオフ状態、第2のスイッチング用トランジス
タをオン状態としたときには、複数のリセット用トラン
ジスタのゲートにリセットパルスが第2のスイッチング
用トランジスタを通して同時に印加されるようにできる
ため、このときにはリニアアンプを用いた画素動作をさ
せることができる。また、第1のスイッチング用トラン
ジスタをオン状態、第2のスイッチング用トランジスタ
をオフ状態に制御したときには、同じ行の複数のリセッ
ト用トランジスタのゲートには、第1のスイッチング用
トランジスタを通して電源電圧がそれぞれ印加されて、
オン状態となる以前のサブスレッショルド領域でリセッ
ト用トランジスタを動作させるため、ログアンプを用い
た画素動作をさせることができる。また、このときリセ
ットパルスを不要にできる。
映像信号の1フィールド又は1フレーム内の最大輝度と
最小輝度の差を求め、その差が予め設定した参照電圧以
上かどうかに応じて異なる論理値の信号を出力する電圧
比較回路と、電圧比較回路の出力信号の論理値に応じて
上記の第1及び第2のスイッチング用トランジスタの一
方をオン状態、他方をオフ状態に選択制御するスイッチ
ング信号を出力する切替回路とを有する構成としたもの
である。
ックレンジに応じて、第1のスイッチング用トランジス
タをオン状態、かつ、第2のスイッチング用トランジス
タをオフ状態に自動的に制御するか、又は第1のスイッ
チング用トランジスタをオフ状態、かつ、第2のスイッ
チング用トランジスタをオン状態に自動的に制御するこ
とができる。
て図面と共に説明する。図1は本発明なる固体撮像装置
の一実施の形態のブロック図を示す。同図において、画
素部10は多数の画素が二次元マトリクス状に配列され
ており、各画素は後述の図2に示すように、リニアアン
プを用いたAPSと、ログアンプを用いたAPSのいず
れか一方に選択される構成とされ、更にロー(Row)
選択スイッチ、リセットスイッチ、方式選択スイッチな
ども含まれている。
に接続される一方、垂直シフトレジスタ(VSR)12
からの垂直パルスがロー選択スイッチに供給され、水平
シフトレジスタ(HSR)13からの水平パルスがコラ
ム(Column)選択スイッチ14を介して供給され、更に
負荷11にも供給される。更に、この実施の形態は、コラ
ム選択スイッチ14の出力映像信号と端子16からの参
照電圧とを比較する電圧比較回路15と、電圧比較回路
15の出力電圧に応じて、画素部10へ出力するスイッ
チングパルスa、方式選択パルスb及びリセットパルス
cの論理値を変化させる切替回路17とを有している。
1の各一部の一実施の形態の回路図を示す。図2には画
素部10の4画素分の画素回路を示している。すなわ
ち、フォトダイオードD11、D12、D21及びD2
2と、これらフォトダイオードD11、D12、D21
及びD22のカソードにソースが接続されているトラン
ジスタ(FET)M111、M121、M211及びM
221と、これらフォトダイオードD11、D12、D
21及びD22のカソードにゲートが接続されているト
ランジスタ(FET)M112、M122、M212及
びM222とが、上記の4つの画素を構成している。
M123、M213及びM223は、上記の4つの画素
に対応したロー選択スイッチで、それらのゲートには端
子r11、r12、r21、r22には、図1の垂直シ
フトレジスタ12からの垂直パルスが印加される。ま
た、垂直方向に配列されたトランジスタM113、M1
23等のソースは負荷トランジスタQ1のドレインに接
続され、垂直方向に配列されたトランジスタM213、
M223等のソースは負荷トランジスタQ2のドレイン
に接続されている。ソースが接地されているこれらの負
荷トランジスタQ1、Q2は、ゲートが端子25に共通
接続されており、この端子25には一定のバイアス電圧
が常時印加され、定電流源として動作するようにされて
いる。
態では、第1行に配列されているトランジスタM11
1、M211等の各ゲートが、スイッチング用トランジ
スタ(FET)M110のソースとトランジスタ(FE
T)とM010のソースにそれぞれ接続されている。同
様に、第2行に配列されているトランジスタM121、
M221等の各ゲートが、スイッチング用トランジスタ
(FET)M120のソースとトランジスタ(FET)
M020のソースにそれぞれ接続されている。更に、ト
ランジスタM110、M120の各ゲートは端子21に
共通接続されており、トランジスタM010、M020
の各ゲートは端子22に共通接続されている。
する。いま、撮影場面が暗く、画質を優先したいときに
は、切替回路17からローレベルのスイッチングパルス
aと、ハイレベルのスイッチングパルスbが出力される
と共に、リセットパルスcが順次に出力される。上記の
ローレベルのスイッチングパルスaは、図2の端子21
を介してトランジスタM110、M120等のゲートに
印加されて、これらのトランジスタM110、M120
をオフとする。また、これと同時に、上記のハイレベルの
スイッチングパルスbは、図2の端子22を介してトラ
ンジスタM010、M020等のゲートに印加されて、
これらのトランジスタM010、M020等をオンとす
る。
ルのリセットパルスcが端子23、24等から、オン状態
にあるトランジスタM010、M020等を介して同じ
水平ライン(行)にあるトランジスタM111、M21
2等、M121、M222等をそれぞれオンとして、そ
れらのトランジスタM111、M212、M121、M
222等のドレイン、ソースを介してフォトダイオード
D11、D21、D12、D22等のカソードの電圧が
電源電位Vddにされる(リセットされる)。なお、こ
のとき、トランジスタM131、M213、M123、
M223はオフである。続いて、上記のリセットパルス
cが消失してトランジスタM1がオフとなり、これによ
り、フォトダイオードD1のカソード電位がVddに維
持される。
21、D12、D22等に光が照射され、フォトダイオ
ードD11、D21、D12、D22等が入射光を光電
変換して、照射光量(強度×時間)に比例した電荷Qが
フォトダイオードD11、D21、D12、D22等に
蓄積され、フォトダイオードD11、D21、D12、
D22等のカソードの電位がQ/Cなる電圧変化を起こ
す。
らのハイレベルの垂直パルスが、ある1水平走査期間
(1H)は、端子r11、r21等を介して1行目の同
じ水平方向に配列されたトランジスタM113、M21
3等のゲートに印加されて、これらのトランジスタをオ
ンとするため、この1H期間では、1行目の水平方向に
配列されているフォトダイオードD11、D21の上記
のカソード電圧変化分が、トランジスタM113、M2
13等と負荷トランジスタQ1、Q2等からなるソース
フォロワ回路を通して、図1のコラム選択スイッチ14
へ映像信号として出力される。コラム選択スイッチ14
からは同じ水平ライン上の多数のフォトダイオードから
の電圧変化分が、1H内の映像期間内で順次切替出力さ
れる。
2からのハイレベルの垂直パルスが、端子r12、r2
2等を介して2行目の水平方向に配列されたトランジス
タM123、M223等のゲートに印加されて、これら
のトランジスタをオンとするため、この1H期間では、
2行目の水平方向に配列されているフォトダイオードD
12、D22の上記のカソード電圧変化分が、トランジ
スタM123、M223等と負荷トランジスタQ1、Q
2等からなるソースフォロワ回路を通して、図1のコラ
ム選択スイッチ14へ映像信号として出力される。コラ
ム選択スイッチ14からは2行目の水平ライン上の多数
のフォトダイオードからの電圧変化分が、1H内の映像
期間内で順次切替出力される。
のようにして、上記の場合は、リニアアンプを用いたA
PSによる動作が行われる。この動作状態において、例え
ば、太陽光や電球等明るい物体が撮影場面の中に入って
きた場合、コラム選択スイッチ14から出力された映像
信号の、1フィールド(フレーム)内の最大照度と最低
照度に対応する各信号電圧レベルの差が大きくなる。電
圧比較回路15では、この差を求め、更にこの差が端子1
6を介して入力される参照電圧と比較して、これよりも
大きい時には、明るい場面であると判断して、ハイレベ
ルの信号を切替回路17へ出力する。
により、ハイレベルのスイッチングパルスaと、ローレ
ベルのスイッチングパルスbを出力する。上記のハイレ
ベルのスイッチングパルスaは、図2の端子21を介し
てトランジスタM110、M120等のゲートに印加さ
れて、これらのトランジスタM110、M120等をオ
ンとする。また、これと同時に、上記のローレベルのスイ
ッチングパルスbは、図2の端子22を介してトランジ
スタM010、M020等のゲートに印加されて、これ
らのトランジスタM010、M020等をオフとする。
なると、リセットパルスがゲートに印加されるべきトラ
ンジスタM111、M211、M120、M221等の
ゲートには、リセットパルスに代えてトランジスタM1
10、M120のドレイン、ソースを介して電源電圧V
ddがバイアス電圧として印加され、トランジスタM1
11、M211、M120、M221等はオン状態とな
る以前のサブスレッショルド領域で動作する。このサブ
スレッショルド領域では、ドレイン電流はゲート・ソー
ス間の電圧に対して、指数関数的に増大する(対数曲線
を示す)。
1、D21、D12、D22に光が照射されると、フォ
トダイオードD11、D21、D12、D22で光電変
換された電流が流れ、この時のM111、M211、M
120、M221のソース電圧-D11、D21、D1
2、D22の光電流(ドレイン電流)の関係は、対数曲
線を示し、非常に広いダイナミックレンジが得られる。
トレジスタ12からのハイレベルの垂直パルスに基づ
き、ある1H期間では、1行目の水平方向に配列されて
いるフォトダイオードD11、D21のカソード電圧変
化分が、トランジスタM113、M213等と負荷トラ
ンジスタQ1、Q2等からなるソースフォロワ回路を通
して、図1のコラム選択スイッチ14へ映像信号として
出力され、次の1H期間では、2行目の水平方向に配列
されているフォトダイオードD12、D22のカソード
電圧変化分が、トランジスタM123、M223等と負
荷トランジスタQ1、Q2等からなるソースフォロワ回
路を通して、図1のコラム選択スイッチ14へ映像信号
として出力される。
平ライン上の多数のフォトダイオードからの電圧変化分
が、1H内の映像期間内で順次切替出力される。以下、上
記と同様の動作が繰り返される。このようにして、高輝
度の物体があるダイナミックレンジの広い場面では、ロ
グアンプを用いたAPS動作を画素部10に行わせるこ
とができる。この動作状態において、トランジスタM01
0及びM020はオフとされているため、リセットパル
スcによる動作は行われず、リセット回路の停止による
省電力化を図ることができる。
作状態において、明るい物体が無い撮影場面に移った場
合は、コラム選択スイッチ14から出力された映像信号
の、1フィールド(フレーム)内の最大照度と最低照度
に対応する各信号電圧レベルの差が小さくなる。このと
き、電圧比較回路15は、この差が端子16を介して入
力される参照電圧よりも小さくなり、暗い場面であると
判断して、ローレベルの信号を切替回路17へ出力す
る。
スイッチングパルスaと、ハイレベルのスイッチングパ
ルスbを出力すると共に、リセットパルスcが順次に出
力し、画素部10を前述したリニアアンプを用いたAP
Sの動作に切替制御する。
面の明るさ(あるいはダイナミックレンジ)に応じて簡
単にログアンプからリニアアンプへ、あるいはその逆に
切り替えることができ、また、この切り替えに際して
は、画素部10の各行毎に2個のトランジスタM010
(M020)及びM110(M120)を設けるだけで
よいため、画素部10の開口率の低下やデバイス面積の
増大によるコストの上昇が実質上ない。
れるものではなく、例えばリニアアンプとして使用する
か、ログアンプとして使用するかの切り替えを手動で行
うようにしてもよい。
画素部をリニアアンプを用いた画素動作か、ログアンプ
を用いた画素動作を選択的に行えるため、高画質の撮影
がしたいときにはリニアアンプを用いた画素動作に、高
輝度の物体があるときにはダイナミックレンジの広いロ
グアンプを用いた画素動作というように、一つの装置で
撮影対象に応じた最適な撮像動作を選択することができ
る。
第1のトランジスタと第2のトランジスタを各行毎に追
加するだけでよいので、画素部の開口率の低下や、固体撮
像装置デバイス面積の増大によるコスト上昇を実質的に
ゼロに抑えることができる。
た画素動作をさせるときには、リセットパルスを不要に
できるため、リセット回路の停止による省電力化を実現
できる。
一実施の形態の回路図である。
ングトランジスタ M110、M120 リニアアンプ・ログアンプ切替用
トランジスタ M111、M211、M121、M221、M112、
M212、M122、M222 トランジスタ M113、M213、M123、M223 ロー選択ス
イッチ用トランジスタ D11、D21、D12、D22 フォトダイオード
Claims (3)
- 【請求項1】 二次元マトリクス状に配列された複数の
画素をそれぞれ構成する複数のフォトダイオードのカソ
ード電位を、対応するソースフォロワ回路を通して映像
信号として出力する画素部を備えた固体撮像装置におい
て、前記複数のフォトダイオードの各カソード側に設け
られた、リセットパルスによりスイッチングする複数の
リセット用トランジスタと、 前記複数のリセット用トランジスタのうち、同じ行に配
列された複数のリセット用トランジスタのゲートに、こ
のリセット用トランジスタをオン状態となる以前のサブ
スレッショルド領域で動作させるべく電源電圧を同時に
印加するオン状態か、あるいはこの電源電圧の印加を禁
止するオフ状態にスイッチング制御される、各行毎に設
けられた第1のスイッチング用トランジスタと、 前記複数のリセット用トランジスタのうち、同じ行に配
列された複数のリセット用トランジスタのゲートに、前
記リセットパルスを同時に印加するオン状態か、前記リ
セットパルスの通過を阻止するオフ状態にスイッチング
制御される、各行毎に設けられた第2のスイッチング用
トランジスタとを有し、手動又は自動により前記第1及
び第2のスイッチング用トランジスタの一方をオン状
態、他方をオフ状態に選択制御することを特徴とする固
体撮像装置。 - 【請求項2】 前記映像信号の1フィールド又は1フレ
ーム内の最大輝度と最小輝度の差を求め、その差が予め
設定した参照電圧以上かどうかに応じて異なる論理値の
信号を出力する電圧比較回路と、前記電圧比較回路の出
力信号の論理値に応じて前記第1及び第2のスイッチン
グ用トランジスタの一方をオン状態、他方をオフ状態に
選択制御するスイッチング信号を出力する切替回路とを
有することを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 【請求項3】 前記切替回路は、前記差が前記参照電圧
以上である撮像場面のダイナミックレンジが大きいとき
の第1の論理値の前記電圧比較回路の出力信号が入力さ
れたときには、前記第1のスイッチング用トランジスタ
をオン、前記第2のスイッチング用トランジスタをオフ
とするスイッチング信号を出力して前記画素部をログア
ンプによる動作をさせ、前記差が前記参照電圧未満であ
る撮像場面のダイナミックレンジが小さいときの第2の
論理値の前記電圧比較回路の出力信号が入力されたとき
には、前記第1のスイッチング用トランジスタをオフ、
前記第2のスイッチング用トランジスタをオンとするス
イッチング信号を出力すると共に、前記リセットパルス
を出力して前記画素部をリニアアンプによる動作をさせ
ることを特徴とする請求項2記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000154023A JP4306090B2 (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001339639A true JP2001339639A (ja) | 2001-12-07 |
JP4306090B2 JP4306090B2 (ja) | 2009-07-29 |
Family
ID=18659181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000154023A Expired - Fee Related JP4306090B2 (ja) | 2000-05-25 | 2000-05-25 | 固体撮像装置 |
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2000
- 2000-05-25 JP JP2000154023A patent/JP4306090B2/ja not_active Expired - Fee Related
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