JP2001337316A - Method for forming protective layer, method for forming alignment layer, liquid crystal device and electronic equipment - Google Patents

Method for forming protective layer, method for forming alignment layer, liquid crystal device and electronic equipment

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JP2001337316A
JP2001337316A JP2000156653A JP2000156653A JP2001337316A JP 2001337316 A JP2001337316 A JP 2001337316A JP 2000156653 A JP2000156653 A JP 2000156653A JP 2000156653 A JP2000156653 A JP 2000156653A JP 2001337316 A JP2001337316 A JP 2001337316A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new method for forming a protective layer which enables to reduce the quantity of raw materials and to improve the production efficiency and to form the protective layer for driving circuit protection only on a specified region on a substrate surface, and to provide a method for forming alignment layers, which enables to form uniform alignment layers without alignment defect only in specified regions on the substrate surfaces. SOLUTION: The protective layer 37 is formed only in specified regions including regions where at least a data line driving circuit 31 and a scanning line driving circuit 32 are formed on a surface of a substrate 11 using an ink-jet method. Preferably the protective layer 37 is formed only on a region outside a sealant 14 and no longer formed on a region where terminals 36 for connecting external circuits are formed. The alignment layers 18, 19 are formed only on regions including at least a pixel region 30 and further inside the sealant 14 on the surfaces of the substrates 11, 12 using the ink-jet method.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、駆動回路を保護す
るための保護膜の形成方法、配向膜の形成方法、液晶装
置及び電子機器に係り、特に、インクジェット方式を用
いて、基板の表面上の所定の領域のみに、駆動回路を保
護するための保護膜と配向膜とを形成する技術に関する
ものである。
The present invention relates to a method for forming a protective film for protecting a driving circuit, a method for forming an alignment film, a liquid crystal device, and an electronic apparatus. And a technology for forming a protective film for protecting a drive circuit and an alignment film only in a predetermined region.

【0002】[0002]

【従来の技術】図13、図14に、それぞれ、スイッチ
ング素子としてTFT(Thin-Film Transistor)素子を
用いた、投射型ディスプレイ用の従来の液晶装置100
を基板面に対し垂直方向、水平方向に切断したときの概
略断面構造、概略平面構造を示し、この液晶装置100
の構造について説明する。また、図15に、液晶装置1
00の基板(下側基板)110の一部分を拡大した概略
平面構造を示す。図13は、図14のA10−A10’
線、図15のA20−A20’線に沿って示す断面図で
ある。
2. Description of the Related Art FIGS. 13 and 14 show a conventional liquid crystal device 100 for a projection type display using a TFT (Thin-Film Transistor) element as a switching element, respectively.
FIG. 1 shows a schematic cross-sectional structure and a schematic plan structure when the liquid crystal device 100 is cut in a vertical direction and a horizontal direction with respect to a substrate surface.
Will be described. FIG. 15 shows the liquid crystal device 1.
1 shows a schematic plan structure in which a part of a substrate (lower substrate) 110 of FIG. FIG. 13 shows A10-A10 ′ of FIG.
FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line A20-A20 ′ of FIG.

【0003】図13に示すように、基板(下側基板)1
10と対向基板(上側基板)120とがシール材140
を介して所定間隔で貼着され、基板110、対向基板1
20間に液晶層130が挟持されている。図13におい
ては省略しているが、基板110、対向基板120の外
側には偏光板、位相差板などの光学素子が取り付けられ
ている。
As shown in FIG. 13, a substrate (lower substrate) 1
10 and a counter substrate (upper substrate) 120 are sealing materials 140
Are adhered at predetermined intervals through the substrate 110, the counter substrate 1
The liquid crystal layer 130 is sandwiched between the two. Although not shown in FIG. 13, optical elements such as a polarizing plate and a retardation plate are attached outside the substrate 110 and the counter substrate 120.

【0004】図14に示すように、シール材140は基
板110、対向基板120の周縁部間に形成されてい
る。シール材140の一部には、液晶を注入するための
液晶注入孔140Aが形成され、液晶注入孔140Aよ
り、基板110、対向基板120間に液晶が注入された
後、この液晶注入孔140Aは封止材140Bにより封
止されている。図14には表示されていないが、対向基
板120はシール材140とほぼ同じ輪郭を有して、シ
ール材140上に配置されている。
As shown in FIG. 14, a sealing material 140 is formed between the peripheral portions of the substrate 110 and the counter substrate 120. A liquid crystal injection hole 140A for injecting liquid crystal is formed in a part of the sealing material 140. After the liquid crystal is injected between the substrate 110 and the counter substrate 120 through the liquid crystal injection hole 140A, the liquid crystal injection hole 140A is It is sealed by the sealing material 140B. Although not shown in FIG. 14, the counter substrate 120 has substantially the same contour as the sealing material 140 and is disposed on the sealing material 140.

【0005】液晶装置100のシール材140より内側
の部分の構造について詳しく説明する。
[0005] The structure of a portion of the liquid crystal device 100 inside the seal member 140 will be described in detail.

【0006】図13に示すように、基板110の図示上
側(液晶層130側)表面上において、シール材140
より内側の領域(シール材140の図示右側の領域)に
は、画素電極150と走査線220と、後述するTFT
素子200などが形成され、画素電極150、走査線2
20、TFT素子200の液晶層130側には、液晶層
130を所定の方向に配向させるための配向膜180が
形成されている。以下、画素電極150、TFT素子2
00が形成された領域を画素領域300と記載する。一
方、対向基板120の図示下側(液晶層130側)表面
上において、シール材140より内側の領域には、共通
電極170と配向膜190とが順次積層形成されてい
る。
As shown in FIG. 13, a sealing material 140 is provided on the upper surface (the liquid crystal layer 130 side) of the substrate 110 in the drawing.
A pixel electrode 150, a scanning line 220, and a TFT to be described later
The element 200 and the like are formed, and the pixel electrode 150, the scanning line 2
20, on the liquid crystal layer 130 side of the TFT element 200, an alignment film 180 for aligning the liquid crystal layer 130 in a predetermined direction is formed. Hereinafter, the pixel electrode 150 and the TFT element 2
The area where 00 is formed is referred to as a pixel area 300. On the other hand, on the lower surface (the liquid crystal layer 130 side) surface of the counter substrate 120, a common electrode 170 and an alignment film 190 are sequentially laminated in a region inside the sealing material 140.

【0007】図15に基づき、画素領域300における
基板110表面の構造について詳しく説明する。図15
に示すように、基板110上には、走査線220とデー
タ線160とがマトリックス状に配置され、走査線22
0とデータ線160との交点に応じて各画素が配置さ
れ、各画素には画素電極150と、各画素電極150を
駆動するためのTFT素子200とが設けられている。
The structure of the surface of the substrate 110 in the pixel region 300 will be described in detail with reference to FIG. FIG.
As shown in FIG. 2, scanning lines 220 and data lines 160 are arranged in a matrix on the
Each pixel is arranged according to the intersection between 0 and the data line 160, and each pixel is provided with a pixel electrode 150 and a TFT element 200 for driving each pixel electrode 150.

【0008】次に、液晶装置100のシール材140よ
り外側の部分の構造について詳しく説明する。
Next, the structure of the portion of the liquid crystal device 100 outside the seal member 140 will be described in detail.

【0009】図14に示すように、基板110の表面上
において、シール材140の外側の図示下側の領域に
は、データ線160を駆動するためのデータ線駆動回路
310が設けられ、図示は省略している複数の配線を介
して、データ線160とデータ線駆動回路310とは電
気的に接続されている。また、基板110の表面上にお
いて、シール材140の外側の図示左側と図示右側の領
域には、走査線220を駆動するための走査線駆動回路
320が設けられ、図示は省略している複数の配線を介
して、走査線220と走査線駆動回路320とは電気的
に接続されている。また、図示左右2箇所に設けられた
走査線駆動回路320は、基板110の表面上におい
て、シール材140の外側の図示上側の領域に設けられ
た複数の配線330を介して接続されている。
As shown in FIG. 14, a data line driving circuit 310 for driving the data line 160 is provided on the surface of the substrate 110 in a lower region outside the seal member 140 in the drawing. The data lines 160 and the data line driving circuit 310 are electrically connected via a plurality of omitted wirings. In addition, on the surface of the substrate 110, a scanning line driving circuit 320 for driving the scanning line 220 is provided in a region on the left side and the right side outside the sealing member 140 in the drawing, and a plurality of the drawing lines are omitted. The scanning line 220 and the scanning line driving circuit 320 are electrically connected via the wiring. In addition, the scanning line driving circuits 320 provided at two places on the left and right in the figure are connected on the surface of the substrate 110 via a plurality of wirings 330 provided in an upper area shown outside the sealant 140.

【0010】データ線駆動回路310、走査線駆動回路
320は、複数の配線340、350を介して複数の外
部回路接続用端子360に電気的に接続されている。外
部回路接続用端子360は、ACF(anisotropic cond
uctive film)などの導電材を介して、図示は省略して
いる外部回路に電気的に接続される。
The data line driving circuit 310 and the scanning line driving circuit 320 are electrically connected to a plurality of external circuit connection terminals 360 via a plurality of wirings 340 and 350. The external circuit connection terminal 360 is connected to an ACF (anisotropic cond
Through an electrically conductive material such as uctive film), it is electrically connected to an external circuit (not shown).

【0011】また、図13、図14に示すように、デー
タ線駆動回路310、走査線駆動回路320上には、デ
ータ線駆動回路310、走査線駆動回路320を保護す
るための保護膜370が形成されている。
[0013] As shown in FIGS. 13 and 14, a protective film 370 for protecting the data line drive circuit 310 and the scan line drive circuit 320 is provided on the data line drive circuit 310 and the scan line drive circuit 320. Is formed.

【0012】また、図14に示すように、シール材14
0のコーナー部には、シール材140と同一材料からな
る接着剤と、該接着剤中に封入された多数の導電粒子と
からなる導電材380が設けられ、対向基板120の表
面上に形成された共通電極170が、これらの導電材3
80に電気的に接続されている。また、導電材380は
配線390を介して外部回路接続用端子360のうちの
いくつかに電気的に接続されている。
Further, as shown in FIG.
In the corners of 0, a conductive material 380 made of an adhesive made of the same material as the sealing material 140 and a large number of conductive particles sealed in the adhesive is provided, and is formed on the surface of the counter substrate 120. The common electrode 170 is connected to the conductive material 3
80 is electrically connected. The conductive material 380 is electrically connected to some of the external circuit connection terminals 360 via the wiring 390.

【0013】上記の液晶装置100において、図13、
図14に示すように、保護膜370は、基板110の表
面上において、少なくともデータ線駆動回路310、走
査線駆動回路320が形成された領域を含む所定の領域
のみに形成され、その他の部分には形成されていない。
すなわち、保護膜310は、シール材140の外側で、
かつ外部回路接続用端子360が形成された領域を含ま
ない領域のみに形成されている。図13、図14におい
ては、保護膜310は駆動回路310、320の上にの
み形成されているが、配線330、340、350、3
90の上にも形成されることが望ましい。
In the above liquid crystal device 100, FIG.
As shown in FIG. 14, the protective film 370 is formed only on a predetermined area including at least the area where the data line driving circuit 310 and the scanning line driving circuit 320 are formed on the surface of the substrate 110, and is formed on other portions. Is not formed.
That is, the protective film 310 is formed outside the sealing material 140,
In addition, it is formed only in a region not including a region where the external circuit connection terminal 360 is formed. 13 and 14, the protective film 310 is formed only on the driving circuits 310 and 320, but the wirings 330, 340, 350 and 3
Desirably, it is formed also on the upper surface 90.

【0014】従来の保護膜370の形成方法について簡
単に説明する。図16(a)〜(c)に、従来の保護膜370
の形成工程を示す。図16(a)〜(c)は概略断面図であ
る。
A conventional method for forming the protective film 370 will be briefly described. FIGS. 16A to 16C show a conventional protective film 370.
Is shown. FIGS. 16A to 16C are schematic sectional views.

【0015】画素領域300内に画素電極150、走査
線220、TFT素子200などを形成し、シール材1
40の形成領域140Cの外側の領域にデータ線駆動回
路310、走査線駆動回路320、外部接続用端子36
0を形成した基板110を図16(a)に示す。
A pixel electrode 150, a scanning line 220, a TFT element 200 and the like are formed in a pixel region 300, and a sealing material 1 is formed.
The data line driving circuit 310, the scanning line driving circuit 320, the external connection terminal 36
FIG. 16A shows the substrate 110 on which 0 is formed.

【0016】次に、図16(b)に示すように、基板11
0の表面上の全面に、感光性ポリイミドなどからなる感
光性高分子膜370Aを形成する。
Next, as shown in FIG.
A photosensitive polymer film 370A made of a photosensitive polyimide or the like is formed on the entire surface of the surface of the “0”.

【0017】フォトリソグラフィー法により、この感光
性高分子膜370Aを所定のパターンに形成することに
より、図16(c)に示すように、基板110の表面上に
おいて、少なくともデータ線駆動回路310、走査線駆
動回路320が形成された領域を含む所定の領域のみ
に、保護膜370が形成される。
By forming the photosensitive polymer film 370A into a predetermined pattern by photolithography, at least the data line driving circuit 310 and the scanning line are formed on the surface of the substrate 110 as shown in FIG. The protection film 370 is formed only in a predetermined region including the region where the line drive circuit 320 is formed.

【0018】また、上記の液晶装置100において、図
13に示すように、配向膜180、190は、基板11
0、対向基板120表面のほぼ全面に形成されている。
したがって、シール材140の外側の領域において、配
向膜180は、保護膜370、外部回路接続用端子36
0上にも形成されている。また、基板110、対向基板
120とシール材140との間にも配向膜180、19
0が形成されている。
In the above-described liquid crystal device 100, as shown in FIG.
0, it is formed on almost the entire surface of the counter substrate 120.
Therefore, in the region outside the sealing material 140, the orientation film 180 is covered with the protective film 370 and the external circuit connection terminal 36.
It is also formed on zero. The alignment films 180 and 19 are also provided between the substrate 110 and the counter substrate 120 and the sealant 140.
0 is formed.

【0019】従来の配向膜180、190の形成方法に
ついて簡単に説明する。配向膜180と配向膜190の
形成方法は同様であるので、配向膜180を取り上げ
て、その形成方法について説明する。図17(a)〜(d)
に、従来の配向膜180の形成工程を示す。図17(a)
〜(d)は概略断面図である。
A conventional method for forming the alignment films 180 and 190 will be briefly described. Since the method for forming the alignment film 180 and the alignment film 190 are the same, the method for forming the alignment film 180 will be described with reference to the alignment film 180. FIG. 17 (a) to (d)
Next, a conventional process for forming the alignment film 180 will be described. Fig. 17 (a)
(D) is a schematic sectional view.

【0020】保護膜370を形成した基板110を図1
7(a)に示す。図17(a)は、図16(c)に示した図と同
じであるので、説明は省略する。
The substrate 110 on which the protective film 370 is formed is shown in FIG.
This is shown in FIG. FIG. 17 (a) is the same as the diagram shown in FIG. 16 (c), and a description thereof will be omitted.

【0021】図17(a)に示す基板110の表面上の全
面に、スクリーン印刷法などにより、配向性ポリイミド
などの配向性高分子を所定の単一溶媒又は混合溶媒に溶
解した配向性高分子溶液を塗布し、図17(b)に示すよ
うに、配向性高分子溶液膜180Aを形成する。次に、
図17(c)に示すように、配向性高分子溶液膜180A
の乾燥を行い、配向性高分子溶液膜180Aに含有され
ている溶媒の除去を行い、配向性高分子膜180Bを形
成する。
An oriented polymer obtained by dissolving an oriented polymer such as an oriented polyimide in a predetermined single solvent or a mixed solvent by a screen printing method or the like over the entire surface of the substrate 110 shown in FIG. The solution is applied to form an oriented polymer solution film 180A as shown in FIG. next,
As shown in FIG. 17C, the oriented polymer solution film 180A
Is dried to remove the solvent contained in the oriented polymer solution film 180A to form the oriented polymer film 180B.

【0022】最後に、図17(d)に示すように、配向性
高分子膜180Bの表面をラビングローラーによりラビ
ングする(擦る)ことにより、配向膜180が形成され
る。
Finally, as shown in FIG. 17D, the surface of the oriented polymer film 180B is rubbed (rubbed) with a rubbing roller to form the oriented film 180.

【0023】配向膜190も同様に形成され、共通電極
170を形成した対向基板120の表面上の全面に形成
される。
An alignment film 190 is similarly formed, and is formed on the entire surface of the counter substrate 120 on which the common electrode 170 is formed.

【0024】[0024]

【発明が解決しようとする課題】上記の液晶装置100
の基板110の表面上において、データ線駆動回路31
0、走査線駆動回路320は、図14に示すように、シ
ール材140の外側の領域のみに形成され、これらの占
有面積は基板110に対して小さいものとなっている。
しかしながら、先に説明したように、保護膜370をフ
ォトリソグラフィー法により形成する場合、感光性高分
子膜370Aを基板110の表面上のほぼ全面に形成し
た後、感光性高分子膜370Aの大部分をフォトエッチ
ングする必要がある。そのため、保護膜を形成する際の
工程が多く、生産効率が悪いという問題点がある。ま
た、多量の感光性高分子を必要とし、かつその大部分を
廃棄するため、原料コストがかかるとともに、環境面で
も好ましくないという問題点がある。
The above liquid crystal device 100
Data line driving circuit 31 on the surface of the substrate 110 of FIG.
0, the scanning line driving circuit 320 is formed only in a region outside the sealing material 140, as shown in FIG.
However, as described above, when the protective film 370 is formed by the photolithography method, after forming the photosensitive polymer film 370A over almost the entire surface of the substrate 110, most of the photosensitive polymer film 370A is formed. Need to be photo-etched. Therefore, there are many steps in forming the protective film, and there is a problem that the production efficiency is poor. In addition, a large amount of the photosensitive polymer is required, and most of the polymer is discarded, so that there is a problem that the cost of raw materials is high and the environment is not preferable.

【0025】また、仮に、保護膜370を所定のパター
ンに形成せずに、基板110の表面上の全面に形成する
場合、生産工程を短縮化することはできるが、外部回路
接続用端子360上にも保護膜370が形成される。保
護膜370の膜厚は、1〜4×10-6m程度と、20〜
100×10-9m程度の膜厚の配向膜180、190に
比較して厚いものとなっている。
If the protection film 370 is formed on the entire surface of the substrate 110 without forming the protection film 370 in a predetermined pattern, the production process can be shortened. Also, a protective film 370 is formed. The thickness of the protective film 370 is about 1 to 4 × 10 −6 m and 20 to 20 × 10 −6 m.
It is thicker than the alignment films 180 and 190 having a thickness of about 100 × 10 −9 m.

【0026】そのため、導電性を有しない保護膜370
が外部回路接続用端子360上に形成された場合、外部
接続用端子360上の保護膜370を除去することは容
易ではなく、外部回路接続用端子360を外部回路に電
気的に接続することができなくなるという恐れがある。
Therefore, the protective film 370 having no conductivity
Is formed on the external circuit connection terminal 360, it is not easy to remove the protective film 370 on the external connection terminal 360, and the external circuit connection terminal 360 may be electrically connected to an external circuit. There is a risk that it will not be possible.

【0027】また、保護膜370を所定のパターンに形
成せずに、基板110の表面上の全面に形成する場合、
原料の省量化を図ることはできない。
In the case where the protective film 370 is formed on the entire surface of the substrate 110 without being formed in a predetermined pattern,
It is not possible to reduce the amount of raw materials.

【0028】そこで、本発明者は、保護膜370を外部
回路接続用端子360上に形成せず、所定のパターンに
形成する必要があると考えている。
Therefore, the present inventor believes that the protective film 370 must be formed in a predetermined pattern instead of being formed on the external circuit connection terminal 360.

【0029】また、上記の従来の配向膜180の形成方
法において、配向膜180を形成する前の基板110の
表面上において、シール材140の形成領域140Cの
外側の領域では、図17(a)に示すように、多数の段差
が形成されているため、図17(b)、(c)に示すように、
シール材140の形成領域140Cの外側の領域におい
て、配向性高分子溶液膜180Aあるいは配向性高分子
膜180Bには、多数の段差が形成される。
In the above-described conventional method of forming the alignment film 180, the region outside the formation region 140C of the sealing material 140 on the surface of the substrate 110 before the formation of the alignment film 180 is formed as shown in FIG. As shown in FIGS. 17 (b) and 17 (c), since a number of steps are formed,
In a region outside the formation region 140C of the sealing material 140, a number of steps are formed in the oriented polymer solution film 180A or the oriented polymer film 180B.

【0030】そのため、配向性高分子膜180Bを形成
した後、配向性高分子膜180Bをラビングローラーに
よりラビングする際に、これらの段差部分の配向性高分
子膜180Bもラビングローラーにより擦られ、このと
き、段差部分の配向性高分子膜180Bの一部が剥離す
る場合がある。その結果、配向膜180を形成した後、
基板110を洗浄する工程において、剥離した配向性高
分子膜180Bが洗浄液の流れに沿って、画素領域30
0内の配向膜180上に移動して残留し、配向膜180
の配向不良を引き起こし、液晶装置100の表示品質を
悪化させる恐れがある。
Therefore, after forming the oriented polymer film 180B, when the oriented polymer film 180B is rubbed by a rubbing roller, the oriented polymer film 180B at these steps is also rubbed by the rubbing roller. At this time, a part of the orienting polymer film 180B at the step portion may be peeled off. As a result, after forming the alignment film 180,
In the step of cleaning the substrate 110, the peeled oriented polymer film 180B is moved along the flow of the cleaning liquid to form the pixel region 30.
0 and remains on the alignment film 180 within the alignment film 180.
Of the liquid crystal device 100 may be deteriorated.

【0031】また、配向膜180、190を形成する際
に、上記のように、基板110、対向基板120の表面
上の全面に、スクリーン印刷法により配向性高分子溶液
を塗布する場合、スクリーンが基板110、対向基板1
20に接触するため、スクリーンに付着していた塵など
が基板110、対向基板120に付着し、基板110、
対向基板120を汚染し、液晶装置100の性能が悪化
する恐れがある。
When the alignment films 180 and 190 are formed, as described above, when an alignment polymer solution is applied to the entire surface of the substrate 110 and the counter substrate 120 by a screen printing method, the screen is Substrate 110, counter substrate 1
20, dust and the like that have adhered to the screen adhere to the substrate 110 and the opposite substrate 120, and the substrate 110,
The opposite substrate 120 may be contaminated, and the performance of the liquid crystal device 100 may be deteriorated.

【0032】さらに、上記のように、配向膜180、1
90を基板110、対向基板120の表面上の全面に形
成した場合、液晶装置100において、基板110、対
向基板120とシール材140との間に配向膜180、
190が形成されている。シール材140はエポキシ系
などの熱硬化性又は光硬化性接着剤からなるため、防湿
性に優れているが、配向膜180、190はポリイミド
などからなるため、透湿性を有している。そのため、液
晶装置100の外部から外気中の水分が、基板110、
対向基板120とシール材140との間に形成された配
向膜180、190を透過し、液晶層130内に水分が
混入し、液晶装置100の性能が悪化する恐れがある。
Further, as described above, the alignment films 180, 1
When the substrate 90 and the counter substrate 120 are formed over the entire surface of the substrate 110 and the counter substrate 120, in the liquid crystal device 100, the alignment film 180 is disposed between the substrate 110 and the counter substrate 120 and the sealant 140.
190 are formed. The sealing material 140 is made of a thermosetting or photocurable adhesive such as an epoxy-based adhesive, and thus has excellent moisture proof properties. However, since the alignment films 180 and 190 are made of polyimide or the like, they have moisture permeability. Therefore, moisture in the outside air from the outside of the liquid crystal device 100
There is a possibility that the permeation of the alignment films 180 and 190 formed between the counter substrate 120 and the sealant 140 and the mixing of moisture into the liquid crystal layer 130 may deteriorate the performance of the liquid crystal device 100.

【0033】また、上記のように、配向膜180を基板
110の表面上の全面に形成した場合、液晶装置100
において、外部回路接続用端子360上にも配向膜18
0が形成されている。そのため、外部回路接続用端子3
60をACFなどの導電材を介して、外部回路に電気的
に接続する際に、外部回路接続用端子360上に形成さ
れ、導電性を有しない配向膜180を除去する工程を必
要とし、液晶装置100を電子機器に実装する工程の効
率が悪化する恐れがある。
In the case where the alignment film 180 is formed on the entire surface of the substrate 110 as described above,
In the above, the alignment film 18 is also provided on the external circuit connection terminal 360.
0 is formed. Therefore, the external circuit connection terminal 3
When electrically connecting 60 to an external circuit via a conductive material such as ACF, a step of removing alignment film 180 formed on external circuit connection terminal 360 and having no conductivity is required, and the There is a possibility that the efficiency of the process of mounting the device 100 on the electronic device may be reduced.

【0034】そこで、本発明者は、配向膜180、19
0をシール材140より内側の領域のみに形成すること
が望ましいと考えている。
Therefore, the present inventor has proposed that the alignment films 180, 19
It is considered that it is desirable to form 0 only in a region inside the sealing material 140.

【0035】配向膜180、190をフォトリソグラフ
ィー法により形成する場合、配向性高分子として感光性
の高分子を用い、基板110、対向基板120の表面上
の全面に、感光性の配向性高分子膜を形成した後、フォ
トエッチングにより所定のパターンに形成することによ
り、配向膜180、190をシール材140より内側の
領域のみに形成することができる。
When the alignment films 180 and 190 are formed by photolithography, a photosensitive polymer is used as the alignment polymer, and the photosensitive alignment polymer is coated on the entire surface of the substrate 110 and the counter substrate 120. After forming the film, by forming the film into a predetermined pattern by photoetching, the alignment films 180 and 190 can be formed only in the region inside the sealant 140.

【0036】しかしながら、配向性高分子膜をフォトエ
ッチングする際に、エッチングされずに最終的に配向膜
180、190となる配向性高分子膜の表面を損傷し、
配向膜180、190を均一に形成することができず、
配向膜180、190に配向不良が生じる恐れがある。
However, when photo-etching the oriented polymer film, the surface of the oriented polymer film which eventually becomes the orientation films 180 and 190 without being etched is damaged,
The alignment films 180 and 190 cannot be formed uniformly,
Poor alignment may occur in the alignment films 180 and 190.

【0037】また、以上の問題は、TFT素子を用いた
液晶装置に限った問題ではなく、単純マトリックス型の
液晶装置やTFD(Thin Film Diode)素子などの2端
子型素子を用いた液晶装置など、いかなる液晶装置にお
いても生じる問題である。
The above problem is not limited to a liquid crystal device using a TFT element, but may be a simple matrix type liquid crystal device or a liquid crystal device using a two-terminal type element such as a TFD (Thin Film Diode) element. This is a problem that occurs in any liquid crystal device.

【0038】そこで、本発明は、原料の省量化と生産効
率の向上を可能にし、駆動回路を保護するための保護膜
を基板の表面上の所定の領域のみに形成することを可能
にする保護膜の形成方法を提供することを目的とする。
Accordingly, the present invention provides a protection method that enables a reduction in the amount of raw materials and an improvement in production efficiency, and enables a protective film for protecting a drive circuit to be formed only in a predetermined region on the surface of a substrate. It is an object to provide a method for forming a film.

【0039】また、本発明は、上記の問題点を解決し、
配向不良のない均一な配向膜を基板表面上の所定の領域
のみに形成することを可能にする配向膜の形成方法を提
供することを目的とする。
Further, the present invention solves the above problems,
It is an object of the present invention to provide a method for forming an alignment film that enables a uniform alignment film without alignment defects to be formed only in a predetermined region on a substrate surface.

【0040】さらに、これらの配向膜の形成方法、保護
膜の形成方法により形成された配向膜、保護膜を備える
ことにより、原料の省量化と生産効率の向上を可能に
し、保護膜を基板の表面上の所定の領域のみに形成する
ことができ、配向不良のない配向膜をシール材の内側の
みに形成することができ、性能が良く、表示品質の優れ
た液晶装置を提供することを目的とする。
Further, by providing the alignment film and the protective film formed by the method for forming the alignment film and the method for forming the protective film, the amount of raw materials can be reduced and the production efficiency can be improved. An object of the present invention is to provide a liquid crystal device which can be formed only in a predetermined region on a surface and can be formed only on the inner side of a sealing material without an alignment defect, and has good performance and excellent display quality. And

【0041】さらに、この液晶装置を備えることによ
り、原料の省量化と生産効率の向上を可能にし、性能が
良く、表示品質に優れた電子機器を提供することを目的
とする。
Further, it is another object of the present invention to provide an electronic device having a high performance and a high display quality by enabling the saving of raw materials and the improvement of production efficiency by providing the liquid crystal device.

【0042】[0042]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明が講じた第1の手段は、少なくとも駆動回路
と、該駆動回路を外部回路に接続するための外部回路接
続用端子とを具備する基板の表面上に、前記駆動回路を
保護するための保護膜を形成する方法であって、インク
ジェット方式により、前記基板の表面上において、少な
くとも前記駆動回路が形成された領域を含む所定の領域
のみに、高分子を溶媒に溶解した高分子溶液を塗布する
ことにより、高分子溶液膜を形成する工程と、該高分子
溶液膜に含有される溶媒を乾燥除去して保護膜とする工
程とを有することを特徴とする。
Means for Solving the Problems A first means taken by the present invention to solve the above-mentioned problems is that at least a drive circuit and an external circuit connection terminal for connecting the drive circuit to an external circuit are provided. A method for forming a protective film for protecting the drive circuit on a surface of a substrate provided, comprising a predetermined area including at least a region where the drive circuit is formed on the surface of the substrate by an inkjet method. A step of forming a polymer solution film by applying a polymer solution in which a polymer is dissolved in a solvent to only the region, and a step of drying and removing a solvent contained in the polymer solution film to form a protective film And characterized in that:

【0043】また、前記基板の表面上において、前記駆
動回路と前記外部回路接続用端子とが、前記基板と他方
の基板とを対向配置させ所定間隔で貼着するために、前
記基板の周縁部と前記他方の基板の周縁部との間に形成
されるシール材の形成領域より外側の領域に形成されて
おり、前記基板の表面上において、前記所定の領域が、
前記シール材の形成領域より外側の領域で、かつ、前記
外部回路接続用端子が形成された領域を含まない領域に
属していることを特徴とする。
Further, on the surface of the substrate, the drive circuit and the external circuit connection terminal are arranged so that the substrate and the other substrate are opposed to each other and are adhered at a predetermined interval, so that a peripheral portion of the substrate is provided. And is formed in a region outside a formation region of a sealant formed between the peripheral portion of the other substrate and the predetermined region on the surface of the substrate,
It is characterized by belonging to a region outside the region where the sealing material is formed and a region not including the region where the external circuit connection terminal is formed.

【0044】上記の手段によれば、インクジェット方式
を採用し、基板の表面上において、所定の領域のみに高
分子溶液膜を形成することにより、基板の表面上におい
て、駆動回路が形成された領域を含む所定の領域のみ
に、駆動回路を保護するための保護膜を形成することを
可能にする保護膜の形成方法を提供することができる。
According to the above means, by adopting the ink jet method and forming the polymer solution film only on a predetermined area on the surface of the substrate, the area on the surface of the substrate where the drive circuit is formed is formed. It is possible to provide a method for forming a protective film that enables a protective film for protecting a drive circuit to be formed only in a predetermined region including:

【0045】この方法によれば、駆動回路を保護するた
めの保護膜を形成する際に、高分子溶液膜を基板の表面
上の全面に形成する必要がなく、かつ高分子膜をエッチ
ングする工程が不要になるため、原料の省量化と生産効
率の向上を可能にする保護膜の形成方法を提供すること
ができる。また、この方法によれば、駆動回路を保護す
るための保護膜を形成する際に、フォトリソグラフィー
法のように感光性高分子を用いる必要がないので、原料
が限定されず、原料の低コスト化を図ることができる。
According to this method, when forming the protective film for protecting the drive circuit, it is not necessary to form the polymer solution film on the entire surface of the substrate, and the polymer film is etched. Therefore, it is possible to provide a method for forming a protective film, which can reduce the amount of raw materials and improve production efficiency. Further, according to this method, when forming a protective film for protecting the drive circuit, there is no need to use a photosensitive polymer as in the photolithography method, so that the raw material is not limited, and the raw material can be manufactured at low cost. Can be achieved.

【0046】また、駆動回路を保護するための保護膜
は、基板の表面上において、シール材の形成領域より外
側の領域のみに形成され、かつ外部回路接続用端子が形
成された領域には形成されないことが望ましい。このよ
うに保護膜を形成することにより、原料の省量化を図る
ことができるとともに、外部回路接続用端子上に保護膜
が形成されないので、外部回路接続用端子を外部回路に
電気的に接続する工程が容易となる。
The protective film for protecting the drive circuit is formed only on the surface of the substrate outside the region where the sealing material is formed, and is formed on the region where the external circuit connection terminals are formed. Desirably not. By forming the protective film in this manner, the amount of raw materials can be reduced, and since the protective film is not formed on the external circuit connection terminal, the external circuit connection terminal is electrically connected to the external circuit. The process becomes easy.

【0047】上記の手段において、前記高分子溶液の粘
度が、10×10-3Pa・s以下であることが望まし
い。さらに、前記高分子溶液の粘度が、3〜4×10-3
Pa・sであることがより望ましい。
In the above means, it is desirable that the viscosity of the polymer solution is not more than 10 × 10 −3 Pa · s. Further, the viscosity of the polymer solution is 3-4 × 10 −3.
More preferably, it is Pa · s.

【0048】また、前記高分子溶液中における前記高分
子の濃度が50g/L以下であることが望ましい。
It is preferable that the concentration of the polymer in the polymer solution is 50 g / L or less.

【0049】また、上記の手段において、前記高分子溶
液膜を形成する工程において、前記高分子溶液の液滴を
吐出する1つ又は複数のインクジェットノズルを用いる
ことを特徴とする。
Further, in the above-mentioned means, in the step of forming the polymer solution film, one or a plurality of ink jet nozzles for discharging droplets of the polymer solution are used.

【0050】高分子溶液の粘度を10×10-3Pa・s
以下、より望ましくは3〜4×10 -3Pa・sとし、高
分子溶液中における高分子の濃度を50g/L以下とす
ることにより、インクジェットノズルから安定して連続
的に高分子溶液の液滴を吐出することができる。また、
複数のインクジェットノズルを使用することにより、効
率良く高分子溶液膜を形成することができるので、駆動
回路を保護するための保護膜を形成する工程を短縮化す
ることができる。
The viscosity of the polymer solution is 10 × 10-3Pa · s
Hereinafter, more preferably, 3 to 4 × 10 -3Pa · s, high
The concentration of the polymer in the molecular solution is set to 50 g / L or less.
Stable and continuous from the inkjet nozzle
This makes it possible to discharge droplets of the polymer solution. Also,
By using multiple inkjet nozzles,
Since the polymer solution film can be formed efficiently,
Shortening the process of forming a protective film to protect circuits
Can be

【0051】上記課題を解決するために本発明が講じた
第2の手段は、液晶を所定の方向に配向させるための配
向膜を基板の表面上に形成する方法であって、インクジ
ェット方式により、基板の表面上において、少なくとも
画素領域を含む所定の領域のみに、配向性高分子を所定
の溶媒に溶解した配向性高分子溶液を塗布することによ
り、配向性高分子溶液膜を形成する工程と、該配向性高
分子溶液膜に含有される溶媒を乾燥除去し、配向性高分
子膜を形成する工程とを有することを特徴とする。
A second means taken by the present invention to solve the above-mentioned problem is a method of forming an alignment film for aligning liquid crystal in a predetermined direction on the surface of a substrate. A step of forming an oriented polymer solution film by applying an oriented polymer solution in which an oriented polymer is dissolved in a given solvent to at least a predetermined area including at least a pixel area on the surface of the substrate; Drying the solvent contained in the oriented polymer solution film to form an oriented polymer film.

【0052】この手段によれば、インクジェット方式を
採用し、基板の表面上において、所定の領域のみに配向
性高分子溶液膜を形成することにより、基板の表面上に
おいて、少なくとも画素領域を含む所定の領域のみに配
向膜を形成することを可能にする配向膜の形成方法を提
供することができる。
According to this means, by adopting an ink-jet method and forming an oriented polymer solution film only on a predetermined region on the surface of the substrate, a predetermined region including at least a pixel region is formed on the surface of the substrate. It is possible to provide a method for forming an alignment film that enables the formation of the alignment film only in the region.

【0053】また、インクジェット方式を採用すること
により、配向性高分子溶液の液滴のみが基板に接触する
ので、従来のスクリーン印刷法のように基板を汚染する
ことなく、基板の表面上に配向性高分子溶液を塗布する
ことができる。
Also, by employing the ink jet method, only the droplets of the oriented polymer solution come into contact with the substrate, so that the substrate can be oriented on the surface of the substrate without contaminating the substrate unlike the conventional screen printing method. The conductive polymer solution can be applied.

【0054】また、インクジェット方式を採用すること
により、配向性高分子膜をエッチングする工程が不要で
あるため、配向膜を損傷することなく、配向不良のない
配向膜を、基板の表面上の所定の領域のみに形成するこ
とができる。
In addition, since the step of etching the oriented polymer film is not required by adopting the ink jet method, an oriented film having no alignment defect without damaging the oriented film can be formed on the surface of the substrate. Can be formed only in the region.

【0055】上記の手段において、配向性高分子溶液膜
を形成する領域が、前記基板の表面上において、前記基
板と他方の基板とを対向配置させ所定間隔で貼着するた
めに、前記基板の周縁部と前記他方の基板の周縁部との
間に形成されるシール材の形成領域より内側の領域に属
していることが望ましい。
In the above means, the region for forming the oriented polymer solution film is formed on the surface of the substrate so that the substrate and the other substrate are opposed to each other and adhered at a predetermined interval. Desirably, it belongs to a region inside a formation region of a sealing material formed between a peripheral portion and a peripheral portion of the other substrate.

【0056】この場合、配向性高分子膜が、段差の少な
い、シール材の形成領域より内側の領域のみに形成され
るので、配向性高分子膜をラビングする工程において、
配向性高分子膜が剥離することを防止できるため、配向
膜の配向不良を防止することができる。
In this case, since the oriented polymer film is formed only in the region inside the seal material forming region having a small step, the rubbing of the oriented polymer film is
Since the alignment polymer film can be prevented from being peeled, poor alignment of the alignment film can be prevented.

【0057】上記の手段において、前記配向性高分子溶
液の粘度が、10×10-3Pa・s以下であることが望
ましい。さらに、前記配向性高分子溶液の粘度が、3〜
4×10-3Pa・sであることがより望ましい。
In the above means, the viscosity of the oriented polymer solution is desirably 10 × 10 −3 Pa · s or less. Further, the viscosity of the oriented polymer solution is 3 to
More preferably, it is 4 × 10 −3 Pa · s.

【0058】また、上記の手段において、前記配向性高
分子溶液中における前記配向性高分子の濃度が50g/
L以下であることが望ましい。
In the above means, the concentration of the oriented polymer in the oriented polymer solution is 50 g /
L or less is desirable.

【0059】また、上記の手段において、前記配向性高
分子溶液膜を形成する工程において、前記配向性高分子
溶液の液滴を吐出する1つ又は複数のインクジェットノ
ズルを用いることを特徴とする。
In the above means, one or more inkjet nozzles for discharging droplets of the oriented polymer solution are used in the step of forming the oriented polymer solution film.

【0060】配向性高分子溶液の粘度を10×10-3
a・s以下、より望ましくは3〜4×10-3Pa・sと
し、配向性高分子溶液中における配向性高分子の濃度を
50g/L以下とすることにより、インクジェットノズ
ルから安定して連続的に配向性高分子溶液の液滴を吐出
することができる。また、複数のインクジェットノズル
を使用することにより、効率良く配向性高分子溶液膜を
形成することができるので、配向膜の形成工程を短縮化
することができる。
The viscosity of the oriented polymer solution is set to 10 × 10 −3 P
a.s or less, more preferably 3 to 4 × 10 −3 Pa · s, and by controlling the concentration of the orienting polymer in the orienting polymer solution to 50 g / L or less, it is possible to stably and continuously from the inkjet nozzle. The droplet of the oriented polymer solution can be ejected in an appropriate manner. Further, by using a plurality of ink jet nozzles, an oriented polymer solution film can be efficiently formed, so that the process of forming an oriented film can be shortened.

【0061】さらに、以上の保護膜の形成方法、配向膜
の形成方法により形成された保護膜、配向膜を備えるこ
とにより、基板の表面上において、駆動回路を保護する
ための保護膜が、少なくとも駆動回路が形成された領域
を含む所定の領域のみに形成されるとともに、配向不良
のない配向膜が、少なくとも画素領域を含む所定の領域
のみに形成された液晶装置を提供することができる。
Further, by providing the protective film formed by the above-described method for forming a protective film, the protective film formed by the method for forming an alignment film, and the alignment film, at least the protective film for protecting the drive circuit on the surface of the substrate is provided. A liquid crystal device which is formed only in a predetermined region including a region where a driving circuit is formed and in which an alignment film having no alignment defect is formed only in a predetermined region including at least a pixel region can be provided.

【0062】この液晶装置の基板表面上において、駆動
回路を保護するための保護膜は、シール材より外側の領
域のみに形成され、かつ、外部回路接続用端子が形成さ
れた領域には形成されていないことが望ましい。また、
上記の液晶装置の基板表面上において、配向膜はシール
材より内側の領域のみに形成されていることが望まし
い。
On the substrate surface of this liquid crystal device, a protective film for protecting the drive circuit is formed only in the region outside the sealing material and in the region where the external circuit connection terminals are formed. Not desirable. Also,
On the substrate surface of the above liquid crystal device, it is desirable that the alignment film is formed only in a region inside the sealing material.

【0063】駆動回路を保護するための保護膜がインク
ジェット方式を用いて形成されたものであるので、先に
説明したように、この液晶装置は、原料の省量化、生産
効率の向上、原料の低コスト化を可能にするものとな
る。
Since the protective film for protecting the drive circuit is formed by using the ink jet method, as described above, this liquid crystal device can reduce the amount of raw materials, improve the production efficiency, and reduce the amount of raw materials. This makes it possible to reduce costs.

【0064】また、配向膜をシール材より内側の領域の
みに形成することにより、基板とシール材との間に配向
膜が形成されないので、液晶装置の外部から液晶層内に
水分が混入されるのを防止することができ、性能が良
く、表示品質の優れた液晶装置を提供することができ
る。
Further, since the alignment film is formed only in the region inside the sealing material, no alignment film is formed between the substrate and the sealing material, so that water is mixed into the liquid crystal layer from outside the liquid crystal device. And a liquid crystal device having good performance and excellent display quality can be provided.

【0065】また、配向膜をシール材より内側の領域の
みに形成することにより、外部回路接続用端子上に配向
膜が形成されないので、外部回路接続用端子を外部回路
に接続する際に、導電性を有しない配向膜を破断する工
程を必要とせず、液晶装置を電子機器に実装する工程を
短縮化することができる。
Further, since the alignment film is formed only in the region inside the sealing material, the alignment film is not formed on the external circuit connection terminal. Therefore, when the external circuit connection terminal is connected to the external circuit, a conductive film is formed. This eliminates the need for a step of breaking an alignment film having no properties, and can shorten the step of mounting the liquid crystal device on an electronic device.

【0066】さらに、上記の液晶装置を備えることによ
り、原料の省量化と生産効率の向上を可能にし、性能が
良く、表示品質に優れた電子機器を提供することができ
る。
Further, by providing the above-mentioned liquid crystal device, it is possible to reduce the amount of raw materials and improve the production efficiency, and it is possible to provide an electronic device having good performance and excellent display quality.

【0067】[0067]

【発明の実施の形態】次に、本発明に係る実施形態につ
いて詳細に説明する。
Next, an embodiment according to the present invention will be described in detail.

【0068】第1実施形態 図1、図2に、それぞれ本発明に係る第1実施形態の、
スイッチング素子としてTFT(Thin-Film Transisto
r)素子を用いた、投射型ディスプレイ用の液晶(表
示)装置10を基板面に対し垂直方向、水平方向に切断
したときの概略断面構造、概略平面構造を示し、この液
晶装置10の構造について説明する。また、図3に、液
晶装置10の基板(下側基板)11の一部分を拡大した
概略平面構造を示す。図1は、図2のA1−A1’線、
図3のA2−A2’線に沿って示す断面図である。図1
〜図3において、各層や各部材を図面上で認識可能な程
度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺は実際のも
のとは異なるように表している。
First Embodiment FIGS. 1 and 2 show a first embodiment according to the present invention, respectively.
TFT (Thin-Film Transisto) as a switching element
r) A schematic cross-sectional structure and a schematic plane structure when a liquid crystal (display) device 10 for a projection display using elements is cut in a vertical direction and a horizontal direction with respect to a substrate surface are shown. explain. FIG. 3 shows a schematic plan structure in which a part of a substrate (lower substrate) 11 of the liquid crystal device 10 is enlarged. FIG. 1 is a sectional view taken along line A1-A1 ′ of FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line A2-A2 ′ of FIG. FIG.
In FIG. 3 to FIG. 3, the scale of each layer and each member is shown differently from the actual one in order to make each layer and each member large enough to be recognized in the drawing.

【0069】はじめに、液晶装置10の概略構造につい
て説明する。
First, the schematic structure of the liquid crystal device 10 will be described.

【0070】図1に示すように、基板(下側基板)11
と対向基板(上側基板)12とがシール材14を介して
所定間隔で貼着され、基板11、対向基板12間に液晶
層13が挟持されている。シール材14はエポキシ系な
どの熱硬化性又は光硬化性接着剤から形成されている。
また、図1においては省略しているが、シール材14に
は、液晶セルのセルギャップを均一化するために、基板
11と対向基板12との基板間隔に合わせて、2〜5×
10-6m程度の直径を有するスペーサーが内包されてい
る。また、図1においては省略しているが、基板11、
対向基板12の外側には偏光板、位相差板などの光学素
子が取り付けられている。
As shown in FIG. 1, a substrate (lower substrate) 11
And an opposing substrate (upper substrate) 12 are adhered at predetermined intervals via a sealing material 14, and a liquid crystal layer 13 is sandwiched between the substrate 11 and the opposing substrate 12. The sealing material 14 is formed from a thermosetting or photocurable adhesive such as an epoxy-based material.
Although not shown in FIG. 1, the sealing material 14 has a size of 2 to 5 × in accordance with the distance between the substrate 11 and the counter substrate 12 in order to make the cell gap of the liquid crystal cell uniform.
A spacer having a diameter of about 10 −6 m is included. Although not shown in FIG. 1, the substrate 11,
Optical elements such as a polarizing plate and a phase difference plate are attached to the outside of the counter substrate 12.

【0071】図2に示すように、シール材14は、基板
11、対向基板12の周縁部間に形成されている。シー
ル材14の一部には、液晶を注入するための液晶注入孔
14Aが形成され、液晶注入孔14Aより、基板11、
対向基板12間に液晶が注入された後、この液晶注入孔
14Aは封止材14Bにより封止されている。図2には
表示されていないが、対向基板12はシール材14とほ
ぼ同じ輪郭を有して、シール材14上に配置されてい
る。
As shown in FIG. 2, the sealing material 14 is formed between the peripheral portions of the substrate 11 and the counter substrate 12. A liquid crystal injection hole 14A for injecting liquid crystal is formed in a part of the sealing material 14, and the substrate 11, the liquid crystal injection hole 14A is formed through the liquid crystal injection hole 14A.
After the liquid crystal is injected between the opposing substrates 12, the liquid crystal injection hole 14A is sealed with a sealing material 14B. Although not shown in FIG. 2, the opposing substrate 12 has substantially the same contour as the sealing material 14 and is disposed on the sealing material 14.

【0072】次に、液晶装置10のシール材14より内
側の部分の構造について詳しく説明する。
Next, the structure of a portion of the liquid crystal device 10 inside the seal member 14 will be described in detail.

【0073】図1に示すように、基板11の図示上側
(液晶層13側)表面上において、シール材14より内
側の領域(シール材14の図示右側の領域)には、画素
電極15と走査線22と、後述するTFT素子20など
が形成され、画素電極15、走査線22、TFT素子2
0の液晶層13側には、液晶層13を所定の方向に配向
させるための配向膜18が形成されている。以下、画素
電極15、TFT素子20が形成された領域を画素領域
30と記載する。
As shown in FIG. 1, on the upper surface of the substrate 11 (on the liquid crystal layer 13 side) in the drawing, a region inside the sealing material 14 (the right region of the sealing material 14 in the drawing) is scanned with the pixel electrode 15. A line 22, a TFT element 20 described later, and the like are formed, and the pixel electrode 15, the scanning line 22, and the TFT element 2 are formed.
On the 0 liquid crystal layer 13 side, an alignment film 18 for aligning the liquid crystal layer 13 in a predetermined direction is formed. Hereinafter, a region where the pixel electrode 15 and the TFT element 20 are formed is referred to as a pixel region 30.

【0074】一方、対向基板12の図示下側(液晶層1
3側)表面上において、シール材14より内側の領域
に、共通電極17と配向膜19とが順次積層形成されて
いる。本実施形態において、配向膜18、19は、基板
11、対向基板12の表面上において、少なくとも画素
領域30を含む所定の領域のみに形成されている。図1
に示すように、本実施形態において、配向膜18、19
は、基板11、対向基板12の表面上において、シール
材14より内側の領域のみに形成されていることが望ま
しい。図3に基づき、画素領域30における基板11表
面の構造について詳しく説明する。図3に示すように、
基板11上には、走査線22とデータ線16とがマトリ
ックス状に配置され、走査線22とデータ線16との交
点に応じて各画素が配置され、各画素には画素電極15
と、各画素電極15を駆動するためのTFT素子20と
が設けられている。TFT素子20の詳細については後
述する。
On the other hand, the lower side of the counter substrate 12 (the liquid crystal layer 1)
(3) On the surface, a common electrode 17 and an alignment film 19 are sequentially laminated in a region inside the sealing material 14. In the present embodiment, the alignment films 18 and 19 are formed only on a predetermined region including at least the pixel region 30 on the surfaces of the substrate 11 and the counter substrate 12. FIG.
As shown in FIG. 2, in the present embodiment, the alignment films 18 and 19
Is desirably formed only on a region inside the sealing material 14 on the surfaces of the substrate 11 and the counter substrate 12. The structure of the surface of the substrate 11 in the pixel region 30 will be described in detail with reference to FIG. As shown in FIG.
On the substrate 11, the scanning lines 22 and the data lines 16 are arranged in a matrix, and each pixel is arranged according to the intersection of the scanning line 22 and the data line 16, and each pixel has a pixel electrode 15
And a TFT element 20 for driving each pixel electrode 15. Details of the TFT element 20 will be described later.

【0075】次に、液晶装置10のシール材14より外
側の部分の構造について詳しく説明する。
Next, the structure of the portion of the liquid crystal device 10 outside the seal member 14 will be described in detail.

【0076】図2に示すように、基板11の表面上にお
いて、シール材14の外側の図示下側の領域には、デー
タ線16を駆動するためのデータ線駆動回路31が設け
られ、図示は省略している複数の配線を介して、データ
線16とデータ線駆動回路31とは電気的に接続されて
いる。
As shown in FIG. 2, a data line drive circuit 31 for driving the data lines 16 is provided on the surface of the substrate 11 in a lower region outside the seal member 14 in the drawing. The data lines 16 and the data line driving circuit 31 are electrically connected via a plurality of omitted wirings.

【0077】また、基板11の表面上において、シール
材14の外側の図示左側と図示右側の領域には、走査線
22を駆動するための走査線駆動回路32が設けられ、
図示は省略している複数の配線を介して、走査線22と
走査線駆動回路32とは電気的に接続されている。図示
左右2箇所に設けられた走査線駆動回路32は、基板1
1の表面上において、シール材14の外側の図示上側の
領域に設けられた複数の配線33を介して電気的に接続
されている。
On the surface of the substrate 11, a scanning line driving circuit 32 for driving the scanning lines 22 is provided on the left and right sides of the sealing material 14 in the drawing.
The scanning lines 22 and the scanning line driving circuit 32 are electrically connected through a plurality of wirings not shown. The scanning line driving circuits 32 provided at two places on the left and right sides
On the surface of the first member 1, they are electrically connected to each other via a plurality of wirings 33 provided in a region on the upper side of the drawing outside the sealing member 14.

【0078】データ線駆動回路31、走査線駆動回路3
2は、複数の配線34、35を介して、基板110の表
面上において、図示下側端部近傍に設けられた複数の外
部回路接続用端子36に電気的に接続されている。外部
回路接続用端子36はACF(anisotropic conductive
film)などの導電材を介して、図示は省略している外
部回路に電気的に接続される。
Data line drive circuit 31, scan line drive circuit 3
2 is electrically connected to a plurality of external circuit connection terminals 36 provided near the lower end on the surface of the substrate 110 via a plurality of wirings 34 and 35. The external circuit connection terminal 36 is an ACF (anisotropic conductive
Through a conductive material such as film), it is electrically connected to an external circuit (not shown).

【0079】また、図1、図2に示すように、データ線
駆動回路31、走査線駆動回路32上には、データ線駆
動回路31、走査線駆動回路32を保護するための保護
膜37が形成されている。
As shown in FIGS. 1 and 2, a protective film 37 for protecting the data line driving circuit 31 and the scanning line driving circuit 32 is provided on the data line driving circuit 31 and the scanning line driving circuit 32. Is formed.

【0080】また、図2に示すように、シール材14の
コーナー部には、シール材14と同一材料からなる接着
剤と、該接着剤中に封入された多数の導電粒子とからな
る導電材38が設けられ、対向基板12の表面上に形成
された共通電極17が、これらの導電材38に電気的に
接続されている。また、導電材38は配線39を介して
外部回路接続用端子36のうちのいくつかに電気的に接
続されている。
Further, as shown in FIG. 2, at the corner of the sealing material 14, an adhesive made of the same material as the sealing material 14 and a conductive material made of a large number of conductive particles sealed in the adhesive are provided. The common electrode 17 formed on the surface of the counter substrate 12 is electrically connected to these conductive members 38. In addition, the conductive material 38 is electrically connected to some of the external circuit connection terminals 36 via the wiring 39.

【0081】本実施形態において、保護膜37は、基板
11の表面上において、少なくともデータ線駆動回路3
1、走査線駆動回路32が形成された領域を含む所定の
領域のみに形成されている。図1、図2に示すように、
本実施形態において、保護膜37は、基板11の表面上
において、シール材14の外側の領域にのみ形成され、
少なくとも駆動回路31、32を覆うように形成される
とともに外部接続用端子36が形成された領域には形成
されていないことが望ましい。また、保護膜37は、配
線33、34、35、39上にも形成されることが望ま
しい。
In the present embodiment, the protective film 37 is formed on the surface of the substrate 11 at least in the data line driving circuit 3.
1. It is formed only in a predetermined area including the area where the scanning line drive circuit 32 is formed. As shown in FIGS. 1 and 2,
In the present embodiment, the protective film 37 is formed on the surface of the substrate 11 only in a region outside the sealing material 14,
It is desirable that at least the drive circuits 31 and 32 be formed so as to cover them and not be formed in a region where the external connection terminals 36 are formed. Further, it is desirable that the protective film 37 is also formed on the wirings 33, 34, 35, and 39.

【0082】上記の液晶装置10において、配向膜1
8、19の膜厚は20〜100×10 -9m程度、保護膜
36の膜厚は1〜4×10-6m程度、シール材14の膜
厚は2〜5×10-6m程度となっている。
In the above liquid crystal device 10, the alignment film 1
The film thickness of 8 and 19 is 20-100 × 10 -9m, protective film
The film thickness of 36 is 1-4 × 10-6m, the film of the sealing material 14
The thickness is 2-5 × 10-6m.

【0083】次に、本実施形態のTFT素子20の詳細
について説明する。図4に、TFT素子20の詳細を示
すために、図3に示す基板11をB−B’線に沿って切
断したときの断面構造を示す。図4においては、簡略化
のため配向膜18を省略している。
Next, the details of the TFT element 20 of this embodiment will be described. FIG. 4 shows a cross-sectional structure when the substrate 11 shown in FIG. 3 is cut along the line BB ′ to show details of the TFT element 20. In FIG. 4, the orientation film 18 is omitted for simplification.

【0084】基板11の上に位置するポリシリコン層2
1は、TFT素子20の能動層(ソース・ドレイン・チ
ャネル領域)を構成するものであり、その表面には、ゲ
ート絶縁膜23が熱酸化処理により形成されている。さ
らに、ゲート絶縁膜23の表面には、ポリシリコン等か
らなる走査線22が形成され、この後、第1の層間絶縁
膜24が形成される。ここで、コンタクトホール26
は、TFT素子20のソース領域に形成され、これによ
り、第1の層間絶縁膜24及びゲート絶縁膜23が開口
し、ここに、データ線16が形成されて、ソース領域と
の接続が図られている。また、データ線16が形成され
た後には、さらに第2の層間絶縁膜25が形成される。
ここで、コンタクトホール28は、TFT素子20のド
レイン領域に形成され、これにより、第1の層間絶縁膜
24、第2の層間絶縁膜25及びゲート絶縁膜23が開
口し、ここに、画素電極15が形成されて、ドレイン領
域との接続が図られている。
Polysilicon layer 2 located on substrate 11
Reference numeral 1 denotes an active layer (source / drain / channel region) of the TFT element 20, and a gate insulating film 23 is formed on the surface thereof by thermal oxidation. Further, a scanning line 22 made of polysilicon or the like is formed on the surface of the gate insulating film 23, and thereafter, a first interlayer insulating film 24 is formed. Here, the contact hole 26
Is formed in the source region of the TFT element 20, whereby the first interlayer insulating film 24 and the gate insulating film 23 are opened, where the data line 16 is formed and the connection with the source region is achieved. ing. After the data lines 16 are formed, a second interlayer insulating film 25 is further formed.
Here, the contact hole 28 is formed in the drain region of the TFT element 20, whereby the first interlayer insulating film 24, the second interlayer insulating film 25, and the gate insulating film 23 are opened. 15 are formed to establish connection with the drain region.

【0085】次に、本発明に係る実施形態の保護膜37
の形成方法について説明する。図5(a)〜(c)に、保護膜
37の形成工程を示す。図5(a)〜(c)は、概略断面図で
ある。本実施形態において、インクジェットプリンター
などで知られるインクジェット方式を用いて、保護膜3
7を形成する。
Next, the protective film 37 according to the embodiment of the present invention will be described.
The method for forming the film will be described. 5A to 5C show steps of forming the protective film 37. 5A to 5C are schematic sectional views. In the present embodiment, the protective film 3 is formed by using an ink-jet method known for an ink-jet printer or the like.
7 is formed.

【0086】画素領域30内に画素電極15、走査線2
2、TFT素子20などを形成し、シール材14の形成
領域14Cより外側の領域に、データ線駆動回路31、
走査線駆動回路32、外部接続用端子36を形成した基
板11を図5(a)に示す。
The pixel electrode 15 and the scanning line 2
2. After forming the TFT element 20 and the like, the data line driving circuit 31,
FIG. 5A shows the substrate 11 on which the scanning line driving circuit 32 and the external connection terminals 36 are formed.

【0087】図5(b)に示すように、基板11の表面上
において、少なくともデータ線駆動回路31、走査線駆
動回路32が形成された領域を含む所定の領域のみに、
インクジェット方式により、ポリイミドなどからなる高
分子をγ−ブチルラクトンやブチルセロソルブなどの単
一溶媒又はこれらの混合溶媒に溶解した高分子溶液を塗
布し、高分子溶液膜37Aを形成する。この工程におい
て、用いるインクジェットノズルの構造については後述
する。
As shown in FIG. 5B, on the surface of the substrate 11, at least a predetermined region including a region where the data line driving circuit 31 and the scanning line driving circuit 32 are formed is provided.
A polymer solution in which a polymer made of polyimide or the like is dissolved in a single solvent such as γ-butyl lactone or butyl cellosolve or a mixed solvent thereof is applied by an inkjet method to form a polymer solution film 37A. The structure of the inkjet nozzle used in this step will be described later.

【0088】本実施形態において、図5(b)に示すよう
に、高分子溶液膜37Aは、シール材14の形成領域1
4Cより外側の領域のみに形成され、少なくとも駆動回
路31、32を覆うように形成されるとともに、外部回
路接続用端子36が形成された領域には形成されないこ
とが望ましい。また、高分子溶液膜37Aは配線33、
34、35、39上にも形成されることが望ましい。
In the present embodiment, as shown in FIG. 5B, the polymer solution film 37A is
It is preferable that the external circuit connecting terminal 36 is formed only in a region outside the region 4C and covers at least the driving circuits 31 and 32, and is not formed in a region where the external circuit connecting terminal 36 is formed. In addition, the polymer solution film 37A has a wiring 33,
Desirably, it is formed also on 34, 35 and 39.

【0089】次に、図5(c)に示すように、高分子溶液
膜37Aの乾燥を行い、高分子溶液膜37Aに含有され
た溶媒の除去を行い、保護膜37が形成される。
Next, as shown in FIG. 5C, the polymer solution film 37A is dried, and the solvent contained in the polymer solution film 37A is removed to form the protective film 37.

【0090】ここで、図6、図7に、上記の高分子溶液
膜37Aの形成工程に用いて好適なインクジェットノズ
ルの一例を示し、このインクジェットノズル50の構造
について説明する。
Here, FIGS. 6 and 7 show an example of an ink jet nozzle suitable for use in the step of forming the polymer solution film 37A, and the structure of the ink jet nozzle 50 will be described.

【0091】インクジェットノズル50は、図6に示す
ように、例えばステンレス製のノズルプレート51と振
動板52とを備え、両者は仕切部材(リザーバプレー
ト)53を介して接合されている。ノズルプレート51
と振動板52との間には、仕切部材53によって複数の
空間54と液溜まり55とが形成されている。各空間5
4と液溜まり55の内部は、ポリイミドなどからなる高
分子を所定の単一溶媒又は混合溶媒に溶解した高分子溶
液で満たされており、各空間54と液溜まり55とは供
給口56を介して連通している。さらに、ノズルプレー
ト51には、空間54から高分子溶液を噴射するための
ノズル孔57が設けられている。一方、振動板52には
液溜まり55に高分子溶液を供給するための孔58が形
成されている。
As shown in FIG. 6, the ink jet nozzle 50 includes, for example, a nozzle plate 51 and a diaphragm 52 made of stainless steel, and both are joined via a partition member (reservoir plate) 53. Nozzle plate 51
A plurality of spaces 54 and a pool 55 are formed between the diaphragm 52 and the diaphragm 52 by a partition member 53. Each space 5
4 and the inside of the liquid reservoir 55 are filled with a polymer solution obtained by dissolving a polymer such as polyimide in a predetermined single solvent or a mixed solvent, and each space 54 and the liquid reservoir 55 are connected through a supply port 56. Communicating. Further, the nozzle plate 51 is provided with a nozzle hole 57 for ejecting the polymer solution from the space 54. On the other hand, a hole 58 for supplying a polymer solution to the liquid reservoir 55 is formed in the vibration plate 52.

【0092】また、図7に示すように、振動板52の空
間54に対向する面と反対側の面上には圧電素子59が
接合されている。この圧電素子59は一対の電極60の
間に位置し、通電すると圧電素子59が外側に突出する
ように撓曲し、同時に圧電素子59が接合されている振
動板52も一体となって外側に撓曲する。これによって
空間54の容積が増大する。したがって、空間54内に
増大した容積分に相当する高分子溶液が液溜まり55か
ら供給口56を介して流入する。次に、圧電素子59へ
の通電を解除すると、圧電素子59と振動板52はとも
に元の形状に戻る。これにより、空間54も元の容積に
戻るため、空間54内部の高分子溶液の圧力が上昇し、
ノズル孔57から基板11に向けて高分子溶液の液滴6
1が吐出される。ノズル孔57の直径は、例えば30×
10-6m程度となっているので、吐出される高分子溶液
の液滴61の直径も、例えば30×10-6m程度となっ
ている。
As shown in FIG. 7, a piezoelectric element 59 is joined to the surface of the diaphragm 52 opposite to the surface facing the space 54. The piezoelectric element 59 is located between the pair of electrodes 60, and when energized, the piezoelectric element 59 is bent so as to protrude outward, and at the same time, the vibration plate 52 to which the piezoelectric element 59 is joined is also integrated and outward. Bend. As a result, the volume of the space 54 increases. Therefore, the polymer solution corresponding to the increased volume flows into the space 54 from the liquid reservoir 55 through the supply port 56. Next, when the power supply to the piezoelectric element 59 is released, both the piezoelectric element 59 and the diaphragm 52 return to their original shapes. Thereby, since the space 54 also returns to the original volume, the pressure of the polymer solution inside the space 54 increases,
The droplet 6 of the polymer solution is directed from the nozzle hole 57 toward the substrate 11.
1 is discharged. The diameter of the nozzle hole 57 is, for example, 30 ×
Since is 10 -6 m, in diameter of the droplet 61 of the polymer solution to be discharged, for example, a 30 × 10 -6 m.

【0093】本実施形態において、用いる高分子溶液の
粘度は、10mPa・s以下、より好ましくは3〜4×
10-3Pa・sに設定されていることが望ましい。ま
た、高分子溶液中の高分子の濃度は50g/L以下に設
定されていることが望ましい。高分子溶液の粘度と濃度
をこのように設定することにより、インクジェットノズ
ル50から安定して連続的に高分子溶液の液滴61を吐
出することができる。
In the present embodiment, the viscosity of the polymer solution used is 10 mPa · s or less, more preferably 3 to 4 ×
It is desirable to set to 10 −3 Pa · s. Further, the concentration of the polymer in the polymer solution is desirably set to 50 g / L or less. By setting the viscosity and the concentration of the polymer solution in this manner, the droplet 61 of the polymer solution can be stably and continuously discharged from the inkjet nozzle 50.

【0094】また、高分子溶液膜37Aの形成工程にお
いて、1つ又は複数のインクジェットノズル50を用い
ることができ、インクジェットノズル50を多数使用す
ることにより効率良く高分子溶液膜37Aを形成するこ
とができるので、保護膜37の形成工程を短縮化するこ
とができる。
In the step of forming the polymer solution film 37A, one or a plurality of ink jet nozzles 50 can be used, and by using a large number of the ink jet nozzles 50, the polymer solution film 37A can be formed efficiently. Therefore, the step of forming the protective film 37 can be shortened.

【0095】次に、本発明に係る実施形態の配向膜1
8、19の形成方法について詳しく説明する。本実施形
態において、配向膜18、19を形成するに際して、イ
ンクジェットプリンターなどで知られるインクジェット
方式を採用する。
Next, the alignment film 1 according to the embodiment of the present invention will be described.
The method for forming 8 and 19 will be described in detail. In the present embodiment, when forming the alignment films 18 and 19, an ink jet system known by an ink jet printer or the like is employed.

【0096】配向膜18と配向膜19の形成方法は同様
であるので、配向膜18を取り上げてその形成方法につ
いて説明する。図8(a)〜(d)に、配向膜18の形成工程
を示し、配向膜18の形成方法について説明する。
Since the method for forming the alignment film 18 and the alignment film 19 are the same, the method for forming the alignment film 18 will be described below. FIGS. 8A to 8D show steps of forming the alignment film 18 and a method of forming the alignment film 18 will be described.

【0097】画素領域30内に画素電極15、走査線2
2、TFT素子20などを形成し、シール材14の形成
領域14Cより外側の領域に、データ線駆動回路31、
走査線駆動回路32、保護膜37、外部接続用端子36
を形成した基板11を図8(a)に示す。
In the pixel region 30, the pixel electrode 15, the scanning line 2
2. After forming the TFT element 20 and the like, the data line driving circuit 31,
Scanning line drive circuit 32, protective film 37, external connection terminal 36
FIG. 8A shows the substrate 11 on which is formed.

【0098】図8(b)に示すように、基板11の表面上
において、少なくとも画素領域30を含む所定の領域の
みに、インクジェット方式により、配向性ポリイミドな
どの配向性高分子をγ−ブチロラクトン、ブチルセロソ
ルブなどの所定の単一溶媒又は混合溶媒に溶解した配向
性高分子溶液を塗布し、配向性高分子溶液膜18Aを形
成する。
As shown in FIG. 8B, on a surface of the substrate 11, at least a predetermined area including the pixel area 30 is coated with an oriented polymer such as an oriented polyimide by γ-butyrolactone by an ink jet method. An oriented polymer solution dissolved in a predetermined single solvent or a mixed solvent such as butyl cellosolve is applied to form an oriented polymer solution film 18A.

【0099】この工程において、配向性高分子溶液の液
滴を吐出することができる、1つ又は複数のインクジェ
ットノズルを用いて、配向性高分子溶液膜18Aを形成
する。この工程において用いるインクジェットノズルの
構造は、保護膜37の形成工程において、用いたインク
ジェットノズル50の構造と同様であるので、説明は省
略する。本実施形態において、配向性高分子溶液膜18
Aは、少なくとも画素領域30に形成され、かつシール
材14の形成領域14Cより内側の領域のみに形成され
ることが望ましい。
In this step, the oriented polymer solution film 18A is formed by using one or a plurality of ink jet nozzles capable of discharging droplets of the oriented polymer solution. The structure of the ink jet nozzle used in this step is the same as the structure of the ink jet nozzle 50 used in the step of forming the protective film 37, and a description thereof will be omitted. In the present embodiment, the oriented polymer solution film 18
A is desirably formed at least in the pixel region 30 and formed only in a region inside the formation region 14C of the sealant 14.

【0100】次に、図8(c)に示すように、配向性高分
子溶液膜18Aの乾燥を行い、配向性高分子溶液膜18
Aに含有された溶媒の除去を行い、配向性高分子膜18
Bを形成する。
Next, as shown in FIG. 8C, the oriented polymer solution film 18A is dried, and the oriented polymer solution film 18A is dried.
The solvent contained in A is removed, and the oriented polymer film 18 is removed.
Form B.

【0101】最後に、図8(d)に示すように、配向性高
分子膜18Bの表面をラビングローラーによりラビング
する(擦る)ことにより、配向膜18が形成される。
Finally, as shown in FIG. 8D, the surface of the oriented polymer film 18B is rubbed (rubbed) with a rubbing roller to form the oriented film 18.

【0102】本実施形態において、用いる配向性高分子
溶液の粘度は、10mPa・s以下、より好ましくは3
〜4×10-3Pa・sに設定されていることが望まし
い。また、配向性高分子溶液中の配向性高分子の濃度は
50g/L以下に設定されていることが望ましい。配向
性高分子溶液の粘度と濃度をこのように設定することに
より、インクジェットノズルから安定して連続的に配向
性高分子溶液の液滴を吐出することができる。
In the present embodiment, the viscosity of the oriented polymer solution used is 10 mPa · s or less, more preferably 3 mPa · s or less.
It is desirable to set to 4 × 10 −3 Pa · s. Further, the concentration of the oriented polymer in the oriented polymer solution is desirably set to 50 g / L or less. By setting the viscosity and the concentration of the oriented polymer solution in this way, it is possible to stably and continuously discharge droplets of the oriented polymer solution from the inkjet nozzle.

【0103】また、本実施形態において、インクジェッ
トノズルを多数使用することにより効率良く配向性高分
子溶液膜18Aを形成することができるので、配向膜1
8の形成工程を短縮化することができる。
In the present embodiment, the orientation polymer solution film 18A can be efficiently formed by using a large number of ink jet nozzles.
8 can be shortened.

【0104】本実施形態においては、配向膜18の形成
方法についてのみ説明したが、配向膜19の形成方法は
配向膜18の形成方法と同様である。
In this embodiment, only the method for forming the alignment film 18 has been described, but the method for forming the alignment film 19 is the same as the method for forming the alignment film 18.

【0105】配向膜18を形成する工程において用いた
のと同一の配向性高分子溶液を用い、インクジェット方
式により、共通電極17を形成した対向基板12の表面
上において、少なくとも画素領域30を含む所定の領域
のみに配向性高分子溶液膜を形成し、配向膜18を形成
する際と同様の工程を経て配向膜19は形成される。な
お、本実施形態において、配向膜19は対向基板12の
表面上において、少なくとも画素領域30に形成され、
かつシール材14の形成領域14Cより内側の領域のみ
に形成されることが望ましい。
Using the same oriented polymer solution used in the step of forming the alignment film 18, a predetermined area including at least the pixel region 30 is formed on the surface of the counter substrate 12 on which the common electrode 17 is formed by the ink jet method. The alignment film 19 is formed through the same steps as those for forming the alignment film 18 by forming the alignment polymer solution film only in the region. In the present embodiment, the alignment film 19 is formed on at least the pixel region 30 on the surface of the counter substrate 12,
In addition, it is desirable that the sealing material 14 is formed only in a region inside the forming region 14C.

【0106】本実施形態によれば、インクジェット方式
を採用し、基板11の表面上において、所定の領域のみ
に高分子溶液膜37Aを形成することにより、基板11
の表面上において、少なくともデータ線駆動回路31、
走査線駆動回路32が形成された領域を含む所定の領域
のみに、駆動回路を保護するための保護膜37を形成す
ることを可能にする保護膜の形成方法を提供することが
できる。
According to the present embodiment, the ink jet method is adopted, and the polymer solution film 37A is formed only on a predetermined region on the surface of the substrate 11, so that the substrate 11
, At least the data line driving circuit 31,
It is possible to provide a method for forming a protective film that enables the formation of the protective film 37 for protecting the drive circuit only in a predetermined region including the region where the scanning line drive circuit 32 is formed.

【0107】この方法によれば、駆動回路を保護するた
めの保護膜37を形成する際に、高分子溶液膜37Aを
基板11の表面上の全面に形成する必要がなく、かつ高
分子膜をエッチングする工程が不要になるため、原料の
省量化と生産効率の向上を可能にする保護膜37の形成
方法を提供することができる。また、この方法によれ
ば、駆動回路を保護するための保護膜37を形成する際
に、フォトリソグラフィー法のように感光性高分子を用
いる必要がないので、原料が限定されず、原料の低コス
ト化を図ることができる。
According to this method, when forming the protective film 37 for protecting the drive circuit, it is not necessary to form the polymer solution film 37A over the entire surface of the substrate 11, and the polymer film is Since the step of etching is not required, a method for forming the protective film 37 which can reduce the amount of raw materials and improve the production efficiency can be provided. Further, according to this method, when forming the protective film 37 for protecting the drive circuit, there is no need to use a photosensitive polymer unlike the photolithography method, so that the raw material is not limited, and the raw material is low. Cost can be reduced.

【0108】また、駆動回路を保護するための保護膜3
7は、シール材14の形成領域より外側の領域のみに形
成され、かつ外部回路接続用端子36が形成された領域
には形成されないことが望ましい。このように保護膜3
7を形成することにより、原料の省量化を図ることがで
きるとともに、外部回路接続用端子36上に保護膜37
が形成されないので、外部回路接続用端子36を外部回
路に電気的に接続する工程が容易となる。
Further, a protective film 3 for protecting the drive circuit
7 is preferably formed only in a region outside the formation region of the sealing material 14 and is not formed in a region where the external circuit connection terminals 36 are formed. Thus, the protective film 3
7, the amount of raw materials can be reduced, and the protective film 37 is formed on the external circuit connection terminals 36.
Are not formed, so that the step of electrically connecting the external circuit connection terminal 36 to the external circuit is facilitated.

【0109】また、本実施形態によれば、インクジェッ
ト方式を採用し、基板11(対向基板12)の表面上に
おいて、所定の領域のみに配向性高分子溶液膜18Aを
形成することにより、基板11(対向基板12)の表面
上において、少なくとも画素領域30を含む所定の領域
のみに配向膜18(19)を形成することを可能にする
配向膜18(19)の形成方法を提供することができ
る。
According to the present embodiment, the orientation polymer solution film 18A is formed only in a predetermined area on the surface of the substrate 11 (opposite substrate 12) by adopting the ink jet method, whereby the substrate 11 It is possible to provide a method for forming the alignment film 18 (19) that allows the alignment film 18 (19) to be formed only on a predetermined region including at least the pixel region 30 on the surface of the (counter substrate 12). .

【0110】また、インクジェット方式を採用すること
により、配向性高分子溶液の液滴のみが基板11(対向
基板12)に接触するので、従来のスクリーン印刷法の
ように基板11(対向基板12)の画素領域30以外の
部分を汚染することなく、基板11(対向基板12)の
表面上に配向性高分子溶液を塗布することができる。
Also, by employing the ink jet method, only the droplets of the oriented polymer solution come into contact with the substrate 11 (opposite substrate 12). It is possible to apply the oriented polymer solution on the surface of the substrate 11 (opposite substrate 12) without contaminating a portion other than the pixel region 30.

【0111】また、インクジェット方式を採用すること
により、配向性高分子膜18Bをエッチングする工程が
不要となるため、配向膜18(19)を損傷することな
く、配向不良のない配向膜18(19)を形成すること
ができる。
In addition, since the step of etching the oriented polymer film 18B is not required by adopting the ink jet method, the oriented film 18 (19) free from defective orientation is not damaged without damaging the oriented film 18 (19). ) Can be formed.

【0112】インクジェット方式を採用することによ
り、配向性高分子溶液膜18Aを、基板11(対向基板
12)の表面上において、所定の領域のみに形成するこ
とができるので、基板11(対向基板12)の表面上に
おいて、シール材14の形成領域14Cより内側の領域
のみに、配向膜18(19)を形成することができる。
By adopting the ink jet method, the oriented polymer solution film 18A can be formed only in a predetermined area on the surface of the substrate 11 (opposite substrate 12). The alignment film 18 (19) can be formed only on the area inside the formation area 14C of the sealing material 14 on the surface of (1).

【0113】この場合、配向性高分子膜18Bが、段差
の少ない、シール材14の形成領域14Cより内側の領
域のみに形成されるので、配向性高分子膜18Bをラビ
ングする工程において、配向性高分子膜18Bが剥離す
ることを防止できるため、配向膜18(19)の配向不
良を防止することができる。
In this case, since the oriented polymer film 18B is formed only in a region having a small step and inside the formation region 14C of the sealing material 14, the orientation polymer film 18B is not rubbed in the step of rubbing the oriented polymer film 18B. Since peeling of the polymer film 18B can be prevented, poor alignment of the alignment film 18 (19) can be prevented.

【0114】本実施形態の配向膜の形成方法、保護膜の
形成方法により形成された配向膜18、19、保護膜3
7を備えた上記の液晶装置10は、駆動回路を保護する
ための保護膜37が基板11の表面上において、少なく
ともデータ線駆動回路31、走査線駆動回路32が形成
された領域を含む所定の領域のみに形成されるととも
に、配向不良のない配向膜18、19が基板11、対向
基板12の表面上において、少なくとも画素領域を含む
所定の領域のみに形成されたものとなっている。
The alignment films 18 and 19 formed by the method for forming an alignment film and the method for forming a protective film according to the present embodiment, and the protective film 3
The liquid crystal device 10 provided with the semiconductor device 7 has a protection film 37 for protecting the drive circuit, on the surface of the substrate 11, including at least a region where the data line drive circuit 31 and the scan line drive circuit 32 are formed. The alignment films 18 and 19, which are formed only in the regions and have no alignment failure, are formed only on predetermined regions including the pixel region on the surfaces of the substrate 11 and the counter substrate 12.

【0115】液晶装置10の基板11の表面上におい
て、駆動回路を保護するための保護膜37はシール材1
4より外側の領域のみに形成され、かつ、外部回路接続
用端子36が形成された領域には形成されていないこと
が望ましい。また、液晶装置10の基板11の表面上に
おいて、配向膜18、19はシール材14より内側の領
域のみに形成されていることが望ましい。
On the surface of the substrate 11 of the liquid crystal device 10, a protective film 37 for protecting the drive circuit is provided with the sealing material 1.
Desirably, it is formed only in a region outside the region 4 and is not formed in a region where the external circuit connection terminal 36 is formed. In addition, it is desirable that the alignment films 18 and 19 are formed only on the area inside the sealant 14 on the surface of the substrate 11 of the liquid crystal device 10.

【0116】駆動回路を保護するための保護膜37がイ
ンクジェット方式を用いて形成されたものであるので、
この液晶装置10は、原料の省量化、生産効率の向上、
原料の低コスト化を可能にするものとなる。
Since the protective film 37 for protecting the drive circuit is formed by using the ink jet method,
This liquid crystal device 10 can reduce the amount of raw materials, improve production efficiency,
It becomes possible to reduce the cost of raw materials.

【0117】また、液晶装置10は、配向膜18、19
がシール材14より内側の領域のみに形成されていて、
基板11、対向基板12とシール材14との間に配向膜
18、19が形成されていないため、液晶装置10の外
部から液晶層13内に水分が混入されるのを防止するこ
とができ、性能が良く、表示品質の優れたものとなる。
Further, the liquid crystal device 10 has alignment films 18 and 19.
Is formed only in the area inside the seal material 14,
Since the alignment films 18 and 19 are not formed between the substrate 11, the counter substrate 12 and the sealant 14, it is possible to prevent moisture from being mixed into the liquid crystal layer 13 from outside the liquid crystal device 10, The performance is good and the display quality is excellent.

【0118】また、液晶装置10は、配向膜18、19
がシール材14より内側の領域のみに形成されていて、
配向膜18が外部回路接続用端子36上に形成されてい
ないため、液晶装置10を電子機器に実装する工程にお
いて外部回路接続用端子36を外部回路に接続する工程
を短縮化することができるものとなる。
Further, the liquid crystal device 10 has alignment films 18 and 19.
Is formed only in the area inside the seal material 14,
Since the alignment film 18 is not formed on the external circuit connection terminal 36, the step of connecting the external circuit connection terminal 36 to an external circuit can be shortened in the process of mounting the liquid crystal device 10 on an electronic device. Becomes

【0119】第2実施形態 次に、図9、図10に、本発明に係る第2実施形態の、
スイッチング素子としてTFT素子を用いた、投射型デ
ィスプレイ用の液晶(表示)装置70を基板面に対し垂
直方向に切断したときの概略断面構造を示し、この液晶
装置70の構造について説明する。図9にはシール材よ
り内側の部分構造を示し、図10にはシール材より外側
の部分構造を示す。図9、図10において、各層や各部
材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層
や各部材の縮尺は実際のものとは異なるように表してい
る。この液晶装置70の平面構造は第1実施形態におい
て、図2で示したものと同様である。また、図9、図1
0において、第1実施形態と同じ構成要素には同じ参照
符号を付し、説明は省略する。
Second Embodiment Next, FIGS. 9 and 10 show a second embodiment of the present invention.
A schematic cross-sectional structure when a liquid crystal (display) device 70 for a projection display using a TFT element as a switching element is cut in a direction perpendicular to a substrate surface is shown, and the structure of the liquid crystal device 70 will be described. FIG. 9 shows a partial structure inside the seal material, and FIG. 10 shows a partial structure outside the seal material. In FIGS. 9 and 10, the scale of each layer and each member is different from the actual scale in order to make each layer and each member a recognizable size in the drawings. The planar structure of the liquid crystal device 70 is the same as that shown in FIG. 2 in the first embodiment. 9 and FIG.
In FIG. 0, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【0120】液晶装置70の概略構造は、第1実施形態
における液晶装置10の概略構造と同様であるので、説
明は省略し、シール材14より内側、外側の構造につい
て詳しく説明する。
Since the schematic structure of the liquid crystal device 70 is the same as the schematic structure of the liquid crystal device 10 in the first embodiment, the description is omitted, and the structure inside and outside the seal member 14 will be described in detail.

【0121】はじめに、シール材14より内側の構造に
ついて詳しく説明する。図9に示すように、基板11の
図示上側(液晶層13側)表面上には、画素電極79が
設けられ、基板11上の各画素電極79に隣接する位置
に、各画素電極79を駆動するためのTFT素子80が
設けられている。本実施形態において、画素電極79、
TFT素子80が形成された領域を画素領域と称す。
First, the structure inside the seal member 14 will be described in detail. As shown in FIG. 9, a pixel electrode 79 is provided on the upper surface of the substrate 11 (on the liquid crystal layer 13 side) in the drawing, and each pixel electrode 79 is driven at a position adjacent to the pixel electrode 79 on the substrate 11. A TFT element 80 for performing the operation is provided. In the present embodiment, the pixel electrode 79,
The region where the TFT element 80 is formed is called a pixel region.

【0122】TFT素子80は、LDD(Lightly Dope
d Drain)構造を有しており、走査線73a、当該走査
線73aからの電界によりチャネルが形成される半導体
層71aのチャネル領域71a’、走査線73aと半導
体層71aとを絶縁するゲート絶縁膜72、データ線7
6、半導体層71aの低濃度ソース領域71bおよび低
濃度ドレイン領域71c、半導体層71aの高濃度ソー
ス領域71dおよび高濃度ドレイン領域71eを備えて
いる。
The TFT element 80 is an LDD (Lightly Dope
d Drain) structure, a scanning line 73a, a channel region 71a 'of a semiconductor layer 71a in which a channel is formed by an electric field from the scanning line 73a, and a gate insulating film for insulating the scanning line 73a from the semiconductor layer 71a. 72, data line 7
6, a low-concentration source region 71b and a low-concentration drain region 71c of the semiconductor layer 71a, and a high-concentration source region 71d and a high-concentration drain region 71e of the semiconductor layer 71a.

【0123】また、走査線73a上、ゲート絶縁膜72
上を含む基板11上には、高濃度ソース領域71dへ通
じるコンタクトホール75および高濃度ドレイン領域7
1eへ通じるコンタクトホール78が各々形成された第
1の層間絶縁膜74が形成されている。つまり、データ
線76は、第1の層間絶縁膜74を貫通するコンタクト
ホール75を介して高濃度ソース領域71dに電気的に
接続されている。さらに、データ線76上および第1の
層間絶縁膜74上には、高濃度ドレイン領域71eへ通
じるコンタクトホール78が形成された第2の層間絶縁
膜77が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域
71eは、第1の層間絶縁膜74および第2の層間絶縁
膜77を貫通するコンタクトホール78を介して画素電
極79に電気的に接続されている。なお、画素電極79
と高濃度ドレイン領域71eとは、データ線76と同一
のアルミニウム膜や走査線73aと同一のポリシリコン
膜を中継して電気的に接続する構成としてもよい。
On the scanning line 73a, the gate insulating film 72
A contact hole 75 leading to the high-concentration source region 71d and a high-concentration drain region 7
A first interlayer insulating film 74 in which contact holes 78 each leading to 1e are formed is formed. That is, the data line 76 is electrically connected to the high-concentration source region 71d via the contact hole 75 penetrating the first interlayer insulating film 74. Further, a second interlayer insulating film 77 having a contact hole 78 leading to the high-concentration drain region 71e is formed on the data line 76 and the first interlayer insulating film 74. That is, the high-concentration drain region 71e is electrically connected to the pixel electrode 79 via the contact hole 78 penetrating the first interlayer insulating film 74 and the second interlayer insulating film 77. The pixel electrode 79
The high-concentration drain region 71e may be electrically connected to the data line 76 by relaying the same aluminum film as the data line 76 or the same polysilicon film as the scanning line 73a.

【0124】また、ゲート絶縁膜72を走査線73aの
一部からなるゲート電極に対向する位置から延設して誘
電体膜として用い、半導体層71aを延設して第1蓄積
容量電極71fとし、さらにこれらに対向する容量線7
3bの一部を第2蓄積容量電極とすることにより、蓄積
容量90が構成されている。より詳細には、半導体層7
1aの高濃度ドレイン領域71eが、データ線76およ
び走査線73aの下に延設され、同じくデータ線76お
よび走査線73aに沿って延びる容量線73b部分にゲ
ート絶縁膜72を介して対向配置されて、第1蓄積容量
電極71fとされている。
The gate insulating film 72 is extended from a position facing the gate electrode, which is a part of the scanning line 73a, to be used as a dielectric film, and the semiconductor layer 71a is extended to form a first storage capacitor electrode 71f. , And the capacitance line 7 facing these
A storage capacitor 90 is formed by using a part of 3b as a second storage capacitor electrode. More specifically, the semiconductor layer 7
The high-concentration drain region 71e of 1a extends below the data line 76 and the scanning line 73a, and is disposed opposite to the capacitor line 73b extending along the data line 76 and the scanning line 73a via the gate insulating film 72. Thus, the first storage capacitor electrode 71f is provided.

【0125】また、基板11上において、TFT素子8
0、画素電極79などの上には配向膜86が形成されて
いる。
The TFT element 8 on the substrate 11
0, an alignment film 86 is formed on the pixel electrode 79 and the like.

【0126】対向基板12の液晶層13側表面上には、
遮光膜83a、カラー画素83bからなるカラーフィル
ター層83が形成されている。基板11上のデータ線7
6、走査線73a、TFT素子80の形成領域に対向す
る領域、すなわち各画素の非表示領域に遮光膜83aが
形成され、表示領域には赤(R)、緑(G)、青(B)
などのカラー画素83bが形成されている。
On the surface of the counter substrate 12 on the liquid crystal layer 13 side,
A color filter layer 83 including a light shielding film 83a and color pixels 83b is formed. Data line 7 on substrate 11
6, a light-shielding film 83a is formed in a region opposed to the region where the scanning line 73a and the TFT element 80 are formed, that is, in a non-display region of each pixel, and red (R), green (G), and blue (B) are formed in the display region.
Color pixels 83b are formed.

【0127】カラーフィルター層83の液晶層13側に
は、共通電極81と配向膜82とが積層形成されてい
る。
On the liquid crystal layer 13 side of the color filter layer 83, a common electrode 81 and an alignment film 82 are laminated.

【0128】本実施形態において、配向膜82、86
は、基板11、対向基板12の表面上において、少なく
とも画素領域を含む所定の領域のみに形成されている。
本実施形態において、配向膜82、86は、基板11、
対向基板12の表面上において、シール材14より内側
の領域のみに形成されていることが望ましい。
In this embodiment, the alignment films 82 and 86 are used.
Is formed only on a predetermined region including at least a pixel region on the surfaces of the substrate 11 and the counter substrate 12.
In the present embodiment, the alignment films 82 and 86
On the surface of the counter substrate 12, it is desirable to form it only in a region inside the sealing material 14.

【0129】次に、シール材14より外側の構造につい
て詳しく説明する。
Next, the structure outside the seal member 14 will be described in detail.

【0130】図10に示すように、シール材14の外側
の領域において、基板11の図示上側表面上には、駆動
回路95が形成されている。駆動回路95として、デー
タ線を駆動するためのデータ線駆動回路と走査線を駆動
するための走査線駆動回路とが設けられており、データ
線駆動回路と走査線駆動回路とは、基板11上におい
て、第1実施形態のデータ線駆動回路31、走査線駆動
回路32と同様に配置されている。
As shown in FIG. 10, a drive circuit 95 is formed on the upper surface of the substrate 11 in the region outside the seal member 14. As the drive circuit 95, a data line drive circuit for driving data lines and a scan line drive circuit for driving scan lines are provided. The data line drive circuit and the scan line drive circuit are provided on the substrate 11. , The data line driving circuit 31 and the scanning line driving circuit 32 of the first embodiment are arranged similarly.

【0131】駆動回路95はシール材14の内側に形成
されたTFT素子80と類似の構造を有するものであ
り、TFT素子80を形成する際に、同時に形成される
ものである。
The drive circuit 95 has a structure similar to that of the TFT element 80 formed inside the sealing material 14, and is formed at the same time when the TFT element 80 is formed.

【0132】駆動回路95の構造について詳しく説明す
る。基板11上の駆動回路95が形成される領域には、
TFT素子80の半導体層71aと類似の構造を有する
半導体層91が形成され、この上にゲート絶縁膜92が
形成されている。ゲート絶縁膜92上にはゲート電極9
3が形成され、この上には第1の層間絶縁膜74が形成
されている。
The structure of the drive circuit 95 will be described in detail. In a region on the substrate 11 where the drive circuit 95 is formed,
A semiconductor layer 91 having a structure similar to the semiconductor layer 71a of the TFT element 80 is formed, and a gate insulating film 92 is formed thereon. The gate electrode 9 is formed on the gate insulating film 92.
3 and a first interlayer insulating film 74 is formed thereon.

【0133】第1の層間絶縁膜74、ゲート絶縁膜92
には、コンタクトホール94、98が開口され、ここ
に、ソース電極96、ドレイン電極99が形成されてい
る。ドレイン電極99は図示右方向に延出形成され、図
示は省略している外部回路接続用端子36に接続されて
いる。ソース電極96、ドレイン電極99上には、第2
の層間絶縁膜77が形成されている。
First interlayer insulating film 74, gate insulating film 92
Are formed with contact holes 94 and 98, in which a source electrode 96 and a drain electrode 99 are formed. The drain electrode 99 extends rightward in the figure and is connected to an external circuit connection terminal 36 (not shown). On the source electrode 96 and the drain electrode 99, the second
Is formed.

【0134】駆動回路95上には駆動回路95を保護す
るための保護膜97が形成されている。本実施形態にお
いて、保護膜97は、基板11の表面上において、少な
くとも駆動回路95が形成された領域を含む所定の領域
のみに形成されている。本実施形態において、保護膜9
7は、基板11の表面上において、シール材14の外側
の領域にのみ形成され、少なくとも駆動回路95を覆う
ように形成されるとともに外部接続用端子36が形成さ
れた領域には形成されていないことが望ましい。また、
保護膜97は配線33、34、35、39上にも形成さ
れることが望ましい。
On the drive circuit 95, a protective film 97 for protecting the drive circuit 95 is formed. In the present embodiment, the protective film 97 is formed only on a predetermined region including at least a region where the drive circuit 95 is formed on the surface of the substrate 11. In the present embodiment, the protective film 9
7 is formed only on the surface of the substrate 11 outside the sealing material 14, is formed so as to cover at least the drive circuit 95, and is not formed on the area where the external connection terminals 36 are formed. It is desirable. Also,
The protective film 97 is preferably formed also on the wirings 33, 34, 35, 39.

【0135】本実施形態の液晶装置70の保護膜97及
び配向膜82、86は、インクジェット方式を用いて形
成される。保護膜97及び配向膜82、86の形成方法
は、第1実施形態の保護膜37及び配向膜18、19の
形成方法と同様であるので、説明は省略する。
The protective film 97 and the alignment films 82 and 86 of the liquid crystal device 70 of this embodiment are formed by using an ink jet method. The method for forming the protective film 97 and the alignment films 82 and 86 is the same as the method for forming the protective film 37 and the alignment films 18 and 19 in the first embodiment, and a description thereof will not be repeated.

【0136】本実施形態の液晶装置70は、駆動回路を
保護するための保護膜97が基板11の表面上におい
て、少なくとも駆動回路97が形成された領域を含む所
定の領域のみに形成されるとともに、配向不良のない配
向膜82、86が基板11、対向基板12の表面上にお
いて、少なくとも画素領域を含む所定の領域のみに形成
されたものとなっている。
In the liquid crystal device 70 of the present embodiment, the protective film 97 for protecting the drive circuit is formed on the surface of the substrate 11 only in a predetermined area including at least the area where the drive circuit 97 is formed. The alignment films 82 and 86 having no alignment defect are formed only on a predetermined region including the pixel region on the surfaces of the substrate 11 and the counter substrate 12.

【0137】液晶装置70の基板11の表面上におい
て、駆動回路を保護するための保護膜97はシール材1
4より外側の領域のみに形成され、かつ、外部回路接続
用端子36が形成された領域には形成されていないこと
が望ましい。また、液晶装置70の基板11の表面上に
おいて、配向膜82、86はシール材14より内側の領
域のみに形成されていることが望ましい。
On the surface of the substrate 11 of the liquid crystal device 70, a protective film 97 for protecting the drive circuit is provided with a sealing material 1
Desirably, it is formed only in a region outside the region 4 and is not formed in a region where the external circuit connection terminal 36 is formed. In addition, it is desirable that the alignment films 82 and 86 are formed only in the region inside the sealant 14 on the surface of the substrate 11 of the liquid crystal device 70.

【0138】本実施形態において、駆動回路を保護する
ための保護膜97がインクジェット方式を用いて形成さ
れたものであるので、この液晶装置70は、第1実施形
態と同様、原料の省量化、生産効率の向上、原料の低コ
スト化を可能にするものとなる。
In the present embodiment, since the protective film 97 for protecting the drive circuit is formed by using the ink jet method, the liquid crystal device 70 can reduce the amount of raw materials, as in the first embodiment. This will improve production efficiency and reduce raw material costs.

【0139】また、液晶装置70は、配向膜82、86
がシール材14より内側の領域のみに形成されていて、
基板11、対向基板12とシール材14との間に配向膜
82、86が形成されていないため、液晶装置70の外
部から液晶層13内に水分が混入されるのを防止するこ
とができ、性能が良く、表示品質の優れたものとなる。
The liquid crystal device 70 has alignment films 82 and 86.
Is formed only in the area inside the seal material 14,
Since the alignment films 82 and 86 are not formed between the substrate 11, the counter substrate 12 and the sealant 14, it is possible to prevent moisture from being mixed into the liquid crystal layer 13 from outside the liquid crystal device 70, The performance is good and the display quality is excellent.

【0140】また、液晶装置70は、配向膜82、86
がシール材14より内側の領域のみに形成されていて、
配向膜86が外部回路接続用端子36上に形成されてい
ないため、液晶装置70を電子機器に実装する工程にお
いて外部回路接続用端子36を外部回路に接続する工程
を短縮化することができるものとなる。
The liquid crystal device 70 has alignment films 82 and 86.
Is formed only in the area inside the seal material 14,
Since the alignment film 86 is not formed on the external circuit connection terminal 36, the step of connecting the external circuit connection terminal 36 to an external circuit can be shortened in the step of mounting the liquid crystal device 70 on the electronic device. Becomes

【0141】なお、第1、第2実施形態においては、投
射型ディスプレイ用の液晶装置についてのみ説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、液晶層内
にスペーサーを配置する直視型ディスプレイ用の液晶装
置についても適用することができる。
In the first and second embodiments, only the liquid crystal device for a projection type display has been described. However, the present invention is not limited to this, and a direct-view type liquid crystal device in which a spacer is arranged in a liquid crystal layer. The present invention can also be applied to a liquid crystal device for a display.

【0142】また、本実施形態においては、TFT素子
を用いた液晶装置について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、いかなる液晶装置にも適用す
ることができ、例えば、単純マトリックス型の液晶装置
や、TFD素子に代表される2端子型素子を用いるアク
ティブマトリックス型の液晶装置などにも適用すること
ができる。
In this embodiment, a liquid crystal device using a TFT element has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to any liquid crystal device. The present invention can also be applied to a liquid crystal device of a liquid crystal device, an active matrix liquid crystal device using a two-terminal element represented by a TFD element, and the like.

【0143】次に、本発明の前記の第1、第2実施形態
の液晶装置10又は70のいずれかを備えた電子機器の
具体例について説明する。
Next, a specific example of an electronic apparatus provided with one of the liquid crystal devices 10 and 70 according to the first and second embodiments of the present invention will be described.

【0144】図11(a)は、携帯電話の一例を示した斜
視図である。図11(a)において、400は携帯電話本
体を示し、401は前記の液晶装置10又は70のいず
れかを備えた液晶表示部を示している。
FIG. 11A is a perspective view showing an example of a portable telephone. In FIG. 11A, reference numeral 400 denotes a main body of a mobile phone, and reference numeral 401 denotes a liquid crystal display section provided with either the liquid crystal device 10 or 70 described above.

【0145】図11(b)は、ワープロ、パソコンなどの
携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図1
1(b)において、500は情報処理装置、501はキー
ボードなどの入力部、503は情報処理本体、502は
前記の液晶装置10又は70のいずれかを備えた液晶表
示部を示している。
FIG. 11B is a perspective view showing an example of a portable information processing device such as a word processor or a personal computer. FIG.
In FIG. 1B, reference numeral 500 denotes an information processing apparatus; 501, an input unit such as a keyboard; 503, an information processing main body; and 502, a liquid crystal display unit including one of the liquid crystal devices 10 and 70.

【0146】図11(c)は、腕時計型電子機器の一例を
示した斜視図である。図11(c)において、600は時
計本体を示し、601は前記の液晶装置10又は70の
いずれかを備えた液晶表示部を示している。
FIG. 11C is a perspective view showing an example of a wristwatch-type electronic device. In FIG. 11C, reference numeral 600 denotes a watch main body, and reference numeral 601 denotes a liquid crystal display unit including either the liquid crystal device 10 or 70 described above.

【0147】図12は、前記の液晶装置10又は70の
いずれかを光変調装置として用いた投射型表示装置の要
部を示す概略構成図である。図12において、710は
光源、713、714はダイクロイックミラー、71
5、716、717は反射ミラー、718は入射レン
ズ、719はリレーレンズ、720は出射レンズ、72
2、723、724は液晶光変調装置、725はクロス
ダイクロイックプリズム、726は投写レンズを示す。
FIG. 12 is a schematic configuration diagram showing a main part of a projection type display device using either the liquid crystal device 10 or 70 as a light modulation device. In FIG. 12, 710 is a light source, 713 and 714 are dichroic mirrors, 71
5, 716 and 717 are reflection mirrors, 718 is an entrance lens, 719 is a relay lens, 720 is an exit lens, 72
2, 723 and 724 are liquid crystal light modulators, 725 is a cross dichroic prism, and 726 is a projection lens.

【0148】光源710はメタルハライド等のランプ7
11とランプの光を反射するリフレクタ712とからな
る。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー713
は、光源710からの光束のうちの赤色光を透過させる
とともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色
光は反射ミラー717で反射されて、赤色光用液晶光変
調装置722に入射される。
The light source 710 is a lamp 7 such as a metal halide.
11 and a reflector 712 that reflects the light of the lamp. Dichroic mirror 713 that reflects blue light and green light
Transmits red light of the light beam from the light source 710 and reflects blue light and green light. The transmitted red light is reflected by the reflection mirror 717 and is incident on the liquid crystal light modulation device 722 for red light.

【0149】一方、ダイクロイックミラー713で反射
された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイック
ミラー714によって反射され、緑色光用液晶光変調装
置723に入射される。一方、青色光は第2のダイクロ
イックミラー714も透過する。青色光に対しては、長
い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ718、リ
レーレンズ719、出射レンズ720を含むリレーレン
ズ系からなる導光手段721が設けられ、これを介して
青色光が青色光用液晶光変調装置724に入射される。
On the other hand, the green light of the color light reflected by the dichroic mirror 713 is reflected by the green light reflecting dichroic mirror 714 and is incident on the liquid crystal light modulator 723 for green light. On the other hand, the blue light also passes through the second dichroic mirror 714. For blue light, in order to prevent light loss due to a long optical path, a light guide unit 721 including a relay lens system including an incident lens 718, a relay lens 719, and an emission lens 720 is provided. The light enters the liquid crystal light modulation device 724 for light.

【0150】各光変調装置により変調された3つの色光
はクロスダイクロイックプリズム725に入射する。こ
のプリズムは4つの直角プリズムが貼り合わされ、その
内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘
電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電
体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像
を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系で
ある投写レンズ726によってスクリーン727上に投
写され、画像が拡大されて表示される。
The three color lights modulated by the respective light modulators enter the cross dichroic prism 725. This prism is formed by bonding four right-angle prisms, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface. The three color lights are combined by these dielectric multilayer films to form light representing a color image. The combined light is projected on a screen 727 by a projection lens 726 which is a projection optical system, and an image is enlarged and displayed.

【0151】図11(a)〜(c)、図12に示すそれぞれの
電子機器は、前記の液晶装置10又は70のいずれかを
備えたものであるので、原料の少量化、生産効率の向
上、原料の低コスト化を可能にし、性能が良く、表示品
質に優れたものとなる。
Since each of the electronic devices shown in FIGS. 11A to 11C and FIG. 12 is provided with one of the liquid crystal devices 10 or 70, the amount of raw materials can be reduced and the production efficiency can be improved. Thus, the cost of the raw material can be reduced, the performance is good, and the display quality is excellent.

【0152】[0152]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
インクジェット方式を採用し、基板の表面上において、
所定の領域のみに高分子溶液膜を形成することにより、
基板の表面上において、少なくとも駆動回路が形成され
た領域を含む所定の領域のみに、駆動回路を保護するた
めの保護膜を形成することを可能にする保護膜の形成方
法を提供することができる。
As described above, according to the present invention,
Adopting the inkjet method, on the surface of the substrate,
By forming a polymer solution film only in a predetermined area,
It is possible to provide a method for forming a protective film that enables a protective film for protecting a drive circuit to be formed only in a predetermined region including at least a region where a drive circuit is formed on a surface of a substrate. .

【0153】この方法によれば、駆動回路を保護するた
めの保護膜を形成する際に、高分子溶液膜を基板の表面
上の全面に形成する必要がなく、かつ高分子膜をエッチ
ングする工程が不要になるため、原料の省量化と生産効
率の向上を可能にする保護膜の形成方法を提供すること
ができる。また、この方法によれば、駆動回路を保護す
るための保護膜を形成する際に、フォトリソグラフィー
法のように感光性高分子を用いる必要がないので、原料
が限定されず、原料の低コスト化を図ることができる。
According to this method, when forming the protective film for protecting the drive circuit, it is not necessary to form the polymer solution film on the entire surface of the substrate, and the process of etching the polymer film is not necessary. Therefore, it is possible to provide a method for forming a protective film, which can reduce the amount of raw materials and improve production efficiency. Further, according to this method, when forming a protective film for protecting the drive circuit, there is no need to use a photosensitive polymer as in the photolithography method, so that the raw material is not limited, and the raw material can be manufactured at low cost. Can be achieved.

【0154】また、駆動回路を保護するための保護膜
は、シール材の形成領域より外側の領域のみに形成さ
れ、かつ外部回路接続用端子が形成された領域には形成
されないことが望ましい。このように駆動回路を保護す
るための保護膜を形成することにより、原料の省量化を
図ることができるとともに、外部回路接続用端子上に保
護膜が形成されないので、外部回路接続用端子を外部回
路に電気的に接続する工程が容易となる。
It is preferable that the protective film for protecting the drive circuit is formed only in the region outside the region where the sealant is formed, and is not formed in the region where the external circuit connection terminal is formed. By forming the protective film for protecting the drive circuit in this manner, it is possible to reduce the amount of raw materials, and since the protective film is not formed on the external circuit connection terminal, the external circuit connection terminal is connected to the external circuit connection terminal. The step of electrically connecting to a circuit is facilitated.

【0155】本発明において、駆動回路を保護するため
の保護膜を形成する際に用いる高分子溶液の粘度が、1
0×10-3Pa・s以下であることが望ましい。さら
に、高分子溶液の粘度が、3〜4×10-3Pa・sであ
ることがより望ましい。
In the present invention, the viscosity of the polymer solution used for forming the protective film for protecting the drive circuit is 1
Desirably, it is 0 × 10 −3 Pa · s or less. Further, it is more desirable that the viscosity of the polymer solution is 3 to 4 × 10 −3 Pa · s.

【0156】また、高分子溶液中における前記高分子の
濃度が50g/L以下であることが望ましい。
It is desirable that the concentration of the polymer in the polymer solution be 50 g / L or less.

【0157】高分子溶液の粘度を10×10-3Pa・s
以下、より望ましくは3〜4×10 -3Pa・sとし、高
分子溶液中における高分子の濃度を50g/L以下とす
ることにより、インクジェットノズルから安定して連続
的に高分子溶液の液滴を吐出することができる。また、
複数のインクジェットノズルを使用することが望まし
く、複数のインクジェットノズルを使用することによ
り、効率良く高分子溶液膜を形成することができるの
で、駆動回路を保護するための保護膜を形成する工程を
短縮化することができる。
The viscosity of the polymer solution was 10 × 10-3Pa · s
Hereinafter, more preferably, 3 to 4 × 10 -3Pa · s, high
The concentration of the polymer in the molecular solution is set to 50 g / L or less.
Stable and continuous from the inkjet nozzle
This makes it possible to discharge droplets of the polymer solution. Also,
It is desirable to use multiple inkjet nozzles
The use of multiple inkjet nozzles
The polymer solution film can be formed efficiently.
A step of forming a protective film for protecting the drive circuit.
Can be shortened.

【0158】また、本発明によれば、インクジェット方
式を採用し、基板の表面上において、所定の領域のみに
配向性高分子溶液膜を形成することにより、基板の表面
上において、少なくとも画素領域を含む所定の領域のみ
に配向膜を形成することを可能にする配向膜の形成方法
を提供することができる。
Further, according to the present invention, at least a pixel region is formed on the surface of the substrate by adopting the ink jet method and forming an oriented polymer solution film only on a predetermined region on the surface of the substrate. It is possible to provide a method for forming an alignment film that enables an alignment film to be formed only in a predetermined region including the alignment film.

【0159】また、インクジェット方式を採用すること
により、配向性高分子溶液の液滴のみが基板に接触する
ので、従来のスクリーン印刷法のように基板を汚染する
ことなく、基板の表面上に配向性高分子溶液を塗布する
ことができる。
In addition, by adopting the ink jet method, only the droplets of the oriented polymer solution come into contact with the substrate, so that the substrate can be oriented on the surface of the substrate without contaminating the substrate unlike the conventional screen printing method. The conductive polymer solution can be applied.

【0160】また、インクジェット方式を採用すること
により、配向性高分子膜をエッチングする工程が不要で
あるため、配向膜を損傷することなく、配向不良のない
配向膜を形成することができる。
In addition, since the step of etching the oriented polymer film is unnecessary by employing the ink jet method, an oriented film free from defective orientation can be formed without damaging the oriented film.

【0161】本発明において、配向性高分子溶液膜を形
成する領域が、基板の表面上において、基板と他方の基
板とを対向配置させ所定間隔で貼着するために、基板の
周縁部と他方の基板の周縁部との間に形成されるシール
材の形成領域より内側の領域に属していることが望まし
い。
In the present invention, the region for forming the oriented polymer solution film is formed so that the substrate and the other substrate are opposed to each other on the surface of the substrate and are adhered at a predetermined interval. It is desirable to belong to the region inside the formation region of the sealing material formed between the substrate and the peripheral portion of the substrate.

【0162】この場合、配向性高分子膜が、段差の少な
い、シール材の形成領域より内側の領域のみに形成され
るので、配向性高分子膜をラビングする工程において、
配向性高分子膜が剥離することを防止できるため、配向
膜の配向不良を防止することができる。
In this case, since the oriented polymer film is formed only in the region having less steps and inside the region where the sealing material is formed, the rubbing process of the oriented polymer film is not required.
Since the alignment polymer film can be prevented from being peeled, poor alignment of the alignment film can be prevented.

【0163】本発明において、配向膜を形成する際に用
いる配向性高分子溶液の粘度が、10×10-3Pa・s
以下であることが望ましい。さらに、配向性高分子溶液
の粘度が、3〜4×10-3Pa・sであることがより望
ましい。
In the present invention, the viscosity of the oriented polymer solution used when forming the oriented film is 10 × 10 −3 Pa · s.
It is desirable that: Further, it is more desirable that the viscosity of the oriented polymer solution is 3 to 4 × 10 −3 Pa · s.

【0164】また、配向性高分子溶液中における配向性
高分子の濃度が50g/L以下であることが望ましい。
It is desirable that the concentration of the oriented polymer in the oriented polymer solution is 50 g / L or less.

【0165】配向性高分子溶液の粘度を10×10-3
a・s以下、より望ましくは3〜4×10-3Pa・sと
し、配向性高分子溶液中における配向性高分子の濃度を
50g/L以下とすることにより、インクジェットノズ
ルから安定して連続的に配向性高分子溶液の液滴を吐出
することができる。また、複数のインクジェットノズル
を使用することが望ましく、複数のインクジェットノズ
ルを使用することにより効率良く配向性高分子溶液膜を
形成することができるので、配向膜の形成工程を短縮化
することができる。
The viscosity of the oriented polymer solution is set to 10 × 10 −3 P
a.s or less, more preferably 3 to 4 × 10 −3 Pa · s, and by controlling the concentration of the orienting polymer in the orienting polymer solution to 50 g / L or less, it is possible to stably and continuously from the inkjet nozzle. The droplet of the oriented polymer solution can be ejected in an appropriate manner. In addition, it is desirable to use a plurality of ink jet nozzles, and since it is possible to efficiently form an oriented polymer solution film by using a plurality of ink jet nozzles, the process of forming an oriented film can be shortened. .

【0166】さらに、以上の配向膜の形成方法、保護膜
の形成方法により形成された配向膜、保護膜を備えるこ
とにより、駆動回路を保護するための保護膜が、基板の
表面上において、少なくとも駆動回路が形成された領域
を含む所定の領域のみに形成されるとともに、配向不良
のない配向膜が、基板の表面上において、少なくとも画
素領域を含む所定の領域のみに形成された液晶装置を提
供することができる。
Further, by providing the alignment film and the protective film formed by the above-described method for forming the alignment film and the method for forming the protective film, the protective film for protecting the driving circuit is formed on the surface of the substrate at least. Provided is a liquid crystal device which is formed only in a predetermined region including a region where a driving circuit is formed, and in which an alignment film having no alignment defect is formed only in a predetermined region including at least a pixel region on a surface of a substrate. can do.

【0167】この液晶装置の基板の表面上において、駆
動回路を保護するための保護膜はシール材より外側の領
域のみに形成され、かつ、外部回路接続用端子が形成さ
れた領域には形成されないことが望ましい。また、上記
の液晶装置の基板の表面上において、配向膜はシール材
より内側の領域のみに形成されることが望ましい。
On the surface of the substrate of this liquid crystal device, a protective film for protecting the drive circuit is formed only in a region outside the seal material, and is not formed in a region where the external circuit connection terminals are formed. It is desirable. Further, on the surface of the substrate of the liquid crystal device, it is desirable that the alignment film is formed only in a region inside the sealing material.

【0168】駆動回路を保護するための保護膜がインク
ジェット方式を用いて形成されたものであるので、先に
説明したように、この液晶装置は、原料の省量化、生産
効率の向上、原料の低コスト化を可能にするものとな
る。
Since the protective film for protecting the drive circuit is formed by using the ink jet method, as described above, this liquid crystal device can reduce the amount of raw materials, improve the production efficiency, and reduce the amount of raw materials. This makes it possible to reduce costs.

【0169】また、配向膜をシール材より内側の領域の
みに形成することにより、基板とシール材との間に配向
膜が形成されないので、液晶装置の外部から液晶層内に
水分が混入されるのを防止することができ、性能が良
く、表示品質の優れた液晶装置を提供することができ
る。
Further, since the alignment film is formed only in the region inside the sealing material, no alignment film is formed between the substrate and the sealing material, so that moisture is mixed into the liquid crystal layer from outside the liquid crystal device. And a liquid crystal device having good performance and excellent display quality can be provided.

【0170】また、配向膜をシール材より内側の領域の
みに形成することにより、外部回路接続用端子上に配向
膜が形成されないので、液晶装置を電子機器に実装する
工程において、外部回路接続用端子を外部回路に接続工
程を短縮化することができる液晶装置を提供することが
できる。
Further, since the alignment film is formed only in the region inside the seal material, the alignment film is not formed on the external circuit connection terminals. It is possible to provide a liquid crystal device capable of shortening a step of connecting a terminal to an external circuit.

【0171】さらに、上記の液晶装置を備えることによ
り、原料の省量化と生産効率の向上を可能にし、性能が
良く、表示品質に優れた電子機器を提供することができ
る。
Further, by providing the above-mentioned liquid crystal device, the amount of raw materials can be reduced and the production efficiency can be improved, and an electronic device having good performance and excellent display quality can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 図1は、本発明に係る第1実施形態のTFT
素子を用いた液晶装置を基板面に対し垂直方向に切断し
たときの概略断面図である。
FIG. 1 shows a TFT according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view when a liquid crystal device using an element is cut in a direction perpendicular to a substrate surface.

【図2】 図2は、本発明に係る第1実施形態のTFT
素子を用いた液晶装置を基板面に対し水平方向に切断し
たときの概略平面図である。
FIG. 2 shows a TFT according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic plan view when a liquid crystal device using an element is cut in a horizontal direction with respect to a substrate surface.

【図3】 図3は、本発明に係る第1実施形態のTFT
素子を用いた液晶装置の基板(下側基板)の一部分を拡
大した概略平面図である。
FIG. 3 is a diagram showing a TFT according to the first embodiment of the present invention;
FIG. 4 is a schematic plan view in which a part of a substrate (lower substrate) of a liquid crystal device using elements is enlarged.

【図4】 図4は、本発明に係る第1実施形態のTFT
素子を用いた液晶装置のTFT素子の概略断面図であ
る。
FIG. 4 is a TFT according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic sectional view of a TFT element of a liquid crystal device using the element.

【図5】 図5(a)〜(c)は、本発明に係る第1実施形態
の駆動回路を保護するための保護膜の形成方法を示す工
程図である。
FIGS. 5A to 5C are process diagrams showing a method for forming a protective film for protecting the drive circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図6】 図6は、本発明に係る第1実施形態の駆動回
路を保護するための保護膜の形成方法において使用され
るインクジェットノズルの一構成例を示す斜視図であ
る。
FIG. 6 is a perspective view showing an example of a configuration of an inkjet nozzle used in a method for forming a protective film for protecting a drive circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図7】 図7は、本発明に係る第1実施形態の駆動回
路を保護するための保護膜の形成方法において使用され
るインクジェットノズルの一構成例を示す断面図であ
る。
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a configuration example of an inkjet nozzle used in a method of forming a protective film for protecting a drive circuit according to the first embodiment of the present invention.

【図8】 図8(a)〜(d)は、本発明に係る第1実施形態
の配向膜の形成方法を示す工程図である。
FIGS. 8A to 8D are process diagrams showing a method for forming an alignment film according to the first embodiment of the present invention.

【図9】 図9は、本発明に係る第2実施形態のTFT
素子を用いた液晶装置のシール材より内側の構造を示す
概略断面図である。
FIG. 9 shows a TFT according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a structure inside a seal material of a liquid crystal device using an element.

【図10】 図10は、本発明に係る第2実施形態のT
FT素子を用いた液晶装置のシール材より外側の構造を
示す概略断面図である。
FIG. 10 is a graph showing T in the second embodiment according to the present invention.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating a structure outside a seal material of a liquid crystal device using an FT element.

【図11】 図11(a)は、上記実施形態の液晶装置を
備えた携帯電話の一例を示す図、図11(b)は、上記実
施形態の液晶装置を備えた携帯型情報処理装置の一例を
示す図、図11(c)は、上記実施形態の液晶装置を備え
た腕時計型電子機器の一例を示す図である。
FIG. 11A is a diagram illustrating an example of a mobile phone including the liquid crystal device according to the embodiment; FIG. 11B is a diagram illustrating a portable information processing device including the liquid crystal device according to the embodiment; FIG. 11C is a diagram illustrating an example of a wristwatch-type electronic device including the liquid crystal device according to the embodiment.

【図12】 図12は、上記実施形態の液晶装置を光変
調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構
成図である。
FIG. 12 is a schematic configuration diagram showing a main part of a projection display device using the liquid crystal device of the above embodiment as a light modulation device.

【図13】 図13は、TFT素子を用いた従来の液晶
装置を基板面に対し垂直方向に切断したときの概略断面
図である。
FIG. 13 is a schematic cross-sectional view when a conventional liquid crystal device using a TFT element is cut in a direction perpendicular to a substrate surface.

【図14】 図14は、TFT素子を用いた従来の液晶
装置を基板面に対し水平方向に切断したときの概略平面
図である。
FIG. 14 is a schematic plan view when a conventional liquid crystal device using a TFT element is cut in a horizontal direction with respect to a substrate surface.

【図15】 図15は、TFT素子を用いた従来の液晶
装置の基板(下側基板)の一部分を拡大した概略平面図
である。
FIG. 15 is a schematic plan view enlarging a part of a substrate (lower substrate) of a conventional liquid crystal device using a TFT element.

【図16】 図16(a)〜(c)は、従来の駆動回路を保護
するための保護膜の形成方法を示す工程図である。
FIGS. 16A to 16C are process diagrams showing a conventional method for forming a protective film for protecting a drive circuit.

【図17】 図17(a)〜(d)は、従来の配向膜の形成方
法を示す工程図である。
FIGS. 17A to 17D are process diagrams showing a conventional method for forming an alignment film.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、70 液晶(表示)装置 11 基板(下側基板) 12 対向基板(上側基板) 13 液晶層 14 シール材 14A 液晶注入孔 14B 封止材 14C シール材の形成領域 15、79 画素電極 16、76 データ線 17、81 共通電極 18、19、82、86 配向膜 18A 配向性高分子溶液膜 18B 配向性高分子膜 20、80 TFT素子 21 ポリシリコン層 22、73a 走査線 23、72 ゲート絶縁膜 24、74 第1の層間絶縁膜 25、77 第2の層間絶縁膜 26、28、75、78 コンタクトホール 71a 半導体層 73b 容量線 90 蓄積容量 83 カラーフィルター層 30 画素領域 31 データ線駆動回路 32 走査線駆動回路 95 駆動回路 33、34、35、39 配線 36 外部回路接続用端子 37、97 保護膜 37A 高分子溶液膜 38 導電材 50 インクジェットノズル 61 高分子溶液の液滴 Reference Signs List 10, 70 Liquid crystal (display) device 11 Substrate (lower substrate) 12 Opposite substrate (upper substrate) 13 Liquid crystal layer 14 Sealing material 14A Liquid crystal injection hole 14B Sealing material 14C Sealing material forming region 15, 79 Pixel electrode 16, 76 Data line 17, 81 Common electrode 18, 19, 82, 86 Orientation film 18A Oriented polymer solution film 18B Oriented polymer film 20, 80 TFT element 21 Polysilicon layer 22, 73a Scanning line 23, 72 Gate insulating film 24 , 74 First interlayer insulating film 25, 77 Second interlayer insulating film 26, 28, 75, 78 Contact hole 71a Semiconductor layer 73b Capacity line 90 Storage capacity 83 Color filter layer 30 Pixel region 31 Data line drive circuit 32 Scan line Drive circuit 95 Drive circuit 33, 34, 35, 39 Wiring 36 External circuit connection terminal 37, 97 Protective film 37A polymer solution film 38 conductive material 50 inkjet nozzle 61 droplet of polymer solution

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2C056 FB01 FB08 HA44 2H090 HA03 HA08 HB07X HB07Y HC05 HD05 LA04 2H092 GA35 GA43 GA44 GA59 MA10 NA25 PA02 PA04 5G435 AA14 AA17 BB12 BB15 BB17 EE31 EE40 GG31 KK09 LL07 LL08 LL15  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2C056 FB01 FB08 HA44 2H090 HA03 HA08 HB07X HB07Y HC05 HD05 LA04 2H092 GA35 GA43 GA44 GA59 MA10 NA25 PA02 PA04 5G435 AA14 AA17 BB12 BB15 BB17 EE31 EE40 GG31 KK09 LL08

Claims (17)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも駆動回路と、該駆動回路を外
部回路に接続するための外部回路接続用端子とを具備す
る基板の表面上に、前記駆動回路を保護するための保護
膜を形成する方法であって、 インクジェット方式により、前記基板の表面上におい
て、少なくとも前記駆動回路が形成された領域を含む所
定の領域のみに、高分子を溶媒に溶解した高分子溶液を
塗布することにより、高分子溶液膜を形成する工程と、 該高分子溶液膜に含有される溶媒を乾燥除去して保護膜
とする工程とを有することを特徴とする保護膜の形成方
法。
1. A method for forming a protective film for protecting a drive circuit on a surface of a substrate having at least a drive circuit and an external circuit connection terminal for connecting the drive circuit to an external circuit. A polymer solution obtained by dissolving a polymer in a solvent is applied only to a predetermined region including at least a region where the drive circuit is formed on the surface of the substrate by an inkjet method. A method for forming a protective film, comprising: forming a solution film; and drying and removing a solvent contained in the polymer solution film to form a protective film.
【請求項2】 前記基板の表面上において、前記駆動回
路と前記外部回路接続用端子とが、前記基板と他方の基
板とを対向配置させ所定間隔で貼着するために、前記基
板の周縁部と前記他方の基板の周縁部との間に形成され
るシール材の形成領域より外側の領域に形成されてお
り、 前記基板の表面上において、前記所定の領域が、前記シ
ール材の形成領域より外側の領域で、かつ、前記外部回
路接続用端子が形成された領域を含まない領域に属して
いることを特徴とする請求項1記載の保護膜の形成方
法。
2. A peripheral portion of the substrate, on the surface of the substrate, wherein the drive circuit and the external circuit connection terminal are arranged so that the substrate and the other substrate are opposed to each other and are attached at a predetermined interval. And a peripheral region of the other substrate is formed in a region outside a formation region of a sealing material formed on the surface of the substrate, and the predetermined region is formed on a surface of the substrate more than a formation region of the sealing material. 2. The method for forming a protective film according to claim 1, wherein the region belongs to an outer region and does not include a region where the external circuit connection terminal is formed.
【請求項3】 前記高分子溶液の粘度が、10×10-3
Pa・s以下であることを特徴とする請求項1又は請求
項2記載の保護膜の形成方法。
3. The polymer solution has a viscosity of 10 × 10 −3.
3. The method for forming a protective film according to claim 1, wherein the pressure is equal to or less than Pa · s.
【請求項4】 前記高分子溶液の粘度が、3〜4×10
-3Pa・sであることを特徴とする請求項1又は請求項
2記載の保護膜の形成方法。
4. The polymer solution has a viscosity of 3 to 4 × 10
3. The method for forming a protective film according to claim 1, wherein the pressure is −3 Pa · s.
【請求項5】 前記高分子溶液中における前記高分子の
濃度が50g/L以下であることを特徴とする請求項1
から請求項4までのいずれか1項記載の保護膜の形成方
法。
5. The method according to claim 1, wherein the concentration of the polymer in the polymer solution is 50 g / L or less.
The method for forming a protective film according to any one of claims 1 to 4.
【請求項6】 前記高分子溶液膜を形成する工程におい
て、前記高分子溶液の液滴を吐出する1つ又は複数のイ
ンクジェットノズルを用いることを特徴とする請求項1
から請求項5までのいずれか1項記載の保護膜の形成方
法。
6. The method according to claim 1, wherein in the step of forming the polymer solution film, one or a plurality of inkjet nozzles for discharging droplets of the polymer solution are used.
A method for forming a protective film according to any one of claims 1 to 5.
【請求項7】 液晶を所定の方向に配向させるための配
向膜を基板の表面上に形成する方法であって、 インクジェット方式により、基板の表面上において、少
なくとも画素領域を含む所定の領域のみに、配向性高分
子を所定の溶媒に溶解した配向性高分子溶液を塗布する
ことにより、配向性高分子溶液膜を形成する工程と、 該配向性高分子溶液膜に含有される溶媒を乾燥除去し、
配向性高分子膜を形成する工程とを有することを特徴と
する配向膜の形成方法。
7. A method for forming an alignment film for orienting liquid crystal in a predetermined direction on a surface of a substrate, wherein the alignment film is formed only on a predetermined region including at least a pixel region on the surface of the substrate by an inkjet method. Forming an oriented polymer solution film by applying an oriented polymer solution in which an oriented polymer is dissolved in a predetermined solvent, and drying and removing the solvent contained in the oriented polymer solution film And
Forming an oriented polymer film.
【請求項8】 前記基板の表面上において、前記所定の
領域が、前記基板と他方の基板とを対向配置させ所定間
隔で貼着するために、前記基板の周縁部と前記他方の基
板の周縁部との間に形成されるシール材の形成領域より
内側の領域に属していることを特徴とする請求項7記載
の配向膜の形成方法。
8. On the surface of the substrate, the predetermined region is arranged so that the substrate and the other substrate are opposed to each other and are adhered at a predetermined interval. 8. The method for forming an alignment film according to claim 7, wherein the method belongs to a region inside a formation region of the sealant formed between the portion and the portion.
【請求項9】 前記配向性高分子溶液の粘度が、10×
10-3Pa・s以下であることを特徴とする請求項7又
は請求項8記載の配向膜の形成方法。
9. The viscosity of the oriented polymer solution is 10 ×
The method for forming an alignment film according to claim 7, wherein the pressure is 10 −3 Pa · s or less.
【請求項10】 前記配向性高分子溶液の粘度が、3〜
4×10-3Pa・sであることを特徴とする請求項7又
は請求項8記載の配向膜の形成方法。
10. The viscosity of the oriented polymer solution is 3 to 10.
9. The method for forming an alignment film according to claim 7, wherein the pressure is 4 × 10 −3 Pa · s.
【請求項11】 前記配向性高分子溶液中における前記
配向性高分子の濃度が50g/L以下であることを特徴
とする請求項7から請求項10までのいずれか1項記載
の配向膜の形成方法。
11. The alignment film according to claim 7, wherein the concentration of the alignment polymer in the alignment polymer solution is 50 g / L or less. Forming method.
【請求項12】 前記配向性高分子溶液膜を形成する工
程において、前記配向性高分子溶液の液滴を吐出する1
つ又は複数のインクジェットノズルを用いることを特徴
とする請求項7から請求項11までのいずれか1項記載
の配向膜の形成方法。
12. In the step of forming the oriented polymer solution film, a step of discharging droplets of the oriented polymer solution is performed.
The method for forming an alignment film according to any one of claims 7 to 11, wherein one or a plurality of inkjet nozzles are used.
【請求項13】 液晶層を挟持する対向する2枚の基板
が、それぞれの基板の周縁部間に形成されたシール材を
介して所定間隔で貼着されてなる液晶装置であって、 前記2枚の基板のうち、少なくとも一方の基板の液晶層
側の表面上に、 前記液晶装置を駆動するための駆動回路と、 該駆動回路を保護するための保護膜と、 該駆動回路を外部回路に接続するための外部回路接続用
端子とを具備する液晶装置において、 前記保護膜がインクジェット方式を用いて形成されたも
のであるとともに、 前記保護膜が、前記基板の表面上において、前記駆動回
路が形成された領域を含む所定の領域のみに形成された
ことを特徴とする液晶装置。
13. A liquid crystal device comprising two opposing substrates sandwiching a liquid crystal layer, which are adhered at a predetermined interval via a sealing material formed between the peripheral portions of the respective substrates, A driving circuit for driving the liquid crystal device, a protective film for protecting the driving circuit, and an external circuit for connecting the driving circuit to an external circuit. A liquid crystal device including an external circuit connection terminal for connection, wherein the protective film is formed using an inkjet method, and the protective film is formed on a surface of the substrate, and A liquid crystal device formed only in a predetermined region including the formed region.
【請求項14】 前記基板の表面上において、前記駆動
回路と前記外部回路接続用端子とが、前記シール材より
外側の領域に形成されており、 前記基板の表面上において、前記所定の領域が、前記シ
ール材より外側の領域で、かつ、前記外部回路接続用端
子が形成された領域を含まない領域に属していることを
特徴とする請求項13記載の液晶装置。
14. On the surface of the substrate, the drive circuit and the external circuit connection terminal are formed in a region outside the sealing material, and the predetermined region is formed on the surface of the substrate. 14. The liquid crystal device according to claim 13, wherein the liquid crystal device belongs to a region outside the sealing material and not including a region where the external circuit connection terminal is formed.
【請求項15】 前記2枚の基板が、各々液晶層側の表
面上に、電極と配向膜とを具備したものであり、 前記配向膜がインクジェット方式を用いて形成されたも
のであるとともに、 前記配向膜が、前記基板の表面上において、画素領域を
含む所定の領域のみに形成されたことを特徴とする請求
項13又は請求項14記載の液晶装置。
15. The two substrates each include an electrode and an alignment film on a surface on a liquid crystal layer side, wherein the alignment film is formed using an inkjet method. The liquid crystal device according to claim 13, wherein the alignment film is formed only on a predetermined region including a pixel region on the surface of the substrate.
【請求項16】 前記基板の表面上において、前記所定
の領域が、前記シール材より内側の領域に属しているこ
とを特徴とする請求項15記載の液晶装置。
16. The liquid crystal device according to claim 15, wherein on the surface of the substrate, the predetermined region belongs to a region inside the sealing material.
【請求項17】 請求項13から請求項16までのいず
れか1項記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子
機器。
17. An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 13. Description:
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