JP2001313191A

JP2001313191A - 放電灯点灯装置

Info

Publication number: JP2001313191A
Application number: JP2000131216A
Authority: JP
Inventors: Nobukazu Miki; 伸和三木; Keisuke Sato; 啓介佐藤; Yukio Yamanaka; 幸男山中
Original assignee: Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2000-04-28
Filing date: 2000-04-28
Publication date: 2001-11-09

Abstract

(57)【要約】【課題】外乱などの影響を受けずにカタホリシスの発生
を確実に検出することを可能とした放電灯点灯装置を提
供する。【解決手段】インバータ回路１は直流成分が重畳された
高周波電圧を放電ランプＬａに印加して放電ランプＬａ
を高周波点灯させる。放電ランプＬａのランプ電圧の低
下あるいは放電ランプＬａの両管端部の温度差の変化を
放電ランプＬａの内部での水銀の分布を反映する物理量
としてカタホリシスを検出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、放電灯を高周波点
灯させる放電灯点灯装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般的に蛍光ランプのような放電ランプ
の両フィラメント電極間に直流電圧成分を重畳して点灯
させると、放電ランプの陽極側で輝度が低下する現象が
発生する．この現象は、放電ランプ内の水銀イオンが陰
極側に集まることに起因しており、電気泳動あるいはカ
タホリシス（cataphoresis）と呼ばれている。

【０００３】放電ランプである蛍光ランプでは水銀蒸気
とアルゴンとの混合ガスが放電ガスとして封入されてお
り、電極間に印加される電界により水銀蒸気が水銀イオ
ンと電子に電離することで放電が生じる。ここで、周囲
温度が低温であると水銀イオンは移動度が低下すること
になる。このような条件下において放電ランプの内部に
電位勾配が生じていると、水銀イオンは電位勾配の負極
側に集まり、電子は正極側に集まることになる。つま
り、放電ランプの内部での水銀密度の分布に偏りが生
じ、正極側では水銀密度が低くなることによってアルゴ
ンのスペクトルである赤色の発光が生じる。

【０００４】このように、放電ランプの内部に電位勾配
が生じるような条件下であるとカタホリシスが生じ、と
くに周囲温度が低いと水銀イオンの移動度の低下によっ
てカタホリシスが一層生じやすくなる。従来は、放電ラ
ンプの内部（つまり、両フィラメント間）に電位勾配が
生じないようにするには、放電ランプの両フィラメント
間に交流電圧を印加するのが有効であると考えられてき
た。一方、近年では照明器具の軽量化や高効率化の目的
からインバータ回路を用いて高周波電力により放電ラン
プを点灯させる技術が普及してきており、この種の照明
器具では放電ランプに交流電圧を印加しているからカタ
ホリシスが生じないと予想されていたにもかかわらず、
実際には、カタホリシスが生じることが判明してきた。

【０００５】しかしながら、これまではインバータ回路
においてカタホリシスが発生している状態を検出する技
術が確立されていなかったものであるから、カタホリシ
スの発生を常時抑制する対策がとられてきた。

【０００６】たとえば、特開平１０−１６２９８６号公
報に記載のものでは、高周波電源から高周波電力を放電
ランプを供給して高周波点灯させるにあたって放電ラン
プ内の水銀が高圧側へ偏る前に放電ランプの高圧側と低
圧側とを切り換える極性反転手段を設けた構成を採用し
ている。極性反転手段は水銀イオンが高圧側に偏る時間
よりも短い時間で周期的に放電ランプの高圧側と低圧側
とを入れ換えるものであり、カタホリシスが生じている
か否かにはかかわらずカタホリシスを抑制しようとする
構成を採用している。

【０００７】また、特開平１０−２９４１８７号公報に
記載のもののように、大地への漏れ電流に着目し、放電
ランプの高圧側と低圧側との漏れ電流差を低減させるよ
うにしてカタホリシスの発生を抑制しようとする構成も
提案されている。

【０００８】さらに、特開平１１−３２９７７２号公報
に記載のものでは、放電ランプの両端間に発生する直流
電圧成分をカタホリシスの発生しない程度まで低減させ
る構成を採用しており、具体的にはハーフブリッジ形の
インバータ回路における２個のスイッチング素子のオン
デューティを適正な値に制御したり、放電ランプへの印
加電圧の直流電圧成分を５Ｖ以下とする構成が提案され
ている。また、蛍光ランプの最冷点付近に他の高温部分
からの熱を伝導する部材を設けたり、筒状の保温体に蛍
光ランプを収容したりすることによって、蛍光ランプの
表面温度を高温に保ち、カタホリシスの発生を抑制する
構成も提案されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た各技術ではカタホリシスが発生しているか否かを判断
する構成は、特開平１１−３２９７７２号公報にしか記
載がなく、他の技術ではカタホリシスが発生しているか
否かにかかわらずカタホリシスを抑制するようになって
おり、カタホリシスを抑制するために電力に無駄が生じ
たり、回路構成が複雑になったり、あるいはまた特殊な
構造の照明器具が必要になるなどの問題点を有してい
る。

【００１０】特開平１１−３２９７７２号公報に記載の
ものでは蛍光ランプに印加されている直流電圧成分を検
出し、直流電圧成分を低減させる技術が記載されている
が、蛍光ランプに印加されている略５％程度の直流電圧
を検出するものであるから、検出精度が不十分であり外
乱による誤動作が発生しやすいという問題を有してい
る。

【００１１】本発明は上記事由に鑑みて為されたもので
あり、その目的は、外乱などの影響を受けずにカタホリ
シスの発生を確実に検出することを可能とした放電灯点
灯装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、放電
ガスが封入された放電ランプと、直流電圧を高周波電力
に変換するとともに前記放電ランプに直流成分が重畳さ
れた高周波電圧を印加して前記放電ランプを高周波点灯
させるインバータ回路と、放電ランプに封入された放電
ガスの状態を反映する物理量に基づいてカタホリシスを
検出するカタホリシス検出回路とを備えるものである。

【００１３】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記物理量がランプ電圧の交流成分であって、前記
カタホリシス検出回路ではランプ電圧の交流成分の低下
によりカタホリシスを検出するものである。

【００１４】請求項３の発明は、請求項２の発明におい
て、前記カタホリシス検出回路では、ランプ電圧が基準
電圧を下回るときにカタホリシスが発生していると判断
するものである。

【００１５】請求項４の発明は、請求項２の発明におい
て、前記カタホリシス検出回路では、ランプ電圧の低下
速度が基準値を超えるときにカタホリシスが発生してい
ると判断するものである。

【００１６】請求項５の発明は、請求項１の発明におい
て、前記物理量がランプ電圧の交流成分および直流成分
を含む電圧であって、前記カタホリシス検出回路ではラ
ンプ電圧の交流成分および直流成分を含む電圧の低下を
検出するものである。

【００１７】請求項６の発明は、請求項１の発明におい
て、前記物理量が前記放電ランプにおいて両管端部の温
度差であって、前記カタホリシス検出回路では放電ラン
プの両管端部の温度を検出する温度センサの出力差の増
加によりカタホリシスを検出するものである。

【００１８】請求項７の発明は、請求項６の発明におい
て、前記カタホリシス検出回路では、前記温度センサの
出力差が基準値を超えるときにカタホリシスが発生して
いると判断するものである。

【００１９】請求項８の発明は、請求項６の発明におい
て、前記カタホリシス検出回路では、前記温度センサの
出力差の増加速度が基準値を超えるときにカタホリシス
が発生していると判断するものである。

【００２０】請求項９の発明は、請求項１ないし請求項
８の発明において、前記カタホリシス検出回路において
カタホリシスの発生を示す前記物理量の変化を検出する
とカタホリシスを抑制する方向に前記放電ランプの放電
ガスの分布をフィードバック制御するフィードバック手
段を設けたものである。

【００２１】請求項１０の発明は、請求項９の発明にお
いて、前記フィードバック手段が、前記高周波電圧に重
畳されている直流成分をフィードバック制御するもので
ある。

【００２２】請求項１１の発明は、請求項９の発明にお
いて、前記フィードバック手段が、前記放電ランプにお
いて他の部位よりも輝度の高い部位付近を加熱するよう
にフィードバック制御するものである。

【００２３】請求項１２の発明は、請求項１ないし請求
項１１の発明において、前記カタホリシス検出回路の出
力情報を情報ネットワークを通して別装置に伝送するも
のである。

【００２４】（原理）本発明において用いる原理を以下
に説明する。本発明ではカタホリシスが生じる際におけ
る放電ランプ内部の放電ガスの状態を反映する物理量を
検出する。また、この物理量で検出されているカタホリ
シスの程度を低減する方向に、放電ランプを点灯させる
放電灯点灯回路の出力状態をフィードバック制御する。
つまり、カタホリシスが生じる方向に物理量が変化しよ
うとすると、この物理量をカタホリシスの生じていない
元の状態に戻す方向に放電灯点灯装置の出力状態をフィ
ードバック制御する。

【００２５】上記物理量としては、放電ランプに印加し
ている電圧（ランプ電圧）または放電ランプにおいて形
成される放電路の両端付近の温度を用いる。ランプ電圧
と放電ランプの温度とを、それぞれカタホリシスを反映
する物理量として用いることができるのは以下の理由に
よる。

【００２６】いま、放電ランプとして、高周波点灯専用
形蛍光ランプ（ＪＩＳＣ７６０１）のうち、定格ラ
ンプ電力が３２Ｗである直管形蛍光ランプ（ＦＨＦ３
２）を用いるものとして、放電ランプの各端部から１０
ｃｍの距離の輝度をそれぞれＬＡ，ＬＢとする。ここ
で、放電ランプＬａには図８に示すように直流電源ＤＣ
を接続したことに相当する電位勾配が生じているものと
し、直流電源ＤＣの負極側の端部における輝度をＬＡと
し、直流電源ＤＣの正極側の端部における輝度をＬＢと
し、ＬＢ／ＬＡを求めて輝度比ＲＬ（＝ＬＢ／ＬＡ）と
定義する。この輝度比ＲＬを百分率で表すとすれば、１
００％のときがＬＡ＝ＬＢであり、輝度比ＲＬが小さい
ほど図８の右端部の輝度ＬＢが左端部の輝度ＬＡよりも
小さくなったことを意味する。個人差はあるものの、Ｆ
ＨＦ３２の蛍光ランプでは、一般的に言って輝度比ＲＬ
が３０％以下になるとカタホリシスの発生が視覚的に知
覚されることがわかっている。

【００２７】放電ランプＬａに封入されている放電ガス
は、一般的な蛍光ランプでは水銀蒸気とアルゴンとの混
合ガスであって、放電ランプＬａの点灯時には水銀が電
離励起される。直流電源ＤＣを印加したことに相当する
電位勾配が放電ランプＬａの管内に生じているときに
は、電離により形成された水銀イオンが直流電源ＤＣの
負極側に集まり、電子が直流電源ＤＣの正極側に集まる
から、放電ランプＬａの管内の水銀が直流電源ＤＣの負
極側に偏在することになり、図８における放電ランプＬ
ａの左端部では水銀蒸気が飽和して液化し、液体水銀１
１が溜まることになる。このように放電ランプＬａの管
内で水銀が偏在して液体水銀１１が溜まるようになる
と、放電ランプＬａの管内の水銀蒸気圧が低下し、結果
的にランプ電圧Ｖｌａが水銀蒸気圧に追従して低下する
ことになる。すなわち、ランプ電圧Ｖｌａの低下率は放
電ランプＬａに封入された放電ガスについてカタホリシ
スの発生時における状態を反映していることになる。ま
た、水銀が直流電源ＤＣの負極側に偏在することによっ
て、正極側は大部分がアルゴン分子になり、図８の斜線
部付近が赤色に発光することになる。つまり、直流電源
ＤＣの負極側は水銀分子の密度が高いから電子との衝突
断面積が正極側よりも大きくなり、結果的に負極側の温
度が正極側の温度よりも高くなる。すなわち、放電ラン
プＬａの両端部の温度差Δθは放電ランプＬａに封入さ
れた放電ガスについてカタホリシスの発生時における状
態を反映していることになる。

【００２８】輝度比ＲＬとランプ電圧Ｖｌａとを測定し
た結果を図９に示し、輝度比ＲＬと温度差Δθとを測定
した結果を図１０に示す。また、周囲温度と放電ランプ
Ｌａの各部の管壁温度を図１１に示す。

【００２９】図９は周囲温度が０℃であるときの輝度比
ＲＬおよびランプ電圧Ｖｌａの実効値について時間変化
を計測した結果であって、図から明らかなように、輝度
比ＲＬが急激に低下するとランプ電圧Ｖｌａも急激に低
下しており、輝度比ＲＬが低下する際の時間変化はラン
プ電圧Ｖｌａと相関性を有していると言える。

【００３０】図１０は周囲温度が５℃であるときの輝度
比ＲＬおよび放電ランプＬａの両端部の温度差Δθにつ
いて時間変化を計測した結果である。ただし、温度差Δ
θは、放電ランプＬａの両管端からそれぞれ１０ｃｍの
距離の管壁表面の温度を測定し、正極側の温度θｐと負
極側の温度θｍとの差（θｐ−θｍ）として求めた。つ
まり、図１１に示すように、放電ランプＬａの周囲温度
（イ）が５℃付近であるときには、正極側（ハ）に比較
して負極側（ロ）では管壁の温度の上昇が遅くなる。図
１１において（ニ）は放電ランプＬａの長手方向の中央
付近の管壁温度の上昇を示している。この測定によっ
て、直流電源ＤＣの電圧が４Ｖ程度であるときに（つま
り、ランプ電圧に４Ｖ程度の直流電圧が重畳される
と）、負極側の温度θｍに対して正極側の温度θｐが低
くなることが明らかになった。また、図から、カタホリ
シスが発生するときの輝度比ＲＬの変化と放電ランプＬ
ａの両端部の管壁表面の温度差Δθとには相関性がある
と言える。

【００３１】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）本実施形態
は、図１に示すように、商用電源のような交流電源Ｖｓ
に高周波阻止用のフィルタ回路Ｆを介して接続される整
流器ＤＢを備え、整流器ＤＢの直流出力端間には平滑コ
ンデンサＣ１が接続される。整流器ＤＢの出力電圧と平
滑コンデンサＣ１の両端電圧とはインバータ回路１の電
源として機能する。すなわち、インバータ回路１は、整
流器ＤＢの出力電圧が平滑コンデンサＣ１の両端電圧よ
りも高い期間には整流器ＤＢの出力電圧を電源とし、平
滑コンデンサＣ１の両端電圧が整流器ＤＢの出力電圧よ
りも高い期間には平滑コンデンサＣ１の両端電圧を電源
として動作する。インバータ回路１では整流器ＤＢまた
は平滑コンデンサＣ１からの直流電圧を高周波電力に変
換し、この高周波電力を放電ランプＬａに供給して放電
ランプＬａを点灯させる。整流器ＤＢにはダイオードブ
リッジを用い、放電ランプＬａには蛍光ランプを用いて
いる。

【００３２】インバータ回路１は、平滑コンデンサＣ１
の両端間に接続された一対のスイッチング素子Ｑ１，Ｑ
２の直列回路を備えたハーフブリッジ形であって、両ス
イッチング素子Ｑ１，Ｑ２を高周波で交互にオンオフさ
せる制御回路２を含んでいる。この制御回路２は、２つ
の制御信号Ｈ０，Ｌ０を各スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２
に与えて、両スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を交互にオン
オフさせる。各スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２にはそれぞ
れｎｐｎ形のバイポーラトランジスタを用い、エミッタ
−コレクタにそれぞれダイオードＤ１，Ｄ２を逆並列に
接続してある。つまり、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の
オン時とは逆向きの電流をダイオードＤ１，Ｄ２に流す
ことが可能になっている。なお、スイッチング素子Ｑ
１，Ｑ２としてＭＯＳＦＥＴを用いてもよく、ＭＯＳＦ
ＥＴではボディダイオードがダイオードＤ１，Ｄ２とし
て機能するから、ダイオードＤ１，Ｄ２を省略すること
ができる。平滑コンデンサＣ１の高電位側に接続されて
いるスイッチング素子Ｑ１の両端間には、直流カット用
のコンデンサＣ３と出力トランス（絶縁トランス）Ｔの
１次巻線ｎ１と共振用のインダクタＬ１との直列回路が
接続される。

【００３３】放電ランプＬａは、フィラメントｆ１，ｆ
２を有し、各フィラメントｆ１，ｆ２の一端に出力トラ
ンスＴの２次巻線ｎ２の各端がそれぞれ接続され、各フ
ィラメントｆ１，ｆ２の他端間には、フィラメントｆ
１，ｆ２に予熱電流を流すための経路を形成する共振用
のコンデンサＣ２が接続される。このコンデンサＣ２は
インダクタＬ１とともに共振回路を構成する。

【００３４】次に、インバータ回路１の動作を簡単に説
明する。整流器ＤＢの出力電圧がコンデンサＣ１の両端
電圧よりも高い期間には、スイッチング素子Ｑ２がオン
になると、整流器ＤＢからコンデンサＣ３−出力トラン
スＴの１次巻線ｎ１−インダクタＬ１−スイッチング素
子Ｑ２の経路で電流が流れ、その後、スイッチング素子
Ｑ２がオフになれば、インダクタＬ１やトランスＴに蓄
積されたエネルギがダイオードＤ１を通して平滑コンデ
ンサＣ１に放出される。また、スイッチング素子Ｑ２が
オフになればスイッチング素子Ｑ１がオンになるから、
コンデンサＣ３を電源としてスイッチング素子Ｑ１−イ
ンダクタＬ１−トランスＴの１次巻線ｎ１の経路で電流
が流れる。このように、トランスＴの１次巻線ｎ１に流
れる電流が交番することで、放電ランプＬａに交番電圧
が印加されることになる。

【００３５】一方、整流器ＤＢの出力電圧がコンデンサ
Ｃ１の両端電圧よりも低い期間には、スイッチング素子
Ｑ２がオンであると、平滑コンデンサＣ１からコンデン
サＣ３−出力トランスＴの１次巻線ｎ１−インダクタＬ
１−スイッチング素子Ｑ２の経路で電流が流れ、その
後、スイッチング素子Ｑ２がオフになれば、インダクタ
Ｌ１やトランスＴに蓄積されたエネルギがダイオードＤ
１を通してコンデンサＣ３に放出される。また、スイッ
チング素子Ｑ２がオフになればスイッチング素子Ｑ１が
オンになるから、コンデンサＣ３を電源としてスイッチ
ング素子Ｑ１−インダクタＬ１−トランスＴの１次巻線
ｎ１の経路で電流が流れる。このようにして、トランス
Ｔの１次巻線ｎ１に流れる電流が交番し、放電ランプＬ
ａに交番電圧が印加されるのである。

【００３６】ところで、制御回路２から出力される制御
信号Ｈ０，Ｌ０は、両スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を１
回ずつオンオフさせる間における各スイッチング素子Ｑ
１，Ｑ２のオン期間を異ならせる（つまり、オンデュー
ティをアンバランスに制御する）ことができるように構
成されている。つまり、各スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２
のオン時間をそれぞれτ１，τ２とし、各スイッチング
素子Ｑ１，Ｑ２のオンデューティＤＴ１，ＤＴ２を百分
率で表すとすれば、ＤＴ１＝｛τ１／（τ１＋τ２）｝
×１００、ＤＴ２＝｛τ２／（τ１＋τ２）｝×１００
＝（１００−ＤＴ１）であって、ＤＴ１≠ＤＴ２となる
ように各スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２を制御することが
可能になっている。ここに、τ１＋τ２＝一定とすれ
ば、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２をオンオフさせる周波
数は一定になる。

【００３７】上述のように各スイッチング素子Ｑ１，Ｑ
２のオンデューティを異ならせれば、コンデンサＣ３の
充電期間あるいは放電期間が変化し、放電ランプＬａに
供給する電力を変化させることが可能になる。つまり、
各スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオンデューティを異な
らせることによって、インバータ回路１の出力を調節す
ることができるから、各スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２の
オンデューティを制御することによって、交流電源Ｖｓ
の電圧変動を補償したり、放電ランプＬａの光出力を調
光したりすることができる。その一方で、各スイッチン
グ素子Ｑ１，Ｑ２のオンデューティをアンバランスにす
ると、放電ランプＬａに印加される高周波電圧に直流電
圧成分が重畳されることになり、カタホリシスを生じさ
せる原因になる。

【００３８】本実施形態では、上述した構成の放電灯点
灯装置を用いたものであり、この放電灯点灯装置におい
てカタホリシスが生じるのを防止するように構成した点
を特徴にしている。すなわち、原理として説明したよう
に、放電ランプＬａの両端部における輝度の比である輝
度比ＲＬがランプ電圧Ｖｌａと相関性を有している。そ
こで、本実施形態では、カタホリシスの発生を検出する
物理量としてランプ電圧Ｖｌａを用い、ランプ電圧Ｖｌ
ａを監視してスイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオンデュー
ティをフィードバック制御することで、カタホリシスを
抑制する。

【００３９】本実施形態では、ランプ電圧Ｖｌａを監視
するカタホリシス検出回路３を設け、制御回路２から出
力する制御信号Ｈ０，Ｌ０のデューティ比をカタホリシ
ス検出回路３の出力によってカタホリシスが抑制される
ようにフィードバック制御する。カタホリシス検出回路
３においてランプ電圧Ｖｌａを検出するために、本実施
形態では出力トランスＴに検出巻線ｎ３を設けてある。
カタホリシス検出回路３では、検出巻線ｎ３の両端間に
抵抗Ｒ１，Ｒ２とダイオードＤ３との直列回路を接続し
てあり、検出巻線ｎ３の誘起電圧をダイオードＤ３によ
り半波整流し抵抗Ｒ１，Ｒ２により分圧する。抵抗Ｒ２
にはコンデンサＣ４が並列接続され、このコンデンサＣ
４の両端電圧をコンパレータＣＰ１によって基準電圧Ｖ
ｒｅｆと比較する。コンデンサＣ４の一端はコンパレー
タＣＰ１の非反転入力端に接続され、基準電圧Ｖｒｅｆ
はコンパレータＣＰ１の反転入力端に印加される。この
ように、検出巻線ｎ３とダイオードＤ３と抵抗Ｒ１，Ｒ
２とコンデンサＣ４とコンパレータＣＰ１とによりカタ
ホリシス検出回路３が構成される。

【００４０】コンパレータＣＰ１の出力は検出信号とし
て制御回路２に入力され、ランプ電圧Ｖｌａの変化に応
じて制御回路２から出力される制御信号Ｈ０，Ｌ０のデ
ューティ比がフィードバック制御される。制御回路２で
はコンパレータＣＰ１の出力がＨレベルであるとき（つ
まり、コンデンサＣ４の端子電圧が基準電圧Ｖｒｅｆよ
りも高いとき）には、放電ランプＬａにはカタホリシス
が生じていないものと判断し、コンパレータＣＰ１の出
力がＬレベルであるとき（つまり、コンデンサＣ４の端
子電圧が基準電圧Ｖｒｅｆよりも低いとき）には、カタ
ホリシスが生じる方向に動作していると判断する。ここ
に、基準電圧Ｖｒｅｆは使用する放電ランプＬａに応じ
て適宜に設定される。また、本実施形態ではコンデンサ
Ｃ４の充電経路に抵抗Ｒ１が挿入され、コンデンサＣ４
に並列接続された抵抗Ｒ２はコンデンサＣ４の放電経路
を形成するから、コンデンサＣ４の両端電圧が瞬時的に
低下してもコンパレータＣＰ１の出力はＨレベルに保た
れる。

【００４１】いま、放電ランプＬａとしてＦＨＦ３２を
用いているものとすれば、周囲温度が０℃であるとき、
カタホリシスが発生していなければランプ電圧は定格電
圧の１１５％に上昇するが、カタホリシスが発生してい
ると、その電圧に対して７０〜８０％程度に低下する。
したがって、このような電圧変化に対してカタホリシス
の発生の有無を判定できるように、基準電圧Ｖｒｅｆを
設定するのである。なお、カタホリシスが生じるか否か
は周囲温度にも関係するから、ＰＴＣやＮＴＣのような
温度センサを用いて周囲温度を検出し、周囲温度に応じ
て基準電圧Ｖｒｅｆを変化させるようにしてもよい。こ
の場合、周囲温度が高いほど基準電圧Ｖｒｅｆを低く設
定することになる。

【００４２】上述のように、カタホリシス検出回路３
は、コンパレータＣＰ１の出力をＨレベルとするかＬレ
ベルとするかの２値出力を発生させるから、カタホリシ
ス検出回路３の出力により制御回路２はオンデューティ
を２段階に変化させることになる。たとえば、通常時に
は図２（ａ）のように制御信号Ｈ０のオンデューティを
４０％、制御信号Ｌ０のオンデューティを６０％に設定
しておき（つまり、デューティ比を２／３に設定してお
き）、カタホリシス検出回路３によりカタホリシスの発
生が検出されたとき（つまり、カタホリシス検出回路３
の出力がＬレベルになったとき）、図２（ｂ）のように
制御信号Ｈ０と制御信号Ｌ０のオンデューティをともに
５０％に近付けるように制御する。このように制御すれ
ば、放電ランプＬａに印加される高周波電圧に直流電圧
成分が含まれず、カタホリシスが低減ないし改善され
る。また、カタホリシスは直流電圧成分の負極側に水銀
が集まることによって生じるから、カタホリシスが生じ
たときに直流電圧成分の極性が逆転するように制御して
もよい。つまり、図２（ｃ）のように、制御信号Ｈ０の
オンデューティを６０％、制御信号Ｌ０のオンデューテ
ィを４０％に設定してもよい（つまり、デューティ比を
３／２に設定してもよい）。また、図２（ｃ）のように
制御すれば、放電ランプＬａへの供給電力を変化させず
にカタホリシスを低減することが可能になる。

【００４３】上述のようにして、放電ランプＬａにカタ
ホリシスが生じているか否かをランプ電圧Ｖｌａにより
検出し、カタホリシスが生じていると判定されていると
きには、カタホリシスを抑制するようにスイッチング素
子Ｑ１，Ｑ２を制御するから、カタホリシスが生じたと
きに放電ランプＬａの取付方向を入れ換える（直管形蛍
光ランプであれば、長手方向の両端を入れ換えて取り付
ける）というような面倒が作業を必要とせずにカタホリ
シスを低減させることができる。しかも、ランプ電圧Ｖ
ｌａを検出し、制御回路２をフィードバック制御するた
めのカタホリシス検出回路３は比較的簡単な構成であっ
て動作の信頼性も高いから、カタホリシスを確実に低減
する放電灯点灯装置を低コストで提供することが可能で
ある。

【００４４】本実施形態の動作はインバータ回路１の構
成にはとくに依存せず、カタホリシスの発生を防止する
方向に制御可能なインバータ回路１であれば、どのよう
な回路形式のインバータ回路１であっても使用可能であ
る。たとえば、インバータ回路１として、高周波充電
式、高周波重畳式、プッシュプル式、一石式、チョッパ
兼用式などと呼称されているインバータ回路１を用いる
ことが可能である。また、本実施形態では、カタホリシ
ス検出回路３では放電ランプＬａに印加する電圧の交流
成分および直流成分を含む電圧を検出しているが、交流
成分のみを抽出する構成を採用してもよい。

【００４５】（第２の実施の形態）本実施形態は、カタ
ホリシス検出回路３として図３に示す構成を採用したも
のである。すなわち、図１に示した第１の実施の形態に
おけるカタホリシス検出回路３に加えて、コンデンサＣ
４の両端間にコレクタ−エミッタを接続したトランジス
タＱ３を備え、このトランジスタＱ３を周期的にオンオ
フさせることによって、コンデンサＣ４に充電期間と放
電期間とを設けている。つまり、トランジスタＱ３をオ
ンにすればコンデンサＣ４の電荷が放電され、コンデン
サＣ４にはトランジスタＱ３のオフ期間に電荷が蓄積さ
れる。つまり、トランジスタＱ３のオフ期間にコンデン
サＣ４の両端電圧が到達する電圧は、トランジスタＱ３
のオフ期間において検出巻線ｎ３に流れる電流に相当す
る。いま、トランジスタＱ３のオフ期間を一定周期Δｔ
とすれば、検出巻線ｎ３に流れる電流は周期Δｔにおけ
る電圧の変化分ΔＶに相当し、結局、トランジスタＱ３
のオフ期間の終了時点でのコンデンサＣ４の電位は、｜
ΔＶ／Δｔ｜に相当することになる。言い換えると、コ
ンデンサＣ４は検出巻線ｎ３の誘起電圧を一定の周期Δ
ｔでサンプリングしていることになる。

【００４６】本実施形態では、トランジスタＱ３のオフ
期間を一定にするために、一定周期のクロック信号を出
力するクロック回路５と、クロック信号を計数するカウ
ンタ回路６と、カウンタ回路６による計数値が規定値に
なるまでの間にリセット信号を出力するリセット回路７
と、リセット信号により放電するコンデンサＣ５とを備
える。コンデンサＣ５はトランジスタＱ３のベース−エ
ミッタに接続されており、コンデンサＣ５が放電すれば
トランジスタＱ３はオフになる。

【００４７】したがって、クロック回路５からのクロッ
ク信号とカウンタ回路６における規定値とにより設定さ
れた周期ΔｔごとにトランジスタＱ３がオンになり、ト
ランジスタＱ３がオンになることによってコンデンサＣ
４が放電する。こうしてコンデンサＣ４が放電すると、
次にトランジスタＱ３がオンになるまでの間に、検出巻
線ｎ３の誘起電圧によりコンデンサＣ４が充電され、｜
ΔＶ／Δｔ｜に相当する電圧を求めることができるので
ある。

【００４８】このコンデンサＣ４の両端電圧を基準電圧
Ｖｒｅｆと比較することにより、第１の実施の形態と同
様に、カタホリシスの発生の有無を判断することが可能
になる。つまり、図４に示すように、ランプ電圧（検出
巻線ｎ３の誘起電圧）を単位時間Δｔごとにサンプリン
グし、単位時間Δｔの電圧の低下速度｜ΔＶ／Δｔ｜を
基準値と比較し、電圧の低下速度が基準値よりも大きい
ときには、カタホリシスが発生していると判断する。

【００４９】図４において時間ｔ１−ｔ２では｜ΔＶ／
Δｔ｜＝０であるのに対し、時間ｔ４−ｔ５、時間ｔ５
−ｔ６、時間ｔ６−ｔ７、時間ｔ７−ｔ８では｜ΔＶ／
Δｔ｜は大きく変化していることがわかる。このように
｜ΔＶ／Δｔ｜が大きく変化したときにカタホリシスが
発生していると判断するのである。

【００５０】なお、｜ΔＶ／Δｔ｜が基準値を複数回連
続して超える場合にカタホリシスと判断するようにすれ
ば、誤検出を防止することができ、カタホリシスの検出
に対する信頼性を高めることができる。また、検出巻線
ｎ３の誘起電圧の傾きを求めるには、検出巻線ｎ３の誘
起電圧を一定時間毎にサンプリングして保持するサンプ
ルホールド回路を用いるとともに、サンプルホールド回
路で保持した連続する２回の電圧の差を求めることによ
って｜ΔＶ／Δｔ｜を求めてもよい。

【００５１】本実施形態の技術を採用すれば、カタホリ
シスが生じる傾向が現れた段階でカタホリシスを検出す
ることができるから、カタホリシスの発生を抑制するこ
とができる。また、本実施形態では検出巻線ｎ３の誘起
電圧（つまり、ランプ電圧）の相対値を検出しているか
ら、複数本の放電ランプを点灯させる、いわゆるマルチ
タイプの放電灯点灯装置においてもカタホリシスの検出
が可能になる。

【００５２】（第３の実施の形態）第１の実施の形態で
は、ランプ電圧Ｖｌａに基づいてカタホリシスを検出し
ていたが、本実施形態では放電ランプＬａの両端部の温
度差に基づいてカタホリシスを検出する例を示す。

【００５３】本実施形態では、図５に示すように、放電
ランプＬａの両フィラメントｆ１，ｆ２の一端をそれぞ
れコンデンサＣ３とインダクタＬ１とに接続しており、
出力トランスＴは設けていない。また、本実施形態にお
けるカタホリシス検出回路３は、放電ランプＬａの各一
端部の管壁温度を検出する２個の温度センサＴｘ，Ｔｙ
の出力からコンデンサＣ６，Ｃ７によってノイズ成分を
除去し、各温度センサＴｘ，Ｔｙの出力差を判定器ＣＰ
２に入力することで、カタホリシスの発生の有無を判定
している。温度センサＴｘ，Ｔｙには熱電対を用い、放
電ランプＬａとしてＦＨＦ３２を用いる場合には、各温
度センサＴｘ，Ｔｙをそれぞれ管端から等距離の位置
（管端から５ｃｍ程度離れた位置）に配置する。判定器
ＣＰ２は、たとえば差動増幅器と絶対値回路とコンパレ
ータとにより構成され、両温度センサＴｘ，Ｔｙの出力
の差を差動増幅器で求めた後、絶対値回路（ダイオード
ブリッジでもよい）によって無極性化し、絶対値回路の
出力をコンパレータで基準電圧と比較する。このような
構成により、両温度センサＴｘ，Ｔｙでの検出温度の温
度差を基準値と比較することになる。カタホリシスの発
生を抑制するように制御するには、両温度センサＴｘ，
Ｔｙで検出される温度の温度差が基準値である５℃以上
になると、カタホリシスが生じているものとして制御回
路２から出力される制御信号Ｈ０，Ｌ０を制御すればよ
い。カタホリシスの検出の有無に応じた制御信号Ｈ０，
Ｌ０の設定は第１の実施の形態と同様に行えばよい。

【００５４】本実施形態では、放電ランプＬａの両端部
の各１点のみで温度を検出しているが、複数点ずつの温
度を検出し、放電ランプＬａの各端部で検出した温度の
平均値を用いてカタホリシスの発生の有無を判定すれ
ば、カタホリシスの発生の有無の判定をより正確に行う
ことが可能になる。また、上述の例では温度差（温度セ
ンサＴｘ，Ｔｙの出力差）が基準値を超えるとカタホリ
シスが生じていると判断しているが、温度差の時間変化
（温度差の増加速度）を求め、温度差の増加速度が基準
値を超えるとカタホリシスが発生していると判断するよ
うにしてもよい。温度差の増加速度を検出するには、第
２の実施の形態と同様の構成を用いて、単位時間当たり
の温度差の変化を求めればよい。さらに、本実施形態で
は温度センサＴｘ，Ｔｙとして熱電対を用いているが、
他の温度センサを用いてもよく、また温度センサＴｘ，
Ｔｙは接触型でも非接触型でもよい。他の構成および動
作は第１の実施の形態と同様である。

【００５５】（第４の実施の形態）本実施形態は、カタ
ホリシス検出回路３によりカタホリシスの発生が検出さ
れたときに、スイッチング素子Ｑ１，Ｑ２のオンデュー
ティを変化させるのではなく、直流カット用のコンデン
サＣ３の一端部を整流器ＤＢの直流出力端の正極側に接
続する状態と負極側に接続する状態とを切り替えるよう
に構成したものである。したがって、図６に示すよう
に、コンデンサＣ３の一端は、スイッチ要素Ｓ１を介し
て整流器ＤＢの直流出力端の正極側に接続されるととも
に、スイッチ要素Ｓ２を介して整流器ＤＢの直流出力端
の負極側に接続される。つまり、２個のスイッチ要素Ｓ
１，Ｓ２からなる直列回路が整流器ＤＢの直流出力端間
に接続され、両スイッチ要素Ｓ１，Ｓ２の接続点とスイ
ッチング素子Ｑ１，Ｑ２の接続点との間に、コンデンサ
Ｃ３と出力トランスＴの１次巻線ｎ１とインダクタＬ１
との直列回路が接続される。また、スイッチ要素Ｓ１，
Ｓ２は択一的にオンになるように制御される。

【００５６】次に動作を説明する。いま、スイッチ要素
Ｓ１がオンであって放電ランプＬａが点灯しているとき
に、カタホリシス検出回路３によってカタホリシスの発
生が検出されたとすると、カタホリシス検出回路３では
スイッチ要素Ｓ１をオフにし同時にスイッチ要素Ｓ２を
オンにする。この動作によって、出力トランスＴの１次
巻線ｎ１への印加電圧の直流成分の極性が反転し、放電
ランプＬａの内部の電位勾配の傾きが逆向きになる。そ
の結果、放電ランプＬａの内部の水銀が逆方向に移動し
ようとしてカタホリシスが改善されることになる。ま
た、スイッチ要素Ｓ２がオンであるときに放電ランプＬ
ａにカタホリシスが生じたときには、スイッチ要素Ｓ２
をオフにすると同時にスイッチ要素Ｓ１をオンにする。
他の構成および動作は第１の実施の形態と同様である。

【００５７】なお、本実施形態の技術思想は、放電ラン
プＬａに対してカタホリシスを生じさせるような直流電
圧を印加する回路を持つ場合に適用可能である。つま
り、カタホリシスが生じたときに、直流電圧の印加方向
を逆転させることでカタホリシスを低減ないし改善する
ことができる。このような直流電圧を印加する回路構成
としては、放電ランプＬａの接続の有無を判別する回
路、放電ランプＬａの移動縞を低減させる回路などにお
いて従来より用いられたものがあり、この種の回路では
インバータ回路１の内部あるいは外部に直流電源を有し
ているから、この種の回路においても本実施形態の技術
思想を適用可能である。

【００５８】（第５の実施の形態）原理として説明した
ように、カタホリシスが生じる要因は、放電ランプＬａ
の内部に電位勾配が生じているときに、放電ランプＬａ
に封入された水銀イオンが負極側に偏在することにあ
る。この場合、水銀が飽和して液体水銀になり安定状態
のまま負極側となっている端部付近に滞在することもあ
る。つまり、カタホリシスを低減ないし改善するには、
水銀イオンの移動度を高めて水銀イオンの偏在を防止
し、放電ランプＬａ内部の全体に水銀イオンを拡散させ
ればよい。

【００５９】そこで、本実施形態では、放電ランプＬａ
においてカタホリシスが生じているときに、電位勾配の
負極側となっている端部付近を加熱することでカタホリ
シスを低減ないし改善する。電位勾配の負極側は第３の
実施の形態のように、放電ランプＬａの両端部の温度を
検出することによって推定することが可能である。ある
いはまた、放電ランプＬａの管端部の輝度を検出し、輝
度の高いほう（つまり、水銀蒸気圧の高いほう）を電位
勾配の負極側と判断してもよい。

【００６０】放電ランプＬａの端部を加熱するには、点
灯中においてフィラメントｆ１，ｆ２に常時流す予熱電
流を増大させる構成と、放電ランプＬａの管端部で放電
ランプＬａの外部にヒータのような加熱手段を設けて加
熱する構成とがある。すなわち、カタホリシスが生じて
負極側となっている管端部におけるフィラメントｆ１，
ｆ２に通電する予熱電流を常時より大きくしたり、その
管端部付近に設けた加熱手段で管端部を加熱することに
よって、管端部の温度を上昇させ、水銀の移動度を高
め、結果的にカタホリシスの発生を抑制するのである。

【００６１】ここにおいて、予熱電流を常時大きくして
おけばカタホリシスの発生を抑制することができるが、
フィラメントｆ１，ｆ２の発熱量が大きくなり、フィラ
メントｆ１，ｆ２に被着してあるエミッタ（電子放出物
質）の飛散を早めてランプ寿命が短くなるから好ましく
ないが、本実施形態ではカタホリシスが発生していると
きにのみフィラメントｆ１，ｆ２への通電電流を増加さ
せるから、ランプ寿命への影響を少なくしながらもカタ
ホリシスを改善することができる。他の構成よび動作は
第１の実施の形態と同様である。

【００６２】（第６の実施の形態）上述した各実施形態
は、放電ランプＬａとともに照明器具に組み込むことに
よって、照明器具内でカタホリシスを自動的に低減ない
し改善できるように構成してあるが、本実施形態では照
明器具に設けた放電ランプＬａにカタホリシスが発生し
たことをカタホリシス検出回路３が検知したときに、カ
タホリシス検出回路３から出力される検出信号を情報ネ
ットワークを介して管理装置に通知するようにしてい
る。

【００６３】情報ネットワークとしては、たとえばエシ
ュロン社のＬＯＮＷＯＲＫＳ（エシュロン社の商標）と
いうシステムを用いることが可能である。このシステム
を用いて情報ネットワークを構築する場合には、図７に
示すように、カタホリシス検出回路３で得られた検出信
号を専用チップを通してトランシーバ（図では、専用チ
ップとトランシーバとを専用アダプタＢとして示してい
る）に入力し、トランシーバを介して情報ネットワーク
の信号線Ｃに接続する。信号線Ｃには他の一般端末（一
般にはパーソナルコンピュータ）Ｄや検知用端末Ｅが接
続される。専用アダプタＢに用いている専用チップはマ
イコン（ネットワーク用プロセッサ）からなり、入力さ
れた信号の検出レベルを設定することが可能である。

【００６４】しかして、照明器具Ａにおいてカタホリシ
スが生じているか否かを、情報ネットワークを通して一
般端末Ｄや検知用端末Ｅを管理装置として監視すること
ができるから、多数の照明器具Ａについて集中監視が可
能になり、またカタホリシスが検出されたときに迅速な
対応が可能になる。上述したように、照明器具Ａではカ
タホリシスを自動的に低減ないし改善しているが、カタ
ホリシスが継続するような場合には人手による作業も必
要であり、このような場合の迅速な対応が可能である。
このような対応によって汎用性を高めることが可能にな
る。

【００６５】また、情報ネットワークに接続されている
一般端末Ｄなどを用いて照明器具Ａを制御可能にしてお
けば、カタホリシスが検出されたときに第４の実施の形
態ないし第５の実施の形態で説明した技術を適用するよ
うに制御信号を与えることも可能である。

【００６６】なお、上述した情報ネットワークの構成は
一例であって、専用線を用いたり、電力線を用いたり、
あるいはＴＣＰ／ＩＰを用いる情報ネットワークであっ
てもよい。他の構成および動作は第１の実施の形態と同
様である。

【００６７】

【発明の効果】請求項１の発明は、放電ガスが封入され
た放電ランプと、直流電圧を高周波電力に変換するとと
もに前記放電ランプに直流成分が重畳された高周波電圧
を印加して前記放電ランプを高周波点灯させるインバー
タ回路と、放電ランプに封入された放電ガスの状態を反
映する物理量に基づいてカタホリシスを検出するカタホ
リシス検出回路とを備えるものであり、放電ガスの状態
を反映する物理量をカタホリシスの検出に用いているこ
とによって、カタホリシスが生じているか否かを確実に
検出することが可能になる。

【００６８】請求項２の発明は、請求項１の発明におい
て、前記物理量がランプ電圧の交流成分であって、前記
カタホリシス検出回路ではランプ電圧の交流成分の低下
によりカタホリシスを検出するものであり、ランプ電圧
の交流成分は容易に抽出することができるから、カタホ
リシスの検出が容易かつ確実に行える。

【００６９】請求項３の発明は、請求項２の発明におい
て、前記カタホリシス検出回路では、ランプ電圧が基準
電圧を下回るときにカタホリシスが発生していると判断
するものであり、ランプ電圧を基準電圧と比較するだけ
であるから簡単な構成で実現することができる。

【００７０】請求項４の発明は、請求項２の発明におい
て、前記カタホリシス検出回路では、ランプ電圧の低下
速度が基準値を超えるときにカタホリシスが発生してい
ると判断するものであり、ランプ電圧の低下速度に基づ
いてカタホリシスを検出するから、カタホリシスの傾向
が現れた時点を検出することができ、カタホリシスを生
じさせないような制御も可能になる。

【００７１】請求項５の発明は、請求項１の発明におい
て、前記物理量がランプ電圧の交流成分および直流成分
を含む電圧であって、前記カタホリシス検出回路ではラ
ンプ電圧の交流成分および直流成分を含む電圧の低下を
検出するものであり、ランプ電圧の交流成分および直流
成分を含む電圧は容易に抽出することができるから、カ
タホリシスの検出が容易かつ確実に行える。

【００７２】請求項６の発明は、請求項１の発明におい
て、前記物理量が前記放電ランプにおいて両管端部の温
度差であって、前記カタホリシス検出回路では放電ラン
プの両管端部の温度を検出する温度センサの出力差の増
加によりカタホリシスを検出するものであり、放電ラン
プの管端の温度差は容易に検出することができるから、
カタホリシスの検出が容易かつ確実に行える。

【００７３】請求項７の発明は、請求項６の発明におい
て、前記カタホリシス検出回路では、前記温度センサの
出力差が基準値を超えるときにカタホリシスが発生して
いると判断するものであり、温度差を基準値と比較する
だけであるから簡単な構成で実現することができる。

【００７４】請求項８の発明は、請求項６の発明におい
て、前記カタホリシス検出回路では、前記温度センサの
出力差の増加速度が基準値を超えるときにカタホリシス
が発生していると判断するものであり、温度差の増加速
度に基づいてカタホリシスを検出するから、カタホリシ
スの傾向が現れた時点を検出することができ、カタホリ
シスを生じさせないような制御も可能になる。

【００７５】請求項９の発明は、請求項１ないし請求項
８の発明において、前記カタホリシス検出回路において
カタホリシスの発生を示す前記物理量の変化を検出する
とカタホリシスを抑制する方向に前記放電ランプの放電
ガスの分布をフィードバック制御するフィードバック手
段を設けたものであり、カタホリシス検出回路でのカタ
ホリシスの検出状態に応じて放電ガスの分布に関してフ
ィードバック制御するから、カタホリシスを確実に抑制
することができる。

【００７６】請求項１０の発明は、請求項９の発明にお
いて、前記フィードバック手段が、前記高周波電圧に重
畳されている直流成分をフィードバック制御するもので
あり、放電ランプの電位勾配を低減するようにフィード
バック制御することができカタホリシスを低減すること
ができる。

【００７７】請求項１１の発明は、請求項９の発明にお
いて、前記フィードバック手段が、前記放電ランプにお
いて他の部位よりも輝度の高い部位付近を加熱するよう
にフィードバック制御するものであり、放電ガスの移動
度を高めることでカタホリシスを低減することができ
る。

【００７８】請求項１２の発明は、請求項１ないし請求
項１１の発明において、前記カタホリシス検出回路の出
力情報を情報ネットワークを通して別装置に伝送するも
のであり、放電ランプにおいてカタホリシスが生じてい
るか否かを遠方で監視したり、カタホリシスに対する対
応を遠方から行うことが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示す回路図であ
る。

【図２】同上の動作説明図である。

【図３】本発明の第２の実施の形態に用いるカタホリシ
ス検出回路を示す要部回路図である。

【図４】同上の動作説明図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態を示す回路図であ
る。

【図６】本発明の第４の実施の形態を示す回路図であ
る。

【図７】本発明の第６の実施の形態を示すブロック図で
ある。

【図８】カタホリシスの発生原理を説明する図である。

【図９】輝度比とランプ電圧との関係を示すグラフ図で
ある。

【図１０】輝度比と放電ランプの両管端部の温度差との
関係を示すグラフ図である。

【図１１】放電ランプの管壁温度の変化を示すグラフ図
である。

【符号の説明】

１インバータ回路２制御回路３カタホリシス検出回路Ａ照明器具Ｂ専用アダプタＣ伝送線Ｄ一般端末Ｅ検知用端末Ｌａ放電ランプＴｘ，Ｔｙ温度センサ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山中幸男大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株式会社内Ｆターム(参考） 3K072 AA02 BB01 BC01 CA01 DB03 EB05 GA01 GB12 GC04 HA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】放電ガスが封入された放電ランプと、直
流電圧を高周波電力に変換するとともに前記放電ランプ
に直流成分が重畳された高周波電圧を印加して前記放電
ランプを高周波点灯させるインバータ回路と、放電ラン
プに封入された放電ガスの状態を反映する物理量に基づ
いてカタホリシスを検出するカタホリシス検出回路とを
備えることを特徴とする放電灯点灯装置。
【請求項２】前記物理量がランプ電圧の交流成分であ
って、前記カタホリシス検出回路ではランプ電圧の交流
成分の低下によりカタホリシスを検出することを特徴と
する請求項１記載の放電灯点灯装置。
【請求項３】前記カタホリシス検出回路では、ランプ
電圧が基準電圧を下回るときにカタホリシスが発生して
いると判断することを特徴とする請求項２記載の放電灯
点灯装置。
【請求項４】前記カタホリシス検出回路では、ランプ
電圧の低下速度が基準値を超えるときにカタホリシスが
発生していると判断することを特徴とする請求項２記載
の放電灯点灯装置。
【請求項５】前記物理量がランプ電圧の交流成分およ
び直流成分を含む電圧であって、前記カタホリシス検出
回路ではランプ電圧の交流成分および直流成分を含む電
圧の低下を検出することを特徴とする請求項１記載の放
電灯点灯装置。
【請求項６】前記物理量が前記放電ランプにおいて両
管端部の温度差であって、前記カタホリシス検出回路で
は放電ランプの両管端部の温度を検出する温度センサの
出力差の増加によりカタホリシスを検出することを特徴
とする請求項１記載の放電灯点灯装置。
【請求項７】前記カタホリシス検出回路では、前記温
度センサの出力差が基準値を超えるときにカタホリシス
が発生していると判断することを特徴とする請求項６記
載の放電灯点灯装置。
【請求項８】前記カタホリシス検出回路では、前記温
度センサの出力差の増加速度が基準値を超えるときにカ
タホリシスが発生していると判断することを特徴とする
請求項６記載の放電灯点灯装置。
【請求項９】前記カタホリシス検出回路においてカタ
ホリシスの発生を示す前記物理量の変化を検出するとカ
タホリシスを抑制する方向に前記放電ランプの放電ガス
の分布をフィードバック制御するフィードバック手段を
設けたことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいず
れか１項に記載の放電灯点灯装置。
【請求項１０】前記フィードバック手段が、前記高周
波電圧に重畳されている直流成分をフィードバック制御
することを特徴とする請求項９記載の放電灯点灯装置。
【請求項１１】前記フィードバック手段が、前記放電
ランプにおいて他の部位よりも輝度の高い部位付近を加
熱するようにフィードバック制御することを特徴とする
請求項９記載の放電灯点灯装置。
【請求項１２】前記カタホリシス検出回路の出力情報
を情報ネットワークを通して別装置に伝送することを特
徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記
載の放電灯点灯装置。