JP2001314872A - Method for treating ammonia-containing wastewater discharged from semiconductor manufacturing process - Google Patents

Method for treating ammonia-containing wastewater discharged from semiconductor manufacturing process

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JP2001314872A
JP2001314872A JP2000140499A JP2000140499A JP2001314872A JP 2001314872 A JP2001314872 A JP 2001314872A JP 2000140499 A JP2000140499 A JP 2000140499A JP 2000140499 A JP2000140499 A JP 2000140499A JP 2001314872 A JP2001314872 A JP 2001314872A
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光明 池田
Shigeto Yoshida
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process, capable of efficiently separating ammonia in ammonia-containing wastewater at a low cost to decomposed the same. SOLUTION: A reverse osmosis membrane treatment process 10, a stripping treatment process 30 and a gas decomposition treatment process 50 are included. At first, ammonia-containing wastewater is subjected to reverse osmosis membrane treatment in the reverse osmosis membrane treatment process 10 to separate concentrated water. In the succeeding stripping treatment process 30, the concentrated water separated in the reverse osmosis membrane treatment process 10 is subjected to stripping treatment to take out ammonia gas. Thereafter, in the gas decomposition treatment process 50, the ammonia gas taken out in the stripping treatment process 30 is decomposed into molecular nitrogen and water using an ammonia decomposition catalyst.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程か
ら排出される、アンモニアを主成分として含有するアン
モニア含有排水の処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for treating ammonia-containing waste water containing ammonia as a main component, which is discharged from a semiconductor manufacturing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体の洗浄排水等の産業排水中
に含まれるアンモニア性窒素は、放流先で富栄養化の問
題を引き起こすため、その除去が求められている。アン
モニウムを主成分として含有するアンモニア含有排水中
のアンモニア性窒素の処理方法としては、微生物を用い
た活性汚泥法、アンモニアストリッピング法、イオン交
換法等が知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, ammonia nitrogen contained in industrial wastewater such as semiconductor washing wastewater causes a problem of eutrophication at a discharge destination, and therefore, its removal has been demanded. As a method for treating ammoniacal nitrogen in an ammonia-containing wastewater containing ammonium as a main component, an activated sludge method using a microorganism, an ammonia stripping method, an ion exchange method, and the like are known.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、微生物
を用いた活性汚泥法では、排水中のアンモニアを微生物
の生物反応により硝化して硝酸態にし、それを生物反応
にて窒素ガスに変化させて大気に放出するため、微生物
の維持管理が必要であると共に、広大な敷地を要する。
また、増殖した微生物の余剰汚泥が発生するために、こ
の余剰汚泥の処理(脱水、乾燥、焼却等)が必要となる
といった問題がある。
However, in the activated sludge method using microorganisms, ammonia in wastewater is nitrified by a biological reaction of microorganisms to nitrate, and the nitrate is converted into nitrogen gas by a biological reaction to form air. Therefore, it is necessary to maintain and manage microorganisms, and a vast site is required.
In addition, there is a problem that the processing of the excess sludge (dehydration, drying, incineration, etc.) is necessary because excess sludge of the microorganisms that have multiplied is generated.

【0004】また、アンモニアストリッピング法では、
アンモニアの溶解度を利用して、温度及びpHを調節す
ることによりアンモニアを水中から気相に物理的に移動
させるため、ストリッピング処理後のアンモニアガスの
処理、回収等が必要となるといった問題がある。
[0004] In the ammonia stripping method,
Since ammonia is physically moved from water to the gas phase by adjusting the temperature and pH by using the solubility of ammonia, there is a problem that it is necessary to treat and recover ammonia gas after stripping. .

【0005】また、イオン交換法では、アンモニアの吸
着に優れた担体中にアンモニアを取り込ませるもので、
取り込まれたアンモニアは食塩水等で再生できるが、再
生水中のアンモニアの処理、回収等が必要となるといっ
た問題がある。
[0005] In the ion exchange method, ammonia is incorporated into a carrier excellent in ammonia adsorption.
The taken-in ammonia can be regenerated with a saline solution or the like, but there is a problem that it is necessary to treat and recover the ammonia in the regenerated water.

【0006】本発明は上記従来の問題点を解決し、アン
モニア含有排水中のアンモニアを低コストにて効率的に
分離して分解することができる半導体製造工程から排出
されるアンモニア含有排水の処理方法を提供することを
目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned conventional problems, and a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process capable of efficiently separating and decomposing ammonia in ammonia-containing wastewater at low cost. The purpose is to provide.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体製造
工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法は、
アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して、透過水と濃縮
水とに分離する逆浸透膜処理工程と、逆浸透膜処理工程
にて分離された濃縮水をストリッピング処理して、アン
モニアガスを取り出すストリッピング処理工程と、スト
リッピング処理工程にて取り出されたアンモニアガス
を、アンモニア分解触媒を用いて分子態窒素と水とに分
解するガス分解処理工程と、を含むことを特徴としてい
る。
According to the present invention, there is provided a method of treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process.
Reverse osmosis membrane treatment of ammonia-containing wastewater to separate permeated water and concentrated water, and stripping treatment of the concentrated water separated in the reverse osmosis membrane treatment step to take out ammonia gas It is characterized by including a stripping treatment step and a gas decomposition treatment step of decomposing the ammonia gas extracted in the stripping treatment step into molecular nitrogen and water using an ammonia decomposition catalyst.

【0008】本発明に係る半導体製造工程から排出され
るアンモニア含有排水の処理方法では、アンモニア含有
排水を逆浸透膜処理して分離された濃縮水をストリッピ
ング処理して、アンモニアガスを取り出し、取り出され
たアンモニアガスを、アンモニア分解触媒を用いて分子
態窒素と水とに分解することにより、アンモニア含有排
水からアンモニアガスを効率的に分離することができ、
分離したアンモニアを効率的に分解することができる。
また、アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して分離され
た透過水は、用水として回収して再利用することができ
る。
In the method for treating ammonia-containing waste water discharged from a semiconductor manufacturing process according to the present invention, the ammonia-containing waste water is subjected to a reverse osmosis membrane treatment, and the concentrated water separated is stripped to take out ammonia gas. The ammonia gas can be efficiently separated from the ammonia-containing wastewater by decomposing the ammonia gas into molecular nitrogen and water using an ammonia decomposition catalyst,
The separated ammonia can be efficiently decomposed.
Further, the permeated water separated by the reverse osmosis membrane treatment of the ammonia-containing wastewater can be recovered as service water and reused.

【0009】また、逆浸透膜処理工程にて分離された透
過水は、純水製造装置の原水として回収することが好ま
しい。このように、逆浸透膜処理工程にて分離された透
過水を純水製造装置の原水として回収することにより、
透過水の再利用が可能となる。
Further, it is preferable that the permeated water separated in the reverse osmosis membrane treatment step is recovered as raw water in a pure water production apparatus. Thus, by collecting the permeated water separated in the reverse osmosis membrane treatment step as raw water of the pure water production apparatus,
Permeated water can be reused.

【0010】また、逆浸透膜処理工程は、アンモニア含
有排水を逆浸透膜処理して一次透過水と一次濃縮水とに
分離する一次逆浸透膜処理工程と、一次逆浸透膜処理工
程にて分離された一次透過水を逆浸透膜処理して二次透
過水と二次濃縮水とに分離する二次逆浸透膜処理工程
と、一次逆浸透膜処理工程にて分離された一次濃縮水を
ブライン逆浸透膜処理してブライン透過水とブライン濃
縮水とに分離するブライン逆浸透膜処理工程と、を含
み、ブライン逆浸透膜処理工程にて分離されたブライン
濃縮水をストリッピング処理工程に送る一方、二次逆浸
透膜処理工程にて分離された二次濃縮水とブライン逆浸
透膜処理工程にて分離されたブライン透過水とを一次逆
浸透膜処理工程の前段に送ることが好ましい。これによ
り、ストリッピング処理工程に送る濃縮水(ブライン濃
縮水)におけるアンモニアの濃縮率を効率よく高めるこ
とができる。
[0010] The reverse osmosis membrane treatment step comprises a primary reverse osmosis membrane treatment step of subjecting the ammonia-containing wastewater to a reverse osmosis membrane treatment to separate it into a primary permeate and a primary concentrated water. A second reverse osmosis membrane treatment step of subjecting the separated primary permeated water to a reverse osmosis membrane treatment and separating it into a second permeate and a second concentrated water, and the first concentrated water separated in the first reverse osmosis membrane treatment step is brined. A reverse osmosis membrane treatment and a brine reverse osmosis membrane treatment step of separating into a brine permeated water and a brine concentrated water, and wherein the brine concentrated water separated in the brine reverse osmosis membrane treatment step is sent to the stripping treatment step. Preferably, the secondary concentrated water separated in the secondary reverse osmosis membrane treatment step and the brine permeated water separated in the brine reverse osmosis membrane treatment step are sent to a stage preceding the primary reverse osmosis membrane treatment step. Thereby, the concentration rate of ammonia in the concentrated water (brine concentrated water) sent to the stripping treatment step can be efficiently increased.

【0011】また、ストリッピング処理工程は、逆浸透
膜処理工程にて分離された濃縮水のpHを10.5から
12の範囲に調整して、ストリッピング処理することが
好ましい。このように、ストリッピング処理工程におい
て、逆浸透膜処理工程にて分離された濃縮水のpHを1
0.5から12の範囲に調整することにより、濃縮水中
におけるアンモニウムイオンを遊離アンモニアに変化さ
せて、濃縮水中のアンモニアを効率よくガス化すること
ができる。
In the stripping treatment step, the pH of the concentrated water separated in the reverse osmosis membrane treatment step is preferably adjusted to a range of 10.5 to 12, and the stripping treatment is preferably performed. As described above, in the stripping treatment step, the pH of the concentrated water separated in the reverse osmosis membrane treatment step is set to 1
By adjusting the concentration in the range of 0.5 to 12, ammonium ions in the concentrated water can be changed to free ammonia, and the ammonia in the concentrated water can be gasified efficiently.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
による半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排
水の処理方法の好適な実施形態について詳細に説明す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0013】図1は、本発明の実施形態に係る半導体製
造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法を
示す系統図であり、図2は、逆浸透膜処理工程を示す系
統図であり、図3は、ストリッピング処理工程を示す系
統図であり、図4は、ガス分解処理工程を示す系統図で
ある。アンモニア含有排水の処理方法は、図1に示され
るように、アンモニア濃度を高めるための逆浸透膜処理
工程10、アンモニアガスを取り出すためのストリッピ
ング処理工程30、及び、アンモニアガスを分解して浄
化ガスを取り出すためのガス分解処理工程50を含んで
いる。
FIG. 1 is a system diagram showing a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a system diagram showing a reverse osmosis membrane treatment process. FIG. 3 is a system diagram showing the stripping process, and FIG. 4 is a system diagram showing the gas decomposition process. As shown in FIG. 1, the treatment method of the ammonia-containing wastewater includes a reverse osmosis membrane treatment step 10 for increasing the ammonia concentration, a stripping treatment step 30 for removing the ammonia gas, and decomposing and purifying the ammonia gas. A gas decomposition process step 50 for extracting gas is included.

【0014】まず、逆浸透膜処理工程10を図2に基づ
いて説明する。半導体製造工程から排出されるアンモニ
ア含有排水を、前処理として、活性炭塔11に通水す
る。アンモニア含有排水を活性炭塔11に通水すること
により、アンモニア含有排水に含まれる過酸化水素水が
分解される。活性炭塔11にて過酸化水素水が分解され
たアンモニア含有排水を、同じく前処理として、ろ過器
12に通水し、ろ過されたアンモニア含有排水を排水貯
槽13に送水する。ろ過器12においては、アンモニア
含有排水に含まれる懸濁物質が除去される。
First, the reverse osmosis membrane treatment step 10 will be described with reference to FIG. Ammonia-containing wastewater discharged from the semiconductor manufacturing process is passed through the activated carbon tower 11 as pretreatment. By passing the ammonia-containing wastewater through the activated carbon tower 11, the hydrogen peroxide solution contained in the ammonia-containing wastewater is decomposed. The ammonia-containing wastewater from which the hydrogen peroxide solution has been decomposed in the activated carbon tower 11 is passed through a filter 12 as a pretreatment, and the filtered ammonia-containing wastewater is sent to a wastewater storage tank 13. In the filter 12, suspended substances contained in the ammonia-containing wastewater are removed.

【0015】次に、上述した前処理がなされて排水貯槽
13内のアンモニア含有排水を、熱交換器14に通水す
る。熱交換器14では、通水温度が所定の温度(本実施
形態においては、たとえば約15℃以上)に保たれる。
熱交換器14にて所定の温度とされたアンモニア含有排
水を、精密ろ過器15に通水し、ろ過されたアンモニア
含有排水をpH調整設備16に送水する。精密ろ過器1
5は、後段に配設される逆浸透膜(RO膜)17,1
8,19を保護するためのものである。pH調整設備1
6は、後段に配設される逆浸透膜(RO膜)17,1
8,19への通水pHを調整するためのもので、逆浸透
膜(RO膜)17,18,19に送水するアンモニア含
有排水のpHを7程度に調整する。
Next, the ammonia-containing wastewater in the wastewater storage tank 13 that has been subjected to the pretreatment described above is passed through the heat exchanger 14. In the heat exchanger 14, the water passing temperature is maintained at a predetermined temperature (for example, about 15 ° C. or higher in the present embodiment).
The ammonia-containing wastewater at a predetermined temperature in the heat exchanger 14 is passed through a microfilter 15, and the filtered ammonia-containing wastewater is sent to a pH adjusting facility 16. Precision filter 1
5 is a reverse osmosis membrane (RO membrane) 17, 1
8 and 19 are to be protected. pH adjustment equipment 1
Reference numeral 6 denotes a reverse osmosis membrane (RO membrane) 17
It adjusts the pH of the water passing through 8, 19, and adjusts the pH of the ammonia-containing wastewater sent to the reverse osmosis membranes (RO membranes) 17, 18, 19 to about 7.

【0016】pH調整設備16にてpHが調整されたア
ンモニア含有排水を、逆浸透膜(RO膜)17,18,
19に通水する。逆浸透膜(RO膜)17,18,19
は、アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して透過水と濃
縮水とに分離するためのもので、一次逆浸透膜(一次R
O膜)17と、二次逆浸透膜(二次RO膜)18と、ブ
ライン逆浸透膜(ブラインRO膜)19とで構成されて
いる。まず、pH調整設備16から送られたアンモニア
含有排水を一次逆浸透膜17に通液して、一次透過水と
一次濃縮水とに分離する(一次逆浸透膜処理工程)。
The ammonia-containing wastewater whose pH has been adjusted by the pH adjusting equipment 16 is supplied to reverse osmosis membranes (RO membranes) 17, 18,
Pass water through 19. Reverse osmosis membrane (RO membrane) 17, 18, 19
Is used to separate ammonia-containing wastewater into permeated water and concentrated water by reverse osmosis membrane treatment.
O membrane 17, a secondary reverse osmosis membrane (secondary RO membrane) 18, and a brine reverse osmosis membrane (brine RO membrane) 19. First, the ammonia-containing wastewater sent from the pH adjusting equipment 16 is passed through the primary reverse osmosis membrane 17 to be separated into primary permeated water and primary concentrated water (primary reverse osmosis membrane treatment step).

【0017】その後、一次逆浸透膜17にて分離された
一次濃縮水をブライン逆浸透膜19に通液して、ブライ
ン透過水とブライン濃縮水とに分離し(ブライン逆浸透
膜処理工程)し、ブライン濃縮水をストリッピング処理
工程30(濃縮水槽31)に送水する一方、ブライン透
過水を排水貯槽13に送水する。また、一次逆浸透膜1
7にて分離された一次透過水を二次逆浸透膜18に通液
して、二次透過水と二次濃縮水とに分離(二次逆浸透膜
処理工程)し、二次透過水を純水製造装置20の原水と
して回収する一方、二次濃縮水を排水貯槽13に送水す
る。
Thereafter, the primary concentrated water separated by the primary reverse osmosis membrane 17 is passed through a brine reverse osmosis membrane 19 to be separated into brine permeated water and brine concentrated water (brine reverse osmosis membrane treatment step). Then, the brine-concentrated water is supplied to the stripping process step 30 (concentrated water tank 31), while the brine-permeated water is supplied to the drainage storage tank 13. In addition, primary reverse osmosis membrane 1
The primary permeated water separated in 7 is passed through the secondary reverse osmosis membrane 18 to be separated into secondary permeated water and secondary concentrated water (secondary reverse osmosis membrane treatment step), and the secondary permeated water is separated. The secondary concentrated water is sent to the drainage storage tank 13 while being recovered as raw water of the pure water production apparatus 20.

【0018】次に、ストリッピング処理工程30を図3
に基づいて説明する。逆浸透膜処理工程10(ブライン
逆浸透膜処理工程)で得た濃縮水(ブライン濃縮水)
を、まず、濃縮水槽31からpH調整槽32に送水す
る。pH調整槽32では、苛性ソーダを用いて濃縮水の
pHを10.5から12の範囲(本実施形態において
は、11程度)に調整する。このように、濃縮水のpH
を10.5から12の範囲に調整することにより、濃縮
水中におけるアンモニウムイオンを遊離アンモニアに変
化させて、後のストリッピング処理において濃縮水中の
アンモニアを効率よくガス化することができる。また、
pH調整槽32では、濃縮水に対するポリマー濃度を3
0mg/lとするように、分子量が5000程度のポリ
アクリル酸ソーダのスケール分散剤を添加する。このよ
うに、濃縮水にスケール分散剤を添加することにより、
カルシウムの析出を抑制することができる。
Next, FIG.
It will be described based on. Concentrated water (brine concentrated water) obtained in reverse osmosis membrane treatment step 10 (brine reverse osmosis membrane treatment step)
First, water is supplied from the concentrated water tank 31 to the pH adjustment tank 32. In the pH adjusting tank 32, the pH of the concentrated water is adjusted to a range of 10.5 to 12 (about 11 in the present embodiment) using caustic soda. Thus, the pH of the concentrated water
Is adjusted to the range of 10.5 to 12, ammonium ions in the concentrated water are changed into free ammonia, and the ammonia in the concentrated water can be efficiently gasified in the subsequent stripping treatment. Also,
In the pH adjusting tank 32, the polymer concentration with respect to the concentrated water is set to 3
A scale dispersant of sodium polyacrylate having a molecular weight of about 5000 is added so as to be 0 mg / l. Thus, by adding the scale dispersant to the concentrated water,
Precipitation of calcium can be suppressed.

【0019】pH調整槽32にてpHを調整すると共
に、スケール分散剤を添加した後、濃縮水を熱交換器3
3に通水する。熱交換器33では、ストリッピング処理
してアンモニアを分離した後の処理水(脱窒された処理
水)と熱交換して、濃縮水の通水温度が所定の温度(本
実施形態においては、たとえば85℃程度)に保たれ
る。このように、ストリッピング塔34に送水される濃
縮水の温度を予め高めておくことにより、ストリッピン
グ処理を行う際のエネルギーを節約することができる。
また、熱交換器33における熱源として、脱窒された処
理水を利用することにより、新たに熱源を設ける必要が
なく、設備の小型化が可能となる。
After adjusting the pH in the pH adjusting tank 32 and adding the scale dispersant, the concentrated water is removed from the heat exchanger 3.
Pass water through 3. The heat exchanger 33 exchanges heat with treated water (denitrified treated water) after stripping and separation of ammonia, and the concentrated water passing temperature becomes a predetermined temperature (in the present embodiment, (For example, about 85 ° C.). As described above, by raising the temperature of the concentrated water sent to the stripping tower 34 in advance, it is possible to save energy when performing the stripping process.
Further, by using the denitrified treated water as the heat source in the heat exchanger 33, it is not necessary to newly provide a heat source, and the equipment can be downsized.

【0020】熱交換器33にて所定の温度とされた濃縮
水を、ストリッピング塔34上部に供給し、水蒸気をス
トリッピング塔34下部に投入してストリッピング処理
をする。ストリッピング塔34の頂部からストリッピン
グ塔34内の水蒸気とアンモニアガスとを主成分とする
ガスをブロア等により吸引し、ガス分解処理工程50に
送出する。脱窒された処理水は、ストリッピング塔34
の底部から抜き出し熱交換器33に送水して冷却した
後、処理水pH調整設備35にてpHを調整する。
The concentrated water at a predetermined temperature in the heat exchanger 33 is supplied to an upper part of the stripping tower 34, and steam is supplied to a lower part of the stripping tower 34 to perform a stripping process. A gas mainly composed of water vapor and ammonia gas in the stripping tower 34 is sucked from the top of the stripping tower 34 by a blower or the like, and is sent to a gas decomposition process step 50. The denitrified treated water is supplied to a stripping tower 34.
After the water is taken out from the bottom of the chilled water and sent to the heat exchanger 33 for cooling, the pH of the treated water is adjusted by the pH adjusting equipment 35.

【0021】次に、ガス分解処理工程50を図4に基づ
いて説明する。ストリッピング処理工程30にて得た水
蒸気とアンモニアガスとを主成分とするガスに、まず、
熱交換器51で昇温された空気を混合して混合ガスを得
る。空気はアンモニアを分子態窒素と水に分解するため
の酸素源である。次に、混合ガスを熱交換器52で昇温
した後、混合ガスに触媒反応器53からのリサイクルガ
スを混合することにより混合ガスの温度を350℃程度
として、触媒反応器53に送出する。
Next, the gas decomposition process 50 will be described with reference to FIG. First, to a gas containing steam and ammonia gas as main components obtained in the stripping process step 30,
The air heated in the heat exchanger 51 is mixed to obtain a mixed gas. Air is an oxygen source for decomposing ammonia into molecular nitrogen and water. Next, after raising the temperature of the mixed gas in the heat exchanger 52, the mixed gas is mixed with the recycle gas from the catalytic reactor 53 to set the temperature of the mixed gas to about 350 ° C., and is sent to the catalytic reactor 53.

【0022】触媒反応器53はアンモニア分解触媒を有
しており、アンモニアが酸素と反応して分解された分子
態窒素と水(水蒸気)とを含む浄化ガスを得る。浄化ガ
スの一部は、加熱炉54にて加熱昇温した後に上述した
リサイクルガスとして混合ガスに混合される。残りの浄
化ガスは、熱交換器52,51の熱源として熱交換器5
2,51に送られて冷却された後に、大気に放出する。
The catalytic reactor 53 has an ammonia decomposition catalyst and obtains a purified gas containing molecular nitrogen and water (steam) decomposed by the reaction of ammonia with oxygen. A part of the purified gas is heated in the heating furnace 54 and then mixed with the mixed gas as the above-mentioned recycled gas. The remaining purified gas is used as a heat source for the heat exchangers 52 and 51 by the heat exchanger 5.
After being sent to 2, 51 and cooled, it is released to the atmosphere.

【0023】なお、アンモニア分解触媒としては、触媒
A成分として、チタニウム、ジルコニウム、ケイ素、ア
ルミニウム、セリウム、鉄よりなる群から選ばれる少な
くとも1種を含む酸化物と、触媒B成分として、白金、
パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、バナ
ジウム、タングステン、モリブデン、クロム、マンガ
ン、銅よりなる群から選ばれる少なくとも1種の金属あ
るいは酸化物とを含有するものを用いるのが好ましい。
The ammonia decomposition catalyst includes an oxide containing at least one selected from the group consisting of titanium, zirconium, silicon, aluminum, cerium, and iron as a catalyst A component, and platinum as a catalyst B component.
It is preferable to use one containing at least one metal or oxide selected from the group consisting of palladium, rhodium, ruthenium, iridium, vanadium, tungsten, molybdenum, chromium, manganese, and copper.

【0024】本実施形態に係るアンモニア含有排水の処
理方法では、逆浸透膜処理工程10、ストリッピング処
理工程30、及び、ガス分解処理工程50を含み、アン
モニア含有排水を逆浸透膜処理して分離された濃縮水を
ストリッピング処理して、アンモニアガスを取り出し、
取り出されたアンモニアガスを、アンモニア分解触媒を
用いて分子態窒素と水とに分解することにより、アンモ
ニア含有排水からアンモニアガスを効率的に分離するこ
とができ、分離したアンモニアを効率的に分解すること
ができる。
The method for treating ammonia-containing wastewater according to the present embodiment includes a reverse osmosis membrane treatment step 10, a stripping treatment step 30, and a gas decomposition treatment step 50. The concentrated water is stripped to remove ammonia gas,
By decomposing the extracted ammonia gas into molecular nitrogen and water using an ammonia decomposition catalyst, the ammonia gas can be efficiently separated from the ammonia-containing wastewater, and the separated ammonia is decomposed efficiently. be able to.

【0025】また、逆浸透膜処理工程10(二次逆浸透
膜処理工程)にて分離された透過水(二次透過水)を純
水製造装置20の原水として回収することにより、透過
水の再利用が可能となる。
Further, the permeated water (secondary permeated water) separated in the reverse osmosis membrane treatment step 10 (secondary reverse osmosis membrane treatment step) is recovered as raw water of the pure water production apparatus 20, so that the permeated water is recovered. Reuse becomes possible.

【0026】また、逆浸透膜処理工程10は、一次逆浸
透膜処理工程(一次逆浸透膜17)と、二次逆浸透膜処
理工程(二次逆浸透膜18)と、ブライン逆浸透膜処理
工程(ブライン逆浸透膜19)とを含み、ブライン逆浸
透膜処理工程にて分離されたブライン濃縮水をストリッ
ピング処理工程30に送る一方、二次逆浸透膜処理工程
にて分離された二次濃縮水とブライン逆浸透膜処理工程
にて分離されたブライン透過水とを一次逆浸透膜処理工
程の前段(排水貯槽13)に送ることにより、ストリッ
ピング処理工程30に送る濃縮水(ブライン濃縮水)に
おけるアンモニアの濃縮率を効率よく高めることができ
る。
The reverse osmosis membrane treatment step 10 includes a primary reverse osmosis membrane treatment step (primary reverse osmosis membrane 17), a secondary reverse osmosis membrane treatment step (secondary reverse osmosis membrane 18), and a brine reverse osmosis membrane treatment. (Brine reverse osmosis membrane 19), and while the brine concentrated water separated in the brine reverse osmosis membrane treatment step is sent to the stripping treatment step 30, the secondary water separated in the secondary reverse osmosis membrane treatment step By sending the concentrated water and the brine permeated water separated in the brine reverse osmosis membrane treatment step to the former stage (drainage storage tank 13) of the primary reverse osmosis membrane treatment step, the concentrated water (brine concentrated water) sent to the stripping treatment step 30 ) Can be efficiently increased.

【0027】[0027]

【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明する。
The present invention will be described below more specifically with reference to examples.

【0028】実施形態の図2に示す方法に従って、アン
モニア(NH4)濃度311mg/lのアンモニア含有
排水の逆浸透膜処理を行った。
According to the method shown in FIG. 2 of the embodiment, a wastewater containing ammonia having an ammonia (NH 4 ) concentration of 311 mg / l was subjected to reverse osmosis membrane treatment.

【0029】まず、このアンモニア含有排水を流量67
3/hにて送水した。このアンモニア含有排水の水質
は、図5に示されるように、pHが8.7であり、電気
伝導率が2150μS/cmであった。また、TOC濃
度0.39mg/l、Na濃度14mg/l、Ca濃度
2mg/l、Cl濃度55mg/l、SO4濃度744
mg/l、NO3濃度4.6mg/l、SiO2濃度0.
7mg/lであった。
First, the ammonia-containing waste water is supplied at a flow rate of 67.
Water was supplied at m 3 / h. As shown in FIG. 5, the water quality of the ammonia-containing wastewater had a pH of 8.7 and an electric conductivity of 2150 μS / cm. The TOC concentration was 0.39 mg / l, the Na concentration was 14 mg / l, the Ca concentration was 2 mg / l, the Cl concentration was 55 mg / l, and the SO 4 concentration was 744.
mg / l, NO 3 concentration 4.6 mg / l, SiO 2 concentration 0.
It was 7 mg / l.

【0030】逆浸透膜処理により得られたブライン濃縮
水のNH4濃度は、図5に示されるように、3400m
g/lであり、逆浸透膜処理前のアンモニア含有排水の
NH 4濃度311mg/lに比べて約10倍に濃縮され
ている。また、逆浸透膜処理により得られた二次透過水
のNH4濃度は2mg/lであった。
Concentration of brine obtained by reverse osmosis membrane treatment
NH of waterFourThe concentration was 3400 m, as shown in FIG.
g / l of ammonia-containing wastewater before reverse osmosis membrane treatment.
NH FourConcentrated about 10 times compared to the concentration of 311mg / l
ing. In addition, secondary permeated water obtained by reverse osmosis membrane treatment
NHFourThe concentration was 2 mg / l.

【0031】逆浸透膜処理により得られた二次透過水の
水質は、図5に示されるように、pHが6.3、電気伝
導率が5μS/cm、TOC濃度0.06mg/l、N
a濃度0.1mg/l未満、Ca濃度0.1mg/l未
満、Cl濃度0.1mg/l、SO4濃度0.1mg/
l未満、NO3濃度0.1mg/l未満、SiO2濃度
0.1mg/l未満であり、イオン量も少なく、十分に
再利用可能な水質であった。
As shown in FIG. 5, the water quality of the secondary permeated water obtained by the reverse osmosis membrane treatment was pH 6.3, electric conductivity 5 μS / cm, TOC concentration 0.06 mg / l, N
a concentration less than 0.1 mg / l, Ca concentration less than 0.1 mg / l, Cl concentration 0.1 mg / l, SO 4 concentration 0.1 mg / l
less than l, NO 3 concentration of less than 0.1 mg / l, less than SiO 2 concentration 0.1 mg / l, the amount of ions is small and was sufficiently reusable water.

【0032】次に、実施形態の図3に示す方法に従っ
て、上述した逆浸透膜処理にて得られたNH4濃度34
00mg/lのブライン濃縮水のストリッピング処理を
行った。
Next, according to the method shown in FIG. 3 of the embodiment, the NH 4 concentration 34 obtained by the above-described reverse osmosis membrane treatment is used.
A stripping treatment of 00 mg / l brine concentrated water was performed.

【0033】まず、このブライン濃縮水を流量6700
kg/hにて送水した。このブライン濃縮水の水質は、
図6に示されるように、pHが7であり、Ca濃度23
mg/lであった。
First, the brine concentrated water was supplied at a flow rate of 6700
Water was sent at kg / h. The quality of this brine concentrate is
As shown in FIG. 6, when the pH is 7 and the Ca concentration is 23
mg / l.

【0034】pH調整槽32では、25%水溶液の苛性
ソーダを流量180kg/hにて加えた。また、熱交換
器33では、ストリッピング塔34に供給する前の濃縮
水の温度を30℃から85℃に昇温させた。なお、スト
リッピング塔34に供給する前の濃縮水のpHは、11
であった。
In the pH adjusting tank 32, a 25% aqueous solution of caustic soda was added at a flow rate of 180 kg / h. In the heat exchanger 33, the temperature of the concentrated water before being supplied to the stripping tower 34 was increased from 30 ° C to 85 ° C. The pH of the concentrated water before being supplied to the stripping tower 34 is 11
Met.

【0035】ストリッピング塔34へは、流量760k
g/hの水蒸気も供給されてストリッピング処理が行わ
れ、ストリッピング塔頂より流量520kg/hのアン
モニア含有ガスが取り出された。取り出されたアンモニ
ア含有ガスの濃度は、図6に示されるように、NH3
換算して44000vol.ppmであり、同じく温度
は、100℃であった。また、ストリッピング塔34か
ら流量7110kg/hにて取り出された処理水の水質
は、pHが9.6であり、NH4濃度19mg/l、C
a濃度21mg/lであった。なお、ストリッピング塔
34から取り出された処理水は、熱交換器33にて10
0℃から45℃まで冷却された。
The flow rate to the stripping tower 34 is 760 k
g / h of steam was also supplied to perform stripping treatment, and an ammonia-containing gas at a flow rate of 520 kg / h was taken out from the top of the stripping tower. The concentration of the extracted ammonia-containing gas, as shown in FIG. 6, in terms of NH 3 44000vol. ppm, and the temperature was 100 ° C. The quality of the treated water taken out of the stripping tower 34 at a flow rate of 7110 kg / h has a pH of 9.6, an NH 4 concentration of 19 mg / l,
a The concentration was 21 mg / l. The treated water taken out of the stripping tower 34 is supplied to the heat exchanger 33 for 10 times.
Cooled from 0 ° C to 45 ° C.

【0036】次に、実施形態の図4に示す方法に従っ
て、上述したストリッピング処理にて得られたNH3
度は、44000vol.ppmであった。
Next, according to the method shown in FIG. 4 of the embodiment, the NH 3 concentration obtained by the above-mentioned stripping treatment is 44000 vol. ppm.

【0037】まず、このアンモニアガスを流量650N
3/hにて供給した。このアンモニアガスの温度は1
00℃であり、同じくH2O濃度が、図7に示されるよ
うに、95.6vol%であった。
First, this ammonia gas was supplied at a flow rate of 650 N
It was supplied at m 3 / h. The temperature of this ammonia gas is 1
The temperature was 00 ° C., and the H 2 O concentration was 95.6 vol%, as shown in FIG.

【0038】上述した流量650Nm3/hのアンモニ
アガスに、流量500Nm3/hの空気を混合した。触
媒反応器(触媒1.1m3充填)53前の混合ガスの流
量は3560Nm3/hであり、同じく温度は355℃
であり、同じくNH3濃度は8000vol.ppmで
あった。
[0038] Ammonia gas flow rate 650 nm 3 / h as described above, were mixed air flow 500 Nm 3 / h. The flow rate of the mixed gas before the catalytic reactor (filled with 1.1 m 3 of catalyst) 53 was 3560 Nm 3 / h, and the temperature was 355 ° C.
And the NH 3 concentration was 8000 vol. ppm.

【0039】触媒反応器53からは、流量2400Nm
3/hのリサイクルガス(浄化ガスの一部)と、流量1
150Nm3/hの浄化ガスとが得られた。リサイクル
ガスと浄化ガスのNH3濃度は、図7に示されるよう
に、0.3vol.ppmであり、アンモニアはほぼ完
全に分解されていた。また、リサイクルガスと浄化ガス
のNOX濃度は、図7に示されるように、13vol.
ppmであり、NOXはほとんど含まれていなかった。
From the catalyst reactor 53, a flow rate of 2400 Nm
3 / h recycled gas (part of purified gas) and flow rate 1
A purified gas of 150 Nm 3 / h was obtained. As shown in FIG. 7, the NH 3 concentration of the recycled gas and the purified gas was 0.3 vol. ppm, and ammonia was almost completely decomposed. Further, NO X concentration of the recycle gas and the purge gas, as shown in FIG. 7, 13 vol.
is ppm, NO X did not include most of the time.

【0040】[0040]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して分離さ
れた濃縮水をストリッピング処理して、アンモニアガス
を取り出し、取り出されたアンモニアガスを、アンモニ
ア分解触媒を用いて分子態窒素と水とに分解することに
より、アンモニア含有排水からアンモニアガスを効率的
に分離することができ、分離したアンモニアを効率的に
分解して除去することができ、処理コストの低減を図る
ことができる。
As described in detail above, according to the present invention, ammonia-containing wastewater is subjected to a reverse osmosis membrane treatment, and the concentrated water separated is stripped to take out ammonia gas. By decomposing ammonia gas into molecular nitrogen and water using an ammonia decomposition catalyst, ammonia gas can be efficiently separated from ammonia-containing wastewater, and the separated ammonia is efficiently decomposed and removed. And the processing cost can be reduced.

【0041】また、本発明によれば、アンモニア含有排
水を逆浸透膜処理して分離された透過水は用水として回
収し、再利用することができる。
Further, according to the present invention, the permeated water separated by subjecting the ammonia-containing waste water to reverse osmosis membrane treatment can be recovered as service water and reused.

【0042】これらの結果、本発明によれば、アンモニ
ア含有排水中のアンモニアを低コストにて効率的に分離
して分解することができる半導体製造工程から排出され
るアンモニア含有排水の処理方法を提供することができ
る。
As a result, according to the present invention, there is provided a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process, capable of efficiently separating and decomposing ammonia in ammonia-containing wastewater at low cost. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排
出されるアンモニア含有排水の処理方法を示す系統図で
ある。
FIG. 1 is a system diagram showing a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排
出されるアンモニア含有排水の処理方法に含まれる、逆
浸透膜処理工程を示す系統図である。
FIG. 2 is a system diagram showing a reverse osmosis membrane treatment step included in a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排
出されるアンモニア含有排水の処理方法に含まれる、ス
トリッピング処理工程を示す系統図である。
FIG. 3 is a system diagram showing a stripping process included in a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排
出されるアンモニア含有排水の処理方法に含まれる、ガ
ス分解処理工程を示す系統図である。
FIG. 4 is a system diagram showing a gas decomposition process included in the method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排
出されるアンモニア含有排水の処理方法による実施例を
示す図表である。
FIG. 5 is a table showing an example of a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排
出されるアンモニア含有排水の処理方法による実施例を
示す図表である。
FIG. 6 is a chart showing an example of a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排
出されるアンモニア含有排水の処理方法による実施例を
示す図表である。
FIG. 7 is a chart showing an example of a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…逆浸透膜処理工程、11…活性炭塔、12…ろ過
器、13…排水貯槽、14…熱交換器、15…精密ろ過
器、16…pH調整設備、17…一次逆浸透膜、18…
二次逆浸透膜、19…ブライン逆浸透膜、20…純水製
造装置、30…ストリッピング処理工程、31…濃縮水
槽、32…pH調整槽、33…熱交換器、34…ストリ
ッピング塔、35…処理水pH調整設備、50…ガス分
解処理工程、51…熱交換器、52…熱交換器、53…
触媒反応器、54…加熱炉。
10 reverse osmosis membrane treatment step, 11 activated carbon tower, 12 filter, 13 drainage tank, 14 heat exchanger, 15 microfilter, 16 pH adjustment equipment, 17 primary reverse osmosis membrane, 18
Secondary reverse osmosis membrane, 19: brine reverse osmosis membrane, 20: pure water production apparatus, 30: stripping treatment step, 31: concentrated water tank, 32: pH adjustment tank, 33: heat exchanger, 34: stripping tower, 35: treated water pH adjustment equipment, 50: gas decomposition treatment step, 51: heat exchanger, 52: heat exchanger, 53 ...
Catalytic reactor, 54 ... heating furnace.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C02F 9/00 502 C02F 9/00 502F 502R 503 503G 504 504B 504D 504E (71)出願人 000004400 オルガノ株式会社 東京都江東区新砂1丁目2番8号 (72)発明者 廣 民人 佐賀県杵島郡江北町大字上小田2201番地 住友金属工業株式会社シチックス事業本部 内 (72)発明者 生方 武文 佐賀県杵島郡江北町大字上小田2201番地 住友金属工業株式会社シチックス事業本部 内 (72)発明者 谷中 正文 佐賀県杵島郡江北町大字上小田2201番地 住友金属工業株式会社シチックス事業本部 内 (72)発明者 加藤 仁 東京都品川区北品川五丁目9番11号 住友 重機械工業株式会社内 (72)発明者 小濱 文夫 東京都品川区北品川五丁目9番11号 住友 重機械工業株式会社内 (72)発明者 松島 薫 兵庫県姫路市網干区興浜字西沖992番地の 1 株式会社日本触媒内 (72)発明者 池田 光明 兵庫県姫路市網干区興浜字西沖992番地の 1 株式会社日本触媒内 (72)発明者 吉田 重人 東京都江東区新砂1丁目2番8号 オルガ ノ株式会社内 (72)発明者 松元 洋一 東京都江東区新砂1丁目2番8号 オルガ ノ株式会社内 Fターム(参考) 4D006 GA03 GA07 KA01 KA12 KA52 KA54 KA55 KA56 KA63 KA72 KB12 KB14 KB17 KD01 KD09 KD19 KE15R MB02 PA02 PB08 PB70 PC01 4D037 AA13 AB12 BA23 BB05 BB06 CA01 CA02 CA03 CA14 4D038 AA08 AB29 BA04 BB01 BB03 BB06 BB09 BB13 BB16 BB17──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C02F 9/00 502 C02F 9/00 502F 502R 503 503G 504 504B 504D 504E (71) Applicant 000004400 Organo Corporation Tokyo 1-2-8 Shinsuna 1-chome, Koto-ku, Tokyo (72) Inventor Minami Hiro, 2201 Kamioda, Kokita-cho, Kishima-gun, Saga Prefecture Sumitomo Metal Industries Co., Ltd.Sticix Business Headquarters (72) Inventor Takefumi Ikukata, Kishima-gun, Saga Prefecture 2201 Kamikoda, Kokita-machi Sumitomo Metal Industries Co., Ltd., Sitix Business Headquarters (72) Inventor Masafumi Yanaka 2201, Kamikada-cho, Ekita-cho, Kishima-gun, Saga Prefecture Sumitomo Metal Industries Co., Ltd. Sichix Business Headquarters (72) Inventor Hitoshi Kato 5-9-11 Kita Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sumitomo Within Heavy Machinery Co., Ltd. (72) Inventor Fumio Kohama 5-11-11 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sumitomo Heavy Industries, Ltd. (72) Inventor Kaoru Matsushima 992 Okihama, Nishioki, Aboshi-ku, Himeji-shi, Hyogo 1 Nippon Shokubai Co., Ltd. (72) Inventor Mitsuaki Ikeda 992, Nishioki, Okihama-shi, Aboshi-ku, Himeji-shi, Hyogo 1 Nippon Shokubai Co., Ltd. (72) Inventor Shigeto Yoshida 1-2-8 Shinsuna, Koto-ku, Tokyo Organo Stock In-house (72) Inventor Yoichi Matsumoto 1-2-8 Shinsuna, Koto-ku, Tokyo Organo Corporation F-term (reference) 4D006 GA03 GA07 KA01 KA12 KA52 KA54 KA55 KA56 KA63 KA72 KB12 KB14 KB17 KD01 KD09 KD19 KE15R MB02 PA02 PB08 PB70 PC01 4D037 AA13 AB12 BA23 BB05 BB06 CA01 CA02 CA03 CA14 4D038 AA08 AB29 BA04 BB01 BB03 BB06 BB09 BB13 BB16 BB17

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アンモニア含有排水を逆浸透膜処理し
て、透過水と濃縮水とに分離する逆浸透膜処理工程と、 前記逆浸透膜処理工程にて分離された前記濃縮水をスト
リッピング処理して、アンモニアガスを取り出すストリ
ッピング処理工程と、 前記ストリッピング処理工程にて取り出された前記アン
モニアガスを、アンモニア分解触媒を用いて分子態窒素
と水とに分解するガス分解処理工程と、を含むことを特
徴とする半導体製造工程から排出されるアンモニア含有
排水の処理方法。
1. A reverse osmosis membrane treatment step of treating an ammonia-containing wastewater with a reverse osmosis membrane to separate it into permeated water and concentrated water; and a stripping treatment of the concentrated water separated in the reverse osmosis membrane treatment step. A stripping treatment step of extracting ammonia gas, and a gas decomposition treatment step of decomposing the ammonia gas extracted in the stripping treatment step into molecular nitrogen and water using an ammonia decomposition catalyst. A method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process.
【請求項2】 前記逆浸透膜処理工程にて分離された前
記透過水を、純水製造装置の原水として回収することを
特徴とする請求項1に記載の半導体製造工程から排出さ
れるアンモニア含有排水の処理方法。
2. The method according to claim 1, wherein the permeated water separated in the reverse osmosis membrane treatment step is recovered as raw water of a pure water production apparatus. Wastewater treatment method.
【請求項3】 前記逆浸透膜処理工程は、 前記アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して一次透過水
と一次濃縮水とに分離する一次逆浸透膜処理工程と、 前記一次逆浸透膜処理工程にて分離された前記一次透過
水を逆浸透膜処理して二次透過水と二次濃縮水とに分離
する二次逆浸透膜処理工程と、 前記一次逆浸透膜処理工程にて分離された前記一次濃縮
水をブライン逆浸透膜処理してブライン透過水とブライ
ン濃縮水とに分離するブライン逆浸透膜処理工程と、を
含み、 前記ブライン逆浸透膜処理工程にて分離された前記ブラ
イン濃縮水を前記ストリッピング処理工程に送る一方、 前記二次逆浸透膜処理工程にて分離された前記二次濃縮
水と前記ブライン逆浸透膜処理工程にて分離された前記
ブライン透過水とを前記一次逆浸透膜処理工程の前段に
送ることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半
導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理
方法。
3. The reverse osmosis membrane treatment step, wherein the ammonia-containing wastewater is subjected to reverse osmosis membrane treatment to separate it into primary permeated water and primary concentrated water, and the primary reverse osmosis membrane treatment step. A secondary reverse osmosis membrane treatment step of subjecting the primary permeated water separated in step 2 to reverse osmosis membrane treatment and separating it into secondary permeate water and secondary concentrated water, and separated in the primary reverse osmosis membrane treatment step A brine reverse osmosis membrane treatment step of treating the primary concentrated water with a brine reverse osmosis membrane to separate it into brine permeated water and brine concentrated water, wherein the brine concentrated water separated in the brine reverse osmosis membrane treatment step To the stripping treatment step, while the secondary concentrated water separated in the secondary reverse osmosis membrane treatment step and the brine permeated water separated in the brine reverse osmosis membrane treatment step are subjected to the primary reverse Osmosis membrane process Method of treating ammonia-containing waste water discharged from a semiconductor manufacturing process according to claim 1 or claim 2, characterized in that sending the stage.
【請求項4】 前記ストリッピング処理工程は、前記逆
浸透膜処理工程にて分離された前記濃縮水のpHを1
0.5から12の範囲に調整して、前記ストリッピング
処理することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれ
か一項に記載の半導体製造工程から排出されるアンモニ
ア含有排水の処理方法。
4. The stripping treatment step comprises adjusting the pH of the concentrated water separated in the reverse osmosis membrane treatment step to 1
The method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to any one of claims 1 to 3, wherein the stripping treatment is performed after adjusting to a range of 0.5 to 12. .
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