JP2001337346A

JP2001337346A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2001337346A
Application number: JP2000157066A
Authority: JP
Inventors: Kiyoshi Shobara; 潔庄原; Takeshi Yamamoto; 武志山本; Atsuyuki Manabe; 敦行真鍋; Natsuko Maya; 奈津子磨矢; Norihiro Yoshida; 典弘吉田; Takashi Yamaguchi; 剛史山口; Hitoshi Hado; 仁羽藤; Daisuke Miyazaki; 大輔宮崎
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2000-05-26
Filing date: 2000-05-26
Publication date: 2001-12-07

Abstract

(57)【要約】【課題】映像信号線と表示画素電極の側端部とが重な
るように配置した配線ブラックマトリクス構成におい
て、この構成を採用しても発生していた縦縞状の表示ム
ラを、表示画面上に再現されないように防止した液晶表
示装置を提供する。【解決手段】映像信号線１３と表示画素電極１６の側
端部とが重なるように両者を配置し、このうちの重ね幅
が大きい方の全表示画素面内の平均重ね幅をａとし、そ
のバラツキを△ａとした場合に、△ａ／ａ＜０．１６と
なるように設定することによって、縦縞状表示ムラの不
良発生率を低減させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
し、特に表示画素電極間に配置される映像信号線を、遮
光部として利用する液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在の液晶表示装置としては、隣接画素
間でのクロストークがなく、良好な表示画像の実現が可
能なことから、アクティブマトリクス型液晶表示装置が
主流となっている。

【０００３】このような液晶表示装置について説明する
と、ガラス材から構成される透明な絶縁基板の主面上に
は、映像信号を供給する映像信号線、及びゲート信号を
供給する走査線を、互いに交差するようにマトリクス状
に配列し、この交点部分に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
が接続されている。このＴＦＴには、酸化インジウムス
ズ（ＩＴＯ）等から構成される透明な表示画素電極が接
続されてアレイ基板が構成されている。そして、これら
ＴＦＴや表示画素電極、映像信号線、走査線等の上面に
は、更にポリイミド等から構成される配向膜が設けられ
ている。

【０００４】また、このアレイ基板と対向配置される対
向基板は、同様にガラス材にて形成された透明な絶縁基
板を有し、この絶縁基板のアレイ基板と対向する主面上
には、アクリル材等から構成される三原色カラーフィル
タ、及びブラックマトリクスが設けられており、更にこ
の上面に、ＩＴＯ等から構成される透明な対向電極が設
けられて対向基板を構成している。そして、この透明対
向電極上には、ポリイミド等から構成される配向膜が設
けられている。

【０００５】このアレイ基板と対向基板間とは、所定の
間隙を持って対向配置されると共に、両基板は、シール
材を介して貼合わされており、このシール材によって区
画された間隙部には、液晶部材が注入封止されている。
この液晶部材の厚さは、このアレイ基板と対向基板間に
介在されるスペーサによって規定されて、液晶パネルが
構成されている。

【０００６】この液晶パネルの両外側面には、偏光板が
接着剤によって貼付され、更にアレイ基板側の偏光板の
外方には、バックライト等の光源が配置されて、アクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置が構成されている。

【０００７】この液晶表示装置で一般的なＴＮ表示方式
の場合には、画素電極と映像信号線とによる横電界や、
絶縁基板並びに配向膜表面の凹凸の影響により、表示画
素電極端部にリバースチルトドメインと称されている液
晶の配向不良領域が発生し、このためにコントラストの
低下といった表示不良の一因となっている。

【０００８】更に、このようなアクティブマトリクス型
液晶表示装置においては、明るい表示画像を得るため
に、表示画素が高開口率を得られるように、種々の工夫
がなされている。例えば、その一例として、映像信号線
と表示画素電極との一部を重ねて遮光部として利用す
る、所謂配線ブラックマトリクス（ＢＭ）と称されてい
る構成が採用されている。

【０００９】この配線ＢＭでは、上述の液晶の配向不良
を映像信号線を利用して遮光することによって、視覚的
に配向不良に基づく画像不良が見えないようにしてい
る。この遮光するための映像信号線と表示画素電極との
重ね幅は、液晶の配向不良の発生する大きさ程度に設計
される。その反面、高開口率を得るためには、できる限
り遮光面積を小さくする必要があり、このために、表示
画素の左右で発生する異なる配向不良の発生幅に応じ
て、映像信号線と表示画素電極の重ね幅を、表示画素の
左右で異ならせている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、最近市場で
要求される大画面・高開口率の液晶表示装置を製造する
ためには、露光パターンの面内ズレ幅、露光装置のアラ
インメント精度ズレ量等の製造バラツキが無視できなく
なり、それらのバラツキが大きくなると、液晶表示装置
の表示面に周期的縦縞模様の表示ムラが発生してしまう
ことになる。

【００１１】この現象は、前述の液晶配向不良発生領域
を充分に遮光することができないことが発生の原因で、
特に配向不良発生領域側と反対方向から見た際に、例え
ば表示画素の左側に配向不良領域が発生した場合、これ
を表示画素の右側方向から見た場合のように、表示面を
斜めに見るような場合に、特に顕著に観察される。

【００１２】このように、従来の液晶表示装置において
は、周期的縦縞模様の表示ムラ等が表示面に発生し、高
開口率の液晶表示装置の画像品位を著しく低下させてい
た。

【００１３】本発明は、このような課題に対処してなさ
れたものであり、縦縞状の表示ムラ等による表示不良の
発生がなく、大画面・高開口率の液晶表示装置に採用し
ても、画像の高品位化を図ることが可能な液晶表示装置
を提供するにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に互い
に交差するようにマトリクス状に配列された複数の映像
信号線及び走査線と、この映像信号線及び走査線の交点
部分に接続されたスイッチング動作をする薄膜トランジ
スタと、この薄膜トランジスタに接続され、絶縁膜を介
して前記基板上にマトリクス状に配列された透明な複数
の表示画素電極と、を備えたアレイ基板と、このアレイ
基板と対向して配置される対向基板と、この対向基板と
アレイ基板の間隙部分に封入された液晶と、を具備し、
前記映像信号線を隣り合う表示画素電極同志の中間部分
に、その一部が前記表示画素電極に夫々重なるように配
置し、その重ね幅が大きい方の全表示画素面内の平均重
ね幅をａとし、そのバラツキを△ａとした場合に、△ａ
／ａ＜０．１６に設定することを特徴とする液晶表示装
置である。

【００１５】また、前記平均重ね幅は、１μｍ≦ａ≦５
μｍに設定することを特徴とする。

【００１６】更に、前記絶縁膜は、着色層で構成されて
いることを特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図１は、本発明に係る液晶表示装置のアレ
イ基板における表示画素電極及びＴＦＴ、走査線等のパ
ターン配置を示す平面図である。図２は、図１中の５〜
６線に沿う表示画素電極と映像信号線との配置関係を説
明する概略断面図で、また図３は、図１中の１〜６線に
沿う断面を、切断方向から見て断面として示す一部概要
断面図図である。

【００１８】以下、図面を参照しながら詳細に説明す
る。即ち図１において、アレイ基板１１側の絶縁基板１
２上に複数本の映像信号線１３と複数本の走査線１４
が、互いに交差してマトリクス状に配置され、その交点
部分にスイッチング素子としてのｎチャンネルＴＦＴ１
５が接続されている。このＴＦＴ１５には、夫々透明な
表示画素電極１６が接続されており、この表示画素電極
１６は、全体がマトリクス状に配列されている。

【００１９】更にこの走査線１４と並行して補助容量線
１７が配置され、この補助容量線１７の一部を映像信号
線１３の一側に沿って延在させることで、静電遮蔽性を
有するシールド電極１８を形成している。このシールド
電極１８は、一画素ピッチ内で映像信号線１３と交差
し、且つ隣接する表示画素電極１６の周辺部の一部とも
重なるように配置している。このために、映像信号線１
３とシールド電極１８は、表示画素電極１６の左右辺の
光漏れを防ぐ遮光対を形成している。

【００２０】この映像信号線１３と表示画素電極１６と
の配置関係は、図２に示すように配置される。後述する
配向膜のラビングは、アレイ基板１１側では、図１の矢
印Ａ方向に右上方斜め方向から左下側斜め方向に向けて
ラビング処理され、また対向基板側の配向膜は、これと
直交する図１中に破線の矢印で示すＢ方向に、左上斜め
方向から右下斜め方向にラビング処理される。

【００２１】この際、矢印Ａで示すラビング方向の下流
側にあたる映像信号線１３端部に位置する表示画素電極
１６の図中左辺側は、前述の原因によって配向不良が発
生する領域となる。このため表示画素電極１６と映像信
号線１３の重畳する図中右側の幅ａが、液晶の配向不良
領域を隠せるように大きく設定されるように配置されて
いる。

【００２２】反対に、配向不良領域が発生しない、若し
くは小さな配向不良領域しか存在しない表示画素電極１
６の図中右辺側と映像信号線１３との重畳する幅ｂは、
幅ａよりも小さく設定されている。なお、各表示画素電
極１６は、夫々所定の間隔ｃを隔てて配置されている。

【００２３】このように設定されたパターン配置を有す
る液晶表示装置の構成を図３に示す。なお、図１及び図
２に示した構成については、同じ符号を用いて説明す
る。図３において、高歪点ガラス基板や石英基板等から
構成される透明な絶縁基板１２の主面上には、ｎチャン
ネルのＴＦＴ１５を構成する半導体層１９、並びに一方
の補助容量電極２０が設けられる。

【００２４】この半導体層１９及び補助容量電極２０
は、ＣＶＤ法等によってアモルファスシリコン膜を絶縁
基板１２面上に５０ｎｍ程度被着させ、４５０℃で１時
間ほど炉アニールを行なった後に、ＸｅＣＬエキシマレ
ーザを照射してアモルファスシリコンを多結晶化する。
その後に多結晶シリコンをフォトエッチング法によりパ
ターニングして、表示領域のＴＦＴ１５を構成するチャ
ンネル層２１、及び補助容量電極２０となる半導体層が
形成される。

【００２５】そして、これらチャンネル層２１及び補助
容量電極２０となる半導体層を覆うように、絶縁基板１
２面上には、ゲート絶縁膜２２が形成される。このゲー
ト絶縁膜２２は、ＣＶＤ法により絶縁基板１２の全面
に、ゲート絶縁膜２２となるＳｉＯｘ膜を１００ｎｍか
ら１５０ｎｍ程度被着して形成される。

【００２６】このゲート絶縁膜２２上には、Ｔａ，Ｃ
ｒ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ等の単体、またはその積層膜
や合金膜を、２００ｎｍから４００ｎｍ程度被着し、フ
ォトエッチング法によりＴＦＴ１５を構成するゲート電
極２３並びに走査線１４、補助容量線１７が夫々形成さ
れる。

【００２７】また、ＴＦＴ１５を構成するドレイン領域
２４とソース領域２５が、このゲート電極２３をマスク
として、イオン注入やイオンドーピング法によって不純
物注入を行うことによって形成される。この不純物の注
入は、例えば８０ｋｅＶの加速電圧で、且つ５×１０
^１５ａｔｏｍ／ｃｍ^２のドーズ量で、ＰＨ_３／Ｈ_２によ
ってリンを高濃度注入し、その後に絶縁基板１２をアニ
ールすることにより、不純物を活性化し、更にＮ−ｃｈ
型ＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）
２６を形成するための不純物注入を行い、絶縁基板１２
をアニールすることにより、不純物を活性化することで
得られる。

【００２８】これらゲート電極２３、走査線１４、補助
容量線１７を覆うように、ゲート絶縁膜２２上には、層
間絶縁膜２７が形成されている。この層間絶縁膜２７
は、例えばＰＥ−ＣＶＤ法を用いて、絶縁基板１２の全
面にＳｉＯ_２を５００ｎｍから７００ｎｍ程度被着する
ことによって得られる。この層間絶縁膜２７には、層間
絶縁膜２７をフォトエッチング法を用いてエッチングす
ることにより、ソース領域２５、及びドレイン領域２４
に到達するコンタクトホール２８が形成されている。

【００２９】更に、この層間絶縁膜２７上には、Ｔａ，
Ｃｒ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕ等の単体層、またはその積
層膜もしくはその合金膜を、５００ｎｍから７００ｎｍ
程度被着し、その後フォトエッチング法によってエッチ
ング処理し、所定形状にパターニングして形成した映像
信号線１３が得られる。このとき同時にコンタクトホー
ル２８を介してＴＦＴ１５のソース領域２５に接続する
ソース電極２９の形成が行なわれる。

【００３０】これら映像信号線１３及びソース電極２９
等の上には、ＰＥ−ＣＶＤ法によって絶縁基板１２の全
面にＳｉＮｘからなる透明保護絶縁膜３０が形成されて
おり、この透明保護絶縁膜３０には、ソース電極２９に
到達する第１のスルーホール３１がフォトエッチング法
により設けられている。

【００３１】この透明保護絶縁膜３０上には、更に有機
絶縁膜３２が形成され、この有機絶縁膜３２には、前記
透明保護絶縁膜３０の第１のスルーホール３１を介し
て、ソース電極２９に到達する第２のスルーホール３３
が形成されている。この有機絶縁膜３２は、次に述べる
ような方法にて作成される。

【００３２】即ち、紫外線硬化型アクリル系赤色レジス
ト液を、透明保護絶縁膜３０が形成された絶縁基板１２
上の全面に、２μｍから４μｍ程スピンナ塗布し、続い
て約９０℃で約５分間プリベークする。

【００３３】更に赤色着色層に対応するストライプ形状
パターン、並びに表示画素電極１６とソース電極２９と
を接続する、第２のスルーホール３３を形成するための
直径１５μｍの円形形状パターンを有する所定のマスク
パターンを用いて、１５０ｍＪ／ｃｍ^２の強度を有する
紫外線により露光する。

【００３４】続いて約０．１重量％のＴＭＡＨ水溶液を
用いて約６０秒間現像し、更に水洗い後、約２００℃で
１時間程ポストベークをすることによって、第２のスル
ーホール３３を有する赤色着色層をまず形成する。

【００３５】続いて、緑色着色層、青色着色層を順次同
様な工程を経て形成する。これによって、有機絶縁膜３
２は、赤Ｒの着色層、緑Ｇの着色層、青Ｂの着色層がス
トライプ状に配置されることになり、これらの着色層、
即ち有機絶縁膜３２がカラーフィルタとしての機能を呈
することになる。

【００３６】この有機絶縁膜３２上には、透明な表示画
素電極１６が形成されており、この表示画素電極１６
は、第２のスルーホール３３を介して、ソース電極２９
と接続されるように形成されている。この表示画素電極
１６は、スパッタ法によりＩＴＯ膜を１００ｎｍ程度成
膜し、フォトエッチング法によって所定の形状にパター
ニングすることにより、表示画素電極１６を形成し、ア
クティブマトリクス型液晶表示装置のアレイ基板１１が
構成されている。

【００３７】この液晶表示装置には、アレイ基板１１と
対向する対向基板３４が配置されている。この対向基板
３４は、アレイ基板１１の絶縁基板１２と同様に、透明
な絶縁基板３５が使用され、この透明な絶縁基板３５の
主面上には、例えばＩＴＯ膜からなる透明な対向電極３
６がスパッタ法によって形成され、対向基板３４を構成
している。

【００３８】更に、これらアレイ基板１１及び対向基板
３４上に、低温キュア型ポリイミドからなる配向膜３７
を夫々印刷し、そして両基板１１，３４の対向時に、そ
の配向軸が互いに９０°となるように、図１中のＡ方向
及びＢ方向にラビング処理が施されている。

【００３９】これら両基板１１，３４は、互いの配向膜
３７が対向するように配置され、配向膜３７の周辺部の
両基板１１，３４間にシール材（図示せず）を配置して
接着固定される。

【００４０】このシール材によって区画された両基板１
１，３４の間隙部分には、ネマティック液晶部材３８が
注入封止されている。これらの互いに対向するアレイ基
板１１及び対向基板３４間の間隙部分の間隔は、例えば
粒状や柱状のスペーサ（３９）によって、所定の間隙を
保持するように規定されている。これら両基板１１，３
４を構成する絶縁基板１２，３５の外側には、偏光板４
０を夫々貼着することによって、液晶表示装置が形成さ
れている。

【００４１】このように構成された液晶表示装置によれ
ば、前述の図２において説明した映像信号線１３と表示
画素電極１６との相対的な配置関係について、例えば表
示画素電極１６の配向不良領域が発生する端部側と映像
信号線１３とが重なる幅ａを、表示画素電極１６の他方
の端部側と映像信号線１３とが重なる幅ｂとを、ｂ＜ａ
の関係に設定し、製造時のフォトマスクのずれや装置位
置精度により、不良発生率について試行を行った結果
を、表１に示す。

【表１】試行のＮｏ１の場合は、表示画素電極１６のオフセット
をずらした場合である。この場合には、互いに隣接する
表示画素電極１６間の間隔ｃは、５μｍ一定とし、オフ
セットがない０の状態から０．９μｍまで、０．３μｍ
ずつ映像信号線１６をずらせてオフセットさせた場合を
示している。

【００４２】従って、重ね幅ａも３．０μｍから順次
０．３μｍずつ増加していくこととなる。この際に、こ
の重ね幅ａの全表示画素面内でのバラツキ△ａを調べた
結果は、重ね幅ａの各値のときも、何れも０．５μｍ以
内に納まっていたが、このバラツキ△ａと重ね幅ａの比
率をみると、０．１６７からその数値は減少し、最大重
ね幅ａの３．９のときは、０．１２８となっている。

【００４３】この状態での不良発生率をみてみると、△
ａ／ａの値が０．１６７のときには６０％で、０．１５
２の場合には３０％の発生率が確認されたが、この０．
１５２以下になると、不良の発生はみられなかった。従
って、△ａ／ａの値を０．１６未満に納めれば、不良の
発生を抑制されることが判る。

【００４４】また、試行のＮｏ２は、表示画素を太らせ
た場合、即ち表示画素電極１６の幅を大きく設定した場
合で、当然のことながら、間隔ｃは小さくなり、逆に重
ね幅ａは大きくなる。この場合でもバラツキ△ａは、
０．５で、△ａ／ａは０．１２５となり、不良率は０を
記録した。

【００４５】更に、試行のＮｏ３は、露光アライメント
の精度を向上させた場合を示しており、バラツキ△ａを
夫々０．４５及び０．４の場合に、△ａ／ａは夫々０．
１５０と０．１３３となった。この０．１５０の場合に
は、２０％の不良発生率を記録したが、０．１３３の場
合には、不良は発生しなかった。

【００４６】同様に、試行のＮｏ４は、映像信号線１３
の線幅を拡大させたもので、当然それに応じて重ね幅ａ
も３．５及び４．０と拡大していく。この場合も△ａ／
ａは、０．１４３と０．１２５となり、０．１４３の場
合に、不良発生率が５％となった。

【００４７】また、試行のＮｏ５は、試行のＮｏ３の場
合とＮｏ４の場合とを組合せ、映像信号線１３の線幅を
拡大させ、且つ露光アライメント精度を向上させた場合
を示している。この場合には、△ａ／ａは０．１００と
なり、不良の発生は見られなかった。

【００４８】また、重ね幅ａは、遮光性を維持するため
には、１μｍ以上を必要とし、更に高開口率を達成させ
るために５μｍ以下となるように設定すれば、これらの
要件を満足させながら、且つ不良発生率を抑制できるこ
とも判明した。

【００４９】これらの試行の結果から、不良発生率が０
のもの、及び不良発生率が数％以内のものを最良品
（◎）とし、不良発生率がこれ以上で、且つ５０％以下
のものを良品（○）とし、不良発生率が５０％を超える
ものは不良品（×）と判定すると、表１の結果欄に示す
ように纏めることができる。この試行の結果から導かれ
た結論は、△ａ／ａの値を０．１６未満に抑えるように
設計及び製造することによって、表示画面に発生する縦
縞模様の表示ムラを防止できることが判明した。

【００５０】この△ａ／ａの値と、縦縞状表示ムラの不
良発生率との関係を纏めると、図４に示すようになる。
この図４からも、△ａ／ａの値を０．１６未満に設定す
れば、不良発生率を５０％以下に抑制できることが判
る。

【００５１】なお、上記説明では、半導体としてポリシ
リコン層を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置
の場合を例として説明してきたが、本発明は半導体とし
て、例えばアモルファスシリコン層等の半導体層を用い
たアクティブマトリクス型液晶表示装置にも適用するこ
とが可能であり、また、配線パターンやその接続形態、
更には構成物の構造並びに製造方法等については、種々
の変形や応用が可能であり、本発明は、これら実施例に
限定されないことは明らかである。

【００５２】

【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれ
ば、表示画素電極と映像信号線の重畳する両側の重ね幅
のうち、重ね幅の広い端部側について、その重ね幅の全
表示画素面内での平均値ａと、そのバラツキ△ａとを、
△ａ／ａ＜０．１６を満足するように設定することによ
って、縦縞状表示ムラ等の発生を表示面上で防止できる
ので、表示品位に優れ、また製品の歩留まりの向上を図
れる液晶表示装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に関する液晶表示装置を構成するアレイ
基板のパターニング状態を説明するための平面図。

【図２】本発明に関する液晶表示装置の一部構成の概要
を示す断面図。

【図３】同じく画素電極と信号線との配置関係を説明す
るための一部断面図。

【図４】映像信号線と表示画素電極との重ね幅及びその
バラツキと、縦縞状表示ムラ不良発生率との関係を示す
説明図。

【符号の説明】

１１：アレイ基板１２：絶縁基板１３：映像信号線１４：走査線１５：薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１６：表示画素電極３２：有機絶縁膜３４：対向基板３５：絶縁基板３６：対向電極３７：配向膜３８：液晶部材３９：スペーサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者真鍋敦行埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番２号株式会社東芝深谷工場内 (72)発明者磨矢奈津子埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番２号株式会社東芝深谷工場内 (72)発明者吉田典弘埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番２号株式会社東芝深谷工場内 (72)発明者山口剛史埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番２号株式会社東芝深谷工場内 (72)発明者羽藤仁埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番２号株式会社東芝深谷工場内 (72)発明者宮崎大輔埼玉県深谷市幡羅町一丁目９番２号株式会社東芝深谷工場内Ｆターム(参考） 2H092 JA24 JA34 JA37 JA46 JB04 JB06 JB22 JB25 JB31 JB56 JB61 KA04 KA05 KA12 KA18 KB04 KB05 KB25 MA05 MA07 MA13 MA17 MA30 NA01 NA04 PA02 5C094 AA03 AA09 AA10 AA42 AA43 BA03 BA44 CA19 EA04 EA05 EA07 EC03 ED14 ED15 JA08 5F110 CC02 DD02 DD03 EE02 EE03 EE04 EE06 EE14 FF02 FF29 GG02 GG13 GG44 HJ04 HJ12 HJ13 HJ23 HL02 HL03 HL04 HM15 NN04 NN23 NN24 NN27 NN35 NN43 NN72 NN73 PP03 PP29 QQ11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に互いに交差するようにマトリク
ス状に配列された複数の映像信号線及び走査線と、この映像信号線及び走査線の交点部分に接続されたスイ
ッチング動作をする薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタに接続され、絶縁膜を介して前記
基板上にマトリクス状に配列された透明な複数の表示画
素電極と、を備えたアレイ基板と、このアレイ基板と対向して配置される対向基板と、この対向基板とアレイ基板の間隙部分に封入された液晶
と、を具備し、前記映像信号線を隣り合う表示画素電極同志の中間部分
に、その一部が前記表示画素電極に夫々重なるように配
置し、その重ね幅が大きい方の全表示画素面内の平均重
ね幅をａとし、そのバラツキを△ａとした場合に、△ａ
／ａ＜０．１６に設定することを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項２】前記平均重ね幅は、１μｍ≦ａ≦５μｍ
に設定することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。
【請求項３】前記絶縁膜は、着色層で構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。