JP2001294413A - カーボンナノチューブの製造方法および多孔質ＳｉＣ材料の製造方法および多孔質ＳｉＣ材料 - Google Patents
カーボンナノチューブの製造方法および多孔質ＳｉＣ材料の製造方法および多孔質ＳｉＣ材料Info
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
- C04B38/0051—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore size, pore shape or kind of porosity
- C04B38/0054—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore size, pore shape or kind of porosity the pores being microsized or nanosized
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳｉＣの昇華分解によるカーボンナノチュー
ブの生成を容易に制御でき、工業的に安定して高い収率
でカーボンナノチューブを製造する方法および上記昇華
分解によりカーボンナノチューブを生成するのに適した
多孔質ＳｉＣ材料の製造方法およびそれにより製造され
る多孔質ＳｉＣ材料を提供する。 【解決手段】 多孔質炭素材料の細孔にＳｉを含浸さ
せ、熱処理することにより多孔質ＳｉＣ材料を生成させ
る。この多孔質ＳｉＣ材料を真空下で熱処理して昇華分
解させることによりカーボンナノチューブを生成させ
る。典型的には、多孔質炭素材料として炭化された木材
を用い、細孔は木材の導管に対応する。
ブの生成を容易に制御でき、工業的に安定して高い収率
でカーボンナノチューブを製造する方法および上記昇華
分解によりカーボンナノチューブを生成するのに適した
多孔質ＳｉＣ材料の製造方法およびそれにより製造され
る多孔質ＳｉＣ材料を提供する。 【解決手段】 多孔質炭素材料の細孔にＳｉを含浸さ
せ、熱処理することにより多孔質ＳｉＣ材料を生成させ
る。この多孔質ＳｉＣ材料を真空下で熱処理して昇華分
解させることによりカーボンナノチューブを生成させ
る。典型的には、多孔質炭素材料として炭化された木材
を用い、細孔は木材の導管に対応する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カーボンナノチュ
ーブの製造方法、多孔質ＳｉＣ材料の製造方法および多
孔質ＳｉＣ材料に関する。
ーブの製造方法、多孔質ＳｉＣ材料の製造方法および多
孔質ＳｉＣ材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、カーボンナノチューブは高性能の
吸着材あるいはフィルター材として注目されており、そ
の製造方法はこれまでに種々報告されている。例えば、
特開平１０−２６５２０８号公報あるいはM. Kusunoki
et al., "Epitaxial Carbon Nanotube film self-organ
ized by sublimation decomposition of silicon carbi
de", Appl. Phys. Lett. 71(18), 3 November 1997に
は、ＳｉＣ表面をレーザービームにて加熱してＳｉを選
択的に昇華させることによりＳｉＣを分解し、カーボン
ナノチューブを生成させる方法が提案されている。
吸着材あるいはフィルター材として注目されており、そ
の製造方法はこれまでに種々報告されている。例えば、
特開平１０−２６５２０８号公報あるいはM. Kusunoki
et al., "Epitaxial Carbon Nanotube film self-organ
ized by sublimation decomposition of silicon carbi
de", Appl. Phys. Lett. 71(18), 3 November 1997に
は、ＳｉＣ表面をレーザービームにて加熱してＳｉを選
択的に昇華させることによりＳｉＣを分解し、カーボン
ナノチューブを生成させる方法が提案されている。
【０００３】しかし、上記提案された方法は生成条件を
安定して制御することが困難であり、その結果高い収率
で安定してカーボンナノチューブを生成させることがで
きないため、工業的な生産方法として採用するには適さ
なかった。
安定して制御することが困難であり、その結果高い収率
で安定してカーボンナノチューブを生成させることがで
きないため、工業的な生産方法として採用するには適さ
なかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、ＳｉＣの昇華分解によるカーボンナノチューブの生
成を容易に制御でき、工業的に安定して高い収率でカー
ボンナノチューブを製造する方法を提供することであ
る。本発明の第２の目的は、上記昇華分解によりカーボ
ンナノチューブを生成するのに適した多孔質ＳｉＣ材料
の製造方法およびそれにより製造される多孔質ＳｉＣ材
料を提供することである。
は、ＳｉＣの昇華分解によるカーボンナノチューブの生
成を容易に制御でき、工業的に安定して高い収率でカー
ボンナノチューブを製造する方法を提供することであ
る。本発明の第２の目的は、上記昇華分解によりカーボ
ンナノチューブを生成するのに適した多孔質ＳｉＣ材料
の製造方法およびそれにより製造される多孔質ＳｉＣ材
料を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、下
記の工程：多孔質炭素材料の細孔にＳｉを含浸させる工
程、該Ｓｉが含浸された多孔質炭素材料を熱処理するこ
とにより該多孔質炭素材料の炭素と該含浸されたＳｉと
を反応させて多孔質ＳｉＣ材料を生成させる工程、およ
び該多孔質ＳｉＣ材料を真空下で熱処理して昇華分解さ
せることによりカーボンナノチューブを生成させる工
程、を含むことを特徴とする。
めに、本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、下
記の工程：多孔質炭素材料の細孔にＳｉを含浸させる工
程、該Ｓｉが含浸された多孔質炭素材料を熱処理するこ
とにより該多孔質炭素材料の炭素と該含浸されたＳｉと
を反応させて多孔質ＳｉＣ材料を生成させる工程、およ
び該多孔質ＳｉＣ材料を真空下で熱処理して昇華分解さ
せることによりカーボンナノチューブを生成させる工
程、を含むことを特徴とする。
【０００６】典型的には、前記多孔質炭素材料として炭
化された木材を用い、前記細孔は該木材の導管に対応す
る。また、本発明の多孔質ＳｉＣ材料の製造方法は、下
記の工程：多孔質炭素材料の細孔にＳｉを含浸させる工
程、および該Ｓｉが含浸された多孔質炭素材料を熱処理
することにより該多孔質炭素材料の炭素と該含浸された
Ｓｉとを反応させて多孔質ＳｉＣ材料を生成させる工
程、を含むことを特徴とする。
化された木材を用い、前記細孔は該木材の導管に対応す
る。また、本発明の多孔質ＳｉＣ材料の製造方法は、下
記の工程：多孔質炭素材料の細孔にＳｉを含浸させる工
程、および該Ｓｉが含浸された多孔質炭素材料を熱処理
することにより該多孔質炭素材料の炭素と該含浸された
Ｓｉとを反応させて多孔質ＳｉＣ材料を生成させる工
程、を含むことを特徴とする。
【０００７】典型的には、前記多孔質炭素材料として炭
化された木材を用い、前記細孔は該木材の導管に対応す
る。本発明の多孔質ＳｉＣ材料は、木材の導管に対応す
る細孔を有することを特徴とする。
化された木材を用い、前記細孔は該木材の導管に対応す
る。本発明の多孔質ＳｉＣ材料は、木材の導管に対応す
る細孔を有することを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の方法によれば、多孔質炭
素材料の細孔にＳｉを含浸させ、熱処理することにより
ＳｉＣを生成させるので、全体がＳｉＣから成る多孔質
材料を容易に生成できる。この多孔質ＳｉＣ材料を真空
下で熱処理して昇華分解させることによりカーボンナノ
チューブを生成させるので、生成条件を容易に制御する
ことができ、同時に、多数の細孔の壁面全体がカーボン
ナノチューブの生成サイトとなるので、体積当たり多量
のカーボンナノチューブを生成させることができ、極め
て高い収率でカーボンナノチューブを製造することがで
きる。
素材料の細孔にＳｉを含浸させ、熱処理することにより
ＳｉＣを生成させるので、全体がＳｉＣから成る多孔質
材料を容易に生成できる。この多孔質ＳｉＣ材料を真空
下で熱処理して昇華分解させることによりカーボンナノ
チューブを生成させるので、生成条件を容易に制御する
ことができ、同時に、多数の細孔の壁面全体がカーボン
ナノチューブの生成サイトとなるので、体積当たり多量
のカーボンナノチューブを生成させることができ、極め
て高い収率でカーボンナノチューブを製造することがで
きる。
【０００９】特に、多孔質炭素材料として炭化木材を用
いると、安価であるばかりでなく、木材の導管に対応し
て細孔が形成されるので細孔同士の間の隔壁が薄いた
め、細孔に含浸されたＳｉと炭素材料の炭素との反応に
よって隔壁全部が容易にＳｉＣとなり、多孔質ＳｉＣ材
料が容易に得られる。
いると、安価であるばかりでなく、木材の導管に対応し
て細孔が形成されるので細孔同士の間の隔壁が薄いた
め、細孔に含浸されたＳｉと炭素材料の炭素との反応に
よって隔壁全部が容易にＳｉＣとなり、多孔質ＳｉＣ材
料が容易に得られる。
【００１０】
【実施例】本発明により下記の手順でカーボンナノチュ
ーブを製造した。 ＜多孔質炭素材料の作製＞ラジアタパイン材（オースト
ラリア産）から１００mm×１００mm×２５mmの角材を切
り出し、下記の条件および手順にて炭化処理を行った。
ーブを製造した。 ＜多孔質炭素材料の作製＞ラジアタパイン材（オースト
ラリア産）から１００mm×１００mm×２５mmの角材を切
り出し、下記の条件および手順にて炭化処理を行った。
【００１１】先ず、角材の割れ防止のために、大気中で
５０℃にて５時間保持して水分を除去した。次に、窒素
ガス雰囲気中で５００℃にて炭化熱処理を行った。得ら
れた炭化木材（ウッドカーボン）から成る多孔質炭素材
料は、図１および図２にそれぞれ横断面および縦断面の
走査電子顕微鏡写真で示したように、元の木材を長手方
向に貫通する導管に対応して、ほぼ貫通孔と考えられる
多数の細孔が密集して並行して延びた微細構造であっ
た。図示の例では細孔径は１０〜３０μｍ、細孔壁の厚
さは約５μｍであった。
５０℃にて５時間保持して水分を除去した。次に、窒素
ガス雰囲気中で５００℃にて炭化熱処理を行った。得ら
れた炭化木材（ウッドカーボン）から成る多孔質炭素材
料は、図１および図２にそれぞれ横断面および縦断面の
走査電子顕微鏡写真で示したように、元の木材を長手方
向に貫通する導管に対応して、ほぼ貫通孔と考えられる
多数の細孔が密集して並行して延びた微細構造であっ
た。図示の例では細孔径は１０〜３０μｍ、細孔壁の厚
さは約５μｍであった。
【００１２】＜多孔質ＳｉＣ材料の製造＞上記炭化木材
上に金属シリコンのインゴットを載置し、カーボンモー
ルド内にセットして真空炉内に装入した。真空炉内を約
０．１torrまで減圧した後、１５００℃に加熱して４時
間保持することにより、金属シリコンを溶融させて炭化
木材の細孔内に含浸し、かつ炭化木材の炭素と反応させ
た。これにより多孔質ＳｉＣ材料が得られた。
上に金属シリコンのインゴットを載置し、カーボンモー
ルド内にセットして真空炉内に装入した。真空炉内を約
０．１torrまで減圧した後、１５００℃に加熱して４時
間保持することにより、金属シリコンを溶融させて炭化
木材の細孔内に含浸し、かつ炭化木材の炭素と反応させ
た。これにより多孔質ＳｉＣ材料が得られた。
【００１３】得られた多孔質ＳｉＣ材料は、図３および
図４にそれぞれ横断面および縦断面の走査電子顕微鏡奢
侈で示したように、炭化木材の細孔壁全体がＳｉＣの微
粒子に変換された微細構造であった。図示の例ではＳｉ
Ｃ微粒子は直径数μｍであった。Ｓｉ含浸およびＳｉ／
Ｃ反応のための加熱温度は次の観点から選択した。すな
わち、溶融金属シリコンの流動性を確保して細孔内への
含浸を完全に行うために、加熱温度は約１４００℃以上
とすることが望ましい。加熱温度が低すぎて含浸が不完
全になると、未反応の炭素分およびＳｉ分が残る。一
方、加熱温度は約１６００℃以下とすることが望まし
い。加熱温度が高すぎると金属シリコンが昇華してしま
い、未反応の炭素が残留してしまい均一なＳｉＣが得ら
れない。
図４にそれぞれ横断面および縦断面の走査電子顕微鏡奢
侈で示したように、炭化木材の細孔壁全体がＳｉＣの微
粒子に変換された微細構造であった。図示の例ではＳｉ
Ｃ微粒子は直径数μｍであった。Ｓｉ含浸およびＳｉ／
Ｃ反応のための加熱温度は次の観点から選択した。すな
わち、溶融金属シリコンの流動性を確保して細孔内への
含浸を完全に行うために、加熱温度は約１４００℃以上
とすることが望ましい。加熱温度が低すぎて含浸が不完
全になると、未反応の炭素分およびＳｉ分が残る。一
方、加熱温度は約１６００℃以下とすることが望まし
い。加熱温度が高すぎると金属シリコンが昇華してしま
い、未反応の炭素が残留してしまい均一なＳｉＣが得ら
れない。
【００１４】また、金属シリコンインゴットの量は次の
観点から選択した。すなわち、基本的には、炭素と過不
足なく反応するように、炭化木材の重量に対して等モル
分とする。すなわち金属シリコンの量＝炭化木材重量×
２８／１２とする。ここで２８＝Ｓｉ原子量、１２＝炭
素原子量である。ただし、実際の操業においては、金属
シリコン量の不足による未反応炭素の残留を防止するた
めに、等モル分よりも若干多い量の金属シリコンを用い
ることができる。この場合、過剰の金属シリコンが残留
した場合には、多孔質ＳｉＣ材料を約１７００℃以上の
温度に加熱することにより、残留金属シリコンを昇華さ
せて除去することができる。
観点から選択した。すなわち、基本的には、炭素と過不
足なく反応するように、炭化木材の重量に対して等モル
分とする。すなわち金属シリコンの量＝炭化木材重量×
２８／１２とする。ここで２８＝Ｓｉ原子量、１２＝炭
素原子量である。ただし、実際の操業においては、金属
シリコン量の不足による未反応炭素の残留を防止するた
めに、等モル分よりも若干多い量の金属シリコンを用い
ることができる。この場合、過剰の金属シリコンが残留
した場合には、多孔質ＳｉＣ材料を約１７００℃以上の
温度に加熱することにより、残留金属シリコンを昇華さ
せて除去することができる。
【００１５】〔カーボンナノチューブの製造〕上記で得
られた多孔質ＳｉＣ材料が収容されている上記真空炉内
を高真空（１×１０-5 torr)に減圧した後、１９００℃
に加熱して６時間保持することによりＳｉＣを昇華分解
させて、カーボンナノチューブを生成させた。得られた
カーボンナノチューブは、図５および図６にそれぞれ異
なる倍率の透過電子顕微鏡写真で示したように、チュー
ブ直径５０〜６０ｎｍ程度、チューブ壁厚さ１５ｎｍ程
度であった。
られた多孔質ＳｉＣ材料が収容されている上記真空炉内
を高真空（１×１０-5 torr)に減圧した後、１９００℃
に加熱して６時間保持することによりＳｉＣを昇華分解
させて、カーボンナノチューブを生成させた。得られた
カーボンナノチューブは、図５および図６にそれぞれ異
なる倍率の透過電子顕微鏡写真で示したように、チュー
ブ直径５０〜６０ｎｍ程度、チューブ壁厚さ１５ｎｍ程
度であった。
【００１６】ＳｉＣ昇華分解のための加熱温度は約１９
００℃あるいはそれ以上とすることが必要であった。加
熱温度がこれより低いとカーボンナノチューブが生成し
なかった。したがって、昇華分解を確実に行うために
は、加熱温度を２０００℃程度としてもよい。ただし、
高温にするほど、設備の負担は大きくなる。本実施例で
示したように、カーボンナノチューブの生成に適した多
孔質ＳｉＣ材料を、炭化木材から安価に製造できる。
００℃あるいはそれ以上とすることが必要であった。加
熱温度がこれより低いとカーボンナノチューブが生成し
なかった。したがって、昇華分解を確実に行うために
は、加熱温度を２０００℃程度としてもよい。ただし、
高温にするほど、設備の負担は大きくなる。本実施例で
示したように、カーボンナノチューブの生成に適した多
孔質ＳｉＣ材料を、炭化木材から安価に製造できる。
【００１７】炭化木材から成る多孔質炭素材料は、炭化
前の木材を貫通する導管構造をほぼそのまま反映した細
孔構造を持っているので、溶融金属シリコンが容易に細
孔内に流れ込んで多孔質炭素材料の内部まで完全に含浸
できる上、細孔壁が厚さ５μｍ程度と非常に薄いため細
孔壁全体が容易にＳｉと反応し、多孔質炭素材料全体を
ＳｉＣに変換できる。その結果、木材の導管構造をほぼ
そのまま引き継いだ細孔構造を持つ多孔質ＳｉＣ材料が
得られる。
前の木材を貫通する導管構造をほぼそのまま反映した細
孔構造を持っているので、溶融金属シリコンが容易に細
孔内に流れ込んで多孔質炭素材料の内部まで完全に含浸
できる上、細孔壁が厚さ５μｍ程度と非常に薄いため細
孔壁全体が容易にＳｉと反応し、多孔質炭素材料全体を
ＳｉＣに変換できる。その結果、木材の導管構造をほぼ
そのまま引き継いだ細孔構造を持つ多孔質ＳｉＣ材料が
得られる。
【００１８】そして、この多孔質ＳｉＣ材料は細孔が実
質的に貫通孔であるため、内部の細孔壁を構成するＳｉ
Ｃ粒子も昇華分解によりカーボンナノチューブの生成源
となり、体積内に高密度でカーボンナノチューブが生成
するので、極めて高い収率が得られる。また、本発明の
多孔質ＳｉＣ材料は、カーボンナノチューブの生成源と
して有用であるばかりでなく、それ自体が下記の用途に
おいて極めて有用である。
質的に貫通孔であるため、内部の細孔壁を構成するＳｉ
Ｃ粒子も昇華分解によりカーボンナノチューブの生成源
となり、体積内に高密度でカーボンナノチューブが生成
するので、極めて高い収率が得られる。また、本発明の
多孔質ＳｉＣ材料は、カーボンナノチューブの生成源と
して有用であるばかりでなく、それ自体が下記の用途に
おいて極めて有用である。
【００１９】すなわち、多孔質ＳｉＣ材料は、ＡｌやＣ
ｕ等の金属を含浸するプリフォームとして望ましい材料
であり、これにより電子部品の放熱基板等をはじめ多種
多様な用途に適用できる。特に、多孔質炭素材料として
炭化木材を用いて製造した多孔質ＳｉＣ材料は、貫通孔
である木材の導管に対応した直径１０〜３０μｍの細孔
が密集して並行した構造なので、例えばディーゼルエン
ジン排ガス中のパーティキュレート用フィルター（ＤＰ
Ｆ）等として極めて有用である。細孔径は、多孔質炭素
材料を製造する際に炭化前の木材への樹脂含浸量の調整
や、細孔壁を構成するＳｉＣ粒子の成長を調整すること
により、種々に制御することができる。
ｕ等の金属を含浸するプリフォームとして望ましい材料
であり、これにより電子部品の放熱基板等をはじめ多種
多様な用途に適用できる。特に、多孔質炭素材料として
炭化木材を用いて製造した多孔質ＳｉＣ材料は、貫通孔
である木材の導管に対応した直径１０〜３０μｍの細孔
が密集して並行した構造なので、例えばディーゼルエン
ジン排ガス中のパーティキュレート用フィルター（ＤＰ
Ｆ）等として極めて有用である。細孔径は、多孔質炭素
材料を製造する際に炭化前の木材への樹脂含浸量の調整
や、細孔壁を構成するＳｉＣ粒子の成長を調整すること
により、種々に制御することができる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、ＳｉＣの昇華分解によ
るカーボンナノチューブの生成を容易に制御でき、工業
的に安定して高い収率でカーボンナノチューブを製造す
ることができる。また、上記昇華分解によりカーボンナ
ノチューブを生成するのに適した安価な多孔質ＳｉＣ材
料が提供される。
るカーボンナノチューブの生成を容易に制御でき、工業
的に安定して高い収率でカーボンナノチューブを製造す
ることができる。また、上記昇華分解によりカーボンナ
ノチューブを生成するのに適した安価な多孔質ＳｉＣ材
料が提供される。
【図１】図１は、炭化木材から成る多孔質炭素材料の横
断面の微細構造を示す走査電子顕微鏡写真である。
断面の微細構造を示す走査電子顕微鏡写真である。
【図２】図２は、図１の多孔質炭素材料の縦断面の微細
構造を示す走査電子顕微鏡写真である。
構造を示す走査電子顕微鏡写真である。
【図３】図３は、図１および図２に示した微細構造の多
孔質炭素材料から製造した多孔質ＳｉＣ材料の横断面の
微細組織を示す走査電子顕微鏡写真である。
孔質炭素材料から製造した多孔質ＳｉＣ材料の横断面の
微細組織を示す走査電子顕微鏡写真である。
【図４】図４は、図３の多孔質ＳｉＣ材料の縦断面の微
細構造を示す走査電子顕微鏡写真である。
細構造を示す走査電子顕微鏡写真である。
【図５】図５は、図３および図４に示した微細構造の多
孔質ＳｉＣ材料上に生成したカーボンナノチューブを示
す透過電子顕微鏡写真である。
孔質ＳｉＣ材料上に生成したカーボンナノチューブを示
す透過電子顕微鏡写真である。
【図６】図６は、図５に示したカーボンナノチューブを
より高倍率で示す透過電子顕微鏡写真である。
より高倍率で示す透過電子顕微鏡写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 寛 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内 Ｆターム(参考） 4G046 CA00 CB01 CC03 MA14 MC01
Claims (5)
- 【請求項１】 下記の工程：多孔質炭素材料の細孔内に
Ｓｉを含浸させる工程、 上記含浸後の多孔質炭素材料を熱処理することにより該
多孔質炭素材料の炭素と該含浸されたＳｉとを反応させ
て多孔質ＳｉＣ材料を生成させる工程、および該多孔質
ＳｉＣ材料を真空下で熱処理して昇華分解させることに
よりカーボンナノチューブを生成させる工程、を含むこ
とを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 【請求項２】 前記多孔質炭素材料として炭化された木
材を用い、前記細孔は該木材の導管に対応することを特
徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブの製造方
法。 - 【請求項３】 下記の工程：多孔質炭素材料の細孔にＳ
ｉを含浸させる工程、および該Ｓｉが含浸された多孔質
炭素材料を熱処理することにより該多孔質炭素材料の炭
素と該含浸されたＳｉとを反応させて多孔質ＳｉＣ材料
を生成させる工程、を含むことを特徴とする多孔質Ｓｉ
材料の製造方法。 - 【請求項４】 前記多孔質炭素材料として炭化された木
材を用い、前記細孔は該木材の導管に対応することを特
徴とする請求項３記載の多孔質ＳｉＣ材料の製造方法。 - 【請求項５】 木材の導管に対応する細孔を有すること
を特徴とする多孔質ＳｉＣ材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000109820A JP2001294413A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | カーボンナノチューブの製造方法および多孔質ＳｉＣ材料の製造方法および多孔質ＳｉＣ材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000109820A JP2001294413A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | カーボンナノチューブの製造方法および多孔質ＳｉＣ材料の製造方法および多孔質ＳｉＣ材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001294413A true JP2001294413A (ja) | 2001-10-23 |
Family
ID=18622440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000109820A Pending JP2001294413A (ja) | 2000-04-11 | 2000-04-11 | カーボンナノチューブの製造方法および多孔質ＳｉＣ材料の製造方法および多孔質ＳｉＣ材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001294413A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007523822A (ja) * | 2004-01-15 | 2007-08-23 | ナノコンプ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 伸長した長さのナノ構造の合成のためのシステム及び方法 |
| JP2009062203A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Tohoku Univ | 炭化ケイ素構造体の製造方法 |
| CN105518187A (zh) * | 2013-09-06 | 2016-04-20 | Gtat公司 | 生产大块硅碳化物的方法 |
| JP2018048056A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 國家中山科學研究院 | 炭化物原料の製造方法 |
-
2000
- 2000-04-11 JP JP2000109820A patent/JP2001294413A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007523822A (ja) * | 2004-01-15 | 2007-08-23 | ナノコンプ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 伸長した長さのナノ構造の合成のためのシステム及び方法 |
| JP2009062203A (ja) * | 2007-09-04 | 2009-03-26 | Tohoku Univ | 炭化ケイ素構造体の製造方法 |
| CN105518187A (zh) * | 2013-09-06 | 2016-04-20 | Gtat公司 | 生产大块硅碳化物的方法 |
| CN105518187B (zh) * | 2013-09-06 | 2019-11-08 | Gtat公司 | 生产大块硅碳化物的方法 |
| JP2018048056A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 國家中山科學研究院 | 炭化物原料の製造方法 |
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