JP2001309690A - Drive device of electric load - Google Patents

Drive device of electric load

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JP2001309690A
JP2001309690A JP2000117909A JP2000117909A JP2001309690A JP 2001309690 A JP2001309690 A JP 2001309690A JP 2000117909 A JP2000117909 A JP 2000117909A JP 2000117909 A JP2000117909 A JP 2000117909A JP 2001309690 A JP2001309690 A JP 2001309690A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To contrive the small size and low cost of a heating element and contrive the small size and low cost of a whole device in the drive device of electric load provided with a plurality of the heating elements. SOLUTION: In an H bridge circuit for motor drive, low side transistors (FET) Tr3, Tr4 are approximated and mounted on a substrate 44, and a copper foil pattern for heat conduction PT is formed on the rear face of the substrate 44. When a motor is driven, any one of the transistors Tr3, Tr4 is always turned off, and the other is driven in duty. Heat generated from the radiation part of the transistor (drain terminal D3 or D4) during operation is conducted and absorbed to the radiation part of the transistor during non-operation through the insulator of the substrate 44 and a copper foil pattern PT well. Thereby since the temperature of the transistor is reduced during operation, the transistor of large on-resistance and small chip size can be used.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、モータ等の電気負
荷を駆動する駆動装置に関し、特に、複数の駆動素子を
用いた電気負荷の駆動装置に関する。
The present invention relates to a driving device for driving an electric load such as a motor, and more particularly to a driving device for an electric load using a plurality of driving elements.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、車両の各部に設けられた各種
スイッチやセンサ等からの情報をマイクロコンピュータ
に入力してその情報に基づく各種演算を行い、駆動装置
を介してモータ等の電気負荷を駆動することにより、車
両制御を行う電子制御装置が広く知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, information from various switches and sensors provided in various parts of a vehicle is input to a microcomputer and various calculations are performed based on the information. 2. Description of the Related Art An electronic control device that controls a vehicle by being driven has been widely known.

【0003】特に、近年の車両システムの急速な電子化
に伴い、内燃機関におけるスロットルバルブの開閉制御
やアイドル回転速度制御、或いは自動変速機のシフトレ
ンジ切換制御等の、モータを駆動して各種機構を操作す
るシステムが増加している。モータを駆動するための駆
動装置では、使用するモータの種類や制御方法などによ
って種々の駆動用回路が構成されるが、例えば、パワー
トランジスタ等の駆動素子を六個備え、これらをPWM
制御することにより交流モータへ三相交流を供給する駆
動回路や、駆動素子を四つ備え、これらの駆動素子をオ
ン・オフ制御することにより直流モータへの通電を制御
する、いわゆるHブリッジ回路、或いはステップモータ
の駆動回路などがよく知られている。
[0003] In particular, with the recent rapid computerization of vehicle systems, various mechanisms are driven by driving motors, such as opening and closing control of a throttle valve in an internal combustion engine, idle speed control, and shift range switching control of an automatic transmission. The systems that operate are increasing. In a driving device for driving a motor, various driving circuits are configured according to the type of the motor to be used and the control method. For example, six driving elements such as power transistors are provided, and these are driven by PWM.
A so-called H-bridge circuit, which includes a drive circuit that supplies three-phase alternating current to an AC motor by controlling it, and four drive elements, and controls energization of a DC motor by controlling on / off of these drive elements. Alternatively, a drive circuit of a step motor or the like is well known.

【0004】このようなモータ駆動回路では、複数の駆
動素子を順次通電(オン)したり、通電中の駆動素子の
デューティ比を調整することによって、モータの回転方
向や回転位置・トルク等を制御することができ、バルブ
の開度などの制御対象を適切に駆動・制御することがで
きる。
In such a motor drive circuit, the rotational direction, rotational position, torque, etc. of the motor are controlled by sequentially energizing (turning on) a plurality of drive elements or adjusting the duty ratio of the energized drive elements. Thus, a controlled object such as a valve opening can be appropriately driven and controlled.

【0005】パワートランジスタ等からなる駆動素子
は、通電により熱が発生しやすいため、駆動素子を選定
する際は、通常、駆動装置における動作条件(電流値、
通電時間、デューティ等)を考慮して、使用可能な範囲
内の電力損失を有する部品が適宜選定されることにな
る。また、駆動素子に放熱フィンを取り付けることによ
り、放熱性能を向上させて、ある程度電力損失の大きい
(即ち発熱量の大きい)駆動素子でも使えるようにする
方法も、一般によく行われている。
A drive element such as a power transistor easily generates heat when energized. Therefore, when selecting a drive element, the operating conditions (current value, current value,
A component having a power loss within a usable range is appropriately selected in consideration of the energization time, the duty, and the like. Also, a method of improving the heat radiation performance by attaching a radiation fin to the driving element so that the driving element can be used for a driving element having a large power loss (that is, a large amount of heat generation) is generally used.

【0006】ところで、近年では、上記のような装置筐
体などに放熱する放熱フィンを廃止し、例えば表面実装
部品や放熱板付素子などの、基板に放熱する小型の駆動
素子を採用して、基板への実装状態における放熱性能を
考慮した駆動素子の選定を行うことにより、装置全体の
小型化、低コスト化を可能としている。
In recent years, radiation fins that dissipate heat to the above-described device housing have been abolished, and small drive elements that dissipate heat to the substrate, such as surface-mounted components and elements with heat sinks, have been adopted. By selecting the drive element in consideration of the heat radiation performance in the state of being mounted on the device, the size and cost of the entire device can be reduced.

【0007】そしてこの場合、オン抵抗のより小さい
(換言すれば電力損失の少ない)駆動素子を用いれば、
更に駆動素子を小さくして装置を小型化することが可能
となる。即ち、素子が小さくなればその分放熱性能も悪
くなるため、素子のオン抵抗を小さくして発熱量を抑え
ることにより、放熱性能の低下をカバーしようとするも
のである。
In this case, if a driving element having a smaller on-resistance (in other words, a smaller power loss) is used,
Further, the size of the device can be reduced by reducing the size of the driving element. That is, the smaller the element, the worse the heat radiation performance. Therefore, the on-resistance of the element is reduced to suppress the amount of heat generation, thereby trying to cover the deterioration of the heat radiation performance.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにオン抵抗の小さい駆動素子を用いることにより、駆
動素子の小型化は可能になるものの、オン抵抗を小さく
するためには、内部のチップ(半導体チップ)サイズの
大きい駆動素子を使用する必要があり、そのため駆動素
子のコストはアップしてしまう。つまり、駆動素子全体
(パッケージ)の大きさは小さくできるが、その分、内
部のチップは大きくせざるを得なくなり、駆動素子の小
型化とコストダウンとが同時に達成できないのである。
However, by using such a driving element having a small on-resistance, it is possible to reduce the size of the driving element. However, in order to reduce the on-resistance, an internal chip (semiconductor) is required. It is necessary to use a drive element having a large chip size, which increases the cost of the drive element. That is, although the size of the entire drive element (package) can be reduced, the internal chip must be increased accordingly, and the reduction in size and cost of the drive element cannot be achieved at the same time.

【0009】このような問題を解決する方法として、例
えば、特表平6−507049号公報にて、装置筐体等
を利用して出力構成部材(発熱性部品)からの良好な放
熱を可能とする方法が開示されている。これは、具体的
には、基板外周部の両面に熱伝導性材料からなる被覆が
環状に形成されており、冷却フィンを備えた発熱性部品
は、その冷却フィンが基板外周部の被覆に熱的に接触す
るように配置されている。また、基板等を収納するケー
シング(装置筐体)も、基板外周部の被覆に熱的に接触
するように構成されており、これにより発熱性部品に別
途放熱用部品等を付加することなく、良好な放熱を実現
している。
As a method for solving such a problem, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Publication No. 6-507049 discloses that good heat radiation from an output component (heat-generating component) can be achieved by using an apparatus housing or the like. A method for doing so is disclosed. Specifically, heat-generating components provided with cooling fins are formed on the both sides of the outer peripheral portion of the substrate in a ring shape. They are arranged so that they come into contact with each other. Further, a casing (device housing) for accommodating the substrate and the like is also configured to be in thermal contact with the coating on the outer peripheral portion of the substrate, so that a heat-radiating component or the like is not separately added to the heat-generating component. Good heat dissipation is realized.

【0010】しかしながら、上記方法では、放熱性能は
良好になるものの、基板外周部に放熱のための被覆を設
ける必要があり、その分基板も大きくなってしまう。し
かも、複数の発熱性部品を全て基板外周部に環状に配置
するため、基板上における発熱性部品と外部入出力用端
子(コネクタ等)との距離も長くなり、太い配線パター
ンを長く形成せざるを得なくなる。
[0010] However, in the above method, although the heat radiation performance is improved, it is necessary to provide a coating for heat radiation on the outer peripheral portion of the substrate, and the substrate becomes correspondingly large. In addition, since all of the plurality of heat-generating components are arranged annularly on the outer periphery of the substrate, the distance between the heat-generating components and the external input / output terminals (such as connectors) on the substrate becomes longer, and a thick wiring pattern is not formed longer. Will not get.

【0011】そのため、部品は小型化できるものの、基
板が大きくなり、装置全体の大型化を招いて、結果とし
てコストアップしてしまう。また、基板上には、発熱性
部品の動作等を制御する制御回路も配置されるが、基板
外周部に配置された発熱性部品からコネクタまでの太い
配線パターンがこの制御回路近傍を通過することになる
ため、この配線パターンを流れる電流(例えば外部負荷
を駆動する電流)により配線パターン周囲に放射される
電磁ノイズに起因して、制御回路が誤動作するおそれも
ある。
As a result, although the components can be reduced in size, the size of the substrate is increased and the size of the entire device is increased, resulting in an increase in cost. A control circuit for controlling the operation of the heat-generating component is also provided on the board, but a thick wiring pattern from the heat-generating component disposed on the outer periphery of the board to the connector passes near the control circuit. Therefore, the control circuit may malfunction due to electromagnetic noise radiated around the wiring pattern by a current flowing through the wiring pattern (for example, a current for driving an external load).

【0012】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、複数の発熱素子を備えた電気負荷の駆動装置におい
て、発熱素子の小型化及び低コスト化を図ると共に、装
置全体の小型化及び低コスト化を図ることを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and in a driving apparatus for an electric load having a plurality of heating elements, the heating elements can be reduced in size and cost, and the entire apparatus can be reduced in size and cost. The purpose is to reduce costs.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段及び発明の効果】上記課題
を解決するためになされた請求項1記載の駆動装置は、
一つ又は複数の電気負荷への通電経路に設けられた複数
の発熱素子を有するものである。そして、複数の発熱素
子のうち、互いに連続的に通電されることのない少なく
とも二つの発熱素子は、基板上に近接して実装され、そ
の近接して実装された発熱素子の相互間には、熱伝導部
材が備えられている。
Means for Solving the Problems and Effects of the Invention The driving device according to claim 1 has been made to solve the above problems.
It has a plurality of heating elements provided in a current supply path to one or a plurality of electric loads. Then, among the plurality of heating elements, at least two heating elements that are not continuously energized with each other are mounted close to the substrate, and between the closely mounted heating elements, A heat conducting member is provided.

【0014】近接して実装された駆動素子は、共に連続
的に動作する(通電状態になる)ことはなく、どちらか
一方の発熱素子は動作しない(不通電状態になる)期間
が生じる。そこで、どちらか一方の発熱素子が動作して
いないときには、他方の動作中の発熱素子から発生する
熱を、熱伝導部材を介して、動作していない発熱素子に
吸収させることができるため、放熱性能が良好になり、
より多くの電流を駆動素子に流すことができる。これは
即ち、通電時の電力損失のより大きい(例えば素子サイ
ズの小さい)発熱素子を用いることができることにな
る。
The drive elements mounted close to each other do not operate continuously (become energized), and a period occurs in which one of the heating elements does not operate (becomes non-energized). Therefore, when one of the heating elements is not operating, the heat generated from the other operating heating element can be absorbed by the non-operating heating element via the heat conducting member. Performance is better,
More current can flow through the drive element. This means that it is possible to use a heating element having a larger power loss (for example, a smaller element size) during energization.

【0015】従って、請求項1記載の発明によれば、動
作中の発熱素子が発生する熱を、近接して実装された発
熱素子が動作していないときにその非動作中の発熱素子
に吸収させることができるため、発熱素子を小型化して
そのコストを低減することが可能となる。またこれによ
り、装置全体の小型化及び低コスト化も可能となる。
Therefore, according to the first aspect of the present invention, the heat generated by the operating heating element is absorbed by the non-operating heating element when the adjacently mounted heating element is not operating. Therefore, it is possible to reduce the size of the heating element and reduce its cost. This also makes it possible to reduce the size and cost of the entire apparatus.

【0016】尚、発熱素子は、例えばパワートランジス
タ等の能動素子や、或いは抵抗やソレノイド等の受動素
子であってもよく、近接実装された発熱素子が連続的に
動作することはなく、しかも相互に熱を吸収できるもの
であれば何でもよい。また、ここでいう「連続的に通電
されることのない」とは、電気負荷の駆動中に必ずしも
どちらか一方の発熱素子が通電されない状態になければ
ならないというわけではなく、例えば、一方の発熱素子
が常時通電状態であって、他方の発熱素子への通電がデ
ューティ制御されている場合であってもよい。つまり、
電気負荷への通電中に、どちらか一方に通電されない期
間があって、その期間を利用して、動作中の発熱素子の
発熱を動作していない発熱素子に吸収できるものであれ
ばよい。
The heating element may be, for example, an active element such as a power transistor, or a passive element such as a resistor or a solenoid. The heating elements mounted close to each other do not operate continuously. Anything that can absorb heat can be used. In addition, the term “not continuously energized” as used herein does not necessarily mean that one of the heating elements must not be in an energized state during driving of the electric load. The case where the element is always in the energized state and the energization to the other heating element is duty-controlled. That is,
There is a period during which power is not supplied to one of the electric loads while the electric load is being supplied to the electric load. Any period may be used as long as heat generated by the operating heating element can be absorbed by the non-operating heating element.

【0017】ここで、熱伝導部材としては、例えば請求
項2に記載したように、基板上に形成された配線パター
ンを用いるようにしてもよい。ここでいう配線パターン
とは、例えば基板上に電気伝導のために形成される周知
の銅箔パターンやスルーホールなど、発熱素子を実装す
る基板上に形成される導電性金属をいう。このようにす
れば、熱伝導のためだけに別途新たな部品等を設けるこ
となく、基板上の配線パターンを有効に利用して熱伝導
部材として利用できるため、駆動装置をより小型化、低
コスト化することができる。
Here, as the heat conduction member, for example, a wiring pattern formed on a substrate may be used. Here, the wiring pattern refers to a conductive metal formed on the substrate on which the heating element is mounted, such as a well-known copper foil pattern or through hole formed on the substrate for electric conduction. With this configuration, the wiring pattern on the substrate can be effectively used as a heat conducting member without providing a new component only for heat conduction, so that the driving device can be further reduced in size and cost can be reduced. Can be

【0018】また、既述のように、本発明は抵抗やパワ
ートランジスタなど、あらゆる発熱素子に適用すること
ができるが、請求項3に記載したように、電気負荷の通
電経路を導通・遮断するスイッチング素子である場合に
適用するとより効果的である。即ち、例えばパワートラ
ンジスタなどのスイッチング素子は、電気負荷への通電
電流を導通・遮断するものであり、その通電電流の量
も、電気負荷を駆動するために必要な比較的大きな電流
であるから、通電時にスイッチング素子から発生する熱
の量も多い。そのため、連続的に通電されることのない
複数のスイッチング素子を熱伝導部材を介して近接実装
することにより、発熱量の大きいスイッチング素子の小
型化も可能となる。
Further, as described above, the present invention can be applied to any heating element such as a resistor and a power transistor. However, as described in claim 3, the conduction path of the electric load is turned on / off. It is more effective when applied to a switching element. That is, for example, a switching element such as a power transistor conducts and cuts off a current supplied to an electric load, and the amount of the supplied current is also a relatively large current necessary for driving the electric load. A large amount of heat is generated from the switching element when energized. Therefore, by mounting a plurality of switching elements that are not continuously energized close to each other via the heat conductive member, it is possible to reduce the size of the switching element that generates a large amount of heat.

【0019】さらに、基板上に近接して実装される複数
の発熱素子は、請求項4に記載したように、基板の表裏
面に基板を挟むように実装してもよい。このようにすれ
ば、熱伝導部材を別途設ける必要がなく、しかも、基板
において、表裏面に実装された発熱素子が挟む部分で熱
の伝導を行うことができる。つまり、基板上の同一面に
近接して配置する場合に比べ、基板を介して直接かつ面
的に熱が伝導でき、より放熱効果が高まる。そのため、
発熱素子をより小型化できるのに加え、表裏面に実装す
ることで基板上の実装面積も小さくできるため、駆動装
置全体をより小型化することが可能となる。
Further, the plurality of heating elements mounted close to the substrate may be mounted so that the substrate is sandwiched between the front and back surfaces of the substrate. With this configuration, it is not necessary to separately provide a heat conduction member, and heat can be conducted at a portion of the substrate between the heating elements mounted on the front and back surfaces. That is, heat can be directly and planarly transmitted through the substrate, and the heat radiation effect is further enhanced, as compared with the case where the substrate is arranged close to the same surface on the substrate. for that reason,
In addition to the downsizing of the heating element, the mounting area on the substrate can be reduced by mounting on the front and back surfaces, so that the entire driving device can be further downsized.

【0020】尚、表裏面に実装される発熱素子の相対的
な位置関係は、良好な熱伝導性を考慮すれば、基板の同
一位置における表裏面に実装される(つまり、発熱素子
が基板を挟んで相互に完全に対向するように実装され
る)のが望ましいが、必ずしも基板の同一位置の表裏面
に完全に実装される必要はなく、基板において、発熱素
子で挟まれている部分が少しでも存在するように実装さ
れていればよい。
The relative positional relationship between the heating elements mounted on the front and back surfaces is such that, in consideration of good thermal conductivity, the heating elements are mounted on the front and back surfaces at the same position on the board (that is, the heating elements are mounted on the board). It is desirable that they are completely mounted on the front and back surfaces of the board at the same position, but it is not necessary to completely mount them on the board. However, it is sufficient if it is implemented so that it exists.

【0021】ここで、請求項1〜4記載の発明は、請求
項5に記載したように、発熱素子として四つのスイッチ
ング素子を備え、その四つのスイッチング素子にて構成
されたHブリッジ回路により、電気負荷としての一つの
モータへの通電方向を制御可能な駆動装置に適用するこ
とができる。そして、四つのスイッチング素子のうち、
互いに連続的に通電されることのない二つのスイッチン
グ素子を、相互に近接するように実装する。
Here, the invention according to claims 1 to 4 includes, as described in claim 5, four switching elements as heating elements, and an H bridge circuit composed of the four switching elements. The present invention can be applied to a drive device capable of controlling the direction of current supply to one motor as an electric load. And, of the four switching elements,
Two switching elements that are not continuously energized are mounted close to each other.

【0022】通常、Hブリッジ回路によるモータ駆動の
際は、四つのスイッチング素子のオン・オフを適切に制
御することにより、モータへの通電方向を制御する。そ
のため、モータ駆動の際に四つのスイッチング素子が全
て同時にオンになることはない。そこで、四つのスイッ
チング素子のうち、互いに連続的に通電されることのな
い二つのスイッチング素子を、相互に近接するように実
装すれば、動作中のスイッチング素子の発熱を、近接実
装された他方のスイッチング素子に吸収させることがで
きる。
Normally, when the motor is driven by the H-bridge circuit, the direction of power supply to the motor is controlled by appropriately controlling the on / off of the four switching elements. Therefore, all four switching elements are not turned on at the same time when the motor is driven. Therefore, if two of the four switching elements, which are not continuously energized, are mounted so as to be close to each other, the heat generated by the switching element during operation is reduced by the other of the closely mounted switching elements. It can be absorbed by the switching element.

【0023】従って、スイッチング素子の数が多い(四
つ)Hブリッジ回路に対して、本発明(請求項1〜4)
を適用すると、四つのスイッチング素子を小型化して、
モータの駆動装置をより小型化・低コスト化することが
できため、より効果的である。
Therefore, the present invention is applied to an H bridge circuit having a large number (four) of switching elements (claims 1 to 4).
When applying, the four switching elements are reduced in size,
This is more effective because the motor drive device can be reduced in size and cost.

【0024】ところで、Hブリッジ回路にてモータを駆
動する場合、例えば、電源の正極又は負極のいずれか一
方の極性側に接続された二つのスイッチング素子を通電
方向選択用(方向選択サイド)に用い、他方の極性に接
続された二つのスイッチング素子を通電制御用(通電制
御サイド)に用いるのが一般的である。
When the motor is driven by the H-bridge circuit, for example, two switching elements connected to one of the positive and negative polarities of the power supply are used to select the direction of conduction (direction selection side). In general, two switching elements connected to the other polarity are used for energization control (energization control side).

【0025】つまり、例えば、方向選択サイドの二つの
スイッチング素子のうちのいずれか一方のスイッチング
素子を常時オンとし、通電制御サイドの二つのスイッチ
ング素子のうちいずれか一方のスイッチング素子を常時
オフとすることにより、モータへの通電方向を決める。
そして、方向選択サイドにおける他方のスイッチング素
子(方向選択サイド駆動素子)をオフにし、通電制御サ
イドにおける他方の素子(通電制御サイド駆動素子)を
オンにしたとき、モータへの通電が行われる。
That is, for example, one of the two switching elements on the direction selection side is always turned on, and one of the two switching elements on the conduction control side is always turned off. This determines the direction of power supply to the motor.
Then, when the other switching element (direction selection side drive element) on the direction selection side is turned off and the other element (current control side drive element) on the conduction control side is turned on, power is supplied to the motor.

【0026】モータへの通電電流量を制御するために
は、例えば通電制御サイド駆動素子をデューティ制御す
ればよいが、通電制御サイド駆動素子をオフにして非通
電状態にしても、モータに蓄えられた磁気エネルギ(消
弧エネルギ)により、モータを流れる電流はすぐにはゼ
ロにならない。そのため、例えば、通電制御サイド駆動
素子をオフにするのと同時に方向選択サイド側でオフに
していたスイッチング素子をオンにすることにより、方
向選択サイドの二つのスイッチング素子とモータとで、
環流回路が形成され、これによりモータの磁気エネルギ
を消費させて電流をゼロにすることができる。
In order to control the amount of current supplied to the motor, for example, duty control may be performed on the energization control side drive element. Due to the generated magnetic energy (arcing energy), the current flowing through the motor does not immediately become zero. Therefore, for example, by turning on the switching element that was turned off on the direction selection side at the same time as turning off the energization control side drive element, the two switching elements on the direction selection side and the motor
A free-wheeling circuit is formed, which can consume the magnetic energy of the motor and reduce the current to zero.

【0027】つまりこの場合、モータへの通電オフ時の
消弧エネルギーを方向選択サイドにて消費させることに
なり、方向選択サイドの二つのスイッチング素子は、共
に同時に電流が流れる期間が存在するが、通電制御サイ
ドの二つのスイッチング素子には、共に同時に電流が流
れる期間は存在しない。
In other words, in this case, the arc-quenching energy when the power supply to the motor is turned off is consumed on the direction selection side, and the two switching elements on the direction selection side both have a period in which current flows at the same time. In the two switching elements on the conduction control side, there is no period in which current flows at the same time.

【0028】そこで、請求項5に記載したHブリッジ回
路にてモータを駆動する駆動装置においては、請求項6
に記載したように、モータの電源の正極又は負極のいず
れか一方の極性側に接続されている二つのスイッチング
素子であって、しかもモータ通電時には通電電流の方向
や大きさを制御するために、一方は常にオフしていて他
方がデューティ制御されるものである場合に、その二つ
のスイッチング素子を近接して実装すると、特に効果的
である。
Therefore, in the driving device for driving the motor by the H-bridge circuit according to the fifth aspect,
As described in, two switching elements connected to either the positive or negative polarity of the power supply of the motor, and in order to control the direction and magnitude of the current when the motor is energized, When one is always off and the other is duty-controlled, it is particularly effective to mount the two switching elements in close proximity.

【0029】このようにすれば、近接して実装した二つ
のスイッチング素子のうちいずれか一方のスイッチング
素子は必ずオフになっており、共に同時に通電される期
間がないため、放熱がより良好に行われる。なおこの場
合、同時にオンする期間を有するスイッチング素子を近
接して実装しても、本発明の効果はあるが、同時に通電
される期間があることから、請求項6記載の発明に比べ
ると、放熱性能は若干悪くなる。
In this way, one of the two switching elements mounted close to each other is always turned off, and there is no period in which both are energized at the same time. Will be In this case, the effect of the present invention can be obtained even if switching elements having a period during which they are simultaneously turned on are mounted close to each other. Performance will be slightly worse.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
を図面に基づいて説明する。 [第1実施形態]図1は、本発明が適用された車両のス
ロットル制御システムの構成を表す概略構成図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. [First Embodiment] FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing the configuration of a throttle control system for a vehicle to which the present invention is applied.

【0031】図1に示すように、本実施形態のスロット
ル制御装置は、吸入空気管7内を内燃機関9に向かって
流れる空気流量を調節するためのスロットルバルブ1
と、スロットルバルブ1の回転軸に連結され、スロット
ルバルブ1を回転させるためのモータ2と、スロットル
バルブ1の開度を検出するために図示しないスロットル
ボディに取り付けられ、スロットルバルブ1と連動して
スロットル開度に比例した電圧を出力するスロットル開
度センサ3と、運転者によるアクセルペダル8の操作量
を検出し、その操作量に比例した電圧を出力するペダル
位置センサ4と、スロットル開度センサ3及びペダル位
置センサ4からの信号(出力電圧)を入力し、これらの
入力信号に応じて、スロットルバルブ1の開度を所望の
開度に制御するためにモータ2への通電制御を行う電子
制御装置5と、車両に搭載され、モータ2へ電力を供給
するためのバッテリ6と、バッテリ6から電子制御装置
5への通電経路を導通・遮断するためのイグニションス
イッチ7とから構成される。尚、モータ2は、通電方向
により回転方向が、通電電流量により回転トルクが制御
される周知の直流モータである。
As shown in FIG. 1, the throttle control device according to the present embodiment includes a throttle valve 1 for adjusting a flow rate of air flowing through an intake air pipe 7 toward an internal combustion engine 9.
And a motor 2 for rotating the throttle valve 1, which is connected to a rotation shaft of the throttle valve 1, and attached to a throttle body (not shown) for detecting the opening of the throttle valve 1. A throttle opening sensor 3 for outputting a voltage proportional to the throttle opening, a pedal position sensor 4 for detecting an operation amount of the accelerator pedal 8 by the driver and outputting a voltage proportional to the operation amount, and a throttle opening sensor 3 and a signal (output voltage) from the pedal position sensor 4, and in accordance with these input signals, an electronic controller for controlling the energization of the motor 2 in order to control the opening of the throttle valve 1 to a desired opening. A control device 5, a battery 6 mounted on the vehicle to supply power to the motor 2, and an energization path from the battery 6 to the electronic control device 5 Composed of the ignition switch 7 for for passing or blocking. The motor 2 is a well-known DC motor in which the rotation direction is controlled by the energization direction and the rotation torque is controlled by the amount of current.

【0032】電子制御装置5は、主としてマイクロコン
ピュータ(以下、単に「マイコン」と称す)11と、モ
ータ駆動回路12と、電流検出回路13とで構成される
ものであり、その詳細を図2に示す。マイコン11は、
CPU、ROM、RAM、I/O、バスライン等を備え
た周知のものである。マイコン11には、スロットル開
度センサ3からの出力電圧が抵抗R1、R2にて分圧さ
れた上で入力され、ペダル位置センサ4からの出力電圧
が抵抗R3、R4にて分圧された上で入力され、電流検
出回路13からの出力電圧が抵抗R5、R6にて分圧さ
れた上で入力される。そして、これらの各入力信号(電
圧)に基づき、モータ2への通電を制御するための制御
信号を、モータ駆動回路12内の駆動ロジック部21へ
出力する。
The electronic control unit 5 is mainly composed of a microcomputer (hereinafter simply referred to as "microcomputer") 11, a motor drive circuit 12, and a current detection circuit 13, the details of which are shown in FIG. Show. The microcomputer 11
It is a well-known device having a CPU, a ROM, a RAM, an I / O, a bus line, and the like. The microcomputer 11 inputs the output voltage from the throttle opening sensor 3 after being divided by the resistors R1 and R2, and the output voltage from the pedal position sensor 4 is divided by the resistors R3 and R4. And the output voltage from the current detection circuit 13 is input after being divided by the resistors R5 and R6. Then, based on these input signals (voltages), a control signal for controlling energization to the motor 2 is output to the drive logic unit 21 in the motor drive circuit 12.

【0033】尚、図示はしないものの、マイコン11に
は上記入力電圧のほか、エンジン回転数や冷却水温度、
吸気・排気温度、バッテリ電圧等の各種信号も入力さ
れ、これら各種入力信号に基づいて、車両各部の制御
(例えば点火時期制御やアイドル回転数制御など)が行
われている。また、マイコン11の動作用の電力も、バ
ッテリ6からイグニションスイッチ7を介して供給され
ている。
Although not shown, the microcomputer 11 supplies the input voltage, the engine speed, the cooling water temperature,
Various signals such as intake / exhaust temperature and battery voltage are also input, and control of each part of the vehicle (for example, ignition timing control and idle speed control) is performed based on these various input signals. The power for operating the microcomputer 11 is also supplied from the battery 6 via the ignition switch 7.

【0034】モータ駆動回路12には、四個のNチャネ
ルMOS型FET(電界効果トランジスタ、以下単に
「トランジスタ」と称す)Tr1、Tr2、Tr3、T
r4からなるHブリッジ回路が備えられている。具体的
には、トランジスタTr1及びTr2(ハイサイド側の
トランジスタ)のドレインがイグニションスイッチ7を
介してバッテリ6の正極側に接続され、トランジスタT
r3及びTr4(ローサイド側のトランジスタ)のソー
スが電流検出回路13内の抵抗R11を介してバッテリ
6の負極側と同電位の電源ライン(グランドライン)に
接続されている。尚、この四つのトランジスタTr1〜
Tr4は、本発明の発熱素子としてのスイッチング素子
に相当するものである。
The motor drive circuit 12 includes four N-channel MOS type FETs (field effect transistors, hereinafter simply referred to as "transistors") Tr1, Tr2, Tr3, T
An H-bridge circuit composed of r4 is provided. Specifically, the drains of the transistors Tr1 and Tr2 (high-side transistors) are connected to the positive electrode side of the battery 6 through an ignition switch 7, and
The sources of r3 and Tr4 (low-side transistors) are connected to a power supply line (ground line) at the same potential as the negative electrode side of the battery 6 via a resistor R11 in the current detection circuit 13. The four transistors Tr1 to Tr1
Tr4 corresponds to a switching element as a heating element of the present invention.

【0035】そして、トランジスタTr2のソースはト
ランジスタTr3のドレインと接続されると共にその接
続点Aはモータ2の一端に接続され、トランジスタTr
1のソースはトランジスタTr4のドレインと接続され
ると共にその接続点Bはモータ2の他端に接続されてい
る。尚、モータ2は、実際には図1に示したようにスロ
ットルバルブ1近傍に設けられているものであるが、図
2においては、説明の明瞭化のためモータ駆動回路12
の中にモータ2を併せて記載した。
The source of the transistor Tr2 is connected to the drain of the transistor Tr3, and the connection point A is connected to one end of the motor 2, and the transistor Tr2
The source 1 is connected to the drain of the transistor Tr4, and the connection point B is connected to the other end of the motor 2. Although the motor 2 is actually provided near the throttle valve 1 as shown in FIG. 1, in FIG.
Are described together with the motor 2.

【0036】このようなHブリッジ回路では、全てのト
ランジスタTr1、Tr2、Tr3、Tr4がオフ状態
であるときに、ハイサイド側のトランジスタTr1とロ
ーサイド側のトランジスタTr3とを同時にオンすれ
ば、モータ2に対して接続点Bから接続点Aに電流が流
れて、モータ2を、スロットルバルブ1を閉じる方向に
回転(閉回転)させることができる。逆に、ハイサイド
側のトランジスタTr2とローサイド側のトランジスタ
Tr4とを同時にオンすれば、モータ2に対して接続点
Aから接続点Bに電流が流れて、モータ2を、スロット
ルバルブ1を開く方向に回転(開回転)させることがで
きる。
In such an H-bridge circuit, when all of the transistors Tr1, Tr2, Tr3 and Tr4 are in the off state, if the high-side transistor Tr1 and the low-side transistor Tr3 are simultaneously turned on, the motor 2 Current flows from the connection point B to the connection point A, whereby the motor 2 can be rotated (closed rotation) in the direction in which the throttle valve 1 is closed. Conversely, if the high-side transistor Tr2 and the low-side transistor Tr4 are turned on at the same time, a current flows from the connection point A to the connection point B with respect to the motor 2 to move the motor 2 in a direction to open the throttle valve 1. (Open rotation).

【0037】また、モータ2の回転位置(延いてはスロ
ットルバルブ1の開度)を制御するには、モータ2を流
れる電流Imを制御すればよいため、本実施形態におけ
るモータ2の駆動制御は、例えばモータ2を閉回転させ
る場合は、ハイサイド側のトランジスタTr1をオン状
態、ローサイド側のトランジスタTr4をオフ状態にそ
れぞれ保持し、ローサイド側のトランジスタTr3とハ
イサイド側のトランジスタTr2とのオン・オフ状態を
交互に切り換えることにより行われる。
In order to control the rotational position of the motor 2 (and thus the opening of the throttle valve 1), the current Im flowing through the motor 2 may be controlled. For example, when the motor 2 is to be closed and rotated, the high-side transistor Tr1 is kept in the on state, the low-side transistor Tr4 is kept in the off state, and the low-side transistor Tr3 and the high-side transistor Tr2 are turned on and off. This is performed by alternately switching off states.

【0038】つまり、NチャネルのトランジスタTr
1、Tr2、Tr3、Tr4はいずれも、ゲートに入力
される駆動信号O1、O2、O3、O4がHighレベ
ル(以下「Hレベル」と称す)である時にオン状態とな
るため、本実施形態では、図3に示す如く、閉回転時
は、トランジスタTr1の駆動信号O1をHレベルに、
トランジスタTr4の駆動信号O4をLowレベル(以
下「Lレベル」と称す)に保持することにより、トラン
ジスタTr1をオン状態、トランジスタTr4をオフ状
態にする。そして、トランジスタTr2、Tr3には、
目標スロットル開度に応じてデューティ制御した、相互
に異なるレベルの駆動信号O2、O3を入力することに
より、トランジスタTr2,Tr3のオン・オフ状態を
交互に反転(デューティ駆動)させる。
That is, the N-channel transistor Tr
1, Tr2, Tr3, and Tr4 are turned on when the drive signals O1, O2, O3, and O4 input to the gates are at a high level (hereinafter, referred to as "H level"). As shown in FIG. 3, during the closed rotation, the drive signal O1 of the transistor Tr1 is set to the H level,
By holding the drive signal O4 of the transistor Tr4 at a low level (hereinafter, referred to as “L level”), the transistor Tr1 is turned on and the transistor Tr4 is turned off. Then, the transistors Tr2 and Tr3 include:
By inputting drive signals O2 and O3 of different levels, which are duty-controlled in accordance with the target throttle opening, the on / off states of the transistors Tr2 and Tr3 are alternately inverted (duty drive).

【0039】この結果、駆動信号O2がLレベル、駆動
信号O3がHレベルとなって、トランジスタTr2がオ
フ、トランジスタTr3がオン状態となったときには、
モータ電流Imがマイナス方向に上昇(つまり、接続点
Bから接続点Aへ流れる電流が上昇)する。そして、駆
動信号O2がHレベル、駆動信号O3がLレベルとなっ
て、トランジスタTr2がオン、トランジスタTr3が
オフ状態となったときには、モータ2に蓄積された磁気
エネルギ(消弧エネルギ)により、トランジスタTr
1、Tr2、モータ2によりハイサイド側に形成される
閉回路(環流回路)に環流電流が流れて、モータ電流I
mは減衰する。
As a result, when the drive signal O2 goes low and the drive signal O3 goes high, the transistor Tr2 is turned off and the transistor Tr3 is turned on.
The motor current Im increases in the negative direction (that is, the current flowing from the connection point B to the connection point A increases). When the drive signal O2 is at the H level and the drive signal O3 is at the L level and the transistor Tr2 is turned on and the transistor Tr3 is turned off, the magnetic energy (arc extinguishing energy) accumulated in the motor 2 causes the transistor Tr2 to turn off. Tr
1, Tr2 and the motor 2 cause a circulating current to flow through a closed circuit (a circulating circuit) formed on the high side, and the motor current I
m decays.

【0040】一方、モータ2を開回転させる場合も、図
3に示す如く、トランジスタTr2の駆動信号O2をH
レベルに、トランジスタTr3の駆動信号O3をLレベ
ルに保持することにより、トランジスタTr2をオン状
態、トランジスタTr3をオフ状態にする。そして、ト
ランジスタTr1、Tr4には、目標スロットル開度に
応じてデューティ制御した、相互に異なるレベルの駆動
信号O1、O4を入力することにより、トランジスタT
r1,Tr4のオン・オフ状態を交互に反転(デューテ
ィ駆動)させる。
On the other hand, when the motor 2 is opened, the drive signal O2 of the transistor Tr2 is set to H level as shown in FIG.
By keeping the drive signal O3 of the transistor Tr3 at the L level, the transistor Tr2 is turned on and the transistor Tr3 is turned off. By inputting drive signals O1 and O4 of different levels, duty-controlled according to the target throttle opening, to the transistors Tr1 and Tr4,
The on / off states of r1 and Tr4 are alternately reversed (duty drive).

【0041】この結果、駆動信号O1がLレベル、駆動
信号O4がHレベルとなって、トランジスタTr1がオ
フ、トランジスタTr4がオン状態となったときには、
モータ電流Imが上昇する。そして、駆動信号O1がH
レベル、駆動信号O4がLレベルとなって、トランジス
タTr1がオン、トランジスタTr4がオフ状態となっ
たときには、モータ2に蓄積された磁気エネルギ(消弧
エネルギ)により、トランジスタTr1、Tr2、モー
タ2で形成される環流回路に環流電流が流れて、モータ
電流Imはやはり減衰する。
As a result, when the drive signal O1 goes low and the drive signal O4 goes high, the transistor Tr1 is turned off and the transistor Tr4 is turned on.
The motor current Im increases. Then, the drive signal O1 becomes H
When the transistor Tr1 is turned on and the transistor Tr4 is turned off when the level and the drive signal O4 become L level, the transistors Tr1, Tr2 and the motor 2 are driven by the magnetic energy (arc extinguishing energy) accumulated in the motor 2. A circulating current flows through the formed circulating circuit, and the motor current Im also attenuates.

【0042】つまり、ハイサイド側の二つのトランジス
タTr1,Tr2を、通電方向選択用として使用し、ロ
ーサイド側の二つのトランジスタTr3,Tr4を、通
電時間制御用として使用する。そして、閉回転・開回転
いずれの場合にも、モータ2には、トランジスタTr3
(閉回転時)又はトランジスタTr4(開回転時)のオ
ン/オフ時間の比率(デューティ比)に応じたトルクが
発生し、スロットルバルブ1の開度を所望の位置に回転
させる。
That is, the two transistors Tr1 and Tr2 on the high side are used for selecting the energizing direction, and the two transistors Tr3 and Tr4 on the low side are used for controlling the energizing time. In both cases of the closed rotation and the open rotation, the motor 2 includes the transistor Tr3
A torque corresponding to the on / off time ratio (duty ratio) of the transistor Tr4 (during open rotation) or the transistor Tr4 (during open rotation) is generated, and the opening of the throttle valve 1 is rotated to a desired position.

【0043】駆動ロジック部21は、マイコン11から
の制御信号に基づき、各トランジスタTr1〜Tr4を
オン・オフ制御するための信号(例えば、5VのHレベ
ル信号又は0VのLレベル信号)を、各プリドライバ2
2a、22b、22c、22dに出力する。そして、各
プリドライバ22a、22b、22c、22dにて、駆
動ロジック部21からの出力信号を、各トランジスタT
r1〜Tr4を実際に駆動しうるだけの電圧(例えば、
12V若しくは20V(ハイサイド側トランジスタ駆動
時)のHレベル信号、又は0VのLレベル信号)にレベ
ルアップさせ、駆動信号O1〜O4としてそれぞれ各ト
ランジスタTr1〜Tr4へ出力する。
The drive logic unit 21 outputs a signal (for example, an H level signal of 5 V or an L level signal of 0 V) for turning on / off each of the transistors Tr 1 to Tr 4 based on a control signal from the microcomputer 11. Pre-driver 2
2a, 22b, 22c and 22d. The pre-drivers 22a, 22b, 22c, and 22d output signals from the driving logic unit 21 to the respective transistors T.
r1 to Tr4 are voltages that can actually be driven (for example,
The level is raised to an H level signal of 12 V or 20 V (when driving the high side transistor) or an L level signal of 0 V) and output to the transistors Tr1 to Tr4 as drive signals O1 to O4, respectively.

【0044】また、電流検出回路13は、オペアンプ1
3aと、抵抗R7〜R11にて構成され、モータ2の通
電経路に直列に挿入された抵抗R11の両端の電圧に基
づき、モータ2或いはこれを駆動させるためのHブリッ
ジ回路等の異常(断線・短絡)を検出するものである。
この電流検出回路13からの出力(異常検出信号)は、
駆動ロジック部21に入力され、駆動ロジック部21
は、モータ2に流れる電流が所定の上限値を超えた場合
にはモータ電流を抑制するように各トランジスタTr1
〜Tr4を制御する。また、電流検出回路13からの出
力は、抵抗R5及びR6にて分圧された上でマイコン1
1にも入力され、異常時には、マイコン11は、異常が
生じたことをダイアグノーシスコードとして記憶し、運
転室内のインパネに設けられた警告灯(図示せず)を点
灯させて異常の発生を運転者にも報知する。
Further, the current detection circuit 13 includes the operational amplifier 1
3a and the resistors R7 to R11. Based on the voltage across the resistor R11 inserted in series in the energizing path of the motor 2, the motor 2 or an abnormality in the H-bridge circuit for driving the motor 2 (disconnection, Short circuit).
The output (abnormality detection signal) from the current detection circuit 13 is
The input to the drive logic unit 21 and the drive logic unit 21
Is such that when the current flowing through the motor 2 exceeds a predetermined upper limit, each transistor Tr1
To Tr4. The output from the current detection circuit 13 is divided by resistors R5 and R6,
When an abnormality occurs, the microcomputer 11 stores the occurrence of the abnormality as a diagnosis code and turns on a warning light (not shown) provided on an instrument panel in the cab to drive the occurrence of the abnormality. Also inform others.

【0045】ところで、本実施形態のモータ駆動回路1
2のように、四個のトランジスタTr1〜Tr4をオン
・オフ制御することによりモータ2への通電を制御する
場合、各トランジスタTr1〜Tr4の通電時(オン
時)には、各トランジスタのオン抵抗により素子内部に
電力損失が生じ、これに起因して熱が発生する。そのた
め、通電時に各トランジスタTr1〜Tr4で発生する
熱を、外部に適切に放出する必要がある。
Incidentally, the motor drive circuit 1 of the present embodiment
When the energization of the motor 2 is controlled by turning on and off the four transistors Tr1 to Tr4 as shown in FIG. 2, when the transistors Tr1 to Tr4 are energized (on), the on-resistance of each transistor Tr1 to Tr4 is controlled. As a result, a power loss occurs inside the element, and as a result, heat is generated. Therefore, it is necessary to appropriately release the heat generated in each of the transistors Tr1 to Tr4 to the outside when energized.

【0046】この場合、各トランジスタTr1〜Tr4
に別途放熱器を設けるなどの一般的な放熱方法ももちろ
ん可能であるが、このようにすると、従来技術で述べた
ような問題が生じる。そこで、本実施形態では、四個の
トランジスタTr1〜Tr4が全て同時にオンになるこ
とはないことに着目し、例えばローサイド側の二つのト
ランジスタTr3、Tr4を、図4に示すように基板上
に近接して実装した。図4(a)は、ローサイド側の二
つのトランジスタTr3、Tr4を基板上に実装した状
態を示す説明図であり、図4(b)は、図4(a)にお
ける断面A−Aの概略を表す説明図である。
In this case, each of the transistors Tr1 to Tr4
Of course, a general heat radiation method such as providing a separate heat radiator is also possible, but in this case, the problem described in the related art arises. Therefore, in the present embodiment, focusing on the fact that all four transistors Tr1 to Tr4 are not turned on at the same time, for example, the two transistors Tr3 and Tr4 on the low side are placed close to the substrate as shown in FIG. And implemented. FIG. 4A is an explanatory view showing a state where two transistors Tr3 and Tr4 on the low side are mounted on a substrate, and FIG. 4B is a schematic view of a cross section AA in FIG. FIG.

【0047】図4(b)に示すように、トランジスタT
r4は、樹脂によりモールドされた表面実装用の部品で
あり、トランジスタチップB4の裏面(ドレイン)は金
属製のドレイン端子D4に直接接合されている。このド
レイン端子D4は、トランジスタチップB4から発生す
る熱を放熱するための放熱板としての役目を兼ね備えた
ものである。
As shown in FIG. 4B, the transistor T
r4 is a surface mounting component molded with resin, and the back surface (drain) of the transistor chip B4 is directly joined to a metal drain terminal D4. The drain terminal D4 also has a role as a heat sink for radiating heat generated from the transistor chip B4.

【0048】トランジスタチップB4の表面(ソース)
はワイヤボンディングW4により金属製のソース端子S
4に接続されている。また、図示はしないものの、トラ
ンジスタチップB4のゲートも、同じくワイヤボンディ
ングにより金属製のゲート端子G4に接続されている。
そして、トランジスタチップB4及びワイヤボンディン
グW4を含む部品全体が、樹脂モールドによるパッケー
ジM4に覆われた構造になっている。
Surface (source) of transistor chip B4
Is a metal source terminal S by wire bonding W4.
4 is connected. Although not shown, the gate of the transistor chip B4 is also connected to a metal gate terminal G4 by wire bonding.
The entire component including the transistor chip B4 and the wire bonding W4 is covered with a package M4 formed by resin molding.

【0049】尚、他の3つのトランジスタTr1、Tr
2、Tr3も、トランジスタTr4と全く同様の構造を
有する表面実装用のモールド型部品であるため、詳細な
説明は省略する。そして、ローサイド側の二つのトラン
ジスタTr3、Tr4は、図4(a)に示すように基板
44上に相互に近接して実装され、トランジスタTr3
のドレイン端子D3、ソース端子S3、ゲート端子G3
は、それぞれ、基板44に形成されたランドLD3、L
S3、LG3にはんだ付けされている。トランジスタT
r4のドレイン端子D4、ソース端子S4、ゲート端子
G4も、それぞれ、基板44に形成されたランドLD
4、LS4、LG4にはんだ付けされている。基板44
は、板状絶縁体の両面に所望の銅箔パターン(ランドを
含む)が形成された周知の両面プリント基板である。
The other three transistors Tr1, Tr
2, Tr3 is also a surface mount mold component having a structure completely similar to that of the transistor Tr4, and therefore, detailed description is omitted. Then, the two transistors Tr3 and Tr4 on the low side are mounted close to each other on the substrate 44 as shown in FIG.
Drain terminal D3, source terminal S3, gate terminal G3
Are the lands LD3 and L3 formed on the substrate 44, respectively.
Soldered to S3 and LG3. Transistor T
The drain terminal D4, the source terminal S4, and the gate terminal G4 of r4 are also the lands LD formed on the substrate 44, respectively.
4, LS4, and LG4. Substrate 44
Is a well-known double-sided printed circuit board having a desired copper foil pattern (including lands) formed on both sides of a plate-shaped insulator.

【0050】各トランジスタTr3、Tr4のドレイン
端子D3、D4は、それぞれ基板44上に形成されたレ
ジスト施工済みの配線パターン(銅箔パターン)PD
3、PD4を介して、コネクタ45の所定のリード45
a、45bに電気的に接続され、このコネクタ45を介
してモータ2(図4では図示せず)に接続されている。
この各配線パターンPD3、PD4は、各トランジスタ
Tr3、Tr4から発生する熱の伝導を良好にする(詳
細は後述)ため、図4に示すように広い範囲で形成され
ており、しかも両者が近接するように形成されている。
The drain terminals D3 and D4 of the transistors Tr3 and Tr4 are formed on a wiring pattern (copper foil pattern) PD on the substrate 44, on which a resist is applied.
3, a predetermined lead 45 of the connector 45 via the PD 4
a, 45b, and is connected to the motor 2 (not shown in FIG. 4) via the connector 45.
Each of the wiring patterns PD3 and PD4 is formed in a wide range as shown in FIG. 4 in order to improve conduction of heat generated from each of the transistors Tr3 and Tr4 (to be described in detail later), and both are close to each other. It is formed as follows.

【0051】一方、ソース端子S3,S4は、配線パタ
ーンPS3,PS4、スルーホール46a、46b及び
基板44の裏面に形成された配線パターンPG34を介
して、電気的に接続されている。このソース端子S3、
S4、及びゲート端子G3、G4は、いずれも図示しな
い配線パターンを介して基板44上の所定の部位に配線
されるが、ここでは、その詳細については省略する。
On the other hand, the source terminals S3 and S4 are electrically connected via wiring patterns PS3 and PS4, through holes 46a and 46b, and a wiring pattern PG34 formed on the back surface of the substrate 44. This source terminal S3,
S4 and the gate terminals G3 and G4 are all wired to predetermined portions on the substrate 44 via a wiring pattern (not shown), but the details thereof are omitted here.

【0052】基板44の裏面における、各トランジスタ
Tr3、Tr4の裏面に相当する範囲には、銅箔パター
ンPTが形成されている。この銅箔パターンPTは、電
気信号を伝達せるためのものではないため、他の部品や
配線パターン等と電気的に接続されておらず、後述する
ように、二つのトランジスタTr3、Tr4の放熱部
(ドレイン端子D3,D4)から発生する熱の伝導を良
好にするために設けたものであり、基板44の絶縁体、
配線パターンPD3,PD4と共に、本発明の熱伝導部
材に相当するものである。
A copper foil pattern PT is formed on the back surface of the substrate 44 in a range corresponding to the back surface of each of the transistors Tr3 and Tr4. Since the copper foil pattern PT is not for transmitting an electric signal, the copper foil pattern PT is not electrically connected to other components, wiring patterns, and the like, and as will be described later, a heat radiating portion of the two transistors Tr3 and Tr4. (Drain terminals D3, D4) are provided to improve conduction of heat generated from the drain terminals D3 and D4.
Together with the wiring patterns PD3 and PD4, it corresponds to the heat conducting member of the present invention.

【0053】既述の通り、モータ2への通電を四つのト
ランジスタTr1、Tr2、Tr3、Tr4にて制御す
るため、各トランジスタへの通電時には、素子内部(ト
ランジスタチップ)で熱が発生する。そのため、近接し
て実装した二つのトランジスタTr3、Tr4からも、
通電時には熱が発生するが、二つのトランジスタTr
3、Tr4に同時に連続して通電されることはない。即
ち、図3で説明したように、モータ2の閉回転時にはト
ランジスタTr4は常時オフとなり、トランジスタTr
3をデューティ制御することにより、モータ2への通電
電流量を制御する。一方、モータ2の開回転時にはトラ
ンジスタTr3が常時オフとなり、トランジスタTr4
をデューティ制御することにより、モータ2への通電電
流量を制御する。
As described above, since the power supply to the motor 2 is controlled by the four transistors Tr1, Tr2, Tr3, Tr4, when power is supplied to each transistor, heat is generated inside the element (transistor chip). Therefore, the two transistors Tr3 and Tr4 mounted close to each other also
Although heat is generated at the time of energization, two transistors Tr
3. No current is continuously supplied to Tr4 at the same time. That is, as described with reference to FIG. 3, when the motor 2 is closed, the transistor Tr4 is always off, and the transistor Tr4 is turned off.
By controlling the duty of the motor 3, the amount of current supplied to the motor 2 is controlled. On the other hand, when the motor 2 is open, the transistor Tr3 is always off, and the transistor Tr4
, The amount of current supplied to the motor 2 is controlled.

【0054】つまり、いずれか一方のトランジスタは常
時オフになり、他方のトランジスタに対して通電が行わ
れるため、モータ2の駆動中は、いずれか一方の通電中
のトランジスタからのみ熱が発生することになる。その
ため、図4のように、この二つのトランジスタTr3、
Tr4を近接して実装(換言すれば、放熱部としてのド
レイン端子D3,D4を近接)することにより、動作中
のトランジスタからの発熱を、動作していないトランジ
スタの放熱部(ドレイン端子)に伝えれば、トランジス
タからの放熱がより良好に行われることになる。
That is, since one of the transistors is always turned off and the other transistor is energized, heat is generated only from one of the energized transistors while the motor 2 is driving. become. Therefore, as shown in FIG. 4, the two transistors Tr3,
By mounting the transistor Tr4 close to the transistor (in other words, the drain terminals D3 and D4 as the heat radiator) close to each other, the heat generated from the active transistor is transmitted to the heat radiator (drain terminal) of the inactive transistor. If this is the case, the heat dissipation from the transistor will be better performed.

【0055】ここで、上記のように二つのトランジスタ
Tr3、Tr4を基板44の同一面上に近接実装した場
合、各ドレイン端子D3、D4は、相互が直接熱的に接
続されていないため、動作中のトランジスタからの発熱
は、基板44を構成する絶縁体を直接介して、動作して
いないトランジスタへ、基板44を水平方向に伝導する
ことになる。しかしながら、基板44の絶縁体(例えば
ガラス布エポキシ)は銅などの金属に比べ、熱抵抗が大
きく、熱が伝導しにくい。
Here, when the two transistors Tr3 and Tr4 are closely mounted on the same surface of the substrate 44 as described above, the drain terminals D3 and D4 are not directly thermally connected to each other, so that the operation is not performed. The heat generated from the transistor in the middle is transmitted through the substrate 44 in the horizontal direction to the inactive transistor through the insulator constituting the substrate 44 directly. However, the insulator (eg, glass cloth epoxy) of the substrate 44 has a higher thermal resistance and is less likely to conduct heat than metals such as copper.

【0056】そこで、本実施形態では、基板44の裏面
に、熱伝導のための銅箔パターンPTを設け、これを介
して二つのトランジスタTr3、Tr4相互間の熱伝導
を行うことにより、熱が良好に伝導できるようにした。
即ち、銅箔パターンPTを設けたことにより、一方の動
作中のトランジスタから発生した熱は、基板44の絶縁
体を介して水平方向に伝導するよりも、基板44の厚さ
方向に(つまり基板44の裏面側に)伝導する方が、早
く且つ効率的に伝導される。例えば、トランジスタTr
4のトランジスタチップB4から発生した熱は、ドレイ
ン端子D4からランドLD4へ伝わり、配線パターンP
D4へと放熱されていく。そして、このようにドレイン
端子D4を中心として配線パターンPD4まで伝導した
熱は、基板44を介してその裏面の銅箔パターンPTに
も伝わる。
Therefore, in the present embodiment, a copper foil pattern PT for heat conduction is provided on the back surface of the substrate 44, and heat conduction between the two transistors Tr3 and Tr4 is performed through this, so that heat is generated. Good conduction was achieved.
That is, by providing the copper foil pattern PT, the heat generated from one of the active transistors is more likely to be conducted in the thickness direction of the substrate 44 (that is, Conduction is faster and more efficient (to the back side of 44). For example, the transistor Tr
The heat generated from the transistor chip B4 is transmitted from the drain terminal D4 to the land LD4.
Heat is dissipated to D4. Then, the heat conducted to the wiring pattern PD4 around the drain terminal D4 as described above is also transmitted to the copper foil pattern PT on the back surface through the substrate 44.

【0057】銅箔パターンPTは基板44の絶縁体に比
べて熱抵抗が小さいため、銅箔パターンPT全体に熱が
急速に伝わる。銅箔パターンPT全体に伝わった熱は、
再び基板44の絶縁体を介して、近接実装されたトラン
ジスタTr3の放熱部(ドレイン端子D3)や配線パタ
ーンPD3に伝わり、吸収される。
Since the copper foil pattern PT has a smaller thermal resistance than the insulator of the substrate 44, heat is rapidly transmitted to the entire copper foil pattern PT. The heat transmitted to the entire copper foil pattern PT
Again through the insulator of the substrate 44, it is transmitted to and absorbed by the heat radiating portion (drain terminal D3) and the wiring pattern PD3 of the transistor Tr3 mounted in proximity.

【0058】つまり、単に近接実装して、基板44の水
平方向に基板44の絶縁体を介して熱を伝導するのに比
べ、基板44の裏面の銅箔パターンPTを利用して、ト
ランジスタ相互間の熱伝導を面的(基板44の厚さ方
向)に行う方が、より良好に熱を伝導できるのである。
That is, as compared with the case where heat is conducted through the insulator of the substrate 44 in the horizontal direction of the substrate 44 simply by being mounted in close proximity to each other, the use of the copper foil pattern PT on the back surface of the substrate 44 When the heat conduction is performed two-dimensionally (in the thickness direction of the substrate 44), the heat can be more effectively conducted.

【0059】従って、本実施形態のスロットル制御シス
テムによれば、共に連続的に通電されることのない二つ
のトランジスタTr3、Tr4を基板44上に近接して
実装し、各ドレイン端子D3,D4と電気的・熱的につ
ながった配線パターンPD3,PD4をできるだけ広い
範囲且つ近接するように形成して、しかも基板44の裏
面におけるトランジスタTr3、Tr4の裏面に相当す
る範囲に銅箔パターンPTを設けたことにより、動作中
のトランジスタから発生した熱は基板44の絶縁体及び
銅箔パターンPTを介して、非動作中のトランジスタに
良好に伝導し、吸収させることができる。
Therefore, according to the throttle control system of this embodiment, the two transistors Tr3 and Tr4, which are not continuously energized, are mounted close to each other on the substrate 44, and the drain terminals D3 and D4 are connected to each other. Electrically and thermally connected wiring patterns PD3, PD4 were formed so as to be as wide as possible and as close as possible, and a copper foil pattern PT was provided on the back surface of substrate 44 in a range corresponding to the back surface of transistors Tr3, Tr4. Thus, heat generated from the active transistor can be conducted and absorbed by the non-operating transistor through the insulator of the substrate 44 and the copper foil pattern PT.

【0060】そのため、動作中のトランジスタの温度が
低減されることになり、この温度低減効果の分だけ、よ
り多くの電流をトランジスタに通電させることができる
ことになる。言い換えれば、オン抵抗の大きい、チップ
サイズのより小さいトランジスタを、許容損失の低いよ
り小さなパッケージにして用いることができるようにな
るわけである。そのため、トランジスタのコストダウン
も可能となり、結果として電子制御装置5全体の小型化
及び低コスト化も可能となる。
As a result, the temperature of the transistor during operation is reduced, and more current can flow through the transistor by the effect of the temperature reduction. In other words, a transistor with a large on-resistance and a smaller chip size can be used in a smaller package with a low allowable loss. Therefore, the cost of the transistor can be reduced, and as a result, the entire electronic control device 5 can be reduced in size and cost.

【0061】また、銅箔パターンPTは、熱伝導にのみ
利用するために設けたものであるため、電源ラインやグ
ランドラインなどの他の信号の配線に併用することも可
能である。 [第2実施形態]本実施形態のスロットル制御システム
の構成は、第1実施形態のスロットル制御システムの構
成(図1及び図2)と同じであるため、ここではその説
明を省略する。そして、以下、本実施形態のスロットル
制御システムの構成についても、第1実施形態の図1及
び図2に基づいて説明する。
Further, since the copper foil pattern PT is provided only for heat conduction, it can be used in combination with other signal wiring such as a power supply line and a ground line. [Second Embodiment] The configuration of the throttle control system of the present embodiment is the same as the configuration of the throttle control system of the first embodiment (FIGS. 1 and 2), and a description thereof will be omitted. Hereinafter, the configuration of the throttle control system of the present embodiment will also be described based on FIGS. 1 and 2 of the first embodiment.

【0062】本実施形態では、図5に示すように、閉回
転時は、トランジスタTr3の駆動信号O3をHレベル
に、トランジスタTr2の駆動信号O2をLレベルに保
持することにより、トランジスタTr3をオン状態、ト
ランジスタTr2をオフ状態にする。そして、トランジ
スタTr1、Tr4には、目標スロットル開度に応じて
デューティ制御した、相互に異なるレベルの駆動信号O
1、O4を入力することにより、トランジスタTr1,
Tr4のオン・オフ状態を交互に反転(デューティ駆
動)させる。
In this embodiment, as shown in FIG. 5, during the closed rotation, the driving signal O3 of the transistor Tr3 is held at the H level and the driving signal O2 of the transistor Tr2 is held at the L level, so that the transistor Tr3 is turned on. State, the transistor Tr2 is turned off. The transistors Tr1 and Tr4 have driving signals O of different levels, which are duty-controlled according to the target throttle opening.
1 and O4, the transistors Tr1 and Tr4 are input.
The on / off state of Tr4 is alternately inverted (duty drive).

【0063】この結果、駆動信号O1がHレベル、駆動
信号O4がLレベルとなって、トランジスタTr1がオ
ン、トランジスタTr4がオフ状態となったときには、
モータ電流Imがマイナス方向に上昇(つまり、接続点
Bから接続点Aへ流れる電流が上昇)する。そして、駆
動信号O4がHレベル、駆動信号O1がLレベルとなっ
て、トランジスタTr4がオン、トランジスタTr1が
オフ状態となったときには、モータ2に蓄積された磁気
エネルギ(消弧エネルギ)により、トランジスタTr
3、Tr4、モータ2によりローサイド側に形成される
環流回路に環流電流が流れて、モータ電流Imは減衰す
る。
As a result, when the drive signal O1 is at the H level and the drive signal O4 is at the L level, and the transistor Tr1 is turned on and the transistor Tr4 is turned off,
The motor current Im increases in the negative direction (that is, the current flowing from the connection point B to the connection point A increases). When the drive signal O4 goes high and the drive signal O1 goes low to turn on the transistor Tr4 and turn off the transistor Tr1, the magnetic energy (arc-extinguishing energy) accumulated in the motor 2 causes the transistor Tr4 to turn off. Tr
3, a circulating current flows through a circulating circuit formed on the low side by the Tr 4 and the motor 2, and the motor current Im attenuates.

【0064】一方、モータ2を開回転させる場合も、図
5に示す如く、トランジスタTr4の駆動信号O4をH
レベルに、トランジスタTr1の駆動信号O1をLレベ
ルに保持することにより、トランジスタTr4をオン状
態、トランジスタTr1をオフ状態にする。そして、駆
動信号O3がLレベル、駆動信号O2がHレベルとなっ
て、トランジスタTr3がオフ、トランジスタTr2が
オン状態となったときには、モータ電流Imが上昇す
る。そして、駆動信号O3がHレベル、駆動信号O2が
Lレベルとなって、トランジスタTr3がオン、トラン
ジスタTr2がオフ状態となったときには、モータ2に
蓄積された磁気エネルギ(消弧エネルギ)により、トラ
ンジスタTr3、Tr4、モータ2で形成される環流回
路に環流電流が流れて、モータ電流Imはやはり減衰す
る。
On the other hand, when the motor 2 is opened, the drive signal O4 of the transistor Tr4 is set to H level as shown in FIG.
By keeping the drive signal O1 of the transistor Tr1 at the L level, the transistor Tr4 is turned on and the transistor Tr1 is turned off. When the drive signal O3 goes low and the drive signal O2 goes high to turn off the transistor Tr3 and turn on the transistor Tr2, the motor current Im increases. When the driving signal O3 goes high and the driving signal O2 goes low to turn on the transistor Tr3 and turn off the transistor Tr2, the magnetic energy (arc-extinguishing energy) accumulated in the motor 2 causes the transistor Tr3 to turn off. A circulating current flows through a circulating circuit formed by Tr3, Tr4 and the motor 2, and the motor current Im also attenuates.

【0065】つまり、本実施形態では、第1実施形態と
は逆に、ハイサイド側の二つのトランジスタTr1,T
r2を通電時間制御用として使用し、ローサイド側の二
つのトランジスタTr3,Tr4を通電方向選択用とし
て使用している。上記のようにモータ2への通電を行っ
た場合、例えばハイサイド側のトランジスタTr1、T
r2は、いずれか一方は常時オフとなっている。そのた
め、通電中のトランジスタから発生する熱を非通電中の
トランジスタに吸収させるように、両トランジスタを基
板上に配置できれば、放熱性能が向上し、トランジスタ
チップのサイズをより小さくすることができる。
That is, in the present embodiment, contrary to the first embodiment, the two high-side transistors Tr1, T
r2 is used for controlling the conduction time, and the two transistors Tr3 and Tr4 on the low side are used for selecting the conduction direction. When the motor 2 is energized as described above, for example, the high-side transistors Tr1, T2
One of r2 is always off. Therefore, if both transistors can be arranged on the substrate so that the heat generated from the energized transistor is absorbed by the non-energized transistor, the heat radiation performance is improved and the size of the transistor chip can be further reduced.

【0066】そこで、本実施形態では、ハイサイド側の
二つのトランジスタTr1、Tr2を、図6に示すよう
に基板上に近接して実装した。図6(a)は、ハイサイ
ド側の二つのトランジスタTr1、Tr2を基板上に実
装した状態を示す説明図であり、図6(b)は、図6
(a)における断面A−Aの概略を表す説明図である。
尚、本実施形態においても、四つのトランジスタTr1
〜Tr4の構造は、第1実施形態において図4に示した
構造と同じであるため、ここではその説明を省略する。
Therefore, in this embodiment, the two high-side transistors Tr1 and Tr2 are mounted close to each other on the substrate as shown in FIG. FIG. 6A is an explanatory view showing a state in which two high-side transistors Tr1 and Tr2 are mounted on a substrate, and FIG.
It is explanatory drawing showing the outline of section AA in (a).
Note that also in the present embodiment, the four transistors Tr1
Since the structure of Tr4 is the same as the structure shown in FIG. 4 in the first embodiment, the description is omitted here.

【0067】ハイサイド側の二つのトランジスタTr
1、Tr2は、図6(a)に示すように基板61上に相
互に近接して実装され、トランジスタTr1のドレイン
端子D1、ソース端子S1、ゲート端子G1は、それぞ
れ、基板61に形成されたランドLD1、LS1、LG
1にはんだ付けされている。トランジスタTr2のドレ
イン端子D2、ソース端子S2、ゲート端子G2も、そ
れぞれ、基板61に形成されたランドLD2、LS2、
LG2にはんだ付けされている。
Two transistors Tr on the high side
1 and Tr2 are mounted on the substrate 61 in close proximity to each other as shown in FIG. 6A, and the drain terminal D1, the source terminal S1, and the gate terminal G1 of the transistor Tr1 are formed on the substrate 61, respectively. Lands LD1, LS1, LG
1 soldered. The drain terminal D2, the source terminal S2, and the gate terminal G2 of the transistor Tr2 are also connected to lands LD2, LS2,
Soldered to LG2.

【0068】一方、各トランジスタTr1、Tr2のド
レイン端子D1、D2は、同電位である(図2参照)た
め、配線パターンPD60を介して、両ドレイン端子D
1及びD2を電気的に接続している。そしてこの配線パ
ターンPD60は、後述するように本発明の熱伝導部材
としての機能をも有するものである。尚、ドレイン端子
D1、D2は、図示しない配線パターンを介してバッテ
リ6に接続され、ゲート端子G1、G2も図示しない配
線パターンを介して基板61上の所定の部位に配線され
るが、ここでは、その詳細については省略する。
On the other hand, since the drain terminals D1 and D2 of the transistors Tr1 and Tr2 have the same potential (see FIG. 2), the two drain terminals D and D2 are connected via the wiring pattern PD60.
1 and D2 are electrically connected. The wiring pattern PD60 also has a function as a heat conducting member of the present invention, as described later. The drain terminals D1 and D2 are connected to the battery 6 via a wiring pattern (not shown), and the gate terminals G1 and G2 are also wired to predetermined portions on the substrate 61 via a wiring pattern (not shown). The details are omitted.

【0069】図5で説明したように、二つのトランジス
タTr1、Tr2に同時に連続して通電されることはな
く、モータ2の駆動時には、いずれか一方のトランジス
タは常時オフになり、他方のトランジスタに対して通電
が行われる。即ち、いずれか一方の通電中のトランジス
タからのみ熱が発生することになる。
As described with reference to FIG. 5, the two transistors Tr1 and Tr2 are not continuously energized at the same time. When the motor 2 is driven, one of the transistors is always off and the other transistor is turned off. Electricity is applied to this. That is, heat is generated only from one of the energized transistors.

【0070】そこで、本実施形態では、この配線パター
ンPD60を介して、二つのトランジスタTr1、Tr
2相互間の熱伝導を行うことにより、熱が良好に伝導で
きるようにした。つまり、両ドレイン端子D1、D2間
の電気的接続のために必要な配線パターンPD60を、
両ドレイン端子D1、D2間を最短の距離でしかも太く
配線するように形成することにより、トランジスタTr
1、Tr2相互間の熱伝導を良好に行うための熱伝導部
材として利用している。
Therefore, in the present embodiment, two transistors Tr1 and Tr1 are connected via the wiring pattern PD60.
By conducting heat conduction between the two, it was possible to conduct heat well. That is, the wiring pattern PD60 necessary for the electrical connection between the two drain terminals D1 and D2 is
By forming the wiring between the two drain terminals D1 and D2 at the shortest distance and thickly, the transistor Tr
1. Used as a heat conducting member for performing good heat conduction between Tr2.

【0071】従って、本実施形態のスロットル制御シス
テムによれば、共に連続的に通電されることのない二つ
のトランジスタTr1、Tr2を基板61上に近接して
実装し、しかも両ドレイン端子D1、D2間は配線パタ
ーンPD60により接続されているため、動作中のトラ
ンジスタから発生した熱は主にこの配線パターンPD6
0を介して、非動作中のトランジスタの放熱部(ドレイ
ン端子)に良好に伝導し、吸収させることができる。そ
のため、動作中のトランジスタの温度が低減されること
になり、第1実施形態と同等の作用効果を奏する。
Therefore, according to the throttle control system of the present embodiment, the two transistors Tr1 and Tr2, which are not continuously energized, are mounted close to each other on the substrate 61, and the two drain terminals D1 and D2 Are connected by the wiring pattern PD60, the heat generated by the operating transistor is mainly due to the wiring pattern PD6.
Through 0, the heat can be satisfactorily conducted to and absorbed by the heat dissipation portion (drain terminal) of the non-operating transistor. Therefore, the temperature of the transistor during operation is reduced, and the same operation and effect as those of the first embodiment can be obtained.

【0072】しかも、本実施形態では、第1実施形態の
場合のように熱を伝導させるためだけに銅箔パターンP
T等を設ける必要はなく、通電に必要な配線パターンP
D60を熱伝導部材として有効利用できるため、電子制
御装置5をより小型化、低コスト化することができる。
Further, in this embodiment, the copper foil pattern P is used only for conducting heat as in the first embodiment.
It is not necessary to provide T, etc., and the wiring pattern P
Since D60 can be effectively used as a heat conducting member, the electronic control device 5 can be further reduced in size and cost.

【0073】尚、本発明の実施の形態は、上記実施形態
に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に
属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもな
い。例えば、第1実施形態においては、ローサイド側の
トランジスタTr3、Tr4を、基板44の同一面上に
近接して実装したが、例えば図7に示すように、基板7
1の表裏面に、基板71を挟むように実装してもよい。
このようにすれば、第1実施形態の図4に示したような
銅箔パターンPTを介すことなく、基板71における両
トランジスタTr3、Tr4の放熱部(ドレイン端子D
3,D4)が挟む部分(本発明の熱伝導部材に相当)に
て、基板71の厚さ方向に直接面的に熱の伝導が行われ
るため、さらに良好な熱の伝導が行われ、しかも、ドレ
イン端子と接続する配線パターンPD71、PD72を
より小さくすることができ、トランジスタTr3、Tr
4の実装面積も大幅に減少する。そのため、電子制御装
置5のさらなる小型化・低価格化が可能となる。
The embodiments of the present invention are not limited to the above-described embodiments, and it goes without saying that various forms can be adopted as long as they fall within the technical scope of the present invention. For example, in the first embodiment, the low-side transistors Tr3 and Tr4 are mounted close to the same surface of the substrate 44. For example, as shown in FIG.
1 may be mounted on the front and back surfaces so as to sandwich the substrate 71.
In this way, the heat radiating portions (the drain terminals D) of the transistors Tr3 and Tr4 on the substrate 71 without the intervention of the copper foil pattern PT as shown in FIG.
(3, D4), heat is conducted directly and planarly in the thickness direction of the substrate 71 at the portion (corresponding to the heat conducting member of the present invention). The wiring patterns PD71 and PD72 connected to the drain terminals can be made smaller, and the transistors Tr3 and Tr3 can be made smaller.
4 also greatly reduces the mounting area. Therefore, the electronic control device 5 can be further reduced in size and cost.

【0074】第2実施形態においても同様に、ハイサイ
ド側のトランジスタTr1、Tr2を、基板61の同一
面上に近接して実装したが、例えば図8に示すように、
基板61の表裏面に、基板61を挟むように実装しても
よい。そしてこの場合、ドレイン端子D3、D4は同電
位であり、スルーホール82により電気的に接続される
が、このスルーホールを介して熱を伝導することができ
るため、図7に場合比べて、熱の伝導はより良好に行わ
れ、しかもトランジスタTr3、Tr4の実装面積も大
幅に減少するため、電子制御装置5のさらなる小型化・
低価格化が可能となる。
Similarly, in the second embodiment, the high-side transistors Tr1 and Tr2 are mounted close to the same surface of the substrate 61. For example, as shown in FIG.
It may be mounted on the front and back surfaces of the substrate 61 so as to sandwich the substrate 61. In this case, the drain terminals D3 and D4 are at the same potential and are electrically connected through the through-hole 82. However, since heat can be conducted through the through-hole 82, the And the mounting area of the transistors Tr3 and Tr4 is greatly reduced, so that the electronic control device 5 can be further miniaturized.
The price can be reduced.

【0075】尚、上記のように二つのトランジスタを基
板両面に実装する場合、二つのトランジスタの放熱部
(ドレイン端子)が基板を介して完全に対向するように
実装するのが好ましいが、これに限らず、部品の放熱性
能等を考慮した上で、両トランジスタの放熱部の一部分
のみが対向するように実装してもよい。
When the two transistors are mounted on both sides of the substrate as described above, it is preferable to mount the two transistors such that the heat radiation portions (drain terminals) of the two transistors are completely opposed to each other via the substrate. The present invention is not limited to this, and in consideration of the heat radiation performance of components, the transistors may be mounted so that only a part of the heat radiating portions of both transistors face each other.

【0076】また、第1実施形態では、ローサイド側の
トランジスタTr3、Tr4を近接実装する場合につい
て説明したが、ハイサイド側のトランジスタTr1、T
r2についても同様に、近接して実装するとよい。この
場合、例えばモータ2を閉回転させるときはトランジス
タTr1を常時オンにし、トランジスタTr2をデュー
ティ駆動させるため、モータ2への通電期間中は、二つ
のトランジスタTr1、Tr2が共にオンになる期間が
生じる。しかし、トランジスタTr2は非通電期間があ
るため、その非通電期間中にトランジスタTr1から発
生する熱をトランジスタTr2に吸収させることができ
る。
In the first embodiment, the case where the low-side transistors Tr3 and Tr4 are mounted close to each other is described. However, the high-side transistors Tr1 and T4 are mounted.
Similarly, r2 may be mounted close to each other. In this case, for example, when the motor 2 is to be closed and rotated, the transistor Tr1 is always turned on and the transistor Tr2 is duty-driven, so that during the energization period to the motor 2, a period occurs in which both the transistors Tr1 and Tr2 are turned on. . However, since the transistor Tr2 has a non-conduction period, heat generated from the transistor Tr1 can be absorbed by the transistor Tr2 during the non-conduction period.

【0077】逆に、モータ2を開回転させるときは、ト
ランジスタTr2を常時オンにし、トランジスタTr1
をデューティ駆動させるため、二つのトランジスタTr
1、Tr2が共にオンになる期間が生じるものの、トラ
ンジスタTr1の非通電期間中に、トランジスタTr2
から発生する熱をトランジスタTr1に吸収させること
ができる。
Conversely, when the motor 2 is to be opened, the transistor Tr2 is always turned on and the transistor Tr1 is turned on.
In order to drive the duty, two transistors Tr
1 and Tr2 are both turned on, but during the non-conduction period of the transistor Tr1, the transistor Tr2
Can be absorbed by the transistor Tr1.

【0078】つまり、モータ2の駆動中、近接して実装
される二つのトランジスタは必ずしもどちらか一方が休
んでいなければならないというわけではなく、共に連続
的に通電されることなく、いずれか一方のトランジスタ
に非通電期間があるものであればよいわけである。
That is, while the motor 2 is being driven, one of the two transistors mounted close to each other does not necessarily have to be resting, and one of the two transistors is not continuously energized. It is only necessary that the transistors have a non-conduction period.

【0079】従って、ローサイド側のトランジスタTr
3、Tr4、及びハイサイド側のトランジスタTr1、
Tr2を、いずれも近接実装させれば、四つのトランジ
スタを全て小型化・低コスト化でき、電子制御装置5全
体もより小型化・低コスト化することができため、より
効果的である。
Therefore, the low-side transistor Tr
3, Tr4 and the high-side transistor Tr1,
If all the transistors Tr2 are mounted close to each other, all four transistors can be reduced in size and cost, and the entire electronic control device 5 can be further reduced in size and cost, which is more effective.

【0080】特に、ローサイド側のトランジスタTr
3、Tr4を近接して実装した場合は、二つのトランジ
スタのうちいずれか一方は必ずオフになり、共に同時に
通電される期間がないため、ハイサイド側のトランジス
タTr1、Tr2に比べ、放熱がより良好に行われる。
第2実施形態についても、上記と同様に、ローサイド側
のトランジスタTr3、Tr4を近接して実装してもい
いことはいうまでもなく、この場合も、上記同様の作用
効果を奏する。
In particular, the low-side transistor Tr
When the transistors Tr3 and Tr4 are mounted close to each other, one of the two transistors is always turned off, and there is no period in which both are energized at the same time. Therefore, heat dissipation is higher than that of the transistors Tr1 and Tr2 on the high side. Well done.
Also in the second embodiment, it is needless to say that the low-side transistors Tr3 and Tr4 may be mounted close to each other, as in the above-described case.

【0081】また、ハイサイド側のトランジスタTr
1、Tr2の近接実装、或いはローサイド側のトランジ
スタTr3、Tr4の近接実装に限らず、ハイサイド側
のいずれか一方のトランジスタとローサイド側のいずれ
か一方のトランジスタを相互に近接実装してもよい。
The high-side transistor Tr
The present invention is not limited to the close mounting of the transistors Tr1 and Tr2 or the close mounting of the transistors Tr3 and Tr4 on the low side, and any one of the transistors on the high side and the one on the low side may be mounted close to each other.

【0082】さらに、近接実装するトランジスタの数は
二つに限らず、例えば三つのトランジスタを近接しても
よく、とにかく近接実装したトランジスタ全てに連続的
に通電されるものでなければよい。更にまた、上記実施
形態では、一つのモータ2を駆動するためのモータ駆動
回路12に備えられたトランジスタTr1〜Tr4を適
宜近接して実装するようにしたが、例えばこのモータ2
以外にも、負荷及び負荷への通電を制御するための駆動
素子(トランジスタ等)が別途ある場合に、その駆動素
子と、モータ駆動回路12のいずれかのトランジスタと
を近接して実装してもよい。
Further, the number of transistors mounted close to each other is not limited to two. For example, three transistors may be close to each other, and it is only necessary that all transistors mounted close to each other be continuously supplied with current. Further, in the above-described embodiment, the transistors Tr1 to Tr4 provided in the motor drive circuit 12 for driving one motor 2 are mounted in close proximity to each other.
In addition, when there is a load and a drive element (transistor or the like) for controlling the energization of the load, even if the drive element and one of the transistors of the motor drive circuit 12 are mounted close to each other. Good.

【0083】つまり、一つの制御対象(負荷)への通電
を制御する素子間のみならず、複数の制御対象に対して
個々に通電制御を行う素子の相互間にも、本発明を適用
することができる。また、本発明は、上記実施形態のよ
うに直流モータを駆動する装置に限らず、例えばステッ
ピングモータ駆動装置、或いはインジェクタ駆動装置な
ど、複数の発熱素子を備えるあらゆる駆動装置、制御装
置等に適用することができる。
That is, the present invention is applied not only between the elements for controlling the energization of one control target (load) but also between the elements for individually controlling the energization of a plurality of control targets. Can be. Further, the present invention is not limited to a device for driving a DC motor as in the above-described embodiment, but is applied to any drive device, a control device, or the like having a plurality of heating elements, such as a stepping motor drive device or an injector drive device. be able to.

【0084】また更に、上記実施形態では、Hブリッジ
回路を構成する四つのトランジスタ(FET)に対して
本発明を適用したが、FETに限らず、例えばバイポー
ラ型パワートランジスタやサイリスタ等のあらゆるパワ
ー素子に適用することができ、これらの能動素子以外で
も、抵抗やソレノイド等の受動素子であってもよく、能
動・受動を問わずあらゆる発熱素子に適用することがで
きる。
Further, in the above embodiment, the present invention is applied to the four transistors (FETs) constituting the H-bridge circuit. However, the present invention is not limited to the FETs. For example, all power devices such as bipolar power transistors and thyristors can be used. In addition to these active elements, a passive element such as a resistor or a solenoid may be used, and the present invention can be applied to any heat generating element regardless of whether it is active or passive.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明が適用されたスロットルバルブ制御シ
ステムの構成を表す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration of a throttle valve control system to which the present invention is applied.

【図2】 電子制御装置の構成を表す概略構成図であ
る。
FIG. 2 is a schematic configuration diagram illustrating a configuration of an electronic control device.

【図3】 第1実施形態の、Hブリッジ回路によるモー
タへの通電パターンを示すタイムチャートである。
FIG. 3 is a time chart illustrating an energization pattern to a motor by an H-bridge circuit according to the first embodiment.

【図4】 第1実施形態の、ローサイド側トランジスタ
2個を基板へ実装した状態を表す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating a state in which two low-side transistors are mounted on a substrate according to the first embodiment;

【図5】 第2実施形態の、Hブリッジ回路によるモー
タへの通電パターンを示すタイムチャートである。
FIG. 5 is a time chart showing an energization pattern to a motor by an H-bridge circuit according to a second embodiment.

【図6】 第2実施形態の、ハイサイド側トランジスタ
2個を基板へ実装した状態を表す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating a state in which two high-side transistors are mounted on a substrate according to the second embodiment.

【図7】 第1実施形態の、ローサイド側トランジスタ
2個を基板へ実装した状態の、他の例を表す説明図であ
る。
FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating another example of the first embodiment in a state where two low-side transistors are mounted on a substrate.

【図8】 第2実施形態の、ハイサイド側トランジスタ
2個を基板へ実装した状態の、他の例を表す説明図であ
る。
FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating another example of the second embodiment in a state where two high-side transistors are mounted on a substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…スロットルバルブ、2…モータ、3…スロットル開
度センサ、4…ペダル位置センサ、5…電子制御装置、
6…バッテリ、7…イグニションスイッチ、8…アクセ
ルペダル、11…マイコン、12…モータ駆動回路、1
3…電流検出回路、21…駆動ロジック部、22a,2
2b,22c,22d…プリドライバ、44,61,7
1,81…基板、45,63,73,83…コネクタ、
46a,46b,82…スルーホール、B1,B4…ト
ランジスタチップ、M1,M4…パッケージ、W1,W
4…ワイヤボンディング、LD1〜LD4,LS1〜L
S4,LG1〜LG4,LD73,LD74,LD8
1,LD82…ランド、PD3,PD4,PD60,P
D71,PD72,PD81,PD82,PS3,PS
4,PG34…配線パターン、PT…銅箔パターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Throttle valve, 2 ... Motor, 3 ... Throttle opening sensor, 4 ... Pedal position sensor, 5 ... Electronic control device,
6 ... battery, 7 ... ignition switch, 8 ... accelerator pedal, 11 ... microcomputer, 12 ... motor drive circuit, 1
3: current detection circuit, 21: drive logic unit, 22a, 2
2b, 22c, 22d ... pre-drivers, 44, 61, 7
1,81 ... board, 45, 63, 73, 83 ... connector,
46a, 46b, 82: through hole, B1, B4: transistor chip, M1, M4: package, W1, W
4: Wire bonding, LD1 to LD4, LS1 to L
S4, LG1 to LG4, LD73, LD74, LD8
1, LD82: Land, PD3, PD4, PD60, P
D71, PD72, PD81, PD82, PS3, PS
4, PG34: wiring pattern, PT: copper foil pattern

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3G065 CA00 DA05 DA06 DA15 GA00 GA08 GA09 GA27 GA41 GA46 HA21 HA22 JA04 JA11 KA02 5H530 AA12 BB18 DD02 DD14 GG05 GG08 5H570 AA21 BB04 CC04 DD06 EE01 GG01 HA08 HB12 HB16 JJ03 LL02 MM05 MM06  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 3G065 CA00 DA05 DA06 DA15 GA00 GA08 GA09 GA27 GA41 GA46 HA21 HA22 JA04 JA11 KA02 5H530 AA12 BB18 DD02 DD14 GG05 GG08 5H570 AA21 BB04 CC04 DD06 EE01 GG01 HA08 HB12 MM03

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一つ又は複数の電気負荷への通電経路に
設けられた複数の発熱素子を有する駆動装置において、 前記複数の発熱素子のうち、互いに連続的に通電される
ことのない少なくとも二つの発熱素子は、基板上に近接
して実装され、 近接して実装された前記発熱素子の相互間には、熱伝導
部材が備えられていることを特徴とする電気負荷の駆動
装置。
1. A driving device having a plurality of heating elements provided in an energization path to one or a plurality of electric loads, wherein at least two of the plurality of heating elements which are not continuously energized with each other. A driving device for an electric load, wherein the two heating elements are mounted close to each other on a substrate, and a heat conducting member is provided between the heating elements mounted close to each other.
【請求項2】 前記熱伝導部材は、基板上に形成された
配線パターンであることを特徴とする請求項1記載の電
気負荷の駆動装置。
2. The electric load driving device according to claim 1, wherein the heat conductive member is a wiring pattern formed on a substrate.
【請求項3】 前記基板上に近接して実装される複数の
発熱素子は、前記電気負荷の通電経路を導通・遮断する
スイッチング素子であることを特徴とする請求項1又は
2記載の電気負荷の駆動装置。
3. The electric load according to claim 1, wherein the plurality of heating elements mounted close to the substrate are switching elements that conduct / cut off a current path of the electric load. Drive.
【請求項4】 前記基板上に近接して実装される複数の
発熱素子は、前記基板の表裏面に、前記基板を挟むよう
に実装されていることを特徴とする請求項1〜3いずれ
かに記載の電気負荷の駆動装置。
4. The heating element according to claim 1, wherein the plurality of heating elements mounted close to the substrate are mounted on front and back surfaces of the substrate so as to sandwich the substrate. A driving device for an electric load according to claim 1.
【請求項5】 前記電気負荷は一つのモータであり、 前記複数の発熱素子は、前記モータへの通電方向を制御
可能なHブリッジ回路を構成する四つのスイッチング素
子であり、 前記四つのスイッチング素子のうち、互いに連続的に通
電されることのない二つのスイッチング素子が、相互に
近接して実装されていることを特徴とする請求項1〜4
いずれかに記載の電気負荷の駆動装置。
5. The electric load is a single motor, the plurality of heating elements are four switching elements forming an H-bridge circuit capable of controlling a direction of current to the motor, and the four switching elements are The two switching elements, which are not continuously energized, are mounted close to each other.
A drive device for an electric load according to any one of the above.
【請求項6】 近接して実装される前記二つのスイッチ
ング素子は、いずれも、前記モータの電源の正極又は負
極のいずれか一方の極性側に接続されていて、 前記モータへの通電時は、通電電流の方向や大きさを制
御するために、前記二つのスイッチング素子のうち一方
が常にオフして他方がデューティ制御されるものである
ことを特徴とする請求項5記載の電気負荷の駆動装置。
6. The two switching elements mounted close to each other are connected to one of the positive and negative polarities of the power supply of the motor, and when energizing the motor, 6. The electric load driving device according to claim 5, wherein one of the two switching elements is always turned off and the other is duty-controlled in order to control the direction and magnitude of the energizing current. .
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