JP3667597B2 - Method for treating ammonia-containing wastewater discharged from semiconductor manufacturing processes - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造工程から排出される、アンモニアを主成分として含有するアンモニア含有排水の処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体の洗浄排水等の産業排水中に含まれるアンモニア性窒素は、放流先で富栄養化の問題を引き起こすため、その除去が求められている。アンモニウムを主成分として含有するアンモニア含有排水中のアンモニア性窒素の処理方法としては、微生物を用いた活性汚泥法、アンモニアストリッピング法、イオン交換法等が知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、微生物を用いた活性汚泥法では、排水中のアンモニアを微生物の生物反応により硝化して硝酸態にし、それを生物反応にて窒素ガスに変化させて大気に放出するため、微生物の維持管理が必要であると共に、広大な敷地を要する。また、増殖した微生物の余剰汚泥が発生するために、この余剰汚泥の処理(脱水、乾燥、焼却等)が必要となるといった問題がある。
【0004】
また、アンモニアストリッピング法では、アンモニアの溶解度を利用して、温度及びpHを調節することによりアンモニアを水中から気相に物理的に移動させるため、ストリッピング処理後のアンモニアガスの処理、回収等が必要となるといった問題がある。
【0005】
また、イオン交換法では、アンモニアの吸着に優れた担体中にアンモニアを取り込ませるもので、取り込まれたアンモニアは食塩水等で再生できるが、再生水中のアンモニアの処理、回収等が必要となるといった問題がある。
【0006】
本発明は上記従来の問題点を解決し、アンモニア含有排水中のアンモニアを低コストにて効率的に分離して分解することができる半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法は、アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して、透過水と濃縮水とに分離する逆浸透膜処理工程と、逆浸透膜処理工程にて分離された濃縮水にスケール分散剤を添加した後、当該濃縮水と水蒸気とを供給してストリッピング処理を行い、アンモニアガスを取り出すストリッピング処理工程と、ストリッピング処理工程にて取り出されたアンモニアガスを、アンモニア分解触媒を用いて分子態窒素と水とに分解するガス分解処理工程と、を含み、逆浸透膜処理工程は、アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して一次透過水と一次濃縮水とに分離する一次逆浸透膜処理工程と、一次逆浸透膜処理工程にて分離された一次透過水を逆浸透膜処理して二次透過水と二次濃縮水とに分離する二次逆浸透膜処理工程と、一次逆浸透膜処理工程にて分離された一次濃縮水を逆浸透膜処理して透過水と濃縮水とに分離する一次濃縮水逆浸透膜処理工程と、を含み、一次濃縮水逆浸透膜処理工程にて分離された濃縮水をストリッピング処理工程に送る一方、二次逆浸透膜処理工程にて分離された二次濃縮水と一次濃縮水逆浸透膜処理工程にて分離された透過水とを一次逆浸透膜処理工程の前段に送ることを特徴としている。
【0008】
本発明に係る半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法では、アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して分離された濃縮水にスケール分散剤を添加した後、当該濃縮水と水蒸気とを供給してストリッピング処理を行い、アンモニアガスを取り出し、取り出されたアンモニアガスを、アンモニア分解触媒を用いて分子態窒素と水とに分解することにより、アンモニア含有排水からアンモニアガスを効率的に分離することができ、分離したアンモニアを効率的に分解することができる。また、アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して分離された透過水は、用水として回収して再利用することができる。また、濃縮水にスケール分散剤を添加するので、カルシウムの析出を抑制することができる。
【0009】
また、本発明において、逆浸透膜処理工程は、アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して一次透過水と一次濃縮水とに分離する一次逆浸透膜処理工程と、一次逆浸透膜処理工程にて分離された一次透過水を逆浸透膜処理して二次透過水と二次濃縮水とに分離する二次逆浸透膜処理工程と、一次逆浸透膜処理工程にて分離された一次濃縮水を逆浸透膜処理して透過水と濃縮水とに分離する一次濃縮水逆浸透膜処理工程と、を含み、一次濃縮水逆浸透膜処理工程にて分離された濃縮水をストリッピング処理工程に送る一方、二次逆浸透膜処理工程にて分離された二次濃縮水と一次濃縮水逆浸透膜処理工程にて分離された透過水とを一次逆浸透膜処理工程の前段に送ることを特徴としている。これにより、ストリッピング処理工程に送る濃縮水におけるアンモニアの濃縮率を効率よく高めることができる。
【0010】
また、逆浸透膜処理工程にて分離された透過水は、純水製造装置の原水として回収することが好ましい。このように、逆浸透膜処理工程にて分離された透過水を純水製造装置の原水として回収することにより、透過水の再利用が可能となる。
【0011】
また、ストリッピング処理工程は、逆浸透膜処理工程にて分離された濃縮水のpHを10.5から12の範囲に調整して、ストリッピング処理することが好ましい。このように、ストリッピング処理工程において、逆浸透膜処理工程にて分離された濃縮水のpHを10.5から12の範囲に調整することにより、濃縮水中におけるアンモニウムイオンを遊離アンモニアに変化させて、濃縮水中のアンモニアを効率よくガス化することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明による半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法の好適な実施形態について詳細に説明する。
【0013】
図1は、本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法を示す系統図であり、図2は、逆浸透膜処理工程を示す系統図であり、図3は、ストリッピング処理工程を示す系統図であり、図4は、ガス分解処理工程を示す系統図である。アンモニア含有排水の処理方法は、図1に示されるように、アンモニア濃度を高めるための逆浸透膜処理工程10、アンモニアガスを取り出すためのストリッピング処理工程30、及び、アンモニアガスを分解して浄化ガスを取り出すためのガス分解処理工程50を含んでいる。
【0014】
まず、逆浸透膜処理工程10を図2に基づいて説明する。半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水を、前処理として、活性炭塔11に通水する。アンモニア含有排水を活性炭塔11に通水することにより、アンモニア含有排水に含まれる過酸化水素水が分解される。活性炭塔11にて過酸化水素水が分解されたアンモニア含有排水を、同じく前処理として、ろ過器12に通水し、ろ過されたアンモニア含有排水を排水貯槽13に送水する。ろ過器12においては、アンモニア含有排水に含まれる懸濁物質が除去される。
【0015】
次に、上述した前処理がなされて排水貯槽13内のアンモニア含有排水を、熱交換器14に通水する。熱交換器14では、通水温度が所定の温度(本実施形態においては、たとえば約15℃以上)に保たれる。熱交換器14にて所定の温度とされたアンモニア含有排水を、精密ろ過器15に通水し、ろ過されたアンモニア含有排水をpH調整設備16に送水する。精密ろ過器15は、後段に配設される逆浸透膜(RO膜)17,18,19を保護するためのものである。pH調整設備16は、後段に配設される逆浸透膜(RO膜)17,18,19への通水pHを調整するためのもので、逆浸透膜(RO膜)17,18,19に送水するアンモニア含有排水のpHを7程度に調整する。
【0016】
pH調整設備16にてpHが調整されたアンモニア含有排水を、逆浸透膜(RO膜)17,18,19に通水する。逆浸透膜(RO膜)17,18,19は、アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して透過水と濃縮水とに分離するためのもので、一次逆浸透膜(一次RO膜)17と、二次逆浸透膜(二次RO膜)18と、ブライン逆浸透膜(ブラインRO膜)19とで構成されている。まず、pH調整設備16から送られたアンモニア含有排水を一次逆浸透膜17に通液して、一次透過水と一次濃縮水とに分離する(一次逆浸透膜処理工程)。
【0017】
その後、一次逆浸透膜17にて分離された一次濃縮水をブライン逆浸透膜19に通液して、ブライン透過水とブライン濃縮水とに分離し(ブライン逆浸透膜処理工程)し、ブライン濃縮水をストリッピング処理工程30(濃縮水槽31)に送水する一方、ブライン透過水を排水貯槽13に送水する。また、一次逆浸透膜17にて分離された一次透過水を二次逆浸透膜18に通液して、二次透過水と二次濃縮水とに分離(二次逆浸透膜処理工程)し、二次透過水を純水製造装置20の原水として回収する一方、二次濃縮水を排水貯槽13に送水する。
【0018】
次に、ストリッピング処理工程30を図3に基づいて説明する。逆浸透膜処理工程10(ブライン逆浸透膜処理工程)で得た濃縮水(ブライン濃縮水)を、まず、濃縮水槽31からpH調整槽32に送水する。pH調整槽32では、苛性ソーダを用いて濃縮水のpHを10.5から12の範囲(本実施形態においては、11程度)に調整する。このように、濃縮水のpHを10.5から12の範囲に調整することにより、濃縮水中におけるアンモニウムイオンを遊離アンモニアに変化させて、後のストリッピング処理において濃縮水中のアンモニアを効率よくガス化することができる。また、pH調整槽32では、濃縮水に対するポリマー濃度を30mg/lとするように、分子量が5000程度のポリアクリル酸ソーダのスケール分散剤を添加する。このように、濃縮水にスケール分散剤を添加することにより、カルシウムの析出を抑制することができる。
【0019】
pH調整槽32にてpHを調整すると共に、スケール分散剤を添加した後、濃縮水を熱交換器33に通水する。熱交換器33では、ストリッピング処理してアンモニアを分離した後の処理水(脱窒された処理水)と熱交換して、濃縮水の通水温度が所定の温度(本実施形態においては、たとえば85℃程度)に保たれる。このように、ストリッピング塔34に送水される濃縮水の温度を予め高めておくことにより、ストリッピング処理を行う際のエネルギーを節約することができる。また、熱交換器33における熱源として、脱窒された処理水を利用することにより、新たに熱源を設ける必要がなく、設備の小型化が可能となる。
【0020】
熱交換器33にて所定の温度とされた濃縮水を、ストリッピング塔34上部に供給し、水蒸気をストリッピング塔34下部に投入してストリッピング処理をする。ストリッピング塔34の頂部からストリッピング塔34内の水蒸気とアンモニアガスとを主成分とするガスをブロア等により吸引し、ガス分解処理工程50に送出する。脱窒された処理水は、ストリッピング塔34の底部から抜き出し熱交換器33に送水して冷却した後、処理水pH調整設備35にてpHを調整する。
【0021】
次に、ガス分解処理工程50を図4に基づいて説明する。ストリッピング処理工程30にて得た水蒸気とアンモニアガスとを主成分とするガスに、まず、熱交換器51で昇温された空気を混合して混合ガスを得る。空気はアンモニアを分子態窒素と水に分解するための酸素源である。次に、混合ガスを熱交換器52で昇温した後、混合ガスに触媒反応器53からのリサイクルガスを混合することにより混合ガスの温度を350℃程度として、触媒反応器53に送出する。
【0022】
触媒反応器53はアンモニア分解触媒を有しており、アンモニアが酸素と反応して分解された分子態窒素と水(水蒸気)とを含む浄化ガスを得る。浄化ガスの一部は、加熱炉54にて加熱昇温した後に上述したリサイクルガスとして混合ガスに混合される。残りの浄化ガスは、熱交換器52,51の熱源として熱交換器52,51に送られて冷却された後に、大気に放出する。
【0023】
なお、アンモニア分解触媒としては、触媒A成分として、チタニウム、ジルコニウム、ケイ素、アルミニウム、セリウム、鉄よりなる群から選ばれる少なくとも1種を含む酸化物と、触媒B成分として、白金、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、バナジウム、タングステン、モリブデン、クロム、マンガン、銅よりなる群から選ばれる少なくとも1種の金属あるいは酸化物とを含有するものを用いるのが好ましい。
【0024】
本実施形態に係るアンモニア含有排水の処理方法では、逆浸透膜処理工程10、ストリッピング処理工程30、及び、ガス分解処理工程50を含み、アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して分離された濃縮水をストリッピング処理して、アンモニアガスを取り出し、取り出されたアンモニアガスを、アンモニア分解触媒を用いて分子態窒素と水とに分解することにより、アンモニア含有排水からアンモニアガスを効率的に分離することができ、分離したアンモニアを効率的に分解することができる。
【0025】
また、逆浸透膜処理工程10(二次逆浸透膜処理工程)にて分離された透過水(二次透過水)を純水製造装置20の原水として回収することにより、透過水の再利用が可能となる。
【0026】
また、逆浸透膜処理工程10は、一次逆浸透膜処理工程(一次逆浸透膜17)と、二次逆浸透膜処理工程(二次逆浸透膜18)と、ブライン逆浸透膜処理工程(ブライン逆浸透膜19)とを含み、ブライン逆浸透膜処理工程にて分離されたブライン濃縮水をストリッピング処理工程30に送る一方、二次逆浸透膜処理工程にて分離された二次濃縮水とブライン逆浸透膜処理工程にて分離されたブライン透過水とを一次逆浸透膜処理工程の前段(排水貯槽13)に送ることにより、ストリッピング処理工程30に送る濃縮水(ブライン濃縮水)におけるアンモニアの濃縮率を効率よく高めることができる。
【0027】
【実施例】
以下に、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。
【0028】
実施形態の図2に示す方法に従って、アンモニア(NH4)濃度311mg/lのアンモニア含有排水の逆浸透膜処理を行った。
【0029】
まず、このアンモニア含有排水を流量67m3/hにて送水した。このアンモニア含有排水の水質は、図5に示されるように、pHが8.7であり、電気伝導率が2150μS/cmであった。また、TOC濃度0.39mg/l、Na濃度14mg/l、Ca濃度2mg/l、Cl濃度55mg/l、SO4濃度744mg/l、NO3濃度4.6mg/l、SiO2濃度0.7mg/lであった。
【0030】
逆浸透膜処理により得られたブライン濃縮水のNH4濃度は、図5に示されるように、3400mg/lであり、逆浸透膜処理前のアンモニア含有排水のNH4濃度311mg/lに比べて約10倍に濃縮されている。また、逆浸透膜処理により得られた二次透過水のNH4濃度は2mg/lであった。
【0031】
逆浸透膜処理により得られた二次透過水の水質は、図5に示されるように、pHが6.3、電気伝導率が5μS/cm、TOC濃度0.06mg/l、Na濃度0.1mg/l未満、Ca濃度0.1mg/l未満、Cl濃度0.1mg/l、SO4濃度0.1mg/l未満、NO3濃度0.1mg/l未満、SiO2濃度0.1mg/l未満であり、イオン量も少なく、十分に再利用可能な水質であった。
【0032】
次に、実施形態の図3に示す方法に従って、上述した逆浸透膜処理にて得られたNH4濃度3400mg/lのブライン濃縮水のストリッピング処理を行った。
【0033】
まず、このブライン濃縮水を流量6700kg/hにて送水した。このブライン濃縮水の水質は、図6に示されるように、pHが7であり、Ca濃度23mg/lであった。
【0034】
pH調整槽32では、25%水溶液の苛性ソーダを流量180kg/hにて加えた。また、熱交換器33では、ストリッピング塔34に供給する前の濃縮水の温度を30℃から85℃に昇温させた。なお、ストリッピング塔34に供給する前の濃縮水のpHは、11であった。
【0035】
ストリッピング塔34へは、流量760kg/hの水蒸気も供給されてストリッピング処理が行われ、ストリッピング塔頂より流量520kg/hのアンモニア含有ガスが取り出された。取り出されたアンモニア含有ガスの濃度は、図6に示されるように、NH3に換算して44000vol.ppmであり、同じく温度は、100℃であった。また、ストリッピング塔34から流量7110kg/hにて取り出された処理水の水質は、pHが9.6であり、NH4濃度19mg/l、Ca濃度21mg/lであった。なお、ストリッピング塔34から取り出された処理水は、熱交換器33にて100℃から45℃まで冷却された。
【0036】
次に、実施形態の図4に示す方法に従って、上述したストリッピング処理にて得られたNH3濃度は、44000vol.ppmであった。
【0037】
まず、このアンモニアガスを流量650Nm3/hにて供給した。このアンモニアガスの温度は100℃であり、同じくH2O濃度が、図7に示されるように、95.6vol%であった。
【0038】
上述した流量650Nm3/hのアンモニアガスに、流量500Nm3/hの空気を混合した。触媒反応器(触媒1.1m3充填)53前の混合ガスの流量は3560Nm3/hであり、同じく温度は355℃であり、同じくNH3濃度は8000vol.ppmであった。
【0039】
触媒反応器53からは、流量2400Nm3/hのリサイクルガス(浄化ガスの一部)と、流量1150Nm3/hの浄化ガスとが得られた。リサイクルガスと浄化ガスのNH3濃度は、図7に示されるように、0.3vol.ppmであり、アンモニアはほぼ完全に分解されていた。また、リサイクルガスと浄化ガスのNOX濃度は、図7に示されるように、13vol.ppmであり、NOXはほとんど含まれていなかった。
【0040】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して分離された濃縮水をストリッピング処理して、アンモニアガスを取り出し、取り出されたアンモニアガスを、アンモニア分解触媒を用いて分子態窒素と水とに分解することにより、アンモニア含有排水からアンモニアガスを効率的に分離することができ、分離したアンモニアを効率的に分解して除去することができ、処理コストの低減を図ることができる。
【0041】
また、本発明によれば、アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して分離された透過水は用水として回収し、再利用することができる。また、本発明によれば、濃縮水にスケール分散剤を添加するので、カルシウムの析出を抑制することができる。更に、本発明によれば、ストリッピング処理工程に送る濃縮水におけるアンモニアの濃縮率を効率よく高めることができる。
【0042】
これらの結果、本発明によれば、アンモニア含有排水中のアンモニアを低コストにて効率的に分離して分解することができる半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法を示す系統図である。
【図2】本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法に含まれる、逆浸透膜処理工程を示す系統図である。
【図3】本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法に含まれる、ストリッピング処理工程を示す系統図である。
【図4】本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法に含まれる、ガス分解処理工程を示す系統図である。
【図5】本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法による実施例を示す図表である。
【図6】本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法による実施例を示す図表である。
【図7】本発明の実施形態に係る半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法による実施例を示す図表である。
【符号の説明】
10…逆浸透膜処理工程、11…活性炭塔、12…ろ過器、13…排水貯槽、14…熱交換器、15…精密ろ過器、16…pH調整設備、17…一次逆浸透膜、18…二次逆浸透膜、19…ブライン逆浸透膜、20…純水製造装置、30…ストリッピング処理工程、31…濃縮水槽、32…pH調整槽、33…熱交換器、34…ストリッピング塔、35…処理水pH調整設備、50…ガス分解処理工程、51…熱交換器、52…熱交換器、53…触媒反応器、54…加熱炉。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for treating ammonia-containing wastewater containing ammonia as a main component and discharged from a semiconductor manufacturing process.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, ammonia nitrogen contained in industrial wastewater such as semiconductor washing wastewater causes a problem of eutrophication at the discharge destination, and therefore, removal thereof is required. Known methods for treating ammoniacal nitrogen in ammonia-containing wastewater containing ammonium as a main component include an activated sludge method using an microorganism, an ammonia stripping method, an ion exchange method, and the like.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, in the activated sludge process using microorganisms, the ammonia in the wastewater is nitrified by the biological reaction of microorganisms into nitrate, which is converted into nitrogen gas by the biological reaction and released to the atmosphere. Is necessary, and a vast site is required. In addition, since surplus sludge of the grown microorganisms is generated, there is a problem that it is necessary to treat the surplus sludge (dehydration, drying, incineration, etc.).
[0004]
In the ammonia stripping method, ammonia is physically moved from the water to the gas phase by adjusting the temperature and pH using the solubility of ammonia, so that the treatment and recovery of ammonia gas after the stripping process, etc. There is a problem that is necessary.
[0005]
In addition, in the ion exchange method, ammonia is taken into a carrier excellent in adsorption of ammonia, and the taken-in ammonia can be regenerated with a saline solution or the like, but it is necessary to treat and recover ammonia in the reclaimed water. There's a problem.
[0006]
The present invention solves the above-described conventional problems and provides a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process capable of efficiently separating and decomposing ammonia in ammonia-containing wastewater at low cost. For the purpose.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
A method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to the present invention includes a reverse osmosis membrane treatment step in which ammonia-containing wastewater is treated with a reverse osmosis membrane to separate permeate and concentrated water, and reverse osmosis membrane treatment. After adding the scale dispersant to the concentrated water separated in the process, the concentrated water and steam are supplied to perform the stripping process, and the ammonia gas is taken out in the stripping process process and the stripping process process. A gas decomposition treatment step of decomposing the ammonia gas into molecular nitrogen and water using an ammonia decomposition catalyst. The reverse osmosis membrane treatment step treats the ammonia-containing wastewater with a reverse osmosis membrane to produce primary permeated water. Primary reverse osmosis membrane treatment step that separates into primary concentrated water, and primary permeate separated in the primary reverse osmosis membrane treatment step to reverse osmosis membrane treatment into secondary permeate and secondary concentrated water A secondary reverse osmosis membrane treatment step that separates, and a primary concentrated water reverse osmosis membrane treatment step that separates the primary concentrated water separated in the primary reverse osmosis membrane treatment step into permeated water and concentrated water by reverse osmosis membrane treatment; The concentrated water separated in the primary concentrated water reverse osmosis membrane treatment step is sent to the stripping treatment step, while the secondary concentrated water separated in the secondary reverse osmosis membrane treatment step and the primary concentrated water reverse osmosis It is characterized in that the permeated water separated in the membrane treatment step is sent to the previous stage of the primary reverse osmosis membrane treatment step.
[0008]
In the method for treating ammonia-containing wastewater discharged from the semiconductor manufacturing process according to the present invention, after adding a scale dispersant to concentrated water separated by reverse osmosis membrane treatment of ammonia-containing wastewater, the concentrated water and water vapor are added. Supply and perform stripping treatment, take out ammonia gas, decompose the taken ammonia gas into molecular nitrogen and water using an ammonia decomposition catalyst, and efficiently separate ammonia gas from ammonia-containing wastewater The separated ammonia can be efficiently decomposed. Further, the permeated water separated by reverse osmosis membrane treatment of ammonia-containing wastewater can be recovered and reused as service water. Moreover, since a scale dispersing agent is added to concentrated water, precipitation of calcium can be suppressed.
[0009]
In the present invention, the reverse osmosis membrane treatment step includes a primary reverse osmosis membrane treatment step in which ammonia-containing wastewater is treated with a reverse osmosis membrane to separate into primary permeate and primary concentrated water, and a primary reverse osmosis membrane treatment step. A secondary reverse osmosis membrane treatment step in which the separated primary permeate is treated with a reverse osmosis membrane to separate it into a secondary permeate and a secondary concentrated water, and the primary concentrated water separated in the primary reverse osmosis membrane treatment step A primary concentrated water reverse osmosis membrane treatment step that performs reverse osmosis membrane treatment to separate permeated water and concentrated water, and sends the concentrated water separated in the primary concentrated water reverse osmosis membrane treatment step to the stripping treatment step Meanwhile, the secondary concentrated water separated in the secondary reverse osmosis membrane treatment step and the permeated water separated in the primary concentrated water reverse osmosis membrane treatment step are sent to the previous stage of the primary reverse osmosis membrane treatment step. Yes. Thereby, the concentration rate of ammonia in the concentrated water sent to the stripping treatment step can be increased efficiently.
[0010]
Moreover, it is preferable to collect | recover the permeated water isolate | separated at the reverse osmosis membrane process process as raw | natural water of a pure water manufacturing apparatus. As described above, the permeated water separated in the reverse osmosis membrane treatment step is recovered as the raw water of the pure water production apparatus, whereby the permeated water can be reused.
[0011]
In the stripping treatment step, the stripping treatment is preferably performed by adjusting the pH of the concentrated water separated in the reverse osmosis membrane treatment step to a range of 10.5 to 12. Thus, in the stripping treatment process, the ammonium ion in the concentrated water is changed to free ammonia by adjusting the pH of the concentrated water separated in the reverse osmosis membrane treatment process to a range of 10.5 to 12. In addition, ammonia in the concentrated water can be efficiently gasified.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a preferred embodiment of a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0013]
1 is a system diagram showing a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a system diagram showing a reverse osmosis membrane treatment process, and FIG. FIG. 4 is a system diagram showing a stripping process, and FIG. 4 is a system diagram showing a gas decomposition process. As shown in FIG. 1, the treatment method of the ammonia-containing wastewater includes a reverse osmosis
[0014]
First, the reverse osmosis
[0015]
Next, the pretreatment described above is performed, and the ammonia-containing wastewater in the
[0016]
The ammonia-containing wastewater whose pH is adjusted by the
[0017]
Thereafter, the primary concentrated water separated by the primary
[0018]
Next, the stripping
[0019]
While adjusting pH in the
[0020]
The concentrated water having a predetermined temperature in the
[0021]
Next, the gas
[0022]
The
[0023]
As the ammonia decomposition catalyst, as the catalyst A component, an oxide containing at least one selected from the group consisting of titanium, zirconium, silicon, aluminum, cerium and iron, and as the catalyst B component, platinum, palladium, rhodium, It is preferable to use one containing at least one metal or oxide selected from the group consisting of ruthenium, iridium, vanadium, tungsten, molybdenum, chromium, manganese, and copper.
[0024]
The ammonia-containing wastewater treatment method according to the present embodiment includes a reverse osmosis
[0025]
Further, the permeated water (secondary permeated water) separated in the reverse osmosis membrane treatment step 10 (secondary reverse osmosis membrane treatment step) is recovered as the raw water of the pure
[0026]
The reverse osmosis
[0027]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
[0028]
According to the method shown in FIG. 2 of the embodiment, the reverse osmosis membrane treatment of ammonia-containing wastewater having an ammonia (NH 4 ) concentration of 311 mg / l was performed.
[0029]
First, this ammonia-containing wastewater was fed at a flow rate of 67 m 3 / h. As shown in FIG. 5, the ammonia-containing wastewater had a pH of 8.7 and an electric conductivity of 2150 μS / cm. Also, TOC concentration 0.39 mg / l,
[0030]
As shown in FIG. 5, the NH 4 concentration of the brine concentrated water obtained by the reverse osmosis membrane treatment is 3400 mg / l, compared to the NH 4 concentration of 311 mg / l of the ammonia-containing waste water before the reverse osmosis membrane treatment. It is concentrated about 10 times. The NH 4 concentration of the secondary permeated water obtained by the reverse osmosis membrane treatment was 2 mg / l.
[0031]
As shown in FIG. 5, the water quality of the secondary permeated water obtained by the reverse osmosis membrane treatment is pH 6.3,
[0032]
Next, according to the method shown in FIG. 3 of the embodiment, a stripping treatment of brine concentrated water having an NH 4 concentration of 3400 mg / l obtained by the reverse osmosis membrane treatment described above was performed.
[0033]
First, this brine concentrated water was sent at a flow rate of 6700 kg / h. As shown in FIG. 6, the brine concentrated water had a pH of 7 and a Ca concentration of 23 mg / l.
[0034]
In the
[0035]
The stripping
[0036]
Next, according to the method shown in FIG. 4 of the embodiment, the NH 3 concentration obtained by the above-described stripping treatment is 44000 vol. ppm.
[0037]
First, this ammonia gas was supplied at a flow rate of 650 Nm 3 / h. The temperature of the ammonia gas was 100 ° C., and the H 2 O concentration was 95.6 vol% as shown in FIG.
[0038]
Ammonia
[0039]
From the
[0040]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the present invention, the ammonia-containing waste water is subjected to the reverse osmosis membrane treatment, the concentrated water separated is stripped, the ammonia gas is taken out, and the taken out ammonia gas is converted into ammonia. By decomposing into molecular nitrogen and water using a decomposition catalyst, ammonia gas can be efficiently separated from ammonia-containing wastewater, and the separated ammonia can be efficiently decomposed and removed. Cost can be reduced.
[0041]
Moreover, according to the present invention, the permeated water separated by reverse osmosis membrane treatment of ammonia-containing wastewater can be recovered as service water and reused. Moreover, according to this invention, since a scale dispersing agent is added to concentrated water, precipitation of calcium can be suppressed. Furthermore, according to this invention, the concentration rate of ammonia in the concentrated water sent to a stripping process process can be raised efficiently.
[0042]
As a result, according to the present invention, it is possible to provide a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process capable of efficiently separating and decomposing ammonia in ammonia-containing wastewater at low cost. it can.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a system diagram showing a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a system diagram showing a reverse osmosis membrane treatment process included in a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a system diagram showing a stripping process included in a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a system diagram showing a gas decomposition treatment process included in a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a chart showing an example of a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a chart showing an example of a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a chart showing an example of a method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process according to an embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記逆浸透膜処理工程にて分離された前記濃縮水にスケール分散剤を添加した後、当該濃縮水と水蒸気とを供給してストリッピング処理を行い、アンモニアガスを取り出すストリッピング処理工程と、
前記ストリッピング処理工程にて取り出された前記アンモニアガスを、アンモニア分解触媒を用いて分子態窒素と水とに分解するガス分解処理工程と、を含み、
前記逆浸透膜処理工程は、
前記アンモニア含有排水を逆浸透膜処理して一次透過水と一次濃縮水とに分離する一次逆浸透膜処理工程と、
前記一次逆浸透膜処理工程にて分離された前記一次透過水を逆浸透膜処理して二次透過水と二次濃縮水とに分離する二次逆浸透膜処理工程と、
前記一次逆浸透膜処理工程にて分離された前記一次濃縮水を逆浸透膜処理して透過水と濃縮水とに分離する一次濃縮水逆浸透膜処理工程と、を含み、
前記一次濃縮水逆浸透膜処理工程にて分離された前記濃縮水を前記ストリッピング処理工程に送る一方、
前記二次逆浸透膜処理工程にて分離された前記二次濃縮水と前記一次濃縮水逆浸透膜処理工程にて分離された前記透過水とを前記一次逆浸透膜処理工程の前段に送ることを特徴とする半導体製造工程から排出されるアンモニア含有排水の処理方法。A reverse osmosis membrane treatment step for treating ammonia-containing wastewater with a reverse osmosis membrane to separate permeate and concentrated water;
After adding a scale dispersant to the concentrated water separated in the reverse osmosis membrane treatment step, stripping treatment is performed by supplying the concentrated water and water vapor to remove ammonia gas;
Wherein said ammonia gas taken out by stripping treatment step, molecular nitrogen and decomposing gas decomposition process into water, only including using ammonia decomposition catalyst,
The reverse osmosis membrane treatment step
A primary reverse osmosis membrane treatment step of separating the ammonia-containing waste water into a reverse osmosis membrane treatment to separate into a primary permeate and a primary concentrated water;
A secondary reverse osmosis membrane treatment step in which the primary permeate separated in the primary reverse osmosis membrane treatment step is subjected to a reverse osmosis membrane treatment to separate into a secondary permeate and a secondary concentrated water;
A primary concentrated water reverse osmosis membrane treatment step of separating the primary concentrated water separated in the primary reverse osmosis membrane treatment step into a permeated water and a concentrated water by subjecting the primary concentrated water to a reverse osmosis membrane treatment,
While sending the concentrated water separated in the primary concentrated water reverse osmosis membrane treatment step to the stripping treatment step,
Sending the secondary concentrated water separated in the secondary reverse osmosis membrane treatment step and the permeated water separated in the primary concentrated water reverse osmosis membrane treatment step to the previous stage of the primary reverse osmosis membrane treatment step. A method for treating ammonia-containing wastewater discharged from a semiconductor manufacturing process.
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