JP2001334457A - Wrap plate and machining device using it - Google Patents

Wrap plate and machining device using it

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JP2001334457A
JP2001334457A JP2000154150A JP2000154150A JP2001334457A JP 2001334457 A JP2001334457 A JP 2001334457A JP 2000154150 A JP2000154150 A JP 2000154150A JP 2000154150 A JP2000154150 A JP 2000154150A JP 2001334457 A JP2001334457 A JP 2001334457A
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JP
Japan
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plate
lap
lapping
groove
workpiece
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Application number
JP2000154150A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiaki Takaku
敏明 高久
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wrap plate facilitating the cleaning by preventing abrasives and polishing chips stuck to grooves in the wrap plate used for a wrapping device and to provide a machining device using it. SOLUTION: This wrap plate and this machining device using it are characterized in that a protection film for preventing the abrasives from being stuck to the grooves in the wrap plate used for the device for facing up a workpiece and the wrap plate via the abrasives by dispersing free abrasive grains.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエーハ、磁気デ
ィスク、ガラス基板等の平行平板の両面同時加工装置に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for simultaneously processing both surfaces of a parallel flat plate such as a semiconductor wafer, a magnetic disk and a glass substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエーハ、磁気ディスク、ガラス
基板等の平行平板などでは、高平坦化及び高平滑化が要
望されている。例えば、半導体デバイスなどでは、超微
細化に伴い、シリコン等からなる半導体ウェーハ(以下
ワークということがある)の表面を高精度に平坦化する
ことが要請されている。
2. Description of the Related Art High flatness and high smoothness have been demanded for parallel flat plates such as semiconductor wafers, magnetic disks, and glass substrates. For example, in a semiconductor device and the like, it is required to flatten a surface of a semiconductor wafer (hereinafter, sometimes referred to as a work) made of silicon or the like with high precision in accordance with ultra-miniaturization.

【0003】シリコンやその他の化合物半導体ウエーハ
の製造工程は、一般的にチョクラルスキー法(CZ法)
やフローティングゾーン法(FZ法)等で成長された単
結晶インゴットを円盤状にスライスしウエーハの原型を
作るスライス工程と、このウエーハを平坦化するための
ラッピング工程、加工歪を除去するためのエッチング工
程、更には鏡面化のためのポリッシング工程という手順
を経て、少なくともその片面(主面)が鏡面仕上げされ
たウエーハに加工されるウエーハ加工プロセスと、その
後、前記ウエーハの鏡面に微細な電気回路を書き込んで
行くデバイス製造プロセスに分かれている。これらの製
造工程には、他にもウエーハの特性を制御する熱処理工
程やウエーハ表面の清浄度を良くするための洗浄、乾燥
工程、また品質を評価する検査工程などの種々の工程が
付随する。
[0003] The manufacturing process of silicon and other compound semiconductor wafers is generally performed by the Czochralski method (CZ method).
Process of slicing a single crystal ingot grown by the method or the floating zone method (FZ method) into a disk shape to form a wafer prototype, lapping process for flattening the wafer, and etching for removing processing strain A wafer processing process in which at least one side (principal surface) is processed into a mirror-finished wafer through a step of a polishing step for mirror finishing, and then a fine electric circuit is formed on the mirror surface of the wafer. It is divided into device manufacturing processes to write. These manufacturing processes are accompanied by various other processes such as a heat treatment process for controlling the characteristics of the wafer, a washing and drying process for improving the cleanliness of the wafer surface, and an inspection process for evaluating the quality.

【0004】上記した単結晶インゴットから半導体デバ
イスを製造するまでの工程において、ウエーハの平坦度
を改善させる加工手段のひとつとしてラッピング加工が
ある。 ラッピング加工は、遊離砥粒を分散させた研磨
剤(ラップ剤、ラップスラリー、単にスラリーという場
合もある)を介して被加工物(ワーク)と定盤(ラップ
定盤、ラッププレート、単にプレートという場合もあ
る)を擦り合わせる加工を示し、通常エッチング及び鏡
面仕上げのポリッシングの前加工に位置し寸法(厚さ)
や表面粗さを整える役割を持つ。
In the process from the above-mentioned single crystal ingot to the production of a semiconductor device, there is a lapping process as one of processing means for improving the flatness of a wafer. The lapping process is performed by using an abrasive (dispersing a lapping agent, a lapping slurry, or simply a slurry) in which free abrasive grains are dispersed and a platen (a lapping plate, a lapping plate, or simply a plate). (Sometimes referred to as rubbing), usually located in the pre-processing of etching and mirror finishing polishing (dimensions)
It has the role of adjusting the surface roughness.

【0005】ラッピング加工で用いられる加工装置に
は、ワークを修正リングの中に並べてヘッドを加圧して
加工したり、マウント板と呼ばれる円板に接着あるいは
吸着して定盤上に加圧して加工する片面ラップ盤や、ワ
ークを保持する被加工物保持金具(一般にキャリアとい
われる)を使ってそのキャリアを遊星運動させ、上下ラ
ップ定盤の間でワークを加工する方式で両面が同時に加
工できる両面ラップ盤(図3参考)がある。現在では、
ウェーハの平行度を出すために両面ラップ盤が一般的に
用いられている。
[0005] In a processing device used in lapping processing, a work is arranged by arranging a work in a correction ring and pressurizing a head, or by pressing or adhering to a disk called a mount plate and pressing on a surface plate. A single-sided lapping machine or a work-holding bracket (generally called a carrier) that holds a work, the carrier is planetary-moved, and the work can be processed between the upper and lower lapping surfaces. There is a lapping machine (see Fig. 3). Currently,
A double-sided lapping machine is generally used to increase the parallelism of a wafer.

【0006】ラップ盤は遊離砥粒を含んだ液体(研磨
剤)を使用しているが、この砥粒を含んだ液体はラップ
プレートの溝(図7及び図8に示すような溝)を利用し
て、プレート及びウエーハ表面の間に供給され、プレー
ト、遊離砥粒及びワークが擦り合わされワーク表面を加
工している。
The lapping machine uses a liquid (abrasive) containing free abrasive grains, and the liquid containing the abrasive grains utilizes grooves (lap grooves as shown in FIGS. 7 and 8) of a lap plate. Then, it is supplied between the plate and the wafer surface, and the plate, loose abrasive grains and the work are rubbed together to process the work surface.

【0007】加工終了後、ラッププレートには研磨屑や
研磨剤が残存するため、通常加工終了毎(1バッチ毎)
に純水スプレー等で簡単に清掃する。また定期的に溝に
固着した残存物をスクレイパーやブラシ等を用い念入り
に清掃する。
[0007] After the processing is finished, since polishing dust and abrasives remain on the lap plate, usually at the end of processing (every batch).
And easily cleaned with pure water spray. In addition, the residue stuck to the groove is periodically cleaned with a scraper or a brush.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところで現状使用して
いるラッププレートは、例えば鋳鉄より成っており、溝
部は溝を加工した状態になったまま使用されるため錆が
発生しやすい。また溝部分の奥(窪みの部分)で砥粒を
含んだ液体が固化し溝部分の表面に貼りついてしまうこ
とがある。
The wrap plate currently used is made of, for example, cast iron. Since the groove is used with the groove processed, rust is easily generated. In addition, the liquid containing abrasive grains may solidify in the back of the groove (the recessed portion) and stick to the surface of the groove.

【0009】その為、ある程度繰り返し加工処理を実施
した後溝部分の清掃を実施して固化した研磨剤や研磨屑
を取り除いているので装置稼働率が低下する。また固化
した物が加工中に剥がれた場合は被加工物表面にキズを
作り品質を損なうことになる。更にラッププレートは年
々ワークの大型化によりプレート径が大きくなりその取
り扱いの困難性が増し溝清掃等に費やされる時間が長く
なってきて生産性の低下を引き起こす原因となってい
る。このようなことから短時間で簡単にラッププレート
の溝部分を清掃できることが望まれている。
For this reason, after the machining process is repeatedly performed to some extent, the groove portion is cleaned to remove the solidified abrasive and polishing debris, so that the operation rate of the apparatus is reduced. Also, if the solidified material comes off during processing, the surface of the processed material will be damaged and the quality will be impaired. Further, the size of the lap plate becomes larger year by year, and the plate diameter becomes larger, the handling difficulty increases, and the time spent for cleaning the groove and the like becomes longer, which causes a decrease in productivity. Therefore, it is desired that the groove of the lap plate can be easily cleaned in a short time.

【0010】本発明はかかる技術背景に鑑みてなされた
ものであって、ラッププレートの溝部分の清掃を容易に
行なえるプレートの提供を目的とする。
The present invention has been made in view of such a technical background, and an object of the present invention is to provide a plate capable of easily cleaning a groove portion of a lap plate.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前述した課題を解決する
ためラッププレートの溝部分の表面を改質し砥粒を含ん
だ液体を付着・固化しにくい状態、また付着しても水洗
で容易に剥離が可能となるようなプレートを提供する。
In order to solve the above-mentioned problems, the surface of the groove portion of the lap plate is modified so that a liquid containing abrasive grains is difficult to adhere and solidify. Provide a plate capable of peeling.

【0012】つまり、遊離砥粒を分散させた研磨剤を介
して被加工物(ワーク)とラッププレートを擦りあわせ
加工する装置に用いるラッププレートにおいて、該ラッ
ププレートには溝が形成され、該溝部分の表面に研磨剤
が付着するのを防止する保護膜を形成した事を特徴とす
るラッププレートである。
That is, in a lap plate used in an apparatus for rubbing a lap plate with a workpiece (work) via an abrasive in which free abrasive grains are dispersed, a groove is formed in the lap plate. A wrap plate comprising a protective film formed on the surface of the portion to prevent the abrasive from adhering.

【0013】保護膜(保護材)としては種々のものが考
えられるが、研磨剤に対して耐薬品性があり、研磨剤や
被加工物の研磨屑、例えばシリコン屑等が付着しにくい
材質のものが好ましい。その点でフッ素樹脂等の合成樹
脂、例えばポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹
脂は、耐熱性、耐候性、耐化学薬品性、離型性、滑り特
性、非粘着性、機械的強度等の点で優れている。また、
シリコーン系の樹脂でも同様に耐薬品性等で優れてい
る。
Various types of protective films (protective materials) can be considered. The protective film is made of a material which has chemical resistance to abrasives and which is difficult to adhere to abrasives and workpieces such as silicon chips. Are preferred. In that respect, synthetic resins such as fluororesins, for example, fluororesins such as polytetrafluoroethylene, have heat resistance, weather resistance, chemical resistance, release properties, slip properties, non-adhesion, mechanical strength, etc. Are better. Also,
Silicone resins are also excellent in chemical resistance and the like.

【0014】また、定盤や研磨剤によって保護するため
の膜の特性(材質)を変えることが好ましい。例えば、
研磨剤中に水分が多い場合や加工代が少ない状態で加工
を行う場合、又は両面同時加工装置(両面ラップ盤)の
下定盤などでは、保護膜が撥水性になるような材質を選
択しコーティングを行なう事が好ましい。これは撥水性
にすることで排水性が良くなり加工中に研磨屑や研磨剤
等を装置外に排出しやすくなり溝部分に研磨屑や研磨剤
が残留せずその後の洗浄が容易になるためである。この
ような保護膜には撥水塗料、上記したフッ素系樹脂、シ
リコーン系樹脂などの保護材が挙げられる。
It is preferable to change the characteristics (material) of the film to be protected by the platen or the abrasive. For example,
When processing with less water or less processing allowance in the abrasive, or on the lower platen of simultaneous double-sided processing equipment (double-sided lapping machine), select a material that makes the protective film water-repellent and coat it. Is preferably performed. This is because water repellency improves drainage, makes it easier to discharge grinding dust and abrasives outside the machine during processing, and makes it easier to clean afterwards without leaving polishing dust and abrasives in the groove part. It is. Examples of such a protective film include protective materials such as a water-repellent paint, the above-mentioned fluorine-based resin, and silicone-based resin.

【0015】一方、加工代が多く研磨屑など多量にでる
場合や両面同時加工装置の上定盤は、保護膜が親水性に
なるような材質を選択しコーティングを行なう事が好ま
しい。これは親水性にすることで研磨剤の分散性を良く
し定盤面内で研磨剤のかたよりを防止する効果や溝部分
に水分が維持され研磨屑等が乾燥し固着しないようにで
きるためである。このような保護膜には親水塗料、酸化
チタン等の保護材が挙げられる。
On the other hand, it is preferable to select a material such that the protective film becomes hydrophilic and coat the upper surface plate when the processing allowance is large and a large amount of polishing dust is generated, or when the upper surface plate of the simultaneous double-side processing device is used. This is because the hydrophilicity improves the dispersibility of the abrasive and prevents the abrasive from skewing in the surface of the surface plate, and the moisture is maintained in the groove portion so that the polishing debris and the like can be prevented from drying and fixing. . Such protective films include protective materials such as hydrophilic paint and titanium oxide.

【0016】このようにプレートの溝部に研磨剤や研磨
屑が付着更には固着しないように保護膜を形成する事で
短時間に清掃が可能となる特徴をもっている。
As described above, by forming the protective film so that the abrasive and the polishing debris do not adhere to or adhere to the groove of the plate, the cleaning can be performed in a short time.

【0017】溝部分への保護膜の形成方法も特に限定す
るものではないがプレートの溝部に化学的に保護材を蒸
着してもよいし、プレートの溝部に樹脂を塗布しその後
硬化させコーティングしてもよい。他にも単に塗装する
だけでもよくまた薄い樹脂フィルムを溝部に貼り付ける
方法でもよい。
The method of forming the protective film in the groove portion is not particularly limited, but a protective material may be chemically deposited on the groove portion of the plate, or a resin is applied to the groove portion of the plate and then cured and coated. You may. Alternatively, a method of simply painting or attaching a thin resin film to the groove may be used.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態の一例
を説明する。ラッピング装置(ラップ盤)は特に限定す
るものではないが、例えば図3に示すような両面同時ラ
ップ装置10で加工を行った。図3はラッピング装置の
概略説明図である。また図4はラッピング装置を側面
(断面)から見た概略説明図、図5はラッピング装置の
上ラップ定盤を取り外した状態を示す上面概略説明図で
ある。図6は下ラップ定盤の定盤(ラッププレート)面
を示す平面図、図7は図6の下ラップ定盤端面部の斜視
図である。
An embodiment of the present invention will be described below. Although the lapping device (lapping machine) is not particularly limited, for example, processing was performed by a double-sided simultaneous lapping device 10 as shown in FIG. FIG. 3 is a schematic explanatory view of the wrapping device. FIG. 4 is a schematic explanatory view of the lapping device as viewed from a side (cross section), and FIG. 5 is a schematic top view of the lapping device with the upper lap platen removed. FIG. 6 is a plan view showing a surface plate (lap plate) surface of the lower lap surface plate, and FIG. 7 is a perspective view of an end surface portion of the lower lap surface plate in FIG.

【0019】図3から図5においてラッピング装置10
は上下方向に相対向して設けられた下ラップ定盤11及
び上ラップ定盤12を有している。該下ラップ定盤11
及び上ラップ定盤12は不図示の駆動手段によって互い
に逆方向に回転せしめられる。
3 to 5, the wrapping device 10
Has a lower lap surface plate 11 and an upper lap surface plate 12 provided to face each other in the up-down direction. The lower lap surface plate 11
The upper lap platen 12 is rotated in opposite directions by a driving means (not shown).

【0020】該下ラップ定盤11はその中心部上面にサ
ンギア14を有し、その周縁部には環状のインターナル
ギア15が隣接して設けられている。
The lower lap surface plate 11 has a sun gear 14 on the upper surface of a central portion thereof, and an annular internal gear 15 is provided adjacent to a peripheral portion thereof.

【0021】16は円板状の被加工物保持金具であり、
その外周面には上記サンギア14及びインターナルギア
15と噛合するギア部が形成され、全体として歯車構造
をなしている。該被加工物保持金具16には複数個の受
け穴(キャリアホール)17が穿設されている。ラップ
すべきウェーハ等の被加工物Wは該受け穴17内に配置
される。該受け穴(キャリアホール)17は通常複数個
穿設されるが、1個穿設することもできる。
Reference numeral 16 denotes a disk-shaped workpiece holding bracket.
A gear portion meshing with the sun gear 14 and the internal gear 15 is formed on the outer peripheral surface thereof, and has a gear structure as a whole. A plurality of receiving holes (carrier holes) 17 are formed in the workpiece holding bracket 16. A workpiece W such as a wafer to be wrapped is arranged in the receiving hole 17. Usually, a plurality of the receiving holes (carrier holes) 17 are formed, but one may be formed.

【0022】上下のラップ定盤12,11の間に被加工
物保持金具16をおき下ラップ定盤11の中央に位置す
るサンギア14と下ラップ定盤11の外側にあるインタ
ーナルギア15の間に被加工物保持金具16の外側の歯
車をかみ合わせ、上ラップ定盤12をおろし対向しなが
ら回転する上下のラップ定盤12,11の間で被加工物
保持金具16は遊星歯車運動を行う。被加工物Wは被加
工物保持金具16に開口された受け穴17の中に収ま
り、被加工物保持金具16の自転と公転の運動が与えら
れる。
A workpiece holding bracket 16 is provided between the upper and lower lap plates 12, 11, and between a sun gear 14 located at the center of the lower lap plate 11 and an internal gear 15 outside the lower lap plate 11. The gears on the outer side of the workpiece holding bracket 16 are engaged with each other, and the upper lapping board 12 is lowered, and the workpiece holding bracket 16 performs a planetary gear motion between the upper and lower lapping boards 12 and 11 rotating while facing each other. The workpiece W fits into a receiving hole 17 opened in the workpiece holding bracket 16, and the workpiece holding bracket 16 is given a rotation and a revolving motion.

【0023】ラッピング作業を行うには、ラップスラリ
ーと呼ばれる研磨剤、例えば酸化アルミニウム(Al2
3)、炭化珪素(SiC)等の研磨砥粒と界面活性剤
を含む水などの液体の混濁液Aをノズル18から上ラッ
プ定盤12に設けられた貫通孔19を介して上下ラップ
定盤12,11の間隙に流して被加工物Wと上下ラップ
定盤12,11の間に砥粒を送り込み被加工物Wを加工
している。
To perform the lapping operation, a polishing agent called a lap slurry, for example, aluminum oxide (Al 2
A liquid turbid liquid A such as O 3 ), silicon carbide (SiC), or the like, and a liquid such as water containing a surfactant is vertically wrapped from a nozzle 18 through a through hole 19 provided in the upper lap plate 12. Abrasive grains are fed between the workpieces W and the upper and lower lapping plates 12 and 11 by flowing through the gaps between the boards 12 and 11 to process the workpieces W.

【0024】ここで平坦度を得るためには上下ラップ定
盤12,11の形状を忠実に被加工物Wに転写すること
が必要であり、相対運動を行っている被加工物Wと上下
ラップ定盤12,11間のラップスラリーAの動きは無
視できない存在である。
Here, in order to obtain the flatness, it is necessary to faithfully transfer the shapes of the upper and lower lap plates 12 and 11 to the workpiece W, and the upper and lower laps 12 and 11 are relatively moved. The movement of the lap slurry A between the platens 12 and 11 cannot be ignored.

【0025】なぜならば、ラップスラリーA中の砥粒は
絶えず磨耗し粒径と切れ味が変化する。ここでラップス
ラリーAの動きに偏りがあればラップスラリーAの流れ
の悪いところでは他の部分に比べ粒径の小さい切れ味の
悪い砥粒で加工する部分はたちまち厚く加工されてしま
うからである。
This is because the abrasive grains in the lap slurry A are constantly worn and the grain size and sharpness change. Here, if the movement of the lap slurry A is biased, a portion to be processed with poorly sharpened abrasive grains having a small particle diameter compared to other portions is immediately thickened in a place where the flow of the lap slurry A is poor.

【0026】このため上下のラップ定盤12,11の定
盤面13には20mmから50mm間隔で方眼状に目切
りと呼ばれる溝20を掘りここからスラリーの供給及び
不要なスラリーAや切りくずを排出している(図6〜図
7)。
[0026] For this reason, grooves 20 called grids are dug at intervals of 20 mm to 50 mm on the platen surfaces 13 of the upper and lower lap plates 12 and 11 to supply slurry and discharge unnecessary slurry A and chips therefrom. (FIGS. 6 and 7).

【0027】上下定盤12、11の材質は鋳鉄などの硬
質材料が用いられる。鋳鉄はフェライト、セメンタイ
ト、黒鉛が微細に混在した組織を有するので、微小な凹
凸が形成されてスラリー(砥粒)の保持が良いために一
般的に用いられている。金属汚染を嫌ってガラスやセラ
ミックス等を用いる場合もある。
The upper and lower stools 12, 11 are made of a hard material such as cast iron. Cast iron is generally used because it has a structure in which ferrite, cementite, and graphite are finely mixed, so that fine irregularities are formed and slurry (abrasive grains) is well retained. Glass or ceramics may be used in favor of metal contamination.

【0028】本発明では、このような溝20が形成され
たプレート11、12の溝部分の表面に研磨剤等が付着
するのを防止する保護膜1を形成した。
In the present invention, the protective film 1 for preventing the abrasive or the like from adhering to the surfaces of the grooves of the plates 11 and 12 in which the grooves 20 are formed is formed.

【0029】なおウエーハと接触する部分13は、加工
中に削れるため保護膜1(保護する部分)は、溝の窪み
の中だけで十分である。例えば、図1、2のように樹脂
を用い溝を保護する。図1は溝の凹部分全体に保護材を
被覆したもの。図2は溝部の底の部分のみ保護材を貼付
した例である。溝全体を覆うと効果は大きいが、溝の底
の部分のみ撥水性(場合によっては親水性)の保護材を
貼着しておくだけ研磨剤の付着等を防止する効果があ
る。
Since the portion 13 that comes into contact with the wafer is shaved during processing, the protective film 1 (the portion to be protected) is sufficient only in the recess of the groove. For example, as shown in FIGS. FIG. 1 shows a protective material covering the entire concave portion of the groove. FIG. 2 shows an example in which a protective material is attached only to the bottom of the groove. Although the effect is great if the entire groove is covered, the effect of preventing the adhesion of the abrasive or the like can be obtained only by attaching a water-repellent (in some cases, hydrophilic) protective material only to the bottom of the groove.

【0030】[0030]

【実施例】以下に実施例をあげて本発明のラッププレー
ト及び加工装置を用いたラッピング方法をさらに詳細に
説明する。
The lapping method using the lap plate and the processing apparatus of the present invention will be described in more detail with reference to the following examples.

【0031】被加工物(試料ウェーハ)として、CZ法
で製造したp型、結晶方位<100>、直径200mm
のスライスシリコンウェーハ(面取りまで実施したスラ
イスウェーハ)を用いた。研磨剤は、酸化アルミニウム
(Al23#1200)、スラリー供給量:800cc
/min、ラップ荷重:100g/cm2、ラップ時
間:15分で行った。1バッチ12枚ずつで加工した。
As a workpiece (sample wafer), a p-type manufactured by the CZ method, crystal orientation <100>, diameter 200 mm
Was used. Abrasive is aluminum oxide (Al 2 O 3 # 1200), slurry supply: 800 cc
/ Min, lap load: 100 g / cm 2 , lap time: 15 minutes. Each batch was processed in 12 sheets.

【0032】(比較例1)上記ラッピング条件により、
図3に示した加工装置の上下のラップ定盤(ラッププレ
ート)12,11の目切り溝20に何の樹脂もコーティ
ングしていない従来の鋳鉄製のラッププレートを用い加
工を行った。
(Comparative Example 1) Under the above lapping conditions,
The processing was performed using a conventional cast iron lap plate in which the partition grooves 20 of the upper and lower lap plates (lap plates) 12 and 11 of the processing apparatus shown in FIG. 3 were not coated with any resin.

【0033】その結果、1回毎に簡単な純水スプレーで
水洗(1分程度洗浄)しただけでは、徐々にシリコン屑
が残留し、10バッチ程度行っただけで溝部分にシリコ
ン屑が固着してしまう状態になることがあった。このよ
うな状態になるとヘラなどのスクレイパーやブラシ等を
用い溝部分の固着物を削ぎ落とす本格的な清掃を行う必
要がある。このため定期的に装置を止める必要があり装
置の可動時間(生産性)が低下してしまった。また清掃
せずに10バッチ以上連続で加工していると加工途中に
固着物が剥がれワーク表面にキズを作るなど品質にも影
響がでた。
As a result, silicon rinsing remains after each washing with a simple pure water spray (washing for about one minute), and the silicon scum sticks to the groove portion only after about 10 batches. In some cases. In such a state, it is necessary to perform full-scale cleaning using a scraper such as a spatula, a brush, or the like to scrape off the adhered matter in the groove portion. For this reason, it is necessary to stop the apparatus periodically, and the operating time (productivity) of the apparatus has been reduced. In addition, if processing was performed continuously for 10 batches or more without cleaning, the adhered material was peeled off during processing, and the quality was affected, such as scratches on the work surface.

【0034】(実施例1)比較例1と同じラッピング条
件及び加工装置を用い、上下のラップ定盤(ラッププレ
ート)12,11の目切り溝20に保護材1を被覆した
(保護膜を形成した)ラッププレートを用い加工した。
ラッププレートは鋳鉄製のプレート11、12を用い、
図1に示すように溝の内部にフッ素樹脂をコーティング
した。コーティングする厚さは特に限定するものではな
いが数μm程度で十分である。
(Embodiment 1) Using the same lapping conditions and processing apparatus as in Comparative Example 1, the protective material 1 was coated on the notches 20 of the upper and lower lap plates (lap plates) 12 and 11 (forming a protective film). Lap plate.
As the lap plate, plates 11 and 12 made of cast iron are used.
As shown in FIG. 1, the inside of the groove was coated with a fluororesin. The thickness for coating is not particularly limited, but about several μm is sufficient.

【0035】その結果、このようなコーティングをする
ことで加工後簡単な純水スプレーの水洗で効率よくシリ
コン屑や研磨剤を除去することができた。つまりこのよ
うなコーティングをした場合は1回毎に簡単な洗浄をす
るだけ容易にシリコン屑等が除去でき、更に連続して加
工を続けてもほとんどシリコン屑や研磨剤が固着するこ
となく使用することができた。従ってラッププレートの
溝部分をスクレイパーやブラシ等を用い強制的に固着物
を除去する本格的な清掃はほとんど不要となり作業効率
が著しく向上した。
As a result, by applying such a coating, it was possible to efficiently remove silicon dust and abrasives by washing with a simple pure water spray after processing. In other words, when such a coating is applied, it is possible to easily remove silicon dust and the like only by performing a simple cleaning each time, and even if processing is continuously performed, the silicon dust and the abrasive are hardly fixed. I was able to. Accordingly, full-scale cleaning for forcibly removing the adhered matter using a scraper, a brush, or the like in the groove portion of the lap plate is almost unnecessary, and the working efficiency is remarkably improved.

【0036】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではない。上記実施形態は単に例示であり、本発明
の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同
一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いか
なるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is merely an example, and any element having substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and having the same function and effect will be described. It is included in the technical scope of the invention.

【0037】例えば、前記両面同時ラップ装置に限ら
ず、片面だけをラッピングする装置に用いられるプレー
トに対しても本発明を適用することができる。また上記
例では上下定盤とも撥水性のフッ素樹脂を用い実施した
が、上下定盤溝部分の保護膜の材質をそれぞれ別なも
の、例えば上定盤の溝部分は親水性材料で保護するなど
してもよい。これは研磨される被加工物の特性及び用い
る研磨剤等の研磨条件により研磨屑や研磨剤が付着しに
くい材質を選択する。
For example, the present invention can be applied not only to the double-sided simultaneous lapping apparatus but also to a plate used in an apparatus for lapping only one side. Further, in the above example, the upper and lower platens were implemented using a water-repellent fluororesin, but the material of the protective film in the groove portions of the upper and lower platens was different, for example, the groove portions of the upper platen were protected with a hydrophilic material. May be. For this, a material to which polishing dust and an abrasive are hardly adhered is selected depending on characteristics of a workpiece to be polished and polishing conditions such as an abrasive to be used.

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
プレートを使用して加工した場合、従来品と比較して清
掃時間が減り装置稼働率が向上した。また、加工表面の
キズ発生は従来品より低く押さえられるようになった。
As is apparent from the above description, when processing is performed using the plate of the present invention, the cleaning time is reduced and the operation rate of the apparatus is improved as compared with the conventional product. In addition, the generation of scratches on the processed surface has been suppressed to be lower than that of the conventional product.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明におけるラッププレートの溝構成の一例
を示す断面図
FIG. 1 is a sectional view showing an example of a groove configuration of a lap plate according to the present invention.

【図2】本発明におけるラッププレートの溝構成の他の
例を示す断面図
FIG. 2 is a sectional view showing another example of the groove configuration of the lap plate according to the present invention.

【図3】ラッピング装置の概略説明図FIG. 3 is a schematic explanatory view of a wrapping device.

【図4】ラッピング装置を側面(断面)から見た概略説
明図
FIG. 4 is a schematic explanatory view of the lapping device as viewed from the side (cross section).

【図5】ラッピング装置の上定盤を取り外した状態を示
す上面概略説明図
FIG. 5 is a schematic top view showing a state where an upper surface plate of the lapping device is removed.

【図6】ラッピング装置に用いられるラップ定盤(ラッ
ププレート)の加工面の一例を示す平面図
FIG. 6 is a plan view showing an example of a processing surface of a lap surface plate (lap plate) used in the lapping device.

【図7】図6に示したラッププレートの端面部の斜視図FIG. 7 is a perspective view of an end face of the lap plate shown in FIG. 6;

【図8】従来のラッププレートの溝部分を示す断面図FIG. 8 is a sectional view showing a groove portion of a conventional lap plate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:保護材(膜) 10:ラッピング装置 11:ラッププレート(下定盤) 12:ラッププレート(上定盤) 13:ラッププレート面(定盤面) 14:サンギア 15:インターナルギア 16:被加工物保持金具(キャリア) 17:受け穴 18:ノズル 19:貫通孔 20:目切り溝 A:スラリー W:被加工物 1: Protective material (membrane) 10: Lapping device 11: Lapping plate (lower surface plate) 12: Lapping plate (upper surface plate) 13: Lapping plate surface (surface plate surface) 14: Sun gear 15: Internal gear 16: Workpiece holding Metal fittings (carrier) 17: Receiving hole 18: Nozzle 19: Through hole 20: Partition groove A: Slurry W: Workpiece

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 遊離砥粒を分散させた研磨剤を介して被
加工物とラッププレートを擦りあわせ加工する装置に用
いるラッププレートにおいて、該ラッププレートには溝
が形成され、該溝部分に研磨剤が付着するのを防止する
保護膜を形成した事を特徴とするラッププレート。
1. A lap plate used in an apparatus for rubbing a workpiece and a lap plate through an abrasive in which free abrasive grains are dispersed, wherein a groove is formed in the lap plate, and the groove portion is polished. A wrap plate formed with a protective film for preventing the agent from adhering.
【請求項2】前記溝部分の保護を撥水性材料により行な
った事を特徴とする請求項1記載のラッププレート。
2. The wrap plate according to claim 1, wherein said groove portion is protected by a water-repellent material.
【請求項3】前記溝部分の保護を親水性材料により行な
った事を特徴とする請求項1記載のラッププレート。
3. The wrap plate according to claim 1, wherein said groove portion is protected by a hydrophilic material.
【請求項4】上下のラップ定盤と、該上下のラップ定盤
に回動可能に挟持されかつ1個又は複数個の受け穴が穿
設された円板状の被加工物保持金具とを有し、該受け穴
に平板状の被加工物を配置し、該被加工物を該被加工物
保持金具とともに該上下のラップ定盤に対し相対運動さ
せながらラップを行うラッピング装置において、上記ラ
ップ定盤に請求項1乃至請求項3記載のラッププレート
を用いた事を特徴とする加工装置。
4. An upper and lower lap surface plate and a disk-shaped workpiece holding bracket rotatably held between the upper and lower lap surface plates and having one or a plurality of receiving holes formed therein. A lapping device for arranging a plate-shaped workpiece in the receiving hole and lapping the workpiece together with the workpiece holding metal with respect to the upper and lower lap platens; A processing apparatus using the lap plate according to claim 1 for a surface plate.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007245266A (en) * 2006-03-14 2007-09-27 Daikin Ind Ltd Cmp device
JP2008188678A (en) * 2007-01-31 2008-08-21 Kyocera Kinseki Corp Double side polishing apparatus
JP2008221367A (en) * 2007-03-09 2008-09-25 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Polishing pad
KR101342966B1 (en) 2009-10-28 2013-12-18 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 Chemical solution for forming protective film, water-repellent protective film and cleaning process
CN103909583A (en) * 2014-04-24 2014-07-09 王金生 Abrasive grain saw blade and saw machine for dissociating abrasive cutting
CN108098570A (en) * 2017-12-15 2018-06-01 苏州新美光纳米科技有限公司 Polishing assembly and its polishing process method

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007245266A (en) * 2006-03-14 2007-09-27 Daikin Ind Ltd Cmp device
JP2008188678A (en) * 2007-01-31 2008-08-21 Kyocera Kinseki Corp Double side polishing apparatus
JP2008221367A (en) * 2007-03-09 2008-09-25 Toyo Tire & Rubber Co Ltd Polishing pad
KR101342966B1 (en) 2009-10-28 2013-12-18 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 Chemical solution for forming protective film, water-repellent protective film and cleaning process
CN103909583A (en) * 2014-04-24 2014-07-09 王金生 Abrasive grain saw blade and saw machine for dissociating abrasive cutting
CN108098570A (en) * 2017-12-15 2018-06-01 苏州新美光纳米科技有限公司 Polishing assembly and its polishing process method

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