JP3610875B2 - Electric load drive - Google Patents
Electric load drive Download PDFInfo
- Publication number
- JP3610875B2 JP3610875B2 JP2000117909A JP2000117909A JP3610875B2 JP 3610875 B2 JP3610875 B2 JP 3610875B2 JP 2000117909 A JP2000117909 A JP 2000117909A JP 2000117909 A JP2000117909 A JP 2000117909A JP 3610875 B2 JP3610875 B2 JP 3610875B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- motor
- heat
- transistor
- transistors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Control Of Throttle Valves Provided In The Intake System Or In The Exhaust System (AREA)
- Control Of Electric Motors In General (AREA)
- Stopping Of Electric Motors (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、モータ等の電気負荷を駆動する駆動装置に関し、特に、複数の駆動素子を用いた電気負荷の駆動装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、車両の各部に設けられた各種スイッチやセンサ等からの情報をマイクロコンピュータに入力してその情報に基づく各種演算を行い、駆動装置を介してモータ等の電気負荷を駆動することにより、車両制御を行う電子制御装置が広く知られている。
【0003】
特に、近年の車両システムの急速な電子化に伴い、内燃機関におけるスロットルバルブの開閉制御やアイドル回転速度制御、或いは自動変速機のシフトレンジ切換制御等の、モータを駆動して各種機構を操作するシステムが増加している。モータを駆動するための駆動装置では、使用するモータの種類や制御方法などによって種々の駆動用回路が構成されるが、例えば、パワートランジスタ等の駆動素子を六個備え、これらをPWM制御することにより交流モータへ三相交流を供給する駆動回路や、駆動素子を四つ備え、これらの駆動素子をオン・オフ制御することにより直流モータへの通電を制御する、いわゆるHブリッジ回路、或いはステップモータの駆動回路などがよく知られている。
【0004】
このようなモータ駆動回路では、複数の駆動素子を順次通電(オン)したり、通電中の駆動素子のデューティ比を調整することによって、モータの回転方向や回転位置・トルク等を制御することができ、バルブの開度などの制御対象を適切に駆動・制御することができる。
【0005】
パワートランジスタ等からなる駆動素子は、通電により熱が発生しやすいため、駆動素子を選定する際は、通常、駆動装置における動作条件(電流値、通電時間、デューティ等)を考慮して、使用可能な範囲内の電力損失を有する部品が適宜選定されることになる。また、駆動素子に放熱フィンを取り付けることにより、放熱性能を向上させて、ある程度電力損失の大きい(即ち発熱量の大きい)駆動素子でも使えるようにする方法も、一般によく行われている。
【0006】
ところで、近年では、上記のような装置筐体などに放熱する放熱フィンを廃止し、例えば表面実装部品や放熱板付素子などの、基板に放熱する小型の駆動素子を採用して、基板への実装状態における放熱性能を考慮した駆動素子の選定を行うことにより、装置全体の小型化、低コスト化を可能としている。
【0007】
そしてこの場合、オン抵抗のより小さい(換言すれば電力損失の少ない)駆動素子を用いれば、更に駆動素子を小さくして装置を小型化することが可能となる。即ち、素子が小さくなればその分放熱性能も悪くなるため、素子のオン抵抗を小さくして発熱量を抑えることにより、放熱性能の低下をカバーしようとするものである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようにオン抵抗の小さい駆動素子を用いることにより、駆動素子の小型化は可能になるものの、オン抵抗を小さくするためには、内部のチップ(半導体チップ)サイズの大きい駆動素子を使用する必要があり、そのため駆動素子のコストはアップしてしまう。つまり、駆動素子全体(パッケージ)の大きさは小さくできるが、その分、内部のチップは大きくせざるを得なくなり、駆動素子の小型化とコストダウンとが同時に達成できないのである。
【0009】
このような問題を解決する方法として、例えば、特表平6−507049号公報にて、装置筐体等を利用して出力構成部材(発熱性部品)からの良好な放熱を可能とする方法が開示されている。これは、具体的には、基板外周部の両面に熱伝導性材料からなる被覆が環状に形成されており、冷却フィンを備えた発熱性部品は、その冷却フィンが基板外周部の被覆に熱的に接触するように配置されている。また、基板等を収納するケーシング(装置筐体)も、基板外周部の被覆に熱的に接触するように構成されており、これにより発熱性部品に別途放熱用部品等を付加することなく、良好な放熱を実現している。
【0010】
しかしながら、上記方法では、放熱性能は良好になるものの、基板外周部に放熱のための被覆を設ける必要があり、その分基板も大きくなってしまう。しかも、複数の発熱性部品を全て基板外周部に環状に配置するため、基板上における発熱性部品と外部入出力用端子(コネクタ等)との距離も長くなり、太い配線パターンを長く形成せざるを得なくなる。
【0011】
そのため、部品は小型化できるものの、基板が大きくなり、装置全体の大型化を招いて、結果としてコストアップしてしまう。また、基板上には、発熱性部品の動作等を制御する制御回路も配置されるが、基板外周部に配置された発熱性部品からコネクタまでの太い配線パターンがこの制御回路近傍を通過することになるため、この配線パターンを流れる電流(例えば外部負荷を駆動する電流)により配線パターン周囲に放射される電磁ノイズに起因して、制御回路が誤動作するおそれもある。
【0012】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、複数の発熱素子を備えた電気負荷の駆動装置において、発熱素子の小型化及び低コスト化を図ると共に、装置全体の小型化及び低コスト化を図ることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
上記課題を解決するためになされた請求項1記載の駆動装置は、一つ又は複数の電気負荷への通電経路に設けられた複数の発熱素子を有するものである。そして、複数の発熱素子のうち、互いに同時に通電されることのない少なくとも二つの発熱素子は、基板上に近接して実装される。
その近接して実装される各発熱素子は、いずれも、半導体チップと該半導体チップからの熱を放出するための放熱用金属部材とが樹脂モールドにより一体化されて構成されている。また、基板における、少なくとも上記近接して実装される各発熱素子が備える放熱用金属部材の下部には、各発熱素子の相互間で熱を伝導させるための導電性金属パターンが少なくとも一つ形成されている。そして、上記近接して実装される各発熱素子は、放熱用金属部材が導電性金属パターンに接触するように基板上に実装されている。
【0014】
近接して実装された駆動素子は、共に同時に動作する(通電状態になる)ことはなく、どちらか一方の発熱素子は動作しない(不通電状態になる)。つまり、電気負荷の駆動中にどちらか一方の発熱素子は必ず通電されない状態となっている。そこで、一方の発熱素子が動作していないときには、他方の動作中の発熱素子から発生する熱を、その他方の発熱素子が備える放熱用金属部材および基板に形成された導電性金属パターンを介して、動作していない発熱素子に吸収させることができるため、放熱性能が良好になり、より多くの電流を駆動素子に流すことができる。これは即ち、通電時の電力損失のより大きい(例えば素子サイズの小さい)発熱素子を用いることができることになる。
【0015】
従って、請求項1記載の発明によれば、動作中の発熱素子が発生する熱を、近接して実装された非動作中の発熱素子に吸収させることができるため、発熱素子を小型化してそのコストを低減することが可能となる。またこれにより、装置全体の小型化及び低コスト化も可能となる。
【0016】
尚、発熱素子は、例えばパワートランジスタやサイリスタ等の各種素子が考えられ、近接実装された発熱素子が同時に動作(通電)することはなく、しかも相互に熱を吸収できるものであれば何でもよい。
【0017】
ここで、導電性金属パターンは、例えば熱伝導のためだけに設けてもよいが、請求項2に記載のように、基板上に形成された配線パターンを熱の伝導用としても兼用するようにしてもよい。即ち、請求項2に記載の発明は、請求項1記載の電気負荷の駆動装置であって、放熱用金属部材は、半導体チップにおける能動面とは反対側の非能動面に電気的且つ熱的に接続され、導電性金属パターンは、上記能動面とその接続対象とを電気的に接続するための配線パターンである。
配線パターンとしては、例えば基板上に電気伝導のために形成される周知の銅箔パターンやスルーホールなどがある。このようにすれば、基板上の配線パターンを有効に利用して熱伝導用にも利用できるため、駆動装置をより小型化、低コスト化することができる。
【0018】
また、既述のように、本発明は種々の発熱素子に適用することができるが、請求項3に記載したように、電気負荷の通電経路を導通・遮断するスイッチング素子である場合に適用するとより効果的である。即ち、例えばパワートランジスタなどのスイッチング素子は、電気負荷への通電電流を導通・遮断するものであり、その通電電流の量も、電気負荷を駆動するために必要な比較的大きな電流であるから、通電時にスイッチング素子から発生する熱の量も多い。そのため、互いに同時に通電されることのない複数のスイッチング素子を近接実装すると共に各スイッチング素子の下部に導電性金属パターンを設けて相互に熱伝導できるようにすることにより、発熱量の大きいスイッチング素子の小型化も可能となる。
【0019】
さらに、基板上に近接して実装される複数の発熱素子は、請求項4に記載したように、基板の表裏面に基板を挟むように実装してもよい。このようにすれば、放熱用金属部材と接続される導電性金属パターン以外に別途導電性金属パターンを設ける必要がなく、しかも、基板において、表裏面に実装された発熱素子が挟む部分で熱の伝導を行うことができる。つまり、基板上の同一面に近接して配置する場合に比べ、基板を介して直接かつ面的に熱が伝導でき、より放熱効果が高まる。そのため、発熱素子をより小型化できるのに加え、表裏面に実装することで基板上の実装面積も小さくできるため、駆動装置全体をより小型化することが可能となる。
【0020】
尚、表裏面に実装される発熱素子の相対的な位置関係は、良好な熱伝導性を考慮すれば、基板の同一位置における表裏面に実装される(つまり、発熱素子が基板を挟んで相互に完全に対向するように実装される)のが望ましいが、必ずしも基板の同一位置の表裏面に完全に実装される必要はなく、基板において、発熱素子で挟まれている部分が少しでも存在するように実装されていればよい。
【0021】
ここで、請求項1〜4記載の発明は、請求項5に記載したように、発熱素子として四つのスイッチング素子を備え、その四つのスイッチング素子にて構成されたHブリッジ回路により、電気負荷としての一つのモータへの通電方向を制御可能な駆動装置に適用することができる。そして、四つのスイッチング素子のうち、互いに同時に通電されることのない二つのスイッチング素子を、相互に近接するように実装する。
【0022】
通常、Hブリッジ回路によるモータ駆動の際は、四つのスイッチング素子のオン・オフを適切に制御することにより、モータへの通電方向を制御する。そのため、モータ駆動の際に四つのスイッチング素子が全て同時にオンになることはない。そこで、四つのスイッチング素子のうち、互いに同時に通電されることのない二つのスイッチング素子を、相互に近接するように実装すれば、動作中のスイッチング素子の発熱を、近接実装された他方の非動作中のスイッチング素子に吸収させることができる。
【0023】
従って、スイッチング素子の数が多い(四つ)Hブリッジ回路に対して、本発明(請求項1〜4)を適用すると、四つのスイッチング素子を小型化して、モータの駆動装置をより小型化・低コスト化することができため、より効果的である。
【0024】
ところで、Hブリッジ回路にてモータを駆動する場合、例えば、電源の正極又は負極のいずれか一方の極性側に接続された二つのスイッチング素子を通電方向選択用(方向選択サイド)に用い、他方の極性に接続された二つのスイッチング素子を通電制御用(通電制御サイド)に用いるのが一般的である。
【0025】
つまり、例えば、方向選択サイドの二つのスイッチング素子のうちのいずれか一方のスイッチング素子を常時オンとし、通電制御サイドの二つのスイッチング素子のうちいずれか一方のスイッチング素子を常時オフとすることにより、モータへの通電方向を決める。そして、方向選択サイドにおける他方のスイッチング素子(方向選択サイド駆動素子)をオフにし、通電制御サイドにおける他方の素子(通電制御サイド駆動素子)をオンにしたとき、モータへの通電が行われる。
【0026】
モータへの通電電流量を制御するためには、例えば通電制御サイド駆動素子をデューティ制御すればよいが、通電制御サイド駆動素子をオフにして非通電状態にしても、モータに蓄えられた磁気エネルギ(消弧エネルギ)により、モータを流れる電流はすぐにはゼロにならない。そのため、例えば、通電制御サイド駆動素子をオフにするのと同時に方向選択サイド側でオフにしていたスイッチング素子をオンにすることにより、方向選択サイドの二つのスイッチング素子とモータとで、環流回路が形成され、これによりモータの磁気エネルギを消費させて電流をゼロにすることができる。
【0027】
つまりこの場合、モータへの通電オフ時の消弧エネルギーを方向選択サイドにて消費させることになり、方向選択サイドの二つのスイッチング素子は、共に同時に電流が流れる期間が存在するが、通電制御サイドの二つのスイッチング素子には、共に同時に電流が流れる期間は存在しない。
【0028】
そこで、請求項5に記載したHブリッジ回路にてモータを駆動する駆動装置においては、請求項6に記載したように、モータの電源の正極又は負極のいずれか一方の極性側に接続されている二つのスイッチング素子であって、しかもモータ通電時には通電電流の方向や大きさを制御するために、一方は常にオフしていて他方がデューティ制御されるものである場合に、その二つのスイッチング素子を近接して実装すると、特に効果的である。
【0029】
このようにすれば、近接して実装した二つのスイッチング素子のうちいずれか一方のスイッチング素子は必ずオフになっているため、放熱がより良好に行われる。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。
[第1実施形態]
図1は、本発明が適用された車両のスロットル制御システムの構成を表す概略構成図である。
【0031】
図1に示すように、本実施形態のスロットル制御装置は、吸入空気管7内を内燃機関9に向かって流れる空気流量を調節するためのスロットルバルブ1と、スロットルバルブ1の回転軸に連結され、スロットルバルブ1を回転させるためのモータ2と、スロットルバルブ1の開度を検出するために図示しないスロットルボディに取り付けられ、スロットルバルブ1と連動してスロットル開度に比例した電圧を出力するスロットル開度センサ3と、運転者によるアクセルペダル8の操作量を検出し、その操作量に比例した電圧を出力するペダル位置センサ4と、スロットル開度センサ3及びペダル位置センサ4からの信号(出力電圧)を入力し、これらの入力信号に応じて、スロットルバルブ1の開度を所望の開度に制御するためにモータ2への通電制御を行う電子制御装置5と、車両に搭載され、モータ2へ電力を供給するためのバッテリ6と、バッテリ6から電子制御装置5への通電経路を導通・遮断するためのイグニションスイッチ7とから構成される。尚、モータ2は、通電方向により回転方向が、通電電流量により回転トルクが制御される周知の直流モータである。
【0032】
電子制御装置5は、主としてマイクロコンピュータ(以下、単に「マイコン」と称す)11と、モータ駆動回路12と、電流検出回路13とで構成されるものであり、その詳細を図2に示す。
マイコン11は、CPU、ROM、RAM、I/O、バスライン等を備えた周知のものである。マイコン11には、スロットル開度センサ3からの出力電圧が抵抗R1、R2にて分圧された上で入力され、ペダル位置センサ4からの出力電圧が抵抗R3、R4にて分圧された上で入力され、電流検出回路13からの出力電圧が抵抗R5、R6にて分圧された上で入力される。そして、これらの各入力信号(電圧)に基づき、モータ2への通電を制御するための制御信号を、モータ駆動回路12内の駆動ロジック部21へ出力する。
【0033】
尚、図示はしないものの、マイコン11には上記入力電圧のほか、エンジン回転数や冷却水温度、吸気・排気温度、バッテリ電圧等の各種信号も入力され、これら各種入力信号に基づいて、車両各部の制御(例えば点火時期制御やアイドル回転数制御など)が行われている。また、マイコン11の動作用の電力も、バッテリ6からイグニションスイッチ7を介して供給されている。
【0034】
モータ駆動回路12には、四個のNチャネルMOS型FET(電界効果トランジスタ、以下単に「トランジスタ」と称す)Tr1、Tr2、Tr3、Tr4からなるHブリッジ回路が備えられている。具体的には、トランジスタTr1及びTr2(ハイサイド側のトランジスタ)のドレインがイグニションスイッチ7を介してバッテリ6の正極側に接続され、トランジスタTr3及びTr4(ローサイド側のトランジスタ)のソースが電流検出回路13内の抵抗R11を介してバッテリ6の負極側と同電位の電源ライン(グランドライン)に接続されている。尚、この四つのトランジスタTr1〜Tr4は、本発明の発熱素子としてのスイッチング素子に相当するものである。
【0035】
そして、トランジスタTr2のソースはトランジスタTr3のドレインと接続されると共にその接続点Aはモータ2の一端に接続され、トランジスタTr1のソースはトランジスタTr4のドレインと接続されると共にその接続点Bはモータ2の他端に接続されている。尚、モータ2は、実際には図1に示したようにスロットルバルブ1近傍に設けられているものであるが、図2においては、説明の明瞭化のためモータ駆動回路12の中にモータ2を併せて記載した。
【0036】
このようなHブリッジ回路では、全てのトランジスタTr1、Tr2、Tr3、Tr4がオフ状態であるときに、ハイサイド側のトランジスタTr1とローサイド側のトランジスタTr3とを同時にオンすれば、モータ2に対して接続点Bから接続点Aに電流が流れて、モータ2を、スロットルバルブ1を閉じる方向に回転(閉回転)させることができる。逆に、ハイサイド側のトランジスタTr2とローサイド側のトランジスタTr4とを同時にオンすれば、モータ2に対して接続点Aから接続点Bに電流が流れて、モータ2を、スロットルバルブ1を開く方向に回転(開回転)させることができる。
【0037】
また、モータ2の回転位置(延いてはスロットルバルブ1の開度)を制御するには、モータ2を流れる電流Imを制御すればよいため、本実施形態におけるモータ2の駆動制御は、例えばモータ2を閉回転させる場合は、ハイサイド側のトランジスタTr1をオン状態、ローサイド側のトランジスタTr4をオフ状態にそれぞれ保持し、ローサイド側のトランジスタTr3とハイサイド側のトランジスタTr2とのオン・オフ状態を交互に切り換えることにより行われる。
【0038】
つまり、NチャネルのトランジスタTr1、Tr2、Tr3、Tr4はいずれも、ゲートに入力される駆動信号O1、O2、O3、O4がHighレベル(以下「Hレベル」と称す)である時にオン状態となるため、本実施形態では、図3に示す如く、閉回転時は、トランジスタTr1の駆動信号O1をHレベルに、トランジスタTr4の駆動信号O4をLowレベル(以下「Lレベル」と称す)に保持することにより、トランジスタTr1をオン状態、トランジスタTr4をオフ状態にする。そして、トランジスタTr2、Tr3には、目標スロットル開度に応じてデューティ制御した、相互に異なるレベルの駆動信号O2、O3を入力することにより、トランジスタTr2,Tr3のオン・オフ状態を交互に反転(デューティ駆動)させる。
【0039】
この結果、駆動信号O2がLレベル、駆動信号O3がHレベルとなって、トランジスタTr2がオフ、トランジスタTr3がオン状態となったときには、モータ電流Imがマイナス方向に上昇(つまり、接続点Bから接続点Aへ流れる電流が上昇)する。そして、駆動信号O2がHレベル、駆動信号O3がLレベルとなって、トランジスタTr2がオン、トランジスタTr3がオフ状態となったときには、モータ2に蓄積された磁気エネルギ(消弧エネルギ)により、トランジスタTr1、Tr2、モータ2によりハイサイド側に形成される閉回路(環流回路)に環流電流が流れて、モータ電流Imは減衰する。
【0040】
一方、モータ2を開回転させる場合も、図3に示す如く、トランジスタTr2の駆動信号O2をHレベルに、トランジスタTr3の駆動信号O3をLレベルに保持することにより、トランジスタTr2をオン状態、トランジスタTr3をオフ状態にする。そして、トランジスタTr1、Tr4には、目標スロットル開度に応じてデューティ制御した、相互に異なるレベルの駆動信号O1、O4を入力することにより、トランジスタTr1,Tr4のオン・オフ状態を交互に反転(デューティ駆動)させる。
【0041】
この結果、駆動信号O1がLレベル、駆動信号O4がHレベルとなって、トランジスタTr1がオフ、トランジスタTr4がオン状態となったときには、モータ電流Imが上昇する。そして、駆動信号O1がHレベル、駆動信号O4がLレベルとなって、トランジスタTr1がオン、トランジスタTr4がオフ状態となったときには、モータ2に蓄積された磁気エネルギ(消弧エネルギ)により、トランジスタTr1、Tr2、モータ2で形成される環流回路に環流電流が流れて、モータ電流Imはやはり減衰する。
【0042】
つまり、ハイサイド側の二つのトランジスタTr1,Tr2を、通電方向選択用として使用し、ローサイド側の二つのトランジスタTr3,Tr4を、通電時間制御用として使用する。
そして、閉回転・開回転いずれの場合にも、モータ2には、トランジスタTr3(閉回転時)又はトランジスタTr4(開回転時)のオン/オフ時間の比率(デューティ比)に応じたトルクが発生し、スロットルバルブ1の開度を所望の位置に回転させる。
【0043】
駆動ロジック部21は、マイコン11からの制御信号に基づき、各トランジスタTr1〜Tr4をオン・オフ制御するための信号(例えば、5VのHレベル信号又は0VのLレベル信号)を、各プリドライバ22a、22b、22c、22dに出力する。そして、各プリドライバ22a、22b、22c、22dにて、駆動ロジック部21からの出力信号を、各トランジスタTr1〜Tr4を実際に駆動しうるだけの電圧(例えば、12V若しくは20V(ハイサイド側トランジスタ駆動時)のHレベル信号、又は0VのLレベル信号)にレベルアップさせ、駆動信号O1〜O4としてそれぞれ各トランジスタTr1〜Tr4へ出力する。
【0044】
また、電流検出回路13は、オペアンプ13aと、抵抗R7〜R11にて構成され、モータ2の通電経路に直列に挿入された抵抗R11の両端の電圧に基づき、モータ2或いはこれを駆動させるためのHブリッジ回路等の異常(断線・短絡)を検出するものである。この電流検出回路13からの出力(異常検出信号)は、駆動ロジック部21に入力され、駆動ロジック部21は、モータ2に流れる電流が所定の上限値を超えた場合にはモータ電流を抑制するように各トランジスタTr1〜Tr4を制御する。また、電流検出回路13からの出力は、抵抗R5及びR6にて分圧された上でマイコン11にも入力され、異常時には、マイコン11は、異常が生じたことをダイアグノーシスコードとして記憶し、運転室内のインパネに設けられた警告灯(図示せず)を点灯させて異常の発生を運転者にも報知する。
【0045】
ところで、本実施形態のモータ駆動回路12のように、四個のトランジスタTr1〜Tr4をオン・オフ制御することによりモータ2への通電を制御する場合、各トランジスタTr1〜Tr4の通電時(オン時)には、各トランジスタのオン抵抗により素子内部に電力損失が生じ、これに起因して熱が発生する。そのため、通電時に各トランジスタTr1〜Tr4で発生する熱を、外部に適切に放出する必要がある。
【0046】
この場合、各トランジスタTr1〜Tr4に別途放熱器を設けるなどの一般的な放熱方法ももちろん可能であるが、このようにすると、従来技術で述べたような問題が生じる。
そこで、本実施形態では、四個のトランジスタTr1〜Tr4が全て同時にオンになることはないことに着目し、例えばローサイド側の二つのトランジスタTr3、Tr4を、図4に示すように基板上に近接して実装した。図4(a)は、ローサイド側の二つのトランジスタTr3、Tr4を基板上に実装した状態を示す説明図であり、図4(b)は、図4(a)における断面A−Aの概略を表す説明図である。
【0047】
図4(b)に示すように、トランジスタTr4は、樹脂によりモールドされた表面実装用の部品であり、トランジスタチップB4の裏面(ドレイン)は金属製のドレイン端子D4に直接接合されている。このドレイン端子D4は、トランジスタチップB4から発生する熱を放熱するための放熱板としての役目を兼ね備えたものである。
【0048】
トランジスタチップB4の表面(ソース)はワイヤボンディングW4により金属製のソース端子S4に接続されている。また、図示はしないものの、トランジスタチップB4のゲートも、同じくワイヤボンディングにより金属製のゲート端子G4に接続されている。そして、トランジスタチップB4及びワイヤボンディングW4を含む部品全体が、樹脂モールドによるパッケージM4に覆われた構造になっている。
【0049】
尚、他の3つのトランジスタTr1、Tr2、Tr3も、トランジスタTr4と全く同様の構造を有する表面実装用のモールド型部品であるため、詳細な説明は省略する。
そして、ローサイド側の二つのトランジスタTr3、Tr4は、図4(a)に示すように基板44上に相互に近接して実装され、トランジスタTr3のドレイン端子D3、ソース端子S3、ゲート端子G3は、それぞれ、基板44に形成されたランドLD3、LS3、LG3にはんだ付けされている。トランジスタTr4のドレイン端子D4、ソース端子S4、ゲート端子G4も、それぞれ、基板44に形成されたランドLD4、LS4、LG4にはんだ付けされている。基板44は、板状絶縁体の両面に所望の銅箔パターン(ランドを含む)が形成された周知の両面プリント基板である。
【0050】
各トランジスタTr3、Tr4のドレイン端子D3、D4は、それぞれ基板44上に形成されたレジスト施工済みの配線パターン(銅箔パターン)PD3、PD4を介して、接続対象であるコネクタ45の所定のリード45a、45bに電気的に接続され、このコネクタ45を介してモータ2(図4では図示せず)に接続されている。この各配線パターンPD3、PD4は、各トランジスタTr3、Tr4から発生する熱の伝導を良好にする(詳細は後述)ため、図4に示すように広い範囲で形成されており、しかも両者が近接するように形成されている。
【0051】
一方、ソース端子S3,S4は、配線パターンPS3,PS4、スルーホール46a、46b及び基板44の裏面に形成された配線パターンPG34を介して、電気的に接続されている。このソース端子S3、S4、及びゲート端子G3、G4は、いずれも図示しない配線パターンを介して基板44上の所定の部位に配線されるが、ここでは、その詳細については省略する。
【0052】
基板44の裏面における、各トランジスタTr3、Tr4の裏面に相当する範囲には、銅箔パターンPTが形成されている。この銅箔パターンPTは、電気信号を伝達せるためのものではないため、他の部品や配線パターン等と電気的に接続されておらず、後述するように、二つのトランジスタTr3、Tr4の放熱部(ドレイン端子D3,D4)から発生する熱の伝導を良好にするために設けたものであり、ランドLD3,LD4、配線パターンPD3,PD4と共に、本発明の導電性金属パターンに相当するものである。
【0053】
既述の通り、モータ2への通電を四つのトランジスタTr1、Tr2、Tr3、Tr4にて制御するため、各トランジスタへの通電時には、素子内部(トランジスタチップ)で熱が発生する。そのため、近接して実装した二つのトランジスタTr3、Tr4からも、通電時には熱が発生するが、二つのトランジスタTr3、Tr4に同時に連続して通電されることはない。即ち、図3で説明したように、モータ2の閉回転時にはトランジスタTr4は常時オフとなり、トランジスタTr3をデューティ制御することにより、モータ2への通電電流量を制御する。一方、モータ2の開回転時にはトランジスタTr3が常時オフとなり、トランジスタTr4をデューティ制御することにより、モータ2への通電電流量を制御する。
【0054】
つまり、いずれか一方のトランジスタは常時オフになり、他方のトランジスタに対して通電が行われるため、モータ2の駆動中は、いずれか一方の通電中のトランジスタからのみ熱が発生することになる。そのため、図4のように、この二つのトランジスタTr3、Tr4を近接して実装(換言すれば、放熱部としてのドレイン端子D3,D4を近接)することにより、動作中のトランジスタからの発熱を、動作していないトランジスタの放熱部(ドレイン端子)に伝えれば、トランジスタからの放熱がより良好に行われることになる。
【0055】
ここで、上記のように二つのトランジスタTr3、Tr4を基板44の同一面上に近接実装した場合、各ドレイン端子D3、D4は、相互が配線パターンを介して直接接続されていないため、動作中のトランジスタからの発熱は、基板44を構成する絶縁体を直接介して、動作していないトランジスタへ、基板44を水平方向に伝導することになる。しかしながら、基板44の絶縁体(例えばガラス布エポキシ)は銅などの金属に比べ、熱抵抗が大きく、熱が伝導しにくい。
【0056】
そこで、本実施形態では、基板44の裏面に、熱伝導のための銅箔パターンPTを設け、これを介して二つのトランジスタTr3、Tr4相互間の熱伝導を行うことにより、熱が良好に伝導できるようにした。
即ち、銅箔パターンPTを設けたことにより、一方の動作中のトランジスタから発生した熱は、基板44の絶縁体を介して水平方向に伝導するよりも、基板44の厚さ方向に(つまり基板44の裏面側に)伝導する方が、早く且つ効率的に伝導される。例えば、トランジスタTr4のトランジスタチップB4から発生した熱は、ドレイン端子D4からランドLD4へ伝わり、配線パターンPD4へと放熱されていく。そして、このようにドレイン端子D4を中心として配線パターンPD4まで伝導した熱は、基板44を介してその裏面の銅箔パターンPTにも伝わる。
【0057】
銅箔パターンPTは基板44の絶縁体に比べて熱抵抗が小さいため、銅箔パターンPT全体に熱が急速に伝わる。銅箔パターンPT全体に伝わった熱は、再び基板44の絶縁体を介して、近接実装されたトランジスタTr3の放熱部(ドレイン端子D3)や配線パターンPD3に伝わり、吸収される。
【0058】
つまり、単に近接実装して、基板44の水平方向に基板44の絶縁体を介して熱を伝導するのに比べ、基板44の裏面の銅箔パターンPTを利用して、トランジスタ相互間の熱伝導を面的(基板44の厚さ方向)に行う方が、より良好に熱を伝導できるのである。
【0059】
従って、本実施形態のスロットル制御システムによれば、共に同時に通電されることのない二つのトランジスタTr3、Tr4を基板44上に近接して実装し、各ドレイン端子D3,D4と電気的・熱的につながった配線パターンPD3,PD4をできるだけ広い範囲且つ近接するように形成して、しかも基板44の裏面におけるトランジスタTr3、Tr4の裏面に相当する範囲に銅箔パターンPTを設けたことにより、動作中のトランジスタから発生した熱は基板44の絶縁体及び銅箔パターンPTを介して、非動作中のトランジスタに良好に伝導し、吸収させることができる。
【0060】
そのため、動作中のトランジスタの温度が低減されることになり、この温度低減効果の分だけ、より多くの電流をトランジスタに通電させることができることになる。言い換えれば、オン抵抗の大きい、チップサイズのより小さいトランジスタを、許容損失の低いより小さなパッケージにして用いることができるようになるわけである。そのため、トランジスタのコストダウンも可能となり、結果として電子制御装置5全体の小型化及び低コスト化も可能となる。
【0061】
また、銅箔パターンPTは、熱伝導にのみ利用するために設けたものであるため、電源ラインやグランドラインなどの他の信号の配線に併用することも可能である。
[第2実施形態]
本実施形態のスロットル制御システムの構成は、第1実施形態のスロットル制御システムの構成(図1及び図2)と同じであるため、ここではその説明を省略する。そして、以下、本実施形態のスロットル制御システムの構成についても、第1実施形態の図1及び図2に基づいて説明する。
【0062】
本実施形態では、図5に示すように、閉回転時は、トランジスタTr3の駆動信号O3をHレベルに、トランジスタTr2の駆動信号O2をLレベルに保持することにより、トランジスタTr3をオン状態、トランジスタTr2をオフ状態にする。そして、トランジスタTr1、Tr4には、目標スロットル開度に応じてデューティ制御した、相互に異なるレベルの駆動信号O1、O4を入力することにより、トランジスタTr1,Tr4のオン・オフ状態を交互に反転(デューティ駆動)させる。
【0063】
この結果、駆動信号O1がHレベル、駆動信号O4がLレベルとなって、トランジスタTr1がオン、トランジスタTr4がオフ状態となったときには、モータ電流Imがマイナス方向に上昇(つまり、接続点Bから接続点Aへ流れる電流が上昇)する。そして、駆動信号O4がHレベル、駆動信号O1がLレベルとなって、トランジスタTr4がオン、トランジスタTr1がオフ状態となったときには、モータ2に蓄積された磁気エネルギ(消弧エネルギ)により、トランジスタTr3、Tr4、モータ2によりローサイド側に形成される環流回路に環流電流が流れて、モータ電流Imは減衰する。
【0064】
一方、モータ2を開回転させる場合も、図5に示す如く、トランジスタTr4の駆動信号O4をHレベルに、トランジスタTr1の駆動信号O1をLレベルに保持することにより、トランジスタTr4をオン状態、トランジスタTr1をオフ状態にする。そして、駆動信号O3がLレベル、駆動信号O2がHレベルとなって、トランジスタTr3がオフ、トランジスタTr2がオン状態となったときには、モータ電流Imが上昇する。そして、駆動信号O3がHレベル、駆動信号O2がLレベルとなって、トランジスタTr3がオン、トランジスタTr2がオフ状態となったときには、モータ2に蓄積された磁気エネルギ(消弧エネルギ)により、トランジスタTr3、Tr4、モータ2で形成される環流回路に環流電流が流れて、モータ電流Imはやはり減衰する。
【0065】
つまり、本実施形態では、第1実施形態とは逆に、ハイサイド側の二つのトランジスタTr1,Tr2を通電時間制御用として使用し、ローサイド側の二つのトランジスタTr3,Tr4を通電方向選択用として使用している。
上記のようにモータ2への通電を行った場合、例えばハイサイド側のトランジスタTr1、Tr2は、いずれか一方は常時オフとなっている。そのため、通電中のトランジスタから発生する熱を非通電中のトランジスタに吸収させるように、両トランジスタを基板上に配置できれば、放熱性能が向上し、トランジスタチップのサイズをより小さくすることができる。
【0066】
そこで、本実施形態では、ハイサイド側の二つのトランジスタTr1、Tr2を、図6に示すように基板上に近接して実装した。図6(a)は、ハイサイド側の二つのトランジスタTr1、Tr2を基板上に実装した状態を示す説明図であり、図6(b)は、図6(a)における断面A−Aの概略を表す説明図である。尚、本実施形態においても、四つのトランジスタTr1〜Tr4の構造は、第1実施形態において図4に示した構造と同じであるため、ここではその説明を省略する。
【0067】
ハイサイド側の二つのトランジスタTr1、Tr2は、図6(a)に示すように基板61上に相互に近接して実装され、トランジスタTr1のドレイン端子D1、ソース端子S1、ゲート端子G1は、それぞれ、基板61に形成されたランドLD1、LS1、LG1にはんだ付けされている。トランジスタTr2のドレイン端子D2、ソース端子S2、ゲート端子G2も、それぞれ、基板61に形成されたランドLD2、LS2、LG2にはんだ付けされている。
【0068】
一方、各トランジスタTr1、Tr2のドレイン端子D1、D2は、同電位である(図2参照)ため、配線パターンPD60を介して、両ドレイン端子D1及びD2を電気的に接続している。そしてこの配線パターンPD60は、本発明の導電性金属パターンに相当し、各トランジスタTr1,Tr2の相互間で熱を伝導させる機能をも有するものである。尚、ドレイン端子D1、D2は、図示しない配線パターンを介してバッテリ6に接続され、ゲート端子G1、G2も図示しない配線パターンを介して基板61上の所定の部位に配線されるが、ここでは、その詳細については省略する。
【0069】
図5で説明したように、二つのトランジスタTr1、Tr2に同時に連続して通電されることはなく、モータ2の駆動時には、いずれか一方のトランジスタは常時オフになり、他方のトランジスタに対して通電が行われる。即ち、いずれか一方の通電中のトランジスタからのみ熱が発生することになる。
【0070】
そこで、本実施形態では、この配線パターンPD60を介して、二つのトランジスタTr1、Tr2相互間の熱伝導を行うことにより、熱が良好に伝導できるようにした。
つまり、両ドレイン端子D1、D2間の電気的接続のために必要な配線パターンPD60を、両ドレイン端子D1、D2間を最短の距離でしかも太く配線するように形成することにより、トランジスタTr1、Tr2相互間の熱伝導を良好に行うための手段(即ち本発明の導電性金属パターン)として利用している。
【0071】
従って、本実施形態のスロットル制御システムによれば、共に同時に通電されることのない二つのトランジスタTr1、Tr2を基板61上に近接して実装し、しかも両ドレイン端子D1、D2間は配線パターンPD60により接続されているため、動作中のトランジスタから発生した熱は主にこの配線パターンPD60を介して、非動作中のトランジスタの放熱部(ドレイン端子)に良好に伝導し、吸収させることができる。そのため、動作中のトランジスタの温度が低減されることになり、第1実施形態と同等の作用効果を奏する。
【0072】
しかも、本実施形態では、第1実施形態の場合のように熱を伝導させるためだけに銅箔パターンPT等を設ける必要はなく、通電に必要な配線パターンPD60を熱伝導にも有効利用できるため、電子制御装置5をより小型化、低コスト化することができる。
【0073】
尚、本発明の実施の形態は、上記実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採り得ることはいうまでもない。
例えば、第1実施形態においては、ローサイド側のトランジスタTr3、Tr4を、基板44の同一面上に近接して実装したが、例えば図7に示すように、基板71の表裏面に、基板71を挟むように実装してもよい。このようにすれば、第1実施形態の図4に示したような銅箔パターンPTを介すことなく、基板71における両トランジスタTr3、Tr4の放熱部(ドレイン端子D3,D4)が挟む部分にて、基板71の厚さ方向に直接面的に熱の伝導が行われるため、さらに良好な熱の伝導が行われ、しかも、ドレイン端子と接続する配線パターンPD71、PD72をより小さくすることができ、トランジスタTr3、Tr4の実装面積も大幅に減少する。そのため、電子制御装置5のさらなる小型化・低価格化が可能となる。
【0074】
第2実施形態においても同様に、ハイサイド側のトランジスタTr1、Tr2を、基板61の同一面上に近接して実装したが、例えば図8に示すように、基板61の表裏面に、基板61を挟むように実装してもよい。そしてこの場合、ドレイン端子D3、D4は同電位であり、スルーホール82により電気的に接続されるが、このスルーホールを介して熱を伝導することができるため、図7に場合比べて、熱の伝導はより良好に行われ、しかもトランジスタTr3、Tr4の実装面積も大幅に減少するため、電子制御装置5のさらなる小型化・低価格化が可能となる。
【0075】
尚、上記のように二つのトランジスタを基板両面に実装する場合、二つのトランジスタの放熱部(ドレイン端子)が基板を介して完全に対向するように実装するのが好ましいが、これに限らず、部品の放熱性能等を考慮した上で、両トランジスタの放熱部の一部分のみが対向するように実装してもよい。
【0081】
また、ハイサイド側のトランジスタTr1、Tr2の近接実装(第2実施形態の場合)、或いはローサイド側のトランジスタTr3、Tr4の近接実装(第1実施形態の場合)に限らず、例えばハイサイド側のトランジスタTr2とローサイド側のトランジスタTr3を相互に近接実装してもよい。
【0082】
さらに、近接実装するトランジスタの数は二つに限らず、例えば三つのトランジスタを近接してもよく、とにかく近接実装したトランジスタが同時に通電されるものでなければよい。
更にまた、上記実施形態では、一つのモータ2を駆動するためのモータ駆動回路12に備えられたトランジスタTr1〜Tr4を適宜近接して実装するようにしたが、例えばこのモータ2以外にも、負荷及び負荷への通電を制御するための駆動素子(トランジスタ等)が別途ある場合に、その駆動素子と、モータ駆動回路12のいずれかのトランジスタとを近接して実装してもよい。
【0083】
つまり、一つの制御対象(負荷)への通電を制御する素子間のみならず、複数の制御対象に対して個々に通電制御を行う素子の相互間にも、本発明を適用することができる。
また、本発明は、上記実施形態のように直流モータを駆動する装置に限らず、例えばステッピングモータ駆動装置、或いはインジェクタ駆動装置など、複数の発熱素子を備えるあらゆる駆動装置、制御装置等に適用することができる。
【0084】
また更に、上記実施形態では、Hブリッジ回路を構成する四つのトランジスタ(FET)に対して本発明を適用したが、FETに限らず、例えばバイポーラ型パワートランジスタやサイリスタ等のあらゆるパワー素子に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用されたスロットルバルブ制御システムの構成を表す概略構成図である。
【図2】電子制御装置の構成を表す概略構成図である。
【図3】第1実施形態の、Hブリッジ回路によるモータへの通電パターンを示すタイムチャートである。
【図4】第1実施形態の、ローサイド側トランジスタ2個を基板へ実装した状態を表す説明図である。
【図5】第2実施形態の、Hブリッジ回路によるモータへの通電パターンを示すタイムチャートである。
【図6】第2実施形態の、ハイサイド側トランジスタ2個を基板へ実装した状態を表す説明図である。
【図7】第1実施形態の、ローサイド側トランジスタ2個を基板へ実装した状態の、他の例を表す説明図である。
【図8】第2実施形態の、ハイサイド側トランジスタ2個を基板へ実装した状態の、他の例を表す説明図である。
【符号の説明】
1…スロットルバルブ、2…モータ、3…スロットル開度センサ、4…ペダル位置センサ、5…電子制御装置、6…バッテリ、7…イグニションスイッチ、8…アクセルペダル、11…マイコン、12…モータ駆動回路、13…電流検出回路、21…駆動ロジック部、22a,22b,22c,22d…プリドライバ、44,61,71,81…基板、45,63,73,83…コネクタ、46a,46b,82…スルーホール、B1,B4…トランジスタチップ、M1,M4…パッケージ、W1,W4…ワイヤボンディング、LD1〜LD4,LS1〜LS4,LG1〜LG4,LD73,LD74,LD81,LD82…ランド、PD3,PD4,PD60,PD71,PD72,PD81,PD82,PS3,PS4,PG34…配線パターン、PT…銅箔パターン[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a drive device that drives an electrical load such as a motor, and more particularly to an electrical load drive device that uses a plurality of drive elements.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, by inputting information from various switches and sensors provided in each part of the vehicle to a microcomputer, performing various calculations based on the information, and driving an electric load such as a motor via a driving device, Electronic control devices that perform vehicle control are widely known.
[0003]
In particular, along with the rapid digitization of vehicle systems in recent years, various mechanisms are operated by driving motors such as throttle valve opening / closing control, idle rotation speed control, or automatic transmission shift range switching control in internal combustion engines. The system is increasing. In a drive device for driving a motor, various drive circuits are configured depending on the type of motor to be used and the control method. For example, six drive elements such as power transistors are provided, and these are PWM-controlled. A so-called H-bridge circuit or step motor, which has four drive elements that supply three-phase alternating current to the AC motor, and controls the energization of the DC motor by turning these drive elements on and off Such drive circuits are well known.
[0004]
In such a motor drive circuit, it is possible to control the rotational direction, rotational position, torque, etc. of the motor by sequentially energizing (turning on) a plurality of drive elements or adjusting the duty ratio of the energized drive elements. Therefore, it is possible to appropriately drive and control the control target such as the opening degree of the valve.
[0005]
Drive elements such as power transistors tend to generate heat when energized. Therefore, when selecting a drive element, it is usually possible to use it in consideration of the operating conditions (current value, energization time, duty, etc.) of the drive device. A component having a power loss within a certain range is appropriately selected. In general, a method of improving the heat dissipation performance by attaching a radiating fin to the drive element so that it can be used even with a drive element having a certain amount of power loss (that is, a large amount of heat generation) is often performed.
[0006]
By the way, in recent years, the heat dissipating fins that dissipate heat to the device housing as described above have been abolished, and for example, small drive elements that dissipate heat to the substrate, such as surface mount components and elements with heat sinks, have been mounted on the substrate By selecting the drive element in consideration of the heat dissipation performance in the state, the entire apparatus can be reduced in size and cost.
[0007]
In this case, if a driving element having a smaller on-resistance (in other words, less power loss) is used, the driving element can be further reduced to reduce the size of the apparatus. In other words, the smaller the element, the worse the heat dissipation performance. Accordingly, the on-resistance of the element is reduced to suppress the heat generation amount, thereby attempting to cover the deterioration of the heat dissipation performance.
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
However, the use of a drive element having a small on-resistance as described above enables a reduction in the size of the drive element, but in order to reduce the on-resistance, a drive element having a large internal chip (semiconductor chip) size is used. Therefore, the cost of the driving element is increased. In other words, the size of the entire drive element (package) can be reduced, but the internal chip has to be enlarged correspondingly, and it is impossible to simultaneously achieve downsizing and cost reduction of the drive element.
[0009]
As a method for solving such a problem, for example, in Japanese translation of PCT publication No. 6-507049, there is a method that enables good heat radiation from an output component (heat-generating component) using an apparatus housing or the like. It is disclosed. Specifically, the coating made of a heat conductive material is formed in an annular shape on both sides of the outer peripheral portion of the substrate, and the heat-generating component provided with the cooling fins heats the coating on the outer peripheral portion of the substrate. Arranged so as to contact each other. In addition, the casing (device casing) for storing the substrate and the like is also configured to be in thermal contact with the coating on the outer peripheral portion of the substrate, thereby without adding a separate heat dissipation component to the heat-generating component, Good heat dissipation is achieved.
[0010]
However, in the above method, although the heat dissipation performance is improved, it is necessary to provide a coating for heat dissipation on the outer peripheral portion of the substrate, and the substrate becomes larger accordingly. In addition, since all of the plurality of exothermic components are annularly arranged on the outer periphery of the substrate, the distance between the exothermic components on the substrate and the external input / output terminals (connectors, etc.) is increased, and a thick wiring pattern has to be formed longer. No longer get.
[0011]
For this reason, although the parts can be reduced in size, the board becomes larger, leading to an increase in the size of the entire apparatus, resulting in an increase in cost. Also, a control circuit that controls the operation of the exothermic components is also arranged on the board, but a thick wiring pattern from the exothermic parts to the connector arranged on the outer periphery of the board passes near this control circuit. Therefore, the control circuit may malfunction due to electromagnetic noise radiated around the wiring pattern due to a current flowing through the wiring pattern (for example, a current driving an external load).
[0012]
The present invention has been made in view of the above problems, and in an electric load drive device including a plurality of heat generating elements, the heat generating elements can be reduced in size and cost, and the entire apparatus can be reduced in size and cost. The purpose is to plan.
[0013]
[Means for Solving the Problems and Effects of the Invention]
The drive device according to
Each of the heat generating elements mounted in the vicinity thereof is configured by integrating a semiconductor chip and a heat radiating metal member for releasing heat from the semiconductor chip by a resin mold. In addition, at least one conductive metal pattern for conducting heat between the heat generating elements is formed at least under the heat dissipating metal member included in each of the heat generating elements mounted in close proximity on the substrate. ing. The heat generating elements mounted in close proximity are mounted on the substrate so that the heat dissipating metal member is in contact with the conductive metal pattern.
[0014]
Drive elements mounted in close proximity togetherat the same timeDoes not operate (becomes energized), and either heating element does not operate (becomes de-energized)). That is, one of the heating elements is not necessarily energized during driving of the electric load. there,When one heating element is not operating, the heat generated from the other heating element isHeat-dissipating metal member provided on other heat generating element and conductive metal pattern formed on substrateTherefore, the heat-generating element that is not operating can be absorbed, and the heat dissipation performance is improved, so that more current can flow to the drive element. That is, it is possible to use a heating element that has a larger power loss during energization (for example, a smaller element size).
[0015]
Therefore, according to the first aspect of the present invention, the heat generated by the heating element during operation is mounted in close proximity.For non-operating heating elementsSince it can be absorbed, it becomes possible to reduce the cost by reducing the size of the heating element. This also makes it possible to reduce the size and cost of the entire apparatus.
[0016]
The heating element is, for example, a power transistorAnd various elements such as thyristors,Proximity mounted heating elementat the same timeAction(Energized)Anything can be used as long as it can absorb heat mutually.
[0017]
Here, the conductive metal pattern may be provided only for heat conduction, for example. However, as described in
With wiring patterndo itFor example, a well-known copper foil pattern or through hole formed on a substrate for electrical conductionThere is.In this way, it is possible to effectively use the wiring pattern on the board to conduct heat.Also forSince it can be used, the drive device can be further reduced in size and cost.
[0018]
Further, as described above, the present inventionVariousAlthough it can be applied to a heating element, as described in
[0019]
Further, as described in
[0020]
Note that the relative positional relationship between the heat generating elements mounted on the front and back surfaces is mounted on the front and back surfaces at the same position on the substrate in consideration of good thermal conductivity (that is, the heat generating elements sandwich each other across the substrate). However, it is not always necessary to be completely mounted on the front and back surfaces of the same position of the substrate, and there is even a portion between the heating elements in the substrate. As long as it is implemented.
[0021]
Here, the invention described in
[0022]
Normally, when the motor is driven by an H-bridge circuit, the energization direction to the motor is controlled by appropriately controlling on / off of the four switching elements. Therefore, all four switching elements are not turned on at the same time when the motor is driven. So, of the four switching elements,at the same timeIf two switching elements that are not energized are mounted so as to be close to each other, the heat generated by the switching element in operation can be reduced.InactiveIt can be absorbed by the switching element.
[0023]
Therefore, when the present invention (
[0024]
By the way, when driving a motor with an H bridge circuit, for example, two switching elements connected to either the positive polarity or the negative polarity of the power supply are used for energization direction selection (direction selection side), and the other In general, two switching elements connected in polarity are used for energization control (energization control side).
[0025]
That is, for example, by always turning on one of the two switching elements on the direction selection side, and always turning off one of the two switching elements on the conduction control side, Determine the energization direction of the motor. When the other switching element (direction selection side drive element) on the direction selection side is turned off and the other element (energization control side drive element) on the conduction control side is turned on, the motor is energized.
[0026]
In order to control the amount of current supplied to the motor, for example, the duty control of the power supply control side drive element may be performed. However, even if the power supply control side drive element is turned off and turned off, the magnetic energy stored in the motor is Due to the (arcing energy), the current flowing through the motor does not become zero immediately. Therefore, for example, by turning on the switching element that has been turned off on the direction selection side at the same time as turning off the energization control side drive element, the recirculation circuit is formed by the two switching elements on the direction selection side and the motor. Formed so that the motor's magnetic energy can be consumed and the current zeroed.
[0027]
In other words, in this case, the arc-extinguishing energy when the motor is turned off is consumed on the direction selection side, and the two switching elements on the direction selection side both have a period during which current flows simultaneously. These two switching elements do not have a period during which current flows simultaneously.
[0028]
Therefore, in the drive device that drives the motor by the H-bridge circuit described in
[0029]
In this way, one of the two switching elements mounted in close proximity is always turned off.BecauseHeat dissipation is performed better.
[0030]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
[First Embodiment]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a configuration of a vehicle throttle control system to which the present invention is applied.
[0031]
As shown in FIG. 1, the throttle control device of the present embodiment is connected to a
[0032]
The
The microcomputer 11 is a well-known one having a CPU, ROM, RAM, I / O, bus line, and the like. The microcomputer 11 receives the output voltage from the
[0033]
Although not shown, in addition to the above input voltage, the microcomputer 11 also receives various signals such as the engine speed, cooling water temperature, intake / exhaust temperature, battery voltage, and the like. (For example, ignition timing control, idle speed control, etc.) are performed. Further, power for operating the microcomputer 11 is also supplied from the
[0034]
The
[0035]
The source of the transistor Tr2 is connected to the drain of the transistor Tr3, and its connection point A is connected to one end of the
[0036]
In such an H-bridge circuit, when all of the transistors Tr1, Tr2, Tr3, Tr4 are in an off state, if the high-side transistor Tr1 and the low-side transistor Tr3 are simultaneously turned on, An electric current flows from the connection point B to the connection point A, and the
[0037]
Further, in order to control the rotational position of the motor 2 (and hence the opening of the throttle valve 1), the current Im flowing through the
[0038]
That is, the N-channel transistors Tr1, Tr2, Tr3, Tr4 are all turned on when the drive signals O1, O2, O3, O4 input to the gates are at a high level (hereinafter referred to as “H level”). Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 3, during the closed rotation, the drive signal O1 of the transistor Tr1 is held at the H level, and the drive signal O4 of the transistor Tr4 is held at the Low level (hereinafter referred to as “L level”). Thus, the transistor Tr1 is turned on and the transistor Tr4 is turned off. The transistors Tr2 and Tr3 are alternately inverted with respect to the on / off states of the transistors Tr2 and Tr3 by inputting the drive signals O2 and O3 at different levels, which are duty-controlled according to the target throttle opening degree. (Duty drive).
[0039]
As a result, when the drive signal O2 is L level and the drive signal O3 is H level, the transistor Tr2 is turned off and the transistor Tr3 is turned on, the motor current Im increases in the negative direction (that is, from the connection point B). Current flowing to the connection point A increases). When the drive signal O2 is at the H level and the drive signal O3 is at the L level, the transistor Tr2 is turned on and the transistor Tr3 is turned off, the magnetic energy (arcing energy) accumulated in the
[0040]
On the other hand, when the
[0041]
As a result, when the drive signal O1 becomes L level and the drive signal O4 becomes H level, the transistor Tr1 is turned off and the transistor Tr4 is turned on, the motor current Im increases. When the drive signal O1 is at the H level and the drive signal O4 is at the L level, the transistor Tr1 is turned on and the transistor Tr4 is turned off, the magnetic energy accumulated in the motor 2 (extinguishing energy) causes the transistor A circulating current flows through the circulating circuit formed by Tr1, Tr2, and the
[0042]
That is, the two high-side transistors Tr1 and Tr2 are used for energization direction selection, and the two low-side transistors Tr3 and Tr4 are used for energization time control.
In either case of closed rotation or open rotation, the
[0043]
Based on the control signal from the microcomputer 11, the drive logic unit 21 outputs a signal (for example, a 5V H level signal or a 0V L level signal) for turning on / off the transistors Tr1 to Tr4 to each pre-driver 22a. , 22b, 22c, and 22d. Then, in each pre-driver 22a, 22b, 22c, 22d, an output signal from the drive logic unit 21 is converted into a voltage (for example, 12V or 20V (high side transistor) that can actually drive each transistor Tr1 to Tr4. The H level signal (at the time of driving) or the L level signal of 0V) is output to the transistors Tr1 to Tr4 as driving signals O1 to O4, respectively.
[0044]
The
[0045]
By the way, when the energization to the
[0046]
In this case, of course, a general heat dissipation method such as providing a separate heat radiator for each of the transistors Tr1 to Tr4 is also possible, but this causes the problems described in the prior art.
Therefore, in this embodiment, paying attention to the fact that all four transistors Tr1 to Tr4 are not turned on at the same time, for example, two transistors Tr3 and Tr4 on the low side are placed close to each other on the substrate as shown in FIG. And implemented. FIG. 4A is an explanatory view showing a state where the two transistors Tr3 and Tr4 on the low side are mounted on the substrate, and FIG. 4B shows an outline of a cross section AA in FIG. FIG.
[0047]
As shown in FIG. 4B, the transistor Tr4 is a component for surface mounting molded with resin, and the back surface (drain) of the transistor chip B4 is directly joined to the metal drain terminal D4. The drain terminal D4 also serves as a heat radiating plate for radiating heat generated from the transistor chip B4.
[0048]
The surface (source) of the transistor chip B4 is connected to a metal source terminal S4 by wire bonding W4. Although not shown, the gate of the transistor chip B4 is also connected to the metal gate terminal G4 by wire bonding. The entire component including the transistor chip B4 and the wire bonding W4 is covered with a package M4 made of resin mold.
[0049]
The other three transistors Tr1, Tr2, and Tr3 are also surface-mounted mold parts having the same structure as the transistor Tr4, and thus detailed description thereof is omitted.
The two transistors Tr3 and Tr4 on the low side are mounted close to each other on the
[0050]
The drain terminals D3 and D4 of the transistors Tr3 and Tr4 are connected to the resist-treated wiring patterns (copper foil patterns) PD3 and PD4 formed on the
[0051]
On the other hand, the source terminals S3 and S4 are electrically connected via the wiring patterns PS3 and PS4, the through holes 46a and 46b, and the wiring pattern PG34 formed on the back surface of the
[0052]
A copper foil pattern PT is formed on the back surface of the
[0053]
As described above, since the energization to the
[0054]
That is, since one of the transistors is always off and the other transistor is energized, heat is generated only from one of the energized transistors while the
[0055]
Here, when the two transistors Tr3 and Tr4 are mounted close to each other on the same surface of the
[0056]
Therefore, in the present embodiment, the copper foil pattern PT for heat conduction is provided on the back surface of the
That is, by providing the copper foil pattern PT, the heat generated from one of the transistors during operation is not transmitted in the horizontal direction through the insulator of the
[0057]
Since the copper foil pattern PT has a smaller thermal resistance than the insulator of the
[0058]
That is, the heat conduction between the transistors is achieved by using the copper foil pattern PT on the back surface of the
[0059]
Therefore, according to the throttle control system of this embodiment, bothat the same timeTwo transistors Tr3 and Tr4 that are not energized are mounted close to the
[0060]
Therefore, the temperature of the transistor in operation is reduced, and a larger amount of current can be passed through the transistor by this temperature reduction effect. In other words, a transistor with a large on-resistance and a small chip size can be used in a smaller package with a low allowable loss. Therefore, the cost of the transistor can be reduced, and as a result, the entire
[0061]
Further, since the copper foil pattern PT is provided only for heat conduction, it can be used together with other signal wiring such as a power supply line and a ground line.
[Second Embodiment]
Since the configuration of the throttle control system of the present embodiment is the same as the configuration of the throttle control system of the first embodiment (FIGS. 1 and 2), description thereof is omitted here. In the following, the configuration of the throttle control system of the present embodiment will also be described based on FIGS. 1 and 2 of the first embodiment.
[0062]
In the present embodiment, as shown in FIG. 5, during the closed rotation, the transistor Tr3 is kept in the ON state by holding the drive signal O3 of the transistor Tr3 at the H level and the drive signal O2 of the transistor Tr2 at the L level. Tr2 is turned off. The transistors Tr1 and Tr4 are alternately inverted with respect to the on / off states of the transistors Tr1 and Tr4 by inputting the drive signals O1 and O4 having different levels, which are duty-controlled according to the target throttle opening degree. (Duty drive).
[0063]
As a result, when the drive signal O1 becomes H level and the drive signal O4 becomes L level, the transistor Tr1 is turned on and the transistor Tr4 is turned off, the motor current Im increases in the minus direction (that is, from the connection point B). Current flowing to the connection point A increases). Then, when the drive signal O4 becomes H level and the drive signal O1 becomes L level, the transistor Tr4 is turned on and the transistor Tr1 is turned off, the magnetic energy accumulated in the motor 2 (extinguishing energy) causes the transistor A circulating current flows through a circulating circuit formed on the low side by Tr3, Tr4, and the
[0064]
On the other hand, when the
[0065]
That is, in the present embodiment, contrary to the first embodiment, the two high-side transistors Tr1 and Tr2 are used for energization time control, and the two low-side transistors Tr3 and Tr4 are used for energization direction selection. I use it.
When the
[0066]
Therefore, in this embodiment, the two transistors Tr1 and Tr2 on the high side are mounted close to each other on the substrate as shown in FIG. FIG. 6A is an explanatory diagram showing a state where the two transistors Tr1 and Tr2 on the high side are mounted on the substrate, and FIG. 6B is a schematic cross-sectional view taken along the line AA in FIG. It is explanatory drawing showing. In this embodiment as well, the structure of the four transistors Tr1 to Tr4 is the same as that shown in FIG. 4 in the first embodiment, so that the description thereof is omitted here.
[0067]
The two transistors Tr1 and Tr2 on the high side are mounted close to each other on the substrate 61 as shown in FIG. 6A, and the drain terminal D1, the source terminal S1, and the gate terminal G1 of the transistor Tr1 are respectively The lands LD1, LS1, and LG1 formed on the substrate 61 are soldered. The drain terminal D2, the source terminal S2, and the gate terminal G2 of the transistor Tr2 are also soldered to lands LD2, LS2, and LG2 formed on the substrate 61, respectively.
[0068]
On the other hand, since the drain terminals D1 and D2 of the transistors Tr1 and Tr2 have the same potential (see FIG. 2), the drain terminals D1 and D2 are electrically connected via the wiring pattern PD60. And this wiring pattern PD60 isIt corresponds to the conductive metal pattern of the present invention, and conducts heat between the transistors Tr1 and Tr2.It also has a function. The drain terminals D1 and D2 are connected to the
[0069]
As described with reference to FIG. 5, the two transistors Tr1 and Tr2 are not energized continuously at the same time. When the
[0070]
Therefore, in this embodiment, heat is conducted between the two transistors Tr1 and Tr2 through the wiring pattern PD60 so that heat can be conducted well.
That is, by forming the wiring pattern PD60 necessary for electrical connection between the drain terminals D1 and D2 so as to be thickly wired with the shortest distance between the drain terminals D1 and D2, the transistors Tr1 and Tr2 Good thermal conduction between each otherMeans for (ie, conductive metal pattern of the present invention)It is used as.
[0071]
Therefore, according to the throttle control system of this embodiment, bothat the same timeTwo transistors Tr1 and Tr2 that are not energized are mounted close to the substrate 61, and the drain terminals D1 and D2 are connected by the wiring pattern PD60. Can be conducted and absorbed well through the wiring pattern PD60 to the heat radiation portion (drain terminal) of the non-operating transistor. Therefore, the temperature of the operating transistor is reduced, and the same effect as that of the first embodiment is achieved.
[0072]
Moreover, in the present embodiment, it is not necessary to provide the copper foil pattern PT or the like just for conducting heat as in the case of the first embodiment, and the wiring pattern PD60 necessary for energization is provided.Also for heat conductionSince the
[0073]
The embodiment of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and it goes without saying that various forms can be adopted as long as it belongs to the technical scope of the present invention.
For example, in the first embodiment, the low-side transistors Tr3 and Tr4 are mounted close to each other on the same surface of the
[0074]
Similarly, in the second embodiment, the high-side transistors Tr1 and Tr2 are mounted close to the same surface of the substrate 61. For example, as illustrated in FIG. You may mount so that it may be inserted. In this case, the drain terminals D3 and D4 are at the same potential, and are electrically connected through the through hole 82. However, heat can be conducted through the through hole, and therefore, compared with the case of FIG. The conduction is further improved, and the mounting area of the transistors Tr3 and Tr4 is also greatly reduced. Therefore, the
[0075]
In addition, when mounting two transistors on both sides of the substrate as described above, it is preferable to mount so that the heat radiation portions (drain terminals) of the two transistors are completely opposed via the substrate, but not limited thereto, In consideration of the heat dissipation performance of the components, etc., the transistors may be mounted so that only a part of the heat dissipation portions of both transistors face each other.
[0081]
Also, close mounting of the high-side transistors Tr1 and Tr2(In the case of the second embodiment)Or, close mounting of transistors Tr3 and Tr4 on the low side(In the case of the first embodiment)Not onlyFor example, the high-side transistor Tr2 and the low-side transistor Tr3May be mounted close to each other.
[0082]
Furthermore, the number of transistors to be mounted in close proximity is not limited to two. For example, three transistors may be close to each other.At the same timeAs long as it is not energized.
Furthermore, in the above embodiment, the transistors Tr1 to Tr4 provided in the
[0083]
That is, the present invention can be applied not only between elements that control energization to one controlled object (load) but also between elements that individually control energization of a plurality of controlled objects.
In addition, the present invention is not limited to a device that drives a DC motor as in the above-described embodiment, and may be applied to any drive device, control device, or the like that includes a plurality of heating elements, such as a stepping motor drive device or an injector drive device. be able to.
[0084]
Furthermore, in the above embodiment, the present invention is applied to the four transistors (FETs) constituting the H-bridge circuit. However, the present invention is not limited to the FET, and is applied to all power elements such as bipolar power transistors and thyristors. Canit can.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a configuration of a throttle valve control system to which the present invention is applied.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a configuration of an electronic control unit.
FIG. 3 is a time chart showing an energization pattern to the motor by the H bridge circuit of the first embodiment.
FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating a state where two low-side transistors are mounted on a substrate according to the first embodiment.
FIG. 5 is a time chart showing an energization pattern to a motor by an H bridge circuit according to the second embodiment.
FIG. 6 is an explanatory diagram illustrating a state in which two high-side transistors are mounted on a substrate according to the second embodiment.
FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating another example of a state where two low-side transistors are mounted on a substrate according to the first embodiment.
FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating another example of a state where two high-side transistors are mounted on a substrate according to the second embodiment.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記複数の発熱素子のうち、互いに同時に通電されることのない少なくとも二つの発熱素子は、基板上に近接して実装され、
前記近接して実装される各発熱素子は、いずれも、半導体チップと該半導体チップからの熱を放出するための放熱用金属部材とが樹脂モールドにより一体化されて構成され、
前記基板における、少なくとも前記近接して実装される各発熱素子が備える放熱用金属部材の下部には、該各発熱素子の相互間で熱を伝導させるための導電性金属パターンが少なくとも一つ形成されており、
前記近接して実装される各発熱素子は、前記放熱用金属部材が前記導電性金属パターンに接触するように前記基板上に実装されている
ことを特徴とする電気負荷の駆動装置。In a drive device having a plurality of heating elements provided in an energization path to one or a plurality of electric loads,
Among the plurality of heating elements, at least two heating elements that are not energized at the same time are mounted close to each other on the substrate,
Wherein each of the heating elements that are mounted close to are each a radiating metal member for releasing heat from the semiconductor chip and the semiconductor chip is constructed are integrated by resin molding,
At least one conductive metal pattern for conducting heat between the heat generating elements is formed on at least the lower part of the heat dissipating metal member of the heat generating elements mounted in the vicinity of the substrate. And
The electric load driving device , wherein each of the heat generating elements mounted in proximity is mounted on the substrate such that the heat dissipating metal member is in contact with the conductive metal pattern. .
前記導電性金属パターンは、前記能動面とその接続対象とを電気的に接続するための配線パターンである
ことを特徴とする請求項1記載の電気負荷の駆動装置。 The metal member for heat dissipation is electrically and thermally connected to an inactive surface opposite to the active surface of the semiconductor chip,
2. The electric load driving device according to claim 1, wherein the conductive metal pattern is a wiring pattern for electrically connecting the active surface and a connection target thereof .
前記複数の発熱素子は、前記モータへの通電方向を制御可能なHブリッジ回路を構成する四つのスイッチング素子であり、
前記四つのスイッチング素子のうち、互いに同時に通電されることのない二つのスイッチング素子が、相互に近接して実装されていることを特徴とする請求項1〜4いずれかに記載の電気負荷の駆動装置。The electrical load is a motor;
The plurality of heating elements are four switching elements constituting an H-bridge circuit capable of controlling an energization direction to the motor,
5. The driving of an electric load according to claim 1, wherein two switching elements that are not energized simultaneously among the four switching elements are mounted close to each other. 6. apparatus.
前記モータへの通電時は、通電電流の方向や大きさを制御するために、前記二つのスイッチング素子のうち一方が常にオフして他方がデューティ制御されるものであることを特徴とする請求項5記載の電気負荷の駆動装置。Both of the two switching elements mounted in proximity are connected to the polarity side of either the positive electrode or the negative electrode of the motor power source,
2. When the motor is energized, in order to control the direction and magnitude of the energized current, one of the two switching elements is always off and the other is duty controlled. 5. The drive device for an electric load according to 5.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000117909A JP3610875B2 (en) | 2000-04-19 | 2000-04-19 | Electric load drive |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000117909A JP3610875B2 (en) | 2000-04-19 | 2000-04-19 | Electric load drive |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001309690A JP2001309690A (en) | 2001-11-02 |
JP3610875B2 true JP3610875B2 (en) | 2005-01-19 |
Family
ID=18629150
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000117909A Expired - Fee Related JP3610875B2 (en) | 2000-04-19 | 2000-04-19 | Electric load drive |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3610875B2 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005278344A (en) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Denso Corp | Motor control device |
US20070045658A1 (en) * | 2005-09-01 | 2007-03-01 | Lear Corporation | System and method to provide power to a motor |
JP5088939B2 (en) * | 2007-04-25 | 2012-12-05 | 日本電産サンキョー株式会社 | Laminated board |
WO2016094718A1 (en) * | 2014-12-10 | 2016-06-16 | Texas Instruments Incorporated | Power field-effect transistor (fet), pre-driver, controller, and sense resistor integration |
CA3096554A1 (en) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | Assa Abloy Entrance Systems Ab | Drive arrangement for door operator |
WO2024069416A1 (en) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | Delphi Technologies Ip Limited | Systems and methods for low inductance phase switch for inverter for electric vehicle |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60156280A (en) * | 1984-01-23 | 1985-08-16 | Shinko Electric Co Ltd | Sinusoidal pwm control transistor inverter |
JP3447543B2 (en) * | 1998-02-02 | 2003-09-16 | 東芝トランスポートエンジニアリング株式会社 | Power converter |
JPH11346480A (en) * | 1998-06-02 | 1999-12-14 | Hitachi Ltd | Inverter device |
-
2000
- 2000-04-19 JP JP2000117909A patent/JP3610875B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001309690A (en) | 2001-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10604173B2 (en) | Load drive device | |
JP6444495B2 (en) | Electric power steering drive device | |
JP4909712B2 (en) | Power converter | |
US10548213B2 (en) | Electronic controlling apparatus | |
US10461611B2 (en) | Electromechanical motor unit | |
JP2007012721A (en) | Power semiconductor module | |
JP6020379B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2018074647A (en) | Circuit integrated motor | |
JP3610875B2 (en) | Electric load drive | |
JP2008005676A (en) | Rotary electric machine integrated with controller | |
JP4217157B2 (en) | Power supply device | |
US6812658B2 (en) | Drive unit | |
JPH06245542A (en) | Integrated inverter device for vehicle | |
US11545876B2 (en) | Motor device | |
KR20140076502A (en) | Parallel connection of a number of half-bridges in h-bridges circuit modules | |
JP7052609B2 (en) | Power converter | |
JPH11313466A (en) | Motor and pump device | |
US6844614B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2003023777A (en) | Inverter and motor integrated with inverter | |
WO2018180356A1 (en) | Circuit device | |
JP2009012631A (en) | Electric power steering device | |
US7071800B2 (en) | Actuators with integrated circuits | |
JP2010148229A (en) | Half-bridge inverter and three phase bridge inverter | |
JP3922698B2 (en) | Semiconductor device | |
JP7264143B2 (en) | Semiconductor module and power module including it |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040629 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040928 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20041011 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3610875 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101029 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111029 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121029 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121029 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |