JP2001306164A - 電源回路装置 - Google Patents
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Abstract
圧の低下を極力防止することができる電源回路装置を提
供する。 【解決手段】 バイアス電圧供給回路18を定電流源
7,定電圧回路15及びトランジスタ16で構成し、バ
イパス回路41を定電流源32,定電圧回路40及びト
ランジスタ33で構成する。そして、バイパス回路41
は、バッテリ1の端子電圧が定電圧回路15によって発
生される定電圧V1(=7・VF )を下回った場合に、
バイアス電圧供給回路18に代わって、オペアンプに基
準電圧Vref を与える基準電圧発生回路21にバイアス
電圧VBiを供給する。
Description
供給を受けて直流定電圧を生成し、外部装置に供給する
電源回路装置に関する。
品に、バッテリから供給される直流電源により定電圧電
源を作成して供給する車載用電源回路装置の一構成例で
あり、例えば、特開平11−161348号公報などに
開示されているものである。バッテリ1の正側端子は、
イグニッションキースイッチ(以下、キースイッチと称
す)2及びECU100の入力端子100aを介して,
ECU100内部の電源IC部3の電源入力端子+Bに
接続されていると共に、入力端子100b及びダイオー
ド4を介して電源IC部3の電源入力端子Battに接
続されている。
ロードダンプ保護用のパワーツェナーダイオード5が接
続されており、電源入力端子+BとBattとの間に
は、ダイオード6が接続されている。このダイオード6
は、ダイオード4を介した電源供給経路が何らかの原因
によって開放状態となった場合でも、キースイッチ2を
介した経路で電源入力端子Battに電源を供給するた
めに設けられている。また、ダイオード4は、バッテリ
1の端子接続を誤った場合に、バッテリ1,グランド,
パワーツェナーダイオード5及びダイオード6を介した
経路で短絡ループが形成されて電流が逆流するのを阻止
するために設けられている。
いが、電源IC部3の内部においてキースイッチ2がオ
ンとなった場合にのみ機能する構成部分に電源を供給す
るための端子である。一方、電源入力端子Battは、
キースイッチ2がオフである場合でも、例えばRAMな
どにバックアップ用の電源を供給するための端子であ
る。
子Battとグランドとの間には、定電流源7と、7個
のダイオード8〜14を直列に接続して構成される定電
圧回路15との直列回路が接続されている。また、電源
入力端子Battには、NPN型のトランジスタ16の
コレクタが接続されており、そのトランジスタ16のベ
ースは、定電流源7と定電圧回路15との共通接続点に
接続されている。そして、トランジスタ16のエミッタ
とグランドとの間には、バンドギャップ回路17が接続
されている。尚、定電圧回路15は、バンドギャップ回
路17に供給するバイアス電圧に上限を設定するために
設けられている。また、定電流源7,定電圧回路15及
びトランジスタ16は、バイアス電圧供給回路18を構
成している。
の材質に応じて決定されるバンドギャップ電圧VBG(例
えば、シリコンの場合は1.2V程度)を生成して出力
する回路である。バンドギャップ回路17の出力端子と
グランドとの間には、抵抗19及び20の直列回路が接
続されており、バンドギャップ回路17並びに抵抗19
及び20によって基準電圧発生回路21が構成されてい
る。抵抗19及び20の共通接続点には基準電圧Vref
が出力されるようになっており、その共通接続点はオペ
アンプ22の非反転入力端子に接続されている。
より電源供給を受けるようになっており、その反転入力
端子は、抵抗23を介してグランドに接続されていると
共に、抵抗24を介してオペアンプ22の出力端子に接
続されている。その出力端子には、出力電圧Vout が現
れるようになっている。
成を示すものである。即ち、NPN型のトランジスタ1
6のエミッタには、抵抗25,26を介してトランジス
タ27,28のコレクタが夫々接続されている。これら
のトランジスタ27,28のベースは、トランジスタ2
7のコレクタに共通に接続されており、トランジスタ2
7のエミッタはグランドに直結され、トランジスタ28
のエミッタは抵抗29を介してグランドに接続されてい
る。
NPN型のトランジスタ30のベースが接続されてお
り、そのトランジスタ30のコレクタはトランジスタ1
6のエミッタに接続され、トランジスタ30のエミッタ
はグランドに接続されている。そして、トランジスタ3
0のコレクタ−エミッタ間には、前述した抵抗19及び
20の直列回路が接続されている。
ドギャップ電圧VBGの生成原理を、以下概略的に述べ
る。バンドギャップ電圧VBGは(1)式で表される。 VBG=VBE(T30) +V(R26) …(1) ここで、VBE(T30) はトランジスタ30のベースエミッ
タ間電圧であり、V(R26) は、抵抗26の端子電圧であ
る。ここで、抵抗25,26及び29の抵抗値を夫々R
1,R2及びR3とすると、V(R26) は(2)式で表さ
れる。 V(R26) =R2・IE(T28) =R2・ΔVBE/R3 …(2) 但し、ΔVBEは、トランジスタ25,26のベースエミ
ッタ間電圧の差電圧である。
面積が、トランジスタ25のエミッタ接合面積のN倍に
形成されている場合、ΔVBEは(3)式のように表され
る。 ΔVBE=VBE(T25) −VBE(T26) = (kT/q)ln(IC (T25) /Is ) −(kT/q)ln{IC (T26) /(Is ・N)} = (kT/q)ln(N・IC (T25) /IC (T26) ) …(3) 尚、kはボルツマン定数,Tは絶対温度,qは電子の電
荷量、IC (T25) ,IC(T26) はトランジスタ25,2
6のコレクタ電流,Is はトランジスタ25の飽和電流
である。
2に設定するとIC (T25) =IC (T26) となるので、Δ
VBEは(4)式となる。 ΔVBE=(kT/q)ln(N) …(4) 従って、バンドギャップ電圧VBGは(5)式となる。 VBG=VBE(T30) +R2/R3・(kT/q)ln(N) …(5)
V/℃の負の温度特性を有し、第2項は、絶対温度Tに
比例する正の温度特性を有する。従って、抵抗値R2,
R3の比率やエミッタ接合面積比Nを適宜調整すること
により、温度の影響によるバンドギャップ電圧VBGの変
動を小さく抑えることが可能となる。
0の抵抗値をR4,R5とすると、(6)式で表され、 Vref =R5・VBG/(R4+R5) …(6) オペアンプ22の出力電圧Vout は、抵抗23,24の
抵抗値をR6,R7とすると(7)式で表される。 Vout =R6・Vref /(R6+R7) …(7) 以上のように生成された定電圧Vout が、ECU100
等の制御用電源等として供給されるようになっている。
は、キースイッチ2がオンされると、そのキースイッチ
2を介してバッテリ1に接続されている多くの電装品が
動作を開始するため、バッテリ1の電圧自体が低下す
る。そして、バッテリ1の電圧が低下することによって
基準電圧発生回路21が生成出力する基準電圧Vref ま
でもが低下すると、オペアンプ22を介して動作用電源
の供給を受けている電装品が誤動作してしまうおそれが
ある。従って、バッテリ1の電圧が低下した場合でも、
基準電圧Vrefのレベルが極力低下しないようにするこ
とが望ましい。
あり、その目的は、バッテリの電圧が低下した場合で
も、基準電圧の低下を極力防止することができる電源回
路装置を提供することにある。
装置によれば、バイパス回路は、バッテリの端子電圧が
第1定電圧回路によって発生される定電圧を下回った場
合に、バイアス電圧供給回路に代わって基準電圧発生回
路にバイアス電圧を供給する。即ち、バッテリと第1電
源入力端子との間には、例えば保護機能などが付与され
ている回路部が配置されており、第1電源入力端子の端
子電圧は、その回路部を介すことにより電圧降下を生じ
ている。そのため、バッテリの電圧が低下して定電圧回
路が定電圧を発生できなくなった場合に、バイパス回路
を機能させることで、第2電源入力端子を介して前記電
圧降下の影響を受けないバイアス電圧を基準電圧発生回
路に供給することが可能となる。従って、基準電圧発生
回路は、バッテリの電圧が瞬時に低下した場合でも、従
来よりも確実に適正な基準電圧を発生することができ、
定電圧出力回路は、その基準電圧に基づいて外部供給用
の定電圧電源を生成出力することができる。
イアス電圧供給回路を第1定電流源,第1定電圧回路及
び第1バイアス電圧供給用素子により構成し、バイパス
回路を第2定電流源,第2定電圧回路及び第2バイアス
電圧供給用素子により構成する。即ち、バイアス電圧供
給回路とバイパス回路とは、第1,第2定電圧回路の夫
々が発生する定電圧が異なるだけで基本的には対称に構
成されるので、バイパス回路は、バイアス電圧供給回路
に代わって略同様にバイアス電圧供給作用をなすように
なる。そして、第2定電圧回路は、第1定電圧回路が発
生する定電圧よりも回路部による電圧降下分だけ低い定
電圧を発生するので、その電圧降下分を補償するように
バイパス回路を動作させることができる。
1,第2バイアス電圧供給用素子を第1,第2トランジ
スタで構成する。即ち、第1電源入力端子の端子電圧V
Battが第1定電圧回路により発生される定電圧V1を上
回っている場合、第1トランジスタのベース電位は定電
圧V1に等しく、基準電圧発生回路には、定電圧V1か
ら第1トランジスタのベースエミッタ間電圧VBEを差し
引いたバイアス電圧(V1−VBE)が供給される。
定電圧をV2とする。バッテリ電圧が低下して、端子電
圧VBattがV2<VBatt<V1の範囲になると、第1定
電圧回路は定電圧V1を発生できなくなり、基準電圧発
生回路には、バイアス電圧(VBatt−VBE)が供給され
る。
電圧VBatt=V2,になったとする。この時、第2電源
入力端子の端子電圧V+Bは、端子電圧VBattよりも回路
部の電圧降下分だけ高い電位となっているので、第2ト
ランジスタのベース電位は定電圧V2に等しくなる。す
るとバイパス回路が動作して、基準電圧発生回路には、
定電圧V2から第2トランジスタのベースエミッタ間電
圧VBEを差し引いたバイアス電圧(V2−VBE)が供給
される。尚、バイアス電圧供給回路は、VBatt<V2と
なった時点で第1トランジスタがオフするため動作を停
止する。以降、端子電圧V+B>V2である期間はこの状
態が維持される。
子電圧V+B<V2,になると、第2定電圧回路は定電圧
V2を発生できなくなり、基準電圧発生回路には、バイ
アス電圧(V+B−VBE)が供給される。従って、VBatt
<V2の範囲ではバイパス回路が動作することで、回路
部における電圧降下の影響を受けないバイアス電圧を基
準電圧発生回路に供給することができる。
1及び第2定電圧回路を、複数のダイオードの直列接続
により構成するので、各定電圧を、ダイオードの順方向
電圧を単位として容易に調整することができる。
路部を、バッテリと第1電源入力端子との間に順方向接
続されるダイオードとする。即ち、このようなダイオー
ドは、例えばバッテリを逆極性で接続した場合等に逆方
向電流が流れることを阻止するために用いられる。従っ
て、斯様に構成すれば、バイパス回路によってダイオー
ドの順方向電圧分の電圧降下を補償することができる。
2電源入力端子とグランドとの間に保護用ツェナーダイ
オードを接続し、第2電源入力端子と第1電源入力端子
との間にバイパス用ダイオードを接続する。即ち、電源
回路装置が例えば車載用である場合には、車両の走行中
に何らかの原因によってバッテリの端子との接続が外れ
てしまう(ロードダンプ)と、オルタネータの負荷が急
減することにより正極性のサージ電圧が発生する。その
ようなサージ電圧からの保護対策として保護用ツェナー
ダイオードが配置されることが多い。また、何らかの原
因によってバッテリと第1電源入力端子との間の接続が
外れた場合でも、第2電源入力端子にバッテリからの電
源を供給するために、バイパス用ダイオードが配置され
ることがある。
とにより、バッテリが逆極性で接続されると、バッテリ
の正側端子,グランド、保護用ツェナーダイオード,バ
イパス用ダイオード,バッテリの負側端子の経路で電流
が流れてしまう。そのため、バッテリと第1電源入力端
子との間に逆流阻止用ダイオードを配置する必要があ
り、斯様な構成では、第2電源入力端子の端子電圧が前
記ダイオードの順方向電圧分だけ低下することが不可避
である。従って、このように車載用の回路装置などに適
用が想定される場合にも、バイパス回路によって逆流阻
止用ダイオードによる電圧降下を補償することができ
る。
載用の電源回路装置に適用した場合の第1実施例につい
て図1及び図2を参照して説明する。尚、図5及び図6
と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異
なる部分についてのみ説明する。本実施例における電源
IC部31の構成は、従来構成の電源IC部3に、定電
流源(第2定電流源)32,トランジスタ(第2バイア
ス電圧供給用素子)33,6個のダイオード34〜39
を直列接続して構成される定電圧回路(第2定電圧回
路)40を加えたものである。
子)とグランドとの間には、電流源32と定電圧回路4
0との直列回路が接続されている。また、電源入力端子
+Bには、NPN型のトランジスタ33のコレクタが接
続されており、そのトランジスタ33のエミッタは、基
準電圧発生回路21(バンドギャップ回路17)の電源
入力端子に接続されている。尚、電流源32,トランジ
スタ33及び定電圧回路40は、バイパス回路41を構
成している。また、オペアンプ(定電圧出力回路)22
以降の構成については図示を省略している。以上のよう
に構成される電源IC部31を含んで、ECU101が
構成されている。その他の構成は、図5及び図6と同様
である。
照して説明する。電源入力端子Batt(第1電源入力
端子)の端子電圧をVBatt,電源入力端子+Bの端子電
圧をV+Bとすると、V+Bはバッテリ1の端子電圧に等し
いが、端子電圧VBattは(8)式で表される。 VBatt=V+B−VF …(8) ここで、VF はダイオード4(回路部)の順方向電圧で
ある。
14V程度であるから、通常はこのの範囲にある。こ
の時、(8)式よりVBatt>7・VF である。バイアス
電圧供給回路18において、定電圧回路(第1定電圧回
路)15の定電圧V1は、ダイオード8〜14の直列接
続数が7個であるからV1=7・VF であり、トランジ
スタ(第1バイアス電圧供給用素子)16のベース電圧
VB1=V1であるから、 VB1=7・VF …(9) となっている。
路40のダイオード34〜39の直列接続数が6個であ
るから定電圧V2=6・VF であり、トランジスタ33
のベース電圧VB2=V2であるから、 VB2=6・VF …(10) となっている。
イアス電圧供給回路18が動作しており、基準電圧発生
回路21に供給されるバイアス電圧VBiは、トランジス
タ16のベースエミッタ間電圧VBE(=VF )分低下し
て、 VBi=6・VF …(11) となる。
源入力端子Battの端子電圧VBattは、6・VF <V
Batt≦7・VF となるから、定電圧回路15は定電圧V
1を発生できなくなる。従って、VB1=VBattであり、
VBi=VBatt−VF であるから、 5・VF <VBi≦6・VF …(12) となり、やはりバイアス電圧供給回路18によってバイ
アス電圧VBiが供給される。
と、バイパス回路41側では定電圧回路40が定電圧V
2=6・VF を発生しているので、トランジスタ33の
ベース電圧VB2は(10)式と同様にVB2=6・VF と
なっている。従って、この場合はバイパス回路41が動
作し、基準電圧発生回路21に供給されるバイアス電圧
VBiは、トランジスタ33のベースエミッタ間電圧VBE
(=VF )分低下して、 VBi=5・VF …(13) となる。
側では、5・VF <VBatt≦6・VF であり、トランジ
スタ16のベース電位VB1が6・VF 以上を確保するこ
とができない。そして、トランジスタ16のエミッタ電
位は5・VF であるから、トランジスタ16は遮断され
ている。従って、の範囲ではバイパス回路41によっ
てバイアス電圧VBiが供給される。
と、バイパス回路41の定電圧回路40も定電圧V2を
発生できなくなる。この時、トランジスタ33のベース
電圧VB2は、VB2=V+Bであり、バイアス電圧VBiは、 VBi=V+B−VBE …(14) となる。
を境界として、V+B>7・VF である場合は、電源入力
端子Batt側よりバイアス電圧供給回路18を介し
て、基準電圧発生回路21にバイアス電圧VBiが供給さ
れ、V+B<7・VF である場合は、電源入力端子+B側
よりバイパス回路41を介して、基準電圧発生回路21
にバイアス電圧VBiが供給されるようになっている。
ス電圧VBiより分岐して破線で示している部分は、従来
構成において、一貫してバイアス電圧供給回路18より
バイアス電圧VBiを供給した場合である。即ち、従来構
成では、V+Bが8・VF 以下になるとバイアス電圧VBi
はリニアに低下して行くが、本実施例の構成では、6・
VF <V+B≦7・VF のの区間においてバイアス電圧
VBiは5・VF に維持され、V+Bが6・VF に達した時
点からリニアに低下するようになっている。
・VF である場合は、常にダイオードの順方向電圧VF
分高いバイアス電圧VBiを基準電圧発生回路21に供給
していることになる。そして、図2には、バンドギャッ
プ回路17の出力電圧VBGも合わせて図示しているが、
バイアス電圧VBiが順方向電圧VF 分高くなったこと
で、前記出力電圧がバンドギャップ電圧VBGに維持でき
る電圧範囲が従来よりも広がっている(図2中,左矢印
で示す箇所)。
回路41を、バッテリ1の端子電圧が定電圧回路15に
よって発生される定電圧V1(=7・VF )を下回った
場合に、バイアス電圧供給回路18に代わって基準電圧
発生回路21にバイアス電圧Vi を供給するように構成
した。
IC部31との間に、ロードダンプ保護用のパワーツェ
ナーダイオード5や、ダイオード4を介した電源供給経
路が開放された場合にバッテリ1の電源をバイパスする
ためのダイオード6を備えている。そして、安全対策
上、逆流阻止用のダイオード4も必要となることから、
電源入力端子Batt側より電源IC部31に供給され
る電源電圧は、ダイオード4の順方向電圧VF 分だけ降
下することが避けられない。
にバイパス回路41を機能させることで、電源入力端子
+Bを介して前記電圧降下の影響を受けないバイアス電
圧VBiを基準電圧発生回路21に供給するようにした。
従って、基準電圧発生回路21は、バッテリ1の電圧が
瞬時に低下した場合でも、従来よりも確実に適正な基準
電圧Vref を発生することができるので、オペアンプ2
2は、その基準電圧Vref に基づいて外部供給用の定電
圧電源Vout を生成出力することができる。そして、こ
のように車載用電源回路装置に適用した場合にも、バイ
パス回路41によってダイオード4による電圧降下を補
償することができる。
ースイッチ2がオンされた場合に、電源入力端子+B側
に接続されている各種電装品が動作を開始することによ
りバッテリ1の電圧が一時的に低下した場合にも、バイ
パス回路41によって基準電圧Vref を安定させること
ができるので、回路の誤動作などを防止することができ
る。更に、V+B≧7・VF の場合には従来構成と全く同
様に動作するので、バイパス回路41を付加したことに
よって、通常動作時などに例えばノイズ等の影響が生じ
るおそれはない。
源7,定電圧回路15及びトランジスタ16で構成し、
バイパス回路41を定電流源32,定電圧回路40及び
トランジスタ33で構成したので、バイアス電圧供給回
路18とバイパス回路41定電圧回路15,40の夫々
が発生する定電圧V1,V2が異なるだけで基本的には
対称に構成されるので、バイパス回路41は、バイアス
電圧供給回路18に代わって略同様のバイアス電圧供給
作用をなすようになる。
5が発生する定電圧V1よりもダイオード4による電圧
降下VF 分だけ低い定電圧V2を発生するので、その電
圧降下分を補償するようにバイパス回路41を動作させ
ることができる。また、ECU101の実際の使用環境
における全温度範囲を想定すると、低温時には、VBEま
たは順方向電圧VF が1V程度に達する場合もあること
から、ダイオード1個分の補償であると言えども実用的
には極めて有効である。
5,40を、複数のダイオードの直列接続によって構成
したので、定電圧V1,V2を、ダイオードの順方向電
圧VFを単位として容易に調整することができる。
を示すものであり、第1実施例と同一部分には同一符号
を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説
明する。第2実施例では、電源入力端子Battとトラ
ンジスタ16のコレクタとの間に抵抗42が挿入されて
おり、バイアス電圧供給回路18Aが構成されている。
また、電源入力端子+Bとトランジスタ33のコレクタ
との間にも抵抗43が挿入されており、バイパス回路4
1Aが構成されている。その他の構成は第1実施例と同
様である。
ば、トランジスタ16,33にコレクタ抵抗42,43
を備えたことにより、電源入力端子Batt,+Bに高
電圧が印加された場合や負極性の電圧が印加された場合
などに、トランジスタ16,33に流れる電流を制限し
てトランジスタ16,33を保護することができる。
を示すものであり、第1実施例と同一部分には同一符号
を付して説明を省略し、以下異なる部分についてのみ説
明する。第3実施例では、7個のダイオード8〜14の
直列回路で構成される定電圧回路15に代えて、ツェナ
ーダイオード(第1定電圧回路)44が配置されてお
り、バイアス電圧供給回路18Bが構成されている。ツ
ェナーダイオード44のツェナー電圧は、例えば7・V
F に相当する電圧である。
回路で構成される定電圧回路40に代えて、ツェナーダ
イオード(第2定電圧回路)45が配置されており、バ
イパス回路41Bが構成されている。ツェナーダイオー
ド45のツェナー電圧は、例えば6・VF に相当する電
圧である。
ば、第1及び第2定電圧回路を夫々1個のツェナーダイ
オード44及び45で構成することにより、部品点数を
削減することができる。また、ツェナー電圧を適宜選択
することによって、定電圧V1,V2を容易に調整する
ことができる。
にのみ限定されるものではなく、次のような変形または
拡張が可能である。第1実施例において、定電圧回路を
構成するダイオードの直列接続数は、図示したものに限
らず、回路部において生じる電圧降下量に応じるなどし
て適宜変更して良い。また、第3実施例におけるツェナ
ーダイオードのツェナー電圧も、同様に適宜変更すれば
良い。また、定電圧回路は、複数のダイオードを直列接
続したりツェナーダイオードで構成するものに限らず、
例えばトランジスタなど他の回路素子を用いて構成して
も良い。回路部は、ダイオード4に限ることなく、その
他所定の機能をなすために配置されるものであれば良
い。そして、第1,第2定電圧回路の定電圧V1,V2
の電位差は、回路部において生じる電圧降下に応じて設
定すれば良い。車載用の電源回路装置に限ることなく、
電源入力端子に所定の機能を有する回路部を介して基準
電圧発生回路に電源を供給する構成の電源回路装置であ
れば適用が可能である。
第1実施例を示す電気的構成図
圧を示す図
図
ード、6はダイオード(バイパス用ダイオード)、8〜
14はダイオード、15は定電圧回路(第1定電圧回
路)、16はトランジスタ(第1バイアス電圧供給用素
子)、18,18A及び18Bはバイアス電圧供給回
路、21は基準電圧発生回路、22はオペアンプ(定電
圧出力回路)、32は定電流源(第2定電流源)、33
はトランジスタ(第2バイアス電圧供給用素子)、34
〜39はダイオード、40は定電圧回路(第2定電圧回
路)、41,41A及び41Bはバイパス回路、44及
び45はツェナーダイオード(第1及び第2定電圧回
路)、Battは電源入力端子(第1電源入力端子)、
+Bは電源入力端子(第2電源入力端子)を示す。
Claims (6)
- 【請求項1】 バッテリからの電源供給を受けて基準電
圧を発生する基準電圧発生回路と、この基準電圧発生回
路によって生成される基準電圧に基づいて外部供給用の
定電圧電源を生成して出力する定電圧出力回路とを備え
てなる電源回路装置において、 所定の機能をなす回路部を介して前記バッテリの正側端
子に接続される第1電源入力端子と、 この第1電源入力端子とグランドとの間に接続され、所
定の定電圧を発生する定電圧回路を備え、前記基準電圧
発生回路にバイアス電圧を供給するバイアス電圧供給回
路と、 前記バッテリの正側端子に接続される第2電源入力端子
と、 この第2電源入力端子とグランドとの間に接続され、前
記バッテリの端子電圧が前記定電圧回路によって発生さ
れる定電圧を下回った場合に、前記バイアス電圧供給回
路に代わって前記基準電圧発生回路にバイアス電圧を供
給するバイパス回路とを具備したことを特徴とする電源
回路装置。 - 【請求項2】 前記バイアス電圧供給回路は、 前記第1電源入力端子に接続される第1定電流源と、 この第1定電流源とグランドとの間に接続される第1定
電圧回路と、 入力端子が前記第1定電圧回路と前記第1電源入力端子
とに接続される第1バイアス電圧供給用素子とで構成さ
れ、 前記バイパス回路は、 前記第2電源入力端子に接続される第2定電流源と、 この第2定電流源とグランドとの間に接続され、前記第
1定電圧回路が発生する定電圧よりも、前記回路部によ
る電圧降下分だけ低い定電圧を発生する第2定電圧回路
と、 入力端子が前記第2定電圧回路と前記第2電源入力端子
とに接続される第2バイアス電圧供給用素子とで構成さ
れており、 前記基準電圧発生回路は、前記第1及び第2電圧供給用
素子の出力端子とグランドとの間に接続されていること
を特徴とする請求項1記載の電源回路装置。 - 【請求項3】 前記第1バイアス電圧供給用素子は、ベ
ースが前記第1定電圧回路に接続され、コレクタが前記
第1電源入力端子に接続されると共に、エミッタが前記
基準電圧発生回路に接続されるトランジスタで構成さ
れ、 前記第2バイアス電圧供給用素子は、ベースが前記第2
定電圧回路に接続され、コレクタが前記第2電源入力端
子に接続されると共に、エミッタが前記基準電圧発生回
路に接続されるトランジスタで構成されていることを特
徴とする請求項2記載の電源回路装置。 - 【請求項4】 前記第1及び第2定電圧回路は、複数の
ダイオードが直列に接続されて構成されていることを特
徴とする請求項1乃至4の何れかに記載の電源回路装
置。 - 【請求項5】 前記回路部は、前記バッテリと前記第1
電源入力端子との間に順方向接続されるダイオードで構
成されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか
に記載の電源回路装置。 - 【請求項6】 前記第2電源入力端子とグランドとの間
に接続される保護用ツェナーダイオードと、 前記第2電源入力端子と前記第1電源入力端子との間に
接続されるバイパス用ダイオードとを備えて構成されて
いることを特徴とする請求項5記載の電源回路装置。
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JP2006243886A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Omron Corp | 電源回路 |
JP2012018565A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-26 | Denso Corp | 定電圧回路 |
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