KR101926614B1 - Phase shift mask - Google Patents

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Abstract

본 발명은 위상반전 마스크를 제공한다. 상기 위상반전 마스크는 투명기판; 조사 광의 위상을 반전시키는 위상반전 패턴부; 및 상기 위상반전 패턴부 상에 위치하며, 미리 결정된 파장 대역의 광을 투과시키는 대역통과 필터층을 포함한다. 본 발명에 따르면, 특정 파장대, 예컨대, 365nm 파장의 광만을 투과시키는 대역통과 필터층을 위상반전 패턴부 상에 형성하여 노광기에 대역통과 필터를 설치하고 제어하는 공정 없이도 특정 파장대의 광만을 이용한 노광 공정을 수행할 수 있다. 따라서, 기존 노광기에 대역통과 필터를 설치하고 제어하는 공정이 불필요하므로 그에 따른 시간 또는 비용 등의 자원을 감소시킬 수 있다. The present invention provides a phase reversal mask. Wherein the phase shift mask comprises a transparent substrate; A phase reversal pattern portion for inverting the phase of the irradiation light; And a band pass filter layer located on the phase inversion pattern portion and transmitting light of a predetermined wavelength band. According to the present invention, a band-pass filter layer for transmitting only light of a specific wavelength band, for example, a wavelength of 365 nm, is formed on a phase inversion pattern part and an exposure process using only light of a specific wavelength band without a process of installing and controlling a band- Can be performed. Therefore, it is unnecessary to install and control the band-pass filter in the existing exposure apparatus, so that resources such as time or cost can be reduced.

Description

위상반전 마스크{Phase shift mask}Phase shift mask < RTI ID = 0.0 >

본 발명은 위상반전 마스크에 관한 것이다. The present invention relates to a phase inversion mask.

반도체 공정, LCD 공정 등에는 포토리소그래피(Photolithography) 공정이 사용되고 있다. 포토리소그래피 공정은 마스크 상에 설계된 패턴을 웨이퍼 상에 구현하는 기술로서, 패턴이 형성된 마스크를 통하여 특정한 파장을 갖고 있는 빛을 광감응제(Photo Resist, 이하 PR)가 도포되어 있는 웨이퍼 상에 노광시켜 광화학 반응이 일어나게 하며, 현상 공정시 화학반응에 의해 패턴이 형성된다. 이러한 포토리소그래피 공정에서 미세 선폭을 달성하기 위해 위상반전 마스크(Phase shift mask)가 사용되고 있다.Photolithography processes are used in semiconductor processes and LCD processes. The photolithography process is a technique for forming a pattern designed on a mask on a wafer. Light having a specific wavelength is exposed through a mask having a pattern on a wafer coated with a photo-resist (hereinafter referred to as PR) Photochemical reaction occurs, and a pattern is formed by a chemical reaction during the development process. In such a photolithography process, a phase shift mask is used to achieve a fine line width.

위상반전마스크는 간섭 또는 부분간섭 광의 간섭을 이용하여 원하는 크기의 패턴을 형성하여 해상도, 초점 심도 등을 증가시킨다. The phase inversion mask forms a pattern of a desired size using interference or interference of partially interfered light to increase resolution, depth of focus, and the like.

도 1은 종래 기술에 따른 위상반전 마스크의 구조를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a structure of a phase inversion mask according to the prior art.

도 1을 참조하면, 위상반전 마스크는 투명기판(10), 차광패턴(20), 위상반전 패턴(30)을 포함한다. 또한, 위상반전 마스크는 광광 투과율 조절부재(40)을 포함할 수 있다. 차광패턴(20)은 상기 투명기판(10) 상에 위치하여 광이 상기 투명기판(10)으로 입사되는 것을 차단하며, 상기 투명기판(10)을 부분적으로 노출한다. 위상반전 패턴(30)을 상기 노출된 상기 투명기판의 상면에 위치하며, 입사된 광의 위상을 변화시킨다. 광 투과율 조절부재(40)는 위상반전 패턴(30)에 대한 광 투과율을 조절한다Referring to FIG. 1, the phase inversion mask includes a transparent substrate 10, a light shielding pattern 20, and a phase reversal pattern 30. In addition, the phase reversal mask may include an optical transmittance controlling member 40. The light shielding pattern 20 is positioned on the transparent substrate 10 to block light from entering the transparent substrate 10 and partially expose the transparent substrate 10. The phase inversion pattern 30 is positioned on the exposed upper surface of the transparent substrate and changes the phase of the incident light. The light transmittance adjusting member 40 adjusts the light transmittance for the phase reversal pattern 30

이러한 위상반전 마스크는 현재 LCD 제조 공정에도 사용되고 있지만, 반도체와 그 특성이 다른 LCD 전용으로 사용될 수 있는 위상반전 마스크는 거의 개발되지 않고 있다. Although such phase inversion masks are currently used in LCD manufacturing processes, phase inversion masks which can be used only for LCDs having different characteristics from semiconductors are scarcely developed.

특히, 일반적으로 반도체 제조시 포토리소그래피 공정에서는 패턴 형성을 위한 조사 광원으로 248nm의 파장을 갖는 불화크립톤(KrF) 엑시머 레이저, 193nm의 파장을 갖는 불화아르곤(ArF) 엑시머 레이저에서와 같은 단파장 광의 사용이 일반화되고 있는 경향이다. 그리고, LCD 제조시 포토리소그래피 공정에서는 G-라인(파장 436㎚) 및 I-라인(파장 365㎚)을 포함하는 복합 파장의 조사 광이 사용되고 있다. 특정 파장대의 광을 이용하여 노광 공정이 이루어져야 하는 경우가 발생할 수 있다. 예컨대, I-라인 노광(I-line exposure)이나, G-라인 노광이 수행될 수 있다. 이러한 공정을 위해, 노광기(stepper)에 특정 파장의 광만을 방출하도록 필터를 장착하였다. 그러나, 노광기에 필터를 장착하고 제거하는 공정은 많은 시간 및 비용을 소요하였다. In particular, in general, in the photolithography process in semiconductor manufacturing, the use of short wavelength light such as a KrF excimer laser having a wavelength of 248 nm as an irradiation light source for pattern formation and an argon fluoride excimer laser having a wavelength of 193 nm It is a tendency to be generalized. In the photolithography process at the time of LCD manufacturing, irradiation light of a complex wavelength including G-line (wavelength 436 nm) and I-line (wavelength 365 nm) is used. There is a possibility that the exposure process must be performed using light of a specific wavelength band. For example, I-line exposure (I-line exposure) or G-line exposure can be performed. For this process, a filter was attached to the stepper to emit only light of a specific wavelength. However, the process of attaching and removing the filter to the exposure apparatus took a lot of time and cost.

따라서 본 발명의 한 목적은 상기한 선행기술의 제반 문제점을 감안하여 특정 파장을 갖는 광을 필터링할 수 있는 위상반전 마스크를 제공하는 데에 있다. It is therefore an object of the present invention to provide a phase inversion mask capable of filtering light having a specific wavelength in view of all the problems of the prior art described above.

상기한 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일실시예에 따른 위상반전 마스크는 투명기판; 조사 광의 위상을 반전시키는 위상반전 패턴부; 및 상기 위상반전 패턴부 상에 위치하며, 미리 결정된 파장 대역의 광을 투과시키는 대역통과 필터층을 포함한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a phase shift mask including: a transparent substrate; A phase reversal pattern portion for inverting the phase of the irradiation light; And a band pass filter layer located on the phase inversion pattern portion and transmitting light of a predetermined wavelength band.

상기 대역통과 필터층은 SiO2에 Ti, Ta, Ni, Al, Mo, O2, N2 중 선택되는 어느 하나 이상의 원소를 포함하는 물질로 형성될 수 있다. The band pass filter layer may be formed of a material containing at least one selected from the group consisting of Ti, Ta, Ni, Al, Mo, O 2 , and N 2 in SiO 2 .

상기 대역통과 필터층은 10 nm을 기준으로 미리 결정된 범위의 두께를 가질 수 있다. The band pass filter layer may have a predetermined range of thickness based on 10 nm.

상기 대역통과 필터층은 스퍼터링 방법에 따라 O2, N2, CO2 또는 Ar의 분위기에서 상기 위상반전 패턴부 상에 증착될 수 있다. The band pass filter layer may be deposited on the phase inversion pattern portion in an atmosphere of O 2 , N 2 , CO 2, or Ar according to a sputtering method.

상기 대역통과 필터층은 상기 미리 결정된 파장 대역의 광을 90% 이상 투과시키는 투과율을 가질 수 있다.The band pass filter layer may have a transmittance that transmits at least 90% of the light of the predetermined wavelength band.

상기 대역통과 필터층은 400 내지 500도의 고온 증착기에 의해 상기 위상반전 패턴부 상에 증착됨으로써 형성될 수 있다.The band pass filter layer may be formed by depositing on the phase inversion pattern portion by a high temperature evaporator of 400 to 500 degrees.

상기 위상반전 마스크는 상기 조사 광을 차단하는 차광 패턴부를 더 포함할 수 있다. The phase inversion mask may further include a shielding pattern portion for shielding the irradiation light.

본 발명의 다른 실시예에 따른 위상반전 마스크는 투명기판; 및 조사 광의 위상을 반전시키며, 미리 결정된 파장 대역의 광을 투과시키는 물질로 이루어진 위상반전 패턴부를 포함할 수 있다. A phase shift mask according to another embodiment of the present invention includes a transparent substrate; And a phase reversal pattern portion made of a material that reverses the phase of the irradiation light and transmits light of a predetermined wavelength band.

상기 위상반전 패턴부는 SiO2에 Ti, Ta, Ni, Al, Mo, O2, N2 중 선택되는 어느 하나 이상의 원소를 포함하는 물질로 형성될 수 있다. The phase inversion pattern portion may be formed of a material containing at least one selected from the group consisting of Ti, Ta, Ni, Al, Mo, O 2 , and N 2 in SiO 2 .

상기 미리 결정된 파장 대역은 365 nm 파장을 포함할 수 있다. The predetermined wavelength band may include a wavelength of 365 nm.

본 발명에 따르면, 특정 파장대, 예컨대, 365nm 파장의 광만을 투과시키는 대역통과 필터층을 위상반전 패턴부 상에 형성하여 노광기에 대역통과 필터를 설치하고 제어하는 공정 없이도 특정 파장대의 광만을 이용한 노광 공정을 수행할 수 있다. 따라서, 기존 노광기에 대역통과 필터를 설치하고 제어하는 공정이 불필요하므로 그에 따른 시간 또는 비용 등의 자원을 감소시킬 수 있다. According to the present invention, a band-pass filter layer for transmitting only light of a specific wavelength band, for example, a wavelength of 365 nm, is formed on a phase inversion pattern part and an exposure process using only light of a specific wavelength band without a process of installing and controlling a band- Can be performed. Therefore, it is unnecessary to install and control the band-pass filter in the existing exposure apparatus, so that resources such as time or cost can be reduced.

도 1은 종래 기술에 따른 위상반전 마스크의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 위상반전 마스크의 구조를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 위상반전 마스크의 구조를 나타낸 도면이다. 1 is a view showing a structure of a phase inversion mask according to the prior art.
2 is a diagram illustrating a structure of a phase inversion mask according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing a structure of a phase inversion mask according to another embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 바람직한 실시형태에 대해서 상세히 설명한다. 다만, 실시형태를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail to avoid unnecessarily obscuring the subject matter of the present invention. In addition, the size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean a size actually applied.

이하, 본 발명에 따른 포토 마스크에 관하여 도면을 참조하여 좀 더 자세히 설명한다. Hereinafter, a photomask according to the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 위상반전 마스크의 구조를 나타낸 도면이다. 2 is a diagram illustrating a structure of a phase inversion mask according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 일 실시예에 따른 위상반전 마스크는 투명기판(110), 조사 광의 위상을 반전시키는 위상반전 패턴부(120), 및 조사 광을 차단하는 차광 패턴부(130)을 포함한다. The phase inversion mask according to one embodiment of the present invention includes a transparent substrate 110, a phase inversion pattern unit 120 for inverting the phase of the irradiation light, and a light shield pattern unit 130 for shielding the irradiation light.

상기 투명기판(110)은 입사된 광을 모두 투과시키며, 석영(Quartz)으로 구성된 유리기판을 포함한다. The transparent substrate 110 transmits all the incident light and includes a glass substrate composed of quartz.

위상반전 패턴부(120)는 투명기판(110) 상에 위치하며, 하나의 층(layer) 또는 하나의 막(film)으로 형성된다. 위상 반전 패턴부(120)는 조사 광의 위상을 반전시킨다. 또한, 상기 위상반전 패턴부(120)는 특정 파장 대역의 광을 투과시키고 나머지 파장 대역의 광을 차단한다. The phase reversal pattern portion 120 is disposed on the transparent substrate 110 and is formed of one layer or one film. The phase inversion pattern unit 120 inverts the phase of the irradiation light. The phase inversion pattern unit 120 transmits light in a specific wavelength band and blocks light in the remaining wavelength band.

예컨대, 위상반전 패턴부(120)는 I-라인 광을 투과시키고 나머지 파장대의 광을 필터링 즉, 차단할 수 있다. 즉, 위상반전 패턴부(120)는 365nm 파장의 광을 투과시키고 나머지 파장대의 광을 차단 또는 필터링한다. 그러므로, 위상반전 패턴부(120)는 특정 대역의 광을 통과시키는 대역 통과 필터(Band Pass Filter)의 특성을 나타낸다. 이를 위해 위상반전 패턴부(120)는 SiO2을 주원소로 하여 3-4가지 원소를 포함하는 물질로 형성된다. 즉, 위상반전 패턴부(120)는 SiO2에, 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 산소(O2), 질소(N2) 중 선택되는 어느 하나 이상의 원소를 포함하여 구현되는 물질로 이루어질 수 있다. 이에 따라, 위상반전 패턴부(120)은 대역 통과 필터의 특성을 나타낼 수 있다.For example, the phase inversion pattern unit 120 may transmit the I-line light and filter or block the light of the remaining wavelength band. That is, the phase inversion pattern unit 120 transmits light having a wavelength of 365 nm and blocks or filters the light of the remaining wavelength band. Therefore, the phase inversion pattern unit 120 shows the characteristics of a band pass filter for passing light of a specific band. For this, the phase inversion pattern unit 120 is formed of a material containing 3-4 kinds of elements with SiO 2 as a main element. That is, the phase shift pattern 120 is SiO 2, titanium (Ti), tantalum (Ta), nickel (Ni), aluminum (Al), molybdenum (Mo), oxygen (O 2), nitrogen (N 2) , And the like. Accordingly, the phase inversion pattern portion 120 can exhibit characteristics of a band-pass filter.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 위상반전 마스크의 구조를 나타낸 도면이다. 3 is a view showing a structure of a phase inversion mask according to another embodiment of the present invention.

본 발명의 다른 실시예에 따른 위상반전 마스크는 투명기판(310), 조사 광의 위상을 반전시키는 위상반전 패턴부(320), 조사 광을 차단하는 차광 패턴부(330)을 포함한다. The phase inversion mask according to another embodiment of the present invention includes a transparent substrate 310, a phase inversion pattern portion 320 for inverting the phase of the irradiated light, and a light shielding pattern portion 330 for shielding the irradiated light.

상기 투명기판(310)은 조사 광을 모두 투과시키며, 석영(Quartz)으로 구성된 유리기판을 포함한다. 위상반전 패턴부(320)는 투명기판(110) 상에 위치하며 조사 광의 위상을 반전시킨다. The transparent substrate 310 includes a glass substrate made of quartz, which transmits all the irradiation light. The phase inversion pattern unit 320 is disposed on the transparent substrate 110 and inverts the phase of the irradiation light.

또한, 위상반전 마스크는 위상반전 패턴부(320) 상에 위치하며 미리 결정된 파장 대역의 광을 투과시키는 대역통과 필터층(340)을 포함한다. 대역통과 필터층(340)는 차광 패턴부(330) 상에도 형성되어 있다. 광이 투명기판(310)을 통해 위상반전 패턴부(320) 및 차광 패턴부(330)에 조사되면, 차광 패턴부(330)에서는 차단된다. 그러므로, 이론적으로는 차광 패턴부(330) 상에 대역통과 필터층(340)이 형성될 필요는 없다. 그러나, 차광 패턴부(330) 상에 대역통과 필터층(340)을 형성하는 것이 위상반전 마스크의 제조 공정을 간단하게 할 수 있다. 그러므로, 본 발명의 또 다른 실시예에서는 대역통과 필터층(340)이 차광 패턴부(330) 상에 형성되지 않을 수 있다. In addition, the phase inversion mask includes a band pass filter layer 340 positioned on the phase inversion pattern portion 320 and transmitting light in a predetermined wavelength band. The band-pass filter layer 340 is also formed on the light-shielding pattern portion 330. When the light is irradiated on the phase inversion pattern portion 320 and the light shield pattern portion 330 through the transparent substrate 310, the light is blocked in the light shield pattern portion 330. Therefore, it is theoretically unnecessary that the band-pass filter layer 340 is formed on the light-shielding pattern portion 330. However, by forming the band-pass filter layer 340 on the light-shielding pattern portion 330, it is possible to simplify the manufacturing process of the phase inversion mask. Therefore, in another embodiment of the present invention, the band-pass filter layer 340 may not be formed on the light-shielding pattern portion 330.

상기 대역통과 필터층(340)는 특정 파장 대역의 광을 투과시키고 나머지 파장 대역의 광을 차단한다. 예컨대, 대역통과 필터층(340)는 I-라인 광을 투과시키고 나머지 파장대의 광을 필터링 즉, 차단할 수 있다. 즉, 대역통과 필터층(340)는 365nm 파장의 광을 투과시키고 나머지 파장대의 광을 차단 또는 필터링한다. 그러므로, 대역통과 필터층(340)은 특정 대역의 광을 통과시키는 대역 통과 필터(Band Pass Filter)의 특성을 나타낸다. 이를 위해 대역통과 필터층(340)는 SiO2를 주원소로 하여 3-4가지 원소를 포함하는 물질로 형성된다. 예컨대, 대역통과 필터층(340)을 구성하는 재료는 대략 90%의 SiO2와 10%의 다른 원소를 포함할 수 있다. 여기에서, 다른 원소는 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 산소(O2), 질소(N2)중 몇 가지 원소를 포함할 수 있다. 예컨대, 대역통과 필터층(340)을 구성하는 재료는 상기 대역통과 필터층(340)은 SiO2에 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 산소(O2), 질소(N2) 중 선택되는 어느 하나 이상의 원소를 포함하는 물질로 형성된다.The band pass filter layer 340 transmits light of a specific wavelength band and blocks light of the remaining wavelength band. For example, the band-pass filter layer 340 may transmit the I-line light and filter or block the light of the remaining wavelength band. That is, the band pass filter layer 340 transmits light having a wavelength of 365 nm and blocks or filters light having the remaining wavelength band. Therefore, the band pass filter layer 340 shows characteristics of a band pass filter for passing light of a specific band. For this purpose, the band-pass filter layer 340 is formed of a material containing 3-4 kinds of elements mainly composed of SiO 2 . For example, the material that constitutes the bandpass filter layer 340 may comprise approximately 90% SiO 2 and 10% other elements. Here, the other elements may include some of the elements of titanium (Ti), tantalum (Ta), nickel (Ni), aluminum (Al), molybdenum (Mo), oxygen (O 2), nitrogen (N 2) have. For example, the material constituting the band-pass filter layer 340 is a band-pass filter layer 340 is Titanium (Ti), tantalum (Ta), nickel (Ni), aluminum (Al), molybdenum (Mo) in the SiO 2, the oxygen (O 2 ), and nitrogen (N 2 ).

이에 따라, 대역통과 필터층(340)은 대역 통과 필터의 특성을 나타낼 수 있다. 여기에서, 대역통과 필터층(340)은 미리 결정된 파장 대역의 광을 90% 이상 투과시키는 투과율을 갖는 것이 바람직하다. 예컨대, 대역통과 필터층(340)은 365 nm 파장에서 90% 이상의 투과율을 나타낼 수 있다.Accordingly, the band-pass filter layer 340 can exhibit characteristics of a band-pass filter. Here, it is preferable that the band-pass filter layer 340 has a transmittance that transmits at least 90% of light in a predetermined wavelength band. For example, the band pass filter layer 340 may exhibit a transmittance of 90% or more at a wavelength of 365 nm.

대역통과 필터층(340)은 10 nm을 기준으로 미리 결정된 범위의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 대역통과 필터층(340)은 스퍼터링 방법에 따라 O2, N2, CO2 또는 Ar의 분위기에서 상기 위상반전 패턴부(320) 상에 증착됨으로써 형성될 수 있다. 예컨대, 대역통과 필터층(340)은 400 내지 500도의 고온 증착기에 의해 상기 위상반전 패턴부 상에 증착됨으로써 형성되는 위상반전 마스크.The band pass filter layer 340 preferably has a thickness in a predetermined range of 10 nm. The band pass filter layer 340 may be formed by depositing on the phase inversion pattern portion 320 in an atmosphere of O 2 , N 2 , CO 2, or Ar according to a sputtering method. For example, the band pass filter layer 340 is formed by depositing on the phase inversion pattern portion by a high temperature evaporator of 400 to 500 degrees.

본 발명에 따르면, 특정 파장대, 예컨대, 365nm 파장의 광만을 투과시키는 대역통과 필터층을 위상반전 패턴부 상에 형성하여 노광기에 대역통과 필터를 설치하고 제어하는 공정 없이도 특정 파장대의 광만을 이용한 노광 공정을 수행할 수 있다. 따라서, 기존 노광기에 대역통과 필터를 설치하고 제어하는 공정이 불필요하므로 그에 따른 시간 또는 비용 등의 자원을 감소시킬 수 있다. According to the present invention, a band-pass filter layer for transmitting only light of a specific wavelength band, for example, a wavelength of 365 nm, is formed on a phase inversion pattern part and an exposure process using only light of a specific wavelength band without a process of installing and controlling a band- Can be performed. Therefore, it is unnecessary to install and control the band-pass filter in the existing exposure apparatus, so that resources such as time or cost can be reduced.

한편 상기 실시예에는 포토 마스크가 위상반전 마스크인 경우에 한정하여 설명하였지만, 다른 포토 마스크에도 적용될 수 있음은 당업자에게 자명하다. On the other hand, in the above embodiment, the description has been given only to the case where the photomask is a phase reversal mask, but it is apparent to those skilled in the art that the present invention can be applied to other photomasks.

이상으로 본 발명의 기술적 사상을 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 이와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용에만 국한되는 것은 아니며, 기술적 사상의 범주를 일탈함 없이 본 발명에 대해 다수의 적절한 변형 및 수정이 가능함을 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 그러한 모든 적절한 변형 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Those skilled in the art will appreciate that many suitable modifications and variations are possible in light of the present invention. Accordingly, all such modifications and variations as fall within the scope of the present invention should be considered.

110, 310: 투명기판 120, 320: 위상반전 패턴부
110, 330: 차광 패턴부 340: 대역통과 필터층110, 310: transparent substrate 120, 320: phase inversion pattern portion
110, 330: shielding pattern part 340: bandpass filter layer

Claims (12)

투명기판;
상기 투명기판 상에 배치되고 조사 광의 위상을 반전시키는 위상반전 패턴부;
상기 투명기판 상에 상기 위상반전 패턴부와 이격하여 배치되고 상기 조사 광을 차단하는 차광 패턴부; 및
상기 위상반전 패턴부 및 상기 차광 패턴부 상에 위치하며 미리 결정된 파장 대역의 광을 투과시키는 대역통과 필터층을 포함하고,
상기 위상반전 패턴부 및 상기 차광 패턴부는 상기 투명기판의 상면과 직접 접촉하고,
상기 대역통과 필터층은,
상기 위상반전 패턴부 상에 배치되며 상기 위상반전 패턴부의 상면과 직접 접촉하는 제 1 필터층; 및
상기 차광 패턴부 상에 배치되는 제 2 필터층을 포함하고,
상기 제 1 필터층의 폭은 상기 위상반전 패턴부의 폭과 대응되고,
상기 제 2 필터층의 폭은 상기 차광 패턴부의 폭과 대응되고,
상기 제 1 및 제 2 필터층의 두께는 서로 대응되고,
상기 미리 결정된 파장 대역의 광은 I-라인(365nm 파장) 광을 포함하고,
상기 대역통과 필터층은 상기 I-라인 광을 90% 이상 투과시키는 위상반전 마스크.A transparent substrate;
A phase reversal pattern portion disposed on the transparent substrate and inverting the phase of the irradiation light;
A shielding pattern portion disposed on the transparent substrate so as to be spaced apart from the phase inversion pattern portion and shielding the irradiated light; And
And a band-pass filter layer disposed on the phase inversion pattern portion and the light-shielding pattern portion and transmitting light of a predetermined wavelength band,
The phase inversion pattern portion and the light shielding pattern portion are in direct contact with the upper surface of the transparent substrate,
Wherein the band-
A first filter layer disposed on the phase inversion pattern portion and in direct contact with an upper surface of the phase inversion pattern portion; And
And a second filter layer disposed on the light-shielding pattern portion,
The width of the first filter layer corresponds to the width of the phase inversion pattern portion,
The width of the second filter layer corresponds to the width of the shielding pattern portion,
The thicknesses of the first and second filter layers correspond to each other,
The light of the predetermined wavelength band includes I-line (365 nm wavelength) light,
Wherein the band pass filter layer transmits at least 90% of the I-line light. 청구항 1에 있어서,
상기 대역통과 필터층은 SiO2에 Ti, Ta, Ni, Al, Mo, O2, N2 중 선택되는 어느 하나 이상의 원소를 포함하는 물질로 형성되는 위상반전 마스크.The method according to claim 1,
Wherein the band-pass filter layer is formed of a material containing at least one element selected from Ti, Ta, Ni, Al, Mo, O 2 , and N 2 in SiO 2 . 청구항 1에 있어서,
상기 대역통과 필터층은 10 nm을 기준으로 미리 결정된 범위의 두께를 갖는 위상반전 마스크.The method according to claim 1,
Wherein the band pass filter layer has a predetermined range of thickness based on 10 nm. 청구항 1에 있어서,
상기 대역통과 필터층은 스퍼터링 방법에 따라 O2, N2, CO2 또는 Ar의 분위기에서 상기 위상반전 패턴부 상에 증착되는 위상반전 마스크.The method according to claim 1,
Wherein the band pass filter layer is deposited on the phase inversion pattern portion in an atmosphere of O 2 , N 2 , CO 2, or Ar according to a sputtering method. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 대역통과 필터층은 400 내지 500도의 고온 증착기에 의해 상기 위상반전 패턴부 상에 증착됨으로써 형성되는 위상반전 마스크.The method according to claim 1,
Wherein the band pass filter layer is formed by depositing on the phase inversion pattern portion by a high temperature evaporator of 400 to 500 degrees. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 제 1 필터층의 측면은 상기 위상반전 패턴부의 측면과 동일 평면 상에 배치되고,
상기 제 2 필터층의 측면은 상기 차광 패턴부의 측면과 동일 평면 상에 배치되는 위상반전 마스크.The method according to claim 1,
The side surface of the first filter layer is disposed on the same plane as the side surface of the phase inversion pattern portion,
And the side surface of the second filter layer is disposed on the same plane as the side surface of the shielding pattern portion. 청구항 2에 있어서,
상기 대역통과 필터층은, 상기 SiO2를 90% 포함하며 상기 Ti, Ta, Ni, Al, Mo, O2, N2 중 선택되는 어느 하나 이상의 원소를 10% 포함하는 위상반전 마스크.The method of claim 2,
Wherein the band pass filter layer comprises 90% of the SiO 2 and 10% or more of at least one element selected from the group consisting of Ti, Ta, Ni, Al, Mo, O 2 and N 2 .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20080084254A (en) * 2007-03-15 2008-09-19 주식회사 하이닉스반도체 Method for fabricating lithography mask and semiconductor device
KR101094332B1 (en) * 2009-11-24 2011-12-19 주식회사 에스앤에스텍 Blankmask, method of fabricating the same and method of fabricating photomask using the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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