JP2001296648A - Mask for exposure and method for producing the same - Google Patents

Mask for exposure and method for producing the same

Info

Publication number
JP2001296648A
JP2001296648A JP2000114507A JP2000114507A JP2001296648A JP 2001296648 A JP2001296648 A JP 2001296648A JP 2000114507 A JP2000114507 A JP 2000114507A JP 2000114507 A JP2000114507 A JP 2000114507A JP 2001296648 A JP2001296648 A JP 2001296648A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
shielding film
transparent substrate
nickel
exposure mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000114507A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuchiyo Takaoka
和千代 高岡
Kenji Hyodo
建二 兵頭
Tomoaki Inoue
智明 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Paper Mills Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Paper Mills Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Paper Mills Ltd filed Critical Mitsubishi Paper Mills Ltd
Priority to JP2000114507A priority Critical patent/JP2001296648A/en
Publication of JP2001296648A publication Critical patent/JP2001296648A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask for exposure, using nickel plating. SOLUTION: In the mask for exposure for forming a circuit pattern obtained, by disposing at least a nickel-containing light-shielding film on a transparent substrate, the light-shielding film is held by a metal oxide layer on the transparent substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、回路パターンを
形成するための露光用マスクとその製造方法に関する。
The present invention relates to an exposure mask for forming a circuit pattern and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の露光用マスクとしては、田辺功、
竹花洋一、法元盛久著「フォトマスク技術の話」工業調
査会(1996)によれば、フィルム、石英ガラス、低
膨張ガラス、ソーダライムガラスといった基板上に、銀
塩エマルジョンや、クロム、シリコン、酸化鉄、モリブ
デンシリサイドといった金属類などを遮光膜として用い
る、エマルジョンマスク、ハードマスクなどが知られて
いた。紫外線に対する耐久性や遮光膜の耐熱性、機械的
強度が良好であること、微細パターンの形成が可能であ
るなど、クロムを用いたハードマスクがよく知られてい
たが、近年の環境問題に絡み、クロムの廃液に毒性がる
のを受けて、その取り扱いに制限を受けるようになって
きている。
2. Description of the Related Art Conventional exposure masks include Isao Tanabe and
According to Yoichi Takebana and Morihisa Homoto, "Story of Photomask Technology," Industrial Research Committee (1996), silver salt emulsion, chromium, silicon, Emulsion masks, hard masks, and the like using metals such as iron oxide and molybdenum silicide as light-shielding films have been known. Hard masks using chromium were well known, such as durability against ultraviolet light, good heat resistance of the light-shielding film, good mechanical strength, and the ability to form fine patterns. Due to the toxicity of chromium effluent, its handling has been restricted.

【0003】一方、無電界メッキによってニッケルを各
種表面に付与する技術は1946年A.Brenner
の研究発表以来活発に研究開発が行われており、ピンホ
ールが少なく、硬度の高いニッケル被膜が得られるよう
になってきた。しかし、ガラスなどの透明基板上では接
着性や濡れ性がクロムに劣るために、薄膜化して露光用
マスクとして用いる検討はあまり行われなかった。
On the other hand, a technique for applying nickel to various surfaces by electroless plating has been described in A. A. in 1946. Brenner
R & D has been actively conducted since the publication of this research, and a nickel coating with few pinholes and high hardness has been obtained. However, since adhesion and wettability are inferior to chromium on a transparent substrate such as glass, the use of a thin film as an exposure mask has not been studied much.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ニッ
ケルを含有する遮光膜を用いた露光用マスクとその製造
方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an exposure mask using a light-shielding film containing nickel and a method of manufacturing the same.

【0005】[0005]

【問題を解決するための手段】本発明者らは検討した結
果、透明基板上に少なくともニッケルを含有する遮光膜
を設けてなる、回路パターンを形成するための露光用マ
スクにおいて、該遮光膜が金属酸化物層によって透明基
板上に保持されていることを特徴とする露光用マスク。
透明基板上に少なくともニッケルを含有する遮光膜を設
けてなる、回路パターンを形成するための露光用マスク
において、該遮光膜が金属酸化物層によって透明基板上
に保持された物理現像核上に、無電解メッキによって形
成されていることを特徴とする露光用マスク。金属酸化
物層によって透明基板上に保持された少なくともニッケ
ルを含有する遮光膜を、フォトレジストを用いてエッチ
ングを施して作製される、露光用マスクの製造方法。遮
光膜がリンを含有することを特徴とする露光用マスクに
よって上記課題を解決した。
The present inventors have studied and found that, in an exposure mask for forming a circuit pattern in which a light-shielding film containing at least nickel is provided on a transparent substrate, the light-shielding film is An exposure mask, which is held on a transparent substrate by a metal oxide layer.
A light-shielding film containing at least nickel is provided on a transparent substrate.In an exposure mask for forming a circuit pattern, the light-shielding film is formed on a physical development nucleus held on the transparent substrate by a metal oxide layer. An exposure mask formed by electroless plating. A method for manufacturing an exposure mask, wherein a light-shielding film containing at least nickel held on a transparent substrate by a metal oxide layer is etched using a photoresist. The object has been solved by an exposure mask, wherein the light-shielding film contains phosphorus.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
本発明はまず無電界メッキによって、透明基板上に少な
くともニッケルが含有する遮光膜による回路パターンを
形成させる。この回路パターンは、予め透明基板上全面
に遮光膜を形成し、次にフォトレジストによって遮光膜
を除去して作製したり、透明基板上に予めフォトレジス
トによって回路パターンを形成しておき、レジストの無
い部分に無電界メッキによって遮光膜による回路パター
ンを形成し作製する、2つの方法がある。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail.
In the present invention, first, a circuit pattern is formed by a light-shielding film containing at least nickel on a transparent substrate by electroless plating. This circuit pattern is prepared by forming a light-shielding film on the entire surface of a transparent substrate in advance and then removing the light-shielding film with a photoresist, or forming a circuit pattern with a photoresist on a transparent substrate in advance and forming a resist on the transparent substrate. There are two methods for forming and manufacturing a circuit pattern by a light-shielding film by electroless plating on a non-existing portion.

【0007】透明基材としては、ソーダ石灰、ホワイト
クラウンなどのソーダライムガラス、ホウケイ酸、無ア
ルカリ、アルミノケイ酸等の低膨張ガラス、合成石英ガ
ラス、ポリエステルフィルムなどが使用できるが、耐熱
性や耐紫外線性を考慮すると無機ガラスを用いた透明基
材が適切である。
As the transparent substrate, soda lime glass such as soda lime and white crown, low expansion glass such as borosilicate, alkali-free, aluminosilicate, synthetic quartz glass and polyester film can be used. Considering the ultraviolet properties, a transparent substrate using an inorganic glass is appropriate.

【0008】本発明における金属酸化物とは、耐酸性ま
たは耐アルカリ性を有する金属酸化物であって、酸化チ
タン、酸化タングステン、酸化ストロンチウム、酸化亜
鉛、酸化ジルコニウムなどの金属酸化物或いはこれらの
水酸化物を示す。更にこれらの複合物である。透明基板
上にこれらの金属酸化物層は、ゾルゲル法あるいは、有
機金属化合物としてコーティングし焼結させて酸化物層
として形成させたり、スパッタリングによって形成させ
る。
The metal oxide in the present invention is a metal oxide having acid resistance or alkali resistance, such as a metal oxide such as titanium oxide, tungsten oxide, strontium oxide, zinc oxide, zirconium oxide, or a hydroxide thereof. Indicates an object. Further, these are composites. These metal oxide layers are formed on a transparent substrate by a sol-gel method or by coating as an organometallic compound and sintering to form an oxide layer, or by sputtering.

【0009】触媒核とは、重金属の硫化物、例えばアン
チモン、ビスマス、カドミウム、コバルト、鉛、ニッケ
ル、パラジウム、白金、金、銀、亜鉛などの硫化物があ
る。更には、セレナイド、ポリセレナイド、ポリサルフ
ァイド、メルカプタン及びハロゲン化錫(II)等の塩、
重金属、好ましくは銀、金、白金、パラジウム、水銀、
銅、亜鉛などである。本発明における触媒核は金属酸化
物層上或いは層中に保持されて使用される。
The catalyst nucleus includes sulfides of heavy metals, for example, sulfides of antimony, bismuth, cadmium, cobalt, lead, nickel, palladium, platinum, gold, silver, zinc and the like. Further, salts such as selenide, polyselenide, polysulfide, mercaptan and tin (II) halide;
Heavy metals, preferably silver, gold, platinum, palladium, mercury,
Copper, zinc and the like. The catalyst core in the present invention is used while being held on or in the metal oxide layer.

【0010】透明基板上の金属酸化物層は、その均一性
が必要であることから10nm以上の厚みがあることが
好ましい。しかし、酸化チタンや酸化亜鉛などは紫外線
に対する吸収を持っているので、あまり厚い金属酸化物
層ではそれ自体の吸収が問題となるために数μm程度以
下が好ましい。また遮光膜の膜厚は0.1μm以上20
0μm以下程度、好ましくは0.2μm以上50μm以
下である。触媒核は微量でも効果がある。
The metal oxide layer on the transparent substrate preferably has a thickness of 10 nm or more because its uniformity is required. However, since titanium oxide, zinc oxide, and the like have an absorption for ultraviolet rays, absorption of the metal oxide layer which is too thick becomes a problem. The thickness of the light shielding film is 0.1 μm or more and 20 μm or more.
It is about 0 μm or less, preferably 0.2 μm or more and 50 μm or less. A small amount of catalyst nuclei is effective.

【0011】[0011]

【実施例】以下、実施例により更に本発明を詳細に説明
するが、本発明の趣旨を超えない限り、これらに限定さ
れるものではない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but it should not be construed that the invention is limited thereto without departing from the spirit of the present invention.

【0012】実施例1 ガラス基板上にチタンn−ブトキシドと塩化パラジウム
の混合液を塗布し、450℃で2時間加熱して、金属酸
化物層を形成した。次に以下のニッケルメッキ液を調整
して、80℃で30分メッキし、ガラス基板上にニッケ
ル−リン無電解メッキ層を形成した。
Example 1 A mixed solution of titanium n-butoxide and palladium chloride was applied on a glass substrate and heated at 450 ° C. for 2 hours to form a metal oxide layer. Next, the following nickel plating solution was prepared and plated at 80 ° C. for 30 minutes to form a nickel-phosphorus electroless plating layer on a glass substrate.

【0013】 塩化ニッケル 0.06 モル/リットル 硫酸ニッケル 0.02 モル/リットル 酒石酸ナトリウムカリウム 0.1 モル/リットル 次亜リン酸ナトリウム 0.1 モル/リットル アンモニア水 3.6 モル/リットルNickel chloride 0.06 mol / l Nickel sulfate 0.02 mol / l sodium potassium tartrate 0.1 mol / l sodium hypophosphite 0.1 mol / l ammonia water 3.6 mol / l

【0014】次に1.5μmのフォトレジスト層を塗布
して、紫外線効果後、未硬化部分を除去して、更に金属
ニッケル部分を化学エッチングして、回路パターンを作
製した。金属ニッケル部分の紫外線透過率は0.1%以
下、金属酸化物層が現れている部分の紫外線透過率は9
9%以上であった。
Next, a 1.5 μm photoresist layer was applied, and after an ultraviolet ray effect, the uncured portion was removed and the metal nickel portion was chemically etched to form a circuit pattern. The ultraviolet transmittance of the metal nickel portion is 0.1% or less, and the ultraviolet transmittance of the portion where the metal oxide layer appears is 9%.
9% or more.

【0015】[0015]

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
ニッケルメッキを用いた露光用マスクを得ることができ
た。
As described above, according to the present invention,
An exposure mask using nickel plating was obtained.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明基板上に少なくともニッケルを含有
する遮光膜を設けてなる、回路パターンを形成するため
の露光用マスクにおいて、該遮光膜が金属酸化物層によ
って透明基板上に保持されていることを特徴とする露光
用マスク。
1. An exposure mask for forming a circuit pattern, comprising a light-shielding film containing at least nickel on a transparent substrate, wherein the light-shielding film is held on the transparent substrate by a metal oxide layer. An exposure mask, characterized in that:
【請求項2】 透明基板上に少なくともニッケルを含有
する遮光膜を設けてなる、回路パターンを形成するため
の露光用マスクにおいて、該遮光膜が金属酸化物層によ
って透明基板上に保持された触媒核上に、無電解メッキ
によって形成されていることを特徴とする露光用マス
ク。
2. An exposure mask for forming a circuit pattern, comprising a light-shielding film containing at least nickel on a transparent substrate, wherein the light-shielding film is held on the transparent substrate by a metal oxide layer. An exposure mask formed by electroless plating on a nucleus.
【請求項3】 金属酸化物層によって透明基板上に保持
された少なくともニッケルを含有する遮光膜を、フォト
レジストを用いてエッチングを施して作製される、露光
用マスクの製造方法。
3. A method for manufacturing an exposure mask, wherein a light-shielding film containing at least nickel, which is held on a transparent substrate by a metal oxide layer, is formed by etching using a photoresist.
【請求項4】 遮光膜がリンを含有することを特徴とす
る請求項1或いは請求項2の露光用マスク。
4. The exposure mask according to claim 1, wherein the light-shielding film contains phosphorus.
JP2000114507A 2000-04-17 2000-04-17 Mask for exposure and method for producing the same Pending JP2001296648A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000114507A JP2001296648A (en) 2000-04-17 2000-04-17 Mask for exposure and method for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000114507A JP2001296648A (en) 2000-04-17 2000-04-17 Mask for exposure and method for producing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001296648A true JP2001296648A (en) 2001-10-26

Family

ID=18626299

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000114507A Pending JP2001296648A (en) 2000-04-17 2000-04-17 Mask for exposure and method for producing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001296648A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015191884A (en) * 2014-03-31 2015-11-02 株式会社島津製作所 Ultraviolet irradiation device and analyzer equipped with the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015191884A (en) * 2014-03-31 2015-11-02 株式会社島津製作所 Ultraviolet irradiation device and analyzer equipped with the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010537924A (en) Glass substrate having reflectivity gradient and method of manufacturing the same
JP4385690B2 (en) Exposure mask for manufacturing liquid crystal display element and method for manufacturing the same
TW201514120A (en) Reverse photochromic borosilicate glasses
US6298691B1 (en) Method of making glass having polarizing and non-polarizing regions
KR100959751B1 (en) Method for forming Metal Pattern and EMI Filter using this pattern
US3753816A (en) Method of repairing or depositing a pattern of metal plated areas on an insulating substrate
JPS63173053A (en) Multi-layer structural body and manufacture thereof
JP2010512653A (en) Electromagnetic wave shielding film and manufacturing method thereof
JP2001296648A (en) Mask for exposure and method for producing the same
US6058738A (en) Method of forming glass having integral polarizing and non-polarizing regions
US3916056A (en) Photomask bearing a pattern of metal plated areas
US4738869A (en) Photoselective electroless plating method employing UV-absorbing substrates
JP2002212463A (en) Titanium oxide-containing conductive film-forming liquid, production method thereof, and structure equipped with titanium oxide-containing film
US3878007A (en) Method of depositing a pattern of metal plated areas on an insulating substrate
US3824100A (en) Transparent iron oxide microcircuit mask
JPH06130214A (en) Glass substrate for liquid crystal, color filter for tft liquid crystal, tft liquid crystal display device for projection and color tft liquid crystal display device
KR20090110240A (en) Substrate for photomask, photomask and method for manufacturing thereof
KR100555896B1 (en) Method of fabricating metal bus electrode of plasma display panel
US3822155A (en) Method of making a semitransparent photomask
JP4152486B2 (en) Exposure mask and manufacturing method thereof
US4390592A (en) Low temperature reduction process for photomasks
JPS6161667B2 (en)
KR101926614B1 (en) Phase shift mask
JPH0232616B2 (en)
TWI298817B (en)