JP2001319844A - 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents

荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及びデバイス製造方法

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JP2001319844A
JP2001319844A JP2000085904A JP2000085904A JP2001319844A JP 2001319844 A JP2001319844 A JP 2001319844A JP 2000085904 A JP2000085904 A JP 2000085904A JP 2000085904 A JP2000085904 A JP 2000085904A JP 2001319844 A JP2001319844 A JP 2001319844A
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Hitoshi Udagawa
仁 宇田川
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱媒体の温度変動による荷電粒子線束(ビー
ム)の位置ずれやフォーカスずれ等を低減でき、より安
定した露光を行うことができる荷電粒子線露光装置を提
供する。 【解決手段】 入側配管51上の外壁42から上流側に
1cm程の所には、温度センサ55が取り付けられてい
る。温度センサ55のさらに上流側に4cm程行った所
には、二次調整器(冷却器又は加熱器)57が取り付け
られている。温度センサ55で磁気回路43及びコイル
47等に流入する直前の熱媒体の温度を測定し、その値
を温調計63で読み取り、二次調整器57で熱媒体の温
度を制御する。このように、磁気回路43及びコイル4
7等に供給される直前で、熱媒体の温度を所望の温度に
正確に制御することができ、磁気回路43及びコイル4
7等に安定した温度の熱媒体を供給できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線やイオンビ
ーム等の荷電粒子線の収束・発散・偏向・補正等を行う
レンズ等の温度調整装置を有する荷電粒子線露光装置等
に関する。特には、熱媒体の温度変動による荷電粒子線
束(ビーム)の位置ずれやフォーカスずれ等を低減で
き、より安定した露光を行うことができる荷電粒子線露
光装置、荷電粒子線露光方法及びデバイス製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】近年は、半導体集積回路の更なる小線幅
化を可能にするため、スループットの高い縮小投影型の
荷電粒子線露光装置の開発が進められている。このよう
な露光装置の荷電粒子線光学系には、一般に、ソレノイ
ド型の電磁コイルを用いた電磁レンズやスティグマトー
ル(収差補正コイル)が装備されている。しかし、これ
らの電磁レンズ等においては、コイル自身の発熱や外的
要因によりコイル周辺の温度が変化すると、コイルの特
性やホールピース等の特性が変化して荷電粒子線の位置
ずれやフォーカスずれ等が生じることがある。このよう
な不具合を防止して高精度のパターン形成を行えるよう
にするためには、レンズ等の温度を一定に保つ必要があ
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】レンズ等の温度を一定
に保つ方法としては、温度制御装置により温度調整され
た熱媒体をレンズ等に循環させる方法がある。しかし、
高スループットをねらう投影型の露光装置ではパワーの
高い電磁レンズ等を多数用いるため、温度制御装置本体
も大型となる。さらに、温度制御装置における電源のス
イッチング等でノイズが発生する場合があったりするの
で、温度制御装置を電磁レンズ等から数m程離れたとこ
ろに設置することになる。このように制御装置がレンズ
等から離れると、熱媒体の流路が長くなり、熱媒体の温
度変動が大きくなるとともに制御応答も悪くなるという
問題が発生する。なお、この種の露光装置では、電磁レ
ンズ等は±0.01℃レベルの温度安定性が要求され
る。
【0004】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であって、レンズ等と温度制御装置との間の管路等にお
ける熱媒体の温度変動を補正でき、より安定した露光を
行うことができる荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光
方法及びデバイス製造方法を提供することを目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の荷電粒子線露光装置は、 感応基板上に荷
電粒子線を結像させてパターン形成する露光装置であっ
て; 荷電粒子線の収束・発散・偏向・補正等を行うレ
ンズや偏向器・補正器等(レンズ等)と、 該レンズ等
に熱媒体を循環供給して温度を調整する温度調整装置
と、を備え、 該温度調整装置が、 上記レンズ等を含
む熱媒体循環経路と、 該循環経路中で熱媒体を循環さ
せるポンプと、 該熱媒体の温度を一次的に調整する冷
却器又は加熱器(一次調整器)と、 該一次調整器を通
った熱媒体の温度を二次的に調整する、上記レンズ等の
上流側の近傍に設置された冷却器又は加熱器(二次調整
器)と、 上記レンズ等と該二次調整器との間に設置さ
れた、二次調整器出側の熱媒体の温度を検知する温度セ
ンサと、 を具備することを特徴とする。
【0006】本発明の荷電粒子線露光方法は、 荷電粒
子線の収束・発散・偏向・補正等を行うレンズや偏向器
・補正器等(レンズ等)を用い、該レンズ等に熱媒体を
循環供給して温度を調整しながら、感応基板上に荷電粒
子線を結像させてパターン形成する際に、 該熱媒体の
温度を一次的に調整するとともに、該一次調整器を通っ
た熱媒体の温度を上記レンズ等の上流側の近傍において
二次的に調整することを特徴とする。
【0007】本発明のデバイス製造方法は、 リソグラ
フィー工程において、 荷電粒子線の収束・発散・偏向
・補正等を行うレンズや偏向器・補正器等(レンズ等)
を用い、該レンズ等に熱媒体を循環供給して温度を調整
しながら、感応基板上に荷電粒子線を結像させてパター
ン形成する際に、 該熱媒体の温度を一次的に調整する
とともに、該一次調整器を通った熱媒体の温度を上記レ
ンズ等の上流側の近傍において二次的に調整することを
特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】まず、荷電粒子線の一種である電
子線を用いる露光装置全体の構成例について説明する。
図2は、分割転写方式の電子線投影露光装置の光学系全
体における結像関係及び制御系の構成例を示す図であ
る。光学系の最上流に配置されている電子銃1は、下方
に向けて電子線を放射する。電子銃1の下方には2段の
コンデンサレンズ2、3が備えられており、電子線は、
これらのコンデンサレンズ2、3によって収束され、ブ
ランキング開口7にクロスオーバーC.O.を結像する。
【0009】コンデンサレンズ3の下には、矩形開口4
が備えられている。この矩形開口(照明ビーム成形開
口)4は、マスク10の一つのサブフィールド(単位露
光パターン領域)を照明する照明ビームのみを通過させ
る。具体的には、開口4は、照明ビームをマスクサイズ
換算で1mm角強の寸法の正方形に成形する。この開口4
の像は、レンズ9によってマスク10に結像される。
【0010】ビーム成形開口4の下方には、ブランキン
グ偏向器5が配置されている。同偏向器5は、必要時
に、照明ビームを偏向させてブランキング開口7の非開
口部に当て、ビームがマスク10に当たらないようにす
る。ブランキング開口7の下には、照明ビーム偏向器8
が配置されている。この偏向器8は、主に照明ビームを
図2のX方向に順次走査して、照明光学系の視野内にあ
るマスク10の各サブフィールドの照明を行う。偏向器
8の下方には、コンデンサレンズ9が配置されている。
コンデンサレンズ9は、電子線を平行ビーム化してマス
ク10に当て、マスク10上にビーム成形開口4を結像
させる。
【0011】マスク10は、図2では光軸上の1サブフ
ィールドのみが示されているが、実際には光軸垂直面内
(X−Y面)に広がっており多数のサブフィールドを有
する。マスク10上には、全体として一個の半導体デバ
イスチップをなすパターン(チップパターン)が形成さ
れている。照明光学系の視野内で各サブフィールドを照
明するため、上述のように偏向器8で電子線を偏向する
ことができる。照明光学系の視野を越えて各サブフィー
ルドを照明するため、マスク10はXY方向に移動可能
なマスクステージ11上に載置されている。
【0012】マスク10の下方には投影レンズ12及び
14並びに偏向器13が設けられている。そして、マス
ク10のあるサブフィールドに照明ビームが当てられ、
マスク10のパターン部を通過した電子線は、投影レン
ズ12、14によって縮小されるとともに、偏向器13
により偏向されてウェハ15上の所定の位置に結像され
る。ウェハ15上には、適当なレジストが塗布されてお
り、レジストに電子ビームのドーズが与えられてマスク
上のパターンが縮小されてウェハ15上に転写される。
【0013】なお、マスク10とウェハ15の間を縮小
率比で内分する点にクロスオーバーC.O.が形成され、同
クロスオーバー位置にはコントラスト開口18が設けら
れている。同開口18は、マスク10の非パターン部で
散乱された電子線がウェハ15に到達しないよう遮断す
る。
【0014】ウェハ15は、静電チャック16を介し
て、XY方向に移動可能なウェハステージ17上に載置
されている。上記マスクステージ11とウェハステージ
17とを、互いに逆の方向に同期走査することにより、
チップパターン内において光学系の視野よりも広い範囲
に多数配列されたサブフィールドを順次露光することが
できる。なお、両ステージ11、17には、レーザ干渉
計を用いた正確な位置測定システムが装備されており、
ステージ位置は正確に測定され、その結果でビーム位置
がコントロールされる。
【0015】上記各レンズ2、3、9、12、14及び
各偏向器5、8、13は、各々のコイル電源2a、3
a、9a、12a、14a及び5a、8a、13aを介
して制御部21によりコントロールされる。また、マス
クステージ11及びウェハステージ17も、ステージ駆
動モータ制御部11a、17aを介して、制御部21に
よりコントロールされる。静電チャック16は、静電チ
ャック制御部16aを介して、メインコントローラ21
によりコントロールされる。正確なステージ位置と光学
系のコントロールにより、ウェハ15上でマスク10上
のサブフィールドの縮小像が正確に繋ぎ合わされ、マス
ク上のチップパターン全体がウェハ上に転写される。
【0016】次に、本発明の荷電粒子線露光装置におけ
るレンズの冷却システムについて説明する。図1は、本
発明の1実施例に係る電子線露光装置のレンズ部とその
温度調整装置の詳細を示す模式的な図である。図1に
は、図2に図示してある大きいマスク側レンズ12と小
さいウェハ側レンズ14の内、マスク側レンズ12のみ
が示されている。以下、マスク側レンズ12についての
み説明するが、ウェハ側レンズ14も同様に構成されて
いる。また、同図中で、温度調整装置は系統図あるいは
ブロック図で示されており、レンズ部は断面図として示
されている。
【0017】マスク側レンズ12の構成について説明す
る。マスク側レンズ12の中心部には、パイプ状の真空
壁45が、軸芯を光軸に合わせて立てられている。真空
壁45の中央空間はビーム通路であり、1.3×10-4
Pa(10-6Torr)程度の真空となっている。真空
壁45の外側には中空円筒状のコイル47が、真空壁4
5を取り巻くように配置されている。コイル47の周囲
は、磁気回路43で覆われている。この磁気回路43
は、強磁性体からなり、中心に貫通した中空部を存する
缶状のものである。さらに、磁気回路43は、外壁42
で覆われている。なお、レンズ12の内部には図示せぬ
偏向コイルや補正コイル(スティグマトール)等も設け
られている。
【0018】外壁42と真空壁45との間には、Oリン
グ41、49が配置されており、磁気回路43及びその
内に納められているコイル47等の周囲を密封してい
る。なお、Oリング41、49は、真空壁45の外周面
にはめ込まれており、荷電粒子が直接当たらないような
構造をしている。なお、真空壁45の下部にある符号2
2は、マスク側レンズ12とウェハ側レンズ14の間の
真空封止のためのOリングである。
【0019】続いて、レンズの冷却装置について説明す
る。なお、説明はマスク側レンズ12について行うが、
ウェハ側レンズ14についても同様である。磁気回路4
3及びコイル47等は、上述のように、真空壁45と外
壁42とによって密封された空間内に置かれている。外
壁42の胴部には、冷却液孔59が上下に何箇所かずつ
開けられている(図では、上下各一箇所のみについて示
してある)。下側の冷却液孔59´には、コイル冷却液
の入側配管51が接続されており、上側の冷却液孔59
には出側配管53が接続されている。このような管路内
に熱媒体(冷却液)を循環させて、磁気回路43及びコ
イル47等の温度を一定に保つ。熱媒体としては、例え
ば、フッ素不活性液体であるフロリナート等が利用でき
る。
【0020】入側配管51上の外壁42から上流側に1
cm程の所には、白金抵抗体等の温度センサ55が取り
付けられている。温度センサ55のさらに上流側に4c
m程行った所には、二次調整器(冷却器又は加熱器)5
7が取り付けられている。入側配管51の先には、露光
装置から数m程離れたところに温度制御装置61が接続
されている。温度制御装置61には、温調計63、流量
可変ポンプ65、一次調整器(冷却器)67等が具備さ
れている。一次調整器67にはライン冷却液等の冷却液
配管69が導かれており、冷却液を冷却している。
【0021】二次調整器57については、加熱器として
は抵抗ヒータ等が利用でき、また、冷却と加熱の両方を
行うのであれば、ペルチェ素子等を利用することもでき
る。なお、センサ55や二次調整器57は、電磁レンズ
12に近接して配置されるので、電源のスイッチング等
で発生するノイズを電子光学系に与えないものが好まし
い。具体的には、SSR(ソリッド・ステート・リレー)等
を用いる。
【0022】次に、熱媒体の温度制御の詳細について説
明する。熱媒体は、まず、一次調整器67で定常的な温
度(例えば、21℃)となるように制御される。続い
て、流量可変ポンプ65によって入側配管51に送り出
され、磁気回路43及びコイル47等に向けて供給され
る。磁気回路43及びコイル47等の手前では、直前の
熱媒体の温度がセンサ55で測定される。センサ55の
値を温調計63で読み取り、熱媒体の温度が所望の温度
(例えば、23℃)となるようにPID制御等によっ
て、アナログ的に二次調整器57(この場合電気抵抗)
を連続制御する。
【0023】こうして、磁気回路43及びコイル47等
に送り込まれた熱媒体は、磁気回路43及びコイル47
等やその周囲で発生した熱を冷ましつつ循環し、上側の
出側配管53に流出する。続いて、出側配管53を通っ
て、同配管に連結されている一次調整器67に戻ってい
く。このように、磁気回路43及びコイル47等に供給
される直前で、熱媒体の温度を所望の温度に正確に制御
することができ、磁気回路43及びコイル47等に安定
した温度の熱媒体を供給できる。
【0024】次に上述の電子ビーム転写露光装置を利用
したデバイス製造方法の実施例を説明する。図3は、微
小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネ
ル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製
造フローを示す。
【0025】ステップ1(回路設計)では、半導体デバ
イスの回路設計を行う。ステップ2(マスク製作)で
は、設計した回路パターンを形成したマスクを製作す
る。この時、パターンについて局部的にリサイズを施す
ことにより近接効果や空間電荷効果によるビームボケの
補正を行ってもよい。一方、ステップ3(ウェハ製造)
では、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
【0026】ステップ4(酸化)では、ウェハの表面を
酸化させる。ステップ5(CVD)では、ウェハ表面に
絶縁膜を形成する。ステップ6(電極形成)では、ウェ
ハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ7(イオ
ン打ち込み)では、ウェハにイオンを打ち込む。ステッ
プ8(レジスト処理)では、ウェハに感光剤を塗布す
る。ステップ9(電子ビーム露光)では、ステップ2で
作ったマスクを用いて電子ビーム転写装置によって、マ
スクの回路パターンをウェハに焼付露光する。その際、
上述の露光装置を用いる。ステップ10(光露光)で
は、同じくステップ2で作った光露光用マスクを用い
て、光ステッパーによってマスクの回路パターンをウェ
ハに焼付露光する。この前又は後に、電子ビームの後方
散乱電子を均一化する近接効果補正露光を行ってもよ
い。
【0027】ステップ11(現像)では、露光したウェ
ハを現像する。ステップ12(エッチング)では、レジ
スト像以外の部分を選択的に削り取る。ステップ13
(レジスト剥離)では、エッチングがすんで不要となっ
たレジストを取り除く。ステップ4からステップ13を
繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パタ
ーンが形成される。
【0028】ステップ14(組立)は、後工程と呼ば
れ、上の工程によって作製されたウェハを用いて半導体
チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシン
グ、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封
入)等の工程を含む。ステップ15(検査)では、ステ
ップ14で作製された半導体デバイスの動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て
半導体デバイスが完成しこれが出荷(ステップ16)さ
れる。
【0029】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、レンズ等と温度制御装置との間の冷却液流路
における外的要因による冷却液の温度変動を補正でき
る。その結果、冷却液の温度変動による荷電粒子の位置
ずれやフォーカスずれ等の不具合を軽減でき、より安定
した露光を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の1実施例に係る電子線露光装置のレン
ズ部とその温度調整装置の詳細を示す模式的な図であ
る。
【図2】分割転写方式の電子線投影露光装置の光学系全
体における結像関係及び制御系の構成例を示す図であ
る。
【図3】微小デバイス(ICやLSI等の半導体チッ
プ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等)の製造のフローを示す。
【符号の説明】
1 電子銃 2,3 コンデ
ンサレンズ 4 照明ビーム成形開口 5 ブランキ
ング偏向器 7 ブランキング開口 8 照明ビー
ム偏向器 9 コンデンサレンズ 10 マスク 11 マスクステージ 12 マスク側
レンズ 13 偏向器 14 ウェハ側
レンズ 15 ウェハ 16 静電チャ
ック 17 ウェハステージ 18 コントラ
スト開口 21 制御部 22、41、49 Oリング 42 外壁 43 磁気回路 45 真空壁 47 コイル 51 入側配管 53 出側配管 55 温度セン
サ 57 二次調整器 59 冷却液孔 61 温度制御装置 63 温調計 65 流量可変ポンプ 67 一次調整
器 69 冷却液配管

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 感応基板上に荷電粒子線を結像させてパ
    ターン形成する露光装置であって;荷電粒子線の収束・
    発散・偏向・補正等を行うレンズや偏向器・補正器等
    (レンズ等)と、 該レンズ等に熱媒体を循環供給して温度を調整する温度
    調整装置と、を備え、 該温度調整装置が、 上記レンズ等を含む熱媒体循環経路と、 該循環経路中で熱媒体を循環させるポンプと、 該熱媒体の温度を一次的に調整する冷却器又は加熱器
    (一次調整器)と、 該一次調整器を通った熱媒体の温度を二次的に調整す
    る、上記レンズ等の上流側の近傍に設置された冷却器又
    は加熱器(二次調整器)と、 上記レンズ等と該二次調整器との間に設置された、二次
    調整器出側の熱媒体の温度を検知する温度センサと、 を具備することを特徴とする荷電粒子線露光装置。
  2. 【請求項2】 荷電粒子線の収束・発散・偏向・補正等
    を行うレンズや偏向器・補正器等(レンズ等)を用い、
    該レンズ等に熱媒体を循環供給して温度を調整しなが
    ら、感応基板上に荷電粒子線を結像させてパターン形成
    する際に、 該熱媒体の温度を一次的に調整するとともに、該一次調
    整器を通った熱媒体の温度を上記レンズ等の上流側の近
    傍において二次的に調整することを特徴とする荷電粒子
    線露光方法。
  3. 【請求項3】 リソグラフィー工程において、 荷電粒子線の収束・発散・偏向・補正等を行うレンズや
    偏向器・補正器等(レンズ等)を用い、該レンズ等に熱
    媒体を循環供給して温度を調整しながら、感応基板上に
    荷電粒子線を結像させてパターン形成する際に、 該熱媒体の温度を一次的に調整するとともに、該一次調
    整器を通った熱媒体の温度を上記レンズ等の上流側の近
    傍において二次的に調整することを特徴とするデバイス
    製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294850A (ja) * 2006-03-30 2007-11-08 Tokyo Electron Ltd 静電偏向器及び電子線照射装置及び基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法
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KR101526902B1 (ko) * 2013-12-19 2015-06-10 한국기초과학지원연구원 투과전자현미경상의 cryo 이미지의 대조비 향상을 위한 가열구조가 개선된 애퍼처

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