JP2001302856A - Semiconductive resin composition and electric cable using the same - Google Patents
Semiconductive resin composition and electric cable using the sameInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導電性樹脂組成
物、特に絶縁層との良好な接着性および易剥離性を具備
し、かつ押出加工性、電気特性、機械特性に優れた外部
半導電層を形成することができる半導電性樹脂組成物、
およびこれを外部半導電層に用いた電力ケーブルに関す
る。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductive resin composition, particularly to an external semiconductive resin having good adhesiveness and easy peelability with an insulating layer and excellent extrudability, electrical properties and mechanical properties. A semiconductive resin composition capable of forming a conductive layer,
And a power cable using the same for an external semiconductive layer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、架橋ポリエチレンからなる絶
縁層上に外部半導電層が設けらた電力ケーブルが広く使
用されている。上記外部半導電層は、コロナ放電を起こ
さないように、絶縁層に対して密着している必要があ
る。しかし、一方では、ケーブル接続などの端末処理を
行う場合に、絶縁層を傷つけることなく容易に取り除く
ことができなければならない。従って、外部半導電層と
しては、絶縁層に対して良好な接着性と易剥離性を具備
するものが望まれている。2. Description of the Related Art Conventionally, power cables having an outer semiconductive layer provided on an insulating layer made of cross-linked polyethylene have been widely used. The outer semiconductive layer needs to be in close contact with the insulating layer so as not to cause corona discharge. However, on the other hand, when performing terminal treatment such as cable connection, the insulating layer must be easily removed without damaging it. Therefore, it is desired that the external semiconductive layer has good adhesiveness and easy peelability to the insulating layer.
【０００３】このような外部半導電層を得るために、従
来より、塩化ビニル、塩素化ポリエチレン、エチレン−
酢酸ビニル共重合体などの極性ポリマー、フッ素樹脂、
シリコン樹脂など、絶縁体に対して親和性を持たないポ
リマーと、ポリオレフィン樹脂とを混合して得られるも
のをベースポリマーとし、これに導電性カーボンブラッ
クを配合したものが半導電性樹脂組成物として用いられ
てきた。In order to obtain such an external semiconductive layer, conventionally, vinyl chloride, chlorinated polyethylene, ethylene-
Polar polymers such as vinyl acetate copolymers, fluororesins,
A polymer obtained by mixing a polymer that does not have an affinity for an insulator such as a silicone resin with a polyolefin resin is used as a base polymer, and a mixture of conductive carbon black and this is used as a semiconductive resin composition. Has been used.
【０００４】上記半導電性樹脂組成物において、絶縁体
に対する親和性を持たないポリマーとして、酢酸ビニル
含量の高いエチレン−酢酸ビニル共重合体や塩素化ポリ
エチレン−塩化ビニルグラフト共重合体など極性の高い
ポリマーを用いることによって、絶縁体をなす樹脂との
極性の差を大きくすることができるため、絶縁層に対す
る良好な剥離性を保持することができる。In the above semiconductive resin composition, as a polymer having no affinity for an insulator, a polymer having a high polarity such as an ethylene-vinyl acetate copolymer having a high vinyl acetate content or a chlorinated polyethylene-vinyl chloride graft copolymer is used. By using a polymer, the difference in polarity from the resin that forms the insulator can be increased, so that good releasability from the insulating layer can be maintained.
【０００５】しかしながら、上記半導電性樹脂組成物に
あっては、得られる外部半導電層と絶縁層との接着性が
過度に低下し、両者の界面に剥離部分が自然に生じてし
まうことがあった。また、上記半導電性樹脂組成物は押
出加工性に劣り、得られる外部半導電層に微細な突起が
生じることがあり、生じた突起によって電力ケーブルの
耐電圧が低下することがあった。また、得られる外部半
導電層の機械的特性が劣り、電力ケーブルに応力が加わ
った場合には、破断しやすいといった不都合が生じるこ
ともあった。[0005] However, in the above semiconductive resin composition, the adhesiveness between the obtained external semiconductive layer and the insulating layer is excessively reduced, and a peeled portion may naturally occur at the interface between the two. there were. Further, the semiconductive resin composition has poor extrusion processability, and fine projections may be formed on the obtained external semiconductive layer, and the generated projections may lower the withstand voltage of the power cable. In addition, the mechanical properties of the obtained external semiconductive layer are inferior, and when a stress is applied to the power cable, there may be a problem that the power cable is easily broken.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記事情に鑑
みてなされたもので、絶縁層に対する良好な接着性と易
剥離性を具備し、かつ押出加工性、導電性、機械的特性
に優れた外部半導電層を形成し得る半導電性樹脂組成物
を得ることを課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has excellent adhesiveness to an insulating layer and easy peelability, and is excellent in extrusion processability, conductivity, and mechanical properties. Another object of the present invention is to obtain a semiconductive resin composition capable of forming an external semiconductive layer.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】かかる課題は、酢酸ビニ
ル含有量が２０〜４５重量％のエチレン−酢酸ビニル共
重合体６０〜９０重量％と、架橋エチレン−プロピレン
共重合体とポリプロピレンをアロイ化処理して得られる
オレフィン系熱可塑性エラストマーとスチレン変性エチ
レン−酢酸ビニル共重合体とのブレンドポリマー１０〜
４０重量％からなるベースポリマー１００重量部に対し
て、オイルファーネスカーボンブラック３０〜６０重量
部を配合してなる半導電性樹脂組成物によって解決され
る。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to alloy 60-90% by weight of an ethylene-vinyl acetate copolymer having a vinyl acetate content of 20-45% by weight, a cross-linked ethylene-propylene copolymer and polypropylene. Blend polymer of olefinic thermoplastic elastomer obtained by treatment and styrene-modified ethylene-vinyl acetate copolymer
The problem is solved by a semiconductive resin composition in which 30 to 60 parts by weight of oil furnace carbon black is blended with 100 parts by weight of a base polymer of 40% by weight.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、この発明を詳しく説明す
る。本発明において用いられるエチレン−酢酸ビニル共
重合体としては、その酢酸ビニルの含量が２０〜４５重
量％のものが用いられる。酢酸ビニル含量が、２０重量
％未満であると、得られる外部半導電層と絶縁層との剥
離性が過度に低下するため、外部半導電層と絶縁層との
剥離作業が困難となる。また、４５重量％を越えると、
得られる半導電性樹脂組成物の柔軟性が過度に増し、引
張強度が低下するため、良好な機械的特性を有する外部
半導電層を得ることができない。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. As the ethylene-vinyl acetate copolymer used in the present invention, those having a vinyl acetate content of 20 to 45% by weight are used. If the vinyl acetate content is less than 20% by weight, the releasability between the obtained external semiconductive layer and the insulating layer is excessively reduced, and thus the work of separating the external semiconductive layer and the insulating layer becomes difficult. If it exceeds 45% by weight,
Since the flexibility of the obtained semiconductive resin composition is excessively increased and the tensile strength is reduced, an external semiconductive layer having good mechanical properties cannot be obtained.
【０００９】本発明において用いられるスチレン変性エ
チレン−酢酸ビニル共重合体は、上記エチレン−酢酸ビ
ニル共重合体に、スチレン、メチルスチレン、αーメチ
ルスチレン、クロルメチルスチレンなどのスチレン系モ
ノマーを、１０〜９０重量％、好ましくは３０〜７０重
量％程度、グラフト共重合させたものである。このグラ
フト共重合は、エチレン−酢酸ビニル共重合体粒子にス
チレン系モノマーを含浸せしめたのち、水性懸濁重合す
る方法などによって行われる。The styrene-modified ethylene-vinyl acetate copolymer used in the present invention is obtained by adding a styrene monomer such as styrene, methyl styrene, α-methyl styrene, and chloromethyl styrene to the above-mentioned ethylene-vinyl acetate copolymer in an amount of 10 to 90%. % By weight, preferably about 30 to 70% by weight, obtained by graft copolymerization. This graft copolymerization is carried out by impregnating ethylene-vinyl acetate copolymer particles with a styrene-based monomer, followed by aqueous suspension polymerization.
【００１０】本発明において用いられるオレフィン系熱
可塑性エラストマーは、架橋エチレン−プロピレン共重
合体に、ポリプロピレンを１０〜９０重量％程度、好ま
しくは３０〜６０重量％程度アロイ化させたものであ
る。ここでアロイ化とは架橋エチレン−プロピレン共重
合体とポリプロピレンを複合化し、ポリマーアロイとす
ることであり、押出機を用いて両樹脂を分散混合する方
法などによって行われる。The olefin-based thermoplastic elastomer used in the present invention is obtained by alloying a crosslinked ethylene-propylene copolymer with about 10 to 90% by weight, preferably about 30 to 60% by weight of polypropylene. Here, “alloying” refers to forming a polymer alloy by combining a crosslinked ethylene-propylene copolymer and polypropylene, and is carried out by a method of dispersing and mixing both resins using an extruder.
【００１１】上記架橋エチレン−プロピレン共重合体
は、エチレン含有量が、１０〜８０重量％程度、好まし
くは３０〜７０重量％程度であるエチレン−プロピレン
共重合体に、ジクミルパーオキサイドなどの有機過酸化
物系架橋剤を添加し、これに１８０〜４００℃程度の加
熱加圧処理等を施して架橋すること等によって得られ、
その架橋度が、７０〜９０％、好ましくは８０％以上の
ものが用いられる。The above-mentioned crosslinked ethylene-propylene copolymer has an ethylene content of about 10 to 80% by weight, preferably about 30 to 70% by weight, and an organic compound such as dicumyl peroxide. It is obtained by adding a peroxide-based crosslinking agent and subjecting it to a crosslinking treatment by applying a heat and pressure treatment at about 180 to 400 ° C.,
Those having a degree of crosslinking of 70 to 90%, preferably 80% or more are used.
【００１２】上記スチレン変性エチレン−酢酸ビニル共
重合体とオレフィン系熱可塑性エラストマーはブレンド
され、ブレンドポリマーとして用いられる。このブレン
ドポリマーは、スチレン変性エチレン−酢酸ビニル共重
合体１００重量部に対して、オレフィン系熱可塑性エラ
ストマー１０〜２５０重量部程度、好ましくは２０〜２
００重量部程度を加え、バンバリミキサー、オープンロ
ール、二軸押出機等の混練機を用いて混練することによ
って得られる。The styrene-modified ethylene-vinyl acetate copolymer and the olefin-based thermoplastic elastomer are blended and used as a blend polymer. This blend polymer is used in an amount of about 10 to 250 parts by weight, preferably 20 to 2 parts by weight, based on 100 parts by weight of the styrene-modified ethylene-vinyl acetate copolymer.
It is obtained by adding about 00 parts by weight and kneading using a kneading machine such as a Banbury mixer, an open roll, or a twin screw extruder.
【００１３】上記オレフィン系熱可塑性エラストマーの
配合量が１０重量部未満であると、得られる外部半導電
層の絶縁層に対する剥離性が高くなり、絶縁層との界面
剥離を生じてしまい、２５０重量部を越えると、得られ
る外部半導電層の絶縁層に対する剥離性が低くなり、絶
縁層との剥離作業が困難になるため不適切である。If the blending amount of the olefinic thermoplastic elastomer is less than 10 parts by weight, the releasability of the obtained external semiconductive layer from the insulating layer becomes high, and the interface peels off from the insulating layer, resulting in 250 parts by weight. If it exceeds the part, the peelability of the obtained external semiconductive layer from the insulating layer is lowered, and the work of separating the outer semiconductive layer from the insulating layer becomes difficult.
【００１４】上記ブレンドポリマーは、エチレン−酢酸
ビニル共重合体と混和され、本発明の半導電性樹脂組成
物のベースポリマーとして用いられる。このベースポリ
マーの配合組成は、エチレン−酢酸ビニル共重合体が６
０〜９０重量％、ブレンドポリマーが１０〜４０重量％
とされる。The blend polymer is mixed with an ethylene-vinyl acetate copolymer and used as a base polymer of the semiconductive resin composition of the present invention. The composition of the base polymer is such that the ethylene-vinyl acetate copolymer is 6
0-90% by weight, blended polymer 10-40% by weight
It is said.
【００１５】上記ベースポリマーにおけるエチレン−酢
酸ビニル共重合体の配合量が、６０重量％未満である
と、半導電線樹脂組成物の粘度が上り、ケーブル絶縁体
上への押出被覆が難しくなり、９０重量％を越えると、
得られる外部半導電層の体積抵抗率が高くなり、導電性
が低下する。When the blending amount of the ethylene-vinyl acetate copolymer in the base polymer is less than 60% by weight, the viscosity of the semiconductive wire resin composition rises, and it becomes difficult to carry out extrusion coating on a cable insulator. If it exceeds 90% by weight,
The volume resistivity of the obtained external semiconductive layer increases, and the conductivity decreases.
【００１６】そして、上記ベースポリマーに、導電性を
高めるために、オイルファーネスカーボンブラックが添
加される。ここで用いられるオイルファーネスカーボン
ブラックとしては、電子顕微鏡法による平均粒子径が、
１０〜７０ｎｍ程度、ＪＩＳ−Ｋ−６２２１によるヨウ
素吸着量が、２０〜２００ｍｇ／ｇ程度、ＪＩＳ−Ｋ−
６２２１によるＤＢＰ吸油量が、８０〜２５０ｃｃ／１
００ｇ程度のものが用いられる。[0016] Oil furnace carbon black is added to the base polymer in order to increase conductivity. As the oil furnace carbon black used here, the average particle size by electron microscopy is
About 10 to 70 nm, the iodine adsorption amount according to JIS-K-6221 is about 20 to 200 mg / g,
DBP oil absorption according to 6221 is 80 to 250 cc / 1
The one of about 00 g is used.
【００１７】このオイルファーネスカーボンブラックの
配合量は、ベースポリマー１００重量部に対して、３０
〜６０重量部とされる。上記オイルファーネスカーボン
ブラックの配合量が、３０重量部未満であると、得られ
る外部半導電層の体積抵抗率が高くなり、良好な導電性
を得ることができず、６０重量部を越えると、これを均
一に分散させることができず、押出成形時における押出
加工性に劣るため、不適切である。The amount of the oil furnace carbon black is 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the base polymer.
To 60 parts by weight. When the blending amount of the oil furnace carbon black is less than 30 parts by weight, the volume resistivity of the obtained external semiconductive layer increases, and good conductivity cannot be obtained. This is not suitable because it cannot be uniformly dispersed and has poor extrusion processability during extrusion molding.
【００１８】また、本発明の半導電性樹脂組成物には、
必要に応じて有機過酸化物、シランカップリング剤、架
橋反応促進剤などの架橋剤、酸化防止剤、滑剤などの添
加剤を、半導電性樹脂組成物の性能を損なわない範囲で
配合することもできる。Further, the semiconductive resin composition of the present invention comprises:
Where necessary, additives such as a crosslinking agent such as an organic peroxide, a silane coupling agent, and a crosslinking reaction accelerator, an antioxidant, and a lubricant are blended within a range that does not impair the performance of the semiconductive resin composition. Can also.
【００１９】本発明の電力ケーブルは、上記半導電性樹
脂組成物からなる外部半導電層を有するものである。こ
の電力ケーブルを得るためには、導体上に、内部半導電
層、絶縁層を、押出被覆法等により順次形成させ後、こ
の絶縁層上に、バンバリミキサー、混練ロールなどによ
って１００〜２００℃程度で加熱、混練した上記半導電
性樹脂組成物を、１５０〜２５０℃程度に加温した押出
機を用いて、押出被覆し、外部半導電層を形成させるこ
とによって得ることができる。The power cable of the present invention has an external semiconductive layer made of the above semiconductive resin composition. In order to obtain this power cable, an inner semiconductive layer and an insulating layer are sequentially formed on a conductor by an extrusion coating method or the like, and then, on the insulating layer, about 100 to 200 ° C. using a Banbury mixer, a kneading roll, or the like. The above semiconductive resin composition heated and kneaded in the above can be obtained by extrusion coating using an extruder heated to about 150 to 250 ° C. to form an external semiconductive layer.
【００２０】このような電力ケーブルにあっては、絶縁
体をなす樹脂との極性の差が適正な範囲である半導電性
樹脂組成物を用いてなるため、外部半導電層と絶縁層と
の剥離性も適正な範囲となり、絶縁層との界面剥離が自
然に生じることもなければ、剥離作業に過大な力を要す
ることもないものである。また、導電性を高めるオイル
ファーネスカーボンブラックを適量含み、ベースポリマ
ーとオイルファーネカーボンブラックとを均一に分散さ
せることができる配合組成の半導電性樹脂組成物を用い
てなるため、押出加工性に優れたものであり、良好な導
電性を有するものである。また、柔軟性が低い半導電性
樹脂組成物を用いてなるため、引張強度が高く、良好な
機械的特性を有するものである。In such a power cable, a semiconductive resin composition having a proper polarity difference with the resin forming the insulator is used. The releasability is also within an appropriate range, and no interfacial delamination with the insulating layer occurs spontaneously, and no excessive force is required for the delamination operation. In addition, since a semiconductive resin composition having a compounding composition capable of uniformly dispersing the base polymer and the oil furnace carbon black containing an appropriate amount of oil furnace carbon black that enhances conductivity is used, the extrusion processability is improved. It is excellent and has good conductivity. In addition, since a semiconductive resin composition having low flexibility is used, the resin composition has high tensile strength and good mechanical properties.
【００２１】[0021]
【実施例】以下、実施例を示して本発明を、より具体的
に説明する。かかる実施例は、本発明の一態様を示すも
のであり、この発明を限定するものではなく、本発明の
範囲で任意に変更が可能である。 （実施例１〜１１）公称断面積１００ｍｍ2である軟銅
撚線導体上に、共押出法によって、厚み０．７ｍｍの内
部半導電層、厚み３ｍｍの絶縁層、厚み０．７ｍｍの外
部半導電層を押出被覆した。押出温度は２００℃とし
た。絶縁層の配合組成は、密度が０．９２２ｇ／ｃｍ3
で、ＭＦＲが０．８である直鎖状低密度ポリエチレン１
００重量部に、シランカップリング剤２重量部、ジクミ
ルパーオキサイド０．１重量部、錫系架橋反応促進剤
０．０５重量部、フェノール系酸化防止剤０．２重量部
を添加したものとした。外部半導電層の配合組成は、表
１および表２に記載したとおりとした。押出被覆後の電
力ケーブルを８０℃の温水中に浸漬して絶縁層を架橋し
た。The present invention will be described below more specifically with reference to examples. These examples show one embodiment of the present invention, and do not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the present invention. (Examples 1 to 11) An inner semiconductive layer having a thickness of 0.7 mm, an insulating layer having a thickness of 3 mm, and an outer semiconductive layer having a thickness of 0.7 mm were formed on a soft copper stranded wire conductor having a nominal sectional area of 100 mm 2 by coextrusion. The layers were extrusion coated. The extrusion temperature was 200 ° C. The composition of the insulating layer is such that the density is 0.922 g / cm 3.
And a linear low density polyethylene 1 having an MFR of 0.8
00 parts by weight, 2 parts by weight of a silane coupling agent, 0.1 parts by weight of dicumyl peroxide, 0.05 parts by weight of a tin-based crosslinking reaction accelerator, and 0.2 parts by weight of a phenolic antioxidant. did. The composition of the outer semiconductive layer was as shown in Tables 1 and 2. The power cable after extrusion coating was immersed in warm water at 80 ° C. to crosslink the insulating layer.
【００２２】（比較例１〜比較例８）外部半導電層の配
合組成を表２に記載したとおりとした以外は、実施例１
〜実施例１１と同様の条件で、電力ケーブルを得た。Comparative Examples 1 to 8 Example 1 was repeated except that the composition of the outer semiconductive layer was as shown in Table 2.
-An electric power cable was obtained under the same conditions as in Example 11.
【００２３】得られた電力ケーブルについて、外部半導
電層の押出加工性、剥離力、体積抵抗率、引張強度につ
いて、下記の方法に基づいて検討を行った。押出加工性
については、２００℃に設定した外部半導電層用押出機
のトルクを目やすとして判定した。判定基準は、実施例
１のトルク値を１００とした時のトルク値が２００未満
のものを、押出加工性が良好なものとして「良」と表記
し、上記トルク値が２００以上のものを、押出加工性が
不良のものとして「不可」と表記した。剥離力について
は、外部半導電層を絶縁層から剥離するのに要する応力
を常温でＡＥＩＣ−ＣＳ５−８２に準拠して測定した。
判定基準は、剥離力が０．５〜４ｋｇ／０．５インチ幅
のものを適度な剥離性を有しているものとして「良」と
表記し、これを満たさないものを「不可」と表記した。
体積抵抗率については、外部半導電層の体積抵抗率をＡ
ＥＩＣ−ＣＳ５−８２に準拠して測定した。判定基準
は、１×１０5Ω・ｃｍ以下を導電性が高いものとして
「良」と表記し、これを越えるものを導電性が低いもの
として「不可」と表記した。引張強度については、剥離
させた半導電層をＪＩＳ−Ｃ−３００５に準拠して測定
した。判定基準は、１０ＭＰａ以上を機械的特性が高い
ものとして「良」と表記し、１０ＭＰａ未満を機械的特
性が低いものとして「不可」と表記した。With respect to the obtained power cable, the extrudability, peeling force, volume resistivity, and tensile strength of the outer semiconductive layer were examined based on the following methods. The extrudability was determined using the torque of the extruder for the external semiconductive layer set at 200 ° C. as a reference. The criterion is that a torque value of less than 200 when the torque value of Example 1 is set to 100 is expressed as “good” as having good extrusion workability, and that the torque value is 200 or more, It was described as "impossible" as having poor extrusion processability. Regarding the peeling force, the stress required to peel the external semiconductive layer from the insulating layer was measured at room temperature in accordance with AEIC-CS5-82.
The criterion is that a material having a peeling force of 0.5 to 4 kg / 0.5 inch width is described as “good” as having a proper peeling property, and a material not satisfying this is described as “impossible”. did.
Regarding the volume resistivity, the volume resistivity of the external semiconductive layer is represented by A
It measured based on EIC-CS5-82. As for the criteria, 1 × 10 5 Ω · cm or less was described as “good” as having high conductivity, and those exceeding 1 × 10 5 Ω · cm were described as “improper” as having low conductivity. The tensile strength of the peeled semiconductive layer was measured in accordance with JIS-C-3005. As a criterion, 10 MPa or more was described as “good” as having a high mechanical property, and less than 10 MPa was described as “improper” as having a low mechanical property.
【００２４】[0024]
【表１】 [Table 1]
【００２５】[0025]
【表２】 [Table 2]
【００２６】表１および表２に示す結果から、実施例１
〜１１で得られた電力ケーブルの外部半導電層は、良好
な押出加工性を有することがわかる。これに対して、比
較例４および７で得られたものでは、押出加工性に劣っ
たものであった。また、実施例１〜１１で得られた電力
ケーブルは、外部半導電層と絶縁層とが適度な剥離性を
示したのに対して、比較例５で得られたものでは、剥離
性が高く、外部半導電層と絶縁層が界面剥離を起こし、
また、比較例１および６で得られたものでは、剥離性が
低く、外部半導電層と絶縁層との剥離作業が困難なもの
であった。また、実施例１〜１１で得られた電力ケーブ
ルの外部半導電層は、良好な導電性を示したのに対し
て、比較例３および８で得られたものでは導電性が低
く、電気特性に劣ったものであった。また、実施例１〜
１１で得られた電力ケーブルの外部半導電層は、良好な
機械的特性を示したのに対して、比較例２で得られたも
のでは、引張強度が低く、機械的特性に劣ったものであ
った。From the results shown in Tables 1 and 2, Example 1
It can be seen that the outer semiconductive layer of the power cable obtained in Nos. 1 to 11 has good extrudability. On the other hand, those obtained in Comparative Examples 4 and 7 were inferior in extrusion processability. In the power cables obtained in Examples 1 to 11, the external semiconductive layer and the insulating layer exhibited appropriate peeling properties, whereas the power cable obtained in Comparative Example 5 had a high peeling property. , Causing the interface separation between the outer semiconductive layer and the insulating layer,
In addition, those obtained in Comparative Examples 1 and 6 had low releasability, and it was difficult to perform the separation work between the external semiconductive layer and the insulating layer. Further, the outer semiconductive layers of the power cables obtained in Examples 1 to 11 exhibited good conductivity, whereas those obtained in Comparative Examples 3 and 8 had low conductivity, and the electrical characteristics were low. Was inferior. Further, Examples 1 to
The outer semiconductive layer of the power cable obtained in Example 11 exhibited good mechanical properties, whereas the one obtained in Comparative Example 2 had low tensile strength and poor mechanical properties. there were.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導電性
樹脂組成物によれば、絶縁層に対する良好な接着性と易
剥離性の両方を具備し、かつ押出加工性、導電性、機械
的特性に優れた外部半導電層を有する電力ケーブルを得
ることができる。As described above, according to the semiconductive resin composition of the present invention, the composition has both good adhesiveness to an insulating layer and easy peelability, and has excellent extrudability, conductivity, and mechanical properties. Power cable having an external semiconductive layer having excellent electrical characteristics can be obtained.
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Claims (2)
エチレン−酢酸ビニル共重合体６０〜９０重量％と、 架橋エチレン−プロピレン共重合体とポリプロピレンを
アロイ化処理して得られるオレフィン系熱可塑性エラス
トマーとスチレン変性エチレン−酢酸ビニル共重合体と
のブレンドポリマー１０〜４０重量％からなるベースポ
リマー１００重量部に対して、 オイルファーネスカーボンブラック３０〜６０重量部を
配合してなる半導電性樹脂組成物。1. An olefin-based heat obtained by alloying a crosslinked ethylene-propylene copolymer and polypropylene with 60-90% by weight of an ethylene-vinyl acetate copolymer having a vinyl acetate content of 20-45% by weight. Semiconductive resin obtained by blending 30-60 parts by weight of oil furnace carbon black with 100 parts by weight of a base polymer consisting of 10-40% by weight of a blend polymer of a plastic elastomer and a styrene-modified ethylene-vinyl acetate copolymer Composition.
らなる外部半導電層を有する電力ケーブル。2. A power cable having an external semiconductive layer made of the semiconductive resin composition according to claim 1.
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007506847A (en) * | 2003-09-25 | 2007-03-22 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | Peelable semiconductive shield and composition therefor |
| WO2009042364A1 (en) * | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Dow Global Technologies Inc. | Styrenic polymers as blend components to control adhesion between olefinic substrates |
| JP2015141877A (en) * | 2014-01-30 | 2015-08-03 | 株式会社ジェイ・パワーシステムズ | Semiconductive resin composition, power cable, and method for manufacturing power cable |
| JP2016204498A (en) * | 2015-04-21 | 2016-12-08 | Ｍｃｐｐイノベーション合同会社 | Resin composition, laminate and construction material |
| JP2018531299A (en) * | 2015-10-07 | 2018-10-25 | ユニオン カーバイド ケミカルズ アンド プラスティックス テクノロジー エルエルシー | Semiconductive shield composition |
| JP2020012097A (en) * | 2018-07-05 | 2020-01-23 | キヤノン株式会社 | Resin composition, resin molding, resin laminate, cartridge, image forming apparatus, method for producing resin molding, method for producing resin laminate, and method for manufacturing cartridge |
| US11619892B2 (en) | 2018-07-05 | 2023-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Resin molded product, resin laminate, cartridge, image-forming apparatus, method for manufacturing resin molded product, method for manufacturing resin laminate, and method for manufacturing cartridge |
-
2000
- 2000-03-10 JP JP2000067796A patent/JP2001302856A/en not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007506847A (en) * | 2003-09-25 | 2007-03-22 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | Peelable semiconductive shield and composition therefor |
| WO2009042364A1 (en) * | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Dow Global Technologies Inc. | Styrenic polymers as blend components to control adhesion between olefinic substrates |
| JP2010541163A (en) * | 2007-09-25 | 2010-12-24 | ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド | Styrenic polymer as a blending component to control adhesion between olefinic substrates |
| US8080735B2 (en) | 2007-09-25 | 2011-12-20 | Dow Global Technologies Llc | Styrenic polymers as blend components to control adhesion between olefinic substrates |
| CN101878264B (en) * | 2007-09-25 | 2012-11-07 | 陶氏环球技术有限责任公司 | Styrenic polymers as blend components to control adhesion between olefinic substrates |
| JP2015141877A (en) * | 2014-01-30 | 2015-08-03 | 株式会社ジェイ・パワーシステムズ | Semiconductive resin composition, power cable, and method for manufacturing power cable |
| JP2016204498A (en) * | 2015-04-21 | 2016-12-08 | Ｍｃｐｐイノベーション合同会社 | Resin composition, laminate and construction material |
| JP2018531299A (en) * | 2015-10-07 | 2018-10-25 | ユニオン カーバイド ケミカルズ アンド プラスティックス テクノロジー エルエルシー | Semiconductive shield composition |
| JP2020012097A (en) * | 2018-07-05 | 2020-01-23 | キヤノン株式会社 | Resin composition, resin molding, resin laminate, cartridge, image forming apparatus, method for producing resin molding, method for producing resin laminate, and method for manufacturing cartridge |
| US11619892B2 (en) | 2018-07-05 | 2023-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Resin molded product, resin laminate, cartridge, image-forming apparatus, method for manufacturing resin molded product, method for manufacturing resin laminate, and method for manufacturing cartridge |
| JP7309444B2 (en) | 2018-07-05 | 2023-07-18 | キヤノン株式会社 | RESIN COMPOSITION, RESIN MOLDED PRODUCT, RESIN LAMINATED BODY, CARTRIDGE, IMAGE FORMING APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING RESIN MOLDED BODY, METHOD FOR MANUFACTURING RESIN LAMINATED BODY, AND METHOD FOR MANUFACTURING CARTRIDGE |
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