JP2001338898A - 球体の切断装置、球体の切断方法、これを用いた半導体装置の製造方法および太陽電池の製造方法 - Google Patents

球体の切断装置、球体の切断方法、これを用いた半導体装置の製造方法および太陽電池の製造方法

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Junichi Irie
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  • Photovoltaic Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 収率の向上をはかり、製造が容易で、信頼性
の高い半導体装置を提供する。特別な製造装置を必要と
することなく、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】 切断すべき球体を挿入するように形成さ
れた断面V字状の凹溝に太陽電池セルなどの球体を挿入
し、この凹溝内で樹脂とともに精度よく、球体を固着
し、固定した状態で切断刃により半球に２分割するよう
に構成したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は球体の切断装置、球
体の切断方法、これを用いた半導体装置の製造方法およ
び太陽電池の製造方法に係り、特に球体から半球を切断
する方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、半導体集積回路は、チョクラルスキ
ー（Ｃｚ）法などによって引き上げ形成された半導体単
結晶インゴットを、スライスして、半導体ウェハを形成
し、鏡面研磨などの表面処理を行なった後、素子領域の
形成、配線層の形成を経て、ダイシングを行ない、半導
体チップを形成し、この半導体チップをパッケージング
して形成される。
【０００３】収率を向上するため、前記半導体インゴッ
トの大口径化は進む一方であり、３００ｍｍの大口径の
ものも実用化への準備が進められている。しかしなが
ら、大口径の単結晶を欠陥なしに引き上げるには大規模
な炉をはじめとする特別の製造装置が必要であるうえ、
温度および引き上げ速度のコントロールが必要であり、
大口径化は限界にきている。
【０００４】また、欠陥が多く、デバイスとして使用で
きない部分も多く、材料の無駄も、大きい。このような
状況のもとで、従来のウェハを出発材料とする半導体チ
ップのコスト低減には限界があった。
【０００５】近年、単結晶シリコンなどの直径１ｍｍ以
下の球状の半導体（Ball Semiconductor）上に回路パタ
ーンを形成して半導体素子を製造する技術が提案されて
いる。しかしながら、球面上に回路を形成するのは、究
めて複雑な光学系のコントロールが必要であり、プロセ
ス技術の確立はまだ行なわれていないのが現状である。
【０００６】その１つとして、アルミ箔を用いて多数個
の半導体粒子を接続したソーラーアレーの製造方法が提
案されている（特開平６-１３６３３号）。この方法で
は、図１３に示すように、第１導電型表皮部と第２導電
型内部を有する半導体粒子２０７をアルミ箔の開口にア
ルミ箔２０１の両側から突出するように配置し、片側の
表皮部２０９を除去し、絶縁層２２１を形成する。次に
第２導電型内部２１１の一部およびその上の絶縁層２２
１を除去し、その除去された領域２１７に第２アルミ箔
２１９を結合する。その平坦な領域２１７が導電部とし
ての第２アルミ箔２１９に対し良好なオーミック接触を
提供するようにしたものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法では、高密度配置には限界があり、また、アル
ミ箔への位置決めが困難であり、多数個の半導体粒子を
実装する場合には特に作業性が悪いという問題があっ
た。
【０００８】また、さらなるコスト低減のために、球状
基板を２分割し半球状基板として使用した半導体装置が
提案されている。しかしながら、微細な球体を２分割す
るのは、位置ずれが生じ易く高精度の分割が困難である
上、作業性が悪いという問題があった。
【０００９】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、収率の向上をはかり、製造が容易で、信頼性の高い
半導体装置を提供することを目的とする。特別な製造装
置を必要とすることなく、信頼性の高い半導体装置を提
供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】そこで本発明の切断装置
は、切断すべき球体を挿入するように形成された断面V
字状の凹溝に太陽電池セルなどの球体を挿入し、この凹
溝内で樹脂とともに精度よく、球体を固着し、固定した
状態で切断刃により半球に２分割するように構成したこ
とを特徴とする。
【００１１】すなわち、本発明の第１の球体の切断装置
では、切断すべき球体を挿入するように形成された断面
V字状の凹溝と、前記凹溝の底部に沿って形成された案
内溝とを有する受け皿と、ダイシング用の切断刃と、前
記案内溝に相対向するように前記ダイシング用の切断刃
を位置決めし、前記切断を行なう位置決め切断機構とを
具備している。
【００１２】かかる構成によれば、断面V字状の凹溝を
用いているため、前記凹溝の側壁と球体との接する位置
で球体は保持され、位置決めが極めて容易となる。
【００１３】本発明の第２では、長手方向に複数個の前
記球体が挿入可能なように前記案内溝を形成するととも
に、前記切断刃を、前記球体を複数個一度に切断可能な
ように構成したことを特徴とする。
【００１４】かかる構成によれば、多数個の球体を容易
に高精度に配列することができ、高精度の切断が可能と
なる。
【００１５】本発明の第３では、さらに、前記受け皿の
上方に樹脂供給手段を具備し、前記案内溝に挿入されて
いる前記球体を樹脂固着可能に形成されていることを特
徴とする。
【００１６】かかる構成によれば、整列された球体をV
字状の凹溝内に樹脂で固着した状態で切断することがで
きるため、より高精度の切断が可能となる。
【００１７】本発明の第４では、前記案内溝は真空吸引
手段に接続され、前記案内溝内に球体を真空吸引によっ
て固定するように構成されていることを特徴とする。
【００１８】かかる構成によれば、球体を真空吸引によ
って固着することができるため、凹溝内に密着した状態
で切断することができるため、より高精度の切断が可能
となる。
【００１９】本発明の第５では、前記凹溝は円錐または
角錐状の個別溝であり、前記個別溝の頂部に、個別の吸
引口を有する真空吸引手段を具備してなることを特徴と
する。
【００２０】かかる構成によれば、前記個別溝の間隔を
調整することにより、所望の間隔だけ離間した整列状態
で分割することが可能となる。
【００２１】本発明の第６では、前記案内溝は、前記球
体の頂部の一部が前記受け皿の上面から露呈するように
形成されていることを特徴とする。
【００２２】かかる構成によれば、例えば切断に先立
ち、表面を受け皿の上面から突出した分だけ、研磨ある
いは選択エッチングし、内側層を露呈せしめる工程が極
めて容易に実行可能となり、容易に高精度の電極取出し
が可能となる。
【００２３】本発明の第７では、前記受け皿は前記案内
溝に沿って２分割可能であるとともに、前記切断面が上
方に配置されるように回転可能に形成されていることを
特徴とする。
【００２４】かかる構成によれば、切断後、受け皿を回
転することにより、切断により得られた半球の平坦面が
上にくるようにし、テープで一体化したりあるいは基板
上に実装したりするなど、整列状態で実装工程へと移行
させることが容易に可能となる。
【００２５】本発明の第８によれば、断面V字状の凹溝
と、前記凹溝の底部に沿って形成された案内溝とを有す
る受け皿を用意する工程と、前記案内溝に相対向するよ
うに前記ダイシング用の切断刃を位置決めする工程と、
前記凹溝内に球体を最密配置するように供給する球体供
給工程と、前記凹溝内に樹脂の供給し、硬化せしめる工
程と、前記案内溝に向けてダイシング用の切断刃を下降
せしめ、前記樹脂とともに前記球体を切断し半球を形成
する工程とを含むことを特徴とする。
【００２６】かかる構成によれば、極めて容易に精度よ
く球体から半球を得ることが可能となる。
【００２７】本発明の第９によれば、断面V字状の凹溝
と、切断すべき球体の頂部の一部が前記受け皿の上面か
ら露呈するように、前記凹溝の底部に沿って形成された
切断刃用の案内溝とを有し、前記案内溝に沿って２分割
可能なように形成された受け皿を用意する工程と、前記
案内溝に相対向するように前記ダイシング用の切断刃を
位置決めする工程と、前記凹溝内に球体を最密配置する
ように供給する球体供給工程と、前記凹溝内に樹脂の供
給し、硬化せしめる工程と、前記案内溝に向けてダイシ
ング用の切断刃を下降せしめ、前記樹脂とともに前記球
体を切断し半球に分割する工程と、前記受け皿を前記案
内溝に沿って分割し、前記半球の上面が平坦面となるよ
うに前記受け皿ごと回転させる工程と、前記上面を支持
板を固着し、前記樹脂を溶融せしめ、前記受け皿を離脱
せしめ、球体アレイを形成する工程とを含むことを特徴
とする。
【００２８】かかる構成によれば、切断後、受け皿を回
転することにより、切断により得られた半球の平坦面が
上にくるようにし、支持基板上に一体的に実装すること
ができ、整列状態で実装工程へと移行させることが容易
に可能となり、信頼性の高い球体アレイを得ることが可
能となる。
【００２９】本発明の第１０によれば、断面V字状の凹
溝と、切断すべき球体セルの頂部の一部が前記受け皿の
上面から露呈するように、前記凹溝の底部に沿って形成
された切断刃用の案内溝とを有し、前記案内溝に沿って
２分割可能なように形成された受け皿を用意する工程
と、前記案内溝に相対向するように前記ダイシング用の
切断刃を位置決めする工程と、少なくとも表面が第１導
電型の半導体層を構成する球状基板表面に、ｐｎ接合を
形成するように形成された第２導電型の半導体層と、前
記第２の半導体層表面に形成された透明導電膜からなる
外側電極とを形成した多数個の球体セルを用意する工程
と、前記セルを、前記受け皿に一列に敷き詰める工程
と、前記受け皿内に樹脂を充填し、敷き詰められた球体
セルと共に硬化せしめ、多数の太陽電池セルを一体的に
固着する工程と、樹脂で固着された状態で位置決めを行
い、前記案内溝に位置決めされた球体セルの中心を通る
切断面を形成するように樹脂とともに切断する工程と、
この切断面にテープを貼着する工程と、前記テープで固
定したまま、前記樹脂を除去し、前記第１導電型の半導
体層にコンタクトするように電極を形成する工程とを含
むことを特徴とする。
【００３０】かかる方法によれば、極めて容易に効率よ
く高精度に配列された太陽電池アレイを形成することが
可能となる。さらにまた、分断された２つの集合体はそ
れぞれ１つづつの太陽電池として用いられるため、材料
に無駄が無く、生産性も極めて高いものとなる。
【００３１】また、この方法によれば、マスク工程が不
要である。特に、球状体へのフォトリソグラフィ工程は
露光工程が極めて困難であるが、本発明の方法によれ
ば、フォトリソグラフィ工程を必要とすることなく、極
めて高効率の太陽電池を形成することが可能となる。
【００３２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００３３】実施形態１ 本発明の第１の実施形態の球体の切断装置は、図１に全
体図、図２に断面概要図を示すように、切断すべき球体
を挿入するように形成された断面V字状の凹溝２０と、
前記凹溝２０の底部に沿って形成された案内溝２１とを
有する受け皿２２と、ダイシング用の切断刃２３と、前
記案内溝２１に相対向するように前記ダイシング用の切
断刃２３を位置決めし、前記切断を行なう位置決め切断
機構２４とを具備している。この凹溝２０の長手方向に
球状のシリコンからなる太陽電池セルを一列に配列し、
樹脂ノズル２６からポリプロピレン樹脂などのワックス
樹脂を供給し、この凹溝２０内に固着した状態でし、切
断刃により一挙に半球に分割するようにしたことを特徴
とする。なおこの受け皿は案内溝２１を含む切断線で２
分割可能なように形成されている。
【００３４】次にこの切断装置をもちいた切断工程につ
いて図３を参照しつつ説明する。図３(a)に示すよう
に、受け皿２２の断面V字状の凹溝２０に、所望の方法
で形成された球状の太陽電池セル１を、充填する。
【００３５】次いで、図３(b)に示すように、樹脂ノズ
ル２６から樹脂を供給しこの樹脂の硬化とともにこの太
陽電池セル１を凹溝２０内に固定する。そして、図３
(c)に示すように、あらかじめ位置決め切断機構２４で
位置決めされた切断刃２３によって半球に分割する。
【００３６】この後、図３(d)に示すように、１５０℃
程度に加熱して、前記ワックス樹脂を溶融除去し、１こ
づつの半球に分断する。このようにして２分割された半
球状の太陽電池セルを実装することにより太陽電池装置
を得ることが可能となる。
【００３７】かかる構成によれば、断面V字状の凹溝を
用いているため、前記凹溝の側壁と球体との接する位置
で球体は保持され、位置決めが極めて容易となる。
【００３８】また、ワックス樹脂で固着した状態で切断
がなされるため、極めて高精度の切断が可能となる。な
お、ここで用いられるワックス樹脂としてはポリプロピ
レン樹脂に限定されることなく、適宜変更可能である。
また、熱硬化性樹脂を使用し、樹脂から離脱させるため
には有機溶剤に溶融する方法も適用可能である。
【００３９】次にこの切断装置を用いた太陽電池の製造
工程について詳述する。図４に全体図、図５に断面概要
図を示すように、半球状シリコンからなる太陽電池セル
１が、底面を、内側電極としての銅板からなる導電プレ
ート５上に最密配列されて固着せしめられ、外側電極は
導電プレート５上のセル１間領域に樹脂層４を介して形
成された半田層３によって電気的接続および固定がなさ
れたものである。すなわち、ｐ型の単結晶シリコンから
なる半球状基板１１と、前記半球状基板の球表面に、ｐ
ｎ接合を形成するように形成されたｎ型多結晶シリコン
層１２と、ｎ型多結晶シリコン層１２表面に形成された
酸化インジウム錫（ＩＴＯ）からなる透明の外側電極１
３とを具備してなる複数個の半球セルがその底面を前記
導電プレート５表面に接するように配列され、前記導電
プレート５表面の前記セル間に位置する領域には絶縁性
の樹脂層４を介して半田層３が形成され、この半田層３
を介して前記外側電極１３同士の電気的接続がなされて
いる。
【００４０】次に、この太陽電池の製造方法について説
明する。まず、太陽電池セルを形成する。図６(ａ)に示
すように、直径１ｍｍのｐ型多結晶シリコン粒またはｐ
型アモルファスシリコン粒を真空中で加熱しつつ落下さ
せ、結晶性の良好な多結晶シリコン球１１を形成し、こ
の表面に、フォスフィンを含むシランなどの混合ガスを
用いたＣＶＤ法により、ｎ型多結晶シリコン層１２を形
成する。ここでＣＶＤ工程は細いチューブ内でシリコン
球を搬送しながら、所望の反応温度に加熱されたガスを
供給排出することにより、薄膜形成を行うものである。
なお、この工程は、ｐ型多結晶シリコン粒またはｐ型ア
モルファスシリコン粒を真空中で加熱しつつ落下させな
がら球状化し、ｐ型多結晶シリコン球を形成するととも
に、落下途上で所望のガスと接触させることにより、ｎ
型多結晶シリコン層１２を形成する様にすることも可能
である。
【００４１】この後、図６(ｂ)に示すように、スパッタ
リング法により、基板表面全体に膜厚０．１μｍ程度の
ＩＴＯ薄膜１３を形成する。
【００４２】このようにして形成された、太陽電池セル
１を、図３(ａ)に示すように、前記受け皿２２の凹溝２
０に一列に敷き詰めたのち、この受け皿２２に樹脂１０
を流し込み、硬化させる（図３（ｂ））。
【００４３】そして、この底面を位置決めし、球体のセ
ルを、真ん中で分断するように中心から切断刃（ダイサ
ー）で切断する。
【００４４】この後、図７(ａ)に示すように、分割後、
平坦面が上にくるように受け皿２２を９０度回転して、
図７（b）に示すように切断面が上に来るようにし、ポ
リイミドテープ７で切断面を貼着する。そして、図７
(ｃ)に示すように、前記ポリイミドテープ７で固定した
まま、前記ワックス樹脂１０を除去する。
【００４５】さらに、図８（ａ)に示すように、ポリイ
ミドテープ７に貼着された複数のセルを、前記セルが上
に位置するように水平に配置し、前記セルの上面からポ
リイミド樹脂粉体４ｐを振り掛け、前記セルを加熱し、
前記セルとセルとの間をポリイミド樹脂層４で固着す
る。
【００４６】この後、図８（ｂ）に示すように、前記セ
ルの上面から半田粉体３ｐを振りかけ、前記セルを加熱
し、前記半田粉体３ｐを液化し、前記セルの外側電極１
３間を半田層３で固着し、ポリイミドテープ７を剥離除
去する
【００４７】そして、図８（ｃ）に示すように、半球体
の裏面側からｐ型不純物を注入し高濃度層１１ｓを形成
する。
【００４８】そして、図８（ｄ）に示すように、この高
濃度層１１ｓにコンタクトするように導電プレート５を
貼りつけ、さらにポリイミド膜からなる保護膜７を形成
する。
【００４９】このようにして図４および図５に示したよ
うな太陽電池セルが完成する。
【００５０】かかる構成によれば、ｐｎ接合および外側
電極の形成された球体を受け皿の凹溝に敷き詰めた状態
で最密配置状態に整列させ、これを樹脂で固めることに
より、位置精度よく固定し、これを一括して切断するこ
とにより、極めて高精度に半球体を得ることが可能とな
る。
【００５１】そして切断後、切断面をテープなどで固着
し、樹脂を除去することにより、高精度に整列された状
態で半球体を得ることができる。そしてこれに高濃度層
を形成した後内側電極としての導電プレートを形成する
ことにより、最密配置された半球体からなる高効率の太
陽電池を生産性良く形成することができる。
【００５２】さらにまた、分断された２つの集合体はそ
れぞれ１つづつの太陽電池として用いられるため、材料
に無駄が無く、生産性も極めて高いものとなる。
【００５３】また、この方法によれば、マスク工程が不
要である。特に、球状体へのフォトリソグラフィ工程は
露光工程が極めて困難であるが、本発明の方法によれ
ば、フォトリソグラフィ工程を必要とすることなく、極
めて高効率の太陽電池を形成することが可能となる。
【００５４】なお、前記案内溝は図９に示すように、真
空吸引装置に接続し、球体を真空吸引により凹溝内に吸
引固着するようにしてもよい。
【００５５】実施形態２ また、前記案内溝２０ｓは図１０に示すように、球体の
上面が露呈する程度の深さに形成することにより、表面
研磨により内側電極取出しを行った後、切断を行うよう
にすることも可能である。すなわち、本発明の第２の実
施形態では、図１１（ａ）に示すように、球体セル１を
凹溝１０に配置し、樹脂を充填し硬化せしめる。この
後、グラインディングにより図１１（ｂ）に示すよう
に、外側層のｎ型多結晶シリコン層１２を除去し、ｐ型
アモルファスシリコン球１１を露呈せしめる。
【００５６】そして樹脂１０を除去し、半球セルを得、
後は通常の方法で外側電極および内側電極を形成し、半
球状太陽電池を得る。なお前記第１及び第２の実施形態
ではｐ型多結晶シリコン球を用いて外側電極まで形成し
た太陽電池セルをワックス樹脂で一体化し、半球に切断
したが多結晶シリコン球１１を素材のまま図３に示した
のと同様の方法でワックス樹脂で一体化して半球に分断
し、ポリイミドテープ７で一体的に固定した後、ワック
ス樹脂１０を除去する。
【００５７】こののち不純物拡散により、リンを拡散
し、ｎ型多結晶シリコン層１２を形成する。そしてスパ
ッタリング法により、基板表面全体に膜厚１μｍ程度の
ＩＴＯ薄膜１３を形成する。
【００５８】このようにしてセルを形成し、基板上に実
装して太陽電池セルが完成する。し、太陽電池が完成す
る。
【００５９】次に本発明の第３の実施形態として、図１
２に示すように凹溝を円錐または角錐状の個別溝２１Ｐ
で構成し、前記個別溝の頂部に、個別の吸引口を有する
真空吸引手段２６を具備してなることを特徴とする。か
かる構成によれば、前記個別溝の間隔を調整することに
より、所望の間隔だけ離間した整列状態で分割すること
が可能となる。
【００６０】なお、前記実施の形態ではｐｎ接合を形成
する半導体層として、アモルファスシリコンを用いた
が、これに限定されることなく、単結晶シリコン層ある
いは多結晶シリコン層、さらにはＧａＡｓ，ＧａＰなど
の化合物半導体層にも適用可能である。さらには、ｐｎ
構造のみならず、ｐｉｎ構造にも適用可能である。
【００６１】この球状の半導体素子の製造に際し、各処
理工程を連結してライン化することが可能であるため、
生産性が極めて高いという特徴がある。
【００６２】各工程では、活性ガス、不活性ガス等の気
体のみならず、水や各種溶液等の液体をも含む種々の雰
囲気での処理がなされる。このような処理工程を連結す
る場合、被処理物を搬送する雰囲気を前工程から後工程
に持ち込まないようにしなければならないため、工程間
において被処理物から前工程の雰囲気を除去し、そして
後工程に合わせた雰囲気に変換して被処理物を搬送する
といった作業が必要であるが、雰囲気変換装置を用いる
ことにより搬送しながら各処理工程が実行でき、極めて
高速で作業性よく信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とが可能となる。
【００６３】また、前記実施例では太陽電池の製造方法
について説明したが、球の切断工程は、半導体球の切断
のみならず、ガラス球などの絶縁材料にも適用可能であ
ることはいうまでもない。
【００６４】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、極めて容易に、高精度の半球を生産性良く形成する
ことが可能となる。また、位置決めが不要であり、充填
密度も高く、高効率で信頼性の高い太陽電池を提供する
ことが可能となる。
【００６５】また、受光面積を減少することなく、高密
度の配置が可能である。またフォトリソグラフィ工程を
用いることなく高精度で信頼性の高い太陽電池を得るこ
とができる。また低コスト化を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態の切断装置を示す図
【図２】同切断装置の断面概要図
【図３】同切断装置を用いた切断工程を示す図
【図４】本発明の第１の実施形態の切断装置を用いて形
成される太陽電池を示す図
【図５】本発明の第１の実施形態の切断装置を用いて形
成される太陽電池を構成するセルの断面図
【図６】本発明の第１の実施形態の太陽電池を構成する
セルの製造工程図
【図７】本発明の第１の実施形態の太陽電池の実装工程
を示す図
【図８】本発明の第１の実施形態の太陽電池の実装工程
を示す図
【図９】本発明の切断装置の変形例を示す図
【図１０】本発明の第２の実施形態の切断装置を示す図
【図１１】本発明の第２の実施形態の切断装置をもちい
た太陽電池の製造工程を示す図
【図１２】本発明の第３の実施形態の切断装置を示す図
【図１３】従来例の太陽電池を示す図
【符号の説明】
１ 太陽電池 ３ 半田層 ４ 樹脂層 ５ 導体層 ７ ポリイミドテープ（保護膜） １１ ｐ型多結晶シリコン球 １２ ｎ型多結晶シリコン層 １３ 外側電極 ２０ 断面V字状の凹溝 ２１ 案内溝 ２２ 受け皿 ２３ 切断刃 ２４ 位置決め切断機構 ２５ 太陽電池セル ２６ 樹脂ノズル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 甲斐 秀芳 福岡県北九州市八幡西区小嶺二丁目10番１ 号 株式会社三井ハイテック内 (72)発明者 木本 啓介 福岡県北九州市八幡西区小嶺二丁目10番１ 号 株式会社三井ハイテック内 (72)発明者 蓮尾 裕介 福岡県北九州市八幡西区小嶺二丁目10番１ 号 株式会社三井ハイテック内 (72)発明者 入江 淳一 福岡県北九州市八幡西区小嶺二丁目10番１ 号 株式会社三井ハイテック内 Ｆターム(参考） 3C069 AA01 BA03 BB01 CA05 CA06 CB02 EA02 5F051 AA03 AA05 BA17 CA14 CB04 CB30 DA03 DA04

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 切断すべき球体を挿入するように形成さ
    れた断面V字状の凹溝と、前記凹溝の底部に沿って形成
    された案内溝とを有する受け皿と、 ダイシング用の切断刃と、 前記案内溝に相対向するように前記ダイシング用の切断
    刃を位置決めし、切断を行なう位置決め切断機構とを具
    備したことを特徴とする球体の切断装置。
  2. 【請求項２】 前記案内溝は長手方向に複数個の前記球
    体を挿入可能なように形成されており、 前記切断刃は、前記球体を複数個一度に切断可能なよう
    に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の球
    体の切断装置。
  3. 【請求項３】 さらに、前記受け皿の上方に樹脂供給手
    段を具備し、前記案内溝に挿入されている前記球体を樹
    脂によって固着可能なように形成されていることを特徴
    とする請求項１に記載の球体の切断装置。
  4. 【請求項４】 前記案内溝は真空吸引手段に接続され、
    前記案内溝内に球体を真空吸引によって固定するように
    構成されていることを特徴とする請求項１に記載の球体
    の切断装置。
  5. 【請求項５】 前記凹溝は円錐または角錐状の個別溝で
    あり、 前記個別溝の頂部に、個別の吸引口を有する真空吸引手
    段を具備してなることを特徴とする請求項１に記載の球
    体の切断装置。
  6. 【請求項６】 前記案内溝は、前記球体の頂部の一部が
    前記受け皿の上面から露呈するように形成されているこ
    とを特徴とする請求項１に記載の球体の切断装置。
  7. 【請求項７】 前記受け皿は前記案内溝に沿って２分割
    可能であるとともに、前記切断面が上方に配置されるよ
    うに回転可能に形成されていることを特徴とする請求項
    １に記載の球体の切断装置。
  8. 【請求項８】 断面V字状の凹溝と、前記凹溝の底部に
    沿って形成された案内溝とを有する受け皿を用意する工
    程と、 前記案内溝に相対向するように前記ダイシング用の切断
    刃を位置決めする工程と、 前記凹溝内に球体を最密配置するように供給する球体供
    給工程と、 前記凹溝内に樹脂の供給し、硬化せしめる工程と、 前記案内溝に向けてダイシング用の切断刃を下降せし
    め、前記樹脂とともに前記球体を切断し半球を形成する
    工程とを含むことを特徴とする球体の切断方法。
  9. 【請求項９】 断面V字状の凹溝と、切断すべき球体の
    頂部の一部が前記受け皿の上面から露呈するように、前
    記凹溝の底部に沿って形成された切断刃用の案内溝とを
    有し、前記案内溝に沿って２分割可能なように形成され
    た受け皿を用意する工程と、 前記案内溝に相対向するように前記ダイシング用の切断
    刃を位置決めする工程と、 前記凹溝内に球体を最密配置するように供給する球体供
    給工程と、 前記凹溝内に樹脂の供給し、硬化せしめる工程と、 前記案内溝に向けてダイシング用の切断刃を下降せし
    め、前記樹脂とともに前記球体を切断し半球に分割する
    工程と、 前記受け皿を前記案内溝に沿って分割し、前記半球の上
    面が平坦面となるように前記受け皿ごと回転させる工程
    と、 前記上面を支持板を固着し、前記樹脂を溶融せしめ、前
    記受け皿を離脱せしめ、球体アレイを形成する工程とを
    含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項１０】 断面V字状の凹溝と、切断すべき球体
    セルの頂部の一部が前記受け皿の上面から露呈するよう
    に、前記凹溝の底部に沿って形成された切断刃用の案内
    溝とを有し、前記案内溝に沿って２分割可能なように形
    成された受け皿を用意する工程と、 前記案内溝に相対向するように前記ダイシング用の切断
    刃を位置決めする工程と、 少なくとも表面が第１導電型の半導体層を構成する球状
    基板表面に、ｐｎ接合を形成するように形成された第２
    導電型の半導体層と、前記第２の半導体層表面に形成さ
    れた透明導電膜からなる外側電極とを形成した多数個の
    球体セルを用意する工程と、 前記セルを、前記受け皿に一列に敷き詰める工程と、 前記受け皿内に樹脂を充填し、敷き詰められた球体セル
    と共に硬化せしめ、多数の太陽電池セルを一体的に固着
    する工程と、 樹脂で固着された状態で位置決めを行い、前記案内溝に
    位置決めされた球体セルの中心を通る切断面を形成する
    ように樹脂とともに切断する工程と、 この切断面にテープを貼着する工程と、 前記テープで固定したまま、前記樹脂を除去し、前記第
    １導電型の半導体層にコンタクトするように電極を形成
    する工程とを含む太陽電池の製造方法。
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